KR101630817B1

KR101630817B1 - 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크, 이를 포함하는 신축성 투명전극 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR101630817B1
Application number: KR1020140177680A
Authority: KR
Inventors: 이상수; 표준범; 손정곤; 김병수; 김희숙
Original assignee: 한국과학기술연구원
Priority date: 2014-12-10
Filing date: 2014-12-10
Publication date: 2016-06-15

Abstract

본 발명은 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크, 이를 포함하는 신축성 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 직선 형태의 금속 나노와이어를 기반으로 물결 무늬의 굴곡진(wavy) 형태를 갖는 나노와이어 네트워크 구조체 및 이의 제조방법이 개시되며, 이렇게 기재 위에 굴곡진 금속 나노와이어 구조를 형성하고, 이를 통해 다양한 변형에도 안정적인 성능을 보이는 투명하면서도 신축성이 있는 유연 전극에 활용 가능하다.

Description

굴곡진 금속 나노와이어 네트워크, 이를 포함하는 신축성 투명전극 및 이의 제조방법{Wavy metal nanowire network, flexible transparent electrode comprising the same, and the preparation method thereof}

스마트 기기(smart device) 및 IT 시장은 지속적으로 크게 성장하고 있으며, 최근 형태의 조작이 자유로운 유연하면서도 펴고 접을 수 있는 기능이 전자제품의 새로운 트렌드가 됨에 따라 이러한 특성을 나타낼 수 있는 다양한 형태의 전자소자 및 재료가 요구되고 있다. 유연하면서도 변형이 가능한 신축성 전자소자 기술은 디스플레이, 터치패널, 트랜지스터, 및 태양전지로 대표되는 유연성 전자소자를 비롯한 로봇, 생체 부착형 전자소자 분야에서도 향후 많은 응용이 가능할 것으로 기대된다. 이런 유연하면서 변형 가능한 전자소자는 재료의 형태변화에 적합하도록 신축 가능한 투명 전극의 확보가 가장 기본적이며 특히, 높은 광투과도를 보이며 인장 또는 수축된 형태에서도 전기적 및 기계적 물성이 유용한 전극이 필수적이다.

현재 주로 이용되는 투명전극인 ITO(indium tin oxide)는 형태 조절이 어렵고 깨지기 쉬운 재료 특성상 신축성 전자소자에 적용하는 데는 한계가 있다. 이를 극복하기 위해 그래핀, 탄소나노튜브, 및 금속 나노와이어 물질 및 이들 간의 결합을 통한 다양한 제안이 문헌에 제시되어 있다. 이 중 금속 나노와이어 기반의 재료가 뛰어난 전기적 성질과 함께 높은 광투과도를 구현해 낼 수 있기 때문에 신축성 투명전극 재료에 가장 적합한 재료 중 하나로 고려된다. 예를 들어 대한민국 공개특허 10-2014-0109835호는 금속 나노와이어와 유연성 기재 간의 접착력에 대하여 개시하고 있다. 일반적으로 재료의 기계적 성질은 영률과 같은 재료 고유의 특성에 의하여 결정되기 때문에 추가 공정을 통하여 특성을 향상시키는 노력은 기술적으로 매우 큰 의미를 가진다.

그러나 대부분의 금속 나노와이어를 이용한 신축성 전극에 대한 연구는 나노와이어 간의 접촉문제나 전극과 기재간의 접착력 또는 산화문제의 개선을 통한 성능향상에 집중되어 있을 뿐 본질적으로 직선 형태인 금속 나노와이어를 신축성 유연전극에 보다 적합하도록 구조적 개선을 시도한 연구는 미비하다.

공개 특허공보 제10-2014-0107158호

ACSNANO, Vol. 5, No. 1, 2010, "Controlled 3D Buckling of Silicon Nanowires for Stretchable Electronics" Nano Lett., Vol. 9, No. 9, 2009, "Lateral Buckling Mechanics in Silicon Nanowires on Elastomeric Substrates"

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술적 문제점 등을 개선하여, 마치 그물 같이 직선 형태로 서로 연결되어 있는 금속 나노와이어 층을 표면 장력이 큰 용매(예를 들어, 물) 위에 부유시켜 형태의 제어가 용이하도록 유도한 후, 부유된 금속 나노와이어 층을 압축 또는 변형하여 금속이 탄성 변형되기 유리한 곡선으로 이루어진 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크를 제조하는 방법을 제공하고자 한다. 즉, 직선 형태의 금속 나노와이어로 이루어진 얇은 층을 자유롭게 구조 제어가 가능하도록 용매 위에 부유시킨 후 이를 압축 또는 변형시켜 신축성이 있는 유연 전극에 적합한 물결 모양의 곡선으로 이루어진 금속 나노와이어 네트워크, 이를 포함하는 신축성 유연전극 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 일 측면은 (a) 제1 기재 위에 금속 나노와이어 박막을 형성하는 단계, (b) 상기 제1 기재 위에 형성된 금속 나노와이어어 박막을 상기 제1 기재와 분리시켜 용매 표층에 부유시키는 단계, (c) 상기 용매 표층에 부유된 금속 나노와이어 박막을 압축하여 변형시키는 단계를 포함하는 굴곡진 금속 나노와이어의 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.

본 발명의 다른 측면은 굴곡진 금속 나노와이어의 네트워크로 이루어진 금속 나노와이어 박막에 관한 것이다.

본 발명에 따른 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크는 다양한 변형에도 안정적인 성능을 보이는 투명하면서도 신축성이 있는 유연 전극에 활용 가능하다.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 곡선으로 이루어진 금속 나노와이어 네트워크 제조 방법을 모식화 한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 신축성 기재 위의 금속 나노와이어 구조를 보여주는 광학현미경 사진이다. 즉, 실버 나노와이어 전극을 PDMS 기재 위에 부착하여 광학 현미경으로 실버 나노와이어 층을 관찰한 결과이다. 이미지 (a)는 압축 및 변형 전의 금속 실버 나노와이어 층을 PDMS 기재 위에 전사한 후 모습을 관찰한 것이며, 이미지 (b)는 부유된 실버 나노와이어 층을 압축 및 변형한 후 전사시키고 나서의 구조를 나타낸다. 이미지에서 보는 바와 직선 형태의 실버 나노와이어 네트워크가 물결 모양의 곡선 형태로 변형되었음을 확인할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 금속 나노와이어 층이 형성된 신축성 기재를 변형하였을 때 저항 변화율을 나타내는 그래프이다. 즉, 제조된 실버 나노와이어 전극을 신축이 가능한 PDMS 기재 위에 부착한 후 기재를 인장하였을 때 측정되는 저항값을 나타내었다. 그래프 (a)에 제시한 바와 같이 직선 형태로 이루어진 실버 나노와이어 전극보다 굴곡진 실버 나노와이어 전극이 기재의 변형에 따른 저항 변화율이 작게 측정되었음을 확인하였다. 그래프 (b)는 실버 나노와이어 전극이 부착된 PDMS 기재를 변형율 10%까지 인장 실험을 반복한 경우이다. 시험을 50회까지 진행했을 때 직선형태의 실버 나노와이어로 구성된 전극보다 곡선 형태의 실버 나노와이로 구성된 전극이 반복적인 변형에도 안정적인 저항값을 보이는 것을 확인하였다.
도 4는 용매 위에 부유된 금속 나노와이어 층을 다양한 기재에 전사한 사진이다. 종이, 천, 플라스틱, 유리를 비롯해 곡면을 가지는 기재에도 전사 가능하며, 전기적 성질 또한 잃지 않는 모습을 볼 수 있다.

이하에서, 본 발명의 여러 측면 및 다양한 구현예에 대해 더욱 구체적으로 살펴보도록 한다.

이렇게 제조된 박막에 존재하는 금속 나노와이어 각각은 물결 모양으로 굴곡진(wavy) 형태를 갖게 되어, 전체적인 박막은 다양한 변형에도 안정적인 신축성을 보이게 되고, 투명성도 확보할 수 있어, 유연한(flexible) 전극으로 높은 활용도를 가질 수 있다. 즉, 금속 나노와이어 각각이 지니는 물결 모양의 굴곡진 구조로 인해 응력 분산 효과를 얻을 수 있고, 직선 형태의 금속 나노와이어가 가지는 본래의 신축 한계 이상의 고신축성을 구현할 수 있게 된다. 즉, 본 발명의 일 구현예에 따라 곡선으로 이루어진 금속 나노와이어 네트워크는 직선 형태로 이루어진 금속 나노와이어로는 구현하기 힘든 정도의 가혹한 외부 변화(예: 인장이나 신축)에 대한 저항력을 가질 수 있도록 기하학적 구조를 가지고 있다.

일 구현예에 따르면, 상기 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법은 (d) 상기 (c) 단계를 통해 변형된 금속 나노와이어 박막을 제2 기재에 전사시키는 단계를 추가로 포함할 수도 있다.

다른 구현예에 따르면, 상기 (c) 단계는 두 개의 긴 막대기 모양의 압축 지지대로 상기 용매 표층에 부유된 금속 나노와이어 박막의 양 끝단을 서로 밀어 압축함으로써 수행된다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 (c) 단계는 상기 용매 표층 바로 위에서 보았을 때 상기 용매 표층에 부유된 금속 나노와이어 박막의 겉보기 면적을 초기 면적의 5% 내지 60%가 되도록 압축함으로써 수행된다.

본 발명에 있어서 겉보기 면적이란 용매 표층 바로 위에서 보았을 때의 2차원 면적을 의미하며, 굴곡지거나 중첩된 부분은 겉보기 면적의 감소를 초래하게 되고, 굴곡지거나 중첩된 부분이 펼쳐지게 되면 겉보기 면적이 증가하게 된다.

상기 면적 비에 관한 수치 범위의 하한 값 미만이거나 또는 상한 값을 초과하는 경우에는 특이하게도 200회 이상의 반복 인장시험에서 저항값이 안정적으로 유지되지 않음을 확인하였다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 압축 지지대는 철사 또는 납이다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1 기재는 비다공성 필름이거나 또는 다공성 막이다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 (a) 단계는 (a') 금속 나노와이어를 비다공성 필름 또는 다공성 막에 코팅하거나 또는 (a'') 금속 나노와이어를 다공성 막 위로 여과시킴으로써 수행된다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 코팅은 스프레이 코팅이거나 또는 닥터 블레이드 코팅이고, 상기 여과는 진공 여과이다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 (b) 단계는 상기 금속 나노와이어 박막이 형성된 제1 기재를 용매 위에 부유시킴으로써 수행된다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 용매는 표면장력이 20 내지 85 mJ/m²인 용매를 사용한다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 용매는 물이거나 또는 물과 유기 용매의 혼합용매이다.

이때, 유기 용매는 아세톤, 아세토나이트릴, 아세트알데하이드, 아세틱에시드, 아세토페논, 아세틸클로라이드, 아크릴로나이트릴, 아닐린, 벤질알코올, 1-부탄올, n-부틸아세테이트, 싸이클로헥사놀, 싸이클로헥사논, 1,2-디브로모에탄, 디에틸케톤, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 1,4-다이옥산, 에탄올, 에틸 아세테이트, 포름산 에틸, 포름산, 글리세롤, 헥사메틸 포스포아마이드, 메틸 아세테이트, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 니트로벤젠, 니트로메탄, 1-프로판올, 프로필렌-1,2-카보네이트, 테트라하이드로퓨란, 테트라메틸우레아, 트라이에틸포스페이트, 트라이메틸 포스페이트, 에틸렌다이아민 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 금속 나노와이어는 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물을 추가로 포함할 수 있으며, 이들과 복합체를 이룰 수도 있는데, 이때 복합체는 금속 나노와이어의 물성을 향상시키기 위하여 유기물 혹은 무기물을 금속 나노와이어와 혼합 또는 반응하여 만든 물질을 뜻하고, 예를 들어 금속나노와이어간의 접착력, 전기적 물성 향상을 위해 그래핀, 탄소나노 튜브 등이 혼합될 수 있으며 이에 한정된 것은 아니다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 금속은 Ag, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된다.

또 다른 구현예에 따르면, 금속 나노와이어 박막은 두께가 10 내지 500 nm이다. 특히, 다공성 막 위에 코팅하거나 여과시켜 형성된 금속 나노와이어 층의 두께는 10 nm 내지 100 mm의 범위로 조절하는 것이 바람직하다. 상기 다공성 막 위에 형성된 금속 나노와이어 박막의 두께에 관한 수치 범위의 하한 값 미만이거나 또는 상한 값을 초과하는 경우에는 최종 수득된 금속 나노와이어 박막의 초기 신축성이 크게 저하됨을 확인하였다.

상기 굴곡진 금속 나노와이어 박막은 나노 단위의 디멘션을 가져서 표면 에너지가 낮기 때문에 다양한 재질의 기재에 부착하기 쉬우며 곡면의 기재에도 전사가 용이한 장점이 있다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 제2 기재는 투명 기재이고, 특히 상기 제2 기재는 투명 고분자, 투명 무기물, 금속 산화물, 종이, 섬유 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 고분자는 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 폴리아크릴로니트릴(PAN) 또는 이들 2종 이상의 혼합물이다. 상기 투명 무기물은 유리이고, 상기 금속 산화물은 인듐-주석 산화물(ITO), 불소 도핑된 주석 산화물(FTO) 또는 이들의 혼합물이다.

일 구현예에 따르면, 상기 굴곡진 금속 나노와이어 박막은 본 발명의 여러 구현예에 따른 제조방법에 의해 제조된 굴곡진 금속 나노와이어 박막이다.

본 발명의 다른 측면은 굴곡진 금속 나노와이어의 네트워크로 이루어진 금속 나노와이어 박막을 포함하는 신축성 전극에 관한 것이다.

이하에서 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 하며, 다만 이하의 실시예 등에 의해 본 발명의 범위와 내용이 축소되거나 제한되어 해석될 수 없다. 또한, 이하의 실시예를 포함한 본 발명의 개시 내용에 기초한다면, 구체적으로 실험 결과가 제시되지 않은 본 발명을 통상의 기술자가 용이하게 실시할 수 있음은 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연하다.

실시예

실시예 1

5.5 mg Ag/mL ethanol의 농도로 에탄올에 분산되어 있는 실버 나노와이어(평균 직경 115 nm, 평균 길이 35 mm, Seashell technologies) 분산액 15 mL를 에탄올 60 mL에 넣어 희석시키는 방법으로 실버 나노와이어 분산 용액을 준비하였다. 희석된 실버 나노와이어 분산 용액 60 mL를 AAO 멤브레인(anodized aluminum oxide, 평균 기공 크기 100 nm, Whatman) 위에 진공 여과하여 AAO 멤브레인 위에 실버 나노와이어 층을 형성시켰다. 상기 실버 나노와이어 층이 형성된 AAO 멤브레인을 비스듬히 기울여 물에 담가 실버 나노와이어 층과 AAO 멤브레인을 분리시켰다. 물 위에 부유된 실버 나노와이어 층을 압축 지지대를 이용하여 바로 위에서 보았을 때 겉보기 면적이 초기 면적의 30%가 되도록 압축시켰다. 물 위에 부유하고 있는 압축된 실버 나노와이어 층 위에 PDMS 기재를 붙였다 떼어내 실버 나노와이어 층을 전사시켰다. 이렇게 형성된 실버 나노와이어 층을 도 2(b)에 제시하였다.

실시예 2 내지 7

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실버 나노와이어 전사층을 얻되, 다만 전사할 기재로서 PDMS 대신에 종이, 장갑, 플라스틱, 천, 둥근플라스크와 유리를 각각 사용하여 전사층을 얻었다. 이렇게 얻어진 전사층은 도 4에 제시하였으며, 위 다양한 기재 위에 부착된 곡선으로 이루어진 실버 나노와이어 층을 보여준다.

비교예 1

재료의 투명도를 동일하게 만들기 위해 상기 실버 나노와이어 분산액을 20 mL 사용하였고, 압축 지지대를 이용한 압축 과정을 제외하는 것을 제외하고는, 위 실시예 1과 동일한 방법으로, 상기 실버 나노와이어 층이 형성된 AAO 멤브레인 위에 PDMS 기재를 붙였다 떼어내는 방식으로 PDMS 기재 위에 직선 형태로 이루어진 실버 나노와이어 층을 전사하였다. 이렇게 형성된 실버 나노와이어 층을 도 2(a)에 제시하였다.

평가예 1 및 비교평가예 1

위 실시예 1과 비교예 1에서 신축성 기재 위에 형성시킨 실버 나노와이어 층에 대해서 광학 현미경(Leica DM/LM optical microscope, Leica)을 이용하여 표면 상태를 관찰하였으며, 그 결과를 도 2에 나타내었다. 도 2에 제시한 것과 같이, 부유된 실버 나노와이어 층을 압축 변형함으로써 직선 형태 나노와이어 네트워크에서 굴곡진 곡선 형태의 나노와이어 층이 형성됨을 확인할 수 있다.

평가예 2 및 비교평가예 2

위 실시예 1과 비교예 1에서 실버 나노와이어 층을 형성시킨 PDMS 기재(2.5 cm x 1.7 cm)를 이용하여, 인장과 동시에 저항 측정이 가능한 인장기계(키스텍, Korea) 위에 기재를 고정한 후, 고정된 시편을 인장하면서 저항을 측정하였다. 액체형 금속으로 알려진 Gallium??Indium eutectic (Sigma Aldrich)을 양쪽 끝에 도포하여 측정 전극으로 사용하였다. 재료가 30% 인장될 때까지 5% 인장될 때마다 저항 값을 측정하여 기록하였다. 도 3(a)에 제시하나 바와 같이, 투명도는 유사한 수준을 보이지만, PDMS 기재 위에 형성된 실버 나노와이어의 구조가 곡선 형태인 경우 직선 형태의 실버 나노와이어보다 재료의 변형 대비 안정적인 저항 변화값을 보임을 확인할 수 있다.

사이클(cycle) 시험을 위해서는, 재료의 10%까지 변형을 주었다 되돌리는 방법으로 총 50회 진행하였으며, 마찬가지로 매회 측정된 저항값을 기록하여 수치화하였다. 도면 3(b)에 제시한 바와 같이, PDMS 기재 위에 형성된 실버 나노와이어의 구조가 곡선 형태인 경우 직선 형태의 실버 나노와이어보다 반복 인장시험에서도 안정적인 저항값을 유지함을 확인할 수 있다.

Claims

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굴곡진 금속 나노와이어의 박막을 제조하는 방법으로서:
(a) 제1 기재 위에 금속 나노와이어 박막을 형성하는 단계,
(b) 상기 제1 기재 위에 형성된 금속 나노와이어어 박막을 상기 제1 기재와 분리시켜 용매 표층에 부유시키는 단계,
(c) 상기 용매 표층에 부유된 금속 나노와이어 박막을 압축하여 변형시키는 단계,
(d) 상기 (c) 단계를 통해 변형된 금속 나노와이어 박막을 제2 기재에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 (c) 단계는 두 개의 긴 막대기 모양의 압축 지지대로 상기 용매 표층에 부유된 금속 나노와이어 박막의 양 끝단을 서로 밀어 압축함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제3항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 용매 표층 바로 위에서 보았을 때 상기 용매 표층에 부유된 금속 나노와이어 박막의 겉보기 면적을 초기 면적의 5% 내지 60%가 되도록 압축함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제3항에 있어서, 상기 압축 지지대는 철사 또는 납인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 제1 기재는 비다공성 필름이거나 또는 다공성 막인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제6항에 있어서, 상기 (a) 단계는 (a') 금속 나노와이어를 비다공성 필름 또는 다공성 막에 코팅하거나 또는 (a'') 금속 나노와이어를 다공성 막 위로 여과시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제7항에 있어서, 상기 코팅은 스프레이 코팅이거나 또는 닥터 블레이드 코팅이고,
상기 여과는 진공 여과인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 금속 나노와이어 박막이 형성된 제1 기재를 용매 위에 부유시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 용매는 표면장력이 20 내지 85 J/m²인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 용매는 물이거나 또는 물과 유기 용매의 혼합용매이며,
상기 유기 용매는 아세톤, 아세토나이트릴, 아세트알데하이드, 아세틱에시드, 아세토페논, 아세틸클로라이드, 아크릴로나이트릴, 아닐린, 벤질알코올, 1-부탄올, n-부틸아세테이트, 싸이클로헥사놀, 싸이클로헥사논, 1,2-디브로모에탄, 디에틸케톤, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 1,4-다이옥산, 에탄올, 에틸 아세테이트, 포름산 에틸, 포름산, 글리세롤, 헥사메틸 포스포아마이드, 메틸 아세테이트, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 니트로벤젠, 니트로메탄, 1-프로판올, 프로필렌-1,2-카보네이트, 테트라하이드로퓨란, 테트라메틸우레아, 트라이에틸포스페이트, 트라이메틸 포스페이트, 에틸렌다이아민 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 금속 나노와이어는 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 금속은 Ag, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 및 이들 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 금속 나노와이어 박막은 두께가 10 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 제2 기재는 투명 기재인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 제2 기재는 투명 고분자, 투명 무기물, 금속 산화물, 종이, 섬유 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
제16항에 있어서, 상기 고분자는 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 폴리아크릴로니트릴(PAN) 또는 이들 2종 이상의 혼합물이고;
상기 투명 무기물은 유리이며;
상기 금속 산화물은 인듐-주석 산화물(ITO), 불소 도핑된 주석 산화물(FTO) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 박막 제조방법.
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