KR101600468B1 - Meander spurline band stop filters and manufacturing methods thereof - Google Patents

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KR101600468B1
KR101600468B1 KR1020150028606A KR20150028606A KR101600468B1 KR 101600468 B1 KR101600468 B1 KR 101600468B1 KR 1020150028606 A KR1020150028606 A KR 1020150028606A KR 20150028606 A KR20150028606 A KR 20150028606A KR 101600468 B1 KR101600468 B1 KR 101600468B1
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김남영
왕종
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광운대학교 산학협력단
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    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters

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Abstract

Disclosed is a meander spurline bandstop filter. According to an aspect of the present invention, the meander spurline bandstop filter includes: a substrate; a first reference line coupled to an end of the substrate in the longitudinal direction; a second reference line coupled to the other end of the substrate in the longitudinal direction; a first meander spurline which is formed on the substrate, extended from a side parallel to the longitudinal direction of the substrate, and is formed in the meander shape; a second meander spurline which is formed on the substrate, is extended from the other end parallel to the longitudinal direction of the substrate, and is open to a direction opposite to the first meander spurline; a first T-type slot line which is formed on the substrate, is extended from the first reference line, and is in a folded T-shape; and a second T-type slot line which is formed on the substrate, is extended from the second reference line, and is in a folded T-shape symmetrical to the first T-type slot line with reference to a point. According to an embodiment of the present invention, the meander spurline bandstop filter integrated by using an integrated passive device technology can be designed and manufactured. More specifically, meander spurline bandstop filter of the present invention can achieve an excellent S-parameter response by forming a T-type slot line which has a point-symmetric form between the double meander spur-lines, and especially, can have a high speed response, a small size, and a high return loss.

Description

미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터 및 그 제조방법{MEANDER SPURLINE BAND STOP FILTERS AND MANUFACTURING METHODS THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a meander spur line band stop filter,

본 발명은 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a meander spur line band stop filter and a method of manufacturing the same.

집적 수동 소자 기술(Integrated passive device(IPD) technology)은 작은 크기, 저비용 제조 프로세스 및 우수한 성능으로 인하여 인기를 얻고 있다. 미세 미소그래피, 박막 증착 및 에치 프로세스의 정밀 제어도 집적 수동 소자 기술의 장점이다. 이러한 집적 프로세스로 인하여 규소, 갈륨비소 등과 같은 다양한 반도체 물질이 사용될 수 있다. 통신 시스템의 설계 요구사항에는 수동 소자의 고집적화가 포함된다. 커플러(coupler), 발룬(balun), 인덕터(inductors), 필터(filters), 컴바이어/디바이더(combiner/dividers)와 같은 여러 종류의 수동 소자가 집적될 수 있다.Integrated passive device (IPD) technology is gaining popularity due to its small size, low cost manufacturing process and excellent performance. Precise control of micro-microscopy, thin-film deposition and etch processes is also an advantage of integrated passive device technology. Due to this integration process, various semiconductor materials such as silicon, gallium arsenide, etc. can be used. The design requirements of communication systems include the high integration of passive components. Several types of passive components can be integrated, such as couplers, baluns, inductors, filters, combiners / dividers.

밴드스탑 필터는 대역저지 특성을 나타내기 때문에 간섭을 막기 위하여 원하는 모든 주파수를 차단하는 통신 시스템에 있어서 매우 중요한 구성요소이다. 밴드스탑 필터는 서로 연결된 구성요소들과의 우수한 임피던스 매칭을 위하여 높은 반사 손실과 낮은 삽입 손실을 가질 것이 요구된다. 우수한 주파수 선택적 차단성은 각각의 채널 사이에 가드 대역을 확정하여 높은 수준의 주파수 효율을 명시할 수 있다. 무선 통신 시스템에서 사용되는 밴드스탑 필터에 있어서 제조 비용과 개발 기간의 급격한 감축뿐만 아니라 전기적 스펙 관점에서 엄격한 요건을 요구하고 있다. 그 결과, 특히 WLAN 대역 어플리케이션에 관한 마이크로파 필터 분야는 이론 및 기술적 연구에 있어서 괄목할만한 진보를 달성하였다. 공진기 필터 설계 프로세서에 있어서 중요한 진보 중 하나는 미앤더 스퍼라인 기술을 이용하는 것이다. 이러한 기술은 헤어핀 공진기(hairpin resonator), 유전체 공진기(dielectric resonator) 등과 같은 다른 다양한 타입의 공진기와 비교하여 소형화, Q-팩터, 제조 용이성 및 저비용 재료의 문제를 극복할 수 있다.The band-stop filter is a very important component in a communication system that blocks all desired frequencies in order to prevent interference because it represents band-stop characteristics. Bandstop filters are required to have high return loss and low insertion loss for good impedance matching with interconnected components. Superior frequency selective blocking can specify a high level of frequency efficiency by establishing a guard band between each channel. The band-stop filters used in wireless communication systems require stringent requirements in terms of electrical specifications as well as drastic reductions in manufacturing costs and development time. As a result, the microwave filter field, particularly for WLAN band applications, has made remarkable progress in theoretical and technical research. One important advance in resonator filter design processors is the use of meander spurline technology. This technique overcomes the problems of miniaturization, Q-factor, manufacturability and low cost materials compared to other various types of resonators such as hairpin resonators, dielectric resonators and the like.

본 발명의 배경기술은 대한민국 등록특허공보 제10-1474607호(2014. 12. 19, 오픈 스터브를 이용한 마이크로스트립 대역저지 필터)에 개시되어 있다.
The background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1474607 (2014. December 19, 201, Microstrip band stop filter using open stub).

본 발명의 실시예들은 작은 크기와 높은 반사 손실을 가지는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
Embodiments of the present invention can provide a meander spur line band stop filter having a small size and a high reflection loss and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판의 길이 방향의 일단에 결합되는 제1 레퍼런스 라인; 상기 기판의 길이 방향의 타단에 결합되는 제2 레퍼런스 라인; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 일측에서 연장되며, 미앤더 형상을 가지는 제1 미앤더 스퍼라인; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 타측에서 연장되며, 상기 제1 미앤더 스퍼라인과 반대 방향으로 개방된 미앤더 형상을 가지는 제2 미앤더 스퍼라인; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 레퍼런스 라인에서 연장되며, 폴디드 T 형상을 가지는 제1 T - 타입 슬롯 라인; 및 상기 기판 상에 형성되고, 상기 제2 레퍼런스 라인에서 연장되며, 상기 제1 T - 타입 슬롯 라인과 점 대칭을 이루는 폴디드 T 형상을 가지는 제2 T - 타입 슬롯 라인을 포함하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, A first reference line coupled to one end of the substrate in the longitudinal direction; A second reference line coupled to the other end in the longitudinal direction of the substrate; A first meander spur line formed on the substrate and extending from one side parallel to the longitudinal direction of the substrate, the meander spur line having a meander shape; A second meander spur line formed on the substrate and extending from the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate and having a meander shape opened in a direction opposite to the first meander spur line; A first T-type slot line formed on the substrate and extending from the first reference line, the first T-type slot line having a folded T shape; And a second T-type slot line formed on the substrate, the second T-type slot line extending in the second reference line and having a folded T shape point-symmetric with the first T- A band-stop filter may be provided.

상기 제1 미앤더 스퍼라인은, 상기 기판의 일측에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-1 수직 슬롯; 및 상기 제1-1 수직 슬롯의 단부에 직렬 연결되는 복수 개의 제1 미앤더 슬롯을 포함하고, 상기 제1 미앤더 슬롯은, 상기 제1-1 수직 슬롯의 단부 측에 연결되고, 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제1-1 수평 슬롯; 상기 제1-1 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제1-2 수직 슬롯; 상기 제1-2 수직 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제1-2 수평 슬롯; 및 상기 제1-2 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-3 수직 슬롯을 포함할 수 있다.The first meander spur line includes a 1-1 vertical slot extending from one side of the substrate toward the other side of the substrate; And a plurality of first meander slots connected in series to the ends of the 1-1 vertical slots, wherein the first meander slots are connected to the end sides of the 1-1 vertical slots, A 1-1 horizontal slot extending toward the other end; A first 1-2 vertical slot extending from an end of the 1-1 horizontal slot toward one side of the substrate; A first 1-2 horizontal slot extending from an end of the 1-2 vertical slot toward the other end of the substrate; And a first 1-3 vertical slot extending from the end of the 1-2 horizontal slot toward the other side of the substrate.

상기 제2 미앤더 스퍼라인은, 상기 기판의 타측에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-1 수직 슬롯; 및 상기 제2-1 수직 슬롯의 단부에 직렬 연결되는 복수 개의 제2 미앤더 슬롯을 포함하고, 상기 제2 미앤더 슬롯은, 상기 제2-1 수직 슬롯의 단부 측에 연결되고, 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제2-1 수평 슬롯; 상기 제2-1 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제2-2 수직 슬롯; 상기 제2-2 수직 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제2-2 수평 슬롯; 및 상기 제2-2 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-3 수직 슬롯을 포함할 수 있다.The second meander spur line includes a 2-1 vertical slot extending from the other side of the substrate toward one side of the substrate; And a plurality of second meander slots serially connected to the ends of the second-1 vertical slots, the second meander slots being connected to the end sides of the second-1 vertical slots, A 2-1 horizontal slot extending toward one end; A 2-2 vertical slot extending from the end of the 2-1 horizontal slot toward the other side of the substrate; A 2-2 horizontal slot extending from one end of the 2-2 vertical slot toward one end of the substrate; And a second through third vertical slot extending from one end of the second-2 horizontal slot toward one side of the substrate.

상기 제1 T - 타입 슬롯 라인은, 상기 제1 레퍼런스 라인에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제1-1 수평변 슬롯; 상기 제1-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제1-1 수직변 슬롯; 상기 제1-1 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제1-2 수평변 슬롯; 상기 제1-2 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-2 수직변 슬롯; 상기 제1-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-3 수직변 슬롯; 상기 제1-3 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제1-3 수평변 슬롯; 및 상기 제1-3 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제1-4 수직변 슬롯을 포함하고, 상기 제1-2 수평변 슬롯의 길이는 상기 제1-1 수평변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제1-3 수평변 슬롯의 길이보다 크며, 상기 제1-1 수직변 슬롯의 길이는 상기 제1-3 수직변 슬롯의 길이와 같고, 상기 제1-4 수직변 슬롯의 길이는 상기 제1-1 수직변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제1-2 수직변 슬롯의 길이보다 클 수 있다.The first T-type slot line includes: a 1-1 horizontal slot extending from the first reference line toward the other end of the substrate; A 1-1 vertical slot extending from one end of the 1-1 horizontal slot toward one side of the substrate; A first 1-2 horizontal slot extending from an end of the 1-1 vertical slot toward one end of the substrate; A 1-2 vertical slot extending from the end of the 1-2 horizontal slot toward the other side of the substrate; A first to third vertical slot extending from the end of the 1-1 horizontal slot toward the other side of the substrate; A first through third horizontal slot extending from one end of the first through third vertical slots toward one end of the substrate; And a 1-4th vertical slot extending from the end of the 1-3 horizontal slot toward the one side of the substrate, wherein the length of the 1-2 horizontal slot is larger than the length of the 1-1 horizontal slot And the length of the first 1-1 second vertical slot is the same as the length of the first 1-3 vertical slot, The length may be smaller than the length of the 1-1 st < th > vertical slot and larger than the length of the 1-2 st slot.

상기 제2 T - 타입 슬롯 라인은, 상기 제2 레퍼런스 라인에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제2-1 수평변 슬롯; 상기 제2-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제2-1 수직변 슬롯; 상기 제2-1 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제2-2 수평변 슬롯; 상기 제2-2 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-2 수직변 슬롯; 상기 제2-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-3 수직변 슬롯; 상기 제2-3 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제2-3 수평변 슬롯; 및 상기 제2-3 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제2-4 수직변 슬롯을 포함하고, 상기 제2-2 수평변 슬롯의 길이는 상기 제2-1 수평변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제2-3 수평변 슬롯의 길이보다 크며, 상기 제2-1 수직변 슬롯의 길이는 상기 제2-3 수직변 슬롯의 길이와 같고, 상기 제2-4 수직변 슬롯의 길이는 상기 제2-1 수직변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제2-2 수직변 슬롯의 길이보다 클 수 있다.The second T-type slot line includes: a 2-1 horizontal slot extending from the second reference line toward one end of the substrate; A 2-1 vertical slot extending from the end of the 2-1 horizontal slot toward the other side of the substrate; A 2-2 horizontal slot extending from the end of the 2-1 vertical slot toward the other end of the substrate; A 2-2 vertical slot extending from the end of the 2-2 horizontal slot toward one side of the substrate; A second through third vertical slot extending from the end of the second-1 horizontal slot toward one side of the substrate; A 2-3 horizontally slotted slot extending from an end of the 2-3 vertical slot toward the other end of the substrate; And a second-fourth vertical slot extending from the end of the second horizontal slot to the other side of the substrate, wherein the length of the second horizontal slot is the same as the length of the second- And the length of the second-1 vertical slot is equal to the length of the second vertical slot, and the length of the second-fourth vertical slot is equal to the length of the second- The length may be smaller than the length of the 2-1 vertical slot and larger than the length of the 2-2 vertical slot.

상기 제1 T - 타입 슬롯 라인과 상기 제2 T - 타입 슬롯 라인 사이에는 간극이 형성될 수 있다.A gap may be formed between the first T-type slot line and the second T-type slot line.

상기 기판의 폭은 1966㎛, 상기 기판의 길이는 4984㎛, 상기 제1 미앤더 스퍼라인 및 상기 제2 미앤더 스퍼라인의 슬롯 폭은 0.2mm, 상기 제1 미앤더 스퍼라인 및 상기 제2 미앤더 스퍼라인의 수평 방향 길이는 4300㎛, 상기 제1-1 수평변 슬롯의 길이는 2178㎛, 상기 제1-2 수평변 슬롯의 길이는 1133㎛, 상기 제1-3 수평변 슬롯의 길이는 320㎛, 상기 제1-1 수직변 슬롯의 길이는 369㎛, 상기 제1-2 수직변 슬롯의 길이는 243㎛, 상기 제1-4 수직변 슬롯의 길이는 264㎛, 상기 제1 레퍼런스 라인 및 상기 제2 레퍼런스 라인의 폭은 1229㎛, 상기 제1 레퍼런스 라인 및 상기 제2 레퍼런스 라인의 길이는 263㎛로 각각 ±5%의 오차범위를 가질 수 있다.The width of the substrate is 1966 m, the length of the substrate is 4984 m, the slot width of the first meander spar line and the second meander spar line is 0.2 mm, the first meander spar line and the second The horizontal length of the under spur line is 4300 탆, the length of the 1-1 horizontal slot is 2178 탆, the length of the 1-2 horizontal slot is 1133 탆, The length of the 1-1 first vertical slot is 369 mu m, the length of the 1-2 first vertical slot is 243 mu m, the length of the 1-4 first vertical slot is 264 mu m, And a width of the second reference line is 1229 mu m, and a length of the first reference line and a length of the second reference line is 263 mu m.

상기 제1 레퍼런스 라인 및 상기 제2 레퍼런스 라인의 종단 저항은 50Ω로 각각 ±5%의 오차범위를 가질 수 있다.The termination resistances of the first reference line and the second reference line may have an error range of ± 5%, respectively, of 50Ω.

상기 밴드스탑 필터의 차단 주파수 대역의 중심 주파수는 5.44GHz로 ±5%의 오차범위를 가질 수 있다.The center frequency of the cut-off frequency band of the band-stop filter is 5.44 GHz and may have an error range of ± 5%.

상기 밴드스탑 필터의 차단 주파수 대역폭은 600MHz ~ 605MHz, 상기 중심 주파수에서의 삽입 손실은 28.7dB ~ 32.1dB, 상기 중심 주파수에서의 반사 손실은 0.7dB ~ 0.9dB일 수 있다.The cut-off frequency bandwidth of the band-stop filter is 600 MHz to 605 MHz, the insertion loss at the center frequency is 28.7 dB to 32.1 dB, and the reflection loss at the center frequency is 0.7 dB to 0.9 dB.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 집적 수동 소자 기술을 이용한 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법에 있어서, 6인치 SI-GaAs 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼 상에 Si3N4로 이루어지는 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 패시베이션층 상의 제1 미앤더 스퍼라인, 제2 미앤더 스퍼라인, 제1 T - 타입 슬롯 라인 및 제2 T - 타입 슬롯 라인을 제외한 영역에 Ti 시드층을 형성하는 단계; 및 상기 Ti 시드층 상에 Au 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a meander spur line band-stop filter using integrated passive device technology, comprising: preparing a 6-inch SI-GaAs wafer; Forming a passivation layer of Si 3 N 4 on the wafer; Forming a Ti seed layer in a region other than a first meander spar line, a second meander spar line, a first T-type slot line, and a second T-type slot line on the passivation layer; And forming a Au metal layer on the Ti seed layer. The method of manufacturing a meander spur line band stop filter may further include:

상기 패시베이션층을 형성하는 단계에서, 상기 패시베이션층은 PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition) 방식에 의해 2000Å 두께로 형성될 수 있다.In the step of forming the passivation layer, the passivation layer may be formed to a thickness of 2000 A by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.

상기 Ti 시드층을 형성하는 단계에서, 상기 Ti 시드층은 스퍼터링 방식에 의해 200Å 두께로 형성될 수 있다.In the step of forming the Ti seed layer, the Ti seed layer may be formed to a thickness of 200 A by a sputtering method.

상기 Au 금속층을 형성하는 단계에서, 상기 Au 금속층은 스퍼터링 방식에 의해 800Å 두께로 형성될 수 있다.In the step of forming the Au metal layer, the Au metal layer may be formed to a thickness of 800 A by a sputtering method.

상기 패시베이션층 상에는 상기 Ti 시드층과 상기 Au 금속층이 교번적으로 적층되어 2.0㎛ 두께의 제1 Ti/Au 금속층이 형성되고, 상기 제1 Ti/Au층 상에는 상기 Ti 시드층과 상기 Au 금속층이 교번적으로 적층되어 3.0㎛ 두께의 제2 Ti/Au 금속층이 형성될 수 있다.The Ti seed layer and the Au metal layer are alternately stacked on the passivation layer to form a first Ti / Au metal layer having a thickness of 2.0 탆. On the first Ti / Au layer, the Ti seed layer and the Au metal layer alternate A second Ti / Au metal layer having a thickness of 3.0 탆 can be formed.

상기 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터는, 상기 6인치 SI-GaAs 웨이퍼, 상기 패시베이션층, 상기 Ti 시드층 및 상기 Au 금속층을 포함하는 기판; 상기 기판의 길이 방향의 일단에 결합되는 제1 레퍼런스 라인; 상기 기판의 길이 방향의 타단에 결합되는 제2 레퍼런스 라인; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 일측에서 연장되며, 미앤더 형상을 가지는 상기 제1 미앤더 스퍼라인; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 타측에서 연장되며, 상기 제1 미앤더 스퍼라인과 반대 방향으로 개방된 미앤더 형상을 가지는 상기 제2 미앤더 스퍼라인; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 레퍼런스 라인에서 연장되며, 폴디드 T 형상을 가지는 상기 제1 T - 타입 슬롯 라인; 및 상기 기판 상에 형성되고, 상기 제2 레퍼런스 라인에서 연장되며, 상기 제1 T - 타입 슬롯 라인과 점 대칭을 이루는 폴디드 T 형상을 가지는 상기 제2 T - 타입 슬롯 라인을 포함할 수 있다.
Wherein the meander spur line band-stop filter comprises: a substrate including the 6-inch SI-GaAs wafer, the passivation layer, the Ti seed layer, and the Au metal layer; A first reference line coupled to one end of the substrate in the longitudinal direction; A second reference line coupled to the other end in the longitudinal direction of the substrate; The first meander spur line formed on the substrate and extending from one side parallel to the longitudinal direction of the substrate, the first meander spur line having a meander shape; The second meander spur line formed on the substrate and extending from the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate and having a meander shape opened in a direction opposite to the first meander spur line; A first T-type slot line formed on the substrate and extending from the first reference line, the first T-type slot line having a folded T shape; And a second T-type slot line formed on the substrate, the second T-type slot line extending in the second reference line and having a folded T shape point-symmetric with the first T-type slot line.

본 발명의 실시예들에 따르면, 집적 수동 소자 기술을 이용하여 기판 상에 집적되는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터를 설계 및 제조할 수 있다. 구체적으로는, 점 대칭을 이루는 T - 타입 슬롯 라인을 이중 미앤더 스퍼라인 사이에 형성함으로써, 우수한 S 파라미터 응답을 달성할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 밴드스탑 필터는 고속 주파수 응답과 함께 작은 크기와 높은 반사 손실을 가질 수 있다.
According to embodiments of the present invention, a meander spurline band-stop filter integrated on a substrate using integrated passive device technology can be designed and manufactured. Specifically, by forming point symmetric T-type slot lines between double meander spur lines, a superior S-parameter response can be achieved. Particularly, the band-stop filter according to the present invention can have a small size and a high reflection loss together with a high frequency response.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 주파수 응답에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 전류 분포에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법의 각 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법으로 제작된 밴드스탑 필터와 피시험 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 주파수 응답에 대한 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 동시에 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a meander spur line band stop filter according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a simulation result of a frequency response of a meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram of a meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph illustrating a simulation result of a current distribution of a meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating a method of manufacturing a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention.
6 is a diagram schematically showing each step of a method of manufacturing a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention.
7 is a view showing a band-stop filter and an apparatus to be tested fabricated by the method of manufacturing a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view illustrating a simulation result and a measurement result of a frequency response of a meander spur line band stop filter according to an embodiment of the present invention at the same time.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.In the present application, when a component is referred to as "comprising ", it means that it can include other components as well, without excluding other components unless specifically stated otherwise. Also, throughout the specification, the term "on" means to be located above or below the object portion, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction.

또한, 결합이라 함은, 각 구성요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성요소가 각 구성요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성요소에 각 구성요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.Furthermore, the term " coupled " does not mean that only a physical contact is made between the respective components in the contact relation between the respective constituent elements, but the other components are interposed between the respective constituent elements, It should be used as a concept to cover until the components are in contact with each other.

도면에서 나타난 각 구성요소의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.The sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 본 발명에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터 및 그 제조방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a meander spur line band stop filter and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, And the description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a meander spur line band stop filter according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터(10)는 기판(100), 제1 레퍼런스 라인(110), 제2 레퍼런스 라인(120), 제1 미앤더 스퍼라인(200), 제2 미앤더 스퍼라인(300), 제1 T - 타입 슬롯 라인(400) 및 제2 T - 타입 슬롯 라인(500)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a meander spur line band stop filter 10 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 100, a first reference line 110, a second reference line 120, Type spur line 200, a second meander spur line 300, a first T-type slot line 400, and a second T-type slot line 500.

기판(100)은 두께와 유전상수가 각각 0.65㎛ 및 12.85인 GaAs 기판을 사용하여 제작될 수 있다.The substrate 100 may be fabricated using a GaAs substrate having a thickness and a dielectric constant of 0.65 탆 and 12.85, respectively.

기판(100)의 폭은 ±5%의 오차범위 내에서 1966㎛일 수 있고, 기판(100)의 길이(L)는 ±5%의 오차범위 내에서 4984㎛일 수 있다.The width of the substrate 100 may be 1966 占 퐉 within an error range of 占 5% and the length L of the substrate 100 may be 4984 占 퐉 within an error range of 占 5%.

제1 레퍼런스 라인(110)은 기판(100)의 길이 방향의 일단에 결합될 수 있다.The first reference line 110 may be coupled to one end of the substrate 100 in the longitudinal direction.

제2 레퍼런스 라인(120)은 기판(100)의 길이 방향의 타단에 결합될 수 있다. 즉, 제1 레퍼런스 라인(110)과 제2 레퍼런스 라인(120)은 기판(100)의 서로 마주보는 양단에 각각 결합될 수 있다.The second reference line 120 may be coupled to the other end of the substrate 100 in the longitudinal direction. That is, the first reference line 110 and the second reference line 120 may be coupled to opposite ends of the substrate 100, respectively.

제1 레퍼런스 라인(110)은 제1 단자(port 1)일 수 있고, 제2 레퍼런스 라인(120)은 제2 단자(port 2)일 수 있다.The first reference line 110 may be a first terminal port 1 and the second reference line 120 may be a second terminal port 2.

제1 레퍼런스 라인(110)의 종단 저항과 제2 레퍼런스 라인(120)의 종단 저항은 ±5%의 오차범위 내에서 50Ω일 수 있다. 제1 레퍼런스 라인(110) 및 제2 레퍼런스 라인(120)의 폭은 ±5%의 오차범위 내에서 1229㎛일 수 있고, 제1 레퍼런스 라인(110) 및 제2 레퍼런스 라인(120)의 길이(Ref1, Ref2)는 ±5%의 오차범위 내에서 263㎛일 수 있다.The termination resistance of the first reference line 110 and the termination resistance of the second reference line 120 may be 50 OMEGA within an error range of +/- 5%. The widths of the first reference line 110 and the second reference line 120 may be 1229 μm within an error range of ± 5% and the lengths of the first reference line 110 and the second reference line 120 Ref 1 , Ref 2 ) may be 263 탆 within an error range of ± 5%.

제1 미앤더 스퍼라인(200), 제2 미앤더 스퍼라인(300), 제1 T - 타입 슬롯 라인(400) 및 제2 T - 타입 슬롯 라인(500)은 기판(100) 상에 형성될 수 있다.The first meander spur line 200, the second meander spur line 300, the first T-type slot line 400 and the second T-type slot line 500 are formed on the substrate 100 .

제1 미앤더 스퍼라인(200)은 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측에서 연장될 수 있다.The first meander spur line 200 may extend from one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100.

제1 미앤더 스퍼라인(200)은 미앤더 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 미앤더 스퍼라인(200)은 제1-1 수직 슬롯(210a) 및 복수 개의 제1 미앤더 슬롯을 포함할 수 있다.The first meander spur line 200 may have a meander shape. Specifically, the first meander spur line 200 may include a first 1-1 vertical slot 210a and a plurality of first meander slots.

제1-1 수직 슬롯(210a)은 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측에서 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다. 본 명세서에서, 별도의 설명이 없으면, 수직 방향은 기판(100)의 폭 방향을 의미할 수 있고, 수평 방향은 기판(100)의 길이 방향을 의미할 수 있다.The 1-1 vertical slot 210a may extend in a vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100 at one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [ In this specification, unless otherwise specified, the vertical direction may mean the width direction of the substrate 100, and the horizontal direction may mean the longitudinal direction of the substrate 100.

복수 개의 제1 미앤더 슬롯은 제1-1 수직 슬롯(210a)의 단부에 직렬 연결될 수 있다.The plurality of first meander slots may be serially connected to the ends of the 1-1th vertical slot 210a.

제1 미앤더 슬롯은 제1-1 수평 슬롯(210b), 제1-2 수직 슬롯(220a), 제1-2 수평 슬롯(220b), 제1-3 수직 슬롯(230a)을 포함할 수 있다.The first meander slot may include a 1-1 horizontal slot 210b, a 1-2 vertical slot 220a, a 1-2 horizontal slot 220b, and a 1-3 vertical slot 230a .

제1-1 수평 슬롯(210b)은 제1-1 수직 슬롯(210a)의 단부 측에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 타단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 첫 번째 제1 미앤더 슬롯의 제1-1 수평 슬롯(210b)은 제1-1 수직 슬롯(210a)의 단부에 연결될 수 있고, 두 번째 제1 미앤더 슬롯의 제1-1 수평 슬롯은 첫 번째 제1 미앤더 슬롯의 제1-3 수직 슬롯(230a)의 단부에 연결될 수 있다.The 1-1 horizontal slot 210b is connected to the end side of the 1-1 vertical slot 210a and may extend in the horizontal direction toward the other end in the longitudinal direction of the substrate 100. [ For example, the 1-1 first horizontal slot 210b of the first first meander slot may be connected to the end of the 1-1 vertical slot 210a, The horizontal slot may be connected to the end of the 1-3 second vertical slot 230a of the first first meander slot.

제1-2 수직 슬롯(220a)은 제1-1 수평 슬롯(210b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 1-2 second vertical slot 220a is connected to the end of the 1-1 horizontal slot 210b and may extend in the vertical direction toward one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제1-2 수평 슬롯(220b)은 제1-2 수직 슬롯(220a)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 타단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 1-2 horizontal slot 220b is connected to the end of the 1-2 vertical slot 220a and may extend in the horizontal direction toward the other end of the substrate 100 in the longitudinal direction.

제1-3 수직 슬롯(230a)은 제1-2 수평 슬롯(220b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The first to third vertical slots 230a are connected to the ends of the first and second horizontal slots 220b and may extend in the vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제1 미앤더 스퍼라인(200)을 구성하는 슬롯의 폭(g1)은 ±5%의 오차범위 내에서 0.2mm일 수 있고, 제1 미앤더 스퍼라인(200)의 수평 방향 길이(Ls)는 ±5%의 오차범위 내에서 4300㎛일 수 있다.The width g 1 of the slots constituting the first meander spur line 200 may be 0.2 mm within an error range of ± 5% and the horizontal length L s of the first meander spur line 200 ) May be 4300 [mu] m within an error range of ± 5%.

제1-2 수직 슬롯(220a)의 길이는 제1-1 수직 슬롯(210a)의 길이보다 작고 제1-3 수직 슬롯(230a)의 길이와 동일할 수 있다.The length of the 1-2 first vertical slot 220a may be smaller than the length of the 1-1 second vertical slot 210a and may be the same as the length of the 1-3 second vertical slot 230a.

제2 미앤더 스퍼라인(300)은 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측에서 연장될 수 있다.The second meander spur line 300 may extend from the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100.

제2 미앤더 스퍼라인(300)은 제1 미앤더 스퍼라인(200)과 반대 방향으로 개방된 미앤더 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 제2 미앤더 스퍼라인(300)은 제2-1 수직 슬롯(310a) 및 복수 개의 제2 미앤더 슬롯을 포함할 수 있다.The second meander spur line 300 may have a meander shape open in a direction opposite to the first meander spur line 200. Specifically, the second meander spur line 300 may include a 2-1 vertical slot 310a and a plurality of second meander slots.

제2-1 수직 슬롯(310a)은 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측에서 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 2-1th vertical slot 310a may extend in the vertical direction from the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100 toward one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

복수 개의 제2 미앤더 슬롯은 제2-1 수직 슬롯(310a)의 단부에 직렬 연결될 수 있다.A plurality of second meander slots may be serially connected to the ends of the 2-1 vertical slots 310a.

제2 미앤더 슬롯은 제2-1 수평 슬롯(310b), 제2-2 수직 슬롯(320a), 제2-2 수평 슬롯(320b), 제2-3 수직 슬롯(330a)을 포함할 수 있다.The second meander slot may include a 2-1 horizontal slot 310b, a 2-2 vertical slot 320a, a 2-2 horizontal slot 320b, and a 2-3 vertical slot 330a .

제2-1 수평 슬롯(310b)은 제2-1 수직 슬롯(310a)의 단부 측에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 일단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 첫 번째 제2 미앤더 슬롯의 제2-1 수평 슬롯(310b)은 제2-1 수직 슬롯(310a)의 단부에 연결될 수 있고, 두 번째 제2 미앤더 슬롯의 제2-1 수평 슬롯은 첫 번째 제2 미앤더 슬롯의 제2-3 수직 슬롯(330a)의 단부에 연결될 수 있다.The 2-1th horizontal slot 310b is connected to the end side of the 2-1th vertical slot 310a and may extend in the horizontal direction toward one end in the longitudinal direction of the substrate 100. [ For example, the second-1 horizontal slot 310b of the first second meander slot may be connected to the end of the second-1 vertical slot 310a, and the second-1 horizontal slot 310b of the second second- The horizontal slot may be connected to the end of the second to third vertical slot 330a of the first second meander slot.

제2-2 수직 슬롯(320a)은 제2-1 수평 슬롯(310b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 2-2th vertical slot 320a is connected to the end of the 2-1th horizontal slot 310b and may extend in the vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제2-2 수평 슬롯(320b)은 제2-2 수직 슬롯(320a)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 일단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 2-2 horizontal slot 320b is connected to the end of the 2-2 vertical slot 320a and may extend in the horizontal direction toward one end in the longitudinal direction of the substrate 100. [

제2-3 수직 슬롯(330a)은 제2-2 수평 슬롯(320b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The second to third vertical slots 330a are connected to the ends of the second-2 horizontal slots 320b and may extend in the vertical direction toward one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제2 미앤더 스퍼라인(300)을 구성하는 슬롯의 폭(g1)은 ±5%의 오차범위 내에서 0.2mm일 수 있고, 제2 미앤더 스퍼라인(300)의 수평 방향 길이(Ls)는 ±5%의 오차범위 내에서 4300㎛일 수 있다.The width g 1 of the slot constituting the second meander spur line 300 may be 0.2 mm within an error range of ± 5% and the horizontal length L s of the second meander spur line 300 ) May be 4300 [mu] m within an error range of ± 5%.

제2-2 수직 슬롯(320a)의 길이는 제2-1 수직 슬롯(310a)의 길이보다 작고 제2-3 수직 슬롯(330a)의 길이와 동일할 수 있다.The length of the 2-2 vertical slot 320a may be smaller than the length of the 2-1 vertical slot 310a and the same as the length of the 2-3 vertical slot 330a.

제1 T - 타입 슬롯 라인(400)은 제1 레퍼런스 라인(110), 즉, 기판(100)의 길이 방향의 일단에서 연장될 수 있다.The first T-type slot line 400 may extend from one end of the first reference line 110, i.e., the longitudinal direction of the substrate 100.

제1 T - 타입 슬롯 라인(400)은 폴디드 T 형상을 가질 수 있다.The first T-type slot line 400 may have a folded T shape.

구체적으로, 제1 T - 타입 슬롯 라인(400)은 제1-1 수평변 슬롯(410b), 제1-1 수직변 슬롯(410a), 제1-2 수평변 슬롯(420b), 제1-2 수직변 슬롯(420a), 제1-3 수직변 슬롯(430a), 제1-3 수평변 슬롯(430b) 및 제1-4 수직변 슬롯(440a)을 포함할 수 있다.Specifically, the first T-type slot line 400 includes a 1-1 horizontal slot 410b, a 1-1 vertical slot 410a, a 1-2 horizontal slot 420b, 2 vertical slot 420a, a 1-3 vertical slot 430a, a 1-3 horizontal slot 430b, and a 1-4 vertical slot 440a.

제1-1 수평변 슬롯(410b)은 제1 레퍼런스 라인(110)에서 기판(100)의 길이 방향의 타단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 1-1 horizontal slot 410b may extend in the horizontal direction from the first reference line 110 toward the other longitudinal end of the substrate 100. [

제1-1 수직변 슬롯(410a)은 제1-1 수평변 슬롯(410b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 1-1 second vertical slot 410a is connected to an end of the 1-1 horizontal slot 410b and may extend in a vertical direction toward one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제1-2 수평변 슬롯(420b)은 제1-1 수직변 슬롯(410a)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 일단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 1-2 horizontal slot 420b is connected to the end of the 1-1 vertical slot 410a and may extend horizontally toward one end of the substrate 100 in the longitudinal direction.

제1-2 수직변 슬롯(420a)은 제1-2 수평변 슬롯(420b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 1-2 second vertical slot 420a is connected to the end of the 1-2 horizontal slot 420b and may extend in the vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제1-3 수직변 슬롯(430a)은 제1-1 수평변 슬롯(410b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 1-3 first vertical slot 430a is connected to the end of the 1-1 horizontal slot 410b and may extend in the vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제1-3 수평변 슬롯(430b)은 제1-3 수직변 슬롯(430a)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 일단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 1-3 horizontal slot 430b is connected to the end of the 1-3 vertical slot 430a and may extend horizontally toward one end of the substrate 100 in the longitudinal direction.

제1-4 수직변 슬롯(440a)은 제1-3 수평변 슬롯(430b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The first to fourth vertical slot 440a is connected to the end of the first to third horizontal slot 430b and may extend in the vertical direction toward one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제1-2 수평변 슬롯(420b)의 길이는 제1-1 수평변 슬롯(410b)의 길이보다 작고 제1-3 수평변 슬롯(430b)의 길이보다 클 수 있다. 제1-1 수직변 슬롯(410a)의 길이는 제1-3 수직변 슬롯(430a)의 길이와 같을 수 있다. 제1-4 수직변 슬롯(440a)의 길이는 제1-1 수직변 슬롯(410a)의 길이보다 작고 제1-2 수직변 슬롯(420a)의 길이보다 클 수 있다.The length of the 1-2 horizontal slot 420b may be smaller than the length of the 1-1 horizontal slot 410b and larger than the length of the 1-3 horizontal slot 430b. The length of the 1-1 st < th > vertical slot 410a may be the same as the length of the 1-3 st slot 420a. The length of the 1-4 first vertical slot 440a may be smaller than the length of the 1-1th vertical slot 410a and larger than the length of the 1-2 second vertical slot 420a.

제1-1 수직변 슬롯(410a)의 길이(h2)는 ±5%의 오차범위 내에서 369㎛일 수 있고, 제1-2 수직변 슬롯(420a)의 길이(h3)는 ±5%의 오차범위 내에서 243㎛일 수 있고, 제1-4 수직변 슬롯(440a)의 길이(h1)는 ±5%의 오차범위 내에서 264㎛일 수 있고, 제1-1 수평변 슬롯(410b)의 길이(L1)는 ±5%의 오차범위 내에서 2178㎛일 수 있고, 제1-2 수평변 슬롯(420b)의 길이(L2)는 ±5%의 오차범위 내에서 1133㎛일 수 있고, 제1-3 수평변 슬롯(430b)의 길이(L3)는 ±5%의 오차범위 내에서 320㎛일 수 있다.The length h 2 of the 1-1 st < th > vertical slot 410a may be 369 m within an error range of 5%, and the length h 3 of the 1-2 st & And the length h 1 of the 1-4 first vertical slot 440a may be 264 탆 within an error range of ± 5% length (410b) (L 1) has a length (L 2) of ± 5% margin of error may be 2178㎛ in, first-second horizontal side of the slot (420b) is within the error range of ± 5% 1133 And the length L 3 of the first through third horizontal slot 430b may be 320 μm within an error range of ± 5%.

제2 T - 타입 슬롯 라인(500)은 제2 레퍼런스 라인(120), 즉, 기판(100)의 길이 방향의 타단에서 연장될 수 있다.The second T-type slot line 500 may extend from the second reference line 120, i.e., the other longitudinal end of the substrate 100.

제2 T - 타입 슬롯 라인(500)은 제1 T - 타입 슬롯 라인(400)과 점 대칭을 이루는 폴디드 T 형상을 가질 수 있다.The second T-type slot line 500 may have a folded T shape that is point symmetric with the first T-type slot line 400.

구체적으로, 제2 T - 타입 슬롯 라인(500)은 제2-1 수평변 슬롯(510b), 제2-1 수직변 슬롯(510a), 제2-2 수평변 슬롯(520b), 제2-2 수직변 슬롯(520a), 제2-3 수직변 슬롯(530a), 제2-3 수평변 슬롯(530b) 및 제2-4 수직변 슬롯(540a)을 포함할 수 있다.Specifically, the second T-type slot line 500 includes a 2-1 horizontal slot 510b, a 2-1 vertical slot 510a, a 2-2 horizontal slot 520b, a 2- 2 vertical slot 520a, a 2-3 vertical slot 530a, a 2-3 horizontal slot 530b, and a 2-4 vertical slot 540a.

제2-1 수평변 슬롯(510b)은 제2 레퍼런스 라인(120)에서 기판(100)의 길이 방향의 일단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 2-1th horizontal slot 510b may extend in the horizontal direction toward one longitudinal end of the substrate 100 in the second reference line 120. [

제2-1 수직변 슬롯(520a)은 제2-1 수평변 슬롯(510b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 2-1th vertical slot 520a is connected to the end of the 2-1 horizontal slot 510b and may extend in the vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제2-2 수평변 슬롯(520b)은 제2-1 수직변 슬롯(520a)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 타단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 2-2 horizontal slot 520b is connected to the end of the 2-1 vertical slot 520a and may extend in the horizontal direction toward the other longitudinal end of the substrate 100. [

제2-2 수직변 슬롯(520a)은 제2-2 수평변 슬롯(520b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 타단을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 2-2 vertical slot 520a is connected to the end of the 2-2 horizontal slot 520b and may extend in the vertical direction toward the other longitudinal end of the substrate 100. [

제2-3 수직변 슬롯(530a)은 제2-1 수평변 슬롯(510b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 일측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 2-3 vertical slot 530a is connected to the end of the 2-1 horizontal slot 510b and may extend in a vertical direction toward one side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제2-3 수평변 슬롯(530b)은 제2-3 수직변 슬롯(530a)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향의 타단을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다.The 2-3 horizontally slotted slot 530b is connected to the end of the 2-3 vertically slotted slot 530a and may extend in the horizontal direction toward the other end of the substrate 100 in the longitudinal direction.

제2-4 수직변 슬롯(540a)은 제2-3 수평변 슬롯(530b)의 단부에 연결되고, 기판(100)의 길이 방향에 평행하는 타측을 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다.The 2-4 vertical slot 540a is connected to the end of the 2-3 horizontally slotted slot 530b and may extend in the vertical direction toward the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate 100. [

제2-2 수평변 슬롯(520b)의 길이는 제2-1 수평변 슬롯(510b)의 길이보다 작고 제2-3 수평변 슬롯(530b)의 길이보다 클 수 있다. 제2-1 수직변 슬롯(510a)의 길이는 제2-3 수직변 슬롯(530a)의 길이와 같을 수 있다. 제2-4 수직변 슬롯(540a)의 길이는 제2-1 수직변 슬롯(510a)의 길이보다 작고 제2-2 수직변 슬롯(520a)의 길이보다 클 수 있다.The length of the 2-2 horizontal slot 520b may be smaller than the length of the 2-1 horizontal slot 510b and larger than the length of the 2-3 horizontal slot 530b. The length of the 2-1 vertical slot 510a may be the same as the length of the 2-3 vertical slot 530a. The length of the 2-4 vertical slot 540a may be smaller than the length of the 2-1 vertical slot 510a and larger than the length of the 2-2 vertical slot 520a.

제2-1 수직변 슬롯(510a)의 길이(h2)는 ±5%의 오차범위 내에서 369㎛일 수 있고, 제2-2 수직변 슬롯(520a)의 길이(h3)는 ±5%의 오차범위 내에서 243㎛일 수 있고, 제2-4 수직변 슬롯(540a)의 길이(h1)는 ±5%의 오차범위 내에서 264㎛일 수 있고, 제2-1 수평변 슬롯(510b)의 길이(L1)는 ±5%의 오차범위 내에서 2178㎛일 수 있고, 제2-2 수평변 슬롯(520b)의 길이(L2)는 ±5%의 오차범위 내에서 1133㎛일 수 있고, 제2-3 수평변 슬롯(530b)의 길이(L3)는 ±5%의 오차범위 내에서 320㎛일 수 있다.The length h 2 of the 2-1 vertical slot 510a may be 369 μm within an error range of ± 5% and the length h 3 of the 2-2 vertical slot 520a may be ± 5 , And the length h 1 of the second 2-4 vertical slot 540a may be 264 μm within an error range of ± 5% The length L 1 of the second horizontal slot 520b may be 2178 μm within an error range of ± 5% and the length L 2 of the second horizontal slot 520b may be 1133 And the length L 3 of the 2-3 horizontally slotted slot 530 b may be 320 μm within an error range of ± 5%.

제1 T - 타입 슬롯 라인(400)과 제2 T - 타입 슬롯 라인(500) 사이에는 간극(g1)이 형성될 수 있다.A gap g 1 may be formed between the first T-type slot line 400 and the second T-type slot line 500.

본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터(10)에서, 차단 주파수 대역의 중심 주파수는 ±5%의 오차범위 내에서 5.44GHz일 수 있고, 차단 주파수 대역폭은 600MHz ~ 605MHz일 수 있고, 중심 주파수에서의 삽입 손실은 28.7dB ~ 32.1dB, 중심 주파수에서의 반사 손실은 0.7dB ~ 0.9dB일 수 있다.
In the meander spur line band-stop filter 10 according to an embodiment of the present invention, the center frequency of the cutoff frequency band may be 5.44 GHz within an error range of ± 5%, and the cutoff frequency bandwidth may be 600 MHz to 605 MHz , The insertion loss at the center frequency may be 28.7 dB to 32.1 dB, and the return loss at the center frequency may be 0.7 dB to 0.9 dB.

[밴드스탑 필터의 설계 및 시뮬레이션 결과][Design and simulation results of band stop filter]

본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터(10)는 SONNET Lite EM 시뮬레이터를 사용하여 설계 및 시뮬레이션 될 수 있고, 상술한 치수들은 시뮬레이션을 수행하는 과정에서 각종 파라미터들을 최적화하여 조정된 것이다.The meander spur line band stop filter 10 according to an embodiment of the present invention can be designed and simulated using a SONNET Lite EM simulator and the dimensions described above can be adjusted by optimizing various parameters in the course of performing a simulation will be.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 주파수 응답에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a simulation result of a frequency response of a meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터(10)는 32.1dB의 삽입 손실(S21)과 0.9dB의 반사 손실(S11)을 가지는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the meander spur line band-stop filter 10 according to an embodiment of the present invention has an insertion loss S 21 of 32.1 dB and a reflection loss S 11 of 0.9 dB .

제1 미앤더 스퍼라인(200) 및 제2 미앤더 스퍼라인(300)의 수평 방향 길이(Ls)는 하기 수학식 1에 의해 결정될 수 있다.
The horizontal length L s of the first meander spur line 200 and the second meander spur line 300 may be determined by the following equation (1).

(수학식 1)(1)

Figure 112015020063865-pat00001

Figure 112015020063865-pat00001

상기 수학식 1에서 C는 빛의 속도(3x108m/s), fbs는 밴드스탑 주파수(즉, 원하는 차단 주파수), εeff는 기판(100)의 유효 유전율(effective permittivity)일 수 있다.Where C is the speed of light (3 x 10 8 m / s), f bs is the band stop frequency (i.e., the desired cutoff frequency), and eff is the effective permittivity of the substrate 100.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 등가회로를 나타낸 도면이다.3 is an equivalent circuit diagram of a meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터(10)의 완전한 등가회로는 도 3(a)에서 확인할 수 있고, 간소화된 등가회로는 도 3(b)에서 확인할 수 있다. 공진 주파수는 파라미터 L, C 및 전송 라인(50Ω)의 특성 임피던스에 주로 의존한다. 미앤더 스퍼라인의 수평 방향 길이가 증가하면, 미앤더 스퍼라인의 직렬 인덕턴스와 특성 임피던스가 증가하여 공진 주파수가 감소하게 된다. T - 타입 슬롯 라인의 길이는 어느 정도 감소하거나 증가하더라도 공진 주파수에 영향을 미치지 않지만 밴드스탑 필터의 듀얼 모드(dual mode)를 만드는데 책임이 있다. 3, a fully equivalent circuit of the meander spur line band-stop filter 10 according to an embodiment of the present invention can be seen in Fig. 3 (a), and a simplified equivalent circuit is shown in Fig. 3 (b) Can be confirmed. The resonant frequency mainly depends on the characteristic impedances of the parameters L, C and the transmission line (50?). As the length of the meander spur line increases in the horizontal direction, the series inductance and the characteristic impedance of the meander spur line increase and the resonant frequency decreases. The length of the T-type slot line does not affect the resonance frequency even if it decreases or increases, but is responsible for creating a dual mode of the band-stop filter.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 전류 분포에 대한 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.4 is a graph illustrating a simulation result of a current distribution of a meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터(10)의 전류 분포에 대한 시뮬레이션은 전류 밀도의 흐름을 검증하기 위하여 SONNET 시뮬레이터를 사용하여 (a) 3.9GHz, (b) 5.4GHz, (c) 5.9GHz, (d) 9.2GHz의 주파수에서 수행한 결과, 5.4GHz의 주파수를 제외한 모든 주파수에서 양호한 전류 분포를 나타내는 것으로 확인되었고, 5.4GHz의 주파수에서는 전류 분포가 거의 완벽하게 한정됨으로써 해당 주파수가 차단되었음을 알 수 있다.
4, a simulation of the current distribution of the meander spur line band-stop filter 10 according to an embodiment of the present invention is performed using a SONNET simulator to verify the current density flow (a) at 3.9 GHz, (b) 5.4 GHz, (c) 5.9 GHz, and (d) 9.2 GHz, it was found that the current distribution was good at all frequencies except the frequency of 5.4 GHz. It can be seen that the frequency is blocked by being almost completely limited.

[밴드스탑 필터의 제작 및 측정 결과][Fabrication and measurement results of band stop filter]

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법을 나타낸 도면, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법의 각 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 5 illustrates a method of fabricating a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 illustrates a method of fabricating a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention. Fig.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법은 집적 수동 소자 기술을 이용한 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법으로서, 6인치 SI-GaAs 웨이퍼를 준비하는 단계(S100), Si3N4 패시베이션층을 형성하는 단계(S110), Ti 시드층을 형성하는 단계(S120) 및 Au 금속층을 형성하는 단계(S130)을 포함할 수 있다.5 and 6, a method of manufacturing a meander spur line band stop filter according to another embodiment of the present invention is a method of manufacturing a meander spur line band stop filter using an integrated passive element technology, It may include a step (S100), step (S110), step (S120) and a step (S130) of forming a Au metal layer to form a Ti seed layer to form a Si 3 N 4 passivation layer to prepare a GaAs wafer.

먼저, 도 6(a)에 도시된 것처럼, 6인치 SI-GaAs 웨이퍼를 준비할 수 있다(S100). 6인치 SI-GaAs 웨이퍼는 높은 전자 포화속도와 전자 이동성을 가질 수 있고, 고속 어플리케이션에 사용될 수 있다.First, as shown in FIG. 6A, a 6-inch SI-GaAs wafer can be prepared (S100). 6-inch SI-GaAs wafers can have high electron saturation rates and electron mobility and can be used in high-speed applications.

다음으로, 도 6(b)에 도시된 것처럼, 6인치 SI-GaAs 웨이퍼 상에 Si3N4로 이루어지는 패시베이션층을 형성할 수 있다(S110). Si3N4로 이루어지는 패시베이션층은 7.5의 유전상수를 가질 수 있고, PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition) 방식에 의해 2000Å 두께로 형성될 수 있다. 패시베이션층은 기판 표면의 표면 결함 및 거칠기 문제를 완화할 수 있다.Next, as shown in Fig. 6 (b), a passivation layer made of Si 3 N 4 can be formed on the 6-inch SI-GaAs wafer (S110). The passivation layer made of Si 3 N 4 may have a dielectric constant of 7.5 and may be formed to a thickness of 2000 Å by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. The passivation layer can alleviate surface defects and roughness problems on the substrate surface.

다음으로, 도 6(c)에 도시된 것처럼, 패시베이션층 상에 Ti 시드층을 형성할 수 있다(S120). Ti 시드층은 패시베이션층 상의 제1 미앤더 스퍼라인(200), 제2 미앤더 스퍼라인(300), 제1 T - 타입 슬롯 라인(400) 및 제2 T - 타입 슬롯 라인(500)을 제외한 영역에 형성될 수 있다. Ti 시드층은 스퍼터링 방식에 의해 200Å 두께로 형성될 수 있다. Ti 시드층은 기판에 대한 금속 접착력을 향상시킬 수 있다.Next, as shown in Fig. 6C, a Ti seed layer may be formed on the passivation layer (S120). The Ti seed layer is formed on the passivation layer except for the first meander spur line 200, the second meander spur line 300, the first T-type slot line 400 and the second T-type slot line 500 Lt; / RTI > region. The Ti seed layer may be formed to a thickness of 200 A by a sputtering method. The Ti seed layer can improve the metal adhesion to the substrate.

다음으로, 도 6(d)에 도시된 것처럼, Ti 시드층 상에 Au 금속층을 형성할 수 있다(S130). Au 금속층은 스퍼터링 방식에 의해 800Å 두께로 형성될 수 있다. 즉, Ti 시드층과 Au 금속층은 200Å 대 800Å의 비율로 형성될 수 있다. Ti 시드층을 형성하는 단계(S120)와 Au 금속층을 형성하는 단계(S130)는 교번적으로 수행됨으로써, 패시베이션층 상에는 Ti 시드층과 Au 금속층이 교번적으로 적층되어 2.0㎛ 두께의 제1 Ti/Au 금속층이 형성될 수 있고, 제1 Ti/Au 금속층 상에는 Ti 시드층과 Au 금속층이 교번적으로 적층되어 3.0㎛ 두께의 제2 Ti/Au 금속층이 형성될 수 있다.Next, as shown in Fig. 6 (d), an Au metal layer can be formed on the Ti seed layer (S130). The Au metal layer may be formed to a thickness of 800 A by a sputtering method. That is, the Ti seed layer and the Au metal layer may be formed at a ratio of 200 Å to 800 Å. The Ti seed layer formation step S120 and the Au metal layer formation step S130 are alternately performed so that a Ti seed layer and an Au metal layer are alternately stacked on the passivation layer to form a first Ti / Au metal layer may be formed on the first Ti / Au metal layer, and a Ti seed layer and an Au metal layer may be alternately stacked on the first Ti / Au metal layer to form a second Ti / Au metal layer having a thickness of 3.0 탆.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법으로 제작된 밴드스탑 필터와 피시험 장치를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a band-stop filter and an apparatus to be tested fabricated by the method of manufacturing a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 피시험 장치(device under test(DUT))에 고정된 밴드스탑 필터의 확대 형상을 확인할 수 있다. 밴드스탑 필터는 작은 크기로 소형화되어 레퍼런스 라인을 제외하면 (1223 x 4261)㎛2의 크기를 가질 수 있고, 레퍼런스 라인의 종단 저항은 ±5%의 오차범위 내에서 50Ω일 수 있다. 5.44GHz의 중심 주파수에서의 삽입 손실(S21) 및 반사 손실(S11)은 Agilent (HP) 8510C vector network analyzer(VNA)를 사용하여 측정한 결과 각각 28.7dB 및 0.7dB임을 확인할 수 있다. 차단 주파수 대역폭은 600MHz로 측정되었다. 중심 주파수는 11%의 비대역폭을 가지는 저지대역(stopband)의 5.44GHz 주파수에서 발견되었다. 저지대역에서 측정된 결과의 최소 반사 손실은 0.7dB이었다. 삽입 손실은 주로 슬롯 라인의 방사 손실(radiation loss)에 기인할 수 있다.Referring to FIG. 7, an enlarged shape of a band-stop filter fixed to a device under test (DUT) can be confirmed. The band-stop filter can be miniaturized to a small size and can have a size of ( 2 233 x 4261) 탆 2 except for the reference line, and the termination resistance of the reference line can be 50 Ω within an error range of ± 5%. The insertion loss (S 21 ) and return loss (S 11 ) at the center frequency of 5.44 GHz were 28.7 dB and 0.7 dB, respectively, when measured using an Agilent (HP) 8510C vector network analyzer (VNA). The cut-off frequency bandwidth was measured at 600 MHz. The center frequency was found at the 5.44 GHz frequency of the stopband with a bandwidth of 11%. The minimum return loss of the measured result in the stop band was 0.7 dB. The insertion loss can be mainly caused by the radiation loss of the slot line.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 주파수 응답에 대한 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 동시에 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a view illustrating a simulation result and a measurement result of a frequency response of a meander spur line band stop filter according to an embodiment of the present invention at the same time.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 주파수 응답에 대한 측정 결과가 시뮬레이션 결과와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있다. 한편, 시뮬레이션 결과에서는 저지대역의 양 사이드 5.60GHz와 5.0GHz에서 18.0dB이고 8.79GHz에서 40.566dB인 3개의 반사 영점(reflection zeros)을 확인할 수 있다. 반사 영점은 통과 대역 에지(passband edges)에 근접한다.Referring to FIG. 8, the measurement result of the frequency response of the meander spur line band-stop filter according to an embodiment of the present invention closely matches the simulation result. On the other hand, the simulation results show that there are three reflection zeros at the both sides of the stop band at 5.60 GHz and 18.0 dB at 5.0 GHz and 40.566 dB at 8.79 GHz. The reflection zero is close to the passband edges.

본 발명의 다른 실시예에 따른 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법으로 제작된 밴드스탑 필터의 시뮬레이션 및 측정 데이터는 하기 표 1과 같다.
The simulation and measurement data of the band-stop filter fabricated by the method of manufacturing a meander spur line band-stop filter according to another embodiment of the present invention are shown in Table 1 below.

파라미터parameter 시뮬레이션 결과Simulation result 측정 결과Measurement result 주파수frequency 5.44GHz5.44 GHz 5.44GHz5.44 GHz 삽입 손실(S21)Insertion loss (S 21 ) 32.1dB32.1dB 28.7dB28.7dB 반사 손실(S11)Return loss (S 11 ) 0.9dB0.9dB 0.7dB0.7dB 차단 대역폭Blocking bandwidth 0.605GHz0.605 GHz 0.6GHz0.6GHz 크기size (1223×4261)㎛2 (1223 x 4261) 占 퐉 2

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

10: 밴드스탑 필터
100: 기판
110: 제1 레퍼런스 라인
120: 제2 레퍼런스 라인
200: 제1 미앤더 스퍼라인
300: 제2 미앤더 스퍼라인
400: 제1 T - 타입 슬롯 라인
500: 제2 T - 타입 슬롯 라인10: Bandstop filter
100: substrate
110: first reference line
120: second reference line
200: 1st meander spur line
300: 2nd meander spur line
400: first T-type slot line
500: second T-type slot line

Claims (16)

기판;
상기 기판의 길이 방향의 일단에 결합되는 제1 레퍼런스 라인;
상기 기판의 길이 방향의 타단에 결합되는 제2 레퍼런스 라인;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 일측에서 연장되며, 미앤더 형상을 가지는 제1 미앤더 스퍼라인;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 타측에서 연장되며, 상기 제1 미앤더 스퍼라인과 반대 방향으로 개방된 미앤더 형상을 가지는 제2 미앤더 스퍼라인;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 레퍼런스 라인에서 연장되며, 폴디드 T 형상을 가지는 제1 T - 타입 슬롯 라인; 및
상기 기판 상에 형성되고, 상기 제2 레퍼런스 라인에서 연장되며, 상기 제1 T - 타입 슬롯 라인과 점 대칭을 이루는 폴디드 T 형상을 가지는 제2 T - 타입 슬롯 라인을 포함하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
Board;
A first reference line coupled to one end of the substrate in the longitudinal direction;
A second reference line coupled to the other end in the longitudinal direction of the substrate;
A first meander spur line formed on the substrate and extending from one side parallel to the longitudinal direction of the substrate, the meander spur line having a meander shape;
A second meander spur line formed on the substrate and extending from the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate and having a meander shape opened in a direction opposite to the first meander spur line;
A first T-type slot line formed on the substrate and extending from the first reference line, the first T-type slot line having a folded T shape; And
And a second T-type slot line formed on the substrate and extending from the second reference line and having a folded T shape that is point symmetric with the first T- Stop filter.
제1항에 있어서,
상기 제1 미앤더 스퍼라인은,
상기 기판의 일측에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-1 수직 슬롯; 및
상기 제1-1 수직 슬롯의 단부에 직렬 연결되는 복수 개의 제1 미앤더 슬롯을 포함하고,
상기 제1 미앤더 슬롯은,
상기 제1-1 수직 슬롯의 단부 측에 연결되고, 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제1-1 수평 슬롯;
상기 제1-1 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제1-2 수직 슬롯;
상기 제1-2 수직 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제1-2 수평 슬롯; 및
상기 제1-2 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-3 수직 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the first meander spur line comprises:
A 1-1 vertical slot extending from one side of the substrate toward the other side of the substrate; And
And a plurality of first meander slots connected in series to ends of the 1-1 vertical slot,
Wherein the first meander slot comprises:
A 1-1 horizontal slot connected to an end side of the 1-1 vertical slot and extending toward the other end of the substrate;
A first 1-2 vertical slot extending from an end of the 1-1 horizontal slot toward one side of the substrate;
A first 1-2 horizontal slot extending from an end of the 1-2 vertical slot toward the other end of the substrate; And
And a first 1-3 vertical slot extending from the end of the 1-2 horizontal slot toward the other side of the substrate.
제2항에 있어서,
상기 제2 미앤더 스퍼라인은,
상기 기판의 타측에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-1 수직 슬롯; 및
상기 제2-1 수직 슬롯의 단부에 직렬 연결되는 복수 개의 제2 미앤더 슬롯을 포함하고,
상기 제2 미앤더 슬롯은,
상기 제2-1 수직 슬롯의 단부 측에 연결되고, 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제2-1 수평 슬롯;
상기 제2-1 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제2-2 수직 슬롯;
상기 제2-2 수직 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제2-2 수평 슬롯; 및
상기 제2-2 수평 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-3 수직 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
3. The method of claim 2,
The second meander spur line may include a first meander spur line,
A 2-1 vertical slot extending from the other side of the substrate toward one side of the substrate; And
And a plurality of second meander slots serially connected to ends of the 2-1 vertical slots,
Wherein the second meander slot comprises:
A 2-1 horizontal slot connected to an end side of the 2-1 vertical slot and extending toward one end of the substrate;
A 2-2 vertical slot extending from the end of the 2-1 horizontal slot toward the other side of the substrate;
A 2-2 horizontal slot extending from one end of the 2-2 vertical slot toward one end of the substrate; And
And a second 2-3 vertical slot extending from the end of the 2-2 horizontal slot towards one side of the substrate.
제3항에 있어서,
상기 제1 T - 타입 슬롯 라인은,
상기 제1 레퍼런스 라인에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제1-1 수평변 슬롯;
상기 제1-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제1-1 수직변 슬롯;
상기 제1-1 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제1-2 수평변 슬롯;
상기 제1-2 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-2 수직변 슬롯;
상기 제1-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제1-3 수직변 슬롯;
상기 제1-3 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제1-3 수평변 슬롯; 및
상기 제1-3 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제1-4 수직변 슬롯을 포함하고,
상기 제1-2 수평변 슬롯의 길이는 상기 제1-1 수평변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제1-3 수평변 슬롯의 길이보다 크며, 상기 제1-1 수직변 슬롯의 길이는 상기 제1-3 수직변 슬롯의 길이와 같고, 상기 제1-4 수직변 슬롯의 길이는 상기 제1-1 수직변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제1-2 수직변 슬롯의 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
The method of claim 3,
The first T-type slot line includes:
A 1-1 horizontal slot extending from the first reference line toward the other end of the substrate;
A 1-1 vertical slot extending from one end of the 1-1 horizontal slot toward one side of the substrate;
A first 1-2 horizontal slot extending from an end of the 1-1 vertical slot toward one end of the substrate;
A 1-2 vertical slot extending from the end of the 1-2 horizontal slot toward the other side of the substrate;
A first to third vertical slot extending from the end of the 1-1 horizontal slot toward the other side of the substrate;
A first through third horizontal slot extending from one end of the first through third vertical slots toward one end of the substrate; And
And a fourth to fourth vertical slot extending from one end of the first-third horizontal slot toward one side of the substrate,
Wherein the length of the 1-2 first horizontal slot is smaller than the length of the 1-1 horizontal slot and is larger than the length of the first 1-3 horizontal slot, -3 vertical slot, and the length of the 1-4th vertical slot is smaller than the length of the 1-1th vertical slot and is larger than the length of the 1-2th vertical slot. Anders spur line band stop filter.
제4항에 있어서,
상기 제2 T - 타입 슬롯 라인은,
상기 제2 레퍼런스 라인에서 상기 기판의 일단을 향해 연장되는 제2-1 수평변 슬롯;
상기 제2-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제2-1 수직변 슬롯;
상기 제2-1 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제2-2 수평변 슬롯;
상기 제2-2 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-2 수직변 슬롯;
상기 제2-1 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 일측을 향해 연장되는 제2-3 수직변 슬롯;
상기 제2-3 수직변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타단을 향해 연장되는 제2-3 수평변 슬롯; 및
상기 제2-3 수평변 슬롯의 단부에서 상기 기판의 타측을 향해 연장되는 제2-4 수직변 슬롯을 포함하고,
상기 제2-2 수평변 슬롯의 길이는 상기 제2-1 수평변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제2-3 수평변 슬롯의 길이보다 크며, 상기 제2-1 수직변 슬롯의 길이는 상기 제2-3 수직변 슬롯의 길이와 같고, 상기 제2-4 수직변 슬롯의 길이는 상기 제2-1 수직변 슬롯의 길이보다 작고 상기 제2-2 수직변 슬롯의 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
5. The method of claim 4,
The second T-type slot line includes:
A 2-1 horizontal slot extending from the second reference line toward one end of the substrate;
A 2-1 vertical slot extending from the end of the 2-1 horizontal slot toward the other side of the substrate;
A 2-2 horizontal slot extending from the end of the 2-1 vertical slot toward the other end of the substrate;
A 2-2 vertical slot extending from the end of the 2-2 horizontal slot toward one side of the substrate;
A second through third vertical slot extending from the end of the second-1 horizontal slot toward one side of the substrate;
A 2-3 horizontally slotted slot extending from an end of the 2-3 vertical slot toward the other end of the substrate; And
And a second 2-4 vertical slot extending from the end of the 2-3 horizontally-side slot toward the other side of the substrate,
The length of the second-2 horizontal slot is smaller than the length of the second-1 horizontal slot and is greater than the length of the second horizontal slot, and the length of the second- -3 vertical slot, and the length of the 2-4 vertical slot is smaller than the length of the 2-1 vertical slot and larger than the length of the 2-2 vertical slot. Anders spur line band stop filter.
제5항에 있어서,
상기 제1 T - 타입 슬롯 라인과 상기 제2 T - 타입 슬롯 라인 사이에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
6. The method of claim 5,
And a gap is formed between the first T-type slot line and the second T-type slot line.
제6항에 있어서,
상기 기판의 폭은 1966㎛, 상기 기판의 길이는 4984㎛, 상기 제1 미앤더 스퍼라인 및 상기 제2 미앤더 스퍼라인의 슬롯 폭은 0.2mm, 상기 제1 미앤더 스퍼라인 및 상기 제2 미앤더 스퍼라인의 수평 방향 길이는 4300㎛, 상기 제1-1 수평변 슬롯의 길이는 2178㎛, 상기 제1-2 수평변 슬롯의 길이는 1133㎛, 상기 제1-3 수평변 슬롯의 길이는 320㎛, 상기 제1-1 수직변 슬롯의 길이는 369㎛, 상기 제1-2 수직변 슬롯의 길이는 243㎛, 상기 제1-4 수직변 슬롯의 길이는 264㎛, 상기 제1 레퍼런스 라인 및 상기 제2 레퍼런스 라인의 폭은 1229㎛, 상기 제1 레퍼런스 라인 및 상기 제2 레퍼런스 라인의 길이는 263㎛로 각각 ±5%의 오차범위를 가지는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
The method according to claim 6,
The width of the substrate is 1966 m, the length of the substrate is 4984 m, the slot width of the first meander spar line and the second meander spar line is 0.2 mm, the first meander spar line and the second The horizontal length of the under spur line is 4300 탆, the length of the 1-1 horizontal slot is 2178 탆, the length of the 1-2 horizontal slot is 1133 탆, The length of the 1-1 first vertical slot is 369 mu m, the length of the 1-2 first vertical slot is 243 mu m, the length of the 1-4 first vertical slot is 264 mu m, And a width of the second reference line is 1229 mu m, and a length of the first reference line and a length of the second reference line is 263 mu m, and has an error range of +/- 5%, respectively.
제7항에 있어서,
상기 제1 레퍼런스 라인 및 상기 제2 레퍼런스 라인의 종단 저항은 50Ω로 각각 ±5%의 오차범위를 가지는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
8. The method of claim 7,
And the termination resistances of the first reference line and the second reference line are 50 OMEGA, respectively, with an error range of +/- 5%.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 밴드스탑 필터의 차단 주파수 대역의 중심 주파수는 5.44GHz로 ±5%의 오차범위를 가지는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
9. The method according to any one of claims 6 to 8,
Wherein the center frequency of the cut-off frequency band of the band-stop filter is 5.44 GHz and has an error range of +/- 5%.
제9항에 있어서,
상기 밴드스탑 필터의 차단 주파수 대역폭은 600MHz ~ 605MHz, 상기 중심 주파수에서의 삽입 손실은 28.7dB ~ 32.1dB, 상기 중심 주파수에서의 반사 손실은 0.7dB ~ 0.9dB인 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터.
10. The method of claim 9,
Wherein the band-stop filter has a cut-off frequency bandwidth of 600 MHz to 605 MHz, an insertion loss at the center frequency of 28.7 dB to 32.1 dB, and a return loss at the center frequency of 0.7 dB to 0.9 dB. Stop filter.
집적 수동 소자 기술을 이용한 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법에 있어서,
6인치 SI-GaAs 웨이퍼를 준비하는 단계;
상기 웨이퍼 상에 Si3N4로 이루어지는 패시베이션층을 형성하는 단계;
상기 패시베이션층 상의 제1 미앤더 스퍼라인, 제2 미앤더 스퍼라인, 제1 T - 타입 슬롯 라인 및 제2 T - 타입 슬롯 라인을 제외한 영역에 Ti 시드층을 형성하는 단계; 및
상기 Ti 시드층 상에 Au 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법.
A method of manufacturing a meander spur line band stop filter using an integrated passive device technology,
Preparing a 6 inch SI-GaAs wafer;
Forming a passivation layer of Si 3 N 4 on the wafer;
Forming a Ti seed layer in a region other than a first meander spar line, a second meander spar line, a first T-type slot line, and a second T-type slot line on the passivation layer; And
And forming an Au metal layer on the Ti seed layer.
제11항에 있어서,
상기 패시베이션층을 형성하는 단계에서,
상기 패시베이션층은 PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition) 방식에 의해 2000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
In the step of forming the passivation layer,
Wherein the passivation layer is formed to have a thickness of 2000 A by a Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) method.
제12항에 있어서,
상기 Ti 시드층을 형성하는 단계에서,
상기 Ti 시드층은 스퍼터링 방식에 의해 200Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법.
13. The method of claim 12,
In the step of forming the Ti seed layer,
Wherein the Ti seed layer is formed to a thickness of 200 A by a sputtering method.
제13항에 있어서,
상기 Au 금속층을 형성하는 단계에서,
상기 Au 금속층은 스퍼터링 방식에 의해 800Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법.
14. The method of claim 13,
In the step of forming the Au metal layer,
Wherein the Au metal layer is formed to a thickness of 800 A by a sputtering method.
제14항에 있어서,
상기 패시베이션층 상에는 상기 Ti 시드층과 상기 Au 금속층이 교번적으로 적층되어 2.0㎛ 두께의 제1 Ti/Au 금속층이 형성되고,
상기 제1 Ti/Au층 상에는 상기 Ti 시드층과 상기 Au 금속층이 교번적으로 적층되어 3.0㎛ 두께의 제2 Ti/Au 금속층이 형성되는 것을 특징으로 하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법.
15. The method of claim 14,
On the passivation layer, the Ti seed layer and the Au metal layer are alternately laminated to form a first Ti / Au metal layer having a thickness of 2.0 탆,
Wherein the Ti seed layer and the Au metal layer are alternately laminated on the first Ti / Au layer to form a second Ti / Au metal layer having a thickness of 3.0 탆.
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터는,
상기 6인치 SI-GaAs 웨이퍼, 상기 패시베이션층, 상기 Ti 시드층 및 상기 Au 금속층을 포함하는 기판;
상기 기판의 길이 방향의 일단에 결합되는 제1 레퍼런스 라인;
상기 기판의 길이 방향의 타단에 결합되는 제2 레퍼런스 라인;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 일측에서 연장되며, 미앤더 형상을 가지는 상기 제1 미앤더 스퍼라인;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판의 길이 방향에 평행하는 타측에서 연장되며, 상기 제1 미앤더 스퍼라인과 반대 방향으로 개방된 미앤더 형상을 가지는 상기 제2 미앤더 스퍼라인;
상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 레퍼런스 라인에서 연장되며, 폴디드 T 형상을 가지는 상기 제1 T - 타입 슬롯 라인; 및
상기 기판 상에 형성되고, 상기 제2 레퍼런스 라인에서 연장되며, 상기 제1 T - 타입 슬롯 라인과 점 대칭을 이루는 폴디드 T 형상을 가지는 상기 제2 T - 타입 슬롯 라인을 포함하는 미앤더 스퍼라인 밴드스탑 필터의 제조방법.16. The method according to any one of claims 11 to 15,
Wherein the meander spur line band stop filter comprises:
A substrate including the 6-inch SI-GaAs wafer, the passivation layer, the Ti seed layer, and the Au metal layer;
A first reference line coupled to one end of the substrate in the longitudinal direction;
A second reference line coupled to the other end in the longitudinal direction of the substrate;
The first meander spur line formed on the substrate and extending from one side parallel to the longitudinal direction of the substrate, the first meander spur line having a meander shape;
The second meander spur line formed on the substrate and extending from the other side parallel to the longitudinal direction of the substrate and having a meander shape opened in a direction opposite to the first meander spur line;
A first T-type slot line formed on the substrate and extending from the first reference line, the first T-type slot line having a folded T shape; And
And a second T-type slot line formed on the substrate and extending from the second reference line, the second T-type slot line having a folded T shape that is point symmetric with the first T- A method of manufacturing a band-stop filter.
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