KR101649734B1 - 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치 - Google Patents

자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 (+)전극 및 (-)전극으로 이루어지는 전극 쌍을 포함하며, 상기 전극 쌍 내에 고주파 전류가 흐르는 전극 모듈(100), 및 상기 전극 모듈(100) 내에 위치한 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되며, 자기장을 생성하는 자기장 생성 모듈(200)을 포함하되, 상기 자기장 생성 모듈(200)을 통해 자기장을 생성하여, 상기 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 해서, 고주파 전류가 피부 안쪽에서 흐르게 하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
본 발명에서 제안하고 있는 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에 따르면, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장을 생성하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 함으로써, 고주파 전류가 보다 피부의 안쪽에 흐르게 하여 피부의 진피층까지 가열시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 고주파 전류의 세기 및 자기장의 세기를 조절하여, 고주파 전류에 작용하는 힘의 크기를 조절함으로써, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있다.

Description

자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치{HIGH-FREQUENCY APPARATUS SELECTABLE THE DEPTH OF SKIN TO BE PENETRATED IN MAGNETIC FIELD}
본 발명은 고주파 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에 관한 것이다.
최근 여드름 치료, 모공 축소, 주름 제거, 흉터 제거 등의 피부를 치료하기 위해 여러 가지 방법이 시도되고 있으며, 대표적인 피부 치료 시술방법으로, 침습적 방식과 비침습적 방식이 있다.
침습적 방식은, 마이크로니들을 피부 표피층을 지나 진피층까지 도달시켜 인위적으로 상처를 형성한 다음, 인체의 자연 치유 능력에 의해 상처들에 새 살이 차오르는 과정에서, 노화된 콜라겐이 활성화되고, 탄력을 가지게 되어 피부의 주름이나 흉터 등이 치료되는 방식이다. 하지만, 이러한 침습적 방식은 마이크로니들을 통한 감염의 위험 및 통증 유발의 문제점이 존재한다.
비침습적 방식은, 피부 표면에 접촉된 전극으로부터 발생하는 고주파를 이용하여 피부의 온도를 상승시킴으로써, 혈액 순환을 촉진시키고, 노화된 콜라겐을 활성화시켜 피부의 탄력을 회복시키며, 새로운 콜라겐의 생성을 유도하여 처진 피부와 잔주름을 개선 시켜주는 고주파 시술 방식으로서, 현재 가장 널리 사용되고 있는 방식이다. 하지만, 기존의 비침습적 고주파 시술에서는, 고주파를 이용해 피부의 표피층은 가열할 수 있었으나, 고주파를 보다 피부의 표피층 안쪽으로 침투시켜 진피층까지 가열시킬 수 없는 한계가 있었다.
이와 같은 고주파를 이용한 장치와 관련하여, 공개특허공보 제10-2011-0080872호(발명의 명칭: 고주파 치료장치, 공개일자: 2011년 07월 13일), 등록특허 제10-1065611호(발명의 명칭: 고주파 피부 미용 장치, 공고일자: 2011년 09월 19일) 등이 개시된 바 있다.
본 발명은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장을 생성하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 함으로써, 고주파 전류가 보다 피부의 안쪽에 흐르게 하여 피부의 진피층까지 가열시킬 수 있는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 고주파 전류의 세기 및 자기장의 세기를 조절하여, 고주파 전류에 작용하는 힘의 크기를 조절함으로써, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치는,
자기장을 이용한 고주파 장치로서,
(+)전극 및 (-)전극으로 이루어지는 전극 쌍을 포함하며, 상기 전극 쌍 내에 고주파 전류가 흐르는 전극 모듈; 및
상기 전극 모듈 내에 위치한 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되며, 자기장을 생성하는 자기장 생성 모듈을 포함하되,
상기 자기장 생성 모듈을 통해 자기장을 생성하여, 상기 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 해서, 상기 고주파 전류가 피부 안쪽에서 흐르게 하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
바람직하게는,
상기 전극 모듈의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 상기 자기장 생성 모듈을 통해 생성된 자기장의 방향을 반대로 변환하여, 상기 전극 모듈의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향이 피부 안쪽 방향으로 유지되도록 하는 자기장 변환 모듈을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는,
고주파를 발생하는 고주파 발생 모듈을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는,
외부로부터 전원을 공급받을 수 있는 전원 공급 모듈을 더 포함할 수 있다.
바람직하게는,
상기 전극 모듈 내에 흐르는 고주파 전류의 세기, 및 상기 자기장 생성 모듈에 의해 생성되는 자기장의 세기를 조절할 수 있는 세기 조절 모듈을 더 포함할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 세기 조절 모듈은,
상기 전극 모듈 내에 흐르는 고주파 전류의 세기, 및 상기 자기장 생성 모듈에 의해 생성되는 자기장의 세기를 조절하여, 상기 전극 모듈의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘의 크기를 조절해서, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있다.
바람직하게는, 상기 전극 모듈은,
복수 개의 전극 쌍을 포함할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 자기장 생성 모듈은,
상기 전극 모듈 내에 위치한 각각의 전극 쌍과 직교되는 위치에 복수 개 배치될 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에 따르면, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장을 생성하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 함으로써, 고주파 전류가 보다 피부의 안쪽에 흐르게 하여 피부의 진피층까지 가열시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 고주파 전류의 세기 및 자기장의 세기를 조절하여, 고주파 전류에 작용하는 힘의 크기를 조절함으로써, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치의 구성을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 전극 모듈의 구성을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 자기장 생성 모듈이 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되어 있는 모습을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장이 생성되어, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 아래 방향으로 향하고 있는 모습을 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 일반적인 교류 파형의 모습을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 자기장에 의해 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 위로 향하고 있는 모습을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 자기장의 방향을 반대로 변환하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 아래 방향으로 유지되는 모습을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 자기장 비활성화 상태에서의 고주파 전류의 흐름과 자기장 활성화 상태에서의 고주파 전류의 흐름을 비교하여 도시한 도면.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일 또는 유사한 부호를 사용한다.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 ‘연결’되어 있다고 할 때, 이는 ‘직접적으로 연결’되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 ‘간접적으로 연결’되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 ‘포함’한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치의 구성을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10)는, 전극 모듈(100), 자기장 생성 모듈(200)을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 자기장 변환 모듈(300), 고주파 발생 모듈(400), 전원 공급 모듈(500) 및 세기 조절 모듈(600)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10)의 각각의 구성에 대하여 설명하기로 한다.
전극 모듈(100)은 (+)전극 및 (-)전극으로 이루어지는 전극 쌍을 포함하며, 전극 쌍 내에는 고주파 전류가 흐를 수 있다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 전극 모듈의 구성을 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 전극 모듈(100)은 (+)전극 및 (-)전극으로 이루어지는 전극 쌍을 포함하며 구성될 수 있고, 실시예에 따라서는, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 복수 개의 전극 쌍을 포함하여 구성될 수 있으며, 각각의 전극 쌍 내에는 고주파 전류가 흐를 수 있다.
자기장 생성 모듈(200)은 전극 모듈(100) 내에 위치한 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되며, 자기장을 생성하는 역할을 한다. 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 자기장 생성 모듈이 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되어 있는 모습을 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 자기장 생성 모듈(200)은 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되고, 실시예에 따라, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 복수 개의 전극 쌍이 존재하는 경우, 각각의 전극 쌍과 직교되는 위치에 복수 개의 자기장 생성 모듈(200)이 배치되며, 각각 배치된 위치에서 자기장을 생성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장이 생성되어, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 아래 방향으로 향하고 있는 모습을 도시한 도면이다. 여기서, 플레밍의 왼손 법칙은 자기장 속에 있는 도선에 전류가 흐를 때 자기장의 방향과 도선에 흐르는 전류의 방향으로 도선이 받는 힘의 방향을 결정하는 규칙이다. 실시예에 따라, 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내의 고주파 전류가 흐르는 방향과 자기장 생성 모듈(200)을 통해 생성된 자기장의 방향이 도 4(a)에 도시된 바와 같을 때, 플레밍의 왼손 법칙에 따라 고주파 전류에 작용하는 힘은 도 4(b)에 도시된 바와 같이 아래 방향으로 향할 수 있다. 이처럼 본 발명에서는, 자기장 생성 모듈(200)을 통해 자기장을 생성하여, 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 아래 방향(피부 안쪽)으로 향하도록해서, 고주파 전류가 피부 안쪽에서 흐르게 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 일반적인 교류 파형의 모습을 도시한 도면이다. 도 5에서 가로축은 시간의 변화, 세로축은 전압의 크기를 나타내며, (+)로 표시한 부분과 (-)로 표시한 부분은 흐르는 전류의 방향이 서로 반대임을 나타낸다. 이처럼, 교류를 도선에 흘려주면 도 5에 도시된 바와 같이, 전류의 방향이 시간에 따라 주기적으로 변할 수 있다. 본 발명에서 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류는 100,000㎐ 이상의 교류 전류로서, 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류의 방향은 시간에 따라 주기적으로 변할 수 있다. 이하에서는, 도 6을 참조하여 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 자기장에 의해 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향이 변하는 것에 대해 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 자기장에 의해 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 위로 향하고 있는 모습을 도시한 도면이다. 도 6(a)에 도시된 바와 같이, A′ -> A 방향으로 흐르던 고주파 전류의 방향이 시간에 변함에 따라 A -> A′ 방향으로 변하고, 자기장의 방향이 도 6(a)에 도시된 바와 같을 때, 자기장에 의해 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향은 플레밍의 왼손 법칙에 의해 도 6(b)에 도시된 바와 같이 위로 향할 수 있다. 즉, 고주파 전류의 방향이 주기적으로 변함에 따라, 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향도 피부 안쪽에서 바깥쪽으로 주기적으로 변할 수 있고, 그 결과 고주파 전류가 피부 안쪽에서 지속적으로 흐르게 할 수 없는 한계점이 발생한다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위해 본 발명의 자기장 변환 모듈(300)에서는, 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 자기장 생성 모듈(200)을 통해 생성된 자기장의 방향을 반대로 변환하여, 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향이 피부 안쪽 방향으로 유지되도록 할 수 있다. 자기장 변환 모듈(300)의 역할에 대해서는 이하에서 도 7을 참조하여 자세히 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 자기장의 방향을 반대로 변환하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 아래 방향으로 유지되는 모습을 도시한 도면이다. 자기장 변환 모듈(300)은, A′ -> A 방향으로 흐르던 고주파 전류의 방향이 시간에 변함에 따라 고 A -> A′ 방향으로 변할 때, 7(a)에 도시된 바와 같이 자기장의 방향을 반대 방향으로 변환하여, 자기장에 의해 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향을 아래 방향(피부 안쪽)으로 유지시킬 수 있다. 이처럼, 자기장 변환 모듈(300)은, 고주파 전류의 방향이 주기적으로 변함에 따라, 자기장의 방향을 주기적으로 변환시켜, 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향이 아래 방향(피부 안쪽)으로 향하게 유지함으로써, 고주파 전류가 피부 안쪽에서 지속적으로 흐르게 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에서, 자기장 비활성화 상태에서의 고주파 전류의 흐름과 자기장 활성화 상태에서의 고주파 전류의 흐름을 비교하여 도시한 도면이다. 본 발명에 따르면, 자기장 생성 모듈(200)을 통해 자기장을 생성하고, 고주파 전류의 방향이 주기적으로 변함에 따라 자기장 변환 모듈(300)을 통해 자기장의 방향을 주기적으로 변환시킴으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 고주파 전류가 피부 안쪽(진피층)에서 지속적으로 흐를 수 있도록 할 수 있다.
고주파 발생 모듈(400)은 고주파를 발생시키는 역할을 한다. 실시예에 따라, 고주파 발생 모듈(400)과 전극 모듈(100)은 케이블로 연결되며, 고주파 발생 모듈(400)에서 발생된 고주파가 전극 모듈(100)에 전달되어, 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 고주파 전류가 흐를 수 있다.
전원 공급 모듈(500)은 외부로부터 전원을 공급받아 자기장을 이용한 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10)의 각각의 구성이 작동될 수 있도록 전원을 공급하는 역할을 한다.
세기 조절 모듈(600)은 전극 모듈(100) 내에 흐르는 고주파 전류의 세기, 및 자기장 생성 모듈(200)에 의해 생성되는 자기장의 세기를 조절하는 역할을 한다. 일반적으로 자기장 내에 전선을 두고 전류를 흘려주면 전선 주위에 발생하는 자기장으로 인하여 전선에 전기자기력이라는 힘이 작용하게 되는데, 이때 발생되는 전기자기력은 수학식 1을 통해 구할 수 있다.
Figure 112016019193734-pat00001
여기서, B는 자기장의 세기, I는 전류의 세기, l은 전선의 길이, θ는 전선과 자기장의 방향이 이루는 각도를 나타낸다.
즉, 전기자기력의 크기는 자기장의 세기 및 전류의 세기에 비례한다. 본 발명의 세기 조절 모듈(600)에서는, 전극 모듈(100) 내에 흐르는 고주파 전류의 세기, 및 자기장 생성 모듈(200)을 통해 생성된 자기장의 세기를 조절하여, 자기장에 의해 발생되는 고주파 전류에 작용하는 힘(전기자기력)의 크기를 조절함으로써, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있다. 예를 들어, 고주파 전류를 보다 피부 깊이 침투 시키고 싶은 경우, 세기 조절 모듈(600)을 통해 전극 모듈(100) 내에 흐르는 고주파 전류의 세기 및 자기장 생성 모듈(200)을 통해 생성된 자기장의 세기를 세게 조절하여, 고주파 전류에 작용하는 힘(전기자기력)의 크기를 크게 함으로써, 보다 피부 안쪽에서 고주파 전류가 흐르게 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서 제안하고 있는 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치에 따르면, 고주파 전류가 흐르는 방향과 직교되는 위치에 자기장을 생성하여, 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 함으로써, 고주파 전류가 보다 피부의 안쪽에 흐르게 하여 피부의 진피층까지 가열시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 고주파 전류의 세기 및 자기장의 세기를 조절하여, 고주파 전류에 작용하는 힘의 크기를 조절함으로써, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있다.
이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 본 발명의 일실시예에 따른 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치
100: 전극 모듈 200: 자기장 생성 모듈
300: 자기장 변형 모듈 400 고주파 발생 모듈
500: 전원 공급 모듈 600: 세기 조절 모듈

Claims (8)

  1. 자기장을 이용한 고주파 장치로서,
    (+)전극 및 (-)전극으로 이루어지는 전극 쌍을 포함하며, 상기 전극 쌍 내에 고주파 전류가 흐르는 전극 모듈(100); 및
    상기 전극 모듈(100) 내에 위치한 전극 쌍과 직교되는 위치에 배치되며, 자기장을 생성하는 자기장 생성 모듈(200)을 포함하되,
    상기 자기장 생성 모듈(200)을 통해 자기장을 생성하여, 상기 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘이 플레밍의 왼손 법칙에 의해 피부 안쪽으로 향하도록 해서, 상기 고주파 전류가 피부 안쪽에서 흐르게 하는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류의 방향이 반대로 변할 때, 상기 자기장 생성 모듈(200)을 통해 생성된 자기장의 방향을 반대로 변환하여, 상기 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘의 방향이 피부 안쪽 방향으로 유지되도록 하는 자기장 변환 모듈(300)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  3. 제1항에 있어서,
    고주파를 발생하는 고주파 발생 모듈(400)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  4. 제1항에 있어서,
    외부로부터 전원을 공급받을 수 있는 전원 공급 모듈(500)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극 모듈(100) 내에 흐르는 고주파 전류의 세기, 및 상기 자기장 생성 모듈(200)에 의해 생성되는 자기장의 세기를 조절할 수 있는 세기 조절 모듈(600)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  6. 제5항에 있어서, 상기 세기 조절 모듈(600)은,
    상기 전극 모듈(100) 내에 흐르는 고주파 전류의 세기, 및 상기 자기장 생성 모듈(200)에 의해 생성되는 자기장의 세기를 조절하여, 상기 전극 모듈(100)의 전극 쌍 내에 흐르는 고주파 전류에 작용하는 힘의 크기를 조절해서, 고주파 전류가 침투할 수 있는 피부의 깊이를 선택적으로 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  7. 제1항에 있어서, 상기 전극 모듈(100)은,
    복수 개의 전극 쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
  8. 제7항에 있어서, 상기 자기장 생성 모듈(200)은,
    상기 전극 모듈(100) 내에 위치한 각각의 전극 쌍과 직교되는 위치에 복수 개 배치되는 것을 특징으로 하는, 자기장을 이용하여 피부 침투 깊이의 선택적 조절이 가능한 고주파 장치(10).
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