KR101632398B1 - Plasma chemical vapor apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 기재가 위치하는 공정영역을 갖는 진공챔버; 상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 진공챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부; 상기 진공챔버 내에 설치되어 상기 공정영역에 플라즈마를 형성하며, 적어도 하나의 전극유닛; 상기 전극유닛에 전원을 공급하는 전원공급부; 상기 진공챔버 내부에 마련되어 상기 전극유닛에서 발생하는 플라즈마가 상기 공정영역 외에 불필요한 영역으로 발생되는 것을 차단하는 플라즈마 차단블록;을 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition apparatus, comprising: a vacuum chamber having a processing region in which a substrate is located; A vacuum controller for controlling a degree of vacuum in the vacuum chamber; A gas supply unit for supplying a process gas into the vacuum chamber; At least one electrode unit installed in the vacuum chamber to form a plasma in the process region; A power supply unit for supplying power to the electrode unit; And a plasma blocking block provided inside the vacuum chamber to block plasma generated in the electrode unit from being generated in an unnecessary region outside the process region.
Description
본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정영역이 아닌 플라즈마 불필요 영역에서 플라즈마가 형성되지 않도록 차단하여 전극의 사용주기 연장 및 사용 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition (CVD) apparatus, and more particularly, to a plasma chemical vapor deposition apparatus capable of preventing a plasma from being formed in a non- .
반도체나 디스플레이 및 터치패널, 태양전지 제조분야 등에서 기재에 박막을 성막하거나 박막을 식각하는 공정 또는 기재의 표면 특성을 변화시키는 표면처리 등의 공정에 응용되는 기술로 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)이 존재한다. BACKGROUND ART As a technology applied to a process of forming a thin film on a substrate or etching a thin film or a surface treatment of changing the surface characteristics of a substrate in a semiconductor, a display, a touch panel, a solar cell manufacturing field, etc., a chemical vapor deposition (CVD) ).
이 중 화학기상증착법(CVD)을 기반으로 하는 플라즈마 화학기상 장치는 플라즈마에 의해 공정가스를 분해하여 기재 표면에 대해 전술한 바와 같은 성막, 식각, 표면처리 공정을 수행하는 방법으로 응용될 수 있는 것으로서, 공정 속도 및 공정 품질이 스퍼터링 등과 같은 PVD법을 이용한 장치들에 비해 우수하여 최근 널리 이용되고 있다. Among them, the plasma chemical vapor deposition apparatus based on chemical vapor deposition (CVD) can be applied as a method of performing film deposition, etching, and surface treatment on the substrate surface by decomposing the process gas by plasma , Process speed and process quality are superior to those using PVD methods such as sputtering and have recently been widely used.
이러한 플라즈마 화학기상 장치의 일 예로서 성막 장치인 종래 플라즈마 CVD 장치(101)가 일본공개특허 제2006-299361호(이하 '선행특허'라 함)에 개시된 바 있다. As one example of such a plasma chemical vapor deposition apparatus, a conventional
선행특허는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공챔버(110) 내부에 위치하는 기재(S)의 표면에 플라즈마를 밀집시키기 위한 구성으로서, 내부에 마그네트(130)가 포함된 한 쌍의 중공체 전극(120)이 연속회전 가능하도록 진공챔버(110) 내부에 설치되어 있으며, 그 하부에 기재(S)가 위치하고 있다. As shown in FIG. 1, the prior art discloses a structure for densifying a plasma on a surface of a substrate S positioned inside a
전원이 전극(120)으로 공급되면 마그네트(130)로부터 형성된 자기장이 형성되고, 진공챔버(110) 내부로 성막용 가스가 공급되면 마그네트(130)에 의해 형성되는 자기장이 성막 영역에 플라즈마를 밀집시킴으로써, 기재(S)의 표면에 분해된 성막용 가스의 원료 입자가 성막된다. When a power source is supplied to the
여기서 전극(120)은 일 방향으로 연속 회전됨으로써, 성막용 가스 분해에 따른 원료 입자가 기재 외에 전극(120)에 부착되는 것을 최소화할 수 있다. Here, since the
그런데, 이러한 종래 플라즈마 화학기상 장치에 있어서는 전극이 연속적으로 회전하고 있어도 가스가 분해되면서 원료 입자가 기재의 표면 외에도 전극 등에 부착되는 현상이 불가피하게 발생하게 된다. However, in such a conventional plasma chemical vapor deposition apparatus, even when the electrode is continuously rotated, the phenomenon that the raw material particles adhere to the electrode or the like on the surface of the substrate as the gas is decomposed is inevitably generated.
이에 따라 전극에 부착되는 원료 입자의 박리 현상에 의해 파티클이 발생되는 문제점이 있었다. 이러한 파티클 발생은 기재의 성막층을 손상시키는 심각한 문제점으로 대두된다. As a result, there has been a problem that particles are generated due to the peeling phenomenon of the raw material particles attached to the electrode. Such particle generation poses a serious problem of damaging the deposition layer of the substrate.
또한, 전극에 가스 원료 입자가 성막되면서 플라즈마에 의한 이상 아크 방전 발생하게 되는 문제점이 있었다. 이러한 아크 방전은 전원 계통의 고장으로 연결되거나 전원을 보호하기 위한 전원 공급 차단에 따른 장치의 구동 정지를 초래하여 정상적인 성막 공정을 수행하지 못하는 문제점으로 대두된다.Further, there is a problem that an abnormal arc discharge is generated by the plasma as the gas raw material particles are formed on the electrode. Such an arc discharge causes a problem that a normal film forming process can not be performed due to a failure of the power supply system or a driving stop of the apparatus due to the cutoff of the power supply for protecting the power supply.
한편, 이와 같은 플라즈마 화학기상 장치를 응용한 식각장치나 표면처리 장치의 경우에도 해당 공정에 필요로 하는 공정가스를 진공챔버 내부에 투입하기 때문에, 식각 및 표면처리 과정에서 발생된 가스 부산물이 전극 등에 부착되는 문제점이 발생할 수 밖에 없었다. Also, in the case of an etching apparatus or a surface treatment apparatus using such a plasma chemical vapor deposition apparatus, the process gas necessary for the process is introduced into the vacuum chamber, so that the gas by- There is a problem in that it is attached.
전극의 연속 회전에 의해 전극의 전체 외표면에 일정하게 원료 입자가 부착되기 때문에, 하나의 전극은 단일 주기의 수명밖에 사용하지 못하므로 사용성이 비효율적인 문제점이 있다. 이에 따라 종래 플라즈마 화학기상 장치의 경우 빈번하게 전극을 클리닝하거나 교체하는 불편함을 감수해야하고, 이는 전극의 사용 효율 저하에 따른 생산성 저하의 원인이 되었다. The raw material particles adhere to the entire outer surface of the electrode constantly by the continuous rotation of the electrode, so that one electrode can only use for a single cycle life, resulting in a problem that the usability is inefficient. Accordingly, in the case of the conventional plasma chemical vapor deposition apparatus, it is necessary to take the inconvenience of frequently cleaning or replacing the electrodes, which causes a decrease in the productivity due to a decrease in the use efficiency of the electrodes.
특히, 전극에 의해 발생되는 플라즈마는 자기장 영역 이외에도 나머지 전극 외주영역 증 플라즈마가 불필요한 영역에도 소량의 플라즈마를 발생시켜서 전극의 외주면에 원료 입자가 부착되는 속도를 가중시킴으로써, 전극의 사용주기 단축을 가속시키는 문제점이 있다. Particularly, the plasma generated by the electrode accelerates the shortening of the use period of the electrode by increasing the rate at which the raw material particles adhere to the outer circumferential surface of the electrode by generating a small amount of plasma in the region other than the magnetic field region and the region where the extra- There is a problem.
1. 일본공개특허 제2006-299361호(2006.11.02) 1. Japanese Laid-Open Patent Application No. 2006-299361 (2006.11.02)
따라서 본 발명의 목적은 공정영역이 아닌 플라즈마 불필요 영역에서 플라즈마가 형성되지 않도록 차단하여 전극의 사용주기 연장 및 사용 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 화학기상 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a plasma chemical vapor deposition apparatus which can prevent a plasma from being formed in a plasma unnecessary region rather than a process region, thereby extending the service life of the electrode and improving the use efficiency thereof.
상기 목적은 본 발명에 따라, 플라즈마 화학기상 장치에 있어서, 기재가 위치하는 공정영역을 갖는 진공챔버; 상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 진공챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부; 상기 진공챔버 내에 설치되어 상기 공정영역에 플라즈마를 형성하는 적어도 하나의 전극유닛; 상기 전극유닛에 전원을 공급하는 전원공급부; 상기 진공챔버 내부에 마련되어 상기 전극유닛에서 발생하는 플라즈마가 상기 공정영역 외에 불필요한 영역으로 발생되는 것을 차단하는 플라즈마 차단블록;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치에 의해 달성된다. This object is achieved according to the present invention by a plasma chemical vapor deposition apparatus comprising: a vacuum chamber having a processing region in which a substrate is located; A vacuum controller for controlling a degree of vacuum in the vacuum chamber; A gas supply unit for supplying a process gas into the vacuum chamber; At least one electrode unit installed in the vacuum chamber to form a plasma in the process region; A power supply unit for supplying power to the electrode unit; And a plasma interception block provided inside the vacuum chamber to block plasma generated in the electrode unit from being generated in an unnecessary region outside the process region.
여기서, 상기 플라즈마 차단블록은 상기 진공챔버에 대해 플로팅(floating) 또는 접지(ground)되어 있는 것이 효과적이다. Here, it is effective that the plasma blocking block is floating or grounded with respect to the vacuum chamber.
또한 상기 플라즈마 차단블록은 상기 공정영역이 아닌 영역에 대응하는 상기 전극의 외주 일부 영역을 간극을 두고 둘러싸도록 상기 전극의 외주 일부 영역에 대응하는 형상으로 함몰된 플라즈마 차단영역을 갖는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the plasma blocking block has a plasma blocking region that is recessed in a shape corresponding to a part of the outer circumference of the electrode so as to surround a part of the outer circumference of the electrode corresponding to the region other than the process region with a gap therebetween.
이때, 상기 간극은 0.5mm 내지 100mm인 것이 효과적이다. At this time, it is effective that the gap is 0.5 mm to 100 mm.
그리고 상기 전극유닛은 복수로 마련되며, 상기 플라즈마 차단영역은 상기 전극유닛에 대응하는 수로 마련될 수 있다. The plurality of electrode units may be provided, and the plasma cut-off region may be provided in a number corresponding to the electrode unit.
또한 상기 플라즈마 차단영역들 사이에는 상기 공정영역을 향하는 블록연결영역이 형성될 수 있다. Also, a block connection region facing the process region may be formed between the plasma cut-off regions.
이때, 상기 블록연결영역의 표면은 표면거칠기를 갖는 것이 바람직하다.At this time, the surface of the block connecting region preferably has a surface roughness.
한편, 중공체의 전극과, 상기 전극 내부에 마련되어 상기 전극 외측으로 자기장을 형성하는 적어도 하나의 자기장발생부재를 갖는 것이 바람직하다. On the other hand, it is preferable to have an electrode of a hollow body and at least one magnetic field generating member provided inside the electrode and forming a magnetic field outside the electrode.
이때, 권취된 기재를 상기 공정영역으로 공급하는 공급롤과, 상기 공정영역에 마련되며 상기 기재가 감아 도는 드럼과, 상기 드럼을 감아 돌아 상기 공정영역을 거친 기재를 권취하는 회수롤을 더 포함하며; 상기 전극유닛은 상기 드럼과 인접한 영역에서 상기 공정영역에 플라즈마를 형성하도록 적어도 하나가 배치되는 것일 수 있다. The apparatus may further include a supply roll for supplying the wound substrate to the process region, a drum provided in the process region for winding the substrate, and a recovery roll for winding the substrate around the drum to wind the process region, ; The electrode unit may be arranged such that at least one of the electrode units is arranged to form a plasma in the process region in an area adjacent to the drum.
본 발명에 따르면, 공정영역이 아닌 플라즈마 불필요 영역에서 플라즈마가 형성되지 않도록 차단하여 전극의 사용주기 연장 및 사용 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다. According to the present invention, there is provided a plasma chemical vapor deposition apparatus capable of preventing the plasma from being formed in a plasma unnecessary region rather than a process region, thereby extending the service life of the electrode and improving the use efficiency.
도 1은 종래 플라즈마 화학기상 장치의 일예를 간략하게 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 화학기상 장치를 나타낸 도면,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치의 전극유닛 영역 일 예를 나타낸 도면,
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치의 전극유닛 예를 나타낸 도면,
도 6내지 도 9는 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치의 전극유닛 배치 예를 나타낸 도면,
도 10은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치의 전극유닛 다른 예를 나타낸 도면,
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 장치를 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view schematically showing an example of a conventional plasma chemical vapor deposition apparatus,
FIG. 2 illustrates a plasma chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a view showing an example of an electrode unit region of a plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention,
4 and 5 are views showing an example of an electrode unit of a plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention,
6 to 9 are views showing an example of arrangement of electrode units in a plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention,
10 is a view showing another example of the electrode unit of the plasma chemical vapor deposition apparatus according to the present invention,
11 is a plasma chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)는 기재(S)가 위치하는 진공공간을 형성하는 진공챔버(300)와, 진공챔버(300) 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부(400)와, 진공챔버(300) 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부(500)와, 진공챔버(300) 내에 설치되어 플라즈마를 조절하는 전극유닛(600)과, 전극유닛(600) 등에 전원을 공급하는 전원공급부(700)를 포함한다. 2, the plasma chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present invention includes a
진공챔버(300)는 내압 및 내열 성능이 우수한 금속 또는 합금 등의 판재와 프레임 등을 이용하여 적절한 형태의 진공공간을 갖도록 제작될 수 있다. 그리고 이 진공챔버(300)의 내부에는 기재(S)의 표면에 일련의 공정을 수행하기 위한 공정영역(310)이 전극유닛(600) 인접 영역에 형성되어 있다. The
이때, 기재(S)는 진공챔버(300) 외부 또는 내부 일영역으로 진공챔버(300) 내부의 공정영역(310)으로 공급되어 공정영역(310)에 정지한 상태를 유지하거나, 도 6 및 도 7과 같이, 공정영역(310)을 왕복 이동하거나, 공정영역(310)을 지나는 형태를 취할 수 있다. 즉, 진공챔버(300) 내부에서 수행되는 공정은 기재(S)가 공정영역(310)에 정지한 상태에서 이루어지거나, 기재(S)가 공정영역(310)을 왕복 이동하는 상태 또는 기재(S)가 공정영역(310)을 지나가는 상태에서 이루어질 수 있는 것이다. At this time, the substrate S is supplied to the
이를 위해 진공챔버(300) 내부에는 기재(S)를 적재하거나 이동 시킬 수 있는 적재이송수단(320)이 마련된다. 이 적재이송수단(320)은 기재(S)를 공정영역(310)에 적재하기 위한 적재부(321)와, 기재(S)를 적재부(321)에 대해 공급 및 배출시키기 위한 기재이송부(325)를 구비할 수 있다. To this end, a loading transfer means 320 is provided inside the
이때, 적재부(321)는 전극유닛(600)에 인접한 공정영역(310)에 마련되는 것으로서, 기재(S)의 공정 대상면이 일면일 경우 전극유닛(600)의 일 측에 마련될 수도 있으며, 기재(S)의 공정 대상면이 양면일 경우 적재부(321) 양측에 전극유닛(600)을 마련하는 형태로 적재부(321)를 위치시킬 수 있다. The
이 적재부(321)는 기재(S)가 적재되는 적재대(323)와, 적재대(323)에 적재된 기재(S)를 공정 종류 및 조건에 따라 일정 온도로 유지시키는 적재온도조절수단(324)을 포함할 수 있는데, 적재온도조절수단(324)은 기재(S)를 냉각 또는 히팅시키기 위한 수단이거나 상온으로 유지시키기 위한 수단일 수 있다. The
또한, 적재대(323)는 전술한 바와 같이, 기재(S)가 공정영역(310)에 고정된 상태에서 공정을 수행하는 경우, 기재(S)를 고정시키는 고정홀더(미도시)를 구비할 수 있다. The
또는, 적재대(323)는 전술한 바와 같이, 기재(S)를 양 방향으로 왕복 이동시키는 상태에서 공정을 수행할 경우, 후술하는 기재이송부(325)를 이용하여 기재(S)를 왕복이동 시킬 수 있다. 이 경우 기재(S)의 공정대상면 중 전극유닛(600)에 대응하는 영역과 전극유닛(600)들의 간격에 대응하는 영역이 반복적으로 전극유닛(600)에 의해 플라즈마가 형성되는 영역으로 왕복 이동됨으로써, 기재(S)의 전 면적에 걸쳐 균일한 고품질의 플라즈마 화학기상 처리 공정을 고속으로 수행할 수 있다. Alternatively, when carrying out the process in a state in which the substrate S is reciprocated in both directions as described above, the
또한, 적재대(323)는 전술한 바와 같이, 기재(S)를 진공챔버(300)의 공급 측으로부터 배출 측으로 일 방향 이동시키는 형태로 이송 지지할 수도 있다. 이 경우에도 기재(S)가 이송되면서 기재(S)의 전 면적에 걸쳐 균일한 고품질의 플라즈마 화학기상 처리 공정을 고속으로 수행할 수 있다. The
더불어 적재대(323)는 경우에 따라서 전극유닛(600) 측으로 접근하는 위치와 이격되는 위치로 왕복 이동 가능하게 마련될 수도 있다. 이는 기재(S)를 향하는 플라즈마의 강도가 기재(S)와 전극(610) 간의 거리 변화로 조절될 수 있도록 하기 위함이다. In addition, the loading table 323 may be provided to be reciprocally movable to a position apart from a position where the loading table 323 approaches the
이 적재부(321)에 적재되는 기재(S)는 유리 기판, 세라믹 기판, 반도체 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판이나 필름, 종이나 부직포, 섬유 등 다양한 재질일 수 있다. 또한 기재(S)의 공정대상면은 기재(S)의 표면일 수 있으며, 기재(S)의 표면에 성막된 성막층을 수도 있다.
The substrate S to be mounted on the
그리고 기재이송부(325)(미도시)는 기재(S)를 적재부(321)로 이동시키는 기재공급부(미도시)와, 기재(S)를 적재부(321) 외부로 배출시키는 기재배출부(미도시)를 구비할 수 있다. 이들 기재공급부(미도시)와 기재배출부(미도시)는 평롤러와 구동모터(미도시) 등을 포함하여 다양한 형태로 구성될 수 있다. The
여기서, 기재이송부(325)(미도시)는 기재(S)가 적재부(321)에 고정된 형태에서 해당 공정이 수행되도록 기재(S)의 공급과 배출 동작만 수행하거나, 경우에 따라서 공정 속도 또는 공정 품질 향상을 위해 기재(S)가 적재부(321) 상에서 공정 중에 왕복 이동하도록 할 수도 있다. 또한, 기재(S)가 적재부(321)를 지나면서 공정이 수행되도록 기재(S)를 공급 측으로부터 적재부(321)를 거쳐 배출 측으로 이동시킬 수도 있다. Here, the substrate transferring section 325 (not shown) performs only the supply and discharge operations of the substrate S so that the substrate S is fixed to the
물론, 기재이송부(325)(미도시)는 경우에 따라 그 구성이 생략될 수 있는 것으로서, 이 경우 작업자가 직접 진공챔버(300)를 개폐하여 적재부(321)에 기재(S)를 적재하거나 반출시킬 수도 있다. 이때 진공챔버(300)의 내부 진공도는 대기압과 동일해지므로 연속공정에는 바람직하지 않다.
Of course, the substrate transferring section 325 (not shown) may be omitted in some cases. In this case, the worker directly opens and closes the
힌편, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)가 도 11과 같이, 롤투롤 형태의 장치일 경우 기재이송부(325)는 기재공급부로서 기재(S)가 권취된 공급롤(326)과, 공정이 완료된 기재(S)를 권취하는 회수롤(327)과 기재(S)가 공급롤(326)로부터 공정영역(310)을 거쳐 회수롤(327)을 향하도록 가이드하는 복수의 가이드롤(328)을 포함할 수 있으며, 공정영역(310)에서 전극유닛(600)과 인접하게 배치되어 기재(S)가 감아 도는 적어도 하나의 드럼(329)을 포함할 수도 있다. 이 드럼(329)은 기재(S)를 공정 종류 및 조건에 따라 일정 온도로 유지시킬 수 있도록 냉각 또는 히팅이나 상온 유지 기능을 갖는 드럼온도조절수단을 포함할 수 있다.
11, in the case of a roll-to-roll type apparatus, the
한편, 진공챔버(300) 내부에는 도 2 및 도 3과 도 11에 도시된 바와 같이, 전극유닛(600)에서 발생하는 플라즈마가 공정영역(310) 외에 불필요한 영역으로 발생되는 것을 차단하기 위한 플라즈마 차단블록(330)이 마련되어 있다. 2, 3, and 11, plasma is generated in the
전극유닛(600)으로 전원이 공급되면 자기장발생부재(640)에 의해 전극(610)의 외측에 형성되는 자기장 밀집 영역에 플라즈마가 밀집됨과 동시에, 자기장 밀집 영역 주변의 전극(610) 외측 영역 즉 공정영역(310)이 아닌 플라즈마 불필요 영역에도 자기장의 영향에 의해 불필요한 잔여 플라즈마가 형성되는 것이다. 이러한 불필요한 플라즈마 형성 영역은 공정 수행 과정에서 파티클이 퇴적되어 전극(610)의 사용주기를 단축시키게 된다. When power is supplied to the
플라즈마 차단블록(330)은 전술한 바와 같이 플라즈마 형성이 불필요한 영역을 진공챔버(300)에 대해 플로팅(floating) 또는 접지(ground) 시킴으로써 진공챔버(300)와 동일 전위 및 상이한 전위차를 형성하여 공정영역(310) 외에 전극(610)의 외측에 형성되는 불필요한 플라즈마를 제거한다. The
이를 위해 플라즈마 차단블록(330)은 공정영역(310)이 아닌 영역에 대응하는 전극(610)의 외주 일부 영역을 간극(G)을 두고 둘러싸도록 함몰된 플라즈마 차단영역(331)을 가지고 있다. 이때, 플라즈마 차단영역(331)의 함몰면과 전극(610) 외부면 간의 간극(G)은 0.5mm 내지 100mm 범위 내에서 적절한 거리를 갖도록 형성된다. The
이 플라즈마 차단영역(331)은 단면으로 볼 때, 전극(610)의 외주면의 일부분 단면 형상에 대응하는 단면을 갖는 것으로서, 전극(610)이 원형일 경우 플라즈마 차단영역(331)은 원호 단면을 갖는다. 물론 플라즈마 차단영역(331)은 단면 형상이 전극(610)의 단면에 따라서 원호 형 단면, 또는 타원형 단면이거나 소정의 각도를 갖는 다각형 단면 등의 단면 형상을 가질 수 있다. The plasma cut-off
그리고 플라즈마 차단영역(331)은 전극유닛(600)의 개수와 전극유닛(600)의 이격 간격에 대응하는 수와 간격으로 플라즈마 차단블록(330)에 형성된다. The
이때, 플라즈마 차단영역(331)이 상호 이격된 복수일 경우 인접하는 플라즈마 차단영역(331) 사이에 공정영역(310)을 향하는 블록연결영역(333)이 형성될 수 있는데, 이 블록연결영역(333)의 표면은 공정 수행 과정에서 발생하는 파티클이 퇴적될 때, 보다 강력한 밀착력으로 부착될 수 있도록 소정의 표면거칠기(335)(표면조도 또는 표면 패턴)를 갖는 것이 바람직하다. 이는 공정 수행 중에 플라즈마 차단블록(330)에 불가피하게 퇴적되는 파티클이 박리되어 기재(S)의 표면을 손상시키는 것을 방지하기 위함이다. At this time, if there are a plurality of plasma cut-off
이러한 플라즈마 차단블록(330)은 전술한 바와 같이, 기재(S)의 공정 대상면이 단일면일 때 공정영역(310) 일 측에 마련되는 전극유닛(600)의 배치형태에 대응할 수 있게 마련되고, 기재(S)의 공정 대상면이 양면일 경우 공정영역(310) 양측에 마련되는 전극유닛(600)의 배치형태에 대응할 수 있게 마련된다. 또한, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)가 롤투롤 형태이면서 기재(S)가 감아 도는 드럼(329)의 외측에 전극유닛(600)이 배치되는 형태에서도 플라즈마 차단블록(330)은 진공챔버(300) 내에 마련될 수 있음은 물론이다. The
이와 같은 플라즈마 차단블록(330)의 구비는 공정영역(310)이 아닌 플라즈마 불필요 영역에서 플라즈마가 형성되지 않도록 차단함으로써, 공정 수행 과정에서 플라즈마 불필요 영역에서 전극(610) 외주면에 파티클이 퇴적되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해 전극(610)의 사용주기가 현격하게 연장되면서 플라즈마 화학기상 장치(1)의 가동률이 상승된다.
The provision of the
진공조절부(400)는 진공펌프 및 밸브 등의 구성을 적절한 형태로 연결한 구성으로 포함할 수 있다. 바람직하게는 진공챔버(300) 내부의 진공도를 조절하는 과정에서 진공배기가 저진공에서 고진공 순으로 이루어질 수 있도록 저진공펌프(410) 및 고진공펌프(420)와 압력조절을 위한 복수의 밸브(430) 등을 적절히 포함할 수 있다. 이러한 진공조절부(400)에 의해서 조절되는 진공챔버(300) 내부의 진공도는 0.1Pa 내지 100Pa 범위에서 적절히 설정 및 유지되도록 조절될 수 있다. The
이때, 진공챔버(300)의 기재(S) 공급측과 배출측에는 게이트밸브(미도시)를 개재한 로드락챔버(미도시)를 마련하여, 기재(S)의 공급 및 배출 과정에서 진공챔버(300) 내부의 진공도가 설정된 진공도를 유지한 상태로 연속적으로 공정을 수행할 수 있다.
At this time, a load lock chamber (not shown) via a gate valve (not shown) is provided on the supply side and the discharge side of the substrate S of the
가스공급부(500)는 진공챔버(300) 내부로 공정가스를 공급한다. 이를 위해서 가스공급부(500)는 해당 공정가스를 진공챔버(300) 내부로 공급하기 위한 가스공급원(510)과, 가스공급원(510)으로부터 진공챔버(300) 내부로 연장되는 가스공급유로(520)와, 가스공급유로(520)를 통해 공급되는 공정가스를 진공챔버(300) 내부의 공정 영역으로 공급하기 위한 노즐수단(530)을 포함하며, 가스공급유로(520)를 개폐하는 가스공급조절기(540)로서 가스유량제어기(541) 및 진공게이지(542)와 밸브(543) 등을 구비할 수 있다.
The
가스공급원(510)으로부터 노즐수단(530)으로 공급되는 공정가스는 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)가 성막 공정을 수행하는 성막 장치일 경우, 공정가스는 성막을 위한 원료 가스로서 Si를 함유하는 HMDSO, TEOS, SiH4, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, HMDS, TMOS 등일 수 있으며, C를 함유하는 메탄, 에탄, 에틸렌, 아세티렌 등일 수 있다. 또한, Ti를 함유하는 4염화티탄 등을 포함하여 성막의 종류에 따라 다양한 원료 가스를 적절히 선택할 수 있다. In the case where the plasma CVD apparatus 1 according to the present invention is a film forming apparatus for performing a film forming process, the process gas supplied from the
그리고 반응 가스로는 산화물 형성용으로서 산소, 오존, 아산화질소 등을 이용할 수 있으며, 질화물 형성용으로는 질소, 암모니아 등을 성막의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 또한, 보조 가스로는 Ar, He, H2 등이 선택적으로 사용될 수 있으며, 이 역시 성막의 종류에 따라 다양한 보조 가스가 선택적으로 사용될 수 있다. 이외 수행하고자 하는 성막 공정에 적합한 성막 가스는 한정되지 않는다. As the reaction gas, oxygen, ozone, or nitrous oxide may be used for oxide formation, and nitrogen, ammonia, or the like may be appropriately selected for forming the nitride depending on the kind of the film. As the auxiliary gas, Ar, He, H 2, or the like can be selectively used, and various auxiliary gases can be selectively used depending on the kind of the deposition. The deposition gas suitable for the deposition process to be performed is not limited.
또는, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)가 식각 공정을 수행하는 식각 장치일 경우, 공정가스로서 식각 가스는 식각 대상인 기재(S) 또는 기재(S) 상에 성막된 박막의 재질에 따라 변동될 수 있다. 예컨대, 식각 가스는 Cl2, BCl3 등 Cl 계열 가스 및 CF4, SF6, NF3 등 F 계열 가스를 이용할 수도 있으며, 그 외에 HF, hfacH, XeF2, Acetone, NH3, CH4 등의 다양한 식각 가스를 선택할 수 있다. 즉, 수행하고자 하는 식각 공정에 적합한 식각 가스는 한정되지 않는다. 식각 공정의 경우 기재(S)의 표면에 식각 패턴에 대응하는 마스크가 포함될 수도 있다.Alternatively, in the case where the plasma chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present invention is an etching apparatus for performing an etching process, the etching gas as a process gas may be formed on the substrate S to be etched or the material of the thin film formed on the substrate S Lt; / RTI > For example, the etching gas may include Cl-based gases such as Cl2 and BCl3, and F-based gases such as CF4, SF6, and NF3. In addition, various etching gases such as HF, hfacH, XeF2, Acetone, NH3, and CH4 may be selected. That is, the etching gas suitable for the etching process to be performed is not limited. In the case of the etching process, a mask corresponding to the etching pattern may be included on the surface of the substrate S.
혹은 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)가 표면 처리 공정을 수행하는 표면처리장치일 경우, 공정가스로서 기재(S)의 표면 특성을 변화시키기 위한 용도에서 다양한 공정가스가 사용될 수 있다. 예컨대, Pre-treatment 용도의 가스는 Ar, H2, O2, N2, He, CF4, NF3 등의 가스를 이용할 수 있고, Ashing 용도의 가스는 Ar, O2, CF4 등의 가스를 이용할 수 있다. 이외 수행하고자 하는 표면 처리 공정에 적합한 공정가스는 한정되지 않는다.
Alternatively, when the plasma chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present invention is a surface treatment apparatus for performing a surface treatment process, various process gases may be used in the application for changing the surface characteristics of the substrate S as the process gas. For example, the gases for the pre-treatment use can be gases such as Ar, H2, O2, N2, He, CF4, NF3 and the like, and gases such as Ar, O2 and CF4 can be used for the ashing gas. The process gas suitable for the surface treatment process to be performed is not limited.
가스공급유로(520)는 가스공급원(510)으로부터 진공챔버(300) 내부의 복수 영역에 배치된 노즐수단(530)을 향해 연장될 수 있으며, 가스공급유로(520) 상에 전술한 가스공급조절기(540)로서 가스유량제어기 및 진공게이지와 밸브 등을 구비할 수 있다.
The gas supply passage 520 may extend from the
한편, 노즐수단(530)은 고품질 공정 수행에 바람직한 공정 영역에 노즐이나 노즐공 등의 다양한 형태로 배치될 수 있다.
On the other hand, the nozzle means 530 can be arranged in various forms such as nozzles and nozzle holes in a process region preferable for performing a high-quality process.
한편, 전극유닛(600)은 중공체의 전극(610)과, 전극(610) 내부에 마련되어 전극(610) 외측의 공정영역(310)에 자기장을 형성하는 적어도 하나의 자기장발생부재(640)를 가지고 있으며, 전극(610)의 일부분이 플라즈마 차단블록(330)의 플라즈마 차단영역(331)에 부분적으로 수용되는 형태로 설치된다. 이때, 전극유닛(600)은 플라즈마 차단영역(331)에 대응하게 복수 또는 단일의 전극유닛(600)으로 마련될 수 있다. 그리고 각 전극유닛(600)은 전극(610)이 연속회전 또는 일정한 주기마다 일정한 각도만큼 씩 스텝 회전하는 형태로 설치될 수 있으며, 이를 위해 모터를 구비할 수 있다. 물론 전극유닛(600)은 비회전하는 고정 형태로 설치될 수도 있다.
The
전극(610)은 플라즈마 화학기상 장치(1)의 용도에 따라서 플라즈마 내성 및 내열성과 열전도율이 우수하면서 절연특성을 가지는 세라믹이나 폴리머 또는 플라스틱이나 절연금속 재질로 마련될 수 있으며, 또한 비자성체이거나 자성체인 금속재질로서 알루미늄이나 철, 동, 스테인레스, 마그네슘, MO, Ti 등의 금속재로 마련될 수 있다. 이러한 전극(610)의 재질은 전극(610) 전체의 재질일 수도 있으며, 전극(610)의 외주면 재질일 수도 있다.The
그리고 전극(610)의 내부에는 열교환유체(W)가 관류될 수 있는데, 이 열교환유체(W)의 관류공간(614)은 전극(610)을 도 5와 같이, 내관(612)과 외관(613)을 갖는 이중관 형태로 마련하여 내관(612)과 외관(613) 사이공간이 열교환유체 관류공간(614)으로 마련할 수 있다. 이 경우 자기장발생부재(640)는 내관(612) 내부에 수용되여 열교환유체(W)와 접촉되지 않도록 할 수 있다. A heat exchange fluid W may be flowed into the
물론 전극(610)은 도 4 등에 도시된 바와 같이, 단일 중공관체로 마련되고 그 내부에 열교환유체(W)가 관류될 수 있다. 이 경우 자기잘발생부재는 열교환유체(W)와 접촉되지 않도록 쉴드 처리되어야 한다. Of course, as shown in FIG. 4 and the like, the
이러한 전극(610)의 크기는 기재(S)의 면적이나 종류 등의 여건에 따라 다양하게 변경될 수 있는 것으로서, 전극(610)의 직경은 10mm 내지 2000mm이고, 전극(610)의 길이는 10mm 내지 10m 범위 내이며, 전극(610)의 관두께(전극이 이중관일 경우 적어도 외관의 두깨)는 2mm 내지 100mm 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 이때, 공정영역(310)에 마련되는 전극(610)이 복수일 경우 모든 전극(610)은 동일한 직경을 가질 수도 있고 상호 상이한 직경을 가질 수도 있다. 예컨대, 도 7과 같이, 기재(S)의 길이방향 양측에 대응하는 전극(610)의 직경을 다른 전극(610)의 직경보다 크게 배치하는 것으로 기재(S)의 길이방향 모서리 영역에 공정 수행이 취약해 지는 것을 방지할 수 있다. The
또한, 각각 하나의 전극(610)은 그 축선 길이 방향 전구간이 단일의 동일한 직경을 갖는 형태일 수도 있으며, 각각 하나의 전극(610)은 축선 길이 방향을 따라 상이한 직경을 갖는 형태일 수도 있다. 예컨대, 각 전극(610)의 축선 길이 방향 양측이 나머지 구간에 비해 큰 직경을 가질 수 있는데, 이 경우 기재(S)의 폭 방향 모서리 영역에 공정 수행이 취약해 지는 것을 방지할 수 있다. In addition, each one
그리고 이러한 전극(610)은 그 단면 형상이 도면들에 도시된 바와 같이, 원형 단면이거나 도시하지 않았지만, 다각형 단면 또는 타원 단면을 가질 수 있는데, 이러한 단면 형상은 전극(610)의 회전 또는 스텝 회전 여부 등에 따라 적절히 선택될 수 있다. The
전극(610)이 원형 단면을 갖는 중공체일 경우 전극(610)은 연속 회전 또는 스텝 회전하는 형태에 바람직한데, 전극(610)이 연속 회전하는 경우, 회전속도는 분당 0.1회전 내지 분당 30000회전 범위에서 설정될 수 있다. 이때 전극(610)이 복수로 마련되는 형태에서 전극(610)들은 동일한 방향으로 회전하거나 상이한 방향으로 회전할 수 있다. When the
한편, 전극(610)이 다각형 또는 타원 단면을 갖는 중공체일 경우 전극(610)은 스텝 회전 또는 정지되는 형태에 바람직할 수 있다. 전극(610)이 스텝 회전하는 형태일 경우 스텝 회전 각도는 1도 내지 180도 범위에서 설정되는 것이 바람직하다.
On the other hand, when the
한편, 자기장발생부재(640)는 도 1 및 도 6 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 전극(610) 내부에 단일의 자기장발생부재(640)로 마련되거나 복수로 마련되어 전극(610) 외측의 공정영역(310)으로 자기장을 형성한다. 이 자기장발생부재(640)는 전극(610) 내부에 위치 고정되는 형태로 마련되거나, 도 4에 도시된 바와 같이, 자기장의 방향을 조절할 수 있도록 회전각 조절 가능하게 설치될 수 있다. The magnetic
각 자기장발생부재(640)는 전극(610)의 길이에 대응하는 길이를 갖는 중앙 마그네트(641)와, 중앙 마그네트(641)와 중앙 마그네트(641)의 둘레를 트랙형상으로 둘러싸거나 중앙 마그네트(641) 양측에 배치되는 외측 마그네트(642)를 갖는 것이 바람직하다. 외측 마그네트(642)가 트랙형상일 경우 전극(610)의 외측에 레이스 트랙 형상의 플라즈마 트랙을 발생시킬 수 있다. 이때 자기장발생부재(640)의 중앙 마그네트(641)와 외측 마그네트(642)의 극성 배치는 플라즈마를 원하는 영역에 안정적으로 밀집시킬 수 있는 범위에서 다양한 극성 배치를 가질 수 있다. 이때 마그네트(641,642)의 자속밀도는 10가우스 내지 10000가우스 범위 내에서 선택될 수 있다. Each magnetic
또한, 자기장발생부재(640)는 도 4에 도시된 바와 같이, 전극(610)의 내주면에 대해 접근하는 위치와 이격되는 위치로 왕복 이동 가능하게 설치될 수도 있다. In addition, the magnetic
이는 자기장발생부재(640)를 전극(610)의 반경 방향으로 왕복 이동시키는 거리조절수단(643)을 포함하는 구성에 의해 구현될 수 있는 것으로서, 거리조절수단(643)은 마그네트(641,642)의 왕복 이동을 지지하는 가이드부(644)와, 마그네트(641,642)를 가이드부(644)에 대해 이동 거리 조절 가능하게 이동시키는 거리조절부(647)로 마련될 수 있다. The distance adjusting means 643 may be realized by a constitution including a distance adjusting means 643 for reciprocating the magnetic
이때, 가이드부(644)는 전극(610) 내부 중앙 영역으로부터 전극(610)의 내주면 일 측을 향하는 고정가이드(645)와, 마그네트(641,642)를 지지하면서 고정가이드(645)에 대해 상대 이동하는 이동가이드(646)로 구비될 수 있고, 이들 고정가이드(645)와 이동가이드(646) 사이에는 원활한 상대 이동을 위한 구름롤러나 베어링 등의 구름수단이 개재될 수 있다. At this time, the
또한, 거리조절부(647)는 이동가이드(646)를 고정가이드(645)에 대해 상대 이동시키기 위한 구동력을 제공하는 것으로서, 이동가이드(646)를 이동 거리 조절 가능하게 전극(610)의 내주면에 대해 접근하는 위치와 이격되는 위치로 밀거나 당기는 구동력전달수단(미도시)으로서 솔레노이드 또는 실린더나, 원동 기어나 캠 및 피동 기어나 캠 등을 포함하면서 모터에 의해 원동 기어나 원통 캠을 구동시키는 모터 등을 포함하는 구성등의 자동적 구성으로 마련될 수 있다. The
물론, 거리조절부(647)는 고정가이드(645)와 이동가이드(646) 간에 스토퍼 구조(미도시)를 형성하고, 작업자가 전극(610)을 개방하여 수동으로 이동가이드(646)의 이동 거리를 조절하는 수동적 구성일 수도 있다. Of course, the
또한, 자기장발생부재(640)는 전술한 바와 같이, 전극(610) 내부에 고정되는 형태로 마련되거나, 공정 시작 전이나 공정 중에 회전각 조절이 가능한 형태로 마련될 수 있다. 자기장발생부재(640)가 고정되는 경우 전극(610)만 회전될 수 있으며, 자기장발생부재(640)가 회전각 조절 가능하게 회전될 경우에는 별도의 각도조절수단(648)를 구비하여 자기장발생부재(640)의 회전각을 자동 또는 수동적으로 조절할 수 있다. 이때, 각도조절수단(648)을 자동적인 구성으로 마련하는 것은 전극(610)의 중심에 마련된 회전축(611)에 자기장발생부재(640)를 지지하는 회동지지부재(649)를 구비하여 모터 등을 이용하여 회전축(611)을 회전시키는 구성으로 구현할 수 있다. 이 경우 모터(미도시)는 클러치(미도시) 구성을 포함하여 자기장발생부재(640)의 회전각 조절 외에 전극(610)을 회전시키는 용도로도 함께 이용될 수 있다. In addition, the magnetic
자기장발생부재(640)의 회전각 조절 또는 배치 형태는 마그네트(641,642)가 기재(S)를 향하는 형태에서 상호 인접하는 양측 전극(610) 내부에 마련된 마그네트(641,642)들이 상호 대향하는 형태 등 다양한 회전각 조절 또는 배치 형태일 수 있다. 예컨대, 마그네트(641,642)가 기재(S)를 향하는 형태에서는 기재(S) 측으로 자기장이 형성되어 플라즈마가 기재(S) 측으로 밀집되므로 기재(S)의 표면이나 기재(S)에 앞서 성막된 박막이 플라즈마 데미지에 강한 종류에 적합하다. 그리고 상호 인접하는 양측 전극(610) 내부에 마련된 마그네트(641,642)들이 상호 대향하는 형태일 경우 플라즈마가 기재(S)와 이격된 영역에서 양 전극(610) 사이에 밀집되므로 기재(S)의 표면이나 기재(S)에 앞서 성막된 박막이 플라즈마 데미지를 받지 않는 공정에 적합하다. The rotation angle of the magnetic
이러한 자기장발생부재(640)의 거리 조절 및 회전각 조절은 기재(S)의 재질이나 해당 공정의 여건에 따라서 자기장의 강도나 형성 영역 등의 형태를 조절함으로써 해당 공정의 속도나 플라즈마 강도 등을 적절히 조절할 수 있게 된다. 이에 의해, 해당 공정에 최적화된 형태로 해당 공정의 속도나 공정 품질을 용이하게 조절할 수 있게 됨으로써, 해당 공정에서 생산되는 제품의 품질과 생산 효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.
The distance adjustment and rotation angle control of the magnetic
이렇게 전극(610)과 전극(610) 내부에 마련되는 자기장발생부재(640)로 이루어진 전극유닛(600)은 기재(S)의 공정 대상면이 도 2 및 도 6 내지 도 7과 같이, 단일면일 경우 적재부(321)의 일 측에 단일 또는 복수로 배치되며, 기재(S)의 공정 대상면이 양면일 경우 도 8 내지 도 9와 같이, 적재부(321) 양측에 각각 단일 또는 복수로 배치될 수 있다.
The
또한 전극유닛(600)은 전술한 바와 같이, 기재(S)의 공정대상면 측에 배치될 수도 있으며, 기재(S)가 경질 기재(S)로 마련되는 경우에 따라서는 기재(S)의 공정 대상면의 반대면에 인접 배치되어 기재(S)의 공정 대상면에 플라즈마를 형성할 수도 있다. As described above, the
이처럼 전극유닛(600)이 기재(S)의 공정 대상면의 반대면에 배치되어 기재(S)의 공정대상면에 플라즈마를 형성하는 경우, 전극(610)과 기재(S) 사이에는 2 내지 3mm의 간극이 유지되는 것이 바람직한데, 이는 기재(S)와 전극(610)의 접촉에 의한 기재(S) 손상을 방지함과 동시에, 플라즈마를 기재(S)와 전극(610) 사이가 아닌 그 반대면인 기재(S)의 공정대상면에 플라즈마를 밀집시키기 위한 범위이다. 전극(610)과 기재(S) 사이의 간극이 2 내지 3mm의 범위보다 클 경우 플라즈마가 기재(S)의 공정 대상면이 아닌 그 이면에 형성되어 바람직하지 않다.In the case where the
이렇게 전극(610)의 위치를 기재(S)의 공정 대상면의 반대면에 배치하여 플라즈마를 기재(S)의 표면에 밀집시키면, 기재(S)가 이송되는 과정에서도 경질 기재(S)의 공정 대상면에 성막 또는 식각이나 표면처리 등의 공정이 안정적이고 빠르게 이루어질 수 있다.
When the position of the
한편, 전원공급부(700)는 플라즈마 발생을 위한 전원을 전극(610)으로 공급한다. 여기서 전원은 공정의 형태에 따라 AC전원 또는 DC전원일 수 있으며, AC전원의 경우 고주파 교류 전원으로서 고밀도 플라즈마를 형성하기 위해 HF(High Frequency : 3~30 MHz 주파수의 교류)전원이나, VHF(Very High Frequency : 30~300 MHz 주파수의 교류)전원을 사용할 수 있으며, 경우에 따라서 RF전원을 사용할 수도 있다. DC전원의 경우 유니폴라 또는 바이폴라 방식의 펄스드(pulsed)DC전원 중 어느 하나를 사용할 수 있다. On the other hand, the
그리고 전원의 극성은 플라즈마나 공정 품질 등을 고려하여 전극(610)에 양극(+) 또는 음극(-)을 선택적으로 접속할 수 있다.
The polarity of the power source can selectively connect the positive electrode (+) or the negative electrode (-) to the electrode (610) in consideration of the plasma and the process quality.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 장치(1)에 따르면, 플라즈마 차단블록(330)을 구비함으로써, 공정영역(310)이 아닌 플라즈마 불필요 영역에서 플라즈마가 형성되지 않도록 차단함으로써, 공정 수행 과정에서 플라즈마 불필요 영역에서 전극(610) 외주면에 파티클이 퇴적되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해 전극(610)의 사용주기가 현격하게 연장되면서 플라즈마 화학기상 장치의 가동률이 더욱 상승된다. According to the plasma chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present invention having such a configuration, by providing the
300 : 진공챔버 310 : 공정영역
321 : 적재부 325 : 기재이송부
330 : 플라즈마 차단블록 331 : 플라즈마 차단영역
400 : 진공조절부 500 : 가스공급부
530 : 노즐수단 600 : 전극유닛
610 : 전극 640 : 자기장발생부재
700 : 전원공급부 S : 기재300: Vacuum chamber 310: Process area
321: Loading section 325:
330: Plasma blocking block 331: Plasma blocking area
400: Vacuum control unit 500: Gas supply unit
530: Nozzle means 600: Electrode unit
610: electrode 640: magnetic field generating member
700: Power supply part S: Equipment
Claims (9)
기재가 위치하는 공정영역을 갖는 진공챔버;
상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부;
상기 진공챔버 내부에 공정가스를 공급하는 가스공급부;
상기 진공챔버 내에 설치되어 상기 공정영역에 플라즈마를 형성하는 적어도 하나의 전극유닛;
상기 전극유닛에 전원을 공급하는 전원공급부;
상기 진공챔버 내부에 마련되어 상기 전극유닛에서 발생하는 플라즈마가 상기 공정영역 외에 불필요한 영역으로 발생되는 것을 차단하는 플라즈마 차단블록;을 포함하고,
상기 플라즈마 차단블록은 상기 공정영역이 아닌 영역에 대응하는 상기 전극유닛의 외주 일부 영역을 간극을 두고 둘러싸도록 상기 전극유닛의 외주 일부 영역에 대응하는 형상으로 함몰된 플라즈마 차단영역을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치. In a plasma chemical vapor deposition apparatus,
A vacuum chamber having a process region in which a substrate is located;
A vacuum controller for controlling a degree of vacuum in the vacuum chamber;
A gas supply unit for supplying a process gas into the vacuum chamber;
At least one electrode unit installed in the vacuum chamber to form a plasma in the process region;
A power supply unit for supplying power to the electrode unit;
And a plasma blocking block provided inside the vacuum chamber to block plasma generated in the electrode unit from being generated in an unnecessary region outside the process region,
Wherein the plasma cut-off block has a plasma cut-off region recessed in a shape corresponding to a part of an outer circumferential portion of the electrode unit so as to surround a part of an outer circumferential portion of the electrode unit corresponding to a region other than the process region with a gap therebetween Plasma chemical vapor phase apparatus.
상기 플라즈마 차단블록은 상기 진공챔버에 대해 플로팅(floating) 또는 접지(ground)되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치. The method according to claim 1,
Wherein the plasma blocking block is floating or grounded relative to the vacuum chamber. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >
상기 간극은 0.5mm 내지 100mm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gap is 0.5 mm to 100 mm.
상기 전극유닛은 복수로 마련되며, 상기 플라즈마 차단영역은 상기 전극유닛에 대응하는 수로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of electrode units are provided, and the plasma cut-off region is provided in a number corresponding to the electrode unit.
상기 플라즈마 차단영역들 사이에는 상기 공정영역을 향하는 블록연결영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치. The method according to claim 1,
And a block connection region facing the process region is formed between the plasma cut-off regions.
상기 블록연결영역의 표면은 표면거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치. The method according to claim 6,
Wherein the surface of the block connecting region has a surface roughness.
상기 전극유닛은
중공체의 전극과, 상기 전극 내부에 마련되어 상기 전극 외측으로 자기장을 형성하는 적어도 하나의 자기장발생부재를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치. The method according to claim 1,
The electrode unit
A hollow body electrode, and at least one magnetic field generating member provided inside the electrode and forming a magnetic field outside the electrode.
권취된 기재를 상기 공정영역으로 공급하는 공급롤과,
상기 공정영역에 마련되며 상기 기재가 감아 도는 드럼과,
상기 드럼을 감아 돌아 상기 공정영역을 거친 기재를 권취하는 회수롤을 더 포함하며;
상기 전극유닛은 상기 드럼과 인접한 영역에서 상기 공정영역에 플라즈마를 형성하도록 적어도 하나가 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 장치.The method according to any one of claims 1, 2, and 4 to 8,
A feed roll for feeding the wound substrate to the process area,
A drum which is provided in the process area and on which the substrate is wound,
Further comprising: a recovery roll for winding the drum and winding the substrate through the processing area;
Wherein at least one of the electrode units is arranged to form a plasma in the process region in an area adjacent to the drum.
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