KR101667447B1 - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정공 주입 및 수송능, 발광능 등이 우수한 신규의 벤조피롤카바졸계 화합물 및 이를 하나 이상의 유기물층에 포함함으로써 발광효율, 구동전압, 수명 등의 특성이 향상된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.

Description

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자{ORGANIC COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 신규 유기 화합물 및 상기 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면 양극에서는 정공이 유기물층으로 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기 유기물층에 포함되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
상기 발광 물질은 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색의 발광 물질과, 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색의 발광 물질로 구분될 수 있다. 또한 색순도의 증가와 에너지 전이를 통해 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
도판트 물질은 유기 물질을 사용하는 형광 도판트와 Ir, Pt 등의 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 사용하는 인광 도판트로 나눌 수 있다. 이때 인광 도판트는 이론적으로 형광 도판트에 비해 최대 4배의 발광 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 인광 도판트 뿐만 아니라 인광 호스트에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
현재 발광층에 사용되는 형광 도판트/호스트 물질로는 안트라센 유도체들이 알려져 있다. 또한 발광층에 사용되는 인광 도판트 물질로는 Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등의 Ir을 포함하는 금속 착체 화합물이 알려져 있고, 인광 호스트 물질로는 4,4-dicarbazolybiphenyl(CBP)가 알려져 있다.
그러나 기존의 재료들은 유리전이온도가 낮고 열적 안정성이 좋지 않아 유기 전계 발광 소자에서의 수명 측면에서 만족할만한 수준이 되지 못하고 있으며, 발광 특성 측면에서도 여전히 개선이 필요하다.
대한민국 공개특허 2011-0066763
상기한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 유리 전이온도가 높으며 열적 안정성이 우수하고, 발광 특성이 뛰어난 신규 유기 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또 본 발명은 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112013115365458-pat00001
상기 화학식 1에서,
R1과 R2 및 R2와 R3 중 적어도 하나는 서로 결합하여 하기 화학식 2로 표시되는 축합 고리를 형성하며,
[화학식 2]
Figure 112013115365458-pat00002
상기 화학식 2에서,
점선은 화학식 1과 결합되는 부분이고,
X1은 CAr2Ar3, NAr4, O, S 및 SiAr5Ar6로 이루어진 군에서 선택되며,
축합 고리를 형성하는 것을 제외한 상기 R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며,
상기 Ar1 내지 Ar6 은 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 R1내지 R10 및 Ar1 내지 Ar6의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환 또는 비치환될 수 있다. 이때, 복수개의 치환기로 치환될 경우 복수개의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
한편 본 발명은 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다. 본 발명에서 알킬은 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 알케닐(alkenyl)은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 알키닐(alkynyl)은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기를 의미한다. 이의 예로는 에티닐(ethynyl), 2-프로파닐(2-propynyl) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 아릴은 단독 고리 또는 2 이상의 고리가 조합된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 헤테로아릴은 핵원자수 5 내지 60의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이때, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 또한 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된 형태도 포함될 수 있고, 나아가 아릴기와의 축합된 형태도 포함될 수 있다. 이러한 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리, 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리 및 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 아릴옥시는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R은 탄소수 6 내지 60의 아릴을 의미한다. 이러한 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 알킬옥시는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로, 상기 R'는 탄소수 1 내지 40의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함할 수 있다. 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 아릴아민은 탄소수 6 내지 60의 아릴로 치환된 아민을 의미한다.
본 발명에서 시클로알킬은 탄소수 3 내지 40의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 노르보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 헤테로시클로알킬은 핵원자수 3 내지 40의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이러한 헤테로시클로알킬의 예로는 모르폴린, 피페라진 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에서 알킬실릴은 탄소수 1 내지 40의 알킬로 치환된 실릴이고, 아릴실릴은 탄소수 6 내지 60의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
본 발명에서 축합고리는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 열적 안정성 및 발광 특성이 우수하기 때문에 유기 전계 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용될 수 있다. 특히, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 인광 호스트 재료로 사용할 경우, 종래의 호스트 재료에 비해 우수한 발광 성능, 낮은 구동전압, 높은 효율 및 장수명을 가지는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있고, 나아가 성능 및 수명이 향상된 풀 칼라 디스플레이 패널도 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
1. 신규 유기 화합물
본 발명의 화합물은 벤조피롤카바졸(benzo pyrrole carbazole) 기본 골격에 5원 방향족환, 또는 5원 헤테로 방향족환이 축합되고, 다양한 치환체가 결합된 것으로, 상기 화학식 1로 표시된다.
본 발명의 화합물과 같이 전자 공여성이 큰 전자주는기(electron donating group, EDG) 특성을 가져 정공 수송성이 우수한 벤조피롤카바졸 기본 골격에 전자 흡수성이 큰 전자끄는기(electron withdrawing group, EWG)가 도입될 경우, 정공과 전자의 결합력이 높고 분자 전체가 양극성(bipolar)을 가지기 때문에 인광 발광층에서 호스트로서 유리하게 적용할 수 있을 뿐만 아니라 전자수송층에도 적용될 수 있다. 또한 치환기로 전자 공여성이 큰 전자주는기(electron donating group, EDG)가 도입될 경우 정공 수송층, 정공 주입층에도 적용될 수 있다.
또한 본 발명의 화합물은 다양한 방향족 환(aromatic ring) 치환체로 인해 분자량이 유의적으로 증대됨으로써 높은 유리전이온도를 가지기 때문에 종래의 유기물층 재료(예를 들어, CBP)보다 열적 안정성이 우수하다.
따라서 본 발명의 화합물을 유기 전계 발광 소자의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 또는 발광층의 재료로 사용할 경우, 종래의 유기물층 재료(예를 들어, CBP)에 비해 유기 전계 발광 소자의 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 유기 전계 발광 소자 수명 향상은 풀 칼라 유기 발광 패널의 성능을 극대화시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 화합물은 유기 전계 발광 소자의 특성을 고려할 때, X1은 NAr4, O 또는 S인 것이 바람직하고, NAr4인 것이 더욱 바람직하다.
또한 본 발명의 화합물에서, 화합물의 넓은 밴드갭과 열안정성을 고려했을 때, Ar1 내지 Ar6는 각각 독립적으로 C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴아민기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
또 본 발명의 화합물에서, R1 내지 R10는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 본 발명의 화합물에서 Ar1 내지 Ar6 및 R1 내지 R10(축합 고리를 형성하지 않는 것)는 각각 독립적으로 수소 또는 하기 S1 내지 S205로 이루어진 구조(치환체)에서 선택되는 것이 바람직하다.
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이러한 본 발명의 화합물은 하기 화학식 3 내지 6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
[화학식 3]
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[화학식 4]
Figure 112013115365458-pat00009
[화학식 5]
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[화학식 6]
Figure 112013115365458-pat00011
상기 화학식 3 내지 6에서,
X1, R1 내지 R10, Ar1은 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 화합물은 하기 예시된 화합물들로 구체화될 수 있다. 그러나 본 발명의 화합물이 하기 예시된 화합물들로 한정되는 것은 아니다.
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이러한 본 발명의 화학식 1의 화합물은 하기 합성예를 참조하여 다양하게 합성할 수 있다.
2. 유기 전계 발광 소자
본 발명의 다른 측면은 상기한 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
구체적으로, 본 발명은 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 1종 이상 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층 물질로서 유기 전계 발광 소자에 포함될 수 있다. 이 경우 유기 전계 발광 소자는 발광효율, 휘도, 전력효율, 열적 안정성 및 소자 수명이 향상될 수 있다.
특히 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 인광 호스트, 형광 호스트 또는 도펀트 재료인 것이 바람직하며, 발광층의 인광 호스트인 것이 더욱 바람직하다.
이러한 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으나, 기판, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 음극이 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 이때 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 발광층 중 하나 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 1종 이상 포함할 수 있다. 상기 전자 수송층 위에는 전자 주입층이 위치할 수도 있다.
또한 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입된 구조로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 진공증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이들에 한정되지는 않는다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상을 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 유기물층 및 전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.
예컨대, 기판으로는 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.
양극 물질로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 또는 카본블랙 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
음극 물질로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층으로 사용되는 물질은 당업계에 알려진 통상의 물질이라면 특별히 한정되지 않는다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[준비예 1] Core1의 합성
<단계 1> 3H-naphtho[1,2-g]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00043
질소 기류 하에서 1-nitrophenanthrene(20 g, 89.59 mmol)을 800ml THF에 녹인 후 -40℃로 내리고 vinylmagnesium bromide(35.27 g, 268.78 mmol)을 넣는다. 20분 교반 후 포화된 NH4Cl 수용액을 사용하여 반응을 종결시킨 후 에틸아세테이트로 유기층을 분리하여 MgSO4를 사용하여 물을 제거하였다. 물이 제거된 유기층에서 용매를 제거한 후 컬럼 크로마토그래피(Hexane:MC = 5:1 (v/v))로 정제하여 3H-naphtho[1,2-g]indole 12.6g(yield 65 %)을 얻었다.
1H-NMR : δ 6.45 (d, 1H), 7.27 (d, 1H), 7.71 (m, 2H), 7.88 (m, 3H), 8.12(d, 1H), 8.93(m, 2H), 11.35(s, 1H)
<단계 2> 3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00044
질소 기류 하에서 화합물인 3H-naphtho[1,2-g]indole(12.6g, 57.99mmol), Iodobenzene(17.74g, 86.98mmol), Cu powder(1.9g, 28.99mmol), K2CO3(12g, 86.98mmol) 및 nitrobenzene(200ml)를 혼합하고 190℃에서 12시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후 nitrobenzene을 제거하고 메틸렌클로라이드로 유기층을 분리한 다음 MgSO4를 사용하여 물을 제거하였다. 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 12.7g (yield: 75 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (d, 1H), 6.58 (m, 6H), 7.72 (m, 2H), 7.85 (m, 3H), 8.12(d, 1H), 8.94(m, 2H)
<단계 3> 9-nitro-3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00045
질소 기류 하에서 화합물인 3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole(12.7g, 43.34mmol)를 1,4-dioxane(400ml)에 넣은 후 교반하였다. 15ml의 질산을 24ml의 상수에 희석한 용매에 상기 혼합물을 투입하고 60℃에서 0.5시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후 400ml의 상수를 가하고 1,4-dioxane을 제거하고 메틸렌클로라이드로 유기층을 분리한 다음 MgSO4를 사용하여 물을 제거하였다. 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 9-nitro-3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 8.0g (yield: 55 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (d, 1H), 6.58 (m, 6H), 7.72 (m, 2H), 7.88 (d, 1H), 8.08(t, 1H), 8.51(d, 1H), 8.89(m, 2H)
<단계 4> Core1의 합성
Figure 112013115365458-pat00046
질소 기류 하에서 9-nitro-3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole(8.0g, 23.66mmol)과 triphenylphosphine(15.4g, 59.15mmol), 1,2-dichlorobenzene(120ml)를 넣은 후 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 디스틸레이션을 통해 1,2-dichlorobenzene를 제거하고 디클로로메탄으로 추출하였다. 추출된 유기층은 MgSO4로 건조 후 감압여과 하였다. 여과된 유기층을 감압증류한 뒤 컬럼크로마토그래피를 이용하여 Core1 4.8g (yield: 66 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (d, 1H), 6.58 (m, 6H), 7.72 (m, 2H), 7.88 (m, 3H), 8.12(d, 1H), 8.51(d, 1H), 11.15(s, 1H)
[준비예 2] Core2의 합성
<단계 1> 8H-naphtho[1,2-f]indole과 1H-naphtho[2,1-e]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00047
1-nitrophenanthrene 대신 2-nitrophenanthrene(30g, 134.39mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 8H-naphtho[1,2-f]indole 10.21g (yield 35%), 1H-naphtho[2,1-e]indole 9.34g (yield: 32 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.45 (d, 1H), 7.27 (d, 1H), 7.73 (m, 2H), 7.88 (m, 2H) 7, 8.13(s, 1H), 8.93(m, 2H), 11.22(s, 1H)
1H-NMR : δ 6.45 (d, 1H), 7.27 (d, 1H), 7.72 (m, 2H), 7.85 (d, 1H), 8.13(d, 1H), 8.98(m, 2H) 11.25(s, 1H)
<단계 2> 8-phenyl-8H-naphtho[1,2-f]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00048
3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 8H-naphtho[1,2-f]indole(10.21g, 47.05mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 8-phenyl-8H-naphtho[1,2-f]indole 8.5g (yield: 62 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (d, 1H), 7.60 (m, 6H), 7.74 (m, 2H), 7.85 (m, 2H) 8.12(m, 2H), 8.95(m, 2H)
<단계 3> 1-nitro-8-phenyl-8H-naphtho[1,2-f]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00049
3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 8-phenyl-8H-naphtho[1,2-f]indole(8.5g, 29.01mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 3>과 동일한 과정을 수행하여 1-nitro-8-phenyl-8H-naphtho[1,2-f]indole 5.0g (yield: 52 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (m, 3H), 7.58 (m, 6H), 7.69 (m, 2H), 7.85 (m, 2H) 8.10(m, 2H), 8.51(d, 1H), 8.81(d, 1H) 8.95(s, 1H)
<단계 4> Core2의 합성
Figure 112013115365458-pat00050
9-nitro-3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 1-nitro-8-phenyl-8H-naphtho[1,2-f]indole(5.0g, 14.79mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 4>와 동일한 과정을 수행하여 Core2 2.7g (yield: 61 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.48 (d, 1H), 7.55 (m, 6H), 7.73 (m, 2H), 7.88 (m, 2H) 8.13(m, 2H), 11.18(s, 1H)
[준비예 3] Core3의 합성
<단계 1> 1-phenyl-1H-naphtho[2,1-e]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00051
3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 1H-naphtho[2,1-e]indole(9.34g, 43.04mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 1-phenyl-1H-naphtho[2,1-e]indole 8.57g (yield: 68 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (s, 3H) 7.60 (m, 6H), 7.15 (m, 2H), 7.88 (m, 3H) 8.13(d, 1H), 8.92(m, 2H)
<단계 2> 9-nitro-1-phenyl-1H-naphtho[2,1-e]indole의 합성
Figure 112013115365458-pat00052
3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 1-phenyl-1H-naphtho[2,1-e]indole(8.57g, 29.26mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 3>과 동일한 과정을 수행하여 9-nitro-1-phenyl-1H-naphtho[2,1-e]indole 5.2g (yield: 53 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.50 (d, 1H) 7.55 (m, 6H), 7.72 (m, 2H), 7.88 (d, 1H) 8.08(t, 1H), 8.52(d, 1H), 8.92(m, 2H)
<단계 3> Core3의 합성
Figure 112013115365458-pat00053
9-nitro-3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 9-nitro-1-phenyl-1H-naphtho[2,1-e]indole(5.2g, 15.51mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 4>와 동일한 과정을 수행하여 Core3 2.9g (yield: 62 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (d, 1H) 7.58 (m, 6H), 7.72 (m, 2H), 7.88 (m, 2H) 8.11(d, 1H), 11.12(s, 1H)
[준비예 4] Core4의 합성
<단계 1> (E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)thiophene의 합성
Figure 112013115365458-pat00054
질소 기류 하에서 (E)-1-(2-bromovinyl)naphthalene(20g, 85.83mmol), thiophen-2-ylboronic acid(13g, 102.99mmol), K2CO3(35.5g, 257.49mmol), 400ml/100ml의 THF/H2O를 넣고 교반하였다. 40℃에서 Pd(PPh3)4(2.97g, 2.57mmol)를 넣고 80℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 디클로로메탄으로 추출하고 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압여과 하였다. 여과된 유기층을 감압증류 한 뒤 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 (E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)thiophene 16.4g (yield: 81 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.95 (m, 3H) 7.17 (t, 1H), 7.52(m, 3H), 7.69 (d, 1H) 7.78(d, 1H), 7.96(m, 2H), 8.08(d, 1H)
<단계 2> phenanthro[1,2-b]thiophene의 합성
Figure 112013115365458-pat00055
질소 기류 하에서 (E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)thiophene(16.4g, 69.39mmol), Iodine(18.11g, 138.78 mmol), 300ml의 cyclohexane을 넣고 80℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 디클로로메탄으로 추출하고 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압여과 하였다. 여과된 유기층을 감압증류 한 뒤 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 phenanthro[1,2-b]thiophene 10.7g (yield: 66 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 7.75 (m, 7H), 8.12 (d, 1H), 8.93 (m, 2H)
<단계 3> 9-nitrophenanthro[1,2-b]thiophene의 합성
Figure 112013115365458-pat00056
3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 phenanthro[1,2-b]thiophene(10.7g, 45.66mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 3>과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 9-nitrophenanthro[1,2-b]thiophene 6.7g (yield: 53 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 7.72 (m, 4H), 7.88 (d, 1H), 8.52 (d, 1H), 8.82 (d, 1H) 8.95(d, 1H)
<단계 4> Core4의 합성
Figure 112013115365458-pat00057
9-nitro-3-phenyl-3H-naphtho[1,2-g]indole 대신 9-nitrophenanthro[1,2-b]thiophene(6.7g, 24.01mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 1]의 <단계 4>와 동일한 과정을 수행하여 Core4 3.8g (yield: 64 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 7.71 (m, 7H), 8.15 (d, 1H), 11.18 (s, 1H)
[준비예 5] Core5의 합성
<단계 1(E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)furan의 합성
Figure 112013115365458-pat00058
thiophen-2-ylboronic acid 대신 furan-2-ylboronic acid(11.4g, 102.99mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 4]의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 (E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)furan 13.6g (yield: 72 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.52 (d, 1H), 6.95 (m, 3H), 7.55 (m, 3H), 7.78(m, 2H), 7.96(m, 2H), 8.10(d, 1H)
<단계 2> 13-nitrodibenzo[b,mn]xanthene의 합성
Figure 112013115365458-pat00059
(E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)thiophene 대신 (E)-2-(2-(naphthalen-1-yl)vinyl)furan(13.6g, 61.80mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 4]의 <단계 2>과 동일한 과정을 수행하여 13-nitrodibenzo[b,mn]xanthene 7.8g (yield: 58 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.66 (d, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.74 (m, 2H), 7.86(m, 3H), 8.14(d, 1H), 8.96(m, 2H)
<단계 3> 9-nitrophenanthro[1,2-b]furan의 합성
Figure 112013115365458-pat00060
phenanthro[1,2-b]thiophene 대신 13-nitrodibenzo[b,mn]xanthene(7.8g, 35.77mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 4]의 <단계 3>와 동일한 과정을 수행하여 9-nitrophenanthro[1,2-b]furan 4.5g (yield: 48 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.66 (d, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.74 (m, 2H), 7.88(d, 1H), 8.11(t, 1H), 8.53(d, 1H), 8.82 (d, 1H), 8.95(d, 1H)
<단계 4> Core5의 합성
Figure 112013115365458-pat00061
9-nitrophenanthro[1,2-b]thiophene 대신 9-nitrophenanthro[1,2-b]furan(4.5g, 17.17mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 [준비예 4]의 <단계 4>와 동일한 과정을 수행하여 Core5 2.5g (yield: 63 %)을 획득하였다.
1H-NMR : δ 6.68 (d, 1H), 7.55 (d, 1H), 7.72 (m, 2H), 7.85(m, 3H), 8.12(d, 1H), 11.13(s, 1H)
[합성예 1] Inv 88의 합성
Figure 112013115365458-pat00062
질소 기류 하에서 Core1(3.0g, 9.79mmol), 4-chloro-2-phenylpyrimidine(2.24g, 11.75mmol), Pd(OAc)2(0.1g, 0.48mmol), NaO(t-bu)(2.82g, 29.37mmol), P(t-bu)3(0.39g, 1.95mmol) 및 Toluene(80ml)을 혼합한 다음, 110℃에서 12시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후 에틸아세테이트로 추출한 다음, MgSO4로 수분을 제거하고, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Inv 88 (2.5g, 수율 57%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 460.53 g/mol, 측정치: 460 g/mol)
[합성예 2] Inv 106의 합성
Figure 112013115365458-pat00063
질소 기류 하에서 Core1(3.0g, 9.79mmol), 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(3.1g, 11.74mmol), NaH(0.39g, 9.79mmol) 및 DMF(80ml)를 혼합하고 상온에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후 물을 넣고 고체 화합물을 filter한 후, 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Inv 106 (3.5g, 수율 67%)를 얻었다.
GC-Mass (이론치: 537.61 g/mol, 측정치: 537 g/mol)
[합성예 3] Inv 107의 합성
Figure 112013115365458-pat00064
4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine(3.13g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 107 (3.3g, 수율 63%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 536.62 g/mol, 측정치: 536 g/mol)
[합성예 4] Inv 141의 합성
Figure 112013115365458-pat00065
4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 4-(4-chlorophenyl)-2,6-diphenylpyrimidine(4.02g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 141(3.6g, 수율 61%)를 얻었다.
GC-Mass (이론치: 612.72 g/mol, 측정치: 612 g/mol)
[합성예 5] Inv 168의 합성
Figure 112013115365458-pat00066
4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 2-(3-chlorophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(4.03g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 168(3.6g, 수율 60%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 613.71 g/mol, 측정치: 613 g/mol)
[합성예 6] Inv 199의 합성
Figure 112013115365458-pat00067
4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 4-(2-chloropyrimidin-4-yl)benzonitrile(2.53g, 11.74mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 199(2.9g, 수율 62%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 485.54 g/mol, 측정치: 485 g/mol)
[합성예 7] Inv 223의 합성
Figure 112013115365458-pat00068
Core1 대신 Core2(3g, 9.79mmol)을 사용하고, 4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 2-(3-chlorophenyl)-4-phenylpyrimidine(3.13g, 11.74mmol)을 사용한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 223(3.0g, 수율 58%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 536.62 g/mol, 측정치: 536 g/mol)
[합성예 8] Inv 225 의 합성
Figure 112013115365458-pat00069
질소 기류 하에서 Core2(3.0g, 9.79mmol), 4-bromo-N,N-diphenylaniline(3.8g, 11.74mmol), Cu powder(0.31g, 4.89mmol), K2CO3(2.02g, 14.68mmol), 및 nitrobenzene(80ml)를 혼합하고 190℃에서 12시간 동안 교반하였다. 반응이 종결된 후 nitrobenzene을 제거하고 메틸렌클로라이드로 유기층을 분리한 다음 MgSO4를 사용하여 물을 제거하였다. 유기층의 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 Inv 225(3.5g, 수율 65%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 549.66 g/mo, 측정치: 549 g/mol)
[합성예 9] Inv 232의 합성
Figure 112013115365458-pat00070
4-bromo-N,N-diphenylaniline 대신 2-bromo-4,6-diphenylpyridine (3.64g, 11.74mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 8과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 232 (3.3g, 수율 63%)를 얻었다.
GC-Mass (이론치: 535.64 g/mol, 측정치: 535 g/mol)
[합성예 10] Inv 233의 합성
Figure 112013115365458-pat00071
4-bromo-N,N-diphenylaniline 대신 2-(4-bromophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(4.5g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 8과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 233(3.8g, 수율 64%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 613.71 g/mol, 측정치: 613 g/mol)
[합성예 11] Inv 253의 합성
Figure 112013115365458-pat00072
4-bromo-N,N-diphenylaniline 대신 9-(4-bromophenyl)-9H-carbazole(3.78g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 8과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 253(3.3g, 수율 62%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 547.65 g/mol, 측정치: 547 g/mol)
[합성예 12] Inv 274의 합성
Figure 112013115365458-pat00073
Core2 대신 Core3(3.0g 9.79mmol)을 사용하고 4-bromo-N,N-diphenylaniline 대신 2-bromo-4,6-diphenylpyrimidine(3.6g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 8과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 274(3.46 g, 수율 66%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 536.62 g/mol, 측정치: 536 g/mol)
[합성예 13] Inv 278의 합성
Figure 112013115365458-pat00074
Core1 대신 Core3(3.0g, 9.79mmol)을 사용하고, 4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 2,4-di(biphenyl-3-yl)-6-(4-chlorophenyl)-1,3,5-triazine(5.82g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 278 (4.5 g, 수율 60%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 765.9 g/mol, 측정치: 765 g/mol)
[합성예 14] Inv 284의 합성
Figure 112013115365458-pat00075
2,4-di(biphenyl-3-yl)-6-(4-chlorophenyl)-1,3,5-triazine 대신 4-(3-chlorophenyl)-2,6-diphenylpyrimidine(4.02g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 13과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 284(3.4g, 수율 57%)를 얻었다.
GC-Mass (이론치: 612.72 g/mol, 측정치: 612 g/mol)
[합성예 15] Inv 364의 합성
Figure 112013115365458-pat00076
Core1 대신 Core4(3.0g, 12.13mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 364(3.3g, 수율 58%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 478.57 g/mol, 측정치: 478 g/mol)
[합성예 16] Inv 376의 합성
Figure 112013115365458-pat00077
Core2 대신 Core4(3.0g, 12.13mmol)를 사용하고, 4-bromo-N,N-diphenylaniline 대신 2-(5-bromobiphenyl-3-yl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(6.75g, 14.55mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 8과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 376 (4.9 g, 수율 62%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 630.76 g/mol, 측정치: 630 g/mol)
[합성예 17] Inv 373의 합성
Figure 112013115365458-pat00078
Core1 대신 Core4(3.0g, 12.13mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 5와 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 373(3.8g, 수율 57%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 554.66 g/mol, 측정치: 554 g/mol)
[합성예 18] Inv 407의 합성
Figure 112013115365458-pat00079
Core1 대신 Core5(3.0g, 12.97mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 3과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 407(3.5g, 수율 59%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 461.51 g/mol, 측정치: 461 g/mol)
[합성예 19] Inv 411의 합성
Figure 112013115365458-pat00080
4-chloro-2,6-diphenylpyrimidine 대신 2-(4-chlorophenyl)-4,6-di(naphthalen-2-yl)-1,3,5-triazine(6.89g, 15.56mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 18과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 411(4.8g, 수율 58%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 587.67 g/mol, 측정치: 587 g/mol)
[합성예 20] Inv 423의 합성
Figure 112013115365458-pat00081
Core2 대신 Core5(3.0g, 12.97mmol)를 사용하고 4-bromo-N,N-diphenylaniline 대신 4'-bromobiphenyl-3,5-dicarbonitrile(4.4g, 15.56mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 8과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 423(3.5g, 수율 62%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 433.46 g/mol, 측정치: 433 g/mol)
[합성예 21] Inv 212의 합성
Figure 112013115365458-pat00082
4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 2-chloro-4-phenylquinazoline (2.82g, 11.75mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 212 (3.0g, 수율 61%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 510.59 g/mol, 측정치: 510 g/mol)
[합성예 22] Inv 216의 합성
Figure 112013115365458-pat00083
4-chloro-2-phenylpyrimidine 대신 2-chloro-4-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)quinazoline(4.3g, 11.75mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 216(3.4g, 수율 55%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 636.74 g/mol, 측정치: 636 g/mol)
[합성예 23] Inv 293의 합성
Figure 112013115365458-pat00084
2,4-di(biphenyl-3-yl)-6-(4-chlorophenyl)-1,3,5-triazine 대신 2-chloro-4-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)quinazoline(4.3g, 11.74mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 13과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 293 (3.5 g, 수율 57%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 636.74 g/mol, 측정치: 636 g/mol)
[합성예 24] Inv 383의 합성
Figure 112013115365458-pat00085
2-(3-chlorophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine 대신 4-(biphenyl-4-yl)-2-chloroquinazoline(3.84g, 12.13mmol)를 사용하는 것을 제외하고는 합성예 17과 동일한 과정을 수행하여 목적 화합물인 Inv 383(3.3g, 수율 52%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 527.64 g/mol, 측정치: 527 g/mol)
[실시예 1 내지 20] 녹색 유기 전계 발광 소자의 제조
상기 합성예에서 합성한 화합물을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후 아래의 과정에 따라 소자를 제조하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수로 초음파 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음 UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이렇게 준비된 ITO 투명 기판(전극) 위에 m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 90% 합성예 1 내지 20 각각의 화합물 + 10 % Ir(ppy)3 (30nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 소자를 제조하였다.
[비교예 1] 녹색 유기 전계 발광 소자의 제조
발광층 형성시 발광 호스트 물질로서 합성예 1의 화합물 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정으로 소자를 제조하였다.
실시예 1 내지 20 및 비교예 1에서 사용된 m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, BCP 및 CBP의 구조는 하기와 같다.
Figure 112013115365458-pat00086
Figure 112013115365458-pat00087

[평가예 1]
실시예 1 내지 20 및 비교예 1에서 제조한 녹색 유기 전계 발광 소자에 대하여 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율 및 발광피크를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압(V) 발광피크(nm) 전류효율(cd/A)
실시예 1 Inv-88 6.41 516 41.2
실시예 2 Inv-106 6.57 517 42.3
실시예 3 Inv-107 6.44 516 43.5
실시예 4 Inv-141 6.73 514 45.6
실시예 5 Inv-168 6.67 517 44.2
실시예 6 Inv-199 6.65 516 43.3
실시예 7 Inv-223 6.66 517 45.4
실시예 8 Inv-225 6.73 517 41.5
실시예 9 Inv-232 6.52 514 43.1
실시예 10 Inv-233 6.53 516 45.2
실시예 11 Inv-253 6.48 518 43.3
실시예 12 Inv-274 6.48 517 43.6
실시예 13 Inv-278 6.72 516 42.7
실시예 14 Inv-284 6.80 517 43.3
실시예 15 Inv-364 6.63 516 42.7
실시예 16 Inv-376 6.75 516 42.8
실시예 17 Inv-373 6.55 516 43.9
실시예 18 Inv-451 6.63 518 41.3
실시예 19 Inv-455 6.62 516 44.2
실시예 20 Inv-467 6.51 516 41.4
비교예 1 CBP 6.93 516 38.2
상기 표1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 화합물을 녹색 유기 전계 발광 소자의 발광층에 사용한 경우(실시예 1 내지 20)가 종래 CBP를 녹색 유기 전계 발광 소자에 사용한 경우(비교예1)보다 효율 및 구동전압이 우수한 것을 확인할 수 있다.
[실시예 21 내지 24] 적색 유기 전계 발광 소자의 제조
합성예에서 합성한 화합물을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후 아래의 과정에 따라 적색 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수로 초음파 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음 UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이렇게 준비된 ITO 투명 기판(전극) 위에 m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 90% 합성예 21 내지 24 각각의 화합물 + 10 % (piq)2Ir(acac) (30nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 소자를 제조하였다.
[비교예 2] 적색 유기 전계 발광 소자의 제조
발광층 형성시 발광 호스트 물질로서 합성예 21의 화합물 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 21과 동일한 과정으로 소자를 제조하였다.
상기 실시예 21 내지 24 및 비교예 2에서 사용된 m-MTDATA, TCTA, BCP 및 CBP의 구조는 상기와 같고, (piq)2Ir(acac)의 구조는 하기와 같다.
Figure 112013115365458-pat00088

[평가예 2]
실시예 21 내지 24 및 비교예 2에서 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압 및 전류효율을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압(V) 전류효율(cd/A)
실시예 21 Inv-212 4.73 12.3
실시예 22 Inv-216 4.68 13.1
실시예 23 Inv-293 4.65 12.3
실시예 24 Inv-383 4.69 12.9
비교예 2 CBP 5.25 8.2
상기 표2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 화합물을 적색 유기 전계 발광 소자의 발광층에 사용한 경우(실시예 21 내지 24)가 종래 CBP를 적색 유기 전계 발광 소자에 사용한 경우(비교예2)보다 효율 및 구동전압이 우수한 것을 확인할 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112016066226586-pat00091

    상기 화학식 1에서,
    R1과 R2 및 R2와 R3 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 축합 고리를 형성하며,
    [화학식 2]
    Figure 112016066226586-pat00090

    상기 화학식 1에서,
    점선은 화학식 1과 결합되는 부분이고,
    X1은 NAr4, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되고,
    상기 화학식 2로 표시되는 축합 고리를 형성하지 않은 R1 내지 R3과, R4 내지 R10은 각각 독립적으로 수소이고,
    Ar1은 C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
    Ar4는 페닐이고,
    상기 Ar1의 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로, 시아노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환될 수 있고,
    상기 헤테로시클로알킬기 및 상기 헤테로아릴기는 각각 독립적으로, 1 내지 3개의 헤테로원자를 포함하며, 이때, 헤테로원자는 N, O, S 및 Se로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 하기 화학식 3 내지 6으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
    [화학식 3]
    Figure 112016026025703-pat00092

    [화학식 4]
    Figure 112016026025703-pat00093

    [화학식 5]
    Figure 112016026025703-pat00094

    [화학식 6]
    Figure 112016026025703-pat00095

    상기 화학식 3 내지 6에서,
    X1, R1, R3 내지 R10 및 Ar1은 제1항에서 정의한 바와 같다.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
    상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 유기물층이 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 발광층으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층이고,
    상기 화합물은 상기 발광층의 인광 호스트인 유기 전계 발광 소자.
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