KR101637160B1 - 이온 소스 - Google Patents

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Abstract

이온 소스는 자기장부, 전극을 포함한다. 자기장부는 피처리물을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄된다. 자기장부는 개방 일측에서 내측 자극과 외측 자극이 이격 배치되고, 폐쇄 타측에는 자심으로 연결되어, 개방 일측에서 플라즈마 전자의 가속 폐 루프를 형성한다. 내측 자극은 그 내부를 관통하여 가속 폐 루프의 방향으로 가스를 공급하는 가스 주입부를 갖는다. 전극은 자기장부 내의 가속 폐 루프의 하부에 자기장부와 이격 배치된다.

Description

이온 소스{Ion Source}
본 발명은 이온 소스에 관한 것으로, 상세하게는 자극에 가스 주입부를 갖는 이온 소스에 관한 것이다.
이온 소스(ion source)는 기판 개질이나 박막 증착에 유용하게 이용되고 있다. 이온 소스는 전극과 자극을 이용하여 폐쇄 루프(closed drift loop)를 형성하고, 이 루프를 따라 전자를 고속 이동시키는 구조로 되어 있다. 전자가 이동하는 폐쇄 루프 내에는 공정 챔버 외부로부터 그 내부로 이온 생성용 가스, 즉 이온화 가스가 연속적으로 공급된다.
미국특허 7,425,709는 외부로부터 이온 소스 내부로 이온화 가스를 공급받기 위한 별도의 가스 공급 튜브와 가스 확산용 부재를 구비하고 있다. 이와 같이, 종래의 이온 소스는 대부분 이온 소스의 후단에서 그 내부로 이온화 가스를 공급받아, 이온 소스의 내부에서 플라즈마를 발생시키고 이를 내/외부 압력차에 의한 확산으로 이온을 분출한다.
이러한 방식으로 인해, 종래의 이온 소스는 플라즈마 이온을 생성하는 과정에서 전극 면에 식각 현상이 일어난다. 식각된 금속이나 이산화규소 등은 압력차에 의해 플라즈마 이온과 함께 외부로 분출되어 불순물 오염의 원인이 되고 있다. 뿐만 아니라, 분출 영역에서의 파티클 입자들이 전극에 달라붙는 비율이 증가하고, 전극 사이에 아크도 발생한다. 이러한 불순물 생성이나 아크 발생은 이온 소스의 이온화 성능을 떨어뜨려 연속적 연구나 후속 공정을 저해하는 원인이 되고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로, 전극의 극성을 바꾸는 방법 등이 미국특허 6,750,600호, 6,870,164호, 한국특허공개 10-2011-0118622호 등에 제안되어 있다.
그러나, 이러한 해결 방법들은 전원의 극성을 전환시키는 별도 구성이 필요하다. 이로 인해, 종래의 해결책은 구조가 복잡하고 제조 비용도 높다. 더구나, 극성을 전환하는 것으로는 전극이나 자극에 증착된 이온들을 제거하는데 한계가 있다.
본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로,
첫째, 기판, 전극, 자극 등에 오염물이 증착되는 것을 최소화할 수 있고,
둘째, 공정 챔버 내의 이온 밀도를 조절할 수 있으며,
셋째, 아크와 이로 인한 파티클을 최소화할 수 있고,
넷째, 플라즈마 이온이 기판까지 원활하고 신속하게 이동하게 할 수 있는, 이온 소스를 제공하고자 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이온 소스는 자기장부, 전극 등을 포함할 수 있다.
자기장부는 피처리물을 향하는 일측이 개방되고 타측은 폐쇄된다. 개방 일측에는 내측 자극과 외측 자극이 이격 배치되어 개방 슬릿을 형성한다. 폐쇄 타측에는 자심으로 연결된다. 자기장부는 개방 일측에서 플라즈마 전자의 가속 폐 루프를 형성한다. 내측 자극은 가스 주입부를 갖는다. 가스 주입부는 가스 분출구를 개방 슬릿 또는 개방 슬릿보다 전방에 위치시킨다.
전극은 자기장부 내부에서 개방 슬릿의 하부, 즉 가속 폐 루프의 하부에 자기장부와 이격 배치된다.
본 발명에 따른 이온 소스에서, 가스 주입부는 가스 유입부, 가스 분산부, 가스 분출부를 포함할 수 있다.
가스 유입부는 외부로부터 가스가 유입한다.
가스 분산부는 가스 유입부에 연통되고, 내측 자극의 길이 방향을 따라 형성되며, 가스 유입부보다 넓은 단면을 갖는다.
가스 분출부는 내측 자극의 길이 방향을 따라 일측은 가스 분산부에 연통되고 타측인 가스 분출구는 가속 폐 루프로 개방된다. 가스 분출구는 가스 분산부보다 작은 단면을 가질 수 있다.
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본 발명에 따른 이온 소스에서, 가스 분출구는 이격된 다수의 관통공 또는 연속 슬릿일 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 이온 소스는 이온 소스 자체에서 식각 오염물이 생성되는 것을 최소화할 수 있고, 이로 인해 이온 소스의 전극이나 자극에 식각 오염물이 증착되는 것을 막을 수 있다. 또한, 원하는 물질만 증착되어야 하는 기판에 오염물이 증착되는 것도 차단할 수 있다.
본 발명의 이온 소스에 의하면, 이온화 가스 외에도 이온 밀도를 조절하기 위한 이온밀도 조절가스도 공급할 수 있어, 공정 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 이온 소스에 의하면, 플라즈마 이온이 기판까지 쉽게 이동할 수 있는 흐름을 만들어줌으로써, 플라즈마 이온의 기판 증착률을 높일 수 있다.
도 1a,1b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제1 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 2a,2b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제2 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 3a,3b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제3 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 4a,4b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제4 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 5a,5b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제5 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 6a,6b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제6 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 7a,7b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제7 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 8a,8b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제8 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 9a,9b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제9 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1a,1b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제1 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
제1 실시예는 자기장부(10), 내측 가스 주입부(20), 전극(30) 등을 포함하여 구성할 수 있다.
자기장부(10)는 기판을 향하는 전방은 개방되고, 측방 및 후방은 폐쇄된다. 개방 측에는 내측 자극(11)과 외측 자극(13)이 이격 배치된다. 내측 자극(11)의 하단에는 자석을 구비할 수 있다. 예를들어, 내측 자극(11)을 N극으로, 외측 자극(13)을 S극으로 할 수 있다.
폐쇄 측에는 내외측 자극(11,13)과 일체로 또는 분리 가능하게 결합되는 자심을 구비할 수 있다. 여기서, 자심은 개방 측에서 가속 폐 루프를 형성하는 내측 자극(11)과 외측 자극(13)을 제외한 그 후단부 전체를 의미할 수 있다. 외측 자극(13)은 자심을 통해 자석의 하단인 S극에 자기 결합되어 S극을 가질 수 있다. 자심은 자석의 하단인 S극의 자기력선이 통과하는 통로이며, 투자율이 높은 물질로 구성할 수 있다. 자심은 자석의 하단인 S극의 자기력선이 상단인 N극의 자기력선에 영향을 미치는, 즉 자석의 자기 영향을 최소화하는 기능도 수행할 수 있다.
내측 자극(11)은 가속 폐 루프의 방향으로 가스를 공급하는 내측 가스 주입부(20)를 구비할 수 있다. 도 1b에 도시한 바와 같이, 내측 가스 주입부(20)는 내측 가스 유입부(IN11), 내측 가스 분산부(DIS11), 내측 측방 가스 분출부(OUT11)를 포함할 수 있다.
내측 가스 유입부(IN11)는 외부로부터 가스가 유입한다. 내측 가스 유입부(IN11)는 내측 자극(11)을 관통하는 원형, 다각형 등의 관통부일 수 있고, 관통부 속에 원형, 다각형 등의 별도 튜브를 삽입하여 구성할 수도 있다. 내측 가스 유입부(IN11)는 이온 소스의 크기에 따라 소정 간격 이격시켜 다수를 형성할 수 있다.
내측 가스 유입부(IN11)로 주입하는 가스는 아르곤(Ar)과 같은 비반응성 가스, 산소(O2), 질소(N2)와 같은 반응성 가스, CH3COOH, CH4, CF4, SiH4, NH3, TMA(tri-methyl aluminum) 등과 같은 박막 형성용 가스 등이며, 경우에 따라서는 이들 가스를 혼합하여 사용할 수도 있다.
내측 가스 분산부(DIS11)는 내측 가스 유입부(IN11)과 연통하며, 단면을 원형, 다각형 등으로 구성할 수 있다. 내측 가스 분산부(DIS11)는 내측 자극(11)의 길이 방향을 따라 형성할 수 있다. 내측 가스 분산부(DIS11)는 내측 가스 유입부(IN11)보다 넓은 단면을 가질 수 있다. 내측 가스 분산부(DIS11)는 내측 가스 유입부(IN11)로부터 유입하는 가스를 내측 자극(11)의 내부 전체 영역으로 고르게 분산시킬 수 있다.
내측 측방 가스 분출부(OUT11)는 내측 자극(11)의 길이 방향, 즉 가장 자리를 따라 내측은 내측 가스 분산부(DIS11)에 연통되고 외측은 가속 폐 루프로 연통할 수 있다. 내측 측방 가스 분출부(OUT11)는 내측 가스 분산부(DIS11)보다 작은 단면을 가질 수 있다. 이를 통해, 내측 측방 가스 분출부(OUT11)는 내측 가스 분산부(DIS11) 내의 가스를 가속 폐 루프의 방향으로 분출할 수 있다. 내측 측방 가스 분출부(OUT11)는 연속 슬릿이나 다수의 관통공으로 구성할 수 있다.
전극(30)은 자기장부(10) 내에서 내측 자극(11)과 외측 자극(13)의 사이 공간에 위치할 수 있으며, 또한 가속 폐 루프의 하부에 자기장부(10)와 이격되어 위치할 수 있다.
전극(30)에는 전원(V)이 연결되며, 전원(V)은 AC 또는 DC의 고전압이다.
전극(30)에 고전압이 인가되면, 전극(30)에는 열이 발생한다. 이러한 발생열을 식히기 위해, 전극(30) 내에는 전극(30)을 가공하여 만든 냉각용 채널 또는 냉각 튜브(CT)를 구비할 수 있다. 냉각용 채널 또는 냉각 튜브(CT)는 전기 전도율 및 열 전도율이 우수한 금속으로 구성할 수 있다. 냉각용 채널 또는 냉각 튜브(CT)에는 냉각수가 흐른다.
도 1a,1b에 도시한 제1 실시예의 동작을 보면, 이온 소스는 자기장부(10)와 전극(30)으로 형성되는 자기장과 전기장에 의해 내측 자극(11)과 외측 자극(13) 사이에서 타원형 또는 원형의 가속 폐 루프를 형성할 수 있다. 가속 폐 루프에는 전자가 빠른 속도로 이동하면서 이온화 가스와 충돌하고, 그 결과 이온화 가스로부터 플라즈마 이온이 생성된다.
전극(30) 근처의 높은 전위차는 이온화 가스로부터 플라즈마 전자를 생성시키고, 자기장과 전기장은 가속 폐 루프 공간에서 플라즈마를 활성화시킨다. 플라즈마 전자 등의 음 전하는 가속 폐 루프를 따라 사이클로트론 운동을 하고, 플라즈마 이온을 포함하는 양 전하는 전기장에 의해 개방 측에 위치하는 기판으로 튕겨 나간다. 플라즈마 이온 등의 양 전하는 에너지를 가지고 기판으로 이동하여, 기판 표면에 에너지를 전달하거나 기판 표면의 분자 결합을 파괴하는 등의 역할을 한다.
제1 실시예는 이온 소스 내부의 전극(30) 후단에서 이온화 가스를 공급하지 않고 내측 자극(11)의 자극 단부에서 가속 폐 루프의 방향으로 이온화 가스를 주입하므로, 이온 소스 내부에서 플라즈마 전자나 이온들이 거의 생성되지 않는다. 즉, 개방 측 근처에서 플라즈마 이온을 생성하여 전기장에 의해 그것을 기판으로 이동시키는 방식이어서, 전극 내벽의 식각이나 불순물 오염에 따른 아크 등이 발생하기 어렵다.
도 2a,2b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제2 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 2a,2b에 도시한 바와 같이, 제2 실시예는 내측 가스 주입부(21)에서 기판 방향으로 개방되는 내측 전방 가스 분출부(OUT12)를 형성하고, 가속 폐 루프 방향으로 개방되는 제1 실시예의 내측 측방 가스 분출부(OUT11)를 포함하지 않을 수 있다.
내측 전방 가스 분출부(OUT12)는 내측 자극(11)의 길이 방향을 따라 형성할 수 있다. 내측 전방 가스 분출부(OUT12)의 일측은 내측 가스 분산부(DIS11)에 연통되고 타측은 기판 방향으로 연통된다. 내측 전방 가스 분출부(OUT12)는 내측 가스 분산부(DIS11)보다 작은 단면을 가져 내측 가스 분산부(DIS11) 내의 가스를 기판 방향으로 분출할 수 있다. 내측 전방 가스 분출부(OUT12)는 연속 슬릿이나 소정 간격으로 이격되는 다수의 관통공으로 구성할 수 있다.
내측 전방 가스 분출부(OUT12)를 통해 분출된 가스는 기판 방향으로 가스 유로를 형성할 수 있다. 가스 유로는 가속 폐 루프에서 생성된 플라즈마 이온을 기판까지 안내하는 길잡이 역할을 수행할 수 있어, 증착 등의 공정 효율을 높일 수 있다.
제2 실시예에서, 내측 가스 유입부(IN11)로 주입하는 가스는 아르곤(Ar)과 같은 비반응성 가스일 수 있다. 그러나, 산소(O2), 질소(N2)와 같은 반응성 가스, CH3COOH, CH4, CF4, SiH4, NH3, TMA(tri-methyl aluminum) 등과 같은 박막 형성용 가스 등을 배제하는 것은 아니다.
제2 실시예의 나머지 구성은 제1 실시예에서 내측 측방 가스 분출부(OUT11)를 제외한 구성과 동일 또는 유사하므로, 제2 실시예의 나머지 구성에 대한 상세 설명은 제1 실시예의 관련 설명으로 갈음한다.
도 3a,3b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제3 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 3a,3b에 도시한 바와 같이, 제3 실시예는 내측 가스 주입부(22)에서 내측 측방 가스 분출부(OUT11)와 내측 전방 가스 분출부(OUT12)를 모두 포함할 수 있다.
제3 실시예의 상세 설명은 제1 실시예의 내측 측방 가스 분출부(OUT11)와 제2 실시예의 내측 전방 가스 분출부(OUT12)의 설명과 제1 실시예의 나머지 구성에 대한 관련 설명으로 갈음한다.
도 4a,4b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제4 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 4a,4b에 도시한 바와 같이, 제4 실시예는 내측 자극(11)에 내측 가스 주입부(20)를 구비하고 외측 자극(13)에도 외측 가스 주입부(40)를 구비할 수 있다.
제4 실시예에서, 내측 가스 주입부(20)에 대한 상세 설명은 제1 실시예의 관련 설명으로 갈음한다.
제4 실시예에서, 외측 가스 주입부(40)는 외측 가스 유입부(IN21), 외측 가스 분산부(DIS21), 외측 측방 가스 분출부(OUT21)를 포함할 수 있다. 외측 가스 유입부(IN21), 외측 가스 분산부(DIS21), 외측 측방 가스 분출부(OUT21)의 구조 및 기능은 제1 실시예의 내측 가스 유입부(IN11), 내측 가스 분산부(DIS11), 내측 측방 가스 분출부(OUT11)와 동일 내지 유사하므로, 외측 가스 주입부(40)에 대한 상세 설명은 제1 실시예의 내측 가스 주입부(20)의 관련 설명으로 갈음한다.
다만, 내측 가스 유입부(20)로 주입하는 가스와 외측 가스 유입부(40)로 주입하는 가스는 동일 가스일 수 있고, 다른 종류의 가스일 수 있다. 예를들어, 다른 가스를 주입하는 경우, 내측 가스 유입부(20)로는 산소(O2), 질소(N2)와 같은 반응성 가스나 CH3COOH, CH4, CF4, SiH4, NH3, TMA(tri-methyl aluminum) 등과 같은 박막 형성용 가스를 주입하고, 외측 가스 유입부(40)로는 아르곤(Ar)과 같은 플라즈마 전자 생성용 비반응성 가스를 주입할 수 있다. 물론, 주입 가스를 위와 반대로 할 수도 있다.
도 5a,5b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제5 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 5a,5b에 도시한 바와 같이, 제5 실시예는 내측 자극(11)에 내측 가스 주입부(20)를 구비하고, 외측 자극(13)에도 외측 가스 주입부(41)를 구비할 수 있다.
제5 실시예에서, 내측 가스 주입부(20)의 대한 상세 설명은 제1 실시예의 관련 설명으로 갈음한다.
제5 실시예에서, 외측 가스 주입부(41)는 외측 가스 유입부(IN21), 외측 가스 분산부(DIS21), 외측 전방 가스 분출부(OUT22)를 포함할 수 있다. 외측 가스 유입부(IN21), 외측 가스 분산부(DIS21)의 구조 및 기능은 내측 가스 주입부(20)의 내측 가스 유입부(IN11), 내측 가스 분산부(DIS11)와 동일 내지 유사하므로, 제1 실시예의 내측 가스 주입부(20)의 관련 설명으로 갈음한다.
다만, 제5 실시예는, 제4 실시예와 달리, 외측 측방 가스 분출부(OUT21) 대신에 외측 전방 가스 분출부(OUT22)를 형성하고 있다. 이 경우, 외측 전방 가스 분출부(OUT22)를 통해 분출되는 가스는 기판 방향으로 가스 유로를 형성할 수 있다. 가스 유로는 가속 폐 루프에서 생성된 플라즈마 이온이 기판으로 쉽게 향하도록 길잡이 역할을 수행할 수 있어, 증착 등의 공정 효율을 높일 수 있다.
제5 실시예에서, 외측 가스 주입부(41)에는 주로 아르곤(Ar) 등의 비반응성 가스를 주입할 수 있다.
도 6a,6b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제6 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 6a,6b에 도시한 바와 같이, 제6 실시예는 전방으로 개방되는 내측 가스 주입부(21)와 측방으로 개방되는 외측 가스 주입부(40)를 포함하고 있다.
제6 실시예의 내측 가스 주입부(20)는 제2 실시예의 내측 가스 주입부(20)와 동일하므로, 내측 가스 주입부(20)의 상세 설명은 제2 실시예의 내측 가스 주입부(20)의 관련 설명을 갈음한다.
제6 실시예의 외측 가스 주입부(40)는 제4 실시예의 외측 가스 주입부(40)와 동일하므로, 외측 가스 주입부(40)의 상세 설명은 제4 실시예의 외측 가스 주입부(40)의 관련 설명을 갈음한다.
도 7a,7b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제7 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 7a,7b에 도시한 바와 같이, 제7 실시예는 전방으로 개방되는 내측 가스 주입부(21)와 전방으로 개방되는 외측 가스 주입부(41)를 포함하고 있다.
제7 실시예의 내측 가스 주입부(21)는 제2 실시예의 내측 가스 주입부(21)와 동일하므로, 내측 가스 주입부(21)의 상세 설명은 제2 실시예의 내측 가스 주입부(21)의 관련 설명을 갈음한다.
제7 실시예의 외측 가스 주입부(41)는 제5 실시예의 외측 가스 주입부(41)와 동일하므로, 외측 가스 주입부(41)의 상세 설명은 제5 실시예의 외측 가스 주입부(41)의 관련 설명을 갈음한다.
도 8a,8b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제8 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 8a,8b에 도시한 바와 같이, 제8 실시예는 전방 및 측방으로 개방되는 내측 가스 주입부(22)와 측방으로 개방되는 외측 가스 주입부(40)를 포함하고 있다.
제8 실시예의 내측 가스 주입부(22)는 제3 실시예의 내측 가스 주입부(22)와 동일하므로, 내측 가스 주입부(22)의 상세 설명은 제3 실시예의 내측 가스 주입부(22)의 관련 설명을 갈음한다.
제8 실시예의 외측 가스 주입부(40)는 제4 실시예의 외측 가스 주입부(40)와 동일하므로, 외측 가스 주입부(40)의 상세 설명은 제4 실시예의 외측 가스 주입부(40)의 관련 설명을 갈음한다.
도 9a,9b는 본 발명에 따른 이온 소스의 제9 실시예를 보여주는 사시도 및 단면도이다.
도 9a,9b에 도시한 바와 같이, 제9 실시예는 전방 및 측방으로 개방되는 내측 가스 주입부(22)와 전방으로 개방되는 외측 가스 주입부(41)를 포함하고 있다.
제9 실시예의 내측 가스 주입부(22)는 제3 실시예의 내측 가스 주입부(22)와 동일하므로, 내측 가스 주입부(22)의 상세 설명은 제3 실시예의 내측 가스 주입부(22)의 관련 설명을 갈음한다.
제9 실시예의 외측 가스 주입부(41)는 제5 실시예의 외측 가스 주입부(41)와 동일하므로, 외측 가스 주입부(41)의 상세 설명은 제5 실시예의 외측 가스 주입부(41)의 관련 설명을 갈음한다.
이상 본 발명을 여러 실시예에 기초하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면, 위 실시예에 기초하여 본 발명의 기술사상을 다양하게 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 그러한 변형이나 수정은 아래의 특허청구범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
10 : 자기장부 11 : 내측 자극
13 : 외측 자극 20,21,22 : 내측 가스 주입부
IN11 : 내측 가스 유입부 DIS11 : 내측 가스 분산부
OUT11 : 내측 측방 가스 분출부 OUT12 : 내측 전방 가스 분출부
40,41 : 외측 가스 주입부 IN21 : 외측 가스 유입부
DIS 21 : 외측 가스 분산부 OUT21 : 외측 측방 가스 분출부
OUT22 : 외측 전방 가스 분출부 30 : 전극
CT : 냉각 튜브

Claims (4)

  1. 이온 소스에 있어서,
    피처리물을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄되며, 상기 개방 일측에는 내측 자극과 외측 자극이 이격 배치되어 개방 슬릿을 형성하고 상기 타측에는 자심으로 연결되어 상기 개방 슬릿에서 플라즈마 전자의 가속 폐 루프를 형성하며, 상기 내측 자극에는 상기 가속 폐 루프의 방향으로 가스를 공급하는 가스 주입부를 구비하되 상기 가스 주입부는 가스 분출구를 상기 개방 슬릿 또는 상기 개방 슬릿보다 전방에 위치시키는 자기장부;
    상기 자기장부 내부에서 상기 개방 슬릿의 하부에 상기 자기장부와 이격 배치되는 전극을 포함하는, 이온 소스.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 가스 주입부는
    외부로부터 가스가 유입하는 가스 유입부;
    상기 가스 유입부에 연통되고, 상기 내측 자극의 길이 방향을 따라 형성되며, 상기 가스 유입부보다 넓은 단면을 갖는 가스 분산부;
    상기 내측 자극의 길이 방향을 따라 일측은 상기 가스 분산부에 연통되고 타측인 상기 가스 분출구는 상기 가스 분산부보다 작은 단면을 갖는 가스 분출부를 포함하는, 이온 소스.
  3. 삭제
  4. 삭제
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