KR101590381B1 - Liquid crystal display device and Method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 있어서, 상부 기판의 전면에 형성되는 공통전극의 전식 방지를 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to preventing the common electrode formed on the front surface of the upper substrate from being totally electric in a liquid crystal display device.

이를 위해, 본 발명에서는 씰패턴 외부로 노출되는 공통전극을 덮도록 전식 방지 패턴을 형성한다.To this end, in the present invention, an electric discharge prevention pattern is formed so as to cover the common electrode exposed to the outside of the seal pattern.

또한, 상기 전식 방지 패턴은 컬럼스페이서와 동일공정에 의해 형성됨으로써, 제조 공정의 증가 없이 공통전극의 전식을 방지할 수 있다.In addition, since the electric discharge prevention pattern is formed by the same process as the column spacer, the electric discharge of the common electrode can be prevented without increasing the manufacturing process.

액정표시장치, 공통전극, 전식 방지 Liquid crystal display device, common electrode, electric current prevention

Description

액정표시장치 및 그 제조방법 {Liquid crystal display device and Method of fabricating the same}[0001] The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof,

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 공통전극의 전식을 효과적으로 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that can effectively prevent the common electrode from being electromagnetically driven.

일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.Generally, the driving principle of a liquid crystal display device utilizes the optical anisotropy and polarization properties of a liquid crystal. Since the liquid crystal has a long structure, it has a directionality in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Therefore, when the molecular alignment direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular alignment direction of the liquid crystal by optical anisotropy, so that image information can be expressed.

현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.At present, an active matrix liquid crystal display (AM-LCD: hereinafter referred to as liquid crystal display) in which a thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner has excellent resolution and video realization capability, It is attracting attention.

상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판과 화소전극이 형성된 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.The liquid crystal display device includes a color filter substrate on which a common electrode is formed, an array substrate on which pixel electrodes are formed, and a liquid crystal interposed between the two substrates. In such a liquid crystal display device, The liquid crystal is driven to have excellent properties such as transmittance and aperture ratio.

도 1은 종래의 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a conventional liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 액정표시장치는 액정층(30)을 사이에 두고 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)이 대면 합착된 구성을 갖는다.As shown in the figure, a general liquid crystal display device has a structure in which the array substrate 10 and the color filter substrate 20 are bonded to each other with the liquid crystal layer 30 interposed therebetween.

상기 어레이 기판(10)은 제 1 기판(12) 상에서 서로 교차 배열되어 다수의 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(14)과 데이터 배선(16)을 포함하며, 이들 두 배선(14, 16)의 교차지점에는 박막트랜지스터(Tr)가 구비되어 각 화소영역(P)에 마련된 화소전극(18)과 일대일 대응 접속되어 있다.The array substrate 10 includes a gate wiring 14 and a data wiring 16 which are arranged on the first substrate 12 so as to be crossed with each other to define a plurality of pixel regions P and the two wirings 14 and 16 The thin film transistor Tr is provided in a one-to-one correspondence with the pixel electrode 18 provided in each pixel region P.

또한, 상기 어레이 기판(10)과 마주보는 상부의 컬러필터 기판(20)은 제 2 기판(22) 상에 상기 게이트 배선(14)과 데이터 배선(16) 그리고 박막트랜지스터(Tr) 등의 비표시영역을 가리도록 각 화소영역(P)을 테두리하는 격자 형상의 블랙매트릭스(25)가 형성되어 있으며, 이들 격자 내부에서 각 화소영역(P)에 대응되게 순차적으로 반복 배열된 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터 패턴(26a, 26b, 26c)을 포함하는 컬러필터층(26)이 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(25)와 컬러필터층(26)의 전면에 걸쳐 투명한 공통전극(28)이 구비되어 있다. The upper portion of the color filter substrate 20 facing the array substrate 10 is formed with a non-display (not shown) such as the gate wiring 14, the data wiring 16, and the thin film transistor Tr Shaped black matrix 25 for framing each pixel region P so as to cover the respective pixel regions P in the pixel region P. The red (R), green A color filter layer 26 including color filter patterns 26a, 26b and 26c of blue (G) and blue (B) colors is formed on the front surface of the color filter layer 26, A common electrode 28 is provided.

그리고, 도면상에 도시되지는 않았지만, 이들 두 기판(10, 20)은 그 사이로 개재된 액정층(30)의 누설을 방지하기 위하여 가장자리 따라 실링제(sealant) 등으 로 이루어진 씰런트가 형성된다. 또한, 각 기판(10, 20)의 적어도 하나의 외측면에는 편광판이 구비되어 있다. Although not shown in the drawings, these two substrates 10 and 20 are formed with a sealant such as a sealant along the edges to prevent leakage of the liquid crystal layer 30 interposed therebetween. At least one outer surface of each of the substrates 10 and 20 is provided with a polarizing plate.

또한, 어레이 기판의 외측면으로는 백라이트(back-light)가 구비되어 빛을 공급하는 바, 게이트 배선(14)으로 박막트랜지스터(Tr)의 온(on)/오프(off) 신호가 순차적으로 스캔 인가되어 선택된 화소영역(P)의 화소전극(18)에 데이터배선(16)의 화상신호가 전달되면 이들 화소전극(18)과 공통전극(28) 사이의 수직 전계에 의해 그 사이의 액정분자가 구동되고, 이에 따른 빛의 투과율 변화로 여러 가지 화상을 표시할 수 있다.A back light is provided on the outer surface of the array substrate to supply light. An on / off signal of the thin film transistor Tr is sequentially When the image signal of the data line 16 is transmitted to the pixel electrode 18 of the selected pixel region P, the liquid crystal molecules between the pixel electrode 18 and the common electrode 28 And various images can be displayed by the change of the light transmittance.

도 2는 종래 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 액정표시장치는 제 1 기판(40)과, 상기 제1 기판(40)과 마주하고 있는 제 2 기판(70)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(40, 70) 사이에 개재되어 있는 액정층(80)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(40, 70)의 가장자리를 따라 형성되어 상기 액정층(80)의 누설을 방지하기 위한 씰패턴(90)을 포함한다.As shown in the figure, the liquid crystal display includes a first substrate 40, a second substrate 70 facing the first substrate 40, and a second substrate 40 facing the first and second substrates 40 and 70 And a seal pattern 90 formed along the edges of the first and second substrates 40 and 70 to prevent the liquid crystal layer 80 from leaking.

상기 제 1 기판(40)에는 표시영역(DA)과 상기 표시영역(DA) 주변의 비표시영역(NDA)이 정의되어 있다. 상기 표시영역(DA)에는 게이트 배선(미도시)과 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 표시영역(DA) 내에 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(52)이 형성되어 있다.The first substrate 40 defines a display area DA and a non-display area NDA around the display area DA. In the display area DA, a gate wiring (not shown) and a data wiring 52 crossing the gate wiring and defining the pixel area P in the display area DA are formed.

상기 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선(52)과 연결되어 있는 박막트랜지스터(Tr)가 위치하고 있다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게 이트 배선에 연결되어 있는 게이트 전극(42)과, 상기 게이트 전극(42)을 덮는 게이트 절연막(48)과, 상기 게이트 절연막(48) 상에 위치하며 상기 게이트 전극(42)과 중첩하는 반도체층(50)과, 상기 반도체층(50) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(54, 56)으로 구성된다. 상기 반도체층(50)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 액티브층(50a)과 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹콘택층(50b)으로 이루어지며, 상기 소스 전극(54)은 상기 데이터 배선(52)에 연결되어 있다.In the pixel region P, the gate line and the thin film transistor Tr connected to the data line 52 are positioned. The thin film transistor Tr includes a gate electrode 42 connected to the gate wiring, a gate insulating film 48 covering the gate electrode 42, A semiconductor layer 50 superimposed on the semiconductor layer 50 and source and drain electrodes 54 and 56 spaced from each other on the semiconductor layer 50. [ The semiconductor layer 50 includes an active layer 50a made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 50b made of amorphous silicon. The source electrode 54 is connected to the data line 52.

또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 보호층(60)이 위치하고 있다. 상기 보호층(60)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(56)을 노출시키는 드레인 콘택홀(62)을 포함한다. In addition, a protective layer 60 is disposed to cover the thin film transistor Tr. The passivation layer 60 includes a drain contact hole 62 exposing a drain electrode 56 of the thin film transistor Tr.

상기 보호층(60) 상에는 상기 드레인 콘택홀(62)을 통해 상기 드레인 전극(56)과 연결되어 있는 화소전극(68)이 각 화소영역(P)에 위치하고 있다. 상기 화소전극(68)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.A pixel electrode 68 connected to the drain electrode 56 through the drain contact hole 62 is located in each pixel region P on the passivation layer 60. The pixel electrode 68 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

상기 제 1 기판(40)의 비표시영역(NDA)에는 공통 배선(46)이 형성되어 있다. 또한, 상기 공통배선(46)은 상기 게이트 절연막(48) 및 상기 보호층(60)에 의해 덮여 있으며, 상기 게이트 절연막(48) 및 상기 보호층(60)은 상기 공통배선(46)을 노출시키는 적어도 하나의 공통 콘택홀(64)을 포함하고 있다. A common wiring 46 is formed in the non-display area NDA of the first substrate 40. [ The common interconnection 46 is covered with the gate insulating film 48 and the passivation layer 60 and the gate insulating film 48 and the passivation layer 60 are formed to expose the common interconnection 46 And at least one common contact hole (64).

한편, 상기 제 2 기판(70) 상에는 상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선(52) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)를 포함하여 상기 비표시영역(NDA)를 가리기 위한 블랙매트릭스(72)가 위치하고 있다. 상기 블랙매트릭스(72) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 컬러필터층(74)이 위치한다. 상기 컬러필터층(74)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나를 갖는다.On the other hand, on the second substrate 70, a black matrix 72 for covering the non-display area NDA including the gate line, the data line 52 and the thin film transistor Tr is located. On the black matrix 72, a color filter layer 74 is positioned corresponding to the pixel region P. The color filter layer 74 has any one of red, green, and blue.

상기 컬러필터층(74) 위로는 상기 제 2 기판(70) 전면에 대응하여 공통전극(76)이 위치하고 있다. 상기 공통전극(76)은 상기 제 1 기판(40) 상의 상기 공통배선(46)과 연결되어 전압을 인가받는다. 상기 공통전극(76)은 상기 화소전극(68)과 전계를 형성하며, 이에 의해 상기 액정층(80)이 구동된다. 상기 공통전극(76)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.A common electrode 76 is disposed on the color filter layer 74 to correspond to the entire surface of the second substrate 70. The common electrode 76 is connected to the common wiring 46 on the first substrate 40 and receives a voltage. The common electrode 76 forms an electric field with the pixel electrode 68, whereby the liquid crystal layer 80 is driven. The common electrode 76 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

상기 씰패턴(90)은 상기 제 1 및 제 2 기판(40, 70)의 가장자리를 따라, 즉 상기 비표시영역(NDA)에 위치하여 상기 제 1 및 제 2 기판(40, 70)을 합착시키고 상기 액정층(80)의 누설을 방지하게 된다. 상기 씰패턴(90)은 상기 공통전극(76)과 접촉하고, 동시에 상기 공통 콘택홀(64)을 통해 상기 공통배선(46)과 접촉하고 있다. 이러한 경우, 상기 씰패턴(90)은 도전볼 등을 포함함으로써 도전 특성을 가지며, 상기 공통 배선(46)으로부터 상기 공통 전극(76)에 공통전압을 인가하게 된다.The seal pattern 90 is positioned along the edges of the first and second substrates 40 and 70, that is, in the non-display area NDA, and the first and second substrates 40 and 70 are cemented The liquid crystal layer 80 is prevented from leaking. The seal pattern 90 is in contact with the common electrode 76 and is in contact with the common wiring 46 through the common contact hole 64 at the same time. In this case, the seal pattern 90 has a conductive property by including a conductive ball or the like, and a common voltage is applied to the common electrode 76 from the common wiring 46.

전술한 바와 같이, 상기 공통전극(76)은 상기 제 2 기판(70)의 전면에, 즉 상기 표시영역(DA)뿐만 아니라 상기 비표시영역(NDA)에 대응하여 위치하고 있다. 따라서 상기 공통전극(76)은 상기 씰패턴(90) 외측으로 노출된 상태가 된다.As described above, the common electrode 76 is located on the entire surface of the second substrate 70, that is, the display area DA as well as the non-display area NDA. Therefore, the common electrode 76 is exposed to the outside of the seal pattern 90.

이러한 경우, 상기 공통전극(76)은 대기 중에 노출되며, 수분에 의한 전식(corrosion)이 발생하게 된다. 특히 사용자에 의해 액정표시장치가 설치된 상태의 하단부에서 수분이 모여 상기 공통전극(76)의 전식이 쉽게 발생하며, 이는 액정표시장치의 표시 품질 저하와 수명 단축의 문제를 가져온다.In this case, the common electrode 76 is exposed to the atmosphere, and corrosion due to moisture is generated. Particularly, moisture is gathered at the lower end portion of the liquid crystal display device by the user, and the common electrode 76 is easily transferred to the liquid crystal display device. This causes a problem of deterioration of display quality and life span of the liquid crystal display device.

본 발명은 위와 같이 액정표시장치의 표시 품질 저하 및 수명 단축 문제를 해결하고자 한다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the problems of degradation of display quality and shortening of life span of a liquid crystal display device as described above.

또한, 공정의 추가 없이 위와 같은 문제 해결을 목적으로 한다.The present invention also aims at solving the above problems without adding a process.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 표시영역과 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하는 게이트 배선과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 비표시영역에 위치하는 공통 배선과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하며, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 화소전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 전면에 형성된 공통 전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리를 따라 위치하는 씰패턴과; 상기 공통 전극 상에, 상기 씰패턴 외측으로 위치하며, 그 일측이 상기 씰패턴의 측면과 접촉하는 전식 방지 패턴과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a liquid crystal display device comprising: a first substrate on which a display region and a non-display region around the display region are defined; A gate wiring located in the display region on the first substrate; A common wiring located on the non-display area on the first substrate; A data line on the first substrate, the data line being located in the display region and defining a pixel region crossing the gate line; A thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring; A pixel electrode connected to the thin film transistor and located in the pixel region; A second substrate facing the first substrate; A common electrode formed on a front surface of the second substrate; A seal pattern positioned along an edge of the first and second substrates; An anti-tamper pattern on the common electrode, the anti-tamper pattern being located outside the seal pattern and having one side thereof contacting the side surface of the seal pattern; And a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates.

다른 관점에서 본 발명은 표시영역과 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정 의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하는 게이트 배선과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 비표시영역에 위치하는 공통 배선과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하며, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 화소전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 전면에 형성된 공통 전극과; 상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리를 따라 위치하는 씰패턴과; 상기 공통 전극 상에, 상기 씰패턴 외측으로 위치하며, 그 일측면과 상부면이상기 씰패턴과 접촉하는 전식 방지 패턴과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a first substrate on which a display region and a non-display region around the display region are aligned; A gate wiring located in the display region on the first substrate; A common wiring located on the non-display area on the first substrate; A data line on the first substrate, the data line being located in the display region and defining a pixel region crossing the gate line; A thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring; A pixel electrode connected to the thin film transistor and located in the pixel region; A second substrate facing the first substrate; A common electrode formed on a front surface of the second substrate; A seal pattern positioned along an edge of the first and second substrates; An anti-tamper pattern positioned on the common electrode outside the seal pattern and in contact with the one side face and the top face seal pattern of the upper face; And a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates.

상기 표시영역에 위치하며 상기 제 1 및 제 2 기판 사이의 거리를 일정하게 유지하기 위한 컬럼 스페이서를 포함하는 것이 특징이다. And a column spacer positioned in the display area and maintaining a constant distance between the first and second substrates.

상기 컬럼 스페이서는 상기 전식 방지 패턴과 동일층에 위치하며 동일 물질로 이루어지는 것이 특징이다.The column spacer is located on the same layer as the electric discharge prevention pattern and is made of the same material.

상기 씰패턴의 일단은 상기 공통 배선에 연결되고 타단은 상기 공통 전극에 연결되는 것이 특징이다.One end of the seal pattern is connected to the common wiring and the other end is connected to the common electrode.

상기 제 2 기판 상에, 상기 게이트 배선과, 상기 데이터 배선과, 상기 박막트랜지스터에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스와; 상기 화소영역에 대응하며 상기 제 2 기판 상에 위치하는 컬러필터층을 포함하고, 상기 공통 전극은 상기 컬러필터층 상에 위치하는 것이 특징이다.A black matrix disposed on the second substrate corresponding to the gate wiring, the data wiring, and the thin film transistor; And a color filter layer corresponding to the pixel region and located on the second substrate, wherein the common electrode is located on the color filter layer.

상기 비표시영역에 위치하는 상기 공통전극의 상부면은 상기 씰패턴과 상기 전식 방지 패턴에 의해 완전히 덮여지는 것이 특징이다.And the upper surface of the common electrode located in the non-display area is completely covered by the seal pattern and the electric-discharge preventing pattern.

또 다른 관점에서, 본 발명은 제 1 기판의 표시영역에 게이트 배선을 형성하고, 상기 표시영역 주변의 비표시영역에 공통 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 상기 제 1기판 상에 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 상기 제 1 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 표시영역과 상기 비표시영역이 정의된 제 2 기판 상의 전면에 공통 전극을 형성하는 단계와; 상기 공통 전극 상에, 상기 표시영역에 대응하는 컬럼 스페이서와 상기 비표시영역에 위치하는 상기 공통전극의 상부면을 덮는 전식 방지 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판의 가장자리에 씰패턴을 형성하는 단계와; 상기 씰패턴 및 상기 컬럼 스페이서에 의해 그 내부 공간이 정의되도록 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 기판의 내부 공간에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 비표시영역의 상기 공통전극 상부면은 상기 씰패턴과 상기 전식 방지 패턴에 의해 완전히 덮여지는 것이 특징인 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, comprising: forming a gate wiring in a display region of a first substrate and forming a common wiring in a non-display region around the display region; Forming a data line crossing the gate line and defining a pixel region on the first substrate; Forming a thin film transistor connected to the gate line and the data line and located on the first substrate; Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor and located in the pixel region; Forming a common electrode on the entire surface of the second substrate on which the display area and the non-display area are defined; Forming an electric discharge preventing pattern covering the column spacer corresponding to the display region and the upper surface of the common electrode located in the non-display region on the common electrode; Forming a seal pattern on an edge of the second substrate; Attaching the first and second substrates such that the inner space is defined by the seal pattern and the column spacer; And forming a liquid crystal layer in an inner space of the first and second substrates, wherein the upper surface of the common electrode of the non-display area is completely covered with the seal pattern and the electric discharge prevention pattern A method of manufacturing a device is provided.

상기 제 2 기판 상에, 상기 게이트 배선과, 상기 데이터 배선과, 상기 박막트랜지스터에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 화소영역에 대응하여 위치하는 컬러필터층를 상기 제 2 기판에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 공통 전극은 상기 컬러필터층 상에 위치하는 것이 특징이다.Forming a black matrix on the second substrate corresponding to the gate wiring, the data wiring, and the thin film transistor; And forming a color filter layer corresponding to the pixel region on the second substrate, wherein the common electrode is located on the color filter layer.

본 발명은 액정표시장치에서 상부기판 전면에 형성되는 공통전극의 전식을 방지하여 표시 품질을 유지하고 수명 단축을 방지할 수 있다.The present invention can prevent the common electrode formed on the entire surface of the upper substrate of the liquid crystal display device from being turned on, thereby maintaining the display quality and preventing the life span from being shortened.

또한, 별도의 공정 추가 없이 위와 같은 효과를 얻을 수 있는 장점을 갖는다.In addition, it has the advantage that the above effect can be obtained without adding a separate process.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 제 1 기판(110)과, 상기 제1 기판(110)과 마주하고 있는 제 2 기판(150)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150) 사이에 개재되어 있는 액정층(170)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)의 가장자리를 따라 형성되어 상기 액정층(170)의 누설을 방지하기 위한 씰패턴(180) 및 상기 제 2 기판(150) 상에 상기 씰패턴(180) 외측에 위치하는 전식 방지 패턴(162)을 포함한다.As shown in the figure, the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention includes a first substrate 110, a second substrate 150 facing the first substrate 110, A liquid crystal layer 170 interposed between the first and second substrates 110 and 150 and a seal 160 formed along the edges of the first and second substrates 110 and 150 to prevent leakage of the liquid crystal layer 170. [ A pattern 180 and an electric discharge prevention pattern 162 located on the second substrate 150 and outside the seal pattern 180. [

상기 제 1 기판(110)에는 표시영역(DA)과 상기 표시영역(DA) 주변의 비표시영역(NDA)이 정의되어 있다. 상기 표시영역(DA)에는 게이트 배선(114)과 상기 게이트 배선(114)과 교차하여 상기 표시영역(DA) 내에 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 형성되어 있다.The first substrate 110 defines a display area DA and a non-display area NDA around the display area DA. A data line 130 is formed in the display area DA so as to cross the gate line 114 and the gate line 114 and define the pixel area P in the display area DA.

상기 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(114) 및 상기 데이터 배선(130)과 연결되어 있는 박막트랜지스터(Tr)가 위치하고 있다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(114)에 연결되어 있는 게이트 전극(112)과, 상기 게이트 전극(112)을 덮는 게이트 절연막(118)과, 상기 게이트 절연막(118) 상에 위치하며 상기 게이트 전극(112)과 중첩하는 반도체층(120)과, 상기 반도체층(120) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(132, 134)으로 구성된다. 상기 반도체층(120)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 액티브층(120a)과 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹콘택층(120b)으로 이루어지며, 상기 소스 전극(132)은 상기 데이터 배선(130)에 연결되어 있다.In the pixel region P, the gate line 114 and the thin film transistor Tr connected to the data line 130 are located. The thin film transistor Tr includes a gate electrode 112 connected to the gate wiring 114 and a gate insulating film 118 covering the gate electrode 112. The gate insulating film 118 is formed on the gate insulating film 118, A semiconductor layer 120 overlapping the gate electrode 112 and source and drain electrodes 132 and 134 spaced from each other on the semiconductor layer 120. [ The semiconductor layer 120 includes an active layer 120a made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 120b made of amorphous silicon. The source electrode 132 is connected to the data line 130.

또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 보호층(140)이 위치하고 있다. 상기 보호층(140)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)을 포함한다. In addition, a protective layer 140 is disposed to cover the thin film transistor Tr. The passivation layer 140 includes a drain contact hole 142 exposing a drain electrode 134 of the thin film transistor Tr.

상기 보호층(140) 상에는 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 드레인 전극(134)과 연결되어 있는 화소전극(146)이 각 화소영역(P)에 위치하고 있다. 상기 화소전극(146)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 상기 화소전극(146)은 상기 게이트 배선(114) 일부와 중첩함으로써 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성하게 된다.A pixel electrode 146 connected to the drain electrode 134 through the drain contact hole 142 is located in each pixel region P on the passivation layer 140. The pixel electrode 146 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). The pixel electrode 146 overlaps with a part of the gate line 114 to form a storage capacitor Cst.

상기 게이트 배선(114)을 통해 전압이 인가되어 상기 박막트랜지스터(Tr)가 온(on) 상태가 되면, 상기 데이터 배선(130) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)를 통해 신호전압이 상기 화소전극(146)에 인가된다.When a voltage is applied through the gate line 114 to turn on the thin film transistor Tr, a signal voltage is applied to the pixel electrode 146 through the data line 130 and the thin film transistor Tr .

상기 제 1 기판(110)의 비표시영역(NDA)에는 공통 배선(116)이 형성되어 있다. 또한, 상기 공통배선(116)은 상기 게이트 절연막(118) 및 상기 보호층(140)에 의해 덮여 있으며, 상기 게이트 절연막(118) 및 상기 보호층(140)은 상기 공통배선(116)을 노출시키는 적어도 하나의 공통 콘택홀(144)을 포함하고 있다. A common wiring 116 is formed in the non-display area NDA of the first substrate 110. The common interconnection 116 is covered with the gate insulating layer 118 and the passivation layer 140 and the gate insulating layer 118 and the passivation layer 140 are formed to expose the common interconnection 116 And includes at least one common contact hole 144.

한편, 상기 제 2 기판(150) 상에는 상기 게이트 배선(114), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)를 포함하여 상기 비표시영역(NDA)를 가리기 위한 블랙매트릭스(152)가 위치하고 있다. 상기 블랙매트릭스(152) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 컬러필터층(154)이 위치한다. 상기 컬러필터층(154)은 적색 컬러필터 패턴(R), 녹색 컬러필터 패턴(G) 및 청색 컬러필터 패턴(미도시)를 포함한다.On the other hand, a black matrix 152 for covering the non-display area NDA including the gate line 114, the data line 130, and the thin film transistor Tr is located on the second substrate 150 have. On the black matrix 152, a color filter layer 154 is positioned corresponding to the pixel region P. The color filter layer 154 includes a red color filter pattern R, a green color filter pattern G, and a blue color filter pattern (not shown).

상기 컬러필터층(154) 위로는 상기 제 2 기판(150) 전면에 대응하여 공통전극(156)이 위치하고 있다. 상기 공통전극(156)은 상기 제 1 기판(110) 상의 상기 공통배선(116)과 연결되어 전압을 인가받는다. 상기 공통전극(156)은 상기 화소전극(146)과 전계를 형성하며, 이에 의해 상기 액정층(170)이 구동된다. 상기 공통전극(156)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.A common electrode 156 is disposed on the color filter layer 154 to correspond to the entire surface of the second substrate 150. The common electrode 156 is connected to the common wiring 116 on the first substrate 110 to receive a voltage. The common electrode 156 forms an electric field with the pixel electrode 146, whereby the liquid crystal layer 170 is driven. The common electrode 156 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

상기 씰패턴(180)은 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)의 가장자리를 따라, 즉 상기 비표시영역(NDA)에 위치하여 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)을 합착시키고 상기 액정층(170)의 누설을 방지하게 된다. 상기 씰패턴(180)은 상기 공통전 극(156)과 접촉하고, 동시에 상기 공통 콘택홀(119)을 통해 상기 공통배선(116)과 접촉하고 있다. 이러한 경우, 상기 씰패턴(180)은 도전볼 등을 포함함으로써 도전 특성을 가지며, 상기 공통 배선(116)으로부터 상기 공통 전극(156)에 공통전압을 인가하게 된다. 도시하지 않았으나, 상기 씰패턴(180)에 대응되는 상기 공통 전극(156)에는 다수의 홀이 형성될 수 있다. 이에 의해 상기 씰패턴(180)에 UV를 조사하여 경화 공정을 진행할 수 있다.The seal pattern 180 is positioned along the edges of the first and second substrates 110 and 150, that is, in the non-display area NDA, and the first and second substrates 110 and 150 are cemented Thereby preventing leakage of the liquid crystal layer 170. The seal pattern 180 is in contact with the common electrode 156 and is in contact with the common wiring 116 through the common contact hole 119 at the same time. In this case, the seal pattern 180 has a conductive property by including a conductive ball or the like, and a common voltage is applied to the common electrode 156 from the common wiring 116. Although not shown, a plurality of holes may be formed in the common electrode 156 corresponding to the seal pattern 180. As a result, the seal pattern 180 can be irradiated with UV to proceed the curing process.

한편, 상기 공통 배선(116)과 상기 공통전극(156)은 도전 도트 등을 이용하여 연결될 수도 있다. 이러한 경우, 상기 씰패턴(190)은 도전 특성을 갖지 않는다.Meanwhile, the common line 116 and the common electrode 156 may be connected by using conductive dots or the like. In this case, the seal pattern 190 does not have a conductive property.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150) 사이에는 셀 갭(cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(column spacer)(160)가 위치하고 있다. 상기 컬럼 스페이서(160)는 게이트 배선(114)에 대응하여 위치함으로써, 개구율 저하를 방지한다. 상기 컬럼 스페이서(160)는 상기 데이터 배선(130) 또는 상기 박맥트랜지스터(Tr)에 대응하여 위치할 수 있다.In addition, a column spacer 160 for maintaining a cell gap is disposed between the first and second substrates 110 and 150. The column spacer 160 is located corresponding to the gate wiring 114, thereby preventing a decrease in the aperture ratio. The column spacer 160 may be positioned corresponding to the data line 130 or the transistor Tr.

또한, 상기 제 2 기판(150)의 비표시영역(NDA)에는 상기 공통전극(156)을 덮으며 상기 전식 방지 패턴(162)이 위치하고 있다. 즉, 상기 공통전극(156)은 상기 제 2 기판(150)의 전면에 형성되기 때문에 상기 씰패턴(180) 외측에도 형성되고 있으며, 상기 전식 방지 패턴(162)은 상기 씰패턴(180) 외측의 상기 공통전극(156)의 상부면을 덮고 있다. 즉, 상기 비표시영역(NDA)에 위치하는 상기 공통전극(156)의 상부면은 상기 씰패턴(180)과 상기 전식 방지 패턴(162)에 의해 완전히 덮여진다. 상기 전식 방지 패턴(162)의 일끝은 상기 씰패턴(180)의 일끝과 일치함으로써, 상 기 비표시영역(NDR)의 상기 공통 전극(156)을 완전히 덮게 된다. 즉, 상기 전식 방지 패턴(162)의 일측은 상기 씰패턴(180)의 일측과 접촉한다. 상기 전식 방지 패턴(162)은 상기 컬럼 스페이서 (162)와 동일층에 위치하고 동일물질로 이루어진다. 이에 의해 액정표시장치의 제조 고정이 복잡해지고 제조 원가가 상승하는 문제를 방지할 수 있다.The non-display area NDA of the second substrate 150 covers the common electrode 156 and the electric discharge prevention pattern 162 is positioned. That is, since the common electrode 156 is formed on the front surface of the second substrate 150, the common electrode 156 is also formed on the outer side of the seal pattern 180, And covers the upper surface of the common electrode 156. That is, the upper surface of the common electrode 156 located in the non-display area NDA is completely covered with the seal pattern 180 and the electric-discharge prevention pattern 162. One end of the electric discharge prevention pattern 162 is aligned with one end of the seal pattern 180 to completely cover the common electrode 156 of the non-display area NDR. That is, one side of the electric discharge prevention pattern 162 comes into contact with one side of the seal pattern 180. The electric discharge prevention pattern 162 is located on the same layer as the column spacer 162 and is made of the same material. This makes it possible to prevent the manufacturing and fixing of the liquid crystal display device from being complicated and the manufacturing cost to rise.

이러한 구성에 의하면, 상기 제 2 기판(150) 상의 전면에 형성되는 상기 공통 전극(156) 중 상기 씰패턴(180) 외측의 부분이 상기 전식 방지 패턴(162)에 의해 보호된다. 따라서, 상기 공통 전극(156)의 전식에 의한 표시 품질 저하 및 수명 단축의 문제가 방지된다.According to such a configuration, a part of the common electrode 156 formed on the entire surface of the second substrate 150 outside the seal pattern 180 is protected by the electric discharge prevention pattern 162. Therefore, problems of display quality deterioration and shortened life span due to the electric current of the common electrode 156 can be prevented.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이 기판의 제조 공정 단면도이고, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 컬러필터 기판의 제조 공정 단면도이다. 도 4a 내지 도 4d, 도 5a 내지 도 5d와 도 3을 참조하여, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 설명한다.FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an array substrate of a liquid crystal display device according to the present invention, and FIGS. 5A to 5D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a color filter substrate of a liquid crystal display device according to the present invention. 4A to 4D, 5A to 5D and 3, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention will be described.

도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 기판(110) 상에 제 1 금속층(미도시)을 형성하고 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 제 1 방향을 따라 연장된 상기 게이트 배선(114)과, 상기 게이트 배선(114)으로부터 연장된 상기 게이트 전극(112)과, 상기 공통배선(116)을 형성한다. 상기 게이트 배선(114)과 상기 게이트 전극(112)은 상기 표시영역(DA)에 위치하고, 상기 공통배선(116)은 상기 비표시영역(NDA)에 위치한다. 상기 제 1 금속층은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰 리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금 중 어느 하나로 이루어진다.As shown in FIG. 4A, the first metal layer (not shown) is formed on the first substrate 110 and patterned by a mask process to form the gate wiring 114 extending along the first direction, The gate electrode 112 extending from the gate wiring 114 and the common wiring 116 are formed. The gate wiring 114 and the gate electrode 112 are located in the display area DA and the common wiring 116 is located in the non-display area NDA. The first metal layer is made of any one of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu), and copper alloy.

다음으로, 상기 게이트 배선(114), 상기 게이트 전극(112) 및 상기 공통 배선(116) 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질을 증착함으로써, 상기 게이트 절연막(118)을 형성한다.Next, the gate insulating film 118 is formed by depositing an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride on the gate wiring 114, the gate electrode 112, and the common wiring 116.

다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(118) 상에 순수 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)을 연속하여 증착하고 마스크 공정에 의해 패턴닝함으로써, 상기 게이트 전극(112)에 대응하여 상기 액티브층(120a)과 상기 오믹콘택층(120b)을 형성한다. 상기 액티브층(120a)과 상기 오믹콘택층(120b)은 반도체층(120)을 이룬다. Next, as shown in FIG. 4B, a pure amorphous silicon layer (not shown) and an impurity amorphous silicon layer (not shown) are continuously deposited on the gate insulating layer 118 and patterned by a mask process, The active layer 120a and the ohmic contact layer 120b are formed corresponding to the electrode 112. [ The active layer 120a and the ohmic contact layer 120b form a semiconductor layer 120. [

다음, 상기 반도체층(120) 및 상기 게이트 절연막(118) 상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금 중 어느 하나를 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 상기 반도체층(120) 상에 서로 이격하는 상기 소스 전극(132)과 상기 드레인 전극(134)을 형성한다. 상기 게이트 전극(112), 상기 게이트 절연막(118), 상기 반도체층(120), 상기 소스 전극(132) 및 상기 드레인 전극(134)는 상기 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.Next, one of aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu), and copper alloy is deposited on the semiconductor layer 120 and the gate insulating layer 118 to form a second metal layer And the source electrode 132 and the drain electrode 134 are formed on the semiconductor layer 120. The source electrode 132 and the drain electrode 134 are formed on the semiconductor layer 120 by a mask process. The gate electrode 112, the gate insulating layer 118, the semiconductor layer 120, the source electrode 132, and the drain electrode 134 form the thin film transistor Tr.

또한 상기 게이트 절연막(118) 상에는 상기 소스 전극(132)과 연결되어 있는 상기 데이터 배선(130)이 형성된다. 상기 데이터 배선(130)은 상기 게이트 배선(114)과 교차하여 상기 화소영역(P)을 정의한다.The data line 130 connected to the source electrode 132 is formed on the gate insulating layer 118. The data line 130 intersects the gate line 114 to define the pixel region P. [

다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(132), 상기 드레인 전 극(134) 및 상기 데이터 배선(130) 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질을 증착함으로써 상기 보호층(140)을 형성한다. 상기 보호층(140)은 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다. 이후, 상기 보호층(140)을 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써 상기 드레인 전극(134)을 노출시키는 상기 드레인 콘택홀(142)을 형성한다. 또한, 상기 보호층(140) 및 그 하부의 상기 게이트 절연막(118)을 패터닝함으로써, 상기 공통배선(116)을 노출시키는 상기 공통 콘택홀(144)을 형성한다.4C, an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride is deposited on the source electrode 132, the drain electrode 134, and the data line 130, 140 are formed. The passivation layer 140 may be formed of an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl. Thereafter, the protective layer 140 is patterned by a mask process to form the drain contact hole 142 exposing the drain electrode 134. The common contact hole 144 exposing the common wiring 116 is formed by patterning the protection layer 140 and the gate insulating film 118 under the protection layer 140.

다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(140) 상에 ITO 또는 IZO를 증착시켜 투명 도전성 물질층(미도시)을 증착한다. 이후 상기 투명 도전성 물질층을패터닝하여 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)과 연결되는 상기 화소전극(146)을 형성함으로써, 어레이 기판을 얻을 수 있다.Next, as shown in FIG. 4D, a transparent conductive material layer (not shown) is deposited by depositing ITO or IZO on the passivation layer 140. Then, the transparent conductive material layer is patterned to form the pixel electrode 146 connected to the drain electrode 134 of the thin film transistor Tr through the drain contact hole 142, thereby obtaining an array substrate.

도 5a에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(150) 상에 상기 블랙매트릭스(152)을 형성한다. 상기 블랙매트릭스(152)는 상기 제 1 기판(110)에 형성되는 상기 게이트 배선(114) 및 상기 비표시영역(NDA)에 대응하여 빛샘을 차단하게 된다. 한편, 상기 블랙매트릭스(152)는 상기 데이터 배선(130) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)에 대응하여 더욱 형성될 수 있다. 즉, 상기 표시영역(DA)에 위치하는 상기 블랙매트릭스(152)는 상기 화소영역(P)을 노출시키도록 격자(lattice) 형상을 갖는다. The black matrix 152 is formed on the second substrate 150 as shown in FIG. 5A. The black matrix 152 blocks the light leakage corresponding to the gate wiring 114 and the non-display area NDA formed on the first substrate 110. Meanwhile, the black matrix 152 may be further formed corresponding to the data line 130 and the thin film transistor Tr. That is, the black matrix 152 located in the display area DA has a lattice shape to expose the pixel area P.

다음, 상기 블랙매트릭스(152)가 형성된 상기 제 2 기판(150)에 상기 컬러필터층(154)을 형성한다. 상기 컬러필터층(154)은 적색 컬러필터 패턴(R), 녹색 컬러 필터 패턴(G) 및 청색 컬러필터 패턴(미도시)를 포함한다. 흑백 영상의 구현 시에는 상기 컬러필터층(154)은 생략 가능하다.Next, the color filter layer 154 is formed on the second substrate 150 on which the black matrix 152 is formed. The color filter layer 154 includes a red color filter pattern R, a green color filter pattern G, and a blue color filter pattern (not shown). The color filter layer 154 may be omitted when implementing a monochrome image.

다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터층(154)과 상기 비표시영역(NDA)의 상기 블랙매트릭스(152)를 덮으며 상기 제 2 기판(150) 전면에 상기 공통 전극(156)을 형성한다. 상기 공통전극(156)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.5B, the common electrode 156 is formed on the entire surface of the second substrate 150, covering the color filter layer 154 and the black matrix 152 of the non-display area NDA, . The common electrode 156 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

다음, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 공통 전극(156) 위로 감광(photosensitive) 특성을 갖는 유기 물질층(190)을 형성한다. 예를 들어, 상기 유기 물질층(190)은 네거티브(negative) 감광 특성을 가질 수 있고, 상기 유기물질층(190)은 포토 아크릴(photo-acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)으로 이루어질 수 있다. 상기 유기 물질층(190)은 컬럼 스페이서(도 3의 160)로 이용되기 때문에, 빛을 받은 부분이 남게 되는 네거티브 감광 특성을 갖는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 5C, an organic material layer 190 having a photosensitive property is formed on the common electrode 156. Next, as shown in FIG. For example, the organic material layer 190 may have a negative photosensitive characteristic, and the organic material layer 190 may be formed of photo-acryl or benzocyclobutene (BCB). have. Since the organic material layer 190 is used as a column spacer (160 in FIG. 3), it is preferable that the organic material layer 190 has a negative photosensitive characteristic in which a light receiving portion remains.

다음, 상기 유기 물질층(190) 상부로 투과부(A)와, 반투과부(B) 및 차단부(C)를 갖는 노광 마스크(192)를 위치시킨다. 상기 투과부(A)는 상기 컬럼스페이서(160)에 대응되며, 상기 반투과부(B)는 상기 전식 방지 패턴(162)에 대응된다. 상기 반투과부(B)의 투과율은 상기 투과부(A)보다 작고 상기 차단부(C)보다 크다. Next, an exposure mask 192 having a transmissive portion A, a transflective portion B, and a blocking portion C is disposed on the organic material layer 190. The transmissive portion A corresponds to the column spacer 160 and the transflective portion B corresponds to the electric discharge prevention pattern 162. [ The transmissivity of the transflective portion B is smaller than that of the transmissive portion A and larger than that of the blocking portion C.

상기 노광 마스크(192)를 이용하여 상기 유기 물질층(190)에 대하여 노광(exposing) 공정을 진행하면, 상기 투과부(A)에 대응된 상기 유기 물질층(190)의 특성은 완전히 변화하고, 상기 반투과부(B)에 대응된 상기 유기 물질층(190)의 특 성은 일부만 변화하며, 상기 차단부(C)에 대응된 상기 유기 물질층(190)의 특성은 변화하지 않는다.When the exposing process is performed on the organic material layer 190 using the exposure mask 192, the characteristics of the organic material layer 190 corresponding to the transmissive portion A are completely changed, The characteristic of the organic material layer 190 corresponding to the transflective portion B changes only partially and the characteristic of the organic material layer 190 corresponding to the blocking portion C does not change.

따라서 상기 노광된 유기 물질층(190)에 대하여 현상(developing)을 진행하면 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 차단부(C)에 대응된 상기 유기 물질층(190)은 완전히 제거되고, 상기 투과부(A)에 대응된 상기 유기 물질층(190)은 전혀 제거되지 않고 남아 상기 컬럼 스페이서(160)를 형성하게 된다. 또한, 상기 반투과(B)에 대응된 상기 유기 물질층(190)은 일부만이 제거되고 나머지 부분이 상기 전식 방지 패턴(162)을 형성하게 된다. 위 공정에 의해 컬러필터 기판을 얻을 수 있다.5D, the organic material layer 190 corresponding to the cut-off portion C is completely removed, and when the organic material layer 190 is exposed to light, The organic material layer 190 corresponding to the column A is left without being removed at all to form the column spacer 160. In addition, only a part of the organic material layer 190 corresponding to the transflective layer (B) is removed, and the remaining part forms the electric discharge prevention pattern 162. The color filter substrate can be obtained by the above process.

다음, 도시하지 않았으나, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)의 가장자리를 따라 상기 씰패턴(180)을 형성하여, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)을 합착시킨다. 이때, 상기 컬럼 스페이서(160)는 상기 제 1 기판(100)에 형성된 최 상부 구성인 화소전극(146) 또는 보호층(140)과 접촉함으로써, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150) 사이의 셀 갭을 균일하게 유지한다. 상기 씰패턴(180)은 상기 비표시영역(NDR)에 위치하며, 상기 전식 방지 패턴(162)의 그 끝이 일치하여 상기 비표시영역(NDR)의 상기 공통 전극(156)을 완전히 덮고, 따라서 상기 공통 전극(156)의 전식을 방식할 수 있다. 다음, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150) 사이 공간에 상기 액정층(170)을 주입함으로써, 본 발명에 따른 액정표시장치를 얻을 수 있다.Next, although not shown, the seal pattern 180 is formed along the edges of the first and second substrates 110 and 150 to attach the first and second substrates 110 and 150 together. The column spacer 160 is in contact with the pixel electrode 146 or the passivation layer 140 which is the uppermost structure formed on the first substrate 100 so that the gap between the first and second substrates 110 and 150 Thereby maintaining a uniform cell gap. The seal pattern 180 is located in the non-display area NDR and the end of the electric discharge prevention pattern 162 coincides to completely cover the common electrode 156 of the non-display area NDR, The common electrode 156 may be turned on. Next, the liquid crystal display device according to the present invention can be obtained by injecting the liquid crystal layer 170 into a space between the first and second substrates 110 and 150.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에 대한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 제 1 기 판(210)과, 상기 제1 기판(210)과 마주하고 있는 제 2 기판(250)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250) 사이에 개재되어 있는 액정층(270)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250)의 가장자리를 따라 형성되어 상기 액정층(270)의 누설을 방지하기 위한 씰패턴(280) 및 상기 제 2 기판(250) 상에 상기 씰패턴(280) 외측에 위치하는 전식 방지 패턴(262)을 포함한다.As shown in the drawing, the liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention includes a first substrate 210, a second substrate 250 facing the first substrate 210, A liquid crystal layer 270 interposed between the first and second substrates 210 and 250 and a liquid crystal layer 270 formed along the edges of the first and second substrates 210 and 250 to prevent the liquid crystal layer 270 from leaking A seal pattern 280 and an electric discharge prevention pattern 262 located on the second substrate 250 outside the seal pattern 280.

상기 제 1 기판(210)에는 표시영역(DA)과 상기 표시영역(DA) 주변의 비표시영역(NDA)이 정의되어 있다. 상기 표시영역(DA)에는 게이트 배선(214)과 상기 게이트 배선(214)과 교차하여 상기 표시영역(DA) 내에 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(230)이 형성되어 있다.The first substrate 210 defines a display area DA and a non-display area NDA around the display area DA. A data line 230 is formed in the display area DA to intersect the gate line 214 and the gate line 214 and define the pixel area P in the display area DA.

상기 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(214) 및 상기 데이터 배선(230)과 연결되어 있는 박막트랜지스터(Tr)가 위치하고 있다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(214)에 연결되어 있는 게이트 전극(212)과, 상기 게이트 전극(212)을 덮는 게이트 절연막(218)과, 상기 게이트 절연막(218) 상에 위치하며 상기 게이트 전극(212)과 중첩하는 반도체층(220)과, 상기 반도체층(220) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(232, 234)으로 구성된다. 상기 반도체층(220)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 액티브층(220a)과 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹콘택층(220b)으로 이루어지며, 상기 소스 전극(232)은 상기 데이터 배선(230)에 연결되어 있다.In the pixel region P, the gate line 214 and the thin film transistor Tr connected to the data line 230 are positioned. The thin film transistor Tr includes a gate electrode 212 connected to the gate wiring 214, a gate insulating film 218 covering the gate electrode 212, A semiconductor layer 220 overlapping the gate electrode 212 and source and drain electrodes 232 and 234 spaced from each other on the semiconductor layer 220. The semiconductor layer 220 includes an active layer 220a made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 220b made of amorphous silicon. The source electrode 232 is connected to the data line 230.

또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 보호층(240)이 위치하고 있다. 상기 보호층(240)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(234)을 노출시키는 드레 인 콘택홀(242)을 포함한다. In addition, a protective layer 240 is disposed to cover the thin film transistor Tr. The passivation layer 240 includes a drain contact hole 242 exposing the drain electrode 234 of the thin film transistor Tr.

상기 보호층(240) 상에는 상기 드레인 콘택홀(242)을 통해 상기 드레인 전극(234)과 연결되어 있는 화소전극(246)이 각 화소영역(P)에 위치하고 있다. 상기 화소전극(246)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다. 상기 화소전극(246)은 상기 게이트 배선(214) 일부와 중첩함으로써 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성하게 된다.A pixel electrode 246 connected to the drain electrode 234 through the drain contact hole 242 is located in each pixel region P on the passivation layer 240. The pixel electrode 246 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). The pixel electrode 246 overlaps with a part of the gate wiring 214 to form a storage capacitor Cst.

상기 게이트 배선(214)을 통해 전압이 인가되어 상기 박막트랜지스터(Tr)가 온(on) 상태가 되면, 상기 데이터 배선(230) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)를 통해 신호전압이 상기 화소전극(246)에 인가된다.When a voltage is applied through the gate line 214 to turn on the thin film transistor Tr, a signal voltage is applied to the pixel electrode 246 through the data line 230 and the thin film transistor Tr .

상기 제 1 기판(210)의 비표시영역(NDA)에는 공통 배선(216)이 형성되어 있다. 또한, 상기 공통배선(216)은 상기 게이트 절연막(218) 및 상기 보호층(240)에 의해 덮여 있으며, 상기 게이트 절연막(218) 및 상기 보호층(240)은 상기 공통배선(216)을 노출시키는 적어도 하나의 공통 콘택홀(244)을 포함하고 있다. A common wiring 216 is formed in the non-display area NDA of the first substrate 210. [ The common interconnection 216 is covered with the gate insulating layer 218 and the passivation layer 240 and the gate insulating layer 218 and the passivation layer 240 are formed to expose the common interconnection 216 And at least one common contact hole 244.

한편, 상기 제 2 기판(250) 상에는 상기 게이트 배선(214), 상기 데이터 배선(230) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)를 포함하여 상기 비표시영역(NDA)를 가리기 위한 블랙매트릭스(252)가 위치하고 있다. 상기 블랙매트릭스(252) 상에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 컬러필터층(254)이 위치한다. 상기 컬러필터층(254)은 적색 컬러필터 패턴(R), 녹색 컬러필터 패턴(G) 및 청색 컬러필터 패턴(미도시)를 포함한다.On the other hand, a black matrix 252 for covering the non-display region NDA including the gate wiring 214, the data line 230, and the thin film transistor Tr is located on the second substrate 250 have. A color filter layer 254 is disposed on the black matrix 252 in correspondence with the pixel region P. The color filter layer 254 includes a red color filter pattern R, a green color filter pattern G, and a blue color filter pattern (not shown).

상기 컬러필터층(254) 위로는 상기 제 2 기판(150) 전면에 대응하여 공통전극(256)이 위치하고 있다. 상기 공통전극(256)은 상기 제 1 기판(210) 상의 상기 공통배선(216)과 연결되어 전압을 인가받는다. 상기 공통전극(256)은 상기 화소전극(246)과 전계를 형성하며, 이에 의해 상기 액정층(270)이 구동된다. 상기 공통전극(256)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.A common electrode 256 is disposed on the color filter layer 254 to correspond to the entire surface of the second substrate 150. The common electrode 256 is connected to the common wiring 216 on the first substrate 210 and receives a voltage. The common electrode 256 forms an electric field with the pixel electrode 246, whereby the liquid crystal layer 270 is driven. The common electrode 256 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

상기 씰패턴(180)은 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250)의 가장자리를 따라, 즉 상기 비표시영역(NDA)에 위치하여 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250)을 합착시키고 상기 액정층(270)의 누설을 방지하게 된다. 상기 씰패턴(280)은 상기 공통전극(256)과 접촉하고, 동시에 상기 공통 콘택홀(219)을 통해 상기 공통배선(216)과 접촉하고 있다. 이러한 경우, 상기 씰패턴(280)은 도전볼 등을 포함함으로써 도전 특성을 가지며, 상기 공통 배선(216)으로부터 상기 공통 전극(256)에 공통전압을 인가하게 된다. 도시하지 않았으나, 상기 씰패턴(280)에 대응되는 상기 공통 전극(256)에는 다수의 홀이 형성될 수 있다. 이에 의해 상기 씰패턴(280)에 UV를 조사하여 경화 공정을 진행할 수 있다.The seal pattern 180 is positioned along the edges of the first and second substrates 210 and 250, that is, in the non-display area NDA, and the first and second substrates 210 and 250 are bonded together The leakage of the liquid crystal layer 270 is prevented. The seal pattern 280 is in contact with the common electrode 256 and is in contact with the common wiring 216 through the common contact hole 219 at the same time. In this case, the seal pattern 280 has a conductive property by including a conductive ball or the like, and a common voltage is applied to the common electrode 256 from the common wiring 216. Although not shown, a plurality of holes may be formed in the common electrode 256 corresponding to the seal pattern 280. Thus, the seal pattern 280 can be irradiated with UV to proceed the curing process.

한편, 상기 공통 배선(216)과 상기 공통전극(256)은 도전 도트 등을 이용하여 연결될 수도 있다. 이러한 경우, 상기 씰패턴(290)은 도전 특성을 갖지 않는다.Meanwhile, the common line 216 and the common electrode 256 may be connected by using conductive dots or the like. In this case, the seal pattern 290 does not have a conductive property.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250) 사이에는 셀 갭(cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(column spacer)(260)가 위치하고 있다. 상기 컬럼 스페이서(260)는 게이트 배선(2140)에 대응하여 위치함으로써, 개구율 저하를 방지한다. 상기 컬럼스페이서(260)는 상기 데이터 배선(230) 또는 상기 박맥트랜지스터(Tr)에 대응하여 위치할 수 있다.In addition, a column spacer 260 for maintaining a cell gap is disposed between the first and second substrates 210 and 250. The column spacer 260 is located corresponding to the gate wiring 2140, thereby preventing the aperture ratio from lowering. The column spacer 260 may be positioned corresponding to the data line 230 or the transistor Tr.

또한, 상기 제 2 기판(250)의 비표시영역(NDA)에는 상기 공통전극(256)을 덮으며 상기 전식 방지 패턴(262)이 위치하고 있다. 즉, 상기 공통전극(256)은 상기 제 2 기판(250)의 전면에 형성되기 때문에 상기 씰패턴(280) 외측에도 형성되고 있으며, 상기 전식 방지 패턴(262)은 상기 씰패턴(280) 외측의 상기 공통전극(256)의 상부면을 덮고 있다. 즉, 상기 비표시영역(NDA)에 위치하는 상기 공통전극(156)의 상부면은 상기 씰패턴(180)과 상기 전식 방지 패턴(162)에 의해 완전히 덮여진다. 상기 전식 방지 패턴(262)은 상기 씰패턴(280)과 일부 중첩하도록 위치함으로써, 씰패턴(290) 정렬 오차에 의해 상기 공통 전극(256)이 노출되는 것을 원천적으로 방지한다. 즉, 상기 전식 방지 패턴(262)의 일측면과 상부면은 상기 씰패턴(280)과 접촉하도록 위치한다. 상기 전식 방지 패턴(262)은 상기 컬럼 스페이서 (262)와 동일층에 위치하고 동일물질로 이루어진다. 이에 의해 액정표시장치의 제조 고정이 복잡해지고 제조 원가가 상승하는 문제를 방지할 수 있다.The non-display area NDA of the second substrate 250 covers the common electrode 256 and the electric discharge prevention pattern 262 is positioned. That is, the common electrode 256 is also formed outside the seal pattern 280 because the common electrode 256 is formed on the front surface of the second substrate 250. The electric contact prevention pattern 262 is formed on the outside of the seal pattern 280 And covers the upper surface of the common electrode 256. That is, the upper surface of the common electrode 156 located in the non-display area NDA is completely covered with the seal pattern 180 and the electric-discharge prevention pattern 162. The electric discharge prevention pattern 262 is disposed to partially overlap the seal pattern 280 to prevent the common electrode 256 from being exposed due to the alignment error of the seal pattern 290. That is, one side surface and the upper surface of the electric discharge prevention pattern 262 are positioned to contact the seal pattern 280. The electric discharge prevention pattern 262 is located on the same layer as the column spacer 262 and is made of the same material. This makes it possible to prevent the manufacturing and fixing of the liquid crystal display device from being complicated and the manufacturing cost to rise.

이러한 구성에 의하면, 상기 제 2 기판(250) 상의 전면에 형성되는 상기 공통 전극(256) 중 상기 씰패턴(280) 외측의 부분이 상기 전식 방지 패턴(262)에 의해 보호된다. 따라서, 상기 공통 전극(256)의 전식에 의한 표시 품질 저하 및 수명 단축의 문제가 방지된다.According to such a configuration, a portion of the common electrode 256 formed on the entire surface of the second substrate 250 outside the seal pattern 280 is protected by the electric discharge prevention pattern 262. Therefore, the problem of the display quality deterioration and the shortening of the life span of the common electrode 256 can be prevented.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that

도 1은 종래의 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a conventional liquid crystal display device.

도 2는 종래 액정표시장치의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 어레이 기판의 제조 공정 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an array substrate of a liquid crystal display device according to the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 컬러필터 기판의 제조 공정 단면도이다.5A to 5D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a color filter substrate of a liquid crystal display device according to the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에 대한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

Claims (10)

표시영역과 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 제 1 기판과;A first substrate on which a display region and a non-display region around the display region are defined; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하는 게이트 배선과;A gate wiring located in the display region on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에, 상기 비표시영역에 위치하는 공통 배선과;A common wiring located on the non-display area on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하며, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;A data line on the first substrate, the data line being located in the display region and defining a pixel region crossing the gate line; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터와;A thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring; 상기 박막트랜지스터와 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 화소전극과;A pixel electrode connected to the thin film transistor and located in the pixel region; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과;A second substrate facing the first substrate; 상기 제 2 기판의 전면에 형성된 공통 전극과;A common electrode formed on a front surface of the second substrate; 상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리를 따라 위치하는 씰패턴과;A seal pattern positioned along an edge of the first and second substrates; 상기 공통 전극 상에, 상기 씰패턴 외측으로 위치하며, 그 일측이 상기 씰패턴의 측면과 접촉하는 전식 방지 패턴과;An anti-tamper pattern on the common electrode, the anti-tamper pattern being located outside the seal pattern and having one side thereof contacting the side surface of the seal pattern; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,And a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates, 상기 비표시영역에 위치하는 상기 공통전극의 상부면은 상기 씰패턴과 상기 전식 방지 패턴에 의해 완전히 덮여지는 액정표시장치.And the upper surface of the common electrode located in the non-display area is completely covered by the seal pattern and the electric-discharge preventing pattern. 표시영역과 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 제 1 기판과;A first substrate on which a display region and a non-display region around the display region are defined; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하는 게이트 배선과;A gate wiring located in the display region on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에, 상기 비표시영역에 위치하는 공통 배선과;A common wiring located on the non-display area on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에, 상기 표시영역에 위치하며, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;A data line on the first substrate, the data line being located in the display region and defining a pixel region crossing the gate line; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터와;A thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring; 상기 박막트랜지스터와 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 화소전극과;A pixel electrode connected to the thin film transistor and located in the pixel region; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과;A second substrate facing the first substrate; 상기 제 2 기판의 전면에 형성된 공통 전극과;A common electrode formed on a front surface of the second substrate; 상기 제 1 및 제 2 기판의 가장자리를 따라 위치하는 씰패턴과;A seal pattern positioned along an edge of the first and second substrates; 상기 공통 전극 상에, 상기 씰패턴 외측으로 위치하며, 그 일측면과 상부면이상기 씰패턴과 접촉하는 전식 방지 패턴과;An anti-tamper pattern positioned on the common electrode outside the seal pattern and in contact with the one side face and the top face seal pattern of the upper face; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 위치하는 액정층And a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates 을 포함하는 액정표시장치.And the liquid crystal display device. 제 1항 또는 2항에 있어서,3. The method according to claim 1 or 2, 상기 표시영역에 위치하며 상기 제 1 및 제 2 기판 사이의 거리를 일정하게 유지하기 위한 컬럼 스페이서를 포함하는 것이 특징인 액정표시장치.And a column spacer disposed in the display region and maintaining a constant distance between the first and second substrates. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 컬럼 스페이서는 상기 전식 방지 패턴과 동일층에 위치하며 동일 물질로 이루어지는 것이 특징인 액정표시장치.Wherein the column spacer is located on the same layer as the electric discharge prevention pattern and is made of the same material. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,3. The method according to claim 1 or 2, 상기 씰패턴의 일단은 상기 공통 배선에 연결되고 타단은 상기 공통 전극에 연결되는 것이 특징인 액정표시장치.Wherein one end of the seal pattern is connected to the common wiring and the other end is connected to the common electrode. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,3. The method according to claim 1 or 2, 상기 제 2 기판 상에, 상기 게이트 배선과, 상기 데이터 배선과, 상기 박막트랜지스터에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스와;A black matrix disposed on the second substrate corresponding to the gate wiring, the data wiring, and the thin film transistor; 상기 화소영역에 대응하며 상기 제 2 기판 상에 위치하는 컬러필터층을 포함하고,And a color filter layer corresponding to the pixel region and located on the second substrate, 상기 공통 전극은 상기 컬러필터층 상에 위치하는 것이 특징인 액정표시장치.And the common electrode is located on the color filter layer. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 비표시영역에 위치하는 상기 공통전극의 상부면은 상기 씰패턴과 상기 전식 방지 패턴에 의해 완전히 덮여지는 것이 특징인 액정표시장치.And the upper surface of the common electrode located in the non-display area is completely covered by the seal pattern and the electric-discharge preventing pattern. 제 1 기판의 표시영역에 게이트 배선을 형성하고, 상기 표시영역 주변의 비표시영역에 공통 배선을 형성하는 단계와;Forming a gate wiring in a display region of the first substrate and forming a common wiring in a non-display region around the display region; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 상기 제 1기판 상에 형성하는 단계와;Forming a data line crossing the gate line and defining a pixel region on the first substrate; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 상기 제 1 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor connected to the gate line and the data line and located on the first substrate; 상기 박막트랜지스터와 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계와;Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor and located in the pixel region; 상기 표시영역과 상기 비표시영역이 정의된 제 2 기판 상의 전면에 공통 전극을 형성하는 단계와;Forming a common electrode on the entire surface of the second substrate on which the display area and the non-display area are defined; 상기 공통 전극 상에, 상기 표시영역에 대응하는 컬럼 스페이서와 상기 비표시영역에 위치하는 상기 공통전극의 상부면을 덮는 전식 방지 패턴을 형성하는 단계와;Forming an electric discharge preventing pattern covering the column spacer corresponding to the display region and the upper surface of the common electrode located in the non-display region on the common electrode; 상기 제 2 기판의 가장자리에 씰패턴을 형성하는 단계와;Forming a seal pattern on an edge of the second substrate; 상기 씰패턴 및 상기 컬럼 스페이서에 의해 그 내부 공간이 정의되도록 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착하는 단계와;Attaching the first and second substrates such that the inner space is defined by the seal pattern and the column spacer; 상기 제 1 및 제 2 기판의 내부 공간에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,And forming a liquid crystal layer in an inner space of the first and second substrates, 상기 비표시영역의 상기 공통전극 상부면은 상기 씰패턴과 상기 전식 방지 패턴에 의해 완전히 덮여지는 것이 특징인 액정표시장치의 제조방법.And the upper surface of the common electrode of the non-display area is completely covered by the seal pattern and the electric-discharge preventing pattern. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제 2 기판 상에, 상기 게이트 배선과, 상기 데이터 배선과, 상기 박막트랜지스터에 대응하여 위치하는 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a black matrix on the second substrate corresponding to the gate wiring, the data wiring, and the thin film transistor; 상기 화소영역에 대응하여 위치하는 컬러필터층를 상기 제 2 기판에 형성하는 단계를 포함하고,And forming a color filter layer corresponding to the pixel region on the second substrate, 상기 공통 전극은 상기 컬러필터층 상에 위치하는 것이 특징인 액정표시장치의 제조방법.And the common electrode is located on the color filter layer. 삭제delete
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