KR101553467B1 - 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따르는 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법에 있어서, 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 상기 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조한다. 세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 저밀러지수의 결정면을 가지는 제2 시드입자를 제조한다. 세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자를 제조한다.

Description

시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법{method of manufacturing nanoparticles using seed growth}
본 발명은 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법에 관한 것이다.
현재, 나노 크기를 가지도록 제조되는 입자는 다양한 산업상 응용분야를 가지고 있으며, 최근에는 바이오 센서 분야에서 폭넓은 적용이 기대되고 있는 소재이다. 특히, 플라즈모닉(plasmonic) 나노입자는 국소표면플라즈몬공명(LSPR), 표면증강라만산란(SERS) 등의 생체분자검출 기술 분야에 있어 높은 수요를 보이고 있다.
플라즈모닉 나노입자는 외부에서 입사한 전자기파에 의해 나노입자의 근처에서 표면 플라즈몬 산란 현상을 나타낼 수 있는 입자이다. 이러한 표면 플라즈몬 산란 현상은 굴절률의 변화, 분자의 흡착 등 나노입자의 표면 근처에서 일어나는 변화에 매우 민감하게 반응하며, 감지 대상 물질에서 나오는 신호를 증강하여 강한 신호를 방출하여 기존 센싱 기술의 최소검출한계를 증대시킬 수 있기 때문에 활발한 연구가 진행되고 있다.
플라즈모닉 나노입자를 센싱 기술에 이용하기 위해서는 효과적으로 표면 플라즈몬 산란 현상을 유도해야 한다. 표면 플라즈몬 산란 현상은 나노 입자의 크기와 형태(morphology)에 영향을 받으며, 예를 들어 나노입자 내부에서 곡률이 크고 날카로운 모양을 가지는 부분이 있을 경우 그 주위에서 더욱 강한 신호가 방출된다. 따라서, 센싱 기술에 응용하기 적합한 나노입자의 구조 설계는 상당히 중요하고 이를 재현성있게 대량 생산하기 위한 방법이 필요하다.
한편, 종래의 나노입자의 제조 방법으로는 시드 성장법(seed mediated growth method)이 있다. 상기 시드 성장법은 콜로이드 합성법 중의 하나로서 나노입자의 구조 설계 방법 중 가장 잘 정립된 방법이다. 이 방법을 이용하면 전구체를 계면활성제의 존재 하에 환원제로 환원시키게 되어 나노입자를 합성할 수 있다. 이러한, 시드 성장법의 일 예로서, 한국공개특허 2014-0000722은 금염, 트리소듐 시트레이트(trisodium citrate) 및 분산안정제를 반응성 분산 용액에 용해하여 반응 용액을 형성하고, 상기 반응 용액에 금 나노입자 시드를 첨가한 후, 상기 반응 용액을 가열하여 금 나노입자를 제조하는 방법을 개시하고 있다.
본 발명의 실시예들은 균일한 크기 및 형태를 가지는 고밀러지수의 나노입자를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 반응 첨가물 및 반응 조건 등의 공정을 단순화할 수 있는 나노입자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르는 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법이 개시된다. 상기 나노입자의 제조 방법에 있어서, 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 상기 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조한다. 세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 저밀러지수의 결정면을 가지는 제2 시드입자를 제조한다. 세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자를 제조한다.
본 발명의 다른 측면에 따르는 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법이 개시된다. 상기 나노입자의 제조 방법에 있어서, 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 상기 금속전구체로부터 시드입자를 제조한다.세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 성장 용액에 상기 시드입자를 반응시켜, 상기 시드입자로부터 나노입자를 성장시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 나노입자 제조 과정을 2단계 시드성장법으로 진행할 수 있다. 중간 단계에서 합성되는 제2 시드입자에는 금속 원자들이 소정의 결정면을 이루면서 정렬되고 그 자체로 매우 안정한 상태이므로 금속 이온, 할로겐 이온, 유기 화합물 등의 첨가물을 첨가하지 않더라도 상기 제2 시드입자로부터 안정된 고밀러지수 결정면을 가지는 최종 나노입자를 제조할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 통상의 시드성장법과는 다르게 반응 조건을 상온 및 중성 근처의 pH 조건으로 하더라도 결정면을 형성할 수 있으므로, 공정 조건에 대한 마진을 넓힐 수 있고, 공정 난이도를 낮출 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 2단계 시드성장법을 진행할 때, 제2 시드입자의 첨가량을 조절하여 최종 산물인 나노입자 크기를 조절할 수 있다. 따라서, 최종 나노입자의 광학적 성질을 용이하게 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 2단계 시드성장법을 진행할 때, 최종 산물인 나노입자를 안정적으로 균일하게 형성되는 제 2 시드입자로부터 합성함으로써, 상기 최종산물인 나노입자의 크기 및 형태를 보다 균일하게 획득할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법을 개략적으로 설명하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제1 시드입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제2 시드입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따라 획득한 제2 시드입자의 전자현미경 사진이다.
도 5는 CTAB와 아스코르브산의 농도비에 따르는 제2 시드입자의 형태를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제조 방법에 의해 제조된 나노입자의 전자현미경 사진이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제조 방법에 의해 제조된 나노입자의 결정 구조를 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따르는 나노입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 명세서에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
일반적으로, 나노입자의 제조 방법 중 시드성장법은 성장 용액 내에서 시드를 성장시킬 때, 상기 성장 용액의 온도, pH, 조성, 첨가물 등의 조건을 조절함으로써 다양한 형태의 나노입자를 제조할 수 있다는 장점이 있다. 다만, 상기 나노입자의 형태 및 크기를 제어하기 위해서는 상기 성장 용액의 온도, pH, 조성 및 첨가물 등의 반응 조건을 정밀하게 조절해야 한다는 점에서 양산 공정에 어려운 점이 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상온 및 중성에 가까운 pH에서, 계면활성제와 환원제를 적용하되, 상기 계면활성제와 상기 환원제를 제외한 첨가물은 배제한 상태에서, 원하는 형태의 나노입자를 제조할 수 있다. 본 발명의 실시예들의 방법을 통해 제조된 나노입자에는 구형의 나노입자들에 비하여 상대적으로 곡률이 큰 모서리나 꼭지점이 존재하기 때문에 상대적으로 강한 표면 플라즈몬 산란 현상을 나타낼 수 있다. 이를 이용하면 감지 대상 생체분자에 대한 신호를 증대시킬 수 있다.
구체적으로는, 2단계 시드성장법을 이용하여 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자를 용이하게 제조할 수 있다. 상기 고밀러지수의 결정면이란 나노입자 결정면의 특성을 나타내는 밀러지수 {hkl}이 h>k>l>0 의 조건을 만족시키는 결정면을 의미할 수 있다. 다른 개념인 저밀러지수 결정면들은 일 예로서, {100}, {111}, {110}의 밀러지수를 가지는 결정면일 수 있다. 상기 고밀러지수의 결정면은 이러한 저밀러지수 결정면들의 정수배의 합으로 이루어질 수 있다. 상기 고밀러지수의 결정면으로 이루어진 나노입자는 일반적으로 한 입자에 20개 이상의 많은 면이 노출되어 있으며, 결정면이 서로 결합하는 모서리나 꼭지점에서의 곡률이 저밀러지수 결정면들에 비하여 클 수 있다. 따라서 이러한 나노입자의 형태는 표면 플라즈몬 산란 현상을 극대화할 수 있기 때문에 기존의 나노입자들을 이용하는 것보다 향상된 효율을 얻을 수 있다.
본 발명의 발명자에 따르면, 저밀러지수 결정면을 가지는 정6면체(cube), 12면체(rhombic dodecahedron), 14면체(cuboctahedron) 등의 형태를 가지는 나노입자의 경우, 금속 전구체와 계면활성제, 환원제만을 이용하는 시드성장법으로 합성할 수 있다. 이에 반하여, 고밀러지수 결정면의 경우, 일반적으로 저밀러지수 결정면보다 더 높은 에너지 상태를 가지고 있어 불안정한 상태로 존재할 수 있다. 따라서, 발명자에 따르면, 나노입자가 고밀러지수의 결정면을 가지게 하기 위해서는, 전구체의 환원 속도를 조절하거나 결정면에서의 환원 전위를 조절함으로써 나노입자의 성장 양상을 바꾸어야 한다. 한편, 이 과정에서 필연적으로 다른 금속 이온(은, 구리, 철 이온 등)이나 할로겐 이온(불화, 염소, 브롬, 요오드 이온 등), 또는 유기 화합물 등의 다양한 첨가물이 첨가되어 결정면을 안정화시켜야만 고밀러지수 결정면을 가진 나노입자를 합성할 수 있다. 또한, 발명자에 따르면, 상술한 공정들은 고온 조건에서 진행되거나 중성 근처가 아닌 pH에서 진행되는 등 합성 조건이 까다롭다. 발명자는 상술한 문제 때문에 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자(일 예로서 후술하는 바와 같이, 48면체의 나노입자)를 쉽고 빠르게 생산하는 것은 어려움이 있다고 판단하고, 상술한 문제점을 해결하기 위해, 후술하는 2단계 시드성장법을 제안한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법을 개략적으로 설명하는 순서도이다. 도 1의 110 단계를 참조하면, 제1 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 제1 환원제를 첨가하여 상기 제1 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조한다. 구체적으로, 상기 환원제를 이용하여 상기 제1 금속전구체로부터 금속 이온을 환원시켜 제1 시드입자를 제조한다. 일 예로서, 상기 금속전구체는 일 예로서, 금, 은, 동과 같은 귀금속의 전구체를 적용할 수 있다. 이하에서는, 귀금속의 전구체로서, 금을 이용하여 금 나노입자를 제조하는 방법을 설명하나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 즉, 은, 동 등과 같은 다른 귀금속도 적절한 전구체의 적용에 의해 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자를 제조할 수 있다.
상기 제1 시드입자는 상기 금속전구체가 상기 환원제에 의해 환원됨으로써, 형성될 수 있다. 상기 제1 시드입자는 일 예로서, 약 1 내지 5 nm의 크기를 가질 수 있으며, 구형의 형태를 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1 금속전구체는 염화금산(Chloroauric acid, HAuCl4), 상기 계면활성제는 세틸트리메틸암모늄브로마이드((C16H33)N(CH3)3Br, 이하CTAB), 상기 환원제는 수소화붕소나트륨(sodium borohydride, NaBH4)를 적용할 수 있다.
도 1의 120 단계를 참조하면, 양전하를 가지는 캡핑 작용제(capping agent)와 제2 환원제를 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 저밀러지수의 결정면을 가지는 제2 시드입자를 제조한다.
제1 성장 용액은 상기 제1 금속전구체를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 시드입자는 상기 제1 성장용액 내에서, 상기 제1 금속전구체의 금속 이온이 구형의 상기 제1 시드입자의 표면에 환원됨으로써, 형성될 수 있다. 상기 금속 이온의 환원속도는 상기 캡핑 작용제 및 상기 제2 환원제의 농도에 의해 결정될 수 있다. 상기 캡핑 작용제는 상기 금속 이온의 환원을 억제하고, 상기 제2 환원제는 상기 금속 이온의 환원을 촉진하는 작용을 할 수 있다.
상기 캡핑 작용제는 일 예로서, 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC), 세틸피리디니움클로라이드(CPC), 또는 폴리비닐피롤리돈(PVP)을 포함할 수 있다. 상기 제2 환원제는 아스코르브산 또는 아스코르브산과 동일한 수준의 산화 전위를 가지는 물질, 예를 들면 하이드록실아민, 하이드로퀴논, 숙신산 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 시드입자는 다양한 형태를 가질 수 있다. 후술하는 도 5에서와 같이, 상기 제2 시드입자는 막대, 판상, 6면체, 12면체 및 14면체 중 적어도 하나 이상의 형태를 가질 수 있다. 상기 제2 시드입자의 형태는 상기 제1 성장 용액 내의 상기 캡핑 작용제 및 상기 제2 환원제의 농도비에 의해 결정될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 후술하는 도 5에서, 정6면체의 형태를 가지는 CTAB (상기 캡핑 작용제로서 작용) 및 아스코르브산(상기 제2 환원제로서 작용)의 농도비의 제1 성장 용액을 준비하고, 상기 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜 상기 제2 시드입자를 제조할 수 있다. 일 예로서, 상기 CTAB의 농도는 15 내지 50 mM 이며 상기 아스코르브산의 농도는 9 내지 71 mM 일 수 있다. 이때, 상기 제2 시드입자는 10 내지 50 nm의 크기를 가지며, {100}의 결정면으로 둘러싸인 정6면체의 형태를 가질 수 있다.
도 1의 130 단계를 참조하면, 상기 캡핑 작용제와 상기 제2 환원제를 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자를 제조한다. 상기 제2 성장 용액은 제2 금속전구체를 더 포함할 수 있다. 상기 나노입자는 상기 제2 성장용액 내에서, 상기 제2 금속전구체의 금속 이온이 상기 제2 시드입자의 표면에 환원됨으로써, 형성될 수 있다.
상기 제2 금속전구체가 포함하는 제2 금속 이온은 상기 제1 금속전구체가 포함하는 제1 금속 이온과 동일할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 후술하는 바와 같이, 제1 금속전구체 및 제2 금속전구체로서, 염화금산을 적용하는 경우, 구형의 제1 시드입자, 및 정6면체의 형태를 가지는 제2 시드입자를 금입자로서 제조할 수 있다. 또한, 상기 정6면체의 형태를 가지는 제2 시드입자의 {100}의 결정면 상에 환원에 의해 금을 성장시킴으로써, 48면체의 형태를 가지는 금 나노입자를 제조할 수 있다. 상기 나노입자는 70 내지 500 nm의 크기를 가질 수 있다. 구체적인 일 예로서, 상기 나노입자는 {321}의 고밀러지수를 가질 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 상기 제2 금속전구체가 포함하는 제2 금속 이온은 상기 제1 금속전구체가 포함하는 제1 금속 이온과 서로 다를 수 있다. 즉, 제1 금속전구체는 금 이온을 포함하고, 상기 제2 금속전구체는 은, 동과 같은 다른 귀금속의 이온을 포함할 수 있다. 이 경우, 최종 성장되는 나노입자는 정육면체의 형태를 가지는 금 시드 입자의 표면에서 고밀러 지수의 결정면을 가지도록 성장한 은 또는 동 나노 입자일 수 있다. 이와 같은 방법을 적용하면, 시드 입자의 조성과 상기 시드 입자의 외부에서 성장하는 부분의 조성이 서로 다른 이종 코어-쉘 나노입자를 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 나노입자를 제조하는 단계는 상기 제2 성장 용액 내의 상기 캡핑 작용제 및 상기 제2 환원제의 농도를 제어하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제2 성장 용액 내의 상기 제2 환원제의 농도는 상기 제1 성장 용액 내의 상기 제2 환원제의 농도보다 높을 수 있다. 구체적인 일 실시 예에 있어서, 상기 제2 성장 용액 내에서, 상기 제2 환원제로서의 아스코르브산의 농도는 45 mM 내지 180 mM 일 수 있다.
상술한 바와 같이, 다단계 시드성장법에 의해 고밀러지수의 나노입자를 제조할 수 있다. 상술한 110 단계 내지 130 단계를 따르는 본 실시 예의 제조 방법은 금속 전구체, 계면활성제, 및 환원제 이외의 첨가물의 적용을 배제할 수 있으며, 상온과 중성에 가까운 pH 조건 하에서 나노입자를 제조할 수 있다는 장점이 있다. 이로써, 종래의 시드성장법과는 달리 공정 조건에 대한 마진을 넓힐 수 있고, 공정 난이도를 낮출 수 있다.
이하에서는 본 발명의 시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법을 보다 구체적인 실시예를 통해 설명하기로 한다.
제1 시드입자의 제조 방법
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제1 시드입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 모식도이다. 도 2의 (a)를 참조하면, 계면활성제로서의 0.1 M의 CTAB 수용액(210) 7.5 mL에, 제1 전구체로서 0.01M의 염화금산(220) 0.2 mL를 첨가한다. 이때, 투명한 용액의 색상이 붉은 황갈색으로 변화할 수 있다. 이는 상기 제1 전구체의 [AuCl4 -] 착이온이 CTAB의 브롬(Br-) 이온으로 대체되어 [AuBr4 -] 착이온으로 변화하기 때문이다. 도 2의 (b)를 참조하면, [AuBr4 -] 착이온을 포함하는 용액(230)에 0.01 M 수소화붕소나트륨 용액(240) 0.8mL를 첨가한다. 도 2의 (c)를 참조하면, 제1 환원제로서 수소화붕소나트륨 용액(240)의 첨가에 따라 Au3 + 이온들이 Au0로 빠르게 환원되면서 상기 제1 시드입자로서의 금입자가 용액(250) 내에 형성된다. 이어서, 볼텍스 믹서를 이용하여 2분간 잘 섞어준다. 도 2의 (d)를 참조하면, 약 3시간 동안 28℃를 유지하여 용액(250) 내에 잔존하는 상기 수소화붕소나트륨을 분해시킨다. 이와 같이 합성된 상기 제1 시드입자는 3차 증류수에 1:10으로 희석한다. 희석된 용액(260) 내에 상기 제1 시드입자가 분산된다. 제조된 상기 제1 시드입자는 일 예로서, 약 1 내지 5 nm의 크기를 가질 수 있으며, 구형의 형태를 가질 수 있다.
제2 시드입자의 제조 방법
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제2 시드입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 모식도이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 양전하를 가지는 캡핑 작용제로서, 0.1 내지 0.3M의 CTAB 수용액(310) 1.6 mL를 반응용기 내부에 있는 8mL의 3차 증류수에 첨가하여, 9.6 mL의 용액을 제조한다. 이어서, 0.01M의 염화금산(320) 0.2 mL를 첨가하고 볼텍스 믹서로 1분간 혼합시킨다. 도 3의 (b)를 참조하면, 제1 금속 전구체로서의 염화금산(320)이 첨가된 수용액(330)에 제2 환원제로서 0.0003 내지 0.8 M의 L-아스코르브산 수용액(340)을 첨가하고 30초간 볼텍스 믹서로 혼합하여 제1 성장 용액(350)을 제조한다. L-아스코르브산은 약한 환원제로 작용하여, 수용액(330) 내의 Au3 + 이온을 부분 환원시켜 Au1 +이온으로 변환함으로써, 제1 성장 용액(350) 내에서 [AuBr2]- 착이온을 이룰 수 있게 된다.
도 3의 (c)를 참조하면, 제1 성장 용액(350) 내에 상기 1:10 으로 희석한 제1 시드입자의 희석 용액(360)을 5㎕ 첨가하고 1분간 볼텍스 믹서로 혼합한다. 이어서, 15분간 28℃로 유지한다. 본 과정을 통해, 상기 제1 시드입자의 표면에서 Au1+이온이 Au0로 환원되면서 금입자가 성장한다. 도 3의 (d)를 참조하면, 상기 금입자의 성장이 완료되면 용액(370)을 취하여 원심분리용 튜브에 넣고 약 20000 rpm 으로 약 20분간 원심분리하고 3차 증류수로 세척한다. 본 과정을 반복하여 용액(370) 내부에 잔존하는 시약을 제거함으로써, 제2 시드입자를 제조한다.
상술한 과정을 통해 획득하는 제2 시드입자를 포함하는 수용액은 광도계를 통해 획득되는 흡광도를 이용하여 농도 측정을 할 수 있다. 측정된 흡광도에 근거하여, 상기 수용액을 농축하거나 증류수를 이용하여 희석하여 제2 시드입자를 포함하는 수용액의 농도를 조절할 수 있다. 최종적으로 공진파장값에서 10 mm 광경로의 흡광도가 0.3 내지 9.0의 범위를 가지도록 상기 제2 시드입자의 농도를 조절할 수 있다. 상기 제2 시드입자는 일 예로서, {100}의 결정면으로 둘러싸인 정6면체의 형태를 가지며 10 내지 50 nm의 크기를 가질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따라 획득한 제2 시드입자의 전자현미경 사진이다. 도 5는 CTAB와 아스코르브산의 농도비에 따르는 제2 시드입자의 형태를 나타내는 그래프이다. 도 4a, 도 4b 및 도 5를 참조하면, 제2 시드입자는 CTAB와 아스코르브산의 농도비에 따라 서로 다른 결정면을 구비할 수 있다. 이때, 상기 제2 시드입자는 균일한 크기로 분포할 수 있다.
반드시 특정한 이론에 한정되어 설명되는 것은 아니지만, 발명자에 따르면, 양전하를 가지는 캡핑 작용제로서의 CTAB와 환원제로서의 아스코르브산의 농도비에 따라 상기 제2 시드입자는 다음과 같은 이유로 서로 다른 형태를 가질 수 있다. CTAB는 사원계 암모늄(quaternary ammonium)계열의 양이온성 계면활성제로서, 양전하를 띠고 있으며 친수성인 암모늄 이온 부분과 전하를 띠지 않으며 소수성인 탄소사슬 부분으로 이루어져 있다. 이때 암모늄 이온의 반대 이온(counterion)은 브롬으로, 브롬을 비롯하여 할로겐원소의 이온들이 금속의 표면에 대해 흡착력이 강하다는 것으로 알려져 있다. 특히 브롬은 금, 팔라듐과 같은 귀금속 결정의 {100}면에 보다 강하게 흡착되는 경향이 있기 때문에, 나노입자의 합성 과정에서 표면에 드러난 {100}면에는 브롬 이온이 분포할 수 있다. 흡착된 브롬 이온을 매개체로 하여 CTAB의 암모늄 이온이 정전기적 인력으로 {100}면의 표면에 결합되고, 이는 긴 탄소사슬에 의한 입체 장애(steric hindrance)를 유도하여 {100}면에 금 이온의 환원이 일어나기 어렵도록 캡핑 작용할 수 있다. 따라서 {100}면에서는 금 원자들이 새롭게 달라붙어 계속해서 성장이 일어나기보다는 {100}의 결정구조를 유지한 상태로 천천히 성장이 일어날 수 있다. 즉, CTAB은 금 이온의 환원을 방해하여 성장 속도를 감소시키고, 특히 {100}면을 유지시키는 작용을 할 수 있다.
한편, 아스코르브산은 환원제로 기능하며, 아스코르브산의 농도는 금 이온이 환원되는 속도와 연관될 수 있다. 즉, 아스코르브산의 농도가 높을수록 환원 속도가 빨라지며, 이는 앞서 설명한 CTAB의 반대의 작용을 할 수 있다. 나노입자의 성장 과정에서 환원 속도가 빨라질 경우, 금 이온들은 대부분 불안정하고 외부로 잘 노출되어 있는 부분에서 환원되는 경향을 보이며, 결정면 사이의 모서리나 꼭지점에서 금 원자들이 달라붙을 수 있다. 이런 과정으로 형성된 나노입자의 결정상은 열역학적으로 에너지가 높아 불안정한 결정면으로 이루어질 수 있다. 따라서, 아스코르브산의 농도가 높을수록 불안정한 결정면을 가지는 나노입자가 성장할 수 있다.
발명자에 따르면, 상술한 바와 같이, CTAB과 아스코르브산의 농도비를 조절함으로써 금 나노입자의 환원 속도를 조절할 수 있고, 그에 따라 다양한 결정상을 가지는 제2 시드입자를 얻을 수 있다.
도 4a, 도 4b 및 도 5를 다시 참조하면, CTAB의 농도가 낮고 아스코르브산의 농도가 높은 영역에서는 {110} 결정면으로 둘러싸인 12면체(rhombic dodecahedron)의 형태를 획득할 수 있다. 이보다 CTAB의 농도가 높고 아스코르브산의 농도가 낮은 영역에서는 {100} 결정면으로 둘러싸인 정6면체(cube)의 형태를 얻을 수 있다. 정6면체의 경우보다 CTAB의 농도가 높거나 아스코르브산의 농도가 낮은 영역에서는 {100}과 {111}결정면이 동시에 존재하여 정6면체의 8개 모서리 위치에 삼각의 {111} 결정면이 노출되어 있는 14면체(cuboctahedron)을 얻을 수 있다. 이보다 CTAB의 농도가 높고 아스코르브산의 농도가 낮은 영역에서는 막대(rod)형태의 나노입자를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자를 제조하기 위한 제2 시드입자를 제공하기 위해, 상기 제1 성장 용액 내의 상기 CTAB및 상기 아스코르브산의 농도를 제어한다. 구체적으로, 상기 제1 성장 용액 내의 상기 CTAB의 농도가 15 내지 50 mM, 상기 아스코르브산의 농도가 9 내지 71 mM인 범위 내에서, 도 5의 정6면체의 형태를 가지는 농도 조성을 선택할 수 있다.
고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자의 제조 방법
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 고밀러지수의 결정면을 가지는 나노입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 6의 (a)를 참조하면, 양전하를 가지는 캡핑 작용제로서의 0.1 의 CTAB 수용액(610) 1.6 mL를 반응용기 내부에 있는 7.9mL의 3차 증류수에 첨가하여 9.5 mL의 수용액을 제조한다. 이어서, 제2 금속 전구체로서 0.01M의 염화금산(620) 0.2 mL를 첨가하고 볼텍스 믹서로 1분간 혼합시킨다. 도 6의 (b)를 참조하면, 염화금산(620)이 첨가된 수용액(630)에 제2 환원제로서 0.5 내지 2M의 L-아스코르브산 수용액(640)을 첨가하고 30초간 볼텍스 믹서로 혼합하여 제2 성장 용액(650)을 제조한다.
도 6의 (c)를 참조하면, 상술한 바와 같이 흡광도를 이용해 농도를 조절한 정6면체 형태의 제2 시드입자의 용액(660)을 제2 성장 용액(650) 내 0.1 mL 첨가하고 1분간 볼텍스 믹서로 혼합한다. 이어서, 1시간동안 28℃로 유지한다. 본 과정을 통해, 상기 제2 시드입자의 표면에서 금입자가 성장하면서 48면체의 나노입자가 제조될 수 있다. 도 6의 (d)를 참조하면, 상기 금입자의 성장이 완료되면 용액(670)을 취하여 원심분리하고 3차 증류수로 세척한다. 본 과정을 반복하여 용액(670) 내부에 잔존하는 시약을 제거함으로써, 나노입자를 제조한다. 이때, 상기 제2 성장 용액(650) 내의 상기 아스코르브산의 농도는 상기 제1 성장 용액(350) 내의 아스코르브산의 농도보다 높을 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제조 방법에 의해 제조된 나노입자의 전자현미경 사진이다.
도 7에서는 제2 성장 용액 내의 아스코르브산의 농도에 따른 나노입자의 형태가 도시되고 있다. 도 7의 (b)에 도시되는 아스코르브산의 농도가 45mM인 경우부터, 도 7의 (e)에 도시되는 아스코르브산의 농도가 180mM인 경우까지는, 48면체의 형태를 가지는 나노입자를 관찰할 수 있지만, 도 7의 (a)에서와 같이, 아스코르브산의 농도가 9mM인 경우에는 정6면체의 형태가 유지된 상태에서 나노입자의 크기만 성장하였고 크기의 균일도가 낮은 것을 관찰할 수 있다.
도 8에서는 제2 시드입자의 농도에 따른 나노입자의 형태가 도시되고 있다. 10mm 광경로에서의 흡광도를 기준으로, 제2 시드입자의 농도를 도 8의 (a)의 흡광도 9.0 으로부터 도 8의 (e)의 흡광도 0.3 으로 작아지는 순서로 구분하고, 각각의 제2 시드입자로부터 금입자를 성장시켜 나노입자를 제조하였다. 즉, 나노입자의 크기는 제2 시드입자의 농도에 반비례하는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 제1 시드입자 및 제2 시드입자를 이용하는 2단계 시드성장법을 적용할 때, 제2 시드입자의 첨가량을 조절하여 최종 산물인 나노입자 크기를 조절할 수 있다. 따라서, 최종 나노입자의 광학적 성질을 용이하게 제어할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시 예에 따르는 제조 방법에 의해 제조된 나노입자의 결정 구조를 설명하는 도면이다. 도 9a를 참조하면, 제조된 나노입자가 균일하게 분포하며 48개의 결정면이 나노입자를 대칭적으로 둘러싸도록 노출되도록 형성되는 것을 관찰할 수 있다. 도 9b는 48면체 나노입자의 형태를 예측한 모식도이며, 상기 모식도와 상기 도 9a의 실제 제조된 나노입자의 형태가 일치하는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 도 9c는 도 9a의 48면체 금나노입자의 투과전자현미경 사진과 밀러지수 결정과정을 나타낸 도면이다. 결정면의 밀러지수를 정확히 결정하기 위해서 나노입자의 <110> 방향 투영상에서 나노입자의 외곽선들이 이루고 있는 각도를 측정하여 계산되어 있는 각도와 비교하여 나타내었다. 금 나노입자는 금 원자의 배열이 면심입방구조(face-centered cubic)이며 Fm3m의 공간군(space group)에 속하기 때문에, 이를 고려하여 각도 계산식을 결정한다. 측정된 각도와 계산된 각도를 비교한 결과 합성된 48면체 나노입자는 {321}의 밀러 지수를 가지고 있음을 확인할 수 있다. 하지만, 이러한 {321}의 밀러 지수는 일 예로서, 제시되고 있으며, 합성 조건을 달리하면 다른 고밀러지수도 획득할 수 있음 배제하지 않는다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따르는 나노입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다. 도 10의 1010단계를 참조하면, 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 제1 환원제를 첨가하여 상기 금속전구체로부터 시드입자를 제조한다. 상기 시드입자를 제조하는 공정은 도 1의 110 단계와 관련하여 상술한 제1 시드입자를 제조하는 공정과 그 구성이 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복을 배제하기 위하여 상세한 설명은 생략한다.
도 10의 1020단계를 참조하면, 양전하를 가지는 캡핑 작용제와 제2 환원제를 포함하는 성장 용액에 상기 시드입자를 반응시켜, 상기 시드입자로부터 나노입자를 성장시킨다. 상기 시드입자로부터 상기 나노입자를 성장시키는 공정은 도 1의 l20 단계와 관련하여 상숭한 제2 시드입자를 제조하는 공정과 그 구성이 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복을 배제하기 위해 상세한 설명은 생략한다.
본 실시 예에 따르면, 금속전구체로부터 시드입자를 제조한 다음, 상기 성장 용액 내의 상기 캡핑 작용제와 상기 제2 환원제의 농도비를 제어함으로써, 다양한 형태의 나노입자를 제조할 수 있다. 일 예로서, 도 4a, 도 4b 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 상기 나노입자는 막대, 판상, 6면체, 12면체 및 14면체 중 적어도 하나 이상의 형태를 가질 수 있다. 이러한 서로 다른 형태는 상기 성장 용액 내의 상기 캡핑 작용제와 상기 제2 환원제의 농도비에 따라 상기 나노입자의 성장 속도가 달라지는 것에 근거한다. 상술한 바와 같이, 상기 캡핑 작용제는 상기 시드입자의 표면에 상기 금이온의 환원을 억제하고, 상기 제2 환원제는 상기 시드입자의 표면에 상기 금이온의 환원을 촉진할 수 있기 때문이다.
이상에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 출원의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원에 개시된 실시예들을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
210 310 610: CTAB 수용액, 220 320 620: 염화금산,
240: 수소화붕소나트륨 용액, 340 640: 아르코르브산 수용액,
350: 제1 성장 용액, 360:제1 시드입자의 희석용액,
650: 제2 성장 용액, 660:제2 시드입자의 희석용액.

Claims (25)

  1. 제1 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 상기 제1 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조하는 단계;
    세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 정6면체의 형태를 가지는 제2 시드입자를 제조하는 단계; 및
    세틸트리메틸암모늄브로마이드와 아스코르브산을 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 48면체의 형태를 가지는 나노입자를 제조하는 단계를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 금속전구체는 금, 은, 및 동 중 어느 하나의 전구체를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 시드입자를 제조하는 단계는
    상기 제1 금속전구체를 포함하는 용액을 준비하는 단계;
    상기 계면활성제로서 기능하는 세틸트리메틸암모늄브로마이드 수용액에 상기 제1 금속전구체를 포함하는 용액을 제공하는 단계; 및
    상기 제1 금속전구체를 포함하는 용액이 제공된 상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드 수용액에 상기 환원제로서 수소화붕소나트륨을 제공하여, 상기 제1 금속전구체의 금속 이온을 환원시키는 단계를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 시드입자는 1 내지 5 nm의 크기를 가지는 구형의 입자인
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 시드입자를 제조하는 단계는
    상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액을 준비하는 단계;
    상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액에 상기 제1 금속 전구체를 포함하는 용액 및 상기 아스코르브산의 수용액을 혼합하여 상기 제1 성장 용액을 제조하는 단계;
    상기 제1 성장 용액 내에 상기 제1 시드입자가 분산된 용액을 제공하여, 상기 제1 시드입자의 표면에 상기 제1 금속 전구체의 금속 이온을 환원시키는 단계를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 금속 이온의 환원속도는 상기 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 및 상기 아스코르브산의 농도에 의해 결정되는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 성장 용액 내의 상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 농도는 15 내지 50 mM 이며 상기 아스코르브산의 농도는 9 내지 71 mM인
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제조된 제2 시드입자를 포함하는 수용액을 희석하거나 농축하여 상기 제2 시드입자의 농도를 조절하는 단계를 더 포함하되,
    상기 수용액이 공진파장값에서 10 mm 광경로의 흡광도가 0.3 내지 9.0이 되도록 상기 제2 시드입자의 농도를 제어하도록 하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 시드입자를 제조하는 단계는
    상기 제1 성장 용액 내의 상기 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 및 상기 아스코르브산의 농도를 제어하여, {100}의 결정면으로 둘러싸인 정6면체의 형태를 가지며 10 내지 50 nm의 크기를 가지는 시드입자를 제조하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 나노입자를 제조하는 방법은
    상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액을 준비하는 단계;
    상기 세틸트리메틸암모늄브로마이드의 수용액에 제2 금속 전구체를 포함하는 용액 및 상기 아스코르브산의 수용액을 혼합하여 상기 제2 성장 용액을 제조하는 단계;
    상기 제2 성장 용액 내에 상기 제2 시드입자가 분산된 용액을 제공하여, 상기 제2 시드입자의 표면에 상기 제2 금속 전구체의 금속 이온을 환원시키는 단계를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 성장 용액 내의 상기 아스코르브산의 농도는 상기 제1 성장 용액 내의 아스코르브산의 농도보다 높은
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 성장 용액 내에서,
    상기 아스코르브산의 농도는 45 mM 내지 180 mM 인
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 시드입자의 농도는, 상기 제2 시드입자가 분산된 상기 용액의 공진파장값에서의 10 mm 광경로의 흡광도가 0.3 내지 9.0의 범위를 가지도록 제어되며,
    상기 나노입자의 크기는 상기 범위 내의 제2 시드입자의 농도에 따라 결정되는,
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 나노입자를 제조하는 단계는
    상기 제2 성장 용액 내의 상기 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 및 상기 아스코르브산의 농도를 제어하여, 70 내지 500 nm의 크기를 가지는 입자를 제조하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제1 금속전구체와 계면활성제를 포함하는 용액에 제1 환원제를 첨가하여 상기 제1 금속전구체로부터 제1 시드입자를 제조하는 단계;
    양전하를 가지는 캡핑 작용제(capping agent)와 제2 환원제를 포함하는 제1 성장 용액에 상기 제1 시드입자를 반응시켜, 상기 제1 시드입자로부터 제2 시드입자를 제조하되, 상기 제2 시드 입자는 {100}, {110} 및 {111} 중 적어도 하나의 결정면을 가지는 단계;
    상기 캡핑 작용제와 상기 제2 환원제를 포함하는 제2 성장 용액에 상기 제2 시드입자를 반응시켜, 상기 제2 시드입자로부터 나노입자를 제조하되, 상기 나노입자는 {hkl}(h>k>l>0)의 결정면을 가지는 단계를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 계면활성제로서 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB) 및 상기 제1 환원제로서 수소화붕소나트륨을 적용하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  24. 제22 항에 있어서,
    상기 캡핑 작용제는 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC), 세틸피리디니움클로라이드(CPC), 및 폴리비닐피롤리돈(PVP) 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.
  25. 제22 항에 있어서,
    상기 제2 환원제는 아스코르브산 또는 아스코르브산과 동일한 수준의 산화 전위를 가지는 물질을 포함하는
    시드 성장법을 이용하는 나노입자의 제조 방법.

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KR101986405B1 (ko) * 2016-05-31 2019-06-07 영남대학교 산학협력단 비구형 입자 코팅형 환편기 및 이를 이용하여 섬유상 입자를 코팅하는 방법
US10865277B2 (en) * 2017-04-28 2020-12-15 Lg Display Co., Ltd. Method for manufacturing a metal nanostructure having a chiral structure comprising regioselectivity adsorbing a peptide on the surface of a metal seed particle
WO2019147056A1 (ko) * 2018-01-26 2019-08-01 서울대학교 산학협력단 모서리 첨예도 지수가 조절된 금속 나노큐브의 제조방법
WO2019194509A1 (ko) * 2018-04-06 2019-10-10 서울대학교산학협력단 3차원 카이랄 나노 구조체
KR102173227B1 (ko) 2018-04-06 2020-11-03 서울대학교산학협력단 3차원 카이랄 나노 구조체
CN109396457B (zh) * 2018-12-05 2022-02-15 武汉大学苏州研究院 一种形状及尺寸可控的纳米金颗粒及其制备方法与应用
KR102350646B1 (ko) * 2021-02-09 2022-01-12 경상국립대학교산학협력단 Zif-8의 나노미터 국소 공간에서 금 나노막대 입자의 형태 제어 방법
CN113770372B (zh) * 2021-09-13 2023-07-25 中红外激光研究院(江苏)有限公司 一种金纳米颗粒聚集体材料的制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문: Chem. Commun., 2010, 46, 5109-5111
논문: J. Nanopart. Res., 2012, 14:1289
논문: J. Phys. Chem. B, 2005, 109, pp.13857-13870
논문: Langmuir, 2010, 26(14), pp.12307-12313

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