KR101556836B1 - Convexo-concave microstructure transcription template - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 고이형성을 구비하면서도, 전사재의 도공성이 양호한 미세 요철 구조 전사용 주형을 제공한다. 본 발명의 미세 요철 구조 전사용 주형(110)은, 기재와, 기재의 일주면 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 패턴부(111)와, 일주면 내의 전사 영역 이외의 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비패턴부(112)와, 패턴부(111)와 비패턴부 사이에 적어도 그 일부가 패턴부(111)와 인접하도록 형성된 배리어 영역(114)을 구비한다. 패턴부(111) 및 배리어 영역(114)은 복수의 오목부를 포함한다. 또한, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1>Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 패턴부(111)의 영역의 평균 개구율(Ar1)과 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립한다.The present invention provides a mold for transferring fine convexo-concave structures having a high transferability and a good transferability of a transferring material. The fine uneven structure transfer mold 110 according to the present invention includes a substrate 110, a pattern portion 111 on which a fine concave-convex structure to be transferred to the workpiece is formed on a part of the surface of the substrate 110, And a barrier region 114 formed between the pattern portion 111 and the non-pattern portion so that at least part of the pattern portion 111 is adjacent to the pattern portion 111. The non-pattern portion 112 has a non- The pattern portion 111 and the barrier region 114 include a plurality of recesses. Rf1> Rf2 is satisfied between the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 and the average roughness factor Rf2 of the barrier region 114, The relationship Ar1 > Ar2 is established between the average opening ratio Ar1 of the barrier region 114 and the average opening ratio Ar2 of the barrier region 114. [

Description

미세 요철 구조 전사용 주형{CONVEXO-CONCAVE MICROSTRUCTURE TRANSCRIPTION TEMPLATE}{CONVEXO-CONCAVE MICROSTRUCTURE TRANSCRIPTION TEMPLATE}

본 발명은, 표면에 미세 요철 구조가 전사된 피처리체를 제작하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a mold for transferring fine uneven structure for producing a workpiece to which a fine concave-convex structure is transferred onto a surface.

나노·마이크로미터 사이즈 영역에 제어 대상을 갖는 광학 소자나 바이오 재료를 개발하는 데에 있어서, 나노·마이크로미터 사이즈 영역에서 정밀하게 가공 제어된 부재를 이용하는 것은, 제어 기능에 크게 영향을 미친다. 특히 민간용 광학 소자의 경우, 주로 수백 nm 스케일에서의 파장 제어가 요구되기 때문에, 수 nm∼수십 nm의 가공 정밀도가 중요하다. 또한, 양산성의 관점에서, 가공 정밀도의 재현성, 균일성, 스루풋성도 겸비한 정밀 가공 기술일 것이 요구된다.In developing an optical element or a biomaterial having a control object in a nano / micrometer size region, using a member precisely controlled in the nano / micrometer size region greatly affects the control function. Particularly, in the case of a civil optical device, since the wavelength control is required mainly at a scale of several hundred nm, the processing precision of several nm to several tens nm is important. In addition, from the viewpoint of mass productivity, it is required to be a precision machining technology that also has reproducibility, uniformity, and throughput of machining accuracy.

공지된 미세 가공 기술로는, 예컨대, 전자선을 사용하여 직접 미세 가공하는 방법이나, 간섭 노광으로 대면적에 일괄 묘화하는 방법 등이 있다. 최근에는, 반도체 기술에서의 스테퍼 장치를 응용한 스텝 & 리피트법에 의한 미세 패턴 가공도 알려져 있다. 그러나, 어느 방법이나 복수의 가공 공정을 필요로 하고, 고액의 설비 투자가 필요하기 때문에, 스루풋성이나 비용 면에서 생산성이 좋은 기술이라고는 하기 어렵다.Known micromachining techniques include, for example, direct micromachining using an electron beam, and bulk micromachining with large-area interference exposure. In recent years, fine pattern processing by a step & repeating method using a stepper apparatus in semiconductor technology is also known. However, any method requires a plurality of processing steps and requires a large amount of facility investment, so that it is difficult to say that the productivity is excellent in terms of throughput and cost.

이들 과제를 해결하기 위해 제안되어 있는 가공 방법의 하나로, 나노임프린트법이 있다. 나노임프린트법은, 미세 패턴 가공된 부재를 주형으로서 이용하고, 수지(전사재)에 수 nm∼수십 nm의 가공 정밀도로 미세 패턴을 전사하여 복제하는 기술이다. 간이한 공정으로 실시할 수 있기 때문에, 산업상 없어서는 안 될 정밀 복제 가공 기술로서 주목받고 있다. 특히, 라디칼 중합성 수지나, 양이온 중합성 수지와 같은 광중합성 수지를 전사재로서 이용하는 광 나노임프린트법은, 신속하게 반복 전사가 가능한 롤투롤법 프로세스에 응용하기 쉬워, 전사 정밀도와 스루풋성을 겸비한다는 점에서 매력적으로 여겨진다. 그러나, 몰드측의 재질에 관해서는, 주로 석영이나 사파이어, 유리제 몰드에 제한되고, 그 강성 재질 때문에 연속 제조 기술이나 가공 프로세스에 있어서 범용성이 부족하다는 과제가 있다. 이들 강성 몰드가 갖는 과제를 해결하기 위해서는, 강성 몰드의 대체로서 플렉시블성을 갖는 수지 몰드가 필요해진다. 또한, 몰드에 대한 이형 처리는, 이형제를 이용하기 때문에 환경 부하가 큰 점이나, 생산성을 저하시키는 점에서, 이형 처리가 필요없는, 고이형성을 구비한 몰드가 요구된다. 이러한 요구에 입각하여, 최근, 플렉시블성을 구비한 고이형성 수지 몰드가 보고되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).As one of the processing methods proposed to solve these problems, there is a nanoimprint method. The nanoimprint method is a technique for copying and transferring a fine pattern to a resin (transfer material) with a processing precision of several nm to several tens of nm using a member having a fine pattern processed as a mold. Since it can be carried out with a simple process, it is attracting attention as a precision reproduction processing technology which is indispensable in industry. In particular, the photo-nanoimprinting method using a photopolymerizable resin such as a radical polymerizable resin or a cationic polymerizable resin as a transfer material is easy to apply to a roll to roll process capable of rapid repetitive transfer, and has transfer precision and throughput It is considered attractive in point. However, the material of the mold side is limited mainly to quartz, sapphire, and glass molds, and there is a problem that the rigidity material is insufficient in the continuous manufacturing technique and the versatility in the processing process. In order to solve the problems of these rigid molds, a resin mold having flexibility is required as a substitute for rigid molds. In addition, the mold releasing treatment for a mold requires a mold having a high moldability, which does not require a mold releasing treatment, because it uses a mold releasing agent and thus has a large environmental load but lowers productivity. On the basis of this demand, recently, a highly flexible resin mold having flexibility has been reported (for example, see Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2006-198883호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-198883

몰드의 고이형성을 발현시키기 위해서는, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 불소 함유 수지를 전사재로 하여 마스터 몰드(원판)로부터 전사 성형하거나, 또는 불소 성분의 표면 편석(偏析)을 이용하여 전사 성형하거나 또는 폴리디메틸실록산으로 대표되는 이형성이 우수한 실리콘에 의한 전사 성형이 필요해진다. 그 외에, 전사 성형된 수지 몰드에 대하여 이형제를 사용한 표면 처리 수법 등을 들 수 있다.In order to develop the mold formation, it is necessary to carry out transfer molding from a master mold (original plate) using a fluorine-containing resin as a transfer material, transfer molding using surface segregation of fluorine components Or transfer molding with silicone having excellent releasability represented by polydimethylsiloxane is required. In addition to this, a surface treatment method using a mold release agent for the transfer-molded resin mold and the like can be mentioned.

어느 수법에 있어서도, 전사 성형된 수지 몰드 표면은, 자유 에너지가 낮아져, 전사재에 대한 친화성이 저하된다. 수지 몰드를 주형으로서 이용하여 전사재에 미세 요철 구조를 전사하는 수법으로서, 수지 몰드의 미세 요철 구조 상에 직접 전사재를 도공하는 방법을 들 수 있는데, 전사재와 수지 몰드 표면의 친화성이 낮은 경우에는, 전사재의 도공성이 저하된다는 과제가 있었다.In any of these methods, the surface of the resin mold to be transferred is lowered in the free energy, and the affinity to the transfer material is lowered. As a method of transferring the fine concavo-convex structure to the transfer material by using the resin mold as a mold, there is a method of directly coating the transfer material on the fine concavo-convex structure of the resin mold. There is a problem that the coating property of the transferring material is lowered.

이러한 과제를 해결하는 수법으로서, 전사재와의 친화성을 보다 높이기 위한 수지 몰드에 대한 산소 애싱과 같은 표면 처리를 실시하는 수법이나, 또는 전사재 자체에 계면 활성제로 대표되는 레벨링제를 첨가하는 수법이 제안되어 있다. 그러나, 수지 몰드에 대한 표면 처리는, 이형성을 악화시키기 때문에, 전사재의 전사 정밀도를 감소시킬 가능성이 시사된다. 게다가, 수지 몰드는 유기물로 구성되어 있기 때문에, 이들 처리에 의해, 그 형상이 흐트러져, 전사 충실성이 뒤떨어지는 것도 시사된다. 한편, 전사재에 대한 레벨링제의 첨가는, 전사재에 대한 불순물의 첨가를 의미하기 때문에, 본래 요구되는 전사재의 기능을 감소시킬 가능성이 시사된다.As a method for solving such a problem, there is a method of performing a surface treatment such as oxygen ashing for a resin mold for further improving the affinity with a transfer material, or a method of adding a leveling agent represented by a surfactant to the transfer material itself Has been proposed. However, since the surface treatment of the resin mold deteriorates the releasability, there is a possibility that the transfer accuracy of the transfer material is reduced. In addition, since the resin mold is made of an organic material, the shape of the resin mold is disturbed by these treatments, suggesting that transfer fidelity is poor. On the other hand, the addition of the leveling agent to the transferring material implies the addition of impurities to the transferring material, which implies a possibility of reducing the function of the transferring material originally required.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 고이형성을 구비하면서도, 전사재의 도공성이 양호한 미세 요철 구조 전사용 주형을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a mold for transferring a fine concavo-convex structure having good transferability and good coatability of a transferring material.

본 발명의 피처리체에 미세 요철 구조를 전사하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형은, 기재와, 상기 기재의 일주면(一主面) 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 전사 영역과, 상기 기재의 일주면 내의 상기 전사 영역 이외의 상기 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비전사 영역과, 상기 전사 영역과 상기 비전사 영역 사이에 적어도 그 일부가 상기 전사 영역과 인접하도록 형성된 배리어 영역을 구비하고, 상기 전사 영역 및 상기 배리어 영역은 복수의 오목부를 포함하며, 또한, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1>Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립하는 것을 특징으로 한다.The transfer mold for transferring the micro concavo-convex structure for transferring the micro concavo-convex structure to the subject of the present invention comprises a substrate, a transfer region in which a micro concavo-convex structure transferred onto the subject is formed on a part of the main surface of the substrate, A non-transfer area in which the fine concavo-convex structure other than the transfer area in the one principal surface of the substrate is not formed, and a barrier area formed so as to be at least partially adjacent to the transfer area between the transfer area and the non- Wherein the transfer area and the barrier area include a plurality of recesses, and further, between the average roughness factor (Rf1) of the transfer area and the average roughness factor (Rf2) of the barrier area, Rf1 > Rf2 And the relationship Ar1 > Ar2 is established between the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region .

본 발명의 피처리체에 미세 요철 구조를 전사하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형은, 기재와, 상기 기재의 일주면 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 전사 영역과, 상기 기재의 일주면 내의 상기 전사 영역 이외의 상기 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비전사 영역과, 상기 전사 영역과 상기 비전사 영역 사이에 적어도 그 일부가 상기 전사 영역과 인접하도록 형성된 배리어 영역을 구비하고, 상기 전사 영역 및 상기 배리어 영역은 복수의 볼록부를 포함하며, 또한, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1<Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립하는 것을 특징으로 한다.The transfer mold for transferring the micro concavo-convex structure for transferring the micro concavo-convex structure to the object to be processed according to the present invention comprises a substrate, a transfer region in which a micro concavo-convex structure transferred onto the object to be processed is formed on a part of the main surface of the substrate, A non-transfer area in which the fine concavo-convex structure other than the transfer area in the main surface is not formed, and a barrier area formed at least partially between the transfer area and the non-transfer area so as to be adjacent to the transfer area, Region and the barrier region include a plurality of convex portions and a relationship of Rf1 < Rf2 is established between the average roughness factor Rf1 of the transfer region and the average roughness factor Rf2 of the barrier region , And a relationship Ar1 > Ar2 is established between the average opening ratio (Ar1) of the transfer region and the average opening ratio (Ar2) of the barrier region The.

본 발명의 피처리체에 미세 요철 구조를 전사하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형은, 기재와, 상기 기재의 일주면 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 전사 영역과, 상기 기재의 일주면 내의 상기 전사 영역 이외의 상기 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비전사 영역과, 상기 전사 영역과 상기 비전사 영역 사이에 적어도 그 일부가 상기 전사 영역과 인접하도록 형성된 배리어 영역을 구비하고, 상기 전사 영역 및 상기 배리어 영역은 복수의 오목부를 포함하며, 또한, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1<Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1<Ar2의 관계가 성립하는 것을 특징으로 한다.The transfer mold for transferring the micro concavo-convex structure for transferring the micro concavo-convex structure to the object to be processed according to the present invention comprises a substrate, a transfer region in which a micro concavo-convex structure transferred onto the object to be processed is formed on a part of the main surface of the substrate, A non-transfer area in which the fine concavo-convex structure other than the transfer area in the main surface is not formed, and a barrier area formed at least partially between the transfer area and the non-transfer area so as to be adjacent to the transfer area, Region and the barrier region include a plurality of recesses and a relationship of Rf1 < Rf2 is established between the average roughness factor Rf1 of the transfer region and the average roughness factor Rf2 of the barrier region And Ar1 < Ar2 is satisfied between the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region The.

또한, 본 발명의 피처리체에 미세 요철 구조를 전사하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형은, 기재와, 상기 기재의 일주면 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 전사 영역과, 상기 기재의 일주면 내의 상기 전사 영역 이외의 상기 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비전사 영역과, 상기 전사 영역과 상기 비전사 영역 사이에 적어도 그 일부가 상기 전사 영역과 인접하도록 형성된 배리어 영역을 구비하고, 상기 전사 영역 및 상기 배리어 영역은 복수의 볼록부를 포함하며, 또한, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1>Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1<Ar2의 관계가 성립하는 것을 특징으로 한다.A microstructure transfer mold for transferring a micro concavo-convex structure to an object to be processed according to the present invention comprises a substrate, a transfer region in which a micro concavo-convex structure transferred onto the object to be processed is formed on a part of the one main surface of the substrate, And a barrier region formed at least partly between the transfer region and the non-transfer region so as to be adjacent to the transfer region, wherein the non-transfer region and the non- The transfer area and the barrier area include a plurality of convex parts and a relationship of Rf1 > Rf2 is established between the average roughness factor Rf1 of the transfer area and the average roughness factor Rf2 of the barrier area And Ar1 <Ar2 is satisfied between the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region And a gong.

본 발명에 의하면, 고이형성을 구비하면서도, 전사재의 도공성이 양호한 미세 요철 구조 전사용 주형을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a microstructure transfer mold having a high transferability and a good coating property of a transferring material.

도 1은 전사재를 도공하여 미세 요철 구조를 전사하는 주형을 도시하는 모식도이다.
도 2는 전사재를 도공하여 미세 요철 구조를 전사하는 주형을 도시하는 모식도이다.
도 3은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 4는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 5는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 6은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 볼록부 또는 오목부의 배열에 관해 도시하는 모식도이다.
도 7은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 배리어 영역을 도시하는 모식도이다.
도 8은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 배리어 영역을 도시하는 모식도이다.
도 9는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 배리어 영역을 도시하는 모식도이다.
도 10은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조에서의 러프니스 팩터(Rf)를 설명하는 설명도이다.
도 11은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 12는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 13은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 14는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 15는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 16은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 17은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 18은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 19는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 20은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 미세 요철 구조를 도시하는 모식도이다.
도 21은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 갖는 구배의 예를 설명하는 설명도이다.
도 22는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형의 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 갖는 구배의 예를 설명하는 설명도이다.
도 23은 제1 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 24는 제2 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 25는 제3 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 26은 본 실시형태에 관한 충전층 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 27은 배리어 영역이 없는 충전층 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 28은 본 실시형태에 관한 충전층 전사용 주형을 도시하는 모식도이다.
도 29는 본 실시형태에 관한 충전층 전사용 주형을 이용한 무기 기재의 가공 방법의 각 공정을 도시하는 공정도이다.
도 30은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 이용한 피처리체에 대한 미세 요철 구조 형성 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 31은 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 이용한 피처리체에 대한 미세 요철 구조 형성 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 32는 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조의 둘레 피치와 거리, 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 33은 본 발명의 실시예에 관한 미세 요철 구조의 이송 피치와 거리, 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 34는 본 발명의 실시예에 관한 미세 요철 구조의 이송 피치와 거리, 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 35는 본 발명의 실시예에 관한 미세 요철 구조의 이송 피치와 거리, 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리의 관계를 나타내는 그래프이다.
1 is a schematic diagram showing a mold for transferring a fine uneven structure by applying a transfer material.
2 is a schematic diagram showing a mold for transferring a fine uneven structure by applying a transfer material.
3 is a schematic diagram showing a mold for transferring fine uneven structure according to the present embodiment.
4 is a schematic diagram showing a mold for transferring fine uneven structure according to the present embodiment.
Fig. 5 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment. Fig.
Fig. 6 is a schematic view showing the arrangement of convex portions or concave portions of the microstructure transfer mold according to the present embodiment. Fig.
7 is a schematic diagram showing a barrier region of a microstructure transfer mold according to the present embodiment.
Fig. 8 is a schematic diagram showing a barrier region of a microstructure transfer mold according to the present embodiment. Fig.
9 is a schematic diagram showing a barrier region of a microstructure transfer mold according to the present embodiment.
10 is an explanatory view for explaining the roughness factor Rf in the fine concavo-convex structure of the fine uneven structure transfer mold according to the present embodiment.
11 is a schematic diagram showing a micro concavo-convex structure of a microstructure transfer mold according to the present embodiment.
12 is a schematic diagram showing a micro concavo-convex structure of a microstructure transfer mold according to the present embodiment.
13 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure-transfer mold according to the present embodiment.
Fig. 14 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment. Fig.
Fig. 15 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment.
16 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment.
17 is a schematic diagram showing a micro concavo-convex structure of a microstructure transfer mold according to the present embodiment.
18 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment.
Fig. 19 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment. Fig.
20 is a schematic diagram showing the micro concavo-convex structure of the microstructure transfer mold according to the present embodiment.
21 is an explanatory view for explaining an example of the gradient of the average roughness factor Rf2 in the barrier region of the microstructure transfer mold according to the present embodiment.
22 is an explanatory view for explaining an example of the gradient of the average roughness factor Rf2 in the barrier region of the micro concavo-convex structure transfer mold according to the present embodiment.
23 is a schematic view showing a mold for transferring fine uneven structure according to the first embodiment.
24 is a schematic diagram showing a mold for transferring fine uneven structure according to the second embodiment.
25 is a schematic diagram showing a mold for transferring fine uneven structure according to the third embodiment.
26 is a schematic diagram showing a mold for transferring a filler layer according to the present embodiment.
27 is a schematic diagram showing a mold for transferring a filler layer having no barrier region.
28 is a schematic diagram showing a packed bed transfer mold according to the present embodiment.
29 is a process drawing showing each step of the method for processing an inorganic substrate using the filling layer transfer mold according to the present embodiment.
30 is a process diagram for explaining a method of forming a micro concavo-convex structure with respect to an object to be processed using the micro concavo-convex structure transfer mold according to the present embodiment.
31 is a process diagram for explaining a method of forming a micro concavo-convex structure for an object to be processed using the micro concavo-convex structure transfer mold according to the present embodiment.
32 is a graph showing the relationship between the circumferential pitch and the distance and the roughness factor Rf and the distance of the fine concavo-convex structure according to the present embodiment.
33 is a graph showing the relationship between the transport pitch and the distance, the roughness factor Rf and the distance of the fine uneven structure according to the embodiment of the present invention.
Fig. 34 is a graph showing the relationship between the transport pitch and the distance, the roughness factor Rf and the distance of the fine unevenness structure according to the embodiment of the present invention.
Fig. 35 is a graph showing the relationship between the transport pitch and distance, the roughness factor Rf and the distance of the fine concavo-convex structure according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시형태에 관해, 이하, 구체적으로 설명한다.Embodiments of the present invention will be described in detail below.

도 1 및 도 2는, 전사재를 도공하여 미세 요철 구조를 전사하는 주형을 도시하는 모식도이다. 도 1의 A에 도시한 바와 같이, 주형(110)은, 미세 패턴 가공된 전사 영역, 즉 패턴부(111)를 구비하고 있다. 주형(110)에서의 패턴부(111) 이외의 영역은, 미세 패턴 가공되어 있지 않은 비전사 영역, 즉 비패턴부(112)이다.Figs. 1 and 2 are schematic diagrams showing a mold for transferring a fine uneven structure by applying a transfer material. Fig. As shown in Fig. 1 (A), the mold 110 has a transfer region in which a fine pattern is processed, that is, a pattern portion 111. [ The region other than the pattern portion 111 in the mold 110 is an untransferred region that is not a fine patterned portion, that is, a non-patterned portion 112.

이 주형(110)에 전사재를 포함하는 도공액(113)을 도공하면, 패턴부(111)와 비패턴부(112)에서는, 도공액(113)에 걸리는 힘(F(θ))의 방향이 반대가 되거나(도 1의 B 참조), 또는 힘의 방향은 동일해도, 그 절대치가 크게 상이하다. 이러한 힘(F(θ))이, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면부에 집중된다. 이 때, (1) 이형성이 발현되는 표면 자유 에너지의 범위에 있어서, 주형(110)의 표면 자유 에너지를 증가시켜, 도공성을 향상시키는 경우, 도공액(113)의 액적 내부에는 큰 응력이 가해지기 때문에, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면에 있어서 액막의 분열이 일어나고, 이에 따라 도공액(113)의 도공 불량이 유발된다(이하, 이 현상을 「도공 불량 (1)」이라고도 기재함).When the coating liquid 113 including the transfer material is applied to the mold 110, the direction of the force F (?) Applied to the coating liquid 113 in the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112 (See Fig. 1B), or the direction of the force is the same, the absolute value thereof is greatly different. This force F (?) Is concentrated at the interface portion between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112. At this time, when increasing the surface free energy of the mold 110 in the range of (1) surface free energy at which the releasability is expressed, a large stress is applied to the inside of the droplet of the coating liquid 113 (Hereinafter, this phenomenon will be referred to as &quot; coating failure (1) &quot;, which is hereinafter referred to as &quot; coating failure 1 &quot;).Quot;).

한편, (2) 이형성을 강하게 발현시키기 위해, 주형(110)의 표면 자유 에너지를 크게 감소시킨 경우, 비패턴부(112)와 도공액(113)의 친화성이 극단적으로 낮아져, 도공된 전사재는, 비패턴부(112) 상에서 밀리미터 이상의 스케일로 튀게 된다. 이 경우, 튄 비패턴부(112) 상의 도공액(113)의 액적이, 패턴부(111) 내부로 부분적으로 침입하고, 그 결과, 패턴부(111) 상의 도공액(113)의 막두께(특히 패턴부(111)의 에지부)에 불균일이 발생한다. 이러한, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)에 의한 패턴부(111) 상의 도공 불균일도, 도공 불량에 포함된다(이하, 이 현상을 「도공 불량 (2)」라고도 기재함).On the other hand, when the surface free energy of the mold 110 is greatly reduced in order to (2) strongly express the releasing property, the affinity between the non-pattern portion 112 and the coating liquid 113 becomes extremely low, , And bounces on the non-pattern portion 112 to a scale of more than a millimeter. In this case, the liquid droplets of the coating liquid 113 on the splash non-pattern portion 112 partially penetrate into the pattern portion 111, and as a result, the thickness of the coating liquid 113 on the pattern portion 111 In particular, the edge portion of the pattern portion 111). Such coating irregularity on the pattern portion 111 by the coating liquid 113 splattering on the non-pattern portion 112 is also included in the coating failure (hereinafter this phenomenon is also referred to as "coating failure 2").

또한, 도 2의 A에 도시한 바와 같이, 수지 몰드(121)를 마스터 몰드(원판)로부터 얻을 때, 일반적으로, 특히 롤·투·롤 프로세스를 거치는 경우에는, 도 2의 A에 도시한 바와 같이, 수지 몰드(121)에는, 패턴부(122)와 비패턴부(123)가 형성된다. 이러한 수지 몰드(121)를 주형으로서 사용하여 그 패턴을 전사 형성할 때, 이형성을 우선시켜, 수지 몰드(121)의 이형력을 높이고 자유 에너지를 크게 감소시킨 경우, 도공액(124)과 수지 몰드(121)의 친화성이 크게 저하된다. 이 때문에, 수지 몰드(121) 상에 전사재를 도공했을 때에, 도 2의 B에 도시한 바와 같이, 비패턴부(123) 상에서 튄 도공액(124)이, 화살표로 나타낸 바와 같이, 패턴부(122)로 침입하여, 패턴부(122) 상에서 도공액(124)의 막두께 분포에 변동이 생긴다는 도공 불량 (2)가 발생한다.When the resin mold 121 is obtained from the master mold (original plate) as shown in Fig. 2A, in general, particularly when a roll-to-roll process is carried out, Similarly, in the resin mold 121, a pattern portion 122 and a non-pattern portion 123 are formed. When releasing the resin mold 121 and increasing the releasing force of the resin mold 121 and decreasing the free energy considerably, the coating liquid 124 and the resin mold 121, The affinity of the substrate 121 is greatly reduced. 2B, when the transfer material is coated on the resin mold 121, the coating liquid 124 splattering on the non-pattern portion 123 is, as shown by the arrow, (2) that a variation in the film thickness distribution of the coating liquid (124) occurs on the pattern portion (122).

또한, 도 1에 도시한 패턴부(111)가 갖는 미세 패턴이 미세 요철 구조일수록, 특히 나노 스케일이 될수록, 또한, 주형(110)의 이형성이 커지고, 도공액(113)과 주형(110)의 친화성이 저하될수록, 도공액(113)에 걸리는 힘(F(θ))은 강해져, 도공 불량 (1), (2)의 정도가 보다 커진다. 또한, 패턴부(111)와 비패턴부(112) 사이에 존재하는 수지 등의 두께 불균일의 방향에 따라서는, 비패턴부(112)로부터 패턴부(111)의 방향으로 가해지는 F(θ)가 외관상 커져, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)의 패턴부(111)로의 침입 정도가 증가하여, 도공 불량 (2)의 정도가 보다 커진다.1, the releasing property of the mold 110 is increased, and the amount of the coating liquid 113 and the mold 110 As the affinity decreases, the force F (?) Applied to the coating liquid 113 becomes stronger, and the degrees of the coating defects (1) and (2) become larger. In addition, depending on the direction of the thickness unevenness of the resin or the like existing between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112, F (?) Applied in the direction of the pattern portion 111 from the non- The degree of penetration of the coating liquid 113 splattering on the non-pattern portion 112 into the pattern portion 111 increases and the degree of the coating failure 2 becomes larger.

그래서, 본 발명자는, 도공액(113)의 액막 내부에 가해지는 응력을 완화시켜, 액체의 분열로 대표되는 도공 불량 (1)을 억제하기 위해, 또는 도공액(113)의 액적 내부에 가해지는 응력을 최대한 크게 하여, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)의 액적이 패턴부(111) 내부로 침입하는 것을 저해하여, 도공 불량 (2)를 억제하기 위해, 도 3에 도시한 바와 같이, 패턴부(111)와 비패턴부(112) 사이에 배리어 영역(114)을 형성하는 것을 알아내었다.Therefore, the present inventor has found that it is possible to reduce the stress applied to the inside of the liquid film of the coating liquid 113, to suppress the coating poorness (1) represented by the cleavage of the liquid, In order to suppress the penetration of the droplets of the coating liquid 113 splattering on the non-pattern portion 112 into the pattern portion 111 and to suppress the coating failure 2, as shown in Fig. 3 It has been found that the barrier region 114 is formed between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112 as shown in FIG.

도 4의 A에 도시한 바와 같이, 패턴부(111)와 비패턴부(112) 사이에 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 도공액(113)의 접촉각이 연속적으로 변화되고, 도공액(113)에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화된다. 그 때문에, 도공액(113)의 액적 내부에 대한 응력 집중에 기인하는 도공 불량 (1)은 발생하지 않고, 양호한 도공성을 유지할 수 있다.4A, by forming the barrier region 114 between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112, the contact angle of the coating liquid 113 is continuously changed, and the coating liquid 113 Is also continuously changed. Therefore, the coating defects (1) caused by the concentration of stress on the inside of the droplets of the coating liquid (113) do not occur, and good coatability can be maintained.

또한, 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 배리어 영역(114) 상에서의 도공액(113)의 액막 내부에 대한 응력을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 도 4의 B에 도시한 바와 같이, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)의 액적은, 화살표로 나타낸 바와 같이, 배리어 영역(114)을 타고 넘을 수 없어, 패턴부(111) 상의 도공성, 특히 패턴부(111)의 에지부의 도공성이 양호하게 유지되어 도공 불량 (2)가 억제된다.By forming the barrier region 114, it is possible to increase the stress on the inside of the liquid film of the coating liquid 113 on the barrier region 114. [ 4B, the droplet of the coating liquid 113 splattering on the non-patterned portion 112 can not pass over the barrier region 114 as indicated by the arrow, 111), particularly the coating of the edge portion of the pattern portion 111, is maintained favorably, and the coating poorness (2) is suppressed.

본 발명의 미세 요철 구조 전사용 주형(이하, 간단히 전사용 주형이라고도 함)은, 하기의 4종류를 포함한다. 제1 전사용 주형 (I) 및, 제2 전사용 주형 (II)를 사용함으로써, 도공 불량 (2)를 억제하여, 패턴부(111)에 대한 도공성을 양질로 유지할 수 있다. 한편, 제3 전사용 주형 (III) 및, 제4 전사용 주형 (IV)를 사용함으로써, 도공 불량 (1)을 억제하여, 패턴부억제하여, 패턴부성을 양질로 유지할 수 있다.The fine uneven structure transfer mold (hereinafter simply referred to as a transfer mold) of the present invention includes the following four types. By using the first transfer mold (I) and the second transfer mold (II), the coating defects (2) can be suppressed and the coatability with respect to the pattern portion (111) can be maintained at a good quality. On the other hand, by using the third transfer mold (III) and the fourth transfer mold (IV), the coating defects (1) can be suppressed and the pattern portions can be suppressed, and the patternability can be maintained at a good quality.

본 발명의 제1 전사용 주형 (I)에 있어서는, 기재의 일주면 상에, 적어도 어느 것이나 복수의 오목부를 구비하는 전사 영역 및 배리어 영역을 구비하는 전사용 주형으로서, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1>Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립한다.In the first transfer mold (I) of the present invention, there is provided a transfer mold having a transfer region and a barrier region which are provided on a main surface of a substrate with at least any one of a plurality of recesses, wherein the average roughness A relation Rf1 > Rf2 is established between the factor Rf1 and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, and the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region , The relation of Ar1 > Ar2 is established.

본 발명의 제2 전사용 주형 (II)에 있어서는, 기재의 일주면 상에, 적어도 어느 것이나 복수의 볼록부를 구비하는 전사 영역 및 배리어 영역을 구비하는 전사용 주형으로서, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1<Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립한다.In the second transfer mold (II) of the present invention, a transfer region and a barrier region each having at least one convex portion on at least one main surface of the substrate are used, and the average roughness A relation Rf1 <Rf2 is established between the factor Rf1 and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, and the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region , The relation of Ar1 > Ar2 is established.

본 발명의 제3 전사용 주형 (III)에 있어서는, 기재의 일주면 상에, 적어도 어느 것이나 복수의 오목부를 구비하는 전사 영역 및 배리어 영역을 구비하는 전사용 주형으로서, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1<Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1<Ar2의 관계가 성립한다.In the third transfer mold (III) of the present invention, a transfer region and a barrier region each having at least a plurality of concave portions on at least one main surface of a substrate are used, and the average roughness A relation Rf1 <Rf2 is established between the factor Rf1 and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, and the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region , The relation of Ar1 < Ar2 is established.

본 발명의 제4 전사용 주형 (IV)에 있어서는, 기재의 일주면 상에, 적어도 어느 것이나 복수의 볼록부를 구비하는 전사 영역 및 배리어 영역을 구비하는 전사용 주형으로서, 상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1>Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1<Ar2의 관계가 성립한다.In the fourth transfer mold (IV) of the present invention, a transfer region and a barrier region each having at least one convex portion on at least any one surface of the substrate are used, and the average roughness A relation Rf1 > Rf2 is established between the factor Rf1 and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, and the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average opening ratio Ar2 of the barrier region , The relation of Ar1 < Ar2 is established.

제1 전사용 주형 (I)에 있어서는, 배리어 영역(114) 및 패턴부(111) 모두 복수의 오목부로 구성되는 미세 요철 구조를 구비하고, 배리어 영역(114)의 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 러프니스 팩터(Rf1)보다 작으며, 또한, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작게 설정된다.In the first transfer mold (I), both the barrier region 114 and the pattern portion 111 are provided with a fine concavo-convex structure composed of a plurality of recesses, and the roughness factor Rf2 of the barrier region 114 is, Is smaller than the roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 and the average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is set to be smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111. [

또한, 제2 전사용 주형 (II)에 있어서는, 배리어 영역(114) 및 패턴부(111) 모두 복수의 볼록부로 구성되는 미세 요철 구조를 구비하고, 배리어 영역(114)의 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 러프니스 팩터(Rf1)보다 크며, 또한, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작게 설정된다. 이러한 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 배리어 영역(114) 상에서의 도공액(113)의 액적 내부에 가해지는 응력을 최대한 크게 함으로써, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)의 액적이, 패턴부(111) 내부로 침입하는 것을 저해할 수 있어, 도공 불량 (2)를 억제할 수 있다.In the second transfer mold II, both the barrier region 114 and the pattern portion 111 are provided with a fine concavo-convex structure constituted by a plurality of convex portions, and the roughness factor Rf2 of the barrier region 114, Is larger than the roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 and the average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is set to be smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111. [ By forming such a barrier region 114, it is possible to maximize the stress applied to the inside of the droplet of the coating liquid 113 on the barrier region 114, so that the droplet of the coating liquid 113 splattering on the non- , It is possible to inhibit intrusion into the inside of the pattern portion 111, and the coating poorness (2) can be suppressed.

제3 전사용 주형 (III)에 있어서는, 배리어 영역(114) 및 패턴부(111) 모두 복수의 오목부로 구성되는 미세 요철 구조를 구비하고, 배리어 영역(114)의 러프니스 팩터(Rf2)는, 전사 영역, 즉 패턴부(111)의 러프니스 팩터(Rf1)보다 크며, 또한, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 크게 설정된다.In the third transfer mold III, both the barrier region 114 and the pattern portion 111 are provided with a fine concavo-convex structure composed of a plurality of recesses, and the roughness factor Rf2 of the barrier region 114 is, The average aperture ratio Ar2 of the barrier region 114 is set to be larger than the average aperture ratio Ar1 of the pattern portion 111. In addition,

또한, 제4 전사용 주형 (IV)에 있어서는, 배리어 영역(114) 및 패턴부(111) 모두 복수의 볼록부로 구성되는 미세 요철 구조를 구비하고, 배리어 영역(114)의 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 러프니스 팩터(Rf1)보다 작으며, 또한, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 크게 설정된다. 이러한 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 배리어 영역(114) 상에서, 도공액(113)의 액막 내부에 가해지는 응력을 완화시켜, 패턴부(111)와 비패턴부(112) 계면에서의 액막의 분열을 억제할 수 있어, 도공 불량 (1)을 억제할 수 있다.In the fourth transfer mold IV, both the barrier region 114 and the pattern portion 111 are provided with a fine concavo-convex structure composed of a plurality of convex portions, and the roughness factor Rf2 of the barrier region 114, Is smaller than the roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 and the average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is set to be larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111. [ By forming such a barrier region 114, the stress applied to the inside of the liquid film of the coating liquid 113 on the barrier region 114 is relieved, and the liquid film on the boundary between the pattern portion 111 and the non- Disruption can be suppressed and the coating failure (1) can be suppressed.

하기 표 1에, 전술한 제1∼제4 전사용 주형 (I)∼(IV)에 관해 정리했다.Table 1 below summarizes the above-mentioned first through fourth transfer molds (I) to (IV).

Figure 112013092998757-pct00001
Figure 112013092998757-pct00001

표 1에 있어서 타입이란, 미세 요철 구조가, 복수의 오목부로 구성되어 있는 경우를 오목형, 복수의 볼록부로 구성되어 있는 경우를 볼록형이라고 부른다.In Table 1, the term "type" refers to a case in which the fine concavo-convex structure is constituted by a plurality of concave portions, a concave shape, and a case in which the convexo-concave portion is constituted by a plurality of convex portions.

이하, 본 발명의 전사용 주형의 설명에 있어서, 제1∼제4 전사용 주형 (I)∼(IV) 모두에 공통되는 설명일 때에는, 간단히 전사용 주형이라고 기재하고, 제1∼제4 전사용 주형 (I)∼(IV) 중 어느 것의 특징을 기재하는 경우에는, 제1 전사용 주형 (I), 제2 전사용 주형 (II), 제3 전사용 주형 (III), 또는 제4 전사용 주형 (IV)라고 기재한다. 또한, 전사용 주형 (I), (II)와 같은 기재는, 전사용 주형 (I) 및 전사용 주형 (II)에 공통되는 특징을 기재하는 것을 의미한다.Hereinafter, in the explanation of the transfer mold of the present invention, when the explanation is common to all of the first to fourth transfer molds (I) to (IV), it is simply described as a transfer mold, and the first to fourth transfer molds When the characteristics of any of the molds (I) to (IV) to be used are described, the first transfer mold (I), the second transfer mold (II), the third transfer mold (III) Use mold (IV) ". The description such as the transfer molds (I) and (II) means that the features common to the transfer mold (I) and the transfer mold (II) are described.

이러한 전사용 주형으로는, 예컨대, 원통형 또는 원기둥형의 마스터 몰드(원판)와, 이 마스터 몰드로부터의 전사에 의해 얻어지는 릴형 수지 몰드, 또한, 원반으로 대표되는 평판 형상을 갖는 평판 마스터 몰드와, 이 마스터 몰드로부터의 전사에 의해 얻어지는 필름형 수지 몰드를 들 수 있다.Examples of such transfer molds include a master mold of a cylindrical or cylindrical shape, a reel-type resin mold obtained by transferring from the master mold, a flat plate master mold having a flat plate shape typified by a disc, And film-like resin molds obtained by transferring from a master mold.

전사용 주형 (I), (III)이 구비하는 미세 요철 구조는, 특별히 한정되지 않지만, 원뿔 형상, 각뿔 형상, 타원뿔 형상, 원기둥 형상, 각기둥 형상, 또는 타원기둥 형상인 복수의 오목부(홀 형상)로 구성되어도 좋다. 또한, 미세 요철 구조는, 특정 방향으로 각각 연장되는 선형의 볼록부 및 오목부(라인 앤드 스페이스 구조)로 구성되어도 좋다. 홀 형상은, 각 홀이 매끄러운 볼록부를 통해 인접하고 있어도 좋다.The micro concavo-convex structure provided in the transfer molds (I) and (III) is not particularly limited, but may be a concave portion (hole) having a conical shape, a pyramid shape, a conical conical shape, a cylindrical shape, a prismatic shape, Shape). Further, the fine concavo-convex structure may be constituted by a linear convex portion and a concave portion (line-and-space structure) each extending in a specific direction. The holes may be adjacent to each other through smooth convex portions.

한편, 전사용 주형 (II), (IV)가 구비하는 미세 요철 구조는, 특별히 한정되지 않지만, 원뿔 형상, 각뿔 형상, 타원뿔 형상, 원기둥 형상, 각기둥 형상, 또는 타원기둥 형상인 복수의 볼록부(도트 형상)로 구성되어도 좋다. 또한, 미세 요철 구조는, 특정 방향으로 각각 연장되는 선형의 볼록부 및 오목부(라인 앤드 스페이스 구조)로 구성되어도 좋다. 도트 형상은, 각 도트가 매끄러운 오목부를 통해 인접하고 있어도 좋다.On the other hand, the micro concavo-convex structure provided in the transfer molds (II) and (IV) is not particularly limited, but may be a convexo-concave shape having a conical shape, a pyramid shape, an obtuse cone shape, a cylindrical shape, a prismatic shape, (Dot shape). Further, the fine concavo-convex structure may be constituted by a linear convex portion and a concave portion (line-and-space structure) each extending in a specific direction. The dot shape may be adjacent to each dot through a smooth concave portion.

여기서, 도트 형상이란, 도 5의 A에 도시한 바와 같이, 기재(131)의 표면에 「기둥형(뿔형)체(볼록부)(131a)가 복수 배치된 형상」을 의미한다. 또한, 홀 형상이란, 도 5의 B에 도시한 바와 같이, 기재(132)의 표면에 「기둥형(뿔형)의 구멍(오목부)(132b)이 복수 형성된 형상」을 의미한다. 미세 요철 구조에 있어서, 볼록부 또는 오목부끼리의 거리가 50 nm 이상 5000 nm 이하이고, 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이가 10 nm 이상 2000 nm 이하인 것이 바람직하다. 특히, 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이가 50 nm 이상 1000 nm 이하이면, 패턴부(111)에 대한 도공성과, 배리어 영역(114)의 기능을 한층 더 향상시키는 것이 가능해져, 패턴부(111)에 대한 도공성이 향상되기 때문에 바람직하다. 용도에 따라 다르기도 하지만, 볼록부 또는 오목부끼리의 인접 거리(볼록부의 정점끼리의 간격 또는 오목부의 개구부 중심점 사이의 간격)가 작고, 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이, 즉 오목부의 바닥에서 볼록부의 정점까지의 높이가 큰 것이 바람직하다. 여기서, 볼록부란, 미세 요철 구조의 평균 높이보다 높은 부위를 말하고, 오목부란, 미세 요철 구조의 평균 높이보다 낮은 부위를 말하는 것으로 한다. 또한, 미세 요철 구조의 어스펙트비(볼록부 높이/볼록부 바닥부 직경, 또는 오목부 깊이/오목부 개구 직경)는, 도공 정밀도, 배리어 영역의 기능, 및 전사 정밀도의 관점에서 0.1∼5.0이면 바람직하고, 0.3∼3.0이면 보다 바람직하고, 0.5∼1.5이면 가장 바람직하다.Here, the dot shape means a shape in which a plurality of columnar (convex portions) 131a are arranged on the surface of the base material 131 as shown in Fig. 5A. The hole shape means a shape in which a plurality of pillar-shaped (concave) holes 132b are formed on the surface of the substrate 132 as shown in Fig. 5B. In the fine uneven structure, it is preferable that the distance between the convex portions or the concave portions is 50 nm or more and 5000 nm or less, and the height of the convex portion or the depth of the concave portion is 10 nm or more and 2000 nm or less. Particularly, when the height of the convex portion or the depth of the concave portion is 50 nm or more and 1000 nm or less, the coatability of the pattern portion 111 and the function of the barrier region 114 can be further improved, It is preferable that the coating property is improved. The distance between adjacent convex portions or concave portions (the distance between the vertexes of the convex portions or the distance between the center points of the opening portions of the concave portions) is small and the height of the convex portions or the depth of the concave portions, It is preferable that the height to the apex is large. Here, the convex portion refers to a portion higher than the average height of the fine concave-convex structure, and the concave portion refers to a portion lower than the average height of the concave-convex structure. Further, the aspect ratio (convex height / convex bottom diameter, or concave depth / concave opening diameter) of the fine concave-convex structure is 0.1 to 5.0 in terms of coating precision, barrier function, More preferably from 0.3 to 3.0, and most preferably from 0.5 to 1.5.

전사용 주형의 패턴부(111)에 있어서, 패턴부(111)의 표면 자유 에너지를 낮게 하고, 즉, 이형성을 향상시키고, 또한 도공성을 양호하게 유지하기 위해, 패턴부(111)는 도공액에 대하여, 에너지적으로 최종적으로 취할 수 있는 도공액의 모드가 웬첼(Wenzel) 모드로 되는 미세 요철 구조를 구비하면 바람직하다. 이러한 관점에서, 전사용 주형에서의 미세 요철 구조의 패턴부(111)에 있어서, 패턴부(111)에서의 개구율이 45% 이상이면 바람직하다. 특히, 50% 이상이면 바람직하고, 55% 이상이면 보다 바람직하다. 또한, 패턴부(111)에서의 개구율이 65% 이상이면, 패턴부(111)의 미세 요철 구조의 볼록부 상으로부터 오목부 내부 방향으로의 포텐셜이 작용하여, 오목부 내부에 도공액이 충전된 후에, 볼록부 상으로 도공액이 재이동하는 것을 회피할 수 있기 때문에, 도공성이 한층 더 향상되어, 보다 바람직하다. 또한, 패턴부(111)에서의 개구율은, 70% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 75% 이상이며, 80% 이상이면 더욱 바람직하다.In order to lower the surface free energy of the pattern portion 111 in the pattern portion 111 of the transfer mold to be used, that is, to improve the releasability and to maintain good coating property, the pattern portion 111 is formed of the coating liquid It is preferable to provide a fine concavo-convex structure in which the mode of the coating liquid that can be finally obtained energetically is the Wenzel mode. From this point of view, it is preferable that the opening ratio in the pattern portion 111 in the pattern portion 111 of the micro concavo-convex structure in the transfer mold is 45% or more. In particular, it is preferably 50% or more, more preferably 55% or more. If the opening ratio in the pattern portion 111 is 65% or more, a potential in the direction toward the inside of the concave portion acts on the convex portion of the fine concavo-convex structure of the pattern portion 111 and the inside of the concave portion is filled with the coating liquid It is possible to avoid the re-movement of the coating liquid onto the convex portion later, so that the coating property is further improved, which is more preferable. The opening ratio in the pattern portion 111 is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, and even more preferably 80% or more.

또한, 전사용 주형 (I), (III)에서의 패턴부(111)의 홀형의 미세 요철 구조에 있어서, 홀 개구부의 면적이 홀 바닥부의 면적보다 크면, 상기 효과를 보다 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 개구 깊은 곳과 오목부 측면은, 연속적으로 매끄럽게 연결되어 있으면, 고액기(固液氣) 계면(TPCL)에서의 핀 고정 효과를 작게 할 수 있어, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다.In the hole-shaped fine concavo-convex structure of the pattern portion 111 in the transfer molds (I) and (III), if the area of the hole opening is larger than the area of the hole bottom portion, . Further, if the depth of the opening and the side surface of the concave portion are continuously and smoothly connected, the pinning effect at the solid-liquid interface (TPCL) can be made small, and the above effects can be further exerted Do.

또한, 전사용 주형 (II), (IV)에서의 패턴부(111)의 도트형 미세 요철 구조에 있어서, 도트 정점의 면적이, 도트 바닥부의 면적보다 작으면, 상기 효과를 보다 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 도트 정상부 깊은 곳과 도트 측면은, 연속적으로 매끄럽게 연결되어 있으면, 고액기 계면(TPCL)에서의 핀 고정 효과를 작게 할 수 있어, 상기 효과를 한층 더 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다.In the dot-type micro concavo-convex structure of the pattern portion 111 in the transfer molds (II) and (IV), if the area of the dot apex is smaller than the area of the dot bottom portion, desirable. In addition, if the dot top portion and the dot side are continuously and smoothly connected, the pin fixing effect on the gaseous base interface (TPCL) can be reduced, and the above effects can be further exerted.

또, 전사용 주형 (I), (II)를 사용함으로써, 이하의 메커니즘에 의해 도공 불량 (2)를 억제할 수 있다. 이형성을 강하게 발현시키기 위해, 표면 자유 에너지를 크게 감소시킨 경우, 비패턴부(112)와 도공액(113)의 친화성이 매우 작아진다. 이 경우, 패턴부(111)와 비패턴부(112) 사이에 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 패턴부(111)와 배리어 영역(114)에서, 미세 요철 구조의 오목부 내부로부터 볼록부 상부로 가해지는 힘, 전사재 도공액의 미세 요철 구조 인식성 및 도공 초기의 전사재 도공액의 상태(모드)가 변화되어, 배리어 영역(114) 상에서 도공액(113)의 액적(액막) 내부에 대한 응력을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)의 액적은, 배리어 영역(114)을 타고 넘을 수 없어, 도공 불량 (2)를 억제하여 패턴부(111) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있다.By using the transfer molds (I) and (II), the coating failure (2) can be suppressed by the following mechanism. In order to strongly express the releasing property, when the surface free energy is greatly reduced, the affinity between the non-pattern portion 112 and the coating liquid 113 becomes very small. In this case, by forming the barrier region 114 between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112, in the pattern portion 111 and the barrier region 114, (Mode) of the transfer re-coating liquid at the initial stage of the coating process is changed so as to form the barrier rib 114 in the droplet (liquid film) of the coating liquid 113 on the barrier region 114, The stress can be increased. Therefore, the droplet of the coating liquid 113 splattering on the non-patterned portion 112 can not pass over the barrier region 114, thereby suppressing the coating defects 2 and improving the coatability on the pattern portion 111 .

한편, 전사용 주형 (III), (IV)를 사용함으로써, 이하의 메커니즘에 의해 도공 불량 (1)을 억제할 수 있다. 비패턴부(112)와 도공액(113)의 친화성이, 이형성을 갖는 범위에서 높은 경우, 패턴부(111)와 비패턴부(112) 사이에, 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 패턴부(111)와 배리어 영역(114)에서, 미세 요철 구조의 오목부 내부로부터 볼록부 상부로 가해지는 힘, 도공액의 미세 요철 구조 인식성 및 도공 초기의 도공액의 상태(모드)가 완만하게 변화되기 때문에, 배리어 영역(114) 상에서의 도공액(113)에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화된다. 그 때문에, 도공액(113)의 액막 내부에 대한 응력 집중을 억제할 수 있어, 패턴부(111) 상에서의 양호한 도공성을 유지할 수 있다.On the other hand, by using the transfer molds (III) and (IV), the coating failure (1) can be suppressed by the following mechanism. When the affinity between the non-patterned portion 112 and the coating liquid 113 is high in a range having releasability, the barrier region 114 is formed between the patterned portion 111 and the non-patterned portion 112, In the portion 111 and the barrier region 114, the force applied to the upper portion of the convex portion from the inside of the concave portion of the fine concavo-convex structure, the minute concave-convex structure recognition performance of the coating liquid and the state (mode) The force F (?) Applied to the coating liquid 113 on the barrier region 114 is also continuously changed. Therefore, stress concentration on the inside of the liquid film of the coating liquid 113 can be suppressed, and good coatability on the pattern portion 111 can be maintained.

전사용 주형의 패턴부(111)에 대한 물의 접촉각은, 전사재의 전사성(이형성)의 관점에서 60도 이상이면 바람직하다. 특히 70도 이상이면 바람직하고, 80도 이상이면 보다 바람직하다. 전사용 주형의 패턴부(111)에 대한 표면 자유 에너지를 보다 저하시키고, 전사 정밀도를 향상시키는 관점에서, 85도 이상이면 바람직하고, 90도 이상이면 보다 바람직하다. 한편 패턴부(111)에 대한 물의 접촉각의 상한치는 180도 미만이면, 도공성을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 특히, 160도 이하이면 바람직하고, 140도 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 도공액의 미끄럼성을 억제하고, 도공성을 보다 높이는 관점에서, 120도 이하이면 바람직하다. 이러한 이형성을 발현하는 영역에 있어서도, 상기 개구율을 만족하고, 배리어 영역(114)을 형성함으로써, 패턴부(111)에 대한 도공을 양호하게 행할 수 있다. 또, 접촉각은, 『기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법』으로서, JIS R3257(1999)에 제정된 접촉각 측정 방법을 채용하고, 접촉각 측정 대상이 되는 기재로서, 본 발명에 관한 전사용 주형의 패턴부(111)를 사용하는 것으로 한다.The contact angle of water with respect to the pattern portion 111 of the transfer mold is preferably 60 degrees or more from the viewpoint of the transferability (releasability) of the transfer material. Particularly preferably 70 DEG C or higher, more preferably 80 DEG C or higher. From the viewpoint of further lowering the surface free energy with respect to the pattern portion 111 of the transfer mold used and improving the transfer precision, it is preferably 85 degrees or more, more preferably 90 degrees or more. On the other hand, if the upper limit of the contact angle of water with respect to the pattern portion 111 is less than 180 degrees, it is preferable because the coating ability can be improved. In particular, it is preferably 160 degrees or less, and more preferably 140 degrees or less. In addition, from the viewpoint of suppressing the slidability of the coating liquid and further improving the coating property, it is preferable that the coating liquid is 120 DEG C or less. Even in the region where such a releasing property is exhibited, the barrier region 114 is formed so as to satisfy the above-mentioned opening ratio, whereby the coating of the pattern portion 111 can be performed satisfactorily. As the contact angle, a contact angle measuring method established in JIS R3257 (1999) was adopted as the &quot; wettability test method for substrate glass surface &quot;, and the pattern part of the transfer mold according to the present invention 111) is used.

또한, 전사용 주형에서의 배리어 영역(114)에 의한 효과는, 배리어 영역(114)에 대한 물의 접촉각이 90도 이상이면 한층 더 발휘된다. 이것은, 전사용 주형 (I), (II)의 경우에는, 패턴부(111)와 배리어 영역(114)에서의, 미세 요철 구조의 오목부 내부로부터 볼록부 상부로 가해지는 힘, 도공액(113)의 미세 요철 구조 인식성 및 도공 초기의 도공액의 상태(모드)의 변화의 차를 한층 더 크게 할 수 있는 것에 의한다. 한편, 전사용 주형 (III), (IV)의 경우에는, 패턴부(111)와 배리어 영역(114)에서의, 미세 요철 구조의 오목부 내부로부터 볼록부 상부로 가해지는 힘, 도공액(113)의 미세 요철 구조 인식성 및 도공 초기의 도공액의 상태(모드)의 변화를 한층 더 완만하게 할 수 있는 것에 의한다.Further, the effect of the barrier region 114 in the transfer mold is further exerted when the contact angle of water with respect to the barrier region 114 is 90 degrees or more. This is because, in the case of the transfer molds (I) and (II), the force applied to the upper portion of the convex portion from inside the concave portion of the fine uneven structure in the pattern portion 111 and the barrier region 114, ) And the change in the state (mode) of the coating liquid at the initial stage of the coating can be further increased. On the other hand, in the case of the transfer molds (III) and (IV), the force applied to the upper portion of the convex portion from inside the concave portion of the fine uneven structure in the pattern portion 111 and the barrier region 114, ) And the change of the state (mode) of the coating liquid at the initial stage of coating can be made even more gentle.

또한, 전사용 주형에서의 미세 요철 구조는, 도 6에 도시한 바와 같이, 면 내에서 직교하는 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)에 대하여, 제1 방향(D1)에 피치 P로 볼록부(또는 오목부)가 배열되며, 또한, 제2 방향(D2)에 피치 S로 볼록부(또는 오목부)가 배열되는 경우에 있어서, 제2 방향(D2)으로 열을 이루는 볼록부(또는 오목부)의 제1 방향(D1)에 대한 어긋남(α)의 규칙성이 높은 배열이어도 좋고(도 6의 A 참조), 어긋남(α)의 규칙성이 낮은 배열이어도 좋다(도 6의 B 참조). 어긋남(α)이란, 제1 방향(D1)에 평행한 인접하는 열에 있어서, 가장 근접하는 볼록부의 중심을 통과하는 제2 방향(D2)에 평행한 선분 사이의 거리를 말한다. 예컨대, 도 6의 A에 도시한 바와 같이, 제1 방향(D1)에 평행한 제(N) 열의 임의의 볼록부의 중심을 통과하는 제2 방향(D2)에 평행한 선분과, 이 볼록부로부터 가장 가까운 거리에 있는 제(N+1) 열의 볼록부의 중심을 통과하는 제2 방향(D2)에 평행한 선분 사이의 거리가, 어긋남(α)으로 규정된다. 도 6의 A에 도시하는 배열은, 어느 열을 제(N) 열로 하더라도, 어긋남(α)은 거의 일정하기 때문에, 주기성을 구비한 배열이라고 할 수 있다. 한편, 도 6의 B에 도시하는 배열은, 어느 열을 제(N) 열로 하는지에 따라, 어긋남(α)의 값이 변하기 때문에, 비주기성을 구비한 배열이라고 할 수 있다.6, in the first direction D1 and the second direction D2 orthogonal to each other in the plane, the fine convexo-concave structure in the transfer mold has a pitch P (Or concave portions) are arranged in the first direction D2 and the convex portions (or concave portions) are arranged in the second direction D2 at the pitch S, (Refer to FIG. 6A) or may be an array with a low regularity of the shift (?) (See FIG. 6A) B). The offset (?) Is the distance between line segments parallel to the second direction (D2) passing through the center of the nearest convex portion in the adjacent row parallel to the first direction (D1). For example, as shown in Fig. 6A, a line segment parallel to the second direction D2 passing through the center of any convex portion of the (N) th row parallel to the first direction D1, The distance between the line segments parallel to the second direction D2 passing through the center of the convex portion of the (N + 1) -th column at the closest distance is defined as a deviation?. The arrangement shown in Fig. 6A can be regarded as an arrangement having a periodicity because the shift (?) Is almost constant regardless of which column is the (N) th row. On the other hand, the arrangement shown in Fig. 6B can be regarded as an arrangement having non-periodicity because the value of the shift (?) Varies depending on which column is used as the (N) th column.

피치 P 및 피치 S는, 상정하는 용도에 따라 적절하게 설계할 수 있다. 예컨대, 피치 P와 피치 S는 동일한 피치여도 좋다. 또한, 도 6에 있어서는, 볼록부(또는 오목부)가 겹치지 않고 독립된 상태로 그려져 있지만, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)의 양방, 또는 어느 일방에 배열하는 볼록부(또는 오목부)가 겹쳐 있어도 좋다.The pitch P and the pitch S can be appropriately designed according to the intended use. For example, the pitch P and the pitch S may be the same pitch. 6, the convex portions (or concave portions) are drawn in a state in which they are not overlapped with each other. However, convex portions (or concave portions) arranged in either one of the first direction D1 and the second direction D2 May be overlapped with each other.

예컨대, LED의 사파이어 기재 표면의 가공을 행하기 위한 전사용 주형의 경우, 미세 요철 구조는, 피치가 200 nm∼800 nm, 높이가 100 nm∼1000 nm인, 나노 스케일로 정규 배열을 이루며, 또한, 마이크로 스케일의 큰 주기성을 가지면 바람직하다. 특히, 전사용 주형 (I), (III)이면 바람직하다. 그 중에서도, 미세 요철 구조의 피치가 100 nm∼500 nm, 높이가 50 nm∼500 nm이면, LED의 내부 양자 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 배열로서, 나노 스케일로 정규 배열을 이루며, 또한, 마이크로 스케일의 큰 주기성을 갖는, 피치에 마이크로 스케일의 주기를 갖는 변조를 가하면, 광 추출 효율도 동시에 향상시키는 것이 가능해져, 고효율의 LED를 제조할 수 있다.For example, in the case of a transfer mold for processing a sapphire substrate surface of an LED, the fine concavo-convex structure has a regular arrangement at a nanoscale with a pitch of 200 nm to 800 nm and a height of 100 nm to 1000 nm, , And it is desirable to have a large periodicity of microscale. In particular, it is preferable that the transfer molds (I) and (III) are used. Among them, if the pitch of the fine uneven structure is 100 nm to 500 nm and the height is 50 nm to 500 nm, the internal quantum efficiency of the LED can be improved. Further, when modulation having regular intervals on a nanoscale and having a large periodicity of a microscale and having a period of a microscale to a pitch is applied to the array, the light extraction efficiency can be improved at the same time, Can be manufactured.

본 발명의 전사용 주형에서의 패턴부(111) 및 배리어 영역(114)은, 상기 설명한 바와 같이, 소정의 접촉각 범위를 만족함으로써 고이형성을 발현하며, 또한 소정의 개구율을 만족함으로써 도공성을 양호하게 유지할 수 있다.As described above, the pattern portion 111 and the barrier region 114 in the transfer mold of the present invention exhibit high degree of freedom by satisfying a predetermined contact angle range and satisfy the predetermined opening ratio, .

또한, 전사용 주형에서의 배리어 영역(114)은, 패턴부(111)의 적어도 일부에 인접하면 바람직하다. 여기서 인접한다란, 도 7의 A에 도시한 바와 같이, 미세 요철 구조를 구비하는 패턴부(111)에 인접하여 형성되는 경우를 포함한다. 이 경우 외에, 도 7의 B에 도시한 바와 같이, 미세 요철 구조를 구비하는 패턴부(111)에 인접하여 형성되는 미세 요철 구조를 구비하지 않는 비패턴 배리어 영역(115)을 개재하여, 미세 요철 구조를 구비하는 배리어 영역(114)이 형성되는 경우를 포함한다. 이 때, 미세 요철 구조를 구비하는 패턴부(111)와 미세 요철 구조를 구비하는 배리어 영역(114) 사이에 형성되는 미세 요철 구조를 구비하지 않는 비패턴 배리어 영역(115)의 두께(폭)는 30 mm 이하일 필요가 있다. 30 mm 이하인 것에 의해, 상기 효과를 발휘할 수 있고, 패턴부(111)에 대한 도공성을 개선할 수 있다. 특히, 패턴부(111)에 대한 도공성을 한층 더 개선하는 관점에서, 상기 두께(폭)는, 10 mm 이하이면 바람직하고, 5 mm 이하이면 보다 바람직하고, 3 mm 이하이면 더욱 바람직하고, 1 mm 이하이면 가장 바람직하다. 또, 도 7의 A에 도시하는 미세 요철 구조를 구비하는 패턴부(111)에 인접하여 형성되는 경우, 즉, 미세 요철 구조를 구비하는 패턴부(111)와 미세 요철 구조를 구비하는 배리어 영역(114) 사이에 형성되는 미세 요철 구조를 구비하지 않는 비패턴 배리어 영역(115)의 두께(폭)가 0 mm인 경우가, 상기 효과를 가장 발휘할 수 있기 때문에 바람직하다.Further, it is preferable that the barrier region 114 in the transfer mold is adjacent to at least a part of the pattern portion 111. As used herein, the term &quot; adjacent &quot; includes the case of being formed adjacent to the pattern portion 111 having the fine uneven structure, as shown in Fig. 7A. In addition to this case, as shown in Fig. 7B, via the non-patterned barrier region 115 not provided with the fine uneven structure formed adjacent to the pattern portion 111 having the fine uneven structure, And a barrier region 114 having a structure is formed. At this time, the thickness (width) of the non-patterned barrier region 115 having no fine concavo-convex structure formed between the pattern portion 111 having the fine uneven structure and the barrier region 114 having the fine uneven structure is It needs to be 30 mm or less. When the thickness is 30 mm or less, the above effects can be exhibited and the coating ability on the pattern portion 111 can be improved. The thickness (width) is preferably 10 mm or less, more preferably 5 mm or less, still more preferably 3 mm or less, and most preferably 1 mm or less, from the viewpoint of further improving the coating property with respect to the pattern portion 111. [ mm or less. 7A is formed adjacent to the pattern portion 111 having the micro concavo-convex structure shown in Fig. 7A, that is, when the pattern portion 111 having the micro concavo-convex structure and the barrier region (Width) of the non-patterned barrier region 115 having no fine concavo-convex structure formed between the barrier ribs 114 and 114 is 0 mm is preferable because the above effects can be most exerted.

또한, 패턴부(111)에 인접하여 형성되는 배리어 영역(114)은 반드시 연속되어 있을 필요는 없다. 도 7의 C 및 도 7의 D는, 배리어 영역(114)이 도중에 끊겨 있는 경우를 도시하고 있다. 도 7의 C 및 도 7의 D에 도시한 바와 같이, 배리어 영역(114)은 패턴부(111)의 적어도 일부에 인접하고 있으면, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있다. 즉, 배리어 영역(114)은, 연속적으로 도 7의 A와 같이 형성되어도 좋고, 비연속적으로 도 7의 C 및 도 7의 D와 같이 형성되어도 좋다. 또한, 비연속적으로 형성되는 경우, 배리어 영역(114)의 도중 끊김의 수는, 특별히 한정되지 않는다. 특히, 본 발명의 효과를 한층 더 발휘하는 관점에서, 이들 도중 끊김의 폭(W)은, 30 mm 이하가 바람직하고, 10 mm 이하이면 보다 바람직하고, 5 mm 이하이면 좋고, 3 mm 이하이면 더욱 바람직하고, 1 mm 이하이면 가장 바람직하다. 또, 도 7의 A에 도시한 바와 같이, 배리어 영역(114)이 연속적으로 이어져 있는 상태인 경우, 패턴부(111)에 대한 도공성을 한층 더 향상시킬 수 있기 때문에 가장 바람직하다.In addition, the barrier regions 114 formed adjacent to the pattern portion 111 do not necessarily have to be continuous. 7C and 7D show a case where the barrier region 114 is interrupted. The effect of the present invention can be exerted if the barrier region 114 is adjacent to at least a part of the pattern portion 111 as shown in Fig. 7C and Fig. 7D. That is, the barrier region 114 may be formed continuously as shown in FIG. 7A or discontinuously as shown in FIG. 7C and FIG. 7D. In the case of non-continuous formation, the number of breaks in the barrier region 114 is not particularly limited. Particularly, from the viewpoint of further exerting the effects of the present invention, the width W of the cut is preferably 30 mm or less, more preferably 10 mm or less, more preferably 5 mm or less, and more preferably 3 mm or less And most preferably 1 mm or less. In addition, as shown in Fig. 7A, when the barrier region 114 is continuously connected, the coating ability to the pattern portion 111 can be further improved, which is most preferable.

마찬가지로, 상기 도 7의 B를 사용하여 설명한 비패턴 배리어 영역(115)이 배치되는 경우에도, 도 7의 E, 도 7의 F 및 도 7의 G에 도시한 바와 같이, 상기 설명한 바와 같이 배리어 영역(114)은 연속적이어도 좋고 비연속적이어도 좋다. 또한, 마찬가지로 비패턴 배리어 영역(115)도 연속적이어도 좋고 비연속적이어도 좋다. 이러한 경우의, 배리어 영역(114)의 도중 끊김의 폭, 및 비패턴 배리어 영역(115)의 도중 끊김의 폭(W)은, 30 mm 이하가 바람직하고, 10 mm 이하이면 보다 바람직하고, 5 mm 이하이면 좋고, 3 mm 이하이면 더욱 바람직하고, 1 mm 이하이면 가장 바람직하다. 또, 도 7의 B에 도시한 바와 같이, 배리어 영역(114) 및 비패턴 배리어 영역(115)이 모두 연속적으로 이어져 있는 상태인 경우, 패턴부(111)에 대한 도공성을 한층 더 향상시킬 수 있기 때문에 가장 바람직하다.Similarly, even when the non-patterned barrier region 115 described with reference to FIG. 7B is disposed, as shown in FIG. 7E, FIG. 7F and FIG. 7G, (114) may be continuous or non-continuous. Similarly, the non-patterned barrier regions 115 may be continuous or non-continuous. In this case, the width of the interruption in the barrier region 114 and the width of the interruption W in the non-patterned barrier region 115 are preferably 30 mm or less, more preferably 10 mm or less, More preferably 3 mm or less, and most preferably 1 mm or less. 7B, when the barrier region 114 and the non-patterned barrier region 115 are continuously connected to each other, the coatability with respect to the pattern portion 111 can be further improved .

또한, 전사용 주형에서의 패턴부(111)는, 배리어 영역(114)에 둘러싸인 상태 또는 끼워진 상태로 기재의 표면에 배치되면, 패턴부(111) 전면(全面)에 대한 도공성이 보다 향상되기 때문에 바람직하다. 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 둘러싸인 상태란, 패턴부(111)가 폐쇄된 영역을 갖고, 그 주위에 배리어 영역(114)이 배치된 상태를 가리킨다. 또한, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 끼워진 상태란, 패턴부(111)의 양단부에 배리어 영역(114)이 병설하여 배치된 상태를 가리킨다. 어느쪽의 경우도, 패턴부(111)는, 배리어 영역(114)의 내측에 배치되어 있다.When the pattern portion 111 in the transfer mold is arranged on the surface of the substrate in a state surrounded or embedded in the barrier region 114, the coating property on the entire surface of the pattern portion 111 is further improved Therefore, it is preferable. The state in which the pattern unit 111 is surrounded by the barrier region 114 refers to a state in which the pattern unit 111 has a closed region and the barrier region 114 is disposed around the pattern region 111. [ The state in which the pattern portion 111 is sandwiched between the barrier regions 114 indicates a state in which the barrier regions 114 are arranged side by side at both ends of the pattern portion 111. [ In either case, the pattern portion 111 is disposed inside the barrier region 114. In this case,

또, 이 경우의 패턴부(111)와 배리어 영역(114)의 배치도, 도 7의 B에 도시하는 비패턴 배리어 영역(115)을 구비하는 것이 가능하고, 상기 범위를 만족하는 것으로 한다.It is also possible to arrange the pattern portion 111 and the barrier region 114 in this case and the non-patterned barrier region 115 shown in Fig. 7B, and it is assumed that the above range is satisfied.

여기서, 패턴부(111)가, 배리어 영역(114)에 둘러싸인 상태 또는 끼워진 상태의 어느 경우라도, 상기 도 7의 C 및 도 7의 D를 이용하여 설명한 배리어 영역(114)의 도중 끊김을 포함하고, 또한, 도 7의 E, 도 7의 F 및 도 7의 G를 이용하여 설명한 배리어 영역(114)의 도중 끊김 및 비패턴 배리어 영역(115)의 도중 끊김을 포함하는 것으로 한다.Here, in any case where the pattern portion 111 is surrounded or interposed in the barrier region 114, the pattern portion 111 includes disconnection of the barrier region 114 described with reference to FIGS. 7C and 7D , Interrupting the middle of the barrier region 114 and interrupting the non-patterned barrier region 115 described with reference to FIG. 7E, FIG. 7F, and FIG. 7G.

패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 둘러싸인 상태는, 패턴부(111)가 폐쇄된 영역을 갖고, 그 주위에 배리어 영역(114)이 배치된 상태를 가리키는데, 패턴부(111)를 둘러싸는 배리어 영역(114)은, 도 8에 도시한 바와 같이, 연속적으로 연결되어 있어도 또는 도중에 끊겨 있어도 좋다. 도 8의 A는, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 의해 전면이 둘러싸여 있는 경우를 표현하고 있다. 도 8의 B, 도 8의 C 및 도 8의 D는, 패턴부(111)를 둘러싸는 배리어 영역(114)이 도중에 끊겨 있는 상태를 표현하고 있다. 도 8의 B 및 도 8의 C에서는, 복수의 도중에 끊긴 개소를 도시하고 있지만, 도중 끊김은 도 8의 D에 도시한 바와 같이 1개소여도 좋다. 즉, 도중 끊김의 수 및 장소는 한정되지 않는다. 이러한 도중에 끊긴 부분이 있는 경우에도, 본 발명의 효과는 얻어지기 때문에, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 둘러싸인 상태에 있어서, 배리어 영역(114)이 도중에 끊긴 상태도 포함하는 것으로 한다. 이들 도중 끊김의 폭(W)은, 30 mm 이하가 바람직하고, 10 mm 이하이면 보다 바람직하고, 5 mm 이하이면 좋고, 3 mm 이하이면 더욱 바람직하고, 1 mm 이하이면 가장 바람직하다. 또, 도 8의 A에 도시한 바와 같이, 배리어 영역(114)이 연속적으로 이어져 있는 상태인 경우, 패턴부(111)에 대한 도공성을 한층 더 향상시킬 수 있기 때문에 가장 바람직하다. 또, 도 7의 B, 도 7의 E, 도 7의 F 및 도 7의 G를 이용하여 설명한 비패턴 배리어 영역(115)도 마찬가지로 포함할 수 있다.The state in which the pattern portion 111 is surrounded by the barrier region 114 indicates a state in which the pattern portion 111 has a closed region and a barrier region 114 is disposed around the pattern portion 111. The pattern portion 111 The surrounding barrier regions 114 may be connected continuously or interrupted as shown in Fig. FIG. 8A shows a case in which the pattern portion 111 is surrounded by the barrier region 114. FIG. 8B, 8C, and 8D show a state in which the barrier region 114 surrounding the pattern unit 111 is interrupted. In FIGS. 8B and 8C, a plurality of broken portions are shown. However, the broken portions may be separated from one another as shown in FIG. 8D. That is, the number and location of the breaks are not limited. The effect of the present invention can be obtained even in the case where there is a broken portion in the middle of the barrier region 114. It is also assumed that the pattern region 111 is surrounded by the barrier region 114 and the barrier region 114 is interrupted. The width W of the cut is preferably 30 mm or less, more preferably 10 mm or less, more preferably 5 mm or less, still more preferably 3 mm or less, and most preferably 1 mm or less. In addition, as shown in Fig. 8A, it is most preferable that the barrier region 114 is continuously connected to the pattern portion 111 because the coating ability to the pattern portion 111 can be further improved. The non-patterned barrier region 115 described with reference to FIG. 7B, FIG. 7E, FIG. 7F, and G in FIG.

또한, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 끼워진 상태란, 패턴부(111)의 양단부에 배리어 영역(114)이 병설하여 배치된 상태을 가리키는데, 패턴부(111)를 끼워 넣는 배리어 영역(114)은, 도 9에 도시한 바와 같이, 연속적으로 연결되어 있어도 또는 도중에 끊겨 있어도 좋다. 도 9의 A는, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 의해 끼워져 배치되는 경우를 표현하고 있다. 도 9의 B, 도 9의 C 및 도 9의 D는, 패턴부(111)를 둘러싸는 배리어 영역(114)이 도중에 끊겨 있는 상태를 표현하고 있다. 도 9의 B 및 도 9의 C에서는, 복수의 도중에 끊긴 개소를 도시하고 있지만, 도중 끊김은 도 9의 D에 도시한 바와 같이 1개소여도 좋다. 즉, 도중 끊김의 수 및 장소는 한정되지 않는다. 이러한 도중에 끊긴 부분이 있는 경우에도, 본 발명의 효과는 얻어지기 때문에, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 끼워진 상태에 있어서, 배리어 영역(114)이 도중에 끊긴 상태도 포함하는 것으로 한다. 이들 도중 끊김의 폭(W)은, 30 mm 이하가 바람직하고, 10 mm 이하이면 보다 바람직하고, 5 mm 이하이면 좋고, 3 mm 이하이면 더욱 바람직하고, 1 mm 이하이면 가장 바람직하다. 또, 도 9의 A에 도시한 바와 같이, 배리어 영역(114)이 연속적으로 이어져 있는 상태인 경우, 패턴부(111)에 대한 도공성을 한층 더 향상시킬 수 있기 때문에 가장 바람직하다. 또, 도 7의 B, 도 7의 E, 도 7의 F 및 도 7의 G를 이용하여 설명한 비패턴 배리어 영역(115)도 마찬가지로 포함할 수 있다. 또, 도 9에 있어서는, 패턴부(111)는 비패턴부(112)의 중앙 부근에 배치되어 있지만, 패턴부(111)의 배치 개소는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 패턴부(111)의 상변 및 하변(도 9의 A에서의 배리어 영역(114)과 접하고 있지 않은 변)을 상하 방향으로 늘려, 패턴부(111)가 배리어 영역(114)에 끼워지고, 배리어 영역(114)에 의해 끼워진 패턴부(111)가 비패턴부(112)에 끼워지는 구성으로 해도 좋다.The state in which the pattern unit 111 is sandwiched by the barrier region 114 is a state in which the barrier region 114 is arranged in parallel at both ends of the pattern unit 111. The barrier region 114 includes a barrier region (114) may be continuously connected or interrupted as shown in Fig. 9A shows a case in which the pattern portion 111 is sandwiched by the barrier region 114. FIG. 9B, 9C, and 9D show a state in which the barrier region 114 surrounding the pattern unit 111 is interrupted. In FIGS. 9B and 9C, a plurality of positions are shown as being interrupted, but the intermittence may be one position as shown in FIG. 9D. That is, the number and location of the breaks are not limited. The effect of the present invention can be obtained even in the case where there is a broken portion in the middle of the barrier region 114. It is also assumed that the barrier region 114 is interrupted in the state where the pattern portion 111 is sandwiched by the barrier region 114. [ The width W of the cut is preferably 30 mm or less, more preferably 10 mm or less, more preferably 5 mm or less, still more preferably 3 mm or less, and most preferably 1 mm or less. In addition, as shown in Fig. 9A, when the barrier region 114 is continuously connected, it is most preferable since the coatability with respect to the pattern portion 111 can be further improved. The non-patterned barrier region 115 described with reference to FIG. 7B, FIG. 7E, FIG. 7F, and G in FIG. 9, the pattern portion 111 is disposed near the center of the non-pattern portion 112, but the location of the pattern portion 111 is not particularly limited. The upper and lower sides of the pattern portion 111 (sides not contacting the barrier region 114 in FIG. 9A) are extended in the vertical direction so that the pattern portion 111 is sandwiched by the barrier region 114, The pattern portion 111 sandwiched by the barrier region 114 may be sandwiched by the non-pattern portion 112.

전사용 주형에 있어서, 패턴부(111)는, 평균 러프니스 팩터가 Rf1 및 평균 개구율 Ar1인 미세 요철 구조를 구비하고, 배리어 영역(114)은, 평균 러프니스 팩터가 Rf2 및 평균 개구율 Ar2인 미세 요철 구조를 구비한다. 러프니스 팩터(Rf)란, 미세화의 지표가 되는 무차원 값으로, 단위 면적이, 미세 요철 구조화에 의해 몇배로 증가했는지를 의미하고 있다. 즉, 미세 요철 구조를 부여하지 않는 표면의 러프니스 팩터(Rf)는 1이 된다. 또한, 평균 개구율이란, 공극 비율의 지표가 되는 무차원 값으로, 미세 요철 구조 표면 내에서의 공극의 존재 비율을 의미하고 있다. 러프니스 팩터(Rf) 및 평균 개구율(Ar)은 다음과 같이 정의된다.In the transfer mold, the pattern portion 111 is provided with a fine concavo-convex structure having an average roughness factor Rf1 and an average opening ratio Ar1, and the barrier region 114 has a fine roughness factor Rf2 and an average opening ratio Ar2 And has a concavo-convex structure. The roughness factor (Rf) is a dimensionless value that is an index of refinement, which means the unit area is increased several times by the micro-irregular structure. That is, the roughness factor Rf of the surface to which the fine concave-convex structure is not provided becomes one. The average opening ratio is a dimensionless value serving as an index of the porosity ratio, which means the ratio of voids existing in the surface of the fine uneven structure. The roughness factor Rf and the average aperture ratio Ar are defined as follows.

1. 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상이고, 규칙성이 있는 배열인 경우1. In the case where the fine concave-convex structure is dot-shaped or hole-shaped and has regularity

도 10의 A는, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상이며, 또한, 규칙성을 갖고 배열되어 있는 상태를 나타내고 있다. 이들 미세 요철 구조로부터, N열을 이루는 미세 요철 구조군(N)과, N+1열을 이루는 미세 요철 구조군(N+1)을 선택한다. 계속해서, 미세 요철 구조군(N) 중에서, 인접하는 2개의 미세 요철 구조 m 및 m+1을 선택한다. 계속해서 미세 요철 구조군(N+1) 중에서, 미세 요철 구조 m 및 m+1에 가장 가까운 거리에 있는, 미세 요철 구조 l 및 l+1을 선택한다. 이들 미세 요철 구조 m, m+1, l 및 l+1의 중심을 연결하여 만들어지는 영역을, 단위셀(201)로 한다. 단위셀(201)의 면적을 So로 하고, 단위셀(201) 내에서의 미세 요철 구조 m, m+1, l 및 l+1의 측면적의 합을 S1로 한다. 이 경우의 러프니스 팩터(Rf)는, 1+(S1/So)로 정의된다. 또, 단위셀(201) 내에 미세 요철 구조가 존재하지 않으면, S1=0이 되기 때문에, 러프니스 팩터(Rf)=1이 되고, 단위셀(201) 내에 미세 요철 구조가 존재하면 러프니스 팩터(Rf)>1이 된다.Fig. 10A shows a state in which the fine concave-convex structures are dot-shaped or hole-shaped and arranged with regularity. From these concave-convex structures, a group of fine concavo-convex structures N constituting N columns and a group of concave-convex structures N + 1 constituting N + 1 columns are selected. Subsequently, two adjoining fine concavo-convex structures m and m + 1 are selected from the group of fine concavo-convex structure groups (N). Subsequently, among the fine uneven structure group (N + 1), the fine uneven structures l and l + 1 at the closest distance to the fine uneven structures m and m + 1 are selected. A region formed by connecting the centers of these minute concavo-convex structures m, m + 1, l and l + 1 is referred to as a unit cell 201. Let S1 be the area of the unit cell 201 and S1 be the sum of the sides of the micro concavo-convex structures m, m + 1, l and l + 1 in the unit cell 201. [ The roughness factor Rf in this case is defined as 1+ (S1 / So). If the fine uneven structure does not exist in the unit cell 201, S1 = 0, so that the roughness factor Rf becomes 1. When the unit cell 201 has a fine uneven structure, the roughness factor Rf) > 1.

단위셀(201) 내의 개구부의 면적을 Sh로 하면, 그 개구율은, (Sh/So)×100으로 정의된다.When the area of the opening in the unit cell 201 is Sh, the opening ratio is defined as (Sh / So) x 100.

또, 상기한 열이란, 다음과 같이 정의된다. 전사용 주형을 구성하는 기재가 원통형 또는 원기둥형인 경우에는, 그 둘레 방향을 열로 한다. 또한, 전사용 주형을 구성하는 기재가 릴형 수지인 경우에는, 그 반송 방향을 열로 한다. 또한, 전사용 주형을 구성하는 기재가 원반 형상을 갖는 평판인 경우에는, 그 원주 방향을 열로 한다. 또한, 기재가 원반 형상을 갖는 평판으로 이루어지는 전사용 주형을 마스터로 하여, 전사 형성된 전사용 주형, 즉 필름형 수지 몰드인 경우, 상기 마스터의 원주 방향을 열로 한다.The above-mentioned column is defined as follows. When the substrate constituting the transfer mold is cylindrical or cylindrical, its circumferential direction is taken as the column. When the base material constituting the transfer mold is a reel-type resin, the carrying direction is set as heat. When the base material constituting the transfer mold is a flat plate having a disc shape, its circumferential direction is taken as a row. Further, in the case of a transfer mold formed by transfer, that is, a film-type resin mold, with the master used as a transfer mold in which the base material is a flat plate having a disc shape, the circumferential direction of the master is made to be heat.

2. 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상이고, 규칙성이 약한 배열 또는 랜덤 배열인 경우2. In the case where the fine concavo-convex structure is dot-shaped or hole-shaped and has a weak regularity or a random arrangement

도 10의 B는, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상이고, 규칙성이 약한 배열 또는 랜덤 배열되어 있는 상태를 나타내고 있다. 이 때에는, 미세 요철 구조의 평균 피치가 500 nm보다 작은 경우, 이들 미세 요철 구조를 갖는 영역 내에, 1 ㎛×1 ㎛의 정방형을 취하고, 이것을 단위셀(202)로 한다. 또, 미세 요철 구조의 평균 피치가 500 nm 이상 1000 nm 이하인 경우에는, 단위셀(202)은 2 ㎛×2 ㎛로 하고, 미세 패턴의 평균 피치가 1000 nm 초과 1500 nm 이하인 경우에는, 단위셀(202)은 3 ㎛×3 ㎛로 한다. 단위셀(202)의 면적을 So로 하고, 단위셀(202) 내에 포함되는 모든 미세 요철 구조의 측면적의 합을 S1로 한다. 이 경우의 러프니스 팩터(Rf)는, 1+(S1/So)로 정의된다. 또, 여기서 평균 피치란, 인접하는 도트의 중심 또는 인접하는 홀의 중심끼리의 거리의 평균치를 의미한다. 평균 점수로는 10점 이상이 바람직하다.Fig. 10B shows a state in which the fine concavo-convex structures are dot-shaped or hole-shaped, and are arranged in an orderly arrangement or a random arrangement. In this case, when the average pitch of the fine concavo-convex structure is smaller than 500 nm, a square of 1 占 퐉 占 1 占 퐉 is taken in a region having these fine concave-convex structures, and this is regarded as a unit cell 202. [ When the mean pitch of the micro concavo-convex structure is 500 nm or more and 1000 nm or less, the unit cell 202 is 2 占 퐉 占 2 占 퐉, and when the average pitch of the fine pattern is more than 1000 nm and 1500 nm or less, 202 is 3 占 퐉 占 3 占 퐉. Let the area of the unit cell 202 be So, and the sum of the side faces of all fine concave-convex structures included in the unit cell 202 be S1. The roughness factor Rf in this case is defined as 1+ (S1 / So). Here, the average pitch means an average value of the distances between the centers of adjacent dots or centers of adjacent holes. The average score is preferably 10 or more.

단위셀(202) 내의 개구부의 면적을 Sh로 하면, 그 개구율은, (Sh/So)×100으로 정의된다.When the area of the opening in the unit cell 202 is Sh, the opening ratio is defined as (Sh / So) x 100.

3. 미세 요철 구조가 라인 앤드 스페이스 구조인 경우3. If the fine unevenness structure is a line-and-space structure

도 10의 C는, 미세 요철 구조가 라인 앤드 스페이스 구조를 나타내고 있다. 각 라인은, 등간격으로 배열되어 있어도 좋고, 간격이 변동되어 있어도 좋다. 이들 미세 요철 구조로부터, N열째의 라인과, N+1열째의 라인을 선택한다. 계속해서, 이들 라인 상에, 각각 1 ㎛의 선분을 긋는다. 이들 선분의 끝점을 연결하여 생긴 정방형 또는 장방형을 단위셀(203)로 한다. 단위셀(203)의 면적을 So로 하고, 단위셀(203) 내에 포함되는 모든 미세 요철 구조의 측면적의 합을 S1로 한다. 이 경우의 러프니스 팩터(Rf)는, 1+(S1/So)로 정의된다.In Fig. 10C, the fine unevenness structure shows a line-and-space structure. The lines may be arranged at regular intervals or may be spaced apart. From these fine concave-convex structures, the N-th line and the N + 1-th line are selected. Subsequently, line segments of 1 占 퐉 are drawn on these lines. A square or a rectangle formed by connecting the end points of these line segments is referred to as a unit cell 203. Let S1 be the area of the unit cell 203, and S1 be the sum of the lateral areas of all the micro concavo-convex structures included in the unit cell 203. [ The roughness factor Rf in this case is defined as 1+ (S1 / So).

단위셀(203) 내의 개구부의 면적을 Sh로 하면, 그 개구율은, (Sh/So)×100으로 정의된다.When the area of the opening in the unit cell 203 is Sh, the opening ratio is defined as (Sh / So) x 100.

또한, 평균 러프니스 팩터(Rf)는, 러프니스 팩터(Rf)의 평균치를 의미하고 있다. 러프니스 팩터(Rf)의 평균치는, 5 ㎛×5 ㎛의 범위 내에서, 랜덤으로 10점의 러프니스 팩터(Rf)를 산출하여, 이들의 가산 평균치로 정의된다.The average roughness factor Rf means an average value of the roughness factor Rf. The average value of the roughness factor Rf is defined as the summed average value of 10 roughness factors Rf at random within a range of 5 占 퐉 占 5 占 퐉.

러프니스 팩터(Rf)는, 미세 요철 구조의 높이, 피치, 어스펙트 등으로 설계할 수 있다. 예컨대, 러프니스 팩터(Rf2)를 작게 하기 위해서는, 상기 단위셀(201) 내부에 포함되는 미세 요철 구조의 측면적을 작게 하면 된다. 예컨대, 미세 요철 구조의 높이를 감소시키거나, 피치를 크게 하거나, 또는 어스펙트를 낮게 하면 된다. 이러한 변화를 연속적으로 발생시킴으로써, 러프니스 팩터(Rf)는 연속적으로 변화된다. 또한, 미세 요철 구조의 높이, 피치, 어스펙트 중 어느 하나를 변화시켜도 좋고, 복수를 변화시켜도 좋다. 미세 요철 구조 제조의 관점에서, 피치와 어스펙트의 양방, 또는 어느 일방을 변화시키는 것이 바람직하다. 어스펙트는, 볼록부 바닥부의 폭 또는 오목부 개구폭을 제어함으로써, 용이하게 변화시키는 것이 가능해진다. 또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 개구율을 크게 함으로써 러프니스 팩터(Rf2)를 작게 할 수 있고, 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 개구율을 작게 함으로써 러프니스 팩터(Rf2)를 작게 할 수 있다.The roughness factor Rf can be designed by height, pitch, and aspect of the fine uneven structure. For example, in order to reduce the roughness factor Rf2, the side surface area of the fine uneven structure included in the unit cell 201 may be reduced. For example, the height of the fine uneven structure may be reduced, the pitch may be increased, or the aspect may be decreased. By continuously generating these changes, the roughness factor Rf changes continuously. Further, either the height, the pitch, or the aspect of the fine concavo-convex structure may be changed or a plurality thereof may be changed. From the viewpoint of manufacturing the fine uneven structure, it is preferable to change both the pitch and the aspect, or both. The aspect can be easily changed by controlling the width of the bottom of the convex portion or the width of the concave portion opening. In addition, when the concave-convex structure is convex, the roughness factor Rf2 can be reduced by increasing the aperture ratio, and when the concave-convex structure is concave, the roughness factor Rf2 can be reduced by decreasing the aperture ratio.

또한, 예컨대, 러프니스 팩터(Rf2)를 크게 하기 위해서는, 상기 단위셀 내부에 포함되는 미세 요철 구조의 측면적을 크게 하면 된다. 예컨대, 미세 요철 구조의 높이를 증가시키거나, 피치를 작게 하거나, 또는 어스펙트를 높게 하면 된다. 또한, 미세 요철 구조의 높이, 피치, 어스펙트 중 어느 것을 변화시켜도 좋고, 복수를 변화시켜도 좋다. 미세 요철 구조 제조의 관점에서, 피치와 어스펙트의 양방, 또는 어느 일방을 변화시키는 것이 바람직하다. 어스펙트는, 볼록부 바닥부의 폭 또는 오목부 개구폭을 제어함으로써, 용이하게 변화시키는 것이 가능해진다. 또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 개구율을 작게 함으로써 러프니스 팩터(Rf2)를 크게 할 수 있고, 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 개구율을 크게 함으로써 러프니스 팩터(Rf2)를 크게 할 수 있다.Further, for example, in order to increase the roughness factor Rf2, the side surface area of the fine uneven structure included in the unit cell may be increased. For example, the height of the fine uneven structure may be increased, the pitch may be reduced, or the aspect may be increased. Further, the height, pitch, and aspect of the fine uneven structure may be changed, or a plurality thereof may be changed. From the viewpoint of manufacturing the fine uneven structure, it is preferable to change both the pitch and the aspect, or both. The aspect can be easily changed by controlling the width of the bottom of the convex portion or the width of the concave portion opening. When the concave-convex structure is convex, the roughness factor Rf2 can be increased by decreasing the aperture ratio. In the case where the concave-convex structure is concave, the roughness factor Rf2 can be increased by increasing the aperture ratio.

다음으로, 전사용 주형 (I), (IV)에서의 러프니스 팩터(Rf1, Rf2)의 예에 관해 설명한다.Next, examples of the roughness factors Rf1 and Rf2 in the transfer molds (I) and (IV) will be described.

전사용 주형 (I), (IV)에 있어서는, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작게 설정된다.In the transfer molds (I) and (IV), the average roughness factor Rf2 of the barrier region 114 is set to be smaller than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111. [

도 11은, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제2 방향(D2)의 피치를 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 11에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 11에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 간격보다 넓어지고, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도는, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 성기게 되어 있다. 바꿔 말하면, 패턴부(111)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리는, 배리어 영역(114)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리보다 작다.11 is a schematic diagram showing a state in which the pitch of the second direction D2 is changed when the minute concavo-convex structure is a dot shape or a hole shape. In Fig. 11, the top (convex portion) of the fine concavo-convex structure in the form of a dot or the opening (concave portion) of the concave convex structure in the shape of a hole is shown as a circle when viewed from the plane. 11, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the second direction D2 in the barrier region 114 is wider than the distance between the convex portions or the concave portions of the pattern portion 111 and the convex portion or concave portion of the barrier region 114 The density of the negative portion is more pronounced than the density of the convex portion or the concave portion of the pattern portion 111. In other words, the distance between the adjacent convex portions in the pattern portion 111 or the distance between the adjacent concave portions is smaller than the distance between the adjacent convex portions in the barrier region 114 or the distance between the adjacent concave portions .

미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되어 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작아져 있다.When the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111, that is, only the pitch in the barrier region 114 and the pattern portion 111 is changed, The average roughness factor Rf2 of the pattern portion 111 is smaller than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (IV)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (I)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아진다.In the case where the micro concavo-convex structure is convex, that is, in the case of the transfer mold IV, the average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111, The average opening ratio Ar2 of the barrier region is smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111. In this case,

도 11에 있어서는, 배리어 영역(114)의 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격을, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 간격보다 크게 하고 있지만, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도를, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 성기게 하기 위해서는, 제1 방향(D1)에 대하여 마찬가지로 볼록부 또는 오목부의 간격을 변화시켜도 좋고, 또는, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2) 중 어느 방향에 대해서도 볼록부 또는 오목부의 간격을 변화시켜도 좋다. 또, 도 11에 있어서는, 볼록부 또는 오목부의 간격을 변화시키고 있지만, 볼록부의 정상부 직경 또는 오목부의 개구 직경을 변화시켜도, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도를, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 성기게 할 수 있다. 구체적으로는, 패턴부(111)에서의 볼록부 정상부의 직경 또는 오목부 개구 직경을, 배리어 영역(114)의 볼록부 정상부의 직경 또는 오목부 개구 직경보다 크게 함으로써, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도를, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 성기게 할 수 있다. 또한, 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이를 변화시킴으로써, 러프니스 팩터(Rf)를 변화시킬 수 있다. 구체적으로는, 패턴부(111)의 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이를, 배리어 영역(114)의 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이보다 크게 함으로써, Rf1>Rf2의 관계를 만족할 수 있다. 또한 상기 설명한 볼록부 또는 오목부의 간격, 볼록부 정상부 직경 또는 오목부 개구부 직경 또는 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이를 동시에 변화시킴으로써, 러프니스 팩터의 제어성이 향상된다.11, the distance between the convex portion or the concave portion in the second direction D2 of the barrier region 114 is made larger than the distance between the convex portion or the concave portion of the pattern portion 111, In order to make the density of the convex portion or the concave portion worse than the density of the convex portion or concave portion of the pattern portion 111, the distance between the convex portion and the concave portion may be similarly changed with respect to the first direction D1, The interval between the convex portion and the concave portion may be changed in either the direction D1 or the second direction D2. 11, the density of the convex portion or the concave portion of the barrier region 114 is set to be smaller than the density of the convex portion or the concave portion of the pattern portion 111 even if the diameter of the top portion of the convex portion or the opening diameter of the concave portion is changed. The density of the convex portion or the concave portion can be made worse. Specifically, by making the diameter of the convex portion or the diameter of the concave portion opening in the pattern portion 111 larger than the diameter of the convex portion of the barrier region 114 or the diameter of the concave portion opening, The density of the portion or the recess can be made to be higher than the density of the convex portion or the concave portion of the pattern portion 111. [ Further, the roughness factor Rf can be changed by changing the height of the convex portion or the depth of the concave portion. Concretely, the relationship of Rf1 > Rf2 can be satisfied by making the height of the convex portion of the pattern portion 111 or the depth of the concave portion larger than the height of the convex portion of the barrier region 114 or the depth of the concave portion. The controllability of the roughness factor is improved by simultaneously changing the interval of the convex portion or the concave portion, the diameter of the convex portion top or the diameter of the concave portion opening or the height of the convex portion or the depth of the concave portion.

다음으로, 전사용 주형 (II), (IV)에서의 러프니스 팩터(Rf1, Rf2)의 예에 관해 설명한다.Next, examples of the roughness factors Rf1 and Rf2 in the transfer molds (II) and (IV) will be described.

전사용 주형 (II), (III)에 있어서는, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 크게 설정된다.The average roughness factor Rf2 of the barrier region 114 is set to be larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 in the transfer molds II and III.

도 12는, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제2 방향(D2)의 피치를 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 12에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 12에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 간격보다 좁아지고, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도는, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 조밀하게 되어 있다. 바꿔 말하면, 패턴부(111)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리는, 배리어 영역(114)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리보다 크다.12 is a schematic diagram showing a state in which the fine concavo-convex structure is a dot shape or a hole shape and a pitch in the second direction D2 is changed. In Fig. 12, the top (convex portion) of the fine concavo-convex structure in the shape of a dot or the opening (concave portion) of the concave convex structure in the shape of a hole is shown as a circle when viewed from the plane. 12, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the second direction D2 in the barrier region 114 becomes narrower than the distance between the convex portions or the concave portions of the pattern portion 111 and the convex portion or the concave portion of the barrier region 114 The density of the portion is made to be denser than the density of the convex portion or the concave portion of the pattern portion 111. In other words, a distance between adjacent convex portions in the pattern portion 111 or a distance between adjacent concave portions is larger than a distance between adjacent convex portions in the barrier region 114 or a distance between adjacent concave portions .

미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되어 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 커져 있다.When the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111, that is, only the pitch in the barrier region 114 and the pattern portion 111 is changed, The average roughness factor Rf2 of the pattern portion 111 is larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (II)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (III)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커진다.The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 in the case where the micro concavo-convex structure is convex, that is, in the transfer mold II, The average opening ratio Ar2 of the barrier region is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111. In this case,

도 12에 있어서는, 배리어 영역(114)의 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격을, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 간격보다 작게 하고 있지만, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도를, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 조밀하게 하기 위해서는, 제1 방향(D1)에 대하여 마찬가지로 볼록부 또는 오목부의 간격을 변화시켜도 좋고, 또는, 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2) 중 어느 방향에 대해서도 볼록부 또는 오목부의 간격을 변화시켜도 좋다. 또, 도 12에 있어서는, 볼록부 또는 오목부의 간격을 변화시키고 있지만, 볼록부의 정상부 직경 또는 오목부의 개구 직경을 변화시켜도, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도를, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 조밀하게 할 수 있다. 구체적으로는, 패턴부(111)에서의 볼록부 정상부의 직경 또는 오목부 개구 직경을, 배리어 영역(114)의 볼록부 정상부의 직경 또는 오목부 개구 직경보다 작게 함으로써, 배리어 영역(114)의 볼록부 또는 오목부의 밀도를, 패턴부(111)의 볼록부 또는 오목부의 밀도보다 조밀하게 할 수 있다. 또한, 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이를 변화시킴으로써, 러프니스 팩터(Rf)를 변화시킬 수 있다. 구체적으로는, 패턴부(111)의 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이를, 배리어 영역(114)의 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이보다 작게 함으로써, Rf1<Rf2의 관계를 만족할 수 있다. 또한 상기 설명한 볼록부 또는 오목부의 간격, 볼록부 정상부 직경 또는 오목부 개구부 직경 또는 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이를 동시에 변화시킴으로써, 러프니스 팩터의 제어성이 향상된다.12, the distance between the convex portion and the concave portion in the second direction D2 of the barrier region 114 is made smaller than the distance between the convex portion and the concave portion of the pattern portion 111, In order to make the density of the convex portion or the concave portion more dense than the density of the convex portion or concave portion of the pattern portion 111, the distance between the convex portion and the concave portion may be similarly changed with respect to the first direction D1, The interval between the convex portion and the concave portion may be changed in either the direction D1 or the second direction D2. 12, the density of the convex portion or the concave portion of the barrier region 114 can be set to be smaller than the density of the convex portion or the concave portion of the pattern portion 111 even if the diameter of the top portion of the convex portion or the opening diameter of the concave portion is changed. The density of the convex portion or the concave portion can be made denser. More specifically, by making the diameter of the convex top portion or the concave portion opening diameter of the pattern portion 111 smaller than the diameter of the convex portion of the barrier region 114 or the diameter of the concave portion opening, The density of the recesses or depressions can be made denser than the density of the protrusions or recesses of the pattern units 111. [ Further, the roughness factor Rf can be changed by changing the height of the convex portion or the depth of the concave portion. Concretely, the relationship of Rf1 < Rf2 can be satisfied by making the height of the convex portion of the pattern portion 111 or the depth of the concave portion smaller than the height of the convex portion of the barrier region 114 or the depth of the concave portion. The controllability of the roughness factor is improved by simultaneously changing the interval of the convex portion or the concave portion, the diameter of the convex portion top or the diameter of the concave portion opening or the height of the convex portion or the depth of the concave portion.

전사용 주형의 배리어 영역(114)에서의 미세 요철 구조는 러프니스 팩터의 구배를 갖는 것이 바람직하다. 이 러프니스 팩터(Rf)의 구배는, 전사용 주형 (I), (IV)의 경우에는, 패턴부(111)에 근접할수록 커지는 구배이면 보다 바람직하고, 전사용 주형 (II), (III)의 경우에는, 패턴부(111)에 근접할수록 작아지는 구배이면 보다 바람직하다. 또, 전사용 주형 (II), (III)의 경우, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는데, 이 때의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 이하의 정의에 따르는 것으로 한다. 전사용 주형 (II)의 경우, 배리어 영역(114)의 미세 요철 구조는 복수의 볼록부로 구성된다. 평균 러프니스 팩터(Rf2)를, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 크게 하기 위해서는, 단위셀에 대한 볼록부 측면적의 비율을 크게 하면 된다. 여기서, 예컨대, 단위셀의 크기를 일정하게 하고, 볼록부의 직경을 크게 한 경우, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 커진다. 그러나, 볼록부끼리가 단위셀의 내부에서 접촉하기 시작한 단계부터, 단위셀 내부에 포함되는 볼록부 측면적은 감소하기 때문에, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다. 따라서, 전사용 주형 (II)의 경우, 배리어 영역(114) 내부에서, 인접하는 볼록부끼리가 접촉하기까지의 범위를 갖고, 상기 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배를 정의하는 것으로 한다. 한편, 전사용 주형 (III)의 경우, 배리어 영역(114)의 미세 요철 구조는 복수의 오목부로 구성된다. 평균 러프니스 팩터(Rf2)를, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 크게 하기 위해서는, 단위셀에 대한 오목부 측면적의 비율을 크게 하면 된다. 여기서, 예컨대, 단위셀의 크기를 일정하게 하고, 오목부의 직경을 크게 한 경우, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 커진다. 그러나, 오목부끼리가 단위셀의 내부에서 접촉하기 시작한 단계부터, 단위셀의 내부에 포함되는 오목부 측면적은 감소하기 때문에, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다. 따라서, 전사용 주형 (III)의 경우, 배리어 영역(114) 내부에서, 인접하는 오목부끼리가 접촉하기까지의 범위를 갖고, 상기 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배를 정의하는 것으로 한다.It is preferable that the fine concavo-convex structure in the barrier region 114 of the transfer mold has a gradient of the roughness factor. In the case of the transfer molds I and IV, the gradient of the roughness factor Rf is more preferable as long as it becomes closer to the pattern portion 111, It is more preferable that it is a gradient that becomes smaller as it approaches the pattern portion 111. [ In the case of the transfer molds (II) and (III), the average roughness factor Rf2 has a gradient increasing from the pattern portion 111 toward the barrier region 114, and the average roughness factor Rf2) are defined as follows. In the case of the transfer mold II, the fine concavo-convex structure of the barrier region 114 is composed of a plurality of convex portions. In order to increase the average roughness factor Rf2 in the direction from the pattern portion 111 to the barrier region 114, the ratio of the side surface of the convex portion to the unit cell may be increased. Here, for example, when the size of the unit cell is made constant and the diameter of the convex portion is made large, the average roughness factor Rf2 becomes large. However, the average roughness factor Rf2 decreases since the side surface of the convex portion included in the unit cell decreases from the stage where the convex portions start to contact each other inside the unit cell. Therefore, in the case of the transfer mold II, it is assumed that the gradation of the average roughness factor Rf2 is defined in the range within which the adjacent convex portions come into contact with each other within the barrier region 114. [ On the other hand, in the case of the transfer mold III, the fine concavo-convex structure of the barrier region 114 is composed of a plurality of concave portions. In order to increase the average roughness factor Rf2 in the direction from the pattern portion 111 to the barrier region 114, the ratio of the side surface area of the concave portion to the unit cell may be increased. Here, for example, when the size of the unit cell is made constant and the diameter of the concave portion is made large, the average roughness factor Rf2 becomes large. However, from the stage when the concave portions start contacting with each other inside the unit cell, since the side surface of the concave portion included in the unit cell is reduced, the average roughness factor Rf2 decreases. Therefore, in the case of the transfer mold III, it is assumed that the gradation of the average roughness factor Rf2 is defined within the range of the adjacent recesses in the barrier region 114 until they come into contact with each other.

이러한 러프니스 팩터(Rf2)의 구배를 가짐으로써, 전사용 주형 (I), (II)에 있어서는, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)이 패턴부(111)로 침입하는 것을 저해하는 저해성이 한층 더 향상되기 때문에, 도공 불량 (2)를 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 전사용 주형 (III), (IV)에 있어서는, 러프니스 팩터(Rf2)에 구배가 있는 것은, 도공액(113)의 막 내부에 가해지는 응력이 구배를 갖는 것을 의미하고, 응력 집중을 피할 수 있고, 그 결과, 도공 불량 (1)을 억제할 수 있다.In the transfer molds (I) and (II), by having the gradient of the roughness factor Rf2, the coating solution 113 splattering on the non-pattern portion 112 is prevented from intruding into the pattern portion 111 (2) can be suppressed effectively. Further, in the transfer molds (III) and (IV), the presence of a gradient in the roughness factor Rf2 means that the stress applied to the inside of the film of the coating liquid 113 has a gradient, And as a result, the coating failure (1) can be suppressed.

러프니스 팩터(Rf2)에 구배를 갖게 하기 위해서는, 상기 단위셀(201∼203) 내부에 포함되는 미세 요철 구조의 측면적을 연속적으로 변화시키면 된다. 예컨대, 미세 요철 구조의 높이를 연속적으로 변화시키거나, 피치를 연속적으로 변화시키거나, 또는, 어스펙트를 연속적으로 변화시키면 된다. 또한, 미세 요철 구조의 높이, 피치, 어스펙트 중 어느 하나를 연속적으로 변화시켜도 좋고, 복수를 연속적으로 변화시켜도 좋다. 미세 요철 구조 제조의 관점에서, 피치와 어스펙트의 양방, 또는 어느 일방을 연속적으로 변화시키는 것이 바람직하다.In order to have a gradient in the roughness factor Rf2, the side surface area of the fine uneven structure included in the unit cells 201 to 203 may be continuously changed. For example, the height of the fine uneven structure may be continuously changed, the pitch may be changed continuously, or the aspect may be continuously changed. Further, either the height, pitch, or aspect of the fine uneven structure may be changed continuously or plural ones may be continuously changed. From the viewpoint of manufacturing the fine uneven structure, it is preferable to continuously change both the pitch and the aspect, or both.

다음으로, 전사용 주형 (I), (IV)에서의 러프니스 팩터(Rf1, Rf2)의 예를 나타낸다. 이 예는, 러프니스 팩터(Rf2)에 구배를 갖는 경우이다.Next, examples of the roughness factors Rf1 and Rf2 in the transfer molds (I) and (IV) are shown. This example is a case where the roughness factor Rf2 has a gradient.

전사용 주형 (I), (IV)에 있어서는, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작게 설정된다. 또한, 배리어 영역(114)의 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)에 근접할수록 커지는 구배를 갖는다.In the transfer molds (I) and (IV), the average roughness factor Rf2 of the barrier region 114 is set to be smaller than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111. [ In addition, the roughness factor Rf2 of the barrier region 114 has a gradient increasing toward the pattern portion 111. [

도 13은, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제2 방향(D2)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 13에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 13에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 넓어지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 성기게 되고 있다. 바꿔 말하면, 패턴부(111)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리는, 배리어 영역(114)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리보다 작다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다.Fig. 13 is a schematic diagram showing a state in which the fine concavo-convex structure is dot-shaped or hole-shaped, and the pitch in the second direction D2 is continuously changed. In Fig. 13, the top (convex portion) of the fine concavo-convex structure in the shape of a dot or the opening (concave portion) of the fine concavo-convex structure in the shape of a hole is shown as a circle when viewed from the plane. 13, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the second direction D2 becomes wider toward the inside of the barrier region 114, that is, from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, The density of the wealth is getting worse. In other words, the distance between the adjacent convex portions in the pattern portion 111 or the distance between the adjacent concave portions is smaller than the distance between the adjacent convex portions in the barrier region 114 or the distance between the adjacent concave portions . The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 decreases as it goes outward from the inner side of the barrier region 114, i.e., from the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (IV)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (I)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다.The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 when the fine concavo-convex structure is convex, that is, in the transfer mold IV, And has a gradient increasing from the portion 111 toward the barrier region 114. The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the pattern opening ratio of the pattern portion 111 becomes smaller than the average opening ratio Ar2 of the pattern portion 111. [ (111) toward the barrier region (114).

도 14는, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제1 방향(D1)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 14에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 14에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제1 방향(D1)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 넓어지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 성기게 되고 있다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다.Fig. 14 is a schematic diagram showing a state in which the fine concavo-convex structure is dot-shaped or hole-shaped, and the pitch in the first direction D1 is continuously changed. In Fig. 14, the top (convex portion) of the fine concavo-convex structure in the form of a dot or the opening (concave portion) of the fine concavo-convex structure in the shape of a hole is shown as a circle when viewed from the plane. 14, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the first direction D1 becomes wider as the distance from the inner side of the barrier region 114, that is, the side from the pattern portion 111 side, becomes wider in the barrier region 114, The density of the wealth is getting worse. The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 decreases as it goes outward from the inner side of the barrier region 114, i.e., from the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (IV)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (I)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다.The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 when the fine concavo-convex structure is convex, that is, in the transfer mold IV, And has a gradient increasing from the portion 111 toward the barrier region 114. The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the pattern opening ratio of the pattern portion 111 becomes smaller than the average opening ratio Ar2 of the pattern portion 111. [ (111) toward the barrier region (114).

도 15는, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 15에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 15에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 넓어지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 성기게 되고 있다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다.15 is a schematic diagram showing a state in which the pitch of the first direction D1 and the pitch of the second direction D2 are continuously changed when the fine concavo-convex structure is a dot shape or a hole shape. In Fig. 15, the top (convex portion) of the fine concavo-convex structure in the form of a dot or the opening (concave portion) of the concave convex structure in the shape of a hole is shown as a circular shape when viewed from the plane. 15, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The spacing between the convex portions or the concave portions in the first direction D1 and the second direction D2 increases toward the inner side of the barrier region 114, that is, from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, And the density of the convex portion or the concave portion becomes worsened. The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 decreases as it goes outward from the inner side of the barrier region 114, i.e., from the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인, 즉 전사용 주형 (IV)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉, 전사용 주형 (I)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다.The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 in the case where the fine concavo-convex structure is convex, that is, the transfer mold IV, (111) toward the barrier region (114). The average opening ratio Ar2 of the barrier region becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the pattern portion 111 In the direction of the barrier region 114. In this case,

도 16은, 미세 요철 구조가 라인 앤드 스페이스 구조인 경우로서, 제2 방향(D2)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 16에 있어서, 라인 앤드 스페이스 구조인 미세 요철 구조의 볼록부 또는 오목부를, 평면에서 볼 때 장방 형상으로 나타내고 있다. 도 16에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 넓어지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 성기게 되고 있다.16 is a schematic diagram showing a state in which the fine unevenness structure is a line-and-space structure and in which the pitch in the second direction D2 is continuously changed. In Fig. 16, the convex portion or the concave portion of the fine concavo-convex structure having a line-and-space structure is shown as a rectangle when viewed from the plane. 16, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the second direction D2 becomes wider toward the inside of the barrier region 114, that is, from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, The density of the wealth is getting worse.

미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측(전사 영역측)에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다.The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient, and the average roughness factor Rf2 decreases as it goes outward from the inner side (transfer region side) of the barrier region 114. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (IV)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉, 전사용 주형 (I)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다. 또, 라인 앤드 스페이스 구조인 경우, 라인폭/스페이스폭으로 나타내어지는 듀티(Duty)가, 패턴부(111)에 있어서, 0.5보다 큰 경우를 오목형으로 하고, 이 경우, 오목부로 구성되는 스페이스를 미세 요철 구조의 오목부로 한다. 한편, 듀티가 0.5보다 작은 경우를 볼록형으로 하고, 이 경우, 볼록부로 구성되는 라인을 미세 요철 구조의 볼록부로 한다.The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 when the fine concavo-convex structure is convex, that is, in the transfer mold IV, And has a gradient increasing from the portion 111 toward the barrier region 114. The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the pattern opening ratio of the pattern portion 111 is smaller than the average opening ratio Ar2 of the pattern portion 111. [ And has a gradient decreasing from the portion 111 toward the barrier region 114. In the case of the line-and-space structure, the case where the duty represented by the line width / space width is greater than 0.5 in the pattern unit 111 is concave, and in this case, Concave portion of the fine concave-convex structure. On the other hand, when the duty is less than 0.5, it is a convex shape, and in this case, the line constituted by the convex portion is a convex portion of the concave-convex structure.

다음으로, 전사용 주형 (II), (III)에서의 러프니스 팩터(Rf1, Rf2)의 예에 관해 설명한다. 이 예는, 러프니스 팩터(Rf2)에 구배를 갖는 경우이다.Next, examples of the roughness factors Rf1 and Rf2 in the transfer molds (II) and (III) will be described. This example is a case where the roughness factor Rf2 has a gradient.

전사용 주형 (II), (III)에 있어서는, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 크게 설정된다. 또한, 배리어 영역(114)의 러프니스 팩터(Rf2)는, 전사 영역에 근접할수록 작아지는 구배를 갖는다.The average roughness factor Rf2 of the barrier region 114 is set to be larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 in the transfer molds II and III. Further, the roughness factor Rf2 of the barrier region 114 has a gradient that becomes smaller as it approaches the transfer region.

도 17은, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제2 방향(D2)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 17에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 17에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 좁아지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 조밀해지고 있다. 바꿔 말하면, 패턴부(111)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리는, 배리어 영역(114)에서의 인접하는 볼록부 사이의 거리 또는 인접하는 오목부 사이의 거리보다 크다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 증가한다.Fig. 17 is a schematic diagram showing a state in which the pitch of the second direction D2 is continuously changed when the fine uneven structure is a dot shape or a hole shape. In Fig. 17, the top portion (convex portion) of the fine concavo-convex structure in dot form or the opening portion (concave portion) of the fine concavo-convex structure in the hole shape is shown as a circle when viewed from the plane. 17, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the second direction D2 becomes narrower toward the inside of the barrier region 114, that is, from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, The density of the part becomes dense. In other words, a distance between adjacent convex portions in the pattern portion 111 or a distance between adjacent concave portions is larger than a distance between adjacent convex portions in the barrier region 114 or a distance between adjacent concave portions . The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 increases as it goes outward from the inside of the barrier region 114, that is, on the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (II)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (III)인 경우, 배리어 영역(114)의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다.The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 when the micro concavo-convex structure is convex, that is, the transfer mold II, And has a gradient decreasing from the pattern portion 111 toward the barrier region 114. The average opening ratio Ar2 of the barrier region 114 is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the pattern portion 111 111) toward the barrier region (114).

도 18은, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제1 방향(D1)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 18에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 18에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제1 방향(D1)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 좁아지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 조밀해지고 있다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 증가한다.Fig. 18 is a schematic diagram showing a state in which the pitch of the first direction D1 is continuously changed when the minute concave-convex structure is a dot shape or a hole shape. In Fig. 18, the top (convex portion) of the fine concavo-convex structure in the shape of a dot or the opening (concave portion) of the concave convex structure in the shape of a hole is shown as a circle when viewed from the plane. 18, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the first direction D1 becomes narrower toward the inner side of the barrier region 114, i.e., from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, The density of the part becomes dense. The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 increases as it goes outward from the inside of the barrier region 114, that is, on the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (II)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (III)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다.In the case where the micro concavo-convex structure is convex, that is, in the case of the transfer mold II, the average opening ratio Ar2 of the barrier region becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111, 111) toward the barrier region (114). The average opening ratio Ar2 of the barrier region is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the distance from the pattern portion 111 is larger than the average opening ratio Ar2 of the pattern portion 111. [ And has a gradient increasing in the direction of the barrier region 114.

도 19는, 미세 요철 구조가 도트 형상 또는 홀 형상인 경우로서, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 19에 있어서, 도트 형상인 미세 요철 구조의 정상부(볼록부) 또는 홀 형상인 미세 요철 구조의 개구부(오목부)를, 평면에서 볼 때 원 형상으로 나타내고 있다. 도 19에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 좁아지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 조밀해지고 있다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 증가한다.19 is a schematic diagram showing a state in which the pitch of the first direction D1 and the second direction D2 are continuously changed when the fine concavo-convex structure is a dot shape or a hole shape. In Fig. 19, the top portion (convex portion) of the fine concavo-convex structure in dot form or the opening portion (concave portion) of the fine concavo-convex structure in the hole shape is shown as a circular shape when viewed from the plane. 19, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The spacing between the convex portions or the concave portions in the first direction D1 and the second direction D2 increases toward the inner side of the barrier region 114, that is, from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, The density of the convex portion or the concave portion becomes dense. The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 increases as it goes outward from the inside of the barrier region 114, that is, on the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (II)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (III)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다.In the case where the micro concavo-convex structure is convex, that is, in the case of the transfer mold II, the average opening ratio Ar2 of the barrier region becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111, 111) toward the barrier region (114). The average opening ratio Ar2 of the barrier region is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the distance from the pattern portion 111 is larger than the average opening ratio Ar2 of the pattern portion 111. [ And has a gradient increasing in the direction of the barrier region 114.

도 20은, 미세 요철 구조가 라인 앤드 스페이스 구조인 경우로서, 제2 방향(D2)의 피치를 연속적으로 변화시킨 상태를 도시하는 모식도이다. 도 20에 있어서, 라인 앤드 스페이스 구조인 미세 요철 구조의 볼록부 또는 오목부를, 평면에서 볼 때 장방 형상으로 나타내고 있다. 도 20에 있어서, 종축은 제1 방향(D1), 횡축은 제2 방향(D2), 원점은 패턴부(111)의 제2 방향(D2)에서의 중심(O)을 나타내고 있다. 배리어 영역(114)에 있어서, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 제2 방향(D2)에서의 볼록부 또는 오목부의 간격은 좁아지고, 볼록부 또는 오목부의 밀도가 조밀해지고 있다. 미세 요철 구조 하나 하나의 형상이 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 동일한 경우, 즉, 배리어 영역(114)과 패턴부(111)에서 피치만이 변화되고 있는 경우, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 구배를 갖고 있고, 배리어 영역(114)의 내측, 즉 패턴부(111)측에서 외측으로 갈수록, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 증가한다.20 is a schematic diagram showing a state in which the pitch in the second direction D2 is continuously changed when the fine uneven structure is a line-and-space structure. In Fig. 20, convex portions or concave portions of a fine concavo-convex structure having a line-and-space structure are shown as rectangular in plan view. 20, the ordinate indicates the first direction D1, the abscissa indicates the second direction D2, and the origin indicates the center O of the pattern portion 111 in the second direction D2. The distance between the convex portions or the concave portions in the second direction D2 becomes narrower toward the inside of the barrier region 114, that is, from the side of the pattern portion 111 in the barrier region 114, The density of the part becomes dense. The barrier region 114 and the pattern portion 111 change in pitch only when the shape of each fine concave-convex structure is the same in the barrier region 114 and the pattern portion 111. That is, The average roughness factor Rf2 has a gradient and the average roughness factor Rf2 increases as it goes outward from the inside of the barrier region 114, that is, on the side of the pattern portion 111. [

또한, 미세 요철 구조가 볼록형인 경우, 즉 전사용 주형 (II)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 작아지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 작아지는 구배를 갖는다. 미세 요철 구조가 오목형인 경우, 즉 전사용 주형 (III)인 경우, 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2)은, 패턴부(111)의 평균 개구율(Ar1)보다 커지고, 또한, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 커지는 구배를 갖는다. 또, 라인 앤드 스페이스 구조의 경우, 라인폭/스페이스폭으로 나타내어지는 듀티가, 패턴부(111)에 있어서, 0.5보다 큰 경우를 오목형으로 하고, 이 경우, 오목부로 구성되는 스페이스를 미세 요철 구조의 오목부로 한다. 한편, 듀티가 0.5보다 작은 경우를 볼록형으로 하고, 이 경우, 볼록부로 구성되는 라인을 미세 요철 구조의 볼록부로 한다.In the case where the micro concavo-convex structure is convex, that is, in the case of the transfer mold II, the average opening ratio Ar2 of the barrier region becomes smaller than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111, 111) toward the barrier region (114). The average opening ratio Ar2 of the barrier region is larger than the average opening ratio Ar1 of the pattern portion 111 and the distance from the pattern portion 111 is larger than the average opening ratio Ar2 of the pattern portion 111. [ And has a gradient increasing in the direction of the barrier region 114. In the case of the line-and-space structure, the case where the duty represented by the line width / space width is larger than 0.5 in the pattern portion 111 is concave, and in this case, the space formed by the concave portion is called the concave- As shown in FIG. On the other hand, when the duty is less than 0.5, it is a convex shape, and in this case, the line constituted by the convex portion is a convex portion of the concave-convex structure.

다음으로, 전사용 주형 (I), (IV)에서의 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배의 예에 관해 설명한다.Next, examples of gradients of the average roughness factor Rf2 in the transfer molds (I) and (IV) will be described.

전사용 주형 (I), (IV)가 갖는 패턴부(111)에 근접할수록 커지는 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배로는, 예컨대, 도 21에 도시한 바와 같은 구배를 들 수 있다. 도 21에 있어서, 종축은 러프니스 팩터(Rf)의 크기를 나타내고, 횡축은 패턴부(111)의 중심 위치로부터의 거리를 나타낸다. 도 21의 A는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 계단형으로 감소하는 모델을 도시하고 있다. 도 21의 B는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 선형적으로 감소하는 모델을 도시하고 있다. 도 21의 C는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 위로 볼록한 함수로 감소하는 모델을 도시하고 있다. 도 21의 D는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 아래로 볼록한 함수로 감소하는 모델을 도시하고 있다. 도 21의 E는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 완만한 감소-급격한 감소-완만한 감소를 더불어 갖는 S자 커브형으로 감소하는 모델을 도시하고 있다. 도 21의 F는, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가, 패턴부(111) 내의 평균 러프니스 팩터(Rf1), 배리어 영역(114) 내의 평균 러프니스 팩터(Rf2)에 연속성이 없이 감소하고 있는 경우를 도시하고 있다.The gradient of the average roughness factor Rf2 in the barrier region 114 that becomes larger as the pattern portion 111 of the transfer molds I and IV becomes closer to the pattern portion 111 has a gradient as shown in Fig. . In Fig. 21, the vertical axis indicates the size of the roughness factor Rf, and the horizontal axis indicates the distance from the center position of the pattern portion 111. In Fig. FIG. 21A shows a model in which the average roughness factor Rf2 decreases stepwise in the barrier region 114. FIG. FIG. 21B shows a model in which the average roughness factor Rf2 linearly decreases in the barrier region 114. FIG. 21C shows a model in which the average roughness factor Rf2 decreases in the barrier region 114 to a convex function. 21D shows a model in which the average roughness factor Rf2 decreases in the barrier region 114 to a downward convex function. 21E shows a model in which in the barrier region 114 the average roughness factor Rf2 decreases to an S-curve shape with a gradual decrease-abrupt decrease-gradual decrease. F in Fig. 21 shows that when the average roughness factor Rf2 decreases continuously in the average roughness factor Rf1 in the pattern portion 111 and in the average roughness factor Rf2 in the barrier region 114 Respectively.

패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작은 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)로는, 도 21에 예시한 바와 같은 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 변화를 들 수 있다. 이들 구배를 가짐으로써, 도공 불량 (1)을 억제하기 위한, 도공액막 내부에 가해지는 응력의 완화 효과나, 도공 불량 (2)를 억제하기 위한, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공 액적의 패턴부(111)로의 침입 저해 효과를 발휘할 수 있다.The average roughness factor Rf2 in the barrier region 114 that is smaller than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 includes a change in the average roughness factor Rf2 as illustrated in Fig. . By having these gradients, it is possible to reduce the stress applied to the inside of the coating liquid film to suppress the coating poorness 1, and to suppress the coating poor (2) The effect of inhibiting the penetration into the portion 111 can be exerted.

도 21의 A에 도시한 바와 같은 계단형 스텝의 폭(거리)은, 도공성의 관점에서, 미세 요철 구조의 주기보다 크면, 스텝의 단수가 많고 미세할수록 바람직하다. 도공성의 관점에서, 스텝폭은, 5 mm 이하인 것이 바람직하고, 1 mm 이하이면 보다 바람직하다. 가장 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다.The width (distance) of the step-like step as shown in Fig. 21A is preferably as long as the number of steps is larger and finer, as long as it is larger than the period of the fine concavo-convex structure, from the viewpoint of coatability. From the viewpoint of coatability, the step width is preferably 5 mm or less, more preferably 1 mm or less. Most preferably not more than 100 mu m.

특히, 도공액(113)과 비패턴부(112)의 친화성이 이형성을 발현하는 범위에서 높은 경우에는, 도공액(113)의 접촉각이 연속적으로 변화되고, 도공액(113)에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화됨으로써, 도공액(113)의 액적(액막) 내부에 대한 응력 집중은 일어나지 않아, 도공 불량 (1)을 억제하여 양호한 도공성을 유지할 수 있다. 그 때문에, 주형 (IV)에 있어서는, 도 21의 E, 도 21의 C, 도 21의 B, 도 21의 D, 도 21의 A, 도 21의 F에 도시하는 모델의 순으로 바람직하다. 한편, 도공액(113)과 비패턴부(112)의 친화성이 낮은 경우에는, 패턴부(111)의 요철 구조의 오목부 내부로부터 볼록부 상부로 가해지는 힘, 전사재 도공액의 미세 요철 구조 인식성 및 도공 초기의 전사재 도공액의 상태(모드)가 변화되어, 배리어 영역(114) 상에서 도공액(113)의 액적 내부에 대한 응력을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액(113)의 액적은, 배리어 영역(114)을 타고 넘을 수 없어, 도공 불량 (2)를 억제하여 패턴부(111) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있다. 그 때문에, 주형 (I)에 있어서는, 도 21의 F, 도 21의 D, 도 21의 A, 도 21의 E, 도 21의 C에 도시하는 모델의 순으로 바람직하다.Particularly, when the affinity between the coating liquid 113 and the non-patterned portion 112 is high in a range in which the releasability is exhibited, the contact angle of the coating liquid 113 is continuously changed and the force applied to the coating liquid 113 F (&amp;thetas;)) is also continuously changed, so that stress concentration does not occur in the droplet (liquid film) of the coating liquid 113 and the coating defective 1 can be suppressed to maintain good coatability. Therefore, the mold IV is preferable in the order of E shown in FIG. 21, C in FIG. 21, B in FIG. 21, D in FIG. 21A, F in FIG. On the other hand, when the affinity between the coating liquid 113 and the non-pattern portion 112 is low, the force applied to the upper portion of the convex portion from the inside of the concave portion of the concave and convex structure of the pattern portion 111, The structure recognition property and the state (mode) of the transfer repellent solution at the beginning of the coating are changed, so that the stress on the inside of the droplet of the coating solution 113 on the barrier region 114 can be increased. Therefore, the droplet of the coating liquid 113 splattering on the non-patterned portion 112 can not pass over the barrier region 114, thereby suppressing the coating defects 2 and improving the coatability on the pattern portion 111 . Therefore, the mold I is preferable in the order of F, 21 D, 21 A, 21 E, and 21 C in the mold (I).

다음으로, 전사용 주형 (II), (III)에서의 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배의 예에 관해 설명한다.Next, examples of the gradient of the average roughness factor Rf2 in the transfer molds (II) and (III) will be described.

전사용 주형 (II), (III)이 갖는 패턴부(111)에 근접할수록 작아지는 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배로는, 예컨대, 도 22에 도시한 바와 같은 구배를 들 수 있다. 도 22에 있어서, 종축은 러프니스 팩터(Rf)의 크기를 나타내고, 횡축은 패턴부(111)의 중심 위치로부터의 거리를 나타낸다. 도 22의 A는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 계단형으로 증가하는 모델을 도시하고 있다. 도 22의 B는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 선형적으로 증가하는 모델을 도시하고 있다. 도 22의 C는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 아래로 볼록한 함수로 증가하는 모델을 도시하고 있다. 도 22의 D는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 위로 볼록한 함수로 증가하는 모델을 도시하고 있다. 도 22의 E는, 배리어 영역(114) 내에서, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 급격한 증가-완만한 증가-급격한 증가를 더불어 갖는 S자 커브형으로 증가하는 모델을 도시하고 있다. 도 22의 F는, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가, 패턴부(111) 내의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와 배리어 영역(114) 내의 평균 러프니스 팩터(Rf2)에 연속성이 없이 증가하는 경우를 도시하고 있다.The gradient of the average roughness factor Rf2 of the barrier region 114 that becomes smaller as it approaches the pattern portion 111 of the transfer molds (II) and (III) may be, for example, . 22, the vertical axis indicates the size of the roughness factor Rf, and the horizontal axis indicates the distance from the center position of the pattern portion 111. In FIG. FIG. 22A shows a model in which the average roughness factor Rf2 increases stepwise in the barrier region 114. FIG. FIG. 22B shows a model in which the average roughness factor Rf2 linearly increases in the barrier region 114. FIG. FIG. 22C shows a model in which the average roughness factor Rf2 increases in a downward convex function in the barrier region 114. FIG. 22D shows a model in which the average roughness factor Rf2 in the barrier region 114 increases as a convex upward function. FIG. 22E shows a model in which the average roughness factor Rf2 increases in an S-shaped curve shape with an abrupt increase-moderate increase-abrupt increase in the barrier region 114. FIG. 22F shows a case in which the average roughness factor Rf2 increases continuously in the average roughness factor Rf1 in the pattern portion 111 and in the average roughness factor Rf2 in the barrier region 114 Respectively.

패턴부(111)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 큰, 배리어 영역(114)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)로는, 도 22에 예시한 바와 같은 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 변화를 들 수 있다. 이들 구배를 가짐으로써, 도공 불량 (1)을 억제하기 위한, 도공액막 내부에 가해지는 응력의 완화 효과나, 도공 불량 (2)를 억제하기 위한, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공 액적의 패턴부(111)로의 침입 저해 효과를 발휘할 수 있다.The average roughness factor Rf2 of the barrier region 114 that is larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 111 includes the change in the average roughness factor Rf2 as shown in Fig. have. By having these gradients, it is possible to reduce the stress applied to the inside of the coating liquid film to suppress the coating poorness 1, and to suppress the coating poor (2) The effect of inhibiting the penetration into the portion 111 can be exerted.

도 22의 A에 도시한 바와 같은 계단형 스텝의 폭(거리)은, 도공성의 관점에서, 미세 요철 구조의 주기보다 크면, 스텝의 단수가 많고 미세할수록 바람직하다. 도공성의 관점에서, 스텝폭은, 5 mm 이하인 것이 바람직하고, 1 mm 이하이면 보다 바람직하다. 가장 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다.The width (distance) of the step-like step as shown in Fig. 22A is preferably as long as the number of steps is larger and finer, as long as it is larger than the period of the fine concavo-convex structure, from the viewpoint of coatability. From the viewpoint of coatability, the step width is preferably 5 mm or less, more preferably 1 mm or less. Most preferably not more than 100 mu m.

특히, 도공액(113)과 비패턴부(112)의 친화성이 이형성을 발현하는 범위에서 높은 경우에는, 도공액(113)의 접촉각이 연속적으로 변화되고, 도공액(113)에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화됨으로써, 도공액(113)의 액적(액막) 내부에 대한 응력 집중을 억제할 수 있어, 도공 불량 (1)을 억제하여 양호한 도공성을 유지할 수 있다. 그 때문에, 전사용 주형 (III)에 있어서는, 도 22의 D, 도 22의 B, 도 22의 A, 도 22의 C, 도 22의 E, 도 22의 F에 도시하는 모델의 순으로 바람직하다. 한편, 도공액(113)과 비패턴부(112)의 친화성이 낮은 경우에는, 패턴부(111)의 요철 구조의 오목부 내부로부터 볼록부 상부로 가해지는 힘, 전사재 도공액의 미세 요철 구조 인식성 및 도공 초기의 전사재 도공액의 상태(모드)가 변화되어, 배리어 영역(114) 상에서 도공액(113)의 액적 내부에 대한 응력을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 비패턴부(112) 상에서 튄 도공액 액적은, 배리어 영역(114)을 타고 넘을 수 없어, 도공 불량 (2)를 억제하여 패턴부(111) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있다. 그 때문에, 전사용 주형 (II)에 있어서는, 도 22의 F, 도 22의 E, 도 22의 D, 도 22의 A, 도 22의 B, 도 22의 C의 순으로 바람직하다.Particularly, when the affinity between the coating liquid 113 and the non-patterned portion 112 is high in a range in which the releasability is exhibited, the contact angle of the coating liquid 113 is continuously changed and the force applied to the coating liquid 113 F (&amp;thetas;)) is also continuously changed, stress concentration on the liquid (liquid film) inside the coating liquid 113 can be suppressed, Therefore, in the transfer mold (III), it is preferable that the molds shown in FIG. 22D, FIG. 22B, FIG. 22A, FIG. 22C, FIG. 22E, . On the other hand, when the affinity between the coating liquid 113 and the non-pattern portion 112 is low, the force applied to the upper portion of the convex portion from the inside of the concave portion of the concave and convex structure of the pattern portion 111, The structure recognition property and the state (mode) of the transfer repellent solution at the beginning of the coating are changed, so that the stress on the inside of the droplet of the coating solution 113 on the barrier region 114 can be increased. Therefore, a small amount of the coating liquid droplets splattering on the non-patterned portion 112 can not pass over the barrier region 114, so that the coating defects 2 can be suppressed and the coatability on the pattern portion 111 can be kept good. Therefore, in the transfer mold (II), F, E in FIG. 22, D in FIG. 22, A in FIG. 22, B in FIG. 22, and C in FIG.

또, 전사용 주형 (II), (III)의 경우, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로, 상기 설명한 바와 같은 커지는 구배를 갖는데, 이 때의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 이하의 정의에 따르는 것으로 한다. 전사용 주형 (II)의 경우, 배리어 영역(114)의 미세 요철 구조는 복수의 볼록부로 구성된다. 평균 러프니스 팩터(Rf2)를, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 크게 하기 위해서는, 단위셀에 대한 볼록부 측면적의 비율을 크게 하면 된다. 여기서, 예컨대, 단위셀의 크기를 일정하게 하고, 볼록부의 직경을 크게 한 경우, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 커진다. 그러나, 볼록부끼리가 단위셀 내부에서 접촉하기 시작한 단계부터, 단위셀 내부에 포함되는 볼록부 측면적은 감소하기 때문에, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다. 따라서, 전사용 주형 (II)의 경우, 배리어 영역(114) 내부에서, 인접하는 볼록부끼리가 접촉하기까지의 범위를 갖고, 상기 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배를 정의하는 것으로 한다. 한편, 전사용 주형 (III)의 경우, 배리어 영역(114)의 미세 요철 구조는 복수의 오목부로 구성된다. 평균 러프니스 팩터(Rf2)를, 패턴부(111)로부터 배리어 영역(114) 방향으로 크게 하기 위해서는, 단위셀에 대한 오목부 측면적의 비율을 크게 하면 된다. 여기서, 예컨대, 단위셀의 크기를 일정하게 하고, 오목부의 직경을 크게 한 경우, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 커진다. 그러나, 오목부끼리가 단위셀 내부에서 접촉하기 시작한 단계부터, 단위셀 내부에 포함되는 오목부 측면적은 감소하기 때문에, 평균 러프니스 팩터(Rf2)는 감소한다. 따라서, 전사용 주형 (III)의 경우, 배리어 영역(114) 내부에서, 인접하는 오목부끼리가 접촉하기까지의 범위를 갖고, 상기 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 구배를 정의하는 것으로 한다.In the case of the transfer molds (II) and (III), the average roughness factor Rf2 has a gradient as described above in the direction from the pattern portion 111 to the barrier region 114, The average roughness factor Rf2 is defined by the following definition. In the case of the transfer mold II, the fine concavo-convex structure of the barrier region 114 is composed of a plurality of convex portions. In order to increase the average roughness factor Rf2 in the direction from the pattern portion 111 to the barrier region 114, the ratio of the side surface of the convex portion to the unit cell may be increased. Here, for example, when the size of the unit cell is made constant and the diameter of the convex portion is made large, the average roughness factor Rf2 becomes large. However, the average roughness factor Rf2 decreases since the side surface of the convex portion included in the unit cell decreases from the stage where the convex portions start contacting within the unit cell. Therefore, in the case of the transfer mold II, it is assumed that the gradation of the average roughness factor Rf2 is defined in the range within which the adjacent convex portions come into contact with each other within the barrier region 114. [ On the other hand, in the case of the transfer mold III, the fine concavo-convex structure of the barrier region 114 is composed of a plurality of concave portions. In order to increase the average roughness factor Rf2 in the direction from the pattern portion 111 to the barrier region 114, the ratio of the side surface area of the concave portion to the unit cell may be increased. Here, for example, when the size of the unit cell is made constant and the diameter of the concave portion is made large, the average roughness factor Rf2 becomes large. However, since the recessed portion side included in the unit cell is decreased from the stage where the concave portions start contacting within the unit cell, the average roughness factor Rf2 decreases. Therefore, in the case of the transfer mold III, it is assumed that the gradation of the average roughness factor Rf2 is defined within the range of the adjacent recesses in the barrier region 114 until they come into contact with each other.

러프니스 팩터(Rf)는 도공액의 접촉각에 영향을 미친다. 캐시 박스터(Cassie-Baxter)의 식, 또는 웬첼의 식으로부터, 접촉각이 90°보다 큰 발수성 재료에 있어서는, 러프니스 팩터(Rf)가 클수록 접촉각은 커지고, 러프니스 팩터(Rf)가 작을수록(접촉각이 90°보다 큰 범위에서) 접촉각은 작아지는 것이 알려져 있다. 미세 요철 구조가 있는 부분, 즉 패턴부(111)와, 그것이 없는 부분, 즉 비패턴부(112)의 계면에서는, 러프니스 팩터(Rf)가 급격한 변화를 일으킨다. 이것은, 액적 또는 도공액으로부터 보면, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면 상에 있어서, 액적 또는 도공액 내부에, 큰 응력이 가해지는 것을 의미한다. 즉, 도공액과 주형의 친화성이 이형성을 발현하는 범위에서 큰 경우에는, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면 상에 있어서, 도공액막에 큰 응력이 작용하고, 그 결과, 도공액막은 분열된다. 전사용 주형 (III), (IV)에 있어서는, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면을, 배리어 영역(114)으로 치환함으로써, 상기 도공액막 내부에 발생하는 응력을 완화시키고, 도공액막의 분열을 억제하여, 도공성을 양호하게 유지하고 있다. 한편, 전사용 주형 (I), (II)에 있어서는, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면을 배리어 영역(114)으로 치환함으로써, 본래의 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면에 비해 발생하는 응력이 현저히 커진다. 즉, 고이형성을 발현하는 표면 자유 에너지를 크게 감소시킨 주형에 있어서, 비패턴부(112) 상에서 튀어 액적화된 도공액이, 패턴부(111)로 침입하고자 해도, 배리어 영역(114) 상에서 발생하는 큰 응력에 의해 비패턴부(112)측으로 되밀려진다. 이 때문에, 패턴부(111) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있다.The roughness factor Rf affects the contact angle of the coating liquid. From the expression of Cassie-Baxter or Wentzel's equation, the larger the roughness factor Rf, the larger the contact angle becomes, and the smaller the roughness factor Rf (the contact angle It is known that the contact angle becomes smaller in a range larger than 90 degrees. The roughness factor Rf is abruptly changed at the interface between the patterned portion 111 and the portion where the fine uneven structure exists, that is, the non-patterned portion 112. This means that a large stress is applied to the inside of the droplet or coating liquid on the interface between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112 when viewed from the droplet or coating solution. That is, when the affinity between the coating liquid and the template is large in the range of exhibiting the releasability, a large stress acts on the coating liquid film on the interface between the pattern unit 111 and the non-pattern unit 112, The coating liquid film is split. In the transfer molds (III) and (IV), the interface between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112 is replaced by the barrier region 114 to relieve the stress generated in the coating liquid film, The separation of the coating liquid film is suppressed, and the coating property is kept good. In the transfer molds (I) and (II), the interface between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112 is replaced with the barrier region 114, The stress generated in comparison with the interface of the substrate 112 becomes remarkably large. In other words, in a mold in which the surface free energy for expressing the formation of toughness is largely reduced, even if a coating liquid dropletized on the non-pattern portion 112 intends to intrude into the pattern portion 111, To the non-pattern portion 112 side by a large stress. Therefore, the coatability on the pattern portion 111 can be maintained satisfactorily.

(제1 실시형태)(First Embodiment)

도 23은, 제1 실시형태에 관한 전사용 주형을 도시하는 모식도이다. 도 23에 도시한 바와 같이, 이 전사용 주형(이하, 간단히 주형이라고 함)(300)은, 원통형 또는 원기둥형으로 구성된다. 주형(300)은, 외주 표면에 미세 요철 구조를 갖는 패턴부(301) 및 배리어 영역(302)을 구비한다. 또, 도 23에 있어서는, 상기 설명한 비패턴 배리어 영역이나, 비패턴 배리어 영역의 도중 끊김, 배리어 영역의 도중 끊김은 기재하고 있지 않지만, 이들을 포함하는 것으로 한다. 또한, 이하에 있어서, 패턴부(301)가 배리어 영역(302)에 끼워진다는 표현을 사용하는데, 이것도 상기 설명한 끼워짐의 정의를 적용하는 것으로 한다.Fig. 23 is a schematic diagram showing a transfer mold according to the first embodiment. Fig. As shown in Fig. 23, this transfer mold (hereinafter, simply referred to as a mold) 300 is formed in a cylindrical or cylindrical shape. The mold 300 has a pattern portion 301 and a barrier region 302 having a fine uneven structure on the outer peripheral surface. In Fig. 23, it is assumed that the non-pattern barrier region and the non-pattern barrier region described above are disconnected and the barrier region is disconnected. In the following description, the expression that the pattern unit 301 is sandwiched in the barrier region 302 is used, and it is also assumed that the above-described definition of the fit is applied.

도 23에 도시한 바와 같이, 패턴부(301)는, 배리어 영역(302)에 끼워진 상태로 배치되어 있다. 패턴부(301)와 배리어 영역(302)의 배치는 다음과 같이 정의된다. 주형(300)의 길이 방향의 중심 위치를 점 O로 한다. 이 점 O로부터 길이 방향으로 축을 취하고, 이 축 상에서 주형(300)에서의 각 위치를 설명한다. 점 A 및 점 F는, 주형(300)의 에지부이다. 패턴부(301)는, 점 C와 점 D 사이에 존재한다. 점 C와 점 D 사이에 점 O가 존재한다. 필름에 대한 전사성의 관점에서, 점 C와 점 D의 중점이, 점 O인 것이 바람직하다(거리 CO=거리 DO). 배리어 영역(302)은, 점 B와 점 C 사이, 및 점 D와 점 E 사이에 존재한다. 점 C와 점 O의 거리는, 점 B와 점 O의 거리보다 작다(거리 CO<거리 BO). 점 D와 점 O의 거리는, 점 E와 점 O의 거리보다 작다(거리 DO<거리 EO). 점 B와 점 E의 중점이, 점 O여도 좋다(거리 BO=거리 EO).As shown in Fig. 23, the pattern portion 301 is arranged to be sandwiched by the barrier region 302. [ The arrangement of the pattern unit 301 and the barrier region 302 is defined as follows. The center position of the mold 300 in the longitudinal direction is represented by a point O. An axis is taken in the longitudinal direction from this point O, and the angular position in the mold 300 on this axis will be described. Point A and point F are the edges of the mold 300. The pattern unit 301 exists between the point C and the point D. There is a point O between point C and point D. From the viewpoint of the transferability to the film, it is preferable that the midpoint between the point C and the point D be a point O (distance CO = distance DO). Barrier region 302 exists between point B and point C, and between point D and point E. The distance between point C and point O is less than the distance between point B and point O (distance CO <distance BO). The distance between point D and point O is less than the distance between point E and point O (distance DO <distance EO). The midpoint between point B and point E may be a point O (distance BO = distance EO).

주형(300)의 에지부를 나타내는 점 A, F와, 배리어 영역(302)의 외측 단부를 나타내는 점 B, E는, 점 A=점 B, 점 E=점 F의 양방, 또는 어느 일방의 관계를 만족하고 있어도 좋다. 점 A=점 B, 또한 점 E=점 F의 경우에는, 주형(300)의 외주 전면이 미세 요철 구조를 구비하게 된다. 그러나, 주형(300)으로부터 필름(도시하지 않음)으로 미세 요철 구조를 전사할 때에, 에지부에 가까운 부분의 미세 요철 구조를 전사하는 것은 곤란하다. 따라서, 스루풋성의 관점에서, 점 A≠점 B, 또한 점 E≠점 F인 것이 바람직하다.Points A and F indicating the edge portion of the mold 300 and points B and E indicating the outer end portion of the barrier region 302 correspond to both of the point A and the point F, It may be satisfied. In the case of point A = point B and point E = point F, the outer peripheral front surface of the mold 300 has a fine concave-convex structure. However, when transferring the micro concavo-convex structure from the mold 300 to a film (not shown), it is difficult to transfer the micro concavo-convex structure near the edge portion. Therefore, from the viewpoint of throughput, it is preferable that the point A ≠ the point B and the point E ≠ the point F.

배리어 영역(302)의 크기(거리 BC, 거리 DE)는, 필요한 면적의 패턴부(301)를 얻을 수 있는 것이면, 주형(300)으로부터 전사 형성된 필름에 대한 직접 도공성의 관점에서, 클수록 바람직하다. 사용하는 용액의 점도나, 패턴부(301)에서의 미세 요철 구조의 형상에 따라서도 변하지만, 대략 10 ㎛ 이상이 바람직하고, 50 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 배리어 영역(302) 및 패턴부(301)의 전사성의 관점에서, 100 ㎛ 이상이 바람직하고, 1 mm 이상인 것이 바람직하고, 3 mm 이상이 보다 바람직하고, 5 mm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 배리어 영역(302) 상에서 강한 응력에 의해 분열된 전사재 도공액이 패턴부(301)측으로 이동하는 것을 억제하기 위해, 배리어 영역(302)의 폭은, 30 mm 이하가 바람직하고, 15 mm 이하가 바람직하고, 8 mm 이하가 가장 바람직하다.The size (distance BC, distance DE) of the barrier region 302 is preferably as large as possible from the viewpoint of direct coating on the film transferred from the mold 300, as long as the pattern portion 301 having the required area can be obtained. Although it varies depending on the viscosity of the solution used and the shape of the fine concavo-convex structure in the pattern unit 301, it is preferably about 10 탆 or more, more preferably 50 탆 or more. From the viewpoint of the transferability of the barrier region 302 and the pattern portion 301, 100 m or more is preferable, and 1 mm or more is preferable, 3 mm or more is more preferable, and 5 mm or more is more preferable. The width of the barrier region 302 is preferably 30 mm or less and preferably 15 mm or less in order to prevent the transfer material solution divided by the strong stress on the barrier region 302 from moving toward the pattern portion 301 side Most preferably 8 mm or less.

도 23에 도시하는 주형(300)이, 주형 (I), (IV)에 상당하는 경우, 배리어 영역(302)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(301)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작다. 특히, 도공성을 보다 개선하기 위해, 배리어 영역(302)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 배리어 영역(302)의 내측, 즉 패턴부(301)측으로부터 외측에 걸쳐 연속적으로 감소하는 것이 바람직하다. 즉, 배리어 영역(302)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 구배를 갖는 것이 바람직하다. 한편, 전사용 주형 (II), (III)에 있어서는, 배리어 영역(302)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(301)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 크게 하는 것이 바람직하다. 특히, 도공성을 보다 개선하기 위해, 배리어 영역(302)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 배리어 영역(302)의 내측, 즉 패턴부(301)측으로부터 외측에 걸쳐 연속적으로 증가하는 것이 바람직하다. 즉, 배리어 영역(302)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 구배를 갖는 것이 바람직하다.23 corresponds to the templates I and IV, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 302 is larger than the average roughness factor Rf2 of the pattern portion 301 Rf1). Particularly, in order to further improve the coating property, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 302 preferably decreases continuously from the inside of the barrier region 302, that is, from the side of the pattern portion 301 to the outside Do. That is, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 302 preferably has a gradient. On the other hand, in the transfer molds (II) and (III), it is preferable that the average roughness factor Rf2 of the barrier region 302 is larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 301. [ Particularly, in order to further improve the coating property, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 302 preferably increases continuously from the inside of the barrier region 302, that is, from the side of the pattern portion 301 to the outside Do. That is, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 302 preferably has a gradient.

도 23에 도시하는 주형(300)에 있어서는, 미세 요철 구조를 갖는 패턴부(301)와, 미세 요철 구조를 갖지 않는 비패턴부(303)(도 23에서의 점 A-B 사이, 점 E-F 사이) 사이에, 패턴부(301)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)에 대하여, 상기 설명한 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 관계성을 만족하는 배리어 영역(302)을 배치하고 있다. 이에 따라, 미세 요철 구조를 갖지 않는 영역, 즉 비패턴부(303)와 패턴부(301) 사이의 러프니스 팩터(Rf)가 완만하게 변화되는 구조가 된다. 이 구조에 의해, 주형(300)을 원판(마스터 몰드)으로서 사용하여 전사 형성된 수지 몰드를, 피처리체에 대한 미세 요철 구조의 전사에 사용한 경우에, 도공액의 도공성이 양호해진다. 이것은, 도공액과 비패턴부(303)의 친화성이 이형성을 발현하는 범위에서 높은 경우에는, 도공액의 접촉각이 연속적으로 변화되고, 도공액에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화된다. 그 때문에, 전사용 주형 (III), (IV)를 사용함으로써, 도공액의 액적(액막) 내부의 응력 집중은 완화되어, 도공 불량 (1)을 억제하여 양호한 도공성을 유지할 수 있기 때문이다. 또한, 도공액과 비패턴부의 친화성이 낮은 경우에는, 배리어 영역(302) 상에서의 도공액에 가해지는 응력을 급격한 접촉각의 변화에 의해 크게 할 수 있다. 그 때문에, 전사용 주형 (I), (II)를 사용한 경우에는, 비패턴부 상에서 튄 도공액 액적은, 배리어 영역(302)을 타고 넘을 수 없어, 도공 불량 (2)를 억제하여 패턴부(301) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있기 때문이다. 또한, 주형(300)의 미세 요철 구조를, 광경화성 수지를 전사재로서 사용하여, 수지 몰드를 제작하는 경우에, 배리어 영역(302)에 의한 전사재 내부의 응력 완화 효과에 의해, 얻어진 경화된 광경화성 수지막 내부의 응력도 완화시킬 수 있어, 잔류 응력을 작게 할 수 있다.In the mold 300 shown in Fig. 23, a pattern portion 301 having a fine concavo-convex structure and a non-pattern portion 303 (between points AB and EF in Fig. 23) A barrier region 302 that satisfies the relationship of the above-described average roughness factor Rf2 with respect to the average roughness factor Rf1 of the pattern unit 301 is disposed. This results in a structure in which the roughness factor Rf between the non-patterned portion 303 and the patterned portion 301 is moderately changed. With this structure, when the mold 300 is used as an original plate (master mold) to transfer a resin mold formed thereon to transfer the fine concavo-convex structure to the object to be processed, the coating property of the coating liquid becomes good. This is because, when the affinity between the coating liquid and the non-patterned portion 303 is high in a range expressing the releasability, the contact angle of the coating liquid continuously changes, and the force F (?) Applied to the coating liquid continuously changes do. Therefore, by using the transfer molds (III) and (IV), the concentration of stress in the droplet (liquid film) of the coating liquid can be relaxed and the coating defects (1) can be suppressed to maintain good coatability. When the affinity between the coating liquid and the non-pattern portion is low, the stress applied to the coating liquid on the barrier region 302 can be increased by a change in abrupt contact angle. Therefore, when the transfer molds (I) and (II) are used, the coating liquid droplets splattering on the non-pattern portion can not pass over the barrier region 302, 301) can be satisfactorily maintained. In addition, when the resin mold is manufactured by using the photo-curable resin as the transfer material, the micro concavo-convex structure of the mold 300 can be obtained by the stress relaxation effect in the transfer material by the barrier region 302, The stress inside the photocurable resin film can be relaxed, and the residual stress can be reduced.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

도 24는, 제2 실시형태에 관한 전사용 주형을 도시하는 모식도이다. 도 24에 도시한 바와 같이, 이 전사용 주형(이하, 간단히 주형이라고 함)(310)은, 제1 실시형태에 관한 주형(300)으로부터 전사 형성되는 필름 주형, 즉, 릴형 수지 몰드이다. 즉, 제1 실시형태에 관한 주형(300)을, 본 실시형태에 관한 주형(310)에 미세 요철 구조의 전사를 위한 원판(마스터 몰드)으로서 사용하고 있다. 도 24에 도시한 바와 같이, 이 주형(310)은, 표면에 미세 요철 구조를 갖는 패턴부(311) 및 배리어 영역(312)을 구비한다. 또, 도 24에 있어서는, 상기 설명한 비패턴 배리어 영역이나, 비패턴 배리어 영역의 도중 끊김, 배리어 영역의 도중 끊김은 기재하고 있지 않지만, 이들을 포함하는 것으로 한다. 또한, 이하에 있어서, 패턴부(311)가 배리어 영역(312)에 끼워진다는 표현을 사용하는데, 이것도 상기 설명한 끼워짐의 정의를 적용하는 것으로 한다.Fig. 24 is a schematic diagram showing a mold for transfer according to the second embodiment. Fig. As shown in Fig. 24, this transfer mold (hereinafter, simply referred to as a mold) 310 is a film mold to be transferred from the mold 300 according to the first embodiment, that is, a reel-type resin mold. That is, the mold 300 according to the first embodiment is used as a master (mold) for transferring the fine concavo-convex structure to the mold 310 according to the present embodiment. As shown in Fig. 24, the mold 310 has a pattern portion 311 and a barrier region 312 having a fine uneven structure on the surface. 24 does not describe interruption of the non-patterned barrier region or the non-patterned barrier region, and interruption of the barrier region, as described above. In the following description, the expression that the pattern portion 311 is sandwiched in the barrier region 312 is used, and it is also assumed that the above-described definition of fit is applied.

도 24에 도시한 바와 같이, 패턴부(311)는, 배리어 영역(312)에 끼워진 상태로 배치되어 있다. 패턴부(311)와 배리어 영역(312)의 배치는, 다음과 같이 정의된다. 필름의 폭 방향으로 축을 취하고, 필름의 일단부와 타단부의 중심을 점 O로 한다. 이 축 상에서 주형(310)에서의 각 위치를 설명한다. 또, 패턴부(311) 및 배리어 영역(312)이 갖는 미세 요철 구조는, 필름의 폭 방향의 축과 수직인 방향으로도 형성되어 있다.As shown in Fig. 24, the pattern portion 311 is disposed so as to be sandwiched by the barrier region 312. As shown in Fig. The arrangement of the pattern unit 311 and the barrier region 312 is defined as follows. An axis is taken in the width direction of the film, and the center of the one end and the other end of the film is taken as a point O. The respective positions of the mold 310 on this axis will be described. The fine uneven structure of the pattern portion 311 and the barrier region 312 is also formed in a direction perpendicular to the widthwise axis of the film.

점 A 및 점 F는, 주형(310)을 구성하는 필름의 에지부이다. 패턴부(311)는, 점 C와 점 D 사이에 존재한다. 점 C와 점 D 사이에 점 O가 존재한다. 필름에 대한 전사성 및, 주형(310)에 대한 전사재의 직접 도공성의 관점에서, 점 C와 점 D의 중점이, 점 O인 것이 바람직하다(거리 CO=거리 DO). 배리어 영역(312)은, 점 B와 점 C 사이, 및 점 D와 점 E 사이에 존재한다. 점 C와 점 O의 거리는, 점 B와 점 O의 거리보다 작다(거리 CO<거리 BO). 점 D와 점 O의 거리는, 점 E와 점 O의 거리보다 작다(거리 DO<거리 EO). 점 B와 점 E의 중점이, 점 O여도 좋다(거리 BO=거리 EO).Point A and point F are the edge portions of the film constituting the mold 310. The pattern portion 311 exists between the point C and the point D. There is a point O between point C and point D. From the viewpoint of the transferability to the film and the direct coating property of the transfer material to the mold 310, it is preferable that the midpoint between the point C and the point D be a point O (distance CO = distance DO). Barrier region 312 exists between point B and point C and between point D and point E. [ The distance between point C and point O is less than the distance between point B and point O (distance CO <distance BO). The distance between point D and point O is less than the distance between point E and point O (distance DO <distance EO). The midpoint between point B and point E may be a point O (distance BO = distance EO).

필름의 에지부를 나타내는 점 A, F와, 배리어 영역(312)의 외측 단부를 나타내는 점 B, E는, 점 A=점 B, 점 E=점 F의 양방, 또는 어느 일방의 관계를 만족하고 있어도 좋다. 점 A=점 B, 또한 점 E=점 F의 경우에는, 필름의 표면 전면이 미세 요철 구조를 구비하게 된다. 그러나, 제1 실시형태의 주형(300)으로부터 제2 실시형태의 주형(310)을 구성하는 필름으로 미세 요철 구조를 전사할 때, 및 제2 실시형태의 주형(310)의 미세 요철 구조면 상에 전사재를 도공하고, 피처리체 상으로 전사할 때에, 에지부에 가까운 부분의 미세 요철 구조를 전사하는 것은 곤란하다. 따라서, 스루풋성의 관점에서, 점 A≠점 B, 또한 점 E≠점 F인 것이 바람직하다.The points A and F representing the edge portion of the film and the points B and E representing the outer end portion of the barrier region 312 satisfy the relationship of both of the point A and the point F, good. In the case of point A = point B and point E = point F, the surface front surface of the film is provided with a fine concave-convex structure. However, when transferring the micro concavo-convex structure from the mold 300 of the first embodiment to the film constituting the mold 310 of the second embodiment, and when transferring the micro concavo-convex structure onto the microstructure of the mold 310 of the second embodiment It is difficult to transfer the fine concavo-convex structure at the portion close to the edge portion when transferring the transfer material onto the object to be processed. Therefore, from the viewpoint of throughput, it is preferable that the point A ≠ the point B and the point E ≠ the point F.

배리어 영역(312)의 크기(거리 BC, 거리 DE)는, 필요한 면적의 패턴부(311)를 얻을 수 있는 것이면, 필름에 대한 직접 도공성의 관점에서 클수록 바람직하다. 사용하는 용액의 점도나, 패턴부(311)에서의 미세 요철 구조의 형상에 따라서도 변하지만, 대략 10 ㎛ 이상이 바람직하고, 50 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 특히, 주형(310)을 사용할 때에 발생하는 웹의 진동이나 휨에 대해서도 배리어 영역(312)의 효과를 발휘하는 관점에서, 100 ㎛ 이상이 바람직하고, 1 mm 이상인 것이 바람직하고, 3 mm 이상이 보다 바람직하고, 5 mm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 배리어 영역(312) 상에서 강한 응력에 의해 분열된 전사재 도공액이 패턴부(311)측으로 이동하는 것을 억제하기 위해, 배리어 영역(312)의 폭은, 30 mm 이하가 바람직하고, 15 mm 이하가 바람직하고, 8 mm 이하가 가장 바람직하다.The size (distance BC, distance DE) of the barrier region 312 is preferably as large as possible from the viewpoint of direct coating on the film, as long as the pattern portion 311 having a required area can be obtained. Although it varies depending on the viscosity of the solution used and the shape of the fine concavo-convex structure in the pattern portion 311, it is preferably about 10 탆 or more, more preferably 50 탆 or more. Particularly, from the viewpoint of exerting the effect of the barrier region 312 against the vibration and the warping of the web that occurs when the mold 310 is used, it is preferably 100 占 퐉 or more, more preferably 1 mm or more, More preferably 5 mm or more. The width of the barrier region 312 is preferably 30 mm or less and preferably 15 mm or less in order to prevent the transfer material solution divided by the strong stress on the barrier region 312 from moving toward the pattern portion 311 side Most preferably 8 mm or less.

본 실시형태에 관한 주형(310)에 있어서, 주형 (I), (IV)에 있어서는, 배리어 영역(312)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(311)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작게 하는 것이 바람직하다. 특히, 도공성을 보다 개선하기 위해, 배리어 영역(312)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 배리어 영역(312)의 내측, 즉 패턴부(311)측으로부터 외측에 걸쳐 연속적으로 감소하는, 즉 구배를 갖는 것이 바람직하다. 한편, 전사용 주형 (II), (III)에 있어서는, 배리어 영역(12)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(311)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 크게 하는 것이 바람직하다. 특히, 도공성을 보다 개선하기 위해, 배리어 영역(312)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 배리어 영역(312)의 내측, 즉 패턴부(311)측으로부터 외측에 걸쳐 연속적으로 증가하는 것이 바람직하다. 즉, 배리어 영역(312)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 구배를 갖는 것이 바람직하다.The average roughness factor Rf2 of the barrier region 312 in the molds I and IV in the mold 310 according to the present embodiment is smaller than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 311 ). Particularly, in order to further improve the coating property, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 312 is continuously decreased from the inside of the barrier region 312, that is, from the side of the pattern portion 311 to the outside, that is, It is preferable to have a gradient. On the other hand, in the transfer molds (II) and (III), the average roughness factor Rf2 of the barrier region 12 is preferably larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 311. [ Particularly, in order to further improve the coating property, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 312 preferably increases continuously from the inside of the barrier region 312, that is, from the side of the pattern portion 311 to the outside Do. That is, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 312 preferably has a gradient.

본 실시형태에 관한 주형(310)에 있어서는, 미세 요철 구조를 갖는 패턴부(311)와, 미세 요철 구조를 갖지 않는 비패턴부(313)(도 24에서의 점 A-B 사이, 점 E-F 사이) 사이에, 패턴부(311)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)에 대하여, 상기 설명한 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 관계성을 만족하는 배리어 영역(312)을 배치함으로써, 비패턴부(313)와 패턴부(311) 사이의 러프니스 팩터(Rf)가 완만하게 변화되는 구조가 된다. 도공액과 비패턴부(313)의 친화성이 이형성을 발현하는 범위에서 높은 경우에는, 도공액의 접촉각이 연속적으로 변화되고, 도공액에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화된다. 그 때문에, 전사용 주형 (III), (IV)를 사용함으로써, 도공액의 액적(액막) 내부의 응력 집중은 완화되어, 도공 불량 (1)을 억제하여 양호한 도공성을 유지할 수 있다. 또한, 도공액과 비패턴부(313)의 친화성이 낮은 경우에는, 배리어 영역(312)에서의 도공액에 가해지는 응력을 급격한 접촉각의 변화에 의해 크게 할 수 있다. 그 때문에, 주형 (I), (II)를 사용함으로써, 비패턴부(313) 상에서 튀어 액적화된 도공액은, 배리어 영역(312)을 타고 넘을 수 없어, 도공 불량 (2)를 억제하여 패턴부(311) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있다. 따라서, 전사재의 도공성이 양호한 주형(310)을 제공하는 것이 가능해진다.In the mold 310 according to the present embodiment, the pattern portion 311 having a fine concavo-convex structure and the non-pattern portion 313 (between the points AB and EF in Fig. 24) The barrier region 312 that satisfies the relation of the above-described average roughness factor Rf2 to the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 311 is disposed in the pattern portion 311, And the roughness factor Rf between the portions 311 is gradually changed. When the affinity between the coating liquid and the non-patterned portion 313 is high in a range expressing the releasability, the contact angle of the coating liquid continuously changes and the force F (?) Applied to the coating liquid continuously changes. Therefore, by using the transfer molds (III) and (IV), the concentration of stress in the droplet (liquid film) of the coating liquid can be relaxed and the coating defective (1) can be suppressed to maintain good coatability. When the affinity between the coating liquid and the non-patterned portion 313 is low, the stress applied to the coating liquid in the barrier region 312 can be increased by a change in abrupt contact angle. Therefore, by using the molds (I) and (II), the coating liquid ejected on the non-patterned portion 313 can not pass over the barrier region 312, It is possible to maintain a good coatability on the portion 311. Therefore, it becomes possible to provide the mold 310 having good coatability of the transferring material.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

도 25는, 제3 실시형태에 관한 전사용 주형을 도시하는 모식도이다. 도 25에 도시한 바와 같이, 이 주형(320)은, 원반 형상의 평판 주형이다.25 is a schematic diagram showing a transfer mold according to the third embodiment. As shown in Fig. 25, this mold 320 is a disk-shaped flat plate.

또, 이 주형(320)을 원판(마스터 몰드)으로 하여, 주형(320)으로부터 전사 형성된 수지 평판 주형(필름형 수지 몰드)도, 주형(320)과 동일한 구성이 된다. 주형(320)은, 표면에 미세 요철 구조를 갖는 패턴부(321) 및 배리어 영역(322)을 구비한다. 또, 도 25에 있어서는, 상기 설명한 비패턴 배리어 영역이나, 비패턴 배리어 영역의 도중 끊김, 배리어 영역의 도중 끊김은 기재하고 있지 않지만, 이들을 포함하는 것으로 한다. 또한, 이하에 있어서, 패턴부(321)가 배리어 영역(322)에 둘러싸인다는 표현을 사용하는데, 이것도 상기 설명한 둘러싸임의 정의를 적용하는 것으로 한다.The resin plate mold (film mold resin mold) transferred from the mold 320 also has the same structure as the mold 320 using the mold 320 as a master (master mold). The mold 320 has a pattern portion 321 and a barrier region 322 having a fine uneven structure on the surface. In Fig. 25, it is assumed that the non-pattern barrier region and the non-pattern barrier region described above are cut off and the barrier region is cut off. In the following description, the expression that the pattern portion 321 is surrounded by the barrier region 322 is used. It is also assumed that the above-described arbitrary definition is applied.

도 25에 도시한 바와 같이, 패턴부(321)는, 배리어 영역(322)에 둘러싸인 상태로 배치되어 있다. 패턴부(321)와 배리어 영역(322)의 배치는 다음과 같이 정의된다. 주형(320)을 구성하는 평판의 중심을 점 O로 한다. 이 점 O를 통과하는 직선에 대하여, 패턴부(321) 및 배리어 영역(322)은 각각 점대칭으로 존재한다. 이하의 설명에서는, 점 O를 시점으로 하는 하나의 선분을 생각한다. 이 선분 상에서 주형(320)에서의 각 위치를 설명한다.As shown in FIG. 25, the pattern portion 321 is arranged in a state surrounded by the barrier region 322. The arrangement of the pattern portion 321 and the barrier region 322 is defined as follows. The center of the flat plate constituting the mold 320 is represented by a point O. Fig. The pattern portion 321 and the barrier region 322 exist in point symmetry with respect to a straight line passing through this point O. [ In the following description, a line segment having a point O as a starting point is considered. The respective positions in the template 320 on this segment will be described.

이 선분에 있어서, 점 C는, 주형(320)을 구성하는 평판의 에지부이다. 패턴부(321)는, 점 O를 중심으로 하고, 선분 OA를 반경으로 하는 원의 내측에 존재한다. 배리어 영역(322)은, 선분 OA를 반경으로 하는 원보다 외측으로서, 점 O를 중심으로 하고, 선분 OB를 반경으로 하는 원의 내측에 존재한다. 즉, 배리어 영역(322)은, 대반경=선분 OB, 소반경=선분 OA로 나타내어지는 원고리 형상을 갖는다. 선분 OA는, 선분 OB보다 짧다(거리 OA<거리 OB). 또한, 평판의 에지부를 나타내는 점 C와, 배리어 영역(322)의 외측 단부를 나타내는 점 B는, 점 C=점 B의 관계를 만족하고 있어도 좋다. 이 경우에는, 평판의 표면 전면이 미세 요철 구조를 구비하게 된다.In this line segment, the point C is the edge portion of the flat plate constituting the mold 320. The pattern portion 321 is located inside the circle centered on the point O and having the radius of the line segment OA. The barrier region 322 is located inside a circle whose radius is the line segment OB, with the point O as the center, outside the circle whose radius is the line segment OA. That is, the barrier region 322 has an annular shape represented by a large radius = a line segment OB and a small radius = a line segment OA. The line OA is shorter than the line OB (distance OA <distance OB). The point C representing the edge of the flat plate and the point B representing the outer edge of the barrier region 322 may satisfy the relationship of point C = point B. In this case, the entire surface of the flat plate is provided with a fine uneven structure.

배리어 영역(322)의 크기는, 필요한 면적의 패턴부(321)를 얻을 수 있는 것이면, 평판에 대한 직접 도공성의 관점에서 클수록 바람직하다. 사용하는 용액의 점도나, 패턴부(321)에서의 미세 요철 구조의 형상에 따라서도 변하지만, 점 A와 점 B의 거리는, 대략 10 ㎛ 이상이 바람직하고, 50 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 특히, 주형(320)에 대하여 도공액을 도공할 때의 주형의 진동 등에 대해서도 양호하게 배리어 영역(322)의 효과를 발휘하는 관점에서, 100 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 1 mm 이상인 것이 바람직하고, 3 mm 이상이 보다 바람직하고, 5 mm 이상인 것이 더욱 바람직하다. 배리어 영역(322) 상에서 강한 응력에 의해 분열된 전사재 도공액이 패턴부(321)측으로 이동하는 것을 억제하기 위해, 배리어 영역(322)의 폭은, 30 mm 이하가 바람직하고, 15 mm 이하가 바람직하고, 8 mm 이하가 가장 바람직하다.The size of the barrier region 322 is preferably as large as possible from the viewpoint of direct coating on the flat plate, as long as the pattern portion 321 having a required area can be obtained. Although the viscosity of the solution used varies depending on the shape of the fine uneven structure in the pattern portion 321, the distance between the point A and the point B is preferably about 10 mu m or more, more preferably 50 mu m or more. Particularly, from the viewpoint of exerting the effect of the barrier region 322 in favor of the vibration of the mold and the like when the coating liquid is applied to the mold 320, it is preferably 100 탆 or more, more preferably 1 mm or more, mm or more, and more preferably 5 mm or more. The width of the barrier region 322 is preferably 30 mm or less and preferably 15 mm or less in order to prevent the transfer material solution divided by the strong stress on the barrier region 322 from moving toward the pattern portion 321 side Most preferably 8 mm or less.

주형(320)에 있어서, 주형 (I), (IV)에 있어서는, 배리어 영역(322)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(321)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 작게 하는 것이 바람직하다. 특히, 도공성을 보다 개선하기 위해, 배리어 영역(322)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 배리어 영역(322)의 내측, 즉 패턴부(321)측으로부터 외측에 걸쳐 연속적으로 감소하는, 즉 구배를 갖는 것이 바람직하다. 주형 (II), (III)에 있어서는, 배리어 영역(322)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부(321)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)보다 크게 하는 것이 바람직하다. 특히, 도공성을 보다 개선하기 위해, 배리어 영역(322)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 배리어 영역(322)의 내측, 즉 패턴부(321)측으로부터 외측에 걸쳐 연속적으로 증가하는 것이 바람직하다. 즉, 배리어 영역(322)의 평균 러프니스 팩터(Rf2)는, 구배를 갖는 것이 바람직하다.In the molds (I) and (IV), the average roughness factor Rf2 of the barrier region 322 in the mold 320 is set to be smaller than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 321 desirable. Particularly, in order to further improve the coating property, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 322 is continuously decreased from the inside of the barrier region 322, that is, from the side of the pattern portion 321 to the outside, that is, It is preferable to have a gradient. It is preferable that the average roughness factor Rf2 of the barrier region 322 is larger than the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 321 in the molds II and III. Particularly, in order to further improve the coating property, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 322 preferably increases continuously from the inside of the barrier region 322, that is, from the side of the pattern portion 321 to the outside Do. That is, the average roughness factor Rf2 of the barrier region 322 preferably has a gradient.

주형(320)에 있어서는, 미세 요철 구조를 갖는 패턴부(321)와, 미세 요철 구조를 갖지 않는 비패턴 영역(323)(도 25에서의 대반경=선분 OC, 소반경=선분 OB로 나타내어지는 원고리 형상 영역) 사이에, 패턴부(321)의 평균 러프니스 팩터(Rf1)에 대하여, 상기 설명한 평균 러프니스 팩터(Rf2)의 관계성을 만족하는 배리어 영역(322)을 배치함으로써, 비패턴부(323)와 패턴부(321) 사이의 러프니스 팩터(Rf)가 완만하게 변화되는 구조가 된다. 이 구조에 의해, 도공액과 비패턴부(323)의 친화성이 이형성을 발현하는 범위에서 높은 경우에는, 도공액의 접촉각이 연속적으로 변화되고, 도공액에 걸리는 힘(F(θ))도 연속적으로 변화된다. 그 때문에, 전사용 주형 (III), (IV)를 사용함으로써 도공액의 액적(액막) 내부의 응력 집중은 완화되어, 도공 불량 (1)을 억제하여 양호한 도공성을 유지할 수 있다. 또한, 도공액과 비패턴부(323)의 친화성이 낮은 경우에는, 배리어 영역(322) 상에서의 도공액에 가해지는 응력을 급격한 접촉각의 변화에 의해 크게 할 수 있다. 그 때문에, 주형 (I), (II)를 사용함으로써, 비패턴부(323) 상에서 튄 도공액 액적은, 배리어 영역(322)을 타고 넘을 수 없어, 도공 불량 (2)를 억제하여 패턴부(321) 상의 도공성을 양호하게 유지할 수 있다. 따라서, 전사재의 도공성이 양호한 주형(320)을 제공하는 것이 가능해진다.In the mold 320, a pattern portion 321 having a fine concavo-convex structure and a non-patterned region 323 having no fine concavo-convex structure (a large radius in FIG. 25 = a line segment OC, a small radius = By arranging the barrier region 322 satisfying the relationship of the above-described average roughness factor Rf2 with respect to the average roughness factor Rf1 of the pattern portion 321 between the non-patterned regions The roughness factor Rf between the portion 323 and the pattern portion 321 is gently changed. With this structure, when the affinity between the coating liquid and the non-patterned portion 323 is high in a range in which the releasability is exhibited, the contact angle of the coating liquid continuously changes and the force F (?) And is continuously changed. Therefore, by using the transfer molds (III) and (IV), the stress concentration in the droplet (liquid film) of the coating liquid can be relaxed and the coating poorness (1) can be suppressed to maintain good coatability. When the affinity between the coating liquid and the non-patterned portion 323 is low, the stress applied to the coating liquid on the barrier region 322 can be increased by a sudden change in the contact angle. Therefore, by using the molds (I) and (II), the coating liquid droplets splattering on the non-pattern portion 323 can not pass over the barrier region 322, 321 can be satisfactorily maintained. Therefore, it becomes possible to provide the mold 320 having a good coating property of the transferring material.

또한, 주형(320)에 있어서는, 평판형 기재에 대한 패턴부(321)의 제조 방법상, 점 O를 중심으로 하여 반경 OA보다 작은 원의 내측에 비패턴부가 형성되는 경우가 있다. 이 경우, 상기 비패턴부의 주위를 둘러싸는 배리어 영역을 별도 형성함으로써, 주형(320)에 대한 도공성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 설명에 있어서는 도 25에 도시된 바와 같이 평판형 기재 표면에 외형이 원형인 패턴부를 대표했지만, 평판형 기재에 대한 패턴부의 제조 방법으로서 스테퍼를 사용한 미세 가공 방법을 채용한 경우, 패턴부의 외형은 원형으로는 되지 않는다. 특히, 스테퍼를 채용한 경우, 패턴부의 윤곽은 계단형의 스텝을 갖는 형상이 된다. 이 경우, 그 주위를 둘러싸도록 배리어 영역을 형성하면 된다.In the mold 320, the non-pattern portion may be formed on the inner side of the circle smaller than the radius OA around the point O in the manufacturing method of the pattern portion 321 with respect to the flat substrate. In this case, by separately forming a barrier region surrounding the non-pattern portion, the coating property to the mold 320 can be improved. In the above description, a pattern portion having a circular outer shape on the surface of a flat substrate as shown in Fig. 25 has been described. However, when a fine processing method using a stepper is employed as a method of manufacturing a pattern portion for a flat substrate, The outline is not circular. Particularly, in the case of adopting a stepper, the contour of the pattern portion becomes a shape having a stepped step. In this case, the barrier region may be formed so as to surround the periphery thereof.

다음으로, 본 발명의 실시형태에 관한 전사용 주형을 구성하는 재질에 관해 설명한다.Next, materials constituting the transfer mold according to the embodiment of the present invention will be described.

마스터 몰드를 구성하는 원통형 또는 원기둥형의 기재 또는 평판의 기재는, 표면에 대한 미세 가공의 관점에서, 합성 석영이나 용융 석영으로 대표되는 석영, 무알칼리 유리, 저알칼리 유리, 소다석회 유리로 대표되는 유리, 실리콘 웨이퍼, 니켈판, 사파이어, 다이아몬드, 다이아몬드형 카본, 불소 함유 다이아몬드형 카본 등으로 대표되는 무기 재료나, SiC 기판이나 운모 기판, 폴리카보네이트(PC) 기판 등을 들 수 있다.The base material of a cylindrical or cylindrical base material or a flat base material constituting the master mold is preferably a quartz, an alkali-free glass, a low-alkali glass or a soda-lime glass represented by synthetic quartz or fused quartz Inorganic materials typified by glass, silicon wafer, nickel plate, sapphire, diamond, diamond-like carbon, fluorine-containing diamond-like carbon, SiC substrate, mica substrate and polycarbonate (PC) substrate.

한편, 원통형 또는 원기둥형의 원판(마스터 몰드)으로부터의 전사에 의해 얻어지는 수지 몰드의 재질로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 광경화성 수지 또는 졸겔 재료 등의 경화물을 들 수 있다. 이들 재질만으로 미세 요철 구조를 형성하거나 또는 지지 기재 상에 이들 재질로 구성되는 미세 요철 구조가 형성된다.On the other hand, as a material of the resin mold obtained by transferring from a cylindrical or cylindrical disk (master mold), a cured product such as a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a photo-curable resin, or a sol-gel material can be mentioned. A fine concavo-convex structure is formed only from these materials, or a fine concavo-convex structure composed of these materials is formed on the supporting substrate.

지지 기재로서 지지 필름을 이용한 경우에는, 이 지지 필름의 표면에 형성된 표면에 미세 요철 구조를 갖는 열경화성 수지, 광경화성 수지 또는 졸겔 재료 등의 경화물로부터 수지 몰드가 구성된다. 이형성의 관점에서, 이 수지 몰드의 미세 요철 구조 상에 이형층을 형성하거나, 또는, 미세 요철 구조가 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 이루어지는 수지, 메틸기를 포함하는 수지 또는 불소 함유 수지로 구성되어 있는 것이 바람직하다.When a support film is used as the support substrate, a resin mold is formed from a cured product such as a thermosetting resin, a photo-curing resin, or a sol-gel material having a fine uneven structure on the surface formed on the surface of the support film. From the viewpoint of releasability, it is preferable that a release layer is formed on the fine uneven structure of the resin mold, or that the fine uneven structure is composed of a resin composed of polydimethylsiloxane (PDMS), a resin containing a methyl group or a fluorine- desirable.

이형층의 두께는, 전사 정밀도의 관점에서 30 nm 이하인 것이 바람직하고, 단분자층 이상의 두께인 것이 바람직하다. 이형성의 관점에서, 이형층의 두께는, 2 nm 이상인 것이 보다 바람직하고, 전사 정밀도의 관점에서 20 nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 이형층을 구성하는 재료는, 전사 재료에 따라 적절하게 선정하면 되고, 한정되지 않는다.The thickness of the release layer is preferably 30 nm or less from the viewpoint of transfer precision, and is preferably a thickness of a monolayer or more. From the viewpoint of releasability, the thickness of the release layer is more preferably 2 nm or more, and more preferably 20 nm or less from the viewpoint of transfer accuracy. The material constituting the release layer may be appropriately selected depending on the transfer material, and is not limited.

공지 시판되는 것으로는, 예컨대, 조닐 TC 코트(듀퐁사 제조), 사이톱 CTL-107M(아사히 가라스사 제조), 사이톱 CTL-107A(아사히 가라스사 제조), 노벡 EGC-1720(3M사 제조), 오프툴 DSX(다이킨 공업사 제조), 오프툴 DACHP(다이킨 공업사 제조), 듀라서프 HD-2101Z(다이킨 공업사 제조), 듀라서프 HD2100(다이킨 공업사 제조), 듀라서프 HD-1101Z(다이킨 공업사 제조), 네오스사 제조의 「후타젠트」(예컨대, M 시리즈: 후타젠트 251, 후타젠트 215M, 후타젠트 250, FTX-245M, FTX-290M; S 시리즈: FTX-207S, FTX-211S, FTX-220S, FTX-230S; F 시리즈: FTX-209F, FTX-213F, 후타젠트 222F, FTX-233F, 후타젠트 245F; G 시리즈: 후타젠트 208G, FTX-218G, FTX-230G, FTS-240G; 올리고머 시리즈: 후타젠트 730FM, 후타젠트 730LM; 후타젠트 P 시리즈; 후타젠트 710FL; FTX-710HL 등), DIC사 제조의 「메가팍」(예컨대, F-114, F-410, F-493, F-494, F-443, F-444, F-445, F-470, F-471, F-474, F-475, F-477, F-479, F-480SF, F-482, F-483, F-489, F-172D, F-178K, F-178RM, MCF-350SF 등), 다이킨사 제조의 「오프툴 TM」(예컨대, DSX, DAC, AES), 「에프톤 TM」(예컨대, AT-100), 「젯플 TM」(예컨대, GH-701), 「유니다인 TM」, 「다이프리 TM」, 「오프토에스 TM」, 스미토모 쓰리엠사 제조 「노벡 EGC-1720」, 플로로테크놀러지사 제조 「플로로서프」등, 실리콘계 수지(디메틸실리콘계 오일 KF96(신에츠 실리콘사 제조), 변성 실리콘의 시판품으로는, 구체적으로는 TSF4421(GE 도시바 실리콘사 제조), XF42-334(GE 도시바 실리콘사 제조), XF42-B3629(GE 도시바 실리콘사 제조), XF42-A3161(GE 도시바 실리콘사 제조), FZ-3720(토오레·다우코닝사 제조), BY16-839(토오레·다우코닝사 제조), SF8411(토오레·다우코닝사 제조), FZ-3736(토오레·다우코닝사 제조), BY16-876(토오레·다우코닝사 제조), SF8421(토오레·다우코닝사 제조), SF8416(토오레·다우코닝사 제조), SH203(토오레·다우코닝사 제조), SH230(토오레·다우코닝사 제조), SH510(토오레·다우코닝사 제조), SH550(토오레·다우코닝사 제조), SH710(토오레·다우코닝사 제조), SF8419(토오레·다우코닝사 제조), SF8422(토오레·다우코닝사 제조), BY16 시리즈(토오레·다우코닝사 제조), FZ3785(토오레·다우코닝사 제조), KF-410(신에츠 화학 공업사 제조), KF-412(신에츠 화학 공업사 제조), KF-413(신에츠 화학 공업사 제조), KF-414(신에츠 화학 공업사 제조), KF-415(신에츠 화학 공업사 제조), KF-351A(신에츠 화학 공업사 제조), KF-4003(신에츠 화학 공업사 제조), KF-4701(신에츠 화학 공업사 제조), KF-4917(신에츠 화학 공업사 제조), KF-7235B(신에츠 화학 공업사 제조), KR213(신에츠 화학 공업사 제조), KR500(신에츠 화학 공업사 제조), KF-9701(신에츠 화학 공업사 제조), X21-5841(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-2000(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-3710(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-7322(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-1877(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-2516(신에츠 화학 공업사 제조), PAM-E(신에츠 화학 공업사 제조)), 알칸계 수지(알킬계 단분자막을 형성하는 SAMLAY 등)를 들 수 있다.(Manufactured by Du Pont), CYTOTH CTL-107M (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), CYTOTH CTL-107A (manufactured by Asahi Kagaku Co., Ltd.), Novec EGC-1720 (manufactured by 3M Co.) (Manufactured by Daikin Industries, Ltd.), an off-tool DSX (manufactured by Daikin Industries Ltd.), an off-tool DACHP (manufactured by Daikin Industries Ltd.), a DuraSurf HD-2101Z FTX-207S, FTX-211S, and FTX-290M manufactured by NEOS Corporation (e.g., M series: Futagent 251, Futagent 215M, Futagent 250, FTX- FTX-220G, FTX-220G, FTX-220G, FTX-220S, FTX-230S, F series: FTX-209F, FTX-213F, Futagent 222F, FTX-233F, Futagent 245F; (E.g., F-114, F-410, F-493, F (trade name), manufactured by DIC Corporation), oligomer series: Futagent 730FM, Futagent 730LM; Futagent P series; Futagent 710FL; FTX- -494, F-443, F-444 , F-445, F-470, F-471, F-474, F-475, F-477, F-479, F-480SF, F-482, F- (E.g., DSX, DAC, AES), "Eftone TM" (for example, AT-100), "JetFlt TM" "Nobeda EGC-1720" manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd., "Florosurf" manufactured by Flow Technology Co., Ltd., etc., (Commercially available from GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), XF42-334 (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), XF42-B3629 (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), and silicone resin (dimethylsilicone oil KF96 FZ-3720 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), BY16-839 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), SF8411 (manufactured by Toray Dow Corning Toray Co., Ltd.), FZ -3736 (manufactured by Toray · Dow Corning), BY16-876 (manufactured by Toray · Dow Corning) (Dow Corning Toray Co., Ltd.), SH230 (Dow Corning Toray Co., Ltd.), SH510 (Toray Dow Corning Toray Co., Ltd.), SF8421 (Toray Dow Corning Toray Co., (Manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), SF8422 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), SF8422 (manufactured by Toray Dow Corning Toray Co., Ltd.), BY16 series (manufactured by Toray Dow Corning Toray Co., (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KF-413 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KF-413 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KF-415 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KF-351A , KF-7235B (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KR213 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KR500 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-732 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-7322 Based monomers), X-22-1877 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-2516 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), PAM- Etc.).

특히, 이형층을 구성하는 재료는, 메틸기를 포함하는 재료, 실리콘을 포함하는 재료 또는 불소를 포함하는 재료인 것이 이형성의 관점에서 바람직하다. 특히, 실란 커플링제 또는 PDMS로 대표되는 실리콘계 수지이면, 이형층의 막두께를 용이하게 얇게 할 수 있으며, 또한, 전사 정밀도를 유지할 수 있기 때문에 바람직하다. 이형층에 사용되는 재료는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 복수를 동시에 사용해도 좋다. 또한, 이형층을 구성하는 재료는, 물에 대한 접촉각이 90도 이상인 것이 바람직하다. 여기서 접촉각이란, 이형층을 구성하는 재료를 이용하여 베타막(미세 패턴이 없는 막)을 제작했을 때의 접촉각을 의미한다.In particular, the material constituting the release layer is preferably a material containing a methyl group, a material containing silicon, or a material containing fluorine from the viewpoint of releasability. Particularly, a silicone resin represented by a silane coupling agent or PDMS is preferable because the thickness of the release layer can be easily reduced and the transfer precision can be maintained. As the material used for the release layer, one kind may be used alone, or a plurality of materials may be used at the same time. The material constituting the release layer preferably has a contact angle to water of 90 degrees or more. Here, the contact angle means a contact angle when a beta film (film having no fine pattern) is produced by using the material constituting the release layer.

또한, 수지 몰드의 미세 요철 구조 상에, 금속층, 금속 산화물층 또는 금속과 금속 산화물로 이루어지는 층(이하, 간단히 금속층이라고 함)을 형성해도 좋다. 이들 층을 미리 형성함으로써, 전술한 이형층을 형성했을 때에, 한층 더 이형성 및 전사 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 금속으로는, 예컨대, 크롬, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈, 금, 플래티늄을 들 수 있다. 금속 산화물로는, 예컨대, 상기 금속의 산화물 외에, SiO2, ZnO, Al2O3, ZrO2, CaO, SnO2를 들 수 있다. 또한, 실리콘 카바이드, 다이아몬드형 카본이나 불소 함유 다이아몬드형 카본 등도 사용할 수 있다. 이들의 혼합물을 사용해도 좋다. 또, 금속으로는, 전사 정밀도의 관점에서 Cr이 바람직하고, 금속 산화물로는, SiO2, Al2O3, ZrO2, ZnO가 바람직하다.Further, a metal layer, a metal oxide layer, or a layer composed of a metal and a metal oxide (hereinafter, simply referred to as a metal layer) may be formed on the fine uneven structure of the resin mold. By previously forming these layers, it is preferable that the releasing property and the transfer accuracy are further improved when the above-mentioned release layer is formed. Examples of the metal include chromium, aluminum, tungsten, molybdenum, nickel, gold, and platinum. Examples of the metal oxide include SiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , ZrO 2 , CaO, and SnO 2 in addition to the above-mentioned metal oxide. Further, silicon carbide, diamond type carbon, fluorine-containing diamond type carbon, and the like can also be used. Mixtures of these may also be used. As the metal, Cr is preferable from the viewpoint of transfer precision, and as the metal oxide, SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 and ZnO are preferable.

금속층은, 단층이어도 좋고 다층이어도 좋다. 특히, 최표면에 형성하는 금속층과 몰드의 미세 요철 구조의 밀착성이 나쁜 경우 등에는, 몰드의 미세 요철 구조 상에 제1 금속층을 형성하고, 또한 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하면 된다. 마찬가지로, 밀착성이나 대전성의 개선을 위해, 제N 금속층 상에, 제N+1 금속층을 형성할 수 있다. 층수로는, 전사 정밀도의 관점에서, N≤4가 바람직하고, N≤2가 보다 바람직하고, N≤1이 보다 바람직하다. 예컨대, N=2의 경우, 미세 요철 구조 표면에 SiO2로 이루어지는 제1 금속층을 형성하고, 제1 금속층 상에 Cr으로 이루어지는 제2 금속층을 형성할 수 있다. 또한, 금속층을 구성하는 금속으로는 전사 정밀도의 관점에서, Cr이 바람직하고, 금속 산화물로는, SiO2, Al2O3, ZrO2, ZnO가 바람직하다.The metal layer may be a single layer or multiple layers. In particular, when the adhesion between the metal layer formed on the outermost surface and the micro concavo-convex structure of the mold is poor, a first metal layer may be formed on the micro concavo-convex structure of the mold and a second metal layer may be formed on the first metal layer. Likewise, an (N + 1) th metal layer may be formed on the Nth metal layer in order to improve adhesion and chargeability. The number of layers is preferably N? 4, more preferably N? 2, and even more preferably N? 1, from the viewpoint of transfer precision. For example, when N = 2, a first metal layer made of SiO 2 may be formed on the surface of the fine uneven structure and a second metal layer made of Cr on the first metal layer. As the metal constituting the metal layer, Cr is preferable from the viewpoint of transfer precision, and SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 and ZnO are preferable as metal oxides.

전술한 이형층은, 수지 몰드의 미세 요철 구조 상에 직접 형성해도 좋고, 금속층 상에 형성해도 좋다.The above-described release layer may be formed directly on the fine uneven structure of the resin mold, or may be formed on the metal layer.

특히, 수지 몰드의, 미세 요철 구조를 형성하는 재료로는, 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 이루어지는 수지, 메틸기를 포함하는 수지 또는 불소 함유 수지 중 어느 것으로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 특히, 불소 함유 수지로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 불소 함유 수지는, 불소 원소를 함유하고 있으며, 또한, 물에 대한 접촉각이 90도보다 크면 특별히 한정되지 않는다. 수지 몰드는, 표면에 미세 요철 구조를 구비한 자립성이 있는 수지층만, 또는, 표면에 미세 요철 구조를 구비한 수지층이, 지지 기재 상에 성형된 형상이 바람직하다. 특히, 몰드를 사용할 때의 핸들링의 관점에서, 지지 기재 상에 수지층이 성형된 형상이 바람직하다.Particularly, as the material forming the fine concavo-convex structure of the resin mold, it is preferable that the material is composed of a resin composed of polydimethylsiloxane (PDMS), a resin containing a methyl group or a fluorine-containing resin, It is more preferable that it is constituted by. The fluorine-containing resin contains a fluorine element and is not particularly limited as long as the contact angle with water is greater than 90 degrees. The resin mold preferably has a shape in which only a self-supporting resin layer having a micro concavo-convex structure on its surface or a resin layer having a micro concavo-convex structure on its surface is formed on a supporting substrate. Particularly, from the viewpoint of handling when the mold is used, a shape in which the resin layer is formed on the supporting substrate is preferable.

또한, 수지층 중의 수지 표면(미세 요철 구조 부근)의 불소 농도(Es)를, 수지층 중의 평균 불소 농도(Eb)보다 크게 함으로써, 수지 표면의 자유 에너지가 저하되어, 전사재와의 이형성이 우수한 전사용 주형을 얻을 수 있다.Further, when the fluorine concentration (Es) of the resin surface (in the vicinity of the fine uneven structure) in the resin layer is made larger than the average fluorine concentration (Eb) in the resin layer, the free energy of the resin surface is lowered, A mold for pre-use can be obtained.

또한, 수지층을 구성하는 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)와 수지층 표면(표층)부의 불소 원소 농도(Es)의 비가, 1<Es/Eb≤30000을 만족함으로써, 상기 효과를 더욱 발휘하기 때문에 보다 바람직하다. 특히, 3≤Es/Eb≤1500, 10≤Es/Eb≤100의 범위가 됨에 따라, 보다 이형성이 향상되기 때문에 바람직하다.Further, when the ratio of the average fluorine element concentration (Eb) in the resin constituting the resin layer to the fluorine element concentration (Es) in the surface portion of the resin layer (surface layer) satisfies 1 < Es / Eb? 30000, This is more preferable. In particular, the range of 3? Es / Eb? 1500 and 10? Es / Eb? 100 is preferable because the releasability is improved.

또, 상기한 가장 넓은 범위(1<Es/Eb≤30000) 중에 있어, 20≤Es/Eb≤200의 범위이면, 수지 몰드를 구성하는 수지층 표면(표층)부의 불소 원소 농도(Es)가, 수지층 중의 평균 불소 농도(Eb)보다 충분히 높아지고, 수지 몰드 표면의 자유 에너지가 효과적으로 감소하기 때문에, 전사재와의 이형성이 향상된다. 또한, 수지 몰드를 구성하는 수지층 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를, 수지 몰드를 구성하는 수지층 표면(표층)부의 불소 원소 농도(Es)에 대하여 상대적으로 낮게 함으로써, 수지 자체의 강도가 향상됨과 동시에, 수지 몰드 중에서의 지지 기재 부근에서는, 자유 에너지를 높게 유지할 수 있기 때문에, 지지 기재의 밀착성이 향상된다. 이에 따라, 지지 기재와의 밀착성이 우수하고, 전사재와의 이형성이 우수하며, 더구나, 나노미터 사이즈의 요철 형상을 수지로부터 수지로 반복 전사할 수 있는 수지 몰드를 얻을 수 있기 때문에 특히 바람직하다. 또한, 26≤Es/Eb≤189의 범위이면, 수지 몰드를 구성하는 수지층 표면의 자유 에너지를 보다 낮게 할 수 있고, 반복 전사성이 양호해지기 때문에 바람직하다. 또한, 30≤Es/Eb≤160의 범위이면, 수지 몰드를 구성하는 수지층 표면의 자유 에너지를 감소시킴과 동시에, 수지의 강도를 유지할 수 있고, 반복 전사성이 보다 향상되기 때문에 바람직하고, 31≤Es/Eb≤155이면 보다 바람직하다. 46≤Es/Eb≤155이면, 상기 효과를 한층 더 발현할 수 있기 때문에 바람직하다. 또, 상기 반복 전사성이란, 수지 몰드로부터 수지 몰드를 용이하게 복제할 수 있는 것을 의미한다. 즉, 수지 몰드의 미세 요철 구조가 볼록형인 수지 몰드 G1을 주형으로 하여, 미세 요철 구조가 오목형인 수지 몰드 G2를 전사 형성 가능하고, 수지 몰드 G2를 주형으로 하여, 미세 요철 구조가 볼록형인 수지 몰드 G3을 전사 형성하는 것이 가능해진다. 마찬가지로, 미세 요철 구조가 볼록형인 수지 몰드 GN을 주형으로 하여, 미세 요철 구조가 오목형인 수지 몰드 GN+1을 전사 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 하나의 수지 몰드 G1을 주형으로 하여 복수장의 수지 몰드 G2를 얻는 것도, 하나의 수지 몰드 G2를 주형으로 하여 복수장의 수지 몰드 G3을 얻는 것도 가능해진다. 마찬가지로, 하나의 수지 몰드 GM을 주형으로 하여 복수장의 수지 몰드 GM+1을 얻는 것도 가능해진다. 또한, 사용 완료된 전사용 주형을 재이용할 수 있는 것도 의미한다. 이와 같이, 상기 Es/Eb를 만족하는 수지 몰드를 사용함으로써, 환경 대응성이 향상된다.In a range of 20? Es / Eb? 200 in the widest range (1 <Es / Eb? 30000), the fluorine element concentration Es in the resin layer surface (surface layer) Is sufficiently higher than the average fluorine concentration (Eb) in the resin layer and the free energy of the surface of the resin mold is effectively reduced, so that the releasability with the transfer material is improved. Further, by lowering the average fluorine element concentration (Eb) in the resin layer constituting the resin mold relative to the fluorine element concentration (Es) in the resin layer surface (surface layer) constituting the resin mold, the strength of the resin itself is improved At the same time, since the free energy can be kept high in the vicinity of the support substrate in the resin mold, the adhesion of the support substrate is improved. This is particularly preferable because it is possible to obtain a resin mold which is excellent in adhesion to a supporting substrate, excellent in releasability from a transferring material, and capable of repeatedly transferring a concavo-convex shape having a nanometer size from resin to resin. The range of 26? Es / Eb? 189 is preferable because the free energy of the surface of the resin layer constituting the resin mold can be lowered and the repetitive transferability is improved. The range of 30? Es / Eb? 160 is preferable because the free energy of the surface of the resin layer constituting the resin mold can be reduced, the strength of the resin can be maintained and the repetitive transferability can be further improved. Es / Eb &lt; / = 155. It is preferable that 46? Es / Eb? 155, because the above effects can be further manifested. The above-mentioned repetitive transferability means that the resin mold can be easily copied from the resin mold. That is, the resin mold G2 in which the concave-convex microstructure is concave can be transferred and formed, and the resin mold G2 is used as the mold and the concave-convex structure is convex, G3 can be transferred and formed. Likewise, it is possible to form a resin mold GN + 1 having a convex-concave micro concave-convex structure as a mold and a concave convex mold mold GN + 1 as a mold. It is also possible to obtain a plurality of resin molds G2 using one resin mold G1 as a mold or to obtain a plurality of resin molds G3 using one resin mold G2 as a mold. Likewise, it is also possible to obtain a plurality of resin molds GM + 1 using one resin mold GM as a mold. It also means that the used molds can be reused. As described above, by using the resin mold satisfying the Es / Eb, environmental responsiveness is improved.

여기서, 수지 몰드를 구성하는 수지층의 수지 표면(미세 요철 구조 부근)이란, 예컨대, 수지 몰드를 구성하는 수지층의 미세 요철 구조면으로부터, 지지 기재측을 향해, 대략 1∼10% 두께 방향으로 침입한 부분, 또는 두께 방향으로 2 nm∼20 nm 침입한 부분을 의미한다. 또, 수지 몰드를 구성하는 수지층의 수지 표면(미세 요철 구조 부근)의 불소 원소 농도(Es)는, XPS법에 의해 정량할 수 있다. XPS법의 X선의 침입 길이는 수 nm로 얕기 때문에, Es값을 정량하는 데에 있어서 적합하다. 다른 해석 수법으로서, 투과형 전자 현미경을 사용한 에너지 분산형 X선 분광법(TEM-EDX)을 이용하여, Es/Eb를 산출할 수도 있다. 또한, 수지 몰드를 구성하는 수지층을 구성하는 수지 중의 평균 불소 농도(Eb)는, 투입량으로부터 계산할 수 있다. 또는 가스 크로마토그래프 질량 분석계(GC/MS)로 측정할 수 있다. 예컨대, 수지 몰드를 구성하는 수지층을 물리적으로 박리하여 가스 크로마토그래프 질량 분석을 실시함으로써, 평균 불소 원소 농도를 동정할 수 있다. 한편, 수지 몰드를 구성하는 수지층을 물리적으로 박리한 절편을, 플라스크 연소법으로 분해하고, 계속해서 이온 크로마토그래프 분석에 가하는 것에 의해서도, 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를 동정할 수 있다.Here, the resin surface (near the fine concavo-convex structure) of the resin layer constituting the resin mold refers to, for example, a layer having a thickness of about 1 to 10% from the surface of the resin layer constituting the resin mold, Or 2 nm to 20 nm in the thickness direction. The fluorine element concentration (Es) of the resin surface (in the vicinity of the fine concavo-convex structure) of the resin layer constituting the resin mold can be quantified by the XPS method. Since the X-ray penetration length of the XPS method is shallow to a few nm, it is suitable for quantifying the Es value. As another analytical method, Es / Eb can be calculated using energy dispersive X-ray spectroscopy (TEM-EDX) using a transmission electron microscope. The average fluorine concentration (Eb) in the resin constituting the resin layer constituting the resin mold can be calculated from the input amount. Or by gas chromatography mass spectrometry (GC / MS). For example, the average fluorine element concentration can be identified by physically peeling the resin layer constituting the resin mold and performing gas chromatographic mass analysis. On the other hand, the average fluorine element concentration (Eb) in the resin can be also determined by decomposing the slice obtained by physically peeling the resin layer constituting the resin mold by a flask combustion method and then applying it to ion chromatograph analysis.

수지 몰드를 구성하는 수지층을 구성하는 수지 중, 광중합 가능한 라디칼 중합계의 수지로는, 불소 비함유 (메트)아크릴레이트, 불소 함유 (메트)아크릴레이트 및 광중합 개시제의 혼합물인 경화성 수지 조성물 (1)이나, 불소 비함유 (메트)아크릴레이트 및 광중합 개시제의 혼합물인 경화성 수지 조성물 (2)나, 불소 비함유 (메트)아크릴레이트, 실리콘 및 광중합 개시제의 혼합물인 경화성 수지 조성물 (3)인 경화성 수지 조성물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 알콕시드로 대표되는 졸겔 재료를 포함하는 경화성 수지 조성물 (4)를 이용할 수도 있다. 특히, 경화성 수지 조성물 (1)을 이용함으로써, 표면 자유 에너지가 낮은 소수성 계면 등에 상기 조성물 (1)을 접촉시킨 상태에서 상기 조성물 (1)을 경화시키면, 수지 몰드를 구성하는 수지층 표면(표층)부의 불소 원소 농도(Es)를, 수지 몰드를 구성하는 수지층을 구성하는 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)보다 크게 할 수 있고, 또한 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를 보다 작게 하도록 조정할 수 있다.Among the resins constituting the resin layer constituting the resin mold, the photopolymerizable radical polymerization type resin includes a curable resin composition (1) which is a mixture of a fluorine-free (meth) acrylate, a fluorine-containing (meth) acrylate and a photopolymerization initiator ), A curable resin composition (2) which is a mixture of a fluorine-free (meth) acrylate and a photopolymerization initiator, and a curable resin composition (3) which is a mixture of fluorine-free (meth) It is preferable to use a composition or the like. The curable resin composition (4) containing a sol-gel material represented by a metal alkoxide may also be used. Particularly, when the composition (1) is cured in a state in which the composition (1) is in contact with a hydrophobic interface having a low surface free energy by using the curable resin composition (1), the surface of the resin layer It is possible to make the fluorine element concentration Es small in the resin larger than the average fluorine element concentration Eb in the resin constituting the resin layer constituting the resin mold and to adjust the average fluorine element concentration Eb in the resin to be smaller have.

(A) (메트)아크릴레이트(A) (meth) acrylate

경화성 수지 조성물 (1)을 구성하는 (메트)아크릴레이트로는, 후술하는 (B) 불소 함유 (메트)아크릴레이트 이외의 중합성 모노머이면 제한은 없지만, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 모노머, 비닐기를 갖는 모노머, 알릴기를 갖는 모노머가 바람직하고, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 모노머가 보다 바람직하다. 그리고, 이들은 불소 비함유 모노머인 것이 바람직하다. 또, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 또는 메타아크릴레이트를 의미한다.The (meth) acrylate constituting the curable resin composition (1) is not particularly limited as long as it is a polymerizable monomer other than the fluorine-containing (meth) acrylate (B) to be described later but may be a monomer having an acryloyl group or a methacryloyl group , A monomer having a vinyl group and a monomer having an allyl group are preferable, and a monomer having an acryloyl group or a methacryloyl group is more preferable. These are preferably fluorine-free monomers. Further, (meth) acrylate means acrylate or methacrylate.

또한, 중합성 모노머로는, 중합성기를 복수 구비한 다작용성 모노머인 것이 바람직하고, 중합성기의 수는, 중합성이 우수하다는 점에서 1∼6의 정수가 바람직하다. 또한, 2종류 이상의 중합성 모노머를 혼합하여 이용하는 경우, 중합성기의 평균수는 1∼4.5가 바람직하고, 전사 정밀도가 우수하기 때문에 1.5∼3.5가 가장 바람직하다. 단일 모노머를 사용하는 경우에는, 중합 반응 후의 가교점을 늘리고, 경화물의 물리적 안정성(강도, 내열성 등)을 얻기 위해, 중합성기의 수가 3 이상의 모노머인 것이 바람직하다. 또한, 중합성기의 수가 1 또는 2인 모노머의 경우, 중합성수가 상이한 모노머와 병용하여 사용하는 것이 바람직하다.The polymerizable monomer is preferably a multifunctional monomer having a plurality of polymerizable groups, and the number of polymerizable groups is preferably an integer of 1 to 6 in view of excellent polymerizability. When two or more kinds of polymerizable monomers are mixed and used, the average number of polymerizable groups is preferably from 1 to 4.5, and most preferably from 1.5 to 3.5 since the transfer precision is excellent. In the case of using a single monomer, it is preferable that the number of polymerizable groups is 3 or more in order to increase the crosslinking points after the polymerization reaction and obtain the physical stability (strength, heat resistance, etc.) of the cured product. In the case of monomers having 1 or 2 polymerizable groups, it is preferable to use them in combination with monomers having different polymerizable numbers.

(메트)아크릴레이트 모노머의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다. 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 모노머로는, (메트)아크릴산, 방향족계의 (메트)아크릴레이트[페녹시에틸아크릴레이트, 벤질아크릴레이트 등], 탄화수소계의 (메트)아크릴레이트[스테아릴아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 등], 에테르성 산소 원자를 포함하는 탄화수소계의 (메트)아크릴레이트[에톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등], 작용기를 포함하는 탄화수소계의 (메트)아크릴레이트[2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 4-히드록시부틸비닐에테르, N,N-디에틸아미노에틸아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트등], 실리콘계의 아크릴레이트 등. 그 밖에는, EO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, ECH 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, PO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, EO 변성 인산트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, PO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, EO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리스리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨에톡시테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(메트)아크릴레이트, 디메틸올디시클로펜탄디(메트)아크릴레이트, 디(메트)아크릴화이소시아누레이트, 1,3-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, EO 변성 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 알릴옥시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, PO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 F 디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 헥사히드로프탈산디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 히드록시피발린산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, EO 변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, PO 변성 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 카프로락톤 변성 히드록시피발린산에스테르네오펜틸글리콜, 스테아르산 변성 펜타에리스리톨디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, ECH 변성 프탈산디(메트)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜-테트라메틸렌글리콜)디(메트)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜-테트라메틸렌글리콜)디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 실리콘디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(디)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리글리세롤디(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디비닐에틸렌요소, 디비닐프로필렌요소, 2-에틸-2-부틸프로판디올아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 아크릴산 다이머, 벤질(메트)아크릴레이트, 부탄디올모노(메트)아크릴레이트, 부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, EO 변성 크레졸(메트)아크릴레이트, 에톡시화페닐(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이소미리스틸(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 메톡시디프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜벤조에이트(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, ECH 변성 페녹시아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시헥사에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, EO 변성 호박산(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 트리브로모페닐(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리브로모페닐(메트)아크릴레이트, 트리도데실(메트)아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 디 및 트리 아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 알릴기를 갖는 모노머로는, p-이소프로페닐페놀, 비닐기를 갖는 모노머로는, 스티렌, α-메틸스티렌, 아크릴로니트릴, 비닐카르바졸 등을 들 수 있다. 또, EO 변성이란 에틸렌옥사이드 변성을, ECH 변성이란 에피클로로히드린 변성을, PO 변성이란 프로필렌옥사이드 변성을 의미한다.Specific examples of the (meth) acrylate monomers include the following compounds. Examples of the monomer having an acryloyl group or a methacryloyl group include (meth) acrylic acid, aromatic (meth) acrylate [phenoxyethyl acrylate, benzyl acrylate and the like], hydrocarbon type (meth) Butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, trimethylol acrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, Propane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate and the like], hydrocarbon type (meth) acrylates containing an etheric oxygen atom (such as ethoxyethyl acrylate, methoxyethyl acrylate, glycidyl Diallyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, diethylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, polyoxyethylene glycol (Meth) acrylate [2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl vinyl ether, 2-hydroxypropyl acrylate, N, N-diethylaminoethyl acrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N-vinylpyrrolidone, dimethylaminoethyl methacrylate and the like], silicone acrylates and the like. Other than these, there can be mentioned EO modified glycerol tri (meth) acrylate, ECH modified glycerol tri (meth) acrylate, PO modified glycerol tri (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, EO modified phosphoric triacrylate, (Meth) acrylate, caprolactone modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, PO modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, EO modified trimethylolpropane tri ) Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hydroxypenta (meth) acrylate, alkyl modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate , Dipentaerythritol poly (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, dimethylolcyclohexane Di (meth) acrylate, di (meth) acrylated isocyanurate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, EO modified 1,6- (Meth) acrylate, ECH-modified 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, allyloxypolyethylene glycol acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) Modified bisphenol A di (meth) acrylate, ECH modified bisphenol F di (meth) acrylate, ECH modified hexahydrophthalic acid diacrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, (Meth) acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, EO-modified neopentyl glycol diacrylate, PO-modified neopentyl glycol diacrylate, caprolactone-modified hydroxypivalic acid ester neo (Meth) acrylate, ECH-modified phthalic acid di (meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) di (meth) acrylate, (Meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, poly (propylene glycol) (Meth) acrylate, polyester (di) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, dimethylol tricyclo Acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) (Meth) acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (Meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, (Meth) (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, dipropylene glycol (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (Meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) (Meth) acrylate, methoxytripropylene glycol (meth) acrylate, neopentyl glycol benzoate (meth) acrylate, nonylphenoxypoly (Meth) acrylate, nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, para-cumylphenoxyethylene glycol (meth) acrylate, ECH-modified phenoxyacrylate, phenoxyethylene glycol (Meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol-polypropylene (meth) acrylate, phenoxyethyleneglycol Acrylate, styrene (meth) acrylate, EO-modified succinic acid (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) (Meth) acrylate, tridodecyl (meth) acrylate, isocyanuric acid EO-modified di- and triacrylate慣 -caprolactone-modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, and the like. Examples of the monomer having an allyl group include p-isopropenylphenol, and monomers having a vinyl group include styrene,? -Methylstyrene, acrylonitrile, vinylcarbazole, and the like. EO denaturation means ethylene oxide denaturation, ECH denaturation means epichlorohydrin denaturation, and PO denaturation means denaturation of propylene oxide.

(B) 불소 함유 (메트)아크릴레이트 (B) a fluorine-containing (meth) acrylate

경화성 수지 조성물 (1)을 구성하는 불소 함유 (메트)아크릴레이트로는, 폴리플루오로알킬렌쇄 및/또는 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄와, 중합성기를 갖는 것이 바람직하고, 직쇄상 퍼플루오로알킬렌기, 또는, 탄소 원자-탄소 원자 사이에 에테르성 산소 원자가 삽입되며 또한 트리플루오로메틸기를 측쇄에 갖는 퍼플루오로옥시알킬렌기가 더욱 바람직하다. 또한, 트리플루오로메틸기를 분자 측쇄 또는 분자 구조 말단에 갖는 직쇄상의 폴리플루오로알킬렌쇄 및/또는 직쇄상의 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄가 특히 바람직하다.The fluorine-containing (meth) acrylate constituting the curable resin composition (1) preferably has a polyfluoroalkylene chain and / or perfluoro (polyoxyalkylene) chain and a polymerizable group, Or a perfluorooxyalkylene group having an etheric oxygen atom interposed between carbon atoms and carbon atoms and having a trifluoromethyl group in the side chain is further preferable. Further, straight-chain polyfluoroalkylene chains and / or straight-chain perfluoro (polyoxyalkylene) chains having a trifluoromethyl group at the molecular side chain or at the molecular structure terminal are particularly preferable.

폴리플루오로알킬렌쇄는, 탄소수 2∼탄소수 24의 폴리플루오로알킬렌기가 바람직하다. 또한, 폴리플루오로알킬렌기는 작용기를 갖고 있어도 좋다.The polyfluoroalkylene chain is preferably a polyfluoroalkylene group having 2 to 24 carbon atoms. The polyfluoroalkylene group may have a functional group.

퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄는, (CF2CF2O) 단위, (CF2CF(CF3)O) 단위, (CF2CF2CF2O) 단위 및 (CF2O) 단위로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 퍼플루오로(옥시알킬렌) 단위로 이루어지는 것이 바람직하고, (CF2CF2O) 단위, (CF2CF(CF3)O) 단위, 또는 (CF2CF2CF2O) 단위로 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄는, 함불소 중합체의 물성(내열성, 내산성 등)이 우수한 점에서, (CF2CF2O) 단위로 이루어지는 것이 특히 바람직하다. 퍼플루오로(옥시알킬렌) 단위의 수는, 함불소 중합체의 이형성과 경도가 높은 점에서, 2∼200의 정수가 바람직하고, 2∼50의 정수가 보다 바람직하다.Perfluoro (polyoxyalkylene) chain, (CF 2 CF 2 O) unit, (CF 2 CF (CF 3 ) O) unit, (CF 2 CF 2 CF 2 O) units, and (CF 2 O) units (CF 2 CF 2 O) units, (CF 2 CF (CF 3 ) O) units, or (CF 2 CF 2 O) units, more preferably at least one perfluoro CF 2 O) units. It is particularly preferable that the perfluoro (polyoxyalkylene) chain is composed of (CF 2 CF 2 O) units in view of the excellent physical properties (heat resistance, acid resistance, etc.) of the fluoropolymer. The number of perfluoro (oxyalkylene) units is preferably an integer of 2 to 200, more preferably an integer of 2 to 50 in view of high moldability and hardness of the fluoropolymer.

중합성기로는, 비닐기, 알릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 에폭시기, 디옥세탄기, 시아노기, 이소시아네이트기 또는 식 -(CH2)aSi(M1)3-b(M2)b로 나타내는 가수분해성 실릴기가 바람직하고, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기가 보다 바람직하다. 여기서, M1은 가수분해 반응에 의해 수산기로 변환되는 치환기이다. 이러한 치환기로는, 할로겐 원자, 알콕시기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로는 염소 원자가 바람직하다. 알콕시기로는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다. M1로는, 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다. M2는, 1가의 탄화수소기이다. M2로는, 알킬기, 1 이상의 아릴기로 치환된 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기 등을 들 수 있고, 알킬기 또는 알케닐기가 바람직하다. M2가 알킬기인 경우, 탄소수 1∼탄소수 4의 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. M2가 알케닐기인 경우, 탄소수 2∼탄소수 4의 알케닐기가 바람직하고, 비닐기 또는 알릴기가 보다 바람직하다. a는 1∼3의 정수이고, 3이 바람직하다. b는 0 또는 1∼3의 정수이고, 0이 바람직하다. 가수분해성 실릴기로는, (CH3O)3SiCH2-, (CH3CH2O)3SiCH2-, (CH3O)3Si(CH2)3- 또는 (CH3CH2O)3Si(CH2)3-이 바람직하다.Polymerizable group include a vinyl group, an allyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an epoxy group, a dioxolanyl cetane group, a cyano group, an isocyanate group or a group represented by the formula - (CH 2) a Si ( M1) 3-b (M2) b Is preferably a hydrolyzable silyl group, and an acryloyl group or a methacryloyl group is more preferable. Herein, M1 is a substituent group which is converted into a hydroxyl group by a hydrolysis reaction. Examples of such a substituent include a halogen atom, an alkoxy group, and an acyloxy group. The halogen atom is preferably a chlorine atom. As the alkoxy group, a methoxy group or an ethoxy group is preferable, and a methoxy group is more preferable. As M &lt; 1 &gt;, an alkoxy group is preferable, and a methoxy group is more preferable. M2 is a monovalent hydrocarbon group. Examples of M2 include an alkyl group, an alkyl group substituted by at least one aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group, and an alkyl group or an alkenyl group is preferable. When M2 is an alkyl group, an alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable. When M2 is an alkenyl group, an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms is preferable, and a vinyl group or an allyl group is more preferable. a is an integer of 1 to 3, and 3 is preferable. b is 0 or an integer of 1 to 3, and 0 is preferable. A hydrolyzable silyl group is, (CH 3 O) 3 SiCH 2 -, (CH 3 CH 2 O) 3 SiCH 2 -, (CH 3 O) 3 Si (CH 2) 3 - or (CH 3 CH 2 O) 3 Si (CH 2 ) 3 - is preferable.

중합성기의 수는, 중합성이 우수한 점에서 1∼4의 정수가 바람직하고, 1∼3의 정수가 보다 바람직하다. 2종 이상의 화합물을 이용하는 경우, 중합성기의 평균수는 1∼3이 바람직하다.The number of polymerizable groups is preferably an integer of 1 to 4, more preferably an integer of 1 to 3 because of excellent polymerizability. When two or more compounds are used, the average number of polymerizable groups is preferably from 1 to 3.

불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 작용기를 가지면 지지 기재와의 밀착성이 우수하다. 작용기로는, 카르복실기, 설폰산기, 에스테르 결합을 갖는 작용기, 아미드 결합을 갖는 작용기, 수산기, 아미노기, 시아노기, 우레탄기, 이소시아네이트기, 이소시아누르산 유도체를 갖는 작용기 등을 들 수 있다. 특히, 카르복실기, 우레탄기, 이소시아누르산 유도체를 갖는 작용기 중 적어도 하나의 작용기를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 이소시아누르산 유도체에는, 이소시아누르산 골격을 갖는 것으로, 질소 원자에 결합하는 적어도 하나의 수소 원자가 다른 기로 치환되어 있는 구조의 것이 포함된다. 불소 함유 (메트)아크릴레이트로는, 플루오로(메트)아크릴레이트, 플루오로디엔 등을 이용할 수 있다. 불소 함유 (메트)아크릴레이트의 구체예로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.The fluorine-containing (meth) acrylate is excellent in adhesion with a supporting substrate if it has a functional group. Examples of the functional group include a functional group having a carboxyl group, a sulfonic acid group, a functional group having an ester bond, a functional group having an amide bond, a hydroxyl group, an amino group, a cyano group, a urethane group, an isocyanate group and an isocyanuric acid derivative. Particularly, it is preferable to include at least one functional group among carboxyl groups, urethane groups, and functional groups having an isocyanuric acid derivative. The isocyanuric acid derivative includes an isocyanuric acid skeleton having a structure in which at least one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom is substituted with another group. As the fluorine-containing (meth) acrylate, fluoro (meth) acrylate, fluorodiene and the like can be used. Specific examples of the fluorine-containing (meth) acrylate include the following compounds.

플루오로(메트)아크릴레이트로는, CH2=CHCOO(CH2)2(CF2)10F, CH2=CHCOO(CH2)2(CF2)8F, CH2=CHCOO(CH2)2(CF2)6F, CH2=C(CH3)COO(CH2)2(CF2)10F, CH2=C(CH3)COO(CH2)2(CF2)8F, CH2=C(CH3)COO(CH2)2(CF2)6F, CH2=CHCOOCH2(CF2)6F, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2)6F, CH2=CHCOOCH2(CF2)7F, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2)7F, CH2=CHCOOCH2CF2CF2H, CH2=CHCOOCH2(CF2CF2)2H, CH2=CHCOOCH2(CF2CF2)4H, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)H, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)2H, CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)4H, CH2=CHCOOCH2CF2OCF2CF2OCF3, CH2=CHCOOCH2CF2O(CF2CF2O)3CF3, CH2=C(CH3)COOCH2CF2OCF2CF2OCF3, CH2=C(CH3)COOCH2CF2O(CF2CF2O)3CF3, CH2=CHCOOCH2CF(CF3)OCF2CF(CF3)O(CF2)3F, CH2=CHCOOCH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)2(CF2)3F, CH2=C(CH3)COOCH2CF(CF3)OCF2CF(CF3)O(CF2)3F, CH2=C(CH3)COOCH2CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)2(CF2)3F, CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF2)6CF(CF3)2, CH2=CFCOOCH2CH(CH2OH)CH2(CF2)6CF(CF3)2, CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF2)10F, CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF2)10F, CH2=CHCOOCH2CH2(CF2CF2)3CH2CH2OCOCH=CH2, CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF2CF2)3CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, CH2=CHCOOCH2CyFCH2OCOCH=CH2, CH2=C(CH3)COOCH2CyFCH2OCOC(CH3)=CH2 등의 플루오로(메트)아크릴레이트를 들 수 있다(다만, CyF는 퍼플루오로(1,4-시클로헥실렌기)를 나타냄).As the fluoro (meth) acrylate, there may be mentioned CH 2 ═CHCOO (CH 2 ) 2 (CF 2 ) 10 F, CH 2 ═CHCOO (CH 2 ) 2 (CF 2 ) 8 F, CH 2 ═CHCOO (CH 2 ) 2 (CF 2) 6 F, CH 2 = C (CH 3) COO (CH 2) 2 (CF 2) 10 F, CH 2 = C (CH 3) COO (CH 2) 2 (CF 2) 8 F, CH 2 = C (CH 3) COO (CH 2) 2 (CF 2) 6 F, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2) 6 F, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2) 6 F, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2 ) 7 F, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2) 7 F, CH 2 = CHCOOCH 2 CF 2 CF 2 H, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2 CF 2 ) 2 H, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2 CF 2) 4 H, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2 CF 2) H, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2 CF 2) 2 H, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2 CF 2) 4 H, CH 2 = CHCOOCH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 3, CH 2 = CHCOOCH 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 O) 3 CF 3, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 3, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 O) 3 CF 3, CH 2 = CHCOOCH 2 CF (CF 3) OCF 2 CF (CF 3) O (CF 2) 3 F, CH 2 = CHCOOCH 2 CF (CF 3) O (CF 2 CF (CF 3) O) 2 (CF 2 ) 3 F, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CF (CF 3) OCF 2 CF (CF 3) O (CF 2) 3 F, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CF (CF 3) O ( CF 2 CF (CF 3) O ) 2 (CF 2) 3 F, CH 2 = CFCOOCH 2 CH (OH) CH 2 (CF 2) 6 CF (CF 3) 2, CH 2 = CFCOOCH 2 CH (CH 2 OH ) CH 2 (CF 2) 6 CF (CF 3) 2, CH 2 = CFCOOCH 2 CH (OH) CH 2 (CF 2) 10 F, CH 2 = CFCOOCH 2 CH (OH) CH 2 (CF 2) 10 F , CH 2 = CHCOOCH 2 CH 2 (CF 2 CF 2) 3 CH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CH 2 (CF 2 CF 2) 3 CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CH 2 = CHCOOCH 2 CyFCH 2 OCOCH = CH 2, CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CyFCH 2 OCOC (CH 3) = fluoroalkyl CH 2 such as (meth) acrylate (However, CyF represents perfluoro (1,4-cyclohexylene group)).

플루오로디엔으로는, CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFOCF2CF=CF2, CF2=CFOCF2CF2CF=CF2, CF2=CFOCF(CF3)CF2CF=CF2, CF2=CFOCF2CF(CF3)CF=CF2, CF2=CFOCF2OCF=CF2, CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF=CF2, CF2=CFCF2C(OH)(CF3)CH2CH=CH2, CF2=CFCF2C(OH)(CF3)CH=CH2, CF2=CFCF2C(CF3)(OCH2OCH3)CH2CH=CH2, CF2=CFCH2C(C(CF3)2OH)(CF3)CH2CH=CH2 등의 플루오로디엔을 들 수 있다.A fluoroalkyl dienes, CF 2 = CFCF 2 CF = CF 2, CF 2 = CFOCF 2 CF = CF 2, CF 2 = CFOCF 2 CF 2 CF = CF 2, CF 2 = CFOCF (CF 3) CF 2 CF = CF 2, CF 2 = CFOCF 2 CF (CF 3) CF = CF 2, CF 2 = CFOCF 2 OCF = CF 2, CF 2 = CFOCF 2 CF (CF 3) OCF 2 CF = CF 2, CF 2 = CFCF 2 C (OH) (CF 3) CH 2 CH = CH 2, CF 2 = CFCF 2 C (OH) (CF 3) CH = CH 2, CF 2 = CFCF 2 C (CF 3) (OCH 2 OCH 3) CH And fluorodiene such as 2 CH = CH 2 , CF 2 = CFCH 2 C (C (CF 3 ) 2 OH) (CF 3 ) CH 2 CH = CH 2 .

또, 본 발명에서 이용하는 불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 하기 화학식 (1)로 나타내는 불소 함유 우레탄(메트)아크릴레이트이면, 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)를 낮게 한 상태에서, 효과적으로 수지 몰드의 미세 요철 구조 표면(표층)부의 불소 원소 농도(Es)를 높게 할 수 있고, 지지 기재에 대한 접착성과 이형성을 한층 더 효과적으로 발현할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다. 이러한 우레탄(메트)아크릴레이트로는, 예컨대, 다이킨 공업사 제조의 「오프툴 DAC」를 이용할 수 있다.The fluorine-containing urethane (meth) acrylate used in the present invention is a fluorine-containing urethane (meth) acrylate represented by the following formula (1), and in a state where the average fluorine element concentration (Eb) (Es) of the surface of the microstructure of the microstructure (surface layer) of the microstructure can be increased and the adhesion and releasability to the support substrate can be expressed more effectively. As such urethane (meth) acrylate, for example, "off-tool DAC" manufactured by Daikin Industries, Ltd. can be used.

화학식 (1)(1)

Figure 112013092998757-pct00002
Figure 112013092998757-pct00002

(화학식 (1) 중, R1은 하기 화학식 (2)를 나타내고, R2는 하기 화학식 (3)을 나타낸다.)(In the formula (1), R1 represents the following formula (2) and R2 represents the following formula (3).)

화학식 (2)(2)

Figure 112013092998757-pct00003
Figure 112013092998757-pct00003

(화학식 (2) 중, n은 1 이상 6 이하의 정수이다.)(In the formula (2), n is an integer of 1 or more and 6 or less.)

화학식 (3)(3)

Figure 112013092998757-pct00004
Figure 112013092998757-pct00004

(화학식 (3) 중, R은 H 또는 CH3이다.)(In the formula (3), R is H or CH 3. )

불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 또한, 내마모성, 내흠집, 지문 부착 방지, 방오성, 레벨링성이나 발수 발유성 등의 표면 개질제와의 병용도 할 수 있다. 예컨대, 네오스사 제조의 「후타젠트」(예컨대, M 시리즈: 후타젠트 251, 후타젠트 215M, 후타젠트 250, FTX-245M, FTX-290M; S 시리즈: FTX-207S, FTX-211S, FTX-220S, FTX-230S; F 시리즈: FTX-209F, FTX-213F, 후타젠트 222F, FTX-233F, 후타젠트 245F; G 시리즈: 후타젠트 208G, FTX-218G, FTX-230G, FTS-240G; 올리고머 시리즈: 후타젠트 730FM, 후타젠트 730LM; 후타젠트 P 시리즈: 후타젠트 710FL, FTX-710HL 등), DIC사 제조의 「메가팍」(예컨대, F-114, F-410, F-493, F-494, F-443, F-444, F-445, F-470, F-471, F-474, F-475, F-477, F-479, F-480SF, F-482, F-483, F-489, F-172D, F-178K, F-178RM, MCF-350SF 등), 다이킨사 제조의 「오프툴TM」(예컨대, DSX, DAC, AES), 「에프톤TM」(예컨대, AT-100), 「젯플TM」(예컨대, GH-701), 「유니다인TM」, 「다이프리TM」, 「오프토에스TM」, 스미토모 쓰리엠사 제조의 「노벡 EGC-1720」, 플로로테크놀러지사 제조 「플로로서프」 등을 들 수 있다.The fluorine-containing (meth) acrylate may be used singly or in combination of two or more. In addition, it can be used in combination with a surface modifying agent such as abrasion resistance, scratch resistance, prevention of fingerprint adhesion, antifouling property, leveling property, water repellency and oil repellency. FTX-207S, FTX-211S, FTX-220S (FTX-211S, FTX-245M, FTX-290M, S series: FTX-207S, FTX- FTX-209F, FTX-213F, Futagent 222F, FTX-233F, Futagent 245F, G series: Futagent 208G, FTX-218G, FTX-230G, FTS- (E.g., F-114, F-493, F-494, and F-494 manufactured by DIC Corporation) F-443, F-444, F-445, F-470, F-471, F-474, F-475, F-477, F- 489, F-172D, F- 178K, F-178RM, MCF-350SF , and so on), "off tool TM" of the die kinsa manufacture (e. g., DSX, DAC, AES), "F-tone TM" (e. g., AT-100 ), "jetpeul TM" (e. g., GH-701), "Unidyne TM", "die-free TM", "off-SAT S TM", manufactured by Sumitomo Co., Ltd. technology as "nobek EGC-1720", the flow of 3M Corp. " It can surf the ro-ro "and so on.

불소 함유 (메트)아크릴레이트는, 분자량(Mw)이 50∼50000인 것이 바람직하고, 상용성의 관점에서 분자량(Mw)이 50∼5000인 것이 바람직하고, 분자량(Mw)이 100∼5000인 것이 보다 바람직하다. 상용성이 낮은 고분자량체를 사용할 때에는 희석 용제를 사용해도 좋다. 희석 용제로는, 단일 용제의 비점이 40℃∼180℃인 용제가 바람직하고, 60℃∼180℃가 보다 바람직하고, 60℃∼140℃가 더욱 바람직하다. 희석제는 2종류 이상 사용해도 좋다.It is preferable that the fluorine-containing (meth) acrylate has a molecular weight (Mw) of 50 to 50,000 and a molecular weight (Mw) of 50 to 5000 and a molecular weight (Mw) of 100 to 5000 from the viewpoint of compatibility desirable. When a high molecular weight material having low compatibility is used, a diluting solvent may be used. The diluting agent is preferably a solvent having a boiling point of 40 占 폚 to 180 占 폚, more preferably 60 占 폚 to 180 占 폚, and even more preferably 60 占 폚 to 140 占 폚. Two or more types of diluents may be used.

용제 함량은, 적어도 경화성 수지 조성물 (1) 중에서 분산되는 양이면 되고, 경화성 조성물 (1) 100 중량부에 대하여 0 중량부 초과∼50 중량부가 바람직하다. 건조 후의 잔존 용제량을 제한없이 제거하는 것을 배려하면, 0 중량부 초과∼10 중량부가 보다 바람직하다.The solvent content may be at least as long as it is dispersed in the curable resin composition (1), and more preferably 0 to 50 parts by weight per 100 parts by weight of the curable composition (1). More preferably, it is more than 0 parts by weight to 10 parts by weight in consideration of removing the amount of the residual solvent after drying.

특히, 레벨링성을 향상시키기 위해 용제를 함유하는 경우에는, (메트)아크릴레이트 100 중량부에 대하여, 용제 함량이 0.1 중량부 이상 40 중량부 이하이면 바람직하다. 용제 함량이 0.5 중량부 이상 20 중량부 이하이면, 경화성 수지 조성물 (1)의 경화성을 유지할 수 있기 때문에 보다 바람직하고, 1 중량부 이상 15 중량부 이하이면 더욱 바람직하다. 경화성 수지 조성물 (1)의 막두께를 얇게 하기 위해 용제를 함유하는 경우에는, (메트)아크릴레이트 100 중량부에 대하여, 용제 함량이 300 중량부 이상 10000 중량부 이하이면, 도공 후의 건조 공정에서의 용액 안정성을 유지할 수 있기 때문에 바람직하고, 300 중량부 이상 1000 중량부 이하이면 보다 바람직하다.Particularly, in the case of containing a solvent for improving the leveling property, it is preferable that the solvent content is not less than 0.1 parts by weight and not more than 40 parts by weight based on 100 parts by weight of (meth) acrylate. When the amount of the solvent is 0.5 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, the curing property of the curable resin composition (1) can be maintained, more preferably 1 part by weight or more and 15 parts by weight or less. In the case of containing a solvent for reducing the thickness of the curable resin composition (1), if the solvent content is not less than 300 parts by weight and not more than 10,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the (meth) acrylate, And more preferably 300 parts by weight or more and 1000 parts by weight or less.

(C) 광중합 개시제 (C) a photopolymerization initiator

경화성 수지 조성물 (1)을 구성하는 광중합 개시제는, 광에 의해 라디칼 반응 또는 이온 반응을 야기하는 것이며, 라디칼 반응을 야기하는 광중합 개시제가 바람직하다. 광중합 개시제로는, 하기의 광중합 개시제를 들 수 있다.The photopolymerization initiator constituting the curable resin composition (1) is a photopolymerization initiator that causes a radical reaction or an ion reaction by light, and is a photopolymerization initiator that causes a radical reaction. Examples of the photopolymerization initiator include the following photopolymerization initiators.

또한, 다음의 공지 관용의 광중합 개시제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 아세토페논계의 광중합 개시제: 아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, 클로로아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 히드록시아세토페논, 2,2-디메톡시-2'-페닐아세토페논, 2-아미노아세토페논, 디알킬아미노아세토페논 등. 벤조인계의 광중합 개시제: 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 벤질디메틸케탈 등. 벤조페논계의 광중합 개시제: 벤조페논, 벤조일안식향산, 벤조일안식향산메틸, 메틸-o-벤조일벤조에이트, 4-페닐벤조페논, 히드록시벤조페논, 히드록시프로필벤조페논, 아크릴벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 퍼플루오로벤조페논 등. 티오크산톤계의 광중합 개시제: 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 디메틸티오크산톤 등. 안트라퀴논계의 광중합 개시제: 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논. 케탈계의 광중합 개시제: 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈. 그 밖의 광중합 개시제: α-아실옥심에스테르, 벤질-(o-에톡시카르보닐)-α-모노옥심, 아실포스핀옥사이드, 글리옥시에스테르, 3-케토쿠마린, 2-에틸안트라퀴논, 캠퍼퀴논, 테트라메틸티우람술피드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 디알킬퍼옥시드, tert-부틸퍼옥시피발레이트 등. 불소 원자를 갖는 광중합 개시제: 퍼플루오로tert-부틸퍼옥사이드, 퍼플루오로벤조일퍼옥사이드 등.The following photopolymerization initiators for publicly known generations may be used alone or in combination of two or more. A photopolymerization initiator of acetophenone type: acetophenone, p-tert-butyltrichloroacetophenone, chloroacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, hydroxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2'- Phenone, 2-aminoacetophenone, dialkylaminoacetophenone, and the like. Benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl -1-phenyl-2-methylpropan-1-one, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one and benzyldimethyl ketal. Benzophenone-based photopolymerization initiators: benzophenone, benzoyl benzoic acid, benzoyl benzoate, methyl-o-benzoyl benzoate, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, hydroxypropylbenzophenone, - bis (dimethylamino) benzophenone, perfluorobenzophenone, and the like. Photochemical polymerization initiators of thioxanthone system: thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, diethylthioxanthone, dimethylthioxanthone, and the like. An anthraquinone-based photopolymerization initiator: 2-methyl anthraquinone, 2-ethyl anthraquinone, 2-tert-butyl anthraquinone, 1-chloro anthraquinone, 2-amylanthraquinone. Photopolymerization initiator of ketal series: acetophenone dimethyl ketal, benzyl dimethyl ketal. Other photopolymerization initiators: α-acyloxime ester, benzyl- (o-ethoxycarbonyl) -α-monooxime, acylphosphine oxide, glyoxyester, 3-ketocoumarin, 2-ethyl anthraquinone, camphorquinone , Tetramethylthioureasulfide, azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, dialkyl peroxide, tert-butyl peroxypivalate and the like. Photopolymerization initiators having fluorine atoms: perfluoro tert-butyl peroxide, perfluorobenzoyl peroxide, and the like.

경화성 수지 조성물 (1)은, 광 증감제를 포함하고 있어도 좋다. 광 증감제의 구체예로는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 트리-n-부틸포스핀, 알릴티오요소, s-벤질이소티우로늄-p-톨루엔술피네이트, 트리에틸아민, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 트리에틸렌테트라민, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논, N,N-디메틸아미노안식향산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노안식향산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 아민류와 같은 공지 관용의 광 증감제의 1종 또는 2종 이상과 조합하여 이용할 수 있다.The curable resin composition (1) may contain a photosensitizer. Specific examples of the photosensitizer include n-butylamine, di-n-butylamine, tri-n-butylphosphine, allyl thiourea, s- benzylisothiuronium- , Diethylaminoethyl methacrylate, triethylenetetramine, 4,4'-bis (dialkylamino) benzophenone, N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylamino benzoic acid isoamyl ester, Pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethylamine, triethanolamine, and other known amphoteric sensitizers for use in combination with one or more of these.

시판되고 있는 개시제의 예로는, BASF 재팬(주) 제조의 「Irgacure(등록 상표)」(예컨대, Irgacure 651, 184, 500, 2959, 127, 754, 907, 369, 379, 379EG, 819, 1800, 784, OXE01, OXE02)나 「Darocur(등록 상표)」(예컨대, Darocur 1173, MBF, TPO, 4265) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available initiators include Irgacure (registered trademark) (for example, Irgacure 651, 184, 500, 2959, 127, 754, 907, 369, 379, 379EG, 819, 1800, 784, OXE01, OXE02) and "Darocur (registered trademark)" (for example, Darocur 1173, MBF, TPO, 4265).

광중합 개시제는, 1종만을 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다. 2종류 이상 병용하는 경우에는, 불소 함유 (메트)아크릴레이트의 분산성, 및 경화성 수지 조성물 (1)의 미세 요철 구조 표면(표층)부 및 내부의 경화성의 관점에서 선택하면 된다. 예컨대, α히드록시케톤계 광중합 개시제와 α아미노케톤계 광중합 개시제를 병용하는 것을 들 수 있다. 또한, 2종류 병용하는 경우의 조합으로는, 예컨대, BASF 재팬(주) 제조의 「Irgacure」끼리, 「Irgacure」와 「Darocur」의 조합으로서, Darocur 1173과 Irgacure 819, Irgacure 379와 Irgacure 127, Irgacure 819와 Irgacure 127, Irgacure 250과 Irgacure 127, Irgacure 184와 Irgacure 369, Irgacure 184와 Irgacure 379EG, Irgacure 184와 Irgacure 907, Irgacure 127과 Irgacure 379EG, Irgacure 819와 Irgacure 184, Darocur TPO와 Irgacure 184 등을 들 수 있다.The photopolymerization initiator may be used alone, or two or more photopolymerization initiators may be used in combination. When two or more kinds are used in combination, it may be selected from the viewpoints of the dispersibility of the fluorine-containing (meth) acrylate and the curing property of the surface (surface layer) portion and the inside of the fine uneven structure of the curable resin composition (1). For example, an α-hydroxy ketone type photopolymerization initiator and an α-amino ketone type photopolymerization initiator may be used in combination. As a combination of two kinds, for example, "Irgacure" manufactured by BASF Japan Ltd., "Dargur" and "Darocur", Darocur 1173 and Irgacure 819, Irgacure 379 and Irgacure 127, 819 and Irgacure 127, Irgacure 250 and Irgacure 127, Irgacure 184 and Irgacure 369, Irgacure 184 and Irgacure 379EG, Irgacure 184 and Irgacure 907, Irgacure 127 and Irgacure 379EG, Irgacure 819 and Irgacure 184, Darocur TPO and Irgacure 184 have.

경화성 수지 조성물 (2)는, 전술한 광중합성 혼합물로부터 (B) 불소 함유 (메트)아크릴레이트를 제외한 것을 사용할 수 있다. 수지 몰드를 구성하는 수지가 경화성 수지 조성물 (2)의 경화물인 경우, 금속층과 이형층의 양방, 또는 어느 일방을 형성하는 것이, 전사재의 전사 정밀도의 관점에서 바람직하다.The curable resin composition (2) can be obtained by removing the fluorine-containing (meth) acrylate (B) from the photopolymerizable mixture described above. When the resin constituting the resin mold is a cured product of the curable resin composition (2), it is preferable from the viewpoint of the transfer accuracy of the transfer material that either or both of the metal layer and the release layer are formed.

경화성 수지 조성물 (3)은, 전술한 경화성 수지 조성물 (1)에 실리콘을 첨가하거나, 또는 경화성 수지 조성물 (2)에 실리콘을 첨가한 것을 사용할 수 있다.The curable resin composition (3) can be obtained by adding silicone to the above-mentioned curable resin composition (1) or adding the silicone to the curable resin composition (2).

실리콘을 포함함으로써, 실리콘 특유의 이형성이나 미끄럼성에 의해, 전사재의 전사 정밀도가 향상된다. 경화성 수지 조성물 (3)에 사용되는 실리콘으로는, 예컨대, 디메틸클로로실란의 중합체인 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 대표되는, 상온에서 유동성을 나타내는 선형 저중합도의 실리콘 오일이나, 이들의 변성 실리콘 오일, 고중합도의 선형 PDMS 또는 PDMS를 중간 정도로 가교하여 고무상 탄성을 나타내도록 한 실리콘 고무나, 이들의 변성 실리콘 고무, 또한 수지상의 실리콘, PDMS와 4작용의 실록산으로 구성되는 3차원 메쉬 구조를 갖는 수지인 실리콘 레진(또는 DQ 레진) 등을 들 수 있다. 가교제로서 유기 분자를 이용하는 경우나, 4작용의 실록산(Q 유닛)을 이용하는 경우도 있다.By including silicon, the transfer accuracy of the transferring material is improved by the releasing property and the slipping property peculiar to silicon. Examples of the silicone used in the curable resin composition (3) include linear low-degree silicone oils exhibiting fluidity at room temperature, represented by polydimethylsiloxane (PDMS), which is a polymer of dimethylchlorosilane, A resin having a three-dimensional mesh structure composed of silicone rubber, dendritic silicon, PDMS, and tetrafunctional siloxane, or a silicone rubber which moderately crosslinks linear PDMS or PDMS with high polymerization degree to exhibit rubber-like elasticity (Or DQ resin), and the like. Organic molecules may be used as the crosslinking agent, or quaternary siloxane (Q unit) may be used.

변성 실리콘 오일, 변성 실리콘 레진은, 폴리실록산의 측쇄 및/또는 말단을 변성한 것으로, 반응성 실리콘과, 비반응성 실리콘으로 나누어진다. 반응성 실리콘으로는, -OH기(수산기)를 포함하는 실리콘, 알콕시기를 포함하는 실리콘, 트리알콕시기를 포함하는 실리콘, 에폭시기를 포함하는 실리콘이 바람직하다. 비반응성 실리콘으로는, 페닐기를 포함하는 실리콘, 메틸기와 페닐기를 쌍방 포함하는 실리콘 등이 바람직하다. 하나의 폴리실록산 분자에 상기한 바와 같은 변성을 2개 이상 실시한 것을 사용해도 좋다.The modified silicone oil and the modified silicone resin are obtained by modifying the side chain and / or the terminal of the polysiloxane, and are divided into reactive silicon and non-reactive silicone. As the reactive silicon, silicon containing an -OH group (hydroxyl group), silicone containing an alkoxy group, silicone containing a trialkoxy group, and silicone containing an epoxy group are preferable. As the non-reactive silicone, silicon containing a phenyl group, silicone containing both a methyl group and a phenyl group, and the like are preferable. One polysiloxane molecule having two or more modifications as described above may be used.

변성 실리콘의 시판품으로는, 구체적으로는 TSF4421(GE 도시바 실리콘사 제조), XF42-334(GE 도시바 실리콘사 제조), XF42-B3629(GE 도시바 실리콘사 제조), XF42-A3161(GE 도시바 실리콘사 제조), FZ-3720(토오레·다우코닝사 제조), BY 16-839(토오레·다우코닝사 제조), SF8411(토오레·다우코닝사 제조), FZ-3736(토오레·다우코닝사 제조), BY 16-876(토오레·다우코닝사 제조), SF8421(토오레·다우코닝사 제조), SF8416(토오레·다우코닝사 제조), SH203(토오레·다우코닝사 제조), SH230(토오레·다우코닝사 제조), SH510(토오레·다우코닝사 제조), SH550(토오레·다우코닝사 제조), SH710(토오레·다우코닝사 제조), SF8419(토오레·다우코닝사 제조), SF8422(토오레·다우코닝사 제조), BY16 시리즈(토오레·다우코닝사 제조), FZ3785(토오레·다우코닝사 제조), KF-410(신에츠 화학 공업사 제조), KF-412(신에츠 화학 공업사 제조), KF-413(신에츠 화학 공업사 제조), KF-414(신에츠 화학 공업사 제조), KF-415(신에츠 화학 공업사 제조), KF-351A(신에츠 화학 공업사 제조), KF-4003(신에츠 화학 공업사 제조), KF-4701(신에츠 화학 공업사 제조), KF-4917(신에츠 화학 공업사 제조), KF-7235B(신에츠 화학 공업사 제조), KR213(신에츠 화학 공업사 제조), KR500(신에츠 화학 공업사 제조), KF-9701(신에츠 화학 공업사 제조), X21-5841(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-2000(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-3710(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-7322(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-1877(신에츠 화학 공업사 제조), X-22-2516(신에츠 화학 공업사 제조), PAM-E(신에츠 화학 공업사 제조) 등을 들 수 있다.Specific examples of commercially available products of the modified silicone include TSF4421 (manufactured by GE Toshiba Silicone), XF42-334 (manufactured by GE Toshiba Silicone), XF42-B3629 (manufactured by GE Toshiba Silicones), XF42-A3161 ), FZ-3736 (manufactured by Toray Dow Corning), BY 16-839 (manufactured by Toray Dow Corning), SF8411 (manufactured by Toray Dow Corning), FZ-3736 (Manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), SH203 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), SH230 (Toray Dow Corning Toray Co., Ltd.), SF8421 ), SF8419 (manufactured by Dow Corning), SF8422 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), SH510 (manufactured by Toray Dow Corning), SH550 (manufactured by Toray Dow Corning), SH710 ), KF-410 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KF-412 (manufactured by Shin-Etsu Chemical), BY16 series (manufactured by Toray Dow Corning), FZ3785 KF-413 (Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), KF-414 (Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), KF-415 KF-4917 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KF-7235B (Shin-Etsu Chemical Co.), KR213 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KR500 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) , X-22-2000 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-3710 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-7322 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-1877 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), X-22-2516 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and PAM-E (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

반응성 실리콘으로는, 아미노 변성, 에폭시 변성, 카르복실 변성, 카르비놀 변성, 메타크릴 변성, 비닐 변성, 머캅토 변성, 페놀 변성, 편말단 반응성, 이종 작용기 변성 등을 들 수 있다.Examples of the reactive silicon include amino modification, epoxy modification, carboxyl modification, carbinol modification, methacryl modification, vinyl modification, mercapto modification, phenol modification, one terminal reaction, heterogeneous functional modification and the like.

또한, 비닐기, 메타크릴기, 아미노기, 에폭시기 또는 지환식 에폭시기 중 어느 것을 함유하는 실리콘 화합물을 함유함으로써, 실리콘을 화학 결합을 통해 수지 몰드 중에 도입할 수 있기 때문에, 전사 정밀도가 향상된다. 특히, 비닐기, 메타크릴기, 에폭시기 또는 지환식 에폭시기 중 어느 것을 함유하는 실리콘 화합물을 함유함으로써, 상기 효과를 한층 더 발휘하기 때문에 바람직하다. 수지 몰드의 수지층의 경화성이라는 관점에서는, 비닐기 또는 메타크릴기 중 어느 것을 함유하는 실리콘 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 지지 기재에 대한 접착성이라는 관점에서는, 에폭시기 또는 지환식 에폭시기 중 어느 것을 함유하는 실리콘 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 비닐기, 메타크릴기, 아미노기, 에폭시기 또는 지환식 에폭시기 중 어느 것을 함유하는 실리콘 화합물은, 1종류만을 사용해도 좋고, 복수를 병용해도 좋다.Further, since silicon can be introduced into the resin mold through a chemical bond by containing a silicone compound containing any of a vinyl group, a methacryl group, an amino group, an epoxy group and an alicyclic epoxy group, the transfer precision is improved. In particular, it is preferable to contain a silicone compound containing any of a vinyl group, a methacryl group, an epoxy group and an alicyclic epoxy group in order to further exert the above effects. From the viewpoint of the curability of the resin layer of the resin mold, it is preferable to contain a silicone compound containing either a vinyl group or a methacryl group. From the viewpoint of adhesion to the supporting substrate, it is preferable to contain a silicone compound containing either an epoxy group or an alicyclic epoxy group. The silicone compound containing any one of a vinyl group, a methacryl group, an amino group, an epoxy group and an alicyclic epoxy group may be used singly or in combination.

광중합성기를 갖는 실리콘과, 광중합성기를 갖지 않는 실리콘은, 병용해도 좋고, 단독으로 이용해도 좋다.Silicon having a photopolymerizable group and silicon having no photopolymerizable group may be used together or may be used alone.

비닐기를 함유하는 실리콘 화합물로는, 예컨대, KR-2020(신에츠 실리콘사 제조), X-40-2667(신에츠 실리콘사 제조), CY52-162(토오레·다우코닝사 제조), CY52-190(토오레·다우코닝사 제조), CY52-276(토오레·다우코닝사 제조), CY52-205(토오레·다우코닝사 제조), SE1885(토오레·다우코닝사 제조), SE1886(토오레·다우코닝사 제조), SR-7010(토오레·다우코닝사 제조), XE5844(GE 도시바 실리콘사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl compound-containing silicone compound include KR-2020 (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), X-40-2667 (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), CY52-162 SE1885 (manufactured by DOW CORNING CORPORATION), SE1886 (manufactured by DOW CORNING CORPORATION), CY52-276 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.), CY52-205 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) , SR-7010 (manufactured by Toray Dow Corning), and XE5844 (manufactured by GE Toshiba Silicone).

메타크릴기를 함유하는 실리콘 화합물로는, 예컨대, X-22-164(신에츠 실리콘사 제조), X-22-164AS(신에츠 실리콘사 제조), X-22-164A(신에츠 실리콘사 제조), X-22-164B(신에츠 실리콘사 제조), X-22-164C(신에츠 실리콘사 제조), X-22-164E(신에츠 실리콘사 제조) 등을 들 수 있다.X-22-164AS (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), X-22-164A (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), X- 22-164B (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), X-22-164C (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), and X-22-164E (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.).

아미노기를 함유하는 실리콘 화합물로는, 예컨대, PAM-E(신에츠 실리콘사 제조), KF-8010(신에츠 실리콘사 제조), X-22-161A(신에츠 실리콘사 제조), X-22-161B(신에츠 실리콘사 제조), KF-8012(신에츠 실리콘사 제조), KF-8008(신에츠 실리콘사 제조), X-22-166B-3(신에츠 실리콘사 제조), TSF4700(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4701(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4702(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4703(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4704(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4705(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4706(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4707(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4708(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), TSF4709(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the silicone compound containing an amino group include PAM-E (manufactured by Shinetsu Silicone Co., Ltd.), KF-8010 (manufactured by Shin-Etsu Silicones), X-22-161A KF-8008 (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), X-22-166B-3 (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), TSF4700 (Momentive Performance Materials Japan) TSF4702 (Momentive Performance Materials, Japan), TSF4702 (Momentive Performance Materials, Japan), TSF4703 (Momentive Performance Materials, Japan), TSF4702 (Momentive Performance Materials, Japan), TSF4705 (Momentive Performance Materials, Japan), TSF4706 (Momentive Performance Materials, Japan), TSF4707 (Momentive Performance Materials, (Materials &amp; Japan Co., Ltd.), TSF4708 (Momentive Performance Materials, Japan) And TSF4709 (Momentive Performance Materials, Japan).

에폭시기를 함유하는 실리콘 화합물로는, 예컨대, X-22-163(신에츠 실리콘사 제조), KF-105(신에츠 실리콘사 제조), X-22-163A(신에츠 실리콘사 제조), X-22-163B(신에츠 실리콘사 제조), X-22-163C(신에츠 실리콘사 제조), TSF-4730(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조), YF3965(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조) 등을 들 수 있다.X-22-163 (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), KF-105 (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), X-22-163A TSF-4730 (manufactured by Momentive Performance Materials Japan), YF3965 (manufactured by Momentive Performance Materials Japan), X-22-163C (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) And the like.

지환식 에폭시기를 함유하는 실리콘으로는, 예컨대, X-22-169AS(신에츠 실리콘사 제조), X-22-169B(신에츠 실리콘사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of silicon containing an alicyclic epoxy group include X-22-169AS (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) and X-22-169B (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.).

경화성 수지 조성물 (4)는, 상기 경화성 수지 조성물 (1)∼(3)에 대하여, 이하에서 설명하는 졸겔 재료를 첨가한 것이나, 또는 졸겔 재료만으로 구성된 조성물을 채용할 수 있다. 경화성 수지 조성물 (1)∼경화성 수지 조성물 (3)에 대하여, 졸겔 재료를 첨가함으로써, 졸겔 재료 특유의 수축 채용에 의한 상기 몰드의 복제 효율이 향상되는 효과나, 졸겔 재료 특유의 무기로서 성질을 발휘하는 것이 가능해져, 미세 요철 구조의 내구성이 향상되어, 전사용 주형의 반복 사용성이 향상된다.As the curable resin composition (4), a composition comprising the sol-gel material described below or a sol-gel material alone may be employed for the curable resin compositions (1) to (3). By adding a sol-gel material to the curable resin composition (1) to the curable resin composition (3), the effect of improving the replication efficiency of the mold due to the shrinkage specific to the sol-gel material and the properties as a unique inorganic material of the sol- The durability of the fine uneven structure is improved, and the repeated usability of the transfer mold is improved.

수지 몰드를 구성하는 졸겔 재료로는, 열이나 촉매의 작용에 의해, 가수분해·중축합이 진행되고, 경화되는 화합물군인, 금속 알콕시드, 금속 알코올레이트, 금속 킬레이트 화합물, 할로겐화실란, 액상 유리, 스핀 온 글라스나, 이들의 반응물이면, 특별히 한정되지 않는다. 이들을 총칭하여 금속 알콕시드라고 부른다.Examples of the sol-gel material constituting the resin mold include a metal alkoxide, a metal alcoholate, a metal chelate compound, a halogenated silane, a liquid glass, and the like, which are hydrolyzed and polycondensed under the action of heat or a catalyst, Spin-on-glass, or a reaction product thereof, there is no particular limitation. These are collectively referred to as metal alkoxide.

금속 알콕시드란, Si, Ti, Zr, Zn, Sn, B, In, Al으로 대표되는 금속종과, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로필기, 또는 이소프로필기 등의 작용기가 결합한 화합물군이다. 이들 작용기가, 물, 유기 용제 또는 가수분해 촉매 등에 의해, 가수분해·중축합 반응을 진행시켜, 메탈록산 결합(-Me-O-Me- 결합. 다만, Me는 금속종)을 생성한다. 예컨대, 금속종이 Si이면, -Si-O-Si-와 같은 메탈록산 결합(실록산 결합)을 생성한다. 금속종(M1)과, 금속종(Si)의 금속 알콕시드를 이용한 경우, 예컨대, -M1-O-Si-와 같은 결합을 생성할 수도 있다.Metal alkoxide, metal alkoxide, metal alkoxydane, metal species represented by Si, Ti, Zr, Zn, Sn, B, In and Al and a functional group such as hydroxyl group, methoxy group, ethoxy group, propyl group or isopropyl group. These functional groups undergo hydrolysis and polycondensation reaction by water, an organic solvent, a hydrolysis catalyst or the like to produce a metalloxane bond (-Me-O-Me-bond, where Me represents a metal species). For example, when the metal paper is Si, a metalloxane bond (siloxane bond) such as -Si-O-Si- is produced. When metal alkoxides of the metal species (M1) and the metal species (Si) are used, for example, a bond such as -M1-O-Si- may be generated.

예컨대, 금속종(Si)의 금속 알콕시드로는, 예컨대, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리에톡시실란, p-스티릴트리에톡시실란, 메틸페닐디에톡시실란, 테트라에톡시실란, p-스티릴트리에톡시실란 등과, 이들 화합물군의 에톡시기가, 메톡시기, 프로필기, 또는 이소프로필기로 치환된 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 디페닐실란디올이나 디메틸실란디올과 같은, 히드록시기를 갖는 화합물도 선택할 수 있다.Examples of the metal alkoxide of the metal species (Si) include, for example, dimethyldiethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, p-styryltri Methoxysilane, methylphenyldiethoxysilane, tetraethoxysilane, p-styryltriethoxysilane, and compounds in which the ethoxy groups of these compound groups are substituted with a methoxy group, a propyl group, or an isopropyl group. Compounds having a hydroxy group such as diphenylsilanediol or dimethylsilanediol can also be selected.

또한, 상기 작용기의 하나 이상이, 금속종으로부터 산소 원자를 통하지 않고, 직접 페닐기 등으로 치환된 형태를 취해도 좋다. 예컨대, 디페닐실란디올이나 디메틸실란디올 등을 들 수 있다. 이들 화합물군을 이용함으로써, 축합 후의 밀도가 향상되어, 수지 몰드에 대한 전사재의 침투를 억제하는 효과가 향상되고, 전사재의 전사 정밀도가 향상된다.In addition, one or more of the above-mentioned functional groups may be replaced with a phenyl group or the like directly without passing through oxygen atom from a metal species. Examples thereof include diphenylsilanediol, dimethylsilanediol, and the like. By using these groups of compounds, the density after condensation is improved, the effect of suppressing the penetration of the transfer material into the resin mold is improved, and the transfer precision of the transfer material is improved.

할로겐화실란이란, 상기 금속 알콕시드의 금속종이 실리콘이고, 가수분해 중축합하는 작용기가 할로겐 원자로 치환된 화합물군이다.The halogenated silane is a group of compounds in which the metal species of the metal alkoxide is silicon and the hydrolytic condensation functional group is substituted with a halogen atom.

액상 유리로는, 아폴로링사 제조의 TGA 시리즈 등을 들 수 있다. 원하는 물성에 맞추어, 그 외의 졸겔 화합물을 첨가할 수도 있다.Examples of the liquid glass include TGA series manufactured by Apollo Co., Ltd. Other sol-gel compounds may be added according to desired physical properties.

또한, 금속 알콕시드로서 실세스퀴옥산 화합물을 이용할 수도 있다. 실세스퀴옥산이란, 규소 원자 1개에 대하여, 1개의 유기기와 3개의 산소 원자가 결합한 화합물이다. 실세스퀴옥산으로는, 조성식 (RSiO3/2)n으로 나타내는 폴리실록산이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바구니형, 사다리형, 랜덤 등의 어느 구조를 갖는 폴리실록산이어도 좋다. 또한, 조성식 (RSiO3 /2)n에 있어서, R은, 치환 또는 비치환의 실록시기, 기타 임의의 치환기여도 좋다. n은 8∼12인 것이 바람직하고, 경화성 수지 조성물 (4)의 경화성이 양호해지기 때문에, 8∼10인 것이 보다 바람직하고, n은 8인 것이 더욱 바람직하다. n개의 R은, 각각 동일해도 좋고 상이해도 좋다.A silsesquioxane compound may also be used as the metal alkoxide. Silsesquioxane is a compound in which one organic group and three oxygen atoms are bonded to one silicon atom. The silsesquioxane is not particularly limited as long as it is a polysiloxane represented by the composition formula (RSiO 3/2 ) n , but may be a polysiloxane having any structure such as basket, ladder or random. Further, in the formula (RSiO 3/2) n, R is a substituted or unsubstituted siloxy group, any other substitution may contribute. n is preferably 8 to 12 and more preferably 8 to 10 because curing property of the curable resin composition (4) is improved, and n is more preferably 8. The n Rs may be the same or different.

실세스퀴옥산 화합물로는, 예컨대, 폴리수소화실세스퀴옥산, 폴리메틸실세스퀴옥산, 폴리에틸실세스퀴옥산, 폴리프로필실세스퀴옥산, 폴리이소프로필실세스퀴옥산, 폴리부틸실세스퀴옥산, 폴리-sec-부틸실세스퀴옥산, 폴리-tert-부틸실세스퀴옥산, 폴리페닐실세스퀴옥산 등을 들 수 있다. 또한, 이들 실세스퀴옥산에 대하여 n개의 R 중 적어도 1개를, 다음에 예시하는 치환기로 치환해도 좋다. 치환기로는, 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 2,2,2-트리플루오로-1-트리플루오로메틸에틸, 2,2,3,4,4,4-헥사플루오로부틸, 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로펜틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로펜틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 노나플루오로-1,1,2,2-테트라히드로헥실, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로데실, 퍼플루오로-1H,1H,2H,2H-도데실, 퍼플루오로-1H,1H,2H,2H-테트라데실, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실 등, 알콕시실릴기 등을 들 수 있다. 또한, 시판되는 실세스퀴옥산을 사용할 수 있다. 예컨대, Hybrid Plastics사의 여러가지 바구니형 실세스퀴옥산 유도체, 알드리치사의 실세스퀴옥산 유도체 등을 들 수 있다.Examples of the silsesquioxane compound include polyhydric silsesquioxane, polymethylsilsesquioxane, polyethylsilsesquioxane, polypropylsilsesquioxane, polyisopropylsilsesquioxane, polybutylsilane Poly-sec-butylsilsesquioxane, poly-tert-butylsilsesquioxane, polyphenylsilsesquioxane, and the like. Further, at least one of n Rs may be substituted for these silsesquioxanes by substituents exemplified below. Examples of the substituent include trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 3,3,3-trifluoropropyl, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl, 2,2,3,3- 3,3-pentafluoropropyl, 2,2,2-trifluoro-1-trifluoromethylethyl, 2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl, 2,2,3, 3,4,4,5,5-octafluoropentyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl, 2,2,3,3,3-penta Fluoropropyl, 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentyl, 3,3,3-trifluoropropyl, nonafluoro-1,1,2,2-tetrahydro Hexyl, tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl, perfluoro-1H, 1H, 2H, , Perfluoro-1H, 1H, 2H, 2H-tetradecyl, 3,3,4,4,5,5,6,6-nonafluorohexyl, and the like, and alkoxysilyl groups. Commercially available silsesquioxane can also be used. For example, various basket type silsesquioxane derivatives of Hybrid Plastics, silsesquioxane derivatives of Aldrich, and the like.

금속 알콕시드는, 중합 반응이 부분적으로 반응하고, 미반응의 작용기가 남아 있는 프리폴리머 상태여도 좋다. 금속 알콕시드가 부분적으로 축합함으로써, 금속종이 산소 원소를 통해 이어진 프리폴리머를 얻을 수 있다. 즉, 부분적으로 축합함으로써, 분자량이 큰 프리폴리머를 제조할 수 있다. 금속 알콕시드를 부분적으로 축합함으로써, 수지 몰드에 유연성이 부여되고, 그 결과, 수지 몰드를 금속 알콕시드를 이용한 전사에 의해 제작하는 경우의, 미세 요철 구조의 파괴나 크랙을 억제할 수 있다.The metal alkoxide may be in a prepolymer state in which the polymerization reaction partially takes place and unreacted functional groups remain. By partial condensation of the metal alkoxide, it is possible to obtain a prepolymer having the metal species bound thereto through the oxygen element. That is, by partial condensation, a prepolymer having a large molecular weight can be produced. By partially condensing the metal alkoxide, flexibility is imparted to the resin mold, and as a result, breakage and cracks of the fine uneven structure can be suppressed when the resin mold is produced by transfer using a metal alkoxide.

부분 축합도는, 반응 분위기나, 금속 알콕시드의 조합 등에 의해 제어 가능하고, 어느 정도의 부분 축합도의 프리폴리머 상태로 사용할지는, 용도나 사용 방법에 따라 적절하게 선택할 수 있기 때문에, 특별히 한정은 되지 않는다. 예컨대, 부분 축합체를 포함하는 경화성 수지 조성물의 점도가 50 cP 이상이면, 전사 정밀도 및 수증기에 대한 안정성이 보다 향상되기 때문에 바람직하고, 100 cP 이상이면, 이들 효과를 보다 발휘할 수 있기 때문에 더욱 바람직하다. 특히, 150 cP 이상이면 바람직하고, 250 cP 이상이면 보다 바람직하다. 한편, 점도의 상한치는, 전사 형성할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 전사 정밀도의 관점에서 대략 5000 cP 이하가 바람직하고, 4000 cP 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 부분 축합을 촉진시킨 프리폴리머는, 탈수 반응에 기초하는 중축합 및/또는 탈알콜 반응에 기초하는 중축합에 의해 얻을 수 있다. 예컨대, 금속 알콕시드, 물, 용제(알콜, 케톤, 에테르 등)를 포함하는 용액을 20℃∼150℃의 범위에서 가열하고, 가수분해, 중축합을 행함으로써, 프리폴리머를 얻을 수 있다. 중축합도는, 온도, 반응 시간, 및 압력(감압력)에 의해 제어 가능하고, 적절하게 선정할 수 있다. 또한, 물의 첨가를 행하지 않고, 환경 분위기 중의 수분(습도에 기초하는 수증기)을 이용하여, 서서히 가수분해·중축합을 행함으로써, 프리폴리머의 분자량 분포를 작게 하는 것도 가능하다. 또한, 중축합을 촉진시키기 위해, 에너지선을 조사하는 방법도 들 수 있다. 여기서 에너지선의 광원은, 금속 알콕시드의 종류에 따라 적절하게 선정할 수 있기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, UV-LED 광원, 메탈 할라이드 광원, 고압 수은등 광원 등을 채용할 수 있다. 특히, 금속 알콕시드에 광산발생제를 첨가해 두고, 상기 조성물에 에너지선을 조사함으로써, 광산발생제로부터 광산이 발생하고, 상기 광산을 촉매로 하여, 금속 알콕시드의 중축합을 촉진할 수 있고, 프리폴리머를 얻을 수 있다. 또한, 프리폴리머의 축합도 및 입체 배치를 제어할 목적으로, 금속 알콕시드를 킬레이트화한 상태에서, 상기 조작을 행하여 프리폴리머를 얻을 수도 있다. 또, 상기 프리폴리머란, 적어도 4개 이상의 금속 원소가 산소 원자를 통해 이어진 상태로 정의한다. 즉, -O-M1-O-M2-O-M3-O-M4-O- 이상으로 금속 원소가 축합한 상태를 프리폴리머로 정의한다. 여기서, M1, M2, M3, M4는 금속 원소이고, 동일한 금속 원소여도 좋고 상이해도 좋다. 예컨대, 티탄을 금속종에 갖는 금속 알콕시드를 예비 축합하여, -O-Ti-O-로 이루어지는 메탈록산 결합을 생성한 경우, [-O-Ti-]n의 일반식에 있어서, n≥4의 범위에서 프리폴리머로 한다. 마찬가지로, 예컨대, 티탄을 금속종에 갖는 금속 알콕시드와, 실리콘을 금속종으로 하는 금속 알콕시드를 예비 축합하여, -O-Ti-O-Si-O-로 이루어지는 메탈록산 결합을 생성한 경우, [-O-Ti-O-Si-]n의 일반식에 있어서 n≥2의 범위에서 프리폴리머로 한다. 다만, -O-Ti-O-Si-와 같이, 이종 금속 원소가 포함되는 경우, -O-Ti-O-Si-와 같이, 서로 교대로 배열한다고는 할 수 없다. 그 때문에, [-O-M-]n(다만, M=Ti 또는 Si)이라는 일반식에 있어서, n≥4의 범위에서 프리폴리머로 한다. 또, 원소 A 및 원소 B를 사용하여, -A-B-와 같이 화학 조성을 표현하고 있는데, 이것은, 원소 A와 원소 B의 결합을 설명하기 위한 표현이다. 예컨대, 원소 A가 결합손을 3 이상 갖는 경우에도, 동일한 표현을 사용하고 있다. 즉, -A-B-로 표기함으로써, 원소 A와 원소 B가 화학 결합하는 것을 적어도 표현하고 있고, 원소 A가 원소 B 이외와 화학 결합을 형성하는 것도 포함하고 있다.The degree of partial condensation can be controlled by a reaction atmosphere, a combination of metal alkoxides, and the like, and the degree of partial condensation can be appropriately selected depending on the use and the method of use, so that the prepolymer is not particularly limited Do not. For example, when the viscosity of the curable resin composition containing the partial condensate is 50 cP or more, the transfer precision and stability against water vapor are further improved, and 100 cP or more is more preferable because these effects can be exerted more . In particular, it is preferably 150 cP or more, more preferably 250 cP or more. On the other hand, the upper limit of the viscosity is not particularly limited as long as transferability is possible, but is preferably about 5000 cP or less, more preferably 4000 cP or less, from the viewpoint of transfer accuracy. Further, the prepolymer promoting the partial condensation can be obtained by polycondensation based on a dehydration reaction and / or on the basis of a de-alcohol reaction. For example, a prepolymer can be obtained by heating a solution containing a metal alkoxide, water and a solvent (alcohol, ketone, ether, etc.) at a temperature in the range of 20 to 150 캜, and performing hydrolysis and polycondensation. The polycondensation degree can be controlled by the temperature, the reaction time, and the pressure (depressurization), and can be appropriately selected. It is also possible to reduce the molecular weight distribution of the prepolymer by gradually carrying out hydrolysis and polycondensation using water (water vapor based on humidity) in the environmental atmosphere without adding water. Further, in order to accelerate the polycondensation, a method of irradiating the energy ray may be mentioned. Here, the light source of the energy ray can be suitably selected in accordance with the kind of the metal alkoxide. Therefore, a UV-LED light source, a metal halide light source, and a high-pressure mercury lamp light source can be employed. Particularly, when a photoacid generator is added to the metal alkoxide and the composition is irradiated with an energy beam, a photoacid is generated from the photoacid generator, and the polycondensation of the metal alkoxide can be promoted using the photoacid as a catalyst , A prepolymer can be obtained. In addition, for the purpose of controlling the degree of condensation and stereochemistry of the prepolymer, the prepolymer can also be obtained by carrying out the above-described operation while chelating the metal alkoxide. The above-described prepolymer is defined as a state in which at least four or more metal elements are connected via an oxygen atom. That is, a state in which a metal element is condensed to -O-M1-O-M2-O-M3-O-M4-O- is defined as a prepolymer. Here, M1, M2, M3, and M4 are metal elements, and they may be the same metal element or different metals. For example, when a metal alkoxide having titanium in a metal species is pre-condensed to produce a metalloxane bond composed of -O-Ti-O-, in a general formula of [-O-Ti-] n , Lt; / RTI &gt; Similarly, for example, in the case of pre-condensing a metal alkoxide having titanium in a metal species and a metal alkoxide having silicon as a metal species to produce a metalloxane bond composed of -O-Ti-O-Si-O-, In the general formula [-O-Ti-O-Si-] n , a prepolymer is prepared in a range of n 2. However, when a dissimilar metal element is included, such as -O-Ti-O-Si-, it may not be arranged alternately with each other like -O-Ti-O-Si-. Therefore, in the general formula [-OM-] n ( where M = Ti or Si), a prepolymer is used in the range of n? 4. In addition, the element A and the element B are used to express the chemical composition as -AB-, which is a description for explaining the combination of the element A and the element B. For example, even when the element A has three or more binding hands, the same expression is used. That is, the chemical bond of element A and element B at least is represented by -AB-, and element A includes a chemical bond with element B other than element B.

금속 알콕시드는, 불소 함유 실란 커플링제를 포함할 수 있다. 불소 함유 실란 커플링제를 포함함으로써, 금속 알콕시드의 경화물로 이루어지는 수지 몰드의 미세 요철 구조 표면의 에너지를 저하시키는 것이 가능해져, 이형층의 형성 등을 행하지 않아도, 전사재의 전사 정밀도가 향상된다. 이것은, 이형층을 미리 몰드 내부에 도입하는 것을 의미한다.The metal alkoxide may include a fluorine-containing silane coupling agent. By including the fluorine-containing silane coupling agent, the energy of the surface of the fine uneven structure of the resin mold made of the cured product of the metal alkoxide can be lowered, and the transfer precision of the transfer material is improved without forming the release layer. This means that the release layer is introduced into the mold in advance.

불소 함유 실란 커플링제로는, 예컨대, 일반식 F3C-(CF2)n-(CH2)m-Si(O-R)3(다만, n은 1∼11의 정수이고, m은 1∼4의 정수이고, 그리고 R은 탄소수 1∼3의 알킬기임)으로 나타내는 화합물일 수 있고, 폴리플루오로알킬렌쇄 및/또는 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄를 포함하고 있어도 좋다. 직쇄상 퍼플루오로알킬렌기, 또는 탄소 원자-탄소 원자 사이에 에테르성 산소 원자가 삽입되며, 또한, 트리플루오로메틸기를 측쇄에 갖는 퍼플루오로옥시알킬렌기가 더욱 바람직하다. 또한, 트리플루오로메틸기를 분자 측쇄 또는 분자 구조 말단에 갖는 직쇄상의 폴리플루오로알킬렌쇄 및/또는 직쇄상의 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄가 특히 바람직하다. 폴리플루오로알킬렌쇄는, 탄소수 2∼탄소수 24의 폴리플루오로알킬렌기가 바람직하다. 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄는, (CF2CF2O) 단위, (CF2CF(CF3)O) 단위, (CF2CF2CF2O) 단위, 및 (CF2O) 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류 이상의 퍼플루오로(옥시알킬렌) 단위로 구성되는 것이 바람직하고, (CF2CF2O) 단위, (CF2CF(CF3)O) 단위, 또는 (CF2CF2CF2O) 단위로 구성되는 것이 보다 바람직하다. 퍼플루오로(폴리옥시알킬렌)쇄는, 표면에 대한 편석성이 우수하다는 관점에서, (CF2CF2O) 단위로 구성되는 것이 특히 바람직하다.Examples of the fluorine-containing silane coupling agent include compounds represented by the general formula F 3 C- (CF 2 ) n - (CH 2 ) m -Si (OR) 3 wherein n is an integer of 1 to 11, And R is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), and may contain a polyfluoroalkylene chain and / or a perfluoro (polyoxyalkylene) chain. A straight-chain perfluoroalkylene group, or a perfluorooxyalkylene group having an etheric oxygen atom interposed between carbon atoms and carbon atoms, and having a trifluoromethyl group in the side chain. Further, straight-chain polyfluoroalkylene chains and / or straight-chain perfluoro (polyoxyalkylene) chains having a trifluoromethyl group at the molecular side chain or at the molecular structure terminal are particularly preferable. The polyfluoroalkylene chain is preferably a polyfluoroalkylene group having 2 to 24 carbon atoms. Perfluoro (polyoxyalkylene) chain, (CF 2 CF 2 O) unit, (CF 2 CF (CF 3) O) unit, (CF 2 CF 2 CF 2 O) units, and (CF 2 O) (CF 2 CF 2 O) unit, (CF 2 CF (CF 3 ) O) unit, or (CF 2 CF 2 O) unit, and preferably at least one kind of perfluoro CF 2 CF 2 CF 2 O). It is particularly preferable that the perfluoro (polyoxyalkylene) chain is composed of (CF 2 CF 2 O) units from the viewpoint of excellent surface segregation.

또한, 본 발명에 있어서는, 금속 알콕시드는, 폴리실란을 포함할 수 있다. 폴리실란은, 실리콘 원소가 주쇄를 구축하여, 주쇄가 -Si-Si-의 반복으로 구성되는 화합물이다. 폴리실란에, 에너지선(예컨대 UV)을 조사함으로써, -Si-Si- 결합이 절단되고, 실록산 결합이 생성된다. 이 때문에, 폴리실란을 포함함으로써, UV 조사에 의해, 효과적으로 실록산 결합을 생성할 수 있고, 금속 알콕시드를 원료로, 몰드를 전사 형성할 때의 전사 정밀도가 향상된다.Further, in the present invention, the metal alkoxide may include polysilane. The polysilane is a compound in which the silicon element constitutes the main chain and the main chain is composed of repeating -Si-Si-. By irradiating the polysilane with an energy ray (for example, UV), the -Si-Si bond is cleaved and a siloxane bond is generated. Therefore, by including the polysilane, the siloxane bond can be effectively generated by UV irradiation, and the transfer accuracy at the time of transfer-molding of the metal alkoxide as a raw material is improved.

또한, 수지 몰드는, 무기의 절편와 유기의 절편을 포함하는 하이브리드여도 좋다. 하이브리드인 것에 의해, 수지 몰드를 전사에 의해 제작할 때의 전사 정밀도가 향상되며, 또한 미세 요철 구조의 물리적 내구성도 향상된다. 또한, 전사재의 조성에 따라 다르기도 하지만, 전사재의 수지 몰드의 미세 요철 구조 내부로의 침투를 억제하는 효과가 커지고, 그 결과, 전사 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다. 하이브리드로는, 예컨대, 무기 전구체와 광중합(또는 열중합) 가능한 수지나, 유기 폴리머와 무기 절편이 공유 결합으로 결합한 분자 등을 들 수 있다. 무기 전구체로서 졸겔 재료를 사용하는 경우에는, 실란 커플링제를 포함하는 졸겔 재료 외에, 광중합 가능한 수지를 포함하는 것을 의미한다. 하이브리드의 경우, 예컨대, 금속 알콕시드, 광중합성기를 구비한 실란 커플링재나, 예컨대, 금속 알콕시드, 광중합성기를 구비한 실란 커플링재, 라디칼 중합계 수지 등을 혼합할 수 있다. 보다 전사 정밀도를 높이기 위해, 이들에 실리콘을 첨가해도 좋다. 실란 커플링제를 포함하는 금속 알콕시드와, 광중합성 수지의 혼합 비율은, 전사 정밀도의 관점에서, 3:7∼7:3의 범위가 바람직하다.Further, the resin mold may be a hybrid including an inorganic piece and an organic piece. By being hybrid, the transfer accuracy when the resin mold is produced by transfer is improved, and the physical durability of the micro concavo-convex structure is also improved. The effect of suppressing the penetration of the resin mold of the transfer material into the fine concavo-convex structure is increased although it depends on the composition of the transfer material, and as a result, the transfer precision can be improved. Hybrids include, for example, resins that can be photopolymerized (or thermally polymerized) with inorganic precursors, and molecules in which organic polymers and inorganic fragments are covalently bonded. When a sol-gel material is used as the inorganic precursor, it means that it contains a photopolymerizable resin in addition to a sol-gel material containing a silane coupling agent. In the case of the hybrid, for example, a metal alkoxide, a silane coupling agent having a photopolymerizable group, a metal alkoxide, a silane coupling agent having a photopolymerizable group, a radical polymerization resin, and the like can be mixed. In order to further improve the transfer precision, silicon may be added to these. The mixing ratio of the metal alkoxide containing a silane coupling agent and the photopolymerizable resin is preferably in the range of 3: 7 to 7: 3 from the viewpoint of transfer precision.

수지 몰드를 구성하는 열가소성 수지로는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸펜타크릴레이트, 시클로올레핀 폴리머, 시클로올레핀 코폴리머, 투명 불소 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 아크릴로니트릴/스티렌계 중합체, 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌계 중합체, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르에테르케톤, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(알킬비닐에테르)계 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/에틸렌계 공중합체, 불화비닐리덴/테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌계 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/프로필렌계 공중합체, 폴리플루오로(메트)아크릴레이트계 중합체, 주쇄에 함불소 지방족고리 구조를 갖는 함불소 중합체, 폴리불화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌/에틸렌계 공중합체, 클로로트리플루오로에틸렌/탄화수소계 알케닐에테르계 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌계 공중합체, 불화비닐리덴/헥사플루오로프로필렌계 공중합체 등을 들 수 있다.Examples of the thermoplastic resin constituting the resin mold include polyolefins such as polypropylene, polyethylene, polyethylene terephthalate, polymethylpentacrilate, cycloolefin polymer, cycloolefin copolymer, transparent fluororesin, polyethylene, polypropylene, polystyrene, acrylonitrile / styrene (Meth) acrylate, polyarylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyamide, polyimide, poly (vinylidene chloride), poly (Alkyl vinyl ether) -based copolymer, tetra (ethylene / vinyl alcohol) copolymer, polytetrafluoroethylene, polytetrafluoroethylene, polytetrafluoroethylene, polytetrafluoroethylene / Fluoroethylene / ethylenic copolymers, vinylidene fluoride / tetrafluoro (Meth) acrylate polymer, a fluorine-containing polymer having a fluorine-containing aliphatic cyclic structure in its main chain, a polyvinyl fluoride, a polytetrafluoroethylene, a polytetrafluoroethylene- Examples of the fluorine-containing copolymer include fluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene / ethylenic copolymer, chlorotrifluoroethylene / hydrocarbon alkenyl ether copolymer, tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer, Vinylidene fluoride / hexafluoropropylene copolymer, and the like.

또한, 수지 몰드를 구성하는 열경화성 수지로는, 폴리이미드, 에폭시 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting resin constituting the resin mold include polyimide, epoxy resin, and urethane resin.

수지 몰드를 구성하는 지지 기재(필름)의 재질에 관해서는 특별히 제한은 없고, 유리, 세라믹, 금속 등의 무기 재료, 플라스틱 등의 유기 재료를 불문하고 사용할 수 있다. 성형체의 용도에 따라, 판, 시트, 필름, 박막, 직물, 부직포, 기타 임의의 형상 및 이들을 복합화한 것을 사용할 수 있지만, 굴곡성을 갖고 연속 생산성이 우수한 시트, 필름, 박막, 직물, 부직포 등을 포함하는 것이 특히 바람직하다. 굴곡성을 갖는 재질로는, 예컨대, 폴리메타크릴산메틸 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 시클로올레핀 수지(COP), 가교 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르케톤 수지 등의 비정질 열가소성 수지나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 방향족 폴리에스테르 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리아미드 수지 등의 결정성 열가소성 수지나, 아크릴계, 에폭시계, 우레탄계 등의 자외선(UV) 경화성 수지나 열경화성 수지를 들 수 있다. 또한, 자외선 경화성 수지나 열경화성 수지와, 유리 등의 무기 기판, 상기 열가소성 수지, 트리아세테이트 수지를 조합하여, 또는 단독으로 이용하여 지지 기재를 구성시킬 수도 있다.The material of the supporting substrate (film) constituting the resin mold is not particularly limited and can be used regardless of inorganic materials such as glass, ceramics, and metals, and organic materials such as plastics. A sheet, a film, a thin film, a woven fabric, a nonwoven fabric and the like which are flexible and have excellent continuous productivity can be used, although they may be plates, sheets, films, thin films, woven fabrics, Is particularly preferable. Examples of the material having flexibility include polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, cycloolefin resin (COP), crosslinked polyethylene resin, polyvinyl chloride resin, polyacrylate resin, polyphenylene ether resin, Amorphous thermoplastic resins such as modified polyphenylene ether resins, polyetherimide resins, polyether sulfone resins, polysulfone resins and polyether ketone resins, polyethylene terephthalate (PET) resins, polyethylene naphthalate resins, polyethylene resins, polypropylene Crystalline ultraviolet (UV) curable resins such as acrylic, epoxy, and urethane resins, and thermosetting resins such as polyimide resin, polybutylene terephthalate resin, aromatic polyester resin, polyacetal resin and polyamide resin . In addition, the support base material may be constituted by combining an ultraviolet ray-curable resin or a thermosetting resin with an inorganic substrate such as glass, the thermoplastic resin and triacetate resin, or alone.

이상, 본 실시형태에 관한 전사용 주형에 관해 설명했다. 계속해서, 본 발명의 전사용 주형을 사용하여 피처리체 상에 미세 요철 구조를 전사하는 방법에 관해 설명한다. 전사용 주형의 패턴부의 오목부 내부에 충전층을 충전 배치함으로써, 충전층 전사용 주형을 제조할 수 있다. 도 26에 도시한 바와 같이, 충전층 전사용 주형(400)은, 전사용 주형(401)을 포함한다. 전사용 주형(401)은, 지지 기재(402) 상에 형성된 수지층(403)의 표면에 미세 요철 구조를 갖는다. 수지층(403)에 형성된 오목부(403a)에는, 충전층(404)이 충전되어 있다.The transfer mold according to the present embodiment has been described above. Next, a method of transferring the fine concavo-convex structure onto the object to be processed using the transfer mold of the present invention will be described. The filling layer transfer mold can be manufactured by filling the filling layer in the concave portion of the pattern portion of the transfer mold. As shown in FIG. 26, the packed bed transfer mold 400 includes a transfer mold 401. The transfer mold 401 has a fine concavo-convex structure on the surface of the resin layer 403 formed on the supporting substrate 402. The filling layer 404 is filled in the concave portion 403a formed in the resin layer 403.

도 26에서의 「S」는, 전사용 주형(401)의 미세 요철 구조의 볼록부 정상부(403b)의 평균 위치를 의미한다. 「B」는, 전사용 주형(401)의 미세 요철 구조의 오목부(403a)의 바닥부의 평균 위치를 의미한다. 「Scc」는, 전사용 주형(401)의 미세 요철 구조의 오목부(403a)의 내부에 배치된 충전층(404)이 노출되는 표면 평균 위치를 의미한다. 위치 S와 위치 B의 최단 거리는 전사용 주형(401)의 미세 요철 구조의 평균 깊이(높이)(h)이다. 위치 S와 위치 Scc의 최단 거리는, 충전층(404)의 충전 정도를 표현하는 지표로서 lcc로 표기한다. 충전층 전사용 주형(400)은, 전사용 주형(401)의 미세 요철 구조의 오목부(403a)의 내부에 0<lcc<1.0h의 범위를 만족하도록 충전층(404)이 배치되어 있다. 특히, 충전층 전사용 주형(400)을 사용하여, 난가공 기재의 미세 가공을 행할 때의 가공 정밀도 면에서, lcc≤0.9h를 만족하면 바람직하고, lcc≤0.7h가 보다 바람직하고, lcc≤0.6h이면 가장 바람직하다. 한편, 동일한 효과로부터, 하한치가 0.02h≤lcc를 만족하면 바람직하고, 0.05h≤lcc를 만족하면 보다 바람직하고, 0.1h≤lcc를 만족하면 가장 바람직하다."S" in FIG. 26 means the average position of the convex portion 403b of the fine convex-concave structure of the transfer mold 401. "B" means the average position of the bottom of the concave portion 403a of the micro concavo-convex structure of the transfer mold 401. "Scc" means the surface average position at which the filling layer 404 disposed inside the concave portion 403a of the micro concavo-convex structure of the transfer mold 401 is exposed. The shortest distance between the position S and the position B is the average depth (height) (h) of the fine uneven structure of the transfer mold 401. The shortest distance between the position S and the position Scc is represented by lcc as an index expressing the filling degree of the filling layer 404. The filling layer transfer mold 400 is provided with the filling layer 404 so that the range of 0 <lcc <1.0h is satisfied in the concave portion 403a of the fine uneven structure of the transfer mold 401. Particularly, from the viewpoint of the processing accuracy when micro machining of the embossed substrate is performed using the packed bed transfer mold 400, it is preferable that lcc? 0.9h is satisfied, lcc? 0.7h is more preferable, and lcc? 0.6 h is most preferable. On the other hand, from the same effect, it is preferable that the lower limit value satisfies 0.02h? Lcc, more preferably 0.05h? Lcc, and most preferably 0.1h? Lcc.

충전층(404)의 충전에 관해 설명한다. 전사용 주형(401)에 충전층 재료를 희석한 용액을 도공하고, 잉여의 용제를 제거함으로써, 충전층 전사용 주형(400)을 얻을 수 있다. 여기서, 충전층 재료를 희석하는 용제로서 수계 용제(예컨대, 알콜, 케톤, 에테르 등)를 선정하면, 도공 정밀도가 향상되기 때문에 바람직하다. 도공 방법으로는, 롤러 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 분무 코트법, 그라비아 코트법, 마이크로 그라비아 코트법, 잉크젯법, 에어나이프 코트법, 플로우 코트법, 커튼 코트법, 스핀 코트법 등을 적용할 수 있다. 충전층 재료를 희석하는 농도는, 단위 체적당 충전층 재료의 고형분량이, 단위 면적하에 존재하는 요철 구조의 체적보다 작게 되면 특별히 한정되지 않는다.Charging of the filling layer 404 will be described. A solution in which the filling layer material is diluted is applied to the transfer mold 401 and the residual solvent is removed to obtain the filling layer transfer mold 400. [ Here, it is preferable that an aqueous solvent (for example, alcohol, ketone, ether, etc.) is selected as a solvent for diluting the filling layer material because coating accuracy is improved. Examples of coating methods include roller coating, bar coating, die coating, spray coating, gravure coating, micro gravure coating, ink jet, air knife coating, flow coating, curtain coating, Can be applied. The concentration for diluting the filling layer material is not particularly limited as long as the solid content of the filling layer material per unit volume is smaller than the volume of the concavo-convex structure present under the unit area.

패턴부, 즉 전사 영역에 대한 도공성 및 충전층의 충전 배치 정밀도를 향상시키는 관점에서, 전사용 주형(401)의 패턴부에 대한 물의 접촉각은 90도 이상이고, 패턴부의 개구율은 45% 이상, 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 55% 이상, 가장 바람직하게는 65% 이상이면 바람직하다. 또한, 충전층 재료를 희석하는 용제는, 수계 용제이면 상기 효과를 한층 더 발휘하기 때문에 바람직하다. 수계 용제로는 예컨대, 알콜, 에테르, 에스테르, 케톤 등을 들 수 있다. 특히, 알콜, 에테르, 케톤이면 바람직하다. 또한, 패턴부로의, 비패턴부 상에서 튄 도공액에 의한 침입을 저해하는 관점에서, 배리어 영역에 대한 물의 접촉각은 90도 이상이면 바람직하다.The contact angle of water with respect to the pattern portion of the transfer mold 401 is 90 degrees or more and the aperture ratio of the pattern portion is 45% or more, that is, from the viewpoint of improving the coverage of the pattern portion, , Preferably 50% or more, more preferably 55% or more, and most preferably 65% or more. Further, the solvent for diluting the filling layer material is preferable because it can further exert the above effects as long as it is an aqueous solvent. Examples of the aqueous system include alcohols, ethers, esters, and ketones. Especially preferred are alcohols, ethers and ketones. In addition, from the viewpoint of inhibiting penetration by the coating liquid splattering on the non-pattern portion into the pattern portion, the contact angle of water with respect to the barrier region is preferably 90 degrees or more.

또한, 충전층 재료가, 희석 도공 후의 용제 휘발 과정에서 양태가 변화되는 재료를 포함하면, 재료 자체의 면적을 작게 한다는 드라이빙 포스도 동시에 작용하는 것으로 추정되기 때문에, 보다 효과적으로 충전층을 충전 배치할 수 있게 된다. 양태의 변화란, 예컨대, 발열 반응이나, 점도가 커지는 변화를 들 수 있다. 예컨대, 금속 알콕시드로 대표되는 졸겔 재료를 포함하면, 용제 휘발 과정에서, 공기 중의 수증기와 반응하여, 졸겔 재료가 중축합된다. 이에 따라, 졸겔 재료의 에너지가 불안정화되기 때문에, 용제 건조에 따라 저하되는 용제 액면(용제와 공기 계면)으로부터 멀어지고자 하는 드라이빙 포스가 작용하고, 그 결과, 졸겔 재료가 양호하게 패턴부의 오목부 내부에 충전 배치된다.In addition, if the filling layer material contains a material whose shape changes in the solvent volatilization process after the dilution coating process, it is estimated that a driving force that reduces the area of the material itself also acts simultaneously, . Examples of the change in the mode include an exothermic reaction and a change in viscosity. For example, when a sol-gel material represented by a metal alkoxide is included, in the solvent volatilization process, the sol-gel material reacts with water vapor in the air to cause polycondensation. As a result, since the energy of the sol-gel material is destabilized, a driving force for moving away from the solvent surface (solvent and air interface) which is lowered by drying of the solvent acts. As a result, the sol- As shown in Fig.

이상과 같은 조작에 의해 충전층 전사용 주형(400)을 제조함으로써, 패턴부 내에서의 매크로한 충전층 충전율의 균등화를 달성할 수 있다. 예컨대 도공 불량 (2)를 예로 들면, 도 27에 도시한 바와 같이, 배리어 영역을 형성하지 않는 일반적인 전사용 주형(501)에 대하여, 상기 도공을 행하여, 충전층 전사용 주형(500)을 제조한 경우, 패턴부(505)에 충전 도공된 충전층(504)은, 비패턴부(506) 상에서 튄 도공액의 침입에 의해, 충전율이 큰 분포를 갖게 된다.By manufacturing the packed bed transfer mold 400 by the above-described operation, it is possible to achieve equalization of the filling rate of the macro packed bed in the pattern portion. For example, in the case of coating failure 2, as shown in Fig. 27, coating is performed on a general transfer mold 501 which does not form a barrier region to manufacture a packed bed transfer mold 500 The filling layer 504 filled in the pattern portion 505 has a distribution with a high filling rate due to penetration of the coating solution splattering on the non-pattern portion 506.

한편, 도 28에 도시한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 전사용 주형(401)을 이용한 충전층 전사용 주형(400)에서는, 패턴부(405)와 비패턴부(406)의 경계에 배리어 영역(407)을 형성함으로써, 비패턴부(406) 상에서 튄 도공액의 침입을 효과적으로 저해할 수 있기 때문에, 충전율의 분포를 작게 할 수 있다. 즉, 지점 A, B, C 중 어느 곳에 있어서도 충전율은 대략 동일해진다. 이러한, 지점 A, B, C의 어느 개소에서도 충전율이 거의 동일해지는 것은, 배리어 영역(407)을 형성하기 때문이며, 배리어 영역(407)을 상기 설명한 조건 범위 내에서 형성함으로써, 전사용 주형(401)에 대하여 도공액을 도공할 때에 생기는 진동이나 휨의 영향을 매우 작게 하는 것이 가능해진다. 충전층(404)의 충전율 분포가 매우 작은 충전층 전사용 주형(400)을 제조하는 것이 가능해지기 때문에, 충전층 전사용 주형(400)을 사용하여 난가공 기재를 미세 가공할 때의 면 내 분포를 작게 하는 것이 가능해지고, 난가공 기재에 형성되는 미세 요철 구조의 효과를 면 내에서 균질하게 발휘하는 것이 가능해진다.28, in the packed bed transfer mold 400 using the transfer mold 401 according to the present embodiment, a barrier layer 405 is formed on the boundary between the pattern portion 405 and the non-patterned portion 406. On the other hand, The penetration of the coating liquid splattering on the non-patterned portion 406 can be effectively inhibited, so that the distribution of the filling rate can be reduced. That is, the charging rates are substantially the same at any of the points A, B, and C. This is because the barrier regions 407 are formed at any of the points A, B, and C. The formation of the barrier regions 407 within the above- It is possible to greatly reduce the influence of vibration and warping generated when the coating liquid is applied to the substrate. It becomes possible to produce the filling layer transfer mold 400 having a very small filling rate distribution of the filling layer 404 and therefore the in-plane distribution when microfabrication of the embossed base material using the filling layer transfer mold 400 And the effect of the fine concavo-convex structure formed on the machined substrate can be exerted uniformly in the plane.

다음으로, 본 발명의 실시형태에 관한 충전층 전사용 주형(400)을 이용하여 무기 기재에 대하여 가공을 실시하는 방법에 관해 설명한다. 도 29는, 본 실시형태에 관한 충전층 전사용 주형을 이용한 무기 기재의 가공 방법의 각 공정을 도시하는 공정도이다.Next, a description will be given of a method of processing an inorganic substrate by using the filling layer transfer mold 400 according to the embodiment of the present invention. 29 is a process diagram showing each step of the method for processing an inorganic substrate using the filling layer transfer mold according to the present embodiment.

우선, 도 29의 A에 도시한 바와 같이, 충전층 전사용 주형(400)에 대하여, 유기층(410)을 성막하고, 유기층(410)을 무기 기재(411)에 첩합한다. 또, 충전층 전사용 주형(400)을, 무기 기재(411) 상에 성막된 유기층(410)에 첩합해도 좋다. 계속해서, 도 29의 B에 도시한 바와 같이, 예컨대, 에너지선 조사 또는 가열 처리를 실시함으로써, 충전층(404)과 유기층(410)을 접착한다. 계속해서, 도 29의 C와 같이 전사용 주형(401)을 박리함으로써, 무기 기재(411) 상에 충전층(404)과 유기층(410)을 전사 형성할 수 있다. 그 후, 도 29의 D에 도시한 바와 같이, 충전층(403)측에서 드라이 에칭을 행함으로써, 유기층(410)을 용이하게 미세 가공할 수 있다. 또한, 도 29의 E에 도시한 바와 같이, 얻어진 충전층(404)과 유기층(410)으로 구성되는 어스펙트비가 높은 미세 마스크 패턴을 마스크로서 기능시킴으로써, 무기 기재(411)를 도 29의 F에 도시한 바와 같이 용이하게 가공할 수 있다.First, as shown in Fig. 29A, the organic layer 410 is formed on the filling layer transfer mold 400, and the organic layer 410 is bonded to the inorganic substrate 411. Then, as shown in Fig. Alternatively, the filling layer transfer mold 400 may be applied to the organic layer 410 formed on the inorganic substrate 411. Subsequently, as shown in Fig. 29B, the filling layer 404 and the organic layer 410 are bonded by, for example, energy ray irradiation or heat treatment. Subsequently, the filling mold 404 and the organic layer 410 can be transferred and formed on the inorganic substrate 411 by peeling the transfer mold 401 as shown in Fig. 29C. Thereafter, as shown in Fig. 29D, dry etching is performed on the side of the filling layer 403, so that the organic layer 410 can be easily microfabricated. 29E, the inorganic substrate 411 can be formed as a mask by using a fine mask pattern composed of the obtained filling layer 404 and the organic layer 410 and having a high aspect ratio as a mask, It can be easily processed as shown in the figure.

이와 같이 무기 기재(411)를 가공할 수 있기 때문에, 사파이어와 같은 난가공 기재도 용이하게 가공할 수 있다. 예컨대, 사파이어 기재 표면을 상기 수법에 의해 용이하게 가공할 수 있다. 가공된 사파이어 표면에 반도체 발광 소자를 성막함으로써, LED를 제조할 수 있다. 특히, 전사용 주형의 미세 요철 구조의 피치가 100 nm∼500 nm, 높이가 50 nm∼500 nm이면, LED의 내부 양자 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 배열로서, 나노 스케일로 정규 배열을 이루며, 또한 마이크로 스케일의 큰 주기성을 갖는, 피치에 마이크로 스케일의 주기를 갖는 변조를 가한 홀 형상으로 하면, 광 추출 효율도 동시에 향상시키는 것이 가능해져, 고효율의 LED를 제조할 수 있다.Since the inorganic substrate 411 can be processed in this way, an embossed substrate such as sapphire can be easily processed. For example, the surface of the sapphire substrate can be easily processed by the above method. The LED can be manufactured by forming the semiconductor light emitting element on the processed sapphire surface. Particularly, when the pitch of the micro concavo-convex structure of the transfer mold is 100 nm to 500 nm and the height is 50 nm to 500 nm, the internal quantum efficiency of the LED can be improved. In addition, if the arrangement is a hole shape in which a regular arrangement is formed on a nanoscale and a large periodicity of a microscale is applied and modulation is performed with a period of a microscale in a pitch, the light extraction efficiency can be improved at the same time, Of LED can be manufactured.

다음으로, 본 실시형태에 관한 전사용 주형을 이용한 피처리체에 대한 미세 요철 구조 형성에 적용한 양태에 관해 설명한다.Next, a description will be given of a mode applied to the formation of a micro concavo-convex structure for an object to be processed using the transfer mold according to the present embodiment.

도 30 및 도 31은, 본 실시형태에 관한 미세 요철 구조 전사용 주형을 이용한 피처리체에 대한 미세 요철 구조 형성 방법을 설명하기 위한 공정도이다.Figs. 30 and 31 are process drawings for explaining a method for forming a micro concavo-convex structure with respect to an object to be processed using the micro concavo-convex structure transfer mold according to the present embodiment.

도 30의 A에 도시한 바와 같이, 전사용 주형(10)은, 그 주면 상에 요철 구조(11)가 형성되어 있다. 요철 구조(11)는, 복수의 오목부(11a)와 볼록부(11b)로 구성되어 있다. 전사용 주형(10)은, 예컨대, 필름형 또는 시트형의 수지 몰드이다.As shown in Fig. 30A, the transfer mold 10 has a concave-convex structure 11 formed on its main surface. The concavoconvex structure 11 is composed of a plurality of concave portions 11a and convex portions 11b. The transfer mold 10 is, for example, a film mold or a sheet mold resin mold.

우선, 도 30의 B에 도시한 바와 같이, 전사용 주형(10)의 요철 구조(11)의 오목부(11a)의 내부에, 후술하는 제1 마스크층을 패터닝하기 위한 제2 마스크층(12)을 충전한다. 제2 마스크층(12)은, 예컨대, 졸겔 재료로 이루어진다.30B, a second mask layer 12 for patterning the first mask layer, which will be described later, is formed in the concave portion 11a of the concavo-convex structure 11 of the transfer mold 10, ). The second mask layer 12 is made of, for example, a sol-gel material.

다음으로, 도 30의 C에 도시한 바와 같이, 제2 마스크층(12)을 포함하는 요철 구조(11) 상에, 제1 마스크층(13)을 형성한다. 이 제1 마스크층(13)은, 후술하는 피처리체의 패터닝에 이용된다. 제1 마스크층(13)은, 예컨대, 광경화성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어진다.Next, as shown in Fig. 30C, the first mask layer 13 is formed on the concavo-convex structure 11 including the second mask layer 12. Then, as shown in Fig. The first mask layer 13 is used for patterning an object to be processed, which will be described later. The first mask layer 13 is made of, for example, a photo-curing resin or a thermosetting resin.

또한, 도 30의 C에 도시한 바와 같이, 제1 마스크층(13)의 상측에는, 보호층(14)을 형성할 수 있다. 보호층(14)은, 제1 마스크층(13)을 보호하는 것으로, 필수는 아니다.Further, as shown in FIG. 30C, the protective layer 14 can be formed on the first mask layer 13. The protective layer 14 protects the first mask layer 13 and is not essential.

여기서, 전사용 주형(10), 제2 마스크층(12) 및 제1 마스크층(13)으로 이루어지는 적층체를, 미세 패턴 형성용 적층체(15), 또는 간단히 적층체(15)라고 부른다.Here, the laminate composed of the transfer mold 10, the second mask layer 12 and the first mask layer 13 is referred to as a laminate 15 for forming a fine pattern or simply a laminate 15.

다음으로, 도 31의 A에 도시한 바와 같은 피처리체(20)를 준비한다. 피처리체(20)는, 예컨대 사파이어 기판이다. 우선, 도 31의 B에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면 상에, 보호층(14)을 제거한 후의 적층체(15)를, 제1 마스크층(13)의 노출면을 피처리체(20)의 주면에 대면시켜 라미네이트(열압착)한다. 계속해서, 적층체(15)에 대하여 에너지선을 조사하여 제1 마스크층(13)을 경화시켜, 적층체(15)를 피처리체(20)에 접착한다.Next, the object to be processed 20 as shown in Fig. 31A is prepared. The object to be processed 20 is, for example, a sapphire substrate. First, as shown in Fig. 31B, the laminate 15 after the protective layer 14 is removed is placed on the main surface of the object to be processed 20 with the exposed surface of the first mask layer 13, (Thermocompression bonding) facing the main surface of the substrate 20. Subsequently, the layer 15 is irradiated with an energy ray to cure the first mask layer 13, and the layered product 15 is adhered to the object 20 to be treated.

다음으로, 도 31의 C에 도시한 바와 같이, 전사용 주형(10)을, 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)으로부터 박리한다. 이 결과, 피처리체(20), 제1 마스크층(13) 및 제2 마스크층(12)으로 이루어지는 중간체(21)가 얻어진다.Next, as shown in Fig. 31C, the transfer mold 10 is peeled from the first mask layer 13 and the second mask layer 12. As a result, an intermediate body 21 composed of the object to be processed 20, the first mask layer 13 and the second mask layer 12 is obtained.

다음으로, 제2 마스크층(12)을 마스크로 하여, 제1 마스크층(13)을, 예컨대 애싱에 의해, 도 31의 D에 도시한 바와 같이 패터닝한다. 또한, 패터닝된 제1 마스크층(13)을 마스크로 하여, 피처리체(20)에 예컨대 반응성 이온 에칭을 실시하여, 도 31의 E에 도시한 바와 같이, 피처리체(20)의 주면에 미세 요철 패턴(22)을 형성한다. 마지막으로, 피처리체(20)의 주면에 남은 제1 마스크층(13)을 제거하여, 도 31의 F에 도시한 바와 같은 미세 요철 패턴(22)을 갖는 피처리체(20)를 얻는다.Next, using the second mask layer 12 as a mask, the first mask layer 13 is patterned, for example, by ashing as shown in Fig. 31D. 31E, the object to be treated 20 is subjected to reactive ion etching using the patterned first mask layer 13 as a mask to form fine irregularities on the main surface of the object to be processed 20, Pattern 22 is formed. Finally, the first mask layer 13 remaining on the main surface of the workpiece 20 is removed to obtain the workpiece 20 having the fine uneven pattern 22 as shown in Fig. 31F.

이 양태에서는, 도 30의 A∼도 30의 C에 도시하는 전사용 주형(10)으로부터 적층체(15)를 얻는 데까지를 하나의 라인(이하, 제1 라인이라고 함)으로 행한다. 그 이후의, 도 31의 A∼도 31의 F까지를 별도의 라인(이하, 제2 라인이라고 함)으로 행한다. 보다 바람직한 양태에 있어서는, 제1 라인과, 제2 라인은, 별도의 시설에서 행해진다. 이 때문에, 적층체(15)는, 예컨대, 전사용 주형(10)이 필름형이고, 가요성을 갖는 경우에, 적층체(15)를 두루마리형(롤형)으로 하여 보관 또는 운반된다. 또한, 적층체(15)는, 전사용 주형(10)이 시트형인 경우에, 복수의 적층체(15)를 중첩하여 보관 또는 운반된다.In this embodiment, one line (hereinafter referred to as the first line) is used to obtain the laminate 15 from the transfer mold 10 shown in Fig. 30A to Fig. 30C. The subsequent steps A through F of FIG. 31 are performed on a separate line (hereinafter referred to as a second line). In a more preferred embodiment, the first line and the second line are performed in separate facilities. For this reason, the laminate 15 is stored or transported in the form of a roll (rolled) when the transfer mold 10 is film-like and has flexibility, for example. Further, when the transfer mold 10 is of the sheet type, the stacked body 15 is stacked and stored or transported.

보다 바람직한 양태에 있어서는, 제1 라인은 적층체(15)의 서플라이어의 라인이고, 제2 라인은 적층체(15)의 유저의 라인이다. 이와 같이, 서플라이어에 있어서 적층체(15)를 미리 양산하고, 유저에게 제공함으로써, 다음과 같은 이점이 있다.In a more preferred embodiment, the first line is the line of the supplier of the laminate 15, and the second line is the line of the user of the laminate 15. In this manner, the laminate 15 in the supplier is mass-produced in advance and provided to the user, which has the following advantages.

(1) 적층체(15)를 구성하는 전사용 주형(10)의 미세 요철 구조의 정밀도를 반영시켜, 피처리체(20)에 미세 가공을 행할 수 있다. 즉, 미세 요철 구조의 정밀도를 적층체(15)로 담보하는 것이 가능해져, 번잡한 프로세스나 장치를 사용하지 않고, 피처리체(20)를 면 내에서 높은 정밀도로 미세 가공할 수 있다.(1) Micro-machining can be performed on the subject 20 by reflecting the precision of the micro concavo-convex structure of the transfer mold 10 constituting the layered product 15. In other words, the precision of the fine concavo-convex structure can be secured with the laminate 15, and the object to be processed 20 can be finely processed with high accuracy in the plane without using a complicated process or apparatus.

(2) 가공된 피처리체(20)를 사용하여 디바이스를 제조하기에 최적인 장소에서 적층체(15)를 사용할 수 있다. 즉, 안정적인 기능을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.(2) The laminated body 15 can be used in a place optimal for manufacturing a device using the processed object 20 to be processed. That is, a device having a stable function can be manufactured.

상기 설명한 바와 같이, 제1 라인을 적층체(15)의 서플라이어의 라인으로, 제2 라인을 적층체(15)의 유저의 라인으로 함으로써, 피처리체(20)의 가공에 최적인, 그리고, 가공된 피처리체(20)를 사용하여 디바이스를 제조하기에 최적인 환경에서 적층체(15)를 사용할 수 있다. 이 때문에, 피처리체(20)의 가공 및 디바이스 조립의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 적층체(15)는 전사용 주형(10)과 전사용 주형(10)의 미세 요철 구조 상에 형성된 기능층으로 구성되는 적층체이다. 즉, 피처리체(20)의 가공 정밀도를 지배하는 마스크층의 배치 정밀도를, 적층체(15)의 전사용 주형(10)의 미세 요철 구조의 정밀도로 담보하는 것이 가능해진다. 이상으로부터, 제1 라인을 적층체(15)의 서플라이어의 라인으로, 제2 라인을 적층체(15)의 유저의 라인으로 함으로써, 가공된 피처리체(20)를 사용하여 디바이스를 제조하기에 최적인 환경에서, 적층체(15)를 사용하여 높은 정밀도로 피처리체(20)를 가공하여 사용할 수 있다.As described above, by setting the first line to the line of the supplier of the layered product 15 and the second line to the line of the user of the layered product 15, The laminated body 15 can be used in an environment optimal for manufacturing a device using the processed object 20. Therefore, processing of the subject 20 and throughput of device assembly can be improved. The laminate 15 is a laminate composed of a transfer mold 10 and a functional layer formed on the micro concavo-convex structure of the transfer mold 10. That is, it is possible to secure the arrangement accuracy of the mask layer that governs the processing accuracy of the object to be processed 20 with the precision of the fine uneven structure of the transfer mold 10 of the laminate 15. As described above, by making the first line the line of the supplier of the layered product 15 and the second line the line of the user of the layered product 15, The object to be processed 20 can be processed and used with high accuracy by using the layered product 15. [

이하, 본 발명의 효과를 명확하게 하기 위해 행한 실시예에 관해 설명한다.Hereinafter, embodiments for the purpose of clarifying the effects of the present invention will be described.

실시예에 있어서는, 이하의 재료 및 측정 방법을 이용했다.In the examples, the following materials and measuring methods were used.

· DACHP…불소 함유 우레탄(메트)아크릴레이트(OPTOOL DAC HP(다이킨 공업사 제조))· DACHP ... Fluorine-containing urethane (meth) acrylate (OPTOOL DAC HP (manufactured by Daikin Industries))

· M350…트리메틸올프로판트리아크릴레이트(토아 합성사 제조 M350)· M350 ... Trimethylolpropane triacrylate (M350, manufactured by Toagosei Co., Ltd.)

· I.184…1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤(BASF사 제조 Irgacure(등록 상표) 184)· I.184 ... 1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (Irgacure (registered trademark) 184 manufactured by BASF)

· I.369…2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1(BASF사 제조 Irgacure(등록 상표) 369)· I.369 ... 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1 (Irgacure (registered trademark) 369 manufactured by BASF)

· TTB…티타늄(IV)테트라부톡시드 모노머(Wako사 제조)· TTB ... Titanium (IV) tetrabutoxide monomer (Wako)

· DEDFS…디에톡시디페닐실란(신에츠 실리콘사 제조 LS-5990)· DEDFS ... Diethoxydiphenylsilane (LS-5990 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.)

· X21-5841…말단 OH 변성 실리콘(신에츠 실리콘사 제조)· X21-5841 ... Terminal OH-modified silicone (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.)

· SH710…페닐 변성 실리콘(토오레·다우코닝사 제조)· SH710 ... Phenyl-modified silicone (manufactured by Toray Dow Corning)

· 3APTMS…3아크릴옥시프로필트리메톡시실란(KBM5103(신에츠 실리콘사 제조))· 3APTMS ... 3 acryloxypropyltrimethoxysilane (KBM5103 (Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.))

· M211B…비스페놀 A EO 변성 디아크릴레이트(아로닉스 M211B(토아 합성사 제조))· M211B ... Bisphenol A EO-modified diacrylate (Aronix M211B (Toagosei Co., Ltd.))

· M101A…페놀 EO 변성 아크릴레이트(아로닉스 M101A(토아 합성사 제조))· M101A ... Phenol EO-modified acrylate (ARONIX M101A (manufactured by TOA Corporation))

· OXT221…3-에틸-3{[(3-에틸옥세탄-3-일)메톡시]메틸}옥세탄(아론옥세탄 OXT-221(토아 합성사 제조))· OXT221 ... (3-ethyl-3 - [(3-ethyloxetan-3-yl) methoxy] methyl} oxetane (AARON oxetane OXT-

· CEL2021P…3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트· CEL2021P ... 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexene carboxylate

· DTS102…디페닐[4-(페닐티오)페닐]술포늄헥사플루오로포스페이트(광산발생제(미도리 화학사 제조))· DTS102 ... Diphenyl [4- (phenylthio) phenyl] sulfonium hexafluorophosphate (photo acid generator (Midori Chemical))

· DBA…9,10-디부톡시안트라센(Anthracure(등록 상표) UVS-1331(Anthracure (등록 상표) UVS-1331(가와사키 화성사 제조))· DBA ... 9,10-dibutoxyanthracene (Anthracure 占 UVS-1331 (manufactured by Kawasaki Chemical))

· PGME…프로필렌글리콜모노메틸에테르· PGME ... Propylene glycol monomethyl ether

· MEK…메틸에틸케톤· MEK ... Methyl ethyl ketone

· MIBK…메틸이소부틸케톤· MIBK ... Methyl isobutyl ketone

· Es/Eb…미세 요철 구조를 표면에 구비하는 수지 몰드의, XPS법에 의해 측정되는 표면(표층) 불소 원소 농도(Es)와, 평균 불소 원소 농도(Eb)의 비율.· Es / Eb ... The ratio of the surface (surface layer) fluorine element concentration (Es) and the average fluorine element concentration (Eb) of the resin mold having the fine concavo-convex structure on its surface measured by the XPS method.

수지 몰드의 표면(표층) 불소 원소 농도는 X선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy: XPS)으로 측정했다. XPS에서의, X선의 샘플 표면으로의 침입 길이는 수 nm로 매우 얕기 때문에, XPS의 측정치를 본 발명에서의 수지 몰드 표면(표층)의 불소 원소 농도(Es)로서 채용했다. 수지 몰드를 약 2 mm 사방의 작은 조각으로서 잘라내고, 1 mm×2 mm의 슬롯형의 마스크를 씌워 하기 조건으로 XPS 측정에 제공했다.The surface (surface layer) fluorine element concentration of the resin mold was measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Since the penetration length of the X-ray into the sample surface in XPS is very shallow at several nm, the measured value of XPS was adopted as the fluorine element concentration (Es) in the resin mold surface (surface layer) in the present invention. The resin mold was cut into small pieces of about 2 mm square and covered with a slotted mask of 1 mm x 2 mm, and subjected to XPS measurement under the following conditions.

XPS 측정 조건XPS measurement conditions

사용 기기; 서모피셔 ESCALAB250Used equipment; Thermo Fisher ESCALAB250

여기원; mono. AlKα 15 kV×10 mAHere won; mono AlKα 15 kV × 10 mA

분석 사이즈; 약 1 mm(형상은 타원)Analysis size; About 1 mm (ellipse in shape)

취득 영역 Acquisition area

서베이 스캔(Survey scan); 0∼1, 100 eVSurvey scan; 0-1, 100 eV

내로우 스캔(Narrow scan); F 1s, C 1s, O 1s, N 1sNarrow scan; F 1s, C 1s, O 1s, N 1s

패스 에너지(Pass energy)Pass energy

서베이 스캔; 100 eVSurvey Scan; 100 eV

내로우 스캔; 20 eVNarrow scan; 20 eV

한편, 수지 몰드를 구성하는 수지 중의 평균 불소 원소 농도(Eb)는, 물리적으로 박리한 절편을, 플라스크 연소법으로 분해하고, 계속해서 이온 크로마토그래프 분석을 실시함으로써 측정했다.On the other hand, the average fluorine element concentration (Eb) in the resin constituting the resin mold was measured by decomposing the physically peeled slice by a flask combustion method and then conducting ion chromatographic analysis.

<전사용 주형 (IV)><Pre-casting mold (IV)>

도트 형상의 구조를 구비하는 수지 몰드에 대한 도공성 시험을, 다음과 같이 행했다.A coating property test for a resin mold having a dot-like structure was carried out as follows.

(a) 원통 형상 주형 제작(a) Production of a cylindrical mold

원통 형상 주형의 기재에는 석영 유리를 이용하고, 반도체 레이저를 이용한 직접 묘화 리소그래피법에 의해, 미세 요철 구조를 석영 유리 표면에 형성했다. 원통 형상 주형으로는, 패턴부(301)(이하, 도 23 참조)만을 갖는 원통 형상 주형 A와, 패턴부(301) 및 배리어 영역(302)을 갖는 원통 형상 주형 B를 제작했다. 패턴부(301)가 갖는 요철 구조는, 원통 형상 주형 A, B 모두, 피치 460 nm, 높이 460 nm, 볼록부 정상부 직경 50 nm로 했다. 원통 형상 주형 B에서의 배리어 영역(302)은, 패턴부(301)의 외측에 5 mm 폭으로 형성했다.A micro concavo-convex structure was formed on the surface of the quartz glass by a direct imaging lithography method using a semiconductor laser by using quartz glass for the base material of the cylindrical mold. As the cylindrical mold, a cylindrical mold A having only the pattern portion 301 (see Fig. 23 below) and a cylindrical mold B having the pattern portion 301 and the barrier region 302 were produced. The concavo-convex structure of the pattern unit 301 was such that the cylindrical molds A and B had a pitch of 460 nm, a height of 460 nm, and a convex top diameter of 50 nm. The barrier region 302 in the cylindrical mold B was formed to have a width of 5 mm outside the pattern portion 301.

원통 형상 주형 A, B에 대하여, 듀라서프 HD-1101Z(다이킨 화학 공업사 제조)를 도포하고, 60℃에서 1시간 가열 후, 실온에서 24시간 정치, 고정화했다. 그 후, 듀라서프 HD-ZV(다이킨 화학 공업사 제조)로 3회 세정하고, 이형 처리를 실시했다.The cylindrical molds A and B were coated with DuraSurf HD-1101Z (manufactured by Daikin Chemical Industries, Ltd.), heated at 60 占 폚 for 1 hour, and fixed at room temperature for 24 hours. Thereafter, the resultant was washed three times with DuraSurf HD-ZV (manufactured by Daikin Chemical Industries, Ltd.) and subjected to mold release treatment.

(b) 릴형 전사용 주형 (IV) 제작 (b) Production of reel type transfer mold (IV)

DACHP, M350, I.184 및 I.369를 혼합하여, 경화성 수지 조성물을 조액했다. DACHP는, M350, 100 질량부에 대하여, 10∼20 질량부 첨가했다. 원통 형상 주형 A, B 각각으로부터, 이하의 공정에 따라, 수지 몰드 C를 제작했다. 또, 후술하는 수지 몰드 C로부터 수지 몰드 D를 제작하는 공정에서는, 수지 몰드 C를 제작할 때에 사용한 수지와 동일한 수지를 사용하여, 수지 몰드 D를 제작했다. 또한, 수지 몰드 표면(표층) 불소 원소 농도(Es)와, 벌크 불소 원소 농도(Eb)의 비율은, 패턴부(311)의 구조 부분에서 측정 산출했다.DACHP, M350, I.184 and I.369 were mixed to prepare a curable resin composition. DACHP was added in an amount of 10 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of M350. From each of the cylindrical molds A and B, a resin mold C was produced according to the following steps. In the step of manufacturing the resin mold D from the resin mold C to be described later, a resin mold D was produced by using the same resin as that used for producing the resin mold C. The ratio of the fluorine element concentration (Es) to the bulk fluorine element concentration (Eb) on the resin mold surface (surface layer) was measured and calculated in the structural portion of the pattern portion 311.

PET 필름: A4100(토요보사 제조: 폭 300 mm, 두께 100 ㎛)의 용이 접착면에 마이크로 그라비아 코팅(야스이 세이키사 제조)에 의해, 도포막 두께 6 ㎛가 되도록 경화성 수지 조성물을 도포했다. 계속해서, 원통 형상 주형 A, B 각각에 대하여, 경화성 수지 조성물이 도포된 PET 필름을 닙롤(0.1 MPa)로 압박하고, 대기하, 온도 25℃, 습도 60%에서, 램프 중심하에서의 적산 노광량이 600 mJ/cm2가 되도록, 퓨전 UV 시스템즈·재팬 주식회사 제조의 UV 노광 장치(H 벌브)를 이용하여 자외선을 조사하여, 연속적으로 광경화를 실시하여, 표면에 미세 요철 구조가 전사된 릴형의 수지 몰드 C(길이 200 m, 폭 300 mm)를 얻었다. 릴형 수지 몰드 C의 패턴부(311)에서의 표면 미세 요철 구조의 형상은, 주사형 전자 현미경 관찰로 확인한 결과, 홀 형상의 구조는, 피치 460 nm, 깊이 460 nm, 개구폭 230 nm였다.The curable resin composition was coated on the easy-adhesion surface of a PET film: A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., width 300 mm, thickness 100 탆) with a microgravure coating (manufactured by Yasushi Kasei Co., Ltd.) so as to have a coating film thickness of 6 탆. Subsequently, for each of the cylindrical molds A and B, the PET film coated with the curable resin composition was pressed with a nip roll (0.1 MPa), and the accumulated exposure dose under the lamp center at 600 deg. m &lt; 2 &gt; / m &lt; 2 &gt; by using a UV exposure apparatus (H bulb) manufactured by Fusion UV Systems Japan Co., C (length 200 m, width 300 mm). The shape of the surface micro concavo-convex structure in the pattern portion 311 of the reel-like resin mold C was confirmed by scanning electron microscopic observation. As a result, the hole shape was 460 nm in pitch, 460 nm in depth, and 230 nm in aperture width.

PET 필름: A4100(토요보사 제조: 폭 300 mm, 두께 100 ㎛)의 용이 접착면에 마이크로 그라비아 코팅(야스이 세이키사 제조)에 의해, 수지 몰드 C를 제작했을 때에 사용한 수지와 동일한 경화성 수지 조성물을 도포막 두께 6 ㎛가 되도록 도포했다. 계속해서, 원통 형상 주형 A 또는 B로부터 직접 전사하여 얻어진 수지 몰드 C의 미세 요철 구조면에 대하여, 경화성 수지 조성물이 도포된 PET 필름을 닙롤(0.1 MPa)로 압박하고, 대기하, 온도 25℃, 습도 60%에서, 램프 중심하에서의 적산 노광량이 600 mJ/cm2가 되도록, 퓨전 UV 시스템즈·재팬 주식회사 제조의 UV 노광 장치(H 벌브)를 이용하여 자외선을 조사하여, 연속적으로 광경화를 실시하여, 표면에 미세 요철 구조가 전사된, 원통 형상 주형 A 또는 B와 동일한 미세 요철 구조를 구비하는 릴형의 수지 몰드 D(길이 200 m, 폭 300 mm)를 복수 얻었다. 릴형 수지 몰드 D의 표면 미세 요철 구조의 형상은, 주사형 전자 현미경 관찰로 확인한 결과, 도트 형상의 구조는, 피치 460 nm, 높이 460 nm, 볼록부 정상부 직경 50 nm였다. 얻어진 도트 형상을 구비하는 수지 몰드 D의, 표면(표층) 불소 원소 농도(Es)와, 평균 불소 원소 농도(Eb)의 비율(Es/Eb)은, DACHP의 투입량에 따라 40∼80의 값을 취하고, 수지 몰드 D의 전사 영역(311) 및 배리어 영역(312)의 물에 대한 접촉각은, 어느 것이나 90도보다 큰 것이 확인되었다.The same curable resin composition as the resin used when the resin mold C was produced by microgravure coating (Yasui Seiki) on the easy adhesion surface of PET film: A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., width 300 mm, thickness 100 탆) To a thickness of 6 mu m. Subsequently, the PET film coated with the curable resin composition was pressed with a nip roll (0.1 MPa) against the fine uneven surface of the resin mold C obtained by transferring directly from the cylindrical molds A or B, UV light was irradiated using a UV exposure apparatus (H bulb) manufactured by Fusion UV Systems Japan Co., Ltd. so that the total exposure dose under the lamp center was 600 mJ / cm 2 at a humidity of 60% A plurality of reel-shaped resin molds D (200 m in length and 300 mm in width) having the same fine concavo-convex structure as the cylindrical mold A or B, in which the fine concavo-convex structure was transferred to the surface, were obtained. The shape of the surface micro concavo-convex structure of the reel-type resin mold D was confirmed by scanning electron microscopic observation. As a result, the dot-shaped structure had a pitch of 460 nm, a height of 460 nm, and a convex top diameter of 50 nm. The ratio (Es / Eb) of the surface (surface layer) fluorine element concentration (Es) and the average fluorine element concentration (Eb) of the resin mold D having the obtained dot shape ranges from 40 to 80 depending on the amount of DACHP It was confirmed that the contact angle of the transfer region 311 and the barrier region 312 of the resin mold D with respect to water was larger than 90 degrees.

이하의 수지 몰드 D를 사용한 검토에 있어서는, Es/Eb=74.1, 55.4, 49.0인 발수성이 강한 수지 몰드를 선정하고, 이들 전부에 대하여 도공성의 검토를 행했다.In the following examination using the resin mold D, resin molds having high water repellency, Es / Eb = 74.1, 55.4, and 49.0 were selected, and coating properties were examined for all of them.

(c) 수지 몰드 D(릴형 전사용 주형 (IV))에 대한 직접 도공 (c) direct coating of resin mold D (reel type transfer mold (IV))

수지 몰드 D의 표면에 형성된 미세 요철 구조면에 대하여, 이하 재료 E, F, G를 각각 직접 도공하고, 도공성을 판단했다. 도공성은, 주형 A 유래의 수지 몰드 D를 사용한 경우에는, 패턴부(311) 부분과, 비패턴부(313)의 계면 부분에서 판단했다. 주형 B 유래의 수지 몰드 D를 사용한 경우에는, 패턴부(311)와 배리어 영역(312)의 계면 및 배리어 영역(312)과 비패턴부(313)의 계면에서 판단했다. 각각의 계면 부분에서, 도막에 불균일이나 튐이 생긴 경우에는 도공 불량으로 판단하고, 불균일이나 튐 없이 도공되어 있는 경우에는 도공 양호로 판단했다.Materials E, F and G were directly applied to the surface of the fine uneven structure formed on the surface of the resin mold D, respectively, and the coating properties were evaluated. When the resin mold D derived from the mold A was used, the coatability was judged from the pattern portion 311 portion and the interface portion of the non-pattern portion 313. The resin mold D derived from the mold B was used at the interface between the pattern portion 311 and the barrier region 312 and at the interface between the barrier region 312 and the non-pattern portion 313. In each of the interfacial areas, when the coating film had irregularities or scratches, it was judged to be a coating failure, and when the coating was applied without any irregularity, the coating was judged to be good.

재료 E…TTB:DEDFS:TEOS:X21-5841:SH710=65.25:21.75:4.35:4.35:4.35 [g]으로 충분히 혼합했다. 계속해서, 3.25%의 물을 포함하는 에탄올 2.3 ml를, 교반하에서, 서서히 적하했다. 그 후, 80도의 환경에서 4시간 숙성하고, 진공 배기를 행하여, 재료 E를 얻었다.Material E ... TTB: DEDFS: TEOS: X21-5841: SH710 = 65.25: 21.75: 4.35: 4.35: 4.35 [g]. Subsequently, 2.3 ml of ethanol containing 3.25% of water was slowly added dropwise with stirring. Thereafter, aging was performed in an environment of 80 degrees for 4 hours, and vacuum evacuation was performed to obtain material E.

재료 F…TTB:DEDRS:X21-5841:SH710:3APTMS:M211B:M101A:M350:I.184:I.369=33.0:11.0:4.4:4.4:17.6:8.8:8.8:8.8:2.4:0.9 [g]으로 충분히 혼합하여, 재료 F를 얻었다.Material F ... TTB: DEDRS: X21-5841: SH710: 3APTMS: M211B: M101A: M350: I.184: I.369 = 33.0: 11.0: 4.4: 4.4: 17.6: 8.8: 8.8: And mixed to obtain a material F.

재료 G…TTB:DEDRS:X21-5841:SH710:3APTMS=46.9:15.6:6.3:6.3:25.0 [g]으로 충분히 혼합하고, 계속해서, 3.25%의 물을 포함하는 에탄올 2.3 ml를, 교반하에서 서서히 적하했다. 그 후, 80도의 환경에서 2.5시간 숙성하고, 진공 배기를 행했다. 이 용액에, M211B:M101A:M350:I.184:I.369=29.6:29.6:29.6:8.1:3.0 [g]을 혼합한 용액 42.2 g을 첨가하고, 충분히 교반하여, 재료 G를 얻었다.Material G ... TTB: DEDRS: X21-5841: SH710: 3APTMS = 46.9: 15.6: 6.3: 6.3: 25.0 [g]. Subsequently, 2.3 ml of ethanol containing 3.25% water was slowly added dropwise with stirring. Thereafter, it was aged in an environment of 80 degrees for 2.5 hours, and vacuum evacuation was performed. 42.2 g of a solution obtained by mixing M211B: M101A: M350: I.184: I.369 = 29.6: 29.6: 29.6: 8.1: 3.0 [g] was added to this solution and sufficiently stirred to obtain a material G.

재료 E, F, G를, PGME 또는 MIBK로 희석했다. 희석 배율은, 1%∼5%의 범위에서 행하고, 수지 몰드 D의 미세 요철 구조 내부만이 매립되는 상태부터, 미세 요철 구조를 완전히 매립하며, 또한 미세 요철 구조 상에 도막이 형성되는 상태까지 시도했다.Materials E, F, G were diluted with PGME or MIBK. The dilution magnification was performed in a range of 1% to 5%, and a state was attempted in which only the inside of the micro concavo-convex structure of the resin mold D was filled, the micro concavo-convex structure was completely embedded and a coating film was formed on the micro concavo-convex structure .

수지 몰드 D의 미세 요철 구조면에 대한 재료 E, F, G의 도공은, 상기 (b) 릴형 전사용 주형 (IV) 제작과 동일한 장치를 사용했다. 마이크로 그라비아 코팅으로, 수지 몰드 D의 미세 요철 구조면에, 희석한 재료를 도공하고, 80도의 건조 분위기를 통과시킨 상태를 확인했다.The coating of the materials E, F and G on the fine concave-convex structure side of the resin mold D was the same as that of the above-mentioned (b) production of the reel type transfer mold (IV). A microgravure coating was applied to the surface of the fine uneven structure of the resin mold D to obtain a diluted material, and a state of passing through a drying atmosphere of 80 degrees was confirmed.

(d) 배리어 영역의 구조(d) Structure of barrier region

배리어 영역에서의 미세 요철 구조는, 패턴부의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 연속화되며, 또한 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가, 비패턴부(Rf=1)로 연속적으로 변화되는 것을 설계 지침으로 하여 이하 2종류를 설계했다. 즉, 평균 러프니스 팩터(Rf2)가, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소하는 배리어 영역을 형성했다.The fine roughness factor Rf1 in the pattern area and the average roughness factor Rf2 in the barrier area are continuous and the average roughness factor Rf2 in the barrier area is increased in the non- (Rf = 1), the following two types are designed. That is, the average roughness factor Rf2 was reduced to the barrier region side from the pattern portion side.

(d-1) 배리어 영역(1)(d-1) barrier region 1,

원통 형상 주형의 둘레 방향의 피치(둘레 피치)를 변화시키고, 축 방향의 피치(이송 피치)는, 둘레 피치에 따라, 정규 배열이 되도록 설정했다. 패턴부와 배리어 영역의 계면을 점 0으로서 취하고, 패턴부로부터 배리어 영역 방향으로의 축(거리)을 설정했다. 도 32는, 이 경우에서의 둘레 피치와 거리(그래프 100), 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리(그래프 101)의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 32에 도시하는 그래프의 횡축은 패턴부와 배리어 영역의 계면(점 0)으로부터의 거리[mm]를 나타내고, 종축(좌측)은 둘레 피치[nm]를 나타내고, 종축(우측)은 러프니스 팩터(Rf)의 값을 나타낸다. 도 32에 있어서, 이송 피치는, 둘레 피치×(0.866)이다. 점 0(거리 0 mm)에서의 피치는 460 nm이고, 패턴부와 연속이다. 점 0으로부터의 거리가 커질수록, 둘레 피치는 지수적으로 증가한다. 이 둘레 피치의 변화에 따라, 러프니스 팩터(Rf2)는, 평평한 1로 연속적으로 변화된다. 즉, 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소한다. 또한, 피치가 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 커짐에 따라, 개구율은 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 증가하고 있다.The circumferential pitch (circumferential pitch) of the cylindrical mold was varied, and the pitch in the axial direction (feed pitch) was set to be a regular arrangement according to the circumferential pitch. The interface between the pattern portion and the barrier region was taken as a point 0, and an axis (distance) in the direction of the barrier region from the pattern portion was set. 32 is a graph showing the relationship between the circumferential pitch and distance (graph 100) and the roughness factor Rf and distance (graph 101) in this case. The abscissa of the graph shown in Fig. 32 represents the distance [mm] from the interface (point 0) between the pattern portion and the barrier region, the ordinate axis (left side) represents the peripheral pitch [nm] (Rf). In Fig. 32, the feed pitch is the peripheral pitch x (0.866). The pitch at point 0 (distance 0 mm) is 460 nm and is continuous with the pattern portion. As the distance from point 0 increases, the circumferential pitch increases exponentially. As the peripheral pitch changes, the roughness factor Rf2 changes continuously to a flat one. That is, the roughness factor Rf2 decreases from the pattern portion side to the barrier region side. Further, as the pitch increases from the pattern portion side to the barrier region side, the opening ratio increases from the pattern portion side to the barrier region side.

(d-2) 배리어 영역(2)(d-2) the barrier region 2,

원통 형상 주형의 이송 피치만을 변화시키고, 둘레 피치는 460 nm로 일정하게 했다. 배열은 정규 배열로 했다. 패턴부와 배리어 영역의 계면을 점 0으로서 취하고, 패턴부로부터 배리어 영역 방향으로의 축(거리)을 설정했다. 도 33은, 이 경우에서의 이송 피치와 거리(그래프 102), 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리(그래프 103)의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 33에 도시하는 그래프의 횡축은 패턴부와 배리어 영역의 계면(점 0)으로부터의 거리[mm]를 나타내고, 종축(좌측)은 이송 피치[nm]를 나타내고, 종축(우측)은 러프니스 팩터(Rf)의 값을 나타낸다. 축 피치는, 460 nm로 일정하다. 점 0(거리 0 mm)에서의 이송 피치는 398 nm이고, 패턴부와 연속이다. 점 0으로부터의 거리가 커질수록, 이송 피치는 지수적으로 증가한다. 이 이송 피치의 변화에 따라, 러프니스 팩터(Rf)는, 평평한 1로 연속적으로 변화된다. 즉, 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소한다. 또한, 피치가 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 커짐에 따라, 개구율은 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 증가하고 있다.Only the transfer pitch of the cylindrical mold was changed, and the peripheral pitch was made constant at 460 nm. The array was a regular array. The interface between the pattern portion and the barrier region was taken as a point 0, and an axis (distance) in the direction of the barrier region from the pattern portion was set. 33 is a graph showing the relationship between the feed pitch and distance (graph 102) and the roughness factor Rf and distance (graph 103) in this case. The abscissa of the graph shown in Fig. 33 represents the distance [mm] from the interface (point 0) between the pattern portion and the barrier region, the ordinate axis (left side) represents the transfer pitch [nm] (Rf). The axial pitch is constant at 460 nm. The feed pitch at point 0 (distance 0 mm) is 398 nm and is continuous with the pattern portion. As the distance from point 0 increases, the feed pitch increases exponentially. As the feed pitch changes, the roughness factor Rf changes continuously to a flat one. That is, the roughness factor Rf2 decreases from the pattern portion side to the barrier region side. Further, as the pitch increases from the pattern portion side to the barrier region side, the opening ratio increases from the pattern portion side to the barrier region side.

(e) 도공 결과(e) Coating results

배리어 영역을 갖지 않는 주형 A 유래의 수지 몰드 D를 이용한 경우(비교예 1), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 패턴부와 비패턴부 계면에 있어서, 불균일이 관찰되었다. 불균일은, 용제의 휘발 건조와 함께 흰 헤이즈가 되어 관찰되었다. 이것은, 도 1의 B에 도시한 바와 같이, 패턴부(111)와 비패턴부(112)의 계면 상에 있어서 도공액(113)의 막 내부에 강한 응력이 작용하여, 도공액(113)의 막의 분열이 생기고, 이에 따라 도공 불균일(막두께 불균일)이 생겼기 때문이다(도공 불량 (1)).In the case of using the resin mold D derived from the mold A having no barrier region (Comparative Example 1), irregularities were observed at the pattern portion and the non-pattern portion interface irrespective of the materials E to G and their concentrations. The unevenness was observed as a white haze with volatile drying of the solvent. This is because strong stress acts on the inside of the film of the coating liquid 113 on the interface between the pattern portion 111 and the non-pattern portion 112 as shown in Fig. 1B, This is because the film is divided and thus the coating irregularity (film thickness unevenness) is generated (coating failure (1)).

배리어 영역을 갖는 주형 B 유래의 수지 몰드 D를 이용한 경우(실시예 1), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 패턴부와 배리어 영역의 계면, 및 배리어 영역과 비패턴부의 계면에 있어서, 불균일은 관찰되지 않고, 양호한 도공이 얻어졌다. 이것은, 도 4의 A에 도시한 바와 같이, 배리어 영역(111) 상에 있어서 도공액(113)의 막 내부의 응력이 완화되어, 도공액(113)의 막의 분열이 생기지 않고, 이에 따라 도공이 양호하게 행해졌기 때문이다.Regardless of the material E to G and its concentration, in the case of using the resin mold D originating from the mold B having the barrier region (Example 1), in the interface between the pattern portion and the barrier region and the interface between the barrier region and the non- No unevenness was observed, and a good coating was obtained. This is because as shown in Fig. 4A, the stress inside the film of the coating liquid 113 on the barrier region 111 is relaxed, so that the film of the coating liquid 113 is not divided, It was done well.

(f) 기타 검토(f) Other reviews

검토 (a)∼(e)에 있어서, 수지 몰드 D의 패턴부의 구조가 도트 형상이고, 피치 200 nm, 높이 400 nm, 볼록부 정상부 직경 20 nm의 경우에 관해서도, 동일한 검토를 행했다. 배리어 영역은, 패턴부의 러프니스 팩터(Rf)가 연속적으로 감소하며, 또한 비패턴부(러프니스 팩터(Rf)=1의 부분)로 연결되도록 상기 둘레 피치를 제어하여 설계했다. 즉, 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소한다. 또한, 피치가 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 커짐에 따라, 개구율은 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 증가하고 있다.In the examination (a) to (e), the same examinations were carried out in the case where the structure of the pattern portion of the resin mold D is dot-shaped, and the pitch is 200 nm, the height is 400 nm and the convex portion diameter is 20 nm. The barrier region is designed by controlling the peripheral pitch so that the roughness factor Rf of the pattern portion continuously decreases and is connected to the non-pattern portion (portion of the roughness factor Rf = 1). That is, the roughness factor Rf2 decreases from the pattern portion side to the barrier region side. Further, as the pitch increases from the pattern portion side to the barrier region side, the opening ratio increases from the pattern portion side to the barrier region side.

본 검토에 있어서도, 배리어 영역을 갖지 않는 주형 A 유래의 수지 몰드 D'를 이용한 경우(비교예 2), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 패턴부와 비패턴부의 계면에 있어서, 불균일이 관찰되었다. 불균일은, 흰 헤이즈가 되어 관찰되었다. 한편, 배리어 영역을 갖는 주형 B 유래의 수지 몰드 D를 이용한 경우(실시예 2), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 패턴부와 배리어 영역의 계면, 및 배리어 영역과 비패턴부의 계면에 있어서, 불균일은 관찰되지 않고, 양호한 도공이 얻어졌다.Also in this examination, in the case of using the resin mold D 'derived from the mold A having no barrier region (Comparative Example 2), irregularity was observed at the interface between the pattern portion and the non-pattern portion irrespective of the materials E to G and its concentration Respectively. The unevenness was observed as a white haze. On the other hand, in the case of using the resin mold D derived from the mold B having the barrier region (Example 2), the interface between the pattern portion and the barrier region and the interface between the barrier region and the non- So that no unevenness was observed, and a good coating was obtained.

또한, 릴형 수지 몰드가 아니라, 평판 주형을 사용하여, 동일한 검토를 행했다. 평판 주형의 기재에는 석영 유리를 이용하고, 반도체 레이저를 이용한 직접 묘화 리소그래피법에 의해, 미세 요철 구조를 평판 석영 표면에 형성했다. 평판 주형으로는, 패턴부만을 갖는 평판 주형 A2와, 패턴부와 배리어 영역을 갖는 평판 주형 B2를 제작했다. 패턴부에서의 미세 요철 구조는, 평판 주형 A2, B2 모두, 피치 460 nm, 높이 460 nm, 볼록부 바닥부 폭 230 nm, 볼록부 정상부 직경 40 nm로 했다. 또한, 평판 주형 B2에서의 배리어 영역은, 패턴부의 주위 5 mm의 폭을 사용하여 제작했다.Further, the same examination was conducted using a flat mold instead of the reel-type resin mold. The fine uneven structure was formed on the flat quartz surface by the direct drawing lithography method using the semiconductor laser by using quartz glass as the base material of the flat plate mold. As the flat plate mold, a flat plate mold A2 having only a pattern portion and a flat plate mold B2 having a pattern portion and a barrier region were produced. The fine concavo-convex structure in the pattern portion was 460 nm in pitch, 460 nm in pitch, 230 nm in width at the bottom of convex portion, and 40 nm in convex portion at both flat plate molds A2 and B2. The barrier region in the flat plate mold B2 was produced using a width of 5 mm around the pattern portion.

본 검토에 있어서도, 배리어 영역을 갖지 않는 평판 주형 A2 유래의, 도트 형상을 구비하는 수지 몰드 D를 이용한 경우(비교예 3), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 패턴부와 비패턴부의 계면에 있어서, 불균일이 관찰되었다. 불균일은, 흰 헤이즈가 되어 관찰되었다. 한편, 배리어 영역을 갖는 평판 주형 B2 유래의 수지 몰드를 이용한 경우(실시예 3), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 패턴부와 배리어 영역의 계면, 및 배리어 영역과 미세 요철 구조가 없는 부분의 계면에 있어서, 불균일은 관찰되지 않고, 양호한 도공이 얻어졌다.Also in this examination, it was confirmed that, in the case of using the resin mold D having the dot shape derived from the flat plate mold A2 having no barrier region (Comparative Example 3), the pattern portion and the non- At the interface, nonuniformity was observed. The unevenness was observed as a white haze. On the other hand, in the case of using the resin mold derived from the flat plate mold B 2 having the barrier region (Example 3), the interface between the pattern portion and the barrier region, and the interface between the barrier region and the fine uneven structure No irregularity was observed at the interface of the portion, and a good coating was obtained.

(g) 이형성 확인(g) Identification of dysplasia

실시예 및 비교예에서 얻어진 재료 E∼G를 도공한 후의 수지 몰드를 사용하여, 이형성을 확인했다. 이형성 확인 시험은 다음과 같이 행했다.By using the resin mold after coating the materials E to G obtained in the examples and the comparative examples, the releasability was confirmed. The moldability confirmation test was carried out as follows.

우선, 석영 기판 상에, 재료 H를 스핀 코트법에 의해 500 nm∼1000 nm 사이로 성막했다.First, a material H was deposited on the quartz substrate by spin coating at a thickness of 500 nm to 1000 nm.

재료 H…Material H ...

A액=OXT221:CEL2021P:M211B:M101A=20 g:80 g:50 g:50 gA solution = OXT221: CEL2021P: M211B: M101A = 20 g: 80 g: 50 g: 50 g

B액=PGME:DTS102:DBA:I.184=300 g:8 g:1 g:5 gB solution = PGME: DTS102: DBA: I.184 = 300 g: 8 g: 1 g: 5 g

A액:B액=100 g:157 gSolution A: Solution B = 100 g: 157 g

다음으로, 수지 몰드의 도공면을, 재료 H 막에 첩합하고, 0.05 MPa로 가압한 후에, UV 조사를 행했다. 마지막으로, 수지 몰드를 박리했다.Next, the coated surface of the resin mold was bonded to the material H film, and after pressurizing to 0.05 MPa, UV irradiation was performed. Finally, the resin mold was peeled off.

이형성은, 주사형 전자 현미경 및 투과형 전자 현미경으로 확인했다. 결과는 하기 표 2 중에 나타낸다. 이형성 양호(표 2 중 ○표)란, 「미세 요철 구조를 구비한 재료 E∼F 중 어느 것/재료 H/석영」으로 이루어지는 구조가 얻어진 경우로 했다. 미세 요철 구조가 파괴되어 있는 경우, 재료 E∼F가 전사되어 있지 않은 경우 등은, 전부 이형성 불량(표 2 중 ×표)으로 했다.Dissimilarity was confirmed by a scanning electron microscope and a transmission electron microscope. The results are shown in Table 2 below. In the case of good releasability (indicated by a circle in Table 2), it was assumed that a structure composed of "any of the materials E to F having a fine uneven structure / material H / quartz" was obtained. In the case where the fine concavo-convex structure is destroyed, the materials E to F are not transferred, and the like are all determined as defective releasability (in Table 2, mark X).

(비교예)(Comparative Example)

또한, 비교예로서, 배리어 영역을 갖지 않는 주형 A의 구조에 있어서, 패턴부와 비패턴부(러프니스 팩터(Rf)=1의 영역)의 계면에, 표면에 미세 요철 구조를 갖지 않는 경사 구조를 구비하는 주형 H도 제조했다. 주형 I 유래의 수지 몰드를 이용한 경우(비교예 4), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 미세 요철 구조를 갖지 않는 경사 구조 부분에 있어서, 불균일이 관찰되었다. 불균일은, 흰 헤이즈가 되어 관찰되었다.Further, as a comparative example, in the structure of the mold A having no barrier region, it is preferable that an inclined structure having no fine concavo-convex structure on the surface is provided on the interface between the pattern portion and the non-pattern portion (region of roughness factor Rf = 1) Was also prepared. In the case of using the resin mold derived from the mold I (Comparative Example 4), irregularities were observed in the inclined structural portions having no fine uneven structure irrespective of the materials E to G and their concentrations. The unevenness was observed as a white haze.

배리어 영역을 갖는 주형 B 유래의 수지 몰드 D에 대하여, 이하의 3가지 표면 처리를 실시했다.The resin mold D derived from the mold B having the barrier region was subjected to the following three surface treatments.

(비교예 5) 미세 요철 구조면에 대하여, 오존 처리를 30분 행했다.(Comparative Example 5) Ozone treatment was applied to the fine uneven surface of the structure for 30 minutes.

(비교예 6) 미세 요철 구조면에 대하여, 산소 애싱을 1분 행했다.(Comparative Example 6) Oxygen ashing was performed for one minute on the fine uneven structure surface.

(비교예 7) 미세 요철 구조면에 대하여, 스퍼터에 의해, SiO2를 10 nm 성막했다.(Comparative Example 7) SiO 2 was deposited to a thickness of 10 nm on the fine uneven structure surface by sputtering.

처리를 행한 주형 B 유래의 수지 몰드 D에 대하여, 동일한 도공성 시험 및 이형성 확인 시험을 행했다. 결과는, 하기 표 2 중에 나타낸다.The resin mold D derived from the mold B subjected to the treatment was subjected to the same coatability test and mold release confirmation test. The results are shown in Table 2 below.

실시예 및 비교예의 결과를 표 2에 나타낸다.The results of Examples and Comparative Examples are shown in Table 2.

Figure 112013092998757-pct00005
Figure 112013092998757-pct00005

이상으로부터, 배리어 영역에 미세 요철 구조를 갖지 않는 경우(비교예 1∼4)에는, 어느 경우도 도공성에 불량이 있는 것을 알 수 있다. 또한, 배리어 영역에 미세 요철 구조를 갖는 경우(실시예 1∼3)에는, 패턴부에서의 미세 요철 구조의 형상이나, 주형의 형상에 상관없이, 도공성 및 이형성이 양호한 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 5∼7과 같이, 표면 처리에 의해 도공성은 개선할 수 있지만, 이형성이 악화되는 것을 알 수 있다.From the above, it can be seen that, in the cases where the barrier regions have no fine concavo-convex structure (Comparative Examples 1 to 4), the coating properties are poor in either case. In addition, in the case of having the fine concavo-convex structure in the barrier region (Examples 1 to 3), the coatability and releasability are good regardless of the shape of the fine concavo-convex structure in the pattern portion and the shape of the mold. On the other hand, as in Comparative Examples 5 to 7, the surface treatment can improve the coating properties, but the releasability deteriorates.

<전사용 주형 (I)><Pre-casting mold (I)>

다음으로, 홀 형상의 구조를 구비하는 수지 몰드에 대한 도공성 시험을 다음과 같이 행했다.Next, a coating test for a resin mold having a hole-like structure was carried out as follows.

(h) 원통 형상 주형 제작(h) Production of cylindrical mold

원통 형상 주형의 기재에는 석영 유리를 이용하고, 반도체 레이저를 이용한 직접 묘화 리소그래피법에 의해, 미세 요철 구조를 석영 유리 표면에 형성했다. 원통 형상 주형으로는, 패턴부(301)(이하, 도 23 참조)만을 갖는 원통 형상 주형 I와, 패턴부(301) 및 배리어 영역(302)을 갖는 원통 형상 주형 J를 제작했다. 패턴부(301)가 갖는 미세 요철 구조는, 원통 형상 주형 I, J 모두, 피치 460 nm, 높이 460 nm, 개구폭 430 nm로 했다. 원통 형상 주형 J에서의 배리어 영역(302)은, 패턴부(301)의 외측에 5 mm 폭으로 형성했다.A micro concavo-convex structure was formed on the surface of the quartz glass by a direct imaging lithography method using a semiconductor laser by using quartz glass for the base material of the cylindrical mold. As the cylindrical mold, a cylindrical mold I having only the pattern portion 301 (see Fig. 23 below) and a cylindrical mold J having the pattern portion 301 and the barrier region 302 were produced. The fine concavo-convex structure of the pattern portion 301 was a pitch of 460 nm, a height of 460 nm, and an opening width of 430 nm in both cylindrical molds I and J. The barrier region 302 in the cylindrical mold J was formed to have a width of 5 mm outside the pattern portion 301.

원통 형상 주형 I, J에 대하여, 듀라서프 HD-1101Z(다이킨 화학 공업사 제조)를 도포하고, 60℃에서 1시간 가열 후, 실온에서 24시간 정치, 고정화했다. 그 후, 듀라서프 HD-ZV(다이킨 화학 공업사 제조)로 3회 세정하고, 이형 처리를 실시했다.The cylindrical molds I and J were coated with DuraSurf HD-1101Z (manufactured by Daikin Chemical Industries, Ltd.), heated at 60 占 폚 for 1 hour, and then fixed at room temperature for 24 hours. Thereafter, the resultant was washed three times with DuraSurf HD-ZV (manufactured by Daikin Chemical Industries, Ltd.) and subjected to mold release treatment.

(i) 릴형 전사용 주형 (I) 제작 (i) Production of reel type transfer mold (I)

DACHP, M350, I.184 및 I.369를 혼합하여, 경화성 수지 조성물을 조액했다. DACHP는, M350, 100 질량부에 대하여, 10∼20 질량부 첨가했다. 원통 형상 주형 I, J 각각으로부터, 이하의 공정에 따라, 수지 몰드 K를 제작했다. 또, 후술하는 수지 몰드 K로부터 수지 몰드 L을 제작하는 공정에서는, 수지 몰드 K를 제작할 때에 사용한 수지와 동일한 수지를 사용하여, 수지 몰드 L을 제작했다. 또한, 수지 몰드 표면(표층) 불소 원소 농도(Es)와, 벌크 불소 원소 농도(Eb)의 비율은, 패턴부(311)의 구조 부분에서 측정 산출했다.DACHP, M350, I.184 and I.369 were mixed to prepare a curable resin composition. DACHP was added in an amount of 10 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of M350. A resin mold K was produced from each of the cylindrical templates I and J according to the following steps. In the step of manufacturing the resin mold L from the resin mold K described later, a resin mold L was produced by using the same resin as that used for preparing the resin mold K. The ratio of the fluorine element concentration (Es) to the bulk fluorine element concentration (Eb) on the resin mold surface (surface layer) was measured and calculated in the structural portion of the pattern portion 311.

PET 필름: A4100(토요보사 제조: 폭 300 mm, 두께 100 ㎛)의 용이 접착면에 마이크로 그라비아 코팅(야스이 세이키사 제조)에 의해, 도포막 두께 6 ㎛가 되도록 경화성 수지 조성물을 도포했다. 계속해서, 원통 형상 주형 I, J 각각에 대하여, 경화성 수지 조성물이 도포된 PET 필름을 닙롤(0.1 MPa)로 압박하고, 대기하, 온도 25℃, 습도 60%에서, 램프 중심하에서의 적산 노광량이 600 mJ/cm2가 되도록, 퓨전 UV 시스템즈·재팬 주식회사 제조의 UV 노광 장치(H 벌브)를 이용하여 자외선을 조사하여, 연속적으로 광경화를 실시하여, 표면에 미세 요철 구조가 전사된 릴형의 수지 몰드 K(길이 200 m, 폭 300 mm)를 얻었다. 릴형 수지 몰드 K의 패턴부(311)에서의 표면 미세 요철 구조의 형상은, 주사형 전자 현미경 관찰로 확인한 결과, 도트 형상은, 피치 460 nm, 높이 460 nm였다.The curable resin composition was coated on the easy-adhesion surface of a PET film: A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., width 300 mm, thickness 100 탆) with a microgravure coating (manufactured by Yasushi Kasei Co., Ltd.) so as to have a coating film thickness of 6 탆. Subsequently, for each of the cylindrical molds I and J, the PET film coated with the curable resin composition was pressed with a nip roll (0.1 MPa), and the total exposure dose under the lamp center at 600 deg. m &lt; 2 &gt; / m &lt; 2 &gt; by using a UV exposure apparatus (H bulb) manufactured by Fusion UV Systems Japan Co., K (length 200 m, width 300 mm). The shape of the surface micro concavo-convex structure in the pattern portion 311 of the reel-shaped resin mold K was confirmed by scanning electron microscopic observation, and as a result, the dot shape was 460 nm in pitch and 460 nm in height.

PET 필름: A4100(토요보사 제조: 폭 300 mm, 두께 100 ㎛)의 용이 접착면에 마이크로 그라비아 코팅(야스이 세이키사 제조)에 의해, 수지 몰드 K를 제작했을 때에 사용한 수지와 동일한 경화성 수지 조성물을 도포막 두께 6 ㎛가 되도록 도포했다. 계속해서, 원통 형상 주형 I 또는 J로부터 직접 전사하여 얻어진 수지 몰드 K의 미세 요철 구조면에 대하여, 경화성 수지 조성물이 도포된 PET 필름을 닙롤(0.1 MPa)로 압박하고, 대기하, 온도 25℃, 습도 60%에서, 램프 중심하에서의 적산 노광량이 600 mJ/cm2가 되도록, 퓨전 UV 시스템즈·재팬 주식회사 제조의 UV 노광 장치(H 벌브)를 이용하여 자외선을 조사하여, 연속적으로 광경화를 실시하여, 표면에 미세 요철 구조가 전사된, 원통 형상 주형 I 또는 J와 동일한 미세 요철 구조를 구비하는 릴형의 수지 몰드 L(길이 200 m, 폭 300 mm)을 복수 얻었다. 릴형 수지 몰드 L의 표면 미세 요철의 형상은, 주사형 전자 현미경 관찰로 확인한 결과, 홀 형상은, 피치 460 nm, 높이 460 nm, 개구폭 430 nm였다. 얻어진 홀 형상을 구비하는 수지 몰드 D의, 표면(표층) 불소 원소 농도(Es)와, 평균 불소 원소 농도(Eb)의 비율(Es/Eb)은, DACHP의 투입량에 따라 40∼80 사이이고, 수지 몰드 L의 패턴부(311) 및 배리어 영역(312)의 물에 대한 접촉각은 어느 것이나 90도보다 큰 것이 확인되었다.PET film: The same curable resin composition as the resin used when the resin mold K was produced by microgravure coating (manufactured by Yasui Seiki Co., Ltd.) on the easy adhesion surface of A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., width 300 mm, thickness 100 탆) To a thickness of 6 mu m. Subsequently, the PET film coated with the curable resin composition was pressed with a nip roll (0.1 MPa) against the fine uneven surface of the resin mold K obtained by transferring directly from the cylindrical mold I or J, UV light was irradiated using a UV exposure apparatus (H bulb) manufactured by Fusion UV Systems Japan Co., Ltd. so that the total exposure dose under the lamp center was 600 mJ / cm 2 at a humidity of 60% A plurality of reel-shaped resin molds L (length 200 m, width 300 mm) having the same fine concavo-convex structure as the cylindrical mold I or J, in which the fine concavo-convex structure was transferred to the surface, were obtained. The shape of the surface fine irregularities of the reel-type resin mold L was confirmed by scanning electron microscopic observation. As a result, the hole shape was 460 nm in pitch, 460 nm in height, and 430 nm in aperture. The ratio (Es / Eb) of the surface (surface layer) fluorine element concentration Es and the average fluorine element concentration Eb of the resin mold D having the obtained hole shape is between 40 and 80 depending on the amount of the DACHP, It was confirmed that the contact angle of the pattern portion 311 of the resin mold L and the barrier region 312 with respect to water was greater than 90 degrees.

(j) 수지 몰드 L(릴형 전사용 주형 (I))에 대한 직접 도공(홀 형상)(j) Direct coating (hole shape) on resin mold L (reel type transfer mold (I))

수지 몰드 L의 표면에 형성된 미세 요철 구조면에 대하여, 재료 E, F, G를 각각 직접 도공하고, 도공성을 판단했다. 도공성은, 주형 I 유래의 수지 몰드 L을 사용한 경우에는, 패턴부(311)(이하, 도 24 참조)의 비패턴부(313)에 가까운 영역(패턴부(311)의 에지부)에서 판단하고, 주형 J 유래의 수지 몰드 L을 사용한 경우에는, 패턴부(311)의 배리어 영역(312)에 가까운 영역(패턴부(311)의 에지부), 및 비패턴부(313)의 배리어 영역(312)에 가까운 부분(비패턴부(313)의 에지부)에서 판단했다. 패턴부(311)의 에지부에 도공 불균일이 생긴 경우에는 도공 불량으로 판단하고, 불균일 없이 도공되어 있는 경우에는 도공 양호로 판단했다.Materials E, F and G were applied directly to the fine concavo-convex structure surface formed on the surface of the resin mold L, respectively, to evaluate the coatability. When the resin mold L originating from the mold I is used, the coating property is determined in a region (edge portion of the pattern portion 311) near the non-pattern portion 313 of the pattern portion 311 (see Fig. 24 below) (The edge portion of the pattern portion 311) near the barrier region 312 of the pattern portion 311 and the barrier region 312 (the edge portion of the pattern portion 311) of the non-pattern portion 313 in the case where the resin mold L originating from the mold J is used, (The edge portion of the non-pattern portion 313). When the coating portion of the pattern portion 311 has irregular coating, it is determined that the coating is defective. When the coating portion is coated unevenly, it is determined that the coating is good.

재료 E, F, G를, PGME 또는 MIBK로 희석했다. 희석 배율은, 1%∼5%의 범위에서 행하고, 수지 몰드 L의 미세 요철 구조 내부만이 매립되는 상태부터, 미세 요철 구조를 완전히 매립하며, 또한 미세 요철 구조 상에 도막이 형성되는 상태까지 시도했다.Materials E, F, G were diluted with PGME or MIBK. The dilution magnification was performed in a range of 1% to 5%, and a state in which only the inside of the micro concavo-convex structure of the resin mold L was buried was tried to completely fill the micro concavo-convex structure and form a coating film on the micro concavo-convex structure .

수지 몰드 L의 미세 요철 구조면에 대한 재료 E, F, G의 도공은, 상기 (i) 릴형 전사용 주형 (I) 제작과 동일한 장치를 사용했다. 마이크로 그라비아 코팅으로, 수지 몰드 L의 미세 요철 구조면에, 희석한 재료 E, F, G를 도공하고, 80도의 건조 분위기를 통과시킨 상태를 확인했다.The coating of the materials E, F, and G on the fine uneven structure surface of the resin mold L was carried out by using the same apparatus as in the above (i) production of the reel type transfer mold (I). The microgravure coating was applied to the fine concavo-convex structure side of the resin mold L with the diluted materials E, F and G, and the state of passing through a drying atmosphere of 80 degrees was confirmed.

(k) 배리어 영역의 구조(k) Structure of barrier region

배리어 영역으로서 2종류 설계하고, 각각 별개로 원통 형상 주형에 구비시켰다. 하나는, 배리어 영역에서의 미세 요철 구조는, 패턴부의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 연속화되며, 또한 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가, 비패턴부(Rf=1)로 연속적으로 변화되는 것을 설계 지침으로 했다(배리어 영역 A).Two kinds of barrier regions were designed, and each of them was provided separately in a cylindrical mold. One is that the fine roughness factor Rf1 in the pattern portion and the average roughness factor Rf2 in the barrier region are continuous and the average roughness factor Rf2 in the barrier region is equal to the average roughness factor Rf2 in the barrier region, (Rf = 1) in the non-pattern portion (barrier region A).

다른 하나는, 배리어 영역에서의 미세 요철 구조는, 패턴부의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가 비연속화되며, 또한 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2)가, 비패턴부(Rf=1)로 비연속적으로 변화되는 것을 설계 지침으로 했다(배리어 영역 B).The other is that the fine roughness factor Rf1 of the pattern portion and the average roughness factor Rf2 of the barrier region are discontinuous and the average roughness factor Rf2 of the barrier region is discrete, (Non-continuous) in the non-pattern portion (Rf = 1) (barrier region B).

원통 형상 주형의 이송 피치만을 변화시키고, 둘레 피치는 460 nm로 일정하게 했다. 배열은 정규 배열로 했다. 패턴부와 배리어 영역의 계면을 점 0으로서 취하고, 패턴부로부터 배리어 영역 방향으로의 축(거리)을 설정했다. 도 34는, 배리어 영역 A에 관한 도면이며, 이 경우에서의 이송 피치와 거리(그래프 104), 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리(그래프 105)의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 34에 도시하는 그래프의 횡축은 패턴부와 배리어 영역의 계면(점 0)으로부터의 거리[mm]를 나타내고, 종축(좌측)은 이송 피치[nm]를 나타내고, 종축(우측)은 러프니스 팩터(Rf)의 값을 나타낸다. 점 0(거리 0 mm)에서의 이송 피치는 398 nm이고, 패턴부와 연속이다. 점 0으로부터의 거리가 커질수록, 이송 피치는 지수적으로 증가한다. 이 이송 피치의 변화에 따라, 러프니스 팩터(Rf)는, 평평한 1로 연속적으로 변화된다. 즉, 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소한다. 또한, 피치가 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 커짐에 따라, 개구율은 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소하고 있다.Only the transfer pitch of the cylindrical mold was changed, and the peripheral pitch was made constant at 460 nm. The array was a regular array. The interface between the pattern portion and the barrier region was taken as a point 0, and an axis (distance) in the direction of the barrier region from the pattern portion was set. Fig. 34 is a diagram relating to the barrier region A, and is a graph showing the relationship between the feed pitch and the distance (graph 104) and the roughness factor Rf and the distance (graph 105) in this case. The abscissa of the graph shown in Fig. 34 represents the distance [mm] from the interface (point 0) between the pattern portion and the barrier region, the ordinate axis (left side) represents the transfer pitch [nm] (Rf). The feed pitch at point 0 (distance 0 mm) is 398 nm and is continuous with the pattern portion. As the distance from point 0 increases, the feed pitch increases exponentially. As the feed pitch changes, the roughness factor Rf changes continuously to a flat one. That is, the roughness factor Rf2 decreases from the pattern portion side to the barrier region side. Further, as the pitch increases from the pattern portion side to the barrier region side, the aperture ratio decreases from the pattern portion side to the barrier region side.

도 35는, 배리어 영역 B에 관한 도면이며, 이 경우에서의 이송 피치와 거리(그래프 106), 및 러프니스 팩터(Rf)와 거리(그래프 107)의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 35에 도시하는 그래프의 횡축은 패턴부와 배리어 영역의 계면(점 0)으로부터의 거리[mm]를 나타내고, 종축(좌측)은 이송 피치[nm]를 나타내고, 종축(우측)은 러프니스 팩터(Rf)의 값을 나타낸다. 도 35에 있어서, 점 0(거리 0 mm)의 위치에, 패턴부와 배리어 영역의 Rf 및 이송 피치의 비연속성을 나타내기 위해, 참조점으로서 패턴부의 Rf(A) 및 이송 피치(B)도 기재했다. 배리어 영역의, 점 0(거리 0 mm)에서의 이송 피치는 867 nm이고, 패턴부와 비연속이며, 배리어 영역 내부에서는 이송 피치는 변화되고 있지 않다. 그 때문에, 러프니스 팩터(Rf)는, 패턴부와 비연속이며, 배리어 영역 내에서 일정하다. 또한, 비패턴부(평평하기 때문에, Rf=1)로 비연속적으로 변화된다. 즉, 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소한다. 또한, 피치가 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 커짐에 따라, 개구율은 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소하고 있다.Fig. 35 is a diagram relating to the barrier region B, and is a graph showing the relationship between the feed pitch and the distance (graph 106) and the roughness factor Rf and the distance (graph 107) in this case. The abscissa of the graph shown in Fig. 35 represents the distance [mm] from the interface (point 0) between the pattern portion and the barrier region, the abscissa (left side) represents the transfer pitch [nm] (Rf). In Fig. 35, Rf (A) and the feed pitch B of the pattern portion as a reference point are also plotted as a reference point in order to indicate discontinuity of the Rf and the feed pitch in the pattern portion and the barrier region at the position of the point 0 (distance 0 mm) . The transfer pitch at the point 0 (distance 0 mm) in the barrier region is 867 nm, which is discontinuous with the pattern portion, and the transfer pitch is not changed within the barrier region. Therefore, the roughness factor Rf is discontinuous with the pattern portion, and is constant in the barrier region. Also, the non-patterned portion (flattened, Rf = 1) changes discontinuously. That is, the roughness factor Rf2 decreases from the pattern portion side to the barrier region side. Further, as the pitch increases from the pattern portion side to the barrier region side, the aperture ratio decreases from the pattern portion side to the barrier region side.

(l) 도공 결과(l) Coating results

배리어 영역을 갖지 않는 주형 I 유래의 수지 몰드 L을 이용한 경우(비교예8), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 비패턴부에서 튄 도공액이, 튄 도공액이 안정되기까지의 자기 유동 및 수지 몰드의 진동에 기인하는 유동에 의해, 패턴부로 침입하여, 패턴부 에지부에 도공 불균일이 관찰되었다. 미세 요철 구조의 체적보다 도공 고형분의 체적이 큰 경우에는, 패턴부와 비패턴부의 계면으로부터 패턴부 방향으로 막두께는 감소함과 동시에, 막두께 분포는 양호해져 갔다. 한편, 미세 요철 구조의 체적보다 도공 고형분의 체적이 작은 경우에는, 패턴부와 비패턴부의 계면으로부터 전사 영역 방향을 향해, 도 26에 예시하여 설명한 충전층(404)의 충전율이, 도 27에 예시하는 분포를 갖는 것이, 투과형 전자 현미경 및 에너지 분산형 X선 분광법 관찰에 의해 확인되었다.In the case of using the resin mold L derived from the mold I having no barrier region (Comparative Example 8), the coating liquid splattering from the non-pattern portion was used for the self- Flow into the pattern portion due to the flow caused by the vibration of the flow and the resin mold, and coating irregularity was observed in the edge portion of the pattern portion. In the case where the volume of the coat solid portion is larger than the volume of the fine uneven structure, the film thickness decreases from the interface between the pattern portion and the non-pattern portion toward the pattern portion, and the film thickness distribution becomes good. On the other hand, in the case where the volume of the coat solid portion is smaller than the volume of the fine concavo-convex structure, the filling rate of the filling layer 404 exemplified in Fig. 26 toward the transfer region direction from the interface between the pattern portion and the non- Was confirmed by observing the transmission electron microscope and the energy dispersive X-ray spectroscopy.

배리어 영역을 갖는 주형 J 유래의 수지 몰드 L을 이용한 경우(실시예 4), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 비패턴부에서 튄 도공액은, 튄 도공액이 안정되기까지의 자기 유동 및 수지 몰드의 진동에 기인하는 유동에 의해 수지 몰드의 비패턴부 상을 이동했지만, 배리어 영역을 타고 넘을 수 없어, 배리어 영역의 비패턴부측에 배리어 영역에 평행하게 배열되었다. 이 때문에, 패턴부 에지부에 도공 불균일은 관찰되지 않았다.In the case of using the resin mold L derived from the mold J having the barrier region (Example 4), regardless of the materials E to G and the concentration thereof, the coating liquid splattering from the non- Pattern portion of the resin mold due to the flow caused by the vibration of the resin mold, but it could not pass over the barrier region and was arranged parallel to the barrier region on the non-pattern side of the barrier region. Therefore, coating irregularity was not observed at the edge of the pattern portion.

(m) 기타 검토(m) Other Review

검토 (h)∼(l)에 있어서, 수지 몰드 L의 패턴부의 구조가 홀 형상이고, 피치 200 nm, 깊이 200 nm, 개구폭 180 nm의 경우에 관해서도, 동일한 검토를 행했다. 배리어 영역은, 패턴부의 러프니스 팩터(Rf)가 연속적으로 감소하며, 또한 비패턴부(러프니스 팩터(Rf)=1의 부분)로 연결되도록 설계했다. 즉, 러프니스 팩터(Rf2)는, 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소한다. 또한, 피치가 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 커짐에 따라, 개구율은 패턴부측으로부터 배리어 영역측으로 감소하고 있다.In the review (h) to (l), the same examinations were carried out in the case where the structure of the pattern portion of the resin mold L is a hole shape and the pitch is 200 nm, the depth is 200 nm, and the opening width is 180 nm. The barrier region is designed so that the roughness factor Rf of the pattern portion is continuously decreased and also connected to the non-pattern portion (portion of the roughness factor Rf = 1). That is, the roughness factor Rf2 decreases from the pattern portion side to the barrier region side. Further, as the pitch increases from the pattern portion side to the barrier region side, the aperture ratio decreases from the pattern portion side to the barrier region side.

본 검토에 있어서도, 배리어 영역을 갖지 않는 주형 I 유래의 수지 몰드 L'를 이용한 경우(비교예 9), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 비패턴부에서 튄 도공액이 패턴부로 침입하고, 그 결과, 패턴부의 에지부에 도공 불균일이 관찰되었다. 한편, 배리어 영역을 갖는 주형 J 유래의 수지 몰드 L'를 이용한 경우(실시예 5), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 비패턴부에서 튄 도공액은, 배리어 영역을 타고 넘을 수 없고, 그 결과, 패턴부의 에지부는 양호하게 도공되어 있었다. 비패턴부 상에서 튀어, 패턴부측으로 향하고, 배리어 영역에 의해 패턴부로의 침입을 저지당한 도공액은, 배리어 영역의 비패턴부측을 따라 배치되어 있었다. 배리어 영역 A를 갖는 경우에도, 배리어 영역 B를 갖는 경우에도 양호한 도공 결과가 얻어졌지만, 비패턴부 상에서 튄 도공액의 배리어성(배리어 영역에서의 튐 상태)은, 배리어 영역 B를 갖는 경우가 보다 강했다.Also in this examination, in the case of using the resin mold L 'derived from the mold I having no barrier region (Comparative Example 9), the coating solution splattering from the non-pattern portion invades into the pattern portion regardless of the materials E to G and its concentration As a result, coating irregularity was observed at the edge portion of the pattern portion. On the other hand, in the case of using the resin mold L 'derived from the mold J having the barrier region (Example 5), the coating liquid splattering from the non-pattern portion can not pass over the barrier region regardless of the materials E to G and its concentration As a result, the edge portion of the pattern portion was well coated. The coating liquid which was protruded from the non-pattern portion and directed to the pattern portion side and was prevented from entering the pattern portion by the barrier region was disposed along the non-pattern portion side of the barrier region. A good coating result was obtained even in the case of having the barrier region A and the barrier region B, but the barrier property of the coating solution splattering on the non-pattern portion (the state in the barrier region) It was strong.

또한, 원통 형상 주형이 아니라, 평판 주형을 사용하여, 동일한 검토를 행했다. 평판 주형의 기재에는 석영 유리를 이용하고, 반도체 레이저를 이용한 직접 묘화 리소그래피법에 의해, 미세 요철 구조를 평판 석영 표면에 형성했다. 평판 주형으로는, 패턴부만을 갖는 평판 주형 I2와, 패턴부와 배리어 영역을 갖는 평판 주형 J2를 제작했다. 패턴부에서의 미세 요철 구조는, 평판 주형 I2, J2 모두, 피치 460 nm, 깊이 460 nm, 개구폭 430 nm로 했다. 또한, 평판 주형 J2에서의 배리어 영역은, 패턴부의 주위 5 mm의 폭을 사용하여 제작했다.Further, the same examination was conducted using a flat mold instead of the cylindrical mold. The fine uneven structure was formed on the flat quartz surface by the direct drawing lithography method using the semiconductor laser by using quartz glass as the base material of the flat plate mold. As a flat plate mold, a flat plate mold I2 having only a pattern portion and a flat plate mold J2 having a pattern portion and a barrier region were produced. The fine convexo-concave structure in the pattern portion was 460 nm in pitch, 460 nm in depth, and 430 nm in aperture width in both flat plate molds I2 and J2. The barrier region in the flat plate mold J2 was formed using a width of 5 mm around the pattern portion.

본 검토에 있어서도, 배리어 영역을 갖지 않는 평판 주형 I2 유래의, 홀 형상을 구비하는 수지 몰드 L을 이용한 경우(비교예 10), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 비패턴부에서 튄 도공액이 패턴부로 침입하고, 그 결과, 패턴부의 에지부에 도공 불균일이 관찰되었다. 한편, 배리어 영역을 갖는 평판 주형 J2 유래의 수지 몰드를 이용한 경우(실시예 6), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 비패턴부에서 튄 도공액은, 배리어 영역을 타고 넘을 수 없고, 그 결과, 패턴부의 에지부는 양호하게 도공되어 있었다. 비패턴부 상에서 튀어, 패턴부측으로 향하고, 배리어 영역에 의해 패턴부로의 침입을 저지당한 도공액은, 배리어 영역의 비패턴부측을 따라 배치되어 있었다.Also in this examination, in the case of using the resin mold L having the hole shape derived from the flat plate mold 12 having no barrier region (Comparative Example 10), regardless of the materials E to G and the concentration thereof, The liquid penetrated into the pattern portion, and as a result, coating unevenness was observed at the edge portion of the pattern portion. On the other hand, in the case of using the resin mold derived from the flat plate mold J2 having the barrier region (Example 6), the coating liquid splattering from the non-pattern portion can not pass over the barrier region regardless of the materials E to G and its concentration, As a result, the edge portion of the pattern portion was well coated. The coating liquid which was protruded from the non-pattern portion and directed to the pattern portion side and was prevented from entering the pattern portion by the barrier region was disposed along the non-pattern portion side of the barrier region.

(n) 이형성 확인(n) Identification of dysplasia

실시예 및 비교예에서 얻어진 재료 E∼G를 도공한 후의 수지 몰드를 사용하여, 이형성을 확인했다. 이형성 확인 시험은 다음과 같이 행했다.By using the resin mold after coating the materials E to G obtained in the examples and the comparative examples, the releasability was confirmed. The moldability confirmation test was carried out as follows.

우선, 사파이어 기판 상에, 광경화성 수지(MUR/마루젠 석유 화학사 제조)를 스핀 코트법에 의해 750 nm로 성막했다.First, a photocurable resin (MUR / Maruzen Petrochemical) was formed on a sapphire substrate at 750 nm by a spin coat method.

다음으로, 수지 몰드의 도공면을, 재료 H 막에 첩합하고, 라미네이터를 사용하여 0.01 Mpa로 첩합했다. 그 후, 0.05 MPa로 가압한 후에, UV 조사를 행했다. UV 조사는 적산 광량이 1200 mJ/cm2가 될 때까지 행했다. 마지막으로, 수지 몰드를 박리했다.Next, the coated surface of the resin mold was stuck to the material H film, and the laminate was bonded at 0.01 MPa using a laminator. Thereafter, after the pressure was increased to 0.05 MPa, UV irradiation was performed. The UV irradiation was performed until the accumulated light quantity became 1200 mJ / cm 2 . Finally, the resin mold was peeled off.

이형성은, 주사형 전자 현미경 및 투과형 전자 현미경으로 확인했다. 결과는 하기 표 3 중에 나타낸다. 이형성 양호(표 3 중 ○표)란, 「미세 요철 구조를 구비한 재료 E∼F 중 어느 것/재료 H/사파이어」로 이루어지는 구조가 얻어진 경우로 했다. 미세 요철 구조가 파괴되어 있는 경우, 재료 E∼F가 전사되어 있지 않은 경우 등은, 전부 이형성 불량(표 3 중 ×표)으로 했다.Dissimilarity was confirmed by a scanning electron microscope and a transmission electron microscope. The results are shown in Table 3 below. In the case of good releasability (indicated by a circle in Table 3), it was assumed that a structure consisting of "any of materials E to F having a fine uneven structure / material H / sapphire" was obtained. In the case where the fine concavo-convex structure is broken, the materials E to F are not transferred, and the like are all determined as defective releasability (in Table 3, mark X).

(비교예)(Comparative Example)

또한, 비교예로서, 배리어 영역을 갖지 않는 주형 I의 구조에 있어서, 패턴부와 비패턴부(러프니스 팩터(Rf)=1의 영역)의 계면에, 표면에 미세 요철 구조를 갖지 않는 경사 구조를 구비하는 주형 M도 제조했다. 주형 M 유래의 수지 몰드를 이용한 경우(비교예 11), 재료 E∼G 및 그 농도에 상관없이, 미세 요철 구조를 갖지 않는 경사 구조 부분에 있어서, 불균일이 관찰되었다. 불균일은, 흰 헤이즈가 되어 관찰되었다.As a comparative example, in the structure of the mold I having no barrier region, it is preferable that an inclined structure having no fine concavo-convex structure on the surface is provided at the interface between the pattern portion and the non-pattern portion (area of roughness factor Rf = 1) Was also prepared. In the case of using the resin mold derived from the template M (Comparative Example 11), irregularities were observed in the inclined structural portions having no fine uneven structure irrespective of the materials E to G and their concentrations. The unevenness was observed as a white haze.

배리어 영역을 갖는 주형 J 유래의 수지 몰드 L에 대하여, 이하의 3가지 표면 처리를 실시했다.The resin mold L derived from the mold J having the barrier region was subjected to the following three surface treatments.

(비교예 12) 미세 요철 구조면에 대하여, 오존 처리를 30분 행했다.(Comparative Example 12) Ozone treatment was applied to the fine uneven surface of the structure for 30 minutes.

(비교예 13) 미세 요철 구조면에 대하여, 산소 애싱을 1분 행했다.(Comparative Example 13) Oxygen ashing was performed for one minute on the fine uneven structure surface.

(비교예 14) 미세 요철 구조면에 대하여, 스퍼터에 의해, SiO2를 10 nm 성막했다.(Comparative Example 14) SiO 2 was deposited to a thickness of 10 nm on the fine uneven structure surface by sputtering.

처리를 행한 주형 J 유래의 수지 몰드 L에 대하여, 동일한 도공성 시험 및 이형성 확인 시험을 행했다. 결과는, 하기 표 3 중에 나타낸다.The resin mold L derived from the mold J subjected to the treatment was subjected to the same coatability test and moldability confirmation test. The results are shown in Table 3 below.

실시예 및 비교예의 결과를 표 3에 나타낸다.The results of Examples and Comparative Examples are shown in Table 3.

Figure 112013092998757-pct00006
Figure 112013092998757-pct00006

이상으로부터, 배리어 영역에 미세 요철 구조를 갖지 않는 경우(비교예 8∼10)에는, 어느 경우도 도공성에 불량이 있는 것을 알 수 있다. 또한, 배리어 영역에 미세 요철 구조를 갖는 경우(실시예 4∼6)에는, 패턴부에서의 미세 요철 구조의 형상이나, 주형의 형상에 상관없이, 도공성 및 이형성이 양호한 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 10∼14와 같이, 표면 처리에 의해 도공성은 개선할 수 있지만, 이형성이 악화되는 것을 알 수 있다.From the above, it can be seen that, in both cases where the barrier region has no fine concavo-convex structure (Comparative Examples 8 to 10), there is a poor coating property. In addition, in the case of having the fine uneven structure in the barrier region (Examples 4 to 6), it can be seen that the coatability and releasability are good regardless of the shape of the fine uneven structure in the pattern portion and the shape of the mold. On the other hand, as in the comparative examples 10 to 14, although the coatability can be improved by the surface treatment, the releasability is deteriorated.

<전사용 주형 (I)의 제조>&Lt; Preparation of transfer mold (I) >

상기 실시예에 따라, 미세 요철 구조의 피치, 개구 직경 및 Es/Eb값을 변화시킴으로써, 전사 영역(패턴부)에 대한 물의 접촉각, 전사 영역(패턴부)과 배리어 영역의 개구율, 전사 영역(패턴부)과 배리어 영역의 러프니스 팩터를 제어한, 전사용 주형 (I)(릴형 수지 몰드)을 제작했다. 또, 릴형 수지 몰드는, <전사용 주형 (I)> (i) 릴형 전사용 주형 (I) 제작에 있어서, 경화성 수지 조성물을, DACHP:M350:I.184:I.369=17.5 g:100 g:5.5 g:2.0 g으로 한 것, 원통 형상 주형으로부터 수지 몰드를 전사할 때 및 수지 몰드로부터 수지 몰드를 전사할 때의 적산 광량을 1200 mJ/cm2로 한 것 이외에는, 동일하게 행하여 제작했다.The contact angle of water with respect to the transfer region (pattern portion), the aperture ratio of the transfer region (pattern portion) and the barrier region, and the transfer area (pattern portion) by changing the pitch, the opening diameter and the Es / Eb value of the micro concavo-convex structure, (A reel-type resin mold) in which a roughness factor of a barrier region and a roughness factor of a barrier region were controlled. (I) In the production of the reel type transfer mold (I), the curable resin composition was changed to DACHP: M350: I.184: I.369 = 17.5 g: 100 g: 2.0 g, g: 5.5 g: 2.0 g, and the amount of the accumulated light when transferring the resin mold from the cylindrical mold and transferring the resin mold from the resin mold was 1200 mJ / cm 2 .

제작한 전사용 주형 (I)을 표 4에 기재했다. 또, 배리어 영역은, 전사 영역(패턴부)에 대하여, 개구 직경을 제어함으로써 설계했다. 개구 직경은, 원통 형상 주형을 제작할 때의, 노광 에너지, 회전 속도 및 드라이 에칭시의 압력 및 시간을 조정하여 제어했다.Table 4 shows the pre-casting mold (I) produced. The barrier region was designed by controlling the opening diameter with respect to the transfer region (pattern portion). The opening diameter was controlled by adjusting the exposure energy, the rotational speed and the pressure and time at the time of dry etching at the time of manufacturing the cylindrical mold.

Figure 112013092998757-pct00007
Figure 112013092998757-pct00007

표 4에 기재된 전사용 주형 (I) No. 1∼7을 제작하고, 상기 재료 F를 PGME에 의해 3 중량%로 희석하고, 전사용 주형 (I) 상에 바 코터를 사용하여 도공을 행했다. 도공 속도는 25 mm/sec로 했다. 도공 후, 80℃의 건조로에 전사용 주형 (I)을 5분간 넣어, 용제를 제거하고, 건조시켰다.The transfer mold (I) No. 2 shown in Table 4 was used. 1 to 7 were prepared. The material F was diluted to 3% by weight with PGME, and a coating was carried out on a transfer mold (I) using a bar coater. The coating speed was 25 mm / sec. After coating, the transfer mold (I) was placed in a drying oven at 80 캜 for 5 minutes, the solvent was removed, and the resultant was dried.

평가는, 도공성, 이형성, 및 충전층 전사용 주형 제작(표 4 중 「충전층」이라고 기재함)으로 하고, 육안 및 주사형 전자 현미경으로 판단했다.The evaluations were made by visual observation and scanning electron microscope, with regard to coatability, releasability, and preparation of a mold for transferring into a packed bed (referred to as &quot; packed bed &quot;

표 4로부터, No. 1, 2, 4, 5에 나타난 바와 같이, Rf1>Rf2, Ar1>Ar2, 패턴부에 대한 접촉각이 85°이상, 바람직하게는 92°이상, 또한 개구율이 55% 이상을 만족함으로써, 도공성 및 이형성을 양립할 수 있는 것을 알 수 있다. 도공 불량 (2)의 억제는, 배리어 영역의 비패턴부측에 있어서, 배리어 영역을 따라, 도공액의 고형분이 배치되어 있는 점에서, 용이하게 육안으로 판단할 수 있었다. 또, No. 3에서의 도공성 평가는, 도공 불량 (2), 즉, 비패턴부 상에서 튄 액적이 패턴부로 침입하는 것에 기인하는 도공막 두께 불균일에 의해 판단한 결과이다. No. 3에 기재된 전사용 주형의 표면 불소 원소 농도를 저하시키고, 도공성을 향상시킨 결과, No. 3에 기재된 배리어 영역을 형성함으로써, 도공 불량 (1), 즉, 패턴부와 비패턴부 계면 상에서의 도공액의 분열에 기인한 도공 불량을 억제할 수 있는 것이 확인되었다.From Table 4, no. The contact angle with respect to the pattern portion is 85 DEG or more, preferably 92 DEG or more, and the aperture ratio is 55% or more as shown in Figs. 1, 2, 4 and 5, It can be seen that the releasability can be achieved at the same time. The suppression of the coating defects (2) was easily judged by the naked eye because the solid content of the coating liquid was arranged along the barrier region on the non-pattern side of the barrier region. In addition, 3 was evaluated as a coating failure (2), that is, a result of judging by a coating film thickness variation caused by the infiltration of a liquid droplet into the pattern portion on the non-pattern portion. No. As a result of lowering the surface fluorine element concentration of the transfer mold described in 3, and improving the coatability, 3, it was confirmed that the coating defects (1), that is, coating defects caused by cleavage of the coating solution on the pattern portion and the non-pattern portion interface can be suppressed.

본 발명의 배리어 영역의 효과를 보다 명확히 시인하기 위해, 표 4의 No. 1에 나타내는 충전층 전사용 주형에 대하여, 또한 하기 조건으로 도공을 실시하고, 표면의 상태를 사진 촬영하여 관찰했다. 새로운 도공액으로는, 벤질계 아크릴 폴리머에, 아크릴레이트 모노머와 광중합 개시제가 첨가된 것을 사용했다. 농도를 프로필렌글리콜모노메틸에테르 및 메틸에틸케톤으로 12.6%로 하고, 25 mm/sec의 바 코팅법으로 성막했다. 성막 후, 80도의 건조로 내에 5분간 정치하여, 용제를 건조시켰다. 관찰 결과, 비패턴부 상에서는, 비패턴부 상에서 튀어, 건조된 도공액에 유래하는 도트(건조된 반구형 액적)가 확인되었다. 한편, 배리어 영역의 비패턴부측에는 복수의 도트가 확인되었는데, 이들은, 비패턴부 상에서 튄 도공 액적이, 패턴부로 침입하고자 했으나, 배리어 구조에 의해 저지되어, 배리어 영역의 비패턴부측에 늘어서서 건조된 도공액에 유래한다. 이상의 결과는, 사진으로 촬영할 수 없는 표 4의 결과와도 일치하고 있다. 이와 같이, 배리어 영역을 형성함으로써, 비패턴부 상에서 튄 도공액은, 배리어 영역에 의한 저지에 의해 패턴부로 침입할 수 없어, 패턴부에 대한 도공성이 개선된다.In order to more clearly show the effect of the barrier region of the present invention, 1, the coating was carried out under the following conditions, and the state of the surface was photographed and observed. As the new coating solution, a benzyl-based acrylic polymer to which an acrylate monomer and a photopolymerization initiator were added was used. The concentration was adjusted to 12.6% by weight of propylene glycol monomethyl ether and methyl ethyl ketone, and the film was formed by a bar coating method at 25 mm / sec. After the film formation, the film was allowed to stand in a drying oven at 80 degrees for 5 minutes, and the solvent was dried. As a result of the observation, on the non-pattern portion, dots (dried hemispherical droplets) originating from the dried coating liquid sprung on the non-pattern portion were confirmed. On the other hand, a plurality of dots were confirmed on the non-pattern side of the barrier region. However, they attempted to intrude into the pattern portion, but they were blocked by the barrier structure and lined up on the non-pattern side of the barrier region Based coating solution. The above results are consistent with the results of Table 4, which can not be photographed. By forming the barrier region in this manner, the coating solution splattering on the non-pattern portion can not enter the pattern portion due to the barrier region, and the coating property to the pattern portion is improved.

예컨대, No. 3과 같이 Rf1<Rf2의 경우, 비패턴부 상에서 튄 도공액은, 배리어 구조 상을 이동하여, 패턴부로 침입했다. 이 때문에, 충전층 전사용 주형은 제작할 수 있었지만, 도 27에 예시한 바와 같이, 충전층 전사용 주형의 충전층의 충전율이, 배리어 영역과 패턴부 계면으로부터, 패턴부 방향으로 서서히 감소하고 있는 것이 주사형 전자 현미경 관찰로부터 확인되었다. 한편 No. 7과 같이 패턴부의 개구율(Ar1)이 23%로 작은 것에 의해, 도공액은 패턴부 상에서 튀어 액적화되어, 도공을 할 수 없었다. 그 때문에, 충전층 전사용 주형은 제작할 수 없었다. 이 때문에, 이형성의 평가는 할 수 없었다. 또한, No. 6에 나타낸 바와 같이, 패턴부의 접촉각이 45°인 경우, 비패턴부 상에서의 도공액의 튐이 보이지 않고 도공성은 양호했다. 그러나, 충전층 전사용 주형에 있어서, 미세 요철 구조의 볼록부 및 오목부 모두를 덮도록, 전사재의 피막이 형성되어 있어, 충전층 전사용 주형은 제작할 수 없었다. 또한, 전사 시험에 있어서, 이형 불량을 발생시켰다.For example, 3, Rf1 < Rf2, the coating solution splattered on the non-pattern portion migrated on the barrier structure and penetrated into the pattern portion. 27, the filling rate of the filling layer of the filling layer transfer mold gradually decreases from the barrier region and the pattern portion interface toward the pattern portion, as shown in Fig. 27 It was confirmed from scanning electron microscopic observation. Meanwhile, No. 7, the opening ratio Ar1 of the pattern portion was as small as 23%, so that the coating liquid splashed on the pattern portion and dropletized, so that the coating could not be performed. Therefore, the mold for transferring the filling layer could not be produced. For this reason, the releasability could not be evaluated. In addition, As shown in FIG. 6, when the contact angle of the pattern portion was 45 °, no peeling of the coating solution on the non-pattern portion was seen, and the coatability was good. However, in the mold for transferring the filling layer, the coating of the transferring material was formed so as to cover both the convex portion and the concave portion of the fine concavo-convex structure, and the mold for transferring the filling layer could not be produced. Further, in the transfer test, defective moldings were caused.

<전사용 주형 (II)의 제조>&Lt; Preparation of transfer mold (II) >

상기 실시예에 따라, 미세 요철 구조의 피치, 개구 직경, 및 Es/Eb값을 변화시킴으로써, 패턴부에 대한 물의 접촉각, 패턴부와 배리어 영역의 개구율, 패턴부와 배리어 영역의 러프니스 팩터를 제어한, 전사용 주형 (II)(릴형 수지 몰드)를 제작했다.By changing the pitch, the opening diameter, and the Es / Eb value of the micro concavo-convex structure, the contact angle of water with respect to the pattern portion, the aperture ratio of the pattern portion and the barrier region, and the roughness factor of the pattern portion and the barrier region are controlled (II) (reel-type resin mold) was prepared.

제작한 전사용 주형 (II)를 표 5에 기재했다. 또, 배리어 영역은, 패턴부에 대하여, 볼록부 직경을 제어함으로써 설계했다. 볼록부 직경은, 원통 형상 주형을 제작할 때의, 노광 에너지 및 회전 속도, 그리고 드라이 에칭의 압력 및 시간을 조정하여 제어했다.Table 5 shows the prepared mold (II). The barrier region was designed by controlling the diameter of the convex portion with respect to the pattern portion. The diameter of the convex portion was controlled by adjusting the exposure energy and rotational speed, and the pressure and time of the dry etching in the production of the cylindrical mold.

Figure 112013092998757-pct00008
Figure 112013092998757-pct00008

표 5에 기재된 전사용 주형 (II)를 제작하고, 상기 재료 F를 PGME로 3%로 희석하고, 전사용 주형 (II) 상에 바 코터를 사용하여 도공을 행했다.The transfer mold (II) shown in Table 5 was prepared, the material F was diluted to 3% with PGME, and the mold was applied to the transfer mold (II) using a bar coater.

도공 속도는 25 mm/sec로 했다. 도공 후, 80℃의 건조로에 전사용 주형 (II)를 5분간 넣어, 용제를 제거하고, 건조시켰다.The coating speed was 25 mm / sec. After coating, the transfer mold (II) was placed in a drying furnace at 80 캜 for 5 minutes to remove the solvent and then dried.

평가는, 도공성, 이형성, 및 충전층 전사용 주형 제작(표 5 중 「충전층」이라고 기재함)으로 하고, 육안 및 주사형 전자 현미경으로 판단했다.The evaluations were made by visual observation and scanning electron microscope, with regard to coating properties, releasability, and preparation of a mold for transferring the filling layer (referred to as "filling layer" in Table 5).

표 5로부터, No. 8, 9, 11, 12에 나타난 바와 같이, Rf1<Rf2, Ar1>Ar2, 패턴부에 대한 접촉각이 86°이상, 바람직하게는 92°이상, 또한 개구율이 90% 이상을 만족함으로써, 도공성 및 이형성을 양립할 수 있는 것을 알 수 있다. 도공 불량 (2)의 억제는, 배리어 영역의 비패턴부측에 있어서, 배리어 영역을 따라, 도공액의 고형분이 배치되어 있는 점에서, 용이하게 육안으로 판단할 수 있었다. 또, No. 10에서의 도공성 평가는, 도공 불량 (2), 즉, 비패턴부 상에서 튄 액적이 패턴부로 침입하는 것에 기인하는 도공막 두께 불균일에 의해 판단한 결과이다. No. 10에 기재된 전사용 주형의 표면 불소 원소 농도를 저하시키고, 도공성을 향상시킨 결과, No. 10에 기재된 배리어 영역을 형성함으로써, 도공 불량 (1), 즉, 패턴부와 비패턴부 계면 상에서의 도공액의 분열에 기인한 도공 불량을 억제할 수 있는 것이 확인되었다.From Table 5, no. Rf1 < Rf2, Ar1 > Ar2, the contact angle with respect to the pattern portion is 86 DEG or more, preferably 92 DEG or more, and the opening ratio is 90% or more as shown in Figs. 8, 9, It can be seen that the releasability can be achieved at the same time. The suppression of the coating defects (2) was easily judged by the naked eye because the solid content of the coating liquid was arranged along the barrier region on the non-pattern side of the barrier region. In addition, The evaluation of the coatability at 10 is a result of judging the coating defects (2), that is, the coating film thickness variation caused by the infiltration of the splattering droplet into the pattern portion on the non-pattern portion. No. As a result of lowering the surface fluorine element concentration of the transfer mold described in Fig. 10, it was confirmed that the coating defects (1), that is, coating defects due to cleavage of the coating solution on the pattern portion and the non-pattern portion interface can be suppressed.

예컨대, No. 10과 같이 Rf1>Rf2의 경우, 비패턴부 상에서 튄 도공액은, 배리어 구조 상을 이동하여, 패턴부로 침입했다. 이 때문에, 충전층 전사용 주형은 제작할 수 있었지만, 도 27에 예시한 바와 같이, 충전층 전사용 주형의 충전층의 충전율이, 배리어 영역과 패턴부 계면으로부터, 패턴부 방향으로 서서히 감소하고 있었다. 한편 No. 14와 같이 패턴부의 개구율(Ar1)이 31%로 작은 것에 의해, 도공액은 패턴부 상에서 튀어 액적화되어, 도공을 할 수 없었다. 그 때문에, 충전층 전사용 주형은 제작할 수 없었다. 이 때문에, 이형성의 평가는 할 수 없었다. 또한, No. 13에 나타낸 바와 같이, 패턴부의 접촉각이 40°인 경우, 비패턴부 상에서의 도공액의 튐이 보이지 않고 도공성은 양호했다. 그러나, 충전층 전사용 주형에 있어서, 미세 요철 구조의 볼록부 및 오목부 모두를 덮도록, 전사재의 피막이 형성되어 있어, 충전층 전사용 주형은 제작할 수 없었다. 또한, 전사 시험에 있어서, 이형 불량을 발생시켰다.For example, In the case of Rf1 > Rf2 as shown in Fig. 10, the coating solution splattering on the non-pattern portion migrated on the barrier structure and penetrated into the pattern portion. For this reason, although the filling layer transfer mold could be produced, as shown in Fig. 27, the filling rate of the filling layer of the filling layer transfer mold gradually decreased from the barrier region and the pattern portion interface toward the pattern portion. Meanwhile, No. 14, the opening ratio Ar1 of the pattern portion was as small as 31%, so that the coating liquid splashed on the pattern portion and dropletized, so that the coating could not be performed. Therefore, the mold for transferring the filling layer could not be produced. For this reason, the releasability could not be evaluated. In addition, As shown in FIG. 13, when the contact angle of the pattern portion was 40 °, no peeling of the coating solution on the non-pattern portion was seen, and the coatability was good. However, in the mold for transferring the filling layer, the coating of the transferring material was formed so as to cover both the convex portion and the concave portion of the fine concavo-convex structure, and the mold for transferring the filling layer could not be produced. Further, in the transfer test, defective moldings were caused.

이상, 본 발명의 실시형태에 관해 설명했다. 또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지로 변경하여 실시 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 관해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경이 가능하다. 그 외에, 본 발명이 목적으로 하는 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시 가능하다.The embodiment of the present invention has been described above. Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified in various ways. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like shown in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within the range of exhibiting the effect of the present invention. In addition, the present invention can be appropriately changed without departing from the scope of the present invention.

산업상 이용가능성Industrial availability

이상 설명한 바와 같이, 고이형성을 구비하면서도, 전사재의 도공성이 양호한 미세 요철 구조 전사용 주형을 제공할 수 있다는 효과를 나타내고, 예컨대, 나노·마이크로미터 사이즈 영역에 제어 대상을 갖는 광학 소자, 바이오 재료의 제조에 유익하다.As described above, the present invention provides an effect of providing a microstructure transfer mold having a high transferability of a transfer material with a high degree of transferability, and for example, an optical element having a control object in a nano / micrometer size region, . &Lt; / RTI &gt;

본 출원은, 2011년 6월 30일 출원의 일본 특허 출원 제2011-145795호, 및 2011년 12월 27일 출원의 일본 특허 출원 제2011-285596호에 기초한다. 이들의 내용은 전부 여기에 포함시켜 둔다.The present application is based on Japanese Patent Application No. 2011-145795 filed on June 30, 2011, and Japanese Patent Application No. 2011-285596 filed on December 27, 2011. All of these contents are included here.

Claims (19)

기재와,
상기 기재의 표면 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 전사 영역과,
상기 기재의 표면 내의 상기 전사 영역 이외의 상기 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비전사 영역과,
상기 전사 영역과 상기 비전사 영역 사이에 적어도 그 일부가 상기 전사 영역과 인접하도록 형성된 배리어 영역을 구비하고,
상기 전사 영역 및 상기 배리어 영역은 복수의 오목부를 포함하며, 또한,
상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1>Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립하고,
상기 전사 영역의 평균 개구율이 55% 이상 100% 미만인 것과 동시에,
상기 전사 영역에 대한 물의 접촉각이 92도 이상인 것을 특징으로 하는, 피처리체에 미세 요철 구조를 전사하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형.
A substrate,
A transfer area in which a fine concavo-convex structure transferred onto an object to be processed is formed on a part of the surface of the substrate,
A non-transfer area in the surface of the substrate other than the transfer area where the fine concavo-convex structure is not formed,
And a barrier region formed between the transfer region and the non-transfer region so that at least a part of the barrier region is adjacent to the transfer region,
Wherein the transfer region and the barrier region include a plurality of recesses,
A relation Rf1 > Rf2 is established between the average roughness factor Rf1 of the transfer region and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, and the relationship between the average aperture ratio Ar1 of the transfer region and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, The relationship Ar1 > Ar2 is established between the average opening ratio Ar2 of the region,
The average opening ratio of the transfer region is 55% or more and less than 100%
Characterized in that the contact angle of water with respect to the transfer region is 92 degrees or more. A mold for transferring a micro concavo-convex structure to an object to be processed.
기재와,
상기 기재의 표면 상의 일부에 피처리체에 전사되는 미세 요철 구조가 형성된 전사 영역과,
상기 기재의 표면 내의 상기 전사 영역 이외의 상기 미세 요철 구조가 형성되어 있지 않은 비전사 영역과,
상기 전사 영역과 상기 비전사 영역 사이에 적어도 그 일부가 상기 전사 영역과 인접하도록 형성된 배리어 영역을 구비하고,
상기 전사 영역 및 상기 배리어 영역은 복수의 볼록부를 포함하며, 또한,
상기 전사 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf1)와, 상기 배리어 영역의 평균 러프니스 팩터(Rf2) 사이에는, Rf1<Rf2의 관계가 성립함과 동시에, 상기 전사 영역의 평균 개구율(Ar1)과 상기 배리어 영역의 평균 개구율(Ar2) 사이에는, Ar1>Ar2의 관계가 성립하고,
상기 전사 영역의 평균 개구율이 90% 이상 100% 미만인 것과 동시에,
상기 전사 영역에 대한 물의 접촉각이 92도 이상인 것을 특징으로 하는, 피처리체에 미세 요철 구조를 전사하기 위한 미세 요철 구조 전사용 주형.
A substrate,
A transfer area in which a fine concavo-convex structure transferred onto an object to be processed is formed on a part of the surface of the substrate,
A non-transfer area in the surface of the substrate other than the transfer area where the fine concavo-convex structure is not formed,
And a barrier region formed between the transfer region and the non-transfer region so that at least a part of the barrier region is adjacent to the transfer region,
Wherein the transfer region and the barrier region comprise a plurality of convex portions,
A relation of Rf1 < Rf2 is established between the average roughness factor Rf1 of the transfer region and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, and the relationship between the average opening ratio Ar1 of the transfer region and the average roughness factor Rf2 of the barrier region, The relationship Ar1 > Ar2 is established between the average opening ratio Ar2 of the region,
The average aperture ratio of the transfer region is 90% or more and less than 100%
Characterized in that the contact angle of water with respect to the transfer region is 92 degrees or more. A mold for transferring a micro concavo-convex structure to an object to be processed.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배리어 영역에 대한 물의 접촉각이 90도 이상인 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.The microstructure transfer mold according to claim 1 or 2, wherein the contact angle of water with respect to the barrier region is 90 degrees or more. 제7항에 있어서, 상기 전사 영역의 복수의 볼록부 또는 오목부는, 평균 피치(P1)가 50 nm 이상 1000 nm 이하이며, 또한, 평균 높이 또는 깊이가 50 nm 이상 1000 nm 이하인 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.The image forming apparatus according to claim 7, wherein the plurality of convex portions or concave portions of the transfer region has an average pitch (P1) of 50 nm or more and 1000 nm or less, and an average height or depth of 50 nm or more and 1000 nm or less Unevenly cast structure. 제8항에 있어서, 상기 전사 영역의 복수의 볼록부 또는 오목부의 평균 피치(P1)는, 상기 배리어 영역의 복수의 볼록부 또는 오목부의 평균 피치(P2)보다 작은 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.9. The microstructure structure according to claim 8, wherein an average pitch (P1) of the plurality of convex portions or concave portions of the transfer region is smaller than an average pitch (P2) of the plurality of convex portions or concave portions of the barrier region Use mold. 제8항에 있어서, 상기 전사 영역의 복수의 볼록부 또는 오목부의 평균 피치(P1)는, 상기 배리어 영역의 복수의 볼록부 또는 오목부의 평균 피치(P2)보다 큰 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.9. The microstructure structure according to claim 8, wherein an average pitch (P1) of the plurality of convex portions or concave portions of the transfer region is larger than an average pitch (P2) of the plurality of convex portions or concave portions of the barrier region Use mold. 제9항에 있어서, 상기 배리어 영역의 러프니스 팩터는 경사 구조를 갖고 있고, 상기 전사 영역에 근접할수록 커지는 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.10. The mold according to claim 9, wherein the roughness factor of the barrier region has an inclined structure, and becomes larger toward the transfer region. 제10항에 있어서, 상기 배리어 영역의 러프니스 팩터는 경사 구조를 갖고 있고, 상기 전사 영역에 근접할수록 작아지는 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.11. The mold according to claim 10, wherein the roughness factor of the barrier region has an inclined structure, and becomes smaller as it approaches the transfer region. 제9항에 있어서, 상기 기재는 원통형 또는 원기둥형인 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.The microstructure transfer mold according to claim 9, wherein the substrate is cylindrical or cylindrical. 제9항에 있어서, 상기 기재는 평판형인 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.10. The mold for transferring fine concavo-convex structure according to claim 9, wherein the substrate is a flat plate type. 제9항에 있어서, 상기 기재는 릴형인 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.The microstructure transfer mold according to claim 9, wherein the substrate is a reel. 제15항에 있어서, 상기 미세 요철 구조 전사용 주형은, 친수성 용제로 희석한 전사재를 사용하여 상기 피처리체에 미세 요철 구조의 전사가 행해지는 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.16. The mold for transferring a micro concavo-convex structure according to claim 15, wherein the fine concavo-convex structure transfer mold is transferred using a transfer material diluted with a hydrophilic solvent to the object to be processed. 제15항에 있어서, 상기 전사 영역의 오목부 내부에 충전층이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.16. The mold according to claim 15, wherein the filling layer is disposed in the recessed portion of the transfer region. 제17항에 있어서, 상기 충전층은, 친수성 용제에 희석한 충전재의 도공 및 잉여 용제의 제거에 의해 배치되는 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.18. The mold according to claim 17, wherein the filling layer is disposed by coating of a filler diluted with a hydrophilic solvent and removal of surplus solvent. 제9항에 있어서, 상기 전사 영역은, 상기 배리어 영역에 둘러싸인 상태 또는 끼워진 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 미세 요철 구조 전사용 주형.The transfer mold of claim 9, wherein the transfer region is surrounded or enclosed by the barrier region.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6083135B2 (en) * 2012-06-08 2017-02-22 大日本印刷株式会社 Nanoimprint template and pattern forming method using the same
JP5629033B1 (en) * 2013-01-23 2014-11-19 デクセリアルズ株式会社 Hydrophilic laminate, and production method thereof, antifouling laminate, article, production method thereof, and antifouling method
EP3460828A4 (en) * 2016-05-18 2019-05-22 Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. Photocurable resin composition, resin layer of same, and mold for imprint
JP7000653B2 (en) * 2016-12-14 2022-01-19 大日本印刷株式会社 Decorative film, transfer sheet, decorative molded product and its manufacturing method
JP6805902B2 (en) * 2017-03-08 2020-12-23 大日本印刷株式会社 Decorative molded products, their manufacturing methods, and transfer sheets
WO2020203661A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 大日本印刷株式会社 Transfer sheet and method for manufacturing decorative molding
JP7473539B2 (en) * 2019-05-15 2024-04-23 デンカ株式会社 Membrane carriers and test kits
JP7287833B2 (en) * 2019-05-22 2023-06-06 デクセリアルズ株式会社 Mold and resin sheet
US11899357B2 (en) 2021-05-17 2024-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography mask
JP2023088692A (en) * 2021-12-15 2023-06-27 スタンレー電気株式会社 Translucent resin member

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007125799A (en) 2005-11-04 2007-05-24 Konica Minolta Holdings Inc Fine structure transfer method, fine structure transfer device, optical element manufacturing method, and mold
JP2010225683A (en) * 2009-03-19 2010-10-07 Toshiba Corp Method for design of template pattern, method of manufacturing template, and method of manufacturing semiconductor device
WO2010116674A1 (en) 2009-03-30 2010-10-14 昭和電工株式会社 Sheet press molding method and method for manufacturing separator for fuel cell
JP2011116032A (en) 2009-12-03 2011-06-16 Dainippon Printing Co Ltd Mold for imprinting and method for forming pattern using this mold

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3604985B2 (en) * 2000-01-18 2004-12-22 株式会社石川製作所 Pattern transfer device
JP5053007B2 (en) * 2007-09-13 2012-10-17 富士フイルム株式会社 Imprint mold structure, imprint method using the imprint mold structure, and magnetic recording medium
US8075299B2 (en) * 2008-10-21 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Reduction of stress during template separation
JP5464980B2 (en) * 2009-11-18 2014-04-09 旭化成株式会社 Photosensitive resin laminate
JP2011168812A (en) * 2010-02-16 2011-09-01 Hitachi Maxell Ltd Method of producing stamper, resist master, stamper and molded product

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007125799A (en) 2005-11-04 2007-05-24 Konica Minolta Holdings Inc Fine structure transfer method, fine structure transfer device, optical element manufacturing method, and mold
JP2010225683A (en) * 2009-03-19 2010-10-07 Toshiba Corp Method for design of template pattern, method of manufacturing template, and method of manufacturing semiconductor device
WO2010116674A1 (en) 2009-03-30 2010-10-14 昭和電工株式会社 Sheet press molding method and method for manufacturing separator for fuel cell
JP2011116032A (en) 2009-12-03 2011-06-16 Dainippon Printing Co Ltd Mold for imprinting and method for forming pattern using this mold

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