KR101634305B1 - Resonator using carbon based nano material and fabrication method thereof - Google Patents
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Abstract
탄소계 나노 물질을 이용한 공진기가 개시된다. 제안되는 공진기는, 희생층이 형성된 기판 및 희생층 상에 형성되고 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드(SiC)층을 포함하는 공진구조체를 포함한다.A resonator using a carbon-based nanomaterial is disclosed. The proposed resonator includes a substrate on which a sacrificial layer is formed and a resonant structure formed on the sacrificial layer and including at least one carbon-based nanomaterial layer and at least one silicon carbide (SiC) layer.
Description
탄소계 나노 물질을 이용한 공진기 및 그 제조 방법을 관한 것이다. The present invention relates to a resonator using a carbon-based nanomaterial and a manufacturing method thereof.
다양한 휴대형 기기가 초소형으로 보급됨에 따라, 휴대형 기기에 이용되는 각종 소자들의 크기 또한 소형화되어야 한다. 최근에는 초소형, 초경량 부품들을 개발하기 위하여 수 ㎛ 이하의 초미세 구조를 갖는 기계 또는 장비를 설계할 수 있는 멤스(MEMS:Micro Electro-Mechanical System) 기술이나, 더 나아가 수 나노미터 이하의 초미세구조를 갖는 기계 또는 장비를 설계할 수 있는 넴스(NEMS:Nano Electro-Mechanical System) 기술이 제안되고 있다.As various portable devices become more compact, the size of various devices used in portable devices must also be reduced. In recent years, in order to develop ultra-small and light-weight components, MEMS (Micro Electro-Mechanical System) technology capable of designing a machine or an apparatus having an ultrafine structure of a few micrometers or less, or a micro- A NEMS (Nano Electro-Mechanical System) technology capable of designing a machine or an apparatus having the above-described structure is proposed.
한편, 넴스 기술을 이용하여 제조된 초소형 공진기는 초저온 및 초저압과 같은 이상적인 환경에서 구동될 경우, 에너지 손실이 발생하지 않으며 10000 이상의 Q값과 10-9배까지의 저전력 구동이 이론상 가능하다. 하지만, 공진기는 실제 상온 및 상압의 일반 환경에서 구동되는 것으로, 내부적인 요인(예를 들어, 소자의 부피 결함, 표면 결함, 공정 과정에서 발생되는 표면 손상 등) 및 외부적인 요인(예를 들어, 공기 마찰로 인한 진동폭 감소, 커플링 손실 등)으로 인해 에너지 손실이 발생하게 된다. On the other hand, the ultra-small-sized resonator fabricated using the Nemesis technology does not cause energy loss when operated in an ideal environment such as an ultra-low temperature and an ultra-low voltage, and it is theoretically possible to operate a Q value of 10000 or more and a power consumption of 10 -9 times. However, since the resonator is driven in a normal environment of actual room temperature and normal pressure, the resonator may be damaged by an internal factor (for example, a volume defect of the device, a surface defect, a surface damage caused in the process, Energy loss due to reduction of vibration width due to air friction, coupling loss, etc.).
또한, 종래의 공진기는 실리콘 카바이드와 알루미늄을 이용하여 공진구조체를 형성하였다. 그러나, 알루미늄과 같은 금속층은 인장 응력과 압축 응력이 상이하여 높은 공진주파수를 기대하는 것이 어렵다. In the conventional resonator, a resonant structure is formed using silicon carbide and aluminum. However, in a metal layer such as aluminum, tensile stress and compressive stress are different, and it is difficult to expect a high resonance frequency.
상술한 문제점을 해결하기 위해 제안되는 실시 예에 따른 공진기는, 희생층이 형성된 기판 및 상기 희생층 상에 형성되고, 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드(SiC)층을 포함하는 공진구조체를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a resonator including a substrate on which a sacrificial layer is formed, and at least one carbon-based nanomaterial layer and at least one silicon carbide (SiC) layer formed on the sacrificial layer. And a resonator structure.
한편, 제안되는 실시 예에 따른 공진기 제조 방법은, 희생층이 형성된 기판 상에 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계, 상기 구조물을 식각하여 공진구조체를 형성하는 단계 및 상기 공진구조체의 일부 영역이 상기 기판과 이격되도록 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함한다. On the other hand, the resonator manufacturing method according to the proposed embodiment includes the steps of forming a structure including at least one carbon-based nanomaterial layer and at least one silicon carbide layer on a substrate having a sacrificial layer formed thereon, And etching the sacrificial layer such that a portion of the resonant structure is spaced apart from the substrate.
제안되는 실시 예에 따르면, 공진기는 실리콘 카바이드층 및 탄소계 나노 물질층을 포함함으로써, 고온에서 안정적이며 밀도 대비 경도가 우수하여 에너지 손실을 감소시키고 Q값 및 공진 주파수를 향상시킬 수 있게 된다. According to the proposed embodiment, since the resonator includes the silicon carbide layer and the carbon-based nanomaterial layer, it is stable at high temperature and excellent in density and hardness, so that energy loss can be reduced and Q value and resonance frequency can be improved.
도 1은 제안되는 실시 예에 따른 공진기의 구조를 나타내는 모식도이다.
도 2는 제안되는 다른 실시 예에 따른 공진구조체의 구조를 나타내는 모식도이다.
도 3a 내지 도 3d는 제안되는 실시 예들에 따른 공진구조체를 나타내는 모식도이다.
도 4a 내지 도 4e는 제안되는 실시 예에 따른 공진기 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 제안되는 다른 실시 예에 따른 공진기 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 1 is a schematic view showing a structure of a resonator according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a schematic view showing a structure of a resonance structure according to another embodiment of the present invention.
3A to 3D are schematic views showing a resonance structure according to the proposed embodiments.
4A to 4E are sectional views showing a method of manufacturing a resonator according to the proposed embodiment.
5A and 5B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a resonator according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The terminologies used herein are terms used to properly represent preferred embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, the intent of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
도 1은 제안되는 실시 예에 따른 공진기의 구조를 나타내는 모식도이다. 도 1을 참조하면, 공진기(100)는 기판(110) 상에 희생층(120) 및 공진구조체(130)가 형성된 구조를 갖는다. 1 is a schematic view showing a structure of a resonator according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a
기판(110) 상에 형성된 희생층(120)은 공진구조체(130)를 지지하며, 기판(110)과 공진구조체(130) 간의 절연 기능을 갖는다. 또한, 희생층(120)은 기판(110)의 전면에 형성되지 않고, 일 영역에만 형성되어 공진구조체(130)의 일부 영역이 기판과 이격되도록 하는 에어갭을 포함한다. 따라서, 희생층(120)은 이중 고정보(Doubly-clamped beam) 구조의 공진구조체(130)의 양측을 지지할 수 있게 된다.The
공진구조체(130)는 희생층(120) 상에 형성되고, 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드층을 포함한다. 구체적으로, 도 1에서 공진구조체(130)는 탄소계 나노 물질층(132) 및 실리콘 카바이드층(131)을 각각 한 층씩 포함한다. 도 1에서는 희생층(120) 상에 탄소계 나노 물질층(132)이 형성되고, 탄소계 나노 물질층(132) 상에 실리콘 카바이드층(131)이 형성된 구조를 도시하고 있으나, 탄소계 나노 물질층(132)과 실리콘 카바이드층(131)은 순서에 관계없이 2층 구조를 가질 수 있다. The
한편, 탄소계 나노 물질층(132)은 그라핀(grapheme), 그라파이트(graphite) 및 탄소 나노 튜브(CNT : Carbon Nano Tube) 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 이로 인해 공진구조체(130)는 탄소계 나노 물질층(132)을 포함하는 것에 의해 기계적 특성 및 전기적 특성이 향상될 수 있다. Meanwhile, the carbon-based
구체적으로, 공진구조체(130)는 탄소계 나노 물질층(132) 및 실리콘 카바이드층(131)에 의해 테라 헤르츠(1THz) 범위의 공진 주파수를 가질 수 있다. 공진구조체(130)의 공진 주파수는 가볍고 단단한 물질에서 증가되며, 공진구조체(130)의 길이(l)가 짧고 진동 방향의 폭(w)이 두꺼울수록 증가하게 된다. 실리콘 카바이드층(131)은 박막 증착이 가능하며 가벼우면서도, 단단한 물질이기 때문에 공진구조체(130)의 공진 주파수를 증가시킬 수 있다. Specifically, the
도 2는 제안되는 다른 실시 예에 따른 공진구조체의 구조를 나타내는 모식도이다. 도 2에 도시된 공진구조체(200)는 도 1에 도시된 공진구조체(130)와 적층 구조만 상이할 뿐, 도 1에 도시된 공진구조체(130)와 마찬가지로 희생층(120)이 형성된 기판(110) 상에 형성되어 공진기로 이용될 수 있다. 따라서, 희생층(120) 및 기판(110)과 관련된 설명은 생략한다. 2 is a schematic view showing a structure of a resonance structure according to another embodiment of the present invention. The
공진구조체(200)는 도 1에 도시된 2층 구조의 공진구조체(130)와는 달리, 3층 구조를 갖는다. 구체적으로, 공진구조체(200)는 두 개의 탄소계 나노 물질층(210, 230) 사이에 실리콘 카바이드층(220)이 끼워져 있는 구조를 갖는다. 따라서, 공진구조체(200)는 두께 방향, 즉, 수직 방향의 중심부(이하, '수직 중심부'라 함)를 기준으로 대칭되는 구조를 갖게 된다. 따라서, 공진시, 공진구조체(200)는 대칭을 이루어 진동하기 때문에 구동이 안정적일 수 있다. Unlike the two-
또한, 공진구조체(200)는 이중 고정보(Doubly-clamped beam) 구조를 갖는 것으로, 도 2에 도시된 공진구조체(200)는 중심을 기준으로 상하좌우가 대칭된다. 따라서, 상하좌우 비대칭에 따른 에너지 손실이 적어 높은 Q값을 얻을 수 있게 된다. Also, the
한편, 이중 고정보 구조를 갖는 공진구조체(200)는 실리콘 카바이드층(220)을 포함하는 것에 의해 높은 공진 주파수를 얻을 수 있다. 공진 주파수는 아래의 표 1 및 수학식 1을 이용하여 구해질 수 있다. On the other hand, the
표 1은 실리콘 카바이드, 실리콘 및 갈륨 비소 각각에 대한 물성값을 나타낸다. Table 1 shows physical property values for each of silicon carbide, silicon and gallium arsenide.
수학식 1에서, w는 공진구조체(빔 영역) 의 폭, L은 공진구조체(빔 영역)의 길이, E는 영의 계수, ρ는 밀도를 나타낸다. 표 1에 나타낸 실리콘 카바이드, 실리콘 및 갈륨 비소 각각에 대한 물성값을 수학식 1에 적용하면, 아래 표 2와 같은 공진 주파수를 구할 수 있다. In Equation (1), w represents the width of the resonance structure (beam region), L represents the length of the resonance structure (beam region), E represents the coefficient of zero, and rho represents density. When the physical property values for each of silicon carbide, silicon and gallium arsenic shown in Table 1 are applied to Equation 1, resonance frequencies as shown in Table 2 below can be obtained.
(이중 고정보)Resonance frequency
(Double high information)
표 2에서 각 공진 주파수는 실리콘 카바이드/실리콘/갈륨비소 순서로 기재된 것으로, 4개의 공진기 치수에 있어서 실리콘 카바이드를 이용하는 경우에 공진 주파수가 높게 나타나는 것을 알 수 있다. 즉, 실리콘 카바이드는 종래 사용되던 실리콘이나 갈륨비소와 비교할 때, 높은 영의 계수(Young's Modulus) 및 낮은 밀도(ρ)를 갖는 것으로, 높은 공진 주파수를 갖는다. 따라서, 도 2에 도시된 공진구조체(200)는 실리콘 카바이드 물질로 이루어진 실리콘 카바이드층(220)을 포함하는 것으로, 높은 공진 주파수를 구현할 수 있다. In Table 2, each resonance frequency is described in the order of silicon carbide / silicon / gallium arsenide, and it can be seen that the resonance frequency is high when silicon carbide is used for four resonator dimensions. That is, silicon carbide has a high resonance frequency, which has a high Young's modulus and a low density (rho) as compared with conventional silicon or gallium arsenide. Accordingly, the
한편, 두 개의 탄소계 나노 물질층(210, 230)은 탄소 성분을 포함하는 그라핀(graphene), 그라파이트(graphite) 및 탄소 나노 튜브(CNT : Carbon Nano Tube) 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 그라핀, 그라파이트 및 탄소 나노 튜브와 같은 탄소계 물질들은 분자 구조적으로 낮은 반데르 발스힘(Van der Waal's Force)을 갖는다. 따라서, 나노 크기의 공진구조체(200)는 안정적이고 효율적인 구동을 구현할 수 있다. Meanwhile, the two carbon-based
특히, 그라핀은 탄소 원자들이 벌집 모양의 격자 구조를 이루면서 만들어진 탄소 통소체로, 얇은 막 형태의 나노 소재이다. 이러한 구조에 의해 그라핀은 반도체에서 사용되는 단결정보다 100배 정도로 전자가 빨리 이동하는 것으로, 전기 전도도가 우수하다. In particular, graphene is a carbonaceous body made of carbon atoms forming a honeycomb lattice structure, and is a thin film nanomaterial. With this structure, graphene has a high electric conductivity because electrons move at a speed about 100 times faster than a single crystal used in a semiconductor.
한편, 공진구조체를 이루는 각 물질층의 물성값을 도출하여 각 물질들 간의 특성을 비교할 수 있다. 각 물질층의 물성값은 영의 계수 및 밀도를 포함하는 것으로, 아래의 수학식 2 및 3을 통해 구할 수 있다. On the other hand, the property values of the respective material layers constituting the resonance structure can be derived and the characteristics of the respective materials can be compared. The physical property values of each material layer include zero coefficients and densities, and can be obtained by the following equations (2) and (3).
수학식 2는 영의 계수(E)를 구하기 위한 식으로, E1은 제1 물질의 영의 계수, A1은 제1 물질로 이루어진 층의 단면적, E2는 제2 물질의 영의 계수, A2는 제2 물질로 이루어진 층의 단면적을 나타낸다. E 1 is the coefficient of zero of the first material, A 1 is the cross-sectional area of the layer made of the first material, E 2 is the coefficient of the zero of the second material, A 2 represents the cross-sectional area of the layer made of the second material.
또한, 수학식 3은 밀도(ρ)를 구하기 위한 식으로, ρ1은 제1 물질의 밀도, A1은 제1 물질로 이루어진 층의 단면적, ρ2는 제2 물질의 영의 계수, A2는 제2 물질로 이루어진 층의 단면적을 나타낸다. 수학식 2 및 3에서 단면적(A1, A2)은 넓이뿐만 아니라, 두께를 나타낼 수도 있다. 1 is the density of the first material, A 1 is the cross-sectional area of the layer made of the first material, ρ 2 is the coefficient of zero of the second material, A 2 Sectional area of the layer made of the second material. In the equations (2) and (3), the cross-sectional area (A 1 , A 2 ) may represent the thickness as well as the width.
한편, 그라핀으로 이루어진 탄소계 나노 물질층(210, 230)이 0.3 내지 0.4㎚인 경우, 영의 계수는 1TPa로 구해질 수 있다. 이는 종래 실리콘 카바이드층과 알루미늄층으로 이루어진 공진구조체에서, 알루미늄층의 영의 계수인 70GPa보다 약 14배 정도 높게 나타나는 것임을 알 수 있다. On the other hand, when the carbon-based nanomaterial layers 210 and 230 made of graphene are 0.3 to 0.4 nm, the Young's modulus can be determined to be 1 TPa. It can be seen that this is about 14 times higher than 70 GPa, which is the coefficient of the Young's modulus of the aluminum layer, in the conventional resonance structure composed of the silicon carbide layer and the aluminum layer.
또한, 수학식 2에서 E1을 실리콘 카바이드층이라고 가정하고, E2를 알루미늄층이라고 가정했을 때, 실리콘 카바이드층 두께가 알루미늄층 두께의 1/2이라 하더라도 공진구조체의 영의 계수 E는 실리콘 카바이드층으로만 구성된 공진구조체의 영의 계수의 2/3 정도 수준에 그치게 된다. 즉, 공진구조체에 알루미늄층이 포함되는 것에 의해서, 공진구조체의 영의 계수가 실리콘 카바이드층으로만 구성되었을 때인 410GPa에서 300GPa로 감소하게 된다. 이는 공진기에 에너지 손실을 야기시킨다. Assuming that E 1 is a silicon carbide layer and E 2 is an aluminum layer, even if the thickness of the silicon carbide layer is 1/2 of the thickness of the aluminum layer, the Young's modulus E of the resonator structure is expressed by Of the resonance structure consisting only of the layer. That is, the inclusion of the aluminum layer in the resonant structure reduces the coefficient of the resonant structure from 410 GPa to 300 GPa when the coefficient of the resonant structure is composed only of the silicon carbide layer. This causes energy loss in the resonator.
하지만, 도 2에서와 같이, 그라핀으로 이루어진 탄소계 나노 물질층(210, 230)과 실리콘 카바이드층(220)을 포함하는 공진기(200)의 영의 계수는 420Gpa이 되는 것으로, 실리콘 카바이층(220)의 영의 계수와 유사하게 나타난다. 이는, 그라핀의 얇은 두께에 기인한 것이 수 있다. 따라서, 탄소계 나노 물질층(210, 230)과 실리콘 카바이드층(220)을 포함하는 공진기(200)는 실리콘 카바이드층과 알루미늄층을 포함하는 기존의 공진기에 비해 에너지 손실이 극히 감소될 수 있다. 2, the Young's modulus of the
한편, 도 2에서는 하나의 실리콘 카바이드층(220)을 중심으로 상/하에 탄소계 나노 물질층이 각각 적층되는 공진구조체(200)만을 도시하고 있으나, 공진구조체(200)는 하나의 탄소계 나노 물질층을 중심으로 상/하에 상기 실리콘 카바이드층이 각각 적층되는 3층 구조를 가질 수도 있다.2, only the
도 3a 내지 도 3d는 제안되는 실시 예들에 따른 공진구조체를 나타내는 모식도이다. 구체적으로, 도 3a 및 도 3b는 2층 구조를 갖는 공진구조체를 나타내는 모식도이며, 도 3c 및 도 3d는 3층 구조를 갖는 공진구조체를 나타내는 모식도이다. 3A to 3D are schematic views showing a resonance structure according to the proposed embodiments. Specifically, FIGS. 3A and 3B are schematic views showing a resonator structure having a two-layer structure, and FIGS. 3C and 3D are schematic views showing a resonator structure having a three-layer structure.
도 3a를 참조하면, 공진구조체(310)는 탄소계 나노 물질층(311) 및 실리콘 카바이드층(SiC)(313)을 각각 한 층씩 포함하는 2층 구조를 갖는다. 이 경우, 실리콘 카바이드층(SiC)(313)은 탄소계 나노 물질층(311)의 상부에 형성된 것으로, 도 1에 도시된 공진구조체(130)를 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도와 동일할 수 있다. Referring to FIG. 3A, the
또한, 도 3b를 참조하면, 공진구조체(320)는 탄소계 나노 물질층(323) 및 실리콘 카바이드층(SiC)(321)을 각각 한 층씩 포함하되, 도 3a에 도시된 공진구조체(310)와는 달리 탄소계 나노 물질층(323)이 실리콘 카바이드층(SiC)(321)의 상부에 형성될 수 있다. 즉, 2층 구조의 공진구조체(310, 320)는 탄소계 나노 물질층과 실리콘 카바이드층이 순서에 관계없이 각각 한 층씩 포함하는 구조를 가질 수 있다. 3B, the
한편, 도 3c를 참조하면, 공진구조체(330)는 두 개의 탄소계 나노 물질층(331, 335) 사이에 실리콘 카바이드층(SiC)(333)이 끼워진 3층 구조를 갖는다. 다시 말해, 실리콘 카바이드층(SiC)(333)을 중심으로 상/하에 두 개의 탄소계 나노 물질층(331, 335)이 각각 적층되어 공진구조체(330)의 수직 중심부를 기준으로 대칭되는 구조를 갖는다. 이는 도 2에 도시된 공진구조체(330)를 I2-I2' 라인을 따라 절단한 단면도와 동일할 수 있다. Referring to FIG. 3C, the
또한, 도 3d를 참조하면, 공진구조체(340)는 두 개의 실리콘 카바이드층(SiC)(341, 345) 사이에 탄소계 나노 물질층(343)이 끼워진 3층 구조를 갖는다. 즉, 탄소계 나노 물질층(343)을 중심으로 상/하에 두 개의 실리콘 카바이드층(SiC)(341, 345)이 각각 적층되어 공진구조체(340)의 수직 중심부를 기준으로 대칭되는 구조를 갖는다. Referring to FIG. 3D, the
도 4a 내지 도 4e는 제안되는 실시 예에 따른 공진기 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 도 4a를 참조하면, 공진기 제조 방법은 먼저, 실리콘 기판(410a) 및 절연층(SiO2)(410b)을 포함하는 베이스 기판(410) 상에 금속층(420) 및 탄소계 나노 물질층(430)을 차례로 형성한다. 구체적으로, 전자빔 증착법(E-beam evaporator)을 이용하여 베이스 기판(410) 상에 니켈(Ni)을 300㎚ 이하의 두께로 증착시켜 금속층(120)을 형성한다. 4A to 4E are sectional views showing a method of manufacturing a resonator according to the proposed embodiment. Referring to FIG. 4A, a resonator manufacturing method includes first forming a
그리고, 이것을 석영 튜브 내에 장착하여 금속층(420) 상에 탄소계 나노 물질층(430)을 형성한다. 구체적으로, 금속층(420)이 형성된 베이스 기판(410)을 석영 튜브 내에 장착하여 1000℃로 가열하고, 반응 기체 혼합물(CH4:H2:Ar=50:62:200)을 1㎤/min의 양으로 석영 튜브 내에 주입하여 탄소계 나노 물질층(430)을 형성한다. 그리고, 석영 튜브 내에 ~10°C/S 비로 아르곤(Ar)을 흘려주고 25℃로 빠르게 냉각시켜, 탄소계 나노 물질층(430)이 다층으로 형성되는 것을 방지하고, 이후의 공정에서 탄소계 나노 물질층(430)이 금속층(420)으로부터 용이하게 분리되도록 한다. Then, the
이후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 금속층(420) 및 탄소계 나노 물질층(430)을 베이스 기판(410)으로부터 분리한 후, 희생층(450)이 형성된 기판(440) 상에 이동시킨다. 구체적으로, 금속층(420) 및 탄소계 나노 물질층(430)을 베이스 기판(410)으로부터 분리하기 위해서, 도 4a에 도시된 구조물을 BOE(Buffered Oxide Echant) 또는 HF(Hydrogen Fluoride) 등의 식각 용액에 침지시켜 절연층(SiO2)이 식각되도록 한다. 이에 따라, 금속층(420) 및 탄소계 나노 물질층(430)이 베이스 기판(410)으로부터 분리되어 식각 용액의 계면 상에 떠 있게 된다. 이렇게 분리된 금속층(420) 및 탄소계 나노 물질층(430)을 희생층(450)이 형성된 기판(440) 상에 탄소계 나노 물질층(430)이 접하도록 접합한다. 4B, the
다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 최상부에 위치한 금속층(420)을 식각하여 탄소계 나노 물질층(430)을 노출시킨다. Next, as shown in FIG. 4C, the
한편, 도면을 통해 도시하고 있지 않으나, 탄소계 나노 물질층(430)을 분리하는 방법은 상술한 방법 외에 다음과 같은 방법이 더 있을 수 있다. 구체적으로, 도 4a에 도시된 구조물을 염화철(FeCl3) 식각 용액에 침지시켜 금속층(420)이 식각되도록 한다. 이는 산화 환원 반응을 이용한 식각 방법으로, 자극이 적은 pH 범위에서 금속층(420)을 천천히 제거할 수 있게 된다. 이에 따라, 탄소계 나노 물질층(430)을 금속층(420) 및 베이스 기판(410)으로부터 분리할 수 있게 된다.Meanwhile, although not shown in the drawings, the method for separating the carbon-based
이후, 탄소계 나노 물질층(430)이 노출되면, 탄소계 나노 물질층(430) 상에 실리콘 카바이드층(460)을 형성하여 도 4d에 도시된 것과 같은 구조물을 형성한다. 구체적으로, 탄소계 나노 물질층(430) 상에 실란(SiH4), 프로판(C3H8) 및 수소(H2) 등의 가스를 이용한 상압 화학 기상 증착법(APCVD:Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)으로 실리콘 카바이드층(460)을 증착시킬 수 있다.Then, when the carbon-based
이후, 도 4d에 도시된 구조물을 도 4e에 도시된 것과 같이 식각하여 공진구조체를 형성하고, 희생층(450)을 식각하여 공진구조체의 일부 영역이 기판(440)과 이격되도록 한다. 구체적으로, 도 4d에 도시된 구조물의 상부, 즉, 탄소계 나노 물질층(430) 상에 감광 물질을 스핀 코팅한 후, 전자빔(E-Beam)을 이용하여 패턴을 형성한다. 이에 따라, 도 4d에 도시된 탄소계 나노 물질층(430) 및 실리콘 카바이드층(460)이 패터닝되어 이중 고정보 구조의 공진구조체가 형성될 수 있다. 그리고, 반응성 이온 식각(RIE:Reactive Ion Etching)을 이용하여 희생층(450)의 일부를 식각한다. 즉, 도 4e에 도시된 바와 같이, 공진구조체의 하부 둘레 영역과, 중심 하부 영역의 희생층(450)을 식각한다. 따라서, 희생층(450)은 공진구조체의 고정 영역 하부에만 위치하여, 이중 고정보(Doubly-clamped beam) 구조의 공진구조체의 양측을 지지할 수 있게 된다.Then, the structure shown in FIG. 4D is etched as shown in FIG. 4E to form a resonance structure, and the
도 4a 내지 도 4e에 도시된 제조 방법을 이용함으로써, 도 1에 도시된 것과 같은 공진기(100)를 제조할 수 있게 된다. 또한, 도 4a 내지 도 4e에 도시된 탄소계 나노 물질층(430)을 실리콘 카바이드층(SiC)으로 변경하고, 실리콘 카바이드층(460)을 탄소계 나노 물질층으로 변경하여 공정을 진행할 수도 있다. 이와 같이 공정을 진행할 경우, 공진기는 도 3b에 도시된 것과 같은 공진구조체(320)를 포함할 수 있게 된다. By using the manufacturing method shown in Figs. 4A to 4E, it becomes possible to manufacture the
또한, 도 4a 내지 도 4e를 설명함에 있어서 제공된 공정 조건들은 일 실시 예에 불과한 것으로, 이에 한정되지 않으며 공진기 제조시 필요에 따라 공정 조건들을 달리할 수도 있다.In addition, the processing conditions provided in the description of FIGS. 4A to 4E are only examples, and the present invention is not limited thereto, and the process conditions may be different according to necessity in manufacturing the resonator.
도 5a 및 도 5b는 제안되는 다른 실시 예에 따른 공진기 제조 방법을 나타내는 단면도이다. 도 5a 및 도 5b는 3층 구조의 공진구조체를 포함하는 공진기 제조 방법을 설명하기 위한 것으로, 공진구조체를 형성하기 위한 구조물을 제조하는 공정은 도 4a 내지 도 4d에 도시된 것과 동일할 수 있다. 다만, 도 4d에 도시된 구조물 상에 탄소계 나노 물질층(430)을 더 형성한다. 즉, 도 5a에 도시된 바와 같이, 실리콘 카바이드층 (460) 상에 탄소계 나노 물질층(470)을 더 형성하여 탄소계 나노 물질층(430)/실리콘 카바이드층(460)/탄소계 나노 물질층(470)의 3층 구조물을 형성한다. 여기서, 탄소계 나노 물질층(470)을 형성하는 방법은, 도 4a에 기재된 탄소계 나노 물질층(430)의 형성 방법과 동일할 수 있다. 5A and 5B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a resonator according to another embodiment of the present invention. 5A and 5B illustrate a method of manufacturing a resonator including a resonator structure having a three-layer structure. The process of fabricating the structure for forming the resonator structure may be the same as that shown in Figs. 4A to 4D. However, the
이후, 도 5b에 도시된 바와 같이, 구조물을 식각하여 공진구조체를 형성하고, 희생층(450)을 식각하여 공진구조체의 일부 영역이 기판(440)과 이격되도록 한다. 도 4a 내지 도 4d와 도 5a 및 도 5b에 도시된 제조 방법을 이용함으로써, 도 2에 도시된 것과 같은 공진구조체(200)를 제조할 수 있게 된다.5B, the structure is etched to form a resonance structure, and the
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.
100 : 공진기 110 : 기판
120 : 희생층 130 : 공진구조체
131 : 실리콘 카바이드층 132 : 탄소계 나노 물질층 100: resonator 110: substrate
120: sacrificial layer 130: resonant structure
131: Silicon carbide layer 132: Carbon-based nanomaterial layer
Claims (13)
상기 희생층 상에 형성되고, 적어도 하나의 탄소계 나노 물질층 및 적어도 하나의 실리콘 카바이드(SiC)층을 포함하는 공진구조체
를 포함하는 공진기.A substrate on which a sacrificial layer is formed; And
And at least one silicon carbide (SiC) layer formed on the sacrificial layer, the at least one carbon-based nanomaterial layer and the at least one silicon carbide (SiC)
/ RTI >
상기 희생층은,
상기 공진구조체의 일부 영역이 상기 기판과 이격되도록 하는 에어갭을 포함하는 공진기.The method according to claim 1,
The sacrificial layer may include,
And an air gap that allows a portion of the resonator structure to be spaced apart from the substrate.
상기 공진구조체는,
상기 탄소계 나노 물질층과 상기 실리콘 카바이드층을 순서에 관계없이 각각 한 층씩 포함하는 2층 구조를 갖는 공진기. The method according to claim 1,
The resonator structure includes:
Wherein the carbon-based nanomaterial layer and the silicon carbide layer are each in a two-layer structure.
상기 공진구조체는,
상기 실리콘 카바이드층을 중심으로 상/하에 상기 탄소계 나노 물질층이 각각 적층되어 상기 공진구조체의 수직 중심부를 기준으로 대칭되는 3층 구조를 갖는 공진기. The method according to claim 1,
The resonator structure includes:
Layer structure in which the carbon nanomaterial layers are laminated on the silicon carbide layer at an upper portion and the lower portion, respectively, and are symmetrical with respect to a vertical central portion of the resonator structure.
상기 공진구조체는,
상기 탄소계 나노 물질층을 중심으로 상/하에 상기 실리콘 카바이드층이 각각 적층되어 상기 공진구조체의 수직 중심부를 기준으로 대칭되는 3층 구조를 갖는 공진기. The method according to claim 1,
The resonator structure includes:
Layer structure in which the silicon carbide layers are stacked on / under the carbon-based nanomaterial layer and are symmetrical with respect to the vertical center of the resonator structure.
상기 탄소계 나노 물질층은 그라핀(grapheme), 그라파이트(graphite) 및 탄소 나노 튜브(CNT : Carbon Nano Tube) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 공진기.The method according to claim 1,
Wherein the carbon-based nanomaterial layer comprises any one of grapheme, graphite, and carbon nanotube (CNT).
상기 구조물을 식각하여 공진구조체를 형성하는 단계; 및
상기 공진구조체의 일부 영역이 상기 기판과 이격되도록 상기 희생층을 식각하는 단계
를 포함하는 공진기 제조 방법.Forming a structure including at least one carbon-based nanomaterial layer and at least one silicon carbide layer on a substrate on which a sacrificial layer is formed;
Etching the structure to form a resonance structure; And
Etching the sacrificial layer such that a part of the region of the resonator structure is separated from the substrate
≪ / RTI >
상기 구조물을 형성하는 단계는,
베이스 기판상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 상기 탄소계 나노 물질층을 형성하는 단계;
상기 베이스 기판으로부터 상기 금속층 및 상기 탄소계 나노 물질층을 분리시키는 단계;
상기 분리된 금속층 및 상기 탄소계 나노 물질층을, 상기 희생층이 형성된 기판 상에 상기 탄소계 나노 물질층이 접하도록 접합하는 단계;
상기 금속층을 식각하여 상기 탄소계 나노 물질층을 노출시키는 단계; 및
상기 탄소계 나노 물질층 상에 상기 실리콘 카바이드층을 형성하여 상기 구조물을 형성하는 단계
를 포함하는 공진기 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein forming the structure comprises:
Forming a metal layer on the base substrate;
Forming a carbon nanomaterial layer on the metal layer;
Separating the metal layer and the carbon-based nanomaterial layer from the base substrate;
Joining the separated metal layer and the carbon-based nanomaterial layer so that the carbon-based nanomaterial layer is in contact with the sacrificial layer formed on the substrate;
Exposing the carbon nanomaterial layer by etching the metal layer; And
Forming the silicon carbide layer on the carbon-based nanomaterial layer to form the structure;
≪ / RTI >
상기 구조물을 형성하는 단계는,
상기 실리콘 카바이드층 상에 상기 탄소계 나노 물질층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 공진기 제조 방법.9. The method of claim 8,
Wherein forming the structure comprises:
Further comprising forming the carbon-based nanomaterial layer on the silicon carbide layer.
상기 탄소계 나노 물질층을 형성하는 단계는,
상기 금속층이 형성된 베이스 기판을 석영 튜브 내에 장착하여 가열하는 단계;
탄소 성분을 포함하는 반응 기체 혼합물을 상기 석영 튜브 안으로 주입하여 상기 탄소계 나노 물질층을 증착하는 단계; 및
상기 탄소계 나노 물질을 냉각시키는 단계
를 포함하는 공진기 제조 방법. 9. The method of claim 8,
The step of forming the carbon nanomaterial layer may include:
Mounting a base substrate on which the metal layer is formed in a quartz tube and heating the base substrate;
Depositing a carbon nanomaterial layer by injecting a reactive gas mixture containing carbon into the quartz tube; And
Cooling the carbon-based nanomaterial
≪ / RTI >
상기 구조물을 형성하는 단계는,
베이스 기판상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층 상에 상기 실리콘 카바이드층을 형성하는 단계;
상기 기판으로부터 상기 금속층 및 상기 실리콘 카바이드층을 분리시키는 단계;
상기 분리된 금속층 및 상기 실리콘 카바이드층을, 상기 희생층이 형성된 기판 상에 상기 실리콘 카바이드층이 접하도록 접합하는 단계;
상기 금속층을 식각하여 상기 실리콘 카바이드층을 노출시키는 단계; 및
상기 실리콘 카바이드층 상에 상기 탄소계 나노 물질층을 형성하여 상기 구조물을 형성하는 단계
를 포함하는 공진기 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein forming the structure comprises:
Forming a metal layer on the base substrate;
Forming the silicon carbide layer on the metal layer;
Separating the metal layer and the silicon carbide layer from the substrate;
Bonding the separated metal layer and the silicon carbide layer so that the silicon carbide layer is in contact with the sacrificial layer formed on the substrate;
Etching the metal layer to expose the silicon carbide layer; And
And forming the carbon nanomaterial layer on the silicon carbide layer to form the structure
≪ / RTI >
상기 구조물을 형성하는 단계는,
상기 탄소계 나노 물질층 상에 상기 실리콘 카바이드층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 공진기 제조 방법.12. The method of claim 11,
Wherein forming the structure comprises:
Further comprising forming the silicon carbide layer on the carbon-based nanomaterial layer.
상기 탄소계 나노 물질층은
그라핀(grapheme), 그라파이트(graphite) 및 탄소 나노 튜브(CNT : Carbon Nano Tube) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 공진기 제조 방법.
8. The method of claim 7,
The carbon-based nanomaterial layer
1. A method for manufacturing a resonator comprising a material selected from the group consisting of grapheme, graphite, and carbon nanotube (CNT).
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| GB201505221D0 (en) * | 2015-03-26 | 2015-05-13 | Isis Innovation | Tuneable resonator |
| US9869592B2 (en) | 2015-06-17 | 2018-01-16 | Raytheon Bbn Technologies Corp. | Graphene-based bolometer |
| US10944162B2 (en) * | 2016-06-10 | 2021-03-09 | Analog Devices, Inc. | Passive sensor system with carbon nanotube components |
| WO2021262457A2 (en) | 2020-06-12 | 2021-12-30 | Analog Devices International Unlimited Company | Self-calibrating polymer nano composite (pnc) sensing element |
| US12044715B2 (en) | 2020-10-27 | 2024-07-23 | Analog Devices, Inc. | Wireless integrity sensing acquisition module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502143A (en) | 2004-05-24 | 2008-01-24 | トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ | Controllable nanomechanical memory device |
| WO2008036845A2 (en) | 2006-09-20 | 2008-03-27 | Trustees Of Boston University | Nano electromechanical integrated-circuit bank and switch |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3275415A (en) * | 1964-02-27 | 1966-09-27 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for and preparation of silicon carbide single crystals |
| DE19514079A1 (en) | 1995-04-13 | 1996-10-17 | Siemens Ag | Process for passivating a silicon carbide surface against oxygen |
| DE19642673A1 (en) | 1996-10-16 | 1998-04-23 | Widia Gmbh | Microwave oven and components therefor |
| KR100434272B1 (en) | 2001-06-28 | 2004-06-05 | 엘지전자 주식회사 | Method for developing carbon nanotube horizontally |
| KR100394016B1 (en) | 2001-07-16 | 2003-08-09 | 엘지전자 주식회사 | Microelectromechanical Resonator using Carbon Nanotube and Fabrication Method for the same and Frequency Generator using the Resonator |
| JP4452804B2 (en) | 2005-03-04 | 2010-04-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Optical element |
| US20080029125A1 (en) | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Imtec Acculine, Inc. | Method and apparatus for damage-free, single wafer, sonic boundary layer, megasonic cleaning |
| KR101399793B1 (en) * | 2007-09-28 | 2014-05-26 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | THE FREE-STANDING METALLIC MICROMECHANICAL STRUCTURE WITH METAL THIN FILM FORMED ON CNTnt AND RESONATOR STRUCTURE USING THEREOF |
| KR101408116B1 (en) * | 2008-04-28 | 2014-06-18 | 고려대학교 산학협력단 | Resonator and fabrication method thereof |
-
2010
- 2010-05-11 KR KR1020100044062A patent/KR101634305B1/en active IP Right Grant
-
2011
- 2011-05-11 US US13/105,070 patent/US8378757B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502143A (en) | 2004-05-24 | 2008-01-24 | トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ | Controllable nanomechanical memory device |
| WO2008036845A2 (en) | 2006-09-20 | 2008-03-27 | Trustees Of Boston University | Nano electromechanical integrated-circuit bank and switch |
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