KR101590090B1

KR101590090B1 - Film Forming Apparatus

Info

Publication number: KR101590090B1
Application number: KR1020140046561A
Authority: KR
Inventors: 토시유키 사케미; 마사루 미야시타; 히사시 기타미; 히로유키 마키노
Original assignee: 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
Priority date: 2013-05-28
Filing date: 2014-04-18
Publication date: 2016-01-29
Also published as: TWI530577B; JP6013274B2; KR20140139960A; JP2014231619A; CN104178736A; CN104178736B; TW201447007A

Abstract

성막재료의 재료 이용효율을 향상시킬 수 있는 성막장치를 제공한다.
성막장치(1)는, 증발원(2)으로부터의 성막재료입자(Mb)의 확산폭을 조정하는 확산폭 조정부(50)를 구비하고 있다. 이 확산폭 조정부(50)는, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭에 비해, 짧은 길이방향(D1)에 직교하는 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭을 크게 할 수 있다. 즉, 확산폭 조정부(50)는, 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭에 비해, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 진공챔버(10)의 측벽(10i) 및 측벽(10h)에 부착되는 것을 억제하도록, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다. 이로써, 진공챔버(10)의 벽면에 부착되는 성막재료입자(Mb)를 감소시킬 수 있어, 성막재료(Ma)의 재료 이용효율을 향상시킬 수 있다.A film forming apparatus capable of improving the material utilization efficiency of a film forming material.
The film forming apparatus 1 is provided with a diffusion width adjusting section 50 that adjusts the diffusion width of the film forming material particles Mb from the evaporation source 2. The diffusion width adjusting section 50 can increase the diffusion width in the long direction D2 orthogonal to the short direction D1, as compared with the diffusion width in the short direction D1. That is, the diffusion width adjusting section 50 can reduce the diffusion width in the short longitudinal direction D1, as compared with the diffusion width in the long longitudinal direction D2. The diffusion width in the short longitudinal direction D1 can be reduced so as to suppress adhesion to the side wall 10i and the side wall 10h of the vacuum chamber 10 opposed to the short longitudinal direction D1. As a result, the film forming material particles (Mb) adhering to the wall surface of the vacuum chamber (10) can be reduced, and the material utilization efficiency of the film forming material (Ma) can be improved.

Description

{Film Forming Apparatus}

본 출원은, 2013년 5월 28일에 출원된 일본 특허출원 제2013-111772호에 근거하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2013-111772 filed on May 28, 2013. The entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은, 성막장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus.

성막대상물의 표면에 막을 형성하는 성막장치로서, 예를 들면 이온플레이팅법을 이용한 것이 있다. 예를 들면 특허문헌 1에는, 증발시킨 성막재료의 입자를 진공챔버 내로 확산시켜, 성막대상물의 표면에 성막재료의 입자를 부착시키는 이온플레이팅법에 따른 성막장치가 기재되어 있다. 이 성막장치에서는, 성막대상물을 소정의 반송방향으로 반송하는 반송기구가 마련되어 있다.As a film forming apparatus for forming a film on the surface of a film forming object, for example, an ion plating method is used. For example, Patent Document 1 discloses a film forming apparatus according to an ion plating method in which particles of a film forming material evaporated are diffused into a vacuum chamber, and particles of a film forming material are adhered to the surface of an object to be film-formed. In this film-forming apparatus, a transport mechanism for transporting an object to be film-formed in a predetermined transport direction is provided.

선행기술문헌Prior art literature

(특허문헌)(Patent Literature)

특허문헌 1: 일본 특허공개공보 평9-256147호Patent Document 1: JP-A-9-256147

여기에서, 상술한 특허문헌 1에 기재된 성막장치에서는, 증발원에서 증발한 성막재료의 입자가, 당해 증발원으로부터 퍼지도록 성막대상물을 향하여 확산된다. 한편, 진공챔버는, 성막대상물의 반송방향을 따른 방향에 있어서 대향하는 벽면을 가지고 있으며, 당해 벽면에 확산된 성막재료의 입자가 부착되는 경우가 있다. 이와 같이, 진공챔버에 성막재료의 입자가 부착되는 경우, 성막대상물에 부착되는 성막재료의 입자가 감소하기 때문에, 재료 이용효율이 저하된다는 문제가 있다.Here, in the film forming apparatus described in the above-mentioned Patent Document 1, the particles of the film forming material evaporated from the evaporation source are diffused toward the object to be formed so as to spread from the evaporation source. On the other hand, the vacuum chamber has opposite wall faces in the direction along the carrying direction of the object to be film-formed, and particles of the film-forming material diffused to the wall face may be adhered. In this way, when the particles of the film-forming material adhere to the vacuum chamber, the particles of the film-forming material adhering to the object to be film-formed are reduced, which causes a problem that the material utilization efficiency is lowered.

따라서, 본 발명은, 성막재료의 재료 이용효율을 향상시킬 수 있는 성막장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a film forming apparatus capable of improving the material utilization efficiency of a film forming material.

본 발명에 관한 성막장치는, 이온플레이팅법에 따라, 진공챔버 내에서 성막재료의 입자를 성막대상물에 부착시키는 성막장치로서, 성막재료를 증발시켜 성막재료의 입자를 확산시키는 증발원과, 진공챔버 내에서 성막대상물을 소정의 반송방향으로 반송하는 반송기구와, 증발원으로부터의 성막재료의 입자의 확산폭을 조정하는 확산폭 조정부를 구비하고, 확산폭 조정부는, 반송방향과 평행인 제1 방향에 있어서의 확산폭에 비해, 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서의 확산폭을 크게 한다.A film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus for adhering particles of a film forming material to an object to be formed in a vacuum chamber in accordance with an ion plating method and includes an evaporation source for evaporating a film forming material to diffuse particles of the film forming material, And a diffusion width adjusting section for adjusting the diffusion width of the particles of the film forming material from the evaporation source, wherein the diffusion width adjusting section adjusts the diffusion width of the film forming material in the first direction parallel to the conveying direction The diffusion width in the second direction orthogonal to the first direction is made large.

본 발명에 관한 성막장치는, 증발원으로부터의 성막재료의 입자의 확산폭을 조정하는 확산폭 조정부를 구비하고 있다. 이 확산폭 조정부는, 제1 방향에 있어서의 확산폭에 비해, 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서의 확산폭을 크게 할 수 있다. 즉, 확산폭 조정부는, 제2 방향에 있어서의 확산폭에 비해, 제1 방향에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 성막대상물에 성막재료의 입자를 부착시키는 경우, 확산폭 조정부는, 진공챔버 내에서 넓은 스페이스가 확보되어 있는 제2 방향에 있어서는 확산폭을 크게 하는 한편, 제1 방향에 대향하는 진공챔버의 벽면에 성막재료의 입자가 부착되는 것을 억제하도록, 제1 방향에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다. 이로써, 진공챔버의 벽면에 부착되는 성막재료의 입자를 감소시킬 수 있어, 성막재료의 재료 이용효율을 향상시킬 수 있다.The film forming apparatus according to the present invention comprises a diffusion width adjusting section for adjusting a diffusion width of particles of a film forming material from an evaporation source. The diffusion width adjusting section can increase the diffusion width in the second direction orthogonal to the first direction, as compared with the diffusion width in the first direction. That is, the diffusion width adjusting section can reduce the diffusion width in the first direction, as compared with the diffusion width in the second direction. Therefore, in the case of attaching the particles of the film forming material to the object to be film-formed, the diffusion width adjusting section increases the diffusion width in the second direction in which a large space is ensured in the vacuum chamber, It is possible to reduce the diffusion width in the first direction so as to suppress deposition of the deposition material particles on the wall surface. Thereby, the particles of the film forming material adhered to the wall surface of the vacuum chamber can be reduced, and the material utilization efficiency of the film forming material can be improved.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 증발원은, 성막재료를 유지함과 함께, 플라즈마빔을 성막재료로 유도하거나, 또는 플라즈마빔이 유도되는 주 양극인 메인 하스와, 메인 하스의 주위에 배치됨과 함께, 영구자석부 및 코일을 가지고, 플라즈마빔을 유도하는 보조 양극인 링하스를 가지며, 확산폭 조정부는, 링하스의 자장을 조정하는 보조 코일에 의하여 구성되어도 된다. 보조 코일에 의하여 링하스의 자장의 밸런스를 조정함으로써, 제1 방향과 제2 방향에서 자장의 밸런스를 바꾸어, 확산폭을 조정하는 것이 가능해진다.Further, in the film forming apparatus according to the present invention, the evaporation source may include a mainsheath, which is a main anode in which a plasma beam is guided or a plasma beam is guided to a film forming material while holding a film forming material, The diffusion width adjusting section may be constituted by an auxiliary coil for adjusting the magnetic field of the ring hearth, which has a permanent magnet section and a coil, and which is a auxiliary anode for guiding a plasma beam. It is possible to adjust the diffusion width by changing the balance of the magnetic field in the first direction and the second direction by adjusting the balance of the magnetic field of the ring hearth by the auxiliary coil.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 보조 코일은, 제1 방향에 대향하여 1쌍 마련되어도 된다. 제1 방향에 대향하는 위치에서, 보조 코일에 의하여 링하스의 자장의 밸런스를 조정함으로써, 제1 방향에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다.In the film forming apparatus according to the present invention, the pair of auxiliary coils may be provided opposite to each other in the first direction. It is possible to reduce the diffusion width in the first direction by adjusting the balance of the magnetic field of the ring hearth by the auxiliary coil at the position facing the first direction.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 보조 코일은, 제2 방향에 대향하여 1쌍 마련되어도 된다. 제2 방향에 대향하는 위치에서, 보조 코일에 의하여 링하스의 자장의 밸런스를 조정함으로써, 제2 방향에 있어서의 확산폭을 크게 할 수 있다.In the film forming apparatus according to the present invention, a pair of auxiliary coils may be provided opposite to the second direction. The diffusion width in the second direction can be increased by adjusting the balance of the magnetic field of the ring hearth by the auxiliary coil at the position facing the second direction.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 보조 코일은, 제1 방향에 대향하여 1쌍 마련되고, 또한, 제2 방향에 대향하여 1쌍 마련되어도 된다. 제1 방향에 대향하는 위치, 및 제2 방향에 대향하는 위치의 양방에서 링하스의 자장의 밸런스를 조정함으로써, 제1 방향 및 제2 방향에 있어서의 확산폭을 확실히 조정할 수 있다.In the film forming apparatus according to the present invention, one pair of auxiliary coils may be provided opposite to the first direction, and a pair of the auxiliary coils may be provided opposite to the second direction. The diffusion width in the first direction and the second direction can be reliably adjusted by adjusting the balance of the magnetic field of the ring hearth at both the position facing the first direction and the position facing the second direction.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 보조 코일은, 링하스의 영구자석부보다 반송기구측에 배치되어 있어도 된다. 이로써, 보조 코일은, 링하스의 자장의 밸런스의 조정을 행하기 쉬워진다.In the film forming apparatus according to the present invention, the auxiliary coils may be arranged on the transport mechanism side of the permanent magnet portion of the ring hearth. As a result, the auxiliary coil can easily adjust the balance of the magnetic field of the ring hearth.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 증발원은, 성막재료를 지지함과 함께, 플라즈마빔을 성막재료로 유도하거나, 또는 플라즈마빔이 유도되는 주 양극인 메인 하스와, 메인 하스의 주위에 배치됨과 함께, 영구자석부 및 코일을 가지며, 플라즈마빔을 유도하는 보조 양극인 링하스를 가지고, 확산폭 조정부는, 링하스의 영구자석부에 있어서의 제1 방향측에 형성되어, 제2 방향측의 부분에 비해 자력이 약한 약자력부에 의하여 구성되어도 된다. 이와 같이, 영구자석부의 제2 방향측에 약자력부를 형성함으로써, 제2 방향에 있어서의 확산폭을 크게 할 수 있다.Further, in the film forming apparatus according to the present invention, the evaporation source may include a mainsheath, which is a main anode in which a plasma beam is guided or a plasma beam is guided to a film forming material while supporting the film forming material, And a ring height which is a secondary anode having a permanent magnet portion and a coil and guides a plasma beam, the diffusion width adjusting portion being formed on a first direction side of the permanent magnet portion of the ring hearth, May be constituted by a weak magnetic field portion which is weaker in magnetic force than the portion of the weak magnetic field portion. As described above, by forming the weak magnetic force portion on the second direction side of the permanent magnet portion, the diffusion width in the second direction can be increased.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 영구자석부는, 자석수용체에 자석편을 매립함으로써 구성되고, 약자력부는, 제2 방향측에 매립되는 자석편에 비해, 제1 방향측에 매립되는 자석편을 적게 함으로써 구성되어도 된다. 이로써, 용이하게 약자력부를 형성하는 것이 가능해진다.Further, in the film forming apparatus according to the present invention, the permanent magnet portion is constituted by embedding a magnet piece in the magnet receiving portion, and the weak magnet portion has a magnet portion which is embedded in the first direction side May be constituted by decreasing the number of pieces. This makes it possible to easily form a weak magnetic field portion.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 약자력부는, 영구자석부에 있어서의 제1 방향측의 단부를 절결함으로서 구성되어도 된다. 이로써, 용이하게 약자력부를 형성하는 것이 가능해진다.In the film forming apparatus according to the present invention, the weak magnetic force portion may be constituted by cutting out the end portion on the first direction side of the permanent magnet portion. This makes it possible to easily form a weak magnetic field portion.

또, 본 발명에 관한 성막장치에 있어서, 증발원은, 성막재료를 지지함과 함께, 플라즈마빔을 성막재료로 유도하거나, 또는 플라즈마빔이 유도되는 주 양극인 메인 하스와, 메인 하스의 주위에 배치됨과 함께, 영구자석부 및 코일을 가지고, 플라즈마빔을 유도하는 보조 양극인 링하스를 가지며, 확산폭 조정부는, 링하스에 마련된 요크에 의하여 구성되어도 된다. 요크에 링하스의 자력선이 흡입되기 때문에, 링하스의 중앙 부근에 있어서의 자력선의 확산방향이 변화되어, 확산폭을 조정하는 것이 가능해진다.Further, in the film forming apparatus according to the present invention, the evaporation source may include a mainsheath, which is a main anode in which a plasma beam is guided or a plasma beam is guided to a film forming material while supporting the film forming material, And a ring hole which is a secondary anode having a permanent magnet portion and a coil and for guiding a plasma beam, and the diffusion width adjusting portion may be constituted by a yoke provided in the ring hearth. The magnetic force lines of the yoke ringshas are sucked, so that the direction of diffusion of the magnetic force lines near the center of the ring hearth is changed, and the diffusion width can be adjusted.

본 발명에 의하면, 성막재료의 재료 이용효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the material utilization efficiency of the film forming material can be improved.

도 1은 본 발명의 성막장치의 일 실시형태의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 II-II선을 따른 단면도이다.
도 3은 영구자석부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 성막재료입자의 확산폭을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 링하스의 코일의 자력과 영구자석부의 자력의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은 실시형태에 관한 확산폭 조정부의 구성을 나타내는 도이다.
도 7은 변형예에 관한 확산폭 조정부의 구성을 나타내는 도이다.
도 8은 변형예에 관한 확산폭 조정부의 구성을 나타내는 도이다.1 is a cross-sectional view showing a configuration of an embodiment of a film forming apparatus of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line II-II shown in Fig.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of the permanent magnet portion.
4 is a schematic diagram for explaining the diffusion width of the film-forming material particles.
5 is a schematic view for explaining the relationship between the magnetic force of the coil of the ring spring and the magnetic force of the permanent magnet portion.
6 is a diagram showing a configuration of a diffusion width adjusting section according to the embodiment.
7 is a diagram showing a configuration of a diffusion width adjusting section according to a modification.
8 is a diagram showing a configuration of a diffusion width adjusting section according to a modification.

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 성막장치의 일 실시형태를 상세하게 설명한다. 다만, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.Hereinafter, one embodiment of a film forming apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted.

도 1은, 본 발명의 성막장치의 일 실시형태의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 2는, 도 1에 나타내는 II-II선을 따른 단면도이다. 본 실시형태의 성막장치(1)는, 이른바 이온플레이팅법에 이용되는 이온플레이팅장치이다. 다만, 설명의 편의상, 도 1에는, XYZ 좌표계를 나타낸다. Y축 방향은, 후술하는 성막대상물이 반송되는 방향이다. X축 방향은, 성막대상물과 후술하는 증발원(2)이 대향하는 방향이다. Z축 방향은, X축 방향과 Y축 방향에 직교하는 방향이다.1 is a cross-sectional view showing a configuration of an embodiment of a film forming apparatus of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II shown in Fig. The film forming apparatus 1 of the present embodiment is an ion plating apparatus used in so-called ion plating method. However, for convenience of explanation, Fig. 1 shows an XYZ coordinate system. The Y axis direction is a direction in which a film formation object to be described later is conveyed. The X-axis direction is the direction in which the object to be film-formed and the evaporation source 2 to be described later face each other. The Z-axis direction is a direction orthogonal to the X-axis direction and the Y-axis direction.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 성막장치(1)는, 성막대상물의 두께방향이 수평방향이 되도록, 성막대상물을 직립 또는 직립시킨 상태로부터 경사진 상태로, 성막대상물이 진공챔버 내에 배치되어 반송되는, 이른바 세로형의 성막장치이다. 이 경우에는, X축 방향은 수평방향 또한 성막대상물의 두께방향이고, Y축 방향은 수평방향이며, Z축 방향은 연직방향이 된다. 한편, 본 발명에 의한 성막장치의 일 실시형태에서는, 성막대상물의 두께방향이 대략 연직방향이 되도록 성막대상물이 진공챔버 내에 배치되어 반송되는 이른바 가로형의 성막장치여도 된다. 이 경우에는, Z축 및 Y축 방향은 수평방향이며, X축 방향은 연직방향 또한 두께방향이 된다. 다만, 이하의 실시형태에서는, 세로형의 경우를 예로 들어, 본 발명의 성막장치의 일 실시형태를 설명한다.As shown in Figs. 1 and 2, the film forming apparatus 1 of the present embodiment is a film forming apparatus in which an object to be film-formed is placed in a state of being inclined from a standing upright state or an upright state, Called vertical type film forming apparatus, which is disposed in the chamber and transported. In this case, the X-axis direction is also the horizontal direction, the thickness direction of the film formation object, the Y-axis direction is the horizontal direction, and the Z-axis direction is the vertical direction. On the other hand, an embodiment of the film forming apparatus according to the present invention may be a so-called horizontal film forming apparatus in which an object to be film-formed is placed and conveyed in the vacuum chamber so that the film-forming object has a substantially vertical direction in thickness. In this case, the Z-axis and Y-axis directions are the horizontal direction, and the X-axis direction is the vertical direction and also the thickness direction. However, in the following embodiments, one embodiment of the film forming apparatus of the present invention will be described taking the vertical case as an example.

본 실시형태의 성막장치(1)는, 증발원(2), 플라즈마원(7), 반송기구(3), 및 진공챔버(10)를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, Z축 방향으로 복수(도 2에 나타내는 예에서는 2개이지만, 3개 이상이어도 됨)의 증발원(2) 및 플라즈마원(7)이 마련되어 있다.The film forming apparatus 1 of the present embodiment includes an evaporation source 2, a plasma source 7, a transport mechanism 3, and a vacuum chamber 10. In the present embodiment, a plurality of evaporation sources 2 and plasma sources 7 are provided in the Z-axis direction (two in the example shown in Fig. 2, but three or more).

진공챔버(10)는, 성막재료의 막이 형성되는 성막대상물(11)을 반송하기 위한 반송실(성막대상물 배치부)(10a)과, 성막재료(Ma)의 입자를 확산시키는 성막실(10b)과, 플라즈마원(7)으로부터 조사되는 플라즈마빔(P)을 진공챔버(10)에 받아들이는 플라즈마입구(10c)를 가지고 있다. 반송실(10a), 성막실(10b), 및 플라즈마입구(10c)는 서로 연통하고 있다. 반송실(10a)은, 소정의 반송방향(도면 중의 화살표(A))을 따라 설정되어 있다. 또, 진공챔버(10)는, 도전성의 재료로 이루어져 접지전위에 접속되어 있다. 진공챔버(10)에는, 압력조정장치(도시하지 않음)가 접속되어, 진공챔버(10) 내의 압력을 조정한다. 압력조정장치는, 예를 들면, 터보분자펌프나 크라이오펌프 등의 감압부와, 진공챔버(10) 내의 압력을 측정하는 압력측정부를 가지고 있다.The vacuum chamber 10 is provided with a transport chamber (deposition object arranging section) 10a for transporting a film formation object 11 on which a film of a film formation material is formed, a film formation chamber 10b for dispersing particles of the film formation material Ma, And a plasma inlet 10c for receiving the plasma beam P emitted from the plasma source 7 into the vacuum chamber 10. [ The transport chamber 10a, the film formation chamber 10b, and the plasma inlet 10c communicate with each other. The transport chamber 10a is set along a predetermined transport direction (arrow A in the drawing). The vacuum chamber 10 is made of a conductive material and is connected to the ground potential. A pressure adjusting device (not shown) is connected to the vacuum chamber 10 to adjust the pressure in the vacuum chamber 10. The pressure regulating device has, for example, a depressurizing portion such as a turbo molecular pump or a cryopump and a pressure measuring portion for measuring the pressure in the vacuum chamber 10. [

성막실(10b)은, 반송방향(A)을 따른 1쌍의 측벽(10j 및 10k)(도 2 참조)과, 반송방향(A)과 직교하는 방향(X축 방향)을 따른 1쌍의 측벽(10h 및 10i)(도 1 참조)과, 반송실(10a)과 대향하는 측벽(10m)을 가진다. 측벽(10k) 및 측벽(10j)은, 반송방향(A)과 직교하는 Z축에 대향하도록 배치되어 있다. 측벽(10h) 및 측벽(10i)은, 반송방향(A)에 대향하도록 배치되어 있다. 측벽(10h)은, 성막실(10b)에 있어서의 반송방향(A)의 상류측(즉 Y축 부방향측)에 배치되어 있다. 측벽(10i)은, 성막실(10b)에 있어서의 반송방향(A)의 하류측(즉 Y축 정방향측)에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 진공챔버(10)의 성막실(10b)은, 반송방향(A)(Y축 방향) 및 성막대상물(11)의 두께방향(X축 방향)에 직교하는 방향(Z축 방향)으로 뻗는 직육면체 모양의 형상을 이루고 있다. 이하의 설명에서는, 반송방향(A)에 평행한 방향을 “짧은 길이방향(D1)(제1 방향)”이라고 하고, 짧은 길이방향(D1)과 직교하여, 성막실(10b)이 뻗는 방향을 “긴 길이방향(D2)(제2 방향)”이라고 칭한다. 긴 길이방향(D2)(제2 방향)은, 성막재료의 증발방향과 직교하는 방향이며, 성막대상물(11)의 두께방향과 직교하는 방향이다. 다만, 성막대상물(11)의 긴 길이방향은, 성막실(10b)의 긴 길이방향(D2)과 일치하도록 배치된다. 따라서, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 측벽(10i)과 측벽(10h)과의 사이의 이간 거리에 비해, 긴 길이방향(D2)에 대향하는 측벽(10k)과 측벽(10j)과의 사이의 이간 거리가 크며, 성막실(10b) 내에서는, 짧은 길이방향(D1)에 비해 긴 길이방향(D2)으로 큰 스페이스가 확보되는 구성이 된다.The film deposition chamber 10b is provided with a pair of side walls 10j and 10k (see Fig. 2) along the conveying direction A and a pair of side walls 10k and 10k along the conveying direction A (10h and 10i) (see Fig. 1), and side walls 10m opposed to the transport chamber 10a. The side wall 10k and the side wall 10j are arranged so as to face the Z axis orthogonal to the carrying direction A. [ The side wall 10h and the side wall 10i are arranged so as to face each other in the carrying direction A. The side wall 10h is disposed on the upstream side (that is, on the Y-axis direction side) of the film deposition chamber 10b in the transport direction A. The side wall 10i is disposed on the downstream side (i.e., the Y-axis positive direction side) of the film deposition chamber 10b in the transport direction A. In the present embodiment, the film formation chamber 10b of the vacuum chamber 10 is arranged in a direction perpendicular to the transport direction A (Y-axis direction) and the thickness direction (X-axis direction) of the object 11 to be film- ) In the shape of a rectangular parallelepiped. In the following description, the direction parallel to the carrying direction A is referred to as a "short longitudinal direction D1 (first direction)", and the direction in which the film forming chamber 10b extends is orthogonal to the short longitudinal direction D1 Quot; long longitudinal direction D2 (second direction) ". The long longitudinal direction D2 (second direction) is a direction orthogonal to the evaporation direction of the film forming material and is perpendicular to the thickness direction of the object to be film-formed 11. However, the longitudinal direction of the film formation object 11 is arranged so as to coincide with the longitudinal direction D2 of the film formation chamber 10b. Therefore, compared with the distance between the side wall 10i and the side wall 10j opposed to the long direction D2, as compared with the distance between the side wall 10i and the side wall 10h opposite to the short-length direction D1, And a large space in the longitudinal direction D2 longer than the short longitudinal direction D1 is ensured within the deposition chamber 10b.

반송기구(3)는, 성막재료(Ma)와 대향한 상태에서 성막대상물(11)을 지지하는 성막대상물 지지부재(16)를 반송방향(A)으로 반송한다. 반송기구(3)는, 반송실(10a) 내에 설치된 복수의 반송롤러(15)에 의하여 구성되어 있다. 반송롤러(15)는, 반송방향(A)을 따라 등간격으로 배치되어, 성막대상물 지지부재(16)를 지지하면서 반송방향(A)으로 반송한다. 다만, 성막대상물(11)은, 예를 들면 유리기판이나 플라스틱기판 등의 판형상 부재가 이용된다. 또, 성막대상물 지지부재(16)는, 예를 들면 성막대상물(11)의 피성막면을 노출시킨 상태에서 성막대상물(11)을 지지하는 반송트레이 등이 이용된다.The transport mechanism 3 transports the object to be film formation supporting member 16 for supporting the object to be film-formed 11 in the transport direction A while facing the film formation material Ma. The transport mechanism 3 is constituted by a plurality of transport rollers 15 provided in a transport chamber 10a. The conveying rollers 15 are arranged at regular intervals along the conveying direction A and conveyed in the conveying direction A while supporting the object to be coated 16. However, plate-shaped members such as a glass substrate and a plastic substrate are used as the film formation object 11, for example. The film forming object support member 16 is, for example, a conveyance tray for supporting the object 11 to be film-formed while exposing the film formation surface of the object 11 to be film-formed.

플라즈마원(7)은, 압력 구배형이며, 그 본체 부분이 성막실(10b)의 측벽(10h)에 마련된 플라즈마입구(10c)를 통하여 성막실(10b)에 접속되어 있다. 플라즈마원(7)은, 진공챔버(10) 내에서 플라즈마빔(P)을 생성한다. 플라즈마원(7)에 있어서 생성된 플라즈마빔(P)은, 플라즈마입구(10c)로부터 성막실(10b) 내로 출사된다. 플라즈마빔(P)은, 플라즈마입구(10c)에 마련된 스티어링코일(도시하지 않음)에 의하여 출사방향이 제어된다.The plasma source 7 is of a pressure gradient type and its main body portion is connected to the deposition chamber 10b through a plasma inlet 10c provided in the side wall 10h of the deposition chamber 10b. The plasma source 7 generates a plasma beam P in the vacuum chamber 10. The plasma beam P generated in the plasma source 7 is emitted from the plasma inlet 10c into the deposition chamber 10b. The emission direction of the plasma beam P is controlled by a steering coil (not shown) provided in the plasma inlet 10c.

1개의 성막실(10b)에 대해서 복수(본 실시형태에서는 2개)의 플라즈마원(7)이 마련되어 있다. 복수의 플라즈마원(7)은, 긴 길이방향(D2)(Z축 방향)으로 나열하여 배치되어 있다. 복수의 플라즈마원(7)은 동일한 측벽(10h)에 배치되어 있다. 다만, 복수의 플라즈마원(7)은, 대향하는 1쌍의 측벽(10h, 10i)에 있어서 교대로 배치되어 있어도 된다. 복수의 플라즈마원(7)은, 성막대상물(11)의 두께방향(X축 방향)으로 나열하여 배치되어 있어도 된다. 또, 복수의 플라즈마원(7)은, Z축 방향으로 나열되고, 또한, X축 방향으로 나열되어 있는 구성이어도 된다.A plurality of (two in this embodiment) plasma sources 7 are provided for one film formation chamber 10b. The plurality of plasma sources 7 are arranged in a long longitudinal direction D2 (Z-axis direction). A plurality of plasma sources 7 are arranged on the same side wall 10h. However, the plurality of plasma sources 7 may be arranged alternately in the pair of opposing side walls 10h and 10i. The plurality of plasma sources 7 may be arranged in the thickness direction (X-axis direction) of the object 11 to be film-formed. The plurality of plasma sources 7 may be arranged in the Z-axis direction and arranged in the X-axis direction.

성막장치(1)에는, 복수(본 실시형태에서는 2개)의 증발원(2)이 마련되어 있다. 하나의 증발원(2)은, 하나의 메인 하스(17), 및 하나의 링하스(6)에 의하여 구성되어 있다. 따라서, 성막장치(1)에는, 복수(본 실시형태에서는 2개)의 메인 하스(17), 및 복수(본 실시형태에서는 2개)의 링하스(6)가 마련되어 있다. 복수의 증발원(2)은, 복수의 플라즈마원(7)에 대응하여 측벽(10m)에 배치되어 있다. 복수의 증발원(2)은, 긴 길이방향(D2)(Z축 방향)으로 나열하여 배치되어 있다. 다만, 복수의 증발원(2)은, 짧은 길이방향(D1)(Y축 방향)으로 나열하여 배치되어 있어도 된다. 또, 복수의 증발원(2)은, 짧은 길이방향(D1) 및 긴 길이방향(D2)의 쌍방으로 나열되어 있는 구성이어도 된다.The film forming apparatus 1 is provided with a plurality of evaporation sources 2 (two in this embodiment). One evaporation source 2 is constituted by one main hearse 17 and one ring hearth 6. Therefore, the film forming apparatus 1 is provided with a plurality of (two in this embodiment) main hearths 17 and a plurality of (two in this embodiment) ring hearths 6. [ A plurality of evaporation sources 2 are disposed on the side wall 10m in correspondence with the plurality of plasma sources 7. A plurality of evaporation sources 2 are arranged in a long longitudinal direction D2 (Z-axis direction). However, the plurality of evaporation sources 2 may be arranged in the short longitudinal direction D1 (Y-axis direction). The plurality of evaporation sources 2 may be arranged in both the short longitudinal direction D1 and the long longitudinal direction D2.

증발원(2)은, 성막재료(Ma)를 지지하기 위한 기구를 가지고 있다. 증발원(2)은, 진공챔버(10)의 성막실(10b) 내에 마련되어, 반송기구(3)로부터 보아 X축 방향의 부방향으로 배치되어 있다. 증발원(2)은, 플라즈마원(7)으로부터 출사된 플라즈마빔(P)을 성막재료(Ma)에 유도하는 주 양극 또는 플라즈마원(7)으로부터 출사된 플라즈마빔(P)이 유도되는 주 양극인 메인 하스(17)를 가지고 있다.The evaporation source 2 has a mechanism for supporting the film forming material Ma. The evaporation source 2 is provided in the film forming chamber 10b of the vacuum chamber 10 and arranged in the negative direction in the X axis direction as viewed from the transport mechanism 3. [ The evaporation source 2 is a main anode for leading the plasma beam P emitted from the plasma source 7 to the film forming material Ma or a main anode for leading the plasma beam P emitted from the plasma source 7 And a main haas (17).

메인 하스(17)는, 성막재료(Ma)가 충전된 X축 방향의 정방향으로 뻗은 통형상의 충전부(17a)와, 충전부(17a)로부터 돌출된 플랜지부(17b)를 가지고 있다. 메인 하스(17)는, 진공챔버(10)가 가지는 접지전위에 대해서 정전위로 유지되고 있기 때문에, 플라즈마빔(P)을 흡인한다. 이 플라즈마빔(P)이 입사되는 메인 하스(17)의 충전부(17a)에는, 성막재료(Ma)를 충전하기 위한 관통공(17c)이 형성되어 있다. 그리고, 성막재료(Ma)의 선단 부분이, 이 관통공(17c)의 일단에 있어서 성막실(10b)에 노출되어 있다.The main hearth 17 has a cylindrical charging part 17a extending in the normal direction in the X axis direction in which the film forming material Ma is filled and a flange part 17b projecting from the charging part 17a. The main hearth 17 attracts the plasma beam P because it is kept at a constant potential with respect to the ground potential of the vacuum chamber 10. A through hole 17c for filling the film forming material Ma is formed in the charging portion 17a of the mainhose 17 into which the plasma beam P is incident. The tip portion of the film forming material Ma is exposed to the film forming chamber 10b at one end of the through hole 17c.

링하스(6)는, 플라즈마빔(P)을 유도하기 위한 전자석을 가지는 보조 양극이다. 링하스(6)는, 성막재료(Ma)를 지지하는 메인 하스(17)의 충전부(17a)의 주위에 배치되어 있다. 링하스(6)는, 환형상의 코일(9)과 환형상의 영구자석부(13)와 환형상의 용기(12)를 가지며, 코일(9) 및 영구자석부(13)는 용기(12)에 수용되어 있다. 링하스(6)는, 코일(9)에 흐르는 전류의 크기에 따라, 성막재료(Ma)에 입사되는 플라즈마빔(P)의 방향, 또는, 메인 하스(17)에 입사되는 플라즈마빔(P)의 방향을 제어한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 영구자석부(13)는, 1쌍의 자성판(21, 22)과, 1쌍의 자성판(21, 22)의 사이에 마련되는 비자성의 자석수용체(23)와, 자석수용체(23) 내에 배치되는 자석편(24)을 구비하고 있다. 자석수용체(23)는, 복수의 관통공(25)을 가지고 있다. 영구자석부(13)는, 자석수용체(23)의 각 관통공(25)에 자석편(24)을 매립하여, 자성판(21, 22) 사이에 끼움으로써, 전체적으로 하나의 영구자석으로서 기능한다.The ring hearth 6 is an auxiliary anode having an electromagnet for inducing the plasma beam P. The ring hearth 6 is disposed around the charging portion 17a of the main hearth 17 for supporting the film forming material Ma. The ring hearth 6 has an annular coil 9 and an annular permanent magnet portion 13 and an annular container 12. The coil 9 and the permanent magnet portion 13 are accommodated in the container 12 . The ring hearth 6 is arranged in the direction of the plasma beam P incident on the film forming material Ma or in the direction of the plasma beam P incident on the main hearth 17 in accordance with the magnitude of the current flowing through the coil 9. [ Lt; / RTI > 3, the permanent magnet section 13 includes a pair of magnetic plates 21 and 22, a non-magnetic magnet receiver 23 provided between the pair of magnetic plates 21 and 22, And a magnet piece (24) disposed in the magnet receptor (23). The magnet receptor 23 has a plurality of through-holes 25. The permanent magnet portion 13 functions as one permanent magnet as a whole by embedding the magnet pieces 24 in the through holes 25 of the magnet holder 23 and sandwiching them between the magnetic plates 21 and 22 .

성막재료(Ma)에는, ITO나 ZnO 등의 투명 도전재료나, SiON 등의 절연 밀봉 재료가 예시된다. 성막재료(Ma)가 절연성 물질로 이루어지는 경우, 메인 하스(17)에 플라즈마빔(P)이 조사되면, 플라즈마빔(P)으로부터의 전류에 의하여 메인 하스(17)가 가열되어, 성막재료(Ma)의 선단 부분이 증발하며, 플라즈마빔(P)에 의하여 이온화된 성막재료입자(Mb)가 성막실(10b) 내로 확산된다. 또, 성막재료(Ma)가 도전성 물질로 이루어지는 경우, 메인 하스(17)에 플라즈마빔(P)이 조사되면, 플라즈마빔(P)이 성막재료(Ma)에 직접 입사되어, 성막재료(Ma)의 선단 부분이 가열되어 증발하며, 플라즈마빔(P)에 의하여 이온화된 성막재료입자(Mb)가 성막실(10b) 내로 확산된다. 성막실(10b) 내로 확산된 성막재료입자(Mb)는, 성막실(10b)의 X축 정방향으로 이동하여, 반송실(10a) 내에 있어서 성막대상물(11)의 표면에 부착된다. 다만, 성막재료(Ma)는, 소정 길이의 원기둥 형상으로 성형된 고체물이며, 한 번에 복수의 성막재료(Ma)가 증발원(2)의 메인 하스(17)에 충전된다. 그리고, 최선단측의 성막재료(Ma)의 선단 부분이 메인 하스(17)의 상단과의 소정의 위치관계를 유지하도록, 성막재료(Ma)의 소비에 따라, 성막재료(Ma)가 증발원(2)의 메인 하스(17)의 X축 부방향측으로부터 순차 압출된다.As the film forming material Ma, a transparent conductive material such as ITO or ZnO, or an insulating sealing material such as SiON is exemplified. When the film forming material Ma is made of an insulating material and the main beam 17 is irradiated with the plasma beam P, the main haath 17 is heated by the current from the plasma beam P to form the film forming material Ma Is evaporated, and the film forming material particles Mb ionized by the plasma beam P are diffused into the deposition chamber 10b. When the film forming material Ma is made of a conductive material and the main beam 17 is irradiated with the plasma beam P, the plasma beam P is directly incident on the film forming material Ma, And the film forming material particles Mb ionized by the plasma beam P are diffused into the deposition chamber 10b. The film forming material particles Mb diffused into the deposition chamber 10b move in the X axis positive direction of the deposition chamber 10b and adhere to the surface of the object 11 in the transport chamber 10a. However, the film forming material Ma is a solid material molded into a cylindrical shape of a predetermined length, and a plurality of film forming materials Ma are filled in the main harness 17 of the evaporation source 2 at a time. The film forming material Ma is supplied to the evaporation source 2 (Fig. 2) in accordance with the consumption of the film forming material Ma so that the leading end portion of the film forming material Ma on the best- Axis direction of the main hearth 17 in the X-axis direction.

본 실시형태에 관한 성막장치(1)는, 증발원(2)으로부터의 성막재료입자(Mb)의 확산폭을 조정하는 확산폭 조정부(50)를 구비하고 있다. 확산폭 조정부(50)는, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭에 비해, 짧은 길이방향(D1) 및 성막대상물(11)의 두께방향에 직교하는 방향인 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭을 크게 하는 기능을 가지고 있다. 구체적으로는, 성막실(10b) 내에, 증발원(2)과 반송기구(3)와의 사이에, Y축 방향 및 Z축 방향으로 펼쳐지는 가상평면(VP)을 설정한 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 당해 가상평면(VP)을 통과하는 성막재료입자(Mb)의 통과영역(TE)을 그릴 수 있다. 이러한 가상평면(VP) 상의 통과영역(TE) 중, 짧은 길이방향(D1)에 따른 크기가 짧은 길이방향(D1)의 확산폭(W1)이 되고, 긴 길이방향(D2)에 따른 크기가 긴 길이방향(D2)의 확산폭(W2)이 된다. 본 실시형태에서는, 확산폭 조정부(50)의 확산폭(W1, W2)을 조정함으로써, 짧은 길이방향(D1)의 확산폭(W1)에 비해, 긴 길이방향(D2)의 확산폭(W2)이 커져, 타원 형상의 통과영역(TE)이 그려진다. 성막대상물(11)에 대해서도, 성막재료입자(Mb)는, 대략 타원 형상의 조사 영역이 그려지도록 부착된다. 단, 통과영역(TE)의 형상은, 확산폭(W1)이 확산폭(W2)보다 작으면 되고, 확산폭 조정부(50)의 조정 양태에 따라서는, 긴 원 등의 다른 형상이 되어도 된다. 다만, 상술한 설명에 있어서의 확산폭(W1, W2)은, 가상평면(VP)의 설정 위치에 따라, 변경된다.The film forming apparatus 1 according to the present embodiment is provided with a diffusion width adjusting unit 50 for adjusting the diffusion width of the film forming material particles Mb from the evaporation source 2. [ The diffusion width adjusting section 50 is configured to adjust the diffusion width in the short longitudinal direction D1 and the long longitudinal direction D2 which is orthogonal to the thickness direction of the object 11 to be formed, The diffusion width of the diffusion layer is increased. Concretely, when a virtual plane VP extending in the Y-axis direction and the Z-axis direction is set between the evaporation source 2 and the transport mechanism 3 in the film formation chamber 10b, Similarly, the passing area TE of the film forming material particles Mb passing through the virtual plane VP can be drawn. The diffusion width W1 of the longitudinal direction D1 in which the size along the short longitudinal direction D1 is shorter than the diffusion width W1 in the longitudinal direction D1 of the passage region TE on the virtual plane VP, Becomes the diffusion width W2 of the longitudinal direction D2. The diffusion width W2 of the longitudinal direction D2 is set to be smaller than the diffusion width W1 of the short longitudinal direction D1 by adjusting the diffusion widths W1 and W2 of the diffusion width adjusting section 50. [ And the elliptical passing area TE is drawn. Also in the film formation object 11, the film-forming material particles Mb are attached so as to draw a substantially elliptical irradiation region. It is to be noted that the shape of the passage area TE may be such that the diffusion width W1 is smaller than the diffusion width W2 and may be a different shape such as a long circle depending on the adjustment of the diffusion width adjustment part 50. [ However, the diffusion widths W1 and W2 in the above description are changed in accordance with the setting position of the virtual plane VP.

여기에서, 이온플레이팅법에 관한 성막장치(1)에서는, 성막재료의 막두께 분포는 외부 코일(도시하지 않음)과, 링하스(6)에 의하여 만들어지는 자장 분포의 영향을 받는다. 링하스(6)는, 환형상의 코일(9) 및 환형상의 영구자석부(13)를 구비하고 있으며, 영구자석부(13)의 자력 및 코일(9)의 자력에 의하여 막두께 분포, 즉 성막재료입자(Mb)의 확산폭을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 영구자석부(13)의 자력에 대해서 코일(9)의 자력을 상대적으로 약하게 하면 증발 증기는 퍼지는 경향을 나타내고, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 영구자석부(13)의 자력에 대해서 코일(9)의 자력을 상대적으로 강하게 하면 증발 증기는 직진방향으로의 지향성이 강해지는 경향을 나타낸다.Here, in the film forming apparatus 1 relating to the ion plating method, the film thickness distribution of the film forming material is influenced by an external coil (not shown) and a magnetic field distribution produced by the ring hearth 6. The ring hearth 6 is provided with an annular coil 9 and an annular permanent magnet portion 13. The ring hearth 6 has a film thickness distribution by the magnetic force of the permanent magnet portion 13 and the magnetic force of the coil 9, The diffusion width of the material particles Mb can be adjusted. More specifically, as shown in Fig. 5 (a), when the magnetic force of the coil 9 is made relatively weak with respect to the magnetic force of the permanent magnet portion 13, the evaporation steam tends to spread, As described above, when the magnetic force of the coil 9 is made relatively strong with respect to the magnetic force of the permanent magnet portion 13, the evaporative steam tends to have a strong directivity in the straight direction.

본 실시형태에 관한 확산폭 조정부(50)는, 도 5에서 설명한 성질을 이용함으로써, 확산폭의 조정을 행하고 있다. 즉, 확산폭 조정부(50)는, 영구자석부(13)와 코일(9)과의 사이의 자장의 밸런스를, 짧은 길이방향(D1)과 긴 길이방향(D2)에서 바꿈으로써, 짧은 길이방향(D1)의 확산폭 및 긴 길이방향(D2)의 확산폭을 조정한다. 구체적으로는, 확산폭 조정부(50)는, 짧은 길이방향(D1)에 대해서는, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이 증발 증기의 직진방향으로의 지향성을 높이고, 긴 길이방향(D2)에 대해서는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이 증발 증기가 퍼지도록, 자장의 밸런스를 조정한다.The diffusion width adjusting section 50 according to the present embodiment adjusts the diffusion width by using the properties described in Fig. That is, by adjusting the balance of the magnetic field between the permanent magnet portion 13 and the coil 9 in the short-length direction D1 and the long-length direction D2, The diffusion width of the longitudinal direction D1 and the diffusion width of the longitudinal direction D2 are adjusted. More specifically, the diffusion width adjusting section 50 increases the directivity of the evaporation vapor in the straight-ahead direction as shown in Fig. 5 (b) for the short longitudinal direction D1, As shown in Fig. 5 (a), the balance of the magnetic field is adjusted so that the evaporation vapor is spread.

다음으로, 도 6을 참조하여, 확산폭 조정부(50)의 구체적인 구성에 대해 설명한다. 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 확산폭 조정부(50)는, 링하스(6)의 영구자석부(13) 및 코일(9)에 의한 자장의 밸런스를 조정하는 보조 코일(60A, 60B)에 의하여 구성된다. 보조 코일(60A)은, 짧은 길이방향(D1)에 대향하여 1쌍 마련되고, 보조 코일(60B)은, 긴 길이방향(D2)에 대향하여 1쌍 마련된다. 보조 코일(60A, 60B)은, 성막대상물(11)의 두께방향(Z축 방향)으로부터 보아, 환형상의 영구자석부(13)와 중첩되는 부채꼴 형상을 이루고 있다. 보조 코일(60A, 60B)은, 부채꼴 형상의 외형을 따라 권선을 권회함으로써 환형상으로 구성된다. 보조 코일(60A, 60B)은, 링하스(6)를 둘레방향으로 4개의 영역으로 균등하게 분할한 경우의 각각의 영역에 대해서 하나의 보조 코일(60A, 60B)이 배치되어 있다. 보조 코일(60A)은, 링하스(6)의 긴 길이방향(D2)에 대한 중심선(CL1)을 기준으로 하여, 둘레방향에 있어서의 양측으로 소정 각도(본 실시형태에서는 약 45°이지만, 특별히 각도는 한정되지 않음) 뻗어 있다. 보조 코일(60B)은, 링하스(6)의 짧은 길이방향(D1)에 대한 중심선(CL2)을 기준으로 하여, 둘레방향에 있어서의 양측으로 소정 각도(본 실시형태에서는 약 45°이지만, 특별히 각도는 한정되지 않음) 뻗어 있다.Next, with reference to FIG. 6, a specific configuration of the diffusion width adjusting section 50 will be described. 6A, the diffusion width adjusting section 50 includes auxiliary coils 60A and 60B for adjusting the balance of the magnetic field by the permanent magnet section 13 and the coil 9 of the ring harness 6, . A pair of auxiliary coils 60A are provided opposite to the short longitudinal direction D1 and a pair of auxiliary coils 60B are provided opposite to the long longitudinal direction D2. The auxiliary coils 60A and 60B have a fan-like shape overlapping the annular permanent magnet portion 13 when viewed from the thickness direction (Z-axis direction) of the object 11 to be film-formed. The auxiliary coils 60A and 60B are formed in an annular shape by winding the windings along a fan-shaped outer shape. The auxiliary coils 60A and 60B are provided with one auxiliary coil 60A and 60B for each region when the ring harness 6 is equally divided into four regions in the circumferential direction. The auxiliary coil 60A has a predetermined angle to the both sides in the circumferential direction with respect to the center line CL1 with respect to the longitudinal direction D2 of the ring harness 6 at a predetermined angle The angle is not limited). The auxiliary coil 60B is fixed to both sides in the circumferential direction at a predetermined angle (about 45 deg. In the present embodiment, but specifically, in the present embodiment) with respect to the center line CL2 of the ring- The angle is not limited).

도 6(b)에 나타내는 예에 관한 링하스(6)에서는, 반송기구(3)측(즉, X축 정방향측)으로부터, 보조 코일(60A(60B)), 영구자석부(13), 및 코일(9)의 순으로 배치되어 있다. 또, 영구자석부(13)는, 반송기구(3)측이 N극이다. 이러한 배치의 경우, 짧은 길이방향(D1)에 대향하여 배치되는 보조 코일(60A)은, 반송기구(3)측이 S극이 된다. 즉, 보조 코일(60A)은, 코일 내측(영구자석부(13)와 대향하는 부분)에서, 반송기구(3)의 반대측을 향하는 자력선(MA)을 발생시킨다. 이로써, 링하스(6) 중, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 보조 코일(60A)이 배치되는 부분에서는 코일(9)에 대해서, 영구자석부(13)의 자력이 약해짐으로써, 짧은 길이방향(D1)의 성막재료입자(Mb)의 확산폭이 좁아진다. 한편, 긴 길이방향(D2)에 대향하여 배치되는 보조 코일(60B)은, 반송기구(3)측이 N극이 된다. 즉, 보조 코일(60B)은, 코일 내측(영구자석부(13)와 대향하는 부분)에서, 반송기구(3)측을 향하는 자력선(MB)(도면에 있어서 파선의 화살표로 나타냄)을 발생시킨다. 이로써, 링하스(6) 중, 긴 길이방향(D2)에 대향하는 보조 코일(60B)이 배치되는 부분에서는 코일(9)에 대해서, 영구자석부(13)의 자력이 강해짐으로써, 긴 길이방향(D2)의 성막재료입자(Mb)의 확산폭이 넓어진다.In the ring harness 6 relating to the example shown in Fig. 6 (b), the auxiliary coils 60A (60B), the permanent magnet portions 13, and the auxiliary coils 60A And the coils 9 are arranged in this order. In addition, the permanent magnet portion 13 has N poles on the side of the transport mechanism 3. In the case of this arrangement, the auxiliary coil 60A disposed opposite to the short longitudinal direction D1 has the S pole on the side of the transport mechanism 3. That is, the auxiliary coil 60A generates the magnetic force line MA directed to the opposite side of the transport mechanism 3, at the inside of the coil (the portion facing the permanent magnet portion 13). Thereby, the magnetic force of the permanent magnet portion 13 with respect to the coil 9 is weakened at the portion where the auxiliary coil 60A opposed to the short longitudinal direction D1 of the ring hearth 6 is disposed, The diffusion width of the film-forming material particles Mb in the direction D1 is narrowed. On the other hand, the auxiliary coil 60B disposed opposite to the long longitudinal direction D2 has N poles on the side of the transport mechanism 3. [ That is, the auxiliary coil 60B generates a magnetic line of force MB (indicated by a broken-line arrow in the figure) toward the conveying mechanism 3 side at the inside of the coil (the portion facing the permanent magnet portion 13) . As a result, the magnetic force of the permanent magnet portion 13 is strengthened with respect to the coil 9 in the portion where the auxiliary coil 60B facing the long longitudinal direction D2 of the ring hearth 6 is disposed, The diffusion width of the film-forming material particles Mb of the film material D2 is widened.

또, 링하스(6) 내에 있어서의 보조 코일(60A, 60B), 영구자석부(13), 및 코일(9)의 순서는 한정되지 않으며, 보조 코일(60A, 60B)이 영구자석부(13)와 코일(9)과의 사이에 배치되어도 되고, 코일(9)이 영구자석부(13)보다 반송기구(3)측에 배치되어도 된다. 예를 들면, 반송기구(3)측으로부터 차례로, 영구자석부(13), 보조 코일(60A, 60B), 코일(9)과 같은 배치여도 되고, 코일(9), 영구자석부(13), 보조 코일(60A, 60B)과 같은 배치여도 되며, 코일(9), 보조 코일(60A, 60B), 영구자석부(13)와 같은 배치여도 된다. 이 경우, 각각의 위치관계에 따라, 긴 길이방향(D2)의 확산폭이 커지도록, 보조 코일(60A, 60B)의 자력선의 방향을 조정한다. 단, 보조 코일(60A, 60B)은, 자장 조정의 용이성을 위하여, 영구자석부(13)의 반송기구(3)측에 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 코일(9)이 영구자석부(13)보다 반송기구(3)측에 배치되어 있는 경우, 보조 코일(60A, 60B)은, 코일(9)과 영구자석부(13)와의 사이에 배치되는 것이 바람직하다.The order of the auxiliary coils 60A and 60B, the permanent magnet portion 13 and the coil 9 in the ring hearth 6 is not limited and the auxiliary coils 60A and 60B may be disposed in the permanent magnet portion 13 And the coil 9 may be disposed on the side of the transport mechanism 3 rather than the permanent magnet portion 13. In this case, For example, the permanent magnets 13, the auxiliary coils 60A and 60B, and the coils 9 may be disposed in this order from the side of the transport mechanism 3, and the coils 9, the permanent magnets 13, It may be arranged in the same manner as the auxiliary coils 60A and 60B and may be arranged in the same manner as the coil 9, the auxiliary coils 60A and 60B and the permanent magnet portion 13. In this case, the directions of the lines of magnetic force of the auxiliary coils 60A and 60B are adjusted so that the diffusion width in the longitudinal direction D2 becomes larger according to the respective positional relationships. It is preferable that the auxiliary coils 60A and 60B are disposed on the transport mechanism 3 side of the permanent magnet portion 13 for ease of magnetic field adjustment. The auxiliary coils 60A and 60B are disposed between the coils 9 and the permanent magnet portion 13 when the coils 9 are disposed closer to the transport mechanism 3 than the permanent magnet portions 13. [ As shown in Fig.

다음으로, 본 실시형태에 관한 성막장치(1)의 작용·효과에 대해 설명한다.Next, the operation and effect of the film forming apparatus 1 according to the present embodiment will be described.

본 실시형태에 관한 성막장치(1)는, 증발원(2)으로부터의 성막재료입자(Mb)의 확산폭을 조정하는 확산폭 조정부(50)를 구비하고 있다. 이 확산폭 조정부(50)는, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭에 비해, 반송방향(A)과 평행인 짧은 길이방향(D1)에 직교하는 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭을 크게 할 수 있다. 즉, 확산폭 조정부(50)는, 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭에 비해, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다. 따라서, 성막대상물(11)에 성막재료입자(Mb)를 부착시키는 경우, 확산폭 조정부(50)는, 진공챔버(10) 내의 스페이스가 큰 긴 길이방향(D2)에 있어서는 큰 확산폭을 확보하는 한편, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 진공챔버(10)의 측벽(10i) 및 측벽(10h)에 부착되는 것을 억제하도록, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭을 작게 할 수 있다. 이로써, 진공챔버(10)의 벽면에 부착되는 성막재료입자(Mb)를 감소시킬 수 있어, 성막재료(Ma)의 재료 이용효율을 향상시킬 수 있다.The film forming apparatus 1 according to the present embodiment is provided with a diffusion width adjusting unit 50 for adjusting the diffusion width of the film forming material particles Mb from the evaporation source 2. [ The diffusion width adjusting section 50 is configured to adjust the diffusion width in the longitudinal direction D2 perpendicular to the short longitudinal direction D1 parallel to the transport direction A with respect to the diffusion width in the short longitudinal direction D1, The width can be increased. That is, the diffusion width adjusting section 50 can reduce the diffusion width in the short longitudinal direction D1, as compared with the diffusion width in the long longitudinal direction D2. Therefore, in the case of depositing the film forming material particles Mb on the object 11 to be film-formed, the diffusion width adjusting section 50 ensures a large diffusion width in the long longitudinal direction D2 where the space in the vacuum chamber 10 is large On the other hand, the diffusion width in the short longitudinal direction D1 can be reduced so as to suppress adhesion to the side wall 10i and the side wall 10h of the vacuum chamber 10 opposed to the short longitudinal direction D1. As a result, the film forming material particles (Mb) adhering to the wall surface of the vacuum chamber (10) can be reduced, and the material utilization efficiency of the film forming material (Ma) can be improved.

또, 본 실시형태에 관한 성막장치(1)에 있어서, 확산폭 조정부(50)는, 링하스(6)의 자장을 조정하는 보조 코일(60A, 60B)에 의하여 구성되어 있다. 보조 코일(60A, 60B)에 의하여 링하스(6)의 자장을 조정함으로써, 짧은 길이방향(D1)과 긴 길이방향(D2)에서 자장의 밸런스를 바꾸어, 확산폭을 조정하는 것이 가능해진다. 또, 보조 코일(60A, 60B)을 이용하여 확산폭을 조정함으로써, 보조 코일(60A, 60B)로 공급하는 전류를 조정함으로써 확산폭을 용이하게 조정할 수 있다는 효과가 나타난다.In the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, the diffusion width adjusting section 50 is constituted by auxiliary coils 60A and 60B for adjusting the magnetic field of the ring harness 6. It is possible to adjust the diffusion width by changing the balance of the magnetic field in the short longitudinal direction D1 and the long longitudinal direction D2 by adjusting the magnetic field of the ring harness 6 by the auxiliary coils 60A and 60B. Also, by adjusting the diffusion width using the auxiliary coils 60A and 60B, the diffusion width can be easily adjusted by adjusting the current supplied to the auxiliary coils 60A and 60B.

또, 본 실시형태에 관한 성막장치(1)에 있어서, 보조 코일(60A)은, 짧은 길이방향(D1)에 대향하여 1쌍 마련되고, 또한, 보조 코일(60B)은, 긴 길이방향(D2)에 대향하여 1쌍 마련되어 있다. 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 위치 및 긴 길이방향(D2)의 대향하는 위치의 양방에서 링하스의 자장을 조정함으로써, 짧은 길이방향(D1) 및 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭을 확실히 조정할 수 있다.In the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, the auxiliary coils 60A are provided in a pair in opposition to the short longitudinal direction D1, and the auxiliary coils 60B are provided in the longitudinal direction D2 A pair is provided. By adjusting the magnetic field of the ring hearth at both the positions opposed to the short longitudinal direction D1 and the opposing positions at the long longitudinal direction D2, the diffusion width in the short longitudinal direction D1 and the long longitudinal direction D2 Can be adjusted.

또, 본 실시형태에 관한 성막장치(1)에 있어서, 보조 코일(60A, 60B)은, 링하스(6)의 영구자석부(13)보다 반송기구(3)측에 배치되어 있다. 이로써, 보조 코일(60A, 60B)은, 링하스(6)의 자장의 조정을 행하기 쉬워진다.The auxiliary coils 60A and 60B are disposed on the transport mechanism 3 side of the permanent magnet portion 13 of the ring hollow 6 in the film forming apparatus 1 of the present embodiment. As a result, the auxiliary coils 60A and 60B can easily adjust the magnetic field of the ring harness 6.

본 발명은, 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.The present invention is not limited to the above-described embodiments.

예를 들면, 도 6에 나타내는 예에 있어서는, 확산폭 조정부(50)는, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 1쌍의 보조 코일(60A)과, 긴 길이방향(D2)에 대향하는 1쌍의 보조 코일(60B)을 가지고 있었지만, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 1쌍의 보조 코일(60A)만을 가지고 있어도 되고, 긴 길이방향(D2)에 대향하는 1쌍의 보조 코일(60B)만을 가지고 있어도 된다. 이로써, 사용하는 보조 코일의 개수를 줄일 수 있어, 부품 개수를 줄일 수 있다. 또, 보조 코일(60A, 60B)의 형상은 부채꼴 형상에 한정되지 않고, 원형, 긴 원형, 타원형, 사각형이어도 된다.For example, in the example shown in Fig. 6, the diffusion width adjusting section 50 includes a pair of auxiliary coils 60A opposed to the short longitudinal direction D1, and a pair of opposed coils 60A opposed to the long longitudinal direction D2 Only one pair of auxiliary coils 60A opposed to the short longitudinal direction D1 may be provided and only one pair of auxiliary coils 60B opposed to the long longitudinal direction D2 may be provided. You can have it. Thereby, the number of auxiliary coils to be used can be reduced, and the number of parts can be reduced. The shape of the auxiliary coils 60A and 60B is not limited to a fan shape, but may be a circular shape, a long circular shape, an elliptical shape, or a square shape.

또, 상술한 실시형태에서는, 확산폭 조정부(50)는, 보조 코일(60A, 60B)에 의하여 구성되어 있었지만, 성막재료입자(Mb)의 확산폭을 조정할 수 있는 한, 모든 구성을 채용해도 된다.In the above-described embodiment, the diffusion width adjusting section 50 is constituted by the auxiliary coils 60A and 60B, but any configuration may be employed as long as the diffusion width of the film forming material particles Mb can be adjusted .

예를 들면, 도 7에 나타내는 바와 같이, 확산폭 조정부(50)는, 링하스(6)의 영구자석부(13)에 있어서의 짧은 길이방향(D1)측에 형성되어, 긴 길이방향(D2)측의 부분에 비해 자력이 약한 약자력부(70, 80)에 의하여 구성되어도 된다. 영구자석부(13)의 짧은 길이방향(D1)측에 약자력부(70, 80)를 형성함으로써, 영구자석부(13) 중 약자력부(70, 80)에 해당하는 부분에서는, 영구자석부(13)의 자력에 대해서 코일(9)의 자력이 상대적으로 강해져, 증발 증기는 직진방향으로의 지향성이 강해짐으로써, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭이 작아진다. 즉, 상대적으로, 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭을 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭보다 크게 할 수 있다.7, the diffusion-width adjusting section 50 is formed on the side of the permanent magnet section 13 of the ring-shaped harness 6 in the short-length direction D1 and extends in the longitudinal direction D2 The weak magnetic force portions 70 and 80 may have weaker magnetic forces than the portions of the weak magnetic force portions 70 and 80, respectively. The weak magnetic force portions 70 and 80 are formed on the side of the short side D1 of the permanent magnet portion 13 so that in the portion corresponding to the weak magnetic force portions 70 and 80 of the permanent magnet portion 13, The magnetic force of the coil 9 becomes relatively strong with respect to the magnetic force of the portion 13 and the directivity of the evaporative steam in the straight direction becomes strong, so that the diffusion width in the short longitudinal direction D1 becomes small. That is, the diffusion width in the longer longitudinal direction D2 can be made larger than the diffusion width in the shorter longitudinal direction D1.

구체적으로는, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 약자력부(70)는, 긴 길이방향(D2)측에 매립되는 자석편(24)에 비해, 짧은 길이방향(D1)측에 매립되는 자석편(24)을 적게 함으로써 구성되어 있다. 자석수용체(23)의 관통공(25) 중, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 양단측의 영역에 있어서의 관통공(25)에는 자석편(24)이 매립되어 있지 않고, 다른 영역(긴 길이방향(D2)의 영역, 및 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 내주측의 일부의 영역)에는 관통공(25)에 자석편(24)이 매립되어 있다. 이로써, 자석편(24)이 매립되어 있지 않은 영역을 포함하는, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 영역이, 약자력부(70)가 된다. 다만, 약자력부(70)에 있어서, 자석편(24)을 매립하지 않는 관통공(25)은, 임의로 선택 가능하며, 도 7(a)에 나타내는 양태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 외주측의 관통공(25)으로부터 자석편(24)을 분리해도 되고, 내주측의 관통공(25)과 외주측의 관통공(25)에서 랜덤으로 자석편(24)을 분리해도 된다. 이상과 같이, 자석수용체(23)에 매립되는 자석편(24)의 수를 조정하여 확산폭 조정부(50)를 구성함으로써, 보조 코일 등과 같은 다른 부재를 추가하는 일 없이, 용이하게 확산폭 조정부(50)를 형성하는 것이 가능해진다.Specifically, as shown in Fig. 7 (a), the weak magnetic force part 70 is embedded in the short side D1 direction side compared with the magnet piece 24 embedded in the long side direction D2 side And the number of the magnet pieces 24 is reduced. The magnet pieces 24 are not embedded in the through holes 25 in the regions on the both end sides in the short longitudinal direction D1 of the through holes 25 of the magnet receiver 23, The magnet piece 24 is embedded in the through hole 25 in the region of the longitudinal direction D2 and a portion of the inner circumferential side in the short longitudinal direction D1. Thus, the area opposed to the short longitudinal direction D1, including the area in which the magnet piece 24 is not embedded, becomes the weak magnetic force part 70. [ However, in the weak magnetic force portion 70, the through hole 25 which does not embed the magnet piece 24 can be arbitrarily selected and is not limited to the embodiment shown in Fig. 7 (a). For example, the magnet piece 24 may be separated from the through hole 25 on the outer peripheral side, and the magnet piece 24 may be separated at the through hole 25 on the inner peripheral side and the through hole 25 on the outer peripheral side You can. As described above, by adjusting the number of the magnet pieces 24 embedded in the magnet receiver 23 to configure the diffusion width adjusting unit 50, it is possible to easily adjust the width of the diffusion width adjusting unit 50) can be formed.

또, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 약자력부(80)는, 영구자석부(13)에 있어서의 짧은 길이방향(D1)측의 단부를 절결함으로써 구성되어 있다. 영구자석부(13)에서는, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 영역 중, 외주측의 일부가 절결되어 있다. 도 7(b)에 나타내는 예에서는, 도 7(a)의 구성에 있어서, 자석편(24)이 매립되어 있지 않은 영역에 대응하는 개소가 절결되어 있다. 다만, 절단면이 긴 길이방향(D2)과 평행을 이루도록 절결되어 있지만, 절단면의 형상은 특별히 한정되지 않고, 만곡하는 형상의 절단면이어도 된다. 약자력부(80)에서는, 적어도 자성판(21, 22)이 절결되어 있으면 되고, 자석수용체(23)는 절결되어도 되고, 절결되어 있지 않아도 된다. 자성판(21, 22)을 절결하여 짧은 길이방향(D1)의 외경을 작게 함으로써, 영구자석부(13) 중, 자력선을 발생시키는 범위가 짧은 길이방향(D1)에서 짧아지기 때문에, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭을 크게 할 수 있다.7 (b), the weak magnetic force portion 80 is formed by cutting out the end portion of the permanent magnet portion 13 on the side of the short longitudinal direction D1. In the permanent magnet portion 13, a portion of the outer circumferential side of the region facing the short longitudinal direction D1 is notched. In the example shown in Fig. 7 (b), the portion corresponding to the area in which the magnet piece 24 is not embedded is cut in the configuration of Fig. 7 (a). However, the cut surface is cut so as to be parallel to the long direction D2, but the shape of the cut surface is not particularly limited and may be a cut surface of a curved shape. In the weak magnetic field portion 80, at least the magnetic plates 21 and 22 need to be cut off, and the magnet receiver 23 may be cut off or not cut. By cutting out the magnetic plates 21 and 22 and reducing the outer diameter in the short longitudinal direction D1, the magnetic force generating lines in the permanent magnet portion 13 are shortened in the short longitudinal direction D1, The diffusion width in the diffusion region D1 can be increased.

또, 예를 들면 도 8에 나타내는 바와 같이, 확산폭 조정부(50)는, 링하스(6)에 마련된 요크(90)에 의하여 구성되어도 된다. 요크(90)에 링하스(6)의 자력선이 흡인되기 때문에, 링하스(6)의 중앙 부근에 있어서의 자력선의 확산 방향이 변화되어, 확산폭을 조정하는 것이 가능해진다.8, the diffusion width adjusting section 50 may be constituted by a yoke 90 provided in the ring-shaped harness 6, for example. The magnetic force lines of the ring hearth 6 are attracted to the yoke 90 so that the direction of diffusion of the magnetic force lines in the vicinity of the center of the ring hearth 6 is changed and the diffusion width can be adjusted.

구체적으로는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 요크(90)는, 영구자석부(13) 및 코일(9)의 외주측에 마련되는 외주부재(91)와, 코일(9)의 이면측(X축 부방향측)에 마련되는 환형상부재(92)를 가지고 있다. 외주부재(91)는, 긴 길이방향(D2)에 대향하도록 1쌍 마련되어 있다. 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 외주부재(91)는, 영구자석부(13) 및 코일(9)의 외주면을 따라 만곡함과 함께 당해 외주면과 접하는 내주면(91a)과, 영구자석부(13) 및 코일(9)의 외주면으로부터 직경방향 외측으로 돌출하도록 만곡하는 외주면(91b)을 가지고 있다. 이로써, 짧은 길이방향(D1)측의 영역으로부터 긴 길이방향(D2)측의 영역을 향함에 따라 외주부재(91)의 두께가 서서히 두꺼워져, 긴 길이방향(D2)의 단부에 있어서 외주부재(91)의 두께가 가장 커진다. 이로써, 긴 길이방향(D2)측의 확산폭을 서서히 크게 할 수 있다. 다만, 외주부재(91)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 부채형과 같은 형상이어도 된다. 다만, 요크(90)는, 영구자석부(13)에만 마련되어도 된다.8, the yoke 90 includes a permanent magnet portion 13 and a peripheral member 91 provided on the outer peripheral side of the coil 9, And an annular member 92 provided on the axial direction side. The outer peripheral members 91 are provided in a pair so as to face the longitudinal direction D2. 8A, the outer peripheral member 91 includes an inner peripheral surface 91a which is curved along the outer peripheral surface of the permanent magnet portion 13 and the coil 9 and is in contact with the outer peripheral surface of the permanent magnet portion 13, 13 and an outer circumferential surface 91b which is curved so as to project radially outward from the outer circumferential surface of the coil 9. [ As a result, the thickness of the outer peripheral member 91 becomes gradually thicker from the region on the shorter longitudinal direction D1 side toward the region on the longer longitudinal direction D2 side, so that the outer peripheral member 91 91 is the largest. Thereby, the diffusion width on the longer longitudinal direction (D2) side can be gradually increased. However, the shape of the outer circumferential member 91 is not particularly limited, and may be a fan shape. However, the yoke 90 may be provided only in the permanent magnet portion 13.

도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 긴 길이방향(D2)에 대향하는 위치에 요크(90)의 외주부재(91)가 마련되어 있기 때문에, 링하스(6)의 자력선이 외주부재(91)에 흡인되어, 중앙 부근의 자력선의 확산이 커진다. 이로써 성막재료입자(Mb)도 퍼지도록 확산되기 때문에, 긴 길이방향(D2)에 있어서의 확산폭이 커진다. 한편, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 짧은 길이방향(D1)에 대향하는 위치에는 외주부재(91)는 마련되어 있지 않기 때문에, 긴 길이방향(D2)에 비해 자력선의 확산이 작아진다. 이로써, 짧은 길이방향(D1)에 있어서의 확산폭이, 긴 길이방향(D2)에 비해 작아진다.Since the outer peripheral member 91 of the yoke 90 is provided at the position facing the long longitudinal direction D2 as shown in Fig. 8 (b), the magnetic force lines of the ring harness 6 contact the outer peripheral member 91 And the diffusion of the magnetic force lines near the center becomes large. As a result, the film forming material particles Mb are diffused so as to spread, so that the diffusion width in the long direction D2 becomes large. On the other hand, as shown in Fig. 8 (c), since the outer peripheral member 91 is not provided at the position facing the short longitudinal direction D1, the magnetic force lines are less diffused as compared with the long longitudinal direction D2. As a result, the diffusion width in the short longitudinal direction D1 becomes smaller than that in the long longitudinal direction D2.

1: 성막장치
2: 증발원
3: 반송기구
6: 링하스
9: 코일
10: 진공챔버
11: 성막대상물
13: 영구자석부
24: 자석편
50: 확산폭 조정부
60A, 60B: 보조 코일
70, 80: 약자력부
90: 요크1: Deposition device
2: evaporation source
3:
6: Ringhas
9: Coil
10: Vacuum chamber
11: Film forming object
13: permanent magnet portion
24: magnet piece
50: diffusion width adjusting section
60A, 60B: auxiliary coils
70, 80: weak magnetic force part
90: York

Claims

A film forming apparatus for adhering particles of a film forming material to an object to be formed in a vacuum chamber according to an ion plating method,
A plasma source for emitting a plasma beam into the vacuum chamber through a plasma inlet provided in the vacuum chamber;
An evaporation source for evaporating the film forming material to diffuse the particles of the film forming material,
A transport mechanism for transporting the film formation object in a predetermined transport direction in the vacuum chamber,
And a diffusion width adjusting section for adjusting a diffusion width of the particles of the film forming material from the evaporation source,
A direction orthogonal to the Y direction and a direction orthogonal to the Z direction are defined as X directions,
Wherein the vacuum chamber has a pair of side walls along the Y direction,
The evaporation source comprises:
The main beam having a charging portion extending in the X direction in which the film forming material is filled and inducing the plasma beam into the film forming material or a main anode through which the plasma beam is guided,
And a ring hearth which is disposed around the main hearth and has a permanent magnet portion and a coil, and which is a secondary anode for leading the plasma beam,
Wherein the diffusion width adjusting unit comprises:
A first auxiliary coil 60A which is formed in a pair in opposition to the Y direction and is formed in an annular shape to adjust the magnetic field of the ring hearth,
And a second auxiliary coil (60B) which is arranged in a pair in opposition to the Z direction and is formed in an annular shape and adjusts the magnetic field of the ring hearth,
The first auxiliary coil generates a magnetic force for weakening the magnetic force of the permanent magnet and the second auxiliary coil generates a magnetic force for strengthening the magnetic force of the permanent magnet, Wherein a diffusion width of the magnetic force lines in the Z direction is made larger so that a diffusion width in the Z direction is made larger than a diffusion width in the Y direction.

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The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary coils are disposed on the side of the conveying mechanism with respect to the permanent magnet portion of the ring hearth.

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