KR101586676B1 - 박막 태양전지 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은, 기판 위에 제1 분리부를 사이에 두고 이격되는 투명전극을 형성하는 단계; 상기 투명전극을 포함한 기판 전면에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층의 소정영역을 제거하여 제2 분리부를 형성하는 단계; 상기 제2 분리부를 포함한 반도체층 상에 금속도전층을 형성하는 단계; 및 상기 기판 배면을 통해 레이저를 조사함과 동시에, 상기 레이저와 대응되는 반대 방향에서 상기 금속도전층의 소정영역에 저온의 기체 또는 액체를 분사하여 금속전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

레이저 패터닝, 투명전극, 태양전지, 금속도전층, 분사기

Description

박막 태양전지 제조방법{METHOD FOR FABRICATING THIN FILM SOLAR CELL}

본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저 패터닝중 금속전극층 패터닝시에 발생하는 불량의 원인인 금속전극층과 투명전극 간의 전기적 연결 상태를 개선시킬 수 있는 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 태양전지는 태양광 에너지를 직접 전기로 변환시키는 반도체소자로, 이에 사용되는 재료에 따라 크게 실리콘계, 화합물계로 분류될 수 있다.

그리고, 실리콘계 태양전지는 반도체의 상(phase)에 따라 세부적으로 단결정 (single crystalline) 실리콘, 다결정(polycrystalline) 실리콘, 비정질 (amorphous) 실리콘 태양전지로 분류된다.

또한, 태양전지는 반도체의 두께로 따라 벌크(기판)형 태양전지와 박막형 태양전지로 분류되는데, 박막형 태양전지는 반도체층의 두께가 수 10μm 내지 수 μm 이하의 태양전지이다.

실리콘계 태양전지에서 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지는 벌크형에 속하며, 비정질 실리콘 태양전지는 박막형에 속한다.

한편, 화합물계 태양전지는 Ⅲ-Ⅴ족의 GaAs (Galium Arsenide)와 InP(Indium Phosphide) 등의 벌크형과 Ⅱ-Ⅵ 족의 CdTe (Cadmium Telluride) 및 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ의 CuInSe₂ (CIS; Copper Indium Diselenide) 등의 박막형으로 분류되며, 유기물계 태양전지는 크게 유기분자형과 유무기 복합형이 있다. 이 밖에 염료 감응형 태양전지가 있으며, 이들 모두가 박막형에 속한다.

이와 같이 여러 종류의 태양전지 중에서 에너지 변환효율이 높고 제조 비용이 상대적으로 저렴한 벌크형 실리콘 태양전지가 주로 지상 전력용으로 폭넓게 활용되어 오고 있다.

그러나, 최근에는 벌크형 실리콘 태양전지의 수요가 급증함에 따라 원료의 부족 현상으로 가격이 상승하려는 추세에 있다. 이에 대규모 지상 전력용 태양전지의 저가화 및 양산화 기술 개발을 위해서는 실리콘 원료를 현재의 수 100분의 1로 절감할 수 있는 박막형 태양전지의 개발이 절실히 요구되고 있다.

박막형 태양전지를 제작하기 위해서는 레이저 패터닝(laser patterning)법과, 화학적 기화가공(chemical vaporization machining; CVD)법, 금속침에 의한 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)법 등이 일반적으로 사용되고 있다.

상기 레이저 패터닝법은 주로 YAG 레이저 빕을 이용하여 투명전극과 태양전지(즉, 반도체)층, 전극층 등을 식각하는 기술이다. 즉, 레이저 패터닝의 원리는, 레이저광의 에너지를 패터닝될 물질 박막에 전달하여 박막을 기화, 폭발시키는 것이다. 이를 구체적으로 설명하면, 레이저 광이 유리기판을 통하여 박막에 흡수되면 흡수된 빛에너지에 의해 박막의 온도가 올라간다. 흡수된 빛 에너지에 의해 박막의 일부분이 고체, 액체, 기체로 차례로 상 변화를 겪고 이후 온도가 증가하면서 상부막이 기체의 압력을 견딜 수 없을때 폭발적으로 물질이 날아가게 되는 원리이다.

이러한 레이저 패터닝법을 적용한 종래기술에 따른 박막형 태양전지 제조방법에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 1a 내지 도 1c는 종래기술의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 2는 종래기술의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(11) 위에 형성되는 투명전극층(미도시)에 레이저를 조사하여 제1 분사부(15)를 갖는 투명전극(13)을 형성한 다음, 상기 투명전극(13)을 포함한 투명기판(11) 상에 태양전지용 반도체층(17)을 형성한다. 이때, 상기 투명전극(13)으로는 TCO 물질이 사용된다.

그다음, 상기 반도체층(17)에 레이저를 조사하여 이를 식각하여 제2 분사부(19)를 갖는 반도체층패턴(17)을 형성한다.

이어서, 상기 제 2 분사부(19)를 포함한 반도체층패턴(17) 및 투명전극(13) 상에 금속전극층(21)을 형성한다.

그 다음, 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이, 최종적으로 상기 금속전극층 (21)의 소정영역(23)에 레이저를 조사하여 금속전극층(21)을 식각함으로써 태양전지를 전기적으로 직렬로 연결시켜 집적형 태양전지를 형성하게 된다.

그러나, 종래기술에 박막형 태양전지 제조방법에 의하면 다음과 같은 문제점 이 있다.

종래기술에 박막형 태양전지 제조시에 적용하는 레이저 패터닝에서 문제가 되는 부분은 박막의 일부분, 즉 소정영역(23)이 기체로 변화할 정도의 에너지가 흡수되면 열전도에 의해 주변물질의 온도로 상승하게 되고 낮은 금속의 경우에는 녹아 액체 상태로 변하는 것이다. 액체 상태로 변한 금속전극층(21)은 패터닝시에 흘러서, 도 1c에 도시된 "A"부에서와 같이, 아래의 투명전극(13)과 전기적으로 연결되어 불량을 일으키게 된다.

또한, 도 2에 도시된 "A"부에서와 같이, 레이저 패터닝에 의해 금속전극층 (21) 식각시에, 금속전극층(21)이 폭발할 때 완전히 제거되지 않은 금속파편(21b)이 투명전극층(13)과 전기적으로 연결되어 불량을 일으키기도 한다.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 레이저 가공시에 패터닝되는 금속전극층 표면에 저온 또는 상온의 기체나 액체를 분사시켜 금속전극층 표면의 온도를 낮게 유지시킴으로써 금속의 용융을 방지하고자 한 박막 태양전지 제조방법을 제공함에 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 박막 태양전지 제조시에 적용하는 레이저 패터닝 공정시의 수율을 높임으로써 박막 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 박막 태양전지 제조방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은, 기판 위에 제1 분리부를 사이에 두고 이격되는 투명전극을 형성하는 단계; 상기 투명전극을 포함한 기판 전면에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층의 소정영역을 제거하여 제2 분리부를 형성하는 단계; 상기 제2 분리부를 포함한 반도체층 상에 금속도전층을 형성하는 단계; 및 상기 기판 배면을 통해 레이저를 조사함과 동시에, 상기 레이저와 대응되는 반대 방향에서 상기 금속도전층의 소정영역에 저온의 기체 또는 액체를 분사하여 금속전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.

본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은, 레이저 패터닝시에 금속도전층 상부에 저온 또는 상온의 기체 또는 액체를 분사하여 금속층의 온도를 급격히 감소되게함으로써 비정질 실리콘에 흡수된 레이저광에 의해 금속도전층의 온도가 용융 온도로 상승하지 못하게 된다.

따라서, 레이저광의 흡수에 의해 기체화된 실리콘막의 압력으로 폭발한 뒤, 남아 있는 액체 금속이 패터닝된 구멍으로 다시 흘러 들어가서 투명전극과 전기적 연결을 이루는 일이 발생하지 않게 된다.

또한, 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은, 레이저 패터닝시에 분사하는 기체를 산소로 사용하는 경우 레이저 패터닝후 노출된 결정화된 실리콘막이 급격히 산화하여 패시베이션(passivation)되므로 안정된 셀 구조를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법을 설명하기 위한 제조공정 단면도이다.

도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(101) 상에 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 투명도전층 (103)을 형성한다. 이때, 상기 기판(101)은 투명기판 또는 불투명 기판이며, 상기 투명도전층(103)은 산화아연(Zinc Oxide; ZnO), 산화주석(Tin Oxide; SnO₂), 산화인 듐주석 (Indium Tin Oxide; ITO), ZnO:B, ZnO:Al, SnO₂F 중 어느 하나 이상인 투명전도성 물질 또는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등과 같이 반사율이 높은 금속의 단일 금속이거나 또는 알루미늄 (Al)/은(Ag)이 혼합된 다중 금속재료는 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 금(Au) 중 어느 하나 이상의 금속성 물질이다.

그 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 투명도전층(103)을 레이저 조사를 통한 레이저 스크라이빙법 (laser scribing method)을 이용하여 상기 투명도전층 (103)의 소정영역을 제거하여 제1 분리부(105)를 갖는 투명전극(103a)을 형성한다.

이때, 상기 투명전극(103a)을 형성하는 공정으로는 상기 레이저 스크라이빙법 이외에, 스크린 인쇄법(screen printing), 잉크젯 인쇄법(inkjet printing), 그라비아 인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉 인쇄법(micricontact printing)과 같은 방법을 이용하여 한번의 공정으로 기판(101) 위에 제1 분리부(105)를 사이에 두고 이격되는 투명전극(103a)을 형성하는 공정으로 이루어질 수도 있다.

여기서, 상기 스크린 인쇄법은 스크린과 스퀴즈(squeeze)를 이용하여 대상물질을 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이며, 잉크젯 인쇄법은 잉크젯을 이용하여 대상물질을 작업물에 분사하여 소정의 패턴을 형성하는 방법이다. 또한, 그라비아 인쇄법은 오목판의 홈에 대상물질을 도포하고 그 대상물질을 다시 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이며, 상기 미세접촉 인쇄법은 소정의 금형을 이용하여 작업물에 대상물질 패턴을 형성하는 방법이다.

이와 같이, 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 그라비아 인쇄법 또는 미세접촉 인쇄법을 이용하여 투명전극(103a)을 형성할 경우 레이저 스크라이빙 공정을 이용하는 경우에 비하여 기판이 오염될 우려가 줄어 들고 기판의 오염 방지를 위한 세정공정 또한 줄어들게 된다.

상기 투명전극(103a)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하기 위해서 텍스처(texturing) 가공공정을 통해 요철구조로 형성할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 통해 수행할 수 있다.

이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 투명전극(103a)을 포함한 기판 (101) 전면에 비정질실리콘(a-Si)으로 구성된 반도체층(107)을 형성한다. 이때, 상기 반도체층(107)은 실리콘계 반도체물질을 플라즈마 CVD법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 도면에는 도시하지 않았지만, P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN 구조로 형성될 수 있다.

이와 같이, 상기 반도체층(107)이 PIN구조로 형성되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트 (drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되게 된다.

한편, 상기 반도체층(107)이 PIN구조로 형성될 경우에는 상기 투명전극 (103a) 상부에 P형 반도체층을 형성하고, 이어 I형 반도체층 및 N형 반도체층을 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift moblity)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해 P형 반도체층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.

그다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(107)을 레이저 스크라이빙법을 이용하여 상기 반도체층(107)의 소정영역을 제거하여 제2 분리부(109)를 갖는 반도체층패턴(107a)을 형성한다.

이때, 상기 반도체층패턴(107a)을 형성하는 공정으로는 상기 레이저 스크라이빙법 이외에, 스크린 인쇄법(screen printing), 잉크젯 인쇄법(inkjet printing) , 그라비아 인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉 인쇄법(micricontact printing)과 같은 방법을 이용하여 한번의 공정으로 투명전극(10a) 위에 제2 분리부(109)를 사이에 두고 이격되는 반도체층패턴(107a)을 형성하는 공정으로 이루어질 수도 있다.

여기서, 상기 스크린 인쇄법은 스크린과 스퀴즈(squeeze)를 이용하여 대상물질을 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이며, 잉크젯 인쇄법은 잉크젯을 이용하여 대상물질을 작업물에 분사하여 소정의 패턴을 형성하는 방법이다. 또한, 그라비아 인쇄법은 오목판의 홈에 대상물질을 도포하고 그 대상물질을 다시 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이며, 상기 미세접촉 인쇄법은 소정의 금형을 이용하여 작업물에 대상물질 패턴을 형성하는 방법이다.

이와 같이, 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 그라비아 인쇄법 또는 미세접촉 인쇄법을 이용하여 반도체층패턴(107a)을 형성할 경우 레이저 스크라이빙 공정을 이용하는 경우에 비하여 기판이 오염될 우려가 줄어 들고 기판의 오염 방지를 위한 세정공정 또한 줄어들게 된다.

이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 분사부(109)를 포함한 반도체층패턴(107a) 상에 금속도전층(111)을 형성한다. 이때, 상기 금속도전층(111)은 스퍼터링(Sputtering)법 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 형성한다. 또한, 상기 금속도전층(111)은 산화아연(Zinc Oxide; ZnO), 산화주석(Tin Oxide; SnO₂), 산화인듐주석 (Indium Tin Oxide; ITO), ZnO:B, ZnO:Al, SnO₂F 중 어느 하나 이상인 투명전도성 물질 또는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등과 같이 반사율이 높은 금속의 단일 금속이거나 또는 알루미늄 (Al)/은(Ag)이 혼합된 다중 금속재료는 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 금(Au) 중 어느 하나 이상의 금속성 물질이다.

그 다음, 도 3f 및 도 3g에 도시된 바와 같이, 상기 금속도전층(111)을 레이저 스크라이빙법을 이용하여 상기 금속도전층(111)의 소정영역(113)을 제거하여 제3 분리부(115)를 갖는 금속전극(111a)을 형성한다. 이때, 상기 레이저 스크라이빙법을 이용한 패터닝시에 발생하는 불량의 원인인 금속도전층(111)과 투명전극 (103a)의 전기적 연결을 개선하기 위해, 상기 레이저 가공시에 패터닝되는 금속도전층(111) 표면에 분사기(121)를 통해 저온 또는 상온의 기체나 액체를 분사시켜 금속도전층(111) 표면의 온도를 낮게 유지하여 금속도전층(111)이 용융되지 않도록 한다.

한편, 상기 기체 또는 액체중 기체로는 에어(air), 질소가스(Na₂) 또는 산소가스(O₂) 등을 사용한다. 또한, 상기 레이저 패터닝시에, 상기 분사기(121)를 통해 기체나 액체를 분사시킴과 동시에 분사된 기체나 액체와 더불어, 패터닝시에 발생하는 파편(123) 또는 찌꺼기 등을 흡입한다. 이때, 기체의 종류로써 저온의 산소를 사용하는 경우에 산소 공급으로 패터닝되고 남은 반도체층이 급격히 산화되어 패시베이션(passivation)되며, 분사되는 기체 또는 액체의 압력에 따라 레이저 가공후 찌꺼기를 효과적으로 날려 버릴 수 있는 세정효과를 얻을 수 있다.

즉, 도 3f에서와 같이, 레이저 광이 기판(101)을 통해 박막에 조사되면, 에너지가 흡수되는 박막의 아래 부분 (즉, 투명전극과 반도체층의 계면)을 중심으로 온도가 상승한다. 이때, 박막 계면에서의 온도 상승은 물질의 열전도 특성에 의해 주변으로 전파되는데 반도체층의 계면 중심으로 열확산 거리가 1 nsec 당 약 30 nm 정도가 되어 레이저 펄스 폭이 클소록 금속도전층(111)으로의 열전달이 증가하여 용융을 일으키게 된다.

따라서, 본 발명에서는 레이저광이 조사되는 반대쪽 박막 방향의 금속도전층 (111)에 저온의 기체나 액체를 분사기(121)를 통해 분사시킴으로써 금속도전층 (111) 온도를 저온 기체의 온도와 유사하게 유지하여 금속도전층 (111)의 용융을 방지하게 된다. 이때, 상기 저온의 기체, 액체의 온도는 금속의 용융점인 500 ℃ 이하이며, 실제로는 상온∼200 ℃ 정도를 의미한다.

이렇게 레이저광에 의한 열흡수로 비정질 실리콘층인 반도체층패턴(107a)이 액체 또는 기체로 변화한 후 기체의 압력 상승으로 금속도전층(111)이 기체 압력에 의한 스트레스(stress)를 더 이상 견디지 못하게 되면, 금속이 찢어지면서 물질이 날아가 버리는 방법으로 패터닝된다. 이때, 상기 금속도전층(111)이 액체 상태가 아니기 때문에 그 아래의 투명전극(103a)과 전기적 연결이 발생하지 않는다.

한편, 상기 금속전극(111a)을 형성하는 공정으로는 상기 레이저 스크라이빙법 이외에, 전술한 바와 같이, 스크린 인쇄법(screen printing), 잉크젯 인쇄법 (inkjet printing) , 그라비아 인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉 인쇄법 (micricontact printing)과 같은 방법을 이용하여 한번의 공정으로 반도체층패턴 (107a) 위에 제3 분리부(115)를 사이에 두고 이격되는 금속전극(111a)을 형성하는 공정으로 이루어질 수도 있다.

여기서, 상기 스크린 인쇄법은 스크린과 스퀴즈(squeeze)를 이용하여 대상물질을 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이며, 잉크젯 인쇄법은 잉크젯을 이용하여 대상물질을 작업물에 분사하여 소정의 패턴을 형성하는 방법이다. 또한, 그라비아 인쇄법은 오목판의 홈에 대상물질을 도포하고 그 대상물질을 다시 작업물에 전이시켜 소정의 패턴을 형성하는 방법이며, 상기 미세접촉 인쇄법은 소정의 금형을 이용하여 작업물에 대상물질 패턴을 형성하는 방법이다.

이와 같이, 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 그라비아 인쇄법 또는 미세접촉 인쇄법을 이용하여 금속전극(111a)을 형성할 경우 레이저 스크라이빙 공정을 이용하는 경우에 비하여 기판이 오염될 우려가 줄어 들고 기판의 오염 방지를 위한 세 정공정 또한 줄어들게 된다.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은, 레이저 패터닝시에 금속도전층 상부에 저온 또는 상온의 기체 또는 액체를 분사하여 금속층의 온도를 급격히 감소되게 함으로써 비정질 실리콘에 흡수된 레이저광에 의해 금속도전층의 온도가 용융 온도로 상승하지 못하게 된다.

따라서, 레이저광의 흡수에 의해 기체화된 실리콘막의 압력으로 폭발한 뒤, 남아 있는 액체 금속이 패터닝된 구멍으로 다시 흘러 들어가서 투명전극과 전기적 연결을 이루는 일이 발생하지 않게 된다.

또한, 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법은, 레이저 패터닝시에 분사하는 기체를 산소로 사용하는 경우 레이저 패터닝 후 노출된 결정화된 실리콘막이 급격히 산화하여 패시베이션(passivation)되므로 안정된 셀 구조를 얻을 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것이 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

도 1a 내지 도 1c는 종래기술의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 2는 종래기술의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 박막 태양전지 제조방법을 설명하기 위한 제조공정 단면도이다.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 ***

101 : 기판 103 : 투명전극

105 : 제1 분리부 107 : 반도체층

107a : 반도체층패턴 109 : 제2 분리부

111 : 금속전극층 111a : 금속전극

113 : 소정영역 115 : 제3 분리부

121 : 분사기 123 : 파편(기체, 액체)

131 : 집진장치

Claims (7)

1. 기판 위에 제1 분리부를 사이에 두고 이격되는 투명전극을 형성하는 단계;

   상기 투명전극을 포함한 기판 전면에 반도체층을 형성하는 단계;

   상기 반도체층의 소정영역을 제거하여 제2 분리부를 형성하는 단계;

   상기 제2 분리부를 포함한 반도체층 상에 금속도전층을 형성하는 단계; 및

   상기 기판 배면에 레이저를 조사함과 동시에, 상기 레이저가 조사되는 기판 배면과 대응되는 반대쪽의 상기 금속도전층의 소정영역에 저온의 기체 또는 액체를 분사하여 제3 분리부를 갖는 금속전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며,

   상기 레이저 조사시에 상기 레이저가 조사되는 기판 배면과 대응되는 반대쪽의 상기 금속도전층의 소정영역에 기체나 액체를 분사시켜 상기 금속도전층 온도를 기체 또는 액체의 온도로 유지시키는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 레이저 조사시에 기체 또는 액체를 분사시킴과 동시에 분사된 기체 또는 액체를 흡입하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 기체로는 에어(air), 질소(N₂) 또는 산소(O₂)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법.
4. 삭제
5. 제 1항에 있어서, 상기 금속도전층 온도는 상기 기체 또는 액체의 온도인 500 ℃ 이하로 유지시키는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법.
6. 제 1항에 있어서, 상기 제1 분리부와 제2 분리부는 레이저 패터닝공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법.
7. 제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 비정질실리콘(a-Si)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법.

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