KR101573844B1 - 플라즈마 토치 - Google Patents

플라즈마 토치 Download PDF

Info

Publication number
KR101573844B1
KR101573844B1 KR1020130136523A KR20130136523A KR101573844B1 KR 101573844 B1 KR101573844 B1 KR 101573844B1 KR 1020130136523 A KR1020130136523 A KR 1020130136523A KR 20130136523 A KR20130136523 A KR 20130136523A KR 101573844 B1 KR101573844 B1 KR 101573844B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
tubular body
electrode
passage
discharge port
Prior art date
Application number
KR1020130136523A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150054280A (ko
Inventor
이대훈
김관태
송영훈
변성현
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020130136523A priority Critical patent/KR101573844B1/ko
Publication of KR20150054280A publication Critical patent/KR20150054280A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101573844B1 publication Critical patent/KR101573844B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/32—Plasma torches using an arc
    • H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/3436—Hollow cathodes with internal coolant flow
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/28—Cooling arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K10/00—Welding or cutting by means of a plasma
    • B23K10/02—Plasma welding

Abstract

본 발명의 목적은 처리기체를 아크 영역으로 직접 통과시켜 처리기체의 처리 효율을 높이는 플라즈마 토치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 토치는, 일 방향으로 돌출되고 전압이 인가되는 전극, 절연부재를 개재하여 상기 전극을 수용하고 상기 전극과의 사이에 방전기체를 공급하는 제1통로를 형성하며, 1차로 접지되어 생성되는 아크를 제1토출구로 토출하는 제1하우징, 및 상기 제1하우징의 선단을 수용하여 처리기체를 공급하는 제2통로를 형성하고, 2차로 접지되어 상기 아크를 연장하여 상기 처리기체에 포함된 처리 대상물질을 연소시킨 아크 화염을 제2토출구로 토출하는 제2하우징을 포함한다.

Description

플라즈마 토치 {PLASMA TORCH}
본 발명은 플라즈마 토치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 처리기체를 아크 영역으로 직접 통과시키는 플라즈마 토치에 관한 것이다.
종래의 플라즈마 토치는 직류(DC) 전압이 인가되는 고전압 전극, 고전압 전극과의 사이에 좁은 간격을 형성하는 접지 전극을 구비하며, 고전압 전극의 전방에 접지 전극으로 설정되는 반응부를 구비한다.
즉 플라즈마 토치는 고전압 전극과 접지 전극 사이의 좁은 간격에서 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키고, 반응부 내에서 아크 화염을 안정시켜 처리기체 측으로 토출한다. 즉 반응부의 전방으로 처리기체가 진행된다.
예를 들면, 처리기체는 반도체 공정에서 발생되는 CF4, 식각공정과 세정공정에서 발생되는 NF3와 같은 불소(F)계 가스를 포함하며, CF4, NF3, 및 C2F6, C3F8, C4F10, CHF3, SF6 등과 같은 과불화합물(Perfluorocompounds; PFCs)은 지구 온난화를 유발시킨다.
처리기체가 플라즈마 토치의 아크 영역을 직접 지나지 못하고 반응부의 전방에 형성되는 아크 화염의 후류에 접하게 된다. 따라서 플라즈마 토치에서 아크 화염에 의한 처리기체의 처리 효율이 떨어진다.
본 발명의 목적은 처리기체를 아크 영역으로 직접 통과시켜 처리기체의 처리 효율을 높이는 플라즈마 토치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 토치는, 일 방향으로 신장되고 전압이 인가되는 전극, 절연부재를 개재하여 상기 전극을 수용하고 상기 전극과의 사이에 방전기체를 공급하는 제1통로를 형성하며, 1차로 접지되어 생성되는 아크를 제1토출구로 토출하는 제1하우징, 및 상기 제1하우징의 선단을 수용하여 처리기체를 공급하는 제2통로를 형성하고, 2차로 접지되어 상기 아크를 연장하여 상기 처리기체에 포함된 처리 대상물질을 연소시킨 아크 화염을 제2토출구로 토출하는 제2하우징을 포함한다.
상기 전극은, 내부에 제1냉각 챔버를 형성하고, 상기 절연부재를 관통하여 상기 제1냉각 챔버에 2중으로 결합되어 상기 제1냉각 챔버에 냉각수를 순환시키는 내부관과 외부관을 더 포함할 수 있다.
상기 제1하우징은, 상기 절연부재에 결합되고 상기 제1통로를 설정하여 상기 방전기체를 공급하는 내부 관체, 상기 내부 관체의 선단에 연결되고 상기 제1토출구를 형성하여 상기 제1토출구에 상기 제1통로를 연결하는 중간 부재, 및 상기 내부 관체에 결합되고 상기 중간 부재에 연결되어, 상기 내부 관체 및 상기 중간 부재와의 사이에 제2냉각 챔버를 설정하는 외부 관체를 포함할 수 있다.
상기 외부 관체는, 상기 내부 관체에 결합되고 상기 제2냉각 챔버에 냉각수를 순환시키는 공급구와 배출구를 구비하는 제1관체, 및 상기 제1관체에 결합되고 상기 중간 부재에 연결되어 상기 제2냉각 챔버를 설정하는 제2관체를 포함할 수 있다.
상기 제2하우징은, 상기 외부 관체에 결합되고 상기 처리기체를 상기 제2통로로 유입하는 유입구를 구비하며, 상기 외부 관체를 수용하고 상기 외부 관체의 단부에서 상기 제2통로를 좁아지게 형성하여 상기 제2토출구에 연결하는 목부를 포함할 수 있다.
상기 제2하우징은, 스팀을 공급하는 스팀 공급구에 연결되어 상기 목부의 시작 지점에 스팀을 분사하는 스팀 분사구를 구비하는 노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 제2하우징은, 상기 제1토출구로부터 토출되는 아크를 회전시키는 나선홈을 내주면에 구비하는 회전 유도부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2하우징은, 상기 외부 관체에 결합되고 상기 유입구를 구비하는 본체, 및 상기 본체의 끝에 상기 노즐과 상기 회전 유도부를 배치하고, 상기 회전 유도부를 지지하여 상기 본체에 결합되는 결합체를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예는, 전극에 전압을 인가하고 제1하우징을 1차 접지하여 제1하우징의 제1토출구로 플라즈마 방전에 의한 아크를 토출하며, 제1하우징을 수용하는 제2하우징으로 처리기체를 공급하면서 2차 접지함으로써 아크 영역을 연장하여 처리기체에 포함된 처리 대상물질을 더 연소시킬 수 있다.
이와 같이, 제1토출구와 제2토출구 사이에서 아크 영역이 연장되고, 처리기체가 연장된 아크 영역을 직접 통과함으로써 처리기체의 처리 효율이 높아질 수 있다. 처리기체가 연소된 아크 화염을 제2하우징의 제2토출구로 토출할 수 있다.
또한, 처리기체에 포함된 미처리 대상물질은 제2토출구에서 아크 화염의 후류로 분사되어 추가적으로 연소될 수 있다. 따라서 처리기체의 처리 효율이 더욱 높아질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 토치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 토치로 처리기체를 처리하는 작동 상태도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 토치의 단면도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 토치로 처리기체를 처리하는 작동 상태도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 플라즈마 토치는 전압이 인가되는 전극(30), 1차로 접지되는 제1하우징(10) 및 2차로 접지되는 제2하우징(20)을 포함한다.
플라즈마 토치는 전극(30)과 제1하우징(10) 사이에서 플라즈마 방전으로 아크를 발생시키고, 제2하우징(20)의 2차 접지로 인하여 제1하우징(10)의 단부에서 제2하우징(20)으로 아크 영역(A)을 연장시킨다.
처리 대상물질을 포함하는 처리기체는 제1하우징(10)의 전방에서 아크에 의하여 연소 처리되고, 제2하우징(20)을 경유하면서 연장된 아크 영역(A)에서 더욱 연소 처리된다. 예를 들면, 처리기체는 CF4, NF3, 및 C2F6, C3F8, C4F10, CHF3, SF6 등과 같은 과불화합물(Perfluorocompounds; PFCs)일 수 있다.
전극(30)은 일 방향(도 1에서는 상하 방향)으로 신장 형성된다. 전극(30)은 내부에 제1냉각 챔버(C1)를 형성하고, 제1냉각 챔버(C1)에 2중으로 결합되어 제1냉각 챔버(C1)에 냉각수를 순환시키는 내부관(31)과 외부관(32)을 포함한다.
즉 내부관(31)과 외부관(32)은 절연부재(40)를 관통하여 설치되며, 내부관(31)이 외부관(32) 보다 길게 형성된다. 따라서 내부관(31)으로 공급되는 냉각수는 제1냉각 챔버(C1)를 순환하여 전극(30)을 냉각시킨 후, 외부관(32)으로 배출된다.
제1하우징(10)은 일측에 절연부재(40)를 개재하여 전극(30)을 수용하며, 이때 전극(30)의 외면과 제1하우징(10)의 내면은 서로의 사이에 방전기체(예를 들면, 공기)를 공급하는 제1통로(P1)를 형성한다.
제1통로(P1)는 전극(30)의 단부 인접측에 제1토출구(O1)를 구비한다. 제1토출구(O1) 측에서, 전극(30)과 제1하우징(10)은 방전갭(G)을 형성한다. 제1통로(P1)로 방전기체가 공급되는 상태에서, 전극(30)에 전압(H.V)이 인가되고 제1하우징(10)이 접지되면, 방전갭(G)에서 플라즈마 방전으로 아크가 발생되어 제1토출구(O1)로 토출된다.
예를 들면, 제1하우징(10)은 내부 관체(11), 중간 부재(12) 및 외부 관체(13)를 결합하여 형성된다. 내부 관체(11)는 절연부재(40)에 결합되고, 전극(30)과 함께 제1통로(P1)를 설정하여 방전기체를 공급한다. 즉 제1통로(P1)는 전극(30)의 외주면과 내부 관체(11)의 내주면이 이격됨으로써 설정된다.
내부 관체(11)는 방전기체를 공급하는 공급구(111)를 구비하고 제1통로(P1)에 연결되어, 외부로부터 방전기체를 제1통로(P1) 및 방전갭(G)으로 공급한다. 중간 부재(12)는 내부 관체(11)의 선단에 연결되고, 제1토출구(O1)를 형성하여 제1통로(P1)에 연결한다. 즉 방전갭(G)은 중간 부재(12)와 전극(30) 사이에 설정된다.
외부 관체(13)는 일측으로 내부 관체(11)에 결합되고 다른 일측으로 중간 부재(12)에 연결되어, 내부 관체(11) 및 중간 부재(12)와의 사이에 제2냉각 챔버(C2)를 설정한다. 즉 제2냉각 챔버(C2)는 외부 관체(13)와 내부 관체(11) 사이 및 중간 부재(12)와 외부 관체(13) 사이를 연결하여 형성된다.
예를 들면, 외부 관체(13)는 제1관체(131)와 제2관체(132)로 형성될 수 있다. 제1관체(131)는 내부 관체(11)에 결합되고, 공급구(311)와 배출구(312)를 양측에 구비하여 제2냉각 챔버(C2)에 연결함으로써, 제2냉각 챔버(C2)에 냉각수를 순환시킬 수 있다. 제2관체(132)는 제1관체(131)에 결합되고, 중간 부재(12)에 연결되어 제2냉각 챔버(C2)를 설정한다. 또한 제2관체(132)는 1차로 접지된다.
즉 전극(30)과 내부 관체(11) 사이에 설정되는 제1통로(P1)로 방전기체를 공급하고, 외부 관체(13)의 제2관체(132)를 접지한 상태에서 전극(30)에 전압(H.V)을 인가하면, 중간 부재(12)와 전극(30) 사이의 방전갭(G)에서 점화되어 아크가 발생된다.
아크의 발생으로 인하여 전극(30)과 제1하우징(10)이 가열된다. 이때, 제1냉각 챔버(C1)는 냉각수로 전극(30)을 냉각시키고, 제2냉각 챔버(C2)는 냉각수로 제1하우징(10), 즉 내부 관체(11)와 중간 부재(12) 및 외부 관체(13)를 냉각시킨다.
제2하우징(20)은 제1하우징(10)의 선단을 수용하여 제1하우징(10)에 결합되며, 이때 제1하우징(10)의 외면과 제2하우징(20)의 내면은 서로의 사이에 처리기체를 공급하는 제2통로(P2)를 형성한다.
즉 제2통로(P2)로 공급되는 처리기체는 전극(30)과 제1하우징(10)에서 생성되어 제1토출구(O1)로 토출되는 아크에 공급된다. 따라서 처리기체는 아크 영역(A)에 직접 접하게 된다.
제2통로(P2)는 제2하우징(20)의 단부에 제2토출구(O2)를 구비한다. 제2하우징(20)은 2차로 접지되어 제1토출구(O1)에서 토출되는 아크를 연장하여, 처리기체에 포함된 처리 대상물질을 아크 영역(A)에서 연소시키고, 연소로 발생되는 아크 화염(F)을 제2토출구(O2)로 토출한다.
제2하우징(20)은 제1하우징(10)의 외부 관체(13)에 결합되고, 유입구(201)를 구비하여 처리기체를 제2통로(P2)로 유입한다. 제1토출구(O1)와 제2토출구(O2)가 일직선 상에 배치되고, 유입구(201)가 제1토출구(O1)의 후방 측면에 배치되어 처리기체를 공급한다.
또한, 제2하우징(20)은 외부 관체(13)를 수용하고, 외부 관체(13)의 단부의 주위에서 목부(202)를 구비하여 제2통로(P2)를 좁아지게 형성하여 제2토출구(O2)에 연결한다. 즉 제2통로(P2)는 외부 관체(13)의 단부에서 넓게 형성되고, 목부(202)에서 좁게 형성된다.
제2하우징(20)의 목부(202)가 2차로 접지됨에 따라 제1토출구(O1)에서 목부(202)를 통하여 제2하우징(20)의 내부로 아크 영역(A)이 연장된다. 따라서 제2통로(P2)로 공급되는 처리기체는 연장된 아크 영역(A)을 직접 통과하면서 연소 처리될 수 있다.
예를 들면, 제2하우징(20)은 목부(202)의 시작 지점 측에 노즐(21)을 구비할 수 있다. 노즐(21)은 스팀을 공급하는 스팀 공급구(211)에 연결되는 스팀 분사구(212)를 구비하여, 목부(202)의 시작 지점 주위에 스팀을 분사한다.
즉 목부(202)에서 분사된 스팀은 아크 영역(A) 및 처리기체에 포함된 대상물질에 수소와 산소를 공급한다. 따라서 과불화합물(Perfluorocompounds; PFCs)이 분해되는 과정에서 발생하는 불소(F)가 스팀을 통해 공급되는 수소(H)와 결합하여 HF 형태로 고정되어(Fix) 카본(C)과의 재결합을 통해 PFC 물질이 재생성되는 것을 방지하게 된다. 이에 따라 처리 대상물질의 불소(F) 성분의 처리 효율이 향상될 수 있다.
또한, 제2하우징(20)은 제1토출구(O1)와 제2토출구(O2) 사이에 회전 유도부(22)를 더 구비할 수 있다. 예를 들면, 회전 유도부(22)는 내주면에 나선홈(221)으로 형성되어, 제1토출구(O1)로부터 토출되는 아크 및 처리기체를 제2토출구(O2)로 회전 유도시킨다.
즉 회전 유도부(22)의 나선홈(221)은 제2토출구(O2)로 토출되는 아크 화염(F)을 회전시킨다. 따라서 처리기체에 포함된 처리 대상물질과 아크의 믹싱 효과가 높아지고, 이에 따라 처리 대상물질의 처리 효율이 향상될 수 있다.
예를 들면, 제2하우징(20)은 본체(23)와 결합체(24)로 형성될 수 있다. 본체(23)는 외부 관체(13)에 결합되고 처리기체를 유입하는 유입구(201)를 구비한다. 결합체(24)는 본체(23)의 끝에 결합되어 본체(23)의 끝에 배치되는 노즐(21)과 회전 유도부(22)를 지지한다.
회전 유도부(22)는 제1하우징(10)에서 목부(202)로 연장되는 아크 영역(A)을 제2하우징(20)의 끝까지 더 연장한다. 따라서 제2통로(P2)로 공급되는 처리기체는 더욱 연장된 아크 영역(A)을 직접 통과하면서 더욱 아크와 혼합되고 효과적으로 연소 처리될 수 있다.
또한, 아크는 회전 유도부(22) 끝에서 후류로 아크 화염(F)을 형성하여, 아크 영역(A)을 경유하면서 처리기체에 포함된 대상물질을 추가로 처리할 수 있다.
예를 들면, NF3는 비교적 분해가 용이하지만, CF4는 분해가 어려운 난분해성 물질이다. 난분해성 물질을 포함하는 처리기체는 아크 영역(A)을 직접 통과하지 않으면 처리 효율이 낮아진다.
본 실시예의 플라즈마 토치는 이와 같은 난분해성 물질을 분해하는데 더욱 효과적으로 사용될 수 있다. 이와 같이, 난분해성 물질을 분해하면서 아크 영역(A)이 길어지고 제2토출구(O2)에서 아크 화염(F)이 형성되므로 제2하우징(20)이 더욱 과열될 수 있다.
이를 방지하기 위하여, 결합체(24)는 회전 유도부(22)와의 사이에 제3냉각 챔버(C3)를 구비한다. 제3냉각 챔버(C3)는 일측으로 공급되는 냉각수에 의하여 제2통로(P2) 및 제2토출구(O2)를 냉각시킬 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
10: 제1하우징 11: 내부 관체
12: 중간 부재 13: 외부 관체
20: 제2하우징 21: 노즐
22: 회전 유도부 23: 본체
24: 결합체 30: 전극
31: 내부관 32: 외부관
40: 절연부재 111: 공급구
131: 제1관체 132: 제2관체
201: 유입구 202: 목부
211: 스팀 공급구 212: 스팀 분사구
221: 나선홈 311: 공급구
312: 배출구 C1, C2, C3: 제1, 제2, 제3냉각 챔버
G: 방전갭 P1, P2: 제1, 제2통로
O1, O2: 제1, 제2토출구

Claims (8)

  1. 일 방향으로 신장되고 전압이 인가되는 전극;
    절연부재를 개재하여 상기 전극을 수용하고 상기 전극과의 사이에 방전기체를 공급하는 제1통로를 형성하며, 1차로 접지되어 생성되는 아크를 방전갭을 형성하는 제1토출구로 토출하는 제1하우징; 및
    상기 제1하우징의 선단을 수용하여 처리기체를 공급하는 제2통로를 형성하고, 2차로 접지되어 상기 아크를 연장하여 상기 처리기체에 포함된 처리 대상물질을 연소시킨 아크 화염을 제2토출구로 토출하는 제2하우징
    을 포함하며,
    상기 제1하우징은,
    상기 제1통로를 설정하여 상기 방전기체를 공급하는 내부 관체, 및
    상기 제1토출구를 형성하여 상기 제1토출구에 상기 제1통로를 연결하는 중간 부재
    를 포함하는 플라즈마 토치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극은,
    내부에 제1냉각 챔버를 형성하고,
    상기 절연부재를 관통하여 상기 제1냉각 챔버에 2중으로 결합되어 상기 제1냉각 챔버에 냉각수를 순환시키는 내부관과 외부관
    을 더 포함하는 플라즈마 토치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1하우징은
    상기 내부 관체 및 상기 중간 부재와의 사이에 제2냉각 챔버를 설정하는 외부 관체를 더 포함하며,
    상기 내부 관체는 상기 절연부재에 결합되고
    상기 중간 부재는 상기 내부 관체의 선단에 연결되며,
    상기 외부 관체는 상기 내부 관체에 결합되고 상기 중간 부재에 연결되는 플라즈마 토치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 외부 관체는,
    상기 내부 관체에 결합되고 상기 제2냉각 챔버에 냉각수를 순환시키는 공급구와 배출구를 구비하는 제1관체, 및
    상기 제1관체에 결합되고 상기 중간 부재에 연결되어 상기 제2냉각 챔버를 설정하는 제2관체
    를 포함하는 플라즈마 토치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2하우징은,
    상기 제1하우징에 결합되고 상기 처리기체를 상기 제2통로로 유입하는 유입구를 구비하며,
    상기 제1하우징을 수용하고 상기 외부 관체의 단부에서 상기 제2통로를 좁아지게 형성하여 상기 제2토출구에 연결하는 목부
    를 포함하는 플라즈마 토치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2하우징은,
    스팀을 공급하는 스팀 공급구에 연결되어 상기 목부의 시작 지점에 스팀을 분사하는 스팀 분사구를 구비하는 노즐을 더 포함하는 플라즈마 토치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2하우징은,
    상기 제1토출구로부터 토출되는 아크를 회전시키는 나선홈을 내주면에 구비하는 회전 유도부를 더 포함하는 플라즈마 토치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2하우징은,
    상기 외부 관체에 결합되고 상기 유입구를 구비하는 본체, 및
    상기 본체의 끝에 상기 노즐과 상기 회전 유도부를 배치하고, 상기 회전 유도부를 지지하여 상기 본체에 결합되는 결합체
    를 포함하는 플라즈마 토치.
KR1020130136523A 2013-11-11 2013-11-11 플라즈마 토치 KR101573844B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130136523A KR101573844B1 (ko) 2013-11-11 2013-11-11 플라즈마 토치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130136523A KR101573844B1 (ko) 2013-11-11 2013-11-11 플라즈마 토치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150054280A KR20150054280A (ko) 2015-05-20
KR101573844B1 true KR101573844B1 (ko) 2015-12-02

Family

ID=53390472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130136523A KR101573844B1 (ko) 2013-11-11 2013-11-11 플라즈마 토치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101573844B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180134101A (ko) * 2017-06-08 2018-12-18 주식회사 에스피텍 플라즈마를 이용한 소독액 분무장치
KR102014942B1 (ko) 2018-12-10 2019-08-28 (주)플라즈마텍 유해가스 분해용 반응기

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101926055B1 (ko) * 2017-01-10 2018-12-06 한국기계연구원 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
KR102068318B1 (ko) * 2018-04-25 2020-01-20 한국기계연구원 스크러버
EP3993991A4 (en) 2019-07-01 2023-07-26 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation PROFILE CONNECTION
KR102248261B1 (ko) * 2019-07-04 2021-05-04 한국기계연구원 스크러버 및 과불화합물과 질소산화물 제거 시스템
KR102284143B1 (ko) * 2019-07-09 2021-07-30 한국기계연구원 과불화합물과 질소산화물 제거 시스템
US20210178506A1 (en) * 2019-12-12 2021-06-17 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Apparatus for sterilized welding
US11878476B2 (en) 2020-06-19 2024-01-23 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Composite article and method of forming a composite article
KR102520818B1 (ko) * 2020-09-16 2023-04-12 한국기계연구원 돌출 전극을 갖는 스크러버, 이를 포함하는 스크러버 시스템, 스크러버 구동 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100910875B1 (ko) 2008-03-21 2009-08-06 한국기계연구원 플라즈마 스크러버

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100910875B1 (ko) 2008-03-21 2009-08-06 한국기계연구원 플라즈마 스크러버

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180134101A (ko) * 2017-06-08 2018-12-18 주식회사 에스피텍 플라즈마를 이용한 소독액 분무장치
KR102006304B1 (ko) 2017-06-08 2019-08-01 주식회사 에스피텍 플라즈마를 이용한 소독액 분무장치
KR102014942B1 (ko) 2018-12-10 2019-08-28 (주)플라즈마텍 유해가스 분해용 반응기

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150054280A (ko) 2015-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101573844B1 (ko) 플라즈마 토치
KR100910875B1 (ko) 플라즈마 스크러버
JP5396609B2 (ja) プラズマ装置
JP4570506B2 (ja) プラズマ除害機および当該プラズマ除害機を用いた排ガス処理システム
KR101448449B1 (ko) 고밀도 구속 플라즈마 소스를 이용한 과불화탄소 및 유해 가스 분해 장치
JP2007326089A (ja) プラズマトーチを用いた廃ガス処理装置
KR101525140B1 (ko) 플라즈마 버너
KR20110117753A (ko) 폐가스 처리 장치
TW201841552A (zh) 電漿產生裝置及氣體處理裝置
KR102286586B1 (ko) 플라즈마-촉매 방식의 스크러버
KR102068318B1 (ko) 스크러버
KR101405166B1 (ko) 하이브리드 스크러버 시스템
JP2004216246A (ja) 高周波プラズマ処理装置及び高周波プラズマ処理方法
CN205408263U (zh) 一种常压等离子体喷枪
KR101453861B1 (ko) 플라즈마 버너
KR100737223B1 (ko) 플라즈마 토치
KR101930451B1 (ko) 다단 스월 구조체를 갖는 플라즈마 발생부 및 상기 플라즈마 발생부를 갖는 폐가스 처리 장치
TW202021657A (zh) 有害氣體分解用反應器
JP2005205330A (ja) パーフルオロコンパウンド排ガスのプラズマ分解処理方法および該方法を利用したプラズマ分解処理装置並びにこのプラズマ分解処理装置を搭載した排ガス処理システム
KR102248261B1 (ko) 스크러버 및 과불화합물과 질소산화물 제거 시스템
CN105792496A (zh) 一种常压等离子体喷枪
KR102520818B1 (ko) 돌출 전극을 갖는 스크러버, 이를 포함하는 스크러버 시스템, 스크러버 구동 방법
KR102284143B1 (ko) 과불화합물과 질소산화물 제거 시스템
KR100795583B1 (ko) 플라즈마를 이용하여 탄화수소 계열의 연료를 처리하기 위한 토치장치
JP2006175317A (ja) 半導体製造プロセスからの排気ガスの処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant