KR101642256B1 - Flat panel display device, method and apparatus for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있도록 한 평판 표시장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것으로, 평판 표시 장치는 서로 대향되도록 합착된 하부 기판과 상부 기판; 상기 상부 기판의 외부면에 형성된 정전기 방지층; 및 상기 정전기 방지층 상에 형성된 보호층을 포함하며, 상기 정전기 방지층은 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 투명한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다. 이러한 구성을 포함하는 본 발명은 외부로부터 유입되는 정전기를 차단하여 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있고, 정전기 방지층의 강도를 보강할 수 있으며, 터치 감도를 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a flat panel display device, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method thereof, which can prevent a bad image quality and a process failure due to static electricity, and a flat panel display device includes a lower substrate and an upper substrate, An antistatic layer formed on an outer surface of the upper substrate; And a protective layer formed on the antistatic layer, wherein the antistatic layer is formed of a transparent material having a resistance value of several tens of MΩ / □ to several GΩ / □. According to the present invention including such a configuration, it is possible to prevent an image quality failure and a process failure due to static electricity by blocking static electricity introduced from the outside, to strengthen the strength of the antistatic layer, and to improve the touch sensitivity.

Description

평판 표시장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치{FLAT PANEL DISPLAY DEVICE, METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a flat panel display, a method of manufacturing the flat panel display,

본 발명은 평판 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있도록 평판 표시장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to a flat panel display, a method of manufacturing the flat panel display, and a manufacturing apparatus thereof so as to prevent an image quality failure and a process failure due to static electricity.

최근, 이동통신 단말기, 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판 표시장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 발광 다이오드 표시 장치(Light Emitting Diode Display Device) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 장점에서 액정 표시 장치가 각광을 받고 있다.2. Description of the Related Art As various portable electronic devices such as a mobile communication terminal and a notebook computer have been developed in recent years, a demand for a flat panel display device that can be applied thereto is increasing. As such a flat panel display device, a liquid crystal display device, a plasma display panel (PDP), a field emission display device, a light emitting diode display device However, liquid crystal display devices are attracting attention due to advantages such as mass production technology, ease of driving means, and realization of high image quality.

도 1은 일반적인 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 액정 표시 장치는 액정층(미도시)을 사이에 두고 합착된 하부 기판(10) 및 상부 기판(20)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a typical liquid crystal display device includes a lower substrate 10 and an upper substrate 20 bonded together with a liquid crystal layer (not shown) therebetween.

하부 기판(10)은 액정층을 구동하기 위한 복수의 화소를 가지는 화소 어레이(12)를 포함하여 구성된다. 각 화소는 게이트 라인에 인가되는 게이트 신호에 따라 박막 트랜지스터를 스위칭시켜 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압에 따라 전계를 형성하여 액정층을 구동한다.The lower substrate 10 includes a pixel array 12 having a plurality of pixels for driving the liquid crystal layer. Each pixel switches a thin film transistor according to a gate signal applied to a gate line to form an electric field in accordance with a data voltage applied to the data line to drive the liquid crystal layer.

상부 기판(20)은 복수의 화소 각각에 대응되도록 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스(22); 블랙 매트릭스(22)에 의해 정의된 각 화소 영역에 형성된 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(24R, 24G, 24B) 및 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(24R, 24G, 24B)와 블랙 매트릭스(22)를 덮도록 형성된 오버코트층(26)을 구비한다.The upper substrate 20 includes a black matrix 22 defining a pixel region to correspond to each of a plurality of pixels; Green and blue color filters 24R, 24G and 24B and black matrices 22R, 24G and 24B formed in the respective pixel regions defined by the black matrix 22 and the red, green and blue color filters 24R, And an overcoat layer 26 formed to cover the overcoat layer 26.

이와 같은, 일반적인 액정 표시 장치는 액정층을 사이에 두고 대향되도록 합착된 하부 기판(10)과 상부 기판(20)을 포함하여 구성되며, 데이터 전압에 따라 각 화소의 액정층을 투과하는 광 투과율을 조절하여 원하는 화상을 표시하게 된다.A typical liquid crystal display device includes a lower substrate 10 and an upper substrate 20 bonded together to face each other with a liquid crystal layer sandwiched therebetween, and has a light transmittance that is transmitted through the liquid crystal layer of each pixel according to a data voltage So that the desired image is displayed.

한편, 평판 표시장치의 입력장치로서, 마우스나 키보드 등의 입력 장치 대신에, 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 스크린에 직접 정보를 입력할 수 있고 누구나 쉽게 조작할 수 있는 터치 스크린이 널리 사용되고 있다. 여기서, 터치 스크린은 내비게이션, 산업용 단말기, 노트북 컴퓨터, 금융 자동화기기, 게임기 등과 같은 모니터; 휴대전화기, MP3, PDA, PMP, PSP, 휴대용 게임기, DMB 수신기 등과 같은 휴대용 단말기; 및 냉장고, 전자 레인지, 세탁기 등과 같은 가전제품 등에서도 널리 사용되고 있다.On the other hand, as an input device of a flat panel display device, a touch screen which can input information directly to a screen by a user using a finger or a pen and which can be easily operated by anyone is widely used instead of an input device such as a mouse or a keyboard. Here, the touch screen may include a monitor such as a navigation device, an industrial terminal, a notebook computer, a financial automation device, a game machine, or the like; A portable terminal such as a mobile phone, MP3, PDA, PMP, PSP, portable game machine, DMB receiver and the like; And household appliances such as refrigerators, microwave ovens, and washing machines.

최근에는 액정 표시 장치의 슬림(Slim)화를 위해 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치가 개발되고 있다.In recent years, a liquid crystal display device in which a touch screen is incorporated is being developed to make a liquid crystal display slim.

도 2는 일반적인 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.2 is a schematic view for explaining a liquid crystal display device having a general touch screen.

도 2를 참조하면, 일반적인 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치는 액정층(미도시)을 사이에 두고 합착된 하부 기판(50) 및 상부 기판(60)을 구비한다.Referring to FIG. 2, a liquid crystal display device having a general touch screen includes a lower substrate 50 and an upper substrate 60 which are bonded together with a liquid crystal layer (not shown) therebetween.

하부 기판(50)은 액정층을 구동함과 아울러 사용자의 손가락 터치 또는 펜 터치를 검출하기 위한 복수의 화소를 가지는 화소 어레이(52)를 포함하여 구성된다. 각 화소는 게이트 라인에 인가되는 게이트 신호에 따라 박막 트랜지스터를 스위칭시켜 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압에 따라 전계를 형성하여 액정층을 구동한다. 또한, 각 화소는 사용자의 손가락 터치 또는 펜 터치를 검출한다. 이때, 각 화소는 손가락 터치 또는 펜 터치에 따른 터치 정전용량(Ctc)과 기준 정전용량을 비교하여 터치 위치(TS)를 검출하여 외부로 출력한다.The lower substrate 50 includes a pixel array 52 having a plurality of pixels for driving a liquid crystal layer and detecting finger touch or pen touch of the user. Each pixel switches a thin film transistor according to a gate signal applied to a gate line to form an electric field in accordance with a data voltage applied to the data line to drive the liquid crystal layer. Further, each pixel detects a finger touch or pen touch of the user. At this time, each pixel detects the touch position TS by comparing the touch capacitance Ctc according to the finger touch or the pen touch with the reference capacitance, and outputs it to the outside.

상부 기판(60)은 복수의 화소 각각에 대응되도록 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스(62); 블랙 매트릭스(62)에 의해 정의된 각 화소 영역에 형성된 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(64R, 64G, 64B) 및 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(64R, 64G, 64B)와 블랙 매트릭스(62)를 덮도록 형성된 오버코트층(66)을 구비한다.The upper substrate 60 includes a black matrix 62 defining a pixel region to correspond to each of a plurality of pixels; Green and blue color filters 64R, 64G and 64B and black matrices 62R, 64G and 64B formed in the respective pixel regions defined by the black matrix 62 and the red, green and blue color filters 64R, And an overcoat layer 66 formed to cover the overcoat layer 66.

이와 같은, 일반적인 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치는 액정층을 사이에 두고 대향되도록 합착된 하부 기판(50)과 상부 기판(60)을 포함하여 구성되며, 데이터 전압에 따라 각 화소의 액정층을 투과하는 광 투과율을 조절하여 원하는 화상을 표시함과 아울러, 사용자의 터치에 따른 정전용량(Ctc)의 변화에 따라 터치 위치(TS)를 검출하여 출력한다.The liquid crystal display device having a general touch screen includes a lower substrate 50 and an upper substrate 60 which are bonded together to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A desired image is displayed by controlling the transmitted light transmittance, and a touch position (TS) is detected and output in accordance with a change in the capacitance Ctc according to a user's touch.

상술한 일반적인 액정 표시 장치 및 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치에서는 제조 공정시 발생되는 정전기로 인하여 공정 불량이 발생된다는 문제점이 있다. 특히, 일반적인 액정 표시 장치에서는 외부에서 발생되는 정전기로 인하여 정전기성 화질 불량이 발생된다는 문제점이 있다.In the conventional liquid crystal display device and the liquid crystal display device incorporating the touch screen, there is a problem that a process failure occurs due to the static electricity generated in the manufacturing process. Particularly, in a general liquid crystal display device, there is a problem that an electrostatic image quality defect occurs due to an external static electricity.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있도록 한 평판 표시장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a flat panel display device, a method of manufacturing the flat panel display device, and a manufacturing apparatus that can prevent image quality deterioration and process defects due to static electricity.

또한, 본 발명은 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지함과 아울러 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하는 터치 감도를 향상시킬 수 있도록 평판 표시장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.It is another object of the present invention to provide a flat panel display, a method of manufacturing the same, and an apparatus for manufacturing the same, so as to prevent deterioration in image quality and process due to static electricity and improve touch sensitivity to detect a touch position according to a user's touch. We will do it.

또한, 본 발명은 슬림화할 수 있도록 한 평판 표시장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.It is another object of the present invention to provide a flat panel display device capable of being slimmed, a method of manufacturing the same, and a manufacturing apparatus.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 장치는 서로 대향되도록 합착된 하부 기판과 상부 기판; 상기 상부 기판의 외부면에 형성된 정전기 방지층; 및 상기 정전기 방지층 상에 형성된 보호층을 포함하며, 상기 정전기 방지층은 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 투명한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a flat panel display comprising: a lower substrate and an upper substrate bonded together to face each other; An antistatic layer formed on an outer surface of the upper substrate; And a protective layer formed on the antistatic layer, wherein the antistatic layer is formed of a transparent material having a resistance value of several tens of MΩ / □ to several GΩ / □.

상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판에는 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인이 형성된 것을 특징으로 한다.And a touch detection line for detecting a touch position according to a user's touch is formed on the lower substrate or the upper substrate.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은 하부 기판의 일측면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 물질로 이루어진 정전기 방지층을 형성하는 단계; 상기 정전기 방지층 상에 보호층을 형성하는 단계; 상부 기판의 일측면에 복수의 화소를 포함하는 화소 어레이를 형성하는 단계; 및 상기 상부 기판의 일측면과 상기 하부 기판의 타측면이 서로 대향되도록 합착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a flat panel display, comprising: forming an antistatic layer made of a transparent material so as to have a resistance of several tens of MΩ / □ to several GΩ / ; Forming a protective layer on the antistatic layer; Forming a pixel array including a plurality of pixels on one side of the upper substrate; And attaching the one side of the upper substrate and the other side of the lower substrate so as to face each other.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은 하부 기판과 상부 기판을 서로 대향되도록 합착하는 단계; 상기 하부 기판과 상부 기판 각각의 외부면을 소정 두께로 식각하는 단계; 상기 식각된 상부 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 물질로 이루어진 정전기 방지층을 형성하는 단계; 및 상기 정전기 방지층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flat panel display, including: bonding a lower substrate and an upper substrate to face each other; Etching the outer surface of each of the lower substrate and the upper substrate to a predetermined thickness; Forming an antistatic layer made of a transparent material on the outer surface of the etched upper substrate so as to have a resistance value of several tens of M? /? To several G? / Square; And forming a protective layer on the antistatic layer.

상기 평판 표시 장치의 제조 방법은 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인을 상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판에 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the flat panel display device may further include forming a touch detection line on the lower substrate or the upper substrate to detect a touch position according to a user's touch.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 장치의 제조 장치는 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 물질로 이루어진 정전기 방지층을 형성하기 위한 제 1 공정 챔버; 상기 정전기 방지층 상에 보호층을 형성하기 위한 제 2 공정 챔버; 및 상기 기판을 상기 제 1 공정 챔버에 로딩시키거나, 상기 제 1 공정 챔버에서 상기 정전기 방지층이 형성된 기판을 상기 제 2 공정 챔버에 로딩시키기 위한 로드락 챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for fabricating a flat panel display, the apparatus comprising: a substrate for forming an antistatic layer made of a transparent material so as to have a resistance value of several tens of M / One process chamber; A second process chamber for forming a protective layer on the antistatic layer; And a load lock chamber for loading the substrate into the first process chamber or loading the substrate on which the antistatic layer is formed in the first process chamber into the second process chamber.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 장치의 제조 장치는 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 물질로 이루어진 정전기 방지층과 상기 정전기 방지층 상에 보호층을 차례로 형성하기 위한 공정 챔버; 및 상기 기판을 상기 공정 챔버에 로딩시키거나, 상기 공정 챔버에서 상기 정전기 방지층과 상기 보호층이 형성된 기판을 언로딩시키기 위한 로드락 챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for fabricating a flat panel display, comprising: an electrostatic protection layer formed of a transparent material so as to have a resistance value of several tens of MΩ / □ to several GΩ / A process chamber for sequentially forming a protective layer on the substrate; And a load lock chamber for loading the substrate into the process chamber or unloading the substrate having the anti-static layer and the protective layer formed thereon in the process chamber.

상기 기판은 평판 표시 장치의 상부 기판 또는 상기 평판 표시 장치의 하부 기판과 상기 상부 기판이 합착된 기판이며, 상기 정전기 방지층은 상기 상부 기판의 외부면에 형성되는 것을 특징으로 한다.The substrate is a substrate on which an upper substrate of a flat panel display device or a lower substrate of the flat panel display device and the upper substrate are bonded, and the antistatic layer is formed on an outer surface of the upper substrate.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 평판 표시 장치와 그의 제조 방법 및 제조 장치는 상부 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 정전기 방지층을 형성함과 아울러 정전기 방지층 상에 보호층을 형성함으로써 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the flat panel display device, the method of manufacturing the same, and the apparatus for manufacturing the same according to the present invention are characterized in that an antistatic layer having a resistance value of tens of MΩ / □ to several GΩ / □ is formed on the outer surface of the upper substrate, The following effects can be obtained by forming the protective layer.

첫째, 외부로부터 유입되는 정전기를 차단하여 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있으며, 보호층을 이용해 대기 중의 산소, 수소, 또는 수분 등에 의한 정전기 방지층의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.First, static electricity flowing from the outside can be blocked to prevent image quality defects and process failures due to static electricity, and reliability of the antistatic layer due to oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air can be prevented from lowering by using the protective layer.

둘째, 상부 기판의 외부면에 고저항 값을 가지도록 형성된 정전기 방지층으로 인하여 사용자의 터치를 검출하는 터치 감도를 향상시킬 수 있다.Second, since the antistatic layer formed on the outer surface of the upper substrate to have a high resistance value, the touch sensitivity for detecting the touch of the user can be improved.

셋째, 식각 공정을 통해 하부 기판과 상부 기판의 두께를 감소시킴으로써 슬림화를 달성할 수 있다.Third, slimming can be achieved by reducing the thickness of the lower substrate and the upper substrate through the etching process.

도 1은 일반적인 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일반적인 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general liquid crystal display device.
2 is a schematic view for explaining a liquid crystal display device having a general touch screen.
3 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.
4 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.
5 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.
6 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention step by step.
8 is a view for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention step by step.
9 is a schematic view for explaining an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
10 is a schematic view for explaining an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.3 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 하부 기판(110), 상부 기판(120), 정전기 방지층(130), 및 보호층(140)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention includes a lower substrate 110, an upper substrate 120, an anti-static layer 130, and a protective layer 140.

하부 기판(110)은 액정층(미도시)을 구동하기 위한 복수의 화소를 가지는 화소 어레이(112)를 포함하여 구성된다. 각 화소는 게이트 라인에 인가되는 게이트 신호에 따라 박막 트랜지스터(미도시)를 스위칭시켜 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압에 따라 전계를 형성하여 액정층을 구동한다. 이를 위해, 각 화소는 상기의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터에 접속된 화소 전극(미도시), 및 공통전압이 공급되는 공통전극(미도시)을 포함하여 구성된다. 이때, 공통전극은 화소 전극의 사이마다 형성되는 것으로, 화소 전극과 동일 층에 형성되거나 다른 층에 형성될 수 있다.The lower substrate 110 includes a pixel array 112 having a plurality of pixels for driving a liquid crystal layer (not shown). Each pixel switches a thin film transistor (not shown) according to a gate signal applied to a gate line to form an electric field according to a data voltage applied to the data line to drive the liquid crystal layer. To this end, each pixel includes a thin film transistor, a pixel electrode (not shown) connected to the thin film transistor, and a common electrode (not shown) to which a common voltage is supplied. At this time, the common electrode is formed between the pixel electrodes, and may be formed on the same layer as the pixel electrode or on another layer.

상부 기판(120)은 복수의 화소 각각에 대응되도록 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스(122); 블랙 매트릭스(122)에 의해 정의된 각 화소 영역에 형성된 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(124R, 124G, 124B) 및 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(124R, 124G, 124B)와 블랙 매트릭스(122)를 덮도록 형성된 오버코트층(126)을 포함하는 컬러필터 어레이를 포함하여 구성된다.The upper substrate 120 includes a black matrix 122 defining a pixel region corresponding to each of the plurality of pixels; Green and blue color filters 124R, 124G and 124B and black matrices 122R, 124G and 124B formed in the respective pixel regions defined by the black matrix 122 and the red, green and blue color filters 124R, And an overcoat layer 126 formed to cover the overcoat layer 126.

이러한, 하부 기판(110)과 상부 기판(120)은 액정층을 사이에 두고 서로 대향되도록 합착된다.The lower substrate 110 and the upper substrate 120 are bonded together such that they face each other with the liquid crystal layer therebetween.

정전기 방지층(130)은 상부 기판(120)의 외부면, 즉 하부 기판(110)의 대향되지 않는 반대면에 형성되어 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이때, 정전기 방지층(130)은 상부 기판(120)의 외부면에 ZTO 물질과 같은 투명한 물질로 형성됨과 아울러 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 100Å ~ 1000Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. 이러한, 정전기 방지층(130)은 ZTO 물질로 이루어진 타켓을 사용한 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition) 방법에 의해 형성될 수 있다.The antistatic layer 130 is formed on the outer surface of the upper substrate 120, that is, the opposite surface of the lower substrate 110 so as to prevent the static electricity introduced from the outside from penetrating the inside. The antistatic layer 130 may be formed of a transparent material such as ZTO material on the outer surface of the upper substrate 120 and may have a thickness ranging from about 100 Å to about 1000 Å so as to have a resistance of several tens of Ω / . The anti-static layer 130 may be formed by a physical vapor deposition method using a target made of a ZTO material.

물리적 기상 증착 방법은 DC(Direct Current) 스퍼터링(Sputtering) 방법, DC 펄스(Pulsed DC) 스퍼터링 방법, AC(Alternating Current) 스퍼터링 방법, RF(Radio Frequency) 스퍼터링 방법, MF(Medium Frequency) 스퍼터링 방법, DC-RF 스퍼터링 방법, 마그네트론(Magnetron) 스퍼터링 방법, DC 마그네트론 스퍼터링 방법, AC 마그네트론 스퍼터링 방법, 및 RF 마그네트론 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 스퍼터링 방법이 선택될 수 있다.The physical vapor deposition method may be a direct current (DC) sputtering method, a DC pulse sputtering method, an AC (alternating current) sputtering method, an RF (radio frequency) sputtering method, an MF A sputtering method of any one of an RF sputtering method, a magnetron sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an AC magnetron sputtering method, and an RF magnetron sputtering method may be selected.

보호층(140)은 정전기 방지층(130) 상에 형성되어 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(130)을 보호함과 아울러 정전기 방지층(130)의 강도를 보강한다. 즉, ZTO 물질로 이루어진 정전기 방지층(130)이 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등에 노출될 경우 저항의 변동 등의 신뢰성이 저하되기 때문에 보호층(140)은 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(130)을 보호하여 정전기 방지층(130)의 신뢰성을 향상시킨다.The protection layer 140 is formed on the antistatic layer 130 to protect the antistatic layer 130 from oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air and to reinforce the strength of the antistatic layer 130. That is, when the antistatic layer 130 made of the ZTO material is exposed to oxygen, hydrogen, moisture, or the like in the air, reliability of the resistance or the like deteriorates. Therefore, the protective layer 140 is formed of oxygen, hydrogen, (130) to improve the reliability of the antistatic layer (130).

이를 위해, 보호층(140)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 보호층(140)은 SiOx 물질로 이루어진 타켓을 사용한 물리적 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있으며, 물리적 기상 증착 방법은 정전기 방지층(130)의 증착 방법과 동일한 스퍼터링 방법이 될 수 있다.For this, the protective layer 140 is preferably formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less. The protective layer 140 may be formed by a physical vapor deposition method using a target made of SiOx material, and the physical vapor deposition method may be the same as the deposition method of the antistatic layer 130.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 상부 기판(120)의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 ZTO 물질로 이루어진 정전기 방지층(130)을 형성함으로써 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있다.The liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention forms an antistatic layer 130 made of ZTO material having a resistance value of several tens of MΩ / □ to several GΩ / □ on the outer surface of the upper substrate 120 It is possible to prevent image quality defects and process defects due to static electricity.

또한, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 정전기 방지층(130) 상에 보호층(140)을 형성함으로써 정전기 방지층(130)의 저항 변동 등의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention can improve reliability such as resistance variation of the antistatic layer 130 by forming the protective layer 140 on the antistatic layer 130.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.4 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 하부 기판(210), 상부 기판(220), 정전기 방지층(230), 및 보호층(240)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 4, the liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention includes a lower substrate 210, an upper substrate 220, an anti-static layer 230, and a protective layer 240.

하부 기판(210)은 액정층(미도시)을 구동하기 위한 복수의 화소를 가지는 화소 어레이(112)를 포함하여 구성된다. 각 화소는 게이트 라인에 인가되는 게이트 신호에 따라 박막 트랜지스터를 스위칭시켜 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압에 따라 전계를 형성하여 액정층을 구동한다. 이를 위해, 각 화소는 상기의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터에 접속된 화소 전극(미도시), 및 공통전압이 공급되는 공통전극(미도시)을 포함하여 구성된다. 이때, 공통전극은 화소 전극의 사이마다 형성되는 것으로, 화소 전극과 동일 층에 형성되거나 다른 층에 형성될 수 있다.The lower substrate 210 includes a pixel array 112 having a plurality of pixels for driving a liquid crystal layer (not shown). Each pixel switches a thin film transistor according to a gate signal applied to a gate line to form an electric field in accordance with a data voltage applied to the data line to drive the liquid crystal layer. To this end, each pixel includes a thin film transistor, a pixel electrode (not shown) connected to the thin film transistor, and a common electrode (not shown) to which a common voltage is supplied. At this time, the common electrode is formed between the pixel electrodes, and may be formed on the same layer as the pixel electrode or on another layer.

상부 기판(220)은 복수의 화소 각각에 대응되도록 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스(122); 블랙 매트릭스(122)에 의해 정의된 각 화소 영역에 형성된 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(124R, 124G, 124B) 및 적색, 녹색, 및 청색 컬러필터(124R, 124G, 124B)와 블랙 매트릭스(122)를 덮도록 형성된 오버코트층(126)을 포함하여 구성된다.The upper substrate 220 includes a black matrix 122 defining a pixel region to correspond to each of the plurality of pixels; Green and blue color filters 124R, 124G and 124B and black matrices 122R, 124G and 124B formed in the respective pixel regions defined by the black matrix 122 and the red, green and blue color filters 124R, And an overcoat layer 126 formed to cover the overcoat layer 126.

이러한, 하부 기판(210)과 상부 기판(220)은 합착 공정을 통해 액정층을 사이에 두고 서로 대향되도록 합착된다.The lower substrate 210 and the upper substrate 220 are bonded together such that they are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween through a laminating process.

한편, 하부 기판(210)과 상부 기판(220)은 합착 공정 이후에 수행되는 식각 공정을 통해 두께(t1, t2)가 감소되어 슬림화된다.Meanwhile, the thicknesses t1 and t2 of the lower substrate 210 and the upper substrate 220 are reduced through the etching process performed after the adhesion process, and thus the thicknesses are reduced.

구체적으로, 합착된 하부 기판(210)은 식각 공정을 통해 원래의 두께(t0)에서 제 1 두께(t1)로 식각된다.Specifically, the bonded lower substrate 210 is etched from the original thickness t0 to the first thickness t1 through the etching process.

그리고, 합착된 상부 기판(220)은 식각 공정을 통해 원래의 두께(t0)에서 제 2 두께(t2)로 식각된다. 여기서, 제 2 두께(t2)는 제 1 두께(t1)와 같거나 제 1 두께(t1)보다 얇을 수 있으며, 제 2 두께(t2)가 제 1 두께(t1)보다 얇을 경우 제 2 두께(t2)는 제 1 두께(t1)의 절반 이하인 것이 바람직하다. 이때, 슬림화를 위해 하부 기판(210) 및 상부 기판(220)의 두께(t1, t2)를 동일하게 식각할 경우, 하부 기판(210)의 강도가 약해지기 때문에 합착 공정 이후의 제조 공정에서 하부 기판(210)이 파손되는 문제점이 발생할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 상부 기판(220)의 두께(t0)를 하부 기판(210)의 제 1 두께(t1) 대비 절반 이하인 제 2 두께(t2)로 식각하여 원하는 슬림화를 달성함과 동시에 하부 기판(210)의 두께(t1)를 상부 기판(220)보다 상대적으로 두껍게 함으로써 하부 기판(210)의 강도를 보강하여 합착 공정 이후의 제조 공정에서 발생되는 하부 기판(210)의 파손을 방지할 수 있다.Then, the joined upper substrate 220 is etched from the original thickness t0 to the second thickness t2 through the etching process. The second thickness t2 may be equal to or less than the first thickness t1 and may be less than the second thickness t2 when the second thickness t2 is less than the first thickness t1. Is preferably equal to or less than half of the first thickness t1. At this time, if the thicknesses t1 and t2 of the lower substrate 210 and the upper substrate 220 are made the same, the strength of the lower substrate 210 is weakened. Therefore, There is a possibility that the first electrode 210 may be damaged. Accordingly, the present invention achieves a desired slimming by etching the thickness t0 of the upper substrate 220 to a second thickness t2 which is less than half of the first thickness t1 of the lower substrate 210, The thickness t1 of the lower substrate 210 is made relatively thicker than that of the upper substrate 220 to reinforce the strength of the lower substrate 210 to prevent breakage of the lower substrate 210 occurring in the manufacturing process after the laminating process .

정전기 방지층(230)은 기판 식각 공정에 의해 제 2 두께(t2)로 식각된 상부 기판(220)의 외부면, 즉 하부 기판(210)의 대향되지 않는 반대면에 형성되어 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이때, 정전기 방지층(230)은 상부 기판(220)의 외부면 전체에 ZTO 물질과 같은 투명한 물질로 형성됨과 아울러 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 100Å ~ 1000Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. 이러한, 정전기 방지층(230)은 ZTO 물질로 이루어진 타켓을 사용하는 상술한 스퍼터링 방법에 의해 형성된다.The antistatic layer 230 is formed on the outer surface of the upper substrate 220 etched with the second thickness t2 by the substrate etching process, that is, on the opposite surface of the lower substrate 210, To prevent penetration into the inside. The antistatic layer 230 may be formed of a transparent material such as ZTO material on the entire outer surface of the upper substrate 220 and may have a thickness ranging from about 100 Å to about 1000 Å so as to have a resistance of several tens of ㏁ / . This antistatic layer 230 is formed by the above-described sputtering method using a target made of ZTO material.

보호층(240)은 정전기 방지층(230) 상에 형성되어 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(230)을 보호함과 아울러 정전기 방지층(230)의 강도를 보강한다. 즉, ZTO 물질로 이루어진 정전기 방지층(230)이 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등에 노출될 경우 저항의 변동 등의 신뢰성이 저하되기 때문에 보호층(240)은 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(230)을 보호하여 정전기 방지층(230)의 신뢰성을 향상시킨다. 이를 위해, 보호층(240)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 보호층(240)은 SiOx 물질로 이루어진 타켓을 사용한 물리적 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있으며, 물리적 기상 증착 방법은 정전기 방지층(230)의 증착 방법과 동일한 스퍼터링 방법이 될 수 있다.The protective layer 240 is formed on the antistatic layer 230 to protect the antistatic layer 230 from oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air and to reinforce the strength of the antistatic layer 230. That is, when the antistatic layer 230 made of the ZTO material is exposed to oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air, reliability of the resistance or the like is lowered. Therefore, the protective layer 240 is formed of oxygen, hydrogen, (230) to improve the reliability of the antistatic layer (230). For this, the protective layer 240 is preferably formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less. The protective layer 240 may be formed by a physical vapor deposition method using a target made of a SiOx material, and the physical vapor deposition method may be the same as the deposition method of the antistatic layer 230.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 효과를 제공할 수 있다.As such, the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention can provide the same effects as those of the first embodiment of the present invention described above.

또한, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 하부 기판(210)과 상부 기판(220)의 합착 공정 이후에 수행되는 식각 공정을 통해 하부 기판(210) 및 상부 기판(220)의 두께(t1, t2)를 감소시킴으로써 슬림화될 수 있다.The liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention may further include a lower substrate 210 and a lower substrate 220 through an etching process performed after the lower substrate 210 and the upper substrate 220 are bonded together, (t1, t2).

한편, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치에서는 식각 공정을 통해 하부 기판(210) 및 상부 기판(220)의 두께(t1, t2)를 감소시키는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제 1 두께(t1)를 가지는 하부 기판(210) 상에 화소 어레이(112)를 형성함과 아울러 제 2 두께(t2)를 가지는 상부 기판(220) 상에 컬러필터 어레이를 형성함으로써 상술한 식각 공정을 생략할 수도 있다.The thickness t1 and t2 of the lower substrate 210 and the upper substrate 220 are reduced through the etching process in the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. The above-described etching process is performed by forming the color filter array on the upper substrate 220 having the pixel array 112 on the lower substrate 210 having the first thickness t1 and the second thickness t2 It may be omitted.

도 5는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.5 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 하부 기판(110), 상부 기판(120), 정전기 방지층(130), 및 보호층(140)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 액정 표시 장치는 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 검출 라인(미도시)을 포함하는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치와 동일한 구성을 가지기 때문에 동일한 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.Referring to FIG. 5, the liquid crystal display according to the third embodiment of the present invention includes a lower substrate 110, an upper substrate 120, an anti-static layer 130, and a protective layer 140. The liquid crystal display device having such a configuration has the same configuration as that of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention except that it includes a touch detection line (not shown) for detecting a user's touch, The description of the configuration will be given instead of the above description, and the same reference numerals will be given.

하부 기판(110)은 액정층을 구동함과 아울러 사용자의 손가락 터치 또는 펜 터치를 검출하기 위한 복수의 화소를 가지는 화소 어레이(114)를 포함하여 구성된다.The lower substrate 110 includes a pixel array 114 having a plurality of pixels for driving a liquid crystal layer and detecting finger touch or pen touch of a user.

각 화소는 게이트 라인에 인가되는 게이트 신호에 따라 박막 트랜지스터를 스위칭시켜 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압에 따라 전계를 형성하여 액정층을 구동한다. 이를 위해, 각 화소는 상기의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터에 접속된 화소 전극(미도시), 및 공통전압이 공급되는 공통전극(미도시)을 포함하여 구성된다. 이때, 공통전극은 화소 전극의 사이마다 형성되는 것으로, 화소 전극과 동일 층에 형성되거나 다른 층에 형성될 수 있다.Each pixel switches a thin film transistor according to a gate signal applied to a gate line to form an electric field in accordance with a data voltage applied to the data line to drive the liquid crystal layer. To this end, each pixel includes a thin film transistor, a pixel electrode (not shown) connected to the thin film transistor, and a common electrode (not shown) to which a common voltage is supplied. At this time, the common electrode is formed between the pixel electrodes, and may be formed on the same layer as the pixel electrode or on another layer.

또한, 각 화소는 화소 어레이(114)에 형성된 공통전극을 터치 검출 라인으로 사용하여 사용자의 손가락 터치 또는 펜 터치에 따른 정전용량(Ctc)의 변화에 따라 터치 위치(TS)를 검출하여 출력한다. 예를 들어, 액정 표시 장치는 적어도 한 프레임 단위로 각 화소의 비표시 구간(예를 들어, 블랭킹 구간)마다 화소 어레이(114)에 형성된 공통전극(미도시)을 터치 검출 라인으로 사용하여 사용자의 터치에 따른 정전용량의 변화에 따라 터치 위치(TS)를 검출할 수 있다.In addition, each pixel uses a common electrode formed on the pixel array 114 as a touch detection line to detect and output the touch position TS in accordance with a change of the capacitance Ctc of the finger of the user or the touch of the pen. For example, the liquid crystal display device uses a common electrode (not shown) formed in the pixel array 114 for each non-display period (for example, a blanking interval) of each pixel in at least one frame unit as a touch detection line, It is possible to detect the touch position (TS) in accordance with the change of capacitance due to the touch.

한편, 상술한 액정 표시 장치는, 터치 위치(TS)를 검출하기 위하여 상술한 공통전극 대신에, 상부 기판(120) 또는 하부 기판(110)에 형성된 별도의 터치 검출 라인(미도시) 또는 상부 기판(120)에 형성된 블랙 매트릭스(122)를 터치 검출 라인으로 사용하여 사용자의 터치에 따른 정전용량의 변화에 따라 터치 위치(TS)를 검출할 수도 있다.The above-described liquid crystal display device may further include a touch detection line (not shown) formed on the upper substrate 120 or the lower substrate 110 or a separate touch detection line The black matrix 122 formed on the touch panel 120 may be used as a touch detection line to detect the touch position TS in accordance with a change in capacitance due to a user's touch.

이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 액정층을 사이에 두고 대향되도록 합착된 하부 기판(110)과 상부 기판(120)을 포함하여 구성되며, 데이터 전압에 따라 각 화소의 액정층을 투과하는 광 투과율을 조절하여 원하는 화상을 표시함과 아울러, 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하여 출력한다.The liquid crystal display according to the third embodiment of the present invention includes a lower substrate 110 and an upper substrate 120 which are bonded together to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A desired image is displayed by adjusting a light transmittance transmitted through the liquid crystal layer, and a touch position corresponding to a user's touch is detected and output.

따라서, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치와 동일한 효과를 제공할 수 있으며, 고저항값을 가지는 정전기 방지층(130)에 의해 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하는 터치 감도를 향상시킬 수 있다.Therefore, the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention can provide the same effects as those of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. By the anti-static layer 130 having a high resistance value The touch sensitivity for detecting the touch position according to the user's touch can be improved.

도 6은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.6 is a schematic view for explaining a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 하부 기판(210), 상부 기판(220), 정전기 방지층(230), 및 보호층(240)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 액정 표시 장치는 도 4 및 도 5에 도시된 액정 표시 장치를 조합하여 구성한 것으로, 각 구성에 대한 특징 사항을 제외한 상세한 설명은 도 4 및 도 5에 대한 설명으로 대신하기로 하고, 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.Referring to FIG. 6, the liquid crystal display according to the fourth embodiment of the present invention includes a lower substrate 210, an upper substrate 220, an anti-static layer 230, and a protective layer 240. The liquid crystal display device having such a configuration is constituted by combining the liquid crystal display devices shown in Figs. 4 and 5, and a detailed description thereof except for features of each configuration will be described with reference to Figs. 4 and 5, The same reference numerals will be given.

하부 기판(210)과 상부 기판(220)은 액정층을 사이에 두고 합착된 후, 식각 공정을 통해 하부 기판(210)은 제 1 두께(t1)를 가지도록 식각되고, 상부 기판(220)은 제 2 두께(t2)를 가지도록 식각된다.The lower substrate 210 and the upper substrate 220 are bonded together with a liquid crystal layer interposed therebetween and then the lower substrate 210 is etched to have a first thickness t1 through an etching process, And is etched to have a second thickness t2.

정전기 방지층(230)은 제 2 두께(t2)로 식각된 상부 기판(220)의 외부면, 즉 하부 기판(210)의 대향되지 않는 반대면 전체에 ZTO 물질과 같은 투명한 물질로 형성됨과 아울러 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 100Å ~ 1000Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. 이러한, 정전기 방지층(230)은 ZTO 물질로 이루어진 타켓을 사용하는 상술한 스퍼터링 방법에 의해 형성된다.The antistatic layer 230 is formed of a transparent material such as ZTO material on the outer surface of the upper substrate 220 etched with the second thickness t2, that is, the entire opposite surface of the lower substrate 210, / [Gamma] to several G [Omega] / [gamma]. This antistatic layer 230 is formed by the above-described sputtering method using a target made of ZTO material.

보호층(240)은 상술한 바와 같이 정전기 방지층(230) 상에 형성되어 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(230)을 보호함과 아울러 정전기 방지층(230)의 강도를 보강한다. 이를 위해, 보호층(240)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성된다. 이때, 보호층(240)은 SiOx 물질로 이루어진 타켓을 사용한 물리적 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있으며, 물리적 기상 증착 방법은 정전기 방지층(230)의 증착 방법과 동일한 스퍼터링 방법이 될 수 있다.The protective layer 240 is formed on the antistatic layer 230 as described above to protect the antistatic layer 230 from oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air, and to reinforce the strength of the antistatic layer 230. For this purpose, the protective layer 240 is formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less. At this time, the protective layer 240 may be formed by a physical vapor deposition method using a target made of SiOx material, and the physical vapor deposition method may be the same as the deposition method of the antistatic layer 230.

따라서, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 액정 표시 장치는 상술한 본 발명의 제 2 및 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 효과를 동일하게 제공할 수 있다.Therefore, the liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention can provide the same effects as those of the liquid crystal display device according to the second and third embodiments of the present invention.

한편, 상술한 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시 예에 따른 액정 표시 장치에서 정전기 방지층(130, 230) 및 보호층(140, 240) 각각은 액정 표시 장치 이외의 플라즈마 디스플레이 패널, 전계 방출 표시 장치, 발광 다이오드 표시 장치 등을 포함하는 평판 표시 장치 또는 터치 스크린이 내장된 상기 평판 표시 장치의 상부 기판의 외부면에 형성될 수도 있다.In the liquid crystal display according to the first to fourth embodiments of the present invention, the antistatic layers 130 and 230 and the protective layers 140 and 240 may be a plasma display panel other than the liquid crystal display, , A light emitting diode display device, or the like, or on the outer surface of the upper substrate of the flat panel display device having the touch screen built therein.

도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention step by step.

도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 7, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described below step by step.

먼저, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 하부 기판(110)과 상부 기판(120)을 마련한다.First, as shown in FIG. 7A, a lower substrate 110 and an upper substrate 120 are provided.

이어서, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 상부 기판(120)의 일측면에 정전기 방지층(130)을 형성한 후, 정전기 방지층(130) 상에 보호층(140)을 차례로 형성된다.7B, an antistatic layer 130 is formed on one side of the upper substrate 120, and a passivation layer 140 is formed on the antistatic layer 130 in order.

정전기 방지층(130)은 상부 기판(120)의 외부면, 즉 하부 기판(110)의 대향되지 않는 반대면에 형성되어 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이때, 정전기 방지층(130)은 상부 기판(120)의 외부면 전체에 ZTO(Zinc Tin Oxide) 물질과 같은 투명한 물질로 형성됨과 아울러 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 100Å ~ 1000Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. 이러한, 정전기 방지층(130)은 ZTO 물질로 이루어진 타켓을 사용한 물리적 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.The antistatic layer 130 is formed on the outer surface of the upper substrate 120, that is, the opposite surface of the lower substrate 110 so as to prevent the static electricity introduced from the outside from penetrating the inside. The anti-static layer 130 may be formed of a transparent material such as ZTO (Zinc Tin Oxide) material on the entire outer surface of the upper substrate 120, and may have a resistance of several tens of MΩ / □ to several GΩ / Lt; RTI ID = 0.0 > 1000A. ≪ / RTI > The antistatic layer 130 may be formed by a physical vapor deposition method using a target made of a ZTO material.

물리적 기상 증착 방법은 DC 스퍼터링 방법, DC 펄스 스퍼터링 방법, AC 스퍼터링 방법, RF 스퍼터링 방법, MF 스퍼터링 방법, DC-RF 스퍼터링 방법, 마그네트론 스퍼터링 방법, DC 마그네트론 스퍼터링 방법, AC 마그네트론 스퍼터링 방법, 및 RF 마그네트론 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 스퍼터링 방법이 선택될 수 있다.The physical vapor deposition method includes a DC sputtering method, a DC pulse sputtering method, an AC sputtering method, an RF sputtering method, an MF sputtering method, a DC-RF sputtering method, a magnetron sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an AC magnetron sputtering method, Any one of the sputtering methods may be selected.

보호층(140)은 상술한 바와 같이 정전기 방지층(130) 상에 형성되어 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(130)을 보호함과 아울러 정전기 방지층(130)의 강도를 보강한다. 이를 위해, 보호층(140)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 보호층(140)은 SiOx 물질로 이루어진 타켓을 사용한 물리적 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있으며, 물리적 기상 증착 방법은 정전기 방지층(130)의 증착 방법과 동일한 스퍼터링 방법이 될 수 있다.The protective layer 140 is formed on the antistatic layer 130 as described above to protect the antistatic layer 130 from oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air and to reinforce the strength of the antistatic layer 130. For this, the protective layer 140 is preferably formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less. The protective layer 140 may be formed by a physical vapor deposition method using a target made of SiOx material, and the physical vapor deposition method may be the same as the deposition method of the antistatic layer 130.

이어서, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예의 액정 표시 장치(도 3 또는 도 5 참조)에서 상술한 블랙 매트릭스(122), 컬러필터(124R, 124G, 124B), 및 오버코트층(126)을 포함하는 컬러필터 어레이를 상부 기판(120)의 타측면에 형성한다.Next, as shown in Fig. 7C, in the liquid crystal display (see Fig. 3 or 5) of the first and third embodiments of the present invention, the black matrix 122, the color filters 124R and 124G , 124B, and an overcoat layer 126 is formed on the other side of the upper substrate 120. [

또한, 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예의 액정 표시 장치(도 3 또는 도 5 참조)에서 상술한 복수의 화소를 포함하는 화소 어레이(112, 114)를 하부 기판(110)의 일측면 상에 형성한다.3 or 5) of the first and third embodiments of the present invention, the pixel arrays 112 and 114 including the above-described plurality of pixels are formed on one side of the lower substrate 110 .

이어서, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 합착 공정을 통해 액정층을 사이에 두고 하부 기판(110)의 일측면과 상부 기판(120)의 타측면이 서로 대향되도록 합착한다.7 (d), the one side of the lower substrate 110 and the other side of the upper substrate 120 face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween through a laminating process.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상부 기판(120)의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 정전기 방지층(130)을 형성함으로써 외부로부터 유입되는 정전기를 차단하여 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있으며, 정전기 방지층(130) 상에 보호층(140)을 형성하여 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(130)을 보호함으로써 정전기 방지층(130)의 저항 변동 등의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, the antistatic layer 130 having a resistance of several tens of MΩ / □ to several GΩ / □ is formed on the outer surface of the upper substrate 120 The protection layer 140 may be formed on the antistatic layer 130 to prevent static electricity from being generated from oxygen, hydrogen or water in the air, It is possible to improve the reliability such as the resistance variation of the antistatic layer 130 and the like.

한편, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은, 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치에서와 같이 제 1 두께(t1)를 가지는 하부 기판(110) 상에 화소 어레이(112, 114)를 형성함과 아울러, 제 2 두께(t2)를 가지는 상부 기판(120) 상에 컬러필터 어레이를 형성함으로써 슬림화를 달성할 수도 있다.The method of manufacturing a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention is similar to that of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. Slimming may be achieved by forming the pixel arrays 112 and 114 on the first substrate 110 and forming a color filter array on the upper substrate 120 having the second thickness t2.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention step by step.

도 8을 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

먼저, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 하부 기판(210)과 상부 기판(220)을 마련한다.First, as shown in FIG. 8A, a lower substrate 210 and an upper substrate 220 are provided.

이어서, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 및 제 4 실시 예의 액정 표시 장치(도 4 또는 도 6 참조)에서 상술한 블랙 매트릭스(122), 컬러필터(124R, 124G, 124B), 및 오버코트층(126)을 포함하는 컬러필터 어레이를 상부 기판(120)의 타측면에 형성한다.8 (b), the black matrix 122, the color filters 124R and 124G (see FIG. 4 and FIG. 6) described in the second and fourth embodiments of the present invention , 124B, and an overcoat layer 126 is formed on the other side of the upper substrate 120. [

또한, 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예의 액정 표시 장치(도 4 또는 도 6 참조)에서 상술한 복수의 화소를 포함하는 화소 어레이(112, 114)를 하부 기판(110)의 일측면 상에 형성한다.4 or 6) of the first and third embodiments of the present invention, the pixel arrays 112 and 114 including the above-described plurality of pixels are formed on one side of the lower substrate 110 .

이어서, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 합착 공정을 통해 액정층을 사이에 두고 하부 기판(210)의 일측면과 상부 기판(220)의 타측면이 서로 대향되도록 합착한다.Then, as shown in FIG. 8C, the one side of the lower substrate 210 and the other side of the upper substrate 220 face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween through the laminating process.

이어서, 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 식각 공정을 통해 원래의 두께(t0)에서 제 1 두께(t1)를 가지도록 하부 기판(210)의 타측면을 식각함과 아울러 원래의 두께(t0)에서 제 2 두게(t2)를 가지도록 상부 기판(220)의 일측면을 식각하여 슬림화한다. 이때, 제 2 두께(t2)는 제 1 두께(t1)와 동일하거나, 제 1 두께(t1)의 절반 이하가 될 수 있다.8 (d), the other side of the lower substrate 210 is etched so as to have the first thickness t1 at the original thickness t0 through the etching process, and at the same time, one side of the upper substrate 220 is etched to have a second thickness t2 at a time t0. At this time, the second thickness t2 may be equal to or less than half of the first thickness t1.

이어서, 도 8의 (e)에 도시된 바와 같이, 제 2 두게(t2)로 식각된 상부 기판(220)의 일측면, 즉 외부면에 정전기 방지층(230)을 형성한 후, 정전기 방지층(230) 상에 보호층(240)을 차례로 형성된다.8 (e), after the antistatic layer 230 is formed on one side, that is, the outer surface, of the upper substrate 220 etched with the second thickness t2, the antistatic layer 230 A protective layer 240 is sequentially formed.

정전기 방지층(230)은 상부 기판(220)의 외부면, 즉 하부 기판(210)의 대향되지 않는 반대면에 형성되어 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이때, 정전기 방지층(230)은 상부 기판(220)의 외부면 전체에 ZTO 물질 등과 같은 투명한 물질로 형성됨과 아울러 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 100Å ~ 1000Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. 이러한, 정전기 방지층(230)은 상술한 ZTO 물질로 이루어진 타켓을 사용한 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다.The antistatic layer 230 is formed on the outer surface of the upper substrate 220, that is, the opposite surface of the lower substrate 210 so as to prevent the static electricity introduced from the outside from penetrating the inside. At this time, the antistatic layer 230 is formed of a transparent material such as ZTO material on the entire outer surface of the upper substrate 220, and has a thickness ranging from 100 Å to 1000 Å so as to have a resistance value of several tens of ㏁ / . The antistatic layer 230 may be formed by a sputtering method using a target made of the ZTO material described above.

보호층(240)은 상술한 바와 같이 정전기 방지층(230) 상에 형성되어 대기 중의 산소, 수소 또는 수분 등으로부터 정전기 방지층(230)을 보호함과 아울러 정전기 방지층(230)의 강도를 보강한다. 이를 위해, 보호층(240)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 보호층(240)은 SiOx 물질로 이루어진 타켓을 사용한 상술한 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있으며, 스퍼터링 방법은 정전기 방지층(230)의 증착 방법과 동일하다.The protective layer 240 is formed on the antistatic layer 230 as described above to protect the antistatic layer 230 from oxygen, hydrogen, moisture or the like in the air, and to reinforce the strength of the antistatic layer 230. For this, the protective layer 240 is preferably formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less. The protective layer 240 may be formed by the above-described sputtering method using a target made of SiOx material, and the sputtering method is the same as the deposition method of the antistatic layer 230.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상부 기판(220)과 하부 기판(210)의 합착 공정 이후에 식각 공정을 통해 상부 기판(220)과 하부 기판(210) 각각을 식각하여 두께(t1, t2)를 감소시킴으로써 슬림화를 달성할 수 있으며, 기판의 식각 공정 이후에 상부 기판(220)의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 정전기 방지층(230)과 정전기 방지층(230) 상에 보호층(240)을 형성함으로써 외부로부터 유입되는 정전기를 차단하여 정전기로 인한 화질 불량 및 공정 불량을 방지할 수 있다.The method of manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention is a method of manufacturing a liquid crystal display device including an upper substrate 220 and a lower substrate 210 through an etching process after an upper substrate 220 and a lower substrate 210 are bonded together, And the thickness t1 and t2 of the upper substrate 220 may be reduced to reduce the thickness of the upper substrate 220. After the substrate is etched, an electrostatic charge having a resistance of several tens of M / By forming the protective layer 240 on the anti-static layer 230 and the anti-static layer 230, it is possible to block the static electricity flowing from the outside, thereby preventing a bad image quality and a process failure due to static electricity.

한편, 상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 정전기 방지층(130, 230) 및 보호층(140, 240) 각각은 액정 표시 장치 이외의 플라즈마 디스플레이 패널, 전계 방출 표시 장치, 발광 다이오드 표시 장치 등을 포함하는 평판 표시 장치의 정전기 방지층 또는 전자파 차폐층으로 사용될 수도 있다.In the method of manufacturing a liquid crystal display according to the first and second embodiments of the present invention, the antistatic layers 130 and 230 and the protective layers 140 and 240 may be formed on a plasma display panel other than the liquid crystal display, Emitting display device, a light-emitting diode display device, or the like, as an antistatic layer or an electromagnetic wave shielding layer of a flat panel display device.

도 9는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 9에 도시된 액정 표시 장치의 제조 장치는 도 3 내지 도 8 중 어느 하나에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방지층 및 보호층을 형성하기 위한 제조 장치이다.9 is a schematic view for explaining an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. Here, the apparatus for manufacturing the liquid crystal display shown in FIG. 9 is an apparatus for forming the antistatic layer and the protective layer according to the embodiment of the present invention shown in any one of FIGS.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치는 기판 반송부(300), 로드락 챔버(400), 제 1 공정 챔버(500), 및 제 2 공정 챔버(600)를 포함하여 구성된다.9, an apparatus for manufacturing a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention includes a substrate transfer unit 300, a load lock chamber 400, a first process chamber 500, and a second process chamber 600).

기판 반송부(300)는 기판(310)을 로드락 챔버(400)에 반송하거나, 로드락 챔버(400)로부터 언로딩된 기판(310)을 외부로 반송한다. 이때, 기판(310)은 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 상부 기판이거나, 상부 기판과 하부 기판이 합착된 기판이 될 수 있다.The substrate transfer section 300 transfers the substrate 310 to the load lock chamber 400 or transfers the unloaded substrate 310 from the load lock chamber 400 to the outside. At this time, the substrate 310 may be an upper substrate of the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, or a substrate on which the upper substrate and the lower substrate are bonded.

로드락 챔버(400)는 기판 반송부(300)로부터 기판(310)을 반송받아 제 1 공정 챔버(500)에 로딩시키거나, 제 1 공정 챔버(500)에서 공정 완료된 기판(310)을 인출하여 제 2 공정 챔버(600)로 로딩시킨다. 또한, 로드락 챔버(400)는 제 2 공정 챔버(600)에서 공정 완료된 기판(310)을 인출하여 기판 반송부(300)로 반송한다. 이를 위해, 로드락 챔버(400)는 기판(310)을 반송하기 위한 반송 로봇(미도시)을 포함하여 구성된다.The load lock chamber 400 receives the substrate 310 from the substrate transfer section 300 and loads the substrate 310 into the first process chamber 500 or draws the processed substrate 310 from the first process chamber 500 And is loaded into the second process chamber 600. The load lock chamber 400 draws the processed substrate 310 in the second process chamber 600 and transfers the substrate 310 to the substrate transfer section 300. To this end, the load lock chamber 400 includes a transfer robot (not shown) for transferring the substrate 310.

제 1 공정 챔버(500)는 로드락 챔버(400)로부터 공급되는 기판(310) 상에 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 ZTO 물질 등과 같은 투명 물질로 이루어진 정전기 방지층(330)을 형성한다. 이때, 정전기 방지층(330)은 100Å ~ 800Å 범위의 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 물리적 기상 증착 방법은 DC 스퍼터링 방법, DC 펄스 스퍼터링 방법, AC 스퍼터링 방법, RF 스퍼터링 방법, MF 스퍼터링 방법, DC-RF 스퍼터링 방법, 마그네트론 스퍼터링 방법, DC 마그네트론 스퍼터링 방법, AC 마그네트론 스퍼터링 방법, 및 RF 마그네트론 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 스퍼터링 방법이 선택될 수 있다.The first process chamber 500 may be formed of a transparent material such as a ZTO material or the like so as to have a resistance value of several tens of M? /? To several G? / Square on the substrate 310 supplied from the load lock chamber 400 using a physical vapor deposition method. An antistatic layer 330 made of a material is formed. At this time, the antistatic layer 330 may be formed to a thickness ranging from 100 Å to 800 Å. Here, the physical vapor deposition method may be a DC sputtering method, a DC pulse sputtering method, an AC sputtering method, an RF sputtering method, an MF sputtering method, a DC-RF sputtering method, a magnetron sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an AC magnetron sputtering method, Any one of the magnetron sputtering methods may be selected.

이를 위해, 제 1 공정 챔버(500)는 제 1 기판 지지부재(510), 제 1 타겟(520), 제 1 타겟 지지부재(530)를 포함하여 구성된다.To this end, the first process chamber 500 comprises a first substrate support member 510, a first target 520, and a first target support member 530.

제 1 기판 지지부재(510)는 로드락 챔버(400)로부터 로딩되는 기판(310)을 지지한다.The first substrate support member 510 supports the substrate 310 to be loaded from the load lock chamber 400.

제 1 타겟(520)은 기판(310) 상에 정전기 방지층(330)을 증착하기 위한 ZTO 물질로 형성된다.The first target 520 is formed of a ZTO material for depositing the antistatic layer 330 on the substrate 310.

제 1 타겟 지지부재(530)는 제 1 기판 지지부재(510)와 대향되도록 제 1 공정 챔버(500)에 설치되어 제 1 타겟(520)을 지지한다.The first target support member 530 is installed in the first process chamber 500 to face the first substrate support member 510 to support the first target 520.

이러한, 제 1 공정 챔버(500)는 상술한 물리적 기상 증착 방법 중에서 선택되는 스퍼터링 방법을 통해 제 1 타겟(520)의 ZTO 물질이 기판(310) 상에 증착되도록 함으로써 기판(310) 상에 100Å ~ 1000Å 범위의 두께를 가지도록 ZTO 물질로 이루어지는 정전기 방지층(330)을 형성한다.The first process chamber 500 may be formed on the substrate 310 by depositing the ZTO material of the first target 520 on the substrate 310 through a sputtering method selected from the physical vapor deposition methods described above. An antistatic layer 330 made of a ZTO material is formed so as to have a thickness in the range of about 1000 Å.

제 2 공정 챔버(600)는 로드락 챔버(400)로부터 공급되는 정전기 방지층(330)이 증착된 기판(310) 상에 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 보호층(340)을 형성한다. 이때, 보호층(340)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 물리적 기상 증착 방법은 정전기 방지층(330)의 형성 방법과 동일한 스퍼터링 방법이 될 수 있다.The second process chamber 600 forms a protective layer 340 using a physical vapor deposition method on the substrate 310 on which the antistatic layer 330 supplied from the load lock chamber 400 is deposited. At this time, the protective layer 340 may be formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less. Here, the physical vapor deposition method may be the same as the sputtering method for forming the antistatic layer 330.

이를 위해, 제 2 공정 챔버(600)는 제 2 기판 지지부재(610), 제 2 타겟(620), 제 2 타겟 지지부재(630)를 포함하여 구성된다.To this end, the second process chamber 600 includes a second substrate support member 610, a second target 620, and a second target support member 630.

제 2 기판 지지부재(610)는 로드락 챔버(400)로부터 로딩되는 정전기 방지층(330)이 증착된 기판(310)을 지지한다.The second substrate support member 610 supports the substrate 310 on which the antistatic layer 330 loaded from the load lock chamber 400 is deposited.

제 2 타겟(620)은 기판(310) 상에 증착된 정전기 방지층(330) 상에 보호층(340)을 증착하기 위한 SiOx 물질로 형성된다.The second target 620 is formed of an SiOx material for depositing the protective layer 340 on the antistatic layer 330 deposited on the substrate 310. [

제 2 타겟 지지부재(630)는 제 2 기판 지지부재(610)와 대향되도록 제 2 공정 챔버(600)에 설치되어 제 2 타겟(620)을 지지한다.The second target support member 630 is installed in the second process chamber 600 to face the second substrate support member 610 to support the second target 620.

이러한, 제 2 공정 챔버(600)는 상술한 물리적 기상 증착 방법 중에서 선택되는 스퍼터링 방법을 통해 제 2 타겟(620)의 SiOx 물질이 기판(310) 상의 정전기 방지층(330) 상에 증착되도록 함으로써 정전기 방지층(330) 상에 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 이루어지는 보호층(340)을 형성한다.The second process chamber 600 allows the SiOx material of the second target 620 to be deposited on the antistatic layer 330 on the substrate 310 through the sputtering method selected from the physical vapor deposition methods described above, A protective layer 340 made of an SiOx material is formed to have a thickness of 200 ANGSTROM or less.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치는 로드락 챔버(400)를 사이에 두고 제 1 및 제 2 공정 챔버(500, 600)를 배치하여 기판(310) 상에 정전기 방지층(330)과 정전기 방지층(330) 상에 보호층(340)을 차례로 형성함으로써 도 3 내지 도 8에 도시된 본 발명의 액정 표시 장치의 상부 기판에 형성되는 정전기 방지층(330)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The apparatus for manufacturing a liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention includes a first and a second process chambers 500 and 600 disposed on a substrate 310 with a load lock chamber 400 interposed therebetween, The reliability of the antistatic layer 330 formed on the upper substrate of the liquid crystal display of the present invention shown in Figs. 3 to 8 can be improved by forming the protective layer 340 on the antistatic layer 330 and the antistatic layer 330 in order Can be improved.

도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 10에 도시된 액정 표시 장치의 제조 장치는 도 3 내지 도 8 중 어느 하나에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방지층 및 보호층을 형성하기 위한 제조 장치이다.10 is a schematic view for explaining an apparatus for manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. Here, the apparatus for manufacturing the liquid crystal display shown in FIG. 10 is an apparatus for forming the antistatic layer and the protective layer according to the embodiment of the present invention shown in any one of FIGS.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치는 기판 반송부(700), 로드락 챔버(800), 및 공정 챔버(900)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 10, an apparatus for manufacturing a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention includes a substrate transfer section 700, a load lock chamber 800, and a process chamber 900.

기판 반송부(700)는, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(310)을 로드락 챔버(800)에 반송하거나, 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(800)로부터 언로딩된 기판을 외부로 반송한다. 이때, 기판(310)은 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 상부 기판이거나, 상부 기판과 하부 기판이 합착된 기판이 될 수 있다.The substrate transfer section 700 transfers the substrate 310 to the load lock chamber 800 as shown in FIG. 10A, or transfers the substrate 310 to the load lock chamber 800, as shown in FIG. The unloaded substrate is transferred from the unloading unit 800 to the outside. At this time, the substrate 310 may be an upper substrate of the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, or a substrate on which the upper substrate and the lower substrate are bonded.

로드락 챔버(800)는 기판 반송부(700)로부터 기판(310)을 반송받아 공정 챔버(900)에 로딩시키거나, 공정 챔버(900)에서 공정 완료된 기판(310)을 인출하여 기판 반송부(700)로 반송한다. 이를 위해, 로드락 챔버(800)는 기판(310)을 반송하기 위한 반송 로봇(미도시)을 포함하여 구성된다.The load lock chamber 800 transfers the substrate 310 from the substrate transfer section 700 and loads the substrate 310 into the process chamber 900 or draws the processed substrate 310 from the process chamber 900 to the substrate transfer section 700). To this end, the load lock chamber 800 comprises a transfer robot (not shown) for transferring the substrate 310.

공정 챔버(900)는 로드락 챔버(800)로부터 공급되는 기판(310) 상에 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 투명한 물질로 이루어진 정전기 방지층(330), 및 정전기 방지층(330) 상에 보호층(340)을 차례로 형성한다.The process chamber 900 is formed on the substrate 310 supplied from the load lock chamber 800 with an antistatic layer 330 made of a transparent material having a resistance value of several tens of? And a protective layer 340 on the antistatic layer 330 in this order.

정전기 방지층(330)은 100Å ~ 1000Å 범위의 두께를 가지도록 ZTO 물질로 형성될 수 있다.The antistatic layer 330 may be formed of a ZTO material to have a thickness ranging from 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM.

보호층(340)은 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 형성될 수 있다.The protective layer 340 may be formed of SiOx material to have a thickness of 200 ANGSTROM or less.

물리적 기상 증착 방법은 DC 스퍼터링 방법, DC 펄스 스퍼터링 방법, AC 스퍼터링 방법, RF 스퍼터링 방법, MF 스퍼터링 방법, DC-RF 스퍼터링 방법, 마그네트론 스퍼터링 방법, DC 마그네트론 스퍼터링 방법, AC 마그네트론 스퍼터링 방법, 및 RF 마그네트론 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 스퍼터링 방법이 선택될 수 있다.The physical vapor deposition method includes a DC sputtering method, a DC pulse sputtering method, an AC sputtering method, an RF sputtering method, an MF sputtering method, a DC-RF sputtering method, a magnetron sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an AC magnetron sputtering method, Any one of the sputtering methods may be selected.

스퍼터링 방법을 통해 정전기 방지층(330) 및 보호층(340)을 차례로 형성하기 위한 공정 챔버(900)는 기판 지지부재(910), 제 1 타겟(920), 제 1 타겟 지지부재(930), 제 2 타겟(940), 및 제 2 타겟 지지부재(950)를 포함하여 구성된다.The process chamber 900 for sequentially forming the antistatic layer 330 and the protective layer 340 through the sputtering method includes a substrate support member 910, a first target 920, a first target support member 930, 2 target 940, and a second target support member 950. [

기판 지지부재(910)는 수평 방향으로 이동 가능하도록 공정 챔버(900)의 바닥면에 설치되어 로드락 챔버(800)로부터 로딩되는 기판(310)을 지지한다.A substrate support member 910 is mounted on the bottom surface of the process chamber 900 to be movable in the horizontal direction to support the substrate 310 to be loaded from the load lock chamber 800.

제 1 타겟(920)은 기판(310) 상에 정전기 방지층(330)을 증착하기 위한 ZTO 물질로 형성된다.The first target 920 is formed of a ZTO material for depositing the antistatic layer 330 on the substrate 310.

제 1 타겟 지지부재(930)는 기판 지지부재(910)와 대향되도록 공정 챔버(900)의 상부 일측에 설치되어 제 1 타겟(920)을 지지한다.The first target support member 930 is disposed on the upper side of the process chamber 900 to support the first target 920 so as to face the substrate support member 910.

제 2 타겟(940)은 제 1 타겟(920)에 인접하도록 나란하게 설치되며, 기판(310) 상에 형성될 정전기 방지층(330) 상에 보호층(340)을 증착하기 위한 SiOx 물질로 형성된다.The second target 940 is disposed adjacent to the first target 920 and is formed of an SiOx material for depositing the protective layer 340 on the antistatic layer 330 to be formed on the substrate 310 .

제 2 타겟 지지부재(950)는 제 1 타겟 지지부재(930)와 나란하도록 공정 챔버(900)의 상부 타측에 설치되어 제 2 타겟(940)을 지지한다.The second target support member 950 is disposed on the upper side of the process chamber 900 to support the second target 940 so as to be parallel to the first target support member 930.

이러한, 공정 챔버(900)의 공정 순서를 단계적으로 설명하면 다음과 같다.The process sequence of the process chamber 900 will be described step by step.

먼저, 공정 챔버(900)의 기판 지지부재(910)에는 로드락 챔버(800)로부터 기판(310)이 로딩되어 안착된다.First, the substrate 310 is loaded and loaded from the load lock chamber 800 into the substrate support member 910 of the process chamber 900.

이어서, 기판 지지부재(910)에 기판(310)이 안착되면, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 상술한 물리적 기상 증착 방법 중에서 선택되는 스퍼터링 방법을 통해 제 1 타겟(920)의 ZTO 물질을 기판(310) 상에 증착시켜 기판(310) 상에 100Å ~ 1000Å 범위의 두께를 가지도록 ZTO 물질로 이루어지는 정전기 방지층(330)을 형성한다.10 (a), when the substrate 310 is placed on the substrate support member 910, the ZTO of the first target 920 is removed by the sputtering method selected from the physical vapor deposition methods described above, A material is deposited on the substrate 310 to form an antistatic layer 330 of ZTO material having a thickness in the range of 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM.

이어서, 정전기 방지층(330)이 형성된 기판(310)을 지지하는 기판 지지부재(910)를 제 2 타겟(940)에 대향되도록 수평 방향으로 이동시킨다.Subsequently, the substrate support member 910 for supporting the substrate 310 on which the antistatic layer 330 is formed is moved in the horizontal direction so as to face the second target 940.

이어서, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 정전기 방지층(330)의 형성 방법과 동일한 스퍼터링 방법을 통해 제 2 타겟(940)의 SiOx 물질을 정전기 방지층(330) 상에 증착시켜 정전기 방지층(330) 상에 200Å 이하의 두께를 가지도록 SiOx 물질로 이루어지는 보호층(340)을 형성한다.10 (b), the SiOx material of the second target 940 is deposited on the antistatic layer 330 through the same sputtering method as the method of forming the antistatic layer 330 to form the antistatic layer 330 A protective layer 340 made of an SiOx material is formed to have a thickness of 200 ANGSTROM or less.

마지막으로, 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이, 기판 지지부재(910)를 로드락 챔버(800) 쪽으로 수평 이동시킨 후, 정전기 방지층(330) 및 보호층(340)이 형성된 기판(310)을 기판 지지부재(910)에서 로드락 챔버(800)로 언로딩하고, 로드락 챔버(800)에 언로딩된 기판(310)을 기판 반송부(700)로 반송한다.10 (c), after the substrate support member 910 is horizontally moved toward the load lock chamber 800, the substrate 310 on which the antistatic layer 330 and the protective layer 340 are formed Unloaded from the substrate support member 910 to the load lock chamber 800 and the unloaded substrate 310 to the load lock chamber 800 is transferred to the substrate transfer section 700. [

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치는 하나의 공정 챔버(900)에서 기판(310) 상에 정전기 방지층(330)과 정전기 방지층(330) 상에 보호층(340)을 차례로 형성함으로써 정전기 방지층(330)의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.The apparatus for fabricating a liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention includes an antistatic layer 330 on a substrate 310 in a process chamber 900 and a protective layer 340 on the antistatic layer 330 The reliability of the antistatic layer 330 can be further improved.

한편, 상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 장치의 제조 장치에 의해 형성되는 정전기 방지층(330, 230) 및 보호층(340, 240)은 액정 표시 장치의 상부 기판, 또는 상부 기판과 하부 기판이 합착된 기판(310) 상에 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 액정 표시 장치 이외의 플라즈마 디스플레이 패널, 전계 방출 표시 장치, 발광 다이오드 표시 장치 등을 포함하는 평판 표시 장치 또는 터치 스크린이 내장된 상기 평판 표시 장치의 상부 기판의 외부면에 형성될 수도 있다.Meanwhile, the antistatic layers 330 and 230 and the protective layers 340 and 240 formed by the apparatus for manufacturing a liquid crystal display according to the first and second embodiments of the present invention may be formed on the upper substrate of the liquid crystal display device, The present invention is not limited to this, and may be applied to a flat panel display device including a plasma display panel other than a liquid crystal display device, a field emission display device, a light emitting diode display device, and the like. Or may be formed on an outer surface of the upper substrate of the flat panel display device having a built-in touch screen.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110, 210: 하부 기판 112, 114: 화소 어레이
120, 220: 상부 기판 122: 블랙 매트릭스
124R, 124G, 124B: 컬러필터 126: 오버코트층
130, 230, 330: 정전기 방지층 140, 240, 340: 보호층
300, 700: 기판 반송부 310: 기판
400, 800: 로드락 챔버 500, 600, 900: 공정 챔버
510, 610, 910: 기판 지지부재 520, 920: 제 1 타겟
530, 630, 930, 950: 타겟 지지부재 620, 940: 제 2 타겟110, 210: lower substrate 112, 114: pixel array
120, 220: upper substrate 122: black matrix
124R, 124G, 124B: color filter 126: overcoat layer
130, 230, 330: antistatic layer 140, 240, 340: protective layer
300, 700: substrate transfer section 310: substrate
400, 800: load lock chamber 500, 600, 900: process chamber
510, 610, 910: substrate support member 520, 920: first target
530, 630, 930, 950: target supporting member 620, 940: second target

Claims (22)

서로 대향되도록 합착된 하부 기판과 상부 기판;
상기 상부 기판의 외부면에 배치되고, 투명한 산화 물질로 이루어진 정전기 방지층; 및
상기 정전기 방지층 상에 배치되고, 산화 물질로 이루어진 보호층을 포함하며,
상기 정전기 방지층은 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지는 평판 표시 장치.A lower substrate and an upper substrate bonded together to face each other;
An antistatic layer disposed on an outer surface of the upper substrate and made of a transparent oxidizing material; And
A protective layer disposed on the antistatic layer and made of an oxidized material,
Wherein the antistatic layer has a resistance value of several tens of M? /? To several G? / ?. 제 1 항에 있어서,
상기 정전기 방지층은 ZTO(Zinc Tin Oxide) 물질인 평판 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the antistatic layer is a Zinc Tin Oxide (ZTO) material. 제 2 항에 있어서,
상기 정전기 방지층은 100Å ~ 1000Å 범위의 두께인 평판 표시 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the antistatic layer has a thickness in a range of 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보호층은 SiOx 물질인 평판 표시 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the protective layer is a SiOx material. 제 4 항에 있어서,
상기 보호층 200Å 이하의 두께인 평판 표시 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the protective layer has a thickness of 200 ANGSTROM or less. 제 1 항에 있어서,
상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판에는 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인이 구비된 평판 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the lower substrate or the upper substrate is provided with a touch detection line for detecting a touch position according to a user's touch. 제 1 항에 있어서,
상기 상부 기판의 두께는 상기 하부 기판의 두께와 같거나 얇은 평판 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the upper substrate is equal to or thinner than the thickness of the lower substrate. 상부 기판의 일측면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 산화 물질로 이루어진 정전기 방지층을 형성하는 단계;
상기 정전기 방지층 상에 산화 물질로 이루어진 보호층을 형성하는 단계;
하부 기판의 일측면에 복수의 화소를 포함하는 화소 어레이를 형성하는 단계; 및
상기 상부 기판의 타측면과 상기 하부 기판의 일측면이 서로 대향되도록 합착하는 단계를 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.Forming an antistatic layer made of a transparent oxidizing material on one side of the upper substrate so as to have a resistance value of several tens of M? /? To several G? / Square;
Forming a protective layer of an oxidized material on the antistatic layer;
Forming a pixel array including a plurality of pixels on one side of the lower substrate; And
And bonding the other side of the upper substrate and the side of the lower substrate so as to face each other. 하부 기판과 상부 기판을 서로 대향되도록 합착하는 단계;
상기 하부 기판과 상부 기판 각각의 외부면을 소정 두께로 식각하는 단계;
상기 식각된 상부 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 산화 물질로 이루어진 정전기 방지층을 형성하는 단계; 및
상기 정전기 방지층 상에 산화 물질로 이루어진 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.Attaching the lower substrate and the upper substrate to face each other;
Etching the outer surface of each of the lower substrate and the upper substrate to a predetermined thickness;
Forming an antistatic layer made of a transparent oxidizing material on the outer surface of the etched upper substrate so as to have a resistance value of several tens of M? /? To several G? / Square; And
And forming a protective layer made of an oxidized material on the antistatic layer. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 정전기 방지층은 ZTO(Zinc Tin Oxide) 물질인 평판 표시 장치의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the antistatic layer is a Zinc Tin Oxide (ZTO) material. 제 10 항에 있어서,
상기 정전기 방지층은 100Å ~ 1000Å 범위의 두께인 평판 표시 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the antistatic layer has a thickness in the range of 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 보호층은 SiOx 물질인 평판 표시 장치의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the protective layer is a SiOx material. 제 12 항에 있어서,
상기 보호층 200Å 이하의 두께인 평판 표시 장치의 제조 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the protective layer has a thickness of 200 ANGSTROM or less. 제 10 항에 있어서,
상기 정전기 방지층은 DC(Direct Current) 스퍼터링(Sputtering) 방법, DC 펄스(Pulsed DC) 스퍼터링 방법, AC(Alternating Current) 스퍼터링 방법, RF(Radio Frequency) 스퍼터링 방법, MF(Medium Frequency) 스퍼터링 방법, DC-RF 스퍼터링 방법, 마그네트론(Magnetron) 스퍼터링 방법, DC 마그네트론 스퍼터링 방법, AC 마그네트론 스퍼터링 방법, 및 RF 마그네트론 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 평판 표시 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The antistatic layer may be formed by a direct current (DC) sputtering method, a DC pulse sputtering method, an AC (Alternating Current) sputtering method, an RF (radio frequency) sputtering method, a MF (medium frequency) sputtering method, The method of manufacturing a flat panel display device according to any one of the preceding claims, wherein the sputtering method is one of an RF sputtering method, a magnetron sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an AC magnetron sputtering method, and an RF magnetron sputtering method. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인을 상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판에 형성하는 단계를 더 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
And forming a touch detection line on the lower substrate or the upper substrate to detect a touch position according to a user's touch. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 상부 기판의 두께는 상기 하부 기판의 두께와 같거나 얇은 평판 표시 장치의 제조 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the thickness of the upper substrate is equal to or thinner than the thickness of the lower substrate. 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 산화 물질로 이루어진 정전기 방지층을 형성하기 위한 제 1 공정 챔버;
상기 정전기 방지층 상에 산화 물질로 이루어진 보호층을 형성하기 위한 제 2 공정 챔버; 및
상기 기판을 상기 제 1 공정 챔버에 로딩시킨 후, 상기 제 1 공정 챔버에서 상기 정전기 방지층이 형성된 기판을 상기 제 2 공정 챔버에 로딩시키기 위한 로드락 챔버를 포함하는 평판 표시 장치의 제조 장치.A first process chamber for forming an antistatic layer made of a transparent oxidizing material so as to have a resistance value of several tens of M? /? To several G? / Square on the outer surface of the substrate;
A second process chamber for forming a protective layer of an oxidized material on the antistatic layer; And
And a load lock chamber for loading the substrate with the antistatic layer in the first process chamber and loading the substrate with the antistatic layer into the second process chamber after loading the substrate into the first process chamber. 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 공정 챔버는,
상기 로드락 챔버로부터 로딩되는 상기 기판을 지지하는 제 1 기판 지지부재;
ZTO(Zinc Tin Oxide) 물질로 형성된 제 1 타겟; 및
상기 제 1 기판 지지부재에 대향되도록 설치되어 상기 제 1 타겟을 지지하는 제 1 타겟 지지부재를 포함하며,
상기 정전기 방지층은 스퍼터링 방법에 의해 상기 기판의 외부면에 상기 ZTO 물질로 형성되는 평판 표시 장치의 제조 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the first process chamber comprises:
A first substrate support member for supporting the substrate loaded from the load lock chamber;
A first target formed of a Zinc Tin Oxide (ZTO) material; And
And a first target supporting member installed to face the first substrate supporting member and supporting the first target,
Wherein the antistatic layer is formed of the ZTO material on an outer surface of the substrate by a sputtering method. 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 공정 챔버는,
상기 로드락 챔버로부터 로딩되는 상기 정전기 방지층이 형성된 상기 기판을 지지하는 제 2 기판 지지부재;
SiOx 물질로 형성된 제 2 타겟; 및
상기 제 2 기판 지지부재에 대향되도록 설치되어 상기 제 2 타겟을 지지하는 제 2 타겟 지지부재를 포함하며,
상기 보호층은 스퍼터링 방법에 의해 상기 정전기 방지층 상에 상기 SiOx 물질로 형성되는 평판 표시 장치의 제조 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the second process chamber comprises:
A second substrate support member for supporting the substrate on which the antistatic layer is to be loaded, the substrate being loaded from the load lock chamber;
A second target formed of an SiOx material; And
And a second target supporting member installed to face the second substrate supporting member and supporting the second target,
Wherein the protective layer is formed of the SiOx material on the antistatic layer by a sputtering method. 기판의 외부면에 수십 ㏁/□ 내지 수 GΩ/□의 저항 값을 가지도록 투명한 산화 물질로 이루어진 정전기 방지층과 상기 정전기 방지층 상에 산화 물질로 이루어진 보호층을 차례로 형성하기 위한 공정 챔버; 및
상기 기판을 상기 공정 챔버에 로딩시키거나, 상기 공정 챔버에서 상기 정전기 방지층과 상기 보호층이 형성된 기판을 언로딩시키기 위한 로드락 챔버를 포함하는 평판 표시 장치의 제조 장치.A process chamber for sequentially forming an antistatic layer made of a transparent oxidizing material and a protective layer made of an oxidizing material on the antistatic layer so as to have a resistance value of several tens of M? /? To several G? /? And
And a load lock chamber for loading the substrate into the process chamber or unloading the substrate having the antistatic layer and the protective layer formed thereon in the process chamber. 제 20 항에 있어서,
상기 공정 챔버는,
ZTO(Zinc Tin Oxide) 물질로 형성된 제 1 타겟;
상기 제 1 타겟을 지지하는 제 1 타겟 지지부재;
SiOx 물질로 형성되어 상기 제 1 타겟에 인접하도록 배치되는 제 2 타겟;
상기 제 2 타겟을 지지하는 제 2 타겟 지지부재; 및
수평 방향으로 이송 가능하도록 설치되어 상기 로드락 챔버로부터 로딩되는 상기 기판을 상기 제 1 타겟 또는 상기 제 2 타겟에 대향되도록 지지하는 기판 지지부재를 포함하며,
상기 정전기 방지층은 스퍼터링 방법에 의해 상기 ZTO 물질로 형성되고, 상기 보호층은 상기 SiOx 물질로 형성되는 평판 표시 장치의 제조 장치.21. The method of claim 20,
The process chamber includes:
A first target formed of a Zinc Tin Oxide (ZTO) material;
A first target supporting member for supporting the first target;
A second target formed of an SiOx material and disposed adjacent to the first target;
A second target supporting member for supporting the second target; And
And a substrate support member that is horizontally transportable and supports the substrate loaded from the load lock chamber so as to face the first target or the second target,
Wherein the antistatic layer is formed of the ZTO material by a sputtering method, and the protective layer is formed of the SiOx material. 제 17 항 또는 제 20 항에 있어서,
상기 기판은 평판 표시 장치의 상부 기판 또는 상기 평판 표시 장치의 하부 기판과 상기 상부 기판이 합착된 기판이며,
상기 정전기 방지층은 상기 상부 기판의 외부면에 형성되는 평판 표시 장치의 제조 장치.21. The method according to claim 17 or 20,
Wherein the substrate is an upper substrate of the flat panel display device or a lower substrate of the flat panel display device and the upper substrate,
Wherein the antistatic layer is formed on the outer surface of the upper substrate.
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