KR101563805B1 - Ｒｆ 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 이용한 신호 발생기 - Google Patents

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윤은승
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device

Abstract

본 발명은 CMOS 공정을 이용한 고주파 신호 발생기에 관한 것으로서, 본 발명의 고주파 신호 발생기는 RF 부성저항 회로 및 상기 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 포함하되, 상기 RF 부성저항 회로는 제1 인덕터와, 한 쌍의 부성저항 트랜지스터로 이루어지며, 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 양단에 연결되고, 소스가 상기 상보형 발진기에 연결되는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이다. 본 발명에 의하면 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 이용하여 고주파 신호 발생기를 구현함으로써, 높은 발진주파수를 발생시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

ＲＦ 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 이용한 신호 발생기 {HIGH FREQUENCY SIGNAL GENERATOR USING RF NEGATIVE RESISTANCE CIRCUIT WITH COMPLEMENTARY CROSS-COUPLED OSCILLATOR TOPOLOGY}
본 발명은 CMOS 공정을 이용한 고주파 신호 발생기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 이용한 고주파 신호 발생기 및 이를 이용한 광대역통신 및 의료영상 장치에 관한 것이다.
CMOS를 이용한 신호발생기는 저비용, 고수율, 소형화 측면의 장점으로 인해 널리 사용되고 있다. 하지만 다른 화합물 반도체에 비해서 낮은 fmax(maximum oscillation frequency)로 인해 고주파수 이용에는 제한이 있다.
신호발생기의 실제 발진주파수가 fmax 만큼 높아질 수 없는 이유 중 하나는 인덕터나 트랜지스터에서 발생하는 기생 커패시터 때문이다. 신호발생기의 출력신호는 출력단 매칭을 위해 버퍼를 통과하게 되는데, 이 때 버퍼 트랜지스터의 게이트에서 보이는 기생 커패시터가 공진부의 커패시터와 병렬로 연결되므로 실제 발진주파수는 훨씬 낮아지거나 발진하지 못한다. 고주파 신호발생기 혹은 전압제어발진기의 응용분야에서 발진주파수는 점점 높아지고 있고, 높은 발진주파수에서 동작하기 위해선 위와 같은 기생 커패시터의 영향을 줄여야 한다.
고주파수 신호발생기를 만들더라도 고주파수에서는 LC탱크의 Q값이 낮아지므로 출력파워가 낮아지게 된다. 낮은 출력파워를 높이기 위해선 트랜지스터의 사이즈를 키워 공급되는 전류를 높여주는 방법이 있는데, 이때에도 기생 커패시터가 커져 주파수가 낮아지고 소비 전력이 높아지는 문제가 있다.
또한, NMOS 트랜지스터로만 이루어진 교차 결합 발진기는 전원에서 공급되는 전류가 양쪽의 트랜지스터에 각각 흐르므로 소비 전력이 높아진다는 문제점이 있다.
대한민국 등록특허 10-0952424
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 이용하여 높은 발진주파수를 발생시킬 수 있는 고주파 신호 발생기를 제안하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 높은 주파수에서 낮은 소비전력을 가질 수 있는 고주파 신호 발생기를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고주파 신호 발생기는 RF 부성저항 회로 및 상기 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 포함하되, 상기 RF 부성저항 회로는 제1 인덕터와, 한 쌍의 부성저항 트랜지스터로 이루어지며, 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 양단에 연결되고, 소스가 상기 상보형 발진기에 연결되는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이다.
상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는, 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 일측에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터와, 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 타측에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터로 이루어질 수 있다.
상기 상보형 발진기는 제2 인덕터와, 상기 제2 인덕터와 상보적인 특성을 갖도록 연결된 한 쌍의 상보형 트랜지스터를 포함하되, 상기 한 쌍의 상보형 트랜지스터는 제1 상보형 트랜지스터와 제2 상보형 트랜지스터이고, 상기 제1 상보형 트랜지스터는 소스가 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제2 상보형 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 드레인이 상기 제2 인덕터의 일측에 연결되는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고, 상기 제2 상보형 트랜지스터는 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제1 상보형 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 드레인이 상기 제2 인덕터의 타측에 연결되는 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 소스가 상기 제2 인덕터의 양단과 상기 한 쌍의 상보형 트랜지스터의 교점에 연결될 수 있다.
상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터의 게이트와 연결된 제1 인덕터의 공통 노드에 게이트 전원이 연결되고, 상기 게이트 전원을 통하여 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압을 조절할 수 있다.
상기 고주파 신호 발생기는 상기 제1 인덕터에 병렬로 연결된 한 쌍의 제1 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 한 쌍의 제1 가변 커패시터에 전압을 공급하고, 상기 한 쌍의 제1 가변 커패시터의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시킬 수 있다.
상기 고주파 신호 발생기는 상기 제2 인덕터에 병렬로 연결된 한 쌍의 제2 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 한 쌍의 제2 가변 커패시터에 전압을 공급하고, 상기 한 쌍의 제2 가변 커패시터의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시킬 수 있다.
본 발명에 의하면 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 이용하여 고주파 신호 발생기를 구현함으로써, 높은 발진주파수를 발생시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 높은 주파수에서 낮은 소비전력을 가질 수 있는 고주파 신호 발생기를 제공할 수 있다는 효과가 있다.
본 발명의 고주파 신호 발생기는 종래의 교차 결합된 상보형 발진기에 비해 기생 커패시터의 크기가 변해도 출력신호의 발진주파수 변화가 미세하다는 장점이 있다. 즉, 본 발명에 의하면 교차 결합된 상보형 발진기에서 발생하는 기생 커패시터가 RF 부성저항 회로의 공진부에 끼치는 영향이 현저히 적다.
또한, 본 발명에서는 교차 결합된 상보형 발진기 구조의 기생 커패시터의 영향을 상당히 감소시켜 고주파수 신호를 발생하기에 용이하다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에서 제안하는 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 이용한 고주파 신호 발생기를 도시한 도면이다.
도 2는 RF 부성저항 탱크와 그 등가회로를 도시한 도면이다.
도 3은 종래의 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 도시한 도면이다.
도 4는 기생 커패시터의 크기를 변화시키며 본 발명의 고주파 신호 발생기와 종래의 교차 결합된 상보형 발진기의 발진 주파수를 비교한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 신호 발생기가 포함된 의학 영상 장치의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 신호 발생기가 포함된 신호 송수신기의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에서 제안하는 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 이용한 고주파 신호 발생기를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 고주파 신호 발생기는 RF 부성저항 회로 및 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 포함한다.
RF 부성저항 회로는 제1 인덕터(L1)와, 한 쌍의 부성저항 트랜지스터(Mgm)로 구성된다.
한 쌍의 부성저항 트랜지스터(Mgm)는 드레인이 전원(VDD)에 연결되고, 게이트가 제1 인덕터(L1)의 양단에 연결되고, 소스가 상보형 발진기에 연결되는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이다.
한 쌍의 부성저항 트랜지스터(Mgm)는, 드레인이 전원(VDD)에 연결되고, 게이트가 제1 인덕터(L1)의 일측에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터와, 드레인이 전원(VDD)에 연결되고, 게이트가 제1 인덕터(L1)의 타측에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터로 이루어진다.
상보형 발진기는 제2 인덕터(L2)와, 상보적인 특성을 갖도록 제2 인덕터(L2)와 연결된 한 쌍의 상보형 트랜지스터를 포함한다.
한 쌍의 상보형 트랜지스터는 제1 상보형 트랜지스터(Mp)와 제2 상보형 트랜지스터(Mn)이다.
제1 상보형 트랜지스터(Mp)는 소스가 전원(VDD)에 연결되고, 게이트가 제2 상보형 트랜지스터(Mn)의 드레인에 연결되고, 드레인이 제2 인덕터(L2)의 일측에 연결되는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이다.
제2 상보형 트랜지스터(Mn)는 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 제1 상보형 트랜지스터(Mp)의 드레인에 연결되고, 드레인이 제2 인덕터(L2)의 타측에 연결되는 NMOS 트랜지스터이다.
한 쌍의 부성저항 트랜지스터(Mgm)는 소스가 제2 인덕터(L2)의 양단과 한 쌍의 상보형 트랜지스터(Mp, Mn)의 교점에 연결된다.
본 발명의 고주파 신호 발생기는 제1 상보형 트랜지스터(Mp)의 드레인과 제2 인덕터(L2)의 일측과의 교점과, 제2 상보형 트랜지스터(Mn)의 드레인과 제2 인덕터(L2)의 타측과의 교점에서 출력신호가 출력되는 출력포트(Vout+, Vout-)가 있다.
본 발명에서 한 쌍의 부성저항 트랜지스터(Mgm)의 게이트와 연결된 제1 인덕터(L1)의 공통 노드에 게이트 전원(Vgate)이 연결되고, 게이트 전원(Vgate)을 통하여 한 쌍의 부성저항 트랜지스터(Mgm)의 게이트 바이어스 전압을 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 고주파 신호 발생기는 제1 인덕터(L1)에 병렬로 연결된 한 쌍의 제1 가변 커패시터(Cvar1)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 한 쌍의 제1 가변 커패시터(Cvar1)에 전압(Vcont)을 공급하고, 한 쌍의 제1 가변 커패시터(Cvar1)의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서 고주파 신호 발생기는 제2 인덕터(L2)에 병렬로 연결된 한 쌍의 제2 가변 커패시터(Cvar2)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 한 쌍의 제2 가변 커패시터(Cvar2)에 전압(Vcont)을 공급하고, 한 쌍의 제2 가변 커패시터(Cvar2)의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시킬 수 있다.
도 2는 RF 부성저항 탱크와 그 등가회로를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 부성저항 트랜지스터(Mgm)의 소스 쪽에서 바라본 임피던스를 계산해보면 다음 수학식과 같다.
Figure 112014019384992-pat00001
RF 부성저항 회로는 특정주파수
Figure 112014019384992-pat00002
를 중심으로 특정주파수 이하에서는 허수부와 실수부가 각각 커패시턴스와 저항의 특성을 나타내고, 특정주파수 이상에서는 허수부와 실수부가 각각 인덕턴스와 부성저항의 특성을 나타낸다.
본 발명에 따르면 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 결합함으로써, 기존 RF 부성저항 회로의 공진주파수보다 낮은 주파수와, 높은 주파수의 2가지 발진주파수를 얻을 수 있다. RF 부성저항 회로가 교차 결합된 상보형 발진기 구조의 공진부와 병렬로 연결되는데, 특정주파수
Figure 112014019384992-pat00003
이하에서는 RF 부성저항 회로가 커패시턴스와 저항의 특성을 나타내므로 전체적인 커패시턴스가 증가하게 되어 낮은 주파수에서 발진하게 되고, 특정주파수 이상에서는 인덕턴스와 부성저항의 특성을 나타내므로 전체적인 인덕턴스가 감소하게 되어 높은 주파수에서 발진하게 된다.
본 발명은 특정주파수 이상이 되는 조건을 만족시켜 2가지 발진주파수 중 높은 주파수에서 발진하는 고주파 신호 발생기를 구현한다.
본 발명에서 제안하는 신호 발생기에서는 공진부인 RF 부성저항 회로의 LC탱크가 부성저항 트랜지스터(Mgm)의 게이트-소스 커패시터(Cgs)를 통해 출력단 버퍼 트랜지스터의 게이트와 직렬로 연결되므로 버퍼 트랜지스터에 대한 기생 커패시터의 영향이 감소한다.
도 3은 종래의 교차 결합된 상보형 발진기 구조를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 제1 상보형 트랜지스터(Mp)의 소스에 연결된 전원(VDD)에서 공급되는 전류가 제1 상보형 트랜지스터(Mp)와 제2 상보형 트랜지스터(Mn)에서 두 번 활용되므로 NMOS 트랜지스터로만 이루어진 발진기에 비해 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는 교차 결합된 상보형 발진기 구조의 인덕터(L2)에는 부성저항 트랜지스터(Mgm)의 소스, 상보형 트랜지스터(Mp, Mn)의 드레인, 버퍼 트랜지스터의 게이트가 연결되어 많은 기생 커패시터가 발생하지만, 핵심적인 공진부가 되는 제1 인덕터(L1)에는 부성저항 트랜지스터(Mgm)의 게이트 외에 연결되는 노드가 없기 때문에 레이아웃에서 발생하는 기생 커패시터가 적다는 장점이 있다.
도 4는 기생 커패시터의 크기를 변화시키며 본 발명의 고주파 신호 발생기와 종래의 교차 결합된 상보형 발진기의 발진 주파수를 비교한 그래프이다.
도 4를 참조하면, 기생 커패시터의 역할을 할 수 있도록 교차 결합된 상보형 발진기의 제2 인덕터(L2)에 커패시터를 연결하고, 그 값을 변화시키며 출력신호의 발진주파수를 측정하였다.
본 발명에서 제안하는 고주파 신호 발생기가 종래의 교차 결합된 상보형 발진기에 비해 높은 주파수에서 발진하는 것을 확인할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명에서 제안하는 구조는 종래의 교차 결합된 상보형 발진기에 비해 기생 커패시터의 크기가 변해도 출력신호의 발진주파수 변화가 미세하다는 것을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 교차 결합된 상보형 발진기에서 발생하는 기생 커패시터가 RF 부성저항 회로의 공진부에 끼치는 영향이 현저히 적다.
앞서 종래기술의 문제점에서 발진주파수가 기생 커패시터 때문에 fmax에 도달하기 어렵다고 언급했는데, 본 발명에서는 교차 결합된 상보형 발진기 구조의 기생 커패시터의 영향을 상당히 감소시켜 고주파수 신호를 발생하기에 용이하다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 신호 발생기가 포함된 의학 영상 장치의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 고주파 신호 발생기를 의학영상 장치 등에 쓰이는 THz 신호원으로 사용한 예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 신호 발생기가 포함된 신호 송수신기의 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 6에서 본 발명의 고주파 신호 발생기를 이용함으로써 고주파 신호 송수신이 가능하다.
이처럼, 본 발명의 고주파 신호 발생기는 신호 송수신기, 의료 영상 장치 등 다양한 관련 분야에서 응용될 수 있다.
이상 본 발명을 몇 가지 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 이들 실시예는 예시적인 것이며 한정적인 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상과 첨부된 특허청구범위에 제시된 권리범위에서 벗어나지 않으면서 다양한 변화와 수정을 가할 수 있음을 이해할 것이다.
Mgm 부성저항 트랜지스터
Mp 제1 상보형 트랜지스터
Mn 제2 상보형 트랜지스터

Claims (7)

  1. RF 부성저항 회로; 및
    상기 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 포함하되,
    상기 RF 부성저항 회로는 제1 인덕터와, 한 쌍의 부성저항 트랜지스터로 이루어지며,
    상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 양단에 연결되고, 소스가 상기 상보형 발진기에 연결되는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고,
    상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 일측에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터와, 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 타측에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터로 이루어지고,
    상기 상보형 발진기는 제2 인덕터와, 상보적인 특성을 갖도록 상기 제2 인덕터와 연결된 한 쌍의 상보형 트랜지스터를 포함하되,
    상기 한 쌍의 상보형 트랜지스터는 제1 상보형 트랜지스터와 제2 상보형 트랜지스터이고,
    상기 제1 상보형 트랜지스터는 소스가 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제2 상보형 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 드레인이 상기 제2 인덕터의 일측에 연결되는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고,
    상기 제2 상보형 트랜지스터는 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제1 상보형 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 드레인이 상기 제2 인덕터의 타측에 연결되는 NMOS 트랜지스터인 것임을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 소스가 상기 제2 인덕터의 양단과 상기 한 쌍의 상보형 트랜지스터의 교점에 연결되는 것임을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터의 게이트와 연결된 제1 인덕터의 공통 노드에 게이트 전원이 연결되고, 상기 게이트 전원을 통하여 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 고주파 신호 발생기는 상기 제1 인덕터에 병렬로 연결된 한 쌍의 제1 가변 커패시터를 더 포함하고,
    상기 한 쌍의 제1 가변 커패시터에 전압을 공급하고, 상기 한 쌍의 제1 가변 커패시터의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 고주파 신호 발생기는 상기 제2 인덕터에 병렬로 연결된 한 쌍의 제2 가변 커패시터를 더 포함하고,
    상기 한 쌍의 제2 가변 커패시터에 전압을 공급하고, 상기 한 쌍의 제2 가변 커패시터의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012521668A (ja) * 2009-03-18 2012-09-13 クゥアルコム・インコーポレイテッド 変圧器をベースとしたｃｍｏｓ発振器

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