KR101647555B1 - 정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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권광호
이재민
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Abstract

정전 용량성 습도 센서는 절연성 기판, 절연성 기판 상에 형성되며, 상부에 리세스들이 형성된 고분자 감습 구조물 및 리세스들에 각각 형성된 적어도 한 쌍의 전극들을 포함한다. 이로써 습도 센서의 감지도 및 구조적 안정성이 개선될 수 있다.

Description

정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법{CAPACITIVE HUMIDITY SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유전층으로 기능하는 감습층을 포함하는 정전 용량성 습도 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
습도 센서는 주위의 습도에 따라 전기적인 특성이 변화함에 따라 상기 변화된 전기적 특성을 이용하여 습도를 측정하는 센서에 해당한다. 상기 습도 센서는 저항성 습도 센서 및 정전 용량성 습도 센서로 구분된다.
상기 정전 용량성 습도 센서는 수분이 흡수되면 유전율이 변하는 감습 폴리머를 유전체로 하여 제작된다. 정전 용량성 습도센서는 저항형 습도센서에 비하여 장기 신뢰성이 우수하면서도 센서 특성이 선형적이고 온도의 영향을 거의 받지 않는다는 장점이 있다.
현재 상용화되어 있는 정전 용량성 습도 센서는 평행판형 구조가 대부분을 차지하고 있다. 평행판 형 구조를 갖는 정전 용량성 습도 센서는 상부 전극, 하부 전극 및 상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 개재된 감습층을 포함한다. 이때 다공성의 상부 전극을 통해 수분이 감습층으로 흡수됨으로써 상기 정전 용량성 습도 센서가 습도를 측정한다. 이 경우, 빠른 습도 변화 감지를 위해서 상기 상부 전극에는 다수의 기공이 충분히 형성되어야 한다. 하지만 다수의 기공이 형성된 상부를 전극을 포함하는 정전 용량성 습도 센서의 제작 과정이 상대적으로 복잡하고 비효율적인 문제점이 있다.
본 발명의 일 목적은 습도 변화에 대하여 우수한 감지력을 갖는 정전 용량성 습도 센서를 제공하는 것이다.
발명의 일 목적은 습도 변화에 대하여 우수한 감지력을 가지며 상대적으로 단순한 공정으로 제조될 수 있는 정전 용량성 습도 센서를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서는 절연성 기판, 상기 절연성 기판 상에 형성되며, 상부에 리세스들이 형성된 고분자 감습 구조물 및 상기 리세스들에 각각 형성된 적어도 한 쌍의 전극들을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자 감습 구조물은, 상기 리세스들이 형성된 고분자층 패턴 및 상기 고분자층 패턴의 상부 표면에 형성되며, 플라즈마 처리된 표면 처리층 패턴을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 고분자층 패턴은 폴리이미드 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 전극들 각각은 상기 리세스들 각각에 매립된 몸체 및 상기 고분자층 패턴의 상면으로부터 돌출되며 상기 몸체보다 큰 넓은 폭을 갖는 돌출부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법에 따르면, 절연성 기판 상에, 상부에 리세스들이 형성된 고분자 감습 구조물을 형성하고, 상기 리세스들 각각을 매립하도록 적어도 한 쌍의 전극들을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자 감습 구조물은, 상기 절연성 기판 상에 고분자층을 형성하고, 상기 고분자층에 대하여 상기 리세스에 대응되는 요철들이 형성된 스탬프를 이용하는 나노 임프린팅 리소그래피 공정을 수행하여, 상기 절연성 기판 상에 상기 리세스들이 형성된 고분자층 패턴을 형성함으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 고분자층 패턴의 상부 표면에 대하여 플라즈마 처리 공정을 수행하여 상기 고분자층 패턴의 상부를 표면 처리층 패턴으로 전환시키는 공정이 추가적으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 리세스들을 매립하는 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상 및 상기 리세스들에 대응되는 위치에 상기 리세스들의 폭보다 더 큰 폭을 갖는 마스크 패턴을 형성하다. 이후, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 상기 전극들을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 정전 용량성 습도 센서는 동일 평면상에 서로 마주보는 한 쌍의 전극들과 상기 전극들 사이에 형성된 고분자 감습 구조물을 포함함으로써, 외부로 노출된 영역이 증대되어 상대적으로 넓은 감습 유효 면적을 갖기 때문에 많은 수분을 흡착할 수 있다 나아가, 상기 전극들이 상기 고분자 감습 구조물에 형성된 리세스 내에 매립됨으로써 상기 전극들과 고분자 감습 구조물 사이에 넓어진 접촉 면적을 가진다. 따라서 정전 용량성 습도 센서는 우수한 안정성을 가질 수 있다.
나아가, 상기 고분자 감습 구조물이 그 상부에 플라즈마 표면 처리층 패턴을 포함함으로써 수분에 대한 감도와 응답특성이 향상된 정전 용량성 습도 센서가 구현될 수 있다.
한편, 나노 임프린팅 리소그래피 공정을 이용하여 공정이 간단하고 대량생산에 적합한 저비용, 고효율의 우수한 응답특성을 갖는 정전 용량성 습도 센서가 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
정전 용량성 습도 센서
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서를 설명하기 위한 평면도이다. 도 2는 도 1의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서는 절연성 기판(110), 고분자 감습 구조물(120) 및 한 쌍의 전극들(130)을 포함한다.
상기 절연성 기판(110)은 전기적으로 절연성을 갖는 물질로 이루어진다. 상기 절연성 기판(110)은 예를 들면, 유리 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판 또는 플라스틱 기판을 포함한다.
상기 고분자 감습 구조물(120)은 상기 절연성 기판(110) 상에 형성된다. 상기 고분자 감습 구조물(120)은, 폴리이미드 계열의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 감습 구조물(120)은 상기 한 쌍의 전극들(130)과 함께 커패시터를 형성한다. 상기 고분자 감습 구조물(120)은 주위의 수분을 흡수함에 따라 유전율이 변화하게 됨에 따라 변화되는 유전율 값에 따라 습도를 감지할 수 있다.
상기 고분자 감습 구조물(120)은 그 상부에 리세스들(125)이 형성된다. 이로써 상기 리세스들(125)을 매립하도록 구비된 전극들(130)과 상기 고분자 감습 구조물(120) 간의 접촉 면적이 증대됨에 따라 상기 전극들(130)이 상기 고분자 감습 구조물(120)에 대하여 구조적으로 안정성을 확보할 수 있다. 이로써 상기 정전 용량성 습도 센서가 개선된 내구성을 가질 수 있다. 특히, 정전 용량성 습도 센서는 다습한 환경과 같은 열악한 상태에서 구동함으로써 내구성에 문제가 있을 수 있으나, 본 발명과 같이 상기 리세스들(125)을 매립하도록 구비된 전극들(130)과 상기 고분자 감습 구조물(120) 간의 접촉 면적이 증대되어 내구성이 개선될 수 있다.
상기 한 쌍의 전극들(130)은 상기 리세스들(125)에 각각 형성된다. 상기 한 쌍의 전극들(130) 및 상기 고분자 감습 구조물(120)은 회로적으로 커패시터를 구성한다.
상기 한 쌍의 전극들(130)을 이루는 물질은 예를 들면, 금(Au), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 전극들(130)은 전기 전도도가 우수한 금속 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 고분자 감습 구조물(120)은, 고분자층 패턴(121) 및 표면 처리층 패턴(123)을 포함할 수 있다.
상기 고분자층 패턴(121)은 그 상부에 상기 리세스들(125)이 형성된다. 상기 고분자층 패턴(121)은 예를 들면 폴리이미드 계열의 물질을 포함할 수 있다.
상기 표면 처리층 패턴(123)은 상기 리세스들(125) 사이 및 상기 고분자층 패턴(121)의 상부 표면에 형성된다. 상기 표면 처리층 패턴(123)은 상기 고분자층 패턴(121)의 상부 표면에 대하여 플라즈마 처리함으로써 상기 상부 표면으로부터 전환되어 형성된다.
상기 플라즈마 표면 처리층(123)은 산소(Oxygen), 아르곤(Ar) 가스를 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 표면 처리층(123)은 상기 고분자층 패턴(121)의 상부 표면을 친수성으로 개질할 수 있는 가스를 이용한 플라즈마 처리 공정을 통하여 형성될 수 있다.
상기 플라즈마 표면 처리층(123)은 감습층(120) 표면 전반에 다량의 작용기를 포함함으로써 수분에 대한 감도와 응답특성이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 전극들(130) 각각은 상기 리세스들(125) 각각에 매립된 몸체(131) 및 상기 고분자층 패턴(121)의 상면으로부터 돌출되며 상기 몸체(131)보다 큰 넓은 폭을 갖는 돌출부(133)를 포함할 수 있다.
이로써 상기 전극들(130)이 리세스의 형성 영역 뿐만 아니라 고분자층 패턴(121)의 상면과도 접촉함으로써 더욱 우수한 구조적 안정성이 확보될 수 있다.
정전 용량성 습도 센서의 제조 방법
도 3 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법에 있어서 먼저 절연성 기판(110) 상에 고분자층(126)을 형성한다. 상기 고분자층(126)은 스핀 코팅 공정과 같은 코팅 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 고분자층(126)은 폴리이미드 계열의 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 상기 고분자층(126)의 상면을 향하여 스탬프(10)를 이용하는 나노 임프린팅 리소그래피 공정을 통하여 그 상면에 리세스들(125)이 형성된 고분자층 패턴(121)을 형성한다. 상기 스태프(10)에는 상기 리세스들(125)의 형상에 대응되는 요철들(15)이 형성되어 있다. 상기 나노 임프린팅 리소그래피 공정에 따르면 상기 스탬프(10)를 이용하는 열압착 공정 또는 자외선 압착 공정과 같은 가압 공정이 수행된다. 이로써 상부 표면에 상기 리세스들(125)이 형성된 고분자층 패턴(121)이 상기 절연성 기판(110) 상에 형성된다.
따라서, 상대적으로 단순한 공정을 통하여 나노 스케일의 크기를 갖는 리세스들(125)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 스탬프를 상기 고분자층 패턴(121)으로부터 분리한 후, 상기 리세스들(125)을 매립하는 금속층(135)을 형성한다.
상기 금속층(135)은 스퍼터링 공정, 화학적 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다.
상기 금속층(135)은 금(Au), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 알루미늄(Al)을 이용하여 형성될 수 있다. 나아가, 상기 금속층(135)은 전기 전도도가 우수한 금속 재료 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 금속층(135)은 후속하는 패터닝 공정으로 통하여 전극들(130)로 전환될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 금속층(135) 상에 절연층(145)을 형성한다. 상기 절연층(145)은 패터닝되어 하드 마스크 패턴으로 전환될 수 있다. 상기 절연층(145)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물로 이루어질 수 있다. 이로서 상기 절연층(145)은 상기 금속층(135)에 대하여 우수한 식각 선택비를 가질 수 있다.
상기 절연층(145)은 플라즈마 증대 화학적 기상 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 절연층(145) 상에 포토레지스트 패턴(147)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴(147)은 상기 리세스의 형성 영역에 대응되는 위치에 형성될 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴(147)은 코팅 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 통하여 형성될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(147)을 마스크로 이용하여 상기 절연층(145)을 부분적으로 식각하여 하드 마스크 패턴(140)을 형성한다.
상기 절연층(145)을 패터닝하기 위하여, 플라즈마 식각 공정 또는 반응성 이온 식각 공정과 같은 건식 식각 공정이 수행될 수 있다.
이후, 하드 마스크 패턴(140) 상에 잔류하는 포토레지스트 패턴(147)이 제거된다. 상기 포토레지스트 패턴(147)을 제거하기 위하여 애싱/스트립 공정이 수행될 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 하드 마스크 패턴(140)을 마스크로 이용하여 상기 금속층(135)을 패터닝하여 상기 리세스들을 매립하도록 선택적으로 형성된 한 쌍의 전극들(130)이 형성된다.
상기 금속층(135)을 패터닝하기 위하여, 플라즈마 식각 공정 또는 반응성 이온 식각 공정과 같은 건식 식각 공정이 수행될 수 있다. 상기 전극들(130) 상에 잔류하는 하드 마스크 패턴(140)을 제거한다.
도 13을 참조하면, 상기 전극들(130) 사이 및 상기 고분자층 패턴(121)의 상부 표면(노출된 영역)에 대하여 플라즈마 표면처리 공정이 수행된다. 이로써 상기 고분자층 패턴(121)의 상부를 표면 처리층 패턴(123)으로 전환시킨다. 이로써 상기 절연성 기판(110) 상에, 고분자층 패턴(121) 및 표면 처리층 패턴(123)을 포함하는 고분자 감습 구조물(120)이 형성된다.
상기 플라즈마 표면 처리는 산소(Oxygen), 아르곤(Ar) 가스뿐만 아니라 상기 고분자층 패턴(121)의 표면을 친수성으로 개질할 수 있는 가스를 이용한 플라즈마 표면 처리 공정을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 표면 처리 공정으로 고분자층 패턴(121)의 상부 표면에 전체적으로 다량의 작용기이 생성되어 수분에 대한 감도와 응답특성이 향상될 수 있다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 금속층(235) 상에 포토레지스트 패턴(240)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴(240)을 마스크로 이용하여 상기 금속층(235)을 식각하여 리세스들을 매립하는 한 쌍의 전극들(230)이 형성된다.
또한 상기 전극들(230) 각각은 상기 리세스들 각각에 매립된 몸체(231, 도 17 참조) 및 상기 몸체보다 넓은 폭을 갖고 상기 고분자층 패턴(221)의 상면으로부터 돌출된 돌출부(233, 도 17 참조)를 포함할 수 있다.
도 16을 참고하면, 상기 포토레지스트 패턴을 상기 전극들(230)로부터 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴을 제거하기 위하여 애싱/스트립 공정이 수행될 수 있다.
이때 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 동안 상기 고분자층 패턴(221)의 노출 영역도 함께 제거될 수 있다. 상기 고분자층 패턴(221)이 제거되는 깊이는 조절될 수 있다. 이로써 상기 고분자층 패턴(221)은 바닥부(221a) 및 상기 바닥부(221a)로부터 돌출되어 상기 전극들(230) 각각에 포함된 몸체의 측벽을 둘러싸도록 형성된 감지부(221b)를 포함할 수 있다. 따라서 상기 감지부(221b)가 외부에 추가적으로 노출됨에 따라 외부 습도에 노출되는 감습 영역이 증가할 수 있다. 이로써 상기 정전 용량성 습도 센서의 감도가 개선될 수 있다.
도 17을 참조하면, 상기 전극들(230) 사이 및 상기 고분자층 패턴(221), 특히 감지부의 상부 표면에 대하여 플라즈마 표면처리 공정이 수행된다. 이로써 상기 고분자층 패턴(221)의 상부를 표면 처리층 패턴(223)으로 전환시킨다. 이로써 상기 절연성 기판(210) 상에, 고분자층 패턴(221) 및 표면 처리층 패턴(223)을 포함하는 고분자 감습 구조물(220)이 형성된다.
상기 플라즈마 표면 처리는 산소(Oxygen), 아르곤(Ar) 가스뿐만 아니라 상기 고분자층 패턴(221)의 표면을 친수성으로 개질할 수 있는 가스를 이용한 플라즈마 표면 처리 공정을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 표면 처리 공정으로 고분자층 패턴(221)의 상부 표면에 전체적으로 다량의 작용기이 생성되어 수분에 대한 감도와 응답특성이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 정전 용량성 습도 센서는 동일 평면상에 서로 마주보는 한 쌍의 전극들과 상기 전극들 사이에 형성된 고분자 감습 구조물을 포함함으로써, 상대적으로 넓은 감습 유효 면적을 갖기 때문에 많은 수분을 흡착할 수 있다 나아가, 상기 전극들이 상기 고분자 감습 구조물에 형성된 리세스 내에 매립됨으로써 상기 전극들과 고분자 감습 구조물 사이에 넓어진 접촉 면적을 가진다. 따라서 정전 용량성 습도 센서는 우수한 안정성을 가질 수 있다.

Claims (8)

  1. 절연성 기판;
    상기 절연성 기판 상에 형성되며, 상부 표면에 리세스들이 형성된 고분자 감습 구조물; 및
    상기 리세스들에 각각 형성된 적어도 한 쌍의 전극들을 포함하며,
    상기 한 쌍의 전극들 사이에 상기 상부 표면이 노출됨으로써, 습도에 노출되는 감습 영역을 증대시키면서 상기 전극들이 커패시터 전극들로 기능하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고분자 감습 구조물은,
    상기 리세스들이 형성된 고분자층 패턴; 및
    상기 고분자층 패턴의 상부 표면에 형성되며, 플라즈마 처리된 표면 처리층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고분자층 패턴은 폴리이미드 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서.
  4. 제2항에 있어서, 상기 전극들 각각은 상기 리세스들 각각에 매립된 몸체 및 상기 고분자층 패턴의 상면으로부터 돌출되며 상기 몸체보다 큰 넓은 폭을 갖는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서.
  5. 절연성 기판의 상부 표면에 리세스들이 형성된 고분자 감습 구조물을 형성하는 단계; 및
    상기 리세스들 각각을 매립하도록 적어도 한 쌍의 전극들을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 한 쌍의 전극들 사이에 상기 상부 표면이 노출됨으로써, 습도에 노출되는 감습 영역을 증대시키면서 상기 전극들이 커패시터 전극들로 기능하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 고분자 감습 구조물을 형성하는 단계는,
    상기 절연성 기판 상에 고분자층을 형성하는 단계; 및
    상기 고분자층에 대하여 상기 리세스에 대응되는 요철들이 형성된 스탬프를 이용하는 나노 임프린팅 리소그래피 공정을 수행하여, 상기 절연성 기판 상에 상기 리세스들이 형성된 고분자층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고분자층 패턴의 상부 표면에 대하여 플라즈마 처리 공정을 수행하여 상기 고분자층 패턴의 상부를 표면 처리층 패턴으로 전환시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극을 형성하는 단계는,
    상기 리세스들을 매립하는 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상 및 상기 리세스들에 대응되는 위치에 상기 리세스들 의 폭보다 더 큰 폭을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 상기 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량성 습도 센서의 제조 방법.
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