KR101660914B1 - 플렉서블 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플렉서블 표시장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 액티브영역과 비액티브영역으로 구분되는 패널영역 및 상기 패널영역 이외의 영역인 더미 영역으로 정의된 메탈 기판과, 더미영역 상에 배치되고, 제1, 제2 및 제3 얼라인 키영역으로 정의되는 얼라인 키영역을 포함하고, 얼라인 키영역은 액티브영역의 소스/드레인 전극 배치시 사용하기 위해 액티브 영역의 게이트 전극과 동일층으로 배치되는 제1 얼라인 키가 포함된 제1 얼라인 키 영역, 액티브영역의 콘택홀 및 화소전극 배치시 사용하기 위해 액티브 영역의 소스/드레인 전극과 동일층으로 배치되는 제2 얼라인 키가 포함된 제2 얼라인 키 영역 및 상기 제1 및 제2 얼라인 키가 포함된 제3 얼라인 키영역을 포함한다.

얼라인 키

Description

플렉서블 표시장치{Flexible Display Device}

본 발명은 플렉서블 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메탈 기판을 이용한 플렉서블 표시장치에 관한 것이다.

정보화 사회의 발전에 따라, 시각적 정보를 표시하기 위하여 종래의 CRT(Cathode Ray Tube)를 대신하여, 여러 가지 평판 표시 장치가 주목을 받고 있으며, 이러한 평판 표시 장치들로는 PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display Device), LCD(Liquid Crystal Display Device), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등이 있다.

이와 같은, 평판 표시 장치들은 일반적으로, 유리로 이루어진 두 개의 글래스 기판이 서로 대향하여 합착되고 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)가 구비된 평판 표시 패널을 포함하여 형성된다.

그러나, 무겁고 깨지기 쉬우며 변형하기 힘든 유리로 이루어진 글래스(glass) 기판을 이용한 평판 표시 장치로는, 언제, 어디에서든지 원하는 화상 정보를 출력할 수 있도록 요구되고 있는 유비쿼터스 시대의 디스플레이를 구현하는데에 한계를 가지고 있으며, 이에 따라 플라스틱 기판과 같이, 가벼우면서도 가요성 을 가지는 재질로 이루어진 기판을 사용한 플렉서블 표시장치(Flexible Display Device)의 개발이 활발해지고 있는 실정이다.

그러나, 플라스틱 기판의 경우, 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 여러 가지 공정이 진행될 때, 해당 공정의 온도 환경에 대하여 취약하다는 문제점을 가지고 있다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 가요성을 가지는 메탈(Metal) 기판을 이용한 플렉서블 표시장치의 개발이 주목을 받고 있다.

메탈은 투명한 디스플레이가 요구되지 않는 경우에 사용되며, 내충격성을 확보할 수 있고 내부식성이 높은 스테인리스 스틸(stainless steel)의 재질이 주로 사용된다.

이와 같이, 메탈 기판을 사용하여 구현되는 플렉서블 표시장치 역시, 도 1과 같이, 다른 평판 표시 장치와 마찬가지로, 하나의 메탈 기판(10)에 다수의 패널(12)을 동시에 형성하고, 각 패널을 기판으로부터 분리한다.

이때, 패널에 형성되는 패턴(pattern)들은 예를 들면 포토레지스트(photoresist)를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 법으로 형성할 수 있다.

상기 포토리소그래피법을 보다 상세히 설명하면, 먼저 도전층을 증착한 후 상기 도전층 상부에 포토레지스트를 도포한 다음에, 특정 부위를 선택적으로 노광하고 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.

이어서, 포토레지스트가 제거된 영역을 통해 노출된 도전층을 식각하여 제거 한 다음, 포토레지스트 패턴을 제거하여 최종적으로 구현하고자 하는 패턴을 완성한다.

이와 같은 방법을 통해 최종적으로 패널에 형성되는 패턴은, 다양한 레이어를 가지도록 형성되므로 각 레이어 간에 정확한 정렬 상태를 유지하는 것은 중요하다.

이와 같이, 각 레이어 사이에 정확한 정렬 상태를 유지하기 위해서, 기판 상에서 패널을 제외한 나머지 영역, 즉 더미 영역에는 다수의 얼라인 키(align key)와 같은 키 패턴(도 1의 14)들이 형성된다.

이들 키 패턴은, 예를 들면 포토리소그래피 공정 가운데 노광 공정을 수행하기 위한 얼라인 키 이외에도, 각 패널을 분리하는 스크라이빙 공정을 수행하기 위한 얼라인 키 등이 형성될 수 있다.

그러나, 메탈 기판 상에 키 패턴을 형성할 때 다음과 같은 문제점이 발생하였다.

메탈 기판은, 그 재질 즉 금속의 특성상 결(groove)을 가지고 있어서, 그 표면이 매끄럽지 않고 거친 표면을 가지고 있다. 이와 같은 거친 표면을 매끄럽게 하기 위하여 예를 들면 폴리싱(polishing) 공정을 수행할 수도 있으나 메탈 기판 표면을 완전히 매끄럽게 하지는 못하고 있다. 그리고, 메탈 기판은, 메탈 자체가 갖는 반사도로 인해 기판 반사에 의한 빛 간섭 현상 또한 있다.

따라서, 기판 상에 형성된 키 패턴에 반사된 빛을 인식하는 카메라를 통해 수행되는 얼라인 공정에 있어서, 메탈 기판 표면의 반사도와 미세 표면 디 펙(defect) 등으로 인해, 카메라가 정상적으로 키 패턴을 인식하지 못하는 경우가 발생하게 된다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 메탈 기판을 이용한 플렉서블 표시장치에 있어서, 메탈 기판 표면에서의 얼라인 키 정렬 과정 중 발생하는 장비의 오작동을 저감시킬 수 있는 플렉서블 표시장치를 제공함에 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 액티브영역과 비액티브영역으로 구분되는 패널영역 및 상기 패널영역 이외의 영역인 더미 영역으로 정의된 메탈 기판과, 상기 더미영역 상에 형성되고, 제1, 제2 및 제3 얼라인 키영역으로 정의되는 얼라인 키영역을 포함하고, 상기 얼라인 키영역은 상기 액티브영역의 소스/드레인 전극 형성시 사용하기 위해 상기 액티브 영역의 게이트 전극과 동일층으로 형성되는 제1 얼라인 키가 포함된 제1 얼라인 키 영역, 상기 액티브영역의 콘택홀 및 화소전극 형성시 사용하기 위해 상기 액티브 영역의 소스/드레인 전극과 동일층으로 형성되는 제2 얼라인 키가 포함된 제2 얼라인 키 영역 및 상기 제1 및 제2 얼라인 키가 포함된 제3 얼라인 키영역을 구비한다.

상기 제1 얼라인 키영역은 상기 메탈 기판 상에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막과, 상기 제3 버퍼막 상에 형성된 상기 제1 얼라인 키와, 상기 제1 얼라인 키가 포함된 기판상에 형성된 제1 및 제2 절연막을 포함한다.

상기 제3 얼라인 키영역은 상기 메탈 기판의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막와, 상기 제3 버퍼막상에 형성된 상기 제1 얼라인 키와, 상기 제1 얼라인 키가 포함된 기판 상에 형성된 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 상의 제3 얼라인 키영역에 형성된 상기 제2 얼라인 키와, 상기 제2 얼라인 키가 포함된 기판상에 형성된 제2 절연막을 포함한다.

상기 제2 얼라인 키영역은 상기 메탈 기판의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막과, 상기 제3 버퍼막이 포함된 기판상에 형성된 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 상에 형성된 상기 제2 얼라인 키와, 상기 제2 얼라인 키가 포함된 기판상에 형성된 제2 절연막을 포함한다.

상기 제2 얼라인 키영역에는 상기 제3 버퍼막과 상기 제1 절연막 사이에 형성된 제1 차광패턴을 더 포함하거나, 상기 제1 절연막과 상기 제2 얼라인 키 사이에 형성된 제2 차광패턴을 더 포함하거나, 상기 제3 버퍼막과 상기 제1 절연막 사이에 형성된 제1 차광패턴과, 상기 제1 절연막과 상기 제2 얼라인 키 사이에 형성된 제2 차광패턴을 더 포함한다.

상기 제1 절연막은 상기 액티브영역에 형성되는 게이트 절연막과 동일한 층으로 형성되고, 상기 제2 절연막은 상기 액티브영역에 형성되는 보호막과 동일한 층으로 형성된다.

상기 제1 차광패턴은 상기 액티브영역에 형성된 게이트 전극과 동일한 층으로 형성되고, 상기 제2 차광패턴은 상기 액티브영역에 형성된 소스/드레인 전극과 동일층으로 형성된다.

상기 제2 버퍼막은 불투명 절연막, 반사도가 낮은 금속막 및 불투명 절연막과 반사도가 낮은 금속막이 적층된 구조로 형성된 막 중 어느 하나로 형성되고, 상기 불투명 절연막은 수지 BM막, 카본 블랙막, Fe3O4막 중 어느 하나로 형성되고, 상기 반사도가 낮은 금속막은 Mo, Cu, MoTi 중 어느 하나로 형성된다.

그리고, 상기 제2 버퍼막은 백색 절연막, 반사도가 높은 금속막 및 백색 절연막과 반사도가 높은 금속막이 적층된 구조로 형성된 막 중 어느 하나로 형성되고, 상기 백색 절연막은 ZnO, AzO, TiO 중 어느 하나의 메탈 파티클(metal particle)이 포함된 막으로 형성되고, 상기 금속막은 Al, AlNd 중 어느 하나로 형성된다.

이상에서와 같은 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 소스/드레인 전극 및 반도체 패턴 형성 공정시 하부에 형성된 게이트 전극과 정렬상태를 유지하는 제1 얼라인 키가 포함된 제1 얼라인 키영역을 구비하고, 보호막의 콘택홀 형성공정 및 화소전극 형성공정시 하부에 형성된 소스 및 드레인 전극과 정렬상태를 유지하는 제2 얼라인 키가 포함된 제2 얼라인 키영역을 각각 구비하여 각 패턴 형성공정에 필요한 얼라인 키를 각 패턴 하부 레이어에 각각 형성함으로써, 얼라인 키와 패턴 형성 레이어간의 거리가 좁아지게 되어 얼라인 키에 반사된 빛을 인식하는 카메라의 빛 인식율의 변동이 적어지게 되고, 얼라인 키 정렬과정 중 발생하는 기판 표면의 반사도와 미세표면의 디펙으로 인한 영향을 줄일 수 있게 되어 장비 오작동을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.

다음에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 간략하게 도시한 평면도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치는, 크게 다수의 패널(A)이 형성된 패널영역과, 다수의 패널을 제외한 나머지 영역인 더미 영역(NA)으로 구분되고, 상기 더미 영역(NA)에는 제1, 제2 및 제3 얼라인 키영역(20a, 20b, 20c)으로 정의되는 얼라인 키영역(20)이 형성된다.

상기 각 패널은 도시하지 않았지만, 액티브영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸도록 정의되는 비액티브영역으로 구분되며, 액티브영역에는 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인이 형성됨과 아울러, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차부에 형성된 박막트랜지스터에 의해 작동되는 화소전극이 매트릭스 형태로 배치된다.

상기 박막트랜지스터는 기판 상에 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상부에 채널영역을 정의하도록 상기 게이트 전극의 양단 상부에 형성되어 서로 마주보도록 배치된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 채널영역과 소스전극 및 드레인 전극의 하부에 형성된 반도체층을 포함하여 구성된다.

그리고, 상기 얼라인 키영역(20)의 제1 얼라인 키영역(20a)은 도 3a에 도시된 바와 같이, 메탈 기판(100)의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)과, 상기 제3 버퍼막(101c) 상에 형성된 제1 얼라인 키(102a)와, 상기 제1 얼라인 키(102a)가 포함된 기판(100)상에 형성된 제1 및 제2 절연막(104,108)을 포함하여 구성된다.

그리고, 상기 얼라인 키영역(20)의 제2 얼라인 키영역(20b)은 도 3b에 도시된 바와 같이, 메탈 기판(100)의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)과, 상기 제3 버퍼막(101c) 상의 제2 얼라인 키영역(20b)에 형성된 제1 차광패턴(102b)와, 상기 제1 차광패턴(102b)이 포함된 기판(100)상에 형성된 제1 절연막(104)과, 제1 절연막(104) 상의 제2 얼라인 키영역(20b)에 형성된 제2 차광패턴(105a)와, 제2 차광패턴(105a) 상에 형성된 제2 얼라인 키(107a)와, 상기 제2 얼라인 키(107a)가 포함된 기판(100)상에 형성된 제2 절연막(108)을 포함하여 구성된다.

그리고, 상기 얼라인 키영역(20)의 제3 얼라인 키영역(20c)은 도 3c에 도시된 바와 같이, 메탈 기판(100)의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)과, 상기 제3 버퍼막(101c)상에 형성된 제1 얼라인 키(102a)와, 상기 제1 얼라인 키(102a)가 포함된 기판(100)상에 형성된 제1 절연막(104)과, 상기 제1 절연막(104) 상의 제3 얼라인 키영역(20c)에 형성된 제2 얼라인 키(107a)와, 제2 얼라인 키(107a)이 포함된 기판(100)상에 형성된 제2 절연막(108)을 포함하여 구성된다.

상기 메탈 기판(100)은 예를 들면 스테인리스 스틸(stainless steel)재질로 형성될 수 있으며, 가요성(flexibility)을 가지고 있어서 플렉서블 표시장치를 구 현할 수 있는 특징을 가진다. 또한 상기 메탈 기판의 표면이 가지는 금속 특유의 그루브(groove)들에 의해 불균일한 표면을 가진다.

상기 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)은 상기 메탈 기판(100) 상에 형성되는 여러 패턴으로부터 절연시키는 역할을 하고, 동시에 메탈 기판의 거친 표면을 덮도록 형성되어 평탄화층으로서의 역할을 수행한다.

삭제

또한, 상기 제1 버퍼막(101a)은 투명 절연막인 유기 절연막으로 형성하고, 제3 버퍼막(101c)은 투명 절연막인 무기 절연막으로 형성하고, 제2 버퍼막(101b)은 블랙 또는 어두운 색을 가진 불투명 절연막, 금속막, 불투명 절연막과 금속막이 적층된 막 중 어느 하나로 형성될 수 있다.

이때, 불투명 절연막은 수지 BM, 카본 블랙, Fe3O4가 포함된 막으로 형성할 수 있고, 금속막은 상기 메탈 기판(100)보다 반사도가 낮은 Mo, Cu, MoTi와 같은 금속막으로 형성할 수 있다.

이와 같이 불투명 절연막 또는 반사도가 낮은 금속막으로 형성되는 제2 버퍼막(101b)을 형성함으로써, 평탄화층으로써의 역할 뿐만 아니라 카메라의 빛이 메탈 기판까지 도달하지 못하여 표면 디펙의 검출을 방지할 수 있게 된다.

그리고, 제2 버퍼막(101b)은 백색을 가지는 유기절연막, 금속막 및 백색 유기절연막과 금속막이 적층된 막 중 어느 하나로 형성될 수 있다.

이때, 백색을 가지는 유기절연막은 ZnO, AzO, TiO와 같은 메탈 파티클(metal particle)이 포함된 막으로 형성할 수 있고, 금속막은 상기 메탈 기판(100)보다 반사도가 높은 Al, AlNd과 같은 금속막으로 형성할 수 있다.

이와 같이, 백색 절연막 또는 반사도가 높은 금속막으로 형성되는 제2 버퍼막(101b)을 형성함으로써, 카메라의 빛이 메탈 기판상에 형성된 제2 버퍼막에서 반사되어 표면 디펙의 검출을 방지할 수 있게 된다.

상기 제1 절연막(104)은 상기 제1 얼라인 키영역(20a)의 제1 얼라인 키(102a)와, 제2 얼라인 키영역(20b)의 제1 차광패턴(102b)와, 제3 얼라인 키영역(20c)의 제1 얼라인 키(102a)가 포함된 기판 전면을 덮도록 형성되며, 액티브 영역의 게이트 전극 및 게이트 라인을 덮도록 형성되는 게이트 절연막과 동일한 층으로 형성되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 제2 절연막(108)은 상기 제1 얼라인 키영역(20a)의 제1 절연막(104),상기 제2 얼라인 키영역(20b)의 제2 얼라인 키(107a), 제3 얼라인 키영역(20c)의 제2 얼라인 키(107a)가 형성된 기판(100) 전면을 덮도록 형성되며, 액티브 영역의 보호막과 동일한 층으로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 제1 얼라인 키(102a)는 제1 얼라인 키영역(20a) 및 제3 얼라인 키영역(20c)에 각각 형성되며, 상기 각 패널의 액티브영역에 형성된 게이트 라인 및 게이트 전극과 동일한 층으로 형성된다.

상기 제1 얼라인 키영역(20a) 및 제3 얼라인 키영역(20c)에 형성되는 제1 얼라인 키(102a)는 이후 형성되는 소스/드레인 전극 및 반도체 패턴 형성 공정시 이미 형성된 게이트 전극과의 정확한 정렬상태를 유지하기 위한 얼라인 키로 사용된 다.

그리고, 상기 제2 얼라인 키(107a)는 제2 얼라인 키영역(20a) 및 제3 얼라인 키영역(20c)에 형성되며, 상기 각 패널의 액티브 영역에 형성된 소스/드레인 전극과 동일층으로 형성되고, 이후 드레인 전극을 노출하기 위해 보호막에 형성되는 콘택홀 형성공정 및 화소전극 형성 공정시 이미 형성된 소스 및 드레인 전극과의 정확한 정렬상태를 유지하기 위한 얼라인 키로 사용된다.

그리고, 제3 얼라인 키영역(20c)에 형성되는 제1 얼라인 키(102a)와 제2 얼라인 키 (107a)은 제1 얼라인 키영역(20a)의 제1 얼라인 키(102a)와 제2 얼라인 키영역(20b)의 제2 얼라인 키(107a)을 통해 각각 게이트 전극 및 소스 및 드레인 전극과 정렬하지 못한 상태가 발생하였을 경우, 얼라인 키로 사용될 수 있다.

즉, 상기 제3 얼라인 키영역(20c)의 제1 얼라인 키(102a)는 상기 제1 얼라인 키영역(20a)의 제1 얼라인 키(102a)와 동일하게 소스/드레인 전극 및 반도체 패턴 형성공정시 게이트 전극과의 정확한 정렬상태를 유지하기 위한 얼라인 키로 사용되고, 상기 제3 얼라인 키영역(20c)의 제2 얼라인 키(107a)는 상기 제2 얼라인 키영역(20c)와 동일하게 드레인 전극을 노출하기 위해 보호막에 형성되는 콘택홀 형성공정 및 화소전극 형성공정시 소스 및 드레인 전극과의 정확한 정렬상태를 유지하기 위한 얼라인 키로 사용되므로, 제1 얼라인 키영역(20a)의 제1 얼라인 키(102a)와 제2 얼라인 키영역(20b)의 제2 얼라인 키(107a)를 통해 각각 게이트 전극 및 소스 및 드레인 전극과 정렬하지 못한 상태가 발생하여 얼라인 공정을 정상적으로 진행하지 못하는 경우가 발생할 때, 제3 얼라인 키영역(20c)에 형성되는 제1 얼라인 키(102a)와 제2 얼라인 키(107a)를 사용하여 얼라인 공정을 수행할 수 있다.

그리고, 제2 얼라인 키영역(20b)에 형성된 상기 제1 차광패턴(102b) 및 상기 제2 차광패턴(105a)은 메탈 기판(100)의 표면에서의 난반사에 의하여 광학 카메라로 입사되는 빛을 보다 효과적으로 차단하기 위한 반사방지 패턴이다.

이때, 제1 차광패턴(102b)은 액티브영역에 형성된 게이트 라인 및 게이트 전극과 동일한 층으로 형성되고, 제2 차광패턴(105a)은 액티브영역에 형성된 소스/드레인 전극과 동일층으로 형성된다.

즉, 메탈 기판(100)의 거친표면에서는 난반사가 발생하게 되는 데, 기판 상에 형성된 얼라인 키를 인식하는 카메라의 경우 키 패턴에서 반사된 빛을 인식하여 기판을 정렬하지만, 기판 표면에서 난반사가 발생할 경우에는 반사된 빛과의 간섭에 의해 카메라가 정상적으로 키패턴을 인식하지 못하게 되므로, 제1 및 제2 차광패턴(102a, 105b)를 통해 메탈 기판(100)의 표면에서의 난반사에 의하여 광학 카메라로 입사되는 빛을 보다 효과적으로 차단하게 된다.

이와 같이 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 소스/드레인 전극 및 반도체 패턴 형성 공정시 하부에 형성된 게이트 전극과 정렬상태를 유지하는 제1 얼라인 키가 포함된 제1 얼라인 키영역을 구비하고, 보호막의 콘택홀 형성공정 및 화소전극 형성공정시 하부에 형성된 소스 및 드레인 전극과 정렬상태를 유지하는 제2 얼라인 키가 포함된 제2 얼라인 키영역을 각각 구비하여 각 패턴 형성공정에 필요한 얼라인 키를 각 패턴 하부 레이어에 각각 형성함으로써, 얼라인 키와 패턴 형성 레이어간의 거리가 좁아지게 되어 얼라인 키에 반사된 빛을 인식하는 카메라의 빛 인 식율의 변동이 적어지게 되고, 얼라인 키 정렬과정 중 발생하는 기판 표면의 반사도와 미세표면의 디펙으로 인한 영향을 줄일 수 있게 되어 장비 오작동을 저감시킬 수 있다.

다시 말해, 얼라인 키와 패턴 형성용 레이어간의 거리가 넓어지게 되면, 얼라인 키에 반사된 빛을 인식하는 카메라는 기판 표면의 반사도와 미세 표면 디펙등의 주변조건에 따라 인식율이 크게 변하게 되어 키패턴을 정상적으로 인식하지 못하는 경우가 발생하지만, 본 발명과 같이, 각 패턴 형성공정에 필요한 얼라인 키를 각 패턴 하부 레이어에 각각 형성하여 얼라인 키와 패턴 형성용 레이어간의 거리가 좁아지게 되면, 얼라인 키에 반사된 빛을 인식하는 카메라는 주변조건과 상관없이 인식율이 일정하게 되어 키패턴을 정상적으로 인식할 수 있게 된다.

한편, 제2 얼라인 키영역(20c)은 도 3b에 도시된 바와 같은 제1 차광패턴(102b), 제1 절연막(104), 제2 차광패턴(105a), 제2 얼라인 키(107a), 제2 절연막(108)을 포함한 구조뿐만 아니라, 도 4a, 도 4b, 도 4c에 도시된 구조도 적용할 수 있다.

도 4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 제2 얼라인 키영역(20ba)은 메탈 기판(100)의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)와, 상기 제3 버퍼막(101c)의 제2 얼라인 키영역(20ba) 상에 형성된 제1 차광패턴(102b)와, 상기 제1 차광패턴(102b)이 포함된 기판(100)상에 형성된 제1 절연막(104)과, 상기 제1 절연막(104) 상의 제2 얼라인 키영역(20ba)에 형성된 제2 얼라인 키(107a)와, 제2 얼라인 키(107a)이 포함된 기판(100)상에 형성된 제2 절연막(108)을 포함하여 구성된다.

도 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 제2 얼라인 키영역(20bb)은 메탈 기판(100)의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)과, 상기 제3 버퍼막(101c)이 포함된 기판(100)상에 형성된 제1 절연막(104)과, 제1 절연막(104) 상의 제2 얼라인 키영역(20bb)에 형성된 제2 차광패턴(105a)와, 제2 차광패턴(105a) 상에 형성된 제2 얼라인 키(107a)와, 상기 제2 얼라인 키(107a)가 포함된 기판(100)상에 형성된 제2 절연막(108)을 포함하여 구성된다.

도 4c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 제2 얼라인 키영역(20bc)은 메탈 기판(100)의 전면에 형성된 제1, 제2 및 제3 버퍼막(101a, 101b, 101c)와, 상기 제3 버퍼막(101c) 상에 형성된 제1 얼라인 키(102a)와, 상기 제1 얼라인 키(102a)가 포함된 기판(100)상에 형성된 제1 절연막(104)과, 상기 제1 절연막(104) 상의 제2 얼라인 키영역(20bc)에 형성된 제2 차광패턴(105a)와, 제2 차광패턴(105a)이 포함된 기판(100)상에 형성된 제2 절연막(108)을 포함하여 구성된다.

따라서, 상기와 같은 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 소스/드레인 전극 및 반도체 패턴 형성 공정시 하부에 형성된 게이트 전극과 정렬상태를 유지하는 제1 얼라인 키가 포함된 제1 얼라인 키영역을 구비하고, 보호막의 콘택홀 형성공정 및 화소전극 형성공정시 하부에 형성된 소스 및 드레인 전극과 정렬상태를 유지하는 제2 얼라인 키가 포함된 제2 얼라인 키영역을 각각 구비하여 각 패턴 형성공정에 필요한 얼라인 키를 각 패턴 하부 레이어에 각각 형성함으로써, 얼라인 키와 패턴 형성 레이어간의 거리가 좁아지게 되어 얼라인 키에 반사된 빛을 인식하는 카메 라의 빛 인식율의 변동이 적어지게 되고, 얼라인 키 정렬과정 중 발생하는 기판 표면의 반사도와 미세표면의 디펙으로 인한 영향을 줄일 수 있게 되어 장비 오작동을 저감시킬 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 간략하게 도시한 평면도

도 2는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 간략하게 도시한 평면도

도 3a는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제1 얼라인 키영역을 도시한 단면도

도 3b는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제2 얼라인 키영역을 도시한 단면도

도 3c는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제3 얼라인 키영역을 도시한 단면도

도 4a는 본 발명의 또 다른 플렉서블 표시장치의 제2 얼라인 키영역을 도시한 단면도

도 4b는 본 발명의 또 다른 플렉서블 표시장치의 제2 얼라인 키영역을 도시한 단면도

도 4c는 본 발명의 또 다른 플렉서블 표시장치의 제2 얼라인 키영역을 도시한 단면도

Claims (16)

1. 액티브영역과 비액티브영역으로 구분되는 패널영역 및 상기 패널영역 이외의 영역인 더미 영역으로 정의된 메탈 기판과,

   상기 더미영역 상에 배치되고, 제1, 제2 및 제3 얼라인 키영역으로 정의되는 얼라인 키영역을 포함하고,

   상기 얼라인 키영역은 상기 액티브영역의 소스/드레인 전극 배치시 사용하기 위해 상기 액티브 영역의 게이트 전극과 동일층으로 배치되는 제1 얼라인 키가 포함된 제1 얼라인 키 영역, 상기 액티브영역의 콘택홀 및 화소전극 배치시 사용하기 위해 상기 액티브 영역의 소스/드레인 전극과 동일층으로 배치되는 제2 얼라인 키가 포함된 제2 얼라인 키 영역 및 상기 제1 및 제2 얼라인 키가 포함된 제3 얼라인 키영역을 포함하는 플렉서블 표시장치.
2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 얼라인 키영역은

   상기 메탈 기판 상에 배치된 제1, 제2 및 제3 버퍼막과,

   상기 제3 버퍼막 상에 배치된 상기 제1 얼라인 키와,

   상기 제1 얼라인 키가 포함된 기판상에 배치된 제1 및 제2 절연막을 포함하는 플렉서블 표시장치.
3. 제1 항에 있어서, 상기 제3 얼라인 키영역은

   상기 메탈 기판의 전면에 배치된 제1, 제2 및 제3 버퍼막과,

   상기 제3 버퍼막상에 배치된 상기 제1 얼라인 키와,

   상기 제1 얼라인 키가 포함된 기판 상에 배치된 제1 절연막과,

   상기 제1 절연막 상의 제3 얼라인 키영역에 배치된 상기 제2 얼라인 키와,

   상기 제2 얼라인 키가 포함된 기판상에 배치된 제2 절연막을 포함하는 플렉서블 표시장치.
4. 제1 항에 있어서, 상기 제2 얼라인 키영역은

   상기 메탈 기판의 전면에 배치된 제1, 제2 및 제3 버퍼막과,

   상기 제3 버퍼막이 포함된 기판상에 배치된 제1 절연막과,

   상기 제1 절연막 상에 배치된 상기 제2 얼라인 키와,

   상기 제2 얼라인 키가 포함된 기판상에 배치된 제2 절연막을 포함하는 플렉서블 표시장치.
5. 제4 항에 있어서, 상기 제2 얼라인 키영역에는

   상기 제3 버퍼막과 상기 제1 절연막 사이에 배치된 제1 차광패턴을 더 포함하는 플렉서블 표시장치.
6. 제4 항에 있어서, 상기 제2 얼라인 키영역에는

   상기 제1 절연막과 상기 제2 얼라인 키 사이에 배치된 제2 차광패턴을 더 포함하는 플렉서블 표시장치.
7. 제4 항에 있어서, 상기 제2 얼라인 키영역에는

   상기 제3 버퍼막과 상기 제1 절연막 사이에 배치된 제1 차광패턴과,

   상기 제1 절연막과 상기 제2 얼라인 키 사이에 배치된 제2 차광패턴을 더 포함하는 플렉서블 표시장치.
8. 제2 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 절연막은 상기 액티브영역에 구비되는 게이트 절연막과 동일한 층으로 배치되고, 상기 제2 절연막은 상기 액티브영역에 구비되는 보호막과 동일한 층으로 배치되는 플렉서블 표시장치.
9. 제5 항 또는 제7 항에 있어서, 상기 제1 차광패턴은

   상기 액티브영역에 구비된 게이트 전극과 동일한 층으로 배치되는 플렉서블 표시장치.
10. 제6 항 또는 제7 항에 있어서, 상기 제2 차광패턴은

    상기 액티브영역에 구비된 소스/드레인 전극과 동일층으로 배치되는 플렉서블 표시장치.
11. 제2 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2 버퍼막은

    불투명 절연막, 금속막 및 불투명 절연막과 금속막이 적층된 구조로 배치된 막 중 어느 하나로 배치되는 플렉서블 표시장치.
12. 제11 항에 있어서, 상기 불투명 절연막은 수지 BM막, 카본 블랙막, Fe3O4막 중 어느 하나이고, 상기 금속막은 Mo, Cu, MoTi 중 어느 하나인 플렉서블 표시장치.
13. 제2 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2 버퍼막은

    백색 절연막, 금속막 및 백색 절연막과 금속막이 적층된 구조의 막 중 어느 하나로 배치되는 플렉서블 표시장치.
14. 제13 항에 있어서, 상기 백색 절연막은 ZnO, AzO, TiO 중 어느 하나의 메탈 파티클(metal particle)이 포함하고, 상기 금속막은 Al, AlNd 중 어느 하나인 플렉서블 표시장치.
15. 제11 항에 있어서,

    상기 금속막의 반사도는 상기 메탈 기판의 반사도보다 낮은 플렉서블 표시장치.
16. 제13 항에 있어서,

    상기 금속막의 반사도는 상기 메탈 기판의 반사도보다 높은 플렉서블 표시장치.

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