KR101592017B1 - Display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Display device and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101592017B1
KR101592017B1 KR1020090046029A KR20090046029A KR101592017B1 KR 101592017 B1 KR101592017 B1 KR 101592017B1 KR 1020090046029 A KR1020090046029 A KR 1020090046029A KR 20090046029 A KR20090046029 A KR 20090046029A KR 101592017 B1 KR101592017 B1 KR 101592017B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating substrate
forming
protective film
color filter
organic
Prior art date
Application number
KR1020090046029A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100127538A (en
Inventor
김관수
이상헌
장선영
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090046029A priority Critical patent/KR101592017B1/en
Priority to US12/606,584 priority patent/US8218111B2/en
Publication of KR20100127538A publication Critical patent/KR20100127538A/en
Priority to US13/493,666 priority patent/US8456595B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101592017B1 publication Critical patent/KR101592017B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • G02F1/133516Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/09Ink jet technology used for manufacturing optical filters

Abstract

본 발명의 실시예에 다른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 게이트선, 데이터선 그리고 게이트선 및 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터 위에 격벽을 형성하는 단계, 격벽 내에 색필터를 형성하는 단계, 색필터 위에 잉크젯 인쇄 방법으로 제1 보호막을 형성하여 색필터와 격벽 사이의 단차를 줄이는 단계, 제1 보호막 및 격벽 위에 제2 보호막을 형성하여 기판을 평탄화하는 단계, 제2 보호막 위에 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계, 그리고 제1 절연 기판과 제2 절연 기판과 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention includes forming a thin film transistor connected to a gate line, a data line, a gate line, and a data line on a substrate, forming a barrier rib on the gate line, Forming a color filter in the barrier ribs, forming a first protective film on the color filters by an ink jet printing method to reduce a step between the color filters and the barrier ribs, forming a second protective film on the first protective film and the barrier ribs, Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the second protective film, forming a common electrode on the second insulating substrate facing the first insulating substrate, forming a common electrode between the first insulating substrate and the second insulating substrate, To form a layer.

잉크젯, 격벽, 보호막, 셀갭, 차광부재, 간격재 Ink jet, barrier rib, protective film, cell gap, light shielding member,

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device,

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices, and is composed of two display panels having electrodes formed thereon and a liquid crystal layer interposed therebetween, and applying voltage to the electrodes to rearrange the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer It is a display device that adjusts the amount of transmitted light.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전기장 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 구조이다. 이 중에서도, 하나의 표시판(이하 '박막 트랜지스터 표시판'이라 한다)에는 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고, 다른 표시판(이하 '공통 전극 표시판'이라 한다)에는 적색, 녹색 및 청색의 색 필터가 형성되어 있고 그 전면을 공통 전극이 덮고 있는 구조가 주류이다. Among the liquid crystal display devices, a structure which is mainly used at present is a structure in which electric field generating electrodes are provided on two display panels. Among them, a plurality of thin film transistors and pixel electrodes are arranged in the form of a matrix in one display panel (hereinafter referred to as 'thin film transistor display panel'), and red, green, and blue A structure in which a blue color filter is formed and a common electrode covers the entire surface is the mainstream.

그러나, 이러한 액정 표시 장치는 화소 전극과 색 필터가 다른 표시판에 형성되므로 화소 전극과 색 필터 사이에 정확한 정렬(align)이 곤란하여 정렬 오차가 발생할 수 있다.However, since the pixel electrode and the color filter are formed on different display panels, it is difficult to precisely align the pixel electrode and the color filter, so that an alignment error may occur.

이를 해결하기 위하여, 색 필터와 화소 전극을 동일한 표시판에 형성하는 구조(color filter on array, COA)가 제안되었다. To solve this problem, a color filter on array (COA) has been proposed in which a color filter and a pixel electrode are formed on the same display panel.

박막 트랜지스터와 함께 색필터를 형성할 때 색 필터는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성될 수 있다. 잉크젯 인쇄 방법은 구획되어 있는 소정 위치에 액체 잉크를 분사하여 각각의 잉크가 착색된 이미지를 구현하는 기술로, 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 포함한 복수의 색 필터를 한번에 형성할 수 있어서 제조 공정, 시간 및 비용이 크게 절감될 수 있다.When forming the color filter together with the thin film transistor, the color filter may be formed by an inkjet printing method. The ink-jet printing method is a technique in which liquid inks are jetted to a predetermined position partitioned by each ink to realize a colored image, and a plurality of color filters including a red filter, a green filter and a blue filter can be formed at one time, , Time and cost can be greatly reduced.

그러나 잉크젯 인쇄 방법으로 색필터를 형성할 때 색필터와 격벽의 특성이 달라 격벽의 높이와 동일하게 색필터를 채우기가 어렵다. 격벽의 높이가 낮으면 잉크가 격벽을 넘어 이웃 화소와 혼색될 수가 있다. 그리고 격벽의 높이가 높으면 격벽 내에 잉크가 채워지지 않은 부분으로 인한 단차가 발생하고, 단차로 인해서 보호막에 요철이 형성되어 차광 부재 및 감광막을 형성할 수 있는 공정 마진이 줄어든다.However, when the color filter is formed by the inkjet printing method, the characteristics of the color filter and the barrier rib are different and it is difficult to fill the color filter with the height of the barrier rib. When the height of the barrier ribs is low, the ink may be mixed with the neighboring pixels beyond the barrier ribs. When the height of the barrier ribs is high, a step due to the ink-unfilled portion is generated in the barrier ribs, and a step margin is formed in the protective film due to the step, thereby reducing the process margin for forming the light-

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 색필터의 혼색을 방지하기 위해서 격벽의 높이를 높게 형성하더라도 차광 부재 및 감광막의 공정 마진이 감소하지 않는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a display device and a method of manufacturing the same, in which the process margin of the light shielding member and the photosensitive film is not reduced even if the height of the barrier rib is increased.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 다른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 게이트선, 데이터선 그리고 게이트선 및 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터 위에 격벽을 형성하는 단계, 격벽 내에 색필터를 형성하는 단계, 색필터 위에 잉크젯 인쇄 방법으로 제1 보호막을 형성하여 색필터와 격벽 사이의 단차를 줄이는 단계, 제1 보호막 및 격벽 위에 제2 보호막을 형성하여 기판을 평탄화하는 단계, 제2 보호막 위에 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계, 그리고 제1 절연 기판과 제2 절연 기판과 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device including forming a gate line, a data line, a thin film transistor connected to a gate line and a data line on a substrate, Forming a barrier rib on the transistor, forming a color filter in the barrier rib, forming a first protective layer on the color filter by an ink jet printing method to reduce a step between the color filter and the barrier rib, Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the second protective film, forming a common electrode on the second insulating substrate facing the first insulating substrate, And forming a liquid crystal layer between the first insulating substrate and the second insulating substrate.

제2 보호막은 슬릿 코팅으로 형성하고, 단차는 1㎛~2㎛일 수 있다.The second protective film may be formed by slit coating, and the step difference may be 1 탆 to 2 탆.

색필터는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성할 수 있다.The color filter can be formed by an inkjet printing method.

제2 보호막 위에 간격재 및 차광 부재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.And forming a spacing member and a light shielding member on the second protective film.

간격재 및 차광 부재는 하나의 하프톤 광마스크를 이용하여 동시에 형성하고, 간격재 및 차광 부재는 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 형성할 수 있다.The spacers and the light shielding members may be formed simultaneously using one halftone optical mask, and the spacers and the light shielding members may be formed of an organic material colored with a black dye.

광마스크는 슬릿을 포함할 수 있다.The optical mask may comprise a slit.

게이트선, 데이터선 및 박막 트랜지스터와 색필터 사이에 제3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.And forming a third protective film between the gate line, the data line, and the thin film transistor and the color filter.

상기한 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 위치하는 게이트선, 게이트선과 교차하는 데이터선, 게이 트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터, 게이트선 및 데이터선 위에 위치하는 격벽, 격벽에 의하여 구획된 영역 내에 채워져 있으며 격벽보다 높이가 낮은 색필터, 격벽 내에 채워져 있는 제1 상부 보호막, 제1 상부 보호막 및 격벽 위에 위치하는 제2 상부 보호막, 제2 상부 보호막 위에 위치하며 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극, 그리고 제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display device including a first insulating substrate, a gate line disposed on the first insulating substrate, a data line crossing the gate line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, A first upper protective film filled in the barrier ribs, a first upper protective film, and a second upper protective film formed on the barrier ribs, the first upper protective film being formed in the barrier ribs and the color filter having a lower height than the barrier ribs, A pixel electrode located on the second upper protective film and connected to the thin film transistor, a second insulating substrate facing the first insulating substrate, a common electrode located on the second insulating substrate, and a first insulating substrate, And a liquid crystal layer disposed in the liquid crystal layer.

제2 상부 보호막 위에 위치하고 1㎛이상의 두께를 가지는 차광 부재를 더 포함할 수 있다.And a light shielding member located above the second upper protective film and having a thickness of 1 탆 or more.

제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이의 간격을 유지하며 차광 부재와 동일한 물질로 이루어지는 간격재를 더 포함할 수 있다.And a gap member made of the same material as the light shielding member while maintaining a gap between the first insulating substrate and the second insulating substrate.

간격재 및 차광 부재는 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 이루어질 수 있다.The spacer and the light shielding member may be made of an organic material colored with a black dye.

제1 상부 보호막과 제2 상부 보호막은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The first upper protective film and the second upper protective film may be made of the same material.

박막 트랜지스터, 게이트선 및 데이터선과 격벽 사이에 위치하는 하부 보호막을 더 포함할 수 있다.A lower protective layer disposed between the thin film transistor, the gate line, and the data line and the barrier rib.

격벽은 하부 격벽과 하부 격벽보다 폭이 좁은 상부 격벽을 포함 할 수 있고, 격벽과 일체로 형성되어 있고 제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이의 간격을 유지하는 간격재를 더 포함할 수 있다.The barrier rib may include a lower barrier rib and an upper barrier rib that is narrower than the lower barrier rib. The barrier rib may be integrally formed with the barrier rib and may further include a gap material that maintains a gap between the first and second insulation substrates.

간격재 및 격벽은 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 이루어질 수 있다.The spacers and barrier ribs may be made of an organic material colored with a black dye.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 색필터의 혼색을 방지하기 위해서 격벽의 높이가 높아지더라도 충분히 간격재와 차광 부재의 공정 마진을 확보할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention can sufficiently secure the spacing and the process margin of the light shielding member even if the height of the partition wall is increased in order to prevent color mixing of the color filter.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 액정 표시 장치는 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200)을 포함하고, 두 표시판(100, 200) 사이에는 액정층(3)이 형성되어 있다.1, the liquid crystal display includes a lower panel 100 and an upper panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer 3 is formed between the two panels 100 and 200.

상부 표시판(200)은 공통 전극(도시하지 않음)을 포함한다. The upper panel 200 includes a common electrode (not shown).

박막 트랜지스터(도시하지 않음)를 포함하는 하부 표시판(100) 위에는 격 벽(361)이 형성되어 있고, 격벽(361)으로 구획되는 영역에는 색필터(230)가 채워져 있다. A partition wall 361 is formed on a lower panel 100 including a thin film transistor (not shown), and a color filter 230 is filled in a region partitioned by the partition wall 361.

그리고 색필터(230) 위에는 제1 상부 보호막(180q)이 형성되어 있고, 제1 상부 보호막(180q) 및 격벽(361)을 포함하는 기판 전면에는 제2 상부 보호막(180r)이 형성되어 있다. A first upper protective film 180q is formed on the color filter 230 and a second upper protective film 180r is formed on the entire surface of the substrate including the first upper protective film 180q and the barrier ribs 361. [

제1 상부 보호막(180q)은 격벽(361)과 색필터(230) 사이의 단차를 줄여주어 제2 상부 보호막(180r)이 평탄하게 형성될 수 있도록 한다. 제2 상부 보호막(180r)은 기판 전면에 형성되어 기판을 평탄화한다. 제1 상부 보호막(180q)과 제2 상부 보호막(180r)은 동일한 유기 물질로 형성될 수 있다.The first upper protective film 180q reduces the step between the barrier ribs 361 and the color filter 230 so that the second upper protective film 180r can be formed flat. The second upper protective film 180r is formed on the entire surface of the substrate to flatten the substrate. The first upper protective film 180q and the second upper protective film 180r may be formed of the same organic material.

제2 상부 보호막(180r) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있고, 화소 전극(191) 위에는 차광 부재(220) 및 간격재(320)가 형성되어 있다.A pixel electrode 191 is formed on the second upper protective film 180r and a light shielding member 220 and a spacing material 320 are formed on the pixel electrode 191.

본 발명의 실시예에서는 제1 상부 보호막(180q)으로 색필터(230)와 격벽(361) 사이의 단차를 줄인 후 제2 상부 보호막(180r)을 형성하여 기판을 평탄화한다. 이때, 제2 상부 보호막(180r)은 제1 상부 보호막(180q)으로 인해서 더욱 평탄한 면을 제공할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the second upper protective film 180r is formed by reducing the step between the color filter 230 and the barrier ribs 361 by using the first upper protective film 180q to planarize the substrate. At this time, the second upper protective film 180r can provide a more flat surface due to the first upper protective film 180q.

본 발명의 실시예에서와 달리 단일막으로 보호막을 형성하면, 색필터(230)과 격벽(361) 사이의 단차로 인해서 보호막도 단차를 형성하여 보호막이 평탄하지 않을 수 있다. 격벽(361)의 높이가 높을수록 이러한 단차는 더욱 커지게 되며 단차가 커질수록 단차를 제거하기 위해서 보호막의 두께가 두꺼워 진다.Unlike the embodiment of the present invention, if a protective film is formed with a single film, the step between the color filter 230 and the partition wall 361 may form a stepped portion of the protective film, so that the protective film may not be flat. The higher the height of the partition wall 361, the larger the step becomes. The larger the step, the thicker the protective film is to remove the step.

한편, 두 표시판(100, 200) 사이의 셀갭은 일정한 간격을 가지나 보호막의 두께가 두꺼워지면 셀갭이 줄어들고 따라서 간격재(320) 및 차광 부재(220)를 형성하기 위한 공정 마진이 감소하게 된다.On the other hand, the cell gap between the two display panels 100 and 200 has a predetermined gap, but if the thickness of the protective film is increased, the cell gap is reduced, and the process margin for forming the spacers 320 and the light shielding member 220 is reduced.

차광 부재(220)는 일정 두께 이상 형성하여야 빛샘을 방지할 수 있으나 셀갭이 줄어들면 차광 부재(220)의 두께가 얇아지기 때문에 빛샘을 완전하게 방지할 수 없다.The light shielding member 220 can prevent light leakage if the light shielding member 220 is formed over a certain thickness. However, if the cell gap is reduced, the light shielding member 220 can not completely prevent the light shielding because the thickness of the light shielding member 220 is reduced.

그러나 본 발명의 실시예에서는 제1 상부 보호막(180q)으로 색필터(230)와 격벽(361) 사이의 단차를 줄이고, 제2 상부 보호막(180r)을 형성하기 때문에 제2 상부 보호막(180r)을 얇게 형성하여 충분한 셀갭을 확보할 수 있다. 차광 부재(220)는 1㎛이상의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.However, in the embodiment of the present invention, since the step between the color filter 230 and the barrier ribs 361 is reduced by the first upper protective film 180q and the second upper protective film 180r is formed, the second upper protective film 180r And a sufficient cell gap can be ensured. The light shielding member 220 is preferably formed to a thickness of 1 탆 or more.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 복수의 게이트선(GL), 복수 쌍의 데이터선(DLa, DLb) 및 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함한다. 액정 표시 장치를 구조적으로 보면 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 그 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.2, the liquid crystal display according to the present embodiment includes a plurality of signal lines including a plurality of gate lines GL, a plurality of data lines DLa and DLb and a plurality of sustain electrode lines SL, And a pixel PX. The liquid crystal display device includes a lower panel 100, an upper panel 200, and a liquid crystal layer 3 interposed therebetween.

각 화소(PX)는 한 쌍의 부화소(PXa, PXb)를 포함하며, 부화소(PXa, PXb)는 스위칭 소자(Qa, Qb)와 액정 축전기(Clca, Clcb) 및 유지 축전기(storage capacitor)(Csta, Cstb)를 포함한다.Each pixel PX includes a pair of subpixels PXa and PXb and the subpixels PXa and PXb are connected to the switching elements Qa and Qb and liquid crystal capacitors Clca and Clcb and a storage capacitor, (Csta, Cstb).

스위칭 소자(Qa, Qb)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DLa, DLb)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clca, Clcb) 및 유지 축전기(Csta, Cstb)와 연결되어 있다.The switching elements Qa and Qb are three terminal elements such as a thin film transistor provided on the lower panel 100. The control terminal is connected to the gate line GL and the input terminal is connected to the data lines DLa and DLb. And the output terminal is connected to the liquid crystal capacitors Clca and Clcb and the storage capacitors Csta and Cstb.

액정 축전기(Clca, Clcb)는 부화소 전극(191a, 191b)과 공통 전극(270)을 두 단자로 하고, 두 단자 사이의 액정층(3) 부분을 유전체로 하여 형성된다.The liquid crystal capacitors Clca and Clcb are formed by using the sub-pixel electrodes 191a and 191b and the common electrode 270 as two terminals and the liquid crystal layer 3 between the two terminals as a dielectric.

액정 축전기(Clca, Clcb)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(Csta, Cstb)는 하부 표시판(100)에 구비된 유지 전극선(SL)과 부화소 전극(191a, 191b)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 유지 전극선(SL)에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다.The storage capacitors Csta and Cstb serving as auxiliary capacitors of the liquid crystal capacitors Clca and Clcb are formed by stacking the sustain electrode lines SL and the sub pixel electrodes 191a and 191b provided in the lower panel 100, And a predetermined voltage such as the common voltage Vcom is applied to the sustain electrode lines SL.

두 액정 축전기(Clca, Clcb)에 충전되는 전압은 서로 약간의 차이가 나도록 설정되어 있다. 예를 들면, 액정 축전기(Clca)에 인가되는 데이터 전압이 액정 축전기(Clcb)에 인가되는 데이터 전압에 비하여 항상 낮거나 높도록 설정한다. 이렇게 두 액정 축전기(Clca, Clcb)의 전압을 적절하게 조절하면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 최대한 가깝게 할 수 있어 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상할 수 있다.The voltages charged in the two liquid crystal capacitors (Clca, Clcb) are set so as to slightly differ from each other. For example, the data voltage applied to the liquid crystal capacitor Clca is always set to be lower or higher than the data voltage applied to the liquid crystal capacitor Clcb. By appropriately adjusting the voltages of the two liquid crystal capacitors Clca and Clcb, the image viewed from the side can be made as close as possible to the image viewed from the front, thereby improving the lateral visibility of the liquid crystal display device.

그러면 도 3 내지 도 7을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해서 더욱 상세히 설명한다.A liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will now be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 7. FIG.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 4은 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 5는 도3의 액정 표시 장치의 화소 전극을 제외한 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 6 은 도 3의 액정 표시 장치의 화소 전극을 도시한 배치도이고, 도 7은 본발명의 한 실시예에 따른 화소 전극의 기본이 되는 기본 전극을 도시한 평면도이다.FIG. 3 is a layout diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 3 cut along line IV-IV, FIG. 6 is a layout view showing a pixel electrode of the liquid crystal display device of FIG. 3, and FIG. 7 is a plan view of a basic electrode of a pixel electrode according to an embodiment of the present invention. Fig.

도 3 내지 6을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.3 to 6, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, and a liquid crystal layer (not shown) 3).

먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the lower panel 100 will be described.

절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131, 135)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 and 135 are formed on the insulating substrate 110.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 제1 및 제2 게이트 전극(gate electrode)(124a, 124b)을 포함한다.The gate line 121 transmits the gate signal and extends mainly in the horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of first and second gate electrodes 124a and 124b protruding upward.

유지 전극선(storage electrode line)(131, 135)은 게이트선(121)과 실질적으로 나란하게 뻗은 줄기선(stem)(131)과 이로부터 뻗어 나온 복수의 유지 전극(storage electrode)(135)을 포함한다. 유지 전극선(131, 135)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.The storage electrode lines 131 and 135 include a stem 131 extending substantially in parallel with the gate line 121 and a plurality of storage electrodes 135 extending therefrom. do. The shape and arrangement of the sustain electrode lines 131 and 135 may be modified in various forms.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131, 135) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140) 위에는 비정질 또는 결정질 규소 등으로 만들어진 복수의 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 is formed on the gate line 121 and the sustain electrode lines 131 and 135. A plurality of semiconductors 154a and 154b made of amorphous or crystalline silicon are formed on the gate insulating layer 140, Respectively.

반도체(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 163b, 165a, 165b)가 형성되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.A plurality of pairs of ohmic contacts 163a, 163b, 165a and 165b are formed on the semiconductors 154a and 154b, and the resistive contact members 163a, 163b, 165a, and 165b are formed of silicide or an n + hydrogenated amorphous silicon in which an n-type impurity is highly doped.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수 쌍의 데이터선(data line)(171a, 171b)과 복수 쌍의 제1 및 제2 드레인 전극(drain electrode)(175a, 175b)이 형성되어 있다.A plurality of pairs of data lines 171a and 171b and a plurality of pairs of first and second drain electrodes 175a and 175b are formed on the resistive contact members 163a, 163b, 165a and 165b and the gate insulating layer 140, And 175b are formed.

데이터선(171a, 171b)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선의 줄기선(131)과 교차한다. 데이터선(171a, 171b)은 제1, 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 향하여 뻗어 U자형으로 굽은 제1 및 제2 소스 전극(source electrode)(173a, 173b)을 포함하며, 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)은 각각 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 중심으로 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)과 마주한다.The data lines 171a and 171b transmit data signals and extend mainly in the vertical direction and cross the gate lines 121 and the stem lines 131 of the sustain electrode lines. The data lines 171a and 171b include first and second source electrodes 173a and 173b extending toward the first and second gate electrodes 124a and 124b and bent in a U shape, The second source electrodes 173a and 173b face the first and second drain electrodes 175a and 175b around the first and second gate electrodes 124a and 124b, respectively.

제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 제1 소스 전극(173a)으로 일부 둘러싸인 한 쪽 끝에서부터 위로 뻗어 있으며 반대쪽 끝은 다른 층과의 접속을 위해 면적이 넓을 수 있다.The first and second drain electrodes 175a and 175b extend upward from one end partially surrounded by the first source electrode 173a and the opposite end may have a large area for connection with another layer.

그러나 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 비롯한 데이터선(171a, 171b)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.However, the shapes and arrangements of the data lines 171a and 171b including the first and second drain electrodes 175a and 175b may be modified into various forms.

제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b), 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b) 및 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)와 함께 제1 및 제2 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qa, Qb)를 이루며, 제1 및 제2 박막 트랜지스터(Qa, Qb)의 채널(channel)은 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b) 과 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b) 사이의 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)에 형성된다.The first and second gate electrodes 124a and 124b and the first and second source electrodes 173a and 173b and the first and second drain electrodes 175a and 175b are electrically connected to the first and second semiconductors 154a and 154b, And the channel of the first and second thin film transistors Qa and Qb is connected to the first and second source electrodes (Qa and Qb) 173a and 173b and the first and second semiconductors 154a and 154b between the first and second drain electrodes 175a and 175b.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 그 아래의 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The resistive contact members 163a, 163b, 165a and 165b are present only between the underlying semiconductor layers 154a and 154b and the data lines 171a and 171b and the drain electrodes 175a and 175b thereon, . Semiconductors 154a and 154b are exposed between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b as well as between the data lines 171a and 171b and the drain electrodes 175a and 175b.

데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위로 만들어진 하부 보호막(180p)이 형성되어 있다.A lower protective film 180p made of silicon nitride or silicon oxide is formed on the data lines 171a and 171b, the drain electrodes 175a and 175b and the exposed semiconductor portions 154a and 154b.

하부 보호막(180p) 위에는 격벽(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 게이트선(121) 및 데이터선(171a, 171b)을 따라 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터 위에도 형성된다. 격벽(361)으로 둘러싸인 영역은 색필터(230) 및 제1 상부 보호막(180q)이 채워지는 충진 영역으로 대략 직사각형 모양을 이룬다. A partition wall 361 is formed on the lower protective film 180p. The barrier ribs 361 are formed along the gate lines 121 and the data lines 171a and 171b, and are also formed over the thin film transistors. The region surrounded by the barrier ribs 361 is a rectangular region filled with the color filter 230 and the first upper protective film 180q.

충진 영역에는 색필터(230)가 채워져 있으며, 색필터(230)는 격벽(361)보다 높이가 낮게 형성되어 있다.The color filter 230 is filled in the filling region and the height of the color filter 230 is lower than the partition wall 361.

격벽(361) 및 색필터(230) 위에는 제1 상부 보호막(180q)이 형성되어 있다. 제1 상부 보호막(180q)은 격벽(361)과 색필터(230) 사이의 높이 차로 인한 단차를 줄여준다. A first upper protective film 180q is formed on the barrier ribs 361 and the color filters 230. [ The first upper protective film 180q reduces a step due to a difference in height between the barrier ribs 361 and the color filters 230.

그리고 제1 상부 보호막(180q) 및 격벽(361) 위에는 제2 상부 보호막(180r) 이 형성되어 있다. 제2 상부 보호막(180r)은 기판 전체에 형성되어 있으며 기판을 평탄화한다. 제1 상부 보호막(180q)과 제2 상부 보호막(180r)은 동일한 유기 물질로 형성될 수 있다.A second upper protective film 180r is formed on the first upper protective film 180q and the barrier ribs 361. The second upper protective film 180r is formed over the entire substrate to planarize the substrate. The first upper protective film 180q and the second upper protective film 180r may be formed of the same organic material.

본 발명의 실시예에서는 설명의 편의상 제1 상부 보호막(180q)과 제2 상부 보호막(180r)을 구분되게 도시하였으나, 제1 상부 보호막(180q)과 제2 상부 보호막(180r)은 동일한 물질로 형성할 경우에 두 막 사이의 경계선이 구분되지 않을 수 있다.The first upper protective film 180q and the second upper protective film 180r may be formed of the same material as the first upper protective film 180q and the second upper protective film 180r, The boundary between the two membranes may not be distinguished.

제2 상부 보호막(180r), 제1 상부 보호막(180q), 색필터(230) 및 하부 보호막(180p)에는 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(185a, 185b)이 형성되어 있다. A plurality of contact holes 185a and 185b for exposing the first and second drain electrodes 175a and 175b are formed in the second upper protective film 180r, the first upper protective film 180q, the color filter 230, and the lower protective film 180p. Is formed.

제2 상부 보호막(180r) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 191 are formed on the second upper protective film 180r.

각 화소 전극(191)은 간극(91)을 사이에 두고 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)을 포함하며, 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 각각 도 7에 도시한 기본 전극(199) 또는 그 변형을 하나 이상 포함하고 있다.Each of the pixel electrodes 191 includes first and second sub-pixel electrodes 191a and 191b separated from each other with a gap 91 therebetween. The first and second sub-pixel electrodes 191a and 191b Each of which includes at least one of the basic electrode 199 shown in Fig. 7 or a modification thereof.

그러면 도 7을 참고하여, 기본 전극(199)에 대해 상세하게 설명한다.7, the basic electrode 199 will be described in detail.

도 7에 도시한 바와 같이 기본 전극(199)의 전체적인 모양은 사각형이며 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 기본 전극(199)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)으로 나 뉘어지며 각 부영역(Da-Dd)은 복수의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)를 포함한다.As shown in FIG. 7, the overall shape of the base electrode 199 is rectangular, and includes a cruciform stem made up of a transverse stem 193 and a vertical stem base 192 that is orthogonal thereto. The basic electrode 199 is divided into a first sub-area Da, a second sub-area Db, a third sub-area Dc, and a fourth sub-area Dc by the transverse strike line 193 and the vertical strike line 192, And each sub-area Da-Dd includes a plurality of first to fourth fine branches 194a, 194b, 194c, and 194d.

제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 아래 방향으로 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.The first fine arcuate portion 194a extends obliquely from the transverse arcuate portion 193 or the vertical arbor portion 192 in the upper left direction and the second fine arbor portion 194b extends obliquely from the transverse arcuate portion 193 or the vertical stripe portion 192, And extends obliquely from the base 192 in the upper right direction. The third fine arcuate portion 194c extends from the transverse arcuate portion 193 or the vertical arbor portion 192 in the lower left direction and the fourth fine arbor portion 194d extends from the transverse arbor portion 193 or the vertical arbor portion 192. [ And extends obliquely downward in the right-down direction from the upper side 192.

제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룬다. 또한 이웃하는 두 부영역(Da-Dd)의 미세 가지부(194a-194d)는 서로 직교할 수 있다.The first to fourth fine branches 194a to 194d form an angle of approximately 45 degrees or 135 degrees with respect to the gate line 121 or the transverse branch 193. Further, the fine branches 194a-194d of the neighboring two sub-regions Da-Dd may be orthogonal to each other.

도시하지 않았으나 미세 가지부(194a-194d)의 폭은 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에 가까울수록 넓어질 수 있다.Although not shown, the width of the fine branch portions 194a-194d may become wider as they approach the transverse branch base 193 or the vertical branch base 192. [

다시 도 2 내지 도 6을 참고하면, 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 각각 하나의 기본 전극(199)을 포함한다. 다만 화소 전극(191) 전체에서 제2 부화소 전극(191b)이 차지하는 면적이 제1 부화소 전극(191a)이 차지하는 면적보다 클 수 있으며, 이때, 제2 부화소 전극(191b)는 제1 부화소 전극(191a)의 면적보다 1.0배에서 2.2배 정도 크도록 기본 전극(199)의 크기를 다르게 형성한다.Referring again to FIGS. 2 to 6, the first and second sub-pixel electrodes 191a and 191b include one basic electrode 199, respectively. The area occupied by the second sub-pixel electrode 191b in the entire pixel electrode 191 may be larger than the area occupied by the first sub-pixel electrode 191a. At this time, the second sub- The size of the basic electrode 199 is formed to be different from the area of the pixel electrode 191a by 1.0 to 2.2 times.

제2 부화소 전극(191b)은 데이터선(171)을 따라 뻗은 한 쌍의 가지(195)를 포함한다. 가지는 제1 부화소 전극(191b)과 데이터선(171) 사이에 위치하며 제1 부 화소 전극(191b)의 하단에서 연결된다. 둘 중 하나의 가지는 확장되어 있으며 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 드레인 전극(175b)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있다. 그리고 제1 부화소 전극(191a)은 접촉 구멍(185a)을 통해서 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있다.The second sub-pixel electrode 191b includes a pair of branches 195 extending along the data line 171. The second sub- Pixel electrode 191b and the data line 171 and is connected at the lower end of the first sub-pixel electrode 191b. One of the two is extended and physically and electrically connected to the second drain electrode 175b through the contact hole 185b. The first sub-pixel electrode 191a is connected to the first drain electrode 175a through a contact hole 185a.

제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.The first and second sub-pixel electrodes 191a and 191b receive the data voltages from the first and second drain electrodes 175a and 175b.

화소 전극(191) 위에는 간격재(320) 및 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)을 따라 형성되어 있으며, 간격재(320)는 박막 트랜지스터와 대응하는 부분을 포함할 수 있다.On the pixel electrode 191, a spacing member 320 and a light shielding member 220 are formed. The light shielding member 220 is formed along the gate line 121 and the data line 171 and the spacers 320 may include portions corresponding to the thin film transistors.

간격재(320) 및 차광 부재(220)는 각각의 광마스크를 이용하여 형성될 수 있으나, 한 개의 광마스크를 이용하여 동시에 형성할 수 있다. 이때 간격재(320) 및 차광 부재(220)는 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 형성될 수 있다.The spacer 320 and the light shielding member 220 may be formed using respective optical masks, but may be formed simultaneously using one optical mask. At this time, the spacing member 320 and the light shielding member 220 may be formed of an organic material colored with a black dye.

간격재(320) 및 차광 부재(220) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다. An alignment film 11 is formed on the spacers 320 and the light shielding member 220.

다음, 상부 표시판(200)에 대해서 설명한다.Next, the upper display panel 200 will be described.

상부 표시판(200)은 투명한 절연 기판(210) 위에 공통 전극(270)이 전면에 형성되어 있고, 공통 전극(270) 위에 배향막(21)이 형성되어 있다.In the upper panel 200, a common electrode 270 is formed on a transparent insulating substrate 210, and an alignment layer 21 is formed on the common electrode 270.

그럼 도 8 내지 도 12를 참조하여 도 3 및 도 4의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명한다.The manufacturing method of the thin film transistor substrate for a liquid crystal display of Figs. 3 and 4 will be described with reference to Figs. 8 to 12. Fig.

도 8 내지 도 12는 도 3 및 도 4에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다.8 to 12 are sectional views sequentially showing the method of manufacturing the thin film transistor substrate for a liquid crystal display shown in Figs. 3 and 4. Fig.

도 8에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124a, 124b)을 포함하는 게이트선(121)과 유지 전극(135)을 포함하는 유지 전극선을 형성한다. A sustain electrode line including a gate line 121 and a sustain electrode 135 including gate electrodes 124a and 124b is formed on an insulating substrate 110 as shown in FIG.

다음 도 9에 도시한 바와 같이, 게이트선(121)을 포함하는 기판(110) 위에 산화 규소 따위를 증착하여 게이트 절연막(140)을 형성한다.9, a silicon oxide film or the like is deposited on the substrate 110 including the gate line 121 to form a gate insulating film 140. Next, as shown in FIG.

그리고 게이트 절연막(140) 위에 불순물이 도핑되지 않은 비정질 규소막, 불순물이 도핑된 비정질 규소막을 형성한 후 패터닝하여 저항성 접촉층 패턴 및 반도체(154a, 154b)를 형성한다.An amorphous silicon film not doped with an impurity and an amorphous silicon film doped with an impurity are formed on the gate insulating film 140 and patterned to form the resistive contact layer pattern and the semiconductors 154a and 154b.

이후 저항성 접촉층 패턴 위에 도전 물질을 증착한 후 패터닝하여 소스 전극(173a, 173b)을 포함하는 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)을 형성한다. Thereafter, a conductive material is deposited on the resistive contact layer pattern and then patterned to form data lines 171a and 171b and drain electrodes 175a and 175b including the source electrodes 173a and 173b.

소스 전극(173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)을 마스크로 이들 사이에 노출되어 있는 저항성 접촉층 패턴을 식각하여 저항성 접촉층(163a, 163b, 165a, 165b)을 형성한다.The resistive contact layer patterns exposed between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b are used as a mask to form resistive contact layers 163a and 163b and 165a and 165b.

반도체(154a, 154b), 저항성 접촉층(163a, 163b, 165a, 165b), 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)은 각각의 마스크로 형성할 수 있지만, 슬릿 마스크 따위를 사용한 두께가 다른 감광막 패턴을 이용하여 함께 형성할 수 있다. 이 경우 저항성 접촉층은 데이터선 및 드레인 전극과 동일한 평면 패턴을 가진다.Although the semiconductors 154a and 154b, the resistive contact layers 163a and 163b and 165a and 165b, the data lines 171a and 171b and the drain electrodes 175a and 175b can be formed using respective masks, It can be formed together using photoresist patterns having different thicknesses. In this case, the ohmic contact layer has the same planar pattern as the data line and the drain electrode.

도 10에 도시한 바와 같이, 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에 하부 보호막(180p)을 형성한다. 그리고 하부 보호막(180p) 위에 유기 절연막을 형성한 후 패터닝하여 격벽(361)을 형성한다. 이때, 격벽(361)은 이후에 형성되는 색필터가 혼색되지 않도록 4.0~5.0㎛의 두께로 형성할 수 있다.The lower protective film 180p is formed on the data lines 171a and 171b and the drain electrodes 175a and 175b as shown in Fig. An organic insulating layer is formed on the lower protective layer 180p and then patterned to form the barrier ribs 361. [ At this time, the barrier ribs 361 may be formed to have a thickness of 4.0 to 5.0 탆 so as to prevent the color filters formed thereafter from being mixed.

도 11에 도시한 바와 같이, 격벽(361)으로 정의되는 화소 내에 색필터(230)를 형성한다. 색필터(230)는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성할 수 있으며, 잉크젯 인쇄 방법은 잉크젯용 헤드를 이동하면서 색필터 용액을 적하하고, 색필터 용액을 건조하는 방식으로 진행된다. As shown in Fig. 11, a color filter 230 is formed in a pixel defined by a partition wall 361. [ The color filter 230 can be formed by an inkjet printing method. In the inkjet printing method, the color filter solution is dripped while moving the inkjet head, and the color filter solution is dried.

이후 격벽(361) 내에 제1 상부 보호막(180q)을 형성하여 격벽(361)과 색필터(230) 사이의 단차를 줄인다. 제1 상부 보호막(180q)는 색필터와 같이 잉크젯 인쇄 방법으로 형성할 수 있다.The first upper protective film 180q is formed in the barrier ribs 361 to reduce the step between the barrier ribs 361 and the color filters 230. [ The first upper protective film 180q can be formed by an inkjet printing method like a color filter.

색필터(230)의 두께가 너무 높으면 격벽(361)과 색필터(230) 사이에 단차가 줄어들어 제1 상부 보호막(180q)을 형성하기 위한 잉크의 양을 조절하기가 어렵다. 따라서 색필터(230)는 격벽(361)보다 약 1㎛~2㎛정도 낮게 형성하는 것이 바람직하다.If the thickness of the color filter 230 is too high, it is difficult to adjust the amount of ink for forming the first upper protective film 180q because the step between the barrier rib 361 and the color filter 230 is reduced. Therefore, it is preferable that the color filter 230 is formed to be about 1 μm to 2 μm lower than the barrier ribs 361.

도 12에 도시한 바와 같이,색필터(230) 및 제1 상부 보호막(180q) 위에 제2 상부 보호막(180r)을 형성한다. 제2 상부 보호막(180r)은 슬릿 코팅(slit coating) 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 슬릿 코팅은 일정한 간격으로 배치된 노즐이 기판을 통과하면서 유기 물질을 분사한다.As shown in FIG. 12, a second upper protective film 180r is formed on the color filter 230 and the first upper protective film 180q. The second upper protective film 180r may be formed by a method such as slit coating. In the slit coating, nozzles arranged at regular intervals spray organic materials while passing through the substrate.

제1 상부 보호막(180q)에 의해서 격벽(361)과 색필터(230) 사이의 높이 차를 줄여줌으로써 제2 상부 보호막(180r)을 두껍게 형성하지 않아도 기판을 용이하게 평탄화할 수 있다. 제1 상부 보호막(180q)이 격벽(361)보다 높게 형성되더라도 제 2 상부 보호막(180r)을 추가 형성하기 때문에 제1 상부 보호막(180q)으로 인한 단차를 제거할 수 있다. 또한 제1 상부 보호막(180q)을 형성할 때, 제1 상부 보호막(180q)이 격벽(361)을 넘어 흐르더라도 문제를 유발하지 않는다. The difference in height between the barrier ribs 361 and the color filters 230 is reduced by the first upper protective film 180q so that the substrate can be easily planarized without forming the second upper protective film 180r thick. Even if the first upper protective film 180q is formed higher than the barrier ribs 361, since the second upper protective film 180r is further formed, the step due to the first upper protective film 180q can be removed. Further, when forming the first upper protective film 180q, even if the first upper protective film 180q flows over the barrier ribs 361, it does not cause a problem.

이후 제2 상부 보호막(180r), 제1 상부 보호막(180q), 격벽(361) 및 하부 보호막(180p)을 패터닝하여 접촉구(185a, 185b)를 형성한다. 제2 상부 보호막(180r)과 제1 상부 보호막(180q)이 감광성 유기 물질인 경우에는 사진 공정(Photolithography)만으로 이들 두 막(180r, 180q)을 패터닝할 수 있다. 이후, 격벽(361)과 하부 보호막(180p)을 패터닝하기 위하여 식각 공정이 추가될 수 있다. 제2 상부 보호막(180r)과 제1 상부 보호막(180q)도 사진 식각 공정으로 패터닝할 수도 있다.Contact holes 185a and 185b are then formed by patterning the second upper protective film 180r, the first upper protective film 180q, the barrier ribs 361 and the lower protective film 180p. When the second upper protective film 180r and the first upper protective film 180q are photosensitive organic materials, the two films 180r and 180q can be patterned only by photolithography. Thereafter, an etching process may be added to pattern the barrier ribs 361 and the lower protective film 180p. The second upper protective film 180r and the first upper protective film 180q may also be patterned by a photolithography process.

이후 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 상부 보호막(180r) 위에 화소 전극(191)을 형성한다. 그리고 화소 전극(191) 위에 감광성 유기 물질막을 형성한 후 슬릿 패턴을 가지는 광마스크를 이용하여 노광한 후 현상하여 두께가 다른 차광 부재(220)와 간격재(320)를 형성한다.Then, as shown in FIG. 4, the pixel electrode 191 is formed on the second upper protective film 180r. Then, a photosensitive organic material layer is formed on the pixel electrode 191, exposed using a photomask having a slit pattern, and then developed to form a light shielding member 220 and a spacing member 320 having different thicknesses.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.13 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

도 13의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 3 및 도 4의 실시예에 비하여 격벽 및 간격재의 형태가 다르다. 격벽이 하부 격벽(361a, 361b)과 상부 격벽(362a, 362b)을 포함하고, 간격재(363)가 상부 격벽(362a, 362b)과 일체로 형성되어 있다. 제2 상부 보호막(180r)은 상부 격벽(362a, 362b)과 제1 상부 보호막(180q)을 덮고, 간격재(363)는 노출한다. 때에 따라서는 제2 상부 보호막(180r) 이 간격재(363)도 덮는 형태로 형성될 수도 있다. 여기서 하부 격벽(361a, 361b) 및 상부 격벽(362a, 362b)은 검은색 유기 물질로 형성하여 빛샘을 방지하는 차광 부재로 사용할 수 있다. 간격재(363)도 검은색 유기 물질로 형성할 수 있다.The liquid crystal display device according to the embodiment of FIG. 13 differs from the embodiment of FIGS. 3 and 4 in the form of the barrier ribs and spacing members. The barrier ribs include lower barrier ribs 361a and 361b and upper barrier ribs 362a and 362b and a gap material 363 is formed integrally with the upper barrier ribs 362a and 362b. The second upper protective film 180r covers the upper partition walls 362a and 362b and the first upper protective film 180q and exposes the spacers 363. The second upper protective film 180r may be formed so as to cover the gap material 363 as well. The lower barrier ribs 361a and 361b and the upper barrier ribs 362a and 362b may be formed of a black organic material and used as a light shielding member for preventing light leakage. The spacers 363 may also be formed of a black organic material.

이러한 구조의 액정 표시 장치를 형성하는 방법은 도 8 내지 도 12를 통하여 설명한 액정 표시 장치의 제조 방법과 비교하여 격벽 및 간격재를 형성하는 공정이 다르다. 즉, 하부 격벽(361a, 361b)을 형성하고, 그 위에 상부 격벽(362a, 362b)과 간격재(363)를 동시에 형성한다. 이 때, 하프톤(Half-Tone) 마스크를 통한 노광 방법을 사용함으로써 높이가 다른 상부 격벽(362a, 362b)과 간격재(363)를 동시에 형성할 수 있다. 이후 색필터(230)와 제1 상부 보호막(180q)를 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하고, 제2 상부 보호막(180r)을 슬릿 코팅 등의 방법으로 형성한다.The method of forming the liquid crystal display device having such a structure differs from the method of manufacturing the liquid crystal display device described with reference to FIGS. 8 to 12 in the process of forming the barrier ribs and the spacers. That is, the lower partitions 361a and 361b are formed, and the upper partitions 362a and 362b and the spacing part 363 are simultaneously formed thereon. At this time, the upper barrier ribs 362a and 362b having a different height and the spacing member 363 can be formed at the same time by using the exposure method through a half-tone mask. The color filter 230 and the first upper protective film 180q are formed by an ink jet printing method and the second upper protective film 180r is formed by a method such as slit coating.

이상에서는 액정 표시 장치를 실시예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 격벽을 형성하여 영역을 구획하고 해당 영역에 색필터나 발광 물질 등을 채우는 유기 발광 표시 장치에도 적용할 수 있다.Although the liquid crystal display device has been described as an example in the above description, the present invention can also be applied to an organic light emitting display device in which barrier ribs are formed to partition a region and fill a color filter or a light emitting material in the region.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.3 is a layout diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 4은 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 3 taken along the line IV-IV.

도 5는 도3의 액정 표시 장치의 화소 전극을 제외한 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.5 is a layout diagram of a thin film transistor panel except the pixel electrode of the liquid crystal display of FIG.

도 6은 도 3의 액정 표시 장치의 화소 전극을 도시한 배치도이다.6 is a layout diagram showing a pixel electrode of the liquid crystal display device of FIG.

도 7은 본발명의 한 실시예에 따른 화소 전극의 기본이 되는 기본 전극을 도시한 평면도이다.7 is a plan view showing a basic electrode as a basic element of a pixel electrode according to an embodiment of the present invention.

도 8 내지 도 12는 도 3 및 도 4에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다.8 to 12 are sectional views sequentially showing the method of manufacturing the thin film transistor substrate for a liquid crystal display shown in Figs. 3 and 4. Fig.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.13 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

3: 액정층 11, 21: 배향막3: liquid crystal layer 11, 21: alignment layer

31: 액정 분자 100: 박막 트랜지스터 표시판31: liquid crystal molecule 100: thin film transistor display panel

110, 210: 절연 기판 121: 게이트선110, 210: insulating substrate 121: gate line

124a, 124b: 게이트 전극 131: 유지 전극선124a, 124b: gate electrode 131: sustain electrode line

135: 유지 전극135: sustain electrode

140: 게이트 절연막 154a, 154b: 반도체140: gate insulating film 154a, 154b: semiconductor

163a, 163b, 165a, 165b: 저항성 접촉 부재163a, 163b, 165a, 165b: resistive contact member

171a, 171b: 데이터선 173a, 173b: 소스 전극171a and 171b: data lines 173a and 173b: source electrodes

175a, 175b: 드레인 전극 180p: 하부 보호막175a, 175b: drain electrode 180p: lower protective film

180q: 제1 상부 보호막 180r: 제2 상부 보호막180q: first upper protective film 180r: second upper protective film

185a 185b: 접촉 구멍 191: 화소 전극 185a 185b: contact hole 191: pixel electrode

191a: 제1 부화소 전극 191b: 제2 부화소 전극191a: first sub-pixel electrode 191b: second sub-pixel electrode

200: 공통 전극 표시판200: Common electrode plate

230: 색필터 270: 공통 전극230: color filter 270: common electrode

Claims (20)

제1 절연 기판 위에 게이트선, 데이터선, 그리고 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,Forming a gate line, a data line, and a thin film transistor connected to the gate line and the data line on the first insulating substrate, 상기 게이트, 상기 데이터선, 그리고 상기 박막 트랜지스터 위에 격벽을 형성하는 단계,Forming a barrier on the gate, the data line, and the thin film transistor; 상기 격벽 내에 색필터를 형성하는 단계,Forming a color filter in the partition wall, 상기 색필터 위에 잉크젯 인쇄 방법으로 제1 유기막을 형성하여 상기 색필터와 상기 격벽 사이의 단차를 줄이는 단계,Forming a first organic layer on the color filter by an inkjet printing method to reduce a step between the color filter and the partition, 상기 제1 유기막 및 상기 격벽 위에 사진 공정으로 제2 유기막을 형성하는 단계,Forming a first organic layer on the first organic layer and a second organic layer on the barrier, 상기 제2 유기막 위에 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor on the second organic layer, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계, 그리고Forming a common electrode on a second insulating substrate facing the first insulating substrate, and 상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판과 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.And forming a liquid crystal layer between the first insulating substrate and the second insulating substrate. 제 1항에서In claim 1, 제2 유기막은 상기 격벽과 제1 유기막을 평탄화하는 표시 장치의 제조 방법The second organic film is a method of manufacturing a display device for flattening the barrier rib and the first organic film 제2항에서,3. The method of claim 2, 상기 단차는 1㎛~2㎛인 표시 장치의 제조 방법.Wherein the step is 1 占 퐉 to 2 占 퐉. 제2항에서,3. The method of claim 2, 상기 색필터는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하는 표시 장치의 제조 방법.Wherein the color filter is formed by an inkjet printing method. 제1항에서,The method of claim 1, 상기 제2 유기The second organic 막 위에 간격재 및 차광 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.And forming a spacer and a light shielding member on the film. 제5항에서,The method of claim 5, 상기 간격재 및 상기 차광 부재는 하나의 하프톤 광마스크를 이용하여 동시에 형성하는 표시 장치의 제조 방법.Wherein the spacers and the light shielding members are simultaneously formed using one halftone optical mask. 제6항에서,The method of claim 6, 상기 간격재 및 상기 차광 부재는 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 형성하는 표시 장치의 제조 방법.Wherein the spacers and the light shielding members are formed of an organic material colored with a black dye. 제7항에서,8. The method of claim 7, 상기 광마스크는 슬릿을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.Wherein the optical mask includes a slit. 제1항에서,The method of claim 1, 상기 색필터는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하는 표시 장치의 제조 방법.Wherein the color filter is formed by an inkjet printing method. 제9항에서,The method of claim 9, 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 색필터 사이에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.And forming a protective film between the gate line, the data line, and the thin film transistor and the color filter. 제1 절연 기판,A first insulating substrate, 상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 게이트선,A gate line disposed on the first insulating substrate, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선,A data line crossing the gate line, 상기 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터,A thin film transistor connected to the gate line and the data line, 상기 게이트선, 상기 데이터선, 그리고 상기 박막 트랜지스터 위에 위치하는 격벽,The gate lines, the data lines, and the barrier ribs located above the thin film transistors, 상기 격벽에 의하여 구획된 영역 내에 채워져 있으며 상기 격벽보다 높이가 낮은 색필터,A color filter which is filled in the region partitioned by the partition and is lower in height than the partition, 상기 격벽 내에 채워져 있는 제1 유기막,A first organic film filled in the barrier rib, 상기 제1 유기막 및 상기 격벽 위에 위치하는 제2 유기막,The first organic film and the second organic film located on the barrier, 상기 제2 유기막 위에 위치하며 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극,A pixel electrode located on the second organic layer and connected to the thin film transistor, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판,A second insulating substrate facing the first insulating substrate, 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 공통 전극, 그리고A common electrode located on the second insulating substrate, and 상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이에 위치하는 액정층And a liquid crystal layer disposed between the first insulating substrate and the second insulating substrate, 을 포함하는 표시 장치.. 제11항에서, 12. The method of claim 11, 제2 유기막은 상기 격벽과 상기 제1 유기막을 평탄화하는 표시 장치.And the second organic film flattens the partition and the first organic film. 제11항에서,12. The method of claim 11, 상기 제2 유기막 위에 위치하고 1㎛이상의 두께를 가지는 차광 부재를 더 포함하는 표시 장치.And a light shielding member located above the second organic film and having a thickness of 1 占 퐉 or more. 제13항에서,The method of claim 13, 상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이의 간격을 유지하며 상기 차광 부재와 동일한 물질로 이루어지는 간격재를 더 포함하는 표시 장치.Further comprising a spacing member made of the same material as said light-shielding member while maintaining a gap between said first insulating substrate and said second insulating substrate. 제14항에서,The method of claim 14, 상기 간격재 및 상기 차광 부재는 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 이루어지는 표시 장치.Wherein the spacer and the light shielding member are made of an organic material colored with a black dye. 제11항에서,12. The method of claim 11, 상기 제1 유기막과 상기 제2 유기막은 동일한 물질로 이루어지는 표시 장치.Wherein the first organic film and the second organic film are made of the same material. 제16항에서,17. The method of claim 16, 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 상기 격벽 사이에 위치하는 보호막을 더 포함하는 표시 장치.And a protective film located between the thin film transistor, the gate line, and the data line and the barrier rib. 제11항에서,12. The method of claim 11, 상기 격벽은 하부 격벽과 상기 하부 격벽보다 폭이 좁은 상부 격벽을 포함하는 표시 장치.Wherein the barrier rib includes a lower barrier rib and an upper barrier rib that is narrower than the lower barrier rib. 제18항에서,The method of claim 18, 상기 격벽과 일체로 형성되어 있고 상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이의 간격을 유지하는 간격재를 더 포함하는 표시 장치.And a spacing member that is formed integrally with the partition and that maintains a gap between the first insulating substrate and the second insulating substrate. 제19항에서,20. The method of claim 19, 상기 간격재 및 상기 격벽은 검은색 염료로 착색된 유기 물질로 이루어지는 표시 장치.Wherein the spacers and the barrier ribs are made of an organic material colored with a black dye.
KR1020090046029A 2008-11-13 2009-05-26 Display device and method for manufacturing the same KR101592017B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090046029A KR101592017B1 (en) 2009-05-26 2009-05-26 Display device and method for manufacturing the same
US12/606,584 US8218111B2 (en) 2008-11-13 2009-10-27 Display device and method for manufacturing the same
US13/493,666 US8456595B2 (en) 2008-11-13 2012-06-11 Display device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090046029A KR101592017B1 (en) 2009-05-26 2009-05-26 Display device and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100127538A KR20100127538A (en) 2010-12-06
KR101592017B1 true KR101592017B1 (en) 2016-02-19

Family

ID=43504753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090046029A KR101592017B1 (en) 2008-11-13 2009-05-26 Display device and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101592017B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102078558B1 (en) 2013-04-17 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and method of manufacturing the same
KR20170007627A (en) 2015-07-10 2017-01-19 삼성디스플레이 주식회사 Display device and method of manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047216A (en) 1998-07-31 2000-02-18 Sharp Corp Color liquid crystal display device and its production

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397671B1 (en) * 2001-03-07 2003-09-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid Crystal Display Device having a Color Filter using an Ink Jet and method for fabricating the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047216A (en) 1998-07-31 2000-02-18 Sharp Corp Color liquid crystal display device and its production

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100127538A (en) 2010-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101490480B1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing the same
KR101542399B1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing the same
KR101490489B1 (en) Liquid crystal display
US8456595B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR101607636B1 (en) Liquid crystal display
KR101525801B1 (en) Array substrate and manufacturing the same
KR20090096227A (en) Display device
KR101549963B1 (en) Thin Film Transistor Display Panel and Method of Manufacturing of the Same
JP5518463B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20140055848A (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101542396B1 (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
KR101557817B1 (en) Thin Film Transistor Display Panel and Manufacturing Method thereof
KR101592017B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
JP5486285B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US20160216543A1 (en) Liquid crystal display device
KR101490486B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR20100047564A (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR20100081504A (en) Llquid crystal display
KR101635528B1 (en) Thin film transistor array panel
KR100992121B1 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
KR20100076654A (en) Thin film trransistor array panel and method for manufacturing the same
KR20100095929A (en) Display panel having color filter
KR20080077475A (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191223

Year of fee payment: 5