KR101593470B1 - Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device - Google Patents

Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR101593470B1
KR101593470B1 KR1020140039854A KR20140039854A KR101593470B1 KR 101593470 B1 KR101593470 B1 KR 101593470B1 KR 1020140039854 A KR1020140039854 A KR 1020140039854A KR 20140039854 A KR20140039854 A KR 20140039854A KR 101593470 B1 KR101593470 B1 KR 101593470B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass
phosphor
sio
zno
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020140039854A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150115208A (en
Inventor
정운진
이상헌
이종구
김일원
이석화
안흥기
유철재
강석모
Original Assignee
공주대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 공주대학교 산학협력단 filed Critical 공주대학교 산학협력단
Priority to KR1020140039854A priority Critical patent/KR101593470B1/en
Publication of KR20150115208A publication Critical patent/KR20150115208A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101593470B1 publication Critical patent/KR101593470B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/064Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
    • C03C3/066Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/064Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
    • C03C3/068Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing rare earths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 저온 소성이 가능한 형광체 담지용 유리 조성물 및 파장 변환 및 그것을 포함하는 발광 장치에 대한 것이다. 본 발명에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리를 포함하되, 상기 SiO2는 10 내지 20mol%로, 상기 B2O3는 30 내지 40mol%로, 상기 Al2O3는 0 내지 5mol%로, 상기 ZnO는 15 내지 35mol%로, 상기 Na2O는 15 내지 30mol%로 포함하고, 상기 Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1이고, 상기 ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6이다.The present invention relates to a glass composition for supporting a phosphor capable of low-temperature firing and a wavelength conversion and a light-emitting device including the same. Phosphor carrying the glass composition according to the present invention is SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass comprising, in the SiO 2 from 10 to 20mol%, the B 2 O 3 is The content of the Al 2 O 3 is from 0 to 5 mol%, the content of the ZnO is from 15 to 35 mol%, the content of the Na 2 O is from 15 to 30 mol%, the molar ratio of SiO 2 to Na 2 O The ratio is 0.4 to 1.1, and the molar ratio of SiO 2 to ZnO is 0.4 to 0.6.

Description

형광체 담지용 유리 조성물 및 파장 변환기, 그것을 포함하는 발광 장치{GLASS COMPOSITION FOR CARRYING PHOSPHOR AND WAVE CONVERTER, LIGHT EMITTING DEVICE} Technical Field [0001] The present invention relates to a glass composition for supporting a phosphor, a wavelength converter, and a light emitting device including the phosphor composition.

본 발명은 형광체 담지용 유리 조성물 및 파장 변환기, 그것을 포함하는 발광 장치에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 저온 소성이 가능한 형광체 담지용 유리 조성물 및 파장 변환기, 그것을 포함하는 발광 장치에 대한 것이다.The present invention relates to a glass composition for supporting a phosphor, a wavelength converter, and a light emitting device including the phosphor composition. More particularly, the present invention relates to a glass composition for supporting a phosphor capable of low-temperature firing, a wavelength converter, and a light-emitting device including the same.

발광 다이오드(light emitting diode)는 에너지 변환 효율이 높고, 수명이 길며, 저 전압 구동이 가능하며, 복잡한 구동회로가 필요하지 않는 장점이 있다. 따라서, 발광 다이오드는 가까운 미래에 백열등, 형광등 및 수은등과 같은 기존의 광원을 대체할 고체 조명(solid-state lighting)으로 기대를 모으고 있다. 특히, 백색 발광 다이오드는 차세대 광원으로서의 효용 가치가 높다.The light emitting diode has advantages of high energy conversion efficiency, long life, low voltage driving, and no complicated driving circuit. Accordingly, light emitting diodes are expected to replace solid state lighting in the near future to replace conventional light sources such as incandescent, fluorescent and mercury lamps. Particularly, the white light emitting diode has a high utility value as a next generation light source.

일반적으로 발광 다이오드는 그 발광 원리상 좁은 파장 범위의 단색광 밖에는 방출 할 수 없으므로, 백색 발광 다이오드를 구현하기 위해서는 둘 이상의 다른 색을 방출하는 발광 다이오드들을 조합하거나, 하나의 발광 다이오드에서 둘 이상의 활성 영역을 갖도록 하거나, 발광 다이오드와 파장 변환 물질, 예를 들어, 형광체, 반도체 또는 염료 등을 조합하는 기술 등이 사용된다. 이들 중에서 파장 변환 물질을 이용하여, 변환된 파장의 광과 변환되지 않는 광이 혼색되어 백색광을 구현하는 기술이 통상적으로 사용된다.In general, a light emitting diode can emit only monochromatic light having a narrow wavelength range in terms of its light emission principle. Therefore, in order to realize a white light emitting diode, it is necessary to combine light emitting diodes emitting two or more different colors, Or a technique of combining a light emitting diode and a wavelength converting material, for example, a fluorescent material, a semiconductor or a dye, or the like is used. Among them, a technique of using a wavelength converting material to mix white light of a converted wavelength with non-converted light to realize white light is generally used.

상기 파장 변환 물질 중에서 형광체가 일반적으로 사용되며, 형광체는 실리케이트(silicate)계, YAG(yttrium aluminium garnet), TAG(terbium aluminium garnet), 나이트라이드(nitride)계 등의 형광체가 사용된다. 이들 형광체는 분말형태로 제조되어 레진(resin), 실리콘(silicon) 등의 합성 유기 소재에 담지되어 파장 변환 물질로서 사용된다. 종래의 형광체 담지체인 유기 합성 수지는 장시간 소용 시, 자외선 및 수분 등의 외부적 요인과 발광 다이오드 자체의 열 및 빛 등의 내부적 요인으로 인해 소재 자체가 황변 또는 갈변되거나 열화되는 문제가 있었다.Phosphors are generally used among the wavelength converting materials. Phosphors such as silicate, YAG (yttrium aluminum garnet), TAG (terbium aluminum garnet), and nitride are used as the phosphors. These phosphors are prepared in powder form and supported on synthetic organic materials such as resin and silicon to be used as wavelength conversion materials. The organic synthetic resin as a conventional phosphor support has a problem that the material itself is yellowed or browned or deteriorated due to external factors such as ultraviolet rays and moisture and internal factors such as heat and light of the light emitting diode itself.

이로 인해, 발광 다이오드의 신뢰성이 떨어지고 수명이 감소되어 그 사용이 제한되었다. 하지만, 무기물을 담지체로 사용하는 경우, 기존의 유기물을 사용하는 경우와 같이 형광체의 조절이 용이하고, 기존의 유기물 소재가 갖는 변색, 열화 등의 문제점이 개선될 수 있다.As a result, the reliability of the light emitting diode is lowered and the lifetime thereof is reduced, which limits its use. However, when an inorganic material is used as a support, the phosphor can be easily controlled as in the case of using an existing organic material, and problems such as discoloration and deterioration of the existing organic material can be improved.

다만, 유리를 형광체 담지체로서 사용하기 위해서는 형광체를 담지하기에 적합한 유리 프릿(frit)이 제공되어야 한다. 예컨대, 실리케이트계 및 나이트라이트계 형광체는 고온에서 활성이온의 변질로 인한 효율 전하가 손쉽게 발생하므로, 형광체를 담지하기 위한 유리 프릿은 550℃ 이하의 소성 온도가 요구되고, 소성 시 형광체와의 반응이 최소화되어야 하며, 소성 온도에서 높은 유동성을 가져야 공정 시간이 단축되고 기포의 발생이 억제된다. 또한, 소성 후에도 높은 투과도를 가져야 발광 다이오드의 파장 변환 물질로 사용될 수 있다.However, in order to use glass as a phosphor carrier, a glass frit suitable for supporting a phosphor must be provided. For example, silicate-based and nitrite-based phosphors easily generate efficient charges due to the deterioration of active ions at high temperatures. Therefore, a glass frit for supporting a phosphor requires a firing temperature of 550 ° C or less, And must have high fluidity at the firing temperature to shorten the processing time and suppress the generation of bubbles. In addition, a high transmittance after firing can be used as a wavelength conversion material of a light emitting diode.

종래의 유리 소재는 높은 소성온도를 요구하므로, 공정 비용이 높고, 사용이 가능한 형광체가 제한적인 단점이 있다. 또한, 종래의 유리 소재 중 저온 소성이 가능한 유리 소재의 경우에는, P2O5의 함량이 높기 때문에, 화학적 안정성이 떨어지고 소성 후의 투과도 개선이 어려운 단점이 있다.Conventional glass materials require a high firing temperature, which is disadvantageous in that the process cost is high and the usable phosphors are limited. In addition, in the case of a glass material capable of low-temperature firing among conventional glass materials, since the content of P 2 O 5 is high, the chemical stability is lowered and it is difficult to improve the permeability after firing.

따라서, 550℃ 이하의 온도에서 소성이 가능하고, 열적 및 화학적으로 안정된 유리 소재의 개발이 요구된다. Accordingly, development of a thermally and chemically stable glass material capable of being fired at a temperature of 550 DEG C or less is required.

일본 공개특허 2008-255362호에 개시된 SiO2-B2O3계 유리, SiO2-B2O3-BaO계 유리 및 ZnO-B2O3-SiO2 계 유리는 그 소성 온도가 높아 다양한 형광체에 적용하기 힘든 단점이 있다. 그리고, 대한민국 공개 특허 10-2009-0026754호 및 대한민국 공개 특허 10-2013-0127716호에 각각 개시된 SnO-P2O5-B2O3계 유리와 P2O5-ZnO-SiO2계 유리는 저온 소성이 가능하지만, P2O5가 반드시 40mol% 이상 함유되어야 한다. 이 경우, P2O5의 높은 흡습성으로 인해 제조공정 상으로는 양산이 어렵고, 제조된 유리는 화학적 내구성이 취약하여 장기적인 내구성이 문제된다. 또한, 유리 프릿(frit)으로 제조하기 위해서는 일반적으로 분쇄 공정을 거친다. P2O5를 다량 함유한 유리는 분쇄 시, 대기와의 화학작용 등에 의한 착색 형상 및 이물질 유입현상이 발생할 수 있다. 따라서, P2O5를 다량 함유한 유리는 투명도가 문제된다.SiO 2 -B 2 O 3 -based glass, SiO 2 -B 2 O 3 -BaO-based glass, and ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -based glass disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-255362 have high firing temperatures, It is difficult to apply the method. In addition, SnO-P 2 O 5 -B 2 O 3 glass and P 2 O 5 -ZnO-SiO 2 glass disclosed in Korean Patent Laid-Open Nos. 10-2009-0026754 and 10-2013-0127716 Although low-temperature firing is possible, P 2 O 5 must be contained in an amount of 40 mol% or more. In this case, mass production is difficult in the manufacturing process due to high hygroscopicity of P 2 O 5 , and the manufactured glass has a problem of long-term durability because of its poor chemical durability. In addition, in order to produce glass frit, a grinding step is generally carried out. Glass containing a large amount of P 2 O 5 may cause coloration and foreign matter inflow due to chemical reaction with the atmosphere during milling. Therefore, transparency is a problem in glass containing a large amount of P 2 O 5 .

일본 공개특허 2008-255362호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-255362 대한민국 공개 특허 10-2013-0127716호Korean Patent Publication No. 10-2013-0127716 대한민국 공개 특허 10-2009-0026754호Korean Patent Publication No. 10-2009-0026754

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 안정성 및 신뢰성이 높은 형광체 담지용 유리 조성물을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a glass composition for supporting a phosphor having high stability and reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 낮은 소성온도를 가지는 형광체 담지용 유리 조성물, 구체적으로, 소성온도가 550℃ 이하인 형광체 담지용 유리 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a glass composition for supporting a phosphor having a low firing temperature, specifically, a glass composition for supporting a phosphor having a firing temperature of 550 캜 or less.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 열적 및 화학적으로 안정한 형광체 담지용 유리 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a thermally and chemically stable glass composition for supporting a phosphor.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 흡습성이 낮고, 상분리의 가능성이 낮은 형광체 담지용 유리 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a glass composition for supporting a phosphor having low hygroscopicity and low possibility of phase separation.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 다양한 종류의 형광체를 담지할 수 있는 형광체 담지용 유리 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a glass composition for supporting a phosphor capable of supporting various kinds of phosphors.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 공정 조건의 민감도 및 양산성이 개선된 형광체 담지용 유리 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a glass composition for supporting a phosphor having improved sensitivity and mass productivity of process conditions.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상기 형광체 담지용 유리 조성물 포함하는 파장 변환기를 제공하여, 신뢰성 및 수명이 개선된 발광 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a wavelength converter including the glass composition for supporting a phosphor, and to provide a light emitting device having improved reliability and a long lifetime.

본 발명의 일 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리를 포함하되, 상기 SiO2는 10 내지 20mol%로, 상기 B2O3는 30 내지 40mol%로, 상기 Al2O3는 0 내지 5mol%로, 상기 ZnO는 15 내지 35mol%로, 상기 Na2O는 15 내지 30mol%로 포함하고, 상기 Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1이고, 상기 ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6일 수 있다. 본 발명에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은 P2O5 및 SnO를 포함하지 않으므로, 제조 공정의 민감도가 개선되고, 제조된 유리의 화학적 및 열적 안정성이 높아 신뢰성이 향상된다.But phosphor carrying a glass composition in accordance with one embodiment of the present invention include SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass, the SiO 2 is from 10 to 20mol%, the B 2 O 3 is 30 to to 40mol%, the Al 2 O 3 is from 0 to to 5mol%, the ZnO is 15 to 35mol%, and the Na 2 O is contained by 15 to 30mol%, for the Na 2 O The molar ratio of SiO 2 to SiO 2 may be 0.4 to 0.6, and the molar ratio of SiO 2 to ZnO may be 0.4 to 0.6. Since the glass composition for supporting a phosphor according to the present invention does not contain P 2 O 5 and SnO, the sensitivity of the manufacturing process is improved, and the chemical and thermal stability of the produced glass is high, thereby improving the reliability.

또한, 소성 온도가 550℃ 이하일 수 있다.The firing temperature may be 550 캜 or lower.

나아가, MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, WO3, GeO2 및 La2O3 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다Further, any one selected from MgO, WO 3 , SrO , BaO, Al 2 O 3, Y 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , WO 3 , GeO 2 and La 2 O 3 , Can contain more

또한, R2O를 더 포함하되, 상기 R은 Li, Na, K, Rb 및 Cs 중 어느 하나이며, 상기 R2O는 20 mol%이하로 포함할 수 있다.Further, it further includes R 2 O, wherein R is any one of Li, Na, K, Rb, and Cs, and R 2 O may include 20 mol% or less.

본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환기는 상술한 형광체 담지용 유리 조성물; 및 상기 유리 조성물에 담지된 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength converter according to an embodiment of the present invention may include the above-described glass composition for supporting a phosphor; And a phosphor supported on the glass composition.

나아가, 상기 형광체는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 나이트라이드(Nitride)계 형광체, 플로우라이드(Fluoride)계 형광체, 옥시설파이드(Oxysulfide)계 형광체, 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 형광체, 및 옥시플루오라이드(Oxyfluoride)계 형광체에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다.Further, the phosphor may be a YAG-based phosphor, a TAG-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, a fluoride-based phosphor, an oxysulfide-based phosphor, an oxynitride- Based phosphor, an oxyfluoride-based phosphor, or a combination thereof.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 파장을 변환하는 파장 변환기를 포함하되, 상기 파장 변환기는 청구항 1 내지 4의 어느 한 항에 따른 형광체 담지용 유리 조성물; 및 상기 유리 조성물에 담지된 형광체를 포함할 수 있다.A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting diode; And a wavelength converter for converting a wavelength of light emitted from the light emitting diode, wherein the wavelength converter comprises the glass composition for supporting a phosphor according to any one of claims 1 to 4; And a phosphor supported on the glass composition.

본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환기 제조 방법은 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿 및 형광체를 혼합하고, 혼합된 상기 유리 프릿 및 상기 형광체를 소정의 소성 온도에서 소성하는 것을 포함하되, 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿은, 상기 SiO2는 10 내지 20mol%로, 상기 B2O3는 30 내지 40mol%로, 상기 Al2O3는 0 내지 5mol%로, 상기 ZnO는 15 내지 35mol%로, 상기 Na2O는 15 내지 30mol%로 포함할 수 있다.A wavelength converter manufacturing method in accordance with one embodiment of the present invention, SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit, and mixing the phosphor, a predetermined mixed the glass frit, and the phosphor of plastic, including, but that the sintering temperature, the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit is, the SiO 2 is between 10 to 20mol%, the B 2 O 3 is 30 to 40 mol% of Al 2 O 3 , 0 to 5 mol% of Al 2 O 3 , 15 to 35 mol% of ZnO, and 15 to 30 mol% of Na 2 O.

또한, 상기 소성하는 것은 대기 분위기 또는 환원 분위기에서 수행될 수 있다.In addition, the calcination may be performed in an atmospheric or reduced atmosphere.

나아가, 상기 소성 온도는 550℃ 이하일 수 있다.Further, the firing temperature may be 550 DEG C or less.

상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿은 R2O를 더 포함하되, 상기 R은 Li, Na, K, Rb 및 Cs 중 어느 하나이며, 상기 R2O는 20mol%이하로 포함할 수 있다.But the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit further comprises the R 2 O, and wherein R is any one of Li, Na, K, Rb and Cs, wherein R 2 O may be contained in an amount of 20 mol% or less.

본 발명에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은, 균일하게 형광체를 담지할 수 있고, 착색이 적어 투과도가 높으며, 화학적 및 물리적으로 안정하여 변성, 변색 및 열화 발생이 효과적으로 억제될 수 있으므로, 신뢰성 및 효율이 높고 수명이 길다. 또한, 본 발명에 따른 형광체 담지 유리 조성물은 550℃ 이하의 온도에서 소성이 가능하여 공정 적용성이 우수하고, 다양한 형광체를 적용하여 파장 변환기를 제조할 수 있다.The glass composition for supporting a phosphor according to the present invention is capable of uniformly supporting a phosphor, has low coloration and high transmittance, can be chemically and physically stable and can effectively suppress the generation of denaturation, discoloration and deterioration, High and long-lasting. In addition, the phosphor-supported glass composition according to the present invention can be fired at a temperature of 550 ° C or less, so that the process applicability is excellent, and a wavelength converter can be manufactured by applying various phosphors.

본 발명에 따른 파장 변환기는 상기 형광체 담지용 유리 조성물이 SnO 및 P2O5를 포함하지 않으므로, 흡습성이 낮고, 저온에서 유동성이 높다. 또한, 파장 변화기의 제조가 대기 분위기 또는 환원 분위기에서 수행될 수 있어 제조 공정이 용이하다. The wavelength converter according to the present invention is low in hygroscopicity and high in fluidity at low temperatures since the glass composition for supporting a phosphor does not contain SnO and P 2 O 5 . Further, the manufacture of the wavelength changer can be performed in an atmospheric atmosphere or a reducing atmosphere, thereby facilitating the production process.

또한, 본 발명에 따른 발광 장치는 상기 파장 변환기 및 상기 형광체 담지용 유리 조성물을 포함하므로, 신뢰성이 향상되고, 장기간 사용이 가능하다.Further, since the light emitting device according to the present invention includes the wavelength converter and the glass composition for supporting the phosphor, the reliability is improved and it can be used for a long time.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 전형적인 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, exemplary embodiments of the present invention will be described below, but the technical spirit of the present invention is not limited thereto, and various modifications may be made by those skilled in the art.

우선, 본 발명의 일 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물에 대하여 상세히 설명한다.First, a glass composition for supporting a phosphor according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

형광체 담지용 유리 조성물은 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리를 포함하고, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리는 SiO2는 10 내지 20mol%로, B2O3는 30 내지 40mol%로, Al2O3는 0 내지 5mol%로, ZnO는 15 내지 35mol%로, Na2O는 15 내지 30mol%로 포함할 수 있다. 상기의 조성비를 가지는 형광체 담지용 유리는 SnO 및 P2O5를 포함하지 않으므로, 흡습성이 낮고, 저온에서 유동성이 높아 소성 공정이 용이해진다. 이에 대하여는 후술하여 상세히 설명한다.Glass composition for a phosphor bearing is SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass and including, SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass SiO 2 is 10 to 20 mol%, B 2 O 3 is 30 to 40 mol%, Al 2 O 3 is 0 to 5 mol%, ZnO is 15 to 35 mol%, and Na 2 O is 15 to 30 mol% can do. Since the glass for supporting a phosphor having the above composition ratio does not contain SnO and P 2 O 5 , the hygroscopicity is low and the fluidity at low temperature is high, so that the firing process becomes easy. This will be described later in detail.

상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 소성 온도는 550℃ 이하일 수 있다. 이와 같이 저온에서 소성 가능한 유리를 사용함으로써 소성 공정이 용이해지고, 고온에서 활성이온의 변질로 효율 저하가 일어나는 형광체, 예컨대, 실리케이트계 형광체 및 나이트라이드계 형광체의 담지체로도 사용될 수 있다.The SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O-based glass has a sintering temperature may be up to 550 ℃. The use of the glass that can be fired at such a low temperature facilitates the firing step and can also be used as a support for phosphors, such as silicate-based phosphors and nitride-based phosphors, whose efficiency is lowered due to denaturation of active ions at high temperatures.

또한, 형광체 담지용 유리 조성물은 SnO 및 P2O5를 포함하지 않으며, 이로 인해 소성 공정에 있어서 흡습성과 유동성을 개선할 수 있고 공정 분위기의 제한이 감소된다. 예컨대, 상기 형광체 담지용 저온 소성 유리 조성물은 대기 분위기 또는 환원 분위기에서 소성될 수 있다.In addition, the glass composition for supporting a phosphor does not contain SnO and P 2 O 5 , which can improve hygroscopicity and fluidity in a firing step and reduce the limit of the process atmosphere. For example, the low-temperature fired glass composition for supporting a phosphor may be fired in an air atmosphere or a reducing atmosphere.

형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2는 유리 망목 형성제들 중 하나로서 유리 내에서 3차원 망목 구조를 형성할 수 있다. 이를 통하여, 유리의 안정성을 높일 수 있다. 그러나, SiO2 함유량이 증가할수록 연화점(Tg)이 높아지고, 점도가 증가할 수 있다. SiO 2, which is included in the glass composition for supporting a phosphor, is one of the glass network formers and can form a three-dimensional network structure in the glass. Through this, the stability of the glass can be enhanced. However, as the SiO 2 content increases, the softening point (Tg) increases and the viscosity increases.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O 계 유리는 SiO2를 10 내지 20mol%로 포함한다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 SiO2를 10mol% 미만으로 포함하는 경우에는 유리의 안정성이 감소할 수 있고, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O 계 유리가 SiO2를 20mol% 초과하여 포함하는 경우에는 점도가 높아져 유동성이 부족하여, 유리의 소성이 어려운 단점이 있다.Accordingly, the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass that contains a fluorescent material supporting the glass composition of the example of the present invention comprises from 10 to 20mol% of SiO 2. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 When the -ZnO-Na 2 O-based glass including SiO 2 is less than 10mol% may decrease the stability of the glass, SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O-based glass contains SiO 2 in an amount exceeding 20 mol%, the viscosity is increased and the fluidity is insufficient, so that the glass is difficult to be fired.

형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 B2O3는 유리 망목 형성제들 중 하나로서, 유리 내에서 1차원 또는 2차원 및 3차원 기본 구조를 형성할 수 있다. B2O3를 포함하는 유리는 소성 시, 유리의 유동성이 증가하여 제조 공정을 용이하게 만들 수 있다. 그러나, B2O3 함유량이 증가할수록 유리의 화학적 내구성이 약해질 수 있다. B 2 O 3, which is included in the glass composition for supporting a phosphor, is one of the glass network formers and can form one-dimensional or two-dimensional and three-dimensional basic structures in glass. Glass containing B 2 O 3 can increase the flowability of the glass during firing, thereby facilitating the manufacturing process. However, as the B 2 O 3 content increases, the chemical durability of the glass can be weakened.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리는 B2O3를 30 내지 40mol%로 포함한다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 B2O3를 40mol%초과로 포함하는 경우에는 유리의 상분리가 발생할 수 있어, 유리의 화학적 안정성이 낮아질 수 있다. 반면, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 B2O3를 30mol% 미만으로 포함하는 경우에는 SiO2의 함유량이 높아지므로, 유리의 유동성이 떨어져 제조 공정이 불리해진다.Accordingly, the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass that contains a fluorescent material supporting the glass composition of the example of the present invention comprises a B 2 O 3 from 30 to 40mol% . If the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass contains B 2 O 3 to 40mol% excess There can cause phase separation of the glass, it is possible to lower the chemical stability of the glass . On the other hand, if the produced SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass contains B 2 O 3 is less than 30mol% there is increased when the content of SiO 2, the flowability of the glass off The process becomes disadvantageous.

형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 Al2O3는 그 함유량이 높은 경우에는 망목 구조를 단절시키는 망목 변형제 역할을 할 수 있고, 함유량이 낮은 경우에는 일부 SiO2 및 B2O3와 함께 유리 구조를 형성할 수 있다. 또한, Al2O3는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리를 안정화 시키고, 열팽창 계수를 저하시키는 역할을 한다. Al 2 O 3 contained in the glass composition for supporting a phosphor can serve as a mesh modifier for cutting off the mesh structure when the content thereof is high. When the content is low, Al 2 O 3 , together with SiO 2 and B 2 O 3 , Can be formed. In addition, Al 2 O 3 serves to SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based and stabilize the glass, lower the thermal expansion coefficient.

본 발명의 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리는 Al2O3를 0 내지 2mol%로 포함한다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 Al2O3를 2mol% 초과하여 포함하는 경우에는 유리의 유동성이 작아지고, 상분리가 발생할 수 있다. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass comprising a glass composition for a phosphor bearing according to an embodiment of the present invention include Al 2 O 3 from 0 to 2mol%. If the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass is contained by the Al 2 O 3 greater than 2mol%, the fluidity of the glass becomes small, there may occur phase separation.

형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 ZnO는 망목 구조를 단절시키는 망목 변형제 역할을 할 수 있고, 함유량이 높은 경우에는 SiO2의 일부와 함께 유리 구조를 형성할 수 잇다. ZnO는 유리를 안정화 시키고, 유리의 열팽창 계수를 저하시키는 역할을 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리는 ZnO를 15 내지 35mol%로 포함하되, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.5 일 수 있다.ZnO contained in the glass composition for supporting a phosphor can serve as a mesh modifier for cutting off the network structure, and when the content is high, a glass structure can be formed together with a part of SiO 2 . ZnO can stabilize the glass and lower the thermal expansion coefficient of the glass. Accordingly, the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass that contains a fluorescent material supporting the glass composition according to the embodiment of the present invention, comprising 15 to 35mol% of ZnO, the ZnO The molar ratio of SiO 2 to SiO 2 may range from 0.4 to 0.5.

SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 ZnO를 15mol%로 포함하는 경우에는 상분리가 쉽게 발생할 수 있다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 ZnO를 35mol% 초과하여 포함하는 경우에는 유리의 형성이 어려울 수 있다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 ZnO를 15 내지 35mol%로 포함함과 동시에, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율이 0.4 미만인 경우에는 상분리가 쉽게 발생하여 유리의 안정성이 떨어질 수 있다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 ZnO를 15 내지 35mol%로 포함함과 동시에, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율이 0.6 초과인 경우에는 유리가 결정화되거나, 소성 시 결정화 될 수 있으며, 유리의 유동성이 떨어져 제조 공정이 불리해질 수 있다.If the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass contains ZnO in 15mol%, there is a phase separation may occur easily. If the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass comprises more than 35mol% of ZnO there may be difficult to form the glass. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass, the phase separation is likely to occur if at the same time as comprising 15 to 35mol% of ZnO, less than a molar ratio of SiO 2 to ZnO 0.4 And the stability of the glass may be deteriorated. If the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass is at the same time as comprising 15 to 35mol% of ZnO, the molar ratio of SiO 2 to ZnO is greater than 0.6, the glass is crystallized Or may crystallize upon firing, and the flowability of the glass may be deteriorated and the manufacturing process may be disadvantageous.

형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 Na2O는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 포함하는 SiO2 및 B2O3 로 이루어진 망목을 단절시켜 유리 전이 온도(Tg) 및 연화점(Ts)을 저하시킬 수 있다. 이에 따라, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 유동성을 증가시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리는 Na2O를 15 내지 30mol%로 포함할 수 있고, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6 일 수 있다.Na 2 O, which contains a glass composition for carrying a phosphor is SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based to break the mesh consisting of SiO 2 and B 2 O 3, including a glass transition The temperature Tg and the softening point Ts can be lowered. Accordingly, it is possible to increase the fluidity of the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass comprising a glass composition for a phosphor bearing according to an embodiment of the present invention may comprise Na 2 O 15 to 30mol%, The molar ratio of SiO 2 to Na 2 O may range from 0.4 to 0.6.

SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 Na2O를 15mol% 미만으로 포함하는 경우에는, 유리 형성이 어렵거나, 유리의 유동성이 떨어질 수 있다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 Na2O를 30mol% 초과로 포함하는 경우에는, 유리의 상분리가 발생할 수 있다.If the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass contains Na 2 O is less than 15mol%, the glass forming difficult, can drop the fluidity of the glass. In the case of SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass contains Na 2 O to 30mol% excess, may cause phase separation of the glass.

SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 Na2O를 15 내지 30mol% 로 포함함과 동시에, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율이 0.4 미만인 경우에는, 유리의 상분리가 발생하기 쉽고, 유리의 소성 온도가 증가할 수 있다. SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리가 Na2O를 15mol% 내지 30mol% 내로 포함함과 동시에, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율이 0.5 초과하는 경우에는, 유리의 유동성 및 안정성이 떨어지고, 유리 소성 후에 착색이 쉽게 발생할 수 있다. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass also contains 15 to 30mol% of Na 2 O and at the same time, is less than a molar ratio of SiO 2 to Na 2 O of 0.4, the , Phase separation of the glass is liable to occur, and the firing temperature of the glass may increase. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass is at the same time as include Na 2 O into 15mol% to about 30mol%, the molar ratio of SiO 2 to Na 2 O is greater than 0.5 , The flowability and stability of the glass are deteriorated, and coloring can easily occur after the glass firing.

Na2O는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리에 추가적 또는 대체적으로 더 포함될 수 있다. Na2O는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 SiO2의 일부를 대체할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Na 2 O may be included further a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based additional or alternatively on the glass. Na 2 O is a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based alternative to a part of SiO 2 in the glass, but is not limited to this.

또한, 본 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은 R2O를 더 포함할 수 있다. 상기 R은 Li, Na, K, Rb 및 Cs 중 어느 하나일 수 있다. R2O는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리에 추가적 또는 대체적으로 포함될 수 있다. R2O는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 SiO2 또는 ZnO의 일부를 대체하여 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Further, the glass composition for supporting a phosphor according to this embodiment may further include R 2 O. The R may be any one of Li, Na, K, Rb, and Cs. R 2 O may be included as a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based additional or alternatively on the glass. R 2 O is a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O-based glass or SiO 2 may be included to replace some of ZnO, but is not limited to such.

R2O가 SiO2를 대체하는 경우에는, 소성 시 유리의 결정화가 발생되거나, 소성 후 유리 조성물의 결정화가 발생될 수 있다. R2O가 ZnO를 대체하는 경우에는, 유리의 소정의 소성온도에서 유동성이 개선될 수 있다. 따라서 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리에 R2O가 더 포함됨으로써 공정 적용성이 개선될 수 있다.When R 2 O replaces SiO 2 , crystallization of the glass may occur during firing or crystallization of the glass composition may occur after firing. When R 2 O replaces ZnO, the flowability at a given firing temperature of the glass can be improved. Thus the process can be improved applicability By the SiO 2 is further included -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based R 2 O in the glass.

R2O는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 SiO2 및 B2O3로 형성된 망목을 단절시켜 유리 전이 온도(Tg) 및 연화점(Ts)을 저하시킬 수 있다. 이에 따라, 유리의 소성 시, 유동성을 증가시킬 수 있다. 소성 시 유동성이 증가되면, 유리의 성형이 용이하고, 기포의 발생이 적어 유리의 광 투과도가 개선될 수 있다. 따라서, 다양한 발광 장치에 적용이 가능하고, 발광 장치의 제조 공정에 용이하게 적용할 수 있다.R 2 O is a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based to break the mesh formed of SiO 2 and B 2 O 3 in the glass transition temperature (Tg) and softening point (Ts) . Accordingly, when the glass is sintered, the fluidity can be increased. If the flowability during firing is increased, the glass can be easily molded, the occurrence of bubbles is reduced, and the light transmittance of the glass can be improved. Accordingly, the present invention can be applied to various light emitting devices, and can be easily applied to a manufacturing process of a light emitting device.

본 발명의 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물이 포함하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리는 R2O를 20mol% 이하로 포함할 수 있으며, 20mol% 초과로 포함하는 경우에는, 유리의 안정성이 떨어지므로, 소성 후 유리의 수율이 저하되고, 유리 조성물이 쉽게 발생할 수 있다. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass comprising a glass composition for a phosphor bearing according to an embodiment of the present invention may comprise a R 2 O to less than 20mol%, 20mol %, The stability of the glass is deteriorated, so that the yield of the glass after firing is lowered and the glass composition can be easily generated.

또한, 본 실시예에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은 MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, 및 La2O3에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다. MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, 및 La2O3 는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 안정성을 개선시켜 소성 공정의 공정 적용성을 개선할 수 있다. MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, 및 La2O3 는 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리에 0 내지 5mol% 로 더 포함될 수 있고, 5mol%를 초과하여 포함되는 경우에는, 유리의 결정화가 발생할 수 있고 유동성이 저하되어 공정 용이성이 저해될 수 있다. 다만, 상기 범위에 한정되는 것은 아니다.Further, the phosphor-supported glass composition according to the present embodiment is MgO, WO 3, SrO, BaO , Al 2 O 3, Y 2 O 3, Ga 2 O 3, In 2 O 3, GeO 2, and La 2 O 3 , Or any combination thereof. MgO, WO 3, SrO, BaO , Al 2 O 3, Y 2 O 3, Ga 2 O 3, In 2 O 3, GeO 2, and La 2 O 3 is a SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 to improve the stability of Na 2 O-based glass--ZnO may improve process applicability of the firing step. MgO, WO 3, SrO, BaO , Al 2 O 3, Y 2 O 3, Ga 2 O 3, In 2 O 3, GeO 2, and La 2 O 3 is the SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3- ZnO-Na 2 O-based glass may be further contained in an amount of 0 to 5 mol%, and if it is contained in an amount exceeding 5 mol%, crystallization of the glass may occur and flowability may be deteriorated and processability may be impaired. However, it is not limited to the above range.

SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O 계 유리는 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Mo, Sn, Sb, 또는 Bi와 같은 전이 금속의 산화물을 포함하지 않을 수 있다. 전이 금속은 전자 천이에 의한 가시광선 흡수 현상을 야기할 수 있으며, 이는 유리의 착색 현상을 발생시켜 형광체 담지용 유리 조성물의 투과도를 저하시킬 수 있다. 다만, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O glass is a transition metal such as Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Mo, Sn, Sb or Bi It may not contain oxides. The transition metal may cause a phenomenon of visible light absorption due to electron transition, which may cause the phenomenon of coloring of the glass, thereby lowering the transmittance of the glass composition for supporting the phosphor. However, the scope of the present invention is not limited thereto.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.1 to 3 are sectional views for explaining a light emitting device according to embodiments of the present invention.

먼저 도 1을 참조하면, 발광 장치는, 본체(10), 제1 리드(11), 제2 리드(12), 상기 본체(10)에 일체로 형성되는 측벽(13), 발광 다이오드(21), 상기 발광 다이오드(21)과 제2 리드(12)를 전기적으로 연결하는 와이어(14), 및 파장 변환기(30)를 포함한다.1, the light emitting device includes a main body 10, a first lead 11, a second lead 12, a side wall 13 integrally formed with the main body 10 , a light emitting diode 21, A wire 14 electrically connecting the light emitting diode 21 and the second lead 12, and a wavelength converter 30.

본체(10) 상면에 측벽(13)이 배치될 수 있고, 측벽(13)으로 둘러싸여 발광 다이오드(21)가 본체(10) 상에 실장될 수 있는 캐비티가 제공된다. 본체(10) 및 측벽(13)은 고분자 수지, 또는 세라믹 등으로 형성될 수 있으며, 그 재료는 한정되지 않는다. 또한, 본체(10)는 발광 다이오드(21)로부터 발생되는 열을 배출하기 위한 히트 싱크(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.A side wall 13 can be disposed on the upper surface of the main body 10 and a cavity is provided in which the light emitting diode 21 can be mounted on the main body 10 surrounded by the side wall 13. [ The main body 10 and the side wall 13 may be formed of a polymer resin, ceramic, or the like, and the material thereof is not limited. In addition, the main body 10 may further include a heat sink (not shown) for discharging heat generated from the light emitting diodes 21.

캐비티를 형성하는 측벽(13)은 소정의 기울기를 갖도록 제공될 수 있고, 또한, 기울기를 갖는 측벽(13) 상에 반사부(도시하지 않음)가 더 형성될 수 있다. 반사부는 발광 다이오드(21)으로부터 방출된 빛을 반사하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The side wall 13 forming the cavity may be provided to have a predetermined inclination, and further, a reflector (not shown) may be further formed on the side wall 13 having the inclination. The reflector may reflect light emitted from the light emitting diode 21 to improve light extraction efficiency.

한편, 제1 리드(11) 및 제2 리드(12)는 발광 다이오드(21)에 전기적으로 연결되도록 형성되어 외부 전원에 연결될 수 있다. 제1 리드(11) 및 제2 리드(12)는 서로 대향하여 배치될 수 있고, 본체(10) 외부로 측면으로부터 돌출되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 예컨대, 본체(10)를 상하로 관통하는 비아(via)를 통해 외부로 돌출될 수도 있다. 제1 리드(11) 및 제2 리드(12)는 도전성 재료이면 제한되지 않으며, 예컨대 Cu 또는 Al을 포함하는 금속, 또는 합금으로 형성될 수 있다.The first lead 11 and the second lead 12 may be electrically connected to the light emitting diode 21 and may be connected to an external power source. The first and second leads 11 and 12 may be disposed opposite to each other and protrude from the side surface of the main body 10 but the present invention is not limited thereto. And may be projected to the outside through vias passing through the upper and lower portions. The first lead 11 and the second lead 12 are not limited as long as they are conductive materials, and may be formed of a metal or an alloy including Cu or Al, for example.

발광 다이오드(21)는 본체(10) 및 측벽(13)에 의해 형성된 캐비티 내에 실장되고, 제1 리드(11) 상에 접촉되어 형성될 수 있다. 이때, 발광 다이오드(21)와 제1 리드(11)는 도전성 접착제, 예컨대 Ag 에폭시로 상호 접착될 수 있다. 또한, 발광 다이오드(21)와 제2 리드(12)는 와이어(14)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. The light emitting diode 21 is mounted in the cavity formed by the body 10 and the side wall 13 and can be formed in contact with the first lead 11. [ At this time, the light emitting diode 21 and the first lead 11 may be bonded to each other with a conductive adhesive agent such as Ag epoxy. In addition, the light emitting diode 21 and the second lead 12 may be electrically connected through the wire 14.

발광 다이오드(21)와 리드들(11, 12)간의 전기적 연결 형태는 상술한 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광 다이오드(21)는 본체(10)에 접착되도록 형성될 수도 있고, 발광 다이오드(21)과 상기 제1 리드(11)는 와이어(도시하지 않음)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The form of electrical connection between the light emitting diode 21 and the leads 11 and 12 is not limited to that described above. For example, the light emitting diode 21 may be formed to be adhered to the main body 10, and the light emitting diode 21 and the first lead 11 may be electrically connected to each other through a wire (not shown) .

발광 다이오드(21)은 그 형태가 제한되지 않으며, 예컨대 수평형 발광 다이오드, 또는 수직형 발광 다이오드일 수 있다.The shape of the light emitting diode 21 is not limited, and may be, for example, a horizontal light emitting diode or a vertical light emitting diode.

한편, 캐비티 내에 형광체 담지용 유리 조성물(31) 및 형광체(32)를 포함하는 파장 변환기(30)가 형성된다. 파장 변환기(30)는 발광 다이오드(21)으로부터 방출된 광의 파장의 일부를 변화시켜 외부로 다른 파장의 빛이 방출되도록 한다. 이로 인해, 본 실시예에 따른 발광 장치는 여러 가지의 다른 파장의 빛들이 혼합되어 다양한 색의 광을 방출할 수 있다.On the other hand, a wavelength converter 30 including a glass composition 31 for supporting a phosphor and a phosphor 32 is formed in the cavity. The wavelength converter 30 changes a part of the wavelength of the light emitted from the light emitting diode 21 so that light of a different wavelength is emitted to the outside. Accordingly, the light emitting device according to the present embodiment can emit light of various colors by mixing lights of various different wavelengths.

파장 변환기(30)는 형광체 담지용 유리 조성물(31)에 형광체(32)가 담지되어 형성된다. 형광체(32)가 유기 합성 수지 등의 재료가 아닌 유리에 담지되므로, 파장 변환기(30)는 내, 외부적 요인에 의해 변색, 변성, 또는 열화되지 않는다. 따라서, 파장 변환기(30)를 포함하는 본 발명에 따른 발광 장치는 신뢰성이 높아질 수 있고, 수명이 길어질 수 있다. 또한 광 효율이 증가될 수 있어 고출력 발광원이나 조명용으로 이용할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.The wavelength converter 30 is formed by supporting a phosphor 32 on a phosphor composition 31 for supporting a phosphor. Since the phosphor 32 is supported on glass instead of a material such as an organic synthetic resin, the wavelength converter 30 is not discolored, denatured, or deteriorated by internal or external factors. Therefore, the light emitting device according to the present invention including the wavelength converter 30 can have high reliability and a long lifetime. Also, the light efficiency can be increased, and thus it can be used as a high-power light emitting source or illumination. However, the present invention is not limited thereto.

형광체(32)는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, Silicate계 형광체, Nitride계 형광체, Fluoride계 형광체, Oxysulfide계 형광체, Oxynitride계 형광체, 및 Oxyfluoride계 형광체에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다. 형광체(32)가 담지되는 형광체 담지용 유리 조성물(31)은 소성 온도가 550℃ 이하일 수 있어 다양한 형광체를 이용할 수 있다. 따라서 담지될 수 있는 형광체는 상술 형광체들에 한정되는 것은 아니다.The phosphor 32 may be any one selected from the group consisting of a YAG-base phosphor, a TAG-base phosphor, a silicate-base phosphor, a nitride-base phosphor, a fluoride-base phosphor, an oxysulfide-base phosphor, an oxynitride-base phosphor, and an oxyfluoride-base phosphor. The glass composition 31 for supporting a phosphor on which the phosphor 32 is supported may have a sintering temperature of 550 DEG C or lower and various phosphors may be used. Therefore, the phosphor that can be supported is not limited to the above-described phosphors.

다음으로, 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 장치는 도 1을 참조하여 설명한 발광 장치와 대체로 유사하나, 봉지부(15)를 더 포함하는 것에서 차이가 있다. 이하, 차이점에 대해서만 설명한다.Next, referring to FIG. 2, the light emitting device according to the present embodiment is substantially similar to the light emitting device described with reference to FIG. 1, but differs from the light emitting device further including the sealing portion 15. Hereinafter, only differences will be described.

발광 장치는 캐비티 내에 봉지부(15), 및 봉지부(15)상에 형성되며 형광체 담지용 유리 조성물(41) 및 형광체(42)를 포함하는 파장 변환기(40)를 포함한다. 봉지부(15)는 에폭시, 실리콘, 또는 유리 소재로 형성될 수 있다. 파장 변환기(40)는 막 형태로 봉지부(15)상에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 봉지부(15) 내에 형성될 수도 있다.The light emitting device includes an encapsulating portion 15 in the cavity and a wavelength converter 40 formed on the encapsulating portion 15 and including a glass composition 41 for supporting a phosphor and a phosphor 42. The sealing portion 15 may be formed of epoxy, silicone, or glass material. The wavelength converter 40 may be formed on the sealing portion 15 in a film form. However, the present invention is not limited to this, and may be formed in the sealing portion 15.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 장치는 도 2를 참조하여 설명한 발광 장치와 대체로 유사하나, 형광체 담지용 유리 조성물(51) 및 형광체(52)를 포함하는 파장 변환기(50)가 발광 다이오드(21) 상에 접착되어 형성되는 것에 차이가 있다.3, the light emitting device according to the present embodiment is generally similar to the light emitting device described with reference to FIG. 2, except that the wavelength converter 50 including the glass composition 51 for supporting the phosphor and the fluorescent material 52 emits light And is formed by being adhered to the diode 21.

파장 변환기(50)는 도 3에 도시된 바와 같이 발광 다이오드(21) 상면에 형성될 수 있고, 또한 발광 다이오드(21) 측면에 더 형성될 수도 있다.The wavelength converter 50 may be formed on the upper surface of the light emitting diode 21 as shown in FIG. 3 and may further be formed on the side surface of the light emitting diode 21.

본 실시예들에 있어서, 발광 장치는 표면 실장형(SMD type)으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니고 THT(through-hole technology)패키지 발광 장치, 또는 다양한 고출력 발광 다이오드 장치에 본 발명에 따른 파장 변환기가 적용될 수 있다.In the present embodiments, the light emitting device has been described as a surface mount type (SMD type). However, the present invention is not limited to this, and a light emitting device of a through-hole technology (THT) package, Can be applied.

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환기 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.Next, a method of manufacturing a wavelength converter according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환기 제조 방법은, SiO2는 10 내지 20mol% 로, B2O3는 30 내지 40mol% 로, Al2O3는 0 내지 5mol% 로, ZnO는 15 내지 35 mol% 로, Na2O는 15 내지 30mol% 로 포함하며, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1 이고, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6를 만족하는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2계 유리 프릿(frit) 및 형광체를 혼합하고, 혼합된 유리 프릿 및 상기 형광체를 소정의 소성 온도에서 소성하는 것을 포함한다. In the method of manufacturing a wavelength converter according to an embodiment of the present invention, SiO 2 is 10 to 20 mol%, B 2 O 3 is 30 to 40 mol%, Al 2 O 3 is 0 to 5 mol%, ZnO is 15 to 35 in mol%, and, and Na 2 O is contained in 15 to 30mol%, a molar ratio of SiO 2 to Na 2 O is 0.4 to 1.1, SiO 2 for the molar ratio of SiO 2 to ZnO satisfies 0.4 to 0.6 B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 system glass frit and a phosphor, and firing the mixed glass frit and the phosphor at a predetermined firing temperature.

상기 소성은 유리 프릿 및 형광체 혼합물을 가열하여 성형하는 것을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 압착하는 것을 더 포함하여 성형할 수 있다. 또한, 상기 방법 외에 다양한 형태의 소성이 가능하다. 이하 예를 들어 상세하게 제조 방법을 설명한다.The firing may include molding the glass frit and the phosphor mixture by heating, but the present invention is not limited thereto. For example, the firing may further include pressing. In addition to the above methods, various types of firing are possible. Hereinafter, the manufacturing method will be described in detail, for example.

파장 변환기 제조 방법은, 예컨대, 유리 프릿 및 형광체를 목표하는 양을 칭량하여 혼합한다. 이때, 용매를 이용하여 혼합할 수 있으며, 상기 용매는 에탄올일 수 있다. 이후, 밀링 공정을 이용하여 유리 프릿 및 형광체를 균일하게 혼합하고, 밀링 공정은, 예를 들어, 볼 밀링기를 이용하여 수행될 수 있다. 그 다음으로, 혼합된 유리 프릿 및 형광체 혼합물을 상기 소정의 소성 온도로 가열 용융하여 성형한 후 냉각하면 상기 파장 변환기가 제공된다. 상기 성형 공정과 가열 용융 공정을 동시에 수행할 수도 있으며, 이때 가압하는 것을 더 포함할 수 있다.The wavelength converter manufacturing method is performed by, for example, weighing and mixing the target amounts of the glass frit and the phosphor. At this time, they may be mixed using a solvent, and the solvent may be ethanol. Thereafter, the glass frit and the phosphor are uniformly mixed using a milling process, and the milling process can be performed using, for example, a ball miller. Then, the mixed glass frit and the fluorescent material mixture are melted by heating at the predetermined firing temperature, cooled and then cooled to provide the wavelength converter. The molding step and the heating and melting step may be performed at the same time, and the pressing and pressing may be further included.

상기 유리 프릿은 SiO2는 10 내지 20mol%로, B2O3는 30 내지 40mol%로, Al2O3는 0 내지 5mol% 로, ZnO는 15 내지 35 mol% 로, Na2O는 15 내지 30 mol% 로 포함하며, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1 이고, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6을 만족하므로, 유리 프릿의 소성 과정에서 유리의 결정화가 일어나지 않고, 상분리가 발생되지 않으며, 흡습성이 낮아 공정이 용이해진다. 또한, 유리 프릿으로부터 소성된 유리 조성물은 투명도가 높게 형성된다.The glass frits to SiO 2 is from 10 to 20mol%, B 2 O 3 is 30 to to 40mol%, Al 2 O 3 is from 0 to 5mol%, of ZnO is 15 to 35 mol%, Na 2 O 15 to 30 mol%, the molar ratio of SiO 2 to Na 2 O is 0.4 to 1.1, and the molar ratio of SiO 2 to ZnO is 0.4 to 0.6, so that crystallization of the glass occurs during the firing of the glass frit Phase separation does not occur, and the hygroscopicity is low, thereby facilitating the process. Further, the glass composition fired from the glass frit has a high transparency.

유리 프릿은 P2O5 및 SnO를 포함하지 않음으로써 유리 프릿의 안정성이 높아 소성 공정에서 유리 조성물이 안정적으로 형성될 수 있다. 또한, SnO가 포함되지 않은 유리 프릿은 대기 분위기 또는 환원 분위기에서도 소성이 가능하다. 한편, 유리 프릿은 P2O5를 포함하지 않음으로써 흡습성이 개선될 수 있다.Since the glass frit does not contain P 2 O 5 and SnO, the stability of the glass frit is high, and the glass composition can be stably formed in the firing process. Further, the glass frit not containing SnO can be fired in an atmospheric atmosphere or a reducing atmosphere. On the other hand, since the glass frit does not contain P 2 O 5 , hygroscopicity can be improved.

이와 같이, SnO 및 P2O5를 포함하지 않는 상기 유리 프릿은 공정이 용이하고, 소성된 유리 조성물의 유리 안정성과 투과도가 우수한 장점이 있다.As described above, the glass frit containing no SnO and P 2 O 5 is easy to process and has excellent glass stability and transparency of the fired glass composition.

상기 소정의 소성 온도는 550℃ 이하일 수 있다. 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿은 550℃ 이하에서 높은 유동성을 보여 550℃이하의 온도에서 공정이 용이하여 양산성이 개선되는 장점이 있다. 또한, 550℃이하에서 소성이 가능하므로 고온에서 활성이온의 변질로 인한 효율 저하가 발생되는 형광체를 포함하는 다양한 형광체, 예컨대, YAG계 형광체, TAG계 형광체, Silicate계 형광체, Nitride계 형광체, Fluoride계 형광체, Oxysulfide계 형광체, Oxynitride계 형광체, 및 Oxyfluoride계 형광체 등과 함께 혼합되어 파장 변환기를 형성할 수 있다. 상기 파장 변환기에 포함되는 형광체는 이에 한정되지 않으며 상기 소정의 소성 온도에서 소성이 가능한 다른 형광체들이 포함될 수 있다. The predetermined firing temperature may be 550 DEG C or less. Show high fluidity the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit is below 550 ℃ has the advantage that the mass productivity is improved by facilitating the process at a temperature not higher than 550 ℃. Further, various phosphors such as YAG-base phosphors, TAG-base phosphors, silicate-base phosphors, nitride-based phosphors, Fluoride-based phosphors, including fluorophores which can be fired at 550 ° C or less, The phosphor, the oxysulfide-based phosphor, the oxynitride-based phosphor, and the oxyfluoride-based phosphor may be mixed together to form a wavelength converter. The phosphor included in the wavelength converter is not limited to this, and other phosphors capable of being fired at the predetermined firing temperature may be included.

한편, 본 실시예에 따른 파장 변환기는 R2O를 더 포함하여 제조 될 수 있으며, 상기 R은 Li, Na, K, Rb, 및 Cs 중 어느 하나일 수 있다. R2O는 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿에 추가적으로 더 포함될 수 있고, 또는 상기 R2O는 상기 SiO2 또는 상기 ZnO의 일부를 대체하여 포함될 수도 있다. Meanwhile, the wavelength converter according to the present embodiment may further include R 2 O, and R may be any of Li, Na, K, Rb, and Cs. R 2 O is the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit can additionally contain a further, or the R 2 O is replaced by a portion of the SiO 2 or the ZnO .

상기 R2O(R=Li, Na, K, Rb, 또는 Cs)는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 내에서 B2O3 및 SiO2 로 이루어진 망목을 단절시켜 유리 전이 온도(Tg) 및 연화점(Ts)을 저하시켜 유리 프릿의 소성 시 유동성을 증가시킬 수 있다. 소성 시 유동성이 증가되면 유리 프릿의 성형이 용이해지고 기포의 발생이 적어 광 투과도가 개선될 수 있고, 다양한 발광 장치에 적용이 가능하여 공정 적용성이 개선된다.The R 2 O (R = Li, Na, K, Rb, or Cs) is formed in the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass as B 2 O 3 and SiO 2 The mesh is cut off to lower the glass transition temperature (T g ) and the softening point (T s ) to increase the fluidity during firing of the glass frit. When the flowability during firing is increased, the glass frit is easily formed, bubbles are less generated, light transmittance can be improved, and various light emitting devices can be applied to improve process applicability.

본 발명의 일 실시예에 따른 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿은 상기 R2O를 0 내지 20 mol% 로 더 포함하는 것이 바람직하며, 20mol% 초과로 더 포함하는 경우 유리 프릿의 안정성이 떨어져 소성 후 유리의 수율이 저하될 수 있고, 소성 후 유리 조성물의 착색이 더 쉽게 발생할 수 있다. SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit according to one embodiment of the present invention, it is preferable to further comprises the R 2 O 0 to 20 mol%, 20mol% The stability of the glass frit may be deteriorated and the yield of the glass after firing may be lowered and coloring of the glass composition after firing may occur more easily.

상기 R2O는 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿에 추가적, 또는 대체적으로 더 포함될 수 있고, 이때 상기 R2O는 상기 ZnO의 일부 또는 전부를 대체하는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 R2O가 SiO2를 대체하는 경우 소성 시 유리 프릿의 결정화가 발생되거나, 소성 후 유리 조성물의 결정화가 발생될 수 있으나, 반면, 상기 R2O가 ZnO를 대체하는 경우 유리 프릿의 유리상이 안정적으로 될 수 있고, 상기 소정의 소성 온도에서의 유동성이 개선될 수 있다. 따라서, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿에 R2O가 더 포함됨으로써 공정 적용성이 개선될 수 있다.Wherein R 2 O is the SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based further on a glass frit, or may generally be further included, in which the R 2 O is a part or all of the ZnO But it is not limited thereto. When the R 2 O substitutes for SiO 2 , crystallization of the glass frit may occur during firing or crystallization of the glass composition may occur after firing, whereas when the R 2 O substitutes for ZnO, the glass phase of the glass frit Can be stabilized, and the fluidity at the predetermined firing temperature can be improved. Therefore, it is possible to improve the applicability of the process whereby R 2 O is further comprising a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass frit.

한편, 본 실시예에 따른 파장 변환기 제조 방법에 있어서, 상기 유리 프릿은 MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, 및 La2O3에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다. MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, 및 La2O3 는 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿의 안정성을 개선시켜 소성 공정의 공정 적용성을 개선할 수 있다.In the meantime, in the method of manufacturing a wavelength converter according to the present embodiment, the glass frit may include at least one of MgO, WO 3 , SrO, BaO, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , GeO 2 , And La 2 O 3 , or a combination thereof. MgO, WO 3, SrO, BaO , Al 2 O 3, Y 2 O 3, Ga 2 O 3, In 2 O 3, GeO 2, and La 2 O 3 is a SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 to improve the stability of -ZnO-Na 2 O-based glass frit can improve process applicability of the firing step.

MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, GeO2, 및 La2O3 는 상기 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리 프릿에 0 내지 5mol%로 더 포함되는 것이 바람직하고, 5mol%를 초과하여 포함되는 경우에는, 유리의 결정화가 발생할 수 있고 유동성이 저하되어 공정용이성이 저해될 수 있다. 다만, 상기 범위에 한정되는 것은 아니다. MgO, WO 3, SrO, BaO , Al 2 O 3, Y 2 O 3, Ga 2 O 3, In 2 O 3, GeO 2, and La 2 O 3 is the SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3- ZnO-Na 2 O-based glass frit is preferably contained in an amount of 0 to 5 mol%, and when it is contained in an amount exceeding 5 mol%, crystallization of the glass may occur and flowability may be deteriorated, have. However, it is not limited to the above range.

또한, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O 계 유리 프릿은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Mo, Sn, Sb, 또는 Bi와 같은 전이 금속의 산화물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 상기 전이 금속은 전자 천이에 의한 가시광선 흡수 현상을 야기할 수 있으며, 이는 유리 프릿의 착색 현상을 발생시켜 소성 후 유리 조성물의 투과도를 저하시킬 수 있다. 다만, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.In addition, the glass frit of SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O is a glass frit such as Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Mo, Sn, Sb or Bi It is preferable that it does not contain an oxide of a transition metal. The transition metal may cause a phenomenon of visible light absorption due to electron transition, which may cause the coloring phenomenon of the glass frit, which may lower the transmittance of the glass composition after firing. However, the scope of the present invention is not limited thereto.

이하, 본 발명에 따른 구체적인 실험예를 표를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, specific experimental examples according to the present invention will be described in detail with reference to the tables.

실험예 1Experimental Example 1

SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리를 하기 표에 나타난 바와 같이 각 시료에 따라 조성별로 칭량한다.SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O glass is weighed by composition according to each sample as shown in the following table.

단위 : mol%Unit: mol% 유리 시료Glass sample SiO2 SiO 2 B2O3 B 2 O 3 ZnOZnO Na2ONa 2 O Al2O3 Al 2 O 3 SiO2
/Na2O
SiO 2
/ Na 2 O
SiO2
/ZnO
SiO 2
/ ZnO
용융결과Melting result 550℃
소성결과
550 ℃
Firing result
비고Remarks
1One 2020 3030 32.532.5 17.517.5 00 1.11.1 0.60.6 OO OO 22 2020 3030 2525 2525 00 0.80.8 0.80.8 XX 유동미발생Misting 33 2020 3030 2020 3030 00 0.70.7 1One OO XX 유동미발생Misting 44 2020 3030 17.517.5 32.532.5 00 0.60.6 1.11.1 OO 유동 미발생No flow 유동 미발생No flow 55 1515 3030 41.2541.25 13.7513.75 00 1.11.1 0.40.4 XX -- 상분리Phase separation 66 1515 3030 3737 1818 00 0.80.8 0.40.4 XX -- 상분리Phase separation 77 1515 3030 3333 2222 00 0.70.7 0.50.5 XX -- 상분리Phase separation 88 1515 3030 27.527.5 27.527.5 00 0.50.5 0.50.5 XX 유동 미발생No flow 99 1515 3030 2222 3333 00 0.50.5 0.70.7 XX 유동 미발생No flow 1010 1515 3030 1818 3737 00 0.40.4 0.80.8 XX 유동 미발생No flow 1111 1515 3030 13.7513.75 41.2541.25 00 0.40.4 1.11.1 XX 유동 미발생No flow 1212 1515 3535 2323 2525 22 0.60.6 0.70.7 XX 유동 미발생No flow 1313 1515 3030 25.525.5 27.527.5 22 0.50.5 0.60.6 OO OO 1414 1515 3030 2323 3030 22 0.50.5 0.70.7 OO 유동 미발생No flow 1515 1515 2828 27.527.5 27.527.5 22 0.50.5 0.50.5 OO 유동 미발생No flow 1616 1515 2828 26.526.5 28.528.5 22 0.50.5 0.60.6 OO 유동 미발생No flow 1717 1515 2828 25.525.5 29.529.5 22 0.50.5 0.60.6 XX -- 상분리Phase separation 1818 1515 3030 2828 2525 22 0.60.6 0.50.5 OO OO 1919 1313 3030 27.527.5 27.527.5 22 0.50.5 0.50.5 OO 유동 미발생No flow 유동 미발생No flow 2020 1313 3030 26.526.5 28.528.5 22 0.50.5 0.50.5 XX 상분리Phase separation 상분리Phase separation 2121 1313 3030 25.525.5 29.529.5 22 0.40.4 0.50.5 OO OO 2222 1313 2828 29.529.5 27.527.5 22 0.50.5 0.40.4 XX -- 상분리Phase separation 2323 1313 2828 28.528.5 28.528.5 22 0.50.5 0.50.5 XX -- 상분리Phase separation 2424 1313 2828 27.527.5 29.529.5 22 0.40.4 0.50.5 XX -- 상분리Phase separation 2525 1313 2828 26.526.5 30.530.5 22 0.40.4 0.50.5 XX -- 상분리Phase separation 2626 1313 2828 25.525.5 31.531.5 22 0.40.4 0.50.5 XX -- 상분리Phase separation 2727 1010 3535 2828 2525 22 0.40.4 0.40.4 XX -- 상분리Phase separation 2828 1010 3030 3333 2525 22 0.40.4 0.30.3 XX -- 상분리Phase separation 2929 1010 4040 2323 2525 22 0.40.4 0.40.4 OO OO

(용융결과 : ○ - 우수, △ - 보통, X - 결정화 또는 미용융)(Melting result: O - excellent,? Normal, X - crystallized or unmelted)

(소성결과 : ○ - 우수, △ - 보통, X - 결정화 또는 유동 미발생)(Firing result: O - excellent,? Normal, X - crystallized or not formed)

표 1은 본 발명에 따른 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리의 조성별 용융 결과 및 소성 결과를 나타낸다. 표 1의 첫 번째 세로줄은 유리 시료의 번호를, 두 번째 세로줄은 SiO2의 몰비(mol%)를, 세 번째 세로줄은 B2O3의 몰비(mol%)를, 네 번째 세로줄은 ZnO 의 몰비(mol%)를, 다섯 번째 세로줄은 Na2O의 몰비(mol%)를, 여섯 번째 세로줄은 Al2O3의 몰비(mol%)를, 일곱 번째 세로줄은 Na2O에 대한 SiO2의 몰비율을, 여덟 번째 세로줄은 ZnO에 대한 SiO2의 몰비율을, 아홉 번째 세로줄은 용융 결과를, 열 번째 세로줄은 소성 결과를, 열한 번째 세로줄은 유리 시료의 실험 결과를 간략히 나타내었다.Table 1 shows the results of melting and firing by composition of SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O glass according to the present invention. The first vertical line in Table 1 represents the number of the glass sample, the second vertical line represents the molar ratio (mol%) of SiO 2 , the third vertical line represents the molar ratio (mol%) of B 2 O 3 , (mol%), the fifth vertical line is the molar ratio (mol%) of Na 2 O, the sixth vertical line is the molar ratio (mol%) of Al 2 O 3 and the seventh vertical line is the molar ratio of SiO 2 to Na 2 O The molar ratio of SiO 2 to ZnO in the eighth vertical line, the melting result in the ninth vertical line, the firing result in the tenth vertical line, and the test results of the glass sample in the eleventh vertical line are shown briefly.

표 1의 용융 결과에서 O 표시는 우수하게 용융되었음을, △ 표시는 보통으로 용융되었음을, X 표시는 결정화되었거나 용융되지 않았음을 의미한다. 표 1의 소성 결과에서 O 표시는 우수하기 소성되었음을, △ 표시는 보통으로 소성되었음을, X 표시는 결정화되었거나 유동이 발생되지 않았음을 의미한다.In the results of the melting of Table 1, the symbol O indicates that it has been melted to good, the symbol Δ indicates that it is normally melted, and the symbol X means that it has not been crystallized or melted. In the results of the firing in Table 1, the symbol O indicates that it was fired excellently, the symbol Δ indicates that it was normally fired, and the symbol X indicates that no crystallization or flow occurred.

유리 시료 1 내지 29를 공기중의 전기로에서 1400℃로 가열하여 1시간 동안 용융 후 급냉하여 유리를 제조하였다. 그 결과, 표 1에 나타난 것과 같이, SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2계 유리를 포함하는 유리 시료들 중, SiO2는 10 내지 20mol%로, B2O3는30내지 40mol%로, Al2O3는 0 내지 5mol% 로, ZnO는 15 내지 35 mol%로, Na2O는 15 내지 30 mol% 로 포함하며, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1이고, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6을 만족하는 유리 시료는 투명하다.The glass samples 1 to 29 were heated in an electric furnace in the air to 1400 캜, melted for 1 hour and quenched to prepare glass. As a result, as shown in Table 1, among glass samples containing SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 glasses, SiO 2 was 10 to 20 mol% and B 2 O 3 , The content of Al 2 O 3 is from 0 to 5 mol%, the content of ZnO is from 15 to 35 mol%, the content of Na 2 O is from 15 to 30 mol%, the molar ratio of SiO 2 to Na 2 O Is 0.4 to 1.1, and the molar ratio of SiO 2 to ZnO is 0.4 to 0.6. The glass sample is transparent.

이후, 상기 시료 1 내지 29을 각각을 100㎛이하의 분말로 형성하여 유리 프릿을 제조한 후, 상기 시료 1 내지 29의 유리를 550℃로 가열하여 30분간 소성하였다. 표 1에 나타난 것과 같이 소성 결과, SiO2가 10 내지 20mol% 포함된 유리 시료들에서 주로 우수한 소성결과가 나타났으며, 다른 조성에서는 흡습성이 높거나, 소성 후 결정화 되거나, 또는 상분리를 나타내었다.Thereafter, each of the samples 1 to 29 was formed into powders of 100 μm or less to prepare glass frit, and the glasses of the samples 1 to 29 were heated to 550 ° C. and fired for 30 minutes. As shown in Table 1, as a result of firing, excellent firing results were mainly found in glass samples containing 10 to 20 mol% of SiO 2 , and in other compositions, they were highly hygroscopic, crystallized after firing, or exhibited phase separation.

본 발명에 따른 SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2계 유리를 포함하는 유리 시료들 중, SiO2는 10 내지 20mol% 로, B2O3는 30 내지 40mol%로, Al2O3는 0 내지 5mol% 로, ZnO는 15 내지 35 mol%로, Na2O는 15 내지 30 mol%로 포함하며, Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1 이고, ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6을 만족하는 유리로 제조된 유리 프릿 조성물이 우수한 소성 결과를 나타냈으며, 특히, SiO2를 10 내지 20mol%로 포함하는 유리 조성물에서 보다 우수한 소성 결과를 나타냈다.Of glass including a SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 based glass according to the present invention the sample, SiO 2 is from 10 to 20mol%, a B 2 O 3 is from 30 to 40mol% , and Al 2 O 3 is from 0 to 5mol%, ZnO 15 to 35 in mol%, Na 2 O comprises 15 to 30 mol%, molar ratio of SiO 2 to Na 2 O is 0.4 to 1.1, The glass frit composition prepared from glass having a molar ratio of SiO 2 to ZnO of 0.4 to 0.6 exhibited excellent firing results. In particular, a glass frit composition containing SiO 2 in an amount of 10 to 20 mol% .

따라서, 본 발명에 따른 형광체 담지용 유리 조성물은 저온에서 소성이 가능할 뿐만 아니라, 우수한 용융 결과 및 소성 결과를 보인다.Accordingly, the glass composition for supporting a phosphor according to the present invention not only can be fired at a low temperature, but also exhibits excellent melting and firing results.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

10: 본체
11: 제1 리드
12: 제2 리드
13: 측벽
14: 와이어
15: 봉지부
21: 발광 다이오드
30, 40, 50: 파장 변환기
31, 41, 51: 형광체 담지용 유리 조성물
32, 42, 52: 형광체
10: Body
11: first lead
12: second lead
13: Side wall
14: wire
15:
21: Light emitting diode
30, 40, 50: wavelength converter
31, 41, 51: glass composition for supporting phosphor
32, 42, 52: Phosphor

Claims (7)

SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO-Na2O계 유리를 포함하되,
상기 SiO2는 10 내지 20mol%로, 상기 B2O3는 30 내지 40mol%로, 상기 Al2O3는 0 내지 5mol%로, 상기 ZnO는 15 내지 35mol%로, 상기 Na2O는 15 내지 30mol%로 포함하고,
상기 Na2O에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 1.1이고, 상기 ZnO에 대한 SiO2의 몰비율은 0.4 내지 0.6이고,
소성 온도가 550℃ 이하인 형광체 담지용 유리 조성물.
Comprising: a SiO 2 -B 2 O 3- Al 2 O 3 -ZnO-Na 2 O -based glass,
The SiO 2 is from 10 to 20mol%, the B 2 O 3 is from 30 to 40mol%, the Al 2 O 3 is from 0 to 5mol%, the ZnO is 15 to 35mol%, the Na 2 O from 15 to 30 mol%
The molar ratio of SiO 2 to Na 2 O is 0.4 to 1.1, the molar ratio of SiO 2 to ZnO is 0.4 to 0.6,
And a firing temperature of 550 DEG C or less.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
MgO, WO3, SrO, BaO, Al2O3, Y2O3, Ga2O3, In2O3, WO3, GeO2 및 La2O3 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함하는 형광체 담지용 유리 조성물.
The method according to claim 1,
Further includes any one or a combination of any one selected from MgO, WO 3 , SrO , BaO, Al 2 O 3, Y 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , WO 3 , GeO 2 and La 2 O 3 Wherein the glass composition is a glass composition.
청구항 1에 있어서,
R2O를 더 포함하되,
상기 R은 Li, K, Rb 및 Cs 중 어느 하나이며, 상기 R2O는 20mol%이하로 포함하는 형광체 담지용 유리 조성물.
The method according to claim 1,
R 2 O,
Wherein the R is any one of Li, K, Rb and Cs, and the R 2 O is 20 mol% or less.
청구항 1 및 청구항 3 내지 4 중 어느 하나의 항에 따른 형광체 담지용 유리 조성물; 및
상기 유리 조성물에 담지된 형광체를 포함하는 파장 변환기.
A glass composition for supporting a phosphor according to any one of claims 1 and 3 to 4; And
And a phosphor that is supported on the glass composition.
청구항 5에 있어서,
상기 형광체는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 나이트라이드(Nitride)계 형광체, 플로우라이드(Fluoride)계 형광체, 옥시설파이드(Oxysulfide)계 형광체, 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 형광체, 및 옥시플루오라이드(Oxyfluoride)계 형광체에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합인 파장변환기.
The method of claim 5,
The phosphor may be at least one selected from the group consisting of a YAG-base phosphor, a TAG-base phosphor, a silicate-base phosphor, a Nitride base phosphor, a Fluoride base phosphor, an oxysulfide base phosphor, an oxynitride base phosphor , And an oxyfluoride-based phosphor, or a combination thereof.
발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 파장을 변환하는 파장 변환기를 포함하되,
상기 파장 변환기는 청구항 1 및 청구항 3 내지 4 중 어느 하나의 항에 따른 형광체 담지용 유리 조성물; 및
상기 유리 조성물에 담지된 형광체를 포함하는 발광 장치.
Light emitting diodes; And
And a wavelength converter for converting a wavelength of light emitted from the light emitting diode,
Wherein the wavelength converter comprises the glass composition for supporting a phosphor according to any one of claims 1 and 3 to 4; And
And a phosphor supported on the glass composition.
KR1020140039854A 2014-04-03 2014-04-03 Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device KR101593470B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140039854A KR101593470B1 (en) 2014-04-03 2014-04-03 Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140039854A KR101593470B1 (en) 2014-04-03 2014-04-03 Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150115208A KR20150115208A (en) 2015-10-14
KR101593470B1 true KR101593470B1 (en) 2016-02-12

Family

ID=54357404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140039854A KR101593470B1 (en) 2014-04-03 2014-04-03 Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101593470B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180057797A (en) 2016-11-22 2018-05-31 공주대학교 산학협력단 Color Conversion Filter Comprising Glass Composition, and White LED and Backlight Unit Using the Same
KR20190062694A (en) 2017-11-29 2019-06-07 공주대학교 산학협력단 Phosphor in glass composite, LED device and LCD display using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009167024A (en) 2008-01-11 2009-07-30 Nippon Electric Glass Co Ltd Insulation layer-forming glass composition and insulation layer-forming material
WO2011013505A1 (en) 2009-07-27 2011-02-03 コニカミノルタオプト株式会社 Phosphor-dispersed glass, and process for production thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005118500A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-15 Central Glass Company, Limited Lead-free glass having low melting point
JP2006282467A (en) * 2005-04-01 2006-10-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Glass composition and glass paste composition
JP4978886B2 (en) 2006-06-14 2012-07-18 日本電気硝子株式会社 Phosphor composite material and phosphor composite member
JP5190680B2 (en) 2008-05-26 2013-04-24 日本電気硝子株式会社 Luminescent color conversion member
KR101423724B1 (en) 2012-05-15 2014-07-31 포항공과대학교 산학협력단 Low temperature firing glass composition for carrying phosphor and wavelength converter, light emitting device comprising the wavelength converter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009167024A (en) 2008-01-11 2009-07-30 Nippon Electric Glass Co Ltd Insulation layer-forming glass composition and insulation layer-forming material
WO2011013505A1 (en) 2009-07-27 2011-02-03 コニカミノルタオプト株式会社 Phosphor-dispersed glass, and process for production thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180057797A (en) 2016-11-22 2018-05-31 공주대학교 산학협력단 Color Conversion Filter Comprising Glass Composition, and White LED and Backlight Unit Using the Same
KR20190062694A (en) 2017-11-29 2019-06-07 공주대학교 산학협력단 Phosphor in glass composite, LED device and LCD display using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150115208A (en) 2015-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4895541B2 (en) Wavelength conversion member, light emitting device, and method of manufacturing wavelength conversion member
JP4465989B2 (en) Light emitting diode element
KR101806054B1 (en) Phosphor-dispersed glass
KR102271648B1 (en) Wavelength conversion member and light emitting device using same
JP5477756B2 (en) Semiconductor encapsulating material and semiconductor element encapsulated using the same
JP5307364B2 (en) Method for producing phosphor-containing glass and method for producing solid-state device
KR20150005767A (en) Wavelength-converted element, manufacturing method of the same and semiconductor light emitting apparatus having the same
JPWO2010021367A1 (en) Light emitting device and light emitting element mounting substrate used therefor
EP2562147A1 (en) Glass composition, light source device and illumination device
EP2562145A1 (en) Glass composition, light source device and illumination device
JP2009067632A (en) Sealing glass for optical component, and method for sealing optical component
JP2010261048A (en) Light-emitting device and its manufacturing method
KR101423724B1 (en) Low temperature firing glass composition for carrying phosphor and wavelength converter, light emitting device comprising the wavelength converter
JP5689243B2 (en) Semiconductor light emitting device sealing material and method for manufacturing semiconductor light emitting device using the same
KR101593470B1 (en) Glass composition for carrying phosphor and wave converter, light emitting device
JPWO2012005308A1 (en) Reflective frame for light emitting element, substrate for light emitting element, and light emitting device
KR101559279B1 (en) A phosphor composition containing a glass frit
CN106565086A (en) High-color-rendering high-quantum-efficiency white fluorescent glass and preparation method thereof
KR101566940B1 (en) Silicate glass materials and color converter containing thereof and white light emitting diode
JP2019019011A (en) Glass used for wavelength conversion material, wavelength conversion material, wavelength conversion member and light-emitting device
KR101679682B1 (en) Glass Composition for Wavelength Conversion Glasses
JP2010248530A (en) Manufacturing method for wavelength conversion member, light-emitting device, and wavelength conversion member
CN102714258A (en) Supporting body for mounting light emitting element, and light emitting device
KR20150048948A (en) Glass composition for phosphor binders, ceramic color converter and white light emitting diode comprising the same
JP5713273B2 (en) Joining material and member joining method using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200218

Year of fee payment: 5