KR101641957B1 - 패턴 형성 방법, 이를 이용하여 제조한 표시 기판 및 표시 장치 - Google Patents

패턴 형성 방법, 이를 이용하여 제조한 표시 기판 및 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 위에 베이스층을 형성하는 단계, 상기 베이스층 위에 접착력 강화층을 형성하는 단계, 상기 접착력 강화층 위에 레지스트층을 형성하는 단계, 볼록부와 오목부를 갖는 기본체 위에 소수성 작용기를 갖는 코팅층을 형성하여 몰드를 마련하는 단계, 상기 몰드를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스층을 에칭하여 소정의 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법, 이를 이용하여 제조한 표시 기판 및 표시 장치에 관한 것이다.
몰드, 접착성, 계면 에너지, 소수성, 접촉각

Description

패턴 형성 방법, 이를 이용하여 제조한 표시 기판 및 표시 장치{METHOD OF FORMING PATTERNS, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE SAME}
본 발명은 패턴 형성 방법, 이를 이용하여 제조한 표시 기판 및 표시 장치에 관한 것이다.
표시 소자 및 전자 장치를 형성하기 위하여, 포토 리소그래피 공정이 널리 이용된다. 그러나, 상기 포토 리소그래피 공정은 노광 장비와 같은 고가의 장비를 사용해야 하므로 초기 투자 비용이 크고, 또한 고가의 마스크가 필요하고 공정이 복잡하여 운용 비용도 비싸다.
이에 따라, 마스크를 이용하지 않는 임프린트 리소그래피 공정에 대한 기술이 대두되고 있다. 임프린트 리소그래피 공정은 기판 상에 도장을 찍듯이 레지스트 패턴을 형성하는 것으로, 비교적 적은 비용으로 미세 패턴을 대량 제조할 수 있다는 장점이 있다.
임프린트 리소그래피 공정은 먼저 기판 상에 레지스트층을 형성하고, 일정한 패턴을 가지는 몰드를 이용하여 레지스트층에 몰드의 패턴을 각인시킨다. 다음, 노광 또는 열처리 등을 통한 경화 공정을 거친 후 몰드를 레지스트층으로부터 분리하여 레지스트 패턴을 형성하게 된다. 이후, 형성된 레지스트 패턴을 이용하여 패턴 형성 대상이 되는 금속막을 식각하고, 이후의 스트립 공정을 통하여 레지스트 패턴을 제거하게 된다.
여기서, 상기한 여러 공정을 수행한 이후에 몰드와 기판을 분리하여야 하는데, 레지스트층에 몰드의 패턴을 각인시키는 공정에서 가해지는 고압으로 인하여 몰드가 파손될 수도 있고, 또한 몰드와 레지스트층이 서로 밀착되어 있는 경우가 많기 때문에 몰드를 레지스트층으로부터 분리할 때 레지스트층과 밀착되었던 몰드의 표면에 레지스트층의 일부분이 제대로 분리되지 않고 침착되는 경우가 발생한다. 이러한 경우, 몰드를 재사용하기 위하여 몰드의 표면을 따로 세정하는 공정이 별도로 필요하게 되고, 나아가 침착된 레지스트층으로 인하여 몰드 자체의 수명이 단축될 수 있는 문제가 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이를 해결하기 위한 것으로서, 패턴 형성용 몰드를 레지스트층으로부터 용이하게 분리할 수 있는 방법 및 이를 이용해 제작한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제에 의하여 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수있을 것이다.
상기 목적은 기판 위에 베이스층을 형성하는 단계, 상기 베이스층 위에 접착력 강화층을 형성하는 단계, 상기 접착력 강화층 위에 레지스트층을 형성하는 단계, 볼록부와 오목부를 갖는 기본체 위에 소수성 작용기를 갖는 코팅층을 형성하여 몰드를 마련하는 단계, 상기 몰드를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스층을 에칭하여 소정의 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법에 의하여 달성된다.
상기 접착력 강화층은 메틸기를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 메틸기를 포함하는 화합물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammoniumhydroxide, TMAH)를 포함할 수 있다.
상기 소수성 작용기를 갖는 코팅층은 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)를 포함할 수 있다.
상기 코팅층은 상기 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 0.3w% 내지 3w% 포함할 수 있다.
상기 레지스트층은 광감음 가교제(photo-crosslinker)를 포함할 수 있다.
상기 레지스트층은 광개시제(photo-initiator), 잡착력 촉진제(adhesion promotor) 및 계면 활성제(surfactant) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 광감응 가교제는 다중 관능기를 포함할 수 있다.
상기 접착력 강화층의 접촉각은 15도 내지 35도일 수 있다.
상기 기본체 위에 상기 코팅층을 형성하는 단계는 상기 기본체 표면에 친수성 작용기를 형성하는 단계, 상기 친수성 작용기가 형성된 상기 기본체 표면 위에 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)을 도포하는 단계, 그리고 상기 도포된 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 상기 친수성 작용기와 반응시키는 단계를 포함를 포함할 수 있다.
상기 친수성 작용기는 히드록시기일 수 있다.
상기 기본체 표면에 친수성 작용기를 형성하는 단계는 상기 기본체 표면을 오존 처리 또는 자외선 처리하여 수행할 수 있다.
상기 오존 처리는 10분 내지 60분 동안 진행될 수 있다.
상기 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 상기 친수성 작용기와 반응시키는 단계는 15분 내지 1시간 동안 상온에서 진행될 수 있다.
상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 몰드로 상기 레지스트층을 압인(imprinting)하여 비패턴부 및 패턴부를 포함하는 프리 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 프리 레지스트 패턴을 노광하여 경화 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 경화 레지스트 패턴으로부터 상기 몰드를 분리하는 단계, 상기 경화 레지스트 패턴을 애싱하여 상기 비패턴부를 제거함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다른 목적은 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전 극, 상기 데이터선과 드레인 전극 위에 형성되어 있는 보호막, 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하고, 상기 게이트선, 상기 게이트 절연막, 상기 반도체층, 상기 데이터선 및 드레인 전극, 상기 보호막, 그리고 상기 화소 전극 중 적어도 하나의 상부에는 메틸기를 함유하는 화합물을 포함하는 접착력 강화층이 위치하는 표시 장치에 의하여 달성된다.
상기 메틸기를 포함하는 화합물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammoniumhydroxide, TMAH)를 포함할 수 있다.
상기 접착력 강화층의 접촉각은 15도 내지 35도일 수 있다.
상기 접착력 강화층은 친수성일 수 있다.
상기 또다른 목적은 기판 위에 위치하며 소정의 패턴을 포함하는 베이스층 그리고 상기 베이스층 위에 위치하는 접착력 강화층을 포함하는 표시 기판에 의하여 달성된다.
상기 베이스층은 금속, SiOx 또는 SiNx 중 적어도 하나의 물질로 이루어진 박막을 포함할 수 있다.
상기 접착력 강화층은 메틸기를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 메틸기를 포함하는 화합물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammoniumhydroxide, TMAH)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 방법을 적용하면, 박막 패턴 형성 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한 몰드를 레지스트층으로부터 용이하게 분리할 수 있어서 몰드 자체의 수명을 연장할 수 있고, 몰드를 사용하여 형성한 레지스트층의 패턴 불량을 줄일 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의된다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 몰드(50)에 대하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 몰드(50)는 볼록부(51)와 오목부(53)를 포함하는 표면을 가지며 고분자 물질로 이루어진 기본체(55), 상기 기본체(55) 위에 형성되고 아민기를 가지는 화합물로 이루어진 코팅층(60)을 포함하고 있다. 여기서 코팅층(60)은 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)을 포함할수 있다.
몰드(50)의 볼록부(51) 및 오목부(53)에는 오존 처리에 의하여 친수성 작용기인 히드록시기가 도입된다.
상기 친수성 작용기의 도입을 오존 처리 시간에 따라 몰드(50)의 표면에 도입되는 히드록시기의 상태 변화를 보여주는 FT-IR 그래프인 도 2를 참조하여 보면 하기와 같다.
정성적인 측면에서 보면, 3,300-3,500 파장(wavenumber, cm-1)에서 넓게 퍼진 모양인 히드록시기(-OH)의 특징적인 피크를 볼 수 있다. 정량적인 측면에서 보면, 오존 처리를 하지 않은 그래프 (A)에서, 오존 처리 시간 10분인 그래프 (B), 30분인 그래프 (C), 50분인 그래프 (D)로 갈수록 히드록시기(-OH)의 특징적인 피크 모두 흡광도(absorbance unit)의 세기가 증가하며, 이는 오존 처리 시간이 길어질수록 더 많은 친수성 작용기, 즉 히드록시기(-OH)가 몰드(50)의 표면에 도입된다는 것을 의미한다.
이하, 도 1 및 3a 내지 도 3c를 참조로 하여 몰드(50)를 헥사메틸디실라잔(HMDS) 표면 처리하는 과정을 설명한다.
도 3a 및 도 3b에서와같이 몰드(50)를 오존 처리하여 친수성 작용기인 히드록시기를 몰드(50)의 표면에 도입한다. 다음, 도 3c에서와 같이 히드록시기가 표면에 도입된 몰드(50)의 표면에 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)을 도포하고, 15분 내지 1시간 동안 상온에서 반응을 진행하여, 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 포함하는 화합물을 형성시키면, 도 1과 같이, 몰드(50)의 표면에 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 포함하는 코팅층(60)이 수 나노미터의 두께로 형성된다. 마지막으로, 몰드(50)의 표면을 증류수 또는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)과 같은 용매를 사용하여 세정하여, 미반응 물질을 제거한다.
상기한 헥사메틸디실라잔(HMDS) 표면 처리에 의하여 몰드(50)의 볼록부(51) 및 오목부(53)에는 소수성 작용기가 도입된다. 이와 같이 헥사메틸디실라잔(HMDS) 표면 처리에 의해 소수성 작용기가 몰드(50)의 표면에 도입되어 몰드(50)는 낮은 계면 에너지를 가지게 되어, 이후 몰드(50)를 경화 레지스트 패턴(40b)으로부터 용이하게 분리할 수 있다.
다음, 도 4a 내지 도 4d 및 도 5d를 참조로 하여 본 발명의 실시예에 따른 기판(50) 및 기판(50)을 표면 처리하는 방법에 대하여 설명한다. 도 4a 및 도 4b에서와 같이 유리 또는 플라스틱 등의 기판(10) 위에 베이스층(20)을 형성한다. 베이스층(20)은 금속, SiOx 및 SiNx 등의 물질로 이루어진 박막이다. 이는 실제 표시 장치에서 사용되는 전극 등의 여러 층이 상기한 금속, SiOx 및 SiNx 등으로 이루어지는 경우가 많기 때문에 베이스층(20)을 이루는 물질로써 예시한 것이다.
다음, 도 4c에서와 같이 베이스층(20) 위에 메틸기를 포함하는 화합물인 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammoniumhydroxide, TMAH) 0.3w% 내지 3% 용액을 도포하여 접착력 강화층(30)을 형성한다.
다음, 도 4d에서와 같이 접착력 강화층(30) 위에 광감응 가교제(photo-crosslinker)를 포함하는 레지스트층(40)을 도포한다. 여기서, 레지스트층(40)은 광이 조사되면 경화되어 도 5d와 같은 경화 레지스트층(40b)을 형성하게 된다. 여기서, 레지스트층(40)은 광개시제(photo-initiator), 접착력 향상제(adhesion promotor) 및 계면 활성제(surfactant) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
접착력 강화층(30)은 실제 표시 장치에서 사용되는 전극 등의 여러 층으로 사용하는 물질로 이루어진 베이스층(20)과 레지스트층(40) 사이에 형성되어 있으며, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 포함하고 있어, 기판(10) 위의 베이 스층(20)과 레지스트층(40) 사이의 접착력을 향상시키는 역할을 한다. 이에 따라, 볼록부(51) 및 오목부(53)가 형성된 몰드(50)를 사용하여 레지스트층(40)을 압인하여 소정의 형상을 프린트한 이후, 몰드(50)를 레지스트층(40)으로부터 분리할 때 레지스트층(40)이 기판(10) 측에 더 강하게 접착될 수 있다. 즉, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)로 표면 처리된 기판(10)의 접촉각은 15도 내지 35도로 비교적 친수성인 표면이 되고, 이로 인하여 높은 계면 에너지 값을 가지게 된다. 따라서, 액상의 레지스트층(40)과 계면 접촉성이 증대되어 경화 후에 기판(10)과 경화 레지스트층(40b) 간의 접착성이 증가되고, 상대적으로 몰드(50)의 표면은 소수성인 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 표면 처리되어 몰드(50)와 경화 레지스트층(40b) 사이에서 낮은 계면 에너지 값을 가지게 되어, 결과적으로 저비용으로 제조 공정의 수를 늘리지 않으면서도 원하는 패턴 형성 후에 몰드(50)를 경화 레지스트층(40b)으로부터 용이하게 분리할 수 있다. 또한, 경화 레지스트층(40b)이 몰드(50) 표면에 잔존하여 발생하는 불량 현상을 방지할 수 있어 공정 마진율의 증대 및 높은 수율을 기대할 수 있으며 간단한 공정으로 몰드(50) 자체의 수명을 연장할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는 바, 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이하에서는 도 5a 내지 도 7을 통하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
< 실시예 >
본 실시예에서는 헥사메틸디실라잔(HMDS) 표면 처리하여 코팅층(60)이 형성되어 있는 몰드(50)를 사용하여 기판(10) 위에 패턴을 형성하는 방법을 기술한다.
먼저, 도 5a에서와 같이, 베이스층(20), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 포함하는 접착력 강화층(30) 및 레지스트층(40)을 가지는 기판(10)을 마련한다.
다음, 볼록부(51) 및 오목부(53) 위에 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 표면 처리하여 이루어진 코팅층(60)을 가지는 몰드(50)를 준비한다.
여기서, 몰드(50)의 헥사메틸디실라잔(HMDS) 표면 처리와 기판(10)의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 표면 처리는 순서가 바뀌어도 무방하다.다음, 코팅층(60)이 도포된 몰드(50)를 레지스트층(40) 위에 배치한다. 이때, 몰드(50)는 원하는 부분에 패턴을 형성할 수 있도록 정확한 위치에 배치하여야 한다.
다음, 도 5b에서와 같이, 몰드(50)를 사용하여 레지스트층(40)을 압인(imprinting)하여 패턴부(43a) 및 비패턴부(41a)를 포함하는 프리 레지스트 패턴(40a)을 형성한다.
다음, 도 5c 및 도 5d에서와 같이, 250nm 내지 400nm의 파장의 빛으로 1분 30초간 압인된 프리 레지스트 패턴(40a)을 노광하여 경화 레지스트 패턴(40b)을 형성한 후, 경화 레지스트 패턴(40b)으로부터 몰드(50)를 분리한다. 여기서, 몰드(50)의 표면은 헥사메틸디실라잔(HMDS)으로 처리하여 소수성이 되고, 기판(10) 측은 접착력 강화층(30)으로 인해 친수성이 되어 경화 레지스트 패턴(40b)은 계면 에너지가 높은 기판(10) 측에 남게 된다. 따라서 몰드(50)와 경화 레지스트 패 턴(40b)의 분리가 용이하다.
이후, 도 5e 및 도 5f에서와 같이, 경화 레지스트 패턴(40b)을 애싱(ashing)하여 불필요한 비패턴부(41a)를 제거하여 레지스트 패턴(40c)을 형성한다.
다음, 레지스트 패턴(40c)을 오븐에서 225℃ 에서 45분 동안 열처리하여, 레지스트 패턴(40c)과 접착력 강화층(30)과의 접착력을 더욱 증대시키고 공정 중 불필요한 용매를 증발시킨다.
다음, 도 5g에서와 같이, 열처리된 레지스트 패턴(40c)을 에칭 공정에 적용하여 패턴 형성부에 소정의 패턴(20a)을 형성한다. 이 때, 접착력 강화층(30) 또한 에칭되어 패턴(20a)과 동일한 형태의 잔류 접착력 강화층(30a)의 형태가 된다.
다음, 도 5h에서와 같이 레지스트 패턴(40c)을 스트리핑하여 패턴(20a)으로부터 제거한다. 레지스트 패턴(40c)을 제거한 후에도 잔류 접착력 강화층(30a)은 패턴(20a) 상부에 잔존할 수 있는데, 잔류 접착력 강화층(30a)에 포함되는 물질이 저분자 화합물이고 베이스층(20)에 포함되는 물질과 추가적으로 반응하지 않기 때문에 잔존해도 무방하다.
그러면, 이하에서는 상술한 본 발명의 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 사용하여 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
기판(10) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선 (121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(124)을 이룬다.
게이트선(121) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있고, 그 위에는 섬형 반도체층(154) 및 저항성 접촉층 (163, 165)이 형성되어 있다. 저항성 접촉층(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선 (171) 및 복수의 드레인 전극 (175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극 (173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 섬형 반도체층(154)과 함께 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 섬형 반도체층(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 접촉 구멍(185)을 가지는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있고 그 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다.
이러한 구조의 박막 트랜지스터 표시판에서, 상기 게이트선(121), 상기 게이트 절연막(140), 상기 반도체층(154), 상기 데이터선(171) 및 드레인 전극(175), 상기 보호막(180), 그리고 상기 화소 전극(191) 중 적어도 하나의 상부에는 상술한 본 발명의 실시예에 따른 메틸기를 함유하는 화합물을 포함하는 접착력 강화층(30)이 형성될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들을 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 몰드의 단면도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 몰드를 표면 처리하는 공정 중 오존 처리 시간에 따라 몰드의 표면에 도입되는 히드록시기의 상태 변화를 보여주는 FT-IR 그래프이고,
도 3a 내지 도 3c는 몰드를 표면 처리하는 공정을 차례로 보여주는 단면도이고,
도 4a 내지 도 4d은 본 발명의 실시예에 따른 기판 및 기판을 표면 처리하는 방법을 차례로 보여주는 단면도이며,
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 차례로 보여주는 단면도이고,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

Claims (23)

  1. 기판 위에 베이스층을 형성하는 단계,
    상기 베이스층 위에 접착력 강화층을 형성하는 단계,
    상기 접착력 강화층 위에 레지스트층을 형성하는 단계,
    볼록부와 오목부를 갖는 기본체를 준비한 후, 상기 기본체 위에 소수성 작용기를 갖는 코팅층을 형성하여 몰드를 마련하는 단계,
    상기 몰드를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스층을 에칭하여 소정의 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 기본체 위에 상기 코팅층을 형성하는 단계는 상기 기본체 표면을 오존 처리 또는 자외선 처리하여 상기 기본체 표면에 히드록시기를 형성하는 단계,
    상기 히드록시기가 형성된 상기 기본체 표면 위에 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)을 도포하는 단계 및
    상기 도포된 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 상기 히드록시기와 반응시키는 단계를 포함하는
    패턴 형성 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 접착력 강화층은 메틸기를 포함하는 화합물을 포함하는 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 메틸기를 포함하는 화합물은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammoniumhydroxide, TMAH)를 포함하는 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 소수성 작용기를 갖는 코팅층은 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)를 포함하는 패턴 형성 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 코팅층은 상기 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 0.3w% 내지 3w% 포함하는 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에서,
    상기 레지스트층은 광감응 가교제(photo-crosslinker)를 포함하는 패턴 형성 방법.
  7. 제6항에서,
    상기 레지스트층은 광개시제(photo-initiator), 잡착력 촉진제(adhesion promotor) 및 계면 활성제(surfactant) 중 적어도 하나를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
  8. 제6항에서,
    상기 광감응 가교제는 다중 관능기를 포함하는 패턴 형성 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제1항에서,
    상기 오존 처리는 10분 내지 60분 동안 진행되는 패턴 형성 방법.
  14. 제1항에서,
    상기 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 상기 히드록시기와 반응시키는 단계는 15분 내지 1시간 동안 상온에서 진행하는 패턴 형성 방법.
  15. 제1항에서,
    상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 몰드로 상기 레지스트층을 압인(imprinting)하여 비패턴부 및 패턴부를 포함하는 프리 레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 프리 레지스트 패턴을 노광하여 경화 레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 경화 레지스트 패턴으로부터 상기 몰드를 분리하는 단계,
    상기 경화 레지스트 패턴을 애싱하여 상기 비패턴부를 제거함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    상기 레지스트 패턴을 열처리하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  16. 볼록부과 오목부를 갖는 기본체를 준비하는 단계,
    상기 기본체 표면을 오존 처리 또는 자외선 처리하여 상기 기본체 표면에 히드록시기를 형성하는 단계,
    상기 히드록시기가 형성된 상기 기본체 표면 위에 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane, HMDS)을 도포하는 단계 및
    상기 도포된 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 상기 히드록시기와 반응시켜 상기 기본체 위에 소수성 작용기를 갖는 코팅층을 형성하는 단계
    를 포함하는 몰드 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제16항에서,
    상기 오존 처리는 10분 내지 60분 동안 진행되는 몰드 제조 방법.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201506753A (zh) 2013-07-29 2015-02-16 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 觸控視窗以及包含其之觸控裝置
KR101705990B1 (ko) * 2015-10-12 2017-02-13 한국과학기술원 고분자 구조체의 제조 방법 및 그 고분자 구조체를 이용하여 미세 패턴이 형성된 구조체의 제조 방법
JP7112220B2 (ja) * 2017-05-12 2022-08-03 キヤノン株式会社 方法、装置、システム、および物品の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001117235A (ja) 1999-08-06 2001-04-27 Hyundai Electronics Ind Co Ltd フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体とその製造方法、これを利用したフォトレジスト組成物、及び、半導体素子
US20080063976A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist Composition and Method Of Forming A Resist Pattern
JP2008142915A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Toppan Printing Co Ltd インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070105040A (ko) * 2006-04-25 2007-10-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레지스트 조성물, 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 및이를 이용하여 제조된 어레이 기판

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001117235A (ja) 1999-08-06 2001-04-27 Hyundai Electronics Ind Co Ltd フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体とその製造方法、これを利用したフォトレジスト組成物、及び、半導体素子
US20080063976A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist Composition and Method Of Forming A Resist Pattern
JP2008142915A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Toppan Printing Co Ltd インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法

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