KR101594607B1 - Construction method using a semiconductor fab modular design utilities - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장비의 잦은 변경에 유연하게 대처하여 설계 변경에 따른 공기 지연 리스크를 최소화하고, 반도체 팹 유틸리티 모듈화를 통해 시공 인력, 시공 시간을 줄이는 등 효율적인 시공을 할 수 있으며, 반도체 팹 유틸리티 모듈을 통해 1차적으로 사전 배관 작업을 수행함으로써, 시공시 배관 등의 리프팅 작업, 현장 배관 용접과정을 최소화하여 시공 기간을 현저히 단축할 수 있으며, 양중관리 투입 인력을 감소할 수 있고, 균일한 품질을 확보할 수 있으며, 초기 투자비의 감소 효과를 기대할 수 있는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a construction method using a semiconductor fab utility modular design, more specifically, to flexibly cope with frequent changes of equipment, minimize air delay risk due to design changes, It is possible to make efficient construction such as reducing the time. By performing the pre-piping work through the semiconductor fab utility module, lifting work of piping etc. and piping welding process at the time of construction can be minimized, , A construction method using a semiconductor fab utility modular design capable of reducing the manpower management input power, securing a uniform quality, and reducing the initial investment cost.
반도체 디바이스의 제조 라인은, 청정실(clean room) 내에, 8개 생산공정에 필요한 장비들이 위치한 구역을 베이(Bay)라고 하는 유닛(Unit)으로 복수 구성된다..A semiconductor device manufacturing line is composed of a plurality of units, called bays, in which the equipment required for eight production processes are located in a clean room.
그리고 반도체 팹은 그 하부에 메인 팹과, 서브 팹으로 구성되며, 상기 메인 팹에는 각 반도체 생산공정에 이용되는 반도체 생산장비가 설치된다.The semiconductor fab is composed of a main fab and a sub-fab at the bottom, and semiconductor fabrication equipment used in each semiconductor manufacturing process is installed in the main fab.
그리고 상기 서브 팹은크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)으로 구성될 수 있다.The subfab may be comprised of a clean sub-fab and a facility sub-fab.
한편 반도체 생산 공정은 8가지, 구체적으로 ①산화/확산공정(Diffusion), ② 포토공정 (Photo Lithography), ③식각공정 (Etching), ④절연막 형성공정(CVD), ⑤금속화과정 (Metallization, 금속 배선 공정), ⑥이온침투공정(Implant), ⑦감광액 제거공정(Clean), ⑧연마공정 (CMP)으로 이루어지는 것을 예시할 수 있는데, 여기에는 각종 장비와 연결함과 아울러, 기본 배관의 POC(Point of Connection)와 설비 서브팹층에 위치하는 각종 보조설비, 펌프, VMB(valve manifold box), 캐비닛 등을 연결하는 계선(hook up) 작업을 수행하게 된다.On the other hand, there are eight kinds of semiconductor production process, namely ① oxidation / diffusion process, ② photo lithography, ③ etching, ④ CVD, ⑤ metallization, And the polishing process (CMP), which are connected to various equipments. In addition, the POC of the basic pipe (Point) of connection and various auxiliary facilities located in the subfab of the facility, pump, valve manifold box (VMB), and cabinet.
종래의 반도체 팹 시공방법에 있어서는, 이러한 다양한 생산공정에서 필요한 반도체 팹 유틸리티, 예를 들어, 배관, 덕트, 케이블 등이 서로 다르고, 동일한 베이에 배치되는 반도체 팹 유틸리티들도 서로 표준화되지 않아 시공할 때마다 다른 설계가 이루어지고, 사용되는 반도체 팹 유틸리티의 규격도 바뀌게 되는 문제가 있었다. 또한 반도체 팹 시공 후에도 반도체 생산장비가 교체되거나 바뀌게 되면, 서브 팹에 설치된 반도체 팹 유틸리티의 배치나 규격이 바뀌는 등의 문제가 있었다. 또한, 하나의 베이에서도 배관과, 덕트와, 케이블의 연결 작업이 서로 다른 기술자들에 의해 이루어지기 때문에 하나의 유틸리티, 예를 들어 배관 설비시에는덕트에 대한 작업이 이루어지지 못하여 협업되지 않고, 서로 다른 종류의 배관들을 야적된 상태이므로 시공 현장의 운영도 비효율적으로 이루어지는 문제가 있었다. 또한, 배관 용접시 많은 인력이 투입되는 등 시공 비용 및 시공 기간이 증가하는 문제가 있었다.In the conventional semiconductor fab construction method, the semiconductor fab utilities required in various production processes are different from each other, for example, piping, ducts, cables, etc., and semiconductor fab utilities disposed in the same bay are not standardized with each other There is a problem that the specifications of the semiconductor fab utilities to be used are changed. In addition, if the semiconductor production equipment is changed or changed even after the semiconductor fab construction, the arrangement and specifications of the semiconductor fab utilities installed in the subfab have been changed. In addition, since the piping, the duct, and the cable connection work are performed by different technicians in one bay, it is not possible to work on a duct in the case of a utility such as a piping system, There is a problem that the operation of the construction site is performed inefficiently because the pipes of different kinds are in a blind state. In addition, there has been a problem in that the construction cost and the construction period are increased, for example, when a large amount of manpower is input during piping welding.
이에 반도체 팹의각베이별, 각 생산공정별, 반도체 팹유틸리티별 표준을 마련하여 효율적인 시공이 이루어질 수 있는 방안이 필요한 실정이다.
Therefore, it is necessary to establish standards for semiconductor fabs by each bay, each production process, and semiconductor fab utilities so that efficient construction can be achieved.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 생산 장비의 잦은 변경에 유연하게 대처하여 설계 변경에 따른 공기 지연 리스크를 최소화하고, 반도체 팹 유틸리티 모듈화를 통해 시공 인력, 시공 시간을 줄이는 등 효율적인 시공을 할 수 있는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can flexibly cope with frequent changes of production equipment, And a construction method using a semiconductor fab utility modular design capable of efficient construction such as reducing construction time.
또한, 본 발명의 목적은 반도체 팹 유틸리티의 현장시공을 최소화 하기 위하여, 공장에서 미리 반도체 팹 유틸리티 모듈을 통해 1차적으로 사전 배관 작업을 수행함으로써, 시공시 배관 등의 리프팅 작업, 현장 배관 용접과정을 최소화하여 시공 기간을 현저히 단축할 수 있으며, 양중관리 투입 인력을 감소할 수 있고, 균일한 품질을 확보할 수 있으며, 초기 투자비의 감소 효과를 기대할 수 있는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법을 제공하는 것이다.
It is also an object of the present invention to provide a method of minimizing the field construction of a semiconductor fab utility by performing a preliminary piping operation through a semiconductor fab utility module in advance at a factory to perform lifting work such as piping at the time of construction, Provides a construction method using semiconductor fab utility modular design that can reduce construction time to a minimum, reduce construction manpower, secure uniform quality, and reduce initial investment cost. .
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 반도체 생산공정별크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)의 설계를 표준화하고, 표준화된 설계를 기초로 각 서브 팹에 설치되는 복수의 반도체 팹 유틸리티를 모듈화하는 것으로서, 각 반도체 생산장비에 연결되며 배관, 덕트, 케이블 중 적어도 어느 하나를 포함하는 상기 반도체 팹 유틸리티를 베이(bay) 별로 분류하는 S1단계와; 각 반도체 생산장비의 제원을 통해 상기 반도체 팹 유틸리티의 베이별규격을 표준화하는 S2단계와; 상기 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 각 베이 별로 조합하여 모듈화 설계하되, 상기 크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)별로 설치되는 상기 표준화된 배관 및 덕트별로 설치공간을 구획하고 배치하는 S3단계와; 상기 S3단계의 모듈화된 설계를 기초로 반도체 팹 유틸리티 모듈을 제조하는 S4단계와; 상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 각 서브 팹에 시공하는 S5단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above-mentioned object, the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention standardizes the design of a clean sub-fab and a facility sub-fab for each semiconductor production process, A method for modularizing a plurality of semiconductor fab utilities installed in respective subfabs based on a standardized design, the semiconductor fab utility including at least one of a pipe, a duct, and a cable connected to each semiconductor production equipment, (S1); A step S2 of standardizing standard specifications of the semiconductor fab utilities through respective semiconductor production equipment specifications; The standardized semiconductor fab utilities are modularly designed by combining each bay, and the installation space is divided by the standardized piping and duct installed for each of the clean sub-fab and the facility sub-fab. And S3; A step S4 of fabricating a semiconductor fab utility module based on the modular design of step S3; And a step S5 of constructing the semiconductor fab utility module in each sub-fab.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 있어서 S2단계에서는 초순수, 폐수, 냉각수, 가스 및 화학약품을 각각 공급하는 상기 배관별로 규격을 표준화하는 S2-1단계와, 반도체 생산공정 중 발생하는 유기성분, 산성분, 알칼리성분 및 고온 성분을 각각 이송하는 덕트별로 규격을 표준화하는 S2-2단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In step S2 of the construction method using the semiconductor fab utility modularization design according to the present invention, step S2-1 is performed to standardize specifications of each pipe for supplying ultrapure water, wastewater, cooling water, gas, and chemicals, And standardizing the standard for each duct that transports the organic component, the acid component, the alkaline component, and the high-temperature component generated in the step S2-2.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계시스템에 있어서 S2단계는 S2-3단계를 더 포함하되, 상기 S2-3단계는 서로 다른 유체를 공급하는 표준화된 배관들 중에서 베이별 최고 유량 및 관경을 파악하고 상기 최고 유량 및 관경에 대하여 최대 1을 초과하지 않는 동시사용율(load factor)를 적용하고, 추가로 장래 부하 증가율(확장성)을 20%이상 반영하여 표준화하는 것을 특징으로 한다.Further, in the semiconductor fab utility modularization design system according to the present invention, step S2 further includes step S2-3. In step S2-3, the maximum flow rate and diameter of the standardized pipes supplying different fluids , And applying a simultaneous utilization factor that does not exceed a maximum of 1 for the maximum flow rate and diameter, and further standardizing the future load growth rate (scalability) by reflecting more than 20%.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 있어서 S2단계는 S2-4단계를 더 포함하되, 상기 S2-4단계는 베이(bay) 별로 분류된 표준화된 배관들 중에서 동일한 유체를 공급하는 배관들을 그 중 가장 큰 배관의 관경으로 보정하여 재표준화하는 것을 특징으로 한다.Further, in the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention, the step S2 further includes the step S2-4. In the step S2-4, the same fluid among the standardized pipelines classified by the bay The supply pipe is corrected to the pipe diameter of the largest pipe among the pipes and re-standardized.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 있어서 S2단계는 상기 초순수, 폐수, 냉각수, 가스 및 화학약품별로 설치되는 각 반도체 팹 유틸리티의 최고 유량 및 관경을 파악하고, 상기 최고 유량 및 관경에 대하여 적어도 베이별 최고 유량 및 관경을 파악하고 상기 최고 유량 및 관경에 대하여 최대 1을 초과하지 않는 동시 사용율(load factor)를 적용하고, 추가로 장래 부하 증가율(확장성)을 20%이상 반영하여 각각의 반도체 팹 유틸리티의 규격을 표준화하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention, step S2 is to determine the maximum flow rate and diameter of each semiconductor fab utility installed for each of the ultra pure water, wastewater, cooling water, The maximum flow rate and the diameter of the bore for the bore diameter and the diameter are measured and a simultaneous utilization factor not exceeding a maximum of 1 for the maximum flow rate and the diameter is applied, And standardizes the specification of each semiconductor fab utility.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 있어서 S3단계는 상기 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 상기 베이에서 이루어지는 반도체 생산공정 및 반도체 생산장비에 대응하도록 배치하면서, 상기 크린 서브 팹(clean sub-fab)의 경우, 내부 공간을 배관이 설치되는 제1설치공간, 덕트가 설치되는 제2설치공간 및 상기 케이블을 포함하는 기타 설비가 설치되는 제3설치공간으로 구획하는 것을 특징으로 한다.In step S3 of the method for fabricating a semiconductor fab utility according to the present invention, the standardized semiconductor fab utilities are arranged to correspond to a semiconductor production process and semiconductor production equipment in the bay, and the clean subfab sub-fab, the internal space is divided into a first installation space in which a pipe is installed, a second installation space in which a duct is installed, and a third installation space in which other facilities including the cable are installed.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 있어서 제1설치공간에 설치되는 배관들은 유체의 종류 또는 진공 여부에 따라 그룹화한 다음, 각각의 그룹화된 배관들은 상기 제1설치공간 내에서 구획된 서브 설치공간별로 배치되는 것을 특징으로 한다.Also, in the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention, the piping installed in the first installation space is grouped according to the kind of fluid or vacuum, and each of the grouped piping is installed in the first installation space And the sub-installation space partitioned by the sub-installation space.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법에 있어서 S4단계는 모듈화된 설계를 기초로 상기 배관 및 덕트가 조합된 상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 공장에서 미리 프리캐스팅하며, 상기 S5단계에서는 상기 프리캐스팅된 상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 시공 현장으로 이송한 다음, 대응하는 배관 및 덕트들끼리 조립하는 방식으로 시공이 이루어지는 것을 특징으로 한다.
In addition, in the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention, the factory pre-casts the semiconductor fab utility module in which the pipe and the duct are combined based on the modular design, in step S4, The pre-cast semiconductor fab utility module is transferred to a construction site, and the corresponding piping and ducts are assembled together.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 배관, 덕트 등의 반도체 팹 유틸리티의 설치기간을 현저히 단축할 수 있으며, 현장에서 배관 등의 용접을 최소화함으로써, 소요되는 인력 및 비용을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention having the above-described structure can remarkably shorten the installation period of the semiconductor fab utility such as piping and duct, minimizes the welding of the piping in the field, And the cost can be minimized.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 미리 공장에서 조립이 이루어진 표준화된 유틸리티 모듈을 제작하고, 이를 시공 현장에서 조립하기 때문에 공기 단축은 물론, 균일한 품질을 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the standardized utility module assembled in the factory is manufactured in advance and assembled at the construction site, the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention can shorten the construction time and secure a uniform quality It is effective.
또한, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 반도체 생산장비의 교체에도 불구하고, 서브 팹 또는 각 베이에설치된 반도체 팹 유틸리티를 변경하거나 교체하지 않아도 되기 때문에 반도체 시장에서 급변하는 수요자의 요구에 유연하게 대처할 수 있는 장점이 있다.
In addition, despite the replacement of the semiconductor production equipment, the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention does not need to change or replace the semiconductor fab utility installed in the subfab or each bay, There is an advantage that it can cope flexibly with demands.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법의 일실시예를 도시하는 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 S2단계의 각 단계를 도시하는 블럭도이다.
도 3a는 본 발명의 크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹의일실시예를 도시하는 개념도이며, 도 3b는 본 발명의 서브 설치공간의 구조를 도시하는 개념도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 생산장비에 반도체 팹 유틸리티가 연결된 구조를 도시하는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 S2단계에서 각 배관의 표준화 설계가 이루어지는 과정을 도시하는 개념도이다.FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a construction method using a semiconductor fab utility modular design according to the present invention.
2 is a block diagram showing each step of step S2 of the present invention.
FIG. 3A is a conceptual diagram showing an embodiment of a clean sub-fab and a facility sub-fab of the present invention, and FIG. 3B is a conceptual diagram showing the structure of the sub-installation space of the present invention.
4 is a conceptual diagram showing a structure in which a semiconductor fab utility is connected to the semiconductor production equipment of the present invention.
FIG. 5 is a conceptual diagram showing a process in which the standardization design of each pipe is performed in step S2 of the present invention.
이하, 첨부된 도면들 및 후술 되어 있는 내용을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어 지는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and the following description. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.
그리고 본 발명의 설명에서 동일 또는 유사한 구성요소는 동일 또는 유사한 도면번호를 부여하고, 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
In the description of the present invention, the same or similar elements are denoted by the same or similar reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법의 일실시예를 도시하는 블럭도이고, 도 2는 본 발명의 S2단계의 각 단계를 도시하는 블럭도이다. 그리고 도 3a는 본 발명의 크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹의일실시예를 도시하는 개념도이며, 도 3b는 본 발명의 서브 설치공간의 구조를 도시하는 개념도이다. 그리고 도 4는 본 발명의 반도체 생산장비에 반도체 팹 유틸리티가 연결된 구조를 도시하는 개념도이고, 도 5는 본 발명의 S2단계에서 각 배관의 표준화 설계가 이루어지는 과정을 도시하는 개념도이다.FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a construction method using a semiconductor fab utility modular design according to the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing each step of the step S2 of the present invention. FIG. 3A is a conceptual diagram showing an embodiment of a clean sub-fab and a facility sub-fab of the present invention, and FIG. 3B is a conceptual diagram showing the structure of the sub-installation space of the present invention. 4 is a conceptual diagram showing a structure in which a semiconductor fab utility is connected to the semiconductor production equipment of the present invention, and FIG. 5 is a conceptual diagram showing a process of standardization design of each pipe in step S2 of the present invention.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 생산 장비의 잦은 변경에 유연하게 대처하여 설계 변경에 따른 공기 지연 리스크를 최소화하고, 반도체 팹 유틸리티 모듈화를 통해 시공 인력, 시공 시간을 줄이는 등 효율적인 시공을 할 수 있도록 구성된다. 이를 위해 반도체 생산공정별크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)의 설계를 표준화하고, 표준화된 설계를 기초로 각 서브 팹에 설치되는 복수의 반도체 팹 유틸리티를 모듈화하게 된다.Referring to FIGS. 1 to 5, the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention flexibly copes with frequent changes of production equipment, minimizes the air delay risk due to design changes, Construction worker, and construction time can be reduced. To this end, we standardize the design of clean sub-fab and facility sub-fab for each semiconductor production process, and modularize multiple semiconductor fab utilities installed in each sub-fab based on standardized design. .
구체적으로, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 도 1에 도시된 바와 같이 각 반도체 생산장비에 연결되며 배관, 덕트, 케이블 중 적어도 어느 하나를 포함하는 상기 반도체 팹 유틸리티를 베이(bay) 별로 분류하는 S1단계와, 각 반도체 생산장비의 제원을 통해 상기 반도체 팹유틸리티의 규격을 표준화하는 S2단계와, 상기 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 각 베이 별로 조합하여 모듈화 설계하되, 상기 크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)별로 설치되는 상기 표준화된 배관 및 덕트별로 설치공간을 구획하고 배치하는 S3단계를 포함하여 이루어질 수 있다.1, the semiconductor fab utility, which is connected to each semiconductor production equipment and includes at least one of a pipe, a duct, and a cable, is connected to a bay (not shown) a step S2 of standardizing the standards of the semiconductor fab utilities through the specification of each semiconductor production equipment, and a step S2 of modifying the standardized semiconductor fab utilities by combining them with each bay, and a step S3 of partitioning and arranging the installation space for each of the standardized piping and duct installed for each of the clean sub-fab and the facility sub-fab.
한편, 본 발명이 적용될 수 있는 반도체 생산공정에는 특별한 제한은 없으며, 예를 들어 산화/확산공정(Diffusion), 포토공정 (Photo Lithography), 식각공정 (Etching), CVD, Implant, 금속화과정 (Metallization, 금속 배선 공정), Clean, CMP에 모두 적용될 수 있으나, 그 중에서 식각공정 (Etching)에 적용하게 되면 다른 공정에 적용하는 것보다 큰 효과를 기대할 수 있다.The semiconductor production process to which the present invention can be applied is not particularly limited. For example, there is no particular limitation on the production process such as oxidation / diffusion process, photo lithography, etching process, CVD process, , Metal wiring process), clean, and CMP. Among them, the etching process can be expected to have a greater effect than the other processes.
왜냐하면, 식각공정 (Etching process)은 타 공종에 비해 팹(fab) 내 설치되는 반도체 생산장비 대수가 많고, 반도체 생산장비 대수에 비해 반도체 팹 유틸리티의 종류가 많지 않아 표준화가 용이하고, 특히 반도체 생산장비의 모델 변경이 잦기 때문이다..
This is because the etching process has a larger number of semiconductor production equipment installed in a fab than in other types of manufacturing processes and has a smaller number of semiconductor fab utilities than the number of semiconductor production equipment, Because of the frequent model changes.
상기 S1단계는 각 반도체 생산장비에 공급되는 상기 반도체 팹 유틸리티를 베이(bay) 별로 분류하는 단계로서, 구체적으로 팹 분석과, 베이별데이터 분석 과정으로 이루어질 수 있다.The step S1 is a step of classifying the semiconductor fab utilities supplied to each semiconductor production equipment by bay, specifically, a fab analysis and a data analysis process for each bay.
도 3a 및 도 3b를 참조하면 상기 팹 분석은 기존에 설치된 서브 팹을 분석하는 과정을 거친다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the fab analysis is performed on an existing sub-fab.
예를 들어 각 서브 팹과, 서브 팹 상부에 배치된 메인 팹의 구조를 분석한 다음, 반도체 생산공정별베이의 크기 및 개수를 분석하고, 크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)의 높이 등을 분석한다.For example, after analyzing the structure of each subfab and the main fabs located at the top of the subfab, the size and number of bays for each semiconductor production process are analyzed, and a clean sub-fab and a facility sub- facility sub-fab).
상기 베이별 데이터 분석은 베이에 설치되는 반도체 팹 유틸리티, 예를 들어 배관, 덕트, 케이블의 종류를 파악하는 과정으로서, 상기 반도체 팹 유틸리티는 H2, O2, Ar, He, PN2, GN2, PA, PCW, DW, NW, Specialty Gas와 같은 Bulk Gas 및 물배관과, 진공 배관(PV, CV)과, 초순수 배관, 약품배관,폐수 배관 등으로 이루어지는 배관과, 각종 유기성분, 산성분, 알칼리 성분 등을 이송하는 덕트와, 전기/제어 케이블,부스(BUS) 등의 종류 및 수량 등을 파악하는 것이다.
The bay data analysis is a process of identifying the types of semiconductor fab utilities installed in the bay, for example, piping, ducts, and cables. The semiconductor fab utilities are H 2 , O 2 , Ar, He, PN 2 , GN 2 Pipes composed of bulk gas and water piping such as PA, PCW, DW, NW and Specialty Gas, vacuum piping (PV, CV), ultrapure water piping, chemical piping and wastewater piping and various organic components, Ducts for conveying alkali components, etc., and types and quantities of electric / control cables, booths (BUS), and the like.
상기 S2단계는 반도체 생산장비의 제원을 통해 각 반도체 팹 유틸리티의 규격을 표준화하는 단계로서, 구체적으로 각 반도체 팹 유틸리티의 최고 유량 및 관경을 파악하고, 상기 최고 유량 및 관경에 대하여 최대 1을 초과하지 않는 동시 사용율(load factor)을 적용하여 상기 반도체 팹 유틸리티의 규격을 표준화한다.Step S2 is a step of standardizing the specification of each semiconductor fab utility through the specification of the semiconductor production equipment. Specifically, it is necessary to grasp the maximum flow rate and the diameter of each semiconductor fab utility, and to maximize the maximum flow rate and the diameter A standard load factor is applied to standardize the semiconductor fab utility.
예를 들어, 순수(pure water) 배관의 경우 해당 반도체 생산설비의 제원에서 규정한 최고 유량을 파악한 다음, 상기 최고 유량에 부하 요인(load factor), 바람직하게는, 1.2를 곱하여 얻은 유량 데이터(14,000LPM×0.9×1.2)를 통해 표준 규격을 산출하게 된다. 그리고 각 배관마다 표준 규격을 산출하는 과정을 반복하여 이를 데이터 베이스화한다.For example, in the case of pure water piping, the highest flow rate specified in the specifications of the semiconductor production facility is determined, and then the flow rate data obtained by multiplying the highest flow rate by a load factor, preferably 1.2, LPM x 0.9 x 1.2). Then, the process of calculating the standard size for each piping is repeated to form a database.
또한, 각 배관의 최고 유량 표준 규격을 사용하는 것이 시공시 적정한 것인지 검토하는 과정을 거치게 된다.Also, it is checked whether it is appropriate to use the highest flow standard standard of each piping at the time of construction.
보다 구체적으로, 상기 S2단계에서는 도 2를 참조하면, 초순수, 폐수, 냉각수, 가스 및 화학약품을 각각 공급하는 상기 배관별로 규격을 표준화하는 S2-1단계와, 반도체 생산공정 중 발생하는 유기성분(ORG), 산성분(ACID), 알칼리성분(ALKA) 및 고온 성분(H/G)을 각각 이송하는 덕트별로 규격을 표준화하는 S2-2단계를 포함할 수 있다.More specifically, referring to FIG. 2, in step S2, step S2-1 of standardizing the standard for each pipe supplying the ultrapure water, the wastewater, the cooling water, the gas, and the chemical is performed. (Step S2-2) of standardizing the standard for each duct transporting the acid component (ORG), the acid component (ACID), the alkaline component (ALKA) and the high temperature component (H / G), respectively.
예를 들어, 식각공정에서 사용하는 가스는 H2, O2, Ar, He, PN2, GN2, PA 등을 예시할 수 있는데, 상기 S2-1단계에서는 각 가스별 최대 유량을 파악한 다음, 관경을 산출하고 그 관경 규격을 표준화한다.For example, H 2 , O 2 , Ar, He, PN 2 , GN 2 , PA and the like can be exemplified as the gases used in the etching process. In step S 2 - 1 , Calculate the diameter and standardize the diameter.
그리고 상기 S2단계에서는 도 5를 참조하면 서로 다른 유체(H2, O2, Ar)를 공급하는 표준화된 배관(A, B, C)들 중에서 각 관경(a, b, c)의 차가 20% 미만인 배관들을 그 중 가장 큰 배관의 관경(A)으로 보정하여 재표준화하는 S2-3단계를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the difference between the diameters a, b, and c of the standardized pipes A, B, and C supplying the different fluids H 2 , O 2 , Of the pipe is corrected to the pipe diameter (A) of the largest pipe and re-standardized in step S2-3.
이와 같이 S2-3단계를 통해 보정하기 때문에 표준화 대상을 유체의 종류별로 한정하지 않고 서로 다른 유체끼리도 통합하여 표준화를 보다 확대할 수 있다.Since the correction is performed through step S2-3 as described above, the standardization can be expanded by integrating different fluids without limiting the standardization object to each fluid type.
상기 S2-3단계와 마찬가지로 상기 S2단계에서는 베이(bay) 별로 분류된 표준화된 배관들 중에서 동일한 유체를 공급하는 배관들을 그 중 가장 큰 배관의 관경으로 보정하여 재표준화하는 S2-4단계를 더 포함할 수 있는데, 이를 통해 반도체 생산라인 전체에 대한 표준화에 도움을 줄 수 있다. 즉, 상기 S2-4단계는 서로 다른 베이에서 동일한 유체를 공급하는 배관들의 관경을 서로 일치시키는 것이다.
As in step S2-3, step S2-4 further includes steps of re-standardizing pipes that supply the same fluid among the standardized pipes sorted by bay, by correcting them to the pipe diameter of the largest pipe among them Which can help standardize the entire semiconductor production line. That is, the step S2-4 is to match the diameters of the pipes supplying the same fluid in different bays to each other.
상기 S3단계는 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 각 베이 별로 조합하여 모듈화 설계하는 단계로서, 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 각 베이에서이루어지는 반도체 생산공정 및 반도체 생산장비에 대응하도록 배치한다.In step S3, standardized semiconductor fab utilities are assembled for each bay and modularized. Standardized semiconductor fab utilities are arranged to correspond to semiconductor manufacturing processes and semiconductor production equipment in each bay.
예를 들어 크린 서브 팹(CSF)은 반도체 클린룸 하부에 있는 서브 팹으로서, 유틸리티 중 Gas, Chemical 등 생산장비에 직접 공급되는 중요도 높은 유틸리티의 장비, 배관, 덕트, 전기케이블 등을 배치하게 되고, 설비 서브 팹(FSF)에서는 LPG, 폐수 등 큰 배관이나 위험성 있는 유틸리티를 배치하게 되는데, 이들이 반도체 생산장비의 교체에 따라 변경되지 않도록 설계하게 된다. 즉, 크린 서브 팹과 설비 서브 팹에 각각 설치되는 유틸리티를 명확히 구획하여 각 유틸리티가 서로 스위칭되지 않도록 설계한다.For example, the Clean Subfab (CSF) is a sub-fab under the semiconductor clean room. It is equipped with utilities, piping, ducts, and electrical cables, which are supplied directly to production equipment such as gas and chemicals. In the facility subfab (FSF), large piping and hazardous utilities such as LPG and wastewater will be deployed. They will be designed so that they will not change as the semiconductor production equipment is replaced. In other words, the utilities installed in clean subfabs and facility subfabs are clearly separated to design each utility so that they can not be switched to each other.
왜냐하면, 반도체 생산장비의 교체에 따라 각 서브 팹에 설치된 반도체 팹 유틸리티를 서로 바꾸게 되면, 그만큼 공기가 늘어나고, 그에 따른 시공 비용이 증가하기 때문이다.This is because replacing semiconductor fab utilities installed in each subfab with the replacement of semiconductor production equipment increases the amount of air and increases construction costs accordingly.
그리고 융착 공간과, 포어 라인(fore line)과, 후크 업(hook-up) 공간도 확보하는 것이 바람직하다.It is also desirable to secure a fusion space, a fore line, and a hook-up space.
보다 구체적으로 도 3a를 참조하면 상기 S3단계에서 상기 크린 서브 팹(clean sub-fab)의 경우, 내부 공간을 배관이 설치되는 제1설치공간, 덕트가 설치되는 제2설치공간 및 상기 케이블을 포함하는 기타 설비가 설치되는 제3설치공간으로 구획하는 설계를 하게 된다.More specifically, referring to FIG. 3A, in the case of the clean sub-fab in step S3, the internal space is divided into a first installation space in which a pipe is installed, a second installation space in which a duct is installed, And a third installation space in which other facilities such as a refrigerator or the like are installed.
예를 들어, 상기 제1설치공간에 설치되는 배관들은 유체의 종류 또는 진공 여부에 따라 그룹화한 다음, 각각의 그룹화된 배관들은 상기 제1설치공간 내에서 구획된 서브 설치공간별로 배치된다.For example, the piping installed in the first installation space is grouped according to the type of fluid or vacuum, and the grouped piping is arranged for each sub installation space partitioned in the first installation space.
상기 각 서브 설치공간에는 도 3b를 참조하면 수소 배관과, 산소 배관이 모듈화하여 배치되고, 아르곤 배관과, 질소 배관이 모듈화하여 배치되도록 설계되는 것을 예시할 수 있다.Referring to FIG. 3B, the hydrogen piping and the oxygen piping are modularly arranged in the sub-installation spaces, and the argon piping and the nitrogen piping are designed to be modularly arranged.
그리고 상기 제1, 2, 3설치공간에 설치되는 배관, 덕트 및 케이블은 각각 추후 반도체 생산장비의 증설 내지 대용량으로 교체에 대응할 수 있도록 기본 설계(기본 개수)에 적어도 1을 초과하는 부하 요인(load factor)을 적용하여 추가 설계되는 것이 바람직하다.
The pipes, ducts, and cables installed in the first, second, and third installation spaces are respectively connected to a load (load) of at least 1 in a basic design (basic number) so as to be capable of accommodating expansion or large- factor is applied.
한편, 상기 S3단계는 BIM(Building information modeling) 3D모델링을 통해 구현되는 것을 예시할 수 있는데, 구체적으로, AFD(approved for design)와 AFC(approved for construction)를 작성하는 것을 예시할 수 있다.
Meanwhile, step S3 may be exemplified by building information modeling (BIM) 3D modeling. Specifically, AFD (approved for design) and AFC (approved for construction) can be exemplified.
상기 S4단계는 모듈화된 설계를 기초로 반도체 팹 유틸리티 모듈을 제조하는 단계로서, 모듈화된 설계를 기초로 상기 배관 및 덕트가 조합된 상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 공장에서 미리 프리패브리케이션(pre-fabrication)하는 것이 바람직하다.The step S4 is a step of manufacturing a semiconductor fab utility module based on a modular design. The semiconductor fab utility module, in which the piping and the duct are combined, is pre-fabricated at a factory based on a modular design. .
구체적으로, 다수의 배관과, 덕트와, 케이블이 수용되는 프레임을 마련하고, 상기 프레임에 미리 설계된 내용에 따라 다수의 배관과, 덕트와, 케이블을 장착한다.Specifically, a plurality of pipes, ducts, and cables are accommodated in the frame, and a plurality of pipes, ducts, and cables are mounted on the frame in accordance with the contents designed in advance.
이와 같이, 현장에서 반도체 팹 유틸리티를 시공하지 않고, 공장에서 미리 반도체 팹 유틸리티 모듈을 통해 1차적으로 사전 배관 작업을 수행함으로써, 시공시 배관 등의 리프팅 작업, 현장 배관 용접과정을 최소화하여 시공 기간을 현저히 단축할 수 있으며, 양중관리 투입 인력을 감소할 수 있고, 균일한 품질을 확보 수 있으며, 초기 투자비의 감소 효과를 기대할 수 있다.
In this way, preliminary piping works are carried out first through the semiconductor fab utility module in the factory without installing the semiconductor fab utility in the field, so that lifting work such as piping and piping welding process during construction are minimized, It is possible to remarkably shorten the production cost, to reduce the manpower input for weight management, to ensure uniform quality, and to reduce the initial investment cost.
상기 S5단계는 반도체 팹 유틸리티 모듈을 각 서브 팹에 시공하는 단계로서, 공장에서 미리 반도체 팹 유틸리티 모듈을 제작함으로써, 현장에서 공장건설이 진행되는 동안 현장의 작업조건에 따른 설계 변경을 최소화하여 보다 신속한 시공이 이루어질 수 있다.Step S5 is a step of constructing a semiconductor fab utility module in each sub-fab. By manufacturing a semiconductor fab utility module in advance in a factory, it is possible to minimize the design change according to the working conditions in the field during the factory construction in the field, Construction can be done.
여기서, 하나의 베이에 상기 반도체 팹 유틸리티 모듈이 복수 개를 연결되는 구조로 이루어질 수 있기 때문에 복수의 프리패브리케이션된상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 시공 현장으로 이송한 다음, 대응하는 배관 및 덕트들끼리 조립하는 방식으로 시공이 이루어지게 된다.
Here, since a plurality of semiconductor fab utility modules may be connected to one bay, the plurality of prefabricated semiconductor fab utility modules may be transferred to a construction site, and the corresponding pipes and ducts may be assembled The construction is done in such a way.
결론적으로, 본 발명에 따른 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법은 반도체 서브 팹의 설계 모듈화를 위해 베이별 설계 표준화 및 반도체 팹 유틸리티 모듈화하고, 이를 기반으로 시공 모듈화 프로세스를 산출한다.In conclusion, the construction method using the semiconductor fab utility modular design according to the present invention is to design the standardization of the semiconductor fab and the semiconductor fab utility module for the design modularization of the semiconductor sub-fab, and to calculate the construction modularization process based on the standardization.
그리고, 상술한 바와 같이 식각공정 등 모듈화 효율성을 극대화할 수 있는 공정부터 시행한 다음, 나머지 공정에 대해서도 순차적으로 적용함으로써, 모듈화 내지 표준화에 따른 리스크를 최소화할 수 있다. 또한, 반도체 산업과 같이 제품의 종류가 급격히 증가하여 반도체 생산장비가 변경되는 상황에서 유연하게 대처함으로써, 경쟁력을 확보할 수 있는 장점이 있다.
As described above, it is possible to minimize the risk of modularization or standardization by performing the processes from the viewpoint of maximizing the modularization efficiency such as the etching process, and then sequentially applying the remaining processes. In addition, there is an advantage in that it can secure competitiveness by flexibly coping with changes in semiconductor production equipment due to a rapid increase in the number of kinds of products such as the semiconductor industry.
이상에서 설명된 본 발명은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Therefore, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
Claims (9)
각 반도체 생산장비에 연결되며 배관, 덕트, 케이블 중 적어도 어느 하나를 포함하는 상기 반도체 팹 유틸리티를 베이(bay) 별로 분류하는 S1단계와;
각 반도체 생산장비의 제원을 통해 상기 반도체 팹 유틸리티의 규격을 표준화하는 S2단계와;
상기 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 각 베이 별로 조합하여 모듈화 설계하되, 상기 크린 서브 팹(clean sub-fab)과 설비 서브 팹(facility sub-fab)별로 설치되는 상기 표준화된 배관 및 덕트별로 설치공간을 구획하고 배치하는 S3단계와;
상기 S3단계의 모듈화된 설계를 기초로 반도체 팹 유틸리티 모듈을 제조하는 S4단계와;
상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 각 서브 팹에 시공하는 S5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
Semiconductor manufacturing facilities to standardize the design of clean sub-fabs and facility sub-fabs, and to modularize multiple semiconductor fab utilities installed in each sub-fab based on a standardized design. In a fab utility modular design system,
An S1 step of classifying the semiconductor fab utilities connected to each semiconductor production equipment and including at least one of a pipe, a duct, and a cable by a bay;
A step S2 of standardizing the specifications of the semiconductor fab utilities through the specification of each semiconductor production equipment;
The standardized semiconductor fab utilities are modularly designed by combining each bay, and the installation space is divided by the standardized piping and duct installed for each of the clean sub-fab and the facility sub-fab. And S3;
A step S4 of fabricating a semiconductor fab utility module based on the modular design of step S3;
And a step S5 of constructing the semiconductor fab utility module in each of the sub fabs.
상기 S2단계에서는 초순수, 폐수, 냉각수, 가스 및 화학약품을 각각 공급하는 상기 배관별로 규격을 표준화하는 S2-1단계와, 반도체 생산공정 중 발생하는 유기성분, 산성분, 알칼리성분 및 고온 성분을 각각 이송하는 덕트별로 규격을 표준화하는 S2-2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
The method according to claim 1,
Step S2-1 is a step S2-1 of standardizing the standard for each of the pipes supplying the ultrapure water, the wastewater, the cooling water, the gas, and the chemical, respectively. And S2-2 standardizing the standard for each duct to be transferred.
상기 S2단계는 S2-3단계를 더 포함하되,
상기 S2-3단계는 서로 다른 유체를 공급하는 표준화된 배관들 중에서 각 관경의 차가 20% 미만인 배관들을 그 중 가장 큰 배관의 관경으로 보정하여 재표준화하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
3. The method of claim 2,
The step S2 further includes the step S2-3,
And the step S2-3 is a step of re-standardizing the pipes of which the difference between the diameters of the pipes is less than 20% among the standardized pipes supplying different fluids to the pipe diameter of the largest pipe among them. Construction method.
상기 S2단계는 S2-4단계를 더 포함하되,
상기 S2-4단계는 베이(bay) 별로 분류된 표준화된 배관들 중에서 동일한 유체를 공급하는 배관들을 그 중 가장 큰 배관의 관경으로 보정하여 재표준화하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
The method of claim 3,
The step S2 further includes the step S2-4,
And the step S2-4 is to re-standardize the pipes that supply the same fluid among the standardized pipes classified by bay to the pipe diameter of the largest pipe among them. Way.
상기 S2단계는 상기 초순수, 폐수, 냉각수, 가스 및 화학약품별로 설치되는 각 반도체 팹 유틸리티의 최고 유량 및 관경을 파악하고, 상기 최고 유량 및 관경에 대하여 적어도 최대 1을 초과지않는동시사용율(load factor)을 적용하고,추가로 장래 부하 증가율(확장율)을 20% 이상 반영하여 각각의 반도체 팹 유틸리티의 규격을 표준화하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
3. The method of claim 2,
In step S2, the maximum flow rate and diameter of each semiconductor fab utility installed for each of the ultra pure water, the wastewater, the cooling water, the gas, and the chemical are determined, and a simultaneous utilization factor ), And further reflecting the future load increase rate (expansion ratio) by 20% or more to standardize the standard of each semiconductor fab utility.
상기 S3단계는 상기 표준화된 반도체 팹 유틸리티들을 상기 베이에서 이루어지는 반도체 생산공정 및 반도체 생산장비에 대응하도록 배치하되,
상기 크린 서브 팹(clean sub-fab)의 경우, 내부 공간을 배관이 설치되는 제1설치공간, 덕트가 설치되는 제2설치공간 및 상기 케이블을 포함하는 기타 설비가 설치되는 제3설치공간으로 구획하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
The method according to claim 1,
In step S3, the standardized semiconductor fab utilities are arranged to correspond to the semiconductor production process and the semiconductor production equipment in the bay,
In the case of the clean sub-fab, the inner space is divided into a first installation space in which pipes are installed, a second installation space in which the duct is installed, and a third installation space in which other facilities including the cable are installed Wherein the semiconductor fab is a semiconductor fab.
상기 제1설치공간에 설치되는 배관들은 유체의 종류 또는 진공 여부에 따라 그룹화한 다음, 각각의 그룹화된 배관들은 상기 제1설치공간 내에서 구획된 서브 설치공간별로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
The method according to claim 6,
Wherein the piping installed in the first installation space is grouped according to the kind of fluid or vacuum, and each grouped piping is arranged for each sub installation space partitioned in the first installation space. Construction method using modular design.
상기 제1, 2, 3설치공간에 설치되는 배관, 덕트 및 케이블은 각각 추후 반도체 생산장비의 증설에 대응할 수 있도록 기본 개수에 적어도 최대 1을 초과하지 않는 동시사용율(load factor)을 적용하고,추가로 장래 부하 증가율(확장성)을 20% 이상 반영하여 설계하는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
8. The method of claim 7,
The pipes, ducts, and cables installed in the first, second, and third installation spaces apply a simultaneous utilization factor that does not exceed at least a maximum of at least one to the basic number so that each of the pipes, ducts, and cables installed in the first, (Expansion capability) is reflected by 20% or more in future load growth rate (expandability).
상기 S4단계는 모듈화된 설계를 기초로 상기 배관 및 덕트가 조합된 상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 공장에서 미리 프리패브리케이션하며,
상기 S5단계에서는 상기 프리패브리케이션된상기 반도체 팹 유틸리티 모듈을 시공 현장으로 이송한 다음, 대응하는 배관 및 덕트들끼리 조립하는 방식으로 시공이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 팹 유틸리티 모듈화 설계를 이용한 시공방법.
The method according to claim 1,
In step S4, the semiconductor fab utility module in which the piping and the duct are combined is prefabricated at a factory based on a modular design,
Wherein the pre-fabricated semiconductor fab utility module is transferred to a construction site, and then the corresponding piping and ducts are assembled with each other, thereby constructing the semiconductor fab utility module.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150169594A KR101594607B1 (en) | 2015-12-01 | 2015-12-01 | Construction method using a semiconductor fab modular design utilities |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101594607B1 true KR101594607B1 (en) | 2016-02-17 |
Family
ID=55457731
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150169594A KR101594607B1 (en) | 2015-12-01 | 2015-12-01 | Construction method using a semiconductor fab modular design utilities |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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