KR101628882B1 - 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치 - Google Patents

슬래브 표면산화막 생성 방지 장치 Download PDF

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KR101628882B1
KR101628882B1 KR1020140186205A KR20140186205A KR101628882B1 KR 101628882 B1 KR101628882 B1 KR 101628882B1 KR 1020140186205 A KR1020140186205 A KR 1020140186205A KR 20140186205 A KR20140186205 A KR 20140186205A KR 101628882 B1 KR101628882 B1 KR 101628882B1
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신용태
류창우
문종호
박현철
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주식회사 포스코
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Abstract

본 발명은 내부 공간이 슬래브의 표면커팅영역 위에 배치되는 하우징 및 상기 하우징에 연결되어 상기 내부 공간에 차폐용 가스를 공급하는 가스공급부를 포함하는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치를 제공하여, 절삭 가공 영역에 해당하는 열간 슬래브의 표면이 산화되는 것을 방지하는 유리한 효과를 제공한다.

Description

슬래브 표면산화막 생성 방지 장치{Apparatus for preventing oxide layer generated}
본 발명은 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 분광분석을 위해 열간 슬래브를 절삭 과정에서 발생하는 산화층을 방지하는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치에 관한 기술이다.
제강 및 연주공정에서 고급강 및 청정강을 생산하기 위한 공정기술들이 많이 개발되고 있으며, 그에 따른 측정기술들도 함께 개발되고 있다. 측정기술들 중 열간 슬래브(hot slab)의 청정도에 대한 측정기술이 있다.
다만. 열간 슬래브(hot slab)의 온도는 800도 이상의 온도를 유지하고 있기 때문에 내부의 비금속 산화물 성 개재물을 측정하기는 쉽지 않다. 이러한 개재물의 크기는 보통 수 um에서 수백 um정도의 크기로서 사람의 눈으로는 관찰이 불가능하며, 슬래브가 고온이기 때문에 측정하는데 많은 어려움이 있다.
슬래브 시료를 채취하여 오프라인에서 개재물을 측정하는 장치나 방법으로 처리해 왔으나, 시료채취 및 분석시간이 오래 걸리기 때문에 경제적으로나 시간적으로 손실이 많이 걸리는 단점이 있었다. 이에 온라인으로 열간 상태의 슬래브의 청정도를 평가할 수 있는 측정기술들이 제안되고 있다.
이러한 측정기술들 중 고출력 펄스 레이저를 사용하여 열간 상태의 슬래브의 표면에 조사하여 순간적으로 발생하는 플라즈마 신호를 분광함으로써, 슬래브 속에 존재하는 개재물을 측정할 수 있는 기술이 있다. 이때, 슬래브 표면에 존재하는 산화 스케일을 미리 제거해야 한다.
이때, 산화 스케일을 제거하기 위하여 밀링 가공을 수행하면, 슬래브의 온도가 800℃이기 때문에 표면에 산화막이 생성된다. 생성된 산화막의 두께가 몇 십 ㎛ 이상으로 될 경우에는 개재물 측정을 할 수 없는 문제점이 발생한다.
대한민국 공개특허 제10-2012-0089929호(2012.08.16. 공개)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 산화 스케일을 제거하기 위하여 밀링 가공을 수행할 때, 열간 슬래브 표면에 산화막이 생성되는 것을 방지할 수 있는 열간 슬래브 표면 산화막 생성 방지 장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 삼는다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제에 국한되지 않으며 여기서 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 내부 공간이 슬래브의 표면커팅영역 위에 배치되는 하우징 및 상기 하우징에 연결되어 상기 내부 공간에 차폐용 가스를 공급하는 가스공급부를 포함하는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치를 제공할 수 있다.
바람직하게는, 상기 하우징의 하측 개방면은 상기 표면커팅영역과 정렬 배치되고, 상기 하우징의 상측 개방면은 측정 장치의 레이저 조사 경로와 정렬 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 가스공급부는 높이 방향을 기준으로 상기 표면커팅영역을 커팅하는 커팅 수단의 위치 보다 높은 위치에 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 하우징은 상기 차폐용 가스를 배출하는 배출부를 포함할수 있다.
바람직하게는, 상기 배출부는 높이 방향을 기준으로 상기 가스공급부 보다 낮은 위치에 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 배출부는 상기 커팅 수단에 인접하여 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 하우징은 상기 배출부에 인접하여 배치되는 자기장 인가수단을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 자기장 인가수단은 상기 배출부의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
바람직하게는, 상기 자기장 인가수단은 상기 배출부 방향으로 오목하게 형성되어 흡입공간을 형성할 수 있다.
바람직하게는, 높이 방향을 기준으로 상기 가스공급부에서 하단면까지 이어지는 상기 하우징의 내측면은 상기 표면커팅영역을 향하여 경사지게 형성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 하우징의 하측 개방면의 중심을 수직하게 지나는 기준선을 기준으로 어느 한 측에는 상기 표면커팅영역을 커팅하는 커팅수단이 배치되고, 다른 측에는 상기 가스공급부가 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 열간 슬래브의 절삭 가공 영역 위로 가스 흐름을 구현하여 열간 슬래브의 표면과 공기를 격리시킴으로써, 절삭 가공 영역에 해당하는 열간 슬래브의 표면이 산화되는 것을 방지하는 유리한 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치를 도시한 도면,
도 2는 산화방지조건 A에서 시료번호 9번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 3은 산화방지조건 A에서 시료번호 9번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 4는 산화방지조건 B에서 시료번호 5번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 5는 산화방지조건 B에서 시료번호 5번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 6은 산화방지조건 B에서 시료번호 10번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 7은 산화방지조건 B에서 시료번호 10번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 8은 산화방지조건 C에서 시료번호 6번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 9는 산화방지조건 C에서 시료번호 6번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프,
도 10은 시료번호 5번 및 시료번호 10번의 개재물 분석결과를 나타낸 화면,
도 11은 시료번호 6번 및 시료번호 7번의 개재물 분석결과를 나타낸 화면이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 그리고 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해서 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
열간 슬래브의 청정도를 측정하기 위해서는 슬래브 표면에 존재하는 산화 스케일을 제거해야 개재물을 측정할 수 있다. 청정도 측정기술로서, 고출력 펄스 레이저를 사용하여 열간 상태의 슬래브의 표면에 조사하여 순간적으로 발생하는 플라즈마 신호를 분광하여 슬래브 속에 존재하는 개재물을 측정할 수 있는 기술이 있다.
열간 슬래브인 경우, 연주라인에서 밀링가공을 해야하는데, 밀링가공을 시행하면 슬래브의 온도가 800?이므로 표면에 산화막이 생성되고, 산화막의 두께가 몇 십 ㎛ 이상으로 될 경우에는 개재물 측정을 할 수 없는 상태로 되어 버린다. 본 발명의 일 실시예에 따른 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치는, 이러한 문제를 근본적으로 해결하고자 절삭 가공영역과 산소와 접촉을 최대한 차단시키고자 안출된 장치이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하며 본 발명의 일 실시예에 따른 에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치를 도시한 도면이다. 이러한, 도 1은 본 발명을 개념적으로 명확히 이해하기 위하여, 주요 특징 부분만을 명확히 도시한 것이며, 그 결과 도해의 다양한 변형이 예상되며, 도면에 도시된 특정 형상에 의해 본 발명의 범위가 제한될 필요는 없다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 슬래브 표면산화막생성 방지 장치는 하우징(100)과, 가스공급부(200)를 포함할 수 있다. 이러한 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치는 슬래브의 표면커팅영역에 차폐용 가스를 공급하여 산소에 대하여 표면커팅영역을 차단하는 차단층을 형성하여 표면산화막이 생성되는 것을 방지하는 기술적 특징이 있다.
먼저, 하우징(100)은 내부 공간(S)을 형성하도록 튜브 형태로 형성될 수 있으며, 내부 공간(S)은 슬래브(1)의 표면커팅영역(M) 위에 배치된다. 그리고 하우징(100)의 상측과 하측은 개방된 형태로 구성될 수 있다 즉. 하우징(100)은 하측 개방면(120)과 상측 개방면(130)을 포함할 수 있다. 하측 개방면(120)은 표면커팅영역(M)과 정렬되도록 배치되고, 상측 개방면(130)은 측정 장치의 레이저의 조사 경로와 정렬 배치될 수 있다.
측정 장치(미도시)에서 조사된 펄스 레이저는 하우징(100)의 상측 개방면(130)을 통과하여 슬래브(1)의 표면에 조사될 수 있다.
가스공급부(200)는 하우징(100)의 내부 공간(S)에 차폐용 가스를 공급하여 산소와 표면커팅영역(M)의 접촉을 최소화하는 차단층(GL)을 형성시킨다. 여기서 차폐용 가스는 아르곤(Ar) 가스일 수 있다. 이러한 가스공급부(200)는 하우징(100)의 측면(110)에 설치될 수 있다.
가스공급부(200)가 설치된 하우징(100)의 내측면(110)은 높이 방향을 기준으로 가스공급부(200)에서 하우징(100)의 하단면까지 표면커팅영역(M)을 향하여 경사지게 형성될 수 있다. 이는 차폐용 가스의 흐름을 표면커팅영역(M)으로 유도하기 위함이다.
밀링커터와 커팅 수단(300)이 표면커팅영역(M) 부근에 배치될 수 있다.
가스공급부(200)에 차폐용 가스가 투입되면, 내부 공간(S)에 산소가 거의 존재하지 않게 되기 때문에, 커팅 수단(300)에 의해 표면커팅영역(M)이 절삭되어도 슬래브(1)의 표면의 산화가 발생하지 않는다. 그리고 측정 장치(미도시)에서 조사된 펄스 레이저가 표면커팅영역(M)을 때리게 되면 플라즈마 광신호가 발생된다. 분광기에서 발생된 광신호를 스펙트럼 분석하면 개재물이 석출물을 측정할 수 있다.
한편, 높이 방향을 기준으로 가스공급부(200)의 위치(P1)는 커팅 수단(300)의 위치(P2) 보다 높게 배치될 수 있다. 이는 차폐용 가스가 자중에 의해 하향하여 흐르기 때문에, 차폐용 가스의 흐름을 표면커팅영역(M)과 커팅 수단(300)으로 유도하기 위함이다.
배출부(400)는 하우징(100)에 배치되어 차폐용 가스 및 플라즈마로 생성된 파인 파티클(t)(fine particle)들을 배출시키는 역할을 한다. 이러한 배출부(400)는 커팅 수단(300)에 인접하여 배치될 수 있다. 이때, 높이 방향을 기준으로 배출부(400)의 위치(P3)는 가스공급부(200)의 위치(P1) 보다 낮게 배치될 수 있다.
자기장 인가수단(500)은 배출부(400)에 인접하여 배출될 수 있다. 구체적으로, 배출부(400)를 중심에 두고, 배출부(400)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 또한, 자기장 인가수단(500)은 배출부(400) 방향으로 오목하게 형성되어 흡입공간(S1)을 형성할 수 있다. 이는 파인 파티클(t)을 배출부(400)로 보다 원활하게 배출하기 위함이다.
한편, 하우징(1000의 하측 개방면(120)의 중심을 수직하게 지나는 기준선(CL)을 기준으로 어느 한 측에는 표면커팅영역(M)을 커팅하는 커팅수단(300)이 배치되고, 다른 측에는 에어공급부(200)가 배치될 수 있다. 이는 하우징(100)의 상측 개방면(130)을 통해 유입되는 공기와 표면커팅영역(M)을 효과적으로 차단하기 위함이다.
이와 같은, 다양한 산화방지조건에서 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치를 사용하여 산화막 발생 상태를 비교하는 실험을 수행하였다.
실험 시료와 실험조건은 아래 <표 1>과 같다.
시료번호 산화방지조건 회전속도(rpm) 이송속도(mm/min) 절삭팁 종류 소요시간 비고
1 A 340 157 Round(팁6개) 42 가공면 상태가 좋지 않음
2 A 500 157 Round(팁6개) 42
3 A 500 157 Diamond(팁1개) 42 칩이 팁에 끼어 가공 완료 실패
4 B 500 157 Round(팁6개) 42
5 B 500 157 Round(팁6개) 42 가공면에 더 가깝게 차폐용 가스 투입
6 C 500 157 Round(팁6개) 42
7 C 500 157 Round(팁6개) 42 팁 위치변경
(시간별 온도 측정)
추출(970°C)->30초 후(740°C)->1분후(710°C)->1분30초 후(690°C)
8 A 500 157 42 가열로 추출: 820°C
절삭 전: 730°C
절삭 후: 740°C
3 A 800 210 Diamond(팁1개) 32 3번 시료 재가공
9 A 800 210 Round(팁6개) 32
10 B 800 210 Round(팁6개) 32
*산화방지조건 A: 공기 분위기에서 절삭 가공하고 공기 분위기에서 공냉
*산화방지조건 B: 차폐용 가스(아르곤 가스) 분위기에서 절삭 가공하고 차폐용 가스(아르곤 가스) 분위기에서 공냉
*산화방지조건 C: 차폐용 가스(아르곤 가스)가 충진된 하우징 분위기에서 절삭 가공하고 차폐용 가스(아르곤 가스) 분위기에서 공냉
공기분위기에서 절삭가공
도 2는 산화방지조건 A에서 시료번호 9번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프이고, 도 3은 산화방지조건 A에서 시료번호 9번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프이다.
시료번호 9번은 공기 분위기에서 절삭 가공하고 외부 공기 분위기에서 공냉된 시료이다. 산화막 차이가 나는 두 곳을 측정하였다.
도 2를 참조하면, 산화막의 두께는 8.2㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 5㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 3.2㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
도 3을 참조하면, 산화막의 두께는 10.7㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 7.5㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 3.2㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
결론적으로 공기분위기에서 절삭가공하는 경우에 슬래브 표면에서 급격한 산화가 일어나 산화막이 생성되는 것을 알 수 있다.
차폐용 가스(아르곤 가스)분위기에서 절삭가공(1)
도 4는 산화방지조건 B에서 시료번호 5번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프이고, 도 5는 산화방지조건 B에서 시료번호 5번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프이다.
시료번호 5번은 차폐용 가스(아르곤 가스)를 표면커팅영역에 가깝게 분사하면서, 차폐용 가스(아르곤 가스) 분위기에서 공냉된 시료이다. 산화막 차이가 나는 두 곳을 측정하였다.
도 4를 참조하면, 산화막의 두께는 4㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 1.5㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 2.5㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
도 5를 참조하면, 산화막의 두께는 6.7㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 3.3㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 3.4㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
결론적으로 차폐용 가스(아르곤 가스)를 표면커팅영역에 근접 분사하는 경우, 1차 산화막의 두께가 작아 짐을 알 수 있다.
차폐용 가스(아르곤 가스)분위기에서 절삭가공(2)
도 6은 산화방지조건 B에서 시료번호 10번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프이고, 도 7은 산화방지조건 B에서 시료번호 10번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프이다.
시료번호 10번은 차폐용 가스(아르곤 가스)를 표면커팅영역에 분사하면서, 차폐용 가스(아르곤 가스) 분위기에서 공냉된 시료이다. 산화막 차이가 나는 두 곳을 측정하였다.
도 6을 참조하면, 산화막의 두께는 8.9㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 5.1㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 3.8㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
도 7을 참조하면, 산화막의 두께는 10.1㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 6.8㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 3.3㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
결론적으로 차폐용 가스(아르곤 가스)를 표면커팅영역에 원거리로 분사하는 경우, 1차 산화막의 두께가 커짐을 알 수 있다.
차폐용 가스(아르곤 가스)분위기에서 절삭가공(3)
도 8은 산화방지조건 C에서 시료번호 6번의 1차분석 결과를 나타낸 그래프이고, 도 9는 산화방지조건 C에서 시료번호 6번의 2차분석 결과를 나타낸 그래프이다.
시료번호 6번은 규격화된 하우징 안에서 차폐용 가스(아르곤 가스)를 표면커팅영역에 분사하면서, 차폐용 가스(아르곤 가스) 분위기에서 공냉된 시료이다. 산화막 차이가 나는 두 곳을 측정하였다.
도 8을 참조하면, 산화막의 두께는 2.4㎛ 정도로 측정되었으며, 하나의 2차 산화막으로만 생성된 것을 알 수 있었다.
도 9를 참조하면, 산화막의 두께는 3㎛ 정도로 측정되었으며, 산화막이 이중으로 생성된 것을 알 수 있었다. 1차 산화막은 절삭 가공이 진행 될 때 생성된 것으로 0.4㎛로 생성되었음을 알 수 있고, 2차 산화층은 공냉이 진행되면서 생성된 것으로 2.6㎛로 생성되었음을 알 수 있다.
결론적으로, 규격화된 하우징 안에서 차폐용 가스(아르곤 가스)를 표면커팅영역에 분사하면서 절삭가공을 수행한 경우, 산화막이 잘 형성되지 않음을 알 수 있다.
이와 같은 실험을 통해 아래 <표 2>와 같은 분석 결과가 나타났다.
산화
방지조건		 시료번호 1차 산화막 두께(㎛)
 비고
1차 측정 2차 측정 평균 두께
A 9 5 7.5 6.3 절삭속도 210mm/min


B
10
5.1
6.8
6.0 		절삭속도 210mm/min
표면커팅영역 원거리에서 차폐용 가스 분사

5
1.5
3.3
2.4 		절삭속도 210mm/min
표면커팅영역 원거리에서 차폐용 가스 분사



C


6


0


0.4


0.2
절삭속도 210mm/min
표면커팅영역 자체가 차폐용 가스(아르곤 가스)가 충진된 하우징 내에서 가공되는 경우 산화막 생성이 어렵다는 것을 확인할 수 있음.
다양한 산화방지조건에서 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치를 사용하여 절삭 가공한 시료들을 측정 장치(레이저)를 통해 개재물 분석 실험을 수행하였다.
도 10의 (a)는 시료번호 5번의 개재물 분석결과를 나타낸 화면이고, 도 10의(b)는 시료번호 10번의 개재물 분석결과를 나타낸 화면이이다. 그리고 도 11의 (a)는 시료번호 6번의 개재물 분석결과를 나타낸 화면이고, 도 11의 (b)는 시료번호 7번의 개재물 분석결과를 나타낸 화면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 측정 장치(레이저)를 통해 개재물 분석 실험의 결과는 아래 <표3>과 같다.

시료번호
측정장치(레이저)
 측정장치
(현미경)
비고
개재물 면적
(㎛2)		 단위 면적당 면적
(㎛2)		 개재물 면적
(㎛2)		 산화막 두께
(㎛)		 산화방지
조건
5 8,108 405 416 2.4 B
6 5,709 285 561 0.2 C
7 755 38 284 0.2 C
10 6,339 317 569 6.0 B
도 9 및 도 10과 <표3>을 참조하면, 시료번호 7번은 현미경과 레이저에서도 개재물의 면적이 가장 낮게 나타남을 알 수 있다. 산화방지조건 B와 산화방지조건 C를 비교하면, 산화방지조건 C에서 개재물 면적이 낮게 나타남을 알 수 있다. 시료번호 5번과 시료번호 10번을 비교하였을 때, 산화막 두께가 6㎛이내에서는 개재물의 측정에 큰 영향이 없는 것으로 나타남을 알 수 있다.
시료번호 6번과 시료번호 7번을 비교하였을 때, 개재물이 많은 시료와 개재물이 적은 시료를 측정장치(레이저)에서 구분할 수 있음을 알 수 있다.
이상으로 본 발명의 바람직한 하나의 실시예에 따른 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 살펴보았다.
전술된 본 발명의 일 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 전술된 상세한 설명보다는 후술될 특허청구범위에 의해 나타내어질 것이다. 그리고 이 특허청구범위의 의미 및 범위는 물론 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형 가능한 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 하우징
110: 내측면
120: 하측 개방면
130: 상측 개방면
200: 가스공급부
300: 커팅 수단
400: 배출부
500: 자기장 인가수단

Claims (11)

  1. 내부 공간이 슬래브의 표면커팅영역 위에 배치되는 하우징;및
    상기 하우징에 연결되어 상기 내부 공간에 차폐용 가스를 공급하는 가스공급부를 포함하고,
    상기 하우징의 하측 개방면은 상기 표면커팅영역과 정렬 배치되고, 상기 하우징의 상측 개방면은 측정 장치의 레이저 조사 경로와 정렬 배치되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 가스공급부는 높이 방향을 기준으로 상기 표면커팅영역을 커팅하는 커팅 수단의 위치 보다 높은 위치에 배치되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 차폐용 가스를 배출하는 배출부를 포함하는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 배출부는 높이 방향을 기준으로 상기 가스공급부 보다 낮은 위치에 배치되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 배출부는 상기 커팅 수단에 인접하여 배치되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 배출부에 인접하여 배치되는 자기장 인가수단을 포함하는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 자기장 인가수단은 상기 배출부의 둘레를 따라 배치되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 자기장 인가수단은 상기 배출부 방향으로 오목하게 형성되어 흡입공간을 형성하는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    높이 방향을 기준으로 상기 가스공급부에서 하단면까지 이어지는 상기 하우징의 내측면은 상기 표면커팅영역을 향하여 경사지게 형성되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
  11. 내부 공간이 슬래브의 표면커팅영역 위에 배치되는 하우징;및
    상기 하우징에 연결되어 상기 내부 공간에 차폐용 가스를 공급하는 가스공급부를 포함하고,
    상기 하우징의 하측 개방면의 중심을 수직하게 지나는 기준선을 기준으로 어느 한 측에는 상기 표면커팅영역을 커팅하는 커팅수단이 배치되고, 다른 측에는 상기 가스공급부가 배치되는 슬래브 표면산화막 생성 방지 장치.
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