KR101598708B1 - 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치 - Google Patents

원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101598708B1
KR101598708B1 KR1020140112414A KR20140112414A KR101598708B1 KR 101598708 B1 KR101598708 B1 KR 101598708B1 KR 1020140112414 A KR1020140112414 A KR 1020140112414A KR 20140112414 A KR20140112414 A KR 20140112414A KR 101598708 B1 KR101598708 B1 KR 101598708B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tube
ring
guide
chamber
pull chamber
Prior art date
Application number
KR1020140112414A
Other languages
English (en)
Inventor
우재천
장재혁
Original Assignee
(주)에프아이에스
에스케이씨솔믹스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에프아이에스, 에스케이씨솔믹스 주식회사 filed Critical (주)에프아이에스
Priority to KR1020140112414A priority Critical patent/KR101598708B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101598708B1 publication Critical patent/KR101598708B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 잉곳을 성장시키기 위한 잉곳 성장 장치에 관한 것으로, 풀챔버에서 하강되는 튜브의 길이가 짧아, 튜브의 하단부와 도가니의 용융액 간의 높이가 권장높이를 초과하게 되면, 튜브의 상단부에 구비되는 이동안내부가 하강안내부재의 가이드바를 따라 추가로 하부로 이동되도록 하여, 튜브의 길이를 변화시키지 않고, 간단한 구성으로, 튜브를 추가로 하부로 이동시켜서, 튜브에서 도가니로 원료가 안정적으로 공급되도록 하는 효과가 있다.

Description

원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치{Apparatus for Growing Silicon Ingot}
본 발명은 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 튜브의 하단부와 도가니의 용융액 간의 높이가 권장높이를 초과하게 되면, 튜브의 길이를 변화시키지 않고, 간단한 구성으로, 튜브를 추가로 하부로 이동시켜서, 튜브의 하단부와 도가니의 용융액 간의 높이가 권장 높이의 범위에 포함되도록 하여, 튜브에서 도가니로 원료가 안정적으로 공급되도록 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 재료로 사용되는 실리콘 웨이퍼는 먼저 실리콘 원료를 잉곳(Ingot) 형태로 성장시켜야 하는데, 단결정 잉곳 중 약 75% 이상이 쵸크랄스키(CZ) 방법으로 성장되고 있다. 이러한 초크랄스키 방법은 실리콘 원료를 도가니 안에서 액상으로 용융시킨 후, 원하는 결정 방향과 동일한 결정 방향을 가진 단결정 종자(Seed)를 도가니의 용액 표면 가운데 부분에 접촉시킨다. 그리고 단결정 종자와 도가니는 서로 반대 방향으로 회전하게 되며 이 단결정 종자를 조금씩 들어올리면서 잉곳 성장 공정이 시작된다.
도 1은 일반적인 잉곳 성장 장치의 도가니에 공급된 실리콘 원료가 용융되는 과정을 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 도 1의 (a)와 같이, 실리콘(Si) 등의 고체 원료가 가열부재(10: 도 2 도시)의 도가니(14)로 공급된 후, 도 1의 (b)와 같이 도가니(14)에 열이 가해져 고체 상태의 원료가 용융되어 용융액이 형성된다. 이때, 용융액의 부피는 고체 원료들 사이에 형성되는 공극만큼 줄어들게 되므로, 도가니(14)의 상부에는 추가로 고체 원료를 수용할 수 있는 공간이 형성되는바, 도 1의 (c)와 같이, 원료공급유닛(20: 도 2 도시)을 이용하여 고체 원료를 추가로 투입하여, 도 1의 (d)와 같이 용융액이 도가니(14)에 가득 차도록 한다.
도 2는 일반적인 잉곳 성장 장치를 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 잉곳 성장 장치는 가열부재(10)와, 원료공급유닛(20)을 포함한다.
가열부재(10)는 메인챔버(12)와, 메인챔버(12) 내부의 하측에 설치되어 원료를 용융시키는 도가니(14)와, 도가니(14)를 회전시키는 구동축(16)과, 메인챔버(12) 내부의 상측에 설치되는 돔챔버(18)와, 돔챔버(18)의 상부에 설치되는 게이트챔버(19)를 포함한다.
원료공급유닛(20)은 게이트챔버(19)의 상부에 고정되며 길이방향으로 길게 형성되는 풀챔버(22)와, 풀챔버(22) 내부에 삽입되며 고체 원료가 수용되는 튜브(24)와, 풀챔버(22)의 상부에 구비되는 구동모터(26)와, 일측은 구동모터(26)에 연결되고 타측은 후술하는 개폐부(29)에 연결되는 와이어(28)와, 와이어(28)와 연결되며 튜브(24)의 하단부를 개폐하는 개폐부(29)를 포함한다.
그리고 도가니(14)에 공급된 원료가 용융되면, 상기 도 1에서 상술한 바와 같이, 용융액의 부피가 줄어들게 되므로, 하기 도 3과 같이, 원료공급유닛(20)을 이용하여 원료를 추가로 공급해야 한다.
도 3은 도 2의 잉곳 성장 장치에 구비된 원료공급유닛의 튜브가 도가니 방향으로 하강된 상태를 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면, 원료공급유닛(20)의 튜브(24)를 도가니(14) 방향으로 이동시키기 위하여, 먼저, 구동모터(26)가 와이어(28)를 권출하면, 와이어(28)의 길이가 길어지게 되어, 개폐부(29)가 하강되고, 튜브(24)는 개폐부(29)를 따라 하부로 이동되어, 튜브(24)의 하단부가 가열부재(10)의 돔챔버(18)를 지나 도가니(14)의 상부에 위치된다. 이때, 튜브(24)의 상단부는 풀챔버(22)의 하단부에 구비된 스토퍼(23)에 걸리게 되어, 튜브(24)는 더 이상 하부로 이동되지 못하게 되고, 이에 따라 개폐부(29)만 하부로 이동되어, 튜브(24)의 하단부가 개방된다. 그러면, 튜브(24)에 수용된 원료가 튜브(24)의 개방된 하단부를 따라 도가니(14)로 추가 공급된다.
여기서, 튜브(24)에 수용된 원료가 튜브(24)의 하단부를 지나 도가니(14)의 용융액으로 투입되기까지의 낙하 높이 즉, 튜브(24)의 하단부와 도가니(14)의 용융액 간의 높이(d1)는 100㎜ 내지 150㎜가 권장된다. 이 범위를 초과하게 되면, 낙하하는 원료가 도가니(14)의 용융액에 닿는 순간, 고온의 용융액이 튜브(24)의 하단부로 튀게 되어 튜브(24)에 손상을 입히게 되는 문제점이 있다.
한편, 경우에 따라, 설치 장소의 크기 제한 등으로 인하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 가열부재(10)의 크기에 맞지 않은 짧은 길이의 풀챔버(32)를 갖는 원료공급유닛(30)을 사용하는 경우가 있다. 이 경우, 풀챔버(32)에 삽입되는 튜브(34)의 길이 또한 짧도록 형성되며, 이렇게 짧게 형성된 튜브(34)를 가열부재(10)의 도가니(14) 방향으로 하강시키게 되면, 튜브(34)의 하단부와 도가니(14)의 용융액 간의 높이(d2)는 튜브(34)의 짧아진 길이만큼 길어지게 되며, 이에 따라, 낙하하는 원료에 의하여 고온의 용융액이 튜브(34)의 하단부 방향으로 튀게 되어, 튜브(34)에 심각한 손상을 입히게 되는 문제점이 있다. 또한, 풀챔버(32)에 삽입된 튜브(34)가 풀챔버(32)의 하부로 돌출될 정도로 길게 형성되면, 튜브(34)의 돌출된 부분의 빈번한 파손은 물론, 튜브(34)를 풀챔버(32)에 장착할 수 없게 되는 문제점이 있다.
등록특허 제10-1402839호 등록특허 제10-1408664호
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 풀챔버에서 하강되는 튜브의 길이가 짧아, 튜브의 하단부와 도가니의 용융액 간의 높이가 권장높이를 초과하게 되면, 튜브의 길이를 변화시키지 않고, 간단한 구성으로, 튜브를 추가로 하부로 이동시키도록 하여, 튜브의 하단부와 도가니의 용융액 간의 높이가 권장 높이의 범위에 포함되도록 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공하도록 하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 메인챔버와, 상기 메인챔버 내부에 구비되며 원료가 담기는 도가니를 갖는 가열유닛; 및 상기 도가니로 원료를 공급하도록 상기 메인챔버의 상부에 구비되는 공급유닛을 포함하고, 상기 공급유닛은: 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 메인챔버의 상부에 장착되는 풀챔버; 상기 풀챔버 내부를 따라 상하 이동되며, 원료가 수용되는 튜브; 상기 튜브의 상단부에 장착되되 상기 튜브보다 큰 외주연을 갖는 이동안내부; 및 상기 이동안내부의 상부에 위치되는 상부링과, 상기 튜브가 삽입되되 상기 상부링보다 작은 직경을 갖는 하부링과, 상기 튜브의 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 이동안내부의 테두리를 관통하여 그 상단부는 상기 상부링과 연결되고 그 하단부는 상기 하부링과 연결되는 가이드바를 구비하는 하강안내부재를 포함하고, 상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부 방향으로 하강될 때, 상기 상부링은 상기 풀챔버의 하단부에 장착되는 안착부재에 걸림 위치되고, 상기 하부링은 상기 안착부재를 지나 풀챔버의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 상기 이동안내부는 상기 가이드바를 따라 상기 하부링 방향으로 하강되는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 하부링에는 상기 튜브와 접촉되도록 상기 튜브 방향으로 튜브안내롤러가 장착되는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 이동안내부보다 작은 직경을 갖도록 상기 이동안내부의 상부에 돌출 형성되는 돌출부; 및 상기 돌출부의 외주연에서 상기 가이드바 방향으로 장착되는 샤프트안내롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 이동안내부보다 작은 직경을 갖도록 상기 이동안내부의 상부에 돌출 형성되는 돌출부; 및 상기 돌출부의 외주연에서 상기 가이드바 방향으로 돌출되되, 그 선단부에 상기 가이드바가 안내되도록 안내홈이 형성되는 안내돌기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 안착부재는: 상기 풀챔버의 하단부에 결합되는 결합링; 상기 결합링에서 그 상부로 이격 위치되며, 상기 하강안내부재 및 상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부로 이동될 때, 상기 하강안내부재의 상기 하부링 및 상기 이동안내부는 통과하되 상기 상부링은 걸리도록 상기 상부링의 외주연보다 작은 내주연을 갖는 안착링; 및 상기 결합링과 상기 안착링을 연결시키는 상부연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 안착부재는, 상기 결합링에서 그 하부로 이격 위치되는 가이드링과, 상기 결합링과 상기 가이드링을 연결시키는 하부연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 풀챔버의 하단부에는 상기 안착부재의 상기 결합링이 결합되도록 플랜지가 구비되되, 상기 플랜지의 내주연 하측에 걸림부가 돌출 형성되고, 상기 결합링의 외주연에는 상기 걸림부가 삽입되도록 끼움홈이 형성되며, 상기 결합링이 상기 플랜지에 결합될 때, 상기 끼움홈이 상기 걸림부와 마주보도록 위치된 상태로 상기 결합링이 상기 플랜지의 내주연 상측 방향으로 이동된 후, 상기 걸림부와 상기 끼움홈이 상호 마주보지 않도록 상기 결합링이 회전되어, 상기 결합링의 외주연이 상기 걸림부에 걸림 위치되는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
또한, 상기 풀챔버의 상부에 구비되는 구동모터; 상기 튜브의 하단부를 개폐하는 개폐부; 및 일측은 상기 구동모터에 연결되고 타측은 상기 튜브를 지나 상기 개폐부에 연결되는 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치는 풀챔버에서 하강되는 튜브의 길이가 짧아, 튜브의 하단부와 도가니의 용융액 간의 높이가 권장높이를 초과하게 되면, 튜브의 상단부에 구비되는 이동안내부가 하강안내부재의 가이드바를 따라 추가로 하부로 이동되도록 하여, 튜브의 길이를 변화시키지 않고, 간단한 구성으로, 튜브를 추가로 하부로 이동시켜서, 튜브에서 도가니로 원료가 안정적으로 공급되도록 하는 효과가 있다.
또한, 안착부재는 플랜지의 걸림부에 단순 걸림 결합되므로, 볼트 등의 복잡한 결합도구를 사용하지 않아, 결합 과정이 단순해지고, 결합 시간이 단축되는 효과가 있다.
또한, 이동안내부가 하강안내부재의 가이드바를 따라 상하 이동될 때, 이동안내부에 구비되는 샤프트안내롤러가 이동안내부의 이동을 안전하게 가이드하는 효과가 있다.
또한, 튜브가 하강안내부재의 가이드바에 가이드되면서 상하 이동될 때, 하강안내부재의 하부링에 장착되는 튜브안내롤러가 튜브의 이동을 안전하게 가이드하는 효과가 있다.
도 1은 일반적인 잉곳 성장 장치의 도가니에 공급된 실리콘 원료가 용융되는 과정을 도시한 도면이다.
도 2는 일반적인 잉곳 성장 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 잉곳 성장 장치에 구비된 원료공급유닛의 튜브가 도가니 방향으로 하강된 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 짧은 길이의 풀챔버를 갖는 잉곳 성장 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 풀챔버에 플랜지와 안착부재가 결합되는 상태를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 안착부재를 설명하기 위하여 단면으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 플랜지에 안착부재가 결합되는 상태를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 이동안내부와 하강안내부재를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 튜브가 하강안내부재를 따라 하부로 이동되는 과정을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 튜브 하단부가 권장 높이에 위치된 상태를 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 더욱 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치(50)는 실리콘 등의 고체 원료를 용융하여 잉곳으로 성장시키는 것으로, 가열유닛(100) 및 공급유닛(200)을 포함한다.
가열유닛(100)은 메인챔버(110)와, 고체 원료가 담기도록 메인챔버(110) 내부의 하측에 설치되는 도가니(120)와, 도가니(120)를 회전시키도록 도가니(120)의 하부에 설치되는 구동축(140)과, 도가니(120)를 가열시키는 히터부(130)를 포함하며, 냉각챔버(150)와, 게이트챔버(160)를 더 포함할 수 있다. 냉각챔버(150)는 성장되는 잉곳을 냉각시키는 것으로, 도가니(120)와 마주보도록 메인챔버(110)의 상측에서 그 내부 방향으로 설치되고, 게이트챔버(160)는 메인챔버(110)의 상측에서 그 외부 방향으로 설치된다.
원료공급유닛(200)은 가열유닛(100)의 도가니(120)로 원료를 공급하는 것으로, 풀챔버(210), 튜브(220), 이동안내부(230), 플랜지(240), 안착부재(250) 및 하강안내부재(260)를 포함한다.
풀챔버(210)는 게이트챔버(160)의 상부에 고정되며 길이방향으로 길게 형성된다. 튜브(220)는 풀챔버(210) 내부에 삽입되며 고체 원료가 수용된다. 이러한 튜브(220)는 풀챔버(210) 내부에 완전하게 삽입되어야 하므로, 풀챔버(210)의 길이에 따라 튜브(220)의 길이가 결정된다. 그리고 풀챔버(210)의 상부에 구비되는 구동모터(224), 일측은 구동모터(224)에 연결되고 타측은 후술하는 개폐부(222)에 연결되는 와이어(226) 및 와이어(226)와 연결되며 튜브(220)의 하단부를 개폐하는 개폐부(222)를 더 포함한다. 구동모터(224), 와이어(226) 및 개폐부(222)는 공지된 기술이므로 이들에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
그리고 도가니(120)에 공급된 원료가 용융되면, 용융액의 부피가 줄어들게 되므로, 튜브(220)를 하강시켜서 튜브(220) 내부에 수용된 원료를 도가니(120)로 공급해야 한다. 이때, 튜브(220)의 하단부와 도가니(120)의 용융액 간의 권장 높이(d1: 도 3 도시)는 상술한 바와 같이, 100㎜ 내지 150㎜가 바람직하다. 그런데 경우에 따라, 설치 장소의 협소함 등으로 인하여, 풀챔버(210)의 길이가 가열유닛(100)의 크기에 따라 설계되는 일반적인 길이보다 짧도록 설계될 수도 있다. 이 경우, 튜브(220)의 길이 또한 짧아지게 되어, 튜브(220)의 하단부와 도가니(120)의 용융액 간의 높이가 권장 높이를 초과하게 된다.
이를 해결하기 위하여 본 발명은 풀챔버(210)의 하단부에 장착되는 플랜지(240)와, 플랜지(240)에 설치되는 안착부재(250)와, 안착부재(250)에 걸림 위치되는 하강안내부재(260)와, 하강안내부재(260)를 따라 하강되도록 튜브(220)의 상부에 장착되는 이동안내부(230)를 구비하고, 튜브(220)가 하강안내부재(260)를 따라 풀챔버(210)의 하부로 하강하도록 하여, 튜브(220)의 하단부와 도가니(120)의 용융액 간의 높이가 권장 높이의 범위에 포함되도록 하였다.
이하, 플랜지(240), 안착부재(250), 하강안내부재(260) 및 이동안내부(230)에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 풀챔버에 플랜지와 안착부재가 결합되는 상태를 설명하기 위하여 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 안착부재를 설명하기 위하여 단면으로 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 풀챔버(210)의 하단부에는 풀챔버(210)의 하단부보다 큰 직경을 갖도록 풀챔버(210)의 외측으로 연장되는 결합안내부(212)가 형성된다.
플랜지(240)는 안착부재(250)가 풀챔버(210)의 하단부에 장착되도록 하기 위한 것으로, 링 형상으로 형성되며 결합안내부(212)의 하측에 장착된다. 그리고 플랜지(240)의 외주연에는 결합안내부(212)와 결합되도록 결착부(244)가 구비된다. 결착부(244)는 플랜지(240)의 외주연에 회전되도록 결합되며, 그 선단부가 결합안내부(212)의 상측에 걸림 결합되어 플랜지(240)가 풀챔버(210)의 결합안내부(212)에 결합되도록 한다. 그리고 플랜지(240)의 내주연을 따라 다수 개의 걸림부(242)가 일정 간격을 두고 돌출 형성된다. 걸림부(242)는 후술하는 안착부재(250)의 결합링(252)이 걸림 결합되도록 하는 것으로, 하기 도 8에서 설명하기로 한다.
안착부재(250)는 결합링(252), 안착링(254), 상부연결부(255), 가이드링(256) 및 하부연결부(257)를 포함한다. 결합링(252)은 풀챔버(210)의 하단부, 상세하게는 플랜지(240)에 결합되는 것으로, 링 형상으로 형성되되, 그 외주연에 오목하게 형성되는 끼움홈(253)을 통하여 플랜지(240)에 삽입된 후, 플랜지(240)의 걸림부(242)에 걸림 위치된다. 이는 하기 도 8에서 설명하기로 한다. 그리고 결합링(252)의 내주연은 풀챔버(210)의 내주연보다 안쪽으로 돌출되도록 형성된다.
안착링(254)은 결합링(252)에서 그 상부로 이격 위치되며, 링 형상으로 형성되어, 중앙에 삽입홀(254a)이 구비된다. 이때, 삽입홀(254a)의 내주연은 후술하는 하부링(264)은 통과하되 후술하는 상부링(262)은 걸리도록 상부링(262)의 외주연보다 작도록 형성된다. 상부연결부(255)는 결합링(252)과 안착링(254)을 연결시키는 것으로 결합링(252)에서 안착링(254) 방향으로 길게 형성된다.
가이드링(256)은 결합링(252)에서 그 하부로 이격 위치되며, 링 형상으로 형성된다. 하부연결부(257)는 결합링(252)과 가이드링(256)을 연결시키는 것으로 결합링(252)에서 가이드링(256) 방향으로 길게 형성된다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 플랜지에 안착부재가 결합되는 상태를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 8의 (a)를 참조하면, 걸림부(242)는 플랜지(240)의 내주연 하측에 돌출 형성되며, 안착부재(250)의 결합링(252)은 걸림부(242)를 지나 플랜지(240)의 내주연 상측으로 삽입된다. 이를 위하여 먼저, 안착부재(250)의 결합링(252)이 플랜지(240)의 하측에 위치된 후, 결합링(252)의 끼움홈(253)이 플랜지(240)의 걸림부(242)와 마주보도록 위치된다. 그 후, 결합링(252)이 플랜지(240)의 내부로 삽입된 후, 플랜지(240)의 내주연 상측 방향으로 이동되어, 결합링(252)이 플랜지(240)의 내주연 상측에 위치된다.
이 상태에서, 도 8의 (b)와 같이, 플랜지(240)의 걸림부(242)와 결합링(252)의 끼움홈(253)이 상호 마주보지 않도록 결합링(252)이 90°회전된다. 그러면, 결합링(252)의 외주연이 플랜지(240)의 걸림부(242)에 걸림 위치되어, 결합링(252)이 플랜지(240)에 견고하게 고정된다.
이처럼 안착부재(250)의 결합링(252)은 플랜지(240)의 걸림부(242)에 걸림 결합되므로, 볼트 등의 복잡한 결합도구를 사용하지 않아도 되어, 결합 과정이 단순해지고, 결합 시간이 단축되는 효과가 있다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 이동안내부와 하강안내부재를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 이동안내부(230)는 튜브(220)의 상부를 폐쇄시키도록 튜브(220)의 상단부에 장착되며, 튜브(220)의 외주연보다 큰 외주연을 갖도록 형성된다. 그리고 이동안내부(230)의 테두리에는 관통공(231)이 형성된다. 이때, 이동안내부(230)의 관통공(231)은 튜브(220)의 외주연보다 외측에 위치되어, 후술하는 가이드바(266)가 관통공(231)에 관통된 상태로 튜브(220)의 길이방향 측부에 위치된다. 또한, 이동안내부(230)의 외주연은 안착링(254)의 내주연보다 작도록 형성되어, 이동안내부(230)가 풀챔버(210)의 하부로 하강될 때, 이동안내부(230)는 안착부재(250)의 안착링(254)을 통과하도록 구성된다.
하강안내부재(260)는 튜브(220)가 삽입되도록 구성되며, 튜브(220)가 풀챔버(210)의 하부로 하강될 때, 하강안내부재(260)를 따라 하강되도록 가이드하는 역할을 한다. 이러한 하강안내부재(260)는 상부링(262), 하부링(264), 튜브안내롤러(롤러지지부(265a)) 및 가이드바(266)를 포함한다.
상부링(262)은 이동안내부(230)의 상부에 위치되며 링 형상으로 형성된다. 이러한 상부링(262)의 외주연은 안착링(254)의 내주연보다 크도록 형성되어, 튜브(220)가 풀챔버(210)의 하부로 하강될 때, 상부링(262)은 안착부재(250)의 안착링(254)에 걸려 안착된다.
하부링(264)은 튜브(220)가 삽입되되 상부링(262)보다 작은 직경을 갖도록 형성된다. 이러한 하부링(264)의 외주연은 안착링(254)의 내주연보다 작도록 형성되어, 튜브(220)가 풀챔버(210)의 하부로 하강될 때, 하부링(264)은 안착부재(250)의 안착링(254)을 통과하도록 구성된다.
튜브안내롤러(265)는 하부링(264)의 내주연에 튜브(220) 방향으로 장착되는 롤러로서, 튜브(220)와 접촉되어, 튜브(220)가 상하 이동될 때, 튜브안내롤러(265)가 회전되면서 튜브(220)의 상하 이동을 안내하는 효과가 있다. 이러한 튜브안내롤러(265)는 하부링(264)의 내주연을 따라 다수 개, 예를 들면, 4개가 일정 간격으로 이격되어 배치된다. 그리고 이러한 튜브안내롤러(265)를 지지하도록 하부링(264)의 내주연에는 튜브안내롤러(265)와 대향되는 위치에 롤러지지부(265a)가 구비된다.
가이드바(266)는 튜브(220)의 길이방향 측부를 따라 길게 형성되며 이동안내부(230)의 테두리에 형성되는 관통공(231)을 관통하여 그 상단부는 상부링(262)과 연결되고 그 하단부는 하부링(264)과 연결된다. 이러한 가이드바(266)는 튜브(220)의 외주연을 따라 다수 개 예를 들면, 4개가 일정 간격으로 이격되어 배치된다.
그리고 튜브(220)가 풀챔버(210)의 하부 방향으로 하강될 때, 상부링(262)은 안착부재(250)의 안착링(254)에 걸림 위치되고, 하부링(264)은 안착링(254)을 지나 풀챔버(210)의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 이동안내부(230)는 가이드바(266)를 따라 하부링(264) 방향으로 하강되어, 튜브(220)가 풀챔버(210)의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치된다. 이는 하기 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
한편, 튜브(220)의 상단부에 고정되는 이동안내부(230)의 상부에는 이동안내부(230)보다 작은 직경을 갖도록 돌출 형성되는 돌출부(232)를 더 구비할 수 있다. 그리고 돌출부(232)의 외주연에는 샤프트안내롤러(234)와 안내돌기(236)를 더 포함할 수 있다. 샤프트안내롤러(234)는 돌출부(232)의 외주연 하측에서 가이드바(266) 방향으로 장착되는 롤러로서, 가이드바(266)와 접촉되어, 이동안내부(230)가 상하 이동될 때, 샤프트안내롤러(234)가 회전되면서 이동안내부(230)의 상하 이동을 안내한다. 이러한 샤프트안내롤러(234)는 한 쌍으로 구성되어 가이드바(266)의 길이방향 일측과 타측 방향에 배치된다. 안내돌기(236)는 돌출부(232)의 외주연 상측에서 가이드바(266) 방향으로 돌출되되, 그 선단부에 상기 가이드바(266)가 안내되도록 안내홈(236a)이 형성된다. 이처럼 이동안내부(230)가 가이드바(266)를 따라 이동될 때, 샤프트안내롤러(234) 및 안내돌기(236)에 가이드되면서 안전하게 이동되는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 작용에 대하여 설명하기로 한다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 튜브가 하강안내부재를 따라 하부로 이동되는 과정을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
먼저, 도 11을 참조하면, 튜브(220)는 풀챔버(210) 내부에 구비되어 있으며, 와이어(226)가 권출되어 개폐부(222)가 하부로 이동되면, 튜브(220)는 풀챔버(210)의 하부 방향으로 하강된다.
그러면, 도 12와 같이, 하강안내부재(260)의 상부링(262)은 풀챔버(210)의 하단부에 장착되는 안착부재(250)의 안착링(254)에 걸림 위치되고, 하강안내부재(260)의 하부링(264)은 안착부재(250)를 지나 풀챔버(210)의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치된다.
이 상태에서, 와이어(226)가 권출되어 개폐부(222)가 조금 더 하부로 이동되면, 도 13과 같이, 이동안내부(230)가 가이드바(266)를 따라 하부링(264) 방향으로 하강되어, 튜브(220)는 풀챔버(210)의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치된다.
도 14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치의 튜브 하단부가 권장 높이에 위치된 상태를 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 도면이다.
도 14를 참조하면, 상기 도 13에서 이동안내부(230)가 가이드바(266)를 따라 하부링(264) 방향으로 추가로 하강되어, 튜브(220)의 하단부 또한, 도가니(120)의 용융액 방향으로 하강되었다. 이에 따라, 튜브(220)의 하단부와 도가니(120)의 용융액 간의 높이가 100㎜ 내지 150㎜의 권장 높이(d1)의 범위에 포함되어, 튜브(220)에서 낙하되는 원료에 의하여 도가니(120)의 용융액이 튜브(220) 방향으로 튀지 않게 된다.
이처럼 본 발명은 풀챔버(210)에서 하강되는 튜브(220)의 길이가 짧아, 튜브(220)의 하단부와 도가니(120)의 용융액 간의 높이가 권장높이를 초과하게 되면, 튜브(220)의 상단부에 구비되는 이동안내부(230)가 하강안내부재(260)의 가이드바(266)를 따라 추가로 하부로 이동되도록 하여, 튜브(220)의 길이를 변화시키지 않고, 간단한 구성으로, 튜브(220)를 추가로 하부로 이동시켜서, 튜브(220)의 하단부와 도가니(120)의 용융액 간의 높이가 권장 높이의 범위에 포함되도록 하며, 이에 따라, 튜브(220)에서 도가니(120)로 원료가 안정적으로 공급되는 효과가 있다.
본 발명은 상기 실시예에서 상세히 설명되었지만, 본 발명을 이로 한정하지 않음은 당연하고, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위의 범주에 속하는 것이라면 그 기술사상 역시 본 발명에 속하는 것으로 보아야 한다.
50 : 잉곳 성형 장치 100: 가열유닛
110: 메인챔버 20: 도가니
130: 히터부 140: 구동축
150: 냉각챔버 160: 게이트챔버
200: 공급유닛 210: 풀챔버
212: 결합안내부 220: 튜브
222: 개폐부 224: 구동모터
226: 와이어 230: 이동안내부
231: 관통공 232: 돌출부
234: 샤프트안내롤러 236: 안내돌기
236a: 안내홈 240: 플랜지
242: 걸림부 244: 결착부
250: 안착부재 252: 결합링
253: 끼움홈 254: 안착링
254a: 삽입홀 255: 상부연결부
256: 가이드링 257: 하부연결부
260: 하강안내부재 262: 상부링
264: 하부링 265: 튜브안내롤러
265a: 롤러지지부 266: 가이드바

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 메인챔버와, 상기 메인챔버 내부에 구비되며 원료가 담기는 도가니를 갖는 가열유닛; 및
    상기 도가니로 원료를 공급하도록 상기 메인챔버의 상부에 구비되는 공급유닛을 포함하고,
    상기 공급유닛은:
    길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 메인챔버의 상부에 장착되는 풀챔버;
    상기 풀챔버 내부를 따라 상하 이동되며, 원료가 수용되는 튜브;
    상기 튜브의 상단부에 장착되되 상기 튜브보다 큰 외주연을 갖는 이동안내부; 및
    상기 이동안내부의 상부에 위치되는 상부링과, 상기 튜브가 삽입되되 상기 상부링보다 작은 직경을 갖는 하부링과, 상기 튜브의 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 이동안내부의 테두리를 관통하여 그 상단부는 상기 상부링과 연결되고 그 하단부는 상기 하부링과 연결되는 가이드바를 구비하는 하강안내부재를 포함하고,
    상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부 방향으로 하강될 때, 상기 상부링은 상기 풀챔버의 하단부에 장착되는 안착부재에 걸림 위치되고, 상기 하부링은 상기 안착부재를 지나 풀챔버의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 상기 이동안내부는 상기 가이드바를 따라 상기 하부링 방향으로 하강되며,
    상기 하부링에는 상기 튜브와 접촉되도록 상기 튜브 방향으로 튜브안내롤러가 장착되는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
  3. 메인챔버와, 상기 메인챔버 내부에 구비되며 원료가 담기는 도가니를 갖는 가열유닛; 및
    상기 도가니로 원료를 공급하도록 상기 메인챔버의 상부에 구비되는 공급유닛을 포함하고,
    상기 공급유닛은:
    길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 메인챔버의 상부에 장착되는 풀챔버;
    상기 풀챔버 내부를 따라 상하 이동되며, 원료가 수용되는 튜브;
    상기 튜브의 상단부에 장착되되 상기 튜브보다 큰 외주연을 갖는 이동안내부; 및
    상기 이동안내부의 상부에 위치되는 상부링과, 상기 튜브가 삽입되되 상기 상부링보다 작은 직경을 갖는 하부링과, 상기 튜브의 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 이동안내부의 테두리를 관통하여 그 상단부는 상기 상부링과 연결되고 그 하단부는 상기 하부링과 연결되는 가이드바를 구비하는 하강안내부재를 포함하고,
    상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부 방향으로 하강될 때, 상기 상부링은 상기 풀챔버의 하단부에 장착되는 안착부재에 걸림 위치되고, 상기 하부링은 상기 안착부재를 지나 풀챔버의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 상기 이동안내부는 상기 가이드바를 따라 상기 하부링 방향으로 하강되며,
    상기 이동안내부보다 작은 직경을 갖도록 상기 이동안내부의 상부에 돌출 형성되는 돌출부; 및
    상기 돌출부의 외주연에서 상기 가이드바 방향으로 장착되는 샤프트안내롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
  4. 메인챔버와, 상기 메인챔버 내부에 구비되며 원료가 담기는 도가니를 갖는 가열유닛; 및
    상기 도가니로 원료를 공급하도록 상기 메인챔버의 상부에 구비되는 공급유닛을 포함하고,
    상기 공급유닛은:
    길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 메인챔버의 상부에 장착되는 풀챔버;
    상기 풀챔버 내부를 따라 상하 이동되며, 원료가 수용되는 튜브;
    상기 튜브의 상단부에 장착되되 상기 튜브보다 큰 외주연을 갖는 이동안내부; 및
    상기 이동안내부의 상부에 위치되는 상부링과, 상기 튜브가 삽입되되 상기 상부링보다 작은 직경을 갖는 하부링과, 상기 튜브의 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 이동안내부의 테두리를 관통하여 그 상단부는 상기 상부링과 연결되고 그 하단부는 상기 하부링과 연결되는 가이드바를 구비하는 하강안내부재를 포함하고,
    상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부 방향으로 하강될 때, 상기 상부링은 상기 풀챔버의 하단부에 장착되는 안착부재에 걸림 위치되고, 상기 하부링은 상기 안착부재를 지나 풀챔버의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 상기 이동안내부는 상기 가이드바를 따라 상기 하부링 방향으로 하강되며,
    상기 이동안내부보다 작은 직경을 갖도록 상기 이동안내부의 상부에 돌출 형성되는 돌출부; 및
    상기 돌출부의 외주연에서 상기 가이드바 방향으로 돌출되되, 그 선단부에 상기 가이드바가 안내되도록 안내홈이 형성되는 안내돌기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
  5. 메인챔버와, 상기 메인챔버 내부에 구비되며 원료가 담기는 도가니를 갖는 가열유닛; 및
    상기 도가니로 원료를 공급하도록 상기 메인챔버의 상부에 구비되는 공급유닛을 포함하고,
    상기 공급유닛은:
    길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 메인챔버의 상부에 장착되는 풀챔버;
    상기 풀챔버 내부를 따라 상하 이동되며, 원료가 수용되는 튜브;
    상기 튜브의 상단부에 장착되되 상기 튜브보다 큰 외주연을 갖는 이동안내부; 및
    상기 이동안내부의 상부에 위치되는 상부링과, 상기 튜브가 삽입되되 상기 상부링보다 작은 직경을 갖는 하부링과, 상기 튜브의 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 이동안내부의 테두리를 관통하여 그 상단부는 상기 상부링과 연결되고 그 하단부는 상기 하부링과 연결되는 가이드바를 구비하는 하강안내부재를 포함하고,
    상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부 방향으로 하강될 때, 상기 상부링은 상기 풀챔버의 하단부에 장착되는 안착부재에 걸림 위치되고, 상기 하부링은 상기 안착부재를 지나 풀챔버의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 상기 이동안내부는 상기 가이드바를 따라 상기 하부링 방향으로 하강되며,
    상기 안착부재는:
    상기 풀챔버의 하단부에 결합되는 결합링;
    상기 결합링에서 그 상부로 이격 위치되며, 상기 하강안내부재 및 상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부로 이동될 때, 상기 하강안내부재의 상기 하부링 및 상기 이동안내부는 통과하되 상기 상부링은 걸리도록 상기 상부링의 외주연보다 작은 내주연을 갖는 안착링; 및
    상기 결합링과 상기 안착링을 연결시키는 상부연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 안착부재는,
    상기 결합링에서 그 하부로 이격 위치되는 가이드링과, 상기 결합링과 상기 가이드링을 연결시키는 하부연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 풀챔버의 하단부에는 상기 안착부재의 상기 결합링이 결합되도록 플랜지가 구비되되, 상기 플랜지의 내주연 하측에 걸림부가 돌출 형성되고,
    상기 결합링의 외주연에는 상기 걸림부가 삽입되도록 끼움홈이 형성되며,
    상기 결합링이 상기 플랜지에 결합될 때, 상기 끼움홈이 상기 걸림부와 마주보도록 위치된 상태로 상기 결합링이 상기 플랜지의 내주연 상측 방향으로 이동된 후, 상기 걸림부와 상기 끼움홈이 상호 마주보지 않도록 상기 결합링이 회전되어, 상기 결합링의 외주연이 상기 걸림부에 걸림 위치되는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
  8. 메인챔버와, 상기 메인챔버 내부에 구비되며 원료가 담기는 도가니를 갖는 가열유닛; 및
    상기 도가니로 원료를 공급하도록 상기 메인챔버의 상부에 구비되는 공급유닛을 포함하고,
    상기 공급유닛은:
    길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 메인챔버의 상부에 장착되는 풀챔버;
    상기 풀챔버 내부를 따라 상하 이동되며, 원료가 수용되는 튜브;
    상기 튜브의 상단부에 장착되되 상기 튜브보다 큰 외주연을 갖는 이동안내부; 및
    상기 이동안내부의 상부에 위치되는 상부링과, 상기 튜브가 삽입되되 상기 상부링보다 작은 직경을 갖는 하부링과, 상기 튜브의 길이방향을 따라 길게 형성되며 상기 이동안내부의 테두리를 관통하여 그 상단부는 상기 상부링과 연결되고 그 하단부는 상기 하부링과 연결되는 가이드바를 구비하는 하강안내부재를 포함하고,
    상기 튜브가 상기 풀챔버의 하부 방향으로 하강될 때, 상기 상부링은 상기 풀챔버의 하단부에 장착되는 안착부재에 걸림 위치되고, 상기 하부링은 상기 안착부재를 지나 풀챔버의 하단부보다 하부로 이격되도록 위치되고, 상기 이동안내부는 상기 가이드바를 따라 상기 하부링 방향으로 하강되며,
    상기 풀챔버의 상부에 구비되는 구동모터;
    상기 튜브의 하단부를 개폐하는 개폐부; 및
    일측은 상기 구동모터에 연결되고 타측은 상기 튜브를 지나 상기 개폐부에 연결되는 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치.
KR1020140112414A 2014-08-27 2014-08-27 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치 KR101598708B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140112414A KR101598708B1 (ko) 2014-08-27 2014-08-27 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140112414A KR101598708B1 (ko) 2014-08-27 2014-08-27 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101598708B1 true KR101598708B1 (ko) 2016-02-29

Family

ID=55448573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140112414A KR101598708B1 (ko) 2014-08-27 2014-08-27 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101598708B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109099706A (zh) * 2018-10-09 2018-12-28 成都航宇超合金技术有限公司 真空熔炼炉加料装置
CN111850679A (zh) * 2020-08-14 2020-10-30 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 一种半导体级直拉复投筒

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07267772A (ja) * 1994-03-25 1995-10-17 Komatsu Ltd 単結晶引上げ装置
JP2008285351A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Sumco Corp 原料供給装置及びこれを備えた単結晶引上げ装置、並びに原料供給方法
KR20120003222A (ko) * 2010-07-02 2012-01-10 (주)코원에프아이에스 연속 결정성장을 위한 상부 도킹식 원료 공급장치
KR20140024601A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 주식회사 엘지실트론 단결정 성장장치 및 이에 적용된 원료공급장치와 원료공급방법
KR101402839B1 (ko) 2012-01-03 2014-06-03 주식회사 엘지실트론 실리콘 공급 유닛 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치
KR101408664B1 (ko) 2013-02-14 2014-06-18 (주)에스테크 잉곳 원료 연속공급방법 및 그 연속공급장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07267772A (ja) * 1994-03-25 1995-10-17 Komatsu Ltd 単結晶引上げ装置
JP2008285351A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Sumco Corp 原料供給装置及びこれを備えた単結晶引上げ装置、並びに原料供給方法
KR20120003222A (ko) * 2010-07-02 2012-01-10 (주)코원에프아이에스 연속 결정성장을 위한 상부 도킹식 원료 공급장치
KR101402839B1 (ko) 2012-01-03 2014-06-03 주식회사 엘지실트론 실리콘 공급 유닛 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치
KR20140024601A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 주식회사 엘지실트론 단결정 성장장치 및 이에 적용된 원료공급장치와 원료공급방법
KR101408664B1 (ko) 2013-02-14 2014-06-18 (주)에스테크 잉곳 원료 연속공급방법 및 그 연속공급장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109099706A (zh) * 2018-10-09 2018-12-28 成都航宇超合金技术有限公司 真空熔炼炉加料装置
CN109099706B (zh) * 2018-10-09 2024-04-02 成都航宇超合金技术有限公司 真空熔炼炉加料装置
CN111850679A (zh) * 2020-08-14 2020-10-30 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 一种半导体级直拉复投筒

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI759399B (zh) 包含坩堝及條件作用構件之拉晶系統及方法
KR100800212B1 (ko) 단결정 성장 장치에 고체 원료를 공급하는 장치 및 방법
US9217208B2 (en) Apparatus for producing single crystal
US9738989B2 (en) Single-crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing single crystal
US5885344A (en) Non-dash neck method for single crystal silicon growth
KR101598708B1 (ko) 원료 공급이 용이한 잉곳 성장 장치
US20170356099A1 (en) Apparatus and method for introducing volatile dopants into a melt
JP6503933B2 (ja) シリコン融液供給装置及び方法並びにシリコン単結晶製造装置
US20030047130A1 (en) Process for eliminating neck dislocations during czochralski crystal growth
JP2008297154A (ja) シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法
KR101389162B1 (ko) 단결정 성장장치 및 이에 적용된 원료공급장치와 원료공급방법
KR102014927B1 (ko) 실리콘 공급부, 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법
JP2007204306A (ja) 単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法
JP2008087995A (ja) 単結晶引上装置
US20030051661A1 (en) Crystal growth apparatus
KR101467075B1 (ko) 잉곳 성장 장치 및 잉곳 성장 방법
US20010010202A1 (en) Method of supplying silicon raw material, method of producing silicon single crystal, and poly-silicon
US20180030614A1 (en) Feed system for crystal growing systems
KR101203969B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 형성장치
JP4694422B2 (ja) 単結晶引上げ装置
JP4563951B2 (ja) 固形状原料のリチャージ装置
KR101697021B1 (ko) 단결정 잉곳 성장장치
WO2012108116A1 (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
JP2007254162A (ja) 単結晶製造装置およびリチャージ方法
CN109943883A (zh) 柴可拉斯基生长装置转换配件

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190226

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200225

Year of fee payment: 5