KR101656050B1 - 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터는 열선이 삽입되어 내장되는 열선내장홈이 형성된 하판; 상기 하판 상부에 위치하고 상기 하판과 접착 결합되어 열선을 밀봉하는 상판; 및 상기 하판과 상판 사이에 위치하고 상기 하판과 상판을 접착시키는 유리테이프를 포함한다.
상기한 구성에 의해 본 발명은 반도체 제조장치 중 CVD 장비의 웨이퍼를 가열하기 위한 석영히터를 구성하는 상판과 하판 사이의 결합력을 높일 수 있고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장할 수 있으며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있고, 종래 석영히터 제조시 상판과 하판의 홈을 이용하여 용접 후 가공, 연마, 세정, 열처리 등의 공정을 거침으로써 발생하는 공정시간 지연 및 이에 따른 부수적인 비용의 발생을 방지할 수 있고, 용접 후 가공, 연마 공정 중에 발생할 수 있는 불량률을 줄여 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터는 열선이 삽입되어 내장되는 열선내장홈이 형성된 하판; 상기 하판 상부에 위치하고 상기 하판과 접착 결합되어 열선을 밀봉하는 상판; 및 상기 하판과 상판 사이에 위치하고 상기 하판과 상판을 접착시키는 유리테이프를 포함한다.
상기한 구성에 의해 본 발명은 반도체 제조장치 중 CVD 장비의 웨이퍼를 가열하기 위한 석영히터를 구성하는 상판과 하판 사이의 결합력을 높일 수 있고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장할 수 있으며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있고, 종래 석영히터 제조시 상판과 하판의 홈을 이용하여 용접 후 가공, 연마, 세정, 열처리 등의 공정을 거침으로써 발생하는 공정시간 지연 및 이에 따른 부수적인 비용의 발생을 방지할 수 있고, 용접 후 가공, 연마 공정 중에 발생할 수 있는 불량률을 줄여 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조장치 중 CVD 장비의 웨이퍼를 가열하기 위한 석영히터를 구성하는 상판과 하판 사이의 결합력을 높일 수 있고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장할 수 있으며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있도록 한 반도체 제조장비용 석영히터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정 중에는 증착기술을 이용하여 웨이퍼의 표면에 막을 형성시키는 LPCVD(화상기상증착) 등의 증착공정을 실시하게 되는데, 석영히터는 이와 같은 LPCVD 공정을 위한 공정설비의 하나로 구비되는 장치로서 웨이퍼를 가열하되 웨이퍼의 표면온도를 일정하게 유지시킴으로써 웨이퍼의 표면에 균일한 두께의 막을 형성시키는데 사용된다.
이렇게 반도체 공정설비의 하나로 사용되고 있는 석영히터는 석영재질의 상판과 하판 사이에 카본코일 등의 열선이 내장되는 히터판과 이 히터판의 일측에 결합되며 웨이퍼 가열을 위한 열선과 연결되는 텅스텐 전극이 내부에 배치된 석영튜브를 포함하여 구성되는데, LPCVD 공정의 진행과정 중에 히터판의 상판이 식각되므로 공정설비의 사용시간 경과에 따라 주기적으로 교체되고 있는 소모성 부품이다.
한편, 반도체 공정설비용 석영히터의 종래 기술을 개략적으로 더 살펴보면, 열선을 내부에 위치시킨 상태로 상판과 하판을 접합 실링하여 히터판을 구성하게 되는데, 세라믹 본드를 이용하여 본딩(bonding)을 실시하거나 또는 상판과 하판 자체를 융착시키는 방식으로 상판과 하판을 서로 결합 및 실링(sealing) 처리하여 열선이 내장된 히터판을 구성하고 있다.
그런데 세라믹 본딩방식에 의해 만들어지는 히터판의 경우는 제품이 불투명으로 되어 사용할 수가 없게 되는 문제점은 물론 히터판과 세라믹 본드와의 열팽창계수 차이로 인해 크랙이 발생하므로 고온과 산 처리에 약한 문제점 및 접합면이 매끄럽지 못하고 기타 가공조건을 잡아내기가 상당히 까다로운 문제점이 있었다.
또한, 상판과 하판을 융착시켜 접합 실링하는 방식에 의한 히터판의 경우는 융착에 의해 상하판이 일체가 되어 열선에서의 고장발생시 수리가 불가능한 문제점이 있었고, 고가의 융착장비 사용 및 고도의 기술을 요하므로 제작비용이 많이 소요됨은 물론 제조원가의 상승요인이 되고 있으며, 융착에 의한 히터판 제조과정에서부터 상판과 하판 자체의 두께가 줄어들므로 사용수명을 떨어뜨리는 문제점이 있었다.
또한, 히터판의 내부에 내장되는 카본코일 등의 열선에 있어서는 코일이 풀리고 이로 인해 발열량에 문제가 발생되는 단점이 있었으며, 종래 석영히터 제조시에는 상판과 하판의 홈을 이용하여 용접 후 가공, 연마, 세정, 열처리 등의 공정을 거치므로 공정시간과 이에 따른 부수적인 비용들이 증가하며, 용접 후 가공, 연마 공정 중 불량률이 큰 문제점이 있었다.
본 발명은 반도체 제조장치 중 CVD 장비의 웨이퍼를 가열하기 위한 석영히터를 구성하는 상판과 하판 사이의 결합력을 높일 수 있고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장할 수 있으며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있도록 한 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명은 종래 석영히터 제조시 상판과 하판의 홈을 이용하여 용접 후 가공, 연마, 세정, 열처리 등의 공정을 거침으로써 발생하는 공정시간 지연 및 이에 따른 부수적인 비용의 발생을 방지할 수 있고, 용접 후 가공, 연마 공정 중에 발생할 수 있는 불량률을 줄여 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터는 열선이 삽입되어 내장되는 열선내장홈(115)이 형성된 하판(110); 상기 하판(110) 상부에 위치하고 상기 하판(110)과 접착 결합되어 열선을 밀봉하는 상판(120); 및 상기 하판(110)과 상판(120) 사이에 위치하고 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착시키는 유리테이프(130)를 포함한다.
상기 유리테이프(130)는 붕규산유리로 형성되고, 상기 하판(110)과 상판(120) 사이에 위치하는 유리테이프(130)의 두께는 0.001 내지 0.003mm이며, 상기 붕규산유리는 산화보론 및 산화규소가 각각 10 내지 25 중량부 및 75 내지 90중량부의 비율로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법은 일정한 두께를 가지는 플레이트를 준비하고, 상기 플레이트의 치수를 확인한 후 플레이트에서 불필요한 부분이나 파편(chipping)을 제거하는 재단 공정(S100); 상기 플레이트에 대하여 래핑(lapping)을 실시하여 표면을 다듬질하면서 폴리싱(polishing) 작업을 수행하여 평탄도를 맞춘 석영히터(100)의 상판(120)과 하판(110)으로 형성되는 플레이트를 다듬는 래핑 및 폴리싱 공정(S200); 상기 래핑 및 폴리싱 공정(S200)을 통해 형성된 하판(110)의 일측면에 MCT(머시닝센터)으로 수행되는 기계적 가공을 통하여 열선내장홈(115)을 형성하는 열선내장홈 가공 공정(S300); 상기 하판(110)의 표면에 열처리된 유리테이프(glass tape)(130)를 도포하는 유리테이프 도포 공정(S400); 상기 열처리된 유리테이프(130)가 도포된 하판(110)의 열선내장홈(115)에 열선을 내장하는 열선 내장 공정(S500); 상기 열선내장홈(115)에 열선을 내장하는 작업을 수행한 후 400 내지 600℃의 온도로 가열하여 상기 열처리된 유리테이프(130)를 건조시키는 건조 공정(S600); 상기 열선이 내장된 하판(110)의 상부에 상판(120)이 위치하도록 배치한 후 압력을 가하여 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착하는 접착 공정(S700); 및 상기 접착된 상판(120)과 하판(110)으로 이루어지는 석영히터(100)를 불활성 기체 분위기하에서 800 내지 1200℃의 온도로 60 내지 90분 동안 가열하고, 1150 내지 1200℃의 온도로 60 내지 90분 동안 유지한 후 냉각하는 가열 및 냉각 공정(S800)을 포함한다.
상기 유리테이프 도포 공정(S400)에서 상기 유리테이프(130)는 붕규산유리로 형성되되, 상기 붕규산유리는 산화보론 및 산화규소가 각각 10 내지 25 중량부 및 75 내지 90중량부의 비율로 포함되고, 상기 유리테이프(130)는 열처리되어 사용되되, 상기 열처리는 붕규산유리로 형성되는 유리테이프(130)를 450 내지 490℃의 온도에서 1차로 가열한 후 700 내지 750℃의 온도에서 2차로 가열하고, 890 내지 1000℃의 온도에서 3차로 가열함으로써 진행될 수 있다.
상기 열선 내장 공정(S500)에서 상기 열선내장홈(115)에 내장되는 열선은 질소 분위기하에서 900 내지 1050℃의 온도로 가열처리된 열선이 사용될 수 있다.
상기 접착 공정(S700)은 상기 하판(110)과 상판(120)을 50 내지 250psi의 압력으로 1 내지 4분 동안 가압함으로써 수행되고, 상기 접착 공정(S700)을 거친 후 상기 상판(120)과 하판(110) 사이에 위치하는 유리테이프(130)는 0.001 내지 0.003mm의 두께를 가지도록 가압될 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터는 반도체 제조장치 중 CVD 장비의 웨이퍼를 가열하기 위한 석영히터를 구성하는 상판과 하판 사이의 결합력을 높일 수 있고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장할 수 있으며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터는 종래 석영히터 제조시 상판과 하판의 홈을 이용하여 용접 후 가공, 연마, 세정, 열처리 등의 공정을 거침으로써 발생하는 공정시간 지연 및 이에 따른 부수적인 비용의 발생을 방지할 수 있고, 용접 후 가공, 연마 공정 중에 발생할 수 있는 불량률을 줄여 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 실시예는, 구체적으로 언급되지 않은 다양한 효과를 제공할 수 있다는 것이 충분히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터에서 상판과 하판이 결합된 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터에서 상판과 하판이 결합된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터에서 상판과 하판이 결합된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터에서 상판과 하판이 결합된 상태를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터에서 상판과 하판이 결합된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터(100)는 열선(미도시)이 삽입되어 내장되는 열선내장홈(115)이 형성된 하판(110), 상기 하판(110) 상부에 위치하고 상기 하판(110)과 접착 결합되어 열선을 밀봉하는 상판(120), 및 상기 하판(110)과 상판(120) 사이에 위치하고 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착시키는 유리테이프(130)를 포함한다.
상기 하판(110)은 석영히터(100)의 하부에 위치하고 상기 하판(110)의 상부면에는 일정한 깊이로 파진 홈 형상의 열선내장홈(115)이 형성될 수 있다. 상기 열선내장홈(115)에는 카본코일이나 니켈크롬선 또는 텅스텐선 등으로 형성되는 열선이 내장될 수 있다.
상기 상판(120)은 상기 하판(110)과 대응되는 크기로 형성되고, 상기 하판(110)의 상부에 위치하며 상기 하판(110)과 상호 접착 결합되어 상기 하판(110)에 내장된 열선을 밀봉할 수 있다.
상기 유리테이프(130)는 상기 하판(110)과 상판(120) 사이에 위치하고 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착시킬 수 있는데, 본 발명에서 상기 유리테이프(130)는 낮은 열팽창 계수를 가진 순수 붕규산유리로 형성될 수 있고, 상기 유리테이프(130)는 0.001 내지 0.003mm의 두께를 가지도록 가압되어 형성될 수 있다.
상기 붕규산유리(borosilicate glass; 硼硅酸琉璃)는 산화보론(B2O3) 및 산화규소(SiO2)를 기본으로 하는 유리로서, 산화규소에 보론을 첨가함으로써 팽창계수가 저하하여 화학적 내성(耐性), 특히 내산성 및 내후성(耐候性)이 증대하고, 내열충격성(耐熱衝擊性)이 증진될 수 있다.
본 발명에서 상기 붕규산유리는 유리의 고온 유동성과 융점, 가열처리시 접착력을 고려하여 산화보론 및 산화규소가 각각 10 내지 25 중량부 및 75 내지 90중량부의 비율로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 유리테이프(130)는 열처리하여 사용될 수 있는데, 상기 유리테이프(130)를 450 내지 490℃의 온도에서 1차로 가열한 후, 상기 1차로 가열된 유리테이프(130) 내의 조직과 물성을 고르게 하고 응력을 제거하기 위하여 700 내지 750℃의 온도에서 2차로 가열함으로써 유리테이프(130)의 연화가 일어나도록 하고, 890 내지 1000℃의 온도에서 3차로 가열함으로써 유리테이프(130)가 활성화되도록 할 수 있다.
또한, 상기 유리테이프(130)는 상기 하판(110)과 상판(120)을 50 내지 250psi의 압력으로 1 내지 4분 동안 가압함으로써 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착할 수 있는데, 상기 상판(120)과 하판(110) 사이에 형성된 유리테이프(130)가 가압되어 상기 상판(120)과 하판(110)을 접착함으로써 상판(120) 및 하판(110) 상호간의 접착 내구력을 증진시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 석영히터의 제조방법은 일정한 두께를 가지는 플레이트를 준비하고, 상기 플레이트의 치수를 확인한 후 모따기 가공 등을 통하여 플레이트에서 불필요한 부분이나 파편(chipping)을 제거하는 재단 공정(S100)을 수행한다.
상기 재단 공정(S100)에 사용되는 플레이트는 석영히터(100)의 히터판 몸체를 구성하는 상판(120)과 하판(110)을 제조하기 위한 것으로, 상기 상판(120)과 하판(110)의 사이에 구비되는 열선에 의해 실제 열을 많이 받는 부분이므로 열적 안정화를 위해 용융 석영(fused quartz; 석영결정을 녹여서 제조한 것)으로 구비하는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 재단 공정(S100)를 거친 플레이트에 대하여 래핑(lapping)을 실시하여 표면을 다듬질하면서 폴리싱(polishing) 작업을 수행하여 평탄도를 맞춘 히터판의 몸체를 구성하기 위한 상판(120)과 하판(110)을 각각 구비하는 래핑 및 폴리싱 공정(S200)을 수행한다.
이때, 상기 상판(120)과 하판(110)으로 형성되는 플레이트의 래핑과 폴리싱은 표면처리 및 가공 효율성을 위하여 기계적 래핑 및 폴리싱을 실시하는 것이 바람직하다.
그 다음으로, 상기 래핑 및 폴리싱 공정(S200)을 통해 형성된 하판(110)의 일측면에 MCT(머시닝센터) 등의 기계적 가공을 통하여 열선내장홈(115)을 형성하는 열선내장홈 가공 공정(S300)을 수행한다.
이때, 상기 열선내장홈 가공 공정(S300)은 가공효율을 위하여 상기 열선내장홈(115)을 형성하는 하판(110)은 물론 상판(120)의 외측면을 함께 가공하는 것이 바람직하며, 상기 열선내장홈(115)은 석영히터(100)를 통하여 열이 균일하고 효율적으로 발산되도록 하기 위하여 하판(110) 전체에 걸쳐 균일하게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 하판(110)은 열선이 안정적으로 고정 안착될 수 있도록 하기 위하여 일정한 깊이를 가지는 홈 형상으로 열선내장홈(115)을 가공함으로써, 상기 열선내장홈(115) 내부에 삽입 고정되는 열선을 안정적으로 배치할 수 있고 열선의 코일이 쉽게 풀리는 현상을 방지하여 석영히터(100)의 발열량 및 작업효율을 향상시킬 수 있다.
이어서, 상기 하판(110)의 표면에 열처리된 유리테이프(glass tape)(130)를 도포하는 유리테이프 도포 공정(S400)을 수행한다.
상기 유리테이프(130)는 석영히터(100)를 구성하는 상판(120)과 하판(110)을 접착하여 결합하기 위한 것으로, 본 발명에서 상기 유리테이프(130)는 낮은 열팽창 계수를 가진 순수 붕규산유리로 형성될 수 있다.
상기 붕규산유리(borosilicate glass; 硼硅酸琉璃)는 산화보론(B2O3) 및 산화규소(SiO2)를 기본으로 하는 유리로서, 산화규소에 보론을 첨가함으로써 팽창계수가 저하하여 화학적 내성(耐性), 특히 내산성 및 내후성(耐候性)이 증대하고, 내열충격성(耐熱衝擊性)이 증진될 수 있다.
본 발명에서 상기 붕규산유리는 유리의 고온 유동성과 융점, 가열처리시 접착력을 고려하여 산화보론 및 산화규소가 각각 10 내지 25 중량부 및 75 내지 90중량부의 비율로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 유리테이프(130)는 열처리하여 사용될 수 있는데, 상기 유리테이프(130)를 450 내지 490℃의 온도에서 1차로 가열한 후, 상기 1차로 가열된 유리테이프(130) 내의 조직과 물성을 고르게 하고 응력을 제거하기 위하여 700 내지 750℃의 온도에서 2차로 가열함으로써 유리테이프(130)의 연화가 일어나도록 하고, 890 내지 1000℃의 온도에서 3차로 가열함으로써 유리테이프(130)가 활성화되도록 할 수 있다.
다음으로, 상기 열처리된 유리테이프(130)가 도포된 하판(110)의 열선내장홈(115)에 열선을 내장하는 열선 내장 공정(S500)을 수행한다.
상기 열선은 카본코일이나 니켈크롬선 또는 텅스텐선 등으로 형성될 수 있는데, 상기 열선내장홈(115)에 내장되는 열선은 열선의 표면에 부착되어 있는 이물질이나 불순물 또는 기름성분을 제거하기 위하여 전기로 등의 열처리장치를 통해 질소 분위기하에서 900 내지 1050℃의 온도로 가열처리된 열선이 사용될 수 있다.
그 다음으로, 상기 열선내장홈(115)에 열선을 내장하는 작업을 수행한 후 400 내지 600℃의 온도로 가열하여 상기 열처리된 유리테이프(130)를 건조시키는 건조 공정(S600)을 수행한다.
이어서, 열선이 내장된 하판(110)의 상부에 상판(120)이 위치하도록 배치한 후 압력을 가하여 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착하는 접착 공정(S700)을 수행한다.
상기 접착 공정(S700)은 상기 하판(110)과 상판(120)을 50 내지 250psi의 압력으로 1 내지 4분 동안 가압함으로써 수행될 수 있는데, 상기 접착 공정(S700)에 의해 상기 상판(120)과 하판(110) 사이에 형성된 유리테이프(130)가 가압되어 상기 상판(120)과 하판(110)을 접착함으로써 상판(120) 및 하판(110) 상호간의 접착 내구력을 증진시킬 수 있다.
상기 접착 공정(S700)은 개별 응용 공정 등에 따라 다양하게 변형될 수 있고 고무프레스나 목재프레스가 장착된 압력기를 사용하여 수행될 수 있는데, 상기 접착 공정(S700)을 거친 후 상기 상판(120)과 하판(110) 사이에 위치하는 유리테이프(130)는 0.001 내지 0.003mm의 두께를 가지도록 가압되는 것이 바람직하다.
다음으로, 접착된 상판(120)과 하판(110)으로 이루어지는 석영히터(100)를 불활성 기체 분위기하에서 800 내지 1200℃의 온도로 60 내지 90분 동안 가열하고, 1150 내지 1200℃의 온도로 60 내지 90분 동안 유지한 후 냉각하는 가열 및 냉각 공정(S800)을 수행한다.
이때, 상기 가열 및 냉각 공정(S800)은 상기 상판(120)과 하판(110) 사이에 위치하는 유리테이프(130)가 갈라지면서 얼룩이 발생하거나 크랙 등이 발생하는 것을 방지하기 위하여 서서히 냉각시키는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기와 같은 공정을 거침으로써 반도체 제조장치 중 CVD 장비의 웨이퍼를 가열하기 위한 석영히터(100)를 구성하는 상판(120)과 하판(110) 사이의 결합력을 높일 수 있고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장할 수 있으며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100; 석영히터 110; 하판
115; 열선내장홈 120; 상판
130; 유리테이프
115; 열선내장홈 120; 상판
130; 유리테이프
Claims (7)
- 삭제
- 삭제
- 일정한 두께를 가지는 플레이트를 준비하고, 상기 플레이트의 치수를 확인한 후 플레이트에서 불필요한 부분이나 파편(chipping)을 제거하는 재단 공정(S100);
상기 플레이트에 대하여 래핑(lapping)을 실시하여 표면을 다듬질하면서 폴리싱(polishing) 작업을 수행하여 평탄도를 맞춘 석영히터(100)의 상판(120)과 하판(110)으로 형성되는 플레이트를 다듬는 래핑 및 폴리싱 공정(S200);
상기 래핑 및 폴리싱 공정(S200)을 통해 형성된 하판(110)의 일측면에 MCT(머시닝센터)으로 수행되는 기계적 가공을 통하여 열선내장홈(115)을 형성하는 열선내장홈 가공 공정(S300);
상기 하판(110)의 표면에 열처리된 유리테이프(glass tape)(130)를 도포하는 유리테이프 도포 공정(S400);
상기 열처리된 유리테이프(130)가 도포된 하판(110)의 열선내장홈(115)에 열선을 내장하는 열선 내장 공정(S500);
상기 열선내장홈(115)에 열선을 내장하는 작업을 수행한 후 400 내지 600℃의 온도로 가열하여 상기 열처리된 유리테이프(130)를 건조시키는 건조 공정(S600);
상기 열선이 내장된 하판(110)의 상부에 상판(120)이 위치하도록 배치한 후 압력을 가하여 상기 하판(110)과 상판(120)을 접착하는 접착 공정(S700); 및
상기 접착된 상판(120)과 하판(110)으로 이루어지는 석영히터(100)를 불활성 기체 분위기하에서 800 내지 1200℃의 온도로 60 내지 90분 동안 가열하고, 1150 내지 1200℃의 온도로 60 내지 90분 동안 유지한 후 냉각하는 가열 및 냉각 공정(S800)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,
상기 유리테이프 도포 공정(S400)에서 상기 유리테이프(130)는 붕규산유리로 형성되되, 상기 붕규산유리는 산화보론 및 산화규소가 각각 10 내지 25 중량부 및 75 내지 90중량부의 비율로 포함되고,
상기 유리테이프(130)는 열처리되어 사용되되, 상기 열처리는 붕규산유리로 형성되는 유리테이프(130)를 450 내지 490℃의 온도에서 1차로 가열한 후 700 내지 750℃의 온도에서 2차로 가열하고, 890 내지 1000℃의 온도에서 3차로 가열함으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,
상기 열선 내장 공정(S500)에서 상기 열선내장홈(115)에 내장되는 열선은 질소 분위기하에서 900 내지 1050℃의 온도로 가열처리된 열선이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,
상기 접착 공정(S700)은 상기 하판(110)과 상판(120)을 50 내지 250psi의 압력으로 1 내지 4분 동안 가압함으로써 수행되고, 상기 접착 공정(S700)을 거친 후 상기 상판(120)과 하판(110) 사이에 위치하는 유리테이프(130)는 0.001 내지 0.003mm의 두께를 가지도록 가압되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법. - 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터.
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| KR1020160056208A KR101656050B1 (ko) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터 |
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| KR1020160056208A KR101656050B1 (ko) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 반도체 제조장비용 석영히터의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 반도체 제조장비용 석영히터 |
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| KR101656050B1 true KR101656050B1 (ko) | 2016-09-09 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002060246A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-26 | National Institute For Materials Science | 低膨張ガラス組成物 |
| KR101029094B1 (ko) | 2010-11-02 | 2011-04-13 | (주)비앤비텍 | 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터 |
| KR20130000553A (ko) * | 2011-06-23 | 2013-01-03 | (주)티티에스 | 접착제, 히터 및 이를 이용한 히터의 제조 방법 |
| KR101301507B1 (ko) | 2012-11-26 | 2013-09-04 | (주)씨엠코리아 | 반도체 제조장치용 히터 제조방법 및 그에 따라 제조된 히터 |
| KR20160000970A (ko) | 2014-06-25 | 2016-01-06 | (주)씨엠코리아 | 반도체 제조장치용 히터의 제조방법 및 히터 손상부위 처리방법 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002060246A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-26 | National Institute For Materials Science | 低膨張ガラス組成物 |
| KR101029094B1 (ko) | 2010-11-02 | 2011-04-13 | (주)비앤비텍 | 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터 |
| KR20130000553A (ko) * | 2011-06-23 | 2013-01-03 | (주)티티에스 | 접착제, 히터 및 이를 이용한 히터의 제조 방법 |
| KR101301507B1 (ko) | 2012-11-26 | 2013-09-04 | (주)씨엠코리아 | 반도체 제조장치용 히터 제조방법 및 그에 따라 제조된 히터 |
| KR20160000970A (ko) | 2014-06-25 | 2016-01-06 | (주)씨엠코리아 | 반도체 제조장치용 히터의 제조방법 및 히터 손상부위 처리방법 |
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