KR101552243B1 - Apparatus for forming a pattern of dry film resist and method for manufacturing using the same - Google Patents

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Abstract

드라이 필름 레지스트의 패턴을 형성하기 위한 장치와, 이를 이용한 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 (a) 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계;와, (b) 금속층상에 드라이 필름 레지스트를 형성하는 단계;와, (c) 금속층상에 포토 마스크를 정렬하여 노광, 및 현상하는 단계;와, 플라즈마 에칭하여 패턴화된 드라이 필름 레지스트의 외형 치수를 재조절하는 단계;와, (e) 에칭된 드라이 필름 레지스트 사이의 공간으로 노출된 금속층을 가공하는 단계;를 포함하는 것으로서, 이미 경화된 드라이 필름 레지스트에 대한 정밀한 치수 조절이 가능하게 되어서 소망하는 패턴의 금속층을 형성할 수 있다.An apparatus for forming a pattern of a dry film resist and a manufacturing method using the apparatus are disclosed. (B) forming a dry film resist on the metal layer; (c) aligning the photomask on the metal layer to expose and develop the photomask on the metal layer. The method includes the steps of: (a) forming a metal layer on a base film; And (e) processing a metal layer exposed to a space between the etched dry film resist, wherein the dry film resist has been subjected to plasma etching, It is possible to precisely adjust the dimension of the cured dry film resist, so that a metal layer of a desired pattern can be formed.

드라이 필름 레지스트, 건식 에칭, 현상, 습식 에칭, 반응성 이온 식각 Dry film resist, dry etching, development, wet etching, reactive ion etching

Description

드라이 필름 레지스트의 패턴을 형성하기 위한 장치와, 이를 이용한 제조 방법{Apparatus for forming a pattern of dry film resist and method for manufacturing using the same}[0001] The present invention relates to an apparatus for forming a pattern of a dry film resist and a manufacturing method using the same.

본 발명은 드라이 필름 레지스트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 드라이 필름 레지스트의 소망하는 외형 치수를 제어하기 위한 드라이 필름 필름의 패턴을 형성하기 위한 장치와, 이를 이용한 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a dry film resist, and more particularly, to a device for forming a dry film film pattern for controlling a desired external dimension of a dry film resist and a manufacturing method using the same.

통상적으로, 반도체 패키지는 그 구조나 기능에 따라, 칩 온 필름(chip on film, COF)형 반도체 패키지나, 보드 온 칩(board on chip, BOC)형 반도체 패키지나, 리드 온 칩(lead on chip, LOC)형 반도체 패키지나, 비지에이(ball grid array, BGA)형 반도체 패키지등 다양하게 분류할 수 있다. Typically, the semiconductor package may include a chip on film (COF) type semiconductor package, a board on chip (BOC) type semiconductor package, a lead on chip , LOC) type semiconductor packages, and ball grid array (BGA) type semiconductor packages.

반도체 패키지는 베이스 필름상에 회로 패턴층이 형성되고, 회로 패턴층상에 솔더 레지스트를 형성하고, 반도체 칩을 실장하고, 회로 패턴층과 반도체 칩을 전기적으로 연결하고, 몰딩재로 몰딩하는 것에 완성된다.The semiconductor package is completed by forming a circuit pattern layer on a base film, forming a solder resist on the circuit pattern layer, mounting the semiconductor chip, electrically connecting the circuit pattern layer and the semiconductor chip, and molding the same with a molding material .

통상적으로 반도체 패키지에 사용되는 회로 기판을 제조하기 위한 공정에서는 포토 리소그래피 공정을 활용을 하여 미세 라인 및 미세 형상을 형성하게 된다. 그 이유로는 빛의 파장이 아주 짧기 때문에 용이하게 미세 라인을 형성할 수 있기 때문이다. 따라서, 상기한 빛을 이용하여 패터닝을 하기 위해서는 감광성 필름이 필요하게 된다.Conventionally, in a process for manufacturing a circuit board used in a semiconductor package, a photolithography process is used to form fine lines and fine features. This is because the wavelength of light is very short and it is possible to easily form a fine line. Therefore, a photosensitive film is required for patterning using the above-described light.

이러한 감광성 필름으로는 액상형 감광성 필름과, 필름형 감광성 필름이 있다. 액상형 감광성 필름은 두께가 얇으며, 필름형 감광성 필름은 두껍다. 따라서, 액상형 감광성 필름은 에칭법에 주로 적용되며, 필름형 감광성 필름은 도금법에 주로 적용된다. 이중에서, 필름형 감광성 필름은 드라이 필름 레지스트(dry film reiste, DFR)을 대표적인 예로 들 수 있다.Such photosensitive films include liquid-phase photosensitive films and film-type photosensitive films. The liquid type photosensitive film is thin, and the film type photosensitive film is thick. Therefore, the liquid type photosensitive film is mainly applied to the etching method, and the film type photosensitive film is mainly applied to the plating method. Among them, the film type photosensitive film is a dry film resist (DFR) as a representative example.

이때, 드라이 필름 레지스트의 두께 대비 현상폭 비가 1 이하가 되면, 현상액의 침투가 어렵다. 그래서, 일반적으로 해상도를 높이기 위하여 현상액 침투가 최대한 용이하게 드라이 필름 레지스트의 상부쪽에 공간이 확보되어서 용액이 침투할 수 있어야 한다. 따라서, 드라이 필름 레지스트의 팽창도를 방지하거나, 고가의 고해상도 노광기를 이용하여 해상도를 극대화시키게 된다. At this time, when the developing film width ratio to the thickness of the dry film resist becomes 1 or less, penetration of the developing solution is difficult. Therefore, in general, in order to increase the resolution, a space must be secured on the upper side of the dry film resist so that the penetration of the developer is maximized so that the solution can penetrate. Therefore, the degree of expansion of the dry film resist is prevented, or the resolution is maximized by using an expensive high-resolution exposure apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 베이스 필름(101)의 표면에는 금속층(102)이 형성되며, 상기 금속층(102)에는 드라이 필름 레지스트(103)가 부착되어서 노광, 현상 및 경화되어 있다. Referring to FIG. 1, a metal layer 102 is formed on a surface of a conventional base film 101, and a dry film resist 103 is attached to the metal layer 102 to be exposed, developed, and cured.

일반적으로 현상을 진행하게 되면, 드라이 필름 레지스트(103)의 현상이 제대로 이루어지지 않아서 돌출된 부분(104)이 발생하게 되고, 상기 돌출된 부분(104) 만큼의 상대적으로 소망하는 공간보다 더 적은 공간(105)을 확보하게 되어 추후 금속층(102)의 가공시 패턴 폭이 작아져서 패턴의 디자인을 맞출 수 없게 된다.In general, when the development proceeds, the development of the dry film resist 103 is not properly performed, so that the protruded portion 104 is generated, and a space smaller than the relatively desired space of the protruded portion 104 The pattern width becomes small at the time of processing the metal layer 102, and the design of the pattern can not be adjusted.

반대로, 고해상도가 필요한 경우, 습식 공정인 현상 공정에서 미세하게 드라이 필름 레지스트(103)를 깍아내기 어렵고, 소망하는 폭까지 현상을 하다가 드라이 필름 레지스트 라인의 밀착력이 저하되어 오히려 드라이 필름 레지스트 라인이 없어질 수 있다. On the other hand, when a high resolution is required, it is difficult to finely cut the dry film resist 103 in the development process which is a wet process, and the adhesion of the dry film resist line is lowered to a desired width, .

해상도를 저하시키는 또 다른 원인은 드라이 필름 레지스트(103)의 하단부에 풋(foot)이 발생하는 경우인데, 이러한 상태에서 금속층(102)에 대한 도금을 수행할 경우 언더컷(undercut)의 원인으로 작용하며, 또한 도금 면적을 작게 하여 치수에까지 영향을 줄 수 있게 된다.Another cause of lowering the resolution is a case where a foot is generated at the lower end of the dry film resist 103. In this state, when performing plating on the metal layer 102, it acts as a cause of undercut , And the area of the plating can be made small to influence the dimensions.

도 2를 참조하면, 종래에는 경화된 드라이 필름 레지스트(201) 사이에는 미경화된 드라이 필름 레지스트(202)가 존재하는데, 미경화된 드라이 필름 레지스트(202)를 통하여 현상액이 직선의 화살표 방향으로 유동하면서 현상하게 된다.Referring to FIG. 2, there is conventionally an uncured dry film resist 202 between the cured dry film resists 201, and the developer flows through the uncured dry film resist 202 in the direction of the arrow .

그러나, 미경화된 드라이 필름 레지스트(202)의 모서리 부분에는 소용돌이 화살표와 같이 현상액 유동이 좋지 않게 되어서 드라이 필름 레지스트의 잔사(203)가 남게 된다. 이에 따라, 소망하는 금속층의 패턴을 형성시킬 수 없다. However, in the corner portion of the uncured dry film resist 202, the developer flow is poor as shown by the swirling arrow, and the residue 203 of the dry film resist is left. As a result, a desired pattern of the metal layer can not be formed.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 금속층의 패턴시 이를 형성하기 위하여 부착되는 드라이 필름 레지스트의 외형 치수를 정밀하게 제어하기 위하여 플라즈마 에칭 처리한 드라이 필름 레지스트의 패턴을 형성하기 위한 장치와, 이를 이용한 제조 방법을 제공하는 것을 주된 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a device for forming a pattern of a dry film resist which has been subjected to plasma etching in order to precisely control external dimensions of a dry film resist, And a manufacturing method using the same.

상기와 같은 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 드라이 필름 레지스트의 패턴을 형성하기 위한 방법과,According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a pattern of a dry film resist,

(a) 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계;(a) forming a metal layer on a base film;

(b) 상기 금속층상에 드라이 필름 레지스트를 형성하는 단계;(b) forming a dry film resist on the metal layer;

(c) 상기 금속층상에 포토 마스크를 정렬하여 노광, 및 현상하는 단계; (c) aligning the photomask on the metal layer, exposing, and developing the photomask;

(d) 플라즈마 에칭하여 패턴화된 드라이 필름 레지스트의 외형 치수를 재조절하는 단계; 및(d) recalibrating the outer dimensions of the patterned dry film resist by plasma etching; And

(e) 상기 에칭된 드라이 필름 레지스트 사이의 공간으로 노출된 금속층을 가공하는 단계;를 포함한다.(e) processing the exposed metal layer in a space between the etched dry film resist.

또한, (a) 단계에서는,Further, in the step (a)

상기 금속층은 상기 베이스 필름상에 부착되는 금속 호일이거나, 상기 베이스 필름상에 도금된 적어도 1층 이상으로 도금되는 도금층인 것을 특징으로 한다.Wherein the metal layer is a metal foil adhered on the base film or a plating layer plated on at least one layer plated on the base film.

게다가, (d) 단계에서는,In addition, in the step (d)

패턴화된 드라이 필름 레지스트의 표면에 산소 가스를 이용하여 플라즈마 이온화시켜서 드라이 필름 레지스트의 외형을 에칭하는 것에 의하여 상기 드라이 필름 레지스트의 외형을 소망하는 치수로 재조절한다.The outer shape of the dry film resist is adjusted to a desired dimension by etching the outer shape of the dry film resist by plasma ionizing the surface of the patterned dry film resist using oxygen gas.

더욱이, 상기 플라즈마 에칭 처리는 반응성 이온 식각 공정을 수행하는 것에 의하여 이루어진다.Further, the plasma etching process is performed by performing a reactive ion etching process.

아울러, 상기 드라이 필름 레지스트는 등방성 에칭에 의하여 경화된 부분의 폭 방향과, 두께 방향으로 등방성 에칭에 의하여 동일한 크기로 에칭된다.In addition, the dry film resist is etched to have the same size by isotropic etching in the width direction and the thickness direction of the portion cured by isotropic etching.

또한, SF6의 가스를 혼용하여서, 금속층상에 잔존하는 무기 이물질을 더 제거하는 것을 특징으로 한다.Further, SF6 gas is mixed to remove the inorganic foreign substances remaining on the metal layer.

본 발명의 다른 측면에 따른 드라이 필름 레지스트의 패턴을 형성하기 위한 장치는, An apparatus for forming a pattern of a dry film resist according to another aspect of the present invention includes:

코어재가 권출 및 권취하는 권출 롤러 및 권취 롤러들;과,A take-up roller and take-up rollers through which the core material is wound and unwound,

상기 코어재의 상부와 하부에 각각 설치되는 양극과 음극;과,An anode and a cathode respectively installed on the upper and lower portions of the core,

상기 양극이나 음극중 어느 하나의 전극에 RF 파워를 인가하는 RF 제너레이터;와,A RF generator for applying RF power to any one of the positive electrode and the negative electrode;

상기 권출 및 권취 롤러들과, 양극 및 음극을 수용하는 챔버;와,A take-up and winding rollers, a chamber for receiving the positive electrode and the negative electrode,

상기 챔버 내에 주입되는 반응 가스;를 포함하되,And a reaction gas injected into the chamber,

상기 코어재는 베이스 필름상에 금속층이 형성되고, 금속층상에는 드라이 필름 레지스트가 현상된 이후의 상태로 배치되고,The core material has a metal layer formed on the base film, a dry film resist is disposed on the metal layer after the dry film resist is developed,

상기 반응 가스는 상기 드라이 필름 레지스트의 외형을 에칭하여 드라이 필 름 레지스트의 치수를 재조절할 수 있도록 플라즈마 이온화되는 산소 가스인 것을 특징으로 한다.And the reactive gas is an oxygen gas that is plasma ionized so as to regulate the size of the dry film resist by etching the outer shape of the dry film resist.

이상의 설명에서와 같이, 본 발명의 드라이 필름 레지스트의 패턴을 형성하기 위한 장치와, 이를 이용한 제조 방법은 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.As described above, an apparatus for forming a pattern of a dry film resist of the present invention and a manufacturing method using the apparatus can obtain the following effects.

첫째, 이미 경화된 드라이 필름 레지스트에 대한 정밀한 치수 조절이 가능하게 되어서 소망하는 패턴의 금속층을 형성할 수 있다.First, it is possible to precisely adjust the dimension of the dry film resist which has already been cured, and thus a metal layer of a desired pattern can be formed.

둘째, 산소 반응 가스를 사용하여서, 에칭시 금속층의 표면에 존재하는 유기 이물질까지 제거가능하다.Second, by using an oxygen reactive gas, it is possible to remove organic foreign substances existing on the surface of the metal layer during etching.

셋째, 금속층의 도금시, 표면에 산소량이 증가하여서, 친수성이 증가하여 도금액과의 접촉이 유리하다.Thirdly, when the metal layer is plated, the amount of oxygen is increased on the surface, and the hydrophilicity is increased, so that the contact with the plating solution is advantageous.

넷째, SF6의 가스를 사용하여서, 에칭시 금속층의 표면에 존재하는 무기 이물질까지 제거가능하다.Fourth, by using the gas of SF6, inorganic foreign substances existing on the surface of the metal layer at the time of etching can be removed.

이하, 바람직한 실시예를 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지(300)를 도시한 것이다. 3 illustrates a semiconductor package 300 according to one embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 상기 반도체 패키지(300)에는 회로 기판(301)이 마련되어 있다. 상기 회로 기판(301)에는 베이스 필름(302)이 마련되어 있다. 상기 베이스 필름(302) 상에는 회로 패턴층(303)이 패턴화되어 있다. 상기 회로 패턴층(303)상 에는 포토 솔더 레지스터(photo solder resistor, 304)층이 형성되어 있다.Referring to the drawings, a circuit board 301 is provided on the semiconductor package 300. The circuit board 301 is provided with a base film 302. On the base film 302, a circuit pattern layer 303 is patterned. A photo solder resistor 304 layer is formed on the circuit pattern layer 303.

상기 베이스 필름(302)은 고분자 수지에 글래스 파이버(glass fiber)와 같은 섬유질 소재가 혼합된 복합체인 FR-4(flame retardent-4)나, BT(bismaleimid triazine)와 같은 강성 기판(rigid substrate)이나, 폴리이미드(polyimide)와 같은 유연성을 가지는 연성 기판(flexible substrate)을 사용할 수가 있다. 본 실시예에서는 유연성을 가지는 폴리이미드 필름을 적용한다.The base film 302 may be a rigid substrate such as FR-4 (flame retardant-4) or BT (bismaleimid triazine), which is a composite of a polymeric resin and a fibrous material such as glass fiber A flexible substrate having flexibility such as polyimide may be used. In this embodiment, a flexible polyimide film is applied.

상기 회로 패턴층(103)은 구리 호일(Cu foil)과 같은 도전성이 우수한 금속 호일을 베이스 필름(302)의 일면에 형성시켜서, 포토 리소그래피 공정을 이용하여 패턴화시킬 수 있다.The circuit pattern layer 103 may be patterned using a photolithography process by forming a metal foil having excellent conductivity, such as copper foil, on one surface of the base film 302.

상기 포토 솔더 레지스터층(304)은 상기 회로 패턴층(303)이 솔더 볼(solder ball, 310)과 접속되는 영역인 솔더 볼 랜드(solder ball land)나, 와이어 본딩되는 영역을 제외하고 금속 호일의 산화를 방지하기 위하여 형성되어 있다. The photo solder resist layer 304 is formed on the solder ball land which is the area where the circuit pattern layer 303 is connected to the solder ball 310 or the solder ball land on which the metal foil So as to prevent oxidation.

상기 베이스 필름(302)의 타면에는 접착제(306)에 의하여 반도체 칩(305)이 부착되어 있다. 상기 베이스 필름(302)의 중앙 영역에는 장방향의 슬롯(307)이 형성되어 있으며, 상기 슬롯(307)을 통하여 회로 패턴층(303)과 반도체 칩(305)은 전도성을 가지는 와이어(308)에 의하여 전기적으로 연결되어 있다. 상기 슬롯(307)에는 몰딩재(311)가 채워져서, 와이어본딩된 부분을 보호하고 있다.A semiconductor chip 305 is attached to the other surface of the base film 302 by an adhesive 306. A slot 307 in the longitudinal direction is formed in a central region of the base film 302. The circuit pattern layer 303 and the semiconductor chip 305 are electrically connected to the conductive wire 308 through the slot 307 Are electrically connected. The slot 307 is filled with a molding material 311 to protect the wire-bonded part.

상기 포토 솔더 레지스터층(304)이 형성되지 않아서 회로 패턴층(303)이 외부로 노출되는 영역(309)에는 솔더 볼(310)이 개재되어서, 회로 패턴층(303)과 솔더 볼(310)이 전기적으로 연결되어 있다.The solder ball 310 is interposed between the circuit pattern layer 303 and the solder ball 310 in the region 309 where the photo-solder resistor layer 304 is not formed and the circuit pattern layer 303 is exposed to the outside, And are electrically connected.

여기서, 본 실시예에 따른 회로 패턴층과 같은 금속층을 형성시키는 과정은 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.Here, the process of forming the metal layer such as the circuit pattern layer according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 6. FIG.

먼저, 도 4를 참조하면, 베이스 필름(401)이 마련된다. 상기 베이스 필름(401)은 유연성을 가지는 연성 기판인 폴리이미드 필름을 이용하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.First, referring to FIG. 4, a base film 401 is provided. The base film 401 is a polyimide film which is a flexible substrate having flexibility, but is not limited thereto.

상기 베이스 필름(401)의 일면에는 금속층(402)을 형성하게 된다. 상기 금속층(402)은 도전성이 우수한 소재로서, 본 실시예에서는 적어도 1층 이상의 다중 도금층, 예컨대, 구리 전해 도금층을 포함한다. 대안으로는, 상기 금속층(402)은 상기 베이스 필름(401)의 일면에 부착되는 금속 호일일 수도 있는등 상기 금속층(402)이 도금법이나, 에칭법등 포토 리소그래피 공정이 요구되는 구조라면 어느 하나에 한정되는 것은 아니다. A metal layer 402 is formed on one side of the base film 401. The metal layer 402 is a material having excellent conductivity. In this embodiment, at least one multi-layered plating layer such as a copper electrolytic plating layer is included. Alternatively, the metal layer 402 may be a metal foil adhered to one surface of the base film 401, or may be formed by any one of the following methods if the metal layer 402 is a structure requiring a photolithography process such as a plating method or an etching method But is not limited thereto.

상기 금속층(402)이 베이스 필름(401)의 일면에 형성된 다음에는 상기 금속 층(402)의 표면에 필름성 감광 필름인 드라이 필름 레지스트(405)를 부착하게 된다. 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 상부에는 소정 간격 이격되게 소정 패턴을 가진 포토 마스크(406)을 정렬하게 된다.After the metal layer 402 is formed on one surface of the base film 401, a dry film resist 405 as a film-like photosensitive film is attached to the surface of the metal layer 402. A photomask 406 having a predetermined pattern is arranged on the dry film resist 405 at predetermined intervals.

이어서, 상기 드라이 필름 레지스트(405)를 노광하게 된다. 네가티브형(negative type)은 빛이 닿는 부분에 폴리머 반응이 일어나 경화되어서 패턴으로 남게 되며, 포지티브형(positive type)은 빛을 받으면 경화된 폴리머의 체인이 끊어지게 되어서 빛을 받지 않은 부분이 패턴으로 남게 된다. Then, the dry film resist 405 is exposed. A negative type is a pattern in which a polymer reaction occurs at a light-contacting portion and is cured. In a positive type, when a light is received, a chain of a hardened polymer is broken, It remains.

이처럼, 상기 드라이 필름 레지스트(405)은 노광에 의하여 경화된 부분(403) 과, 상기 경화된 부분(403) 사이에 존재하는 경화되지 않은 부분(404)으로 구분된다.As such, the dry film resist 405 is divided into a hardened portion 403 by exposure and an uncured portion 404 between the hardened portion 403.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 경화되지 않은 부분(404)을 현상하는 것에 의하여 제거하게 된다. 이때, 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 현상액으로는 Na2CO3를 이용하게 된다. 상기 Na2CO3는 알칼리 성질을 가지고 있어서, 산성 성질을 가지고 있는 드라이 필름 레지스트(405)을 녹이게 된다. 대안으로는 아민형(amine type)의 현상액을 사용할 수 있다. 아민형의 현상액은 스웰링(swelling) 현상을 억제하여 해상도를 낮출 수 있다.Next, as shown in Fig. 5, the uncured portion 404 of the dry film resist 405 is removed by development. At this time, Na 2 CO 3 is used as a developing solution for the dry film resist 405. The Na 2 CO 3 has an alkaline property, so that the dry film resist 405 having acidic properties is melted. As an alternative, a developer of amine type can be used. The amine type developer can suppress the swelling phenomenon and lower the resolution.

현상이 완료된 다음에는 도 6에 도시된 바와 같이 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 경화되지 않은 부분(404)은 제거되어서, 패턴화될 금속층(402)의 영역(407)이 노출된다.After the development is completed, the uncured portion 404 of the dry film resist 405 is removed to expose the region 407 of the metal layer 402 to be patterned, as shown in FIG.

이때, 상기 드라이 필름 레지스트(405)는 현상시 경화되지 않은 부분(404)의 모서리에서 현상액 유동이 좋지 않게 되어서 점선으로 표시한 부분(403a)과 같이 돌출되는 부분이 형성되어서, 소망하는 패턴화될 금속층(402)의 영역(407)과 대응되는 공간보다 더 작은 공간으로 현상된다.At this time, the dry film resist 405 has a poor developer flow at the edge of the uncured portion 404 at the time of development, and a portion protruding like a dotted portion 403a is formed, so that a desired patterned Which is smaller than the space corresponding to the region 407 of the metal layer 402. [

이러한 점선으로 표시한 부분(403a)을 제거하기 위하여 드라이 필름 레지스트(405)를 반응성 이온 식각(reactive ion etching, RIE)와 같은 건식 에칭을 수행하는 것에 의하여 소망하는 치수로 정밀하게 제어하게 된다. The dry film resist 405 is precisely controlled to a desired dimension by performing dry etching such as reactive ion etching (RIE) to remove the portion 403a indicated by the dotted line.

즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 건식 에칭을 하기 위한 에칭 장치(700)에는 진공 챔버(701) 내에 코어재(400)를 설치하게 된다. 상기 코어재(400)는 상기 베이스 필름(401, 도 6 참조) 상에 금속층(402)이 형성되고, 상기 금속층(402) 상에 드라이 필름 레지스트(405)가 현상된 이후의 상태로 형성된 소재로서, 드라이 필름 레지스트(405)는 정밀한 수치로 외형 크기를 제어할 필요가 있다.That is, as shown in FIG. 7, a core material 400 is installed in the vacuum chamber 701 in the etching apparatus 700 for dry etching. The core material 400 includes a metal layer 402 formed on the base film 401 and a dry film resist 405 developed on the metal layer 402 , The dry film resist 405 needs to control the outer size with a precise numerical value.

상기 진공 챔버(701) 내에는 권출 롤러(702)와, 권취 롤러(703)가 설치되어 있다. 상기 코어재(400)는 릴-투-릴(reel to reel) 형으로서, 상기 권출 롤러(702)에 감겨져 있다가 건식 에칭이 완료된 다음에는 권취 롤러(703)로 감겨지게 된다. In the vacuum chamber 701, a take-up roller 702 and a take-up roller 703 are provided. The core material 400 is reel-to-reel type, wound around the take-up roller 702, and wound around the take-up roller 703 after dry etching is completed.

이송되는 코어재(400)의 상부에는 양극(704)이 배치되고, 코어재(400)의 하부에는 음극(705)이 배치되어 있으며, 상기 양극(704)이나 음극(705)중 어느 하나의 전극에 RF 제너레이터(706)로부터 RF 파워를 인가하여서 진공 챔버(701) 내부에 공급된 반응 가스를 플라즈마 상태로 형성한다. 플라즈마 상태의 이온은 상기 코어재(400)의 표면에 수직으로 입사됨으로써, 상기 드라이 필름 레지스트(405)에 대하여 등방성 에칭을 가능하게 된다. An anode 704 is disposed on an upper portion of the core material 400 to be conveyed and a cathode 705 is disposed on a lower portion of the core material 400. The anode 704 and the cathode 705 The RF power is applied from the RF generator 706 to form a reaction gas supplied into the vacuum chamber 701 in a plasma state. The ions in the plasma state are vertically incident on the surface of the core material 400, so that the dry film resist 405 can be isotropically etched.

본 실시예에서는 반응 가스로 산소 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 반응 가스로 산소를 이용하게 되면, 도 8에 도시된 바와 같이, 반응 가스인 산소 가스는 드라이 필름 레지스트(405)와 접촉하여 CO2 기체를 생성한 이후에 기화된다. In this embodiment, it is preferable to use oxygen gas as the reaction gas. When oxygen is used as the reaction gas, as shown in FIG. 8, the oxygen gas as the reactive gas is vaporized after making contact with the dry film resist 405 to generate CO 2 gas.

이에 따라, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 경화된 부분(403)으로부터 돌출된 부분(403a)은 선택적으로 깍이게 되어서, 소망하는 패턴화될 금속층(402)의 영역과 대응되는 공간(407)을 확보할 수 있게 된다. 9, the portion 403a protruding from the cured portion 403 of the dry film resist 405 is selectively mulled so that the area of the desired metal layer 402 to be patterned It is possible to secure a space 407 corresponding to the space 407.

상기 드라이 필름 레지스트(405)는 등방성 에칭으로 인하여 폭 방향으로 돌출된 부분(403a)뿐만 아니라, 두께 방향으로도 일부분(403b)의 식각도 같이 이루어진다. 이때, 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 두께는 충분한 여유도를 가지고 있으므로, 두께 방향으로 일부분(403b)의 식각이 동시에 이루어지더라도 추후 금속층(402)의 공정시 그 역할을 그대로 유지할 수 있다.The dry film resist 405 is etched not only in the portion 403a projecting in the width direction due to isotropic etching but also in the thickness direction 403b. At this time, since the thickness of the dry film resist 405 has a sufficient margin, even if the etching of the portion 403b in the thickness direction is performed at the same time, the role of the metal layer 402 in the subsequent process can be maintained.

특히, 반응성 이온 식각과 같은 건식 에칭은 드라이 필름 레지스트(405)이 높은 온도에 노출되기 때문에 경화도가 높아지는 효과도 가지게 된다. 따라서, 밀착력까지 상승시킬 수 있는 부가 기능을 주게 된다. In particular, dry etching such as reactive ion etching has an effect of increasing the degree of curing because the dry film resist 405 is exposed to a high temperature. Therefore, it provides an additional function that can raise the adhesion force.

플라즈마를 통하여 드라이 필름 레지스트(405)의 경화된 부분(403)으로부터 돌출된 부분(403a)을 소망하는 치수로 깍게 된 이후에는 통상적인 도금 공정에 의하여 상기 금속층(402)을 도금하거나, 에칭 공정에 의하여 패턴층을 형성시킬 수 있으며, 이러한 공정을 수행하는 과정은 통상적이므로, 여기서는 생략하기로 한다.After the portion 403a protruding from the cured portion 403 of the dry film resist 405 is cut into a desired dimension through the plasma, the metal layer 402 is plated by a conventional plating process, A pattern layer can be formed, and the process of performing such a process is conventional, and thus will not be described herein.

한편, 반응 가스로 SF6를 혼용할 경우에는 무기 이물질까지 제거가능하며, 반응성 이온 식각 이외에도 스퍼터 방식을 이용하여 제거가능하다. On the other hand, when mixed with SF6 as a reaction gas, it is possible to remove inorganic substances and can be removed by sputtering in addition to reactive ion etching.

이상, 본 출원인의 실험에 의한 반응성 이온 식각에 의한 건식 에칭 공정은 다음과 같다.As described above, the dry etching process by the reactive ion etching according to the experiment of the present applicant is as follows.

우선, 드라이 필름 레지스트(405)의 치수를 측정한 이후에 드라이 필름 레지스트(405)의 경화된 부분(403)으로부터 돌출된 부분(403a)과 같이 드라이 필름 레지스트(405)의 폭이 초과된 코어재(400)를 준비한다. First, after the measurement of the dimensions of the dry film resist 405, a portion 403a of the dry film resist 405 protruding from the cured portion 403 of the dry film resist 405, (400).

이어서, 드라이 필름 레지스트(405)의 에칭량을 설정하게 된다. 이때, 드라이 필름 레지스트(405)의 에칭량은 (에칭 속도×2)가 폭 에칭량에 해당된다. 본 실시예에서는 에칭 속도는 0.2 마이크로미터/분(min)이다. Then, the etching amount of the dry film resist 405 is set. At this time, the etching amount of the dry film resist 405 (etching speed x 2) corresponds to the width etching amount. In this embodiment, the etching rate is 0.2 micrometers / minute (min).

다음으로, 상기 준비된 코어재(400)가 진공 챔버(701) 내에서 상기 권출 롤러(702)로부터 풀려져서 권취 롤러(703)로 감겨지도록 설치하게 된다.Next, the prepared core material 400 is installed in the vacuum chamber 701 so as to be unwound from the take-up roller 702 and wound around the take-up roller 703.

상기 코어재(400)가 설치된 후에는 상기 진공 챔버(701) 내를 진공시키게 된다. 이때, 상기 진공 챔버(701)내의 진공도는 5×10-3 토르(Torr) 이하가 바람직하고 , 공급되는 반응 산소 가스의 공급량은 100 내지 200 sccm/분(min)이다. After the core material 400 is installed, the inside of the vacuum chamber 701 is evacuated. At this time, the degree of vacuum in the vacuum chamber 701 is preferably 5 × 10 -3 Torr or less, and the supply amount of the reactive oxygen gas to be supplied is 100 to 200 sccm / min.

다음으로, 상기 RF 제너레이터(706)의 주파수는 13.56 MHz이고, RF-out은 50Ω가 되도록 RF 파워를 인가하여서, 진공 챔버(701) 내부로 공급된 산소 가스를 플라즈마 상태로 형성하게 된다. 이때, 플라즈마가 발생한 것은 푸른색과 하얀색이 혼합된 플라즈마 발생을 투시창으로 확인한다.Next, RF power is applied so that the frequency of the RF generator 706 is 13.56 MHz and the RF-out is 50 OMEGA, so that the oxygen gas supplied into the vacuum chamber 701 is formed into a plasma state. At this time, the generation of the plasma is confirmed by the sight window of the plasma generation in which the blue and the white are mixed.

이어서, 릴-투-릴형으로 공급되는 코어재(400)를 권출 롤러(702)로부터 권취 롤러(703)로 이송시킨다. 이때, 코어재(400)의 이송 속도는 에칭량 기준으로 설정하고, 본 실시예에서는 0.1m/분(mim)이고, 공정 시간은 10분이다.Then, the core material 400 fed in the reel-to-reel type is fed from the take-up roller 702 to the take-up roller 703. At this time, the feed rate of the core material 400 is set on the basis of the etching amount, 0.1 m / min (mim) in the present embodiment, and the process time is 10 minutes.

상기 양극(704) 및 음극(705) 사이를 통과하면서, 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 경화된 부분(403)은 플라즈마 에칭이 시작된다. 에칭이 완료된 이후로는 진공 배기를 시키고, 코어재(400)를 탈착후 상기 드라이 필름 레지스트(405)의 치수를 측정하여 완료하게 된다. As it passes between the anode 704 and the cathode 705, the cured portion 403 of the dry film resist 405 begins to etch the plasma. After the etching is completed, vacuum exhaust is performed, and after the core material 400 is detached, the dimensions of the dry film resist 405 are measured and completed.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

도 1은 종래의 드라이 필름 레지스트가 노광, 현상된 이후의 상태를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing a state after a conventional dry film resist is exposed and developed,

도 2는 도 1의 드라이 필름 레지스트를 현상하는 상태를 도시한 평면도,Fig. 2 is a plan view showing a state in which the dry film resist of Fig. 1 is developed,

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 도시한 단면도,3 is a cross-sectional view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention,

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이 필름 레지스트를 노광하는 상태를 도시한 단면도,4 is a sectional view showing a state in which a dry film resist is exposed according to an embodiment of the present invention,

도 5는 도 4의 드라이 필름 레지스트를 현상하는 상태를 도시한 단면도,Fig. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the dry film resist of Fig. 4 is developed,

도 6은 도 5의 드라이 필름 레지스트를 완성한 이후의 상태를 도시한 단면도,Fig. 6 is a cross-sectional view showing the state after completion of the dry film resist shown in Fig. 5,

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이 필름 레지스트을 에칭하는 장치를 도시한 구성도,7 is a schematic view showing an apparatus for etching a dry film resist according to an embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 드라이 필름 레지스트가 플라즈마 이온 처리되는 상태를 도시한 단면도,FIG. 8 is a sectional view showing a state in which the dry film resist of FIG. 7 is subjected to plasma ion treatment,

도 9는 도 8의 드라이 필름 레지스트가 에칭된 이후의 상태를 도시한 단면도.FIG. 9 is a cross-sectional view showing the state after the dry film resist of FIG. 8 is etched. FIG.

<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.

400...코어재 401...베이스 필름 400 ... core material 401 ... base film

402...금속층 403...경화된 부분 402 ... metal layer 403 ... cured portion

403a...돌출된 부분 404...경화되지 않은 부분 403a ... protruding portion 404 ... non-hardened portion

405...드라이 필름 레지스트 700...에칭 장치 405 ... dry film resist 700 ... etching apparatus

701...진공 챔버 704...양극701 ... vacuum chamber 704 ... anode

705...음극 706...RF 제너레이터705 ... cathode 706 ... RF generator

Claims (11)

(a) 베이스 필름상에 금속층을 형성하는 단계;와,(a) forming a metal layer on a base film; (b) 상기 금속층상에 드라이 필름 레지스트를 형성하는 단계;와,(b) forming a dry film resist on the metal layer; (c) 상기 금속층상에 포토 마스크를 정렬하여 노광, 및 현상하는 단계;와,(c) aligning the photomask on the metal layer, exposing and developing the photomask, and (d) 플라즈마 에칭하여 패턴화된 드라이 필름 레지스트의 외형 치수를 재조절하는 단계;와, (d) recalibrating the external dimensions of the patterned dry film resist by plasma etching; (e) 상기 에칭된 드라이 필름 레지스트 사이의 공간으로 노출된 금속층을 가공하는 단계;를 포함하되,(e) processing the exposed metal layer into a space between the etched dry film resist, 상기 드라이 필름 레지스트는 노광에 의하여 경화된 부분과, 경화되지 않은 부분을 포함하며, 경화되지 않은 부분은 현상에 의하여 제거되고,Wherein the dry film resist includes a portion that is cured by exposure and a portion that is not cured, the portion that is not cured is removed by development, 현상시 드라이 필름 레지스트의 경화된 부분으로부터 돌출된 부분에 대응되는 드라이 필름 레지스트의 표면은 산소 가스를 이용하여 플라즈마 이온화시켜서 드라이 필름 레지스트의 외형을 에칭하는 것에 의하여 상기 드라이 필름 레지스트의 외형을 정해진 치수로 재조절하는 드라이 필름 레지스트의 패턴을 제조하기 위한 방법. The surface of the dry film resist corresponding to the portion protruding from the cured portion of the dry film resist at the time of development is subjected to plasma ionization using oxygen gas to etch the contour of the dry film resist so that the outer shape of the dry film resist is adjusted to a predetermined dimension A method for manufacturing a pattern of dry film resist that is reconditioned. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 플라즈마 에칭 처리는 반응성 이온 식각 공정을 수행하는 것에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 드라이 필름 레지스트의 패턴을 제조하기 위한 방법.Wherein the plasma etching treatment is performed by a reactive ion etching process. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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