KR101564834B1 - 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법과 장치가 개시된다. 진단 방법은 (a) 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 표준값을 정의하는 단계와, (b) 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 실제값을 산출하는 단계와, (c) 시간대별마다 복수개의 속성의 표준값에 대한 실제값 각각의 변동률을 산출하여 특정 속성에 대한 특정 시간대의 변동률로 정의하는 단계를 포함한다. 진단 장치는 상술한 진단 방법을 구현한다.

Description

플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DIAGNOSING STATUS OF PLASMA PROCESSING EQUIPMENT}
본 발명은 플라즈마를 이용하는 처리 장치의 상태를 진단하는 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 감시 모듈을 통해 장치의 미세한 상태까지 감지하여 관리할 수 있도록 하는 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자, 나노 소자, 디스플레이 등의 전자 소자를 제조하는 데에는 고도의 정밀성이 요구된다. 이에 따라, 생산 라인에서는 일반적으로 정밀가공이 가능한 플라즈마를 이용한 처리 장치들을 다수 배치하여 제조 공정을 수행하고 있다.
플라즈마 처리 설비는 플라즈마의 상태에 따라 공정 결과물에 크고 작은 영향을 미치기 때문에 그에 대한 면밀한 감시와 관리가 필요하다. 따라서 기존에는 설비의 제어기에서 제공하는 평균화된 시그널을 활용하여 플라즈마 상태를 관리해오고 있다. 그러나 플라즈마 처리 설비의 일반적인 설비 제어기는 플라즈마 상태 시그널 수집하여 제공하는 기능 외에도 많은 기능이 부여되어 있기 때문에 플라즈마의 상태에 대한 효과적인 감지와 관리가 이루어지지 않고 있다. 이를테면, 설비 제어기는 설비 전체의 모든 부속품의 상태를 관리해야 하며, 플라즈마를 형성하고 유지하기 위한 전기적이며 화학적인 변량을 공급하고 유지해야 하며, 설비의 모든 구동 모듈을 모션제어를 해야 되는 등, 설비 가동 중에 매우 높은 부하(load)를 가진 상태에서 설비 주요 동작을 제어하여야 한다. 따라서 플라즈마 상태의 집중적인 관리를 위한 시그널을 충분히 제공하지 못하는 상황이며, 그만큼 플라즈마 상태 관리 수준도 만족스럽지가 못하다.
이를 보완하여 플라즈마를 집중하여 감지 진단 관리 하고자, 설비 제어기를 거치지 않고서 시그널을 직접 수집할 수 있도록 시도하는 경우가 증가하고 있다. 그러나 기존에 시도되고 있는 시그널 직접 수집하는 방법은 주로 특정 시그널 수집 장치는 전기전압전류 시그널만을 수집하거나 빛 시그널을 수집하는 등 특정 시그널 종류만을 수집하고 있다.
그러나 이러한 기능을 수행하는 종래의 플라즈마 진단 관리 시스템에는 몇 가지 중대한 문제점이 있다.
첫째, 시그널 수집과 진단 관리를 전압전류 또는 빛 등의 시그널 종류별로 나누어서 별도로 관리하고 있으므로 효과적이지 못하며 효율적이지 못하다.
둘째, 수집된 시그널로 전압전류 또는 빛 등의 단일 시그널을 관리상한선 및 관리하한선의 초과 여부로만 공정 이상발생여부를 감지하는 방식을 택하고 있으나, 이 방식으로는 시시각각 나타나는 변동량 측정을 할 수 없으므로 관리상한선과 관리하한선 사이에 있는 미세 변동을 감지관리 할 수 없는 한계를 가지고 있다.
셋째 특정 시그널 종류별로 각각 단일 시그널 관리를 개별적으로 함으로, 서로 다른 종류의 시그널들이 복합되어 나타나는 미세 변동을 감지, 판단, 및 관리 할 수 없는 한계가 있다.
한국특허등록 10-0990845
본 발명은 플라즈마에 대한 다양한 속성에 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 변동률을 산출하여 실시간으로 플라즈마 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 처리 설비의 진단 방법을 제공한다.
본 발명은 상술한 속성들에 대한 공정 진행 시간대별 변동률을 이용하여 기준값에 대한 특정시간대 공정변동률, 전체공정에 대한 공정변동률, 공정변동률의 변동률 등을 산출하여 공정에서의 플라즈마의 미세한 상태 변화를 감지 및 판단할 수 있는 플라즈마 처리 설비의 진단 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상술한 개선된 진단 방법을 구현할 수 있는 플라즈마 설비의 상태 진단 장치를 제공한다.
본 발명은 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법을 제공하며, 이는: (a) 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 표준값을 정의하는 단계; (b) 상기 복수개의 속성 각각에 대하여 상기 공정 진행 시간대별 실제값을 산출하는 단계; 및 (c) 시간대별마다 상기 복수개의 속성의 표준값에 대한 상기 실제값 각각의 변동률을 산출하여 특정 속성에 대한 특정 시간대의 변동률로 정의하는 단계;를 포함한다.
상기 속성 전체의 상기 특정 시간대의 변동률에 대한 평균치를 산출하여, 특정 시간대의 공정변동률로 정의한다.
상기 특정시간대 공정변동률을 산출함에 있어서, 각 속성 마다 정해진 가중치를 부가할 수 있다.
또한 1회 공정의 상기 특정 시간대의 공정변동률 전체에 대한 평균값을 산출하여 해당 공정의 공정변동률로 정의한다.
또한 다수회의 공정변동률에 대한 평균값을 산출하여 표준 공정변동률을 산출하고, 상기 표준 공정변동률과 특정 공정변동률 차이인 공정변동률의 변동률을 산출하며, 상기 공정변동률의 변동률이 점점 커질 때 이상상태가 누적되고 있다고 판단한다.
여기서, 특정 시간대의 특정 속성에 대한 상기 표준값은 해당 특정 시간대의 다수회의 실제값을 평균하여 정한다.
본 발명은 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 장치를 제공하며, 이는: 플라즈마 처리 설비 및 플라즈마 처리 설비에 설치된 센서들과 데이터를 송수신하도록 배치되는 통신부; 데이터 및 프로그램을 저장하는 저장부; 상기 플라즈마 처리 설비 및 상기 센서들로부터 수신한 데이터를 이용하여 플라즈마 상태에 대한 진단값을 산출하는 제어연산부; 및 상기 제어연산부의 제어 하에 상기 진단값을 포함하는 데이터를 표시하는 표시부;를 포함하고, 상기 제어연산부는 수신한 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 표준값을 정의하고, 상기 복수개의 속성 각각에 대하여 상기 공정 진행 시간대별 실제값을 산출하며, 시간대별마다 상기 복수개의 속성의 표준값에 대한 상기 실제값 각각의 변동률을 산출하여 특정 속성에 대한 특정 시간대의 변동률로 정의한다.
또한 상기 제어연산부는 상기 속성 전체의 상기 특정 시간대의 변동률에 대한 평균치를 산출하여, 특정 시간대의 공정변동률로 정의하고, 상기 특정시간대 공정변동률을 산출함에 있어서, 각 속성 마다 정해진 가중치를 부가하며, 1회 공정의 상기 특정 시간대의 공정변동률 전체에 대한 평균값을 산출하여 해당 공정의 공정변동률로 정의한다.
또한 상기 제어연산부는 다수회의 공정변동률에 대한 평균값을 산출하여 표준 공정변동률을 산출하고, 상기 표준 공정변동률과 특정 공정변동률 차이인 공정변동률의 변동률을 산출하며, 상기 공정변동률의 변동률이 점점 커질 때 이상상태가 누적되고 있다고 판단한다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 감시모듈을 통해 플라즈마의 상태의 미세한 변동을 감지하여 관리할 수 있도록 함으로써 설비의 실제 공정 능력 저하를 미연에 방지할 수 있다. 따라서 장치의 미세한 이상이 누적되는 것을 감지하여 적절한 조치를 취할 수 있고, 그럼으로써 급작스럽게 설비가 중단되는 사고가 억제될 수 있다. 결과적으로, 설비를 최적으로 상태로 유지하고 나아가 가동능력을 최대한 활용할 수 있게 되어 품질과 생산성 향상이 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 설비의 상태 진단 장치를 설명하기 위해 개략적으로 도시한 블록도이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 블록도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 설비의 진단 방법은 플라즈마 처리 설비로부터 얻어진 플라즈마 상태에 대한 다수의 속성에 대하여 공정 진행의 시간대별 실제값을 산출하는 단계와, 해당 표준값에 대한 얻어진 실제값의 변동률을 산출하는 단계를 포함한다.
여기서 플라즈마의 각 속성에 대한 표준값은 정상적으로 진행된 다수회의 공정들에서 해당 공정 진행의 시간대별 실제값을 각각 구하여 그 평균치를 표준값으로 정할 수 있다. 공정 진행의 시간대별은 공정 진행의 특정 시간 범위를 말한다.
[속성별 특정 시간대의 표준값(공정 변동 기준값) 산정]
특정 시간범위(t) : 공정 시작 후 상대 시간 (예: 공정 시작 10초 후 1초간, 공정 시작 20초 후 2초간 등등)
표준값(Vs) = 특정시간범위의 누적 속성 값 / 공정 횟수
바람직하게는 여기서의 공정횟수 산정에 포함되는 공정은 그 결과물이 정상범위에 포함되는 것일 수 있다.
또한, 여기서 이용되는 플라즈마 속성들은 예를 들어 플라즈마 밀도, Vi Probe, 스펙트럼의 각 파장별 강도 등 다양한 속성을 포함할 수 있다. 이들은 시그널의 내용상으로는 전류, 전압, 빛 등과 같이 내용적 속성이 다른 시그널들일 수 있고, 시그널의 형태상으로는 아날로그 또는 디지털일 수 있다.
플라즈마의 속성들에 대한 표준값을 정하고 나서 실제값을 표준값과 비교하여 여러 가지 공정 변동률을 구할 수 있다.
이를테면, 속성별 공정 진행 시간대별 표준값을 산출한 후, 공정 진행 시간대별 공정변동률을 산출할 수 있다.
상술한 바와 같이, '공정 진행 시간대별'은 '특정 시간 범위'를 말하는 것으로서 다수개의 특정 시간 범위를 선정할 수 있다. 예를 들어, 선택되는 특정 시간 범위는 공정 진행 시간에 따라 일정한 시간 간격을 두거나 랜덤한 시간 간격을 두고 배열될 수 있다. 바람직하게는 배치간격은 정확하게 일정하지 않더라도 전체 공정에 걸쳐서 어느 정도 고르게 분포될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
통상적으로 플라즈마 처리 설비에서의 공정은 주어진 레시피에 따라 비교적 짧은 시간(1 내지 5분) 동안 정해진 작업 과정이 순서에 따라 진행되며, 이러한 공정이 계속 반복된다. 동일한 레시피의 공정은 우선 공정 진행 시간이 거의 같고, 시작 지점으로부터 임의의 진행 시점에서의 작업 상태가 거의 동일한 상태값을 갖는다. 따라서 어느 시점에 공정에 이상이 발생할 경우에 각종 상태 값들의 변화를 측정하면 그 이상 정도를 파악할 수 있다. 이 경우, 특이상황이 발생하여 상태 변화가 큰 경우에는 쉽게 파악이 가능하지만 미세한 이상상태는 쉽게 감지하기가 어려우며, 이러한 미세한 이상이 누적되어 공정 결함으로 이어지는 경우에는 그 원인을 파악하기가 쉽지 않고 또한 사전에 감지하여 예방하는 것이 매우 어렵다.
따라서 공정상의 많은 상태값의 변화를 지속적으로 관측하여 이러한 미세한 변화를 감지할 수 있는 측정값이 필요하며, 이 측정값으로부터 공정의 변동 정도를 파악할 수 있어야 한다. 즉, '공정 변동률'은 임의의 한 공정에 대해 정상적으로 작업이 이루어지는 표준 공정에 비해 어느 정도의 변동이 일어났는가는 나타내는 측정값이다. 나아가 이러한 공정 변동률의 변화를 관측하면 미세한 이상 상태의 누적 상황을 파악할 수 있다.
[공정 내 플라즈마의 특정 속성에 대한 공정 시간대별 변동률]
표준값(Vs) 10 20 30 40 50 40 30 20 10 0
속성값(Vn) 9 21 31 39 49 41 29 19 11 1
|Vs - Vn| 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
시간식별부호(시간범위) 1(1) 2(1) 3(1) 4(1) 5(1) 6(1) 7(1) 8(1) 9(1) 10(1)
속성n의 공정 변동률(Cn)=sum(|Vs - Vn|)/ 시간범위 = 1
특정 속성에 대한 공정 시간대별 변동률을 위의 식을 통해 산출할 수 있다. 표 1은 예시로서 특정 속성에 대한 공정 시간대별 표준값과 속성값을 나타낸다. 여기서, 시간식별부호 및 시간범위는 공정 시작 시점으로부터 얼마 후의 예를 들어 1초간을 나타낸다. 플라즈마 공정에서 얻을 수 있는 플라즈마 속성은 예를 들어 Vi probe, 스펙트럼의 각 파장별 강도 등 무수한 속성이 있다.
만일 이들 개별 속성에서 큰 변동률이 관측될 경우에는 그 시점에 그 속성과 관련된 이상 상태가 발생하고 있다는 것을 판단할 수 있다.
이상과 같은 개별 속성들의 전체 평균을 구하면 아래와 같이 특정 시간대의 공정 변동률을 산출할 수 있다.
[특정 시간대의 공정 변동률]
속성 속성1 속성2 속성3 속성4
표준값(Vsn) 10 20 30 40
속성값(Vn) 9 22 27 44
|Vsn - Vn| 1 2 3 4
가중치(Wn) 0.2 0.2 0.3 0.3
특정 시간 범위 내(특정 시간대)의 공정 변동률(Ct)
= sum (|Vsn - Vn| * Wn) / n
= (1*0.2 + 2*0.2 + 3*0.3 + 4*0.3) / 4
= 0.675
표 2는 예시로서 특정 시간대에 대한 각 속성의 표준값, 속성값, 가중치 등을 나타낸다.
여기서는 위의 표에서 예시적으로 나타낸 바와 같이 공정 레시피에 따른 속성별 가중치를 부여할 수 있다. 이는 공정 진행 과정에서 이상 상태가 발생하였다면 순간 변동률에 해당하는 이상 상태의 주요 원인이 어느 시간대에서 어느 시간대에서 발생하였는지를 파악할 수 있다.
[전체 공정의 공정변동률]
이상의 공정 변동률들을 이용하여 전체 공정의 공정 변동률을 산출할 수 있다. 전체 공정의 공정 변동률은, 예컨대 아래와 같이 2가지 방식으로 산출하는 것이 가능하다.
최종 공정 변동률 = sum(Cn * Wn) = sum(Ct) / T
Cn : 속성n의 공정 변동률
Wn : 속성n의 가중치
Ct : 시간대별 공정 변동률
즉, 각 속성들에 가중치를 부여하고 전체를 합하여 구하거나, 시간대별 전체 공정 변동률의 합을 시간의 합으로 나누어서 구할 수 있다.
[공정변동률의 변동률 산출 및 미세 이상상태 감지]
이상과 같은 공정 변동률을 이용하여 미세한 이상상태가 발생되고 있다는 것을 파악할 수 있다. 이는 공정 변동률의 변동률을 산출함으로써 얻어질 수 있으며, 아래와 같이 표준 공정 변동률과 실제 공정 변동률의 차이를 계산함으로써 알 수 있다.
공정 1 2 3 4 5 6 7 8
공정 변동률(Cn) 10 11 9 10 10 9 9 9
표준 공정 변동률(Cs) 10 10.5 10 10 10 9.83 9.71 9.63
공정변동률의 변동률(Cc) 0 0.5 1 0 0 0.27 0.71 0.63
표준 공정 변동률(Cs) = Sum(Cn) / 공정횟수(n)
공정변동률의 변동률(Cc) = |Cs - Cn|
표 3은 예시로서 각 공정에 대한 공정변동율, 표준공정변동율, 및 그들을 통해 구한 공정변동율의 변동율을 나타낸다.
위의 예와 같이 공정이 반복됨에 따라 공정 변동률의 변동률은 그 값이 0을 기준으로 커졌다 작아졌다를 반복하며 일정 범위내로 유지되는 것이 정상적이며, 만약 이 값의 크기가 점점 커지는 상황이 계속된다면 무언가 미세한 이상상태가 누적되고 있다고 판단할 수 있다.
이상의 본 발명의 플라즈마 처리 설비의 진단 방법은 플라즈마 처리 설비와 연결된 임베디드 소프트웨어 장치를 통해 구현될 수 있다. 플라즈마 처리 설비는 각종 센서를 통해 플라즈마 속성에 대한 감지값을 임베디드 소프트웨어 장치에 제공하고, 이를 수신하여 상술한 공정 변동률을 실시간 자동으로 산출한다. 또한 산출된 결과값이 미리 정해진 허용 범위를 벗어날 때에는 자동으로 이상상태가 발생한 것으로 판단하고 이를 표시함으로써, 장치를 관리하는 엔지니어가 파악할 수 있도록 할 수 있다.
나아가, 본 발명의 플라즈마 처리 설비의 진단 방법은 다른 공정 환경 변수에 대한 변동률 산출에도 적용할 수 있다. 이를테면, 플라즈마 공정에서는 Gas 입력 및 배출/진공/압력을 조절하는 여러 가지 공정 환경 변수가 있으며, 이들의 변동률도 공정변동률과 동일하게 계산할 수 있다. 따라서, 공정 환경 변수 값의 변동률과 공정 변동률을 같이 측정하면 그 상관관계를 분석할 수 있다.
이상의 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법은 도 2에 도시한 장치(1)로 구현될 수 있다.
도 2은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 설비의 상태 진단 장치를 설명하기 위해 개략적으로 도시한 블록도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 장치(1)는 플라즈마 처리 설비(A) 및 플라즈마 처리 설비에 설치된 센서들과 데이터를 송수신하도록 배치되는 통신부(13)와, 데이터 및 프로그램을 저장하는 저장부(15)와, 플라즈마 처리 설비(A) 및 센서들로부터 수신한 데이터를 이용하여 플라즈마 상태에 대한 진단값을 산출하는 제어연산부(11)와, 제어연산부(11)의 제어 하에 진단값을 포함하는 데이터를 표시하는 표시부(17)를 포함한다. 또한, 본 발명의 장치는 외부 입력이 가능한 입력부(14), 전원부(12) 등과 같은 요소를 더 포함할 수 있다.
통신부(13)는 유선 또는 무선으로 플라즈마 처리 설비(A)에 연결되어 각종 센서, 게이지 등으로부터 플라즈마의 속성에 대한 감지값들을 수신하고, 또한 후술하는 제어연산부로부터의 신호로서 송신한다. 이들 감지값과 신호들은 아날로그 또는 디지털일 수 있다. 도시하지는 않았지만, 플라즈마 처리 설비(A)에도 상술한 감지값 및 신호를 전달하기 위한 요소가 별도로 구비될 수도 있다.
저장부(15)는 본 발명의 방법을 구현하는 알고리즘을 포함하는 프로그램 및 플라즈마 처리 설비(A), 센서, 게이지 등으로부터 수신한 데이터를 저장한다. 여기서의 데이터는 상술한 바와 같이 플라즈마 속성에 관한 것이다. 바람직하게는 저장부(15)는 플라즈마 처리 설비(A), 센서, 게이지 등으로부터 수신한 데이터와 기산출한 데이터, 예컨대 표준값, 변동률 등을 데이터베이스화하여 저장한다.
제어연산부(11)는 프로그램에 설정된 주기, 설정된 시점, 또는 관리자의 제어 신호 입력에 따라서 표준값 및 각종 변동률을 산출한다. 이렇게 산출한 값들을 저장부(15)에 저장하고, 또한 후술하는 표시부(17) 및 알람부(19)를 통해 표시 및 알람을 수행한다.
표시부(17)은 상술한 바와 같이 제어연산부(11)의 제어에 따라 데이터들을 표시한다.
또한 알람부(19)는 감지값이나 그를 이용하여 산출한 값이 설정된 한계치를 벗어날 때에 제어연산부(11)의 제어 하에 알람 동작을 수행한다. 이러한 알람부(19)는 표시부(17)에 일체로 통합되거나, 표시부(17)가 알람 기능을 겸하도록 할 수도 있다.
이러한 플라즈마 설비의 상태 진단 장치의 제어연산부(11)는 상술한 바와 같은 진단 방법을 수행한다. 이를 테면, 수신한 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 표준값을 정의하고, 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 실제값을 산출한다. 또한 시간대별마다 복수개의 속성의 표준값에 대한 실제값 각각의 변동률을 산출하여 특정 속성에 대한 특정 시간대의 변동률로 정의한다.
나아가 제어연산부(11)는 또한 속성 전체의 특정 시간대의 변동률에 대한 평균치를 산출하여, 특정 시간대의 공정변동률로 정의한다. 여기서, 특정 시간대 공정변동률을 산출함에 있어서, 각 속성 마다 정해진 가중치를 부가할 수 있고, 1회 공정의 특정 시간대의 공정변동률 전체에 대한 평균값을 산출하여 해당 공정의 공정변동률로 정의한다.
또한 제어연산부(11)은 다수회의 공정변동률에 대한 평균값을 산출하여 표준 공정변동률을 산출하고, 표준 공정변동률과 특정 공정변동률 차이인 공정변동률의 변동률을 산출한다. 이때, 공정변동률의 변동률이 점점 커질 때 이상상태가 누적되고 있다고 판단할 수 있다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
1 : 플라즈마 설비의 상태 진단 장치 11: 제어연산부
12: 전원부 13: 통신부
14: 입력부 15: 저장부
17: 표시부 19: 알람부

Claims (9)

  1. (a) 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 표준값을 정의하는 단계;
    (b) 상기 복수개의 속성 각각에 대하여 상기 공정 진행 시간대별 실제값을 산출하는 단계; 및
    (c) 시간대별마다 상기 복수개의 속성의 표준값에 대한 상기 실제값 각각의 변동률을 산출하여 특정 속성에 대한 특정 시간대의 변동률로 정의하는 단계;를 포함하고,
    상기 속성 전체의 상기 특정 시간대의 변동률에 대한 평균치를 산출하여 특정 시간대의 공정변동률로 정의하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 특정시간대 공정변동률을 산출함에 있어서, 각 속성 마다 정해진 가중치를 부가하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법.
  4. 청구항 1 또는 3에 있어서,
    1회 공정의 상기 특정 시간대의 공정변동률 전체에 대한 평균값을 산출하여 해당 공정의 공정변동률로 정의하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    다수회의 공정변동률에 대한 평균값을 산출하여 표준 공정변동률을 산출하고,
    상기 표준 공정변동률과 특정 공정변동률 차이인 공정변동률의 변동률을 산출하며,
    상기 공정변동률의 변동률이 점점 커질 때 이상상태가 누적되고 있다고 판단하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    특정 시간대의 특정 속성에 대한 상기 표준값은 해당 특정 시간대의 다수회의 실제값을 평균하여 정하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 방법.
  7. 플라즈마 처리 설비의 상태 진단 장치로서:
    플라즈마 처리 설비 및 플라즈마 처리 설비에 설치된 센서들과 데이터를 송수신하도록 배치되는 통신부;
    데이터 및 프로그램을 저장하는 저장부;
    상기 플라즈마 처리 설비 및 상기 센서들로부터 수신한 데이터를 이용하여 플라즈마 상태에 대한 진단값을 산출하는 제어연산부; 및
    상기 제어연산부의 제어 하에 상기 진단값을 포함하는 데이터를 표시하는 표시부;를 포함하고,
    상기 제어연산부는 수신한 복수개의 속성 각각에 대하여 공정 진행 시간대별 표준값을 정의하고, 상기 복수개의 속성 각각에 대하여 상기 공정 진행 시간대별 실제값을 산출하며, 시간대별마다 상기 복수개의 속성의 표준값에 대한 상기 실제값 각각의 변동률을 산출하여 특정 속성에 대한 특정 시간대의 변동률로 정의하며,
    상기 제어연산부는 상기 속성 전체의 상기 특정 시간대의 변동률에 대한 평균치를 산출하여, 특정 시간대의 공정변동률로 정의하고, 상기 특정시간대 공정변동률을 산출함에 있어서, 각 속성 마다 정해진 가중치를 부가하며, 1회 공정의 상기 특정 시간대의 공정변동률 전체에 대한 평균값을 산출하여 해당 공정의 공정변동률로 정의하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 장치.
  8. 삭제
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제어연산부는 다수회의 공정변동률에 대한 평균값을 산출하여 표준 공정변동률을 산출하고, 상기 표준 공정변동률과 특정 공정변동률 차이인 공정변동률의 변동률을 산출하며, 상기 공정변동률의 변동률이 점점 커질 때 이상상태가 누적되고 있다고 판단하는 것인,
    플라즈마 처리 설비의 상태 진단 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050084988A1 (en) * 2002-06-07 2005-04-21 Lam Research Corporation Integrated stepwise statistical process control in a plasma processing system
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