KR101631639B1 - Method of manufacturing sintered plate and method of manufacturing ceramic heater including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 소결체를 제조하는 방법에 있어서, 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재를 준비하는 세라믹 소재 마련 단계, 고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계 및 미리 정한 온도 하에서 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계를 포함하는 소결체 제조 방법을 개시한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 세라믹 히터를 제조하는 방법에 있어서, 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재를 준비하는 세라믹 소재 마련 단계, 고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계, 미리 정한 온도 하에서 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계 및 상기 가소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 상판, 중간판, 및 하판을 준비하는 상판, 중간판 및 하판 마련 단계, 정전기를 발생시키는 정전기 발생 전극을 상기 중간판의 상면에 배치하고, 열을 발산하는 발열 부재를 상기 중간판의 하면에 배치하는 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계 및 상기 상판과 중간판 및 하판을 가열 압착공법에 의하여 가열하여 압착시킴으로써 상기 상판과 중간판 및 하판이 서로 접합되는 가열 압착공법에 의한 가열 압착 단계를 포함하며, 상기 상판, 중간판, 및 하판 중 적어도 어느 하나는 상기 가소결된 플레이트로 마련되는 세라믹 히터 제조 방법을 개시한다.
A method of manufacturing a sintered body according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a ceramic material for preparing a ceramic material in a powder state to be a material of a plate and forming a refractory metal reacting with carbon and / And a plate plasticizing step of forming a plate as a platelike member by heating the ceramic material under a predetermined temperature and supplying a refractory metal to the upper part and / or the lower part of the sintered body.
According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic heater, comprising the steps of: preparing a ceramic material to prepare a ceramic material in powder form to be a material of a plate; A step of supplying a refractory metal to the upper and / or lower portions of the material; a plate plasticizing step of heating the ceramic material under a predetermined temperature to form a platelike plate; An intermediate plate and a lower plate for preparing an upper plate, an intermediate plate and a lower plate by a ceramic material in powder form to form a lower plate, a static electricity generating electrode for generating static electricity is disposed on the upper surface of the intermediate plate, A heat generating member and a static electricity generating electrode disposed on the lower surface of the intermediate plate, By pressing the intermediate plate and the lower plate is heated by the hot-pressing method comprising a phase-based upper plate and intermediate plate, and hot-pressing step by hot-pressing method is the lower plate are bonded together, at least one of the top plate, intermediate plate, and a lower plate Discloses a method of manufacturing a ceramic heater provided with the plasticized plate.

Description

소결체 제조 방법 및 이에 의해 제조된 소결체를 포함하는 세라믹 히터 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING SINTERED PLATE AND METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC HEATER INCLUDING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a sintered body, and a method for manufacturing a ceramic heater including the sintered body manufactured thereby.

본 발명은 소결체 제조 방법 및 이에 의해 제조된 소결체를 포함하는 세라믹 히터 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a sintered body and a method of manufacturing a ceramic heater including the sintered body produced thereby.

세라믹 히터(Ceramic heater)는 반도체를 제조하는 공정 중에 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 장치이다. Ceramic heaters are devices for heating semiconductor wafers during the process of manufacturing semiconductors.

상기 세라믹 히터는, 질화알루미늄(AlN; aluminium nitride) 또는 산화알루미늄(Al2O3; aluminium oxide)등의 세라믹 소재를 이용하여 제조되는 원형 평판 부재인 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판의 하면에 부착되며 중심축을 따라 길게 연장된 중공형 새프트, 상기 세라믹 기판의 내부에 배선되어 열을 발산하는 열선, 상기 세라믹 기판의 내부에 배선되는 그물망(mesh) 형상의 금속 부재로서 상기 반도체 웨이퍼를 흡착하거나 플라즈마를 발생시키기 위한 정전기를 발생시키는 정전기 발생 전극을 포함하여 구성된다. The ceramic heater is a ceramic substrate which is a circular flat plate member made of a ceramic material such as aluminum nitride (AlN) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and is attached to the lower surface of the ceramic substrate, A hollow sash extending elongated along the axis, a heating wire which is wired inside the ceramic substrate to radiate heat, and a metal member which is wired inside the ceramic substrate, and which absorbs the semiconductor wafer or generates plasma And a static electricity generating electrode for generating a static electricity for causing the static electricity to be generated.

따라서, 상기 세라믹 히터는, 상기 열선에 의하여 상기 반도체 웨이퍼를 가열하고, 상기 정전기 발생 전극에 의하여 발생되는 정전기를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼를 흡착하여 고정하거나 플라즈마를 발생시키게 된다.Therefore, the ceramic heater heats the semiconductor wafer by the hot wire, and uses the static electricity generated by the static electricity generating electrode to adsorb and fix the semiconductor wafer or to generate plasma.

본 발명의 목적은, 소결체 제조 방법 및 이에 의해 제조된 소결체를 포함하는 세라믹 히터 제조 방법을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a sintered body and a method of manufacturing a ceramic heater including the sintered body produced thereby.

본 발명의 일 실시예는 소결체를 제조하는 방법에 있어서, 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재를 준비하는 세라믹 소재 마련 단계, 고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계 및 미리 정한 온도 하에서 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계를 포함하는 소결체 제조 방법을 개시한다.A method of manufacturing a sintered body according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a ceramic material for preparing a ceramic material in a powder state to be a material of a plate and forming a refractory metal reacting with carbon and / And a plate plasticizing step of forming a plate as a platelike member by heating the ceramic material under a predetermined temperature and supplying a refractory metal to the upper part and / or the lower part of the sintered body.

본 실시예에 있어서, 상기 플레이트 가소결 단계에서 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융 금속과 탄소 및/또는 산소가 반응할 수 있다.In this embodiment, carbon and / or oxygen may react with the refractory metal supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material in the plate plasticizing step.

본 실시예에 있어서, 상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 시트(sheet) 형태로 구비될 수 있다.In the present embodiment, the refractory metal may be provided in a sheet form on the upper and / or lower portions of the ceramic material in the refractory metal supply step.

본 실시예에 있어서, 상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 페이스트(paste) 형태로 구비될 수 있다.In this embodiment, the refractory metal may be provided in a paste form on the upper and / or lower portions of the ceramic material in the refractory metal supplying step.

본 실시예에 있어서, 상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 페이스트(paste) 형태의 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 붓에 의해 발라져 공급될 수 있다.In this embodiment, the refractory metal in the form of a paste may be supplied by being sprayed onto the upper and / or lower portions of the ceramic material by a brush in the refractory metal supplying step.

본 실시예에 있어서, 상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 파우더(powder) 형태로 구비될 수 있다.In the present embodiment, the refractory metal may be provided in the form of a powder on the upper and / or lower portions of the ceramic material in the refractory metal supplying step.

본 실시예에 있어서, 상기 파우더(Powder) 형태의 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 스프레이에 의해 분사되어 공급될 수 있다.In this embodiment, the refractory metal in the form of powder may be sprayed and supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material.

본 실시예에 있어서, 상기 난융 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 중 어느 하나의 금속일 수 있다.In the present embodiment, the refractory metal may be any one of molybdenum (Mo), tungsten (W), hafnium (Hf), and niobium (Nb).

본 실시예에 있어서, 상기 플레이트 가소결 단계가 수행된 후 추가적으로 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 상기 플레이트 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, after the plate plasticizing step is performed, an oxide which reacts oxygen and / or carbon with the leached metal further supplied to the upper portion and / or the lower portion of the ceramic material and removes the compound generated on the surface of the plate And / or a carbide removing step.

본 실시예에 있어서, 상기 산화물 및 탄화물 제거 단계;는 산화물 및/또는 탄화물이 형성된 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면을 식각 공정에 따라 제거할 수 있다.In this embodiment, the oxide and the carbide removal step may remove the upper and / or lower surface of the plate on which the oxide and / or the carbide are formed according to the etching process.

본 발명의 다른 실시예는 분말 상태인 세라믹 소재를 미리 정한 온도 하에서 1차로 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 1차 가소결 단계, 고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급하는 난융 금속 공급 단계 및 미리 정한 온도 하에서 상기 플레이트를 2차로 가열하여 완전 소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 2차 완전 소결 단계를 포함하는 소결체 제조 방법을 개시한다.Another embodiment of the present invention is a method for manufacturing a ceramic composite material, comprising: a plate primary calcination step of forming a plate, which is a plate member plated by heating at a predetermined temperature, at a predetermined temperature, a refractory metal To the upper surface and / or the lower surface of the plasticized plate, and a plate second complete sintering step of forming a plate, which is a plate member that is completely sintered by heating the plate at a predetermined temperature under a predetermined temperature A method for producing a sintered body is disclosed.

본 실시예에 있어서, 상기 플레이트 2차 완전 소결 단계에서 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속과 탄소 및/또는 산소가 반응할 수 있다.In this embodiment, carbon and / or oxygen may react with the reflux metal supplied to the upper and / or lower surface of the plate in the plate second complete sintering step.

본 실시예에 있어서, 상기 난융 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 중 어느 하나의 금속일 수 있다.In the present embodiment, the refractory metal may be any one of molybdenum (Mo), tungsten (W), hafnium (Hf), and niobium (Nb).

본 실시예에 있어서, 상기 플레이트 2차 완전 소결 단계;가 수행된 후 추가적으로 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;를 더 포함할 수 있다.In the present embodiment, after the plate second complete sintering step is performed, oxygen and / or carbon react with the leached metal supplied to the upper surface and / or the lower surface of the plate to remove the compound formed on the surface And removing the oxide and / or the carbide.

본 실시예에 있어서, 상기 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;는 산화물 및/또는 탄화물이 형성된 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면을 식각 공정에 따라 제거할 수 있다.In the present embodiment, the oxide and / or carbide removing step may remove the upper and / or lower surface of the plate on which the oxide and / or the carbide are formed according to the etching process.

본 발명의 또 다른 실시예는 세라믹 히터를 제조하는 방법에 있어서, 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재를 준비하는 세라믹 소재 마련 단계, 고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계, 미리 정한 온도 하에서 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계 및 상기 가소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 상판, 중간판, 및 하판을 준비하는 상판, 중간판 및 하판 마련 단계, 정전기를 발생시키는 정전기 발생 전극을 상기 중간판의 상면에 배치하고, 열을 발산하는 발열 부재를 상기 중간판의 하면에 배치하는 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계 및 상기 상판과 중간판 및 하판을 가열 압착공법에 의하여 가열하여 압착시킴으로써 상기 상판과 중간판 및 하판이 서로 접합되는 가열 압착공법에 의한 가열 압착 단계를 포함하며, 상기 상판, 중간판, 및 하판 중 적어도 어느 하나는 상기 가소결된 플레이트로 마련되는 세라믹 히터 제조 방법을 개시한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic heater, comprising the steps of: preparing a ceramic material to prepare a ceramic material in powder form to be a material of a plate; A step of supplying a refractory metal to the upper and / or lower portions of the material; a plate plasticizing step of heating the ceramic material under a predetermined temperature to form a platelike plate; An intermediate plate and a lower plate for preparing an upper plate, an intermediate plate and a lower plate by a ceramic material in powder form to form a lower plate, a static electricity generating electrode for generating static electricity is disposed on the upper surface of the intermediate plate, A heat generating member and a static electricity generating electrode disposed on the lower surface of the intermediate plate, Wherein the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate are heated and pressed by a hot pressing method so that the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate are bonded to each other, and at least one of the upper plate, And the ceramic heater is provided with the plasticized plate.

본 실시예에 있어서, 상기 플레이트 가소결 단계가 수행된 후 상기 상판, 중간판 및 하판 마련 단계가 수행되기 전에, 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 상기 플레이트 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, before the upper plate, the intermediate plate and the lower plate preparing step are performed after the plate plasticizing step is performed, the precious metal and oxygen and / or carbon supplied to the upper and / And removing an oxide and / or a carbide to remove the compound generated on the surface of the plate.

본 실시예에 있어서, 상기 상판의 하면 또는 상기 중간판의 상면 중 적어도 하나에는, 상기 정전기 발생 전극이 수용될 수 있는 정전기 발생 전극 수용홈이 형성될 수 있다.In the present embodiment, at least one of the lower surface of the upper plate and the upper surface of the intermediate plate may be provided with a static electricity generating electrode receiving groove capable of accommodating the static electricity generating electrode.

본 실시예에 있어서, 상기 중간판의 하면 또는 상기 하판의 상면 중 적어도 하나에는, 상기 발열 부재가 수용될 수 있는 발열 부재 수용홈이 형성될 수 있다.In this embodiment, at least one of the lower surface of the intermediate plate and the upper surface of the lower plate may be formed with a heating member receiving groove capable of receiving the heating member.

본 실시예에 있어서, 상기 발열 부재는 길이 방향으로 길게 연장된 금속 재질의 와이어 부재이며, 상기 세라믹 기판의 상면과 실질적으로 평행한 가상의 2차원 평면상에 2차원적으로 배선되어 있는 열선을 포함할 수 있다.In the present embodiment, the heating member is a wire member of a metal material elongated in the longitudinal direction, and includes a heat line that is two-dimensionally wired on a virtual two-dimensional plane substantially parallel to the upper surface of the ceramic substrate can do.

본 발명의 또 다른 실시예는, 분말 상태인 세라믹 소재를 미리 정한 온도 하에서 1차로 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 1차 가소결 단계, 고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급하는 난융 금속 공급 단계, 미리 정한 온도 하에서 상기 플레이트를 2차로 가열하여 완전 소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 2차 완전 소결 단계, 상기 완전소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 상판, 중간판, 및 하판을 준비하는 상판, 중간판 및 하판 마련 단계, 정전기를 발생시키는 정전기 발생 전극을 상기 중간판의 상면에 배치하고, 열을 발산하는 발열 부재를 상기 중간판의 하면에 배치하는 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계 및 상기 상판과 중간판 및 하판을 가열 압착공법에 의하여 가열하여 압착시킴으로써 상기 상판과 중간판 및 하판이 서로 접합되는 가열 압착공법에 의한 가열 압착 단계를 포함하며, 상기 상판, 중간판, 및 하판 중 적어도 어느 하나는 상기 완전소결된 플레이트로 마련되는 세라믹 히터 제조 방법을 개시한다.Another embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a ceramic composite material, comprising: a plate primary calcination step of forming a plate as a plate member which is calcined by heating the powdery ceramic material at a predetermined temperature; A reflowing metal supplying step of supplying a refractory metal to the upper surface and / or the lower surface of the plasticized plate; a plate forming a plate as a completely-sintered plate member by heating the plate under a predetermined temperature at a predetermined temperature; An intermediate plate and a lower plate for preparing an upper plate, an intermediate plate, and a lower plate made of a ceramic material in powder form to be a material of the fully sintered plate or the plate; And a heat generating member for radiating heat is disposed on the lower surface of the intermediate plate, And a heating and pressing step in which the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate are bonded to each other by heating and pressing the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate by a heat pressing method, And at least one of the lower plate is provided with the above-described fully sintered plate.

본 실시예에 있어서, 상기 플레이트 2차 완전 소결 단계가 수행된 후 상기 상판, 중간판 및 하판 마련 단계가 수행되기 전에, 상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 상기 플레이트 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, before the upper plate, the intermediate plate and the lower plate preparing step are performed after the plate second complete sintering step is performed, the tempered metal supplied to the upper surface and / or the lower surface of the plasticized plate And removing the oxide and / or the carbide removing the compound produced on the surface of the plate by the reaction of oxygen and / or carbon.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 소결 공정에서 탄소 및/또는 산소가 제거되어 내구성이 증가되고 세라믹 기판의 변색 또는 균열이 방지되는 유리한 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantageous effect that carbon and / or oxygen is removed in the sintering process to increase durability and discoloration or cracking of the ceramic substrate is prevented.

본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.It is needless to say that the effects of the present invention can be derived from the following description with reference to the drawings in addition to the above-mentioned contents.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법에 의해 제조된 세라믹 히터의 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 세라믹 히터의 "A"부분 확대도이다.
도 7은 도 5에 도시된 세라믹 기판의 분리 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발열 부재의 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 발열부재의 정면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예인 세라믹 히터 제조 방법의 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법의 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법의 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예인 세라믹 히터 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
1 is a flow chart of a method of manufacturing a sintered body according to a first embodiment of the present invention.
2 is a flowchart of a method for manufacturing a sintered body according to a second embodiment of the present invention.
3 is a flowchart of a method of manufacturing a sintered body according to a third embodiment of the present invention.
4 is a flowchart of a method for manufacturing a sintered body according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a ceramic heater manufactured by a method of manufacturing a ceramic heater according to an embodiment of the present invention.
Fig. 6 is an enlarged view of the "A" portion of the ceramic heater shown in Fig. 5;
7 is an exploded cross-sectional view of the ceramic substrate shown in Fig.
8 is a plan view of a heating member according to an embodiment of the present invention.
9 is a front view of the heating member shown in Fig.
10 is a flowchart of a method of manufacturing a ceramic heater according to a first embodiment of the present invention.
11 is a flowchart of a method of manufacturing a ceramic heater according to a second embodiment of the present invention.
12 is a flowchart of a method of manufacturing a ceramic heater according to a third embodiment of the present invention.
13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a ceramic heater according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 다른 실시예에 도시되어 있다 하더라도, 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 식별부호를 사용한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the following description of the present invention, the same reference numerals are used for the same components, although they are shown in other embodiments.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by terms. Terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시 예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예인 소결체 제조 방법의 흐름도이다.1 is a flowchart of a sintered body manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

먼저, 판형 부재인 플레이트의 재료가 되는 세라믹 소재를 분말 상태로 준비하는 세라믹 소재 마련 단계(S10)를 수행한다.First, a ceramic material preparing step (S10) for preparing a ceramic material as a material of a plate as a plate member in powder form is performed.

상기 세라믹 소재 마련 단계(S10)에서 세라믹 소재를 분말 상태로 준비한 후 난융 금속을 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계(S30)를 수행할 수 있다.In the ceramic material preparing step (S10), a refractory metal supplying step (S30) may be performed in which a ceramic material is prepared in powder form and then a refractory metal is supplied to an upper portion and / or a lower portion of the ceramic material.

난융(難融) 금속이란 녹는점이 철의 녹는점인 1539°C 보다 높은 금속의 총칭으로서 내화금속이라고도 한다. A refractory metal is also called refractory metal as a general term for metals whose melting point is higher than 1539 ° C, which is the melting point of iron.

후술하는 바와 같이 본 발명의 플레이트 가소결 단계(S50)는 약 1200 내지 1600에서 이루어지므로 가열 단계에서 녹지 않기 위해서는 녹는점이 1650 이상인 금속이 구비되어야 한다.As will be described later, since the plate plasticizing step (S50) of the present invention is performed at about 1200 to 1600, a metal having a melting point of 1650 or more must be provided in order to dissolve in the heating step.

특히, 본 발명의 난융(難融) 금속은 산소 및/또는 탄소와 반응을 잘 하는 금속일 수 있다. 즉, 가열되기 전에 공급되는 난융(難融) 금속이 산소 및/또는 탄소와 결합하여 화합물을 형성하도록 하기 위해서 산소 및/또는 탄소와 반응을 잘 하는 난융(難融) 금속이 공급될 수 있다.In particular, the refractory metal of the present invention may be a metal that reacts well with oxygen and / or carbon. That is, a refractory metal that reacts well with oxygen and / or carbon may be supplied so that the refractory metal supplied before heating is combined with oxygen and / or carbon to form a compound.

상기 난융 금속 공급 단계에(S30)서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부에만 공급되거나 하부에만 공급될 수 있으며 물론 상기 세라믹 소재의 상부 및 하부 전체에 공급될 수도 있다. In step S30, the refractory metal may be supplied only to the upper portion of the ceramic material, or may be supplied only to the lower portion of the ceramic material. Alternatively, the refractory metal may be supplied to the entire upper and lower portions of the ceramic material.

상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 난융 금속이 공급되고 난 후 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계(S50)를 수행할 수 있다.After the refractory metal is supplied to the upper portion and / or the lower portion of the ceramic material, the ceramic material may be heated to perform a plate joining step (S50) of forming a plate as a plated plate member.

상기 플레이트 가소결 단계(S50)에서 분말 상태인 상기 세라믹 소재를 1200 내지 1600°C의 온도하에서 1차로 가열하여, 밀도가 1.6 내지 2.5 g/cm3 인 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성할 수 있다. The ceramic material in a powder state in the plate plasticizing step (S50) may be firstly heated at a temperature of 1200 to 1600 ° C to form a plated plate member having a density of 1.6 to 2.5 g / cm 3 have.

상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융(難融) 금속은 상기 플레이트 가소결 단계(S50)에서 탄소 및/또는 산소와 반응해 플레이트의 표면에 탄화물 및/또는 산화물을 형성한다.The refractory metal supplied to the upper portion and / or the lower portion of the ceramic material reacts with carbon and / or oxygen in the plate plasticizing step (S50) to form carbide and / or oxide on the surface of the plate.

탄소 및/또는 산소는 플레이트 가소결 단계(S50)에서 세라믹의 부분적인 색상 변화를 유발하는 요소로서 히터의 균일한 색상을 위해 최대한 제거해야 하는 필요성이 있다.Carbon and / or oxygen need to be removed as much as possible for the uniform color of the heater as a factor causing the partial color change of the ceramic in the plate plasticizing step (S50).

이에, 본 발명에서는 탄소 및/또는 산소와 민감하게 반응하는 난융(難融) 금속을 공급하여 플레이트 가소결 단계(S50)에서 탄소 및/또는 산소를 최대한 제거하여 공정 시간을 최소화하며 세라믹의 변색을 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. Accordingly, in the present invention, it is possible to minimize the processing time by removing carbon and / or oxygen as much as possible in the plate plasticizing step (S50) by supplying a refractory metal which is sensitive to carbon and / or oxygen, There is an advantageous effect that can be prevented.

본 발명 소결체 제조 방법의 일 실시예에서 공급될 수 있는 난융(難融) 금속으로는 녹는점이 철의 녹는점보다 높으면서 탄소 및/또는 산소와의 반응성이 매우 좋은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 등이 사용될 수 있다.The refractory metal that can be supplied in one embodiment of the present invention is molybdenum (Mo), tungsten (W), or molybdenum (Molybdenum) having a melting point higher than that of iron and having a high reactivity with carbon and / , Hafnium (Hf), niobium (Nb), or the like can be used.

즉, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 중 어느 하나의 금속이 난융(難融) 금속으로 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급될 수 있다. That is, any one of molybdenum (Mo), tungsten (W), hafnium (Hf), and niobium (Nb) may be supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material as a refractory metal.

물론, 공급되는 난융(難融) 금속은 상술한 금속들에 한정되는 것은 아니며, 녹는점이 가소결 공정에서 녹지 않을 정도로 높고 산소 및/또는 탄소와의 반응성이 큰 금속이면 어떤 것이라도 사용될 수 있다. Of course, the refractory metal to be supplied is not limited to the above-mentioned metals, and any metal having a melting point that is high enough to melt in the plasticizing process and high in reactivity with oxygen and / or carbon can be used.

본 발명 소결체 제조 방법에서 상기 난융(難融) 금속은 다양한 형태로 공급될 수 있다. 즉, 어느 하나의 형태로 한정되어 공급되는 것이 아니라 파우더(powder)형태, 페이스트(paste) 형태, 시트(sheet) 형태 등 다양한 형태로 공급될 수 있다.In the sintered body manufacturing method of the present invention, the refractory metal may be supplied in various forms. That is, they may be supplied in various forms such as a powder form, a paste form, a sheet form, and the like, instead of being limited to one form.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 난융(難融) 금속은 시트(sheet) 형태로 공급될 수 있으며 세라믹 소재의 상부에 난융(難融) 금속 시트(sheet)가 부착되거나 세라믹 소재의 하부에 난융(難融) 금속 시트(sheet)가 부착될 수 있다. 물론, 세라믹 소재의 상부와 하부 모두에 (難融) 금속 시트(sheet)가 부착될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the refractory metal may be supplied in the form of a sheet, and a refractory metal sheet may be attached to the upper portion of the ceramic material, A refractory metal sheet may be attached. Of course, a (refractory) sheet of metal may be attached to both the top and bottom of the ceramic material.

상기 난융(難融) 금속 시트(sheet)는 탄소 및/또는 산소와 반응하여 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 탄화물 및/또는 화합물을 형성하게 된다.The refractory metal sheet reacts with carbon and / or oxygen to form carbides and / or compounds on the top and / or bottom of the ceramic material.

본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 난융(難融) 금속은 페이스트(paste)형태로 공급될 수 있다. 페이스트(paste) 형태란 고체와 액체의 중간 굳기를 뜻하는 것으로서 풀과 같이 점착성이 있는 상태의 물질을 의미한다. According to another embodiment of the present invention, the refractory metal may be supplied in the form of a paste. The paste form means a medium hardness between a solid and a liquid, and means a substance which is sticky like a paste.

즉, 난융(難融) 금속이 고체와 액체의 중간 상으로 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급될 수 있다.That is, a refractory metal may be supplied to the top and / or bottom of the ceramic material as an intermediate phase between the solid and the liquid.

상기 난융(難融) 금속이 페이스트(paste) 형태로 공급됨에 있어서 붓과 같은 도구에 의해 세라믹 소재의 상부 및/또는 세라믹 소재의 하부에 발라져 제공될 수 있다. 물론, 난융(難融) 금속이 페이스트(paste) 형태로 공급됨에 있어서 붓은 하나의 실시예일뿐 공급 도구는 이에 한정되지 않는다.When the refractory metal is supplied in the form of a paste, it may be applied to the upper portion of the ceramic material and / or the lower portion of the ceramic material by a brush-like tool. As a matter of course, the brush is one embodiment in supplying the refractory metal in paste form, but the supply tool is not limited thereto.

세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 페이스트(paste) 형태로 발라져 공급된 난융(難融) 금속은 탄소 및/또는 산소와 반응하여 가소결된 플레이트 표면에 탄화물 및/또는 산화물을 형성할 수 있다. The refractory metal supplied in the form of paste in the top and / or bottom of the ceramic material may react with carbon and / or oxygen to form carbides and / or oxides on the surface of the plated plate.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면 상기 난융(難融) 금속은 파우더(powder) 형태로 공급될 수 있다. 즉, 난융(難融) 금속이 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 가루 형태로 뿌려질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the refractory metal may be supplied in the form of a powder. That is, a refractory metal may be sprayed onto the top and / or bottom of the ceramic material.

파우더(powder) 형태의 난융(難融) 금속은 표면적이 넓어지므로 탄소 및/또는 산소와의 반응성이 커진다. 따라서 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 파우더(powder) 형태의 난융(難融) 금속은 표면에서 탄소 및/또는 산소와 반응하여 탄화물 및/또는 산화물을 형성한다. The refractory metal in the form of a powder has a larger surface area and thus becomes more reactive with carbon and / or oxygen. Therefore, a refractory metal in the form of powder supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material reacts with carbon and / or oxygen on the surface to form carbides and / or oxides.

파우더(powder) 형태의 난융(難融) 금속은 스프레이와 같은 도구에 의해 표면에 뿌려질 수 있다. 물론, 난융(難融) 금속 파우더(powder)가 뿌려져 공급됨에 있어 스프레이는 하나의 실시예일뿐 공급 도구가 이에 한정되는 것은 아니다. Refractory metal in the form of powder can be sprayed onto the surface by a tool such as a spray. Of course, as refractory metal powder is sprayed and supplied, spraying is only one example, and the supply tool is not limited thereto.

상술한 바와 같이 플레이트 가소결 단계(S50)가 수행되기 전에 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 난융(難融) 금속이 공급될 수 있다.(S30) As described above, the refractory metal may be supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material before the plate plasticizing step (S50) is performed. (S30)

이 때, 난융(難融) 금속이 파우더(powder)형태, 페이스트(paste) 형태, 시트(sheet) 형태로 공급되는 실시예에 대하여 상세히 설명하였다. 다만, 난융(難融) 금속이 공급되는 형태는 이에 한정되지 않으며 세라믹 소재에 공급될 수 있는 것이라면 난융 금속 공급 단계(S50)에서 어떤 형태로라도 공급될 수 있다.At this time, embodiments in which the refractory metal is supplied in the form of powder, paste, or sheet have been described in detail. However, the form in which the refractory metal is supplied is not limited thereto, and any type of refractory metal may be supplied in the refractory metal supply step (S50) if it can be supplied to the ceramic material.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다. 도 2에서 도 1과 동일한 단계 부호는 동일한 단계를 나타내며, 설명의 편의를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다. 2 is a flowchart of a method for manufacturing a sintered body according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same steps, and a duplicate description thereof will be omitted for convenience of explanation.

제2 실시예에 따른 소결체 제조 방법은 상기 플레이트 가소결 단계(S50)가 수행된 후 가소결된 플레이트 표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계(S70)가 수행될 수 있다.In the method of manufacturing a sintered body according to the second embodiment, an oxide and / or a carbide removing step (S70) for removing an oxide and / or a carbide formed on the surface of the plastic plate after the plate plasticizing step (S50) is performed is performed .

상술한 바와 같이 본 발명 소결체 제조 방법에서는 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융(難融) 금속이 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급되므로 산화물 및/또는 탄화물이 가소결된 플레이트 표면에 형성되는바 쉽게 제거할 수 있는 유리한 효과가 있다.As described above, in the method of manufacturing a sintered body according to the present invention, since a refractory metal reacting with carbon and / or oxygen is supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material, oxides and / or carbides are formed on the surface of the plated plate There is an advantageous effect that the bar can be easily removed.

표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거함에 따라 산소 및/또는 탄소의 함유량이 낮은 소결체를 제조할 수 있으며 이러한 소결체를 포함하는 세라믹 히터 등을 제작할 수 있어 내구성이 증가되는 유리한 효과가 있다. It is possible to produce a sintered body having a low content of oxygen and / or carbon by removing the oxide and / or carbide formed on the surface thereof, and a ceramic heater including such a sintered body can be manufactured.

표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거하는 방법은 한정되지 않으며 식각 등의 공정을 추가적으로 수행하여 산화물 및/또는 탄화물이 표면에서 쉽게 제거될 수 있다.The method of removing the oxide and / or carbide formed on the surface is not limited, and the oxide and / or the carbide can be easily removed from the surface by further performing a process such as etching.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다. 3 is a flowchart of a method of manufacturing a sintered body according to a third embodiment of the present invention.

본 실시예에서는 먼저, 분말 상태인 세라믹 소재를 1200 내지 1600°C의 온도하에서 1차로 가열하여, 밀도가 1.6 내지 2.5 g/cm3 인 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 1차 가소결 단계(S11)를 수행할 수 있다. In this embodiment, first, the ceramic material in a powder state is first heated under a temperature of 1200 to 1600 ° C to form a plate, which is a plated plate member having a density of 1.6 to 2.5 g / cm 3 . Step S11 may be performed.

여기서, 상기 가소결된 플레이트는, 후술할 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)에서 완전소결 상태로 변할 때, 두께 방향으로 20 내지 50%의 수축율로 수축될 정도로 비교적 무른 성질을 가지고 있다.Here, the plasticized plate has such a comparatively small property that it shrinks at a shrinkage ratio of 20 to 50% in the thickness direction when it is changed into a completely sintered state in the plate second complete sintering step (S51), which will be described later.

상기 플레이트 1차 가소결 단계(S11)가 수행된 후 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 난융(難融) 금속을 공급하는 난융 금속 공급 단계(S31)를 수행할 수 있다.After the plate primary sintering step S11 is performed, a reflowing metal supplying step S31 for supplying a refractory metal to the upper and / or lower surfaces of the plated plates may be performed.

이 때, 난융 금속 공급 단계(S31)에서 공급되는 난융(難融) 금속은 상기 제1 실시예에서 상술한 바와 동일하며 설명의 편의를 위하여 반복하여 설명하지 않는다. At this time, the refractory metal supplied in the refractory metal supply step S31 is the same as that described in the first embodiment, and will not be repeatedly described for convenience of explanation.

후술하는 바와 같이 플레이트 2차 완전 소결 단계는 약 1650 내지 1800하에서 가열 단계에서 녹지 않기 위해서는 녹는점이 1650 이상인 금속이 구비되어야 한다.As will be described later, in the second plate complete sintering step, a metal having a melting point of 1650 or more must be provided in order to prevent melting at a temperature of about 1650 to 1800 in a heating step.

상술한 바와 같이 본 발명 소결체 제조 방법의 일 실시예에서 공급될 수 있는 난융(難融) 금속으로는 녹는점이 철의 녹는점보다 높으면서 탄소 및/또는 산소와의 반응성이 매우 좋은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 등이 사용될 수 있다.As described above, the refractory metal that can be supplied in one embodiment of the present invention is molybdenum (Mo) having a melting point higher than the melting point of iron and having a high reactivity with carbon and / or oxygen, Tungsten (W), hafnium (Hf), niobium (Nb), or the like can be used.

즉, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 중 어느 하나의 금속이 난융(難融) 금속으로 상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급될 수 있다. That is, any one of molybdenum (Mo), tungsten (W), hafnium (Hf) and niobium (Nb) is supplied as refractory metal to the upper and / .

난융 금속 공금 단계(S31)에서 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 난융 금속이 공급된 후 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)를 수행할 수 있다.And the plate second complete sintering step (S51) may be performed after the reflowing metal is supplied to the upper and / or lower surfaces of the plated plates in the refractory metal refining step (S31).

상기 가소결된 플레이트의 표면에 난융 금속이 공급된 상태로 가소결된 플레이트를 1650 내지 1800°C의 온도 하에서 2차로 가열하고 미리 정한 시간 동안 가압시키면, 상기 가소결된 플레이트가 완전소결되어 밀도가 3.0 내지 3.4 g/cm3로 변할 수 있다.When the plated plate with the refractory metal supplied to the surface of the plasticized plate is heated at a temperature of 1650 to 1800 ° C secondarily and pressurized for a predetermined time, the plasticized plate is completely sintered so that the density Lt; 3 > to 3.4 g / cm < 3 >.

이 때, 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)에서 산소 및/또는 탄소는 표면에 공급된 난융(難融) 금속과 반응하기 위해서 가소결된 플레이트의 표면으로 몰리게 된다. 따라서, 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)에서 상기 가소결된 플레이트의 표면에는 난융(難融) 금속과 탄소 및/또는 산소가 반응하여 형성되는 탄화물 및/또는 산화물이 형성된다.At this time, in the plate second complete sintering step (S51), oxygen and / or carbon is pushed to the surface of the plasticized plate to react with the refractory metal supplied to the surface. Therefore, in the plate second complete sintering step (S51), a carbide and / or an oxide formed by reacting a refractory metal with carbon and / or oxygen is formed on the surface of the plated plate.

상술한 바와 같이 난융 금속 공급 단계(S31)에서 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속은 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)에서 산소 및/또는 탄소와 반응할 수 있다. As described above, the refluxed metal supplied to the upper and / or lower surface of the plasticized sintered metal in the reflowed metal supply step S31 may react with oxygen and / or carbon in the plate second complete sintering step S51 .

이 때, 상기 난융 금속 공급 단계(S31)에서 공급되는 난융 금속의 형태는 한정되지 않으며 다양한 형태로 공급될 수 있다. 난융 금속이 공급되는 형태는 제1 실시예에서 설명한 바와 동일하며 설명의 편의를 위하여 반복하여 설명하지 않는다. At this time, the shape of the reflux metal supplied in the refueling metal supply step (S31) is not limited and can be supplied in various forms. The manner in which the refractory metal is supplied is the same as that described in the first embodiment and is not repeatedly described for convenience of explanation.

도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 소결체 제조 방법의 흐름도이다. 도 4에서 도 3과 동일한 단계 부호는 동일한 단계를 나타내며, 설명의 편의를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다. 4 is a flowchart of a method for manufacturing a sintered body according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same reference numerals as in FIG. 3 denote the same steps, and a duplicate description thereof will be omitted for convenience of explanation.

제4 실시예에 따른 소결체 제조 방법은 상기 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)가 수행된 후 완전소결된 플레이트 표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계(S71)가 수행될 수 있다.The sintered body manufacturing method according to the fourth embodiment includes an oxide and / or carbide removing step (S71) for removing the oxide and / or carbide formed on the plate surface that has been completely sintered after the plate second complete sintering step (S51) .

상술한 바와 같이 본 발명 소결체 제조 방법에서는 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융(難融) 금속이 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급되므로 산화물 및/또는 탄화물이 상기 완전소결된 플레이트 표면에 형성되는바 쉽게 제거할 수 있는 유리한 효과가 있다.As described above, in the method of manufacturing a sintered body according to the present invention, since the refractory metal reacting with carbon and / or oxygen is supplied to the upper surface and / or the lower surface of the plasticized plate, the oxide and / There is an advantageous effect that it can be easily removed as it is formed on the plate surface.

완전소결된 플레이트 표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거함에 따라 산소 및/또는 탄소의 함유량이 낮은 소결체를 제조할 수 있으며 이러한 소결체를 포함하는 세라믹 히터 등을 제작할 수 있어 내구성이 증가되는 유리한 효과가 있다. The oxide and / or the carbide formed on the surface of the completely sintered plate are removed, so that a sintered body having a low content of oxygen and / or carbon can be manufactured, and a ceramic heater including the sintered body can be manufactured, have.

완전소결된 플레이트의 표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거하는 방법은 한정되지 않으며 식각 등의 공정을 추가적으로 수행하여 산화물 및/또는 탄화물이 표면에서 쉽게 제거될 수 있다.The method of removing the oxide and / or carbide formed on the surface of the fully sintered plate is not limited, and the oxide and / or carbide can be easily removed from the surface by further performing a process such as etching.

본 발명의 일 실시예는 상술한 소결체 제조 방법으로 제조된 가소결체를 포함하는 세라믹 히터 제조 방법을 개시한다. One embodiment of the present invention discloses a method of manufacturing a ceramic heater including a firing assembly manufactured by the above-described method of manufacturing a sintered body.

도 5는 본 발명의 일 실시예인 세라믹 히터를 나타내는 단면도이며, 도 6은 도 5에 도시된 세라믹 히터의 "A"부분 확대도이다. 도 7은 도 5에 도시된 세라믹 기판의 분리 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view showing a ceramic heater according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged view of an "A" portion of the ceramic heater shown in FIG. 7 is an exploded cross-sectional view of the ceramic substrate shown in Fig.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 세라믹 히터(100)는, 반도체 웨이퍼(wafer)를 가열하기 위한 세라믹 히터(ceramic heater)로서, 세라믹 기판(90)과, 중공형 새프트(3)와, 발열 부재(40)와, 정전기 발생 전극(50)을 포함하여 구성된다.5 to 7, a ceramic heater 100 according to a preferred embodiment of the present invention is a ceramic heater for heating a semiconductor wafer. The ceramic heater 100 includes a ceramic substrate 90, A heat generating member 40, and a static electricity generating electrode 50. The electrostatic generating electrode 50 is made of a metal,

상기 세라믹 기판(90)은, 중심축(C)을 원의 중심으로 하는 원형 평판 부재로서, 열팽창 계수 4.4*10-6*K-1 질화알루미늄(AlN; aluminium nitride) 또는 열팽창 계수 8.0*10-6*K-1 산화알루미늄(Al2O3; aluminium oxide)등의 세라믹 소재를 이용하여 제조될 수 있는데, 본 실시예에서는 질화알루미늄(AlN)이 사용된다.The ceramic substrate 90 is a circular plate member having a central axis C as the center of a circle and has a coefficient of thermal expansion of 4.4 * 10 -6 * K -1 Aluminum nitride (AlN) or a coefficient of thermal expansion of 8.0 * 10 -6 * K -1 Aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or the like. In this embodiment, aluminum nitride (AlN) is used.

상기 세라믹 기판(90)은, 도 6에 도시된 바와 같이 중간판(10)과 상판(20)과 하판(30)을 포함하여 구성된다.The ceramic substrate 90 includes an intermediate plate 10, an upper plate 20 and a lower plate 30 as shown in FIG.

상기 중간판(10)의 상면에는, 상기 정전기 발생 전극(50)이 수용될 수 있는 정전기 발생 전극 수용홈(11)이 형성되어 있다.On the upper surface of the intermediate plate 10, a static electricity generating electrode receiving groove 11 capable of accommodating the static electricity generating electrode 50 is formed.

상기 정전기 발생 전극 수용홈(11)의 깊이(H2)는, 상기 정전기 발생 전극(50)의 전체 부피 및 상기 중간판(10) 및 상판(20)의 수축율을 고려하여 결정되며, 상기 정전기 발생 전극(50)의 두께(T2)의 20% 내지 40%의 값을 가진다.The depth H2 of the electrostatic generating electrode receiving groove 11 is determined in consideration of the total volume of the electrostatic generating electrode 50 and the contraction ratio of the intermediate plate 10 and the top plate 20, (20% to 40%) of the thickness (T2) of the substrate (50).

상기 상판(20)은, 상기 중심축(C)을 원의 중심으로 하는 원형 평판 부재로서, 상기 중간판(10)의 상면에 배치되는 부재이다. 상기 상판(20)의 상면에는, 피가열물인 반도체 웨이퍼가 올려질 수 있는 피가열물 안착홈(21)이 형성되어 있다.The upper plate 20 is a circular plate member having the central axis C as the center of the circle and is disposed on the upper surface of the intermediate plate 10. [ On the upper surface of the upper plate 20, an object receiving groove 21 on which a semiconductor wafer as an object to be heated can be mounted is formed.

상기 하판(30)은, 상기 중심축(C)을 원의 중심으로 하는 원형 평판 부재로서, 상기 중간판(10)의 하면에 배치되는 부재이다. 상기 하판(30)의 상면에는, 상기 발열 부재(40)가 수용될 수 있는 발열 부재 수용홈(31)이 형성되어 있다.The lower plate 30 is a circular plate member having the center axis C as the center of the circle and is disposed on the lower surface of the intermediate plate 10. [ A heating member receiving groove 31 is formed in the upper surface of the lower plate 30 to receive the heating member 40.

상기 발열 부재 수용홈(31)의 깊이(H1)는, 상기 발열 부재(40)의 전체 부피 및 상기 중간판(10) 및 하판(30)의 수축율을 고려하여 결정되며, 상기 발열 부재(40)의 두께(T1)의 20% 내지 40%의 값을 가진다.The depth H1 of the heating member receiving groove 31 is determined in consideration of the total volume of the heating member 40 and the shrinkage ratio of the intermediate plate 10 and the lower plate 30, Of the thickness (T1) of the substrate.

상기 중공형 새프트(3)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 내부에 중공(H)을 가진 파이프형 세라믹 부재로서, 상기 세라믹 기판(90)의 하면에 기밀 가능하게 부착된다. 따라서, 상기 중공(H)은 외부로부터 기밀 가능하게 격리되어 있다.As shown in Fig. 5, the hollow sheath 3 is a pipe-shaped ceramic member having a hollow H therein, and is hermetically attached to the lower surface of the ceramic substrate 90. Therefore, the hollow H is hermetically isolated from the outside.

상기 중공형 새프트(3)는, 상기 세라믹 기판(90)과 동일한 재질의 질화알루미늄(AlN)이 원료로 사용된다. 상기 중공형 새프트(3)의 내부에는, 제1 전기 공급 부재(6)와 제2 전기 공급 부재(7)가 배치되어 있다. The hollow sheath 3 is made of aluminum nitride (AlN) of the same material as the ceramic substrate 90 as a raw material. A first electricity supply member (6) and a second electricity supply member (7) are disposed inside the hollow sheath (3).

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발열 부재의 평면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 발열부재의 정면도이다. FIG. 8 is a plan view of a heating member according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a front view of the heating member shown in FIG.

상기 발열 부재(40)는, 전기에 의하여 열을 발산하는 부재로서, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 중간판(10)과 하판(30)의 사이에 배치된다. The heating member 40 is a member that dissipates heat by electricity and is disposed between the intermediate plate 10 and the lower plate 30 as shown in FIG.

상기 발열 부재(40)는, 상기 하판(30)의 발열 부재 수용홈(31)에 안착된다.The heating member (40) is seated in the heating member receiving groove (31) of the lower plate (30).

본 실시예에서 상기 발열 부재(40)로는 길이 방향으로 길게 연장된 직경(T1)의 금속 재질 와이어(wire)를 절곡하여 제조되며, 미리 정한 두께(T1)를 가진 원판형 열선(40)이 사용된다.In the present embodiment, the heating member 40 is formed by bending a metal wire having a diameter T1 extended in the longitudinal direction, and a disk-shaped heating wire 40 having a predetermined thickness T1 is used do.

상기 열선(40)은, 미리 정한 직경(T1)을 가진 원형 단면의 와이어로서, 몰리브덴(Mo; molybdenum) 또는 텅스텐(W; tungsten)과 같은 도전성 금속으로 제조될 수 있는데, 본 실시예에서는 몰리브덴(Mo)으로 제조된다. 여기서, 상기 몰리브덴(Mo)의 열팽창 계수는 5.1*10-6*K-1의 값을 가지며, 상기 텅스텐(W)의 열팽창 계수는 5.4*10-6*K-1의 값을 가진다.The hot wire 40 may be made of a conductive metal such as molybdenum (Mo) or tungsten (W) as a wire having a circular cross section with a predetermined diameter T1. In this embodiment, molybdenum Mo). Here, the thermal expansion coefficient of the molybdenum (Mo) has a value of 5.1 * 10 -6 * K -1 , and the thermal expansion coefficient of the tungsten (W) has a value of 5.4 * 10 -6 * K -1 .

따라서, 상기 열선(40)의 열팽창 계수는, 상기 세라믹 기판(90)의 열팽창 계수로부터

Figure 112014109944501-pat00001
3.0*10-6*K-1의 오차 범위 이내의 값을 가지게 된다.Therefore, the coefficient of thermal expansion of the heat ray 40 is smaller than the coefficient of thermal expansion of the ceramic substrate 90
Figure 112014109944501-pat00001
3.0 * 10 -6 * K -1 .

상기 열선(40)은, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 세라믹 기판(90)의 상면과 실질적으로 평행한 가상의 2차원 평면상에 밀착된 상태로 2차원적으로 배선되어 있다. 따라서, 상기 열선(40)은 상기 2차원 평면으로부터 돌출되지 않도록 배선됨으로써, 상기 열선(40)의 배치 두께(T1)가 상기 열선(40)의 직경(T1)과 동일한 값을 가지게 된다. 본 발명에서, 상기 가상의 2차원 평면은 수학적으로 완벽한 평면만을 의미하는 것은 아니다.As shown in Figs. 8 and 9, the heat ray 40 is two-dimensionally wired in close contact with a virtual two-dimensional plane substantially parallel to the upper surface of the ceramic substrate 90. [ Therefore, the heat ray 40 is wired so as not to protrude from the two-dimensional plane, so that the arrangement thickness T1 of the heat ray 40 has the same value as the diameter T1 of the heat ray 40. [ In the present invention, the virtual two-dimensional plane does not mean only a mathematically perfect plane.

상기 열선(40)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 분리선(S)을 기준으로 상기 세라믹 기판(90)의 우반면에 배치된 우반부(40a)와, 상기 세라믹 기판(90)의 좌반면에 배치된 좌반부(40b)를 포함한다. 8, the heat line 40 includes a right half portion 40a disposed on the right side of the ceramic substrate 90 with respect to the separation line S and a right half portion 40b disposed on the left side of the ceramic substrate 90 And the left half 40b.

본 실시예에서, 상기 열선(40)은, 별도의 접합 작업 없이 1개의 와이어를 절곡함으로써 제조된다.In the present embodiment, the hot wire 40 is manufactured by bending one wire without a separate joining operation.

상기 우반부(40a) 및 좌반부(40b)는, 상기 세라믹 기판(90)의 중심축(C)을 원의 중심으로 하는 복수 개의 동심원 상에 배치된 복수 개의 원호부(44)와, 다른 동심원 상에 배치된 상기 원호부(44)를 서로 연결해주는 복수 개의 결합부(45)를 포함한다.The right half 40a and the left half 40b are provided with a plurality of circular arcs 44 arranged on a plurality of concentric circles with the center axis C of the ceramic substrate 90 as the center of the circle, And a plurality of engaging portions 45 for connecting the arcuate portions 44 disposed on the outer circumferential surface.

상기 우반부(40a)의 일단부(41) 및 상기 좌반부(40b)의 일단부(42)는, 상기 제1 연결 부재(8)와 결합되어 전기를 공급받는 부분으로서, 상기 중공형 새프트(3)의 중공(H) 내부와 연통될 수 있도록, 상기 세라믹 기판(90)의 중심축(C) 부근에 배선되어 있다.One end 41 of the right half 40a and one end 42 of the left half 40b are connected to the first connection member 8 to receive electricity, (C) of the ceramic substrate 90 so as to communicate with the inside of the hollow (H) of the ceramic substrate (3).

상기 우반부(40a)의 타단부와 상기 좌반부(40b)의 타단부는, 상기 세라믹 기판(90)의 최외곽에 위치하는 연결점(43)에서 서로 연결되어 있다.The other end of the right half 40a and the other end of the left half 40b are connected to each other at a connection point 43 located at the outermost portion of the ceramic substrate 90.

상기 열선(40)은 지그재그 형상으로 꼬불꼬불하게 형성되어 있다. 여기서 상기 열선(40)의 꼬불꼬불한 파형의 피치(pitch) 및 진폭(amplitude)은 상기 세라믹 기판(90) 상의 배선된8위치에 따라 다른 값을 가질 수 있다. The heat ray 40 is formed in a zigzag shape. Here, the pitch and the amplitude of the shear wave of the hot wire 40 may have different values depending on the wired eight positions on the ceramic substrate 90.

본 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 세라믹 기판(90)의 중심축(C) 부근 열선(40)의 피치가 나머지 부분 열선(40)의 피치보다 작다. 다만, 상기 열선(40)의 피치는, 동일한 동심원 상에서는 동일한 값을 가진다.4, the pitch of the hot line 40 in the vicinity of the central axis C of the ceramic substrate 90 is smaller than the pitch of the remaining partial hot lines 40. In this embodiment, However, the pitch of the heat ray 40 has the same value on the same concentric circle.

본 실시예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 세라믹 기판(90)의 중심축(C)에 가장 가까운 동심원 상에 배선된 열선(40)의 진폭이 나머지 부분 열선(40)의 진폭보다 크다. 다만, 상기 열선(40)의 진폭은 동일한 동심원 상에서는 동일한 값을 가진다.8, the amplitude of the heat line 40 wired on the concentric circle closest to the center axis C of the ceramic substrate 90 is larger than the amplitude of the remaining partial heat line 40 . However, the amplitude of the heat ray 40 has the same value on the same concentric circle.

상기 정전기 발생 전극(50)은 전극선(51)이 그물망(mesh) 형상으로 형성된 원판형 금속 부재로서, 반도체 웨이퍼를 흡착하거나 플라즈마를 발생시키기 위한 정전기를 발생시키는 부재이다.The electrostatic generating electrode 50 is a disc-shaped metal member having an electrode line 51 formed in a mesh shape, and is a member for generating a static electricity for adsorbing a semiconductor wafer or generating plasma.

상기 정전기 발생 전극(50)은, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 중간판(10)과 상판(20)의 사이에 배치되며, 도 7에 도시된 바와 같이 미리 정한 두께(T2)를 가지고 있다. 상기 정전기 발생 전극(50)은, 상기 중간판(10)의 정전기 발생 전극 수용홈(11)에 안착된다.The electrostatic generating electrode 50 is disposed between the intermediate plate 10 and the upper plate 20 as shown in FIG. 6 and has a predetermined thickness T2 as shown in FIG. The electrostatic generating electrode 50 is seated in the electrostatic generating electrode receiving groove 11 of the intermediate plate 10.

도 10은 본 발명 세라믹 히터 제조 방법의 제1 실시예에 따른 흐름도이다. 다만, 도 10에서 도 1과 동일한 단계 부호는 동일한 단계를 나타내며, 설명의 편의를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다. 10 is a flow chart according to the first embodiment of the method of manufacturing the ceramic heater of the present invention. In FIG. 10, the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same steps, and a duplicate description thereof will be omitted for convenience of explanation.

상술한 바와 같이 본 발명 소결체 제조 방법의 제1 실시예에 따라 가소결된 플레이트를 형성할 수 있다. As described above, the plasticized plate can be formed according to the first embodiment of the sintered body manufacturing method of the present invention.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이 세라믹 소재 마련 단계(S10), 난융 금속 공급 단계(S30), 플레이트 가소결 단계(S50)를 순차적으로 수행할 수 있다. That is, as shown in FIG. 10, the ceramic material preparing step S10, the reflowing metal supplying step S30, and the plate plasticizing step S50 can be sequentially performed.

이에 따라 공급된 난융 금속과 산소 및/탄소가 반응하여 표면에 산화물 및/또는 탄화물이 형성되는 플레이트를 형성할 수 있다.Accordingly, the supplied leached metal reacts with oxygen and / carbon to form a plate on which oxides and / or carbides are formed.

이후, 본 실시예에 따른 세라믹 히터를 제조하기 위하여 상판(20), 중간판(10) 및 하판(30)을 제공하는 상판(20), 중간판(10) 및 하판(30) 마련 단계(S100)를 수행할 수 있다.Thereafter, in order to manufacture the ceramic heater according to the present embodiment, an upper plate 20, an intermediate plate 10, and a lower plate 30 providing step (S100) for providing the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 ). ≪ / RTI >

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법에서 상판(20), 중간판(10) 및 하판(30)은 상기 세라믹 소재 마련 단계(S10), 난융 금속 공급 단계(S30), 플레이트 가소결 단계(S50)를 순차적으로 수행해 만들어진 가소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 준비될 수 있다.In the method of manufacturing a ceramic heater according to the present embodiment, the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 are provided with the ceramic material preparing step S10, the reflowing metal supplying step S30, the plate plasticizing step S50, And a ceramic material in powder form to be a material of the plate.

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법은 상기 상판(20), 상기 중간판(10) 및 상기 하판(30) 중 적어도 어느 하나는 상기 세라믹 소재 마련 단계(S10), 난융 금속 공급 단계(S30), 플레이트 가소결 단계(S50)를 순차적으로 수행해 만들어진 가소결된 플레이트일 수 있다.At least one of the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 is formed by the ceramic material preparing step S10, the reflowing metal supplying step S30, And a plastic plasticizing step (S50).

상판(20), 중간판(10) 및 하판(30) 마련 단계(S100)에서 상기 정전기 발생 전극 수용홈(11), 발열 부재 수용홈(31)을 절삭 가공에 의해 형성할 수 있다.The electrostatic generating electrode receiving groove 11 and the heating member receiving groove 31 may be formed by cutting in the upper plate 20, intermediate plate 10 and lower plate 30 forming step S100.

상기 상판(10), 중간판(30) 및 하판(50) 마련 단계(S100)를 수행한 후 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계(S120)가 수행 될 수 있다.After the upper plate 10, the intermediate plate 30, and the lower plate 50 are formed (S100), a heating member and a static electricity generating electrode placement step S120 may be performed.

상기 하판(30)의 발열 부재 수용홈(31)에 상기 열선(40)을 배치하고, 상기 열선(40)의 위에 상기 중간판(10)을 배치하고, 상기 중간판(10)의 정전기 발생 전극 수용홈(11)에 상기 정전기 발생 전극(50)을 배치하고, 상기 정전기 발생 전극(50)의 위에 상기 상판(20)을 차례로 배치하게 하게 된다. The heating wire 40 is disposed in the heating member receiving groove 31 of the lower plate 30 and the middle plate 10 is disposed on the heating wire 40. The static electricity generating electrode The electrostatic generating electrode 50 is disposed in the receiving groove 11 and the top plate 20 is placed on the electrostatic generating electrode 50 in order.

이후, 상판(20), 중간판(10) 및 하판(30)을 가열 압착하는 가열 압착 단계(S140)를 수행할 수 있다. 상기 가열 압착 단계(S140)에서 차례로 배치된 하판(30), 열선(40), 중간판(10), 정전기 발생 전극(50), 상판(20)을 가열 압착기에 배치할 수 있다.Thereafter, a heat pressing step (S140) for heating and pressing the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 can be performed. The lower plate 30, the heat ray 40, the intermediate plate 10, the static electricity generating electrode 50, and the upper plate 20, which are sequentially disposed in the heating and pressing step S140, can be disposed in the hot press.

상기 가열 압착기(미도시)는, 상기 중간판(10), 상판(20) 및 하판(30)의 측면을 지지하는 원통형 측면 금형과, 상기 상판(20)의 상면을 가압하는 상부 금형과, 상기 하판(30)의 하면을 받쳐서 지지하는 하부 금형을 포함하는 장치로서, 가열 압착공법(Hot Pressing)을 위하여 사용되는 장치이다.(Not shown) includes a cylindrical side mold for supporting the side surfaces of the intermediate plate 10, the upper plate 20 and the lower plate 30, an upper mold for pressing the upper surface of the upper plate 20, And a lower mold supporting and supporting the lower surface of the lower plate 30. This device is used for hot pressing.

상기 가열 압착기를 구동시켜, 적층된 상기 중간판(10), 상판(20) 및 하판(30)을 1650 내지 1800°C의 온도에서 2차로 가열한 상태에서, 상기 상부 금형을 하강시켜 미리 정한 시간 동안 가압시키면, 상기 중간판(10), 상판(20) 및 하판(30)이 완전소결되어 밀도가 3.0 내지 3.4 g/cm3로 변하면서 서로 접합됨으로써 상기 세라믹 기판(90)의 제조가 완료된다.The hot press is driven to lower the upper mold in a state where the intermediate plate 10, the upper plate 20 and the lower plate 30 are heated at a temperature of 1650 to 1800 ° C secondarily, The intermediate plate 10, the upper plate 20 and the lower plate 30 are completely sintered so that the densities of the intermediate plate 10, the upper plate 20 and the lower plate 30 are changed to 3.0 to 3.4 g / cm 3 , thereby completing the manufacture of the ceramic substrate 90 .

그 후 상기 세라믹 기판(90)의 하면에 상기 중공형 새프트(3)를 접합시키고, 기타 마무리 절삭 가공을 하면 세라믹 히터(100)의 제조가 완료된다.Thereafter, the hollow sheath 3 is joined to the lower surface of the ceramic substrate 90, and other finish machining is performed to complete the manufacture of the ceramic heater 100.

상술한 세라믹 히터 제조 방법은, 세라믹 소재 마련 단계(S10)와 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 난융 금속을 공급하는 난융 금속 공급 단계(S30)와 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계(S30)와 상판(20), 중간판(10), 하판(30) 중 적어도 어느 하나는 상기 가소결된 플레이트를 포함하도록 상판(20), 중간판(10), 및 하판을 마련 하는 단계(S100)와 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계(S120)와 가열 압착 단계(S140)를 포함하므로, 난융 금속 공급 단계(S30)에서 탄소 및/또는 산소와 반응성이 큰 난융(難融) 금속을 공급함에 따라 탄소 및/또는 산소가 표면에 난융(難融) 금속과 반응하여 플레이트 표면에 탄화물 및/또는 산화물을 형성하므로 상기 정전기 발생 전극(50) 및 열선(40)이 소결시에 산화되거나 탄화되지 않아 내구성이 증가하는 장점이 있다. 만약 상기 정전기 발생 전극(50) 및 열선(40)이 산화되거나 탄화되면, 상기 금속 부재들(40, 50)의 수명 및 성능이 감소하며, 상기 세라믹 기판(90)에 균열 및 변색이 발생할 위험이 커진다.The ceramic heater manufacturing method includes a ceramic material preparing step (S10), a reflowing metal supplying step (S30) for supplying refractory metal to the upper and / or lower portions of the ceramic material, and a plasticized plate by heating the ceramic material The intermediate plate 10 and the intermediate plate 10 are formed such that at least one of the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 includes the plasticized plate, Since the step S100 of providing the bottom plate and the step of arranging the electrostatic generating electrodes S120 and S140 are included in the step S130, Refracting metal), carbon and / or oxygen reacts with the surface of the refractory metal to form carbide and / or oxide on the surface of the plate, so that the electrostatic generating electrode 50 and the heat ray 40 are sintered Oxidized or carbonized in the city Because there is an advantage that the durability is increased. If the static electricity generating electrode 50 and the heat ray 40 are oxidized or carbonized, the life and performance of the metal members 40 and 50 are reduced, and the risk of cracking and discoloration of the ceramic substrate 90 It grows.

아울러 상기 세라믹 히터 제조 방법은, 상판(20)과 중간판(10) 및 하판(30)을 가열 압착공법에 의하여 2차로 가열하여 압착시킴으로써, 상기 상판(20)과 중간판(10) 및 하판(30)이 완전소결 상태로 변하면서 서로 접합되므로, 완전소결체끼리 접착시킬 경우에 필요한 분말 상태의 세라믹 재료를 접착제로 사용하지 않아도 되는 장점이 있다.The method of manufacturing the ceramic heater may further include heating the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 by heating the upper plate 20, the intermediate plate 10, and the lower plate 30 by the second- 30 are bonded to each other while changing into a completely sintered state, there is an advantage that the ceramic material in a powder state necessary for bonding the completely sintered bodies to each other is not required to be used as an adhesive.

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법의 흐름도이다. 다만, 도 11에서 도 1, 2 및 도 10과 동일한 단계 부호는 동일한 단계를 나타내며, 설명의 편의를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.11 is a flowchart of a method of manufacturing a ceramic heater according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 11, the same reference numerals as in FIGS. 1, 2, and 10 denote the same steps, and a duplicate description thereof will be omitted for convenience of explanation.

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법은 상기 플레이트 가소결 단계(S50)가 수행된 후 가소결된 플레이트 표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계(S70)가 수행될 수 있다.In the method of manufacturing a ceramic heater according to this embodiment, an oxide and / or a carbide removing step (S70) for removing an oxide and / or a carbide formed on a surface of a plastic plate after the plate plasticizing step (S50) is performed is performed .

상기 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계(S70)에 대한 상세한 설명은 제2 실시예에 따른 소결체 제조 방법에서 상술한 것과 동일한바 설명의 편의를 위하여 반복하여 설명하지 않는다. A detailed description of the oxide and / or carbide removal step (S70) is not repeated for the sake of convenience of description, as described above in the method of manufacturing the sintered body according to the second embodiment.

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법의 흐름도이다. 다만, 도 12에서 도 3 및 도 10과 동일한 단계 부호는 동일한 단계를 나타내며, 설명의 편의를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다. 12 is a flowchart of a method of manufacturing a ceramic heater according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 12, the same reference numerals as in FIG. 3 and FIG. 10 denote the same steps, and redundant description thereof will be omitted for convenience of explanation.

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법은 상술한 바와 같이 소결체 제조 방법의 제3 실시예에 따라 완전소결된 플레이트를 형성할 수 있다. The method of manufacturing a ceramic heater according to this embodiment can form a fully sintered plate according to the third embodiment of the method for manufacturing a sintered body as described above.

즉, 도 12에 도시된 바와 같이 플레이트 1차 가소결 단계(S11), 난융 금속 공급 단계(S31), 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)를 순차적으로 수행할 수 있다. That is, as shown in FIG. 12, the plate primary sintering step S11, the reflowing metal supplying step S31, and the plate secondary complete sintering step S51 can be sequentially performed.

이에 따라 공급된 난융 금속과 산소 및/탄소가 반응하여 표면에 산화물 및/또는 탄화물이 형성되는 완전소결된 플레이트를 형성할 수 있다.Thus, a fully sintered plate can be formed in which oxygen and / carbon react with the supplied leached metal to form oxides and / or carbides on the surface.

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법에서 상판(20), 중간판(10) 및 하판(30)은 플레이트 1차 가소결 단계(S11), 난융 금속 공급 단계(S31), 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)를 순차적으로 수행해 만들어진 완전소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 준비될 수 있다.In the ceramic heater manufacturing method according to the present embodiment, the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 are subjected to a plate primary sintering step S11, a reflux metal feeding step S31, (S51), or a ceramic material in powder form to be the material of the plate.

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법은 상기 상판(20), 상기 중간판(10) 및 상기 하판(30) 중 적어도 어느 하나는 플레이트 1차 가소결 단계(S11), 난융 금속 공급 단계(S31), 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)를 순차적으로 수행해 만들어진 완전소결된 플레이트일 수 있다.At least one of the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 is subjected to a plate primary firing step S11, a reflowing metal supplying step S31, , And a plate secondary complete sintering step (S51).

상판(20), 중간판(10) 및 하판(30) 마련 단계(S100)에서 상술한 바와 같이 적어도 어느 하나는 플레이트 1차 가소결 단계(S11), 난융 금속 공급 단계(S31), 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)를 순차적으로 수행해 만들어진 완전소결된 플레이트로 마련할 수 있다.At least one of the plate primary sintering step S11, the reflowing metal supplying step S31 and the plate secondary sintering step S11 are performed as described above in the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate preparing step S100. And a complete sintering step (S51) are sequentially performed.

즉, 상판(20), 중간판(10) 및 하판(30) 중 적어도 어느 하나는 난융 금속이 표면에 공급된 상태에서 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)가 수행되어 난융 금속이 산소 및/또는 탄소와 반응하여 표면에 산화물 및/또는 탄화물이 형성될 수 있다.That is, at least one of the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 is subjected to a plate second complete sintering step (S51) in a state in which a refractory metal is supplied to the surface, Oxide and / or carbide may be formed on the surface by reacting with carbon.

상판(20), 중간판(10) 및 하판(30) 마련 단계(S100)가 수행된 후 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계(S120) 및 가열 압착 단계(S140)가 순차적으로 수행될 수 있으며 이는 제1 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법에서 이미 상술한 바 설명의 편의를 위하여 반복하여 설명하지 않는다. After the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 are prepared, the heat generating member and the electrostatic generating electrode arranging step S120 and the heat pressing step S140 may be sequentially performed, The method for manufacturing a ceramic heater according to the first embodiment has not been described repeatedly for the sake of convenience of the explanation described above.

도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법의 흐름도이다. 다만, 도 13에서 도 4 및 도 10과 동일한 단계 부호는 동일한 단계를 나타내며, 설명의 편의를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다. 13 is a flowchart of a method of manufacturing a ceramic heater according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 13, the same reference numerals as in FIG. 4 and FIG. 10 denote the same steps, and redundant description thereof will be omitted for convenience of explanation.

본 실시예에 따른 세라믹 히터 제조 방법은 상기 플레이트 2차 완전소결 단계(S51)가 수행된 후 완전소결된 플레이트 표면에 형성된 산화물 및/또는 탄화물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계(S71)가 수행될 수 있다.The method for manufacturing a ceramic heater according to the present embodiment is characterized in that an oxide and / or a carbide removing step (S71) for removing oxides and / or carbides formed on the surface of the plate which has been completely sintered after the plate second complete sintering step (S51) .

상기 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계(S71)에 대한 상세한 설명은 제4 실시예에 따른 소결체 제조 방법에서 상술한 것과 동일한 바 설명의 편의를 위하여 반복하여 설명하지 않는다. The oxide and / or carbide removal step (S71) is not described in detail for the sake of convenience of description, as described above in the method of manufacturing the sintered body according to the fourth embodiment.

상술한 실시예들에서는, 상기 정전기 발생 전극 수용홈(11)이 상기 중간판(10)의 상면에 형성되어 있으나, 상기 상판(20)의 하면에 형성되거나, 상기 중간판(10)의 상면 및 상기 상판(20)의 하면 모두에 형성될 수도 있음은 물론이다.The electrostatic generating electrode receiving groove 11 is formed on the upper surface of the intermediate plate 10 but may be formed on the lower surface of the upper plate 20 or on the upper surface of the intermediate plate 10, And it may be formed on the lower surface of the upper plate 20.

상술한 실시예들에서는, 상기 발열 부재 수용홈(31)이 상기 하판(30)의 상면에 형성되어 있으나, 상기 중간판(10)의 하면에 형성되거나, 상기 중간판(10)의 하면 및 하판(30)의 상면 모두에 형성될 수도 있음은 물론이다.The heating member receiving grooves 31 are formed on the upper surface of the lower plate 30 but may be formed on the lower surface of the intermediate plate 10 or may be formed on the lower surface and the lower surface of the intermediate plate 10. [ (Not shown) may be formed on the upper surface of the base 30.

한편, 상술한 실시예에서는 위로부터 상판(20) 중간판(10) 하판(30)의 순서대로 가열 압착기에 장착되어 있으나, 위로부터 하판(30) 중간판(10) 상판(20)의 역순으로도 가능함은 물론이다. 이 경우에는 상기 정전기 발생 전극 수용홈(11)은 상기 상판(20)에 형성되고, 상기 발열 부재 수용홈(31)은 상기 중간판(10)에 형성되는 것이 바람직하다.In the above-described embodiment, the upper plate 20, the intermediate plate 10 and the lower plate 30 are mounted in order from the top in the order of the hot-pressing unit, but the lower plate 30, the intermediate plate 10, Of course. In this case, the electrostatic generating electrode receiving groove 11 is formed in the upper plate 20, and the heating member receiving groove 31 is formed in the intermediate plate 10.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

100 : 세라믹 히터
10 : 중간판
11 : 정전기 발생 전극 수용홈
20 : 상판
21 : 피가열물 안착홈
23: 상판의 상부면
30 : 하판
31 : 발열 부재 수용홈
33: 하판의 하부면
40 : 발열 부재, 열선
50 : 정전기 발생 전극
51 : 전극선
100: Ceramic heater
10: Intermediate plate
11: Static electricity generating electrode housing groove
20: Top plate
21: The object to be heated
23: upper surface of the upper plate
30: Lower plate
31: heating member receiving groove
33: Lower face of the lower plate
40: heating member, hot wire
50: electrostatic generating electrode
51: Electrode line

Claims (22)

소결체를 제조하는 방법에 있어서,
플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재를 준비하는 세라믹 소재 마련 단계;
고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 분말 상태의 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계;
미리 정한 온도 하에서 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계;
를 포함하는 소결체 제조 방법.
A method for producing a sintered body,
A ceramic material preparing step of preparing a ceramic material in a powder state to be a material of a plate;
Supplying a refractory metal reacting with carbon and / or oxygen at a high temperature to an upper portion and / or a lower portion of the ceramic material in a powder state;
A plate plasticizing step of heating the ceramic material under a predetermined temperature to form a plate as a plated plate member;
Wherein the sintered body is made of a metal.
제1 항에 있어서,
상기 플레이트 가소결 단계에서 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융 금속과 탄소 및/또는 산소가 반응하는 소결체 제조 방법.
The method according to claim 1,
And the carbon and / or oxygen reacts with the leached metal supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material in the plate plasticizing step.
제1 항에 있어서,
상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 시트(sheet) 형태로 구비되는 소결체 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the refractory metal is provided in a sheet form on an upper portion and / or a lower portion of the ceramic material in the refractory metal supplying step.
제1 항에 있어서
상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 페이스트(paste) 형태로 구비되는 소결체 제조 방법.
The method of claim 1, wherein
Wherein the refractory metal is provided in a paste form on an upper portion and / or a lower portion of the ceramic material in the refractory metal supplying step.
제4 항에 있어서,
상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 페이스트(paste) 형태의 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 붓에 의해 발라져 공급되는 소결체 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the paste-like refractory metal is supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material by a brush and supplied to the refractory metal supplying step.
제1 항에 있어서,
상기 난융 금속 공급 단계에서 상기 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 파우더(powder) 형태로 구비되는 소결체 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the refractory metal is provided in the form of a powder in an upper portion and / or a lower portion of the ceramic material in the refractory metal supplying step.
제6 항에 있어서,
상기 파우더(Powder) 형태의 난융 금속은 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 스프레이에 의해 분사되어 공급되는 소결체 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the refractory metal in the form of powder is injected and sprayed onto the upper and / or lower portions of the ceramic material.
제1 항에 있어서,
상기 난융 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 중 어느 하나의 금속인 소결체 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the refractory metal is any one of molybdenum (Mo), tungsten (W), hafnium (Hf), and niobium (Nb).
제1 항에 있어서,
상기 플레이트 가소결 단계가 수행된 후 추가적으로 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 상기 플레이트 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;
를 더 포함하는 소결체 제조 방법.
The method according to claim 1,
A step of removing oxide and / or carbide removing the compound generated on the surface of the plate by reacting oxygen and / or carbon with the leached metal supplied to the upper and / or lower portions of the ceramic material after the plate plasticizing step is performed; ;
Further comprising a step of forming a sintered body.
제9 항에 있어서,
상기 산화물 및 탄화물 제거 단계;는 산화물 및/또는 탄화물이 형성된 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면을 식각 공정에 따라 제거하는 소결체 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the oxide and the carbide removing step remove the upper surface and / or the lower surface of the plate on which the oxide and / or the carbide are formed by an etching process.
분말 상태인 세라믹 소재를 미리 정한 온도 하에서 1차로 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 1차 가소결 단계;
고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급하는 난융 금속 공급 단계;
미리 정한 온도 하에서 상기 플레이트를 2차로 가열하여 완전 소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 2차 완전 소결 단계;
를 포함하는 소결체 제조 방법.
A first primary plasticizing step of forming a plate as a platelike member by firstly heating the ceramic material in a powder state at a predetermined temperature;
Supplying a refractory metal reacting with carbon and / or oxygen at a high temperature to the upper surface and / or the lower surface of the plasticized plate;
A plate second complete sintering step of forming a plate as a completely sintered plate member by heating the plate secondarily under a predetermined temperature;
Wherein the sintered body is made of a metal.
제11 항에 있어서,
상기 플레이트 2차 완전 소결 단계에서 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속과 탄소 및/또는 산소가 반응하는 소결체 제조 방법.
12. The method of claim 11,
And the carbon and / or oxygen reacts with the leached metal supplied to the upper surface and / or the lower surface of the plate in the plate second complete sintering step.
제11 항에 있어서,
상기 난융 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 니오붐(Nb) 중 어느 하나의 금속인 소결체 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the refractory metal is any one of molybdenum (Mo), tungsten (W), hafnium (Hf), and niobium (Nb).
제11 항에 있어서,
상기 플레이트 2차 완전 소결 단계;가 수행된 후 추가적으로 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;
를 더 포함하는 소결체 제조 방법.
12. The method of claim 11,
And an oxide and / or a carbide which reacts oxygen and / or carbon with the leached metal supplied to the upper surface and / or the lower surface of the plate after the plate second complete sintering step is performed, Removing step;
Further comprising a step of forming a sintered body.
제14 항에 있어서,
상기 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;는 산화물 및/또는 탄화물이 형성된 상기 플레이트의 상부면 및/또는 하부면을 식각 공정에 따라 제거하는 소결체 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the oxide and / or carbide removing step removes the upper surface and / or the lower surface of the plate, on which the oxide and / or the carbide are formed, according to an etching process.
세라믹 히터를 제조하는 방법에 있어서,
플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재를 준비하는 세라믹 소재 마련 단계;
고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 분말 상태의 상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급하는 난융 금속 공급 단계;
미리 정한 온도 하에서 상기 난융 금속이 공급된 분말 상태의 상기 세라믹 소재를 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 가소결 단계; 및
상기 가소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 상판, 중간판, 및 하판을 준비하는 상판, 중간판 및 하판 마련 단계;
정전기를 발생시키는 정전기 발생 전극을 상기 중간판의 상면에 배치하고, 열을 발산하는 발열 부재를 상기 중간판의 하면에 배치하는 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계; 및
상기 상판과 중간판 및 하판을 가열 압착공법에 의하여 가열하여 압착시킴으로써 상기 상판과 중간판 및 하판이 서로 접합되는 가열 압착공법에 의한 가열 압착 단계;를 포함하며,
상기 상판, 중간판, 및 하판 중 적어도 어느 하나는 상기 가소결된 플레이트로 마련되는 세라믹 히터 제조 방법.
A method of manufacturing a ceramic heater,
A ceramic material preparing step of preparing a ceramic material in a powder state to be a material of a plate;
Supplying a refractory metal reacting with carbon and / or oxygen at a high temperature to an upper portion and / or a lower portion of the ceramic material in a powder state;
A plate plasticizing step of heating the ceramic material in a powder state to which the refractory metal is supplied at a predetermined temperature to form a plate as a plated plate member; And
An upper plate, an intermediate plate, and a lower plate for preparing an upper plate, an intermediate plate, and a lower plate made of a ceramic material in powder form to be a material of the plasticized plate or the plate;
A step of arranging a static electricity generating electrode for generating static electricity on the upper surface of the intermediate plate and a heat generating member for radiating heat on the lower surface of the intermediate plate and a static electricity generating electrode; And
And heating and pressing the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate by heating and pressing the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate, thereby bonding the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate to each other,
Wherein at least one of the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate is provided as the plasticized plate.
제16 항에 있어서,
상기 플레이트 가소결 단계가 수행된 후 상기 상판, 중간판 및 하판 마련 단계가 수행되기 전에,
상기 세라믹 소재의 상부 및/또는 하부에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 상기 플레이트 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;를 더 포함하는 세라믹 히터 제조 방법.
17. The method of claim 16,
After the plate plasticizing step is performed, before the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate preparing step are performed,
And removing oxide and / or carbide removing the compound generated on the surface of the plate by reacting oxygen and / or carbon with the leached metal supplied to the upper portion and / or the lower portion of the ceramic material.
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
상기 상판의 하면 또는 상기 중간판의 상면 중 적어도 하나에는, 상기 정전기 발생 전극이 수용될 수 있는 정전기 발생 전극 수용홈이 형성되어 있는 세라믹 히터 제조 방법.
18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein at least one of a lower surface of the upper plate and an upper surface of the intermediate plate is provided with a static electricity generating electrode receiving groove capable of accommodating the static electricity generating electrode.
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
상기 중간판의 하면 또는 상기 하판의 상면 중 적어도 하나에는, 상기 발열 부재가 수용될 수 있는 발열 부재 수용홈이 형성되어 있는 세라믹 히터 제조 방법
18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein at least one of the lower surface of the intermediate plate and the upper surface of the lower plate is provided with a heating member receiving groove capable of receiving the heating member
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
상기 발열 부재는 길이 방향으로 길게 연장된 금속 재질의 와이어 부재이며, 상기 세라믹 기판의 상면과 실질적으로 평행한 가상의 2차원 평면상에 2차원적으로 배선되어 있는 열선을 포함하는 세라믹 히터 제조 방법.
18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein the heating member is a metal wire member elongated in the longitudinal direction and includes a heating wire that is two-dimensionally wired on a virtual two-dimensional plane substantially parallel to an upper surface of the ceramic substrate.
세라믹 히터를 제조하는 방법에 있어서,
분말 상태인 세라믹 소재를 미리 정한 온도 하에서 1차로 가열하여 가소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 1차 가소결 단계;
고온에서 탄소 및/또는 산소와 반응하는 난융 금속을 상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급하는 난융 금속 공급 단계;
미리 정한 온도 하에서 상기 플레이트를 2차로 가열하여 완전 소결된 판형 부재인 플레이트를 형성하는 플레이트 2차 완전 소결 단계;
상기 완전소결된 플레이트 또는 상기 플레이트의 재료가 되는 분말 상태인 세라믹 소재로 상판, 중간판, 및 하판을 준비하는 상판, 중간판 및 하판 마련 단계;
정전기를 발생시키는 정전기 발생 전극을 상기 중간판의 상면에 배치하고, 열을 발산하는 발열 부재를 상기 중간판의 하면에 배치하는 발열 부재 및 정전기 발생 전극 배치 단계; 및
상기 상판과 중간판 및 하판을 가열 압착공법에 의하여 가열하여 압착시킴으로써 상기 상판과 중간판 및 하판이 서로 접합되는 가열 압착공법에 의한 가열 압착 단계;를 포함하며,
상기 상판, 중간판, 및 하판 중 적어도 어느 하나는 상기 완전소결된 플레이트로 마련되는 세라믹 히터 제조 방법.
A method of manufacturing a ceramic heater,
A first primary plasticizing step of forming a plate as a platelike member by firstly heating the ceramic material in a powder state at a predetermined temperature;
Supplying a refractory metal reacting with carbon and / or oxygen at a high temperature to the upper surface and / or the lower surface of the plasticized plate;
A plate second complete sintering step of forming a plate as a completely sintered plate member by heating the plate secondarily under a predetermined temperature;
An upper plate, an intermediate plate, and a lower plate preparing a top plate, an intermediate plate, and a bottom plate of a ceramic material in a powder state to be a material of the fully sintered plate or the plate;
A step of arranging a static electricity generating electrode for generating static electricity on the upper surface of the intermediate plate and a heat generating member for radiating heat on the lower surface of the intermediate plate and a static electricity generating electrode; And
And heating and pressing the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate by heating and pressing the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate, thereby bonding the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate to each other,
Wherein at least one of the upper plate, the intermediate plate, and the lower plate is provided as the fully sintered plate.
제21항에 있어서,
상기 플레이트 2차 완전 소결 단계가 수행된 후 상기 상판, 중간판 및 하판 마련 단계가 수행되기 전에,
상기 가소결된 플레이트의 상부면 및/또는 하부면에 공급된 난융 금속과 산소 및/또는 탄소가 반응하여 상기 플레이트 표면에 생성된 화합물을 제거하는 산화물 및/또는 탄화물 제거 단계;를 더 포함하는 세라믹 히터 제조 방법.
22. The method of claim 21,
After the plate second complete sintering step is performed, before the upper plate, intermediate plate and lower plate preparing step are performed,
And removing the oxide and / or carbide from the plate surface by reacting oxygen and / or carbon with the leached metal supplied to the upper and / or lower surfaces of the plasticized plate. A method of manufacturing a heater.
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