KR101617728B1 - 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자기파 흡수체의 단위셀에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 베이스 기판 평면 상에 가상의 사각형 네 변을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성됨으로써 광대역 주파수에서의 전자기파를 흡수 제거하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 평판 도전층, 다수의 유전층과 다수의 면저항체를 포함하는 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 평면 상에 가상의 사각형 네 변을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성되고, 상기 파동 형태는 상기 가상의 사각형 어느 한 변의 길이 중심으로부터 상기 어느 한 변의 양단으로 갈수록 진폭이 감소되며 형성되는 복합패턴; 을 포함함으로써, 2GHz 내지 4GHz의 주파수대 전자기파를 대부분 흡수할 수 있다

Description

광대역 전자기파 흡수체의 단위셀{Unit cell of absorber for eliminating broadband electromagnetic wave}

본 발명은 전자기파 흡수체의 단위셀에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 베이스 기판 평면 상에 가상의 사각형 네 변을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성됨으로써 광대역 주파수에서의 전자기파를 흡수 제거하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀에 관한 것이다.

메타물질은 전기적 요소와 자기적 요소가 모두 포함된 새로운 인공소재로서 다양한 특성이 있다. 일반적으로 알려진 메타물질(Metamaterials)의 특성 중 하나는 전자기파 흡수에 용이하다는 것이다. 따라서 메타물질은 전자기파를 흡수하는 용도로 많이 사용된다.

이러한 문제점 등을 감안하여 대한민국 공개특허공보 제2014-0110135호에는 가변 전자파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체가 개시되어 있다. 개시된 가변 전자파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체의 단위 셀은 유전체 기판; 상기 유전체 기판의 상면 상에 배치되고 폐쇄 고리 형상의 홀을 갖는 도전층; 및 상기 유전체 기판의 하면에 이격하여 상기 유전체 기판과 평행하게 배치된 도전성 판을 포함함으로써 전자파 흡수율을 향상시킬 수 있다.

상술한 바와 같이 구성된 종래의 가변 전자기파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체는 8 GHz 내지 12 GHz 주파수 대역에서 수직으로 입사된 전자기파는 용이하게 흡수할 수 있으나, 광대역 주파수에서 전자기파를 흡수할 수 없다는 문제점이 있다.

또한 종래에는 10도 내지 30도에서 전자파를 입사하면 2.0 GHz에서 4.0 GHz까지 광대역 주파수대에 분포된 전자기파를 흡수할 수 있는 기술에 대해서는 보고된 바 없다.

이 배경기술 부분에 기재된 사항은 발명의 배경에 대한 이해를 증진하기 위하여 작성된 것으로서, 이 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래 기술이 아닌 사항을 포함할 수 있다.

대한민국공개특허공보: 제2014-0110135호

본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 것으로서, 본 발명의 목적은, 특히 2.0 GHz에서 4.0 GHz까지 광대역 주파수대에 분포된 전자기파를 대부분 흡수할 수 있는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀을 제공하는 것이다.

이를 위해 본 발명에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀은 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 평면 상에 가상의 사각형 네 변을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성되고, 상기 파동 형태는 상기 가상의 사각형 어느 한 변의 길이 중심으로부터 상기 어느 한 변의 양단으로 갈수록 진폭이 감소되며 형성되는 복합패턴; 을 포함한다.

그리고 본 발명의 실시 예에 따른 상기 가상의 사각형은 정사각형이고, 상기 복합패턴의 폭 및 두께는 동일하며, 상기 폭은 0.2mm 내지 0.6mm이고, 상기 두께는 30um 내지 40um이다.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 파동형태는 상기 가상의 사각형 한 변과 교차하는 지점과 인접하여 교차하는 지점과의 거리는 모두 동일하고, 상기 베이스 기판은 유전층 사이에 면저항체를 구비한다.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 베이스 기판은 평판 도전층; 상기 평판 도전층의 상부에 구비된 제1 유전층; 상기 제1 유전층 상부에 구비된 제2 유전층; 상기 제2 유전층 상부에 구비된 제3 유전층; 상기 제3 유전층 상부에 구비되어 상기 복합패턴이 형성된 제4 유전층; 및 상기 제1 유전층과 상기 제2 유전층 사이와 상기 제2 유전층과 상기 제3 유전층 사이 및 상기 제3 유전층과 상기 제4 유전층 사이에 각각 구비된 면저항체를 포함한다.

그리고 본 발명의 실시 예에 따른 상기 평판 도전층은 가로와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이며, 두께가 30um 내지 40um이다.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 유전층은 유전상수 4.2와 유전손실 탄젠트 0.025인 FR4 유전층으로서 가로와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이고, 두께가 0.2mm 내지 0.6mm이다.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 제2 유전층 및 제3 유전층은 유전상수 2.1와 유전손실 탄젠트 0.0002인 테프론 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 250mm 내지 350mm이며, 두께가 0.2mm 내지 0.7mm이다.

그리고 본 발명의 실시 예에 따른 상기 제4 유전층은 유전상수 4.2와 유전손실 탄젠트 0.025인 FR4 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이고, 두께가 0.1mm 내지 0.3mm이다.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 면저항체는 500 ohm/sq 내지 600 ohm/sq 이고, 가로의 길이와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm 이며, 두께가 230um 내지 280um이다.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 윈칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

본 발명의 실시 예에 따르는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀은 2GHz 내지 4GHz의 주파수대 전자기파를 대부분 흡수할 수 있는 효과가 있다.

따라서 본 발명의 실시 예에 따르는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀은 2GHz 내지 4GHz의 주파수대에서 동작하는 전자기기들에 적용함으로써 전자기파에 의한 오작동을 방지하는 한편, 인체로 흡수되는 전자기파를 차단할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체를 도시한 예시도.
도 2는 본 발명의 도 1의 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀을 확대 도시한 예시도.
도 3은 도 2에 도시한 단위셀을 형성하기 위해 제1 패턴 내지 제5 패턴을 형성하는 방법을 도시한 예시도.
도 4는 도 3에 도시한 제1 패턴 내지 제5 패턴에 연결패턴을 형성하는 방법을 도시한 예시도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 베이스 기판의 단면구조를 도시한 단면 예시도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀의 실측결과를 보여주는 그래프.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.

또한, 이하에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.

도 1 내지 도 7의 동일 부재에 대해서는 동일한 도면 번호를 기재하였다.

그리고 본 발명에서 사용되는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀(100)과 단위셀(100)은 동일한 의미로 사용되었다.

본 발명의 기본 원리는 베이스 기판(110) 평면 상에 복합패턴(120)을 가상의 사각형 네 변을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성함으로써 2GHz 내지 4GHz 주파수대의 전자기파를 흡수 제거하는 것이다.

아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체를 도시한 예시도이고, 도 2는 본 발명의 도 1의 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀을 확대 도시한 예시도이며, 도 3은 도 2에 도시한 단위셀을 형성하기 위해 제1 패턴 내지 제5 패턴을 형성하는 방법을 도시한 예시도이며, 도 4는 도 3에 도시한 제1 패턴 내지 제5 패턴에 연결패턴을 형성하는 방법을 도시한 예시도이다.

다음은 도 1 내지 도 4을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀(100)을 후술한다.

본 발명의 실시 예에 따른 전자기파 흡수체(A)는 단위셀(100)들이 격자형으로 배치된 수 있다. 단위셀(100)은 소정의 각도, 예를 들면 10도 내지 30도로 입사되는 광대역 주파수대(2GHz 내지 4GHz)에서의 전자기파를 거의 완벽히 흡수할 수 있다. 이를 위해 본 발명의 실시 예에 따른 단위셀(100)은 베이스 기판(110) 및 복합패턴(120)를 포함한다.

도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 단위셀(100)의 구조와 형성방법을 상세히 후술한다.

우선 복합패턴(120)은 베이스 기판(110) 평면 상에 가상의 사각형(R) 네 변(r1, r2, r3, 및 r4)을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성된다. 구체적으로 복합패턴(120)은 제1 변(r1), 제2 변(r2), 제3 변(r3), 및 제4 변(r4)의 길이중심에서는 진폭이 가장 길고 양단으로 갈수록 진폭이 감소되는 구조이다. 그리고 제1 변(r1)을 따라 교차하며 파동형태로 형성된 복합패턴(120)은 제3 변(r3)을 따라 교차하며 파동형태로 형성된 복합패턴(120)과 상하 대칭을 이룬다. 마찬가지로 제2 변(r2)을 따라 교차하며 파동형태로 형성된 복합패턴(120)은 제4 변(r4)을 따라 교차하며 파동형태로 형성된 복합패턴(120)과 좌우 대칭을 이룬다. 즉, 제1 변(r1), 제2 변(r2), 제3 변(r3), 및 제4 변(r4)을 각각 따라 교차하며 파동형태로 형성된 복합패턴(120)의 치수(dimension)은 동일하다. 상술한 바와 같은 복합패턴(120)이 광대역 전자기파를 흡수하기 위해서는 다음의 도 3과 같이 형성될 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 복합패턴(120)중 제1 변(r1)을 따라 파동형태로 형성되는 복합패턴(120)은 제1 패턴(a), 제2 패턴(b), 제3 패턴(c), 제4 패턴(d), 및 제5 패턴(e)을 포함한다.

우선 제1 패턴(a)은 제1 변(r1)의 길이중심에 형성된다. 여기서 제1 패턴(a)은 a1 바와 a2 바를 포함할 수 있다. 여기서 a1 바와 a2 바는 바(bar)형태의 패턴인 것이 바람직하다. 그리고 동일한 길이의 a1 바와 a2 바는 소정의 간격으로 나란히 세로로 구비되는 것이 적당하다.

이와 같이 a1 바와 a2 바가 구비되면 a1 바와 a2 바가 인접한 제1 변(r1) 상에 제2 패턴(b)이 각각 구비된다. 마찬가지로 제2 패턴(b)은 b1 바와 b2 바를 포함하는 것이 바람직하다. 여기서 서로 동일한 길이의 b1 바 및 b2 바는 a1 바와 a2 바와 두께 및 폭은 동일하지만 소정의 길이만큼 짧은 것이 적당하다.

여기서 a1 바와 a2 바의 길이를 6mm로 상정하면, b1 바와 b2 바는 a1 바와 a2 바의 길이보다 0.6mm 짧은 것이 바람직하나 반드시 이에 한정하지 않는다.

다음으로 제3 패턴(c)이 구비된다. 마찬가지로 제3 패턴(c)은 도 3에 도시한 좌측에 구비된 제2 패턴(b)의 b1 바와 인접하게 구비되고, 우측에 구비된 제2 패턴(b)의 b2 바와 인접하게 구비될 수 있다. 다만, b1 바와 b2 바의 길이는 a1 바 및 a2 바의 길이보다 0.6mm 짧은 5.4mm로 상정하였으므로, c1 바 및 c2 바의 길이도 5.4mm 보다 0.6mm 짧은 4.8mm로 구비된다.

상술한 바와 동일한 방식으로 제4 패턴(d)도 제3 패턴(c)과 인접하여 구비되되, 4.8mm보다 0.6mm 짧은 4.2mm로 구비되고, 제5 패턴(e)도 제 4패턴(d)과 인접하여 구비되되, 4.2mm보다 0.6mm 짧은 3.6mm로 구비된다.

한편, 제1 패턴(a)의 a1 바 및 a2 바 내지 제5 패턴(e)의 e1 바 및 e2 바의 폭은 0.4mm, 두께는 35um로 모두 동일한 것이 바람직하다. 그러나 광대역 주파수대를 변경하여 전자기파를 흡수하는 경우 상술한 길이와 폭 및 두께는 변경 가능한 것이 바람직하다.

예를 들면, a1 바의 길이는 4mm 내지 8mm로 설정이 가능하고, 짧아지는 소정의 길이는 0.4mm 내지 0.8mm 내로 설정할 수 있다. 특히 바(bar)의 길이는 공진이 발생하여 흡수가 일어나는 주파수대를 선택하기 위해 설정되므로 상술한 길이범위보다 더 넓게 적용할 수 있다. 마찬가지로 패턴의 폭도 0.2mm 내지 0.6mm로 두께도 30um 내지 40um로 설정 가능하다.

다음은 도 4를 참조하여 이와 같이 제1 패턴(a) 내지 제5 패턴(e)을 파동형태로 연결시키기 위한 연결패턴(f)에 대해 후술한다.

도 4를 참조하면 연결패턴(f) 도 4에 도시한 바와 같이 제1 변(r1)을 따라 서로 교차하는 파동형태로 만들기 위한 연결패턴(f)이 구비된다.

차후 연결패턴(f)의 일단(f1)은 제2 변(r2)을 따라 형성된 복합패턴(120)과 전기적으로 연결되고, 연결패턴(f)의 타단(f2)는 제4 변(r4)을 따라 형성된 복합패턴(120)과 전기적으로 연결된다. 또한 연결패턴(f)의 폭과 두께는 제1 패턴(a) 내지 제5 패턴(b)과 동일하게 설정되는 것이 바람직하다. 여기서 연결패턴(f)의 일단(f1)과 타단(f2)의 총 길이는 52mm인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정하지 않고 주파수대에 따라 45mm 내지 60mm로 선택 적용할 수 있다.

상술한 바와 동일하게 제2 변(r2), 제3 변(r3), 및 제4 변(r4)를 따라 나머지 복합패턴(120)을 형성할 수 있다. 여기서 최종 형성된 복합패턴(120)은 베이스 기판(110) 상에서 폐루프(close loof)를 형성하여야 한다.

다음은 도 5를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 베이스 기판(110)을 후술한다.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 베이스 기판의 단면구조를 도시한 단면 예시도이다.

도 5를 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 베이스 기판(110) 평면은 정사각형으로 이루어질 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않고 베이스 기판(110)의 형상은 선택적으로 적용 가능하다.

상술한 베이스 기판(110)은 평판 도전층(111), 제1 유전층(112), 제2 유전층(113), 제3 유전층(114), 제4 유전층(115), 및 다수의 면저항체(116)를 포함한다.

우선, 평판 도전층(111)이 개시된다. 평판 도전층(111)은 입사된 전자기파의 송신을 제한한다. 후술하면 전자기파 흡수는 다음의 [수학식 1]에 의해 계산할 수 있다.

[수학식 1]

여기서

은 반사 파라미터이고,

은 전송 파라미터이다.

평판 도전층(111)은 입사된 전자기파의 송신을 제한한다. 그러므로 전송 파라미터는 0이고, 흡수는 다음의 [수학식 2]와 같이 표현될 수 있다.

[수학식 2]

따라서 평판 도전층(111)에 의해 전자기파 투과를 방지할 수 있다. 이로 인해 전송 파라미터는 0이 되도록 설계할 수 있다. 또한 평판 도전층(111)은 구리(Cu)인 것이 바람직하나 은(Ag)과 같은 도전성 금속이라면 무방하다. 그리고 평판 도전층(111)은 가로의 길이와 세로의 길이가 300mm인 것이 바람직하나 경우에 따라서는 가로와 세로의 길이가 250mm 내지 350mm로 설정 가능하다. 그리고 평판 유전층(111)의 두께는 30um 내지 40um로 설정하는 것이 적당하다.

다음은 평판 도전층(111) 상부에 제1 유전층(112)이 구비된다.

제1 유전층(112)은 유전상수 4.2와 유전손실 탄젠트 0.025인 FR4 유전층으로서 가로와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이고, 두께가 0.2mm 내지 0.6mm인 것이 바람직하다. 여기서 FR4 유전층은 에폭시 레진이 함침된 유리 섬유가 여러 층으로 형성된 것으로서 주로 인쇄회로기판(PCB)을 제작하는 경우 기판으로 사용된다.

다음은 제1 유전층(112) 상부에 제2 유전층(113)이 구비된이다.

제2 유전층(113)은 유전상수 2.1와 유전손실 탄젠트 0.0002인 테프론 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 250mm 내지 350mm이다. 그리고 제2 유전층(113)의 두께는 0.2mm 내지 0.7mm 중에서 선택적으로 적용 가능하다.

이어서 제2 유전층(113) 상부에는 제3 유전층(114)이 구비된다. 제3 유전층(113)도 제2 유전층(113)과 동일하게 유전상수 2.1와 유전손실 탄젠트 0.0002인 테프론 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 250mm 내지 350mm이다. 그리고 제2 유전층(113)의 두께는 0.2mm 내지 0.7mm 중에서 선택적으로 적용 가능하다.

그리고, 제3 유전층(114) 상부에는 복합패턴(120)이 형성된 제4 유전층(115)이 구비된다. 제4 유전층(115)은 유전상수 4.2와 유전손실 탄젠트 0.025인 FR4 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이고, 두께가 0.1mm 내지 0.3mm인 것이 바람직하다.

한편, 제1 유전층(112)과 제2 유전층(113) 사이와 제2 유전층(113)과 제3 유전층(114) 사이 및 제3 유전층(114)과 제4 유전층(115) 사이에는 면저항체(116)가 각각 구비된다. 면저항체(116)는 전기적 특성이 500 ohm/sq 내지 600 ohm/sq 이고, 가로의 길이와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm 이며, 두께가 230um 내지 280um인 것이 적당하다.

마지막으로 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀의 시뮬레이션 결과와 실제 측정결과를 후술한다.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프이고, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀의 실측결과를 보여주는 그래프이다.

도 6 및 도 7을 참조하면 전자기파의 입사각을 10도 내지 30도까지 변화시켜도 시뮬레이션 결과 및 실측 결과에는 큰 영향을 보이지 않는 것을 알 수 있다.

특히 도 7을 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀(100)은 2 GHz 내지 4 GHz에서 전자기파를 95%이상 흡수하는 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따른 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀(100)은 2 GHz 내지 4 GHz에서 전자기파를 거의 완벽히 흡수할 수 있으므로 상기 주파수대에서 사용되는 기기들에 실제 적용하여 전자기파를 감쇄시킬 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

A: 전자기파 흡수체 100: 단위셀
110: 베이스 기판 120: 복합패턴
111: 평판 도전층 112: 제1 유전층
113: 제2 유전층 114: 제3 유전층
115: 제4 유전층 116: 면저항체
r1 내지 r4: 제1 변 내지 제4 변
a 내지 e: 제1 패턴 내지 제5 패턴
f: 연결패턴

Claims (12)

1. 베이스 기판; 및
   상기 베이스 기판 평면 상에 가상의 사각형 네 변을 따라 교차하는 파동형태로 폐루프를 이루며 형성되고, 상기 파동 형태는 상기 가상의 사각형 어느 한 변의 길이 중심으로부터 상기 어느 한 변의 양단으로 갈수록 진폭이 감소되며 형성되는 복합패턴; 을 포함하되,
   상기 베이스 기판은 유전층 사이에 면저항체를 구비한 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 가상의 사각형은
   정사각형인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 복합패턴의
   폭 및 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
4. 청구항 3에 있어서,
   상기 폭은
   0.2mm 내지 0.6mm이고,
   상기 두께는
   30um 내지 40um인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
5. 청구항 1에 있어서,
   상기 파동형태는
   상기 가상의 사각형 한 변과 교차하는 지점과 인접하여 교차하는 지점과의 거리는 모두 동일한 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
6. 삭제
7. 청구항 1에 있어서,
   상기 베이스 기판은
   평판 도전층;
   상기 평판 도전층의 상부에 구비된 제1 유전층;
   상기 제1 유전층 상부에 구비된 제2 유전층;
   상기 제2 유전층 상부에 구비된 제3 유전층;
   상기 제3 유전층 상부에 구비되어 상기 복합패턴이 형성된 제4 유전층; 및
   상기 제1 유전층과 상기 제2 유전층 사이와 상기 제2 유전층과 상기 제3 유전층 사이 및 상기 제3 유전층과 상기 제4 유전층 사이에 각각 구비된 면저항체를 포함하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
8. 청구항 7에 있어서,
   상기 평판 도전층은
   가로와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이며, 두께가 30um 내지 40um인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
9. 청구항 7에 있어서,
   상기 제1 유전층은
   유전상수 4.2와 유전손실 탄젠트 0.025인 FR4 유전층으로서 가로와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이고, 두께가 0.2mm 내지 0.6mm인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
10. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 유전층 및 제3 유전층은
    유전상수 2.1와 유전손실 탄젠트 0.0002인 테프론 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 250mm 내지 350mm이며, 두께가 0.2mm 내지 0.7mm인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
11. 청구항 7에 있어서,
    상기 제4 유전층은
    유전상수 4.2와 유전손실 탄젠트 0.025인 FR4 유전층으로서 가로의 길이와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm이고, 두께가 0.1mm 내지 0.3mm인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.
12. 청구항 7에 있어서,
    상기 면저항체는
    500 ohm/sq 내지 600 ohm/sq 이고, 가로의 길이와 세로의 길이가 각각 250mm 내지 350mm 이며, 두께가 230um 내지 280um인 것을 특징으로 하는 광대역 전자기파 흡수체의 단위셀.

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