KR101627710B1 - Atomic Layer Deposition Apparatus for Coating Nano Thin Film Layer on Surface of Multi-Layer Ceramic Chip Component - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정 가스가 유입되는 챔버 하우징 및 상기 챔버 하우징의 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 챔버부와, 상기 챔버 하우징의 내부에 수평 방향의 중심 축을 중심으로 회전 가능하게 결합되며 상기 공정 가스가 일측에서 유입되어 타측으로 배출되는 회전 하우징 및 상기 회전 하우징을 회전시키는 회전 수단을 구비하는 회전부와, 상기 공정 가스가 저장되는 가스 공급원과 상기 가스 공급원과 상기 챔버 하우징을 연결하는 가스 공급 라인 및 상기 가스 공급 라인상에 설치되어 상기 공정 가스의 흐름을 제어하는 제어 밸브를 구비하는 가스 공급부 및 상기 챔버 하우징의 타측에 연결되어 상기 공정 가스를 배출하는 배기부를 포함하는 원자층 증착 장치를 개시한다.The present invention relates to a plasma processing apparatus comprising a chamber section including a chamber housing into which a process gas is introduced and a heating means for heating the interior of the chamber housing, And a rotation unit for rotating the rotary housing; a gas supply source for storing the process gas; a gas supply line for connecting the gas supply source and the chamber housing; A gas supply unit provided on the supply line and having a control valve for controlling the flow of the process gas, and an exhaust unit connected to the other side of the chamber housing to discharge the process gas.

Description

적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 코팅하는 원자층 증착 장치{Atomic Layer Deposition Apparatus for Coating Nano Thin Film Layer on Surface of Multi-Layer Ceramic Chip Component}Technical Field [0001] The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus for coating a surface of a multilayer ceramic chip component with a nano-

본 발명은 원자층 증착 공정으로 적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 코팅하는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus for coating a nano thin film layer on the surface of a multilayer ceramic chip component in an atomic layer deposition process.

적층 세라믹 칩 부품은 복수 개의 세라믹층이 적층되고 내부에 전극이 배열되어 형성되는 칩 부품으로 적층 세라믹 콘덴서, 적층형 칩 인덕터와 적층형 파워 인덕터 또는 적층형 칩 비드와 같은 부품이 있다. A multilayer ceramic chip component is a chip component in which a plurality of ceramic layers are stacked and electrodes are arranged inside the multilayer ceramic chip component, such as a multilayer ceramic capacitor, a multilayer chip inductor and a multilayer power inductor or a multilayer chip bead.

상기 적층 세라믹 콘덴서는 대략 직육면체의 형상으로 형성되며, 폭 방향을 기준으로 소자부와 소자부의 양측에 형성되는 전극부를 포함하여 형성된다. 상기 소자부는 적층 세라믹 콘덴서의 상면에서 보면 폭 방향을 기준으로 중앙 부분에 위치하며, 전극부는 소자부의 양측에 위치한다. 상기 소자부는 표면이 세라믹 재질로 형성되며, 전극부는 주석(Sn)과 같은 금속 물질로 형성된다.The multilayer ceramic capacitor is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape and includes electrode portions formed on both sides of the element portion and the element portion with reference to the width direction. The element portion is located at a central portion with respect to the width direction when viewed from the upper surface of the multilayer ceramic capacitor, and the electrode portion is located at both sides of the element portion. The surface of the element portion is formed of a ceramic material and the electrode portion is formed of a metal material such as tin (Sn).

상기 적층 세라믹 콘덴서는 칩 마운터(Chip Mounter)의 마운팅 노즐에 의하여 흡착되어 회로 기판에 실장된다. 보다 구체적으로는, 상기 마운팅 노즐은 내부에 형성되는 진공압에 의하여 적층 세라믹 콘덴서 상면의 소자부(110) 및 전극부의 일부와 접촉하면서 적층 세라믹 콘덴서를 흡착한다. 이때, 상기 적층 세라믹 콘덴서의 전극부는 흡착시의 진공압 때문에 마운팅 노즐과 접촉되는 영역이 마운팅 노즐에 의하여 눌리면서 흡착된다. 따라서, 상기 마운팅 노즐이 적층 세라믹 콘덴서를 회로 기판으로 이송한 후에 회로기판에 실장하기 위하여 진공압을 제거하여도, 적층 세라믹 콘덴서가 마운팅 노즐로부터 용이하게 분리되지 않는다. 이는 상기 전극부가 상대적으로 연성이 있는 금속으로 형성되므로, 마운팅 노즐에 흡착되는 과정에서 변형되면서 마운팅 노즐과의 결합력이 생기게 되기 때문이다. The multilayer ceramic capacitor is attracted by a mounting nozzle of a chip mounter and mounted on a circuit board. More specifically, the mounting nozzle adsorbs the multilayer ceramic capacitor while being in contact with the element part 110 on the upper surface of the multilayer ceramic capacitor and the electrode part by the vacuum pressure formed therein. At this time, the electrode portion of the multilayer ceramic capacitor is adsorbed by the mounting nozzle while being pressed by the mounting nozzle due to the vacuum pressure at the time of adsorption. Therefore, even if the mounting nozzle removes the vacuum pressure to mount the multilayer ceramic capacitor on the circuit board after the multilayer ceramic capacitor is transferred to the circuit board, the multilayer ceramic capacitor is not easily separated from the mounting nozzle. This is because the electrode part is formed of a metal having relatively softness, so that it is deformed in the process of being adsorbed on the mounting nozzle, and a bonding force with the mounting nozzle is generated.

최근에서는 적층 세라믹 콘덴서의 크기가 계속 감소되면서, 마운팅 노즐과 접촉되는 전극부의 상대적인 면적이 더 증가하고 있다. 따라서, 상기 적층 세라믹 콘덴서가 마운팅 과정에서 마운팅 노즐로부터 분리되지 않는 경우가 더 증가되고 있다. Recently, as the size of the multilayer ceramic capacitor is continuously reduced, the relative area of the electrode portion contacting the mounting nozzle is further increased. Therefore, the case where the multilayer ceramic capacitor is not separated from the mounting nozzle in the mounting process is further increased.

한편, 반도체 기판과 같은 소자의 표면에 나노 박막층을 형성하기 위한 증착 장치는 원자층 증착 장치, 화학기상 증착 장치, 물리기상 증착 장치와 같은 장치가 있다. 그러나, 상기 증착 장치들은 모두 고정이 가능하며 어느 정도의 크기를 갖는 반도체 기판의 표면에 나노 박막층을 형성하기 위한 장치이다. 예를 들면, 종래의 상기 원자층 증착 장치는 반도체 기판을 고정하고, 반도체 기판의 표면에 소스 가스를 공급하여 나노 박막층을 형성한다. 따라서, 종래의 원자층 증착 장치는 크기가 작아 고정이 어려운 적층 세라믹 칩 부품과 같이 부품의 표면에 나노 박막층을 형성하는데 적합하지 않다.On the other hand, a deposition apparatus for forming a nano thin film layer on the surface of an element such as a semiconductor substrate includes an apparatus such as an atomic layer deposition apparatus, a chemical vapor deposition apparatus, and a physical vapor deposition apparatus. However, the deposition apparatuses are all devices capable of fixing and forming a nano thin film layer on the surface of a semiconductor substrate having a certain size. For example, the conventional atomic layer deposition apparatus fixes a semiconductor substrate and supplies a source gas to a surface of a semiconductor substrate to form a nano thin film layer. Therefore, the conventional atomic layer deposition apparatus is not suitable for forming a nano thin film layer on the surface of a component, such as a multilayer ceramic chip component having a small size and difficult to fix.

본 발명은 적층 세라믹 콘덴서와 같은 작은 크기의 적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 코팅하는 원자층 증착 장치를 제공한다.The present invention provides an atomic layer deposition apparatus for coating a nano thin film layer on the surface of a small-sized multilayer ceramic chip component such as a multilayer ceramic capacitor.

본 발명의 원자층 증착 장치는 공정 가스가 유입되는 챔버 하우징 및 상기 챔버 하우징의 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 챔버부와, 상기 챔버 하우징의 내부에 수평 방향의 중심 축을 중심으로 회전 가능하게 결합되며 상기 공정 가스가 일측에서 유입되어 타측으로 배출되는 회전 하우징 및 상기 회전 하우징을 회전시키는 회전 수단을 구비하는 회전부와, 상기 공정 가스가 저장되는 가스 공급원과 상기 가스 공급원과 상기 챔버 하우징을 연결하는 가스 공급 라인 및 상기 가스 공급 라인상에 설치되어 상기 공정 가스의 흐름을 제어하는 제어 밸브를 구비하는 가스 공급부 및 상기 챔버 하우징의 타측에 연결되어 상기 공정 가스를 배출하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 회전 하우징은 내부에 적층 세라믹 칩 부품이 충진되며, 적층 세라믹 칩 부품은 적층 세라믹 콘덴서(Multi-Layer Ceramic Capacitor), 적층형 칩 인덕터(Multi-Layer Chip Inductor), 적층형 파워 인덕터(Multi-Layer Power Inductor) 또는 적층형 칩 비드((Multi-Layer Chip Bead)일 수 있다.The atomic layer deposition apparatus of the present invention includes a chamber portion having a chamber housing into which a process gas is introduced and a heating means for heating the interior of the chamber housing; A rotation unit having a rotary housing for receiving the process gas from one side and being discharged to the other side and a rotary unit for rotating the rotary housing; a gas supply source for storing the process gas; a gas supply source for connecting the gas supply source and the chamber housing And a control valve installed on the gas supply line to control the flow of the process gas, and an exhaust unit connected to the other side of the chamber housing to discharge the process gas. At this time, the rotating housing is filled with a multilayer ceramic chip part, and the multilayer ceramic chip part is formed of a multilayer ceramic capacitor, a multi-layer chip inductor, a multi- Power Inductor or Multi-Layer Chip Bead.

또한, 상기 챔버 하우징은 내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 원통 형상으로 형성되며, 타측에 형성되는 가스 배출홀을 구비하는 원통관과, 상기 원통관의 일측단을 차폐하며, 일면에서 타면으로 관통되는 가스 공급홀을 구비하는 일측벽 및 상기 원통관의 타측단을 차폐하는 타측벽을 구비할 수 있다. In addition, the chamber housing may include a circular tube having a hollow inside and having a cylindrical shape with one side opened and the other side opened, and a gas discharge hole formed at the other side, and a cylindrical tube which shields one end of the cylindrical tube, A side wall having a gas supply hole penetrating therethrough, and another side wall shielding the other end of the cylindrical tube.

또한, 상기 회전 하우징은 내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 형상으로 형성되는 회전 원통관과, 상기 공정 가스가 유입되는 일측 관통홀을 구비하며 상기 회전 원통관의 일측단부를 차폐하는 일측 회전벽 및 상기 공정 가스가 배출되는 타측 관통홀을 구비하며 상기 회전 원통관의 타측단부를 차폐하는 타측 회전벽을 포함하며, 상기 일측 관통홀의 전체 면적이 상기 타측 관통홀의 전체 면적보다 크게 형성될 수 있다. The rotating housing may include a rotating circular tube having a hollow inside and having one side opened and the other side opened, and a through hole through which the processing gas flows, And a second rotating wall having a second through hole through which the process gas is discharged and shielding the other end of the rotating circular tube, wherein a total area of the one through hole is larger than a total area of the other through hole.

또한, 상기 회전 하우징은 내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 형상으로 형성되는 회전 원통관과, 메쉬망으로 형성되며 상기 회전 원통관의 일측단부에 결합되는 일측 회전벽 및 메쉬망으로 형성되며 상기 회전 원통관의 타측단부에 결합되는 타측 회전벽을 포함하며, 상기 일측 회전벽의 메쉬망에 형성되는 일측 관통홀의 전체 면적이 상기 타측 관통홀의 메쉬망에 형성되는 타측 관통홀의 전체 면적보다 크게 형성될 수 있다. The rotating housing may include a rotating circular tube having an inner hollow and an open end formed on one side and the other side, a one-side rotating wall and a mesh net formed of a mesh net and coupled to one end of the rotating circular tube, And a second rotating wall coupled to the other end of the rotating circular tube, wherein a total area of the one through hole formed in the mesh net of the one rotating wall is larger than the total area of the other through hole formed in the mesh net of the other through hole .

또한, 상기 회전부는 중심 축이 상기 회전 하우징의 중심 축과 일치하도록 상기 회전 하우징의 일측에서 타측으로 관통되어 결합되는 회전 샤프트를 더 포함하며, 상기 회전 샤프트는 상기 회전 수단에 의하여 회전되도록 형성될 수 있다.The rotation unit may further include a rotation shaft through which the center shaft passes through from one side of the rotation housing to the other side so as to be aligned with the center axis of the rotation housing, have.

또한, 상기 가스 공급원은 금속 원소의 공급원인 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스원과, 산소 또는 질소의 공급원인 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스원 및 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 가스원을 포함하며, 상기 가스 공급 라인은 상기 제 1 소스 가스원과 연결되는 제 1 소스 라인과, 상기 제 2 소스 가스원과 연결되는 제 2 소스 라인 및 상기 퍼징 가스원과 연결되는 퍼징 라인을 포함하며, 상기 제어 밸브는 제 1 소스 라인에 제 1 제어 밸브와, 상기 제 2 소스 라인에 연결되는 제 2 제어 밸브 및 상기 퍼징 라인에 연결되는 퍼징 밸브를 포함할 수 있으며, 상기 제 2 소스 가스는 수증기, 산소(O2), 오존 또는 산소 플라즈마일 수 있다.The gas source includes a first source gas source for supplying a first source gas for supplying a metal element, a second source gas source for supplying a second source gas for supplying oxygen or nitrogen, and a purging gas Wherein the gas supply line includes a first source line connected to the first source gas source, a second source line connected to the second source gas source, and a purging line connected to the purging gas source, The control valve may include a first control valve at a first source line, a second control valve coupled to the second source line, and a purge valve coupled to the purge line, May be water vapor, oxygen (O 2), ozone, or oxygen plasma.

또한, 상기 챔버부는 상기 가스 공급홀과 상기 가스 공급부를 연결하는 가스 공급관 및 상기 가스 배출홀과 상기 배기부를 연결하는 가스 배출관을 더 포함하며, 상기 배기부는 상기 가스 배출관에 연결되는 진공 펌프를 포함할 수 있다. The chamber portion may further include a gas supply pipe connecting the gas supply hole and the gas supply portion, and a gas discharge pipe connecting the gas discharge hole and the discharge portion, wherein the discharge portion includes a vacuum pump connected to the gas discharge pipe .

본 발명의 원자층 증착 장치는 적층 세라믹 콘덴서와 같은 작은 크기의 적층 세라믹 칩 부품 표면에 나노 박막층을 형성할 수 있는 효과가 있다. The atomic layer deposition apparatus of the present invention has an effect of forming a nano thin film layer on the surface of a small-sized multilayer ceramic chip component such as a multilayer ceramic capacitor.

또한, 본 발명의 원자층 증착 장치는 대량으로 적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 형성할 수 있는 효과가 있다. In addition, the atomic layer deposition apparatus of the present invention has the effect of forming a nano thin film layer on the surface of a multilayer ceramic chip component in a large amount.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 수직 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A에 대한 단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B에 대한 단면도이다.
도 4는 도 1의 C-C에 대한 단면도이다.
도 5는 메쉬망의 평면도이다. 1 is a vertical sectional view of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
3 is a cross-sectional view of BB of Fig.
4 is a cross-sectional view of CC of Fig.
5 is a plan view of the mesh network.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 원자층 증착 장치에 대하여 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, the atomic layer deposition apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치에 대하여 설명한다.First, an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 수직 단면도이다.1 is a vertical sectional view of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A-A에 대한 단면도이다. 도 3은 도 1의 B-B에 대한 단면도이다. 도 4는 도 1의 C-C에 대한 단면도이다. 도 5는 메쉬망의 평면도이다.
2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3 is a cross-sectional view of BB of Fig. 4 is a cross-sectional view of CC of Fig. 5 is a plan view of the mesh network.

본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치는, 도 1 내지 도 5를 참조하면, 챔버부(100)와 회전부(200)와 가스 공급부(300) 및 배기부(400)를 포함하여 형성된다. 1 to 5, the atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, a rotation unit 200, a gas supply unit 300, and an exhaust unit 400 .

상기 원자층 증착 장치는 원자층 증착 공정을 통하여 적층 세라믹 칩 부품과 같이 수 mm 크기 또는 그 이하인 크기를 갖는 칩 부품의 표면에 산화물 또는 질화물로 형성되는 나노 박막층을 형성하기 위한 장치이다. 상기 나노 박막층은 전기 절연성의 산화물, 질화물 또는 이들의 화합물로 형성될 수 있다. 상기 산화물은 Al2O3 , HfO2, ZrO2 La2O3, SiO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, SrTiO3, BaTiO3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물일 수 있다. 또한, 상기 질화물은 AlN 또는 SiNx로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물로 형성될 수 있다. 또한, 상기 나노 박막층은 나노 두께의 박막으로 형성되며, 0.5 ~ 400nm의 두께로 형성되며, 바람직하게는 1 ~ 100nm의 두께로 형성될 수 있다.The atomic layer deposition apparatus is an apparatus for forming a nano thin film layer formed of oxide or nitride on the surface of a chip component having a size of several mm or less like a multilayer ceramic chip component through an atomic layer deposition process. The nano thin film layer may be formed of an electrically insulating oxide, nitride, or a compound thereof. The oxide may be Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 La 2 O 3 , SiO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , SrTiO 3 , BaTiO 3 , or a compound thereof. Further, the nitride may be formed of any one selected from the group consisting of AlN or SiNx, or a compound thereof. The nano thin film layer is formed of a nano-thick thin film, and is formed to a thickness of 0.5 to 400 nm, preferably 1 to 100 nm.

상기 원자층 증착 장치는 형성되는 나노 박막층의 성분에 따라 금속 원소를 공급하는 소스 가스와, 산소 또는 질소 원소를 공급하는 공급원은 소스 가스 및 아르곤 가스와 같은 불활성 가스인 퍼징 가스를 포함하는 공정 가스를 챔버부(100) 내부로 공급한다. 상기 제 2 소스 가스는 수증기, 산소(O2), 오존(O3) 또는 산소 플라즈마가 사용될 수 있다.The atomic layer deposition apparatus is characterized in that the source gas for supplying the metal element and the source for supplying the oxygen or nitrogen element are a process gas including a purging gas, which is an inert gas such as a source gas and an argon gas, in accordance with the components of the nano- And supplies it to the interior of the chamber part 100. The second source gas may be water vapor, oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ) or oxygen plasma.

또한, 상기 원자층 증착 장치는 공급되는 공정 가스를 회전부(200)에 충진되는 적층 세라믹 칩 부품의 표면과 접촉시켜 표면에 나노 박막층을 형성한다. 상기 원자층 증착 장치는 회전부(200)내에서 적층 세라믹 칩 부품을 상하 방향으로 회전시킴으로써 적층 세라믹 칩 부품이 공정 가스와 보다 균일하게 접촉되어 표면에 균일한 나노 박막층이 형성되도록 한다. 여기서, 상기 적층 세라믹 칩 부품은 적층 세라믹 콘덴서(Multi-Layer Ceramic Capacitor), 적층형 칩 인덕터(Multi-Layer Chip Inductor), 적층형 파워 인덕터(Multi-Layer Power Inductor) 또는 적층형 칩 비드((Multi-Layer Chip Bead)일 수 있다.In addition, the atomic layer deposition apparatus forms a nano thin film layer on the surface by bringing the supplied process gas into contact with the surface of the multilayer ceramic chip component packed in the rotation section 200. The atomic layer deposition apparatus rotates the multilayer ceramic chip component in the up-and-down direction in the rotation unit 200 so that the multilayer ceramic chip component more uniformly contacts with the process gas to form a uniform nano thin film layer on the surface. The multilayer ceramic chip component may be a multilayer ceramic capacitor, a multi-layer chip inducer, a multi-layer power inducer, or a multi-layer chip bead. Bead).

상기 챔버부(100)는 챔버 하우징(110)과 가스 공급관(120)과 가스 배출관(130) 및 가열 수단(140)을 포함하여 형성된다. 상기 챔버부(100)는 챔버 하우징(110)의 내부에 회전부(200)를 수용하며, 가열 수단(140)으로 챔버 하우징(110)의 내부를 가열한다. 또한, 상기 챔버부(100)는 가스 공급관(120)을 통하여 챔버 하우징(110)의 내부로 공정 가스를 공급받고, 가스 배출관(130)을 통하여 증착 공정에 사용된 공정 가스가 챔버 하우징(110)의 외부로 배출되도록 한다.
The chamber part 100 includes a chamber housing 110, a gas supply pipe 120, a gas discharge pipe 130, and a heating unit 140. The chamber part 100 accommodates the rotation part 200 in the chamber housing 110 and heats the inside of the chamber housing 110 by the heating means 140. The chamber part 100 receives a process gas into the chamber housing 110 through the gas supply pipe 120 and supplies the process gas used in the deposition process through the gas discharge pipe 130 to the chamber housing 110. [ As shown in FIG.

상기 챔버 하우징(110)은 원통관(111)과 일측벽(113) 및 타측벽(115)을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 챔버 하우징(110)은 내부로 나노 박막층 형성을 위한 공정 가스가 유입된다. 상기 챔버 하우징(110)은 소정의 하우징 직경과 하우징 길이를 갖는 대략 원통 형상으로 형성되며, 중심 축이 수평 방향으로 배치되도록 형성된다. 상기 챔버 하우징(110)은 내부식성이 있는 스테인레스 스틸 또는 티타늄과 같은 금속 재질로 형성된다. The chamber housing 110 may include a cylindrical tube 111, a side wall 113, and a side wall 115. A process gas for forming a nano thin film layer flows into the chamber housing 110. The chamber housing 110 is formed in a substantially cylindrical shape having a predetermined housing diameter and a housing length, and the center axis is formed to be arranged in a horizontal direction. The chamber housing 110 is formed of a corrosion-resistant metal such as stainless steel or titanium.

상기 원통관(111)은 가스 배출홀(111a)을 포함하여 형성된다. 상기 원통관(111)은 내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 원통 형상으로 형성된다. 따라서, 상기 원통관(111)은 수직 단면 형상이 원형 형상을 가지도록 형성된다. 다만, 상기 원통관(111)은 수직 단면이 사각 형상, 육각 형상과 같이 다각 형상으로 형성될 수 있다. The cylindrical tube 111 is formed to include a gas discharge hole 111a. The cylindrical tube 111 is hollow and has a cylindrical shape with one side opened and the other side opened. Therefore, the cylindrical tube 111 is formed so that its vertical cross-sectional shape has a circular shape. However, the cylindrical tube 111 may have a rectangular cross section or a hexagonal cross section.

상기 가스 배출홀(111a)은 원통관(111)의 타측부에서 형성된다. 보다 구체적으로는 상기 가스 배출홀(111a)은, 도 1을 참조하면, 원통관(111)의 타측부에서 원통관(111)의 내주면으로부터 외주면으로 관통되어 형성된다. 상기 가스 배출홀(111a)은 원자층 증착 공정에 사용된 공정 가스를 챔버 하우징(110)의 외부로 배출하는 경로를 제공한다. The gas discharge hole 111a is formed at the other side of the circular tube 111. [ More specifically, referring to FIG. 1, the gas discharge hole 111a is formed to penetrate from the inner peripheral surface of the cylindrical tube 111 to the outer peripheral surface at the other side of the cylindrical tube 111. The gas discharge hole 111 a provides a path for discharging the process gas used in the atomic layer deposition process to the outside of the chamber housing 110.

상기 일측벽(113)은 가스 공급홀(113a)을 포함하여 형성된다. 상기 일측벽(113)은 일측 샤프트홀(113b)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 일측 샤프트홀(113b)은 회전부(200)의 구조에 따라 생략될 수 있다. 예를 들면, 상기 일측 샤프트홀(113b)은 이하에서 설명하는 회전부(200)의 회전 샤프트(220)의 일측이 챔버 하우징(110)의 내부에서 지지되는 경우에 생략될 수 있다. The one side wall 113 is formed to include a gas supply hole 113a. The one side wall 113 may further include one shaft hole 113b. The one-side shaft hole 113b may be omitted depending on the structure of the rotation part 200. [ For example, the one side shaft hole 113b may be omitted when one side of the rotation shaft 220 of the rotation part 200, which will be described below, is supported inside the chamber housing 110.

상기 일측벽(113)은 판상이며, 원통관(111)의 일측단에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 원통관(111)이 일측단이 원형 형상으로 형성되는 경우에 일측벽(113)도 원형 형상으로 형성된다. 상기 일측벽(113)은 원통관(111)의 일측단에 결합되어 원통관(111)의 일측단을 차폐한다. The one side wall 113 may have a plate shape and may have a shape corresponding to one end of the circular tube 111. For example, when one end of the cylindrical tube 111 is formed in a circular shape, the one side wall 113 is also formed in a circular shape. The one side wall 113 is coupled to one end of the circular tube 111 to shield one end of the circular tube 111.

상기 가스 공급홀(113a)은 일측벽(113)의 일면에서 타면으로 관통되도록 형성된다. 상기 가스 공급홀(113a)은 원형, 사각 형상 또는 다각 형상으로 가지도록 형성된다. 상기 가스 공급홀(113a)은 바람직하게는 챔버 하우징(110)의 중심 축에 수직하는 수평선을 기준으로 상부에 위치하도록 형성된다. 상기 가스 공급홀(113a)은 공급 가스가 챔버 하우징(110)의 내부로 공급되는 경로를 제공한다.The gas supply hole 113a is formed to penetrate from one surface of the one side wall 113 to the other surface. The gas supply holes 113a are formed to have a circular shape, a square shape, or a polygonal shape. The gas supply hole 113a is preferably formed to be positioned at an upper portion with respect to a horizontal line perpendicular to the center axis of the chamber housing 110. [ The gas supply hole 113a provides a path through which the supply gas is supplied to the inside of the chamber housing 110. [

상기 일측 샤프트홀(113b)은 일측벽(113)의 일면에서 타면으로 관통되도록 형성된다. 상기 일측 샤프트홀(113b)은 중심이 챔버 하우징(110)의 중심 축과 동일한 위치에 놓이도록 형성된다. 상기 일측 샤프트홀(113b)은 회전부(200)의 회전 샤프트(220)가 결합되는 경로를 제공한다. The one shaft hole 113b is formed to penetrate from one surface of the one side wall 113 to the other surface. The one shaft hole 113b is formed so that its center is at the same position as the center axis of the chamber housing 110. The one side shaft hole 113b provides a path through which the rotation shaft 220 of the rotation part 200 is coupled.

상기 타측벽(115)은 타측 샤프트홀(115a)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 타측 샤프트홀(115a)은 회전부(200)의 구조에 따라 생략될 수 있다. 예를 들면, 상기 타측 샤프트홀(115a)은 회전부(200)의 회전 샤프트(220)의 타측이 챔버 하우징(110)의 내부에서 지지되는 경우에 생략될 수 있다. The other side wall 115 may further include the other shaft hole 115a. The other shaft hole 115a may be omitted depending on the structure of the rotation part 200. [ For example, the other shaft hole 115a may be omitted when the other side of the rotation shaft 220 of the rotation part 200 is supported inside the chamber housing 110. [

상기 타측벽(115)은 판상이며, 원통관(111)의 타측단에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 원통관(111)이 타측단이 원형 형상으로 형성되는 경우에 타측벽(115)도 원형 형상으로 형성된다. 상기 타측벽(115)은 원통관(111)의 타측단에 결합되어 원통관(111)의 타측단을 차폐한다. The other side wall 115 may have a plate shape and may have a shape corresponding to the other end of the circular tube 111. For example, when the cylindrical tube 111 is formed in a circular shape at the other end thereof, the other side wall 115 is also formed in a circular shape. The other side wall 115 is coupled to the other side end of the circular tube 111 to shield the other side of the circular tube 111.

상기 타측 샤프트홀(115a)은 타측벽(115)의 일면에서 타면으로 관통되도록 형성된다. 상기 타측 샤프트홀(115a)은 중심이 챔버 하우징(110)의 중심 축과 동일한 위치에 놓이도록 형성된다. 상기 타측 샤프트홀(115a)은 회전부(200)의 회전 샤프트(220)가 결합되는 경로를 제공한다.
The other shaft hole 115a is formed to penetrate from one surface of the other side wall 115 to the other surface. The other shaft hole 115a is formed so that its center is at the same position as the central axis of the chamber housing 110. The other shaft hole 115a provides a path through which the rotary shaft 220 of the rotary part 200 is coupled.

상기 가스 공급관(120)은 배관으로 형성되며, 챔버 하우징(110)의 일측벽(113)에 형성되는 가스 공급홀(113a)에 결합된다. 상기 가스 공급관(120)은 가스 공급부(300)와 연결되며 가스 공급부(300)에서 공급하는 가스가 챔버 하우징(110)의 내부로 공급되는 경로를 제공한다.
The gas supply pipe 120 is formed of a pipe and is coupled to a gas supply hole 113a formed in a side wall 113 of the chamber housing 110. [ The gas supply pipe 120 is connected to the gas supply unit 300 and provides a path through which gas supplied from the gas supply unit 300 is supplied into the chamber housing 110.

상기 가스 배출관(130)은 배관 형상으로 형성되며, 챔버 하우징(110)의 원통관(111)의 타측부에 형성되는 가스 배출홀(111a)에 결합된다. 상기 가스 배출관(130)은 배기부(400)와 연결되며, 원자층 증착 공정에 사용된 공정 가스를 챔버 하우징(110)의 외부로 배출하는 경로를 제공한다.
The gas discharge pipe 130 is formed in a pipe shape and is coupled to a gas discharge hole 111a formed in the other side of the circular tube 111 of the chamber housing 110. [ The gas discharge pipe 130 is connected to the exhaust unit 400 and provides a path for discharging the process gas used in the atomic layer deposition process to the outside of the chamber housing 110.

상기 가열 수단(140)은 챔버 하우징(110)의 외부 또는 내부에 위치하며, 챔버 하우징(110)의 내부를 가열한다. 상기 가열 수단(140)을 챔버 하우징(110)의 외부 형상에 대응되는 원통 형상 또는 호 형상으로 형성되어 챔버 하우징(110)의 외부를 전체적으로 감싸도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 가열 수단(140)은 막대 형상으로 형성되어 챔버 하우징(110)의 외부에서 원주 방향을 따라 소정 간격으로 배치되도록 형성될 수 있다.
The heating means 140 is located outside or inside the chamber housing 110 and heats the interior of the chamber housing 110. The heating means 140 may be formed to have a cylindrical or arcuate shape corresponding to the outer shape of the chamber housing 110 so as to entirely surround the outside of the chamber housing 110. In addition, the heating means 140 may be formed in a bar shape and may be formed at a predetermined interval along the circumferential direction from the outside of the chamber housing 110.

상기 회전부(200)는 회전 하우징(210)과 회전 샤프트(220) 및 회전 수단(230)을 포함하여 형성된다.The rotation unit 200 includes a rotation housing 210, a rotation shaft 220, and a rotation unit 230.

상기 회전부(200)는 나노 박막층이 형성되는 적층 세라믹 칩 부품을 회전 하우징(210)의 내부에 수용한다. 또한, 상기 회전부(200)는 회전 하우징(210)이 회전 샤프트(220)와 함께 회전 수단(230)에 의하여 회전될 때 적층 세라믹 칩 부품이 공급 가스에 노출되도록 한다.
The rotation unit 200 accommodates the multilayer ceramic chip component in which the nano thin film layer is formed, inside the rotation housing 210. The rotation unit 200 allows the multilayer ceramic chip component to be exposed to the supply gas when the rotation housing 210 is rotated by the rotation unit 230 together with the rotation shaft 220.

상기 회전 하우징(210)은 회전 원통관(211)과 일측 회전벽(213) 및 타측 회전벽(215)을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 회전 하우징(210)은 소정의 회전 직경과 회전 길이를 갖는 대략 원통 형상으로 형성되며, 중심 축이 수평 방향으로 배치되도록 형성된다. 상기 회전 하우징(210)은 챔버 하우징(110)의 내부에 수평 방향인 중심 축을 중심으로 회전하도록 결합된다. 또한, 상기 회전 하우징(210)은 일측 회전벽(213) 또는 타측 회전벽(215)이 회전 원통관(211)으로부터 분리되도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 회전 하우징(210)은 일측 회전벽(213) 또는 타측 회전벽(215)이 회전 원통관(211)으로부터 분리된 후에 적층 세라믹 칩 부품이 내부에 수용되도록 한다. 또한, 상기 회전 하우징(210)은 중심 축이 바람직하게는 챔버 하우징(110)의 중심 축과 일치하도록 챔버 하우징(110)의 내부에 결합된다. 상기 회전 하우징(210)은 내부식성이 있는 스테인레스 스틸과 같은 금속 재질로 형성된다.The rotating housing 210 may include a rotating circular tube 211, a rotating wall 213 and a rotating wall 215. The rotation housing 210 is formed in a substantially cylindrical shape having a predetermined rotation diameter and a rotation length, and the center axis is formed to be arranged in a horizontal direction. The rotation housing 210 is coupled to rotate about a central axis that is horizontal in the interior of the chamber housing 110. The rotation housing 210 may be formed so that the one rotation wall 213 or the other rotation wall 215 is separated from the rotation circular pipe 211. Accordingly, the rotary housing 210 allows the laminated ceramic chip part to be received therein after the one side rotating wall 213 or the other side rotating wall 215 is separated from the rotating circular tube 211. The rotatable housing 210 is also coupled to the interior of the chamber housing 110 such that the central axis is preferably coincident with the central axis of the chamber housing 110. The rotary housing 210 is formed of a metal material such as stainless steel having corrosion resistance.

또한, 상기 회전 하우징(210)은 회전 원통관(211)의 외주면이 챔버 하우징(110)의 원통관(111)의 내주면과 대향하며, 회전 원통관(211)의 외주면과 원통관(111)의 내주면 사이에 별도의 차폐 물질이 위치하여 공정 가스가 유출되는 것을 차단한다. 다만, 상기 회전 원통관(211)은 회전하므로, 원통관(111)의 내주면과 직접적으로 결합되지 않도록 형성된다. The outer circumferential surface of the rotating circular tube 211 faces the inner circumferential surface of the cylindrical tube 111 of the chamber housing 110 and the outer circumferential surface of the rotating cylindrical tube 211 and the outer circumferential surface of the cylindrical tube 111 An additional shielding material is disposed between the inner circumferential surfaces to prevent the process gas from flowing out. However, since the rotating circular tube 211 rotates, it is formed so as not to be directly coupled with the inner circumferential surface of the circular tube 111.

상기 회전 원통관(211)은 내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 형상으로 형성된다.The rotary cylindrical pipe 211 is hollow and has one side and the other side opened.

상기 일측 회전벽(213)은 일측 관통홀(213a)을 포함하여 형성된다.The one side rotating wall 213 is formed to include one through hole 213a.

상기 일측 회전벽(213)은 회전 원통관(211)의 일측단에 결합되어 회전 원통관(211)의 일측단부를 차폐한다. 따라서, 상기 일측 회전벽(213)은 회전 원통관(211)의 직경에 대응되는 직경을 갖는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 일측 회전벽(213)은, 도 5에서 도시하고 있는 일반적인 메쉬망으로 형성될 수 있다. 상기 메쉬망은 와이어가 서로 직교되도록 교차하면서 결합되어 일측 관통홀(213a)을 형성하는 구조로 형성된다. 상기 메쉬망은 일측 관통홀(213a)이 사각 형상으로 조밀하게 형성되므로 공정 가스의 흐름이 더 원활하게 되도록 한다.The one rotating wall 213 is coupled to one end of the rotating circular pipe 211 to shield one end of the rotating circular pipe 211. Therefore, the one-side rotating wall 213 may be formed in a circular shape having a diameter corresponding to the diameter of the rotating circular tube 211. Meanwhile, the one-side rotation wall 213 may be formed of a general mesh network shown in FIG. The mesh network is formed to have a structure in which wires are mutually intersected so as to be orthogonal to each other to form one through hole 213a. The mesh network is formed in a rectangular shape so that the flow of the process gas can be smoothly performed.

상기 일측 관통홀(213a)은 회전 일측벽(113)의 일면에서 타면으로 관통되도록 형성된다. 상기 일측 관통홀(213a)은 소정의 직경 또는 면적을 가지도록 형성되며, 일측 직경이 내부에 회전 하우징(210)의 내부에 수용되는 적층 세라믹 칩 부품의 크기보다 작은 직경 또는 면적을 가지도록 형성된다. 따라서, 상기 일측 관통홀(213a)은 내부에 수용되는 적층 세라믹 칩 부품이 회전 하우징(210)의 회전 중에 회전 하우징(210)의 외부로 나오지 않도록 한다. 상기 일측 관통홀(213a)은 일측 회전벽(213)에 전체적으로 분포하도록 형성된다. The one side through-hole 213a is formed to penetrate from one side of the rotation side wall 113 to the other side. The one side through hole 213a is formed to have a predetermined diameter or area and is formed to have a diameter or an area smaller than the size of the multilayer ceramic chip component in which the inside diameter is accommodated inside the rotary housing 210 . Therefore, the one-side through-hole 213a prevents the multilayer ceramic chip component housed therein from flowing out of the rotary housing 210 during rotation of the rotary housing 210. [ The one-side through-hole 213a is formed so as to be distributed throughout the one rotating wall 213. [

상기 일측 관통홀(213a)은 가스 공급홀(113a)을 통하여 공급되는 공정 가스가 회전 하우징(210)의 내부로 유입되도록 한다.
The one side through hole 213a allows the process gas supplied through the gas supply hole 113a to flow into the rotating housing 210. [

상기 타측 회전벽(215)은 타측 관통홀(215a)을 포함하여 형성된다. The other rotating wall 215 is formed to include the other through hole 215a.

상기 타측 회전벽(215)은 회전 원통관(211)의 타측단에 결합되어 회전 원통관(211)의 타측단부를 차폐한다. 따라서, 상기 타측 회전벽(215)은 회전 원통관(211)의 직경에 대응되는 직경을 갖는 원형 형상으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 타측 회전벽(215)은 일반적인 메쉬망으로 형성될 수 있다. 상기 메쉬망은 와이어가 서로 직교되도록 교차하면서 결합되어 타측 관통홀(215a)을 형성하는 구조로 형성된다. 상기 메쉬망은 일측 관통홀(215a)이 사각 형상으로 조밀하게 형성되므로 공정 가스의 흐름이 더 원활하게 되도록 한다.The other rotating wall 215 is coupled to the other end of the rotating circular tube 211 to shield the other end of the rotating circular tube 211. Therefore, the other rotating wall 215 may be formed in a circular shape having a diameter corresponding to the diameter of the rotating circular tube 211. Meanwhile, the other rotating wall 215 may be formed as a general mesh network. The mesh network is formed in a structure in which the wires are mutually intersected so as to be orthogonal to each other to form the other through hole 215a. The through-holes 215a are formed in a square shape so that the flow of the process gas can be smoothly performed.

상기 타측 관통홀(215a)은 타측 회전벽(215)의 일면에서 타면으로 관통되도록 형성된다. 상기 타측 관통홀(215a)은 소정의 직경 또는 면적을 가지도록 형성되며, 타측 직경이 내부에 회전 하우징(210)의 내부에 수용되는 적층 세라믹 칩 부품의 크기보다 작은 직경을 가지도록 형성된다. 따라서, 상기 타측 관통홀(215a)은 내부에 수용되는 적층 세라믹 칩 부품이 회전 하우징(210)의 회전 중에 회전 하우징(210)의 외부로 나오지 않도록 한다. 상기 타측 관통홀(215a)은 타측 회전벽(215)에 전체적으로 분포하도록 형성된다. 상기 타측 관통홀(215a)은 회전 하우징(210)의 공정 가스가 회전 하우징(210)의 외부로 배출되는 경로를 제공한다.The other through hole 215a is formed to penetrate from one surface of the other rotating wall 215 to the other surface. The other through hole 215a is formed to have a predetermined diameter or area and the other side is formed to have a smaller diameter than the size of the multilayer ceramic chip component housed inside the rotation housing 210 inside. Therefore, the other through-hole 215a prevents the multilayer ceramic chip component accommodated therein from flowing out of the rotary housing 210 during rotation of the rotary housing 210. [ The other through hole 215a is formed so as to be distributed over the other rotating wall 215 as a whole. The other through hole 215a provides a path through which the process gas of the rotating housing 210 is discharged to the outside of the rotating housing 210.

또한, 상기 타측 관통홀(215a)은 전제 면적이 일측 관통홀(213a)의 전체 면적보다 작은 면적을 가지도록 형성된다. 바람직하게는 상기 타측 관통홀(215a)의 타측 직경이 일측 관통홀(213a)의 일측 직경보다 작은 직경을 가지도록 형성된다. 상기 타측 관통홀(215a)이 일측 관통홀(213a)보다 작은 면적으로 형성되는 경우에, 타측 관통홀(215a)을 통하여 회전 하우징(210)의 외부로 배출되는 공정 가스의 양이 일측 관통홀(213a)을 통하여 회전 하우징(210)의 내부로 유입되는 공정 가스의 양보다 작게 된다. 따라서, 상기 회전 하우징(210)의 내부에는 양의 압력이 생성되어 공정 가스가 적층 세라믹 칩 부품의 표면과 접촉되는 확률이 증가된다. 따라서, 상기 적층 세라믹 칩 부품의 표면에는 보다 균일하게 나노 박막층이 형성될 수 있다.
The other through hole 215a is formed so that the total area of the other through hole 215a is smaller than the total area of the one through hole 213a. Preferably, the other side of the other through hole 215a has a smaller diameter than one side of the one through hole 213a. The amount of the process gas discharged to the outside of the rotary housing 210 through the other through hole 215a is smaller than that of the one through hole 213a, The amount of the process gas flowing into the interior of the rotary housing 210 through the openings 213a is smaller than the amount of the process gas flowing into the interior of the rotary housing 210 through the openings 213a. Accordingly, a positive pressure is generated inside the rotary housing 210, increasing the probability that the process gas contacts the surface of the multilayer ceramic chip component. Therefore, the nano thin film layer can be more uniformly formed on the surface of the multilayer ceramic chip component.

상기 회전 샤프트(220)는 기둥 또는 바 형상으로 형성되며, 중심 축이 회전 하우징(210)의 중심 축과 일치하도록 회전 하우징(210)의 일측에서 타측으로 관통되어 결합된다. 상기 회전 샤프트(220)는 챔버 하우징(110)의 일측벽(113)과 타측벽(115)을 관통하여 챔버 하우징(110)의 외부로 노출되도록 결합될 수 있다. 이때, 상기 회전 샤프트(220)는 일측벽(113)의 일측 관통홀(213a)과 타측벽(115)의 타측 관통홀(215a)에 결합된다. 한편, 상기 회전 샤프트(220)는 일측과 타측중에서 어느 하나의 측만이 챔버 하우징(110)의 외부로 노출되도록 형성될 수 있다. 이 경우에 상기 회전축은 챔버 하우징(110)의 외부로 노출되지 않는 측이 챔버 하우징(110)의 내부에 위치하는 별도의 지지바(미도시)에 의하여 회전 가능하게 지지될 수 있다.The rotation shaft 220 is formed in a pillar or a bar shape and penetrates from one side of the rotation housing 210 to the other side so that the central axis coincides with the central axis of the rotation housing 210. The rotation shaft 220 may be coupled to the chamber housing 110 such that the rotation shaft 220 passes through the one side wall 113 and the other side wall 115 of the chamber housing 110 and is exposed to the outside of the chamber housing 110. At this time, the rotation shaft 220 is coupled to the one through hole 213a of the one side wall 113 and the other through hole 215a of the other side wall 115. Meanwhile, the rotating shaft 220 may be formed such that only one side of the rotating shaft 220 is exposed to the outside of the chamber housing 110. In this case, the rotary shaft may be rotatably supported by a separate support bar (not shown) located inside the chamber housing 110 at a side where the rotation shaft is not exposed to the outside of the chamber housing 110.

상기 회전 수단(230)은 모터와 같은 수단으로 형성되며, 회전 샤프트(220)의 일측 또는 타측에 결합되어 회전 샤프트(220)와 회전 샤프트(220)에 결합되어 있는 회전 하우징(210)을 회전시킨다. 상기 회전 수단(230)은 별도의 벨트 또는 기어를 통하여 회전 샤프트(220)와 연동되도록 연결된다.
The rotating means 230 is formed by means such as a motor and is coupled to one side or the other side of the rotating shaft 220 to rotate the rotating housing 210 coupled to the rotating shaft 220 and the rotating shaft 220 . The rotating means 230 is connected to the rotating shaft 220 through a separate belt or gear.

상기 가스 공급부(300)는 가스 공급원(310)과 가스 공급 라인(320) 및 제어 밸브(330)를 포함하여 형성된다. 상기 가스 공급부(300)는 원자층 증착 공정에 필요한 소스 가스와 퍼징 가스를 포함하는 공정 가스를 회전 하우징(210)의 내부로 공급한다. The gas supply unit 300 includes a gas supply source 310, a gas supply line 320, and a control valve 330. The gas supply unit 300 supplies the process gas containing the source gas and the purging gas necessary for the atomic layer deposition process into the interior of the rotary housing 210.

상기 가스 공급원(310)은 원자층 증착 공정에 필요로 하는 소스 가스와 퍼징 가스에 따라 복수 개로 형성될 수 있다. 일반적으로 상기 원자층 증착 공정은 금속 원소를 공급하는 제 1 소스 가스와, 산소 또는 질소 원소를 공급하는 제 2 소스 가스 및 아르곤 가스와 같은 불활성 가스인 퍼징 가스를 필요로 한다. 예를 들면, 상기 나노 박막층이 Al2O3막으로 형성되는 경우에, 제 1 소스 가스인 알루미늄 소스 가스와 제 2 소스 가스인 산소 소스 가스 및 퍼징 가스인 아르곤 가스를 필요로 한다. 따라서, 상기 가스 공급원(310)은 제 1 소스 가스원(311)과 제 2 소스 가스원(313) 및 퍼징 가스원(315)을 포함하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 소스 가스원(311)은 알루미늄 공급원인 소스 가스가 충진되어 공급하며, 제 2 소스 가스원(312)은 산소 공급원인 수증기가 충진되어 공급하며, 퍼징 가스원(313)은 아르곤 가스가 충진되어 공급될 수 있다.
The gas supply source 310 may be formed in a plurality of ways depending on the source gas and the purging gas required for the atomic layer deposition process. Generally, the atomic layer deposition process requires a first source gas for supplying a metal element, a second source gas for supplying an oxygen or nitrogen element, and a purging gas, which is an inert gas such as argon gas. For example, when the nano thin film layer is formed of an Al 2 O 3 film, an aluminum source gas as a first source gas, an oxygen source gas as a second source gas, and an argon gas as a purging gas are required. Accordingly, the gas supply source 310 may include a first source gas source 311, a second source gas source 313, and a purging gas source 315. That is, the first source gas source 311 is filled with a source gas for supplying aluminum, and the second source gas source 312 is filled with water vapor serving as an oxygen source, and the purging gas source 313 is supplied with argon Gas can be supplied and filled.

상기 가스 공급 라인(320)은 가스 공급원(310)과 챔버부(100)를 연결하여 가스 공급원(310)의 공정 가스가 챔버부(100)로 공급되도록 한다. 상기 가스 공급 라인(320)은 가스 공급원(310)의 개수에 대응되는 개수로 형성된다. 상기와 같이 가스 공급원(310)이 3 개로 형성되는 경우에, 가스 공급 라인(320)은 제 1 소스 라인(321)과 제 2 소스 라인(322) 및 퍼징 라인(323)으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 소스 라인(321)은 제 1 소스 가스원(311)과 연결되며, 제 2 소스 라인(322)은 제 2 소스 가스원(312)과 연결되며, 퍼징 라인은 퍼징 가스원(313)과 연결될 수 있다.
The gas supply line 320 connects the gas supply source 310 and the chamber unit 100 to supply the process gas of the gas supply source 310 to the chamber unit 100. The gas supply lines 320 are formed in a number corresponding to the number of the gas supply sources 310. The gas supply line 320 may be formed of the first source line 321 and the second source line 322 and the purging line 323 when the gas supply source 310 is formed as described above. For example, the first source line 321 is connected to a first source gas source 311, the second source line 322 is connected to a second source gas source 312, And may be connected to the circle 313.

상기 제어 밸브(330)는 가스 공급 라인(320)의 중간에 설치되어 가스 공급 라인(320)을 통하여 공급되는 공정 가스의 공급량과 공급 시간을 제어한다. 상기 제어 밸브(330)는 질량 유량 컨트롤러(Mass Flow Controller)로 형성될 수 있다. 상기 제어 밸브(330)는 설치되는 가스 공급 라인(320)에 따라 각각 제 1 제어 밸브(331)와 제 2 제어 밸브(332) 및 퍼징 밸브(333)로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 제어 밸브(331)는 제 1 소스 라인(321)에 결합되며, 제 2 제어 밸브(332)는 제 2 소스 라인(322)에 결합되며, 퍼징 밸브(333)는 퍼징 라인(323)에 결합된다.
The control valve 330 is installed in the middle of the gas supply line 320 to control the supply amount and the supply time of the process gas supplied through the gas supply line 320. The control valve 330 may be formed of a mass flow controller. The control valve 330 may be formed of a first control valve 331 and a second control valve 332 and a purge valve 333 in accordance with a gas supply line 320 to be installed. For example, the first control valve 331 is coupled to a first source line 321, the second control valve 332 is coupled to a second source line 322, and the purge valve 333 is coupled to a purge Line 323.

상기 배기부(400)는 진공 펌프로 형성된다. 상기 배기부(400)는 챔버부(100)의 챔버 하우징(110)에 연결되어 챔버 하우징(110) 내부의 가스를 외부로 배출한다. 보다 구체적으로는 상기 배기부(400)는, 도 1을 참조하면, 챔버 하우징(110)에서 회전 하우징(210)을 중심으로 회전 하우징(210)의 내부에 유입된 공정 가스가 배출되는 방향인 챔버 하우징(110)의 타측에 결합된다.The exhaust part 400 is formed by a vacuum pump. The exhaust unit 400 is connected to the chamber housing 110 of the chamber unit 100 to exhaust the gas inside the chamber housing 110 to the outside. More specifically, referring to FIG. 1, the exhaust unit 400 includes a chamber housing 110, which is a direction in which the process gas introduced into the interior of the rotary housing 210 is discharged around the rotary housing 210, And is coupled to the other side of the housing 110.

다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 작용에 대하여 설명한다. Next, the operation of the atomic layer deposition apparatus according to one embodiment of the present invention will be described.

먼저, 상기 회전 하우징(210)의 내부에 적층 세라믹 칩 부품을 장착한다. 이때, 상기 회전 하우징(210)은 바람직하게는 적층 세라믹 칩 부품이 내부에 전체적으로 채워지지 않도록 충진된다. 이러한 경우에, 상기 회전 하우징(210)이 수평 방향으로 연장되는 회전 샤프트(220)를 중심으로 회전할 때, 회전 하우징(210)의 상부 공간으로 적층 세라믹 칩 부품이 교대로 노출된다. 따라서, 상기 적층 세라믹 칩 부품은 보다 효율적으로 나노 박막층이 표면에 형성될 수 있다. First, a multilayer ceramic chip component is mounted inside the rotary housing 210. At this time, the rotary housing 210 is preferably filled so that the multilayer ceramic chip component is not entirely filled in the rotary housing 210. In this case, when the rotary housing 210 rotates about the rotation shaft 220 extending in the horizontal direction, the multilayer ceramic chip components are alternately exposed to the upper space of the rotary housing 210. Therefore, the multilayer ceramic chip component can more efficiently form the nano thin film layer on the surface.

다음으로, 상기 회전 하우징(210)은 챔버 하우징(110)의 내부에 장착되며 회전 샤프트(220)가 회전 수단(230)에 의하여 회전된다. 상기 챔버부(100)의 가열 수단(140)이 작동되면서 챔버 하우징(110)의 내부와 회전 하우징(210)의 내부가 공정 온도로 가열된다. 상기 공정 온도는 80 ~ 350℃로 설정된다. 상기 배기부(400)가 작동되어 챔버 하우징(110) 내부의 공기를 외부로 배출시킨다. 상기 챔버 하우징(110)의 내부가 진공 상태로 되면, 제 1 제어 밸브(331)가 작동되어 제 1 소스 라인을(321) 통하여 제 1 소스 가스원(311)에 저장되어 있는 제 1 소스 가스가 공급된다. 이때, 상기 제 1 소스 가스는 펄스 방식으로 공급되는 소스 가스의 종류에 따라 0.1 ∼ 1.5초동안 공급될 수 있다. 한편, 상기 제 1 소스 가스가 공급되기 전에, 퍼징 가스가 공급되어 챔버 하우징(110) 내부가 퍼징에 의하여 잔존하는 공기가 제거되도록 할 수 있다. 다음으로, 상기 퍼징 밸브(333)가 작동되어 퍼징 라인(323)을 퍼징 가스원(313)에 저장되어 있는 퍼징 가스가 챔버 하우징(110)으로 공급된다. 이때, 상기 퍼징 가스는 30 ~ 100초 동안 공급될 수 있다. 다음으로 제 2 제어 밸브(332)가 작동되어 제 2 소스 라인(322)을 통하여 제 2 소스 가스원(312)에 저장되어 있는 제 2 소스 가스가 공급된다. 이때, 상기 제 2 소스 가스는 펄스 방식으로 공급되는 소스 가스의 종류에 따라 0.1 ∼ 1.5초 동안 공급될 수 있다. 다음으로, 상기 퍼징 밸브(333)가 작동되어 퍼징 라인을 퍼징 가스원(323)에 저장되어 있는 퍼징 가스가 챔버 하우징(110)으로 공급된다. 이때, 상기 퍼징 가스는 30 ~ 100초 동안 공급될 수 있다. 상기 원자층 증착 장치는 상기와 같은 과정을 1 공정 싸이클로 하여 수십 내지 수백 공정 싸이클을 반복하여, 적층 세라믹 침 부품의 표면에 나노 박막층을 형성한다. 상기 나노 박막층이 형성되는 두께는 공정 온도와 공정 싸이클 수에 따라 다르게 형성될 수 있다. 상기 나노 박막층은 나노 두께의 박막으로 형성되며, 0.5 ~ 400nm의 두께로 형성되며, 바람직하게는 1 ~ 100nm의 두께로 형성될 수 있다. Next, the rotation housing 210 is mounted inside the chamber housing 110, and the rotation shaft 220 is rotated by the rotation means 230. The interior of the chamber housing 110 and the interior of the rotary housing 210 are heated to the process temperature while the heating means 140 of the chamber part 100 is operated. The process temperature is set at 80 to 350 ° C. The exhaust unit 400 is operated to discharge the air inside the chamber housing 110 to the outside. When the interior of the chamber housing 110 is in a vacuum state, the first control valve 331 is operated so that the first source gas stored in the first source gas source 311 through the first source line 321 . At this time, the first source gas may be supplied for 0.1 to 1.5 seconds depending on the type of the source gas supplied in a pulsed manner. Meanwhile, before the first source gas is supplied, purging gas may be supplied to remove air remaining in the chamber housing 110 due to purging. Next, the purge valve 333 is operated to supply the purge gas stored in the purge gas source 313 to the chamber housing 110 through the purge line 323. At this time, the purging gas may be supplied for 30 to 100 seconds. The second control valve 332 is then operated to supply a second source gas stored in the second source gas source 312 through the second source line 322. At this time, the second source gas may be supplied for 0.1 to 1.5 seconds depending on the type of the source gas supplied in a pulsed manner. Next, the purge valve 333 is operated to supply the purging line to the chamber housing 110 with the purging gas stored in the purging gas source 323. At this time, the purging gas may be supplied for 30 to 100 seconds. The atomic layer deposition apparatus repeats several tens to several hundred processing cycles using the above process as one process cycle to form a nano thin film layer on the surface of the multilayer ceramic substrate. The thickness of the nano thin film layer may be varied depending on the process temperature and the number of process cycles. The nano thin film layer is formed of a nano-thick thin film, and is formed to a thickness of 0.5 to 400 nm, preferably 1 to 100 nm.

상기 가스 공급관(120)을 통하여 챔버 하우징(110)의 내부로 유입되는 공정 가스는 회전 하우징(210)의 일측 회전벽(213)에 형성되어 있는 일측 관통홀(213a)을 통하여 회전 하우징(210)의 내부로 유입된다. 상기 회전 하우징(210)의 내부로 유입된 공정 가스는 적층 세라믹 칩 부품의 표면에 접촉한 후에 타측 회전벽(215)의 타측 관통홀(215a)을 통하여 회전 하우징(210)의 외부로 배출된다. 이때, 상기 공정 가스는 적층 세라믹 칩 부품이 충진되어 있는 영역보다는 적층 세라믹 칩 부품이 충진되지 않은 상부 영역으로 공정 가스가 더 원활하게 유입된다. 상기 챔버 하우징(110)의 내부로 유출되는 공정 가스는 배기부(400)에 의하여 챔버 하우징(110)의 외부로 배출된다.
The process gas flowing into the chamber housing 110 through the gas supply pipe 120 is supplied to the rotary housing 210 through one through hole 213a formed in the one rotating wall 213 of the rotating housing 210, As shown in FIG. The process gas introduced into the rotating housing 210 contacts the surface of the multilayer ceramic chip component and then is discharged to the outside of the rotating housing 210 through the other through hole 215a of the other rotating wall 215. [ At this time, the process gas flows more smoothly into the upper region where the multilayer ceramic chip component is not filled than the region where the multilayer ceramic chip component is filled. The process gas flowing into the chamber housing 110 is discharged to the outside of the chamber housing 110 by the exhaust unit 400.

상기 원자층 증착 장치는 회전 하우징(210)이 계속 회전하면서 회전 하우징(210)의 내부 공간에서 상부로 노출되는 적층 세라믹 칩 부품이 보다 효율적으로 코팅되도록 한다. The atomic layer deposition apparatus allows the multilayer ceramic chip part exposed upward in the inner space of the rotary housing 210 to be more efficiently coated while the rotary housing 210 is continuously rotated.

또한, 상기 원자층 증착 장치는 회전 하우징(210)의 일측 회전벽(213)의 일측 관통홀(213a)의 면적 또는 크기가 타측 회전벽(215)의 타측 관통홀(215a)의 면적 또는 크기보다 크게 형성되므로, 공정 가스가 회전 하우징(210)의 내부에서 체류하는 시간이 증가되어 보다 효율적으로 나노 박막층이 형성될 수 있다. The atomic layer deposition apparatus may be configured such that the area or size of one through hole 213a of the one rotating wall 213 of the rotating housing 210 is larger than the area or size of the other through hole 215a of the other rotating wall 215 The time required for the process gas to stay inside the rotary housing 210 is increased, so that the nano thin film layer can be formed more efficiently.

100: 챔버부 200: 회전부
300: 가스 공급부 400: 배기부100: chamber part 200: rotating part
300: gas supply part 400: exhaust part

Claims (16)

공정 가스가 유입되는 챔버 하우징 및 상기 챔버 하우징의 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 챔버부와,
상기 챔버 하우징의 내부에 수평 방향의 중심 축을 중심으로 회전 가능하게 결합되며 상기 공정 가스가 일측에서 유입되어 타측으로 배출되는 회전 하우징 및 상기 회전 하우징을 회전시키는 회전 수단을 구비하는 회전부와,
상기 공정 가스가 저장되는 가스 공급원과 상기 가스 공급원과 상기 챔버 하우징을 연결하는 가스 공급 라인 및 상기 가스 공급 라인상에 설치되어 상기 공정 가스의 흐름을 제어하는 제어 밸브를 구비하는 가스 공급부 및
상기 챔버 하우징에서 상기 회전 하우징을 중심으로 상기 회전 하우징의 내부에 유입된 공정 가스가 배출되는 방향인 상기 챔버 하우징의 타측에 연결되어 상기 공정 가스를 배출하는 배기부를 포함하며,
상기 회전 하우징은
내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 형상으로 형성되는 회전 원통관과,
메쉬망으로 형성되며, 상기 회전 원통관의 일측단부에 결합되는 일측 회전벽 및
메쉬망으로 형성되며, 상기 회전 원통관의 타측단부에 결합되는 타측 회전벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.A chamber part having a chamber housing into which the process gas is introduced and a heating part heating the inside of the chamber housing;
A rotary unit rotatably coupled to the inside of the chamber housing in a horizontal direction about a central axis and including a rotary housing in which the process gas flows in from one side and is discharged to the other side, and a rotary unit for rotating the rotary housing;
A gas supply unit having a gas supply source for storing the process gas, a gas supply line for connecting the gas supply source and the chamber housing, and a control valve provided on the gas supply line for controlling the flow of the process gas,
And an exhaust unit connected to the other side of the chamber housing in a direction in which the process gas introduced into the rotating housing from the chamber housing is discharged,
The rotating housing
A rotary cylinder having a hollow inside and formed with one side and the other side open;
A one-side rotating wall formed of a mesh net and coupled to one end of the rotating circular tube,
And a second rotating wall formed of a mesh network and coupled to the other end of the rotating circular tube. 제 1 항에 있어서,
상기 회전 하우징은 내부에 적층 세라믹 칩 부품이 충진되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the rotating housing is filled with a multilayer ceramic chip part. 제 2 항에 있어서,
상기 적층 세라믹 칩 부품은 적층 세라믹 콘덴서(Multi-Layer Ceramic Capacitor), 적층형 칩 인덕터(Multi-Layer Chip Inductor), 적층형 파워 인덕터(Multi-Layer Power Inductor) 또는 적층형 칩 비드((Multi-Layer Chip Bead)인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.3. The method of claim 2,
The multilayer ceramic chip component may include a multilayer ceramic capacitor, a multi-layer chip inductor, a multi-layer power inducer, or a multi-layer chip bead. And the atomic layer deposition apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 하우징은
내부가 중공이며 일측과 타측이 개방된 원통 형상으로 형성되며, 타측부에서 내주면으로부터 외주면으로 관통되는 가스 배출홀을 구비하는 원통관과,
상기 원통관의 일측단을 차폐하며, 일면에서 타면으로 관통되는 가스 공급홀을 구비하는 일측벽 및
상기 원통관의 타측단을 차폐하는 타측벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method according to claim 1,
The chamber housing
A cylindrical tube having a hollow inside and having a cylindrical shape with one side opened and the other side opened, and a gas discharge hole penetrating from the inner peripheral surface to the outer peripheral surface at the other side,
A side wall which shields one end of the cylindrical tube and has a gas supply hole penetrating from one side to the other side,
And another side wall for shielding the other end of the cylindrical tube. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서
상기 일측 회전벽의 메쉬망에 형성되는 일측 관통홀의 전체 면적이 상기 타측 회전벽의 메쉬망에 형성되는 타측 관통홀의 전체 면적보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method of claim 1, wherein
Wherein the total area of one through hole formed in the mesh network of the one rotating wall is larger than the total area of the other through hole formed in the mesh network of the other rotating wall. 제 1 항에 있어서
상기 회전부는
중심 축이 상기 회전 하우징의 중심 축과 일치하도록 상기 회전 하우징의 일측에서 타측으로 관통되어 결합되는 회전 샤프트를 더 포함하며,
상기 회전 샤프트는 상기 회전 수단에 의하여 회전되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.The method of claim 1, wherein
The rotating part
Further comprising a rotating shaft penetratingly coupled from one side of the rotating housing to the other side such that the central axis coincides with the central axis of the rotating housing,
Wherein the rotating shaft is rotated by the rotating means. 제 2 항에 있어서,
상기 가스 공급원은 금속 원소의 공급원인 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스원과, 산소 또는 질소의 공급원인 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스원 및 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 가스원을 포함하며
상기 가스 공급 라인은 상기 제 1 소스 가스원과 연결되는 제 1 소스 라인과, 상기 제 2 소스 가스원과 연결되는 제 2 소스 라인 및 상기 퍼징 가스원과 연결되는 퍼징 라인을 포함하며,
상기 제어 밸브는 제 1 소스 라인에 제 1 제어 밸브와, 상기 제 2 소스 라인에 연결되는 제 2 제어 밸브 및 상기 퍼징 라인에 연결되는 퍼징 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.3. The method of claim 2,
The gas source includes a first source gas source for supplying a first source gas which is a source of the metal element, a second source gas source for supplying a second source gas for supplying oxygen or nitrogen, and a purging gas source It includes
The gas supply line includes a first source line coupled to the first source gas source, a second source line coupled to the second source gas source, and a purging line coupled to the purging gas source,
Wherein the control valve includes a first control valve at a first source line, a second control valve coupled to the second source line, and a purge valve coupled to the purge line. 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 소스 가스는 수증기, 산소(O2), 오존 또는 산소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the second source gas is water vapor, oxygen (O2), ozone, or oxygen plasma. 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 소스 가스와 제 2 소스 가스는 상기 적층 세라믹 칩 부품의 표면에 나노 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the first source gas and the second source gas form a nano thin film layer on the surface of the multilayer ceramic chip component. 제 12 항에 있어서,
상기 나노 박막층은 0.5 ~ 400nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the nano thin film layer is formed to a thickness of 0.5 to 400 nm. 제 12 항에 있어서,
상기 나노 박막층은 1.0 ~ 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the nano thin film layer is formed to a thickness of 1.0 to 100 nm. 제 12 항에 있어서,
상기 나노 박막층은 Al2O3 , HfO2, ZrO2 La2O3, SiO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, SrTiO3, BaTiO3, AlN 및 SiNx로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.13. The method of claim 12,
The nano thin film layer may include Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 Is formed of any one selected from the group consisting of La 2 O 3 , SiO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , Y 2 O 3 , SrTiO 3 , BaTiO 3 , AlN and SiNx, Lt; / RTI > 제 4 항에 있어서,
상기 챔버부는 상기 가스 공급홀과 상기 가스 공급부를 연결하는 가스 공급관 및 상기 가스 배출홀과 상기 배기부를 연결하는 가스 배출관을 더 포함하며,
상기 배기부는 상기 가스 배출관에 연결되는 진공 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the chamber portion further comprises a gas supply pipe connecting the gas supply hole and the gas supply portion, and a gas discharge pipe connecting the gas discharge hole and the exhaust portion,
Wherein the exhaust unit includes a vacuum pump connected to the gas discharge pipe.
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