KR101441795B1 - 가변 전자파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체 - Google Patents

가변 전자파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체 Download PDF

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Abstract

가변 전자파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체를 제공한다. 상기 전자파 흡수체의 단위 셀은 유전체 기판을 구비한다. 상기 유전체 기판의 상면 상에 폐쇄 고리 형상의 홀을 갖는 도전층이 배치된다. 상기 유전체 기판의 하면에 이격하여 상기 유전체 기판과 평행하게 도전성 판이 배치된다.

Description

가변 전자파 흡수체 단위 셀 및 이를 구비하는 전자파 흡수체{Tunable Electromagnetic Wave Absorber Unit Cell and Electromagnetic Wave Absorber Having the Same}
본 발명은 전자파 흡수체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가변 전자파 흡수체에 관한 것이다.
최근 전자제품은 필수적인 생활수단이 되었다고 볼 수 있다. 그러나, 이러한 전자제품으로부터 발생하는 전자파는 인체에 좋지 않은 영향을 끼치는 것으로 보고되고 있다. 따라서, 이러한 전자파를 차단하기 위한 연구들이 진행되고 있다.
전자파 흡수체는 전자파를 흡수할 수 있는 재료를 사용하여 제조된다. 통상적인 전자파 흡수체는 유전층의 앞면 상에 배치된 도전체 패턴과 뒷면 상에 배치된 접지 도전체층을 구비하는데(일 예로서, JP 공개 2008-219125호), 이러한 전자파 흡수체는 파장 λ의 전자파를 흡수하기 위해서 상기 유전층의 두께를 최소한 λ/4로 하여야 하는 등 유전층의 두께 조절을 통해서 흡수 파장을 설정하여야 하는 단점이 있다. 또한, 전자파 흡수체의 흡수율을 향상시키는 것은 많은 노력이 수반되어야 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 선택된 주파수 대역에서 거의 완전한 흡수를 구현하는 전자파 흡수체를 제공함에 있다. 또한, 주파수 대역 조절이 용이한 전자파 흡수체를 제공함에 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 전자파 흡수체의 단위 셀을 제공한다. 상기 단위 셀은 유전체 기판을 구비한다. 상기 유전체 기판의 상면 상에 폐쇄 고리 형상의 홀을 갖는 도전층이 배치된다. 상기 유전체 기판의 하면에 이격하여 상기 유전체 기판과 평행하게 도전성 판이 배치된다.
상기 유전체 기판과 상기 도전성 판 사이에 공기가 위치할 수 있다. 상기 유전체 기판과 상기 도전성 판 사이의 거리는 조절될 수 있다. 상기 도전층 및 상기 도전성 판은 플로팅되어 있을 수 있다. 홀의 일측 방향 길이는 수백 nm 내지 수백 ㎜일 수 있다.
상기 홀은 폐쇄 직각 고리 형상을 가질 수 있다. 상기 홀의 장변은 전기장의 방향과 평행한 방향으로 배치될 수 있다.
상기 홀은 폐쇄 원 고리 형상을 가질 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 전자파 흡수체를 제공한다. 상기 전자파 흡수체는 매트릭스 형태로 배열된 다수 개의 단위 셀들을 구비한다. 상기 단위 셀은 유전체 기판을 구비한다. 상기 유전체 기판의 상면 상에 폐쇄 고리 형상의 홀을 갖는 도전층이 배치된다. 상기 유전체 기판의 하면에 이격하여 상기 유전체 기판과 평행하게 도전성 판이 배치된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 유전체 기판의 상면 상에 폐쇄 고리 형상의 홀을 갖는 도전층이 배치하고, 유전체 기판의 하면에 이격하여 유전체 기판과 평행하게 도전성 판을 배치함으로써, 전자파 흡수율을 크게 향상시킬 수 있다. 이와 더불어서, 유전체 기판과 도전성 판 사이의 거리를 조절함으로써, 흡수되는 주파수 대역의 개수를 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 흡수체의 단위 셀을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 절단선 I-I′를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 흡수체를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 흡수체의 단위 셀을 도시한 사시도이다.
도 5a는 실험예 1을 통해 얻어진 전자파 흡수체의 여러 파라미터를 기초로 시뮬레이션을 수행하여 얻은 흡수 주파수와 흡수율을 보여주는 그래프이고, 도 5b는 상부 유전체 기판과 도전체 판 사이의 거리의 변화에 따른 흡수 주파수를 보여주는 그래프이다.
도 6은 실험예 1을 기초로 실제 제작한 전자파 흡수체를 촬영한 사진이다.
도 7a 및 도 7b는 시뮬레이션에 의한 흡수 주파수와 흡수율 그리고 실제 제작된 전자파 흡수체의 흡수 주파수와 흡수율을 보여주는 그래프들이다.
도 8a 및 도 8b는 실험예 2에 따른 전자파 흡수체의 여러 파라미터를 기초로 시뮬레이션을 수행하여 얻은 흡수 주파수와 흡수율을 보여주는 그래프들이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 본 실시예들에서 "제1", "제2", 또는 "제3"는 구성요소들에 어떠한 한정을 가하려는 것은 아니며, 다만 구성요소들을 구별하기 위한 용어로서 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 흡수체의 단위 셀을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 절단선 I-I′를 따라 취해진 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 흡수체를 나타낸 평면도이다.
전자파 흡수체(200)은 복수 개의 전자파 흡수체의 단위 셀들(100)을 구비하며, 상기 단위 셀들(100)은 동일 평면 내에서 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
전자파 흡수체의 단위 셀(100)은 상부 유전체 기판(110)을 구비한다. 상부 유전체 기판(110)의 상면 상에 폐쇄 고리 형상의 홀(120c)을 갖는 도전층(120, 120a, 120b)이 배치된다. 도전층(120)은 홀을 감싸는 부분(120b)과 홀(120c)에 의해 감싸지는 부분(120a)를 구비할 수 있다. 홀(120c)은 폐쇄 직사각 고리 형상(closed rectangular ring shape)을 가질 수 있고, 이에 따라 홀(120c)에 의해 감싸지는 부분(120a)은 직사각형의 도전성 바일 수 있다.
상부 유전체 기판(110)의 하면으로부터 소정 간격(d) 이격되어 도전성 판(140)이 배치될 수 있다. 도전성 판(140)은 상부 유전체 기판(110)의 하면의 전체면에 대응되고 또한 홀 등이 형성되지 않은 연속적인 판 수 있다. 도전성 판(140)의 하부에 도전성 판(140)을 지지하기 위한 하부 유전체 기판(130)이 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 도전성 판(140)의 두께가 충분하여 프리 스탠딩이 가능하다면 하부 유전체 기판(130)은 생략될 수도 있다.
상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이의 간격(d)은 고정되지 않고 조절될 수 있다. 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이에는 공기가 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자파의 종류 및 흡수 주파수 대역을 고려하여 다른 유체로 대체될 수 있다.
도전층(120)과 도전성 판(140)에는 외부 전원에 연결되지 않을 수 있다. 즉, 도전층(120)과 도전성 판(140)은 플로팅되어 있을 수 있다.
이러한 전자파 흡수체(200)에 전자파가 입사될 수 있다. 구체적으로, 전자파는 홀(120c)을 갖는 도전층(120)이 배치된 면으로 입사될 수 있다. 도시된 바와 같이 k는 전자파의 진행 방향, E는 전기장 방향, H는 자기장 방향을 나타낼 수 있다. 이 때, 전기장의 방향(E)은 홀(120c) 또는 도전성 바(120a)의 장변과 평행할 수 있다. 바꾸어 말하면, 홀(120c) 또는 도전성 바(120a)의 장변은 전기장의 방향(E)과 평행한 방향으로 배치될 수 있다.
홀(120c)의 장변 방향의 길이, 홀(120c)의 단변 방향의 폭들(120c_w1, 120c_w2), 도전성 바(120a)의 장변 방향의 길이, 도전성 바(120a)의 단변 방향의 폭(120a_w), 전자파 흡수체(200)에서 단위 셀들(100)의 피치, 도전성 바(120a)를 포함한 상부 도전층(120)의 물질종류와 두께(t_120), 도전성 판(140)의 물질종류와 두께(t_140), 상부 유전체 기판(t_110)의 물질종류와 두께, 및 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이에 위치하는 유체의 종류는 전자파의 종류 및 흡수 주파수 대역을 고려하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 홀(120c)의 장변 방향의 길이, 홀(120c)의 단변 방향의 폭들(120c_w1, 120c_w2), 바(120a)의 장변 방향의 길이, 바(120a)의 단변 방향의 폭(120a_w), 및 전자파 흡수체(200)에서 단위 셀들(100)의 피치는 수백 nm 내지 수백 ㎜의 값을 가질 수 있다. 이 경우, 수백 THz 내지 수백 MHz의 흡수 주파수를 나타낼 수 있다.
홀(120c)의 단변 방향의 두 폭들(120c_w1, 120c_w2) 및 도전성 바(120a)의 폭(120a_w)은 입사되는 전자파의 파장 이하로 설정될 수 있다. 또한, 홀(120c)의 단변 방향의 두 폭들(120c_w1, 120c_w2)은 서로 동일할 수 있다. 이와 더불어서, 도전성 바(120a)의 폭(120a_w)은 길이 방향으로 일정할 수 있다.
전자파가 홀(120c)을 갖는 도전층(120)이 배치된 면으로 입사되는 경우, 홀을 감싸는 부분(120b), 홀에 의해 감싸지는 부분(120a), 및 도전성 판(140)에서 발생되는 유도 전류에 의한 유도 자장이 입사되는 입사 전자파 중 특정 주파수 대역의 전자파와 공진할 수 있고, 이 공진 주파수 대역의 전자파는 전자파 흡수체(200)에서 흡수되어 소멸될 수 있다. 또한, 상기 유도 자장은 입사되는 전자파의 자기장과 반대 방향을 가져, 상기 단위 셀(100)은 음의 투자율을 가질 수 있다. 따라서, 상기 단위 셀(100)을 메타 원자라고 명명할 수도 있다.
구체적으로, 도전층(120) 내의 홀을 감싸는 부분(120b)과 홀에 의해 감싸지는 부분(120a)으로 인해 생성된 캐패시터(capacitor)와 인덕턴스(inductance)에 의한 LC 공진(LC resonance)에 기인하여, 입사된 전자파는 특이 광 투과(Extraordinary Optical Transmission)할 수 있다. 투과된 전자파는 도전층(120)과 도전성 판(140) 사이에서 파브리-페로형 공동 공진(Fabry-Perot-type cavity resonance)을 일으키고 이에 따라 전자파 흡수체(200)에서 흡수되어 소멸될 수 있다. 전자파 흡수체(200)에서의 흡수율은 거의 1에 가까울 수 있다. 이 때, 전자파 흡수는 상부 유전체 기판(110)의 유전 손실(dielectric loss)에 기인할 수 있다.
상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이의 간격(d)에 따라 흡수 주파수는 변화될 수 있다. 일 예로서, 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이의 간격(d)과 흡수 주파수 사이의 관계는 하기 수학식으로 나타낼 수 있다.
Figure 112013018693285-pat00001
상기 수학식 1에서, f은 흡수 주파수이고, d는 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이의 간격이고, c는 빛의 속도이고, m은 정수를 나타낸다.
이와 같이, 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이의 간격(d)을 조절함으로서, 전자파 흡수체(200)는 하나의 주파수 대역에서의 흡수를 나타내거나 또는 서로 다른 주파수 예를 들어, 두 개의 주파수 대역에서의 흡수를 나타낼 수 있다. 따라서, 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이의 간격(d)를 조절함으로서 전자파 흡수체(200)은 원하는 주파수 대역의 전자파를 흡수할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 흡수체의 단위 셀을 도시한 사시도이다. 본 실시예에 따른 전자파 흡수체의 단위 셀은 후술하는 것을 제외하고는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 전자파 흡수체의 단위 셀과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 4을 참조하면, 상부 유전체 기판(110)의 상면 상에 폐쇄 고리 형상의 홀(121c)을 갖는 도전층(121, 121a, 121b)이 배치된다. 도전층(121)은 홀을 감싸는 부분(121b)과 홀에 의해 감싸지는 부분(121a)를 구비할 수 있다. 홀(121c)은 폐쇄 원 고리 형상(closed circular ring shape)을 가질 수 있고, 이에 따라 홀에 의해 감싸지는 부분(121a) 또한 원형일 수 있다.
여기서 단위 셀은 대칭적인 형상을 갖고 있으므로, 이러한 단위 셀들이 어레이인 전자파 흡수체는 입사되는 전자파의 입사각 또는 편광각에 대한 의존성이 크게 줄어들 수 있다.
홀(121c)의 일측방향 길이 즉 직경, 홀(121c)의 폭, 홀에 의해 감싸지는 부분(121a)의 일측방향 길이 즉 직경, 전자파 흡수체에서 단위 셀들(100)의 피치, 홀에 의해 감싸지는 부분(121a)을 포함한 상부 도전층(121)의 물질종류와 두께, 도전성 판(140)의 물질종류와 두께, 상부 유전체 기판의 물질종류와 두께, 및 상부 유전체 기판(110)의 하면과 도전성 판(140) 사이에 위치하는 유체의 종류는 전자파의 종류 및 흡수 주파수 대역을 고려하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 홀(121c)의 직경, 홀(121c)의 폭, 홀에 의해 감싸지는 부분(121a)의 직경, 전자파 흡수체에서 단위 셀들(100)의 피치는 수백 nm 내지 수백 ㎜의 값을 가질 수 있다. 이 경우, 수백 THz 내지 수백 MHz의 흡수 주파수를 나타낼 수 있다.
홀(121c)의 폭 및 홀에 의해 감싸지는 부분(121a)의 직경은 입사되는 전자파의 파장 이하로 설정될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예들에 의해 한정되는 것은 아니다.
실험예 1: 전자파 흡수체(폐쇄 직사각 고리 형상의 홀)
전자파 흡수체의 단위 셀은 다음과 같이 구성하였다. 상부 유전체 기판으로서 한 변의 길이가 10㎜인 정사각형의 FR-4 기판을 제공하였다. 상기 상부 유전체 기판의 두께는 1.1㎜, 유전상수(dielectric constant)는 4.2, 그리고 유전 손실 탄젠트(dielectric loss tangent)는 0.022이었다. 상부 유전체 기판의 상면 상에 도 1에 도시된 바와 같은 직사각 폐쇄 고리 형상의 홀을 갖는 도전층인 구리층이 배치되었다. 직사각 고리 형상의 홀의 바깥 사이즈는 3 내지 9 ㎟ 이고, 직사각 고리 형상의 안쪽 사이즈 즉 즉, 도전성 바의 사이즈는 0.5 내지 8 ㎟ 이었다. 도전층의 두께는 0.05㎜였다. 또한, 하부 유전체 기판으로서 한 변의 길이가 10㎜인 정사각형의 FR-4 기판을 제공하였다. 하부 유전체 기판의 상면 상에 이의 전체면을 덮는 두께 0.05㎜의 구리판 즉, 도전성 판을 배치하였다. 상기 상부 유전체 기판과 상기 하부 유전체 기판을 도 1에 도시된 바와 같이 배치하여 단위 셀을 구성하였다.
이러한 단위 셀을 평면 상에 가로로 18개 세로로 37개를 배열하여 전자파 흡수체를 구성하였다. 이 후, 상기 전자파 흡수체로 8 내지 12 GHz의 주파수 대역을 갖는 전자파를 수직으로 입사시킨 후, 주파수에 따른 흡수율을 측정하였다.
실험예 2: 전자파 흡수체(폐쇄 원 고리 형상의 홀)
폐쇄 원 고리 형상의 홀을 갖는 도전층을 상부 유전체 기판 상에 배치한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 구성을 갖는 전자파 흡수체 단위셀을 구성하였다. 원형 고리 형상의 홀의 바깥 직경은 7.2㎜이고, 홀의 폭은 0.5㎜로 일정하였다.
이러한 단위 셀을 평면 상에 가로로 18개 세로로 37개를 배열하여 전자파 흡수체를 구성하였다. 이 후, 상기 전자파 흡수체로 8 내지 12 GHz의 주파수 대역을 갖는 전자파를 수직으로 입사시킨 후, 주파수에 따른 흡수율을 측정하였다.
도 5a는 실험예 1을 통해 얻어진 전자파 흡수체의 여러 파라미터를 기초로 시뮬레이션을 수행하여 얻은 흡수 주파수와 흡수율을 보여주는 그래프이고, 도 5b는 상부 유전체 기판과 도전체 판 사이의 거리의 변화에 따른 흡수 주파수를 보여주는 그래프이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상부 유전체 기판과 도전성 판 사이의 거리(d)의 변화에 따라 주기적으로 흡수 주파수 대역이 변화하는 것을 알 수 있다(도 5b). d가 약 3㎜인 경우 약 10.164 GHz에서 단일 흡수 피크가 나타났으며, d가 약 14㎜인 경우 약 9.36GHz과 10.544GHz에서 두 개의 흡수 피크들이 나타났다. 이러한 흡수 피크들은 거의 1에 가까운 흡수율을 나타내었다(도 5a).
도 6은 실험예 1을 기초로 실제 제작한 전자파 흡수체를 촬영한 사진이다. 도 7a 및 도 7b는 시뮬레이션에 의한 흡수 주파수와 흡수율 그리고 실제 제작된 전자파 흡수체의 흡수 주파수와 흡수율을 보여주는 그래프들이다.
도 6, 도 7a, 및 도 7b를 참조하면, 실제 제작된 전자파 흡수체의 흡수 주파수와 흡수율은 시뮬레이션을 통한 흡수 주파수와 흡수율과 거의 비슷한 것을 알 수 있다. 특히, 상부 유전체 기판과 도전성 판 사이의 거리(d)가 약 3.1㎜인 경우 단일 흡수 피크의 프로파일이 거의 정확하게 일치한다. 다만, d가 약 13.1㎜인 경우 실제 제작한 전자파 흡수체와 시뮬레이션 모두에서 흡수 피크들은 그 갯수가 2개인 점이 동일하나, 흡수 피크의 프로파일이 정확하게 일치하지는 않는다. 이는 실제 제작한 전자파 흡수체의 경우 상부 유전 기판과 하부 유전 기판을 평행하게 유지하지 못한 것에 기인하는 것으로 생각된다.
도 8a 및 도 8b는 실험예 2에 따른 전자파 흡수체의 여러 파라미터를 기초로 시뮬레이션을 수행하여 얻은 흡수 주파수와 흡수율을 보여주는 그래프들이다.
도 8a를 참조하면, 상부 유전체 기판과 도전성 판 사이의 거리(d)의 변화에 따라 흡수 주파수 대역이 변화하는 것을 알 수 있다. d가 약 3㎜인 경우 단일 흡수 피크가 나타났으며, d가 약 14㎜인 경우 두 개의 흡수 피크들이 나타났다. 이러한 흡수 피크들은 거의 1에 가까운 흡수율을 나타내었다.
도 8b를 참조하면, 각 흡수 피크(d = 14㎜)는 편광각의 변화에 전혀 영향을 받지 않고 동일한 프로파일을 갖는 것으로 나타났다. 이로부터, 폐쇄 원 고리 형상의 홀을 갖는 도전층을 상부 유전체 기판 상에 배치한 경우, 전자파 흡수체의 입사각 및 편광각 의존성을 크게 줄일 수 있음을 알 수 있다.
100: 단위 셀 110: 상부 유전체 기판
120: 도전층 140: 도전성 판
130: 하부 유전체 기판 120c: 홀

Claims (12)

  1. 전자파 흡수체 단위 셀로서,
    유전체 기판;
    상기 유전체 기판의 상면 상에 배치되는 도전층; 및
    상기 유전체 기판의 하면에 이격하고, 상기 유전체 기판과 평행하며, 상기 유전체 기판과의 간격이 조절가능하게 배치된 도전성 판을 포함하고,
    상기 도전층은 직사각형의 폐쇄 고리 형상의 홀, 상기 홀을 감싸는 부분 및 상기 홀에 의해 감싸지는 부분을 포함하며,
    상기 폐쇄 고리 형상의 홀의 단변방향의 두 폭들(120c_w1, 120c_w2) 및 상기 도전성 바(120a)의 폭(120a_w)은 입사되는 전자파의 파장 이하로 설정되는 것인, 전자파 흡수체 단위 셀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 기판과 상기 도전성 판 사이에 공기가 위치하는 전자파 흡수체 단위 셀.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전층 및 상기 도전성 판은 플로팅된 전자파 흡수체 단위 셀.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 홀의 일측 방향 길이는 수백 nm 내지 수백 ㎜인 전자파 흡수체 단위 셀.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 홀은 폐쇄 직각 고리 형상을 갖는 전자파 흡수체 단위 셀.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 홀의 장변은 전기장의 방향과 평행한 방향으로 배치된 전자파 흡수체 단위 셀.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 기판은 상부 유전체 기판이고,
    상기 도전성 판 하부에 배치된 하부 유전체 기판을 더 포함하는 전자파 흡수체 단위 셀.
  10. 매트릭스 형태로 배열된 다수 개의 단위 셀들을 구비하는 전자파 흡수체에 있어서,
    상기 단위 셀은
    유전체 기판;
    상기 유전체 기판의 상면 상에 배치되는 도전층; 및
    상기 유전체 기판의 하면에 이격하고, 상기 유전체 기판과 평행하며, 상기 유전체 기판과의 간격이 조절가능하게 배치된 도전성 판을 포함하고,
    상기 도전층은 직사각형의 폐쇄 고리 형상의 홀, 상기 홀을 감싸는 부분 및 상기 홀에 의해 감싸지는 부분을 포함하고,
    상기 폐쇄 고리 형상의 홀의 단변방향의 두 폭들(120c_w1, 120c_w2) 및 상기 도전성 바(120a)의 폭(120a_w)은 입사되는 전자파의 파장 이하로 설정되는 것인, 전자파 흡수체.
  11. 전자파 흡수체 단위 셀로서,
    유전체 기판;
    상기 유전체 기판의 상면 상에 배치되는 도전층; 및
    상기 유전체 기판의 하면에 이격하고, 상기 유전체 기판과 평행하며, 상기 유전체 기판과의 간격이 조절가능하게 배치된 도전성 판을 포함하고,
    상기 도전층은 원형의 폐쇄 고리 형상의 홀, 상기 홀을 감싸는 부분 및 상기 홀에 의해 감싸지는 부분을 포함하고,
    상기 홀의 폭 및 상기 홀에 의해 감싸지는 부분의 직경은 입사되는 전자파의 파장 이하로 설정되는 것인,
    전자파 흡수체 단위 셀.
  12. 매트릭스 형태로 배열된 다수 개의 단위 셀들을 구비하는 전자파 흡수체에 있어서,
    상기 단위 셀은
    유전체 기판;
    상기 유전체 기판의 상면 상에 배치되는 도전층; 및
    상기 유전체 기판의 하면에 이격하고, 상기 유전체 기판과 평행하며, 상기 유전체 기판과의 간격이 조절가능하게 배치된 도전성 판을 포함하고,
    상기 도전층은 원형의 폐쇄 고리 형상의 홀, 상기 홀을 감싸는 부분 및 상기 홀에 의해 감싸지는 부분을 포함하고,
    상기 홀의 폭 및 상기 홀에 의해 감싸지는 부분의 직경은 입사되는 전자파의 파장 이하로 설정되는 것인, 전자파 흡수체.

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