KR101613578B1 - 전극 배열체 및 그 제조 방법 - Google Patents

전극 배열체 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전극 배열체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 배열체는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며 목표 부위의 표면과 접촉하는 하나 이상의 평면형 전극 및 상기 기판과 일정한 각도를 이루며 상기 평면형 전극 위로 기울어지도록 형성되며, 상기 평면형 전극과 서로 다른 높이에서 상기 목표 부위에 침습하는 하나 이상의 침습형 전극을 포함한다. 본 발명에 의하면, 생체 조직 내의 동일한 지점에 대하여 침습형 전극 및 비침습형 전극을 이용하여 깊이 방향으로 다른 높이에서 동시에 자극을 가하거나 생체 신호를 기록할 수 있는 장점이 있다.

Description

전극 배열체 및 그 제조 방법{ELECTRODE ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 전극 배열체의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 기존의 고분자 물질을 기반으로 하는 비침습형 전극에 추가공정을 더하여 비침습형 전극의 전극부와 동일 위치에 다른 높이 방향으로 하부에 침습형 전극이 형성되어 있는 구조로 비침습형 전극과 침습형 전극이 각각 하나 이상 형성 되어 있는 전극 배열체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
두뇌와 신경 등 인체에 이식되는 종래의 전극은 크게 침습형과 비침습형으로 나뉘며, 이는 전극이 이식되는 부위의 생체조직에 대한 전극의 침습 유무에 따라 구분된다. 일반적으로 침습형 전극은 바늘형태로 이루어지고 그 끝단에 금속 전극이 위치하며, 비침습형은 평평한 폴리머 계열의 지지체 위에 용도에 맞게 금속 패드가 패터닝되어 있다. 침습형 전극의 경우 생체조직을 뚫고 들어가 단일 신경세포에 대한 전기 자극을 가하거나 신호를 추출하는 것을 목표로 하기 때문에 그 영향 또는 관심 범위가 매우 좁다. 이와 반대로 비침습형 전극은 단일 신경세포를 목표로 하지 않으며, 전극이 위치한 표면 및 그 주위의 신경세포에 영향을 미치거나 관심을 갖는다.
비침습형 전극의 사용은 수많은 신경세포를 그룹화 또는 영역화하여 연구 또는 치료 목적으로 사용하기는 유리하나, 고유의 기능을 지니고 있는 단일 신경세포에 대한 접근이 어렵다. 반면에 침습형 전극의 사용은 그 형태로 인해 목표 신경세포에 대한 접근은 용이하나, 일정 부위의 전체적인 기능을 파악하기에 적합하지 않다. 따라서 인체에 대한 연구가 활성화됨에 따라, 신경세포의 그룹과 단일 신경세포 사이의 전기적 상호작용에 대하여 알아내기 위해서는 침습형과 비침습형의 두 가지 형태의 전극의 장점을 모두 가지는 전극 배열체가 요구된다.
본 발명은 생체 조직 내의 동일한 지점에 대하여 침습형 전극 및 비침습형 전극을 이용하여 자극을 가하거나 생체 신호를 기록할 수 있는 전극 배열체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 공정의 재연성이 높고 고수율로 제작 가능한 전극 배열체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 전극 배열체에 있어서, 기판, 상기 기판 상에 배치되며 목표 부위의 표면과 접촉하는 하나 이상의 평면형 전극 및 상기 기판과 일정한 각도를 이루며 상기 평면형 전극 위로 기울어지도록 형성되며, 상기 평면형 전극과 서로 다른 높이에서 상기 목표 부위에 침습하는 하나 이상의 침습형 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 전극 배열체 제조 방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 제1 전도층 및 제1 절연층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 제1 절연층의 일부분을 제거하여 평면형 전극을 형성하는 단계, 상기 평면형 전극 상에 반구체 형상의 포토레지스트를 적층하는 단계, 상기 기판 상에 제2 절연층 및 제2 전도층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 제2 절연층의 일부분 및 상기 제2 전도층의 일부분을 제거하는 단계, 상기 기판 상에 제3 절연층을 적층하는 단계 및 상기 제3 절연층의 일부분 및 상기 반구체 형상의 포토레지스트를 제거하여 침습형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 다른 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 생체 조직 내의 동일한 지점에 대하여 침습형 전극 및 비침습형 전극을 이용하여 깊이 방향으로 다른 높이에서 자극을 가하거나 생체 신호를 기록할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 각 전극의 기록과 자극 기능을 교차하여 사용할 경우 한 전극에서는 자극을 줌과 동시에 동일 지점이면서 다른 깊이에 위치하는 다른 전극에서 동시에 자극에 대한 현상을 측정할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 고분자물질을 기반으로 하는 비침습형 전극의 공정법에 약간의 추가공정 만으로 침습형 전극을 형성시킬 수 있기 때문에 침습형 전극 및 비침습형 전극의 배열체를 높은 공정 재연성과 고수율로 제작 가능한 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 의한 전극 배열체의 상면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 전극 배열체의 측면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 전극 배열체가 생체 조직 내에 삽입된 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 전극 배열체가 생체 조직에 침습될 때 표면형 전극 및 침습형 전극의 적용 범위를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 22는 본 발명에 의한 전극 배열체의 제조 과정을 나타내는 도면이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 배열체의 구성도이다.
도 24 내지 도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전극 배열체의 구성도이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
도 1은 본 발명에 의한 전극 배열체의 상면도를 나타내고, 도 2는 본 발명에 의한 전극 배열체의 측면도를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 전극 배열체는 기판(102) 상에 형성되는 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)으로 이루어진다. 침습형 전극(104)은 생체 조직에 직접 침습될 수 있도록 말단이 뾰족한 형상을 이룬다. 평면형 전극(106) 생체 조직 표면과 접촉할 수 있도록 평면 형상을 갖는다.
본 발명의 침습형 전극(104)은 기판(102)과 일정한 각도를 이루면서, 평면형 전극(106)의 위로 기울어지도록 형성된다. 본 발명의 일 실시예에서, 침습형 전극(104)의 말단부는 평면형 전극(106)의 표면을 기판(102)에 대하여 수직으로 연장하여 생성되는 공간 내에 존재하도록 형성될 수 있다. 또한 침습형 전극(104)은 생체 조직 내에 직접 침습하여 전극 배열체를 생체 조직 상에 고정시키는 역할도 수행한다.
도 1의 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)은 각각 외부로부터 전기 신호를 인가받고 그에 따라 생체 조직의 특정 부위에 적절한 자극을 가할 수 있다. 또한 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)은 가해진 자극에 의해 생체 조직의 특정 부위에서 나타나는 생체 신호를 검출하는 역할도 수행할 수 있다. 이에 따라 기판(102) 상에는 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)에 전기 신호를 가하거나 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)으로부터의 생체 신호를 검출하기 위한 급전부(미도시)가 형성될 수 있으며, 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)은 이 급전부와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 기판(102) 상에는 침습형 전극(104) 및 평면형 전극(106)의 세트가 하나 또는 그 이상의 개수로 배열될 수 있다. 또한 침습형 전극(104)이 다수 개 배열될 경우 각 침습형 전극(104)의 말단부가 향하는 방향은 서로 다를 수 있다.
도 3은 본 발명에 의한 전극 배열체가 생체 조직 내에 삽입된 상태를 나타내는 도면이다.
본 발명에 의한 전극 배열체는 도 3과 같이 자극을 가하고자 하는 생체 조직의 특정 부위, 예컨대 대뇌 피질(304)에 직접 침습되어 고정될 수 있다. 전극 배열체는 두개골(302)에 구멍을 낸 상태에서 대뇌 피질(304) 위로 직접 삽입되어 대뇌 피질(304)에 고정된다.
이 때 기판(102)은 전극 배열체가 생체 조직의 특정 부위와 잘 밀착될 수 있도록 플렉서블(flexible)한 소재, 예컨대 탄성 중합체(Elastomer)로 이루어질 수 있다. 이에 따라 기판(102)은 도 3과 같이 대뇌 피질(304)의 외형에 맞게 구부러질 수 있다. 또한 침습형 전극(104)은 생체 특정 부위에의 삽입 시 파손을 막거나 생체의 연동운동을 잘 견디기 위해서 고분자 물질(Polymer)로 이루어지는 것이 바람직하다. 침습형 전극(104)의 말단부에는 금속으로 이루어진 전극부가 노출되어 있으며, 평면형 전극(106)은 금속 재질로 이루어진다.
도 4는 본 발명에 의한 전극 배열체가 생체 조직에 침습될 때 표면형 전극 및 침습형 전극의 적용 범위를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 의한 전극 배열체는 도 4와 같이 생체 조직 상에 설치되는데, 이 때 평면형 전극(106)은 생체 조직의 표면(402)과 밀착되어 표면(402)에 전기 자극을 가하거나 표면(402)으로부터의 생체 신호를 검출한다. 그리고 침습형 전극(104)은 도 4와 같이 생체 조직에 직접 침습하여 전극 배열체를 생체 조직 상에 고정시킨다.
이 때 침습형 전극(104)은 기판(102)과 일정 각도를 이루면서 평면형 전극(106) 위로 기울어져 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 침습형 전극(104)의 말단부는 평면형 전극(106)의 표면을 기판(102)에 대하여 수직으로 연장하여 생성되는 공간 내에 존재할 수 있다. 예컨대 침습형 전극(104)의 말단부는 도 4와 같이 평면형 전극(106)과 접촉된 생체 조직의 표면 부위(402)과 수직으로 연결되는 지점(404)에 위치하게 된다. 이에 따라 침습형 전극(104)과 평면형 전극(106)은 생체 조직 상의 동일한 지점에 대하여 서로 다른 깊이에서 전기 자극을 가하거나, 가해진 자극에 따른 생체 신호(예컨대, ECoG Signal 또는 Action Potential)를 검출할 수 있다.
이하에서는 도 5 내지 도 22를 참조하여 본 발명에 의한 전극 배열체의 제조 과정에 대해 상세히 설명한다. 본 실시예에서는 절연층으로서 패럴린(Parylene)이, 전도층으로서 백금이나 금과 같은 금속이 각각 사용되나, 이는 단지 실시예일 뿐이며 다른 절연 물질 및 전도성 물질이 각각 절연층과 전도층을 구성하는 물질로 사용될 수 있다.
먼저 도 5와 같이 웨이퍼(10) 상에 패럴린 층(12), PDMS 층(polydimethylsiloxane)(14) 및 패럴린 층(16)을 순차적으로 적층한다. 그리고 나서 도 6과 같이 패럴린 층(16) 상에 금속으로 이루어진 제1 전도층(18)을 적층한다. 제1 전도층(18)은 백금이나 금과 같은 금속으로 이루어지는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 7과 같이 제1 전도층(18)의 일부만을 커버도록 제1 전도층(18) 상에 포토레지스트(20)를 적층한다. 이 때 포토레지스트(20)는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 제1 전도층(18) 상에 적층될 수 있다.
도 7과 같이 포토레지스트(20)를 적층한 후, 적층된 포토레지스트(20)를 마스크로 하여 제1 전도층(18)을 에칭(etching)한다. 그리고 나서 포토레지스트(20)를 제거하면 도 8과 같이 제1 전도층(22)이 형성된다.
다음으로, 도 9와 같이 제1 전도층(22) 및 노출된 패럴린 층(16)을 모두 커버하도록 패럴린 층(24)을 적층한다. 이하에서는 패럴린 층(24)을 제1 절연층으로 지칭한다.
다음으로, 도 10과 같이 제1 절연층 상에 포토레지스트(26)를 적층한다. 이 때 포토 레지스트(26)는 에칭 후 제1 전도층(22)의 일부가 각각 노출될 수 있도록 패터닝된다.
다음으로, 포토레지스트(26)를 마스크로 하여 제1 절연층(24)을 에칭하고 포토레지스트(26)를 제거하면 도 11과 같이 제1 전도층(22)의 일부 영역(28, 30)이 노출된다. 도 11에서 영역(30)은 평면형 전극에 해당하고, 영역(28)은 평면형 전극에 외부로부터의 신호를 인가하거나 평면형 전극으로부터의 신호를 외부로 전달하기 위한 급전부가 된다.
다음으로, 도 12와 같이 평면형 전극(30) 상에 포토레지스트(32)를 일정 두께로 적층한다. 그리고 나서, 적층된 포토레지스트(32)를 일정 온도로 가열하면 포토레지스트(32)는 도 13과 같이 반구체(hemisphere) 형태로 변형된다. 이와 같은 과정을 포토레지스트의 리플로우(reflow) 공정이라고 하며 위 공정의 조건(가열 위치, 온도 등)에 따라 침습형 전극의 높이나 길이가 결정된다.
다음으로, 도 14와 같이 반구체 형태의 포토레지스트 및 나머지 부분을 모두 커버하도록 패럴린 층(36) 및 제2 전도층(38)을 순차적으로 적층한다. 이하에서는 패럴린 층(36)을 제2 절연층으로 지칭한다. 그리고 나서 도 15와 같이 제2 전도층의 일부 영역(42, 44)이 노출되도록 포토레지스트(40)를 적층한다.
도 15의 포토레지스트(40)를 마스크로 하여 에칭이 수행되면 도 16과 같이 반구체 형태의 포토레지스트 상의 제2 절연층 일부(50) 및 급전부 상의 제2 절연층 일부(48)가 각각 노출된다. 이후 도 16과 같이 노출된 제2 절연층(48)의 일부를 커버하도록 포토레지스트(46)를 적층한다.
도 16과 같은 상태에서 다시 에칭이 수행되고 포토레지스트가 모두 제거되면, 도 17과 같이 패럴린 층(48) 및 패럴린 층(50)이 제거된 자리에 급전부(52) 및 포토레지스트의 일부 영역(54)이 노출된다.
다음으로, 도 18과 같이 기판 상의 모든 영역을 커버하도록 패럴린 층(56)을 적층하고, 도 19와 같이 패럴린 층의 일부 영역(60, 62)을 제외한 영역 상에 포토레지스트(58)를 적층한다. 이하에서는 패럴린 층(56, 60, 62)을 제3 절연층으로 지칭한다. 이후 포토레지스트(58)를 마스크로 하여 에칭이 수행되고 포토레지스트(58)가 제거되면 도 20과 같이 급전부(64), 제2 전도층의 일부(66), 반구체 형태의 포토레지스트 일부(68)가 각각 노출된다.
이후 포토레지스트(68)를 제거하면 도 21과 같이 기판에 대해 일정한 각도를 가지면서 기울어진 침습형 전극(70)이 형성된다. 여기서 침습형 전극(70)의 말단부에 노출된 제2 전도층의 일부(66)는 침습형 전극(70)의 전극부가 된다. 또한 반구체 형태의 포토레지스트 제거에 의해 노출되는 제2 전도층의 일부(72)는 평면형 전극이 된다. 도 21과 같이 평면형 전극(72)은 급전부(64)와 전기적으로 연결된다.
도 21에서 침습형 전극(70)의 뇌에 삽입 시 일어날 수 있는 좌굴(buckling)에 대한 안정성을 확보하기 위해 침습형 전극(70)의 상단에 기계적 강도가 우수한 고분자 물질을 적층할 수 있다.
마지막으로 웨이퍼(10)를 제거함으로써 도 22와 같이 본 발명에 의한 전극 배열체가 완성된다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 배열체의 구성도이다.
도 23에서 평면형 전극(238)은 전기적으로 연결된 제1 급전부(230)를 통해 외부 전원으로부터 전기 신호를 입력받거나 외부 장치로 생체 신호를 출력한다. 한편, 침습형 전극(236)의 말단부에는 전극부(234)가 노출되어 있다. 이 전극부(234)는 침습형 전극(236) 내부의 제2 전도층(232)의 일단에 해당하며, 제2 전도층(232)의 타단은 제1 급전부(230)가 아닌 다른 급전부(미도시)에 연결된다.
도 24 내지 도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전극 배열체의 구성도이다.
도 24에서 평면형 전극(252)은 전기적으로 연결된 제1 급전부(242)를 통해 외부 전원으로부터 전기 신호를 입력받거나 외부 장치로 생체 신호를 출력한다. 한편, 침습형 전극(250)의 말단부에 노출된 전극부(248)는 침습형 전극(250) 내부의 제2 전도층(246)의 일단에 해당한다. 도 24의 실시예에서는 제1 급전부(242) 보다 높은 위치에 금속 재질의 제2 급전부(240)이 형성되며, 제2 전도층(246)의 타단은 제2 급전부(240)와 전기적으로 연결된다. 이에 따라 침습형 전극(250)은 제2 급전부(240)를 통해 외부 전원으로부터 전기 신호를 입력받거나 외부 장치로 생체 신호를 출력한다.
도 25를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전극 배열체에서 침습형 전극의 몸체의 폭(a)은 말단부의 폭(b)보다 크다. 다시 말해서, 침습형 전극은 몸체부에서 말단부 쪽으로 폭이 좁아지도록 형성된다.
또한 도 25와 같이 침습형 전극의 말단부에 형성되는 전극부(c)는 50~1000㎛2의 면적을 가질 수 있고, 표면형 전극은 2000~10000㎛2의 면적을 가질 수 있다.
도 26을 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전극 배열체에서 표면형 전극(e)은 2000~10000㎛2의 면적을 가질 수 있다. 또한 침습형 전극 중 기판과 떨어져 있는 부분의 길이(f)는 150~1000㎛일 수 있고, 침습형 전극 내에 있는 제2 전도층의 폭(g)은 20~50㎛일 수 있다. 그리고 침습형 전극의 두께(h)는 15~20㎛로 형성될 수 있고, 기판의 두께(i)는 30~150㎛로 형성될 수 있다.
도 25 내지 26을 통해 기술된 각 영역의 수치는 하나의 예시로서, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
참고로 본 발명의 전극 배열체에서 기판의 두께가 얇을수록 생체 조직의 굴곡에 따라 전극 배열체가 잘 부착될 수 있다. 또한 침습형 전극의 길이는 측정하고자 하는 생체 조직 또는 대상에 따라 달라질 수 있으며, 침습형 전극의 두께는 소재의 강도와 측정하고자 하는 생체 조직 부위의 강도에 따라 달라질 수 있다. 침습형 전극은 패럴린-C(Parylene-C)나 폴리이미드(Polyimide)와 같은 소재로 제작될 수 있다.
본 발명에 따른 전극 배열체의 침습형 전극은 고분자 물질로 제작되어 생체 내에 삽입 시 부러지지 않기 때문에 보다 안전한 생체 치료 및 측정이 가능하다.
또한 본 발명에 따른 전극 배열체의 기판은 폴리머와 같은 플렉서블한 재료로 이루어지므로 생체 조직의 형상에 맞게 구부러질 수 있고 신축 가능한(stretchable) 성질을 가질 수 있다. 이러한 기판의 유연하고 신축 가능한 성질로 인해 본 발명의 전극 배열체는 특히 압력과 굴곡이 존재하는 인체 내부에서 사용하기 적합하다.
또한 본 발명에 따른 전극 배열체는 동일한 부위의 서로 다른 높이에 대하여 평면형 전극 및 침습형 전극으로 자극을 가하거나 생체 신호를 검출할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따른 전극 배열체는 포토리소그래피(Photolithography), 스퍼터링(sputtering), RIE(Reactive Ion Etching)과 같은 일반적인 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 기술만을 사용하여 제작될 수 있기 때문에 공정 과정의 재연성이 높고 고수율(high yield)로 전극을 대량 생산할 수 있다.
전술한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며 목표 부위의 표면과 접촉하는 하나 이상의 평면형 전극; 및
    상기 기판과 일정한 각도를 이루며 상기 평면형 전극 위로 기울어지도록 형성되며, 상기 평면형 전극과 서로 다른 높이에서 상기 목표 부위에 침습하는 하나 이상의 침습형 전극을 포함하고,
    상기 평면형 전극 및 상기 침습형 전극은
    상기 평면형 전극의 표면을 상기 기판에 대하여 수직으로 연장하여 생성되는 공간 내에 존재하는 동일한 지점에 대하여 서로 다른 깊이에서 전기 자극을 가하거나 생체 신호를 검출하는 전극 배열체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 침습형 전극의 말단부는
    상기 평면형 전극의 표면을 상기 기판에 대하여 수직으로 연장하여 생성되는 공간 내에 존재하는
    전극 배열체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판은
    플렉서블(flexible)한 소재로 이루어지는
    전극 배열체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 침습형 전극은
    전도성 고분자 물질(Polymer)로 이루어지는
    전극 배열체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 평면형 전극과 연결되는 제1 급전부; 및
    상기 침습형 전극과 연결되는 제2 급전부를
    더 포함하는 전극 배열체.
  6. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전도층 및 제1 절연층을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 제1 절연층의 일부분을 제거하여 평면형 전극을 형성하는 단계;
    상기 평면형 전극 상에 반구체 형상의 포토레지스트를 적층하는 단계;
    상기 기판 상에 제2 절연층 및 제2 전도층을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 제2 절연층의 일부분 및 상기 제2 전도층의 일부분을 제거하는 단계;
    상기 기판 상에 제3 절연층을 적층하는 단계; 및
    상기 제3 절연층의 일부분 및 상기 반구체 형상의 포토레지스트를 제거하여 침습형 전극을 형성하는 단계를
    포함하는 전극 배열체 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반구체 형상의 포토레지스트를 적층하는 단계는
    상기 평면형 전극 상에 특정한 높이로 포토레지스트를 적층하는 단계; 및
    특정한 높이로 적층된 상기 포토레지스트에 열을 가하는 단계를
    포함하는 전극 배열체 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 절연층의 다른 일부분을 제거하여 제1 급전부를 형성하는 단계를
    더 포함하는 전극 배열체 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 침습형 전극과 연결되는 제2 급전부를 형성하는 단계를
    더 포함하는 전극 배열체 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 침습형 전극을 형성하는 단계는
    상기 침습형 전극의 말단부에서 상기 제2 전도층의 일부를 노출시켜 전극부를 형성하는 단계를
    포함하는 전극 배열체 제조 방법.
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