KR101661124B1 - 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마를 이용한 액체 처리 장치가 개시된다. 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치는 피처리수를 포함하는 수조; 상기 피처리수의 수표면에 떠있도록 설치되고, 소정의 두께를 가지며, 상기 피처리수 상의 대기의 유전율보다 높은 유전율을 가진 유전체; 상기 유전체 상에 적층된 제1 전극; 상기 피처리수 내 또는 하단에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전원을 인가하는 전원공급장치를 포함하고, 상기 전원공급장치가 상기 두 전극에 전압을 인가하면, 상기 제1 전극의 가장자리로부터 상기 수표면을 향해 플라즈마가 발생된다.

Description

플라즈마를 이용한 액체 처리 장치{LIQUID PROCESSING DEVICE USING PLASMA}
본 발명은 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수표면에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마(plasma)란 이온화된 가스를 의미하고, 원자 또는 분자로 이루어진 가스에 에너지를 이용하여 여기시키면, 전자, 이온, 분해된 가스, 및 광자(photon) 등으로 이루어진 플라즈마가 형성된다. 이러한 플라즈마는 핵융합발전, 반도체 분야에서의 기판의 표면 처리, 또는 분말의 표면 처리 등 다양하게 이용되고 있다.
한편, 최근에는 오염수의 정화 및 박테리아 제거 등을 목적으로 플라즈마를 이용하기 위한 연구가 활발히 이루어지고 있으며, 액체의 플라즈마 처리를 위한 장치들이 개발되고 있다.
액체의 플라즈마 처리를 위한 대부분의 장치들은 피처리수 내에 플라즈마 방전을 일으켜 피처리수를 플라즈마 처리하게 된다. 액체의 플라즈마 처리를 위한 장치에 대한 종래 기술로서, 대한민국 특허출원번호 10-2009-0117396에 출원된 액체 플라즈마 방전 발생장치가 있다. 이 특허는 액체 중 플라즈마 방전을 일으켜 액체의 처리가 가능하지만 플라즈마 방전을 위한 전극들이 액체가 채워진 본체 내에 설치되어 액체와의 직접적인 접촉이 이루어지므로 전극들의 부식이 발생하는 문제가 있었다.
언급된 종래 기술뿐만 아니라 액체의 플라즈마 처리를 위한 대부분의 장치들 역시, 전극이 액체와의 직접적인 접촉을 피할 수 없으므로 전극의 부식 문제가 존재하였다.
이에, 본 발명자는, 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해, 아래와 같은 구성을 도입하여, 방전전극을 수중에 설치하지 않고 수표면 상에서 플라즈마를 발생시켜서 수표면 상에서의 효과적인 피처리수의 플라즈마 처리가 가능하고, 방전전극의 부식을 방지할 수 있고, 이에 의해 방전전극의 소모가 줄어들어서 장치의 장기간 사용이 가능해지며, 간단한 구조를 이루고 있으므로 제작이 용이한 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치를 개발하기에 이르렀다.
본 발명은 피처리수를 포함하는 수조; 상기 피처리수의 수표면에 떠있도록 설치되고, 소정의 두께를 가지며, 상기 피처리수 상의 대기의 유전율보다 높은 유전율을 가진 유전체; 상기 유전체 상에 적층된 제1 전극; 상기 피처리수 내 또는 하단에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전원을 인가하는 전원공급장치를 포함하고, 상기 전원공급장치가 상기 두 전극에 전압을 인가하면, 상기 제1 전극의 가장자리로부터 상기 수표면을 향해 플라즈마가 발생되는, 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치를 제공한다.
여기서, 제2 전극은 상기 수조일 수 있다.
피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생될 수 있도록, 제1 전극의 가장자리는 상기 유전체의 가장자리의 안쪽에 위치하고, 상기 전원공급장치로부터 주어진 전압, 유전체의 유전상수 및 피처리수의 유전상수 하에서, 상기 제1 전극은 상기 제1 전극의 가장자리로부터 수표면을 향해 플라즈마가 발생할 수 있는 두께 및 상기 피처리수와의 간격을 갖도록 구성된다.
다른 실시예로, 원통형 튜브; 상기 원통형 튜브의 내부에서 상기 원통형 튜브의 축방향과 평행하고 상기 원통형 튜브의 내면과 일정 거리 이격되게 위치하는 제1 원통형 전극; 상기 제1 원통형 전극의 외면을 감싸고 있고, 상기 원통형 튜브 내의 대기의 유전율보다 높은 유전율을 갖는 유전층; 상기 원통형 튜브의 내면을 흐르도록 피처리수를 공급하는 피처리수 공급부; 상기 원통형 튜브 내부에서 상기 제1 원통형 전극의 가장자리와 소정의 간격을 가지고 이격되게 위치한 제2 원통형 전극; 및 상기 제1 원통형 전극 및 상기 제2 원통형 전극에 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하고, 상기 전원공급장치가 상기 두 전극에 고전압을 인가하면 상기 제1 원통형 전극의 끝단부로부터 상기 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생되는, 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치가 제공된다.
이러한 본 발명의 다른 실시예의 구성에서 추가적으로, 원통형 튜브 내측으로 공급된 피처리수의 배출을 위해, 상기 원통형 튜브의 하단부에 설치되어 상기 피처리수가 배출되는 피처리수 배출부를 포함한다.
피처리수의 수표면을 향해 플라즈마를 발생될 수 있도록, 상기 전원공급장치로부터 주어진 전압, 유전층의 유전상수 및 피처리수의 유전상수 하에서, 상기 제1 원통형 전극은 상기 제1 원통형 전극의 가장자리로부터 수표면을 향해 플라즈마가 발생할 수 있는 두께 및 상기 피처리수와의 간격을 갖도록 구성된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치에서의 플라즈마 발생을 위한 전극의 조건을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
제1 실시예
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치는 수조(110), 유전체(120), 제1 전극(130), 제2 전극(140) 및 전원공급장치(150)를 포함한다.
수조(110)는 내부공간을 갖는다. 일 예로, 수조(110)는 상면부가 개방된 직육면체 형상일 수 있다. 이러한 수조(110)의 내부공간에는 피처리수가 저장된다.
유전체(120)는 피처리수의 수표면에 떠있도록 설치된다. 유전체(120)는 소정의 두께를 갖는다. 유전체(120)가 형성하는 두께는 유전체(120)가 피처리수 상의 대기의 유전율보다 높은 유전율을 가질 수 있는 두께로 형성된다. 일 예로, 이러한 유전체(120)는 사각의 플레이트 형상일 수 있다.
제1 전극(130)은 유전체(120) 상에 적층된다. 제1 전극(130)은 유전체(120)의 형상에 대응하는 형상을 갖는다. 예를 들면, 유전체(120)가 사각의 플레이트 형상인 경우 이에 대응하는 형상으로써 사각의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 이때, 제1 전극(130)의 가장자리는 유전체(120)의 가장자리의 안쪽에 위치한다. 즉, 제1 전극(130)은 유전체(120)의 전체 크기보다 작게 형성된다.
한편, 이러한 제1 전극(130)은 가장자리로부터 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생할 수 있는 두께 및 간격을 갖는다. 즉, 전원공급장치(150)로부터 주어진 전압, 유전체의 유전상수 및 피처리수의 유전상수 하에서, 제1 전극(130)은 제1 전극(130)의 가장자리로부터 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생할 수 있는 두께 및 간격을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다. 이러한 발명의 사상에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치에서의 플라즈마 발생을 위한 전극의 조건을 설명하기 위한 도면이다. 도 2에서 Cg는 플라즈마가 발생되는 방전 영역이고, Cd는 유전체(120)가 위치하는 영역을 의미하며, Rℓ은 접지저항이다.
도 2를 참조하여, Q(전하량)=C(정전용량(F))V(인가전압) 공식에 따라 설명하면, Q=CV이므로 V=Q/C이며, C가 올라가면 Q는 떨어지게 된다. 즉, C가 높으면 전압이 많이 걸리게 된다. 이러한 이론에 따라, Cd 구간의 C가 높은 경우 방전을 일으키기 위해 전압이 많이 필요하게 되며, 상대적으로 Cg 구간의 C가 적은 경우 Cg의 구간에서 방전이 시작되고 이후 방전채널이 형성된다. 또한 도 2와 같이 제1 전극(130) 및 유전체(120)가 플레이트 구조인 경우 V가 일정하다면(V=Qd/Cd=Qg/Cg) 각각의 캐패시터(capacitor)의 캐패시턴스(capacitance)로 나눈 값이 모두 같게 된다. 즉, Qd = Cd V, Qg = Cg V, (Qd, Qg) = (Cd, Cg)V, Cp V = Q total = Qd + Qg = (Cd + Cg)V이다.
따라서, 유전체(120)가 피처리수상의 대기의 유전상수보다 높은 유전상수를 갖게 하고, 주어진 전압, 유전체의 유전상수 및 피처리수의 유전상수 하에서, 제1 전극(130)의 두께 및 간격을 조절하면 제1 전극(130)의 가장자리로부터 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 예를 들면, Cd 구간의 유전상수(dielectric constant)가 9인 경우 절연파괴전압은 13kV/mm이고, Cg 구간은 대기의 유전상수가 1에 대한 절연파괴전압 3kV/mm이므로 제1 전극(130)의 가장자리로부터 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
제2 전극(140)은 제1 전극(130)과 상대되는 전극으로서, 전원공급장치(150)로부터 전원이 공급될 때 제1 전극(130)과의 전압차가 발생되는 전극이다. 이러한 제2 전극(140)은 수조일 수 있다.
전원공급장치(150)는 제1 전극(130)에 연결되어 제1 전극(130)에 고전압을 인가한다. 전원공급장치(150)가 공급하는 전압은 교류(AC), 직류(DC) 또는 펄스(Pulse) 중 어느 하나일 수 있다.
이러한 제1 실시예에서 전원공급장치(150)를 통해 제1 전극(130)에 전압을 인가하면 제1 전극(130)의 사각의 플레이트 형상의 가장자리로부터 수표면을 향해 플라즈마가 발생된다. 이러한 플라즈마의 발생은, 유전체(120)가 피처리수 상의 대기의 유전상수보다 높은 유전상수를 갖게 설정되고 제1 전극(130) 및 피처리수의 수표면 사이의 영역이 유전체(120)의 영역보다 낮은 유전상수를 갖도록 설정됨에 따라 제1 전극(130)의 가장자리에서 방전이 시작되어 수표면을 향해 플라즈마가 발생되고, 이때, 제1 전극(130)과 수표면 사이에 위치하는 유전체(120)가 가진 축적된 전하에 의해 플라즈마 스트리머(Plasma Streamer)가 형성 및 분포될 수 있다.
수표면에 플라즈마가 가해지면 H2O2, O3와 같은 산화제, OH, H, O, O2 -와 라디칼 등 각종 화학적 활성종들이 생성된다. 이러한 화학적 활성종들은 수조(110) 내의 피처리수 내로 용존하여 화학적 반응을 통해 피처리수 내의 유기물 또는 오염물질을 분해할 수 있다.
제2 실시예
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치는 원통형 튜브(240), 제1 원통형 전극(220), 유전층(210), 피처리수 공급부(240a), 제2 원통형 전극(260) 및 전원공급장치(230)를 포함한다.
원통형 튜브(240)는 중공의 원통 형상으로서 제1 원통형 전극(220), 유전층(210) 및 제2 원통형 전극(260)이 수용될 수 있는 내부공간을 갖는다.
이러한 원통형 튜브(240)의 내부공간에는 피처리수가 공급된다. 피처리수의 공급을 위해 원통형 튜브(240)에는 피처리수 공급부(240a)가 형성된다. 피처리수 공급부(240a)는 원통형 튜브(240)의 측면부의 상단부에 위치한다. 이때, 피처리수 공급부(240a)는 원통형 튜브(240)의 내면의 접선 방향에 접하도록 설치될 수 있다.
이러한 피처리수 공급부(240a)를 통해 원통형 튜브(240)의 내측으로 공급된 피처리수는 원통형 튜브(240)의 하단부로 배출된다. 이를 위해, 원통형 튜브(240)의 하단부에는 피처리수 배출부(240b)가 형성된다.
제1 원통형 전극(220)은 중공의 원통 형상이고, 원통형 튜브(240)의 축방향과 평행하도록 원통형 튜브(240)의 내측으로 삽입된다. 이때, 제1 원통형 전극(220)은 원통형 튜브(240)의 내면과 일정 거리 이격되게 위치한다. 이러한 제1 원통형 전극(220)은 가장자리로부터 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생할 수 있는 두께 및 간격을 갖는다. 즉, 전원공급장치(230)로부터 주어진 전압, 유전층(210)의 유전상수 및 피처리수의 유전상수 하에서, 제1 원통형 전극(220)은 제1 원통형 전극(220)의 가장자리로부터 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생할 수 있는 두께 및 간격을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다. 이러한 발명의 사상에 대해서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치의 설명에서 구체적으로 설명하였으므로 더 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
유전층(210)은 제1 원통형 전극(220)을 감싸도록 원통형 튜브(240)의 내측으로 삽입된다. 유전층(210)은 제1 원통형 전극(220)을 감쌀 수 있는 직경을 갖는 중공의 원통 형상이다. 이러한 유전층(210)은 원통형 튜브(240)의 내면과 일정 거리 이격되게 배치된다. 유전층(210)이 원통형 튜브(240)의 내면으로부터 일정 거리 이격되기 위하여, 원통형 튜브(240)의 상단부에 간격유지블록(250)이 설치될 수 있다. 이러한 경우, 간격유지블록(250)은 링 형태이고, 링 형상의 간격유지블록(250)은 유전층(210)의 원통 형상의 상단부를 감싸도록 설치된다. 이러한 유전층(210)은 원통형 튜브 내의 대기의 유전율보다 높은 유전율을 가질 수 있는 두께로 형성된다.
이러한 유전층(210) 및 제1 원통형 전극(220)은 원통형 튜브(240)의 내측으로 일부분이 삽입된다. 유전층(210) 및 제1 원통형 전극(220)의 삽입된 길이는 유전층(210) 및 제1 원통형 전극(220)의 하단부가 원통형 튜브(240)의 하단부로부터 일정 거리 이격되는 길이로 삽입된다.
한편, 앞서 언급한 바와 같이 유전층(210)은 원통형 튜브(240)의 내면과 일정 거리 이격되어 있는데, 유전층(210) 및 원통형 튜브(240)의 내면 사이의 이격된 공간으로는 피처리수 공급부(240a)를 통해 피처리수가 주입된다. 피처리수 주입부(240a)를 통해 주입된 피처리수는 원통형 튜브(240)의 내면을 따라 흐르게 된다.
제2 원통형 전극(260)은 중공의 원통 형상이다. 제2 원통형 전극(260)은 원통형 튜브(240)의 하단부에서 원통형 튜브(240)의 내측으로 삽입된다. 이때, 제2 원통형 전극(260)은 제1 원통형 전극(220)의 가장자리와 소정의 간격을 가지고 이격되게 위치한다.
전원공급장치(230)는 제1 원통형 전극(220) 및 제2 원통형 전극(260)에 연결되어 제1 원통형 전극(220) 및 제2 원통형 전극(260)에 전압을 인가한다. 전원공급장치(230)가 공급하는 전압은 교류(AC), 직류(DC) 또는 펄스(Pulse) 중 어느 하나일 수 있다.
이러한 본 발명의 제2 실시예에서 전원공급장치(230)를 통해 제1 원통형전극(220)에 전압을 인가하면 제1 원통형 전극(220)의 말단으로부터 원통형 튜브(240)의 내면으로 주입된 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생된다. 이때, 유전층(210)이 가진 축적된 전하에 의해 플라즈마 스트리머(Plasma Streamer)가 형성 및 분포될 수 있다.
수표면에 플라즈마가 가해지면 H2O2, O3와 같은 산화제, OH, H, O, O2 -와 라디칼 등 각종 화학적 활성종들이 생성된다. 이러한 화학적 활성종들은 원통형 튜브(240)의 내면으로 공급된 피처리수 내로 용존하여 화학적 반응을 통해 피처리수 내의 유기물 또는 오염물질을 분해할 수 있다.
이러한 제2 실시예에서 피처리수는 피처리수 주입부(240a)를 통해 연속하여 주입되면서 배출되어 원통형 튜브(240)의 내부에 피처리수의 순환이 지속되고, 순환되는 피처리수는 플라즈마 처리됨에 따라 피처리수의 연속적인 플라즈마 처리가 이루어질 수 있다.
이러한 제1 실시예 및 제2 실시예를 포함하는 본 발명의 플라즈마를 이용한 액체 처리 장치는 면방전을 이용하는 것으로서, 제1 전극(110) 및 제1 원통형 전극(220)을 수중에 설치하지 않고 수표면 상에서 플라즈마를 발생시켜서 수표면 상에서의 효과적인 피처리수의 플라즈마 처리가 가능하고, 제1 전극(110) 및 제1 원통형 전극(220)의 부식을 방지할 수 있고, 이에 의해 제1 전극(110) 및 제1 원통형 전극(220)의 소모가 줄어들어서 장치의 장기간 사용이 가능해지며, 간단한 구조를 이루고 있으므로 제작이 용이한 이점이 있다.
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 피처리수를 포함하는 수조;
    상기 피처리수의 수표면에 떠있도록 설치되고, 상기 피처리수 상의 대기의 유전상수보다 높은 유전상수를 갖는 두께로 형성된 유전체;
    상기 유전체 상에 적층되는 제1 전극으로서, 상기 제1 전극 및 피처리수의 수표면 사이의 영역이 상기 유전체의 영역보다 낮은 유전상수를 갖도록 설정된 제1 전극;
    상기 피처리수 내 또는 하단에 위치하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전원을 인가하는 전원공급장치를 포함하고,
    상기 전원공급장치가 상기 두 전극에 전압을 인가하면, 상기 제1 전극의 가장자리로부터 상기 수표면을 향해 플라즈마가 발생되는,
    플라즈마를 이용한 액체 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 수조인,
    플라즈마를 이용한 액체 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극의 가장자리는 상기 유전체의 가장자리의 안쪽에 위치하여 있는,
    플라즈마를 이용한 액체 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 원통형 튜브;
    상기 원통형 튜브의 내부에서 상기 원통형 튜브의 축방향과 평행하고 상기 원통형 튜브의 내면과 일정 거리 이격되게 위치하는 제1 원통형 전극;
    상기 제1 원통형 전극의 외면을 감싸고 있는 유전층;
    상기 원통형 튜브의 내면을 흐르는 얇은 층으로 피처리수를 공급하는 피처리수 공급부;
    상기 원통형 튜브 내부에서 상기 제1 원통형 전극의 아래에 위치하고, 상기 제1 원통형 전극의 가장자리와 소정의 간격을 가지고 이격되게 위치한 제2 원통형 전극; 및
    상기 제1 원통형 전극 및 상기 제2 원통형 전극에 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하고,
    상기 유전층은 상기 원통형 튜브 내의 대기의 유전상수보다 높은 유전상수를 갖는 두께로 형성되고, 상기 제1 원통형 전극은 상기 제1 원통형 전극 및 피처리수의 수표면 사이의 영역이 상기 유전층의 영역보다 낮은 유전상수를 갖도록 설정되고,
    상기 전원공급장치가 상기 두 전극에 고전압을 인가하면 상기 제1 원통형 전극의 끝단부로부터 상기 피처리수의 수표면을 향해 플라즈마가 발생되는,
    플라즈마를 이용한 액체 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 원통형 튜브의 하단부에 설치되어 상기 피처리수가 배출되는 피처리수 배출부를 더 포함하는,
    플라즈마를 이용한 액체 처리 장치.
  7. 삭제
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