KR101612122B1 - Mold for manufacturing shadow mask and method of manufacturing shadow mask using the same - Google Patents

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KR101612122B1 KR1020140082229A KR20140082229A KR101612122B1 KR 101612122 B1 KR101612122 B1 KR 101612122B1 KR 1020140082229 A KR1020140082229 A KR 1020140082229A KR 20140082229 A KR20140082229 A KR 20140082229A KR 101612122 B1 KR101612122 B1 KR 101612122B1
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Abstract

새도우 마스크 제조용 틀은 베이스층, 경사틀 및 절연패턴을 포함한다. 상기 베이스층은 도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는다. 상기 경사틀은 50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치된다. 상기 절연패턴은 무기절연물질을 포함하며, 상기 경사틀 상에 배치되고 상기 베이스층의 상면을 노출한다. 따라서 새도우 마스크를 용이하게 제조할 수 있다.The shadow mask manufacturing frame includes a base layer, a warping frame, and an insulating pattern. The base layer includes a conductive material and has a flat plate shape. The inclined frame includes an inclined surface having an inclination of 50 degrees or less and a process margin projecting from a top of the inclined surface in a direction perpendicular to an upper surface of the base layer and disposed on the base layer. The insulating pattern includes an inorganic insulating material and is disposed on the inclined frame and exposes an upper surface of the base layer. Therefore, the shadow mask can be easily manufactured.

Description

새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법{MOLD FOR MANUFACTURING SHADOW MASK AND METHOD OF MANUFACTURING SHADOW MASK USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a mold for manufacturing a shadow mask, and a method of manufacturing the shadow mask using the shadow mask.

본 발명은 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 경사패턴을 형성하는 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mold for manufacturing a shadow mask and a method of manufacturing a shadow mask using the mold. More particularly, the present invention relates to a mold for manufacturing a shadow mask, and a method of manufacturing a shadow mask using the mold.

기판 상에 반도체 소자를 형성하기 위해서 패턴을 전사하는 과정이 필요하다. 기판 상에 패턴을 전사하는 방법에는 포토공정, 포토레지스트공정 등의 다양한 방법이 사용된다.A process of transferring a pattern to form a semiconductor device on a substrate is required. Various methods such as a photolithography process and a photoresist process are used for transferring the pattern onto the substrate.

그러나 포토공정이나 포토레지스트공정은 노광기와 같은 고가의 설비가 요구되고 소모품인 광마스크가 지속적으로 소모된다. 또한 유기패턴과 같이 두꺼운 패턴을 형성하는 경우 현상공정이나 식각공정 중에 불량이 발생하기 쉽다.However, the photolithography process and the photoresist process require high-priced equipment such as an exposure apparatus, and a consumable photomask is continuously consumed. Further, when a thick pattern such as an organic pattern is formed, defects tend to occur during the development process or the etching process.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 증착되는 물질을 통과시키는 새도우 마스크가 개발되었다. 새도우 마스크의 측면이 수직인 경우 증착되는 물질이 새도우 마스크의 측면과 간섭하여 정확한 패턴형성이 어렵다. 따라서 새도우 마스크의 측면이 경사져야 정확한 패턴형성이 가능하다.In order to solve the above-mentioned problems, a shadow mask for passing the deposited material has been developed. When the side surface of the shadow mask is vertical, the deposited material interferes with the side surface of the shadow mask, making it difficult to form a precise pattern. Therefore, the side surface of the shadow mask must be inclined so that accurate pattern formation is possible.

그러나 새도우 마스크의 경사진 패턴은 기술적으로 구현하기가 매우 어렵다. 종래기술에서는 새도우 마스크에 경사진 패턴을 형성하기 위하여 노광장치를 기울인 상태에서 수차례의 노광작업을 반복하는 방식을 사용한다.However, the oblique pattern of the shadow mask is technically difficult to implement. In the prior art, a method of repeating exposure operations several times while tilting the exposure apparatus is used to form an inclined pattern in the shadow mask.

그러나 반복되는 노광작업 중에 얼라인(Align) 오차가 발생하면 완성된 새도우 마스크에 불량이 발생한다. 또한 상기 방법을 사용하더라도 경사면의 각도가 50도 이하인 새도우 마스크는 제조할 수 없는 문제가 있다. 더욱이 새도우 마스크 자체의 제조과정 중에 디자인 마진이 매우 적어서 정밀도가 조금만 낮아져도 불량률이 급격히 증가한다.However, if an alignment error occurs during repeated exposure, defects may occur in the completed shadow mask. Also, even if the above method is used, there is a problem that a shadow mask having an inclined plane angle of 50 degrees or less can not be manufactured. Furthermore, since the design margin is very small during the manufacturing process of the shadow mask itself, the defect rate sharply increases even if the precision is slightly lowered.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 경사패턴을 형성하는 새도우 마스크 제조용 틀에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a mold for manufacturing a shadow mask which forms an inclined pattern.

본 발명의 다른 목적은 상기 틀을 이용한 새도우 마스크의 제조방법에 관한 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a shadow mask using the frame.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀은 베이스층, 경사틀 및 절연패턴을 포함한다. 상기 베이스층은 도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는다. 상기 경사틀은 50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치된다. 상기 절연패턴은 무기절연물질을 포함하며, 상기 경사틀 상에 배치되고 상기 베이스층의 상면을 노출한다.According to an embodiment of the present invention, a shadow mask manufacturing frame includes a base layer, a warping frame, and an insulating pattern. The base layer includes a conductive material and has a flat plate shape. The inclined frame includes an inclined surface having an inclination of 50 degrees or less and a process margin projecting from a top of the inclined surface in a direction perpendicular to an upper surface of the base layer and disposed on the base layer. The insulating pattern includes an inorganic insulating material and is disposed on the inclined frame and exposes an upper surface of the base layer.

일 실시예에서, 상기 베이스층과 상기 경사틀은 동일한 물질을 포함하며, 일체로 형성될 수 있다.In one embodiment, the base layer and the tilt frame comprise the same material and may be integrally formed.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀은 베이스층 및 경사틀을 포함한다. 상기 베이스층은 도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는다. 상기 경사틀은 50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치되며 전기적으로 절연된다. 상기 베이스층과 상기 경사틀은 서로 탈착가능하다.According to an embodiment of the present invention, a shadow mask manufacturing frame includes a base layer and a warping frame. The base layer includes a conductive material and has a flat plate shape. The inclined frame includes a slope having a slope of 50 degrees or less and a process margin projecting from a top of the slope in a direction perpendicular to the top surface of the base layer, and disposed on the base layer and electrically insulated. The base layer and the inclined frame are detachable from each other.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 새도우 마스크의 제조방법에 있어서, 먼저, 금속판을 가공하여 평판형상을 갖는 베이스층과, 50도 이하의 경사를 갖는 경사면 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치되는 경사틀을 형성한다. 이어서, 상기 경사틀 상에 무기절연물질을 증착하여 절연층을 형성한다. 이후에, 상기 절연층을 패턴하여 상기 경사틀 상에 배치되고 상기 베이스층의 상면을 노출하는 절연패턴을 형성한다. 계속해서, 상기 베이스층을 전극으로 이용하여 상기 절연패턴에 의해 노출되는 상기 베이스층의 상면에 금속을 도금하여 인접하는 상기 경사틀 사이에 새도우 마스크를 생성한다. 이어서, 상기 경사틀로부터 상기 새도우 마스크를 분리한다.In the method of manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention for realizing the object of the present invention, first, a metal plate is processed to form a base layer having a flat plate shape, a slope having a slope of 50 degrees or less, And a process margin projecting in a direction perpendicular to the upper surface of the base layer from the base layer. Then, an inorganic insulating material is deposited on the inclined frame to form an insulating layer. Thereafter, the insulating layer is patterned to form an insulating pattern which is disposed on the inclined frame and exposes an upper surface of the base layer. Subsequently, a metal is plated on the upper surface of the base layer exposed by the insulation pattern using the base layer as an electrode, thereby creating a shadow mask between adjacent inclined plates. Then, the shadow mask is separated from the inclined frame.

일 실시예에서, 상기 절연패턴을 형성하는 단계는, 상기 절연층 상에 상기 경사틀을 커버하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 절연층 중 노출된 부분을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 스트리핑하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, the step of forming the insulating pattern includes: forming a photoresist pattern covering the inclined frame on the insulating layer; Etching the exposed portion of the insulating layer using the photoresist pattern as an etch mask; And stripping the photoresist pattern.

일 실시예에서, 상기 절연층을 형성하는 단계 이전에, 인접하는 상기 경사틀 사이에 희생물질을 적하하여 상기 베이스층 상에 희생패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 경사틀 및 상기 희생패턴 상에 상기 무기절연물질을 증착하는 단계를 포함하며, 상기 절연패턴을 형성하는 단계는, 상기 희생패턴 및 상기 희생패턴 상에 배치된 상기 절연층의 일부를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, further comprising the step of forming a sacrificial pattern on the base layer by dripping a sacrificial material between the adjacent slopes before forming the insulating layer, Depositing the inorganic insulating material on the warping frame and the sacrificial pattern, and the step of forming the insulating pattern includes removing the sacrificial pattern and a part of the insulating layer disposed on the sacrificial pattern .

일 실시예에서, 상기 절연패턴을 형성하는 단계는 상기 베이스층 상에 배치된 상기 절연층의 일부를 물리적으로 깎아내는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, the step of forming the insulating pattern may comprise physically shaving off a portion of the insulating layer disposed on the base layer.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 새도우 마스크의 제조방법에 있어서, 먼저, 절연물질을 이용하여 되는 50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 돌출되는 공정마진을 포함하는 경사틀을 형성한다. 이어서, 상기 경사틀을 도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는 베이스층 상에 배치한다. 이후에, 상기 베이스층을 전극으로 이용하여 금속을 도금하여 인접하는 상기 경사틀들 사이에 새도우 마스크를 생성한다. 계속해서, 상기 새도우 마스크를 상기 경사틀로부터 분리한다.In the method of manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention for realizing the object of the present invention, first, an inclined surface having an inclination of 50 degrees or less using an insulating material, and a process margin projected from the top of the inclined surface To form an inclined frame. Then, the inclined frame is placed on the base layer having a flat shape including the conductive material. Thereafter, metal is plated by using the base layer as an electrode to create a shadow mask between adjacent tilt frames. Subsequently, the shadow mask is separated from the inclined frame.

일 실시예에서, 상기 새도우 마스크를 상기 경사틀로부터 분리하는 단계는, 상기 새도우 마스크와 상기 경사틀을 상기 베이스층으로부터 1차분리하는 단계; 및 상기 경사틀로부터 상기 새도우 마스크를 2차분리하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment, separating the shadow mask from the tilt frame includes: first separating the shadow mask and the tilt frame from the base layer; And secondarily separating the shadow mask from the inclined frame.

이와 같은 새도우 마스크 제조용 틀 및 상기 틀을 이용한 새도우 마스크의 제조방법에 따르면, 50도 이하의 경사를 갖는 새도우 마스크를 용이하게 제조할 수 있다. According to the shadow mask manufacturing frame and the method for manufacturing a shadow mask using the frame, a shadow mask having a tilt of 50 degrees or less can be easily manufactured.

더욱이, 베이스층과 경사틀이 분리가능한 형태로 제작되어, 제조공정이 단순해진다. 또한, 분리가능한 경사틀을 이용하여 제조된 새도우 마스크를 베이스층으로부터 용이하게 이탈시킬 수 있다. 더욱이, 자석을 이용하여 새도우 마스크를 표시장치용 기판에 탈착시킬 수 있어서, 제조공정이 편리해진다.Furthermore, the base layer and the warp frame can be manufactured in a detachable form, simplifying the manufacturing process. In addition, the shadow mask manufactured using the separable inclined frame can be easily detached from the base layer. Furthermore, the shadow mask can be detached from the substrate for a display device by using the magnet, so that the manufacturing process becomes convenient.

또한, 포토레지스트 공정을 이용하지 않고도 절연패턴을 용이하게 형성하여 제조비용이 절감된다.In addition, the manufacturing cost can be reduced by easily forming the insulating pattern without using the photoresist process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 단면도이다.
도 3 내지 도 10은 도 1에 도시된 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀을 나타내는 단면도이다.
도 12 내지 도 14는 도 11에 도시된 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 15 내지 도 17은 도 11 내지 도 14의 방법에 따라 제조된 새도우 마스크를 이용하여 유기물패턴을 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 18 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 22 내지 도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
10 : 표시장치용 기판 20 : 자석
30 : 유기물질 31 : 유기패턴
110, 210, 310 : 베이스 층
120, 220, 320 : 경사틀 122, 222, 322 : 경사면
124, 224, 324 : 공정마진 130, 330 : 절연패턴
131 : 절연층 140 : 식각저지층
141 : 식각저지패턴 150, 250 : 새도우 마스크
335 : 희생패턴 336 : 희생물질
401 : 보링
1 is a cross-sectional view illustrating a mold for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view of part A of Fig.
FIGS. 3 to 10 are cross-sectional views illustrating a mold for manufacturing a shadow mask shown in FIG. 1 and a shadow mask manufacturing method using the same.
11 is a cross-sectional view illustrating a mold for manufacturing a shadow mask according to another embodiment of the present invention.
12 to 14 are cross-sectional views illustrating a mold for manufacturing a shadow mask shown in FIG. 11 and a method of manufacturing a shadow mask using the same.
FIGS. 15 to 17 are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic material pattern using a shadow mask manufactured according to the method of FIGS. 11 to 14. FIGS.
18 to 21 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a mold for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
22 to 25 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a mold for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention.
10: substrate for display device 20: magnet
30: Organic material 31: Organic pattern
110, 210, 310: Base layer
120, 220, 320: an inclined frame 122, 222, 322:
124, 224, 324: process margin 130, 330: insulation pattern
131: insulating layer 140: etch stop layer
141: etch stop pattern 150, 250: shadow mask
335: Sacrificial pattern 336: Sacrificial material
401: Boring

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a mold for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 새도우 마스크 제조용 틀은 베이스층(110), 경사틀(120) 및 절연패턴(130)을 포함한다. 새도우 마스크 제조용 틀은 금속, 플라스틱, 세라믹 등 강성이 있는 재질을 포함한다. 본 실시예에서 새도우 마스크 제조용 틀은 녹는점이 높고 녹이 슬지 않는 금속을 포함한다. 예를 들어, 새도우 마스크 제조용 틀은 철, 크롬, 몰리브덴, 니켈, 텅스텐, 망간, 스테인레스 등의 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a mold for manufacturing a shadow mask includes a base layer 110, a warp 120, and an insulating pattern 130. Shadow mask manufacturing molds include rigid materials such as metals, plastics, and ceramics. In this embodiment, the mold for manufacturing a shadow mask includes a metal having a high melting point and a non-rusting property. For example, the mold for manufacturing a shadow mask may include a metal such as iron, chromium, molybdenum, nickel, tungsten, manganese, stainless steel, or an alloy thereof.

베이스층(110)은 새도우 마스크 제조용 틀의 하부를 구성하며 전면(全面)을 커버한다. 본 실시예에서 베이스층(110)은 평평한 면을 갖는 평판형상을 갖는다.The base layer 110 constitutes the lower part of the frame for manufacturing the shadow mask and covers the entire surface. In this embodiment, the base layer 110 has a flat plate shape having a flat surface.

도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of part A of Fig.

도 1 및 도 2를 참조하면, 경사틀(120)은 경사면(122) 및 공정마진(124)을 포함한다. 본 실시예에서, 경사틀(120)은 베이스층(110)과 동일한 물질을 포함한다. 경사면(122)은 베이스층(110) 상에 배치되고, 베이스층(110)으로부터 경사진 방향으로 돌출된다. 예를 들어, 경사면(122)은 베이스층(110)의 상면을 기준으로 50도 이하의 각도로 기울어진다.Referring to FIGS. 1 and 2, the tilt frame 120 includes an inclined surface 122 and a process margin 124. In this embodiment, the warp mold 120 includes the same material as the base layer 110. [ The inclined surface 122 is disposed on the base layer 110 and protrudes from the base layer 110 in an oblique direction. For example, the inclined surface 122 is inclined at an angle of 50 degrees or less with respect to the upper surface of the base layer 110. [

경사면(122)이 50도 이하의 각도로 기울어지는 경우, 새도우 마스크 제조용 틀을 이용하여 제조된 새도우 마스크(도 10의 150)의 측면에 50도 이하의 각도를 갖는 경사면이 형성된다.When the inclined surface 122 is inclined at an angle of 50 degrees or less, an inclined surface having an angle of 50 degrees or less is formed on the side surface of the shadow mask 150 (FIG. 10) manufactured using the shadow mask manufacturing frame.

새도우 마스크의 측면이 경사면이 아니라 수직방향에 가까운 경우, 증착과정에서 증착되는 물질이 새도우 마스크의 측면과 충돌하는 현상이 발생한다. 증착되는 물질이 새도우 마스크의 측면과 충돌하면, 증착되는 물질이 새도우 마스크의 측면과 간섭현상을 일으켜서 상기 측면으로부터 소정거리 이격되어 증착된다. 따라서, 증착된 패턴의 가장자리에 불량이 발생하여 정확한 패턴형성이 어렵게 된다.When the side surface of the shadow mask is close to the vertical direction rather than the inclined surface, the material deposited during the deposition process collides with the side surface of the shadow mask. When the deposited material collides with the side surface of the shadow mask, the deposited material is deposited at a predetermined distance from the side surface by causing interference with the side surface of the shadow mask. Therefore, defects are generated at the edges of the deposited pattern, which makes it difficult to form an accurate pattern.

그러나, 본 발명의 실시예에서와 같이, 새도우 마스크(도 10의 150)의 측면에 50도 이하의 각도를 갖는 경사면이 형성되면, 증착되는 물질이 새도우 마스크(도 10의 150)의 측면에 충돌하더라도 충돌이후 패턴(도시되지 않음) 형성에 관여하지 않는다. 즉, 새도우 마스크(도 10의 150)의 측면이 50도 이하의 각도로 경사지기 때문에, 증착과정에서 상기 측면에 충돌한 물질은 다시 상부쪽으로 튕겨져나가서 패턴(도시되지 않음)으로 이동하지 않는다. 따라서 새도우 마스크(도 10의 150)의 하부경계면을 따라서 정확한 디자인의 패턴이 형성될 수 있다.However, as in the embodiment of the present invention, when an inclined surface having an angle of 50 degrees or less is formed on the side surface of the shadow mask (150 in Fig. 10), the material to be deposited collides with the side surface of the shadow mask (Not shown) after the collision. That is, since the side surface of the shadow mask (150 in FIG. 10) is inclined at an angle of 50 degrees or less, the material colliding with the side surface in the deposition process is repelled upward and does not move to a pattern (not shown). Accordingly, an accurate design pattern can be formed along the lower boundary surface of the shadow mask (150 in Fig. 10).

공정마진(124)은 경사면(122)의 상부로부터 돌출된다. 본 실시예에서 공정마진(124)은 베이스층(110)의 상면에 수직한 방향으로 돌출된다. 다른 실시예에서, 공정마진(124)은 베이스층(110)의 상면으로부터 경사틀(120)의 중심선 쪽으로 기울어질 수도 있다.The process margin 124 protrudes from the top of the inclined surface 122. In this embodiment, the process margin 124 is projected in a direction perpendicular to the upper surface of the base layer 110. [ In another embodiment, the process margin 124 may be tilted from the top surface of the base layer 110 toward the centerline of the ramp 120.

경사틀(120)이 공정마진(124)을 포함하지 않는 경우, 새도우 마스크(도 9의 150)를 형성하는 과정에서 도금된 금속이 경사면(122)의 상부로 흘러넘칠 수 있다. 도금된 금속이 경사면(122)의 상부로 흘러넘치면 새도우 마스크(도 9의 150)의 개구부가 차단되어 불량이 발생할 수 있다.When the inclined frame 120 does not include the process margin 124, the plated metal may flow over the upper surface of the inclined surface 122 in the process of forming the shadow mask (150 in FIG. 9). When the plated metal overflows to the upper part of the inclined surface 122, the opening of the shadow mask (150 in FIG. 9) may be blocked and a failure may occur.

그러나, 본 발명의 실시예에서와 같이, 경사틀(120)을 이용하여 새도우 마스크(도 9의 150)를 생성하는 경우, 적정시간을 초과하여 생성된 금속부분은 경사틀(120)의 공정마진(124)에 의해 새도우 마스크(도 9의 150)의 상부에만 형성되고 인접하는 새도우 마스크(도 9의 150) 사이의 공간에는 생성되지 않는다. 즉, 새도우 마스크(도 9의 150)를 형성하는 과정에서 도금된 금속의 양이 경사면(122)의 상부까지 채우고도 남는 경우, 상기 경사면(122)의 상부까지 채우고도 남는 양은 공정마진(124)에 의해 차단된다. 따라서 도금된 금속의 양이 정확하지 않더라도, 정확한 치수를 갖는 새도우 마스크(도 9의 150)를 생성할 수 있다.However, as in the embodiment of the present invention, when the shadow mask 120 (150 in FIG. 9) is generated by using the warp frame 120, the metal portion generated over the proper time is used as the process margin of the warp frame 120 (150 in Fig. 9) and is not formed in the space between the adjacent shadow masks (150 in Fig. 9). That is, when the amount of the plated metal is filled up to the upper part of the inclined surface 122 in the process of forming the shadow mask (150 in FIG. 9) . Therefore, even if the amount of plated metal is not correct, a shadow mask (150 in Fig. 9) having an accurate dimension can be produced.

절연패턴(130)은 경사틀(120) 상에 배치되어 새도우 마스크(도 9의 150)가 베이스층(110) 상으로부터 생성되되 인접하는 경사틀들(120) 사이에서만 형성되도록 한다. 본 실시예에서, 새도우 마스크(도 9의 150)는 인접하는 경사면들(122) 사이에 노출된 베이스층(110)의 상면으로부터 성장하여 형성된다.The insulating pattern 130 is disposed on the warper 120 so that a shadow mask 150 of FIG. 9 is formed only on the base layer 110 but only between adjacent warper frames 120. In this embodiment, the shadow mask (150 in FIG. 9) is formed by growing from the upper surface of the base layer 110 exposed between the adjacent inclined surfaces 122.

절연패턴(130)이 일부 또는 전부 생략되어 새도우 마스크(도 9의 150)가 경사틀(120) 상으로부터도 생성되는 경우, 새도우 마스크(도 9의 150)의 형상이 불규칙해질 수 있다.The shape of the shadow mask (150 in FIG. 9) may become irregular when the insulating pattern 130 is partially or entirely omitted, so that the shadow mask (150 in FIG. 9) is also generated from the inclined frame 120.

그러나 본 실시예에서와 같이, 경사틀(120) 상에 절연패턴(130)이 배치되면, 새도우 마스크(도 9의 150)가 인접하는 절연패턴들(130) 사이에서 형성된다. 새도우 마스크(도 9의 150)가 인접하는 절연패턴들(130) 사이에서 형성되는 경우, 새도우 마스크(도 9의 150)는 노출된 배이스층(110)의 상부로부터 균일한 높이로 형성된다.However, as in the present embodiment, when the insulating pattern 130 is disposed on the inclined frame 120, a shadow mask (150 in FIG. 9) is formed between the adjacent insulating patterns 130. 9) is formed between the adjacent insulating patterns 130, the shadow mask (150 in Fig. 9) is formed at a uniform height from the top of the exposed busi- ness layer 110. In this case,

도 3 내지 도 10은 도 1에 도시된 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법을 나타내는 단면도들이다.FIGS. 3 to 10 are cross-sectional views illustrating a mold for manufacturing a shadow mask shown in FIG. 1 and a shadow mask manufacturing method using the same.

도 3은 금속판 상에 경사틀을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a step of forming an inclined frame on a metal plate.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 금속판(도시되지 않음)을 가공하여 베이스층(110) 및 경사틀(120)을 형성한다. 본 실시예에서 나노기계가공장치를 이용하여 금속판(도시되지 않음) 상에 홈을 파서 경사틀(120)을 형성한다. 다른 실시예에서, 도 3에 도시된 베이스층(110) 및 경사틀(120)과 반대형상을 갖는 마스터틀(도시되지 않음)을 형성한 후에, 상기 마스터틀을 이용하여 베이스층(110) 및 경사틀(120)을 형성할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 주물을 이용하여 베이스층(110) 및 경사틀(120)을 형성할 수도 있다.1 to 3, a metal plate (not shown) is processed to form a base layer 110 and a warp 120. [ In this embodiment, a groove 120 is formed on a metal plate (not shown) by using a nano-machining apparatus. In another embodiment, after forming a master frame (not shown) having an opposite shape to the base layer 110 and the warping frame 120 shown in FIG. 3, the base layer 110 and The inclined frame 120 may be formed. In another embodiment, the casting may be used to form the base layer 110 and the warp mold 120.

도 4는 도 3에 도시된 베이스층 및 경사틀 상에 절연층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a step of forming an insulating layer on the base layer and the slanting mold shown in FIG.

도 1, 2 및 4를 참조하면, 베이스층(110) 및 경사틀(120) 상에 절연층(131)을 형성한다. 본 실시예에서 베이스층(110) 및 경사틀(120) 상에 산화실리콘, 질화실리콘 등의 절연물질을 증착하여 절연층(131)을 형성한다. 예를 들어, 화학기상증착, 물리기상증착, 원자층증착, 등 다양한 방법이 사용될 수 있다.Referring to FIGS. 1, 2 and 4, an insulating layer 131 is formed on the base layer 110 and the warp 120. In this embodiment, the insulating layer 131 is formed by depositing an insulating material such as silicon oxide or silicon nitride on the base layer 110 and the warping frame 120. For example, various methods such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, atomic layer deposition, and the like can be used.

도 5는 도 4에 도시된 절연층 상에 식각저지층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a step of forming an etch stop layer on the insulating layer shown in FIG.

도 1, 2 및 5를 참조하면, 절연층(131) 상에 식각저지층(140)을 형성한다. 본 실시예에서 절연층(131) 상에 포토레지스트를 도포하여 식각저지층(140)을 형성한다. 식각저지층(140)의 상면은 베이스층(110)과 평행할 수 있다.Referring to FIGS. 1, 2 and 5, an etch stop layer 140 is formed on the insulating layer 131. In this embodiment, a photoresist is applied on the insulating layer 131 to form an etch stop layer 140. The upper surface of the etch stop layer 140 may be parallel to the base layer 110.

도 6은 도 5에 도시된 식각저지층을 패턴하여 식각저지패턴을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a step of patterning the etch stop layer shown in FIG. 5 to form an etch stop pattern.

도 1, 2 및 6을 참조하면, 식각저지층(140) 중 경사틀(120)을 제외한 나머지 부분을 노광하고 현상하여 식각저지패턴(141)을 형성한다. 인접하는 식각저지패턴들(141) 사이로 절연층(131)의 일부가 노출된다. 본 실시예에서, 절연층(131) 중에서 경사틀(120) 상에 배치되는 부분은 식각저지패턴(141)에 의해 커버되고, 베이스층(110) 상에 배치되는 부분은 인접하는 식각저지패턴들(141) 사이로 노출된다.Referring to FIGS. 1, 2 and 6, an etching stopper pattern 140 is formed by exposing and developing the remaining portions of the etching stopper layer 140 except for the inclined frame 120. A part of the insulating layer 131 is exposed between the adjacent etching stop patterns 141. In this embodiment, a portion of the insulating layer 131 disposed on the warp 120 is covered by the etching stopper pattern 141, and a portion of the insulating layer 131 disposed on the base layer 110 is covered with adjacent etching stopper patterns (Not shown).

도 7은 도 6에 도시된 식각저지패턴을 이용하여 절연패턴을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a step of forming an insulating pattern using the etch stopping pattern shown in FIG.

도 1, 2 및 7을 참조하면, 식각저지패턴(141)을 식각마스크로 이용하여 절연층(도 6의 131) 중 노출된 부분을 식각하여 절연패턴(130)을 형성한다. 예를 들어, 습식 식각, 건식 식각 등을 이용할 수 있다. 절연패턴(130)은 경사틀(120) 상에만 배치된다. 본 실시예에서, 절연패턴(130)의 가장자리는 경사틀(120)과 베이스층(110) 사이의 경계면에 대응된다.Referring to FIGS. 1, 2 and 7, an insulating pattern 130 is formed by etching the exposed portions of the insulating layer 131 (FIG. 6) using the etching stopper pattern 141 as an etching mask. For example, wet etching, dry etching, or the like can be used. The insulating pattern 130 is disposed only on the inclined frame 120. In this embodiment, the edge of the insulating pattern 130 corresponds to the interface between the inclined frame 120 and the base layer 110.

도 8은 도 7에 도시된 식각저지패턴을 제거하여 새도우 마스크 제조용 틀을 완성하는 단계를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a step of removing the etch stopping pattern shown in FIG. 7 to complete a mold for manufacturing a shadow mask.

도 1, 2 및 8을 참조하면, 절연패턴(131) 상에 배치된 식각저지패턴(141)을 제거하여 새도우 마스크 제조용 틀이 완성된다.1, 2, and 8, the etch stopping pattern 141 disposed on the insulating pattern 131 is removed to complete a mold for manufacturing a shadow mask.

도 9는 도 8에 도시된 새도우 마스크 제조용 틀을 이용하여 새도우 마스크를 제작하는 단계를 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a step of fabricating a shadow mask using the shadow mask manufacturing frame shown in FIG.

도 1, 2 및 9를 참조하면, 새도우 마스크 제조용 틀을 전극으로 이용하여 절연패턴들(131) 사이에 노출된 베이스층(110) 상에 금속을 전기도금하여 새도우 마스크(150)를 형성한다. 예를 들어, 새도우 마스크 제조용 틀을 금속이온을 포함하는 용액 내에 침지시킨 후에, 베이스층(110)에 전기를 인가할 수 있다. 베이스층(110)에 전기가 인가되면, 상기 용액 내의 금속이온들이 베이스층(110)의 노출된 상면에 도금된다. 도금시간을 조절하면, 베이스층(110) 상에 형성되는 새도우 마스크(150)의 크기가 조절된다.Referring to FIGS. 1, 2 and 9, a shadow mask 150 is formed by electroplating metal on a base layer 110 exposed between insulating patterns 131 using a frame for shadow mask fabrication as an electrode. For example, after the shadow mask manufacturing mold is immersed in a solution containing metal ions, electricity can be applied to the base layer 110. [ When electricity is applied to the base layer 110, the metal ions in the solution are plated on the exposed upper surface of the base layer 110. When the plating time is adjusted, the size of the shadow mask 150 formed on the base layer 110 is adjusted.

도 10은 도 9에 도시된 새도우 마스크를 분리시키는 단계를 나타내는 단면도이다.10 is a sectional view showing the step of separating the shadow mask shown in FIG.

도 1, 2 및 10을 참조하면, 완성된 새도우 마스크(150)를 새도우 마스크 제조용 틀로부터 이탈시킨다. 예를 들어, 물리적으로 새도우 마스크(150)를 새도우 마스크 제조용 틀로부터 분리시킬 수 있다. 다른 실시예로서, 자석(도시되지 않음), 점착테이프(도시되지 않음) 등에 새도우 마스크(150)를 부착시킨 후에, 자석 등에 부착된 새도우 마스크(150)를 새도우 마스크 제조용 틀로부터 이탈시킬 수도 있다.1, 2, and 10, the completed shadow mask 150 is detached from the shadow mask manufacturing frame. For example, the shadow mask 150 may be physically separated from the shadow mask manufacturing frame. Alternatively, after the shadow mask 150 is attached to a magnet (not shown), an adhesive tape (not shown), or the like, the shadow mask 150 attached to a magnet or the like may be detached from the shadow mask manufacturing frame.

상기와 같은 본 실시예에 따르면, 용이하게 경사면을 갖는 새도우 마스크를 생성할 수 있다.According to the present embodiment as described above, it is possible to easily create a shadow mask having an inclined surface.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 베이스층 및 절연패턴을 제외한 나머지 구성요소들은 도 1에 도시된 실시예와 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.11 is a cross-sectional view illustrating a mold for manufacturing a shadow mask according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the remaining components except for the base layer and the insulation pattern are the same as those in the embodiment shown in FIG. 1, so duplicate descriptions are omitted.

도 11을 참조하면, 새도우 마스크 제조용 틀은 베이스층(210) 및 경사틀(220)을 포함한다. 본 실시예에서, 베이스층(210)은 경사틀(220)과 다른 물질을 포함한다. 예를 들어, 베이스층(210)은 전기가 통하는 도전성 물질을 포함하고, 경사틀(220)은 절연물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 베이스층(210)은 금속을 포함하고, 경사틀(220)은 금속, 금속산화물, 플라스틱, 세라믹 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, a frame for manufacturing a shadow mask includes a base layer 210 and a warp frame 220. In this embodiment, the base layer 210 comprises a material different from the warp mold 220. For example, the base layer 210 may comprise electrically conductive material, and the bevel 220 may comprise an insulating material. In this embodiment, the base layer 210 includes a metal, and the warp mold 220 may include a metal, a metal oxide, a plastic, a ceramic, or the like.

새도우 마스크 제조용 틀을 이용하여 새도우 마스크(도 14의 250)를 제조하는 경우, 새도우 마스크(도 14의 250)는 인접하는 경사틀(220) 사이의 공간에 형성된다.When a shadow mask (250 in FIG. 14) is manufactured by using the shadow mask manufacturing mold, a shadow mask (250 in FIG. 14) is formed in a space between the adjacent warping frames.

도 12 내지 도 14는 도 11에 도시된 새도우 마스크 제조용 틀 및 이를 이용한 새도우 마스크 제조방법을 나타내는 단면도들이다.12 to 14 are cross-sectional views illustrating a mold for manufacturing a shadow mask shown in FIG. 11 and a method of manufacturing a shadow mask using the same.

도 12는 도 11에 도시된 경사틀을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.12 is a sectional view showing the step of forming the inclined frame shown in Fig.

도 11 및 12를 참조하면, 금속판(도시되지 않음)을 미세가공하여 경사틀(220)을 생성한다. 예를 들어, 금속판(도시되지 않음)을 물리적으로 가공하여 경사틀(220)을 생성할 수 있다.Referring to Figs. 11 and 12, a metal plate (not shown) is microfabricated to produce a warp frame 220. Fig. For example, a metal plate (not shown) may be physically machined to create the bevel 220.

본 실시예에서, 경사틀(220)은 하부가 개구되며, 개구부의 상부폭이 하부폭보다 크다. 또한, 경사틀(220)의 측면은 50도 이하의 각도로 기울어진다.In this embodiment, the inclined frame 220 is opened at the bottom, and the top width of the opening is larger than the bottom width. Further, the side surface of the warp frame 220 is inclined at an angle of 50 degrees or less.

도 13은 도 12에 도시된 경사틀을 이용하여 새도우 마스크를 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.13 is a cross-sectional view showing a step of forming a shadow mask using the inclined frame shown in FIG.

도 11 및 도 13을 참조하면, 경사틀(220)을 베이스층(210) 상에 배치한다. 본 실시예에서, 경사틀(220)은 베이스층(210) 상에 밀착시킨다. 예를 들어, 점착물질, 접착물질 등을 이용하여 경사틀(220)이 베이스층(210)의 상면에 부착될 수 있다. 다른 실시예에서, 경사틀(220)이 베이스층(210) 상에 분리가능한 상태로 배치될 수도 있다.11 and 13, a warp frame 220 is disposed on the base layer 210. As shown in FIG. In this embodiment, the warp frame 220 is brought into close contact with the base layer 210. For example, an inclined frame 220 may be attached to the upper surface of the base layer 210 using an adhesive material, an adhesive material, or the like. In another embodiment, the tilt frame 220 may be disposed on the base layer 210 in a detachable manner.

이어서 베이스층(210)을 전극으로 이용하여 금속을 전기도금하여 새도우 마스크(250)를 생성한다. 예를 들어, 베이스층(210)과 결합된 경사틀(220)을 금속이온을 포함하는 용액 내에 침지시킨 후에, 베이스층(210)에 전기를 인가할 수 있다. 상기 용액 내의 금속이온들은 인접하는 경사틀(220) 사이에서 베이스층(210)의 상면에 도금되어 새도우 마스크(250)를 형성한다.Subsequently, the base layer 210 is used as an electrode to electroplate the metal to create the shadow mask 250. For example, after the inclined frame 220 combined with the base layer 210 is immersed in a solution containing metal ions, electricity may be applied to the base layer 210. The metal ions in the solution are plated on the upper surface of the base layer 210 between the adjacent inclined plates 220 to form the shadow mask 250.

도 14는 도 13에서 생성된 새도우 마스크를 분리하는 단계를 나타내는 단면도이다.14 is a cross-sectional view showing a step of separating the shadow mask generated in FIG.

도 11 및 도 14를 참조하면, 새도우 마스크 제조용 틀로부터 완성된 새도우 마스크(250)를 분리한다. 예를 들어, 경사틀(220) 및 베이스층(210)으로부터 새도우 마스크(250)를 물리적으로 분리시킬 수 있다. 본 실시예에서, 경사틀(220)과 함께 새도우 마스크(250)를 베이스층(210)으로부터 1차 분리시킨 후에, 새도우 마스크(250)와 경사틀(220)을 2차 분리할 수 있다.Referring to FIGS. 11 and 14, the completed shadow mask 250 is separated from the shadow mask manufacturing frame. For example, the shadow mask 250 may be physically separated from the tilt frame 220 and the base layer 210. In this embodiment, after the shadow mask 250 is firstly separated from the base layer 210 together with the tilt frame 220, the shadow mask 250 and the tilt frame 220 can be secondarily separated.

도 15 내지 도 17은 도 11 내지 도 14의 방법에 따라 제조된 새도우 마스크를 이용하여 유기물패턴을 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.FIGS. 15 to 17 are cross-sectional views illustrating a method of forming an organic material pattern using a shadow mask manufactured according to the method of FIGS. 11 to 14. FIGS.

도 15는 도 11 내지 도 14의 방법에 따라 제조된 새도우 마스크를 이용하여 유기물을 증착하는 방법을 나타내는 단면도이다.FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a method of depositing an organic material using a shadow mask manufactured according to the method of FIGS. 11 to 14. FIG.

도 15를 참조하면, 표시장치용 기판(10)의 일면 상에 새도우 마스크(250)를 배치한다. 이후에, 표시장치용 기판(10)의 타면 상에 자석(20)을 배치하여 새도우 마스크(250)를 표시장치용 기판(10) 상에 밀착시킨다. 본 실시예에서, 자석(20)은 평판형상을 갖는 영구자석을 포함한다. 다른 실시예에서, 자석(20)은 전자석을 포함할 수도 있다.Referring to FIG. 15, a shadow mask 250 is disposed on one surface of a substrate 10 for a display device. Thereafter, the magnets 20 are disposed on the other surface of the substrate 10 for a display device so that the shadow mask 250 is brought into close contact with the substrate 10 for a display device. In this embodiment, the magnet 20 includes a permanent magnet having a flat plate shape. In another embodiment, the magnets 20 may comprise electromagnets.

계속해서 새도우 마스크(250)를 이용하여 표시장치용 기판(10) 상에 유기물질(30)을 증착한다. 다른 실시예에서, 무기물질(도시되지 않음)을 증착할 수도 있다.Subsequently, the shadow mask 250 is used to deposit the organic material 30 on the display substrate 10. In another embodiment, an inorganic material (not shown) may be deposited.

도 16은 도 15에 도시된 유기물질을 이용하여 유기패턴을 형성하는 방법을 나타내는 단면도이다.16 is a cross-sectional view showing a method of forming an organic pattern using the organic material shown in FIG.

이어서, 유기물질(30)이 증착되어 새도우 마스크(250)에 의해 노출되는 표시장치용 기판(10)의 표면에 유기패턴(31)이 형성된다.The organic material 30 is then deposited and the organic pattern 31 is formed on the surface of the substrate 10 for a display device exposed by the shadow mask 250.

본 실시예에서, 새도우 마스크(250)의 측면은 표시장치용 기판(10)의 표면과 50도 이하의 각도로 기울어져서, 유기물질(도 15의 30)이 새도우 마스크(250)의 측면과 간섭하더라도 유기패턴(31)의 형상에 영향을 미치지 않는다. 즉, 새도우 마스크(250)의 측면에 충돌한 유기물질(도 15의 30)은 새도우 마스크(250)의 측면방향 또는 표시장치용 기판(10)의 표면과 반대방향으로 튀어나가서, 표시장치용 기판(10)의 표면에 증착되지 않는다. 본 실시예에서, 새도우 마스크(250)의 측면과 간섭되지 않은 유기물질(도 15의 30)만이 표시장치용 기판(10)의 표면에 증착될 수 있다. 따라서, 유기패턴(31)의 측면은 표시장치용 기판(10)의 표면에 수직한 방향을 갖는다.In this embodiment, the side surface of the shadow mask 250 is inclined at an angle of 50 degrees or less with respect to the surface of the substrate for a display device 10 so that the organic material (30 in Fig. 15) interferes with the side surface of the shadow mask 250 The shape of the organic pattern 31 is not affected. 15) protruded in the lateral direction of the shadow mask 250 or in a direction opposite to the surface of the substrate for a display device 10, Is not deposited on the surface of the substrate 10. In this embodiment, only the organic material (30 in Fig. 15) which is not interfered with the side surface of the shadow mask 250 can be deposited on the surface of the substrate 10 for the display device. Therefore, the side surface of the organic pattern 31 has a direction perpendicular to the surface of the substrate 10 for a display device.

도 17은 도 16에 도시된 표시장치용 기판으로부터 자석 및 새도우 마스크를 제거하는 단계를 나타내는 단면도이다.17 is a cross-sectional view showing the step of removing the magnet and the shadow mask from the display device substrate shown in Fig.

도 17을 참조하면, 이어서 표시장치용 기판(10)으로부터 자석(도 16의 20)을 이탈시킨다.Referring to Fig. 17, the magnet (20 in Fig. 16) is then released from the display-use substrate 10.

표시장치용 기판(10)으로부터 자석(도 16의 20)이 이탈되면, 자석(도 16의 20)의 자력에 의해 표시장치용 기판(10)의 표면 상에 부착되어 있던 새도우 마스크(250)도 표시장치용 기판(10)으로부터 이탈된다.The shadow mask 250 attached to the surface of the substrate for display device 10 by the magnetic force of the magnet (20 in Fig. 16) And is detached from the substrate 10 for a display device.

따라서 표시장치용 기판(10) 상에 유기패턴(31)이 완성된다.Thus, the organic pattern 31 is completed on the substrate 10 for a display device.

상기와 같은 본 실시예에 따르면, 베이스층(210)과 경사틀(220)이 분리가능한 형태로 제작되어, 제조공정이 단순해진다. 또한, 분리가능한 경사틀(220)을 이용하여 제조된 새도우 마스크(250)를 베이스층(210)으로부터 용이하게 이탈시킬 수 있다. 더욱이, 자석(20)을 이용하여 새도우 마스크(250)를 표시장치용 기판(10)에 탈착시킬 수 있어서, 제조공정이 편리해진다.According to the present embodiment as described above, the base layer 210 and the warping frame 220 are manufactured in a detachable form, thereby simplifying the manufacturing process. In addition, the shadow mask 250 manufactured using the detachable warp frame 220 can be easily detached from the base layer 210. Furthermore, since the shadow mask 250 can be detached from the display device substrate 10 by using the magnet 20, the manufacturing process becomes convenient.

도 18 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀의 제조방법을 나타내는 단면도들이다. 본 실시예에서, 희생패턴(335) 및 절연패턴(330)을 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 10에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.18 to 21 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a mold for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, the remaining components except for the sacrificial pattern 335 and the insulating pattern 330 are the same as those of the embodiment shown in FIGS. 1 to 10, so that duplicate descriptions of the same components will be omitted.

도 18은 금속판 상에 경사틀을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.18 is a cross-sectional view showing a step of forming an inclined frame on a metal plate.

도 18을 참조하면, 금속판(도시되지 않음)을 가공하여 베이스층(110) 및 경사틀(120)을 형성한다. 경사틀(120)은 경사면(122) 및 공정마진(124)을 포함한다.Referring to FIG. 18, a metal plate (not shown) is processed to form a base layer 110 and a warp 120. The inclined frame 120 includes the inclined surface 122 and the process margin 124. [

도 19는 도 18에 도시된 베이스층 및 경사틀 상에 희생패턴을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.19 is a cross-sectional view showing a step of forming a sacrificial pattern on the base layer and the slanting mold shown in Fig.

도 19를 참조하면, 베이스층(110) 및 경사틀(120) 상에 희생물질(336)을 적하하여, 희생패턴(335)을 형성한다. 본 실시예에서, 잉크젯, 노즐 등의 다양한 방식을 이용하여 베이스층(110) 및 경사틀(120) 상에 희생물질(336)을 적하한다. 예를 들어, 희생물질(336)을 인접하는 경사틀들(120)에 의해 노출되는 베이스층(110)의 상면에만 적하할 수도 있다.Referring to FIG. 19, a sacrificial material 336 is dropped onto the base layer 110 and the warp 120 to form a sacrificial pattern 335. In this embodiment, a sacrificial material 336 is dripped onto the base layer 110 and the warp 120 using various methods such as inkjet, nozzle, and the like. For example, the sacrificial material 336 may be dropped only on the upper surface of the base layer 110 exposed by the adjacent inclined molds 120.

희생물질(336)은 알코올, 유기용제, 물 등에 의해 쉽게 용융이 가능한 물질을 포함한다. 예를 들어, 희생물질(336)은 포토레지스트를 포함할 수도 있다.The sacrificial material 336 includes a material that is easily melted by alcohol, an organic solvent, water, or the like. For example, the sacrificial material 336 may comprise a photoresist.

도 20은 도 19에 도시된 희생패턴을 포함하는 경사틀 상에 절연층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.20 is a cross-sectional view showing a step of forming an insulating layer on a slope frame including the sacrificial pattern shown in Fig.

도 20을 참조하면, 희생패턴(335)에 의해 커버된 베이스층(110) 및 경사틀(120) 상에 산화실리콘, 질화실리콘 등의 절연물질을 증착하여 절연층(331)을 형성한다. 본 실시예에서, 절연층(331)은 공정마진(124) 및 경사면(122)의 표면, 희생패턴(335)의 상면 상에 형성된다.Referring to FIG. 20, an insulating layer 331 is formed by depositing an insulating material such as silicon oxide or silicon nitride on the base layer 110 and the inclined frame 120 covered by the sacrificial pattern 335. In this embodiment, the insulating layer 331 is formed on the upper surface of the sacrificial pattern 335, the surface of the process margin 124 and the inclined surface 122.

도 21은 도 20에 도시된 희생패턴 및 절연층의 일부를 제거하는 단계를 나타내는 단면도이다.21 is a cross-sectional view showing a step of removing the sacrificial pattern and a part of the insulating layer shown in Fig.

도 20 및 도 21을 참조하면, 유기용제, 알코올, 물 등의 용매를 이용하여 희생패턴(335)을 제거한다. 본 실시예에서, 희생패턴(335)이 제거되는 과정에서 희생패턴(335) 상에 배치된 절연층(331)의 일부도 함께 제거된다.20 and 21, the sacrificial pattern 335 is removed using a solvent such as an organic solvent, alcohol, or water. In this embodiment, a portion of the insulating layer 331 disposed on the sacrificial pattern 335 in the process of removing the sacrificial pattern 335 is also removed.

예를 들어, 유기용제, 알코올, 물 등의 용매를 희생패턴(335) 상에 분사하면, 분사되는 충격에 의해 희생패턴(335) 상에 배치된 절연층(331)이 찢어진다. 절연층(331)이 찢어진 틈으로 용매가 침투하여 희생패턴(335)이 용융된다. 희생패턴(335)이 용융되면, 희생패턴(335) 상에 배치된 절연층(331)의 일부는 용매의 흐름에 의해 분리되어 제거된다. 본 실시예에서, 절연층(331)의 두께는 매우 얇으며 탄력성이 거의 없기 때문에, 쉽게 제거될 수 있다.For example, when a solvent such as an organic solvent, alcohol, or water is sprayed onto the sacrificial pattern 335, the insulating layer 331 disposed on the sacrificial pattern 335 is torn by the impact applied. The solvent penetrates into the gap where the insulating layer 331 is torn and the sacrificial pattern 335 is melted. When the sacrificial pattern 335 is melted, a part of the insulating layer 331 disposed on the sacrificial pattern 335 is separated and removed by the flow of the solvent. In this embodiment, since the thickness of the insulating layer 331 is very thin and has little elasticity, it can be easily removed.

따라서 경사틀(120) 상에 잔류하는 절연층(331)에 의해 절연패턴(330)이 형성되어 새도우 마스크 제조용 틀이 완성된다.Therefore, the insulating pattern 330 is formed by the insulating layer 331 remaining on the inclined frame 120, thereby completing the frame for manufacturing the shadow mask.

새도우 마스크를 제작하는 단계는 도 9 내지 도 10에 도시된 실시예와 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.The steps of fabricating the shadow mask are the same as those of the embodiment shown in FIGS. 9 to 10, so that redundant description of the same components will be omitted.

상기와 같은 본 실시예에 따르면, 포토레지스트 공정을 이용하지 않고도 절연패턴(330)을 용이하게 형성하여 제조비용이 절감된다.According to the present embodiment as described above, the insulation pattern 330 can be easily formed without using a photoresist process, thereby reducing the manufacturing cost.

도 22 내지 도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 새도우 마스크 제조용 틀의 제조방법을 나타내는 단면도들이다. 본 실시예에서, 보링을 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 10과 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.22 to 25 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a mold for manufacturing a shadow mask according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, the remaining components except for the boring are the same as those in Figs. 1 to 10, and thus redundant description of the same components is omitted.

도 22는 금속판 상에 경사틀을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.22 is a cross-sectional view showing a step of forming an inclined frame on a metal plate.

도 22를 참조하면, 금속판(도시되지 않음)을 가공하여 베이스층(110) 및 경사틀(120)을 형성한다. 경사틀(120)은 경사면(122) 및 공정마진(124)을 포함한다.Referring to FIG. 22, a metal plate (not shown) is processed to form the base layer 110 and the warping frame 120. The inclined frame 120 includes the inclined surface 122 and the process margin 124. [

도 23은 도 22에 도시된 베이스층 및 경사틀 상에 절연층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도이다.23 is a cross-sectional view showing a step of forming an insulating layer on the base layer and the slanting mold shown in Fig.

도 23을 참조하면, 베이스층(110) 및 경사틀(120) 상에 절연물질을 증착하여, 절연층(131)을 형성한다. 절연층(131)은 베이스층(110)의 상면, 경사틀(120)의 상면 상에 형성된다.Referring to FIG. 23, an insulating layer 131 is formed by depositing an insulating material on the base layer 110 and the warping frame 120. The insulating layer 131 is formed on the upper surface of the base layer 110, the upper surface of the warp 120.

도 24는 도 23에 도시된 절연층을 패터닝하는 단계를 나타내는 단면도이며, 도 25는 도 24의 공정을 이용하여 생성된 새도우 마스크 제조용 틀을 나타내는 단면도이다.FIG. 24 is a cross-sectional view showing a step of patterning the insulating layer shown in FIG. 23, and FIG. 25 is a cross-sectional view showing a mold for producing a shadow mask produced using the process of FIG.

도 24 및 도 25를 참조하면, 나노기계가공장치(도시되지 않음)의 보링(401)을 이용하여 베이스층(110) 상에 배치된 절연층(131)을 제거하여 절연패턴(130)을 형성한다. 본 실시예에서, 보링(401)은 베이스층(110) 상에 배치된 절연층(131) 물리적으로 깎아낸다. 다른 실시예에서, 베이스층(110) 상에 배치된 절연층(131)에 레이저를 조사하여 절연패턴(130)을 형성할 수도 있다.24 and 25, the insulating layer 131 disposed on the base layer 110 is removed using a boring 401 of a nanomechanical processing apparatus (not shown) to form an insulating pattern 130 do. In this embodiment, the borings 401 physically shave the insulating layer 131 disposed on the base layer 110. In another embodiment, the insulating layer 130 disposed on the base layer 110 may be irradiated with a laser to form the insulating pattern 130. [

따라서 새도우 마스크 제조용 틀이 완성된다.Thus, the mold for manufacturing the shadow mask is completed.

새도우 마스크를 제작하는 단계는 도 9 내지 도 10에 도시된 실시예와 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.The steps of fabricating the shadow mask are the same as those of the embodiment shown in FIGS. 9 to 10, so that redundant description of the same components will be omitted.

상기와 같은 본 실시예에 따르면, 포토레지스트 공정을 이용하지 않고도 절연패턴(130)을 용이하게 형성하여 제조비용이 절감된다.According to the present embodiment as described above, the insulating pattern 130 can be easily formed without using a photoresist process, thereby reducing the manufacturing cost.

이상에서 설명된 바와 같이, 50도 이하의 경사를 갖는 새도우 마스크를 용이하게 제조할 수 있다.As described above, a shadow mask having an inclination of 50 degrees or less can be easily manufactured.

더욱이, 베이스층과 경사틀이 분리가능한 형태로 제작되어, 제조공정이 단순해진다. 또한, 분리가능한 경사틀을 이용하여 제조된 새도우 마스크를 베이스층으로부터 용이하게 이탈시킬 수 있다. 더욱이, 자석을 이용하여 새도우 마스크를 표시장치용 기판에 탈착시킬 수 있어서, 제조공정이 편리해진다.Furthermore, the base layer and the warp frame can be manufactured in a detachable form, simplifying the manufacturing process. In addition, the shadow mask manufactured using the separable inclined frame can be easily detached from the base layer. Furthermore, the shadow mask can be detached from the substrate for a display device by using the magnet, so that the manufacturing process becomes convenient.

또한, 포토레지스트 공정을 이용하지 않고도 절연패턴을 용이하게 형성하여 제조비용이 절감된다.In addition, the manufacturing cost can be reduced by easily forming the insulating pattern without using the photoresist process.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. You will understand.

10 : 표시장치용 기판 20 : 자석
30 : 유기물질 31 : 유기패턴
110, 210 : 베이스 층 120, 220 : 경사틀
122, 222 : 경사면 124, 224 : 공정마진
130, 330 : 절연패턴 131 : 절연층
140 : 식각저지층 141 : 식각저지패턴
150, 250 : 새도우 마스크 335 : 희생패턴
336 : 희생물질 401 : 보링
10: substrate for display device 20: magnet
30: Organic material 31: Organic pattern
110, 210: base layer 120, 220: inclined frame
122, 222: sloped surfaces 124, 224: process margin
130, 330: Insulation pattern 131: Insulation layer
140: etch stop layer 141: etch stop pattern
150, 250: shadow mask 335: sacrificial pattern
336: Sacrificial material 401: boring

Claims (9)

도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는 베이스층;
50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치되는 경사틀; 및
무기절연물질을 포함하며, 상기 경사틀 상에 배치되고 상기 베이스층의 상면을 노출하는 절연패턴을 포함하는 새도우 마스크 제조용 틀.
A base layer including a conductive material and having a plate shape;
An inclined surface having an inclination of 50 degrees or less and a process margin projecting from a top of the inclined surface in a direction perpendicular to an upper surface of the base layer, the inclined surface being disposed on the base layer; And
A mold for manufacturing a shadow mask, comprising: an inorganic insulating material; and an insulating pattern disposed on the inclined frame and exposing an upper surface of the base layer.
제1항에 있어서, 상기 베이스층과 상기 경사틀은 동일한 물질을 포함하며, 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크 제조용 틀.The frame for manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the base layer and the inclined frame include the same material and are integrally formed. 도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는 베이스층; 및
50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치되며 전기적으로 절연되는 경사틀을 포함하되,
상기 베이스층과 상기 경사틀은 서로 탈착가능한 것을 특징으로 하는 새도우 마스크 제조용 틀.
A base layer including a conductive material and having a plate shape; And
An inclined surface having an inclination of 50 degrees or less and a process margin projecting in a direction perpendicular to an upper surface of the base layer from an upper portion of the inclined surface and electrically insulated from the base layer,
Wherein the base layer and the inclined frame are detachable from each other.
금속판을 가공하여 평판형상을 갖는 베이스층과, 50도 이하의 경사를 갖는 경사면 및 상기 경사면의 상부로부터 상기 베이스층의 상면과 수직한 방향으로 돌출되는 공정마진을 포함하고 상기 베이스층 상에 배치되는 경사틀을 형성하는 단계;
상기 경사틀 상에 무기절연물질을 증착하여 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층을 패턴하여 상기 경사틀 상에 배치되고 상기 베이스층의 상면을 노출하는 절연패턴을 형성하는 단계;
상기 베이스층을 전극으로 이용하여 상기 절연패턴에 의해 노출되는 상기 베이스층의 상면에 금속을 도금하여 인접하는 상기 경사틀 사이에 새도우 마스크를 생성하는 단계; 및
상기 경사틀로부터 상기 새도우 마스크를 분리하는 단계를 포함하는 새도우 마스크의 제조방법.
A base layer having a flat plate shape obtained by processing a metal plate, a slope having a slope of 50 degrees or less, and a process margin projecting from a top of the slope in a direction perpendicular to the top surface of the base layer, Forming an inclined frame;
Depositing an inorganic insulating material on the inclined frame to form an insulating layer;
Patterning the insulating layer to form an insulating pattern disposed on the inclined frame and exposing an upper surface of the base layer;
Plating a metal on an upper surface of the base layer exposed by the insulation pattern using the base layer as an electrode, thereby creating a shadow mask between adjacent inclined plates; And
And separating the shadow mask from the inclined frame.
제4항에 있어서, 상기 절연패턴을 형성하는 단계는,
상기 절연층 상에 상기 경사틀을 커버하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 절연층 중 노출된 부분을 식각하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 스트리핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크의 제조방법.
5. The method of claim 4, wherein forming the insulation pattern comprises:
Forming a photoresist pattern covering the inclined frame on the insulating layer;
Etching the exposed portion of the insulating layer using the photoresist pattern as an etch mask; And
And stripping the photoresist pattern. ≪ RTI ID = 0.0 > 21. < / RTI >
제4항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계 이전에, 인접하는 상기 경사틀 사이에 희생물질을 적하하여 상기 베이스층 상에 희생패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 경사틀 및 상기 희생패턴 상에 상기 무기절연물질을 증착하는 단계를 포함하며,
상기 절연패턴을 형성하는 단계는, 상기 희생패턴 및 상기 희생패턴 상에 배치된 상기 절연층의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크의 제조방법.
5. The method of claim 4, further comprising forming a sacrificial pattern on the base layer by dropping a sacrificial material between the adjacent slopes before forming the insulating layer,
Wherein the step of forming the insulating layer includes depositing the inorganic insulating material on the warping frame and the sacrificial pattern,
Wherein the forming of the insulating pattern includes removing the sacrificial pattern and a part of the insulating layer disposed on the sacrificial pattern.
제4항에 있어서, 상기 절연패턴을 형성하는 단계는 나노기계가공장치의 보링을 이용하여 상기 베이스층 상에 배치된 상기 절연층의 일부를 물리적으로 깎아내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크의 제조방법.5. The method of claim 4, wherein forming the insulating pattern comprises physically shaving off a portion of the insulating layer disposed on the base layer using boring of the nanomechanical processing device. ≪ Desc / ≪ / RTI > 절연물질을 이용하여 되는 50도 이하의 경사를 갖는 경사면, 및 상기 경사면의 상부로부터 돌출되는 공정마진을 포함하는 경사틀을 형성하는 단계;
상기 경사틀을 도전성 물질을 포함하며 평판형상을 갖는 베이스층 상에 배치하는 단계;
상기 베이스층을 전극으로 이용하여 금속을 도금하여 인접하는 상기 경사틀들 사이에 새도우 마스크를 생성하는 단계; 및
상기 새도우 마스크를 상기 경사틀로부터 분리하는 단계를 포함하는 새도우 마스크의 제조방법.
Forming an inclined surface including an inclined surface having an inclination of 50 degrees or less using the insulating material and a process margin protruding from the top of the inclined surface;
Disposing the inclined frame on a base layer including a conductive material and having a flat plate shape;
Plating the metal using the base layer as an electrode to create a shadow mask between adjacent tilt frames; And
And separating the shadow mask from the tilt frame.
제8항에 있어서, 상기 새도우 마스크를 상기 경사틀로부터 분리하는 단계는,
상기 새도우 마스크와 상기 경사틀을 상기 베이스층으로부터 1차분리하는 단계; 및
상기 경사틀로부터 상기 새도우 마스크를 2차분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 새도우 마스크의 제조방법.
9. The method of claim 8, wherein separating the shadow mask from the tilt frame comprises:
Separating the shadow mask and the inclined frame from the base layer; And
And secondarily separating the shadow mask from the inclined frame.
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