KR101663821B1 - 고출력 전계방출 에미터용 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법 - Google Patents

고출력 전계방출 에미터용 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 카본나노튜브 페이스트는, 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더, 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더, 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더를 분산시키기 위한 용매, 전계방출원으로 용매에 분산되는 카본나노튜브, 및 에미터 전극과의 접착을 위해 용매에 첨가되는 유기 바인더를 포함한다. 따라서, 카본나노튜브 에미터의 제조를 위한 고온 공정을 거친 후에도 고출력 특성을 유지할 수 있다.

Description

고출력 전계방출 에미터용 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법{Carbon Nanotube Paste And Method For Manufacturing Thereof}
본 발명은 카본나노튜브(Carbon Nano Tube: CNT) 페이스트(Paste) 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 카본나노튜브 에미터의 형성 후에도 고출력 특성을 유지할 수 있는 고출력 전계방출 에미터용 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
엑스선 발생장치는 정전기 제거 등 산업용, 의료용, 연구용 등 다양한 분야에서 사용되며, 엑스선 발생장치의 전자공급원으로 주로 필라멘트가 사용되어 왔으나, 최근 의료기기 등 민감한 컨트롤이 필요한 고부가가치 디바이스를 중심으로 카본나노튜브가 전계방출원으로써 도입되고 있다.
카본나노튜브의 전계방출은 음전극에 형성된 카본나노튜브 끝단에서의 전기장 증폭을 이용하여 카본나노튜브의 전자를 진공 중으로 방출하는 방식으로, 열에너지에 의해 전자를 무작위 방향으로 방출하는 필라멘트에 비해 매우 신속하게 구동하고 전류밀도가 높은 장점이 있다. 단일 카본나노튜브의 전계방출 시 보고된 최고 전류밀도는 109A/cm2에 이르며, 이는 전계방출 소자의 특성 중에서도 독보적으로 우수한 수치이다.
카본나노튜브를 엑스선 발생장치 등 디바이스의 에미터에 적용할 때, 수십만~수백만 개의 카본나노튜브를 일괄적으로 음전극에 형성하게 된다.
그러나, 각각의 에미터를 단일 에미터와 동일하게 처리하기가 현실적으로 불가능하며, 따라서 디바이스에 장착된 에미터의 전류밀도는 상기 단일 카본나노튜브에 미치지 못하게 된다.
또한 엑스선 발생장치 제작 과정에서 최종 공정인 진공 패키징은 진공 챔버 내 또는 대기 중에서 이루어지는데, 이 때의 고온 공정 및 산소와의 접촉이 카본나노튜브 에미터의 특성을 악화시키는 주요 원인으로 지목되고 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 카본나노튜브 에미터의 제조를 위한 고온 공정을 거친 후에도 고출력 특성을 유지할 수 있는 고출력 전계방출 에미터용 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법을 제공한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 카본나노튜브 페이스트는, 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더, 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더, 상기 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더를 분산시키기 위한 용매, 전계방출원으로 상기 용매에 분산되는 카본나노튜브, 및 에미터 전극과의 접착을 위해 상기 용매에 첨가되는 유기 바인더를 포함한다.
상기 제1 나노파우더는, 실리콘카바이드(SiC), 질화실리콘(Si3N4) 및 스포듀민(LiAlSi2O6) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 나노파우더는, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr)의 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 카본나노튜브는 상기 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더의 혼합물 중량의 5 ~ 15%의 비율로 혼합될 수 있다.
상기 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더는 몰분율 기준으로 10:1 ~ 20:1의 비율로 혼합 될 수 있다.
상기 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더는 중량비 기준으로 5:1 ~ 30:1 의 비율로 혼합 될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트 제조 방법은, 용매에 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더 및 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더를 분산하는 단계, 상기 용매에 전계방출원으로 카본나노튜브를 분산하는 단계, 및 상기 용매에 점성을 갖도록 하는 유기 바인더를 첨가하는 단계를 포함한다.
이와 같은 카본나노튜브 페이스트 및 이의 제조방법에 따르면, 카본나노튜브 페이스트에 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더 및 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더를 첨가함으로써, 카본나노튜브 에미터의 형성을 위한 대기 또는 진공의 고온 공정을 거친 후에도, 카본나노튜브 에미터의 안정적인 고출력 특성을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트를 이용하여 제조하는 전계방출 에미터의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트의 제조단계를 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 카본나노튜브 페이스트를 이용한 에미터의 표면처리 후의 SEM 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 카본나노튜브 페이스트를 통해 제조된 에미터의 출력 특성을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참고하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트를 이용하여 제조하는 전계방출 에미터의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트(100)는 전계방출 에미터의 제작을 위해 에미터 전극(200)에 도포된다. 예를 들어, 카본나노튜브 페이스트(100)는 스크린 프린팅 또는 디핑(dipping) 방법에 통해 에미터 전극(200)에 도포된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트(100)는 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더(110), 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더(120), 상기 제1 나노파우더(110) 및 제2 나노파우더(120)를 분산시키기 위한 용매, 전계방출원으로 상기 용매에 분산되는 카본나노튜브(130), 및 에미터 전극(200)과의 접착을 위해 상기 용매에 첨가되는 유기 바인더를 포함한다. 상기 용매와 유기 바인더는 건조 또는 열처리 공정을 통해 제거되므로, 도면 상에 도시하지 않았다.
상기 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더(110)는 진공 또는 대기 중에서의 고온 공정에서 견디는 물질로서, 고온에서 열화하지 않고 그 강도를 충분히 유지하며, 화학적 작용 등에도 견딜 수 있는 재료로 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 나노파우더(110)는 실리콘카바이드(SiC), 질화 실리콘(Si3N4) 및 스포듀민(LiAlSi2O6) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이와 같이, 카본나노튜브 페이스트(100) 내에 절연내화 특성을 갖는 상기 제1 나노파우더(110)를 첨가함으로써, 고온 열처리 공정, 예를 들어, 진공 또는 대기 중에서의 진공 패키징 공정 시, 상기 카본나노튜브 페이스트(100)의 고온 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더(120)는 고전압 상태에서 탄화물보다 전도성이 좋은 물질로 형성된다. 예를 들어, 상기 제2 나노파우더(120)는 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr)의 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이와 같이, 고전압 하에서 탄화물보다 전도성이 우수한 제2 나노파우더(120)를 상기 카본나노튜브 페이스트(100) 내에 첨가함으로써, 카본나노튜브(130)와 에미터 전극(200) 간의 접촉 저항의 절대값 및 편차를 감소시키고, 이를 통해 전계방출 에미터의 전류 밀도를 증가시킬 수 있다.
상기 제1 나노파우더(110) 및 상기 제2 나노파우더(120)는 상기 카본나노튜브 페이스트(100) 내에 균일하게 혼합되며, 이에 따라, 에미터 형성을 위한 카본나노튜브 페이스트(100)의 표면처리 시, 보다 높은 평탄도의 표면을 구현할 수 있다.
상기 제1 나노파우더(110) 및 상기 제2 나노파우더(120)의 혼합 비율에 따라, 최종적으로 제조된 카본나노튜브 에미터의 전계 방출 특성이 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 카본나노튜브 페이스트(100)를 에미터 전극(200) 상에 형성한 후에는 롤러 또는 테이프의 흡착 현상을 이용한 표면 처리 공정이 진행되며, 이러한 표면 처리 공정을 통해, 카본나노튜브 에미터의 표면에서의 상기 제1 나노파우더(110) 및 상기 제2 나노파우더(120)의 혼합 비율이 카본나노튜브 에미터의 내부에서의 상기 제1 나노파우더(110) 및 상기 제2 나노파우더(120)의 혼합 비율과 달라지도록 하여, 에미터의 표면과 내부에서 서로 다른 배열의 규칙성을 부여하게 된다.
상기 표면 처리 공정에 이용되는 흡착 현상을 최적화하기 위해서는, 입경이 비슷하되 입자 구조 및 밀도 등이 상이하여 분자간 인력의 차이를 극대화시킬 수 있는 상기 제1 나노파우더(110) 및 상기 제2 나노파우더(120)의 혼합 비율을 설정할 필요가 있다. 이를 위해, 상기 제1 나노파우더(110)와 상기 제2 나노파우더(120)는 몰분율 기준으로 약 10 : 1 ~ 20 : 1의 혼합 비율로 혼합될 수 있다. 또한, 상기 제1 나노파우더(110)와 상기 제2 나노파우더(120)는 중량비 기준으로 약 5 : 1 ~ 30 : 1의 혼합 비율로 혼합될 수 있다.
한편, 상기 제1 나노파우더(110)와 상기 제2 나노파우더(120)의 혼합 비율은 카본나노튜브(130)의 크기에 따라 다른 혼합 비율로 혼합되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기의 혼합 비율은 카본나노튜브(130)가 약 5nm의 크기를 가질 경우에 대한 바람직한 혼합 비율을 나타낸 것이다. 만약, 카본나노튜브(130)의 크기가 5nm 보다 커지면, 상기 제1 나노파우더(110)가 더 첨가되어야 하며, 반면, 카본나노튜브(130)의 크기가 5nm보다 작아지면, 상기 제2 나노파우더(120)가 더 첨가되는 것이 바람직하다.
상기 카본나노튜브(130)는 상기 제1 나노파우더(110) 및 상기 제2 나노파우더(120)의 혼합물 중량의 약 5 ~ 15%의 비율로 첨가되어, 상기 카본나노튜브 페이스트(100)에 전도성을 부여하는 한편, 우수한 전계방출 특성을 갖도록 한다. 상기 카본나노튜브 페이스트(100)에 첨가되는 상기 카본나노튜브(130)의 비중이 너무 작으면, 에미터에 형성되는 카본나노튜브(130)의 형성 밀도가 너무 작아지게 되어 에미터의 전계방출 특성이 떨어지게 되며, 반면, 상기 카본나노튜브(130)의 비중이 너무 크게 되면, 상기 카본나노튜브(130)의 혼합 및 분산성이 떨어지게 되어 전계방출 시 카본나노튜브(130)에 인가되는 전기적 스트레스가 증가하게 된다. 따라서, 상기 카본나노튜브(130)는 혼합 및 분산 특성과, 에미터의 전계방출 특성 등을 고려하여 나노파우더 혼합물의 중량과 비교하여 약 5 ~ 15% 중략으로 첨가되는 것이 바람직하다.
상기 유기 바인더는 상기 제1 나노파우더(110), 상기 제2 나노파우더(120) 및 상기 카본나노튜브(130)가 혼합된 용매에 첨가되어 에미터 전극(200)에 접착되도록 점성을 부여하는 역할을 수행한다. 이때, 상기 유기 바인더의 투입량을 조절함에 따라 상기 카본나노튜브 페이스트(100)의 최종 점도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 바인더는 약 100,000cps이상의 점도를 가질 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트의 제조방법을 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트의 제조단계를 나타낸 흐름도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 카본나노튜브 페이스트의 제조방법은, 용매에 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더(110) 및 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더(120)를 분산하는 단계(S10), 상기 용매에 카본나노튜브(130)를 분산하는 단계(S20), 및 상기 용매에 점성을 부여 하는 유기 바인더를 첨가하는 단계(S30)를 포함한다.
상기 카본나노튜브 페이스트를 제조하기 위해서, 우선, 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더(110) 및 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더(120)를 용매에 분산한다(S10).
상기 제1 나노파우더(110)는 상기 카본나노튜브 페이스트(100)의 고온 안정성을 향상시키기 위한 것으로써, 예를 들어, 실리콘카바이드(SiC), 질화 실리콘(Si3N4) 및 스포듀민(LiAlSi2O6) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 나노파우더(120)는 카본나노튜브(130)와 에미터 전극(200) 간의 접촉 저항의 절대값 및 편차를 감소시켜 에미터의 전류 밀도를 증가시키기 위한 것으로써, 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 및 지르코늄(Zr)의 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 나노파우더(110)와 상기 제2 나노파우더(120)는 에미터의 제조를 위해 진행되는 표면 처리 공정 시, 흡착 현상을 최적화하기 위해서 몰분율 기준으로 약 10 : 1 ~ 20 : 1의 혼합 비율로 혼합되거나, 또는 중량비 기준으로 약 5 : 1 ~ 30 : 1의 혼합 비율로 혼합될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 나노파우더(110) 및 제2 나노파우더(120)가 분산되어 있는 용매에 상기 카본나노튜브(130)를 분산시킨다(S20).
상기 카본나노튜브(130)는 상기 카본나노튜브 페이스트(100)의 전자방출원으로 작용하는 것으로, 예를 들어, 상기 제1 나노파우더(110) 및 제2 나노파우더(120)의 혼합물 중량의 약 5 ~ 15%가 첨가된다.
따라서, 상기 카본나노튜브 페이스트(100)에 투입되는 상기 제1 나노파우더(110)의 중량을 1이라고 할 때, 상기 제2 나노파우더(120)는 약 0.03 ~ 0.2, 그리고, 상기 카본나노튜브(130)는 약 0.05 ~ 0.15 정도의 비율로 투입될 수 있다.
다음으로, 상기 용매에 점성을 갖도록 하는 유기 바인더를 첨가하여 상기 카본나노튜브 페이스트(100)를 제조한다(S30).
한편, 상기와 같은 방법을 통해 제조된 카본나노튜브 페이스트(100)를 에미터 전극(200)에 도포한 후, 건조 공정, 열처리 공정, 표면처리 공정 등을 거쳐 카본나노튜브 에미터를 제조할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 카본나노튜브 페이스트를 이용한 에미터의 표면처리 후의 SEM 사진이며, 도 4는 본 발명에 따른 카본나노튜브 페이스트를 통해 제조된 에미터의 출력 특성을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 카본나노튜브 페이스트의 표면처리 공정을 통해, 카본나노튜브 페이스트의 평탄도가 향상되고, 카본나노튜브가 에미터 전극에 대하여 수직 방향으로 세워져서 팁(tip) 형태로 배열되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 롤러 또는 테이프의 흡착 현상을 이용하여 카본나노튜브 페이스트의 표면 처리를 수행할 경우, 접착력이 약한 부분과 불필요한 페이스트 잔존물들이 제거되면서, 카본나노튜브 페이스트의 평탄도가 높아지고 카본나노튜브가 팁 형태로 배열되는 것을 확인할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 카본나노튜브 페이스트를 이용하여 전계방출 에미터를 제조할 경우, 카본나노튜브 페이스트의 표면처리 후, 전류 밀도가 향상되는 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이, 카본나노튜브 페이스트(100)를 제조함에 있어, 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더(110) 및 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더(120)를 첨가함으로써, 카본나노튜브 에미터의 형성을 위한 대기 또는 진공의 고온 공정을 거친 후에도, 카본나노튜브 에미터의 안정적인 고출력 특성을 유지할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다. 따라서, 전술한 설명 및 아래의 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어져야 한다.
100 : 카본나노튜브 페이스트 110 : 제1 나노파우더
120 : 제2 나노파우더 130 : 카본나노튜브
200 : 에미터 전극

Claims (11)

  1. 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더;
    금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더;
    상기 제1 나노파우더 및 상기 제2 나노파우더를 분산시키기 위한 용매;
    전계방출원으로 상기 용매에 분산되는 카본나노튜브; 및
    에미터 전극과의 접착을 위해 상기 용매에 첨가되는 유기 바인더;를 포함하되,
    상기 제1 나노파우더와 상기 제2 나노파우더는 몰분율 기준으로 10:1 내지 20:1 또는 중량비 기준으로 5:1 내지 30:1의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 나노파우더는,
    실리콘카바이드(SiC), 질화실리콘(Si3N4) 및 스포듀민(LiAlSi2O6) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 나노파우더는,
    니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y) 및 지르코늄(Zr)의 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 카본나노튜브는 상기 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더의 혼합물 중량의 5 ~ 15%의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 용매에 절연내화물로 이루어진 제1 나노파우더 및 금속산화물로 이루어진 제2 나노파우더를 분산하는 단계;
    상기 용매에 전계방출원으로 카본나노튜브를 분산하는 단계; 및
    상기 용매에 점성을 갖도록 하는 유기 바인더를 첨가하는 단계;를 포함하되,
    상기 제1 나노파우더와 상기 제2 나노파우더는 몰분율 기준으로 10:1 내지 20:1 또는 중량비 기준으로 5:1 내지 30:1의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 나노파우더는,
    실리콘카바이드(SiC), 질화실리콘(Si3N4) 및 스포듀민(LiAlSi2O6) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 나노파우더는,
    니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y) 및 지르코늄(Zr)의 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 카본나노튜브는 상기 제1 나노파우더 및 제2 나노파우더의 혼합물 중량의 5 ~ 15%의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 페이스트의 제조방법.
  11. 삭제
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