KR102582111B1 - Ceramic Heater And Manufacturing Method Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세라믹 히터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 발열체 및 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조를 성형하는 단계; 및 상기 세라믹 분말층 구조를 소결하는 단계를 포함하되, 상기 유도 탄화체는 상기 발열체 측면에 일정거리 이격 되어 매설되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조 방법으로서, 발열체를 매설된 발열체 가장자리에 일정한 간격으로 이격된 위치에 유도 탄화체를 형성함으로써 소결 과정에서 발열체의 국부적인 저항 변화율을 개선할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a ceramic heater and a method of manufacturing the same, comprising: forming a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbonized body are embedded; and sintering the ceramic powder layer structure, wherein the induction carbonized body is buried at a certain distance on the side of the heating element, wherein the heating element is spaced at regular intervals around the edge of the buried heating element. By forming the induction carbonized body at the designated position, there is an effect of improving the local resistance change rate of the heating element during the sintering process.

Description

세라믹 히터 및 그 제조 방법{Ceramic Heater And Manufacturing Method Thereof}Ceramic heater and manufacturing method thereof {Ceramic Heater And Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 세라믹 히터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 발열체 가장자리의 국부적인 저항 변화율을 개선하기 위하여 유도 탄화체를 이용하여 제조되는 세라믹 히터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a ceramic heater and a method of manufacturing the same, which are manufactured using an induction carbide material to improve the local resistance change rate of the edge of the heating element.

세라믹 히터는 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 플렉시블 기판 등 다양한 목적의 열처리 대상체를 소정의 가열 온도에서 열처리하기 위하여 사용된다. 반도체 웨이퍼 처리를 위하여 세라믹 히터는 정전척의 기능과 결합하여 사용되기도 한다. Ceramic heaters are used to heat treat objects for various purposes, such as semiconductor wafers, glass substrates, and flexible substrates, at a predetermined heating temperature. For semiconductor wafer processing, ceramic heaters are sometimes used in combination with the function of an electrostatic chuck.

도 1은 세라믹 히터의 일 예를 도시한 도면이다.1 is a diagram showing an example of a ceramic heater.

도 1을 참조하면, 일반적으로 세라믹 히터는 외부의 전극으로부터 전력을 공급받아 발열되는 세라믹 플레이트를 포함한다. 세라믹 플레이트(100)는 세라믹 소결체에 매설되는 소정의 저항을 갖는 발열체를 포함한다. 세라믹 히터에 매설되는 발열체는 다양한 형상일 수 있는데, 연결된 1개의 발열체일 수 있고, 분리된 2개의 발열체(2-ZONE 발열체) 일 수 있다.Referring to FIG. 1, a ceramic heater generally includes a ceramic plate that receives power from an external electrode and generates heat. The ceramic plate 100 includes a heating element with a predetermined resistance embedded in the ceramic sintered body. The heating element buried in the ceramic heater may have various shapes, and may be one connected heating element or two separate heating elements (2-ZONE heating elements).

도 2는 세라믹 히터에 매설된 2-ZONE 발열체의 형상의 일 예를 도시한 도면이다. 2-ZONE 발열체는 세라믹 플레이트 내에 매설된 발열체가 INNER 발열체와 OUTER 발열체로 분리되어있는 발열체를 의미한다.Figure 2 is a diagram showing an example of the shape of a 2-ZONE heating element embedded in a ceramic heater. The 2-ZONE heating element refers to a heating element buried in a ceramic plate that is separated into an INNER heating element and an OUTER heating element.

도 3은 종래 기술에 의한 발열체가 매설된 세라믹 분말층 성형체의 단면을 도시한 도면이다. Figure 3 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer molded body in which a heating element is embedded according to the prior art.

종래 기술로는 카본 몰드 내부에서 세라믹 분말층 구조 성형체를 소결하는 방법이 사용되고 있는데, 종래 방법에 의한 성형체 소결 시, 성형체 내에 함유되는 잔류 유기 바인더, 핫프레스(HOT PRESS) 소성 시의 분위기 및 카본 몰드에 의해서 탄소가 혼입되어 발열체(210, 220)에 불균일하게 탄화몰리브덴층이 형성 된다. In the prior art, a method of sintering a ceramic powder layer structure molded body inside a carbon mold is used. When sintering a molded body by the conventional method, residual organic binder contained in the molded body, the atmosphere during hot press firing, and the carbon mold As a result, carbon is mixed and a molybdenum carbide layer is formed unevenly in the heating elements (210, 220).

이렇게 형성된 탄화몰리브덴층은 발열체의 도전성을 저하시키고 세라믹 히터의 온도 균일성(Temp. Uniformity)을 저하 시키는 문제점이 있다.The molybdenum carbide layer formed in this way has the problem of lowering the conductivity of the heating element and lowering the temperature uniformity (Temp. Uniformity) of the ceramic heater.

또한, 발열체의 안쪽 부분보다 바깥쪽 부분에서 더 많은 탄화몰리브덴층이 생성되고, 2-ZONE 발열체의 경우 INNER 발열체(210)보다 OUTER 발열체(220)에서 더 많은 탄화몰리브덴층이 생성되어, 발열체의 바깥쪽 부분 또는 OUTER 발열체(220) 부분에서 저항 증가율이 높고, 온도 균일성이 더 많이 저하되는 문제점이 있다.In addition, more molybdenum carbide layers are generated on the outer part of the heating element than on the inner part, and in the case of a 2-ZONE heating element, more molybdenum carbide layers are generated on the OUTER heating element (220) than on the INNER heating element (210), so that the outer part of the heating element There is a problem in that the resistance increase rate is high in the side portion or the outer heating element 220 portion, and temperature uniformity is further deteriorated.

본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. The present invention aims to solve the above-mentioned problems and other problems.

또 다른 목적은 소결 과정에서 유도 탄화체 및 유도 탄화체층을 이용하여 발열체의 국부적인 저항 변화율을 개선하고, 온도 균일성(TEMPERATURE UNIFORMITY)을 개선하기 위한 세라믹 히터의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 세라믹 히터를 제공하는 데 있다.Another purpose is to improve the local resistance change rate of the heating element by using the induction carbide and the induction carbide layer during the sintering process and to improve the temperature uniformity (TEMPERATURE UNIFORMITY) of the ceramic heater and the method of manufacturing the ceramic heater using the method. The purpose is to provide a ceramic heater.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 발열체 및 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조를 성형하는 단계; 및 상기 세라믹 분말층 구조를 소결하는 단계를 포함하되, 상기 유도 탄화체는 상기 발열체 측면에 일정거리 이격 되어 매설되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조 방법을 제공한다.According to one aspect of the present invention in order to achieve the above or other objects, the steps include forming a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbide body are embedded; and sintering the ceramic powder layer structure, wherein the induction carbonized body is buried at a certain distance apart from the side of the heating element.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 세라믹 분말층 구조 성형 단계는, 제1 세라믹 분말층을 제공하는 단계; 상기 제1 세라믹 분말층 상에 상기 발열체 및 상기 유도 탄화체를 배치하는 단계; 및 상기 발열체 및 상기 유도 탄화체가 배치된 상기 제1 세라믹 분말층 상에 제2 세라믹 분말층을 제공하는 단계; 를 포함할 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the step of forming the ceramic powder layer structure includes providing a first ceramic powder layer; Disposing the heating element and the induction carbonization body on the first ceramic powder layer; and providing a second ceramic powder layer on the first ceramic powder layer on which the heating element and the induction carbide body are disposed. may include.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 소결된 세라믹 분말층 구조에서 상기 유도 탄화체가 제거되는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, according to one aspect of the present invention, the step of removing the induced carbonized material from the sintered ceramic powder layer structure may be further included.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 제1 세라믹 분말층 제공 단계 전에, 제1 유도 탄화체층이 제공되는 단계; 상기 제2 세라믹 분말층 제공 단계 후에, 제2 유도 탄화체층이 제공되는 단계;를 더 포함할 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, before the step of providing the first ceramic powder layer, providing a first induced carbide layer; After the step of providing the second ceramic powder layer, the step of providing a second induced carbide layer may be further included.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 4족 내지 6족 금속 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the induced carbide may include at least one of Group 4 to Group 6 metals.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 질화물이 코팅된(NITRIDE COATING) 4족 내지 6족 금속 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the induced carbide may include at least one of Group 4 to Group 6 metals coated with nitride (NITRIDE COATING).

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 Ti(Titanium)일 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the induced carbide may be Ti (Titanium).

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 상기 발열체 외 측면에서 6mm 간격을 두고 이격된 위치에 형성될 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the induction carbonized body may be formed at a position spaced apart from the heating element at a distance of 6 mm from the side surface.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체가 제거되는 단계에서, 상기 유도 탄화체가 매설된 위치에서 안쪽으로 3mm 간격을 두고 컷팅되어 제거될 수 있다.In addition, according to one aspect of the present invention, in the step of removing the induction carbide body, the induction carbide body may be removed by cutting at intervals of 3 mm inward from the buried position.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 링(RING) 형상일 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the induced carbonized body may have a ring shape.

또, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 coil type 또는 sheet type 중 어느 하나일 수 있다.Additionally, according to one aspect of the present invention, the induced carbonized body may be either a coil type or a sheet type.

그리고, 본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 발열체 및 상기 발열체 측면에 일정거리 이격 되어 매설되는 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조를 성형하고, 상기 성형체를 소결한 후, 상기 소결된 성형체에서 상기 유도 탄화체가 제거되어 제조되는 세라믹 히터를 제공한다.And, according to another aspect of the present invention, after molding a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbonized body embedded at a certain distance apart from the side of the heating element are embedded, and sintering the molded body, the sintered molded body A ceramic heater manufactured by removing the induction carbonized body is provided.

또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 상기 세라믹 분말층 구조는 제1 세라믹 분말층이 제공되고, 상기 제1 세라믹 분말층 상에 상기 발열체 및 상기 유도 탄화체가 배치된 후, 상기 발열체 및 상기 유도 탄화체가 배치된 상기 제1 세라믹 분말층 상에 제2 세라믹 분말층이 제공되어 형성될 수 있다.In addition, according to another aspect of the present invention, the ceramic powder layer structure is provided with a first ceramic powder layer, and after the heating element and the induction carbonization body are disposed on the first ceramic powder layer, the heating element and the A second ceramic powder layer may be provided on the first ceramic powder layer on which the induction carbide material is disposed.

또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 상기 유도 탄화체는 Ti(Titanium)일 수 있다.Additionally, according to another aspect of the present invention, the induced carbide may be Ti (Titanium).

본 발명에 따른 세라믹 히터의 제조 방법에 따르면, 발열체 측면 가장자리에서 일정 간격 이격된 위치에 유도 탄화체를 형성함으로써 소결 과정에서 발열체의 국부적인 저항 변화율을 개선할 수 있는 효과가 있다. 즉, 유도 탄화체의 사용으로 국부적인 발열체의 저항 상승이 차단되므로 웨이퍼 등 대상체 가열면의 위치별 온도 편차가 현저히 줄어들어 가열면의 온도 균일성(TEMPERATURE UNIFORMITY)을 높일 수 있는 효과가 있다.According to the method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention, there is an effect of improving the local resistance change rate of the heating element during the sintering process by forming an induction carbonized body at a position spaced apart from the side edge of the heating element at a certain distance. In other words, the use of induction carbonization blocks the increase in resistance of the local heating element, so the temperature difference between positions on the heating surface of an object such as a wafer is significantly reduced, which has the effect of increasing the temperature uniformity (TEMPERATURE UNIFORMITY) of the heating surface.

도 1은 세라믹 히터의 일 예를 도시한 도면이다.
도 2는 세라믹 플레이트에 매설된 2-ZONE 발열체의 형상의 일 예를 도시한 도면이다.
도 3은 종래 기술에 의한 발열체가 매설된 세라믹 분말층 구조의 단면을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 세라믹 히터 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열체 및 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조의 단면을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유도 탄화체가 제거된 세라믹 히터의 단면의 형상을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 세라믹 히터 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 발열체, 유도 탄화체 및 유도 탄화체층이 매설된 세라믹 분말층 구조의 단면을 도시한 도면이다.
도 9는 저항체들의 소결 전 후 저항변화율을 실험하여 도시한 도면이다.
도 10은 종래 기술에 의한 세라믹 히터의 발열체와 본 발명에 따른 세라믹 히터의 발열체의 소결 전, 후 저항 증가율을 비교하여 도시한 그래프 이다.
도 11은 종래 기술에 의한 세라믹 히터의 발열체와 본 발명에 따른 세라믹 히터의 발열체의 가장자리 온도를 측정하여 도시한 그래프이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 발열체 및 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조의 단면을 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 유도 탄화체가 제거된 세라믹 히터의 단면의 형상을 도시한 도면이다.1 is a diagram showing an example of a ceramic heater.
Figure 2 is a diagram showing an example of the shape of a 2-ZONE heating element embedded in a ceramic plate.
Figure 3 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer structure in which a heating element is embedded according to the prior art.
Figure 4 is a flowchart showing a method of manufacturing a ceramic heater according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbonized body are embedded according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a diagram showing the cross-sectional shape of a ceramic heater from which the induction carbonized body has been removed according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a flowchart showing a method of manufacturing a ceramic heater according to another embodiment of the present invention.
Figure 8 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer structure in which a heating element, an induction carbide body, and an induction carbide layer are embedded according to another embodiment of the present invention.
Figure 9 is a diagram illustrating an experiment showing the rate of change in resistance before and after sintering the resistors.
Figure 10 is a graph comparing the resistance increase rate before and after sintering of the heating element of the ceramic heater according to the prior art and the heating element of the ceramic heater according to the present invention.
Figure 11 is a graph showing the measured edge temperatures of the heating element of the ceramic heater according to the prior art and the heating element of the ceramic heater according to the present invention.
Figure 12 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbide body are embedded according to another embodiment of the present invention.
Figure 13 is a diagram showing the cross-sectional shape of a ceramic heater from which the induction carbonized body has been removed according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 대해서 자세히 설명한다. 이때, 각각의 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타낸다. 또한, 이미 공지된 기능 및/또는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 이하에 개시된 내용은, 다양한 실시 예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분을 중점적으로 설명하며, 그 설명의 요지를 흐릴 수 있는 요소들에 대한 설명은 생략한다. 또한 도면의 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니며, 따라서 각각의 도면에 그려진 구성요소들의 상대적인 크기나 간격에 의해 여기에 기재되는 내용들이 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. At this time, the same components in each drawing are indicated by the same symbols whenever possible. Additionally, detailed descriptions of already known functions and/or configurations will be omitted. The content disclosed below focuses on the parts necessary to understand operations according to various embodiments, and descriptions of elements that may obscure the gist of the explanation are omitted. Additionally, some components in the drawings may be exaggerated, omitted, or shown schematically. The size of each component does not entirely reflect the actual size, and therefore the content described here is not limited by the relative sizes or spacing of the components drawn in each drawing.

또한, 본 발명에서 '적층'이란 각 층의 상대적인 위치 관계를 규정하는 의미로 사용된다. 'A층 상의 B층'이란 표현은 A층과 B층의 상대적인 위치 관계를 표현하는 것으로 A층와 B층이 반드시 접촉할 것을 요하지 않으며 그 사이에 제3의 층이 개재될 수 있다. 비슷하게, 'A층과 B층 사이에 C층이 개재'되었다는 표현도 A층과 C층 사이 또는 B층과 C층 사이에 제3의 층이 개재되는 것을 배제하지 않는다. Additionally, in the present invention, 'lamination' is used to define the relative positional relationship of each layer. The expression 'layer B on layer A' expresses the relative positional relationship between layers A and B. It does not necessarily require that layers A and B be in contact, and a third layer can be interposed between them. Similarly, the expression 'layer C is interposed between layers A and B' does not exclude a third layer being interposed between layers A and C or between layers B and C.

도 1은 세라믹 히터의 일 예를 도시한 도면이다.1 is a diagram showing an example of a ceramic heater.

도 1을 참고하면, 세라믹 히터의 상부에는 발열체가 매설된 원판모형의 세라믹 플레이트(100)가 존재한다. 세라믹 히터는 발열체에서 발생하는 열 에너지가 세라믹 플레이트(100)의 상부면으로 전달되어 세라믹 히터의 상부면 위에 놓인 물체에 열 에너지가 전달될 수 있다.Referring to FIG. 1, there is a disk-shaped ceramic plate 100 with a heating element embedded in the upper part of the ceramic heater. In a ceramic heater, heat energy generated from the heating element is transferred to the upper surface of the ceramic plate 100, so that heat energy can be transferred to an object placed on the upper surface of the ceramic heater.

발열체는 다양한 형태일 수 있는데, 1개의 발열체로 구성될 수 있고, 2개의 발열체의 조합으로 구성될 수 있다.The heating element may be of various forms, and may consist of one heating element or a combination of two heating elements.

도 2는 세라믹 히터에 매설된 2-ZONE 발열체의 형상의 일 예를 도시한 도면이다.Figure 2 is a diagram showing an example of the shape of a 2-ZONE heating element embedded in a ceramic heater.

도 2를 참조하면, 세라믹 플레이트(100)에 매설된 발열체는 INNER 발열체(210) 및 OUTER 발열체(220)로 구성되어 있는데, INNER 발열체(210)는 다양한 형상으로 만들어질 수 있으며, 원형인 세라믹 플레이트(100)의 안쪽 면에 위치하여 세라믹 플레이트(100)의 안쪽 면을 가열할 수 있다. OUTER 발열체(220)도 다양한 형상으로 만들어질 수 있고, 그 일 예로 링 형상으로 만들어질 수 있으며, 원형인 세라믹 플레이트(100)의 바깥쪽 면에 위치하여 세라믹 플레이트(100)의 바깥쪽 면을 가열할 수 있다.Referring to Figure 2, the heating element buried in the ceramic plate 100 is composed of an INNER heating element 210 and an OUTER heating element 220. The INNER heating element 210 can be made in various shapes and is a circular ceramic plate. Located on the inner surface of the ceramic plate 100, the inner surface of the ceramic plate 100 can be heated. The OUTER heating element 220 can also be made into various shapes, for example, it can be made into a ring shape, and is located on the outer surface of the circular ceramic plate 100 to heat the outer surface of the ceramic plate 100. can do.

도 3은 종래 기술에 의한 발열체가 매설된 세라믹 분말층 성형체의 단면을 도시한 도면이다. Figure 3 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer molded body in which a heating element is embedded according to the prior art.

도 3을 참조하여, 종래 기술에 따른 세라믹 플레이트(100)의 제조 과정을 설명하면, 세라믹 소결체 내부에 발열체(210, 220)가 매설된 세라믹 분말층 구조 성형체(310)가 카본 몰드(CARBON MOLD)(320) 내부에서 소결되어 세라믹 플레이트(100)가 제조 될 수 있다. 상기 소결 과정에서 성형체 내에 함유되는 잔류 유기 바인더, 핫프레스(HOT PRESS) 소성 시의 분위기 및 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)에 포함된 탄소성분에 의하여 발열체가 탄화되어 발열체 저항 값이 증가할 수 있다. 이러한 발열체 저항 증가는 주로 OUTER 발열체(220)에서 큰 폭으로 나타난다.Referring to FIG. 3, when explaining the manufacturing process of the ceramic plate 100 according to the prior art, the ceramic powder layer structure molded body 310 with the heating elements 210 and 220 embedded within the ceramic sintered body is formed using a carbon mold (CARBON MOLD). (320) The ceramic plate 100 can be manufactured by sintering inside. During the sintering process, the heating element is carbonized due to the residual organic binder contained in the molded body, the atmosphere during hot press firing, and the carbon component contained in the carbon mold (CARBON MOLD) 320, which may increase the heating element resistance value. there is. This increase in heating element resistance appears largely in the OUTER heating element 220.

도 4는 본 발명의 일 예에 따른 세라믹 히터 제조 방법을 도시한 순서도이다.Figure 4 is a flowchart showing a method of manufacturing a ceramic heater according to an example of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 예에 따른 발열체 및 유도 탄화체(500)가 매설된 세라믹 분말층 성형체의 단면을 도시한 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer molded body in which a heating element and an induction carbonization body 500 are embedded according to an example of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 예에 따른 유도 탄화체(500)가 제거된 세라믹 히터의 단면의 형상을 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating the cross-sectional shape of a ceramic heater from which the induction carbonization body 500 according to an example of the present invention has been removed.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터는, 세라믹 분말층(510, 520)을 소결하여 형성한 세라믹 소결체(600) 및 상기 세라믹 소결체(600)에 매설된 발열체(210, 220)를 포함한다. 세라믹 소결체(600) 및 세라믹 소결체(600)에 매설된 발열체(210, 220)는 세라믹 히터에 해당한다. 5 and 6, a ceramic heater according to an embodiment of the present invention includes a ceramic sintered body 600 formed by sintering ceramic powder layers 510 and 520, and a heating element embedded in the ceramic sintered body 600. Includes (210, 220). The ceramic sintered body 600 and the heating elements 210 and 220 embedded in the ceramic sintered body 600 correspond to ceramic heaters.

본 발명에서, 세라믹 소결체(600)는, 도 5에서, 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)가 삽입된 세라믹 분말층(510, 520)을 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)에서 소결한 후, 유도 탄화체(500)를 제거하는 과정으로 처리하여 형성된 것이다. In the present invention, the ceramic sintered body 600 is made by forming the ceramic powder layers 510 and 520 into which the heating elements 210 and 220 and the induction carbonization body 500 are inserted in a carbon mold (320), as shown in FIG. 5. After sintering, it is formed by processing the induction carbonized body 500 in a process to remove it.

이하, 도 5를 참고하여 도 4의 세라믹 히터 제조 방법을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the method of manufacturing the ceramic heater of FIG. 4 will be described in detail with reference to FIG. 5.

카본 몰드(CARBON MOLD)(320) 내부에 세라믹 분말층 구조가 제공된다(S410 내지 S430). 이 때, 세라믹 분말층 구조는 다양한 방식으로 적층될 수 있다. 예컨대, 세라믹 분말층 구조(540)의 일부로서 제1 세라믹 분말층(510)이 형성되고(S410), 상기 제1 세라믹 분말층(510) 상에 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)를 배치한 후(S420), 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)가 배치된 제1 세라믹 분말층(510) 상에 제2 세라믹 분말층(520)을 덮음으로써(S430) 상기 세라믹 분말층 구조(540)가 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제1 세라믹 분말층(510)은 소정의 압력으로 가압되어 형상을 유지할 수 있는 성형체 형태로 제공될 수 있다. 물론, 상기 세라믹 분말층 구조(540) 전체가 가압 성형된 성형체 형태로 제공될 수도 있다.A ceramic powder layer structure is provided inside the carbon mold (CARBON MOLD) 320 (S410 to S430). At this time, the ceramic powder layer structure can be laminated in various ways. For example, a first ceramic powder layer 510 is formed as part of the ceramic powder layer structure 540 (S410), and heating elements 210 and 220 and an induction carbonization body 500 are formed on the first ceramic powder layer 510. ) is placed (S420), by covering the second ceramic powder layer 520 on the first ceramic powder layer 510 on which the heating elements 210, 220 and the induction carbide 500 are disposed (S430). A ceramic powder layer structure 540 may be formed. At this time, the first ceramic powder layer 510 may be provided in the form of a molded body that can maintain its shape by being pressed with a predetermined pressure. Of course, the entire ceramic powder layer structure 540 may be provided in the form of a pressure-molded molded body.

세라믹 분말층 상에 발열체 및 유도 탄화체(500)가 배치되는 단계에서, 상기 유도 탄화체(500)는 링(RING) 형상 일 수 있고, COIL TYPE 또는 SHEET TYPE 중 어느 하나의 TYPE 일 수 있다. 유도 탄화체(500)가 COIL TYPE일 경우에는 코일의 지름이 3mm일 수 있고, 유도 탄화체(500)가 SHEET TYPE 일 경우에는 그 너비가 2mm 내지 3mm 일 수 있다.In the step of disposing the heating element and the induction carbide body 500 on the ceramic powder layer, the induction carbide body 500 may have a ring shape and may be either a COIL TYPE or a SHEET TYPE. If the induction carbonization body 500 is a COIL TYPE, the diameter of the coil may be 3 mm, and if the induction carbonization body 500 is a SHEET TYPE, the width may be 2 mm to 3 mm.

그리고, 유도 탄화체(500)는 발열체 외 측면 바깥쪽에 형성될 수 있는데, 발열체와 6mm 간격을 두고 이격된 위치에 형성될 수 있다. 유도 탄화체(500)가 발열체와 너무 가까이에 위치하여 형성되면 유도 탄화체(500)가 제거되는 과정에서 컷팅(CUTTING)이 어려워지고, 유도 탄화체(500)가 발열체와 거리가 멀어지면 유도 탄화의 효과가 떨어지게 되므로 적당한 거리가 이격되어 형성될 필요가 있다. 따라서, 유도 탄화체(500)는 세라믹 히터 제조 과정에서, 완성된 세라믹 히터의 세라믹 플레이트(100) 외경 크기에서 2mm 내지 3mm 바깥쪽으로 이격된 위치에 형성되는 것이 효과적이다. 다시 말해, 세라믹 소결체(600)에 매설된 유도 탄화체(500)가 세라믹 소결체(600)의 일부와 함께 제거되는 최종 단계에서, 유도 탄화체(500)가 제거된 후 완성될 세라믹 히터의 측면 가장자리에서 바깥쪽으로 2mm 내지 3mm 이격된 위치에, 보다 바람직 하게는 3mm 이격된 위치에 유도 탄화체(500)가 매설될 수 있다. 따라서, 유도 탄화체(500)가 제거되는 단계에서, 유도 탄화체(500)가 매설된 위치에서 안쪽으로 3mm 간격을 두고 컷팅되어 세라믹 소결체(600)에 매설된 유도 탄화체(500)가 세라믹 소결체(600)의 일부와 함께 안전하게 제거될 수 있다.In addition, the induction carbonization body 500 may be formed on the outside of the side other than the heating element, and may be formed at a position spaced apart from the heating element at a distance of 6 mm. If the induction carbonization body 500 is formed too close to the heating element, cutting becomes difficult during the process of removing the induction carbonization body 500, and if the induction carbonization body 500 is located too close to the heating element, induction carbonization becomes difficult. Since its effectiveness decreases, it needs to be formed at an appropriate distance. Therefore, during the manufacturing process of the ceramic heater, it is effective to form the induction carbide body 500 at a position spaced apart from the outer diameter of the ceramic plate 100 of the finished ceramic heater by 2 mm to 3 mm. In other words, in the final step where the induction carbonized body 500 embedded in the ceramic sintered body 600 is removed along with a part of the ceramic sintered body 600, the side edge of the ceramic heater to be completed after the induction carbonized body 500 is removed. The induction carbonized body 500 may be buried at a location spaced apart from 2 mm to 3 mm outward, more preferably at a location spaced apart from 3 mm. Therefore, in the step where the induction carbide body 500 is removed, the induction carbide body 500 embedded in the ceramic sintered body 600 is cut at intervals of 3 mm inward from the position where the induction carbide body 500 is embedded. It can be safely removed along with part of 600.

다시, 도 5로 돌아가서 세라믹 히터의 제조 방법을 이어서 설명하면, 발열체(210, 220)가 매설된 세라믹 분말층 구조(540)를 갖는 성형체를 형성한 후, 도 5와 같이 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)에서 소결 과정 처리하여 세라믹 분말층 구조(540)가 세라믹 소결체가 되도록 한다(S440). Going back to FIG. 5 and continuing to explain the manufacturing method of the ceramic heater, after forming a molded body having a ceramic powder layer structure 540 in which the heating elements 210 and 220 are embedded, a carbon mold (CARBON MOLD) is formed as shown in FIG. 5. A sintering process is performed at step 320 to transform the ceramic powder layer structure 540 into a ceramic sintered body (S440).

소결 과정은 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)를 세라믹이 분해되지 않는 소정의 온도(예, 1500∼2500℃)로 가열하여 소정의 시간 동안(예, 10 시간 이하) 유지시킴으로써 이루어질 수 있다. 또한, 이와 같은 소결 과정은 비산화성 분위기 예컨대 진공 또는 N2 분위기에서 소결하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 소결 과정은 통상의 열간 가압 소결(Hot press)에 의해 이루어질 수 있다.The sintering process can be performed by heating the carbon mold (CARBON MOLD) 320 to a predetermined temperature (e.g., 1500-2500°C) at which the ceramic does not decompose and maintaining it for a predetermined time (e.g., 10 hours or less). In addition, this sintering process is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere, such as a vacuum or N 2 atmosphere. Additionally, the sintering process may be performed by conventional hot press sintering.

이와 같은 소결 과정을 거친 후, 세라믹 소결체에 매설된 유도 탄화체(500)를 제거하여, 제1 세라믹 분말층(510) 및 제2 세라믹 분말층(520)이 소결된 세라믹 소결체(600)와 세라믹 소결체(600)에 매설된 발열체(210, 220)를 포함하는 세라믹 히터가 획득된다(S450). After going through this sintering process, the induction carbide body 500 embedded in the ceramic sintered body is removed, and the first ceramic powder layer 510 and the second ceramic powder layer 520 are sintered into the ceramic sintered body 600 and the ceramic A ceramic heater including heating elements 210 and 220 embedded in the sintered body 600 is obtained (S450).

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유도 탄화체(500)가 제거된 세라믹 히터 단면의 형상을 도시한 도면이다.Figure 6 is a diagram showing the cross-sectional shape of a ceramic heater from which the induction carbonization body 500 has been removed according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 세라믹 히터는 세라믹 분말층 구조(540)가 소결된 후 유도 탄화체(500)를 포함하는 세라믹 소결체의 일부가 제거되어 발열체(210, 220)만을 포함하고 있는 세라믹 소결체(600)의 형상을 가진다.Referring to FIG. 6, the ceramic heater is a ceramic sintered body 600 containing only the heating elements 210 and 220 by removing a portion of the ceramic sintered body including the induction carbonized body 500 after the ceramic powder layer structure 540 is sintered. ) has the shape of

세라믹 소결체에 매설된 발열체(210, 220)는 전극(미도시)을 통해 외부로부터 공급되는 전력(예, RF(Radio Frequency) 전력)을 이용하여 저항 성질에 따라 열을 발생시킨다. 세라믹 플레이트(100)의 한쪽면은 대상체를 가열하기 위한 가열면으로서, 대상체를 올려 놓거나 대상체 위에서 열을 가하기 위한 면일 수 있다. 세라믹 플레이트(100)의 다른쪽 면을 통하여 발열체(210, 220)에 전력을 공급하기 위한 전극(미도시)이 결합될 수 있다.The heating elements 210 and 220 embedded in the ceramic sintered body generate heat according to resistance properties using power (eg, radio frequency (RF) power) supplied from the outside through electrodes (not shown). One side of the ceramic plate 100 is a heating surface for heating an object, and may be a surface for placing an object on or applying heat to the object. Electrodes (not shown) for supplying power to the heating elements 210 and 220 may be coupled to the other side of the ceramic plate 100.

이와 같은, 세라믹 플레이트(100)를 포함하는 세라믹 히터는, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 플렉시블 기판 등 다양한 목적의 열처리 대상체를 소정의 가열 온도에서 열처리하기 위하여 사용될 수 있다. 반도체 웨이퍼 처리를 위하여 세라믹 히터는 정전척의 기능과 결합하여 사용될 수도 있다.Such a ceramic heater including the ceramic plate 100 can be used to heat treat objects for various purposes, such as semiconductor wafers, glass substrates, and flexible substrates, at a predetermined heating temperature. For semiconductor wafer processing, a ceramic heater may be used in combination with the function of an electrostatic chuck.

도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 세라믹 히터 제조 방법을 도시한 순서도이다.Figure 7 is a flowchart showing a method of manufacturing a ceramic heater according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 발열체, 유도 탄화체(500) 및 유도 탄화체(500)층이 매설된 세라믹 분말층 성형체의 단면을 도시한 도면이다.Figure 8 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer molded body in which a heating element, an induction carbonized body 500, and an induction carbonized body 500 layer are embedded according to another embodiment of the present invention.

이하, 도 8을 참조하여 도 7의 세라믹 히터 제조 방법을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the method of manufacturing the ceramic heater of FIG. 7 will be described in detail with reference to FIG. 8.

먼저, 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)가 삽입된 세라믹 분말층(130)의 상하면에 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)이 형성된 적층 구조를 형성한다(S710 내지 S750). 본 발명에서 상기 적층 구조 및 이를 구성하는 컴포넌트는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. First, a laminated structure is formed in which a first induction carbide layer 810 and a second induction carbide layer 820 are formed on the upper and lower surfaces of the ceramic powder layer 130 into which the heating elements 210, 220 and the induction carbide body 500 are inserted. (S710 to S750). In the present invention, the laminated structure and the components constituting it can be manufactured by various methods.

예컨대, 제1 유도 탄화체층(810) 및/또는 제2 유도 탄화체층(820)은 카본 몰드(CARBON MOLD)(320) 내에서 도포되거나 또는 분무법에 의해 스프레이될 수 있으며, 또한 성형체 또는 소결체 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)은 외부 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)로부터의 카본 소스의 유입을 효과적으로 차단할 수 있다. For example, the first induced carbide layer 810 and/or the second induced carbide layer 820 may be applied within the carbon mold (CARBON MOLD) 320 or sprayed by spraying, and may be formed in the form of a molded body or sintered body. can be provided. The first induced carbide layer 810 and the second induced carbide layer 820 can effectively block the inflow of carbon sources from the external carbon mold (CARBON MOLD) 320.

제1 유도 탄화체층(810)이 제공되고(S710), 제1 유도 탄화체층(810) 상에 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)가 매설된 세라믹 분말층이 형성된다. 이 때, 세라믹 분말층은 다양한 방식으로 적층될 수 있다. 예컨대, 세라믹 분말층의 일부로서 제1 세라믹 분말층(510)이 형성되고(S720), 상기 제1 세라믹 분말층(510) 상에 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)를 배치한 후(S730), 발열체(210, 220) 및 유도 탄화체(500)가 배치된 제1 세라믹 분말층(510) 상에 제2 세라믹 분말층(520)을 덮음으로써(S740) 상기 세라믹 분말층이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제1 세라믹 분말층(510)은 소정의 압력으로 가압되어 형상을 유지할 수 있는 성형체 형태로 제공될 수 있다. 물론, 상기 세라믹 분말층 전체가 가압 성형된 성형체 형태로 제공될 수도 있다. 세라믹 분말층 상에는 제2 유도 탄화체층(820)이 적층된다(S760). A first induction carbide layer 810 is provided (S710), and a ceramic powder layer in which the heating elements 210 and 220 and the induction carbide layer 500 are embedded is formed on the first induction carbide layer 810. At this time, the ceramic powder layer can be laminated in various ways. For example, a first ceramic powder layer 510 is formed as part of the ceramic powder layer (S720), and the heating elements 210 and 220 and the induction carbonization body 500 are disposed on the first ceramic powder layer 510. After (S730), the ceramic powder layer is formed by covering the second ceramic powder layer 520 on the first ceramic powder layer 510 on which the heating elements 210, 220 and the induction carbonization body 500 are disposed (S740). can be formed. At this time, the first ceramic powder layer 510 may be provided in the form of a molded body that can maintain its shape by being pressed with a predetermined pressure. Of course, the entire ceramic powder layer may be provided in the form of a pressure-molded molded body. A second induced carbide layer 820 is deposited on the ceramic powder layer (S760).

도 8에는 도시되지 않았으나, 세라믹 분말층의 상하면에 형성한 각각의 유도 탄화체(500)층, 즉, 제1 유도 탄화체층(810) 또는 제2 유도 탄화체층(820) 중 어느 하나와 세라믹 분말층 사이에는, 이형제 역할을 위한 불활성층으로서 BN(Boron Nitride)을 포함한 물질을 도포 또는 스프레이 형태로 형성하거나 소결체 형태의 BN층을 형성할 수 있다. Although not shown in FIG. 8, each induced carbide layer 500 formed on the upper and lower surfaces of the ceramic powder layer, that is, either the first induced carbide layer 810 or the second induced carbide layer 820 and the ceramic powder Between the layers, a material containing BN (Boron Nitride) can be applied or sprayed as an inert layer to serve as a mold release agent, or a BN layer in the form of a sintered body can be formed.

발열체(210, 220)가 매설된 세라믹 분말층 구조(800)를 갖는 성형체를 형성한 후, 도 8과 같이 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)에서 소결 과정 처리하여 세라믹 분말층 구조(800)가 세라믹 소결체가 되도록 한다(S760). After forming a molded body having a ceramic powder layer structure 800 in which the heating elements 210 and 220 are embedded, a sintering process is performed in a carbon mold 320 as shown in FIG. 8 to form a ceramic powder layer structure 800. Make a ceramic sintered body (S760).

소결 과정은 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)를 세라믹이 분해되지 않는 소정의 온도(예, 1500∼2500℃)로 가열하여 소정의 시간 동안(예, 10 시간 이하) 유지시킴으로써 이루어질 수 있다. 또한, 이와 같은 소결 과정은 비산화성 분위기 예컨대 진공 또는 N2 분위기에서 소결하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 소결 과정은 통상의 열간 가압 소결(Hot press)에 의해 이루어질 수 있다.The sintering process can be performed by heating the carbon mold (CARBON MOLD) 320 to a predetermined temperature (e.g., 1500-2500°C) at which the ceramic does not decompose and maintaining it for a predetermined time (e.g., 10 hours or less). In addition, this sintering process is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere, such as a vacuum or N 2 atmosphere. Additionally, the sintering process may be performed by conventional hot press sintering.

이와 같은 소결 과정을 거친 후, 제1 유도 탄화체층(810), 제2 유도 탄화체층(820) 및 세라믹 소결체에 매설된 유도 탄화체(500)를 제거하여, 제1 세라믹 분말층(510) 및 제2 세라믹 분말층(520)이 소결된 세라믹 소결체(600)와 세라믹 소결체(600)에 매설된 발열체(210, 220)를 포함하는 세라믹 히터가 획득된다(S770). After going through this sintering process, the first induced carbide layer 810, the second induced carbide layer 820, and the induced carbide layer 500 embedded in the ceramic sintered body are removed to form the first ceramic powder layer 510 and A ceramic heater including a ceramic sintered body 600 in which the second ceramic powder layer 520 is sintered and heating elements 210 and 220 embedded in the ceramic sintered body 600 is obtained (S770).

이와 같은 과정에 의하여 획득된 세라믹 히터의 단면은 상기 도 6에 도시된 세라믹 히터의 단면과 동일하다.The cross section of the ceramic heater obtained through this process is the same as the cross section of the ceramic heater shown in FIG. 6.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유도 탄화체(500)가 제거된 세라믹 히터 단면의 형상을 도시한 도면이다.Figure 6 is a diagram showing the cross-sectional shape of a ceramic heater from which the induction carbonization body 500 has been removed according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 세라믹 히터는 세라믹 분말층 구조(800)가 소결된 후 제1 유도 탄화체층(810), 제2 유도 탄화체층(820) 및 유도 탄화체(500)를 포함하는 세라믹 소결체의 일부가 제거되어 발열체(210, 220)만을 포함하고 있는 세라믹 소결체(600)의 형상을 가진다.Referring to FIG. 6, the ceramic heater is a ceramic sintered body including a first induced carbide layer 810, a second induced carbide layer 820, and an induction carbide layer 500 after the ceramic powder layer structure 800 is sintered. A portion is removed and has the shape of a ceramic sintered body 600 containing only the heating elements 210 and 220.

세라믹 소결체에 매설된 발열체(210, 220)는 전극(미도시)을 통해 외부로부터 공급되는 전력(예, RF(Radio Frequency) 전력)을 이용하여 저항 성질에 따라 열을 발생시킨다. 세라믹 플레이트(100)의 한쪽면은 대상체를 가열하기 위한 가열면으로서, 대상체를 올려 놓거나 대상체 위에서 열을 가하기 위한 면일 수 있다. 세라믹 플레이트(100)의 다른쪽 면을 통하여 발열체(210, 220)에 전력을 공급하기 위한 전극(미도시)이 결합될 수 있다.The heating elements 210 and 220 embedded in the ceramic sintered body generate heat according to resistance properties using power (eg, radio frequency (RF) power) supplied from the outside through electrodes (not shown). One side of the ceramic plate 100 is a heating surface for heating an object, and may be a surface for placing an object on or applying heat to the object. Electrodes (not shown) for supplying power to the heating elements 210 and 220 may be coupled to the other side of the ceramic plate 100.

이와 같은, 세라믹 플레이트(100)를 포함하는 세라믹 히터는, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 플렉시블 기판 등 다양한 목적의 열처리 대상체를 소정의 가열 온도에서 열처리하기 위하여 사용될 수 있다. 반도체 웨이퍼 처리를 위하여 세라믹 히터는 정전척의 기능과 결합하여 사용될 수도 있다.Such a ceramic heater including the ceramic plate 100 can be used to heat treat objects for various purposes, such as semiconductor wafers, glass substrates, and flexible substrates, at a predetermined heating temperature. For semiconductor wafer processing, a ceramic heater may be used in combination with the function of an electrostatic chuck.

상기에서 설명한 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)은 발열체(210, 220)의 탄화에 의한 저항 변화를 억제하기 위한 구조체 인데, 본 발명의 발열체(210, 220) 저항 변화율은 카본 몰드로 부터 가장 큰 영향을 받고, 세라믹 분말층(510, 520) 내에 함유된 카본 함량에 의해서는 발열체(210, 220)의 저항 변화율은 그다지 큰 영향을 받지 않는 것으로 확인되었다.The induction carbide layer 500, the first induction carbide layer 810, and the second induction carbide layer 820 described above are structures for suppressing resistance changes due to carbonization of the heating elements 210 and 220, and according to the present invention, The rate of change in resistance of the heating elements (210, 220) is most influenced by the carbon mold, and the rate of change in resistance of the heating elements (210, 220) is not greatly affected by the carbon content contained in the ceramic powder layer (510, 520). It was confirmed that it was not.

그리고, 상기에서 설명한 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)은 카본 몰드(CARBON MOLD)(320)로부터 탄소 성분을 잘 흡수하여 발열체(210, 220)의 탄화를 억제할 수 있는 소재가 사용되어야 한다.In addition, the induction carbide layer 500, the first induction carbide layer 810, and the second induction carbide layer 820 described above well absorb carbon components from the carbon mold (CARBON MOLD) 320, thereby forming the heating element 210, 220) A material that can suppress carbonization must be used.

따라서, 본 발명에서 기제된 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)은 4족 내지 6족 금속 또는 질화물이 코팅된(NITRIDE COATING) 4족 내지 6족 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속일 수 있다. 그리고, 본 발명에서 기제된 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)은 상기 금속 중에서 Mo(Molybdenum), TiN(Titanium Nitride), TiN이 코팅된 Mo 또는 Ti(Titanium)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 세라믹 히터 제조 방법에서 유도 탄화체(500)로 Mo, TiN, TiN이 코팅된 Mo 또는 Ti 등과 같이 4족 내지 6족 금속 중 어느 하나의 금속이 사용될 수 있고, 또는, Mo와 Ti 합금처럼 2 이상의 금속이 포함된 금속이 사용될 수 도 있다.Therefore, the induced carbide layer 500, the first induced carbide layer 810, and the second induced carbide layer 820 described in the present invention are group 4 to 6 metals coated with a group 4 to 6 metal or nitride (NITRIDE COATING). It may be a metal containing at least one of Group 6 metals. In addition, the induced carbide layer 500, the first induced carbide layer 810, and the second induced carbide layer 820 described in the present invention are coated with Mo (Molybdenum), TiN (Titanium Nitride), and TiN among the metals. It may contain Mo or Ti (Titanium). For example, in the ceramic heater manufacturing method shown in FIG. 5, any one of Group 4 to Group 6 metals, such as Mo, TiN, Mo or Ti coated with TiN, may be used as the induction carbide 500, Alternatively, a metal containing two or more metals, such as a Mo and Ti alloy, may be used.

그리고, 또 다른 예로, 도 8에 도시된 세라믹 히터 제조 방법에서, 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)으로 Mo, TiN, TiN이 코팅된 Mo 또는 Ti 등과 같이 4족 내지 6족 금속 중 어느 하나의 금속이 사용될 수 있다. 또는, 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)으로 각각 4족 내지 6족 금속 중 어느 하나인 서로 다른 금속이 사용될 수도 있다. 그 구체적인 예로, 유도 탄화체(500)로 Ti가 사용되고, 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)으로 Mo가 사용될 수 있다. 또는 유도 탄화체(500)로 Mo가 사용되고, 제1 유도 탄화체층(810)으로 TiN이 코팅된 Mo가 사용되며, 제2 유도 탄화체층(820)으로 Ti가 사용될 수 있다. 상기 예시에서 기제된 금속 구성은 본 발명에 따른 수 많은 실시 예들 중 일 예에 불과하고, 그 외에 4족 내지 6족 범위에 속하는 금속들을 이용하여, 다양한 조합으로 본 발명을 실시할 수 있다.And, as another example, in the ceramic heater manufacturing method shown in FIG. 8, Mo, TiN, and TiN are coated with the induction carbide 500, the first induction carbide layer 810, and the second induction carbide layer 820. Any one of Group 4 to Group 6 metals, such as Mo or Ti, may be used. Alternatively, different metals, one of Group 4 to Group 6 metals, may be used as the induced carbide body 500, the first induced carbide layer 810, and the second induced carbide layer 820, respectively. As a specific example, Ti may be used as the induction carbide layer 500, and Mo may be used as the first induction carbide layer 810 and the second induction carbide layer 820. Alternatively, Mo may be used as the induction carbide layer 500, Mo coated with TiN may be used as the first induction carbide layer 810, and Ti may be used as the second induction carbide layer 820. The metal composition described in the above example is only one example among numerous embodiments according to the present invention, and the present invention can be implemented in various combinations using metals belonging to groups 4 to 6.

도 9는 저항체들의 소결 전 후 저항변화율을 실험하여 도시한 도면이다.Figure 9 is a diagram illustrating an experiment showing the rate of change in resistance before and after sintering the resistors.

본 발명에서 기제된 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)으로 사용되는 금속은 탄소 흡수력이 클수록 유리한 효과를 가진다. 도 9에서 탄화 방지 저항체로 사용되는 대표적인 금속4가지(Mo, TiN, TiN이 코팅된 Mo, Ti)를 세라믹 분말층에 매설하여 카본 몰드(CARBON MOLD)(320) 내에서 소결을 진행한 후, 각 금속의 탄화에 의한 저항 변화율을 GOM(저항 변화 측정 장비)으로 측정한 결과를 도시한다. 소결 전 각 금속 발열체의 저항은 Mo, TiN, TiN이 코팅된 Mo, Ti 가 순서대로 각각 0.88, 0.85, 0.86, 0.89 옴(Ω) 이었으나, 소결 후 측정된 저항값은 각각 2.07, 1.49, 1.61, 4.04 옴(Ω) 이었다. 상기 결과에 따라 Ti(Titanium) 금속이 저항 변화율이 355 정도로, 탄화 정도가 가장 컸다. 다시 말해, Ti(Titanium) 금속이 탄소를 흡수하는 능력이 가장 크다고 볼 수 있다. 따라서, 본 발명에서 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)으로 Ti(Titanium) 금속이 사용될 경우에, 세라믹 히터 온도 균일성(TEMPERATURE UNIFORMITY) 향상에 있어서 가장 큰 효과를 얻을 수 있다.The metal used as the induced carbide layer 500, the first induced carbide layer 810, and the second induced carbide layer 820 described in the present invention has an advantageous effect as the carbon absorption capacity increases. In Figure 9, four representative metals (Mo, TiN, TiN-coated Mo, Ti) used as carbonization prevention resistors are buried in a ceramic powder layer and sintered in a carbon mold (CARBON MOLD) 320, The results of measuring the resistance change rate due to carbonization of each metal using GOM (resistance change measurement equipment) are shown. The resistance of each metal heating element before sintering was 0.88, 0.85, 0.86, and 0.89 ohm (Ω) for Mo, TiN, and TiN-coated Mo and Ti, respectively, in that order, but the resistance values measured after sintering were 2.07, 1.49, 1.61, and It was 4.04 ohms (Ω). According to the above results, Ti (Titanium) metal had a resistance change rate of about 355 and had the greatest degree of carbonization. In other words, it can be said that Ti (Titanium) metal has the greatest ability to absorb carbon. Therefore, in the present invention, when Ti (Titanium) metal is used as the induction carbide layer 500, the first induction carbide layer 810, and the second induction carbide layer 820, the ceramic heater temperature uniformity (TEMPERATURE UNIFORMITY) is improved. The greatest effect can be achieved.

도 10은 종래 기술에 의한 세라믹 히터의 발열체와 본 발명에 따른 세라믹 히터의 발열체의 소결 전, 후 저항 증가율을 비교하여 도시한 그래프 이다.Figure 10 is a graph comparing the resistance increase rate before and after sintering of the heating element of the ceramic heater according to the prior art and the heating element of the ceramic heater according to the present invention.

도 10에 도시된 그래프는 세라믹 히터 제조 과정에서 본 발명에 따른 유도 탄화체가 세라믹 히터의 발열체들(INNER 발열체 및 OUTER 발열체)의 탄화 정도에 미치는 영향을 수치로써 비교하여 도시한 그래프이다.The graph shown in Figure 10 is a graph showing a numerical comparison of the effect of the induction carbonization material according to the present invention on the degree of carbonization of the heating elements (INNER heating element and OUTER heating element) of the ceramic heater during the manufacturing process of the ceramic heater.

본 발명에 따른 세라믹 히터는 상기 도 4 내지 도 6에 따라 제조된 세라믹 히터이고, 유도 탄화체(500) 로 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 Ti(Titanium) 금속이 사용되었다. 본 실험에서는 Ti 금속이 사용되었지만, 이는 본 발명의 일 실시 예에 따른 것이고, Ti 금속 외에 Mo, TiN 또는 TiN이 코팅된 Mo 등의 금속이 사용될 수 있다.The ceramic heater according to the present invention is manufactured according to FIGS. 4 to 6, and Ti (Titanium) metal, which corresponds to an embodiment of the present invention, was used as the induction carbide body 500. In this experiment, Ti metal was used, but this is according to an embodiment of the present invention, and in addition to Ti metal, metals such as Mo, TiN, or TiN-coated Mo can be used.

도 10(A) 는 종래 기술에 의한 세라믹 히터의 발열체 소결 전, 후의 저항 변화를 도시한 그래프 이다. 도 10(A)를 참조하면, INNER 발열체(210)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 1.5 옴(Ω)에서 소결 후 1.8옴(Ω)으로 약 20%가 상승하였고, OUTER 발열체(220)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 2.0 옴(Ω)에서 소결 후 2.8옴(Ω)으로 약 40%가 상승하였다.Figure 10(A) is a graph showing the change in resistance before and after sintering the heating element of a ceramic heater according to the prior art. Referring to Figure 10 (A), looking at the rate of change in resistance of the INNER heating element 210, the resistance of the OUTER heating element 220 increased by about 20% from 1.5 ohms (Ω) before sintering to 1.8 ohms (Ω) after sintering. Looking at the rate of change, it increased by about 40% from 2.0 ohms (Ω) before sintering to 2.8 ohms (Ω) after sintering.

도 10(B) 내지 도 10(D) 는 본 발명에 따른 세라믹 히터의 발열체 소결 전, 후의 저항 변화를 도시한 그래프 이다. 10(B) to 10(D) are graphs showing changes in resistance before and after sintering the heating element of the ceramic heater according to the present invention.

도 10(B)를 참조하면, 유도 탄화체(500)로 Ti가 사용되었는데, INNER 발열체(210)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 1.5 옴(Ω)에서 소결 후 1.53옴(Ω)으로 약 2%가 상승하였고, OUTER 발열체(220)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 2.0 옴(Ω)에서 소결 후 2.16옴(Ω)으로 약 8%가 상승하였다.Referring to FIG. 10(B), Ti was used as the induction carbonization body 500, and looking at the rate of change in resistance of the INNER heating element 210, it increased from 1.5 ohms (Ω) before sintering to 1.53 ohms (Ω) after sintering, about 2. % increased, and looking at the resistance change rate of the OUTER heating element (220), it increased by about 8% from 2.0 ohms (Ω) before sintering to 2.16 ohms (Ω) after sintering.

도 10(C)를 참조하면, 유도 탄화체(500)로 Mo가 사용되었는데, INNER 발열체(210)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 1.5 옴(Ω)에서 소결 후 1.59옴(Ω)으로 약 6%가 상승하였고, OUTER 발열체(220)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 2.0 옴(Ω)에서 소결 후 2.2옴(Ω)으로 약 10%가 상승하였다.Referring to FIG. 10(C), Mo was used as the induction carbonization body 500, and looking at the rate of change in resistance of the INNER heating element 210, it increases from 1.5 ohms (Ω) before sintering to 1.59 ohms (Ω) after sintering, about 6. % increased, and looking at the resistance change rate of the OUTER heating element (220), it increased by about 10% from 2.0 ohms (Ω) before sintering to 2.2 ohms (Ω) after sintering.

도 10(D)를 참조하면, 유도 탄화체(500)로 TiN이 사용되었는데, INNER 발열체(210)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 1.5 옴(Ω)에서 소결 후 1.68옴(Ω)으로 약 12%가 상승하였고, OUTER 발열체(220)의 저항 변화율을 보면, 소결 전 2.0 옴(Ω)에서 소결 후 2.4옴(Ω)으로 약 20%가 상승하였다.Referring to FIG. 10(D), TiN was used as the induction carbonization body 500, and looking at the rate of change in resistance of the INNER heating element 210, it increases from 1.5 ohms (Ω) before sintering to 1.68 ohms (Ω) after sintering, about 12. % increased, and looking at the resistance change rate of the OUTER heating element (220), it increased by about 20% from 2.0 ohms (Ω) before sintering to 2.4 ohms (Ω) after sintering.

도 10에서 나타난 결과와 같이, 본 발명에 따라 소결 전/후 발열체의 저항변화율이 큰 폭으로 줄었고, 그 중에서 특히 OUTER 발열체(220)의 저항 변화율이 큰 폭으로 감소하였다. 그 결과, INNER 발열체(210)와 OUTER 발열체(220) 저항 값의 차이가 소결 전/후 비슷한 비율로 나타난다. 상기 실험에서 나타난 바와 같이, 세라믹 히터 설계에서 원하는 저항 값을 얻기 위하여 필요에 따라 상기 Ti, Mo 또는 TiN 소재의 유도 탄화체(500)를 필요에 따라 선택하여 설계할 수 있기에, 세라믹 히터 설계 측면에서 유리한 효과가 있다.As shown in Figure 10, according to the present invention, the resistance change rate of the heating element before and after sintering was greatly reduced, and among them, the resistance change rate of the OUTER heating element 220 was reduced significantly. As a result, the difference between the resistance values of the INNER heating element 210 and the OUTER heating element 220 appears at a similar rate before and after sintering. As shown in the above experiment, in order to obtain the desired resistance value in the ceramic heater design, the induction carbide 500 made of Ti, Mo, or TiN can be selected and designed as needed, so in terms of ceramic heater design, It has a beneficial effect.

도 11은 종래 기술에 의한 세라믹 히터의 발열체와 본 발명에 따른 세라믹 히터의 발열체의 가장자리 온도를 측정하여 도시한 그래프이다.Figure 11 is a graph showing the measured edge temperatures of the heating element of the ceramic heater according to the prior art and the heating element of the ceramic heater according to the present invention.

본 발명에 따른 세라믹 히터는 상기 도 4 내지 도 6에 따라 제조된 세라믹 히터이고, 유도 탄화체(500), 제1 유도 탄화체층(810) 및 제2 유도 탄화체층(820)으로 Ti(Titanium) 금속이 사용되었다.The ceramic heater according to the present invention is a ceramic heater manufactured according to FIGS. 4 to 6, and the induction carbide layer 500, the first induction carbide layer 810, and the second induction carbide layer 820 are made of Ti (Titanium). Metal was used.

도 11에서 세라믹 히터의 온도를 측정하기 위하여 T/C WAFER(THERMOCOUPLE WAFER)를 사용하였다. In Figure 11, a T/C WAFER (THERMOCOUPLE WAFER) was used to measure the temperature of the ceramic heater.

세라믹 히터의 온도 균일성(TEMPERATURE UNIFORMITY)을 측정하기 위하여 세라믹 히터의 가장자리 8개의 지점(1 내지 8 지점)의 온도를 각각 측정하여 기록하였다.In order to measure the temperature uniformity (TEMPERATURE UNIFORMITY) of the ceramic heater, the temperature of eight points (points 1 to 8) at the edge of the ceramic heater were measured and recorded.

도 11(A)는 종래 기술에 의한 세라믹 히터의 발열체의 가장자리 온도를 측정한 결과이다. 1 내지 8 지점 중 최저 온도와 최고 온도의 차이가 약 5.3도인 것으로 측정된다.Figure 11(A) shows the results of measuring the temperature at the edge of the heating element of a ceramic heater according to the prior art. The difference between the lowest and highest temperatures among points 1 to 8 is measured to be about 5.3 degrees.

도 11(B)는 본 발명에 따른 세라믹 히터의 발열체의 가장자리 온도를 측정한 결과이다. 1 내지 8 지점 중 최저 온도와 최고 온도의 차이는 약 2.1도인 것으로 측정된다. Figure 11(B) shows the results of measuring the temperature at the edge of the heating element of the ceramic heater according to the present invention. The difference between the lowest and highest temperatures among points 1 to 8 is measured to be about 2.1 degrees.

상기 결과에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 세라믹 히터는 세라믹 히터의 온도 균일성(TEMPERATURE UNIFORMITY) 향상에 뛰어난 효과를 나타낸다.As can be seen from the above results, the ceramic heater according to the present invention shows an excellent effect in improving the temperature uniformity (TEMPERATURE UNIFORMITY) of the ceramic heater.

본 발명에 따른 세라믹 히터의 제조 방법에 따르면, 세라믹 히터 내부에 매설된 발열체 가장자리에 일정한 간격으로 이격된 위치에 유도 탄화체(500)를 형성함으로써 소결 과정에서 발열체의 국부적인 저항 변화율을 개선할 수 있다. 즉, 유도 탄화체(500)의 사용으로 국부적인 발열체의 저항 상승이 차단되므로 웨이퍼 등 대상체 가열면의 위치별 온도 편차가 현저히 줄어들어 가열면의 온도 균일성(TEMPERATURE UNIFORMITY)을 높일 수 있는 효과가 있다. According to the method of manufacturing a ceramic heater according to the present invention, the local resistance change rate of the heating element can be improved during the sintering process by forming induction carbonization bodies 500 at positions spaced at regular intervals around the edge of the heating element buried inside the ceramic heater. there is. In other words, the use of the induction carbonization body 500 blocks the increase in resistance of the local heating element, so the temperature difference at each position of the heating surface of the object such as a wafer is significantly reduced, which has the effect of increasing the temperature uniformity (TEMPERATURE UNIFORMITY) of the heating surface. .

도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 발열체 및 유도 탄화체(500)가 매설된 세라믹 분말층 구조의 단면을 도시한 도면이다.Figure 12 is a cross-sectional view of a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbonization body 500 are embedded according to another embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 유도 탄화체(500)가 제거된 세라믹 히터의 단면의 형상을 도시한 도면이다.Figure 13 is a diagram showing the cross-sectional shape of a ceramic heater from which the induction carbonization body 500 has been removed according to another embodiment of the present invention.

상기 도 4 내지 도 8에서 개시한 세라믹 히터에서 사용된 발열체는 2-ZONE 발열체로써, INNER 발열체(210) 및 OUTER 발열체(220)가 분리되어 존재하였으나, 이는 2-ZONE 발열체에 국한되어 사용되는 기술이 아니라, 1개의 발열체(1200)가 매설된 세라믹 소결체(600)로 이루어진 세라믹 히터(1300) 제조 방법에서도 본 발명이 사용될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.The heating element used in the ceramic heater disclosed in FIGS. 4 to 8 is a 2-ZONE heating element, and the INNER heating element 210 and the OUTER heating element 220 exist separately, but this technology is limited to the 2-ZONE heating element. Rather, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be used in a method of manufacturing a ceramic heater 1300 consisting of a ceramic sintered body 600 in which one heating element 1200 is embedded.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.As described above, the present invention has been described with specific details such as specific components and limited embodiments and drawings, but this is provided only to facilitate a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments. , those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and the scope of the patent claims described later as well as all technical ideas that are equivalent or equivalent to the scope of this patent claim are included in the scope of rights of the present invention. It should be interpreted as

100: 세라믹 플레이트
210: INNER 발열체
220: OUTER 발열체
300: 세라믹 소결체
310: 세라믹 분말층 구조
320: 카본 몰드
500: 유도 탄화체100: Ceramic plate
210: INNER heating element
220: OUTER heating element
300: Ceramic sintered body
310: Ceramic powder layer structure
320: Carbon mold
500: Induction carbonization body

Claims (14)

발열체 및 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조를 성형하는 단계; 및
상기 세라믹 분말층 구조를 소결하는 단계를 포함하되,
상기 유도 탄화체는 상기 발열체 측면에서 반경 방향 외측으로 일정거리 이격 되어 매설되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조 방법.Forming a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induction carbonization body are embedded; and
Including the step of sintering the ceramic powder layer structure,
A method of manufacturing a ceramic heater, characterized in that the induction carbonized body is buried at a certain distance radially outward from the side of the heating element. 제1항에 있어서,
상기 세라믹 분말층 구조 성형 단계는,
제1 세라믹 분말층을 제공하는 단계;
상기 제1 세라믹 분말층 상에 상기 발열체 및 상기 유도 탄화체를 배치하는 단계; 및
상기 발열체 및 상기 유도 탄화체가 배치된 상기 제1 세라믹 분말층 상에 제2 세라믹 분말층을 제공하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.According to paragraph 1,
The ceramic powder layer structure forming step is,
providing a first ceramic powder layer;
Disposing the heating element and the induction carbonization body on the first ceramic powder layer; and
Providing a second ceramic powder layer on the first ceramic powder layer on which the heating element and the induction carbide body are disposed;
A method of manufacturing a ceramic heater comprising: 제1항에 있어서,
상기 소결된 세라믹 분말층 구조에서 상기 유도 탄화체가 제거되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 세라믹 히터 제조 방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, further comprising removing the induction carbonized material from the sintered ceramic powder layer structure. 제2항에 있어서,
상기 제1 세라믹 분말층 제공 단계 전에, 제1 유도 탄화체층이 제공되는 단계;
상기 제2 세라믹 분말층 제공 단계 후에, 제2 유도 탄화체층이 제공되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 2,
Before providing the first ceramic powder layer, providing a first induced carbide layer;
After the step of providing the second ceramic powder layer, the method of manufacturing a ceramic heater further includes providing a second induction carbide layer. 제1항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 4족 내지 6족 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, wherein the induction carbide body includes at least one of Group 4 to Group 6 metals. 제1항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 질화물이 코팅된(NITRIDE COATING) 4족 내지 6족 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, wherein the induction carbide body includes at least one of Group 4 to Group 6 metals coated with nitride (NITRIDE COATING). 제1항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 Mo(Molybdenum), TiN(Titanium Nitride), TiN이 코팅된 Mo 또는 Ti(Titanium) 금속 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, wherein the induction carbide body includes any one of Mo (Molybdenum), TiN (Titanium Nitride), TiN-coated Mo, or Ti (Titanium) metal. 제1항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 상기 발열체 외 측면에서 6mm 간격을 두고 이격된 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, characterized in that the induction carbonized body is formed at a position spaced apart from the heating element at a distance of 6 mm. 제3항에 있어서,
상기 유도 탄화체가 제거되는 단계에서, 상기 유도 탄화체가 매설된 위치에서 안쪽으로 3mm 간격을 두고 컷팅되어 제거되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 3,
A method of manufacturing a ceramic heater, characterized in that, in the step of removing the induction carbide body, the induction carbide body is cut at intervals of 3 mm inward from the embedded position and removed. 제1항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 링(RING) 형상인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, characterized in that the induction carbonized body has a ring shape. 제1항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 coil type 또는 sheet type 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터 제조방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a ceramic heater, characterized in that the induction carbonized body is either a coil type or a sheet type. 발열체 및 상기 발열체 측면에서 반경 방향 외측으로 일정거리 이격 되어 매설되는 유도 탄화체가 매설된 세라믹 분말층 구조를 갖는 성형체를 형성하고, 상기 성형체를 소결하여 상기 세라믹 분말층 구조가 세라믹 소결체가 되도록 한 후, 상기 유도 탄화체가 제거되어 제조되는 세라믹 히터.After forming a molded body having a ceramic powder layer structure in which a heating element and an induced carbide embedded at a certain distance radially outwardly from the side of the heating element are embedded, and sintering the molded body so that the ceramic powder layer structure becomes a ceramic sintered body, A ceramic heater manufactured by removing the induction carbonized material. 제12항에 있어서,
상기 세라믹 분말층 구조는
제1 세라믹 분말층이 제공되고,
상기 제1 세라믹 분말층 상에 상기 발열체 및 상기 유도 탄화체가 배치된 후,
상기 발열체 및 상기 유도 탄화체가 배치된 상기 제1 세라믹 분말층 상에 제2 세라믹 분말층이 제공되어 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.According to clause 12,
The ceramic powder layer structure is
A first ceramic powder layer is provided,
After the heating element and the induction carbonization body are disposed on the first ceramic powder layer,
A ceramic heater, characterized in that a second ceramic powder layer is provided on the first ceramic powder layer on which the heating element and the induction carbonization body are disposed. 제12항에 있어서,
상기 유도 탄화체는 Mo(Molybdenum), TiN(Titanium Nitride), TiN이 코팅된 Mo 또는 Ti(Titanium) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
According to clause 12,
The induction carbide is a ceramic heater comprising any one of Mo (Molybdenum), TiN (Titanium Nitride), TiN-coated Mo, or Ti (Titanium).
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