KR101581066B1 - 컴포넌트의 온도를 제어하기 위한 메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템 - Google Patents
컴포넌트의 온도를 제어하기 위한 메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
개선된 컴포넌트 온도 제어를 갖는 플라즈마 처리 시스템이 기재된다. 이 시스템은 챔버 벽을 갖는 플라즈마 처리 챔버를 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 플라즈마 처리 챔버 내에 배치된 전극을 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 전극을 지지하기 위해 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치된 지지 부재를 포함할 수도 있다. 이 시스템은 또한 챔버 벽 외부에 배치된 지지 플레이트를 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 지지 부재를 지지 플레이트에 커플링시키기 위해 챔버 벽을 통해서 배치된 캔틸레버를 포함할 수도 있다. 이 시스템은 또한 챔버 벽과 지지 플레이트 사이에 배치된 리프트 플레이트를 포함할 수도 있다. 또한, 시스템은 리프트 플레이트를 지지 플레이트에 기계적으로 커플링하기 위한 열저항성 커플링 메커니즘을 포함할 수도 있다.
Description
본 발명은 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들의 온도를 제어하는 것에 관한 것이다. 일례로서, 온도 제어는 플라즈마 처리 시스템에서의 전극-대-전극 평행도 (electrode-to-electrode parallelism) 를 조절하는데 수반되는 컴포넌트들에 관련할 수도 있다.
플라즈마 처리에서, 차세대 디바이스 제조시에 피쳐 (feature) 크기의 축소 및 새로운 재료의 구현은 플라즈마 처리 장비에 새로운 요건을 부과한다. 더 작은 디바이스 피쳐, 더 큰 기판 크기, 및 새로운 처리 기술 (듀얼-다마신 에칭에 대해서와 같은 다단계 레시피를 수반) 은 더 나은 디바이스 수율을 위해 웨이퍼에 걸쳐 우수한 균일성을 유지시키는 도전을 증진시켜왔다.
용량 결합 RF 플라즈마 반응기에서, 기판 전극에 대향하는 전극은 일반적으로 상부 전극으로 지칭된다. 상부 전극은 접지될 수 있고, 또는 이 상부 전극에 부착된 하나 이상의 RF (radio frequency) 전원을 가질 수 있다. 통상적으로, 이 기판 전극은 하부 전극으로 지칭된다. 용량 결합 플라즈마 처리 챔버에서 하부 전극에 대한 기계적 배열은 챔버의 측면으로부터 하부 전극을 포함하는 어셈블리를 캔틸레버하는 것을 수반할 수도 있다. 이렇게 캔틸레버된 하부 전극은 상부 전극으로부터 고정된 거리에 있을 수 있고, 또는 상부 전극으로부터 가변적인 거리로 설계될 수 있다. 이 두 경우에서, 일 전극 표면에 대한 다른 전극 표면의 평행도는 일반적으로 웨이퍼 상에서 프로세스 성능에 영향을 미칠 수 있는 중요한 기계적 파라미터이다.
부가된 복잡성으로 인해, 수많은 용량 결합 RF 플라즈마 반응기는 전극들 사이의 정밀한 평행도 조절의 피쳐를 무시할 수도 있고, 허용가능한 한계 (acceptable limit) 내에서 평행도를 유지시키기 위해 어셈블리 컴포넌트들의 엄격한 제조 허용오차에 의존할 수도 있다. 통상적으로, 이러한 접근방식은 이들 컴포넌트들에 비용을 추가시키고, 달성될 수 있는 궁극적인 평행도 사양을 제한시킬 수도 있다. 예를 들어, 어셈블리 컴포넌트들이 온도 변화를 경험할 수도 있고, 그 반응기 내에서의 상이한 컴포넌트들이 상이한 열 특성을 가질 수도 있다는 것을 고려하면, 어셈블리 컴포넌트들의 엄격한 제조 허용오차를 달성하는 것은 난제이며 값비쌀 수도 있다.
몇몇 배열은, 어셈블리 도중에 평행도를 조절하기 위한 자유 운동을 허용하기 위해 부품들을 합치시키는데 있어서 슬롯 또는 클리어런스 홀 (clearance hole) 을 포함할 수도 있다. 이러한 배열은 시간 소모적일 수도 있고, 정확한 구성을 달성하기 위해 통상 반복적인 프로세스를 요구할 수도 있다. 또한, 이러한 배열은 필수적인 컴포넌트들을 조절하기 위해 어느 정도까지 플라즈마 처리 시스템을 해체 (disassemble) 시키도록 요구할 수도 있다. 또한, 컴포넌트들이 조절되는 온도는 컴포넌트들에 플라즈마 처리가 수행되는 동안의 온도와는 실질적으로 상이할 수도 있다. 온도 변화의 영향은 정확하지 않은 구성을 렌더링할 수도 있고, 또는 그 조절을 수행하는데 있어서 추가적인 노력을 요구할 수도 있다.
몇몇 배열은 조절을 위한 수단을 제공하도록 시도할 수도 있지만, 전극들 중 적어도 하나의 전극 상에서의 실질적인 영향에 조절의 양을 상관시키기 위한 어떠한 직접적인 수단도 가지지 않을 수도 있다. 그 결과, 이러한 방법은 또한 평행도를 조정 (dial) 하기 위해 반복적인 프로세스를 요구할 수도 있다. 또한, 이들 방법들 중 몇몇은 진동 (예를 들어, 선적 부하 (shipping load)) 및/또는 온도 변화로 인해서 시간이 경과함에 따라 조절의 시프팅에 대해 취약하다.
본 발명의 실시형태는 개선된 컴포넌트 온도 제어를 갖는 플라즈마 처리 시스템에 관한 것이다. 이 시스템은 챔버 벽을 갖는 플라즈마 처리 챔버를 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치된 전극을 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 이 전극을 지지하기 위한 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치된 지지 부재를 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 챔버 벽 외부에 배치된 지지 플레이트를 포함할 수도 있다. 또한, 이 시스템은 지지 플레이트와 지지 부재를 커플링시키기 위해 챔버벽을 통해서 배치된 캔틸레버 (cantilever) 를 포함할 수도 있다. 이 시스템은 또한, 챔버 벽과 지지 플레이트 사이에 배치된 리프트 플레이트를 포함할 수도 있다. 이 시스템은, 리프트 플레이트와 지지 플레이트를 기계적으로 커플링시키기 위한 열저항성 커플링 메커니즘을 포함할 수도 있다.
앞서 기재된 개요는 본 명세서에 설명된 본 발명의 수많은 실시형태들 중 오직 하나의 실시형태에만 관련되고, 본 명세서의 청구범위에서 설명된 본 발명의 범위를 제한하는 것으로는 의도되지 않는다. 본 발명의 이러한 특징 및 다른 특징들은 본 발명의 상세한 설명에서 그리고 이하의 도면과 관련하여 이하 상세하게 설명될 것이다.
본 발명은, 첨부된 도면의 도 (figure) 에서 한정의 방식이 아닌 예시의 방식으로 설명되고, 첨부된 도면에서 유사한 참조 부호는 유사한 엘리먼트를 지칭한다.
도 1a 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 챔버 내의 하부 전극의 배향을 조절하기 위한 조절 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 챔버의 부분 사시도를 도시한다.
도 1b 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 1 회전 (또는 피치) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 측면도를 도시한다.
도 1c 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 2 회전 (또는 롤) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 후면도를 도시한다.
도 1d 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 측면도를 도시한다.
도 1e 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 피치 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 1f 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 분해도를 도시한다.
도 1g 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 캠의 사시도를 도시한다.
도 1h 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 1i 는, 도 1a 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 챔버 내의 하부 전극의 배향을 조절하기 위한 조절 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 챔버의 부분 사시도를 도시한다.
도 1j 는, 도 1b 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 1 회전 (또는 피치) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 측면도를 도시한다.
도 1k 는, 도 1c 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 2 회전 (또는 롤) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 후면도를 도시한다.
도 1l 은, 도 1d 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 측면도를 도시한다.
도 1m 은, 도 1e 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 피치 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 1n 은, 도 1f 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 분해도를 도시한다.
도 1o 는, 도 1g 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 캠의 사시도를 도시한다.
도 1p 는, 도 1h 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 2a 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들의 온도를 제어하기 위한 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 단면도를 도시한다.
도 2b 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 열 절연 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 전극 어셈블리의 부분 단면도를 도시한다.
도 2c 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 사시도를 도시한다.
도 2d 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 단면도를 도시한다.
도 2e 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 여기서 구현된 열저항성 부재/메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템의 지지 플레이트의 사시도를 도시한다.
도 2f 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 여기서 구현된 열저항성 부재/메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템의 리프트 플레이트의 부분 사시도를 도시한다.
도 3 은 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 컴포넌트들의 온도를 제어하기 위한 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 단면도를 도시한다.
도 1a 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 챔버 내의 하부 전극의 배향을 조절하기 위한 조절 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 챔버의 부분 사시도를 도시한다.
도 1b 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 1 회전 (또는 피치) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 측면도를 도시한다.
도 1c 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 2 회전 (또는 롤) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 후면도를 도시한다.
도 1d 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 측면도를 도시한다.
도 1e 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 피치 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 1f 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 분해도를 도시한다.
도 1g 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 캠의 사시도를 도시한다.
도 1h 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 1i 는, 도 1a 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 챔버 내의 하부 전극의 배향을 조절하기 위한 조절 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 챔버의 부분 사시도를 도시한다.
도 1j 는, 도 1b 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 1 회전 (또는 피치) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 측면도를 도시한다.
도 1k 는, 도 1c 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극의 제 2 회전 (또는 롤) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버의 부분 후면도를 도시한다.
도 1l 은, 도 1d 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 측면도를 도시한다.
도 1m 은, 도 1e 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 피치 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 1n 은, 도 1f 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 부분 분해도를 도시한다.
도 1o 는, 도 1g 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 캠의 사시도를 도시한다.
도 1p 는, 도 1h 의 다른 도면이며, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 조절 메커니즘의 롤 조절 사용자 인터페이스의 부분 사시도를 도시한다.
도 2a 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들의 온도를 제어하기 위한 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 단면도를 도시한다.
도 2b 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 열 절연 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 전극 어셈블리의 부분 단면도를 도시한다.
도 2c 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 사시도를 도시한다.
도 2d 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 단면도를 도시한다.
도 2e 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 여기서 구현된 열저항성 부재/메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템의 지지 플레이트의 사시도를 도시한다.
도 2f 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 여기서 구현된 열저항성 부재/메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템의 리프트 플레이트의 부분 사시도를 도시한다.
도 3 은 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 컴포넌트들의 온도를 제어하기 위한 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템의 부분 단면도를 도시한다.
본 발명은 첨부된 도면에서 도시된 것과 같이 몇몇 실시형태들을 참조하여 상세하게 설명될 것이다. 이하의 상세한 설명에서, 수많은 구체적인 세부사항들이 설명되어 본 발명의 전반적인 이해를 제공한다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 세부사항의 몇몇 또는 모두 없이도 실행될 수도 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다. 몇몇 예시에서, 공지된 프로세스 단계 및/또는 구조는 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 상세하게 설명되지 않는다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태들은, 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들의 온도를 제어하기 위한 메커니즘을 갖는 플라즈마 처리 시스템에 관한 것이다. 플라즈마 처리 시스템은 챔버 벽을 갖는 플라즈마 처리 챔버를 포함할 수도 있다. 플라즈마 처리 챔버 내부에, 플라즈마 처리 시스템은 플라즈마 처리 도중에 기판을 지지할 수도 있는 전극; 및 바이어스 전원을 에워쌀 수도 있고 전극을 지지할 수도 있는 바이어스 하우징을 포함할 수도 있다. 플라즈마 처리 챔버 외부에, 플라즈마 처리 시스템은 지지 플레이트 및 리프트 플레이트를 포함할 수도 있다. 리프트 플레이트는 챔버 벽과 지지 플레이트 사이에 배치될 수도 있다. 또한, 플라즈마 처리 시스템은 리프트 플레이트와 챔버 벽을 커플링시키기 위한 그리고 리프트 플레이트의 움직임을 가이드하기 위한 베어링 메커니즘을 포함할 수도 있다. 또한, 플라즈마 처리 시스템은, 바이어스 하우징, 전극, 기판 등의 중량을 지탱하기 위해 바이어스 하우징과 지지 플레이트를 커플링할 수도 있는 캔틸레버를 포함할 수도 있다. 또한, 플라즈마 처리 시스템은, 동작을 최적화하고 컴포넌트에 대한 수명을 연장시키기 위해, 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트의 온도를 제어하기 위해, 이하 설명된, 열 절연 부재, 하나 이상의 전기 팬들, 및 열저항성 부재/메커니즘과 같은 온도 제어 메커니즘을 포함할 수도 있다.
플라즈마 처리 시스템은 전극과 바이어스 하우징 사이에 배치된 하나 이상의 열절연성 링들과 같은 절연 부재를 포함할 수도 있다. 따라서, 전극의 온도 변화 (예를 들어, -10℃ 내지 80℃ 범위) 의 영향은 플라즈마 처리 시스템의 다른 컴포넌트들에 실질적으로 전파시키지 않고 전극으로만 제한될 수도 있다. 유리하게, 원치 않는 열팽창 및 응축과 관련된 문제는 최소화되거나 또는 방지될 수도 있고, 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들 (예를 들어, 기계적 컴포넌트 및 전기적 컴포넌트) 은 보호될 수도 있다.
또한, 플라즈마 처리 시스템은 지지 플레이트에서 주위 온도 공기 (예를 들어, 약 20℃ 의 온도를 갖는 제조 시설로부터의 공기) 을 불어넣기 위한 팬을 포함하여, 이에 따라, 캔틸레버 및 바이어스 하우징과 같이 지지 플레이트와 열적으로 커플링된 부재 및 지지 플레이트에 대한 온도 변화를 최소화할 수도 있다. 유리하게, 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들이 더 보호될 수도 있다.
또한, 플라즈마 처리 시스템은 리프트 플레이트와 지지 플레이트 사이의 인터페이스로서 기능하는 하나 이상의 열저항성 부재/메커니즘들을 포함할 수도 있다. 따라서, 플라즈마 처리 도중에 전극의 온도 변화가 캔틸레버에 의해 제공된 열적 커플링을 통해서 지지 플레이트의 상당한 온도 변화를 야기한다고 할지라도, 리프트 플레이트의 온도는 실질적으로 일정하게 유지될 수도 있다. 그 결과, 베어링 메커니즘과 같은 리프트 플레이트와 커플링된 컴포넌트 상에서 불필요한 적재를 가하는 리프트 플레이트의 상당한 원치않는 팽창 또는 수축은 없을 수도 있다. 유리하게, 리프트 플레이트에 커플링된 컴포넌트들은 적절하게 동작할 수도 있고 긴 수명을 가질 수도 있다.
플라즈마 처리 시스템은 전기 저항 히터 또는 냉각제 채널과 같은 복잡한 가열 및 냉각 설비 또는 디바이스를 요구하지 않을 수도 있다. 따라서, 플라즈마 처리 시스템에 대한 제조 및 유지 비용은 최소화될 수도 있다.
또한, 플라즈마 처리 시스템은 전극-대-전극-평행도를 조절하기 위한 메커니즘을 포함할 수도 있다. 전극-대-전극 평행도를 조절하는데 관련된 컴포넌트들의 온도 변화가 최소화되기 때문에, 전극-대-전극 평행도는 적절하게 조절될 수도 있고 빈번한 캘리브레이션 (calibration) 없이 장기간 동안 유지될 수도 있다. 유리하게, 플라즈마 처리를 적절하게 하기 위한 노력 및 비용이 최소화될 수도 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태들이 플라즈마 처리 시스템 내의 전극-대-전극 평행도를 조절하기 위한 메커니즘에 관련한다. 이 메커니즘은 피치 (전면에서 후면) 및 롤 (측면에서 측면) 방향에서 하부 전극의 배향/회전을 개별적으로 조절할 수도 있다. 이 메커니즘은 낮은 조합 비용으로 평행도에 대한 고정밀도 조절을 총체적으로 달성하는 저비용의 간단한 부품을 포함할 수도 있다.
메커니즘의 사용자 인터페이스가 플라즈마 처리 챔버 외부에 배치되기 때문에, 메커니즘은 시스템이 진공하에서, 분위기에서, 및/또는 인시츄인 동안 전극 배향/평행도 조절을 허용할 수도 있다. 또한, 이 메커니즘은 플라즈마 처리 시스템의 최소의 해체를 통해서 또는 해체하지 않고 조절을 허용할 수도 있다.
이 메커니즘은 정밀한 전극 배향/평행도 조절을 가능하게 할 수도 있다. 0.01㎜ 까지의 정확한 평행도의 정밀도 조절이 용이하게 달성될 수 있다. 또한, 이 메커니즘은 조절량의 명백한 피드백을 제공하도록 캘리브레이팅된 인덱스를 포함할 수도 있고, 이에 따라, 반복적인 조절 및 측정에 대한 필요성을 제거할 수도 있다.
또한, 이 메커니즘은 전극 배향/평행도 설정을 로킹하는 것을 가능하게 한다. 조절된 전극 배향/평행도 설정이 안전하게 로킹 다운되면, 이 설정은 통상적인 진동 및 선적 부하를 통해서 변경되지 않고 유지되어야만 한다.
저비용 부품을 사용하고 정밀한 레벨까지 평행도의 신속한 조절-로킹을 허용하게 함으로써, 이 메커니즘은 주요 컴포넌트상에서 엄격한 제조 허용오차에 대한 필요성을 감소시킬 수도 있고 전극 평행도와 관련하여 프로세스 성능을 비용-효율적으로 최적화시킬 수도 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태들은, 전술되고 이하 실시예에서 추가적으로 논의되는 전극 배향/평행도 조절 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템에 관련된다.
본 발명의 특징 및 이점은 도면 및 하기 설명을 참조하여 더 이해될 수도 있다.
도 1a 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 하부 전극 (110) (또는 척 (110)) 의 배향을 조절하기 위한 메커니즘 (100) 을 포함하는 플라즈마 처리 챔버 (198) 의 부분 사시도를 도시한다. 플라즈마 처리 챔버 (198) 에서 처리 수율을 최적화하기 위해, 상부 전극 (108) 과 하부 전극 (110) 사이의 전극-대-전극 평행도는 하부 전극 (110) 의 배향을 조절함으로써 보장될 수도 있다.
메커니즘 (100) 은 캔틸레버 (114) 와 바이어스 하우징 (112) 을 통해서 하부 전극 (110) 과 커플링된 터널 지지 플레이트 (102) (지지 플레이트 (102)) 를 포함할 수도 있다. 또한, 메커니즘 (100) 은 하부 전극 (110) 의 피치를 조절하기 위한 피치 조절 스크류 (106) 를 포함할 수도 있고; 하부 전극 (110) 의 피치는 도 1b 의 예시에서 설명된다. 메커니즘 (100) 은, 또한, 하부 전극 (110) 의 롤을 조절하기 위한 롤 조절 캠 (104) 을 포함할 수도 있고; 하부 전극 (110) 의 롤은 도 1c 의 예시에서 설명된다.
도 1b 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 제 1 회전 (192) (피치 (192)) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버 (198) 의 부분 측면도를 나타낸다. 메커니즘 (100) 은 피치 축 (118) 에 대한 하부 전극 (110) 의 제 1 회전 (192) (피치 (192)) 의 조절을 용이하게 할 수도 있다. 피치 축 (118) 은 기판 삽입 방향 (116) 에 실질적으로 직교하고, 여기서 기판은 플라즈마 처리 챔버 (198) 에 삽입될 수도 있다.
도 1c 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 제 2 회전 (194) (롤 (194)) 을 나타내는 플라즈마 처리 챔버 (198) 의 부분 후면도를 도시한다. 메커니즘 (100) 은 롤 축 (120) 에 대한 하부 전극 (110) 의 제 2 회전 (194) (롤 (194)) 의 조절을 용이하게 한다. 롤 축 (120) 은 기판 삽입 방향 (116) 에 대해 실질적으로 평행하다.
도 1d 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 메커니즘 (100) 의 부분 측면도를 도시한다. 메커니즘 (100) 에서, 지지 플레이트 (102) 는 플라즈마 처리 챔버 (198) (도 1a 의 예시에서 도시됨) 의 챔버 벽 (126) 외부에 배치된다. 지지 플레이트 (102) 는, 예를 들어, 지지 플레이트 (102) 의 부분 (138) (예를 들어, 상부 부분) 에서 피봇 (122) 및/또는 다른 피봇 메커니즘에 의해 챔버 벽 (126) 에 대해 회전될 수도 있다. 지지 플레이트는 피치 조절 스크류 (106) 의 스레드 (128) 와 맞물릴 수도 있는 스레드 (146) 를 가질 수도 있다. 따라서, 피치 조절 스크류 (106) 를 터닝하는 것은 외측 방향 (142) 또는 내측 방향 (144) 에서 피치 조절 스크류 (106) 에 대해 지지 플레이트 (102) 의 부분 (140) (예를 들어, 하부 부분) 의 병진 (translation) 을 유발할 수도 있다. 지지 플레이트 (102) 의 부분 (140) 의 병진은 챔버 벽 (126) 에 대한 지지 플레이트 (102) 의 회전을 유발할 수도 있다. 지지 플레이트 (102) 가 하부 전극 (110) 과 커플링되기 때문에, 방향 (142 또는 144) 을 따르는 지지 플레이트 (102) 의 회전은 실질적으로 피치축 (118) 에 대해 하부 전극 (110) 의 회전을 유발할 수도 있다. 스레드 (146 및 128) 의 정밀도는 하부 전극 (110) 의 회전 (192) 의 양이 안정적으로 그리고 정밀하게 조절되는 것을 가능하게 할 수도 있다.
또한, 메커니즘 (100) 은 챔버 벽 (126) 과 지지 플레이트 (102) 사이에 배치된 리프트 플레이트 (124) 를 포함할 수도 있다. 메커니즘 (100) 은 또한 리프트 플레이트 (124) 및 챔버 벽 (126) 과 커플링된 베어링 (134 및 136) 과 같은 하나 이상의 베어링들을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 베어링들은, 하부 전극 (110) 의 회전 (192) 의 원활하고 정밀한 조절을 위해 챔버 벽 (126) 에 대한 지지 플레이트 (102) 의 움직임 (예를 들어, 방향 (142 또는 144) 에서 병진, 및/또는 방향 (142 또는 144) 에 수직하는 방향으로 병진) 을 용이하게 하고 및/또는 가이드할 수도 있다.
또한, 메커니즘 (100) 은 피치 조절 스크류 (106) 를 지지 플레이트 (102) 에 로킹/고정시키기 위한, 예를 들어, 분할 클램프 (132) 및 클램프 스크류 (130) 를 포함하는 클램핑 메커니즘을 포함하여, 피치 조절 스크류 (106) 가 회전 및 병진되는 것을 방지할 수도 있다. 예를 들어, 설정을 로킹 다운하기 위해 하부 전극 (110) 에 대한 피치 조절이 완성된 후에 클램핑된 피치 조절 스크류 (106) 를 갖는 것이 바람직할 수도 있다. 분할 클램프 (132) 는 피치 조절 스크류 (106) 를 둘러쌀 수도 있다. 클램프 스크류 (130) 는 피치 조절 스크류 (106) 에 대해 실질적으로 수직하도록 배치될 수도 있고, 분할 클램프 (132) 를 가압하여 피치 조절 스크류 (106) 를 조절하기 위해 분할 클램프 (132) 와 커플링될 수도 있다. 피치 조절이 완성되면, 사용자로 하여금 전체 메커니즘 (100) 을 단단하게 로킹하고/클램핑하는 것을 용이하게 하기 위해 클램프 스크류 (130) 상에서 툴 슬롯이 구현될 수도 있다.
도 1e 는, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서, 하부 전극 (110) 의 피치 (192) 를 조절하기 위한 메커니즘 (100) 의 사용자 인터페이스 (182) 의 부분 사시도를 도시한다. 사용자 인터페이스 (182) 는 사용자에게 피치 조절에 관련된 비주얼 피드백을 제공하기 위해 지지 플레이트 (102) 상에서 구현된 적어도 하나의 피치 조절 인덱스 (150) 를 포함할 수도 있다. 또한, 사용자 인터페이스 (182) 는 피치 조절 인덱스 (150) 와 협력하여 피치 조절량을 나타내기 위해 피치 조절 스크류 (106) 상에서 구현되는 표시자 (148) 를 포함할 수도 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 피치 조절 인덱스는 피치 조절 스크류 (106) 상에서 구현될 수도 있고, 및/또는 표시자는 지지 플레이트 (102) 상에서 구현될 수도 있다.
또한, 메커니즘 (100) 은, 피치 조절 스크류 (106) 와 커플링되고 피치 조절 스크류 (106) 에 적어도 부분적으로 삽입된 피치 조절 클램프 스크류 (106A) 를 포함할 수도 있다. 피치 조절 클램프 스크류 (106A) 는 지지 플레이트 (102) 에 대해 피치 조절 스크류 (106) 를 고정시킬 수도 있다. 피치 조절이 완성되면, 툴 슬롯 (186) 은 전체 메커니즘 (100) 및/또는 피치 조절 스크류 (106) 를 사용자가 단단하게 로킹/클램핑하는 것을 용이하게 하기 위해 피치 조절 클램프 스크류 (106A) 상에서 구현된다.
하나 이상의 실시형태들에서, 피치 조절 스크류 (106) 는 피치 조절 및/또는 캘리브레이션을 자동 방식으로 제어하기 위한 자동 제어 메커니즘과 커플링될 수도 있다. 자동 제어 메커니즘은, 예를 들어, 센서, 제어 로직 유닛, 및 모터 (예를 들어, 고감도 스텝 모터) 를 포함할 수도 있다.
도 1f 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 메커니즘 (100) 의 부분 분해도를 도시한다. 메커니즘 (100) 은 롤 조절 캠 (104) 과 커플링된 롤 조절 바 (154) 를 포함할 수도 있고, 롤 조절 캠 (104) 에 의해 작동될 수도 있다. 롤 조절 바 (154) 는 피치 조절 스크류 (106) 에 의해 지지 플레이트 (102) 와 커플링될 수도 있다. 따라서, 롤 조절 바 (154) 를 통해서, 롤 조절 캠 (104) 은 지지 플레이트 (102) 의 부분 (140) 의 병진을 작동시킬 수도 있다. 그 결과, 지지 플레이트 (102) 는 피봇 (122) 에 관해 챔버 벽 (126) 에 대해 회전할 수도 있고 (도 1d 의 예시에서 도시됨), 이에 따라, 도 1c 의 예시에 도시된 하부 전극 (110) 의 회전 (194) (롤 (194)) 을 유발할 수도 있다.
리프트 플레이트 (124) 에서 슬롯 (160) 에 의해 제한되고 가이드된 롤 조절 바 (154) 는 방향 (166 또는 168) 에서 롤 조절 바 (154) 의 장축 (164) 에 따라서 병진될 수도 있다. 따라서, 하부 전극 (110) 의 회전 (194) 량은 안정적으로 그리고 정밀하게 조절될 수도 있다.
또한, 메커니즘 (100) 은 롤 조절 캠 (104) 에 커플링된 롤 조절 록-다운 스크류 (158) 를 포함할 수도 있다. 롤 조절 록-다운 스크류 (158) 는 롤 조절 바 (154) 에 대해 롤 조절 캠 (104) 을 로킹할 수도 있고, 동시에, 리프트 플레이트 (124) 에 대해 롤 조절 바 (154) 를 로킹할 수도 있어, 이에 따라, 하부 전극 (110) 의 (추가적인) 회전 (194) (롤 (194)) 을 방지할 수도 있다. 예를 들어, 하부 전극 (110) 에 대한 롤 조절이 완성된 후에, 롤 조절 록-다운 스크류 (158) 가 사용될 수도 있다.
또한, 메커니즘 (100) 은 피치 조절 스크류 (106) 를 수용하기 위한 리프트 플레이트 (124) 에 커플링된 워셔 (162) (예를 들어, 정밀한, 경화된 워셔) 를 포함할 수도 있다. 워셔 (162) 는, 리프트 플레이트 (124) 가 피치 조절 스크류 (106) 에 의해 손상되는 것에 대해 보호할 수도 있다. 또한, 워셔 (162) 는 피치 조절 스크류 (106) 의 원활한 움직임을 용이하게 하기 위해 저마찰을 제공하여 메커니즘 (100) 의 동작을 더욱 원활하게 하고 안정화시킬 수도 있다.
도 1g 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 롤 조절 캠 (104) 의 사시도를 도시한다. 롤 조절 캠 (104) 은 롤 조절 캠 (104) 의 부분 (174) 에 대해 편심/오프셋 배열로 배치된 부분 (172) 을 포함하여, 롤 조절 캠 (104) 으로 하여금 (도 1f 예시에 도시된) 롤 조절 바 (154) 를 정확하게 조절하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 롤 조절 캠 (104) 은, 특정 롤 조절 필요사항에 적합한 특정 작동 효과를 위한 상이한 편심/오프셋 배열을 갖는 다른 대체 롤 조절 캠으로 대체될 수도 있다.
도 1h 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 하부 전극 (110) 의 롤 (194) 을 조절하기 위한 메커니즘 (100) 의 사용자 인터페이스 (184) 의 부분 사시도를 도시한다. 사용자 인터페이스 (184) 는, 사용자에게 롤 조절에 관련된 비주얼 피드백을 제공하기 위한 리프트 플레이트 (124) 상에서 구현된 적어도 하나의 롤 조절 인덱스 (178) 를 포함할 수도 있다. 또한, 사용자 인터페이스 (184) 는 롤 조절량을 나타내기 위해 롤 조절 인덱스 (178) 와 협력하기 위한 롤 조절 캠 (104) 상에서 구현되는 표시자 (180) 를 포함할 수도 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 롤 조절 인덱스는 롤 조절 캠 (104) 상에서 구현될 수도 있고, 및/또는 표시자는 리프트 플레이트 (124) 상에서 구현될 수도 있다. 툴 슬롯 (176) 은, 사용자로 하여금 롤 조절 수행을 용이하게 하기 위해, 예를 들어, 스크류 드라이버를 사용하게 하기 위해 롤 조절 캠 (104) 상에서 구현될 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 롤 조절 캠 (104) 및/또는 피치 조절 스크류 (106) 는 피치 및/또는 롤 조절 및/또는 캘리브레이션을 자동 방식으로 제어하기 위한 자동 제어 메커니즘과 커플링될 수도 있다. 자동 제어 메커니즘은, 예를 들어, 센서, 제어 로직 유닛, 및 모터 (예를 들어, 고감도 스텝 모터) 를 포함할 수도 있다.
도 2a 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서 플라즈마 처리 시스템 (200) 의 컴포넌트의 온도를 제어하기 위한 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템 (200) 의 부분 단면도를 도시한다. 플라즈마 처리 시스템 (200) 은, 처리되는 기판을 에워싸고 기판을 처리하기 위해 발생된 플라즈마를 함유하는 플라즈마 처리 챔버 (298) (챔버 벽 (226) 을 가짐) 를 포함할 수도 있다.
플라즈마 처리 챔버 (298) 내부에서, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 전극 어셈블리 (288) 를 포함할 수도 있다. 전극 어셈블리 (288) 는 플라즈마 처리 도중에 기판을 지지할 수도 있는 전극 (210) (또는 척 (210)) 을 포함할 수도 있다. 전극 어셈블리 (288) 는 또한, 바이어스 전원을 에워싸고 전극 (210) 을 지지할 수도 있는 바이어스 하우징 (212) (또는 지지 부재 (212) 을 포함할 수도 있다. 또한, 전극 어셈블리 (288) 는, 전극 (210) 과 바이어스 하우징 (212) 사이에 배치된 절연체 (216) 와 같은 하나 이상의 열 절연 부재들을 포함할 수도 있다. 따라서, 전극 (210) 의 온도 변화 (예를 들어, -10℃ 내지 80℃ 범위) 의 영향은 바이어스 하우징 (212) 을 통해서 플라즈마 처리 시스템 (200) 의 다른 컴포넌트들에 실질적으로 전파되지 않고 전극 (210) 만으로 제한될 수도 있다. 유리하게, 원치않는 열 팽창 및 응축과 관련된 문제들은 최소화되거나 방지될 수도 있고, 플라즈마 처리 챔버 (200) 의 컴포넌트 (예를 들어, 기계적 컴포넌트 및 전기적 컴포넌트) 는 손상 및/또는 오작동으로부터 보호될 수도 있다. 전극 어셈블리 (288) 및 열 절연 부재는 또한 도 2b 의 예시를 참조하여 더 논의된다.
플라즈마 처리 챔버 (298) 외부에서, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 터널 지지 플레이트 (202) (또는 지지 플레이트 (202)) 를 포함할 수도 있다. 또한, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 챔버 벽 (226) 과 지지 플레이트 (202) 사이에 배치된 리프트 플레이트 (224) 를 포함할 수도 있다. 또한, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 리프트 플레이트 (224) 를 챔버 벽 (226) 과 커플링시키기 위한 그리고 리프트 플레이트 (224) 의 움직임을 정밀하게 가이드하기 위한 (이에 따라, 캔틸레버된 전극 (210) 의 모션을 정밀하게 가이드하기 위한) 하나 이상의 베어링 메커니즘들 (예를 들어, 베어링 메커니즘 (234), 베어링 메커니즘 (236), 및 베어링 레일 (238)) 을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 재료 특성 및 작은 접촉 면적을 고려하여, 하나 이상의 베어링 메커니즘들은 리프트 플레이트 (224) 와 챔버 벽 (226) 사이에 열 절연을 도입할 수도 있다. 예를 들어, 베어링 메커니즘은 낮은 열 전도성 및 작은 접촉점을 제공하는 스테인레스강 볼 베어링을 포함할 수도 있다.
또한, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 전극 어셈블리 (288), 기판 등의 중량을 지탱하기 위한 지지 플레이트 (202) 와 바이어스 하우징 (212) 을 커플링시킬 수도 있는 캔틸레버 (214) 를 포함할 수도 있다. 또한, 캔틸레버 (214) 는 플라즈마 처리 시스템 (200) 에 대한 전극-대-전극 평행도를 조절하기 위해 전극 어셈블리 (288) 의 모션을 제어하는데 사용될 수도 있다.
또한, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 리프트 플레이트 (224) 와 지지 플레이트 (202) 사이에 열 절연을 제공하기 위해 리프트 플레이트 (224) 와 지지 플레이트 (202) 사이의 인터페이스로서 기능하는 하나 이상의 열저항성 부재/메커니즘들을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 열저항성 부재/메커니즘들은 스테인레스강과 같은 낮은-열-전도성 재료, 및/또는 세라믹 재료와 같은 열절연성 재료로 이루어진 부재를 포함할 수도 있다. 따라서, 플라즈마 처리 도중에 전극 (210) 의 온도 변화가 캔틸레버 (214) 에 의해 제공된 열 커플링을 통해서 지지 플레이트 (202) 의 상당한 온도 변화를 유발하더라도, 리프트 플레이트 (224) 의 온도는 실질적으로 일정하게 여전히 유지될 수도 있다. 그 결과, 베어링 메커니즘과 같은 리프트 플레이트 (224) 와 커플링된 컴포넌트들 상에 불필요한 부하를 가하는 리프트 플레이트 (224) 의 상당한 원치않는 팽창 또는 수축은 없을 수도 있다. 유리하게, 리프트 플레이트 (224) 와 커플링된 컴포넌트는 적절하게 동작할 수도 있고 긴 수명을 가질 수도 있다. 열저항성 부재/메커니즘은 도 2c 내지 도 2f 의 예시를 참조하여 더 논의된다.
또한, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 (챔버 벽 (226) 과 전기 팬 (274) 사이 배치된) 지지 플레이트 (202) 에서 주위 온도 공기 (예를 들어, 약 20℃ 의 온도를 갖는 제조 설비로부터의 공기) 를 불어넣기 위한 전기 팬 (274) 과 같은 하나 이상의 팬들을 포함하여, 캔틸레버 (214) 및 바이어스 하우징 (212) 과 같이 지지 플레이트 (202) 와 열적으로 커플링된 부재 및 지지 플레이트 (202) 에 대한 온도 변화를 최소화시킬 수도 있다. 유리하게, 플라즈마 처리 시스템 (200) 의 컴포넌트들은 원치않는 열 팽창 및 응축에 대항하여 더 보호될 수도 있다. 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 플라즈마 처리 챔버 (298), 리프트 플레이트 (224), 터널 지지 플레이트 (202) 등을 에워싸는 인클로져를 포함하고, 여기서 전기 팬 (274) 은 주위 온도 공기를 이 인클로져 내에 도입시킬 수도 있다. 지지 플레이트 (202) 는, 지지 플레이트 (202) 에 열적으로 커플링된 컴포넌트들 뿐만 아니라 지지 플레이트 (202) 의 온도 변화를 효과적으로 최소화시키기 위해 주위 온도 공기에 노출된 지지 플레이트 (202) 의 표면적을 최대화시키기 위한 리지 (예를 들어, 전기 팬 (274) 과 대면하여 배치된 리지 (272)) 를 포함할 수도 있다.
열 절연을 도입시키기 위한 열 절연 부재 및/또는 열저항성 부재 그리고 주위 온도 공기를 도입시키기 위한 하나 이상의 팬들을 통해서, 플라즈마 처리 시스템 (200) 은 전기 저항 히터 또는 냉각제 채널과 같은 복잡하고, 고가의 가열 및 냉각 설비 또는 디바이스를 요구하지 않을 수도 있다. 따라서, 플라즈마 처리 시스템 (200) 을 위한 제조 및 유지 비용은 최소화될 수도 있다.
도 2b 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 열 절연 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템 (200) (도 2a 의 예시에 도시됨) 의 전극 어셈블리 (288) 의 부분 단면도를 도시한다. 예를 들어, 열 절연 메커니즘은 바이어스 하우징 (212) 과 전극 (210) 사이에 배치된 절연체 (216) (예를 들어, 절연링); 절연체 (216) 와 전극 (210) 사이에 배치된 (예를 들어, 전극 (210) 의 o-링 그루브 (252) 에 설치된) 제 1 o-링; 및 절연체 (216) 와 바이어스 하우징 (212) 사이에 배치된 (예를 들어, 바이어스 하우징 (212) 의 o-링 그루브 (254) 에 설치된) 제 2 o-링을 포함할 수도 있다. 절연체 (216) 및 o-링은 열절연성 재료로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 절연체는 알루미나와 같은 세라믹 재료로 이루어질 수도 있고; o-링은 플루오로 실리콘 재료로 이루어질 수도 있다. 따라서, 전극 (210) 의 온도 변화는 바이어스 하우징 (212) 을 통해서 실질적으로 전파하지 않고 격리될 수도 있다.
(o-링 그루브 (252) 에 설치된) 제 1 o-링의 외부 직경이 최소화되어 절연체 (216) 와 전극 (210) 사이의 진공 인터페이스 (266) 를 최대화시킬 수도 있다. 또한, 제 1 o-링의 내부 직경은 최소화되어 절연체 (216) 와 전극 (210) 사이의 대기압 인터페이스 (262) 를 최소화시킬 수도 있다. 따라서, 절연체 (216) 와 전극 (210) 사이의 열 절연 (따라서, 바이어스 하우징 (212) 과 전극 (210) 사이의 열 절연) 은 보강될 수도 있다.
유사하게, (o-링 그루브 (254) 에 설치된) 제 2 o-링 의 외부 직경이 최소화되어 절연체 (216) 와 바이어스 하우징 (212) 사이의 진공 인터페이스 (268) 를 최대화시킬 수도 있고; 절연체 (216) 와 바이어스 하우징 (212) 사이의 대기압 인터페이스 (264) 를 최소화하기 위해 제 2 o-링의 내부 직경은 또한 최소화될 수 있다. 따라서, 절연체 (216) 와 바이어스 하우징 (212) 사이의 열 절연 (따라서, 바이어스 하우징 (212) 과 전극 (210) 사이의 열 절연) 이 보강될 수도 있다.
도 2c 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템 (200) 의 부분 사시도를 나타낸다. 도 2c 의 예에서, 리프트 플레이트 (224) 및 지지 플레이트 (202) 는 열저항성 부재/메커니즘을 나타내기 위해 반투명으로 도시되어 있지만, 리프트 플레이트 (224) 및 지지 플레이트 (202) 가 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에서 반투명이 아닐 수도 있다. 열저항성 부재/메커니즘은 리프트 플레이트 (224) 와 지지 플레이트 (202) 사이에 열 절연을 제공할 수도 있다. 따라서, 플라즈마 처리 도중에 전극 (210) 의 온도 변화가 캔틸레버 (214) 에 의해 제공된 열 커플링을 통해서 지지 플레이트 (202) 의 상당한 온도 변화를 유발할지라도, 리프트 플레이트 (224) 의 온도는 실질적으로 일정하게 여전히 유지될 수도 있다. 그 결과, 베어링 메커니즘과 같은 리프트 플레이트 (224) 와 커플링된 컴포넌트들에서 불필요한 부하를 가하는 리프트 플레이트 (224) 의 상당한 원치않는 팽창 또는 수축은 없을 수도 있다. 유리하게, 리프트 플레이트 (224) 와 커플링된 컴포넌트들은 적절하게 동작할 수도 있고 긴 수명을 가질 수도 있다.
열 부재/메커니즘은 열저항성 피봇 메커니즘 (222) (또는 피봇 (222)) 을 포함할 수도 있다. 피봇 (222) 은 지지 플레이트 (202), 리프트 플레이트 (224), 및 챔버 벽 (226) 을 기계적으로 커플링할 수도 있다. 피봇 (222) 은 지지 플레이트 (202) 가 리프트 플레이트 (224) 및 챔버 벽 (226) 에 대해 회전하는 것을 용이하게 할 수도 있다. 피봇 (222) 이 스테인레스강과 같은 열저항성 재료로 구성되기 때문에, 피봇 (222) 은 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 열 절연을 제공할 수도 있다.
또한, 열 부재/메커니즘은 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 하나 이상의 인터페이스들로서 기능하는 지지 플레이트 (202) 에 배치된 하나 이상의 열저항성 다각형 핀들 (예를 들어, 스테인레스강 육각형 핀 (246) 및 스테인레스강 육각형 핀 (248)) 을 포함할 수도 있다. 또한, 열 부재/메커니즘은, 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 하나 이상의 인터페이스들로서 기능하는 리프트 플레이트 (244) 에 배치된 하나 이상의 열저항성 부재들 (예를 들어, 스테인레스강 삽입부 (242) 및 스테인레스강 삽입부 (244)) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 육각형 핀 (246) 의 제 1 말단은 지지 플레이트 (202) 의 둥근 홀로 삽입될 수도 있고, 육각형 핀 (246) 의 제 2 말단은 돌출되거나 또는 지지 플레이트 (202) 로부터 노출되어 (리프트 플레이트 (224) 에 조여질 수도 있는) 삽입부 (242) 의 노출된 표면에 접촉할 수도 있다. 따라서, 열저항성 육각형 핀 (246) 및 삽입부 (242) 는 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 직접 접촉을 방지할 수도 있고, 이에 따라 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 열 절연을 제공한다. 육각형 핀 (246) 및 삽입부 (242) 는 평활한 표면을 가질 수도 있고, 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 사이의 상대적인 움직임을 원활하게 할 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 하나 이상의 다각형 핀은 정사각형 핀과 같은 다른 형태를 갖는 하나 이상의 핀들을 포함할 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 열 부재/메커니즘은 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 열 절연을 제공하고 하나 이상의 인터페이스들로서 기능하기 위해 지지 플레이트 (202) 에 배치된 하나 이상의 열저항성 부재 및 리프트 플레이트 (224) 에 배치된 하나 이상의 열저항성 다각형 핀들을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 실시형태들에서, 하나 이상의 다각형 핀들은 하나 이상의 사각형 핀들 및/또는 육각형 핀들을 포함할 수도 있다.
도 2d 는 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따른 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템 (200) 의 부분 단면도를 도시한다. 도 2c 의 예시에 도시된 바와 같이, 열저항성 부재/메커니즘은 피봇 (222), 육각형 핀 (246), 육각형 핀 (246) 에 접촉하는 삽입부 (242), 육각형 핀 (248), 및 육각형 핀 (248) 에 접촉하는 삽입부 (244) 를 포함할 수도 있다. 육각형 핀 (246), 삽입부 (242), 육각형 핀 (248), 및 삽입부 (244) 중 하나 이상은 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 갭 (260) 의 폭을 결정할 수도 있다. 예를 들어, 갭 (260) 의 폭은 지지 플레이트 (202) 로부터 돌출하는 육각형 핀 (248) 의 돌출 및/또는 리프트 플레이트 (224) 로부터 돌출하는 삽입부 (244) 의 돌출에 의해 결정될 수도 있다. 갭 (260) 의 폭은 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 최적의 열 절연을 위해 그리고 지지 플레이트 (202) 의 최적의 동작 등을 위해 구성될 수도 있다.
도 2e 는, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서, 여기서 구현되는 육각형 핀 (246) 및 육각형 핀 (248) 과 같은 열 저항성 부재/메커니즘을 갖는 지지 플레이트 (202) 의 사시도를 도시한다. 육각형 핀은, 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) (도 2c 의 예시 및 도 2d 의 예시에서 도시됨) 사이의 열 절연을 보강할 수도 있다. 일 예시로서, 육각형 핀 (246) 은 스테인레스강으로 이루어질 수도 있고, 낮은 열 전도성을 가질 수도 있다. 육각형 핀 (246) 의 일 말단은 둥근 홀 (240) 에 가압될 수도 있고, 육각형 핀 (246) 의 다른 말단은 삽입부 (242) (도 2c 의 예시 및 도 2d 의 예시에서 도시됨) 에 접촉하도록 노출될 수도 있다. 육각형 핀 (246) 및 홀 (240) 은 육각형 핀 (246) 의 길이를 따른 에지에서만 접촉할 수도 있고; 따라서, 육각형 핀 (246) 과 지지 플레이트 (202) 사이의 매우 작은 열 전도가 발생할 수도 있고, 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 임의의 열 교환은 훨씬 긴 경로인 핀의 길이를 따라서 전도될 필요가 있을 수도 있다. 또한, 육각형 핀 (246) 은 리프트 플레이트 (224) 의 임의의 열 전도성 부분 (예를 들어, 알루미늄 부분) 에 직접 접촉하기 보다는 리프트 플레이트 (224) 에 조여진 스테인레스 삽입부 (242) 에 접촉시킬 수도 있다. 그 결과, 지지 플레이트 (202) 와 리프트 플레이트 (224) 사이의 열 절연은 보강될 수도 있다.
도 2f 는, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서, 여기서 구현된 피봇 (222), 삽입부 (242), 및 삽입부 (244) 와 같은 열저항성 부재/메커니즘을 갖는 리프트 플레이트 (224) 의 부분 사시도를 도시한다. 리프트 플레이트 (224) 는 지지 플레이트 (202) (도 2c 내지 도 2e 의 예시에 도시됨) 와 열적으로 커플링된 캔틸레버 (214) 와 직접 접촉을 갖지 않을 수도 있다. 또한, 열저항성 부재/메커니즘은 리프트 플레이트 (224) 와 지지 플레이트 (202) 사이에 열 절연을 제공하기 위해 리프트 플레이트 (224) 로 하여금 지지 플레이트 (202) 에 직접 접촉하는 것을 방지할 수도 있다. 예를 들어, 삽입부 (242) 는 열저항성 육각형 핀 (246) (도 2c 내지 도 2e 의 예시에서 도시됨) 의 일 말단을 접촉시키기 위해 리프트 플레이트 (224) 로부터 노출된 표면 (270) 및/또는 리프트 플레이트 (224) 로부터 돌출하는 돌출부를 갖고, 이에 따라, 리프트 플레이트 (224) 와 지지 플레이트 (202) 사이의 직접 접촉을 방지한다.
도 3 은, 본 발명의 하나 이상의 실시형태들에 따라서, 컴포넌트들의 온도를 제어하기 위한 열저항성 부재/메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템 (300) 의 부분 단면도를 도시한다. 도 3 의 예시에서, 리프트 플레이트 (324) 는 본 발명의 실시형태를 더 달 설명하기 위해 부분적으로 투명/반투명으로 도시되어 있지만, 리프트 플레이트 (324) 는 실시형태에서 투명/반투명이 아닐 수도 있다. 열저항성 부재/메커니즘은 리프트 플레이트 (324) 를 지지 플레이트 (302) 와 기계적으로 커플링시킬 수도 있다. 또한, 열저항성 부재/메커니즘은 리프트 플레이트 (324) 와 지지 플레이트 (302) 사이의 열 절연을 제공할 수도 있다. 따라서, 지지 플레이트 (302) 의 상당한 온도 변화가 있을지라도, 리프트 플레이트 (324) 의 온도는 실질적으로 일정하게 여전히 유지될 수도 있다. 그 결과, 리프트 플레이트 (324) 와 커플링된 컴포넌트들에 불필요한 부하를 가하는 리프트 플레이트 (324) 의 상당한 원치않는 팽창 또는 수축이 없을 수도 있다. 유리하게, 컴포넌트들은 적절하게 동작할 수도 있고 긴 수명을 가질 수도 있다.
열저항성 부재/메커니즘은, 예를 들어, 열저항성 바 (354) (또는 바 (354)), 열저항성 튜브 (306) (또는 튜브 (306)), 열저항성 스크류 (390) (또는 스크류 (390)), 열저항성 워셔 (362) (또는 워셔 (362) 를 포함할 수도 있다. 바 (354) 는 리프트 플레이트 (324) 의 후면의 슬롯 (360) 에 배치될 수도 있다. 튜브 (306) 는 지지 플레이트 (302) 와 커플링될 수도 있다. 스크류 (390) 는 리프트 플레이트 (324) 를 지지 플레이트 (302) 에 기계적으로 커플링/클램핑시키기 위해 튜브 (306) 를 통과하여 바 (354) 에 스레딩될 수도 있다. 워셔 (362) 는 스크류 (390) 를 수용하기 위해 리프트 플레이트 (324) 와 커플링될 수도 있다. 워셔 (362) 는 튜브 (306) 의 일 말단과 접촉할 수도 있다. 워셔 (362) 및/또는 튜브 (306) 는, 리프트 플레이트 (324) 와 지지 플레이트 (302) 사이의 열 절연을 보강하면서 지지 플레이트 (302) 의 동작을 최적화시키기 위해 리프트 플레이트 (324) 와 지지 플레이트 (302) 사이의 갭의 폭을 결정하도록 구성될 수도 있다.
하나 이상의 실시형태들에서, 지지 플레이트 (302) 는 스레드 (346) 를 포함할 수도 있고, 튜브 (306) 는 스레드 (346) 와 맞물릴 수도 있는 스레드 (338) 를 포함할 수도 있다. 튜브 (306) 를 터닝시키는 것은 튜브 (306) 에 대한 지지 플레이트 (302) 의 부분 (340) 의 병진을 가능하게 할 수도 있다. 지지 플레이트 (302) 의 부분 (340) 의 병진은 플라즈마 처리 시스템 (300) 에 대한 전극-대-전극 평행도를 조절하기 위해 챔버 벽 (326) 에 대한 지지 플레이트 (302) 의 회전을 가능하게 할 수도 있다. 또한, 플라즈마 처리 시스템 (300) 은, 지지 플레이트 (302) 에서 구현되는 인덱스 (350) 및 전극-대-전극 평행도를 조절하는데 있어서 비주얼 피드백을 제공하기 위해 튜브 (306) 상에서 구현된 표시자 (예를 들어, 도 1e 및 도 1m 의 예시에 도시된 표시자 (148) 와 유사함) 를 포함할 수도 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태들은 도 1a 내지 도 3 의 예시들 중 하나 이상에서 논의된 특징들의 하나 이상의 조합을 포함한다. 예를 들어, 본 발명이 일 실시형태는, 도 2a 의 예시에서 논의된 것과 같은 전기 팬 및 도 1a 내지 도 1p 의 예시 중 하나 이상의 예시에서 논의된 것과 같은 하나 이상의 회전 조절 메커니즘을 포함하는 플라즈마 처리 시스템일 수도 있다. 다른 예시에서, 본 발명의 실시형태는 도 2a 내지 도 2f 및 도 3 의 예시를 참조하여 논의된 다수의 열저항성 부재/메커니즘을 포함할 수도 있다.
전술한 것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 플라즈마 처리 챔버에서, 본 발명의 실시형태들은 필요한 장소에서의 컴포넌트들 사이에 낮은-열전도성 커플링을 제공할 수도 있고, 필요한 장소에서의 컴포넌트들 사이에 높은-열전도성 커플링 열 커플링을 제공할 수도 있어서, 이에 따라, 컴포넌트들의 동작을 최적화시키고 컴포넌트들의 수명을 연장할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시형태들은 전극/척과 그것의 지지 부재 (예를 들어, 바이어스 하우징) 사이에 배치된 절연 부재를 포함할 수도 있다. 따라서, 전극의 온도 변화의 효과는 다른 컴포넌트에 실질적으로 전파하지 않고 전극으로 제한할 수도 있다. 다른 예시로서, 본 발명의 실시형태는 리프트 플레이트와 지지 플레이트 사이의 인터페이스로서 기능하는 열저항성 부재를 포함할 수도 있다. 따라서, 플라즈마 처리 도중에 전극의 온도 변화가 지지 플레이트의 온도의 상당한 변화를 유발한다고 해도, 리프트 플레이트의 온도는 실질적으로 일정하게 여전히 유지될 수도 있다. 유리하게, 원치않은 열 팽창 및 응축에 관한 문제점이 최소화 또는 방지될 수도 있고; 이에 따라, 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트 (예를 들어, 기계적 컴포넌트 및 전기적 컴포넌트) 는 장시간 동안 바람직한 동작을 위해 보호될 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시형태는 지지 플레이트에 주위 온도 공기를 불어넣기 위한 팬을 포함할 수도 있고, 이에 따라, 캔틸레버 및 바이어스 하우징과 같은 (우수한 열 커플링을 갖는) 지지 플레이트와 커플링된 부재 및 지지 플레이트에 대한 온도 변화를 최소화할 수도 있다. 유리하게, 플라즈마 처리 시스템의 컴포넌트들이 더욱 보호될 수도 있다.
본 발명의 실시형태는 전기 저항 히터 또는 냉각제 채널과 같은 복잡하고 고가의 가열 및 냉각 설비 또는 디바이스를 요구하지 않을 수도 있다. 유리하게, 제조 및 유지 비용이 최소화될 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시형태는 전극-대-전극 평행도를 조절하기 위한 메커니즘을 포함할 수도 있다. 전극-대-전극 평행도를 조절하는데 관련된 컴포넌트의 온도 변화가 최소화되기 때문에, 전극-대-전극 평행도가 정확하게 구성될 수도 있고 빈번한 캘리브레이션 없이 유지될 수도 있다.
저비용 부품을 통해서, 본 발명의 실시형태는 평행도의 신속한 조절 및 로킹을 정밀한 레벨로 허용할 수도 있다. 따라서, 본 발명의 실시형태는 주요 컴포넌트들에 대한 값비싸고 엄격한 제조 허용오차에 대한 필요성을 감소시킬 수도 있다. 유리하게, 본 발명의 실시형태는 전극 평행도와 관련하여 프로세스 성능을 비용-효율적으로 최적화시킬 수도 있다.
본 발명의 실시형태는 정밀한 전극 배향/평행도 조절을 가능하게 할 수도 있다. 또한, 본 발명의 실시형태는 조절량의 명백한 피드백을 제공하기 위해 캘리브레이팅된 인덱스 마크를 포함할 수도 있다. 유리하게, 종래 기술에서 요구된 반복 조절 및 측정에 대한 필요가 제거될 수도 있다.
본 발명의 실시형태는, 플라즈마 처리 챔버 외부에 사용자 인터페이스가 배치되기 때문에, 플라즈마 처리 시스템이 진공, 분위기하에서 및/또는 인-시추로 있으면서, 전극 배향 및/또는 평행도의 조절이 실행되도록 허용할 수도 있다. 또한, 본 발명의 실시형태는 플라즈마 처리 시스템의 최소의 해체 또는 해체 없이 조절이 이루어지도록 허용할 수도 있다. 유리하게, 전극 배향 및/또는 평행도 조절에 대한 필요성이 충족되면서, 시스템 작업 중단시간은 최소화될 수도 있고, 생산성이 양보되지 않을 수도 있다.
본 발명의 실시형태는 전극 배향/평행도의 설정을 로킹할 수도 있다. 조절된 전극 배향/평행도 설정은 통상적인 진동 및 선적 부하를 통해서 변화되지 않은 상태로 유지될 수도 있다. 유리하게, 전극 배향/평행도의 재-조절을 위해 요구되는 리소스 (예를 들어, 노동력, 시간 등) 가 최소화될 수도 있다.
본 발명이 몇몇 실시형태들을 고려하여 설명되지만, 본 발명의 범위에 포함되는 변경, 치환, 및 등가물이 있다. 또한, 본 발명의 방법 및 장치를 구현하기 위한 수많은 대안적인 방법이 있다는 것에 유의해야만 한다. 또한, 본 발명의 실시형태는 다른 어플리케이션에서의 용도를 발견할 수도 있다. 요약 부분은, 편의를 위해 본 명세서에 제공될 수도 있고, 따라서, 단어 수 제한으로 인해,판독이 편리하도록 기록되어 있을 수도 있으며, 청구범위를 제한하는 것으로는 사용되지 않아야만 한다. 따라서, 후술하는 첨부된 청구범위는 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에서 모든 변경, 치환 및 등가물을 포함하는 것으로서 해석되도록 의도될 수도 있다.
Claims (20)
- 적어도 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 시스템으로서,
상기 플라즈마 처리 시스템은:
적어도 챔버 벽을 포함하는 플라즈마 처리 챔버;
상기 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치되고 상기 기판을 지지하도록 구성된 전극;
상기 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치되고 상기 전극을 지지하도록 구성된 지지 부재;
상기 챔버 벽 외부에 배치된 지지 플레이트;
상기 챔버 벽을 통해서 배치되고 상기 지지 부재와 상기 지지 플레이트를 커플링시키도록 구성된 캔틸레버 (cantilever);
상기 챔버 벽과 상기 지지 플레이트 사이에 배치된 리프트 플레이트; 및
상기 리프트 플레이트와 상기 지지 플레이트를 기계적으로 커플링시키도록 구성된 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘들을 포함하며, 상기 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘은 열저항성 다각형 핀 및 상기 리프트 플레이트에 삽입되도록 구성된 열저항성 부재를 포함하고, 상기 열저항성 다각형 핀의 제 1 말단은 상기 지지 플레이트의 둥근 홀로 삽입되도록 구성되고, 상기 열저항성 부재의 표면은 상기 열저항성 다각형 핀의 제 2 말단과 접촉하도록 구성되는 플라즈마 처리 시스템. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 열저항성 다각형 핀과 상기 열저항성 부재 중 적어도 하나는 상기 지지 플레이트와 상기 리프트 플레이트 사이의 갭을 결정하도록 구성되는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 열저항성 다각형 핀은 정사각형 핀과 육각형 핀 중 적어도 하나를 나타내는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 열저항성 다각형 핀은 스테인레스강 핀을 나타내고,
상기 열저항성 부재는 스테인레스강 삽입부를 나타내는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 열저항성 다각형 핀 및 상기 열저항성 부재는, 상기 지지 플레이트와 상기 리프트 플레이트 사이의 직접 접촉을 방지하도록 구성되고 그리고 상기 지지 플레이트와 상기 리프트 플레이트 사이의 상대적인 움직임을 원활하게 하도록 구성된, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 열저항성 다각형 핀과 상기 열저항성 부재 중 적어도 하나는 상기 지지 플레이트와 상기 리프트 플레이트 사이의 갭을 구성하도록 구성되는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘들은 하나 이상의 열절연성 커플링 메커니즘들을 포함하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘들은 스테인레스강으로 이루어진 하나 이상의 커플링 메커니즘들을 포함하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘들은 적어도 열저항성 피봇 메커니즘을 포함하고,
상기 열저항성 피봇 메커니즘은 상기 지지 플레이트로 하여금 상기 챔버 벽에 대해 회전하는 것을 용이하게 하도록 구성된, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 지지 플레이트를 향해서 공기를 불어넣도록 구성된 팬을 더 포함하고,
상기 지지 플레이트는 상기 챔버 벽과 상기 팬 사이에 배치되는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 11 항에 있어서,
상기 지지 플레이트는, 상기 팬에 대면하여 배치되고 상기 지지 플레이트의 표면적을 최대화시키도록 구성된 복수의 리지 (ridge) 들을 포함하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 리프트 플레이트와 커플링되고 상기 챔버 벽과 커플링된 하나 이상의 베어링들을 더 포함하고,
상기 하나 이상의 베어링들은 상기 지지 플레이트의 적어도 일부의 적어도 병진을 가이드하도록 구성된, 플라즈마 처리 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 지지 부재와 상기 전극 사이에 배치된 절연성 링;
상기 절연성 링과 상기 전극 사이에 배치된 제 1 o-링; 및
상기 절연성 링과 상기 지지 부재 사이에 배치된 제 2 o-링을 더 포함하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 절연성 링과 상기 전극 사이의 진공 인터페이스를 최대화하기 위해 상기 제 1 o-링의 외부 직경이 최소화되는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 절연성 링과 상기 지지 부재 사이의 진공 인터페이스를 최대화하기 위해 상기 제 2 o-링의 외부 직경이 최소화되는, 플라즈마 처리 시스템. - 적어도 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 시스템으로서,
상기 플라즈마 처리 시스템은:
적어도 챔버 벽을 포함하는 플라즈마 처리 챔버;
상기 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치되고 상기 기판을 지지하도록 구성된 전극;
상기 플라즈마 처리 챔버 내부에 배치되고 상기 전극을 지지하도록 구성된 지지 부재;
상기 챔버 벽 외부에 배치된 지지 플레이트;
상기 챔버 벽을 통해서 배치되고 상기 지지 부재와 상기 지지 플레이트를 커플링시키도록 구성된 캔틸레버;
상기 챔버 벽과 상기 지지 플레이트 사이에 배치된 리프트 플레이트; 및
상기 리프트 플레이트와 상기 지지 플레이트를 기계적으로 커플링시키도록 구성된 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘들을 포함하고,
상기 하나 이상의 열저항성 커플링 메커니즘들은 적어도
상기 리프트 플레이트의 슬롯내에 배치되도록 구성된 열저항성 바,
상기 지지 플레이트와 커플링되도록 구성된 열저항성 튜브, 및
상기 열저항성 튜브를 통과하도록 구성되고 상기 열저항성 바에 스레딩하도록 구성된 열저항성 스크류를 포함하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 적어도 제 1 스레드를 포함하고,
상기 열저항성 튜브는 적어도 제 2 스레드를 포함하며,
상기 제 2 스레드는 상기 제 1 스레드와 맞물리도록 구성되며,
상기 열저항성 튜브를 돌리는 것 (turning) 은 상기 열저항성 튜브에 대한 상기 지지 플레이트의 일부의 제 1 병진을 야기하도록 구성되며,
상기 지지 플레이트의 상기 일부의 상기 제 1 병진은 상기 챔버 벽에 대한 상기 지지 플레이트의 제 1 회전을 야기하도록 구성되며,
상기 지지 플레이트의 상기 제 1 회전은 제 1 축에 대한 상기 전극의 제 1 회전을 야기하도록 구성되고,
상기 제 1 축은 상기 기판의 삽입 방향에 대해 직교하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 18 항에 있어서,
상기 전극의 상기 제 1 회전에 관한 시각적 피드백을 제공하도록 상기 지지 플레이트 상에서 구현되는 인덱스; 및
상기 전극의 상기 제 1 회전의 양을 표시하기 위해 상기 인덱스와 협동하도록 상기 열저항성 튜브 상에서 구현되는 표시자를 더 포함하는, 플라즈마 처리 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 리프트 플레이트와 커플링되고, 상기 열저항성 튜브의 말단에 접촉하도록 구성되고, 상기 열저항성 스크류를 수용하도록 구성되고, 상기 리프트 플레이트와 상기 지지 플레이트 사이의 갭을 정의하도록 구성된 열저항성 워셔를 더 포함하는, 플라즈마 처리 시스템.
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