KR101666600B1 - 3D Color Image Sensor Using Stack Structure of Organic Photoelectric Conversion Layers - Google Patents

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Abstract

본 발명은 3차원 입체영상 표현이 가능한 입체용 컬러 이미지센서에 관한 것으로서, 유기 광전변환막으로 이루어진 컬러용 화소 및 입체용 화소를 포함한다. 본 발명의 입체용 컬러 이미지센서는 유기 광전변환막을 이용함으로써 고화소, 고해상도를 구현할 수 있고, 장치 소형화에 적합하며, 컬러용 화소와 입체용 화소의 광축 불일치 문제를 해소할 수 있다.The present invention relates to a stereoscopic color image sensor capable of three-dimensional stereoscopic image display, and includes a color pixel and a stereoscopic pixel formed of an organic photoelectric conversion film. The stereoscopic color image sensor of the present invention can realize high resolution and high resolution by using an organic photoelectric conversion film, is suitable for miniaturization of apparatus, and can solve the problem of optical axis mismatch between color pixels and stereoscopic pixels.

Description

유기 광전변환막을 이용한 입체용 컬러 이미지센서{3D Color Image Sensor Using Stack Structure of Organic Photoelectric Conversion Layers}[0001] The present invention relates to a three-dimensional color image sensor using an organic photoelectric conversion film,

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로서, 유기 광전변환막을 이용하고 3차원 입체영상 표현이 가능한 컬러 이미지센서에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor, and more particularly, to a color image sensor using an organic photoelectric conversion film and capable of three-dimensional stereoscopic image display.

일반적으로 컬러 이미지센서는 빛을 감지하여 전기적인 신호로 변환하는 광전변환 소자를 이용하여 구현된다. 이러한 이미지센서는 반도체 기판 상에 행렬로 배열되는 복수개의 단위 화소(pixel)들을 구비한다.In general, a color image sensor is implemented using a photoelectric conversion element that converts light into an electrical signal. Such an image sensor has a plurality of unit pixels arranged in a matrix on a semiconductor substrate.

기존의 컬러 이미지센서에서 더 나아가 최근에는 3차원 입체영상 표현이 가능한 입체용 컬러 이미지센서의 연구개발이 활발히 이루어지고 있다. 입체용 컬러 이미지센서는 물체와의 거리를 측정하여 입체적으로 물체의 컬러를 재현하는 것을 가능하도록 한다. 물체와의 거리 측정에는 통상적으로 적외선이 이용된다.Recently, color image sensors for stereoscopic images capable of three-dimensional stereoscopic image display have been actively developed and developed. The stereoscopic color image sensor enables to reproduce the color of the object three-dimensionally by measuring the distance to the object. Infrared rays are usually used to measure the distance to an object.

그러나, 입체용 컬러 이미지센서는 컬러 구현을 위한 R, G, B 화소 뿐만 아니라 입체 구현을 위한 화소도 필요하기 때문에 고화소, 고해상도 구현 및 장치의 소형화에 불리한 단점이 있다. 아울러, 컬러용 화소와 입체용 화소가 평면적으로 분리되어 배치되기 때문에 광축의 불일치에 따른 문제도 발생할 수 있다.However, since the three-dimensional color image sensor requires not only R, G, and B pixels for color implementation but also pixels for three-dimensional implementation, it is disadvantageous in realizing high resolution, high resolution and miniaturization of apparatus. In addition, since the pixels for color and the pixels for stereoscopic effect are arranged in a planar manner, a problem due to inconsistency of the optical axis may occur.

따라서 본 발명은 고화소, 고해상도를 구현할 수 있고 장치 소형화에 적합하며, 컬러용 화소와 입체용 화소의 광축 불일치 문제를 해소할 수 있는 입체용 컬러 이미지센서를 제공하고자 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a three-dimensional color image sensor capable of realizing a high pixel and a high resolution, being suitable for miniaturization of a device, and eliminating the problem of optical axis mismatch between color pixels and stereoscopic pixels.

본 발명의 일 측면에 따른 입체용 컬러 이미지센서는 컬러용 화소와 입체용 화소를 포함하여 구성된다. According to one aspect of the present invention, a stereoscopic color image sensor comprises a pixel for color and a pixel for stereoscopic effect.

일 예에 따르면, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및 상기 컬러용 화소와 수직 방향으로 하부 또는 상부에 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소;를 포함한다.The first organic photoelectric conversion layer may include first and second electrodes spaced apart from each other and a first organic photoelectric conversion layer formed between the first electrode and the second electrode, A color pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light in a wavelength band of a desired color; And a second organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, the first and second electrodes being disposed at a lower portion or an upper portion in a direction perpendicular to the color pixel, And the second organic photoelectric conversion film includes a three-dimensional pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light in an infrared wavelength band.

본 발명의 다른 측면에 따른 입체용 컬러 이미지센서는, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및 상기 컬러용 화소와 수평 방향으로 서로 이웃하여 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제 1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소; 를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a stereoscopic color image sensor comprising first and second electrodes spaced apart from each other, and a first organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, The first organic photoelectric conversion film is a color pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light of a wavelength band of a desired color among visible rays; And a second organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, the first and second electrodes being disposed adjacent to each other in the horizontal direction with respect to the color pixel, Wherein the second organic photoelectric conversion film is a three-dimensional pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light in an infrared wavelength band; .

상기 입체용 컬러 이미지센서에 있어서, 상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막은 상기 제1 전극상에 형성되는 P형 유기물질층과, 상기 P형 유기물질층 상에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하고, 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층은 PN 접합을 이룬다. The first or second organic photoelectric conversion layer may include a P-type organic material layer formed on the first electrode and an N-type organic material layer formed on the P-type organic material layer, And the P-type organic material layer and the N-type organic material layer form a PN junction.

상기 컬러용 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함하고, 상기 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소는 수평 방향으로 서로 이웃하여 배치되거나, 수직 방향으로 적층하여 배치될 수 있다. The color pixel includes a red pixel, a green pixel, and a blue pixel, and the red pixel, the green pixel, and the blue pixel may be disposed adjacent to each other in the horizontal direction or stacked in the vertical direction.

일 예에 따르면, 상기 제 1 유기 광전변환막에서 P형 유기물질층 또는 N형 유기물질층은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광만을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 유기 물질로 형성될 수 있다. According to one example, the P-type organic material layer or the N-type organic material layer in the first organic photoelectric conversion film is formed on the light receiving surface side to selectively absorb only light of a wavelength band of a desired color among the visible light regions, Can be formed of an organic material that causes conversion.

또 다른 예에 따르면, 상기 제 1 유기 광전변환막은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 1 P형 유기물질층, 상기 제 1 P형 유기물질층의 하부에 형성되어 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 2 P형 유기물질층, 및 상기 제 2 P형 유기물질층의 하부에 형성되는 N형 유기물질층으로 이루어질 수 있다. According to another example, the first organic photoelectric conversion film may include a first P-type organic semiconductor layer formed on the light-receiving surface side to selectively absorb light in a wavelength band other than a wavelength band of a desired color among visible light regions, A second P-type organic material layer formed below the first P-type organic material layer to absorb light in a wavelength band of a desired color to cause photoelectric conversion, and a second P- Type organic material layer.

또한, 상기 제 2 유기 광전변환막은, P형 유기물질층과 N형 유기물질층 중 적어도 하나가 적외선 영역의 파장을 선택적으로 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. Also, the second organic photoelectric conversion layer may be formed of a material in which at least one of the P-type organic material layer and the N-type organic material layer selectively absorbs the wavelength of the infrared region.

하나의 예에서, 상기 입체용 화소의 상부 또는 제 2 유기 광전변환막의 상부에는 가시광선의 파장 대역의 광을 흡수하는 물질로 이루어진 가시광선 흡수층이 더욱 형성될 수 있다. In one example, a visible light absorbing layer made of a material capable of absorbing light in a wavelength band of visible light may be further formed on the upper portion of the stereoscopic pixel or on the second organic photoelectric conversion layer.

또한, 상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막에서 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층 사이에 개재되고, P형 유기물질과 N형 유기물질이 공증착되어 형성되는 인트린식층; 및/또는 상기 제 1 전극층과 상기 P형 유기물질층 사이 또는 상기 N형 유기물질층과 상기 제 2 전극층 사이에 형성되는 버퍼층;이 더욱 형성될 수 있다. An intrinsic layer interposed between the P-type organic material layer and the N-type organic material layer in the first or second organic photoelectric conversion layer, wherein the intrinsic layer is formed by co-deposition of a P-type organic material and an N-type organic material; And / or a buffer layer formed between the first electrode layer and the P-type organic material layer or between the N-type organic material layer and the second electrode layer.

본 발명에 따른 입체용 컬러 이미지센서는 기존의 평면적 화소 배치 대신에 유기 광전변환막을 이용함으로써 고화소, 고해상도를 구현할 수 있고, 장치 소형화에 적합하며, 컬러용 화소와 입체용 화소의 광축 불일치 문제를 해소할 수 있다.The color image sensor for stereoscopic images according to the present invention can realize a high resolution and a high resolution by using an organic photoelectric conversion film instead of a conventional planar pixel arrangement and is suitable for miniaturization of a device and solves the problem of optical axis mismatch between color pixels and stereoscopic pixels can do.

본 발명에 따른 입체용 컬러 이미지센서는 디지털 카메라, 방송용 카메라, 감시 카메라, 컴퓨터 화상통화용 카메라, 캠코더, 자동차용 센서, 가정용 센서, 태양전지 등에 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 휴대폰, PMP, DMB 수신기, 네비게이션(navigation)과 같은 휴대형 기기뿐만 아니라, 입체 TV나 표시장치, 인터렉티브(interactive) TV, 의료용 기기 등에 다양하게 이용될 수 있다.The stereoscopic color image sensor according to the present invention can be widely applied to a digital camera, a broadcasting camera, a surveillance camera, a camera for a computer video communication, a camcorder, an automobile sensor, a home sensor, a solar battery, In addition, it can be used not only in portable devices such as mobile phones, PMPs, DMB receivers, and navigation devices but also in stereoscopic TVs, display devices, interactive TVs, medical devices and the like.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 본 발명의 이점들과 특징들 및 이를 수행하는 방법들은 하기 실시예들에 대한 상세한 설명 및 첨부된 도면들을 참조함으로써 더욱 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 그러나 본 발명은 많은 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 여기서 언급한 실시예들로만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the invention and the manner of carrying it out will be more readily understood by reference to the following detailed description of the embodiments and the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 1개의 단위 화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서의 단면 모식도이고, 도 2은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 2 개의 단위 화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서의 단면 모식도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 4 개의 단위화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서의 단면 모식도이다. 설명의 편의를 위하여, 도 2 및 3에서 도 1의 요소에 대응하는 요소에 대해서는 도면부호를 생략하였다. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a three-dimensional color image sensor including one unit pixel according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross- Fig. 3 is a cross-sectional schematic diagram of a three-dimensional color image sensor including four unit pixels according to a third embodiment of the present invention. For convenience of explanation, the elements corresponding to the elements in Fig. 1 are omitted in Figs. 2 and 3.

먼저, 도 1을 참조하면, 복수 개의 컬러용 화소들(100)과 입체용 화소(200)을 수직 방향으로 적층 구조로 배치하여 하나의 단위화소(10)를 구성한다. 도 2를 참조하면, 복수 개의 컬러용 화소들(100)을 적층 구조로 배치하고, 컬러용 화소들(100)에 대하여 수평 방향으로 인접하도록 별도의 유기 광전변환막으로 이루어진 입체용 화소(200)를 배치하여 2 개의 단위화소(20)를 구성한다. 이와 같이, 단위 화소(10)를 1 내지 2개로 구성하는 경우 고화소, 고해상도 구현이 가능하며 장치의 소형화에 매우 유리하다. Referring to FIG. 1, a plurality of color pixels 100 and a plurality of pixels for stereoscopic effect 200 are arranged in a stacked structure in a vertical direction to form one unit pixel 10. 2, a plurality of color pixels 100 are arranged in a laminated structure, and a three-dimensional pixel 200 made of a separate organic photoelectric conversion film so as to be adjacent to the color pixels 100 in the horizontal direction, Are arranged to constitute two unit pixels (20). As described above, when one or two unit pixels 10 are formed, it is possible to realize a high resolution and a high resolution, which is very advantageous for downsizing the device.

도 3을 참조하면, 복수 개의 컬러용 화소들(100)을 서로 인접하도록 수평 방 향으로 배치하고, 입체용 화소(200)을 컬러용 화소들(100)과 서로 인접하도록 수평 방향으로 배치하여 4개의 단위화소(30)를 구성할 수도 있다. 도시되지는 않았지만, 복수 개의 컬러용 화소들(100)을 서로 인접하도록 수평 방향으로 배치하고, 입체용 화소(200)을 컬러용 화소들(100)의 수직 방향으로 상부 또는 하부에 적층하여 3개의 단위화소를 구성할 수도 있으며, 이 경우도 본 발명의 범위에 포함된다. 3, a plurality of color pixels 100 are arranged in a horizontal direction so as to be adjacent to each other, and a three-dimensional pixel 200 is arranged in a horizontal direction so as to be adjacent to the color pixels 100, Pixel unit pixels 30 may be formed. Although not shown, the plurality of color pixels 100 are arranged in a horizontal direction so as to be adjacent to each other, and the three-dimensional pixel 200 is stacked on the upper or lower portion in the vertical direction of the color pixels 100, Unit pixel, and this case is also included in the scope of the present invention.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 입체용 컬러 이미지센서를 구체적으로 살펴본다. 1개의 단위화소로 이루어진 입체용 컬러 이미지센서(10)는 수광면 측으로부터 마이크로렌즈(301), 투명 보호층(310), 공통전극(320)의 하부에, 청색 화소(100B), 녹색 화소(100G), 적색 화소(100R), 및 입체용 화소(200)가 배치되고, 각각의 화소들(100B, 100G, 100R)의 하부에는 화소 전극(331, 332, 333)이 형성되어 있다. 본 도시에서 입체용 화소(200)는 컬러용 화소들의 적층 구조(100B, 100G, 100R) 하부에 위치하지만, 상부에 위치할 수도 있음은 물론이다. 최하단층은 CMOS 기판을 나타내고, CMOS 기판의 상부에는 구동전극(350)이 형성되어 있다. 각각의 화소들(100B, 100G, 100R, 200) 사이에는 층간 절연막(또는 후술하는 흡광층이 될 수 있음)이 형성되어 있고, 수직 방향으로 층간 접속수단(예컨대, 비아(via) 등)이 형성될 수 있다. Hereinafter, a stereoscopic color image sensor according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIG. The three-dimensional color image sensor 10 composed of one unit pixel has a blue pixel 100B, a green pixel (blue pixel) 100B, and a red pixel (blue pixel) 100B on the lower side of the microlens 301, the transparent protective layer 310 and the common electrode 320 from the light- The red pixel 100R and the stereoscopic pixel 200 are disposed on the lower side of each of the pixels 100B and 100G and the pixel electrodes 331 and 332 and 333 are formed below the pixels 100B and 100G. In the present embodiment, the stereoscopic effect pixel 200 is located below the laminated structures 100B, 100G, and 100R of color pixels, but it may be located at an upper portion. The lowermost layer represents a CMOS substrate, and a driving electrode 350 is formed on an upper portion of the CMOS substrate. An interlayer insulating film (or a light absorbing layer, which will be described later) is formed between each of the pixels 100B, 100G, 100R, and 200, and interlayer connecting means .

마이크로렌즈(301) 및 마이크로렌즈(301)의 하부에 형성된 투명 보호층(310)은 각각의 화소에 입사광을 집광하기 위한 것이다. 공통 전극(320)은 화소 전극(331, 332, 333)에 대해 일정한 바이어스 전압이 인가되는 것이므로, 후술하는 바와 같이, 컬러 필터(300)의 제1 전극(110)이 공통전극(320)으로 기능할 수 있다. 경우에 따라서는, 제1 전극(110)과 별도로 공통전극(320)이 마련될 수도 있다. The transparent protective layer 310 formed under the microlenses 301 and the microlenses 301 is for focusing incident light on each pixel. The first electrode 110 of the color filter 300 functions as the common electrode 320 so that the common electrode 320 functions as the common electrode 320. [ can do. In some cases, the common electrode 320 may be provided separately from the first electrode 110.

컬러용 화소(100)는 특정 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 전기적 신호를 출력하는 것이고, 입체용 화소(200)는 적외선을 흡수하여 전기적 신호를 출력하는 것이다. The color pixel 100 selectively absorbs light in a wavelength band of a specific color to output an electrical signal. The stereoscopic pixel 200 absorbs infrared rays and outputs an electrical signal.

청색 화소(100B)은 약 450 ~ 500 nm의 청색 영역 파장을, 녹색 화소(100G)는 약 500 ~ 600 nm의 녹색 영역 파장을, 적색 화소(100R)는 약 600 ~ 780 nm의 적색 영역 파장을 각각 선택적으로 흡수한다. 또한, 입체용 화소(200)는 약 700 ~ 1100 nm의 적외선 영역 파장을 선택적으로 흡수한다. The green pixel 100G has a green region wavelength of about 500 to 600 nm and the red pixel 100R has a red region wavelength of about 600 to 780 nm Respectively. In addition, the stereoscopic pixel 200 selectively absorbs the infrared region wavelength of about 700 to 1100 nm.

청색 화소(100B), 녹색 화소(100G), 적색 화소(100R), 및 입체용 화소(200)은 모두 유기 광전변환막으로 이루어져 있다. 이들의 경계에는 절연층 또는 블랙마스크 등이 형성될 수 있는 바, 빛 유출을 방지하고 구동전극(230) 에 광쉴드 (light shied)를 제공해준다. The blue pixel 100B, the green pixel 100G, the red pixel 100R, and the pixel for stereoscopic effect 200 all are organic photoelectric conversion films. An insulating layer or a black mask or the like may be formed at the boundaries of these electrodes to prevent light leakage and provide a light shield to the driving electrode 230.

경우에 따라, 각각의 컬러용 화소들(100R, 100G, 100B)의 상부 또는 이들을 구성하는 유기 광전변환막 상부에 흡광제를 포함하는 흡수층(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 흡수층은 하부의 유기 광전변환막에서 흡수하는 특정 파장 이외의 파장을 흡수함으로써 특정 컬러화소에 특정 파장 이외의 파장이 도달하는 것을 방지할 수 있다. In some cases, an absorber layer (not shown) including a light absorber may be formed on the organic photoelectric conversion film above or above each of the pixels 100R, 100G, and 100B for color. The absorption layer absorbs wavelengths other than the specific wavelength absorbed by the underlying organic photoelectric conversion film, thereby preventing wavelengths other than the specific wavelength from reaching the specific color pixel.

입체용 화소(200)의 경우에도 가시광선의 파장 대역의 광을 흡수하는 흡광제로 이루어진 물질로 이루어진 가시광선 흡수층(도시되지 않음)이 입체용 화소(200)의 상부 또는 입체용 화소(200)를 구성하는 유기 광전변환막의 상부에 위치할 수 있다. In the case of the stereoscopic pixel 200, a visible light absorption layer (not shown) made of a material composed of a light absorber that absorbs light in the wavelength band of visible light constitutes an upper or stereoscopic pixel 200 of the stereoscopic pixel 200 The organic photovoltaic conversion film may be disposed on the organic photovoltaic conversion film.

도 4 내지 9에는 본 발명의 일 예에 따른 유기 광전변환막의 단면도가 모식적으로 도시되어 있는 바, 이를 참조하여 유기 광전변환막을 구체적으로 살펴본다. 이러한 유기 광전변환막은 도 1 내지 3에서 청색 화소(100B), 녹색 화소(100G), 적색 화소(100R), 및 입체용 화소(200)에 각각 적용될 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 도 5 내지 9에서 동일 또는 대응되는 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였다.FIGS. 4 to 9 are schematic sectional views of an organic photoelectric conversion film according to an exemplary embodiment of the present invention, and an organic photoelectric conversion film will be specifically described with reference to FIGS. This organic photoelectric conversion film can be applied to the blue pixel 100B, the green pixel 100G, the red pixel 100R, and the stereoscopic pixel 200 in FIGS. 1 to 3, respectively. For convenience of description, the same or corresponding elements in FIGS. 5 to 9 are denoted by the same reference numerals.

먼저 도 4를 참조하면, 컬러용 또는 입체용 화소들(100, 200)은 공통적으로, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극(110, 120)과, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 형성되는 유기 광전 변환막(101)을 구비한다. Referring to FIG. 4, the color or stereoscopic pixels 100 and 200 commonly include first and second electrodes 110 and 120 spaced from each other, and first and second electrodes 110 and 120, And an organic photoelectric conversion film (101) formed between the electrodes (120).

제1 및 제2 전극(110, 120)은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 유기 광전 변환막(101)은 적색, 녹색, 청색 화소(100R, 100G, 100B) 별로 서로 다른 유기물질로 형성되나, 제1 및 제2 전극(110, 120)은 이들 적색, 녹색, 청색 화소(100R, 100G, 100B) 전체에 대해 공통적으로 사용된다. The first and second electrodes 110 and 120 may be formed of a transparent conductive material. The first and second electrodes 110 and 120 are formed of organic materials having different red, green, and blue pixels 100R, 100G, and 100B, respectively, 100R, 100G, and 100B.

이때, 제1 전극(110)의 일함수는 제2 전극(120)의 일함수보다 더 큰 값을 갖는다. 제1 전극 및 제2 전극(110, 120)은 ITO, IZO, ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 산화물로 형성되는 투명 산화물 전극일 수 있다. 제2 전극(120)의 경우, Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag, 및 Cr 으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속으로 형성되는 금속 박막일 수도 있다. 제2 전극(120)이 금속으로 형성되는 경우, 투명성을 확보하기 위하여 20 nm이하의 두께로 형성될 수 있다. At this time, the work function of the first electrode 110 is larger than the work function of the second electrode 120. The first and second electrodes 110 and 120 may be formed of a material selected from the group consisting of ITO, IZO, ZnO, SnO 2 , ATO (antimony-doped tin oxide), Al-doped zinc oxide (AZO), gallium- 2, and a fluorine-doped tin oxide (FTO). The second electrode 120 may be a metal thin film formed of at least one metal selected from the group consisting of Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag, and Cr. When the second electrode 120 is formed of a metal, it may be formed to a thickness of 20 nm or less to ensure transparency.

도 4에서, 유기 광전 변환막(101)은, PN접합 구조를 갖는 P형 유기물질층(130)과 N형 유기물질층(140)을 포함한다. P 형 유기물질층(130)은 제1 전극(110) 하부에 형성되며, N형 유기물질층(140)은 P형 유기물질층(130) 하부에 형성된다. 4, the organic photoelectric conversion film 101 includes a P-type organic material layer 130 and a N-type organic material layer 140 having a PN junction structure. The P-type organic material layer 130 is formed under the first electrode 110 and the N-type organic material layer 140 is formed under the P-type organic material layer 130.

P형 유기물질층(130)은 정공이 다수의 캐리어가 되는 반도체 물질로 이루어질 수 있고, 소망하는 파장 대역을 흡수할 수 있는 물질이라면 특별히 제한되지 않는다. N형 유기물질층(53)은 전자가 다수의 캐리어가 되는 반도체 유기물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 C60(Fullerene Carbon)을 들 수 있다. The P-type organic material layer 130 may be formed of a semiconductor material in which holes are a plurality of carriers, and is not particularly limited as long as it is a material capable of absorbing a desired wavelength band. The N-type organic material layer 53 may be made of a semiconductor organic material in which electrons become a plurality of carriers. For example, C 60 (Fullerene Carbon) may be used.

P형 유기물질층(130) 또는 N형 유기물질층(140) 중 적어도 하나는 소망하는 컬러의 파장 대역의 광만을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 유기물질로 형성될 수 있다. 소망하는 컬러의 광만을 통과시키고 투과되는 광의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하기 위하여, 적색, 녹색, 청색 화소(100R, 100G, 100B) 별로 서로 다른 유기물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 청색 화소(100B)에서 P형 유기물질층(130) 또는 N형 유기물질층(140)은 청색광 만을 흡수하여 광전변환을 일으키는 물질로 형성될 수 있다. At least one of the P-type organic material layer 130 and the N-type organic material layer 140 may be formed of an organic material that selectively absorbs light in a wavelength band of a desired color to cause photoelectric conversion. Green, and blue pixels 100R, 100G, and 100B to selectively absorb light of wavelength bands other than the wavelength band of the transmitted light by passing only light of a desired color, and photoelectrically converting the light. . For example, in the blue pixel 100B, the P-type organic material layer 130 or the N-type organic material layer 140 may be formed of a material that absorbs only blue light to cause photoelectric conversion.

예를 들어, 청색 유닛(100B)는, 청색광 만을 흡수하여 광전변환을 일으키는 물질인 TPD로 증착된 P형 유기물질층(130)과 C60로 증착된 N형 유기물질층(140)으로 이루어질 수 있다. 이러한 구조에서, 수광면으로부터 입사된 광에 의해 P형 유기물질층(130)에서 엑시톤(exciton)이 생성되며, P형 유기물질층(130)은 소망하는 파장의 광을 선택적으로 흡수할 수 있다. For example, the blue unit 100B may comprise a P-type organic material layer 130 deposited with TPD, which is a material that absorbs only blue light and causes photoelectric conversion, and a N-type organic material layer 140 deposited with C 60 have. In this structure, excitons are generated in the P-type organic material layer 130 by light incident from the light receiving surface, and the P-type organic material layer 130 can selectively absorb light of a desired wavelength .

또한, 상기 입체용 화소(200)를 구성하는 유기 광전변환막(제 2 유기 광전변환막)은, P형 유기물질층(130)과 N형 유기물질층(140) 중 적어도 하나가 적외선 영역의 파장을 선택적으로 흡수하는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 적외선 선택흡수성 물질은 유기안료 등의 유기물질일 수 있는 바, 예를 들어, 프탈로시아닌계, 나프토퀴논계, 나프탈로시아닌계, 피롤계, 고분자축합아조계, 금속착체유기계색소, 안트라퀴논계, 시아닌계, 및 이들의 혼합물 또는 복합체로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 또한 안티몬계 등의 무기물질과 혼합사용할 수도 있으며, 투명성을 확보하기 위해 나노 사이즈의 미세입자를 이용할 수 있다. At least one of the P-type organic material layer 130 and the N-type organic material layer 140 is formed in the region of the infrared region (the second organic photoelectric conversion film) And may be made of a material that selectively absorbs the wavelength. The infrared-selective absorptive material may be an organic material such as an organic pigment. For example, the infrared absorptive material may be an organic material such as an organic pigment, for example, a phthalocyanine-based, naphthoquinone-, naphthalocyanine-, pyrrole-, Or a mixture thereof or a complex thereof. In addition, it may be used in combination with an inorganic material such as antimony. In order to ensure transparency, nano-sized fine particles can be used.

도 5 에서는, 제 1, 2 전극(110, 120) 사이에, 제 1 P형 유기물질층(150), 엑시톤 차단층(160) 및 제 2 P형 유기물질층(130), 그것의 하부에 형성된 N형 유기물질층(140)으로 이루어진 유기 광전변환막 적층구조(102)가 형성되어 있다. 이 때, 제 1 P형 유기물질층(150)은 수광면 측에 형성되고, 가시광선 영역 중 소망하는 광은 투과시키며, 소망하는 컬러의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광은 선택적으로 흡수할 수 있는 흡광성 유기물질의 조합으로 이루어진다. 제 2 P형 유기물질층(130)은 제 1 P형 유기물질층(150)의 하부에 형성되고, 소망하는 파장을 흡수할 수 있는 흡광성 유기물질로 이루어진다. N형 유기물질층(140)은 제 2 P형 유기물질층(130)의 하부에 형성되고, PN 접합을 통해 광전변환이 가능하며, 소망하는 컬러광을 전류로 변환할 수 있다. 또한, 제 1 P형 유기물질층(150)에서 형성된 엑시톤이 제 2 P형 유기물질층(130) 방향으로 이동하는 것을 억제시키기 위해 제 1 P형 유기물질층(150)의 하부에는 엑시톤의 이동을 차단할 수 있는 엑시톤 차단층(exciton blocking layer, 160)을 형성될 수 있다. 엑시톤 차단층(160)의 밴드갭 에너지를 제 1 P형 유기물질층(150)에 비해 크게 만들면, 제 1 P형 유기물질층(150)에서 생성된 엑시톤의 에너지가 엑시톤 차단층(160)의 밴드갭 에너지보다 작기 때문에 전자가 이동할 수 없게 된다. 예를 들어, 올리고티오펜계 유도체 중 페닐헥사티오펜(Phenyl hexa thiophene; P6T)은 밴드갭 에너지가 약 2.1 eV 정도로서, 400 ~ 500 nm의 청색광 파장을 선택적으로 흡수할 수 있으므로 적색용 제 1 P형 유기물질층(150)에 효과적으로 사용될 수 있다. 또한, 올리고티오펜계 유도체 중 비페닐트리티오펜(Bi-phenyl-tri-thiophene; BP3T)은 400 ~ 550 nm 범위의 청색광 파장을 효과적으로 차단할 수 있고, 밴드갭 에너지가 약 2.3 eV 정도로서 P6T에 비해 약 0.2 eV 높으므로 적색용 엑시톤 차단층(160)에 효과적으로 사용될 수 있다. 제 2 P형 유기물질층(130)은 가시광선 전 영역의 파장을 흡수할 수 있는 흡광성 유기물질, 예를 들어, CuPc(Copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌 유도체가 사용될 수 있다. 5, a first P-type organic material layer 150, an exciton blocking layer 160, and a second P-type organic material layer 130 are formed between the first and second electrodes 110 and 120, And an organic photoelectric conversion film laminated structure 102 composed of the formed N-type organic material layer 140 are formed. At this time, the first P-type organic material layer 150 is formed on the light receiving surface side, transmits the desired light in the visible light region, and selectively absorbs light in the wavelength band other than the desired wavelength band Absorbing organic material. The second P-type organic material layer 130 is formed below the first P-type organic material layer 150 and is made of a light absorbing organic material capable of absorbing a desired wavelength. The N-type organic material layer 140 is formed under the second P-type organic material layer 130, and photoelectric conversion is possible through the PN junction, and the desired color light can be converted into a current. In order to prevent the exciton formed in the first P-type organic material layer 150 from moving toward the second P-type organic material layer 130, a portion of the first P- An exciton blocking layer 160 may be formed. When the band gap energy of the exciton blocking layer 160 is made larger than that of the first P-type organic material layer 150, the energy of the excitons generated in the first P- Electrons can not move because the band gap energy is smaller than that. For example, phenyl hexa thiophene (P6T) among oligo thiophene derivatives has a band gap energy of about 2.1 eV and can selectively absorb blue light having a wavelength of 400 to 500 nm. Therefore, Type organic material layer 150, as shown in FIG. Bi-phenyl-tri-thiophene (BP3T), which is an oligo thiophene derivative, can effectively block the wavelength of blue light in the range of 400 to 550 nm and has a band gap energy of about 2.3 eV. It can be effectively used for the red exciton blocking layer 160 because it is about 0.2 eV higher. The second P-type organic material layer 130 may be a phthalocyanine derivative such as CuPc (Copper phthalocyanine), which absorbs wavelengths in the entire visible light region.

도 6 에 따른 유기 광전변환막 적층구조(101')에는 P형 유기물질층(130)과 N형 유기물질층(140) 사이에 P형 유기재료와 N형 유기재료를 공증착(codeposition) 한 인트린식층(intrinsic layer, 170)이 추가로 형성되어 있다. 예를 들어, 녹색 화소(100G)의 경우, TPD로 이루어진 P형 유기물질층(130), TPD 및 Me-PTC가 공증착된 인트린식층(170), NTCDA로 이루어진 N형 유기물질층(140)으로 이루어질 수 있다. 6, a P-type organic material and an N-type organic material are codeposited between the P-type organic material layer 130 and the N-type organic material layer 140 in the organic photoelectric conversion film lamination structure 101 ' An intrinsic layer 170 is additionally formed. For example, in the case of the green pixel 100G, a P-type organic material layer 130 made of TPD, an intrinsic type layer 170 in which TPD and Me-PTC are co-deposited, an N-type organic material layer 140 made of NTCDA ).

또한, 도 7에 따른 유기 광전변환막 적층구조(102')는 도 5에 따른 유기 광전변환막 적층구조(102)에서 제 2 P형 유기물질층(130) 및 N형 유기물질층(140) 사이에 P형 유기재료와 N형 유기재료를 공증착(codeposition)한 인트린식층(170)이 추가로 형성되어 있다.The organic photoelectric conversion film lamination structure 102 'according to FIG. 7 further includes the second P-type organic material layer 130 and the N-type organic material layer 140 in the organic photoelectric conversion film lamination structure 102 according to FIG. Type layer 170 in which a P-type organic material and an N-type organic material are codeposited is additionally formed.

도 8 의 유기 광전변환막 적층 구조(101") 는, 도 6 의 유기 광전변환막 적층 구조(101') 에서 제 1 전극층(110)과 P형 유기물질층(130) 사이에 형성되는 제 1 버퍼층(180) 및 N형 유기물질층(140)과 제 2 전극층(120) 사이에 형성되는 제 2 버퍼층(190)을 더 포함하는 구조이다. 도 9의 유기 광전변환막 적층 구조(102") 는, 도 7의 유기 광전변환막 적층 구조(102')에서 제 1 버퍼층(180) 및 제 2 버퍼층(190)을 더 포함하는 구조이다.The organic photoelectric conversion film laminate structure 101 "in Fig. 8 has a structure in which the first electrode layer 110 and the p-type organic material layer 130 formed in the organic photoelectric conversion film laminate structure 101 ' The buffer layer 180 and the second buffer layer 190 formed between the N-type organic material layer 140 and the second electrode layer 120. The organic photoelectric conversion layer structure 102 " Is a structure further including a first buffer layer 180 and a second buffer layer 190 in the organic photoelectric conversion film laminate structure 102 'of FIG.

제 1 버퍼층(180)은 P형 유기 반도체 물질로 이루어지며, 전자를 차단하는 역할도 한다. 제 2 버퍼층(190)은 N형 유기 반도체 물질로 이루어지며, 정공을 차단하는 역할도 한다. The first buffer layer 180 is made of a P-type organic semiconductor material and blocks electrons. The second buffer layer 190 is made of an N-type organic semiconductor material and functions to block holes.

구체적인 예로서, 제 1 버퍼층(180)은 폴리에틸렌 디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제 2 버퍼층(190)은 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), LiF, 구리 프탈 로시아닌(copper phthalocyanine), 폴리티오펜 (polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene), 또는 이들의 유도체 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. As a specific example, the first buffer layer 180 may be, but is not limited to, polyethylene dioxythiophene / polystyrenesulfonic acid (PEDOT / PSS). The second buffer layer 190 may be formed of a material selected from the group consisting of 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, LiF, copper phthalocyanine, polythiophene, but are not limited to, polyaniline, polyacetylene, polypyrrole, polyphenylenevinylene, derivatives thereof, and the like.

도 4 내지 도 9을 참조하여 설명한 유기 광전 변환막(101, 102, 101', 102', 101", 102")은 모두, PN접합 내지 PIN접합이 단일층 구조를 가지고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다층으로 형성함으로써, 흡수하고자 하는 광의 파장대역을 보다 유연하게 넓힐 수 있다.All of the organic photoelectric conversion films 101, 102, 101 ', 102', 101 ", and 102" described with reference to FIGS. 4 to 9 have a single layer structure in the PN junction or the PIN junction, The wavelength band of the light to be absorbed can be broadened more flexibly.

본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 입체용 컬러 이미지센서의 단면도이다:1 is a sectional view of a stereoscopic color image sensor according to a first embodiment of the present invention:

도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 입체용 컬러 이미지센서의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a stereoscopic color image sensor according to a second embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 입체용 컬러 이미지센서의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a stereoscopic color image sensor according to a third embodiment of the present invention.

도 4 내지 9는 본 발명의 실시예들에 따른 입체용 컬러 이미지센서에 이용되는 유기 광전변환막 적층 구조의 다양한 예를 나타내는 단면도이다; FIGS. 4 to 9 are cross-sectional views showing various examples of the organic photoelectric conversion film laminated structure used in the color image sensor for stereoscopic images according to the embodiments of the present invention;

<도면의 주요 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE RELATED ART [0002]

10, 20, 30: 단위 화소10, 20, 30: unit pixel

101, 102, 101', 102', 101", 102": 유기광전변환막 101, 102, 101 ', 102', 101 ", 102": organic photoelectric conversion film

100R, 100G, 100B: 컬러용 화소100R, 100G, 100B: Pixels for color

200: Z: 입체용 화소200: Z: stereoscopic pixel

110: 제 1 전극층 120: 제 2 전극층110: first electrode layer 120: second electrode layer

130: P형 유기물질층 140: N형 유기물질층130: P-type organic material layer 140: N-type organic material layer

170: 인트린식층 180, 190; 버퍼층170: Intrinsic layer 180, 190; Buffer layer

Claims (9)

서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및And a first organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, wherein the first organic photoelectric conversion film has a wavelength of a desired color among visible rays A color pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light of a band; And 상기 컬러용 화소의 수직 방향에 적층하여 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소;를 포함하되, A first electrode and a second electrode which are stacked in a vertical direction of the color pixels and are provided to be spaced apart from each other and a second organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, 2 organic photoelectric conversion film includes a stereoscopic pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light in an infrared wavelength band, 상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막은 상기 제1 전극상에 형성되는 P형 유기물질층과, 상기 P형 유기물질층 상에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하고, 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층은 PN 접합을 이루는 입체용 컬러 이미지센서.The first or second organic photoelectric conversion layer includes a P-type organic material layer formed on the first electrode and an N-type organic material layer formed on the P-type organic material layer, And the N-type organic material layer forms a PN junction. 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 1 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 1 유기 광전변환막은 가시광선 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 컬러용 화소; 및 And a first organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, wherein the first organic photoelectric conversion film has a wavelength of a desired color among visible rays A color pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light of a band; And 상기 컬러용 화소와 수평 방향으로 서로 인접하여 배치되고, 서로 이격되어 마련되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 제 2 유기 광전변환막으로 이루어지며, 상기 제 2 유기 광전변환막은 적외선 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환하는 입체용 화소;First and second electrodes arranged adjacent to each other in the horizontal direction with respect to the color pixel and provided to be spaced apart from each other and a second organic photoelectric conversion film formed between the first electrode and the second electrode, The second organic photoelectric conversion film is a three-dimensional pixel for selectively absorbing and photoelectrically converting light in an infrared wavelength band; 를 포함하는, 입체용 컬러 이미지센서.And a color image sensor. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 3. The method according to claim 1 or 2, 상기 컬러용 화소는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함하고, 상기 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소는 수평 방향으로 서로 이웃하여 배치되거나, 수직 방향으로 적층하여 배치되는, 입체용 컬러 이미지센서.Wherein the color pixel includes a red pixel, a green pixel, and a blue pixel, and the red pixel, the green pixel, and the blue pixel are disposed adjacent to each other in a horizontal direction or stacked in a vertical direction, sensor. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 3. The method according to claim 1 or 2, 상기 입체용 화소의 상부 또는 제 2 유기 광전변환막의 상부에는 가시광선의 파장 대역의 광을 흡수하는 물질로 이루어진 가시광선 흡수층; 이 더 형성된 입체용 컬러 이미지센서.A visible light absorption layer made of a material that absorbs light in a wavelength band of visible light on the upper side of the stereoscopic pixel or on the upper side of the second organic photoelectric conversion film; Further comprising a color image sensor for stereoscopic images. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 제 1 또는 제 2 유기 광전변환막은 상기 제1 전극상에 형성되는 P형 유기물질층과, 상기 P형 유기물질층 상에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하고, 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층은 PN 접합을 이루는, 입체용 컬러 이미지센서. The first or second organic photoelectric conversion layer includes a P-type organic material layer formed on the first electrode and an N-type organic material layer formed on the P-type organic material layer, And the N-type organic material layer form a PN junction. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,6. The method according to claim 1 or 5, 상기 제 1 유기 광전변환막에서 P형 유기물질층 또는 N형 유기물질층은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역의 광만을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 유기 물질로 형성된, 입체용 컬러 이미지센서.In the first organic photoelectric conversion film, the P-type organic material layer or the N-type organic material layer is formed on the light receiving surface side to selectively absorb light of a wavelength band of a desired color among the visible light regions, Wherein the color image sensor is formed as a three-dimensional color image sensor. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,6. The method according to claim 1 or 5, 상기 제 1 유기 광전변환막은, 수광면 측에 형성되어 가시광선 영역 중 소망하는 컬러의 파장 대역 이외의 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 1 P형 유기물질층, 상기 제 1 P형 유기물질층의 하부에 형성되어 소망하는 컬러의 파장 대역의 광을 흡수하여 광전변환을 일으키는 제 2 P형 유기물질층, 및 상기 제 2 P형 유기물질층의 하부에 형성되는 N형 유기물질층을 포함하는, 입체용 컬러 이미지센서.Wherein the first organic photoelectric conversion film includes a first P-type organic material layer formed on the light receiving surface side to selectively absorb light in a wavelength band other than a wavelength band of a desired color among visible light regions to cause photoelectric conversion, A second P-type organic material layer formed under the P-type organic material layer to absorb light in a wavelength band of a desired color to cause photoelectric conversion, and a second P-type organic material layer formed under the second P- And a layer of material. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,6. The method according to claim 1 or 5, 상기 제 2 유기 광전변환막은, P형 유기물질층과 N형 유기물질층 중 적어도 하나가 적외선 영역의 파장을 선택적으로 흡수하는 물질로 이루어진, 입체용 컬러 이미지센서.Wherein at least one of the P-type organic material layer and the N-type organic material layer is made of a material that selectively absorbs the wavelength of the infrared region. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 6. The method according to claim 1 or 5, 상기 P형 유기물질층과 상기 N형 유기물질층 사이에 개재되고, P형 유기물질과 N형 유기물질이 공증착되어 형성되는 인트린식층; 또는 An intrinsic layer interposed between the P-type organic material layer and the N-type organic material layer, wherein the P-type organic material and the N-type organic material are co-deposited; or 상기 제 1 전극과 상기 P형 유기물질층 사이 또는 상기 N형 유기물질층과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 버퍼층; 을 더 포함하는 입체용 컬러 이미지센서. A buffer layer formed between the first electrode and the P-type organic material layer or between the N-type organic material layer and the second electrode; And a color image sensor.
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