KR101549900B1 - Pixel circuit of organic light emitting display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 디스플레이 화소 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기본적인 화소회로의 스캔 라인을 전원전압(VDD) 라인으로 사용하고 VDD라인을 제거해 발광영역을 증가시키고, 화소회로에서 OLED 휘도 불균일도의 문제점인 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화에 대한 보상회로를 제시함으로서 균일한 OLED 휘도를 구현하는 회로에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 본 발명은 화소회로내 VDD 라인을 제거해 회로가 단순해지고 기존의 제작방법을 그대로 이용할 수 있으면서 유기발광다이오드의 발광영역이 증가함에 따라 더 높은 휘도를 내고, 유기발광다이오드의 휘도 불균일도에 영향을 미치는 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상하여 OLED의 균일한 휘도를 표현할 수 있다. 또한 전원전압과 기준전압을 설정함에 있어, 데이터 전압에 의존되지 않고 자유롭게 전원전압과 기준전압 범위를 컨트롤할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치의 화소회로 및 그 구동방법을 제공할 수 있다.
The present invention relates to an organic light emitting display pixel circuit, and more particularly, to an organic light emitting display pixel circuit using a scan line of a basic pixel circuit as a power source voltage (V DD ) line and removing a V DD line to increase a light emitting area, The present invention relates to a circuit for realizing a uniform OLED luminance by providing a compensation circuit for a threshold voltage change of a driving thin film transistor, which is a problem of the OLED display.
According to the present invention, the V DD The circuit is simplified and the conventional manufacturing method can be used as it is, and the threshold voltage change of the driving thin film transistor, which has a higher luminance as the emission region of the organic light emitting diode increases and affects the luminance unevenness of the organic light emitting diode So that the uniform luminance of the OLED can be expressed. In addition, it is possible to provide a pixel circuit of an organic light emitting display device and a driving method thereof that can freely control a power supply voltage and a reference voltage range without depending on a data voltage in setting a power supply voltage and a reference voltage.

Description

유기 발광 디스플레이 화소 회로{PIXEL CIRCUIT OF ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}PIXEL CIRCUIT OF ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY [0002]

본 발명은 유기 발광 디스플레이 화소 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기본적인 화소회로의 스캔 라인을 전원전압(VDD) 라인으로 사용하고 VDD라인을 제거해 발광영역을 증가시키고, 화소회로에서 OLED 휘도 불균일도의 문제점인 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화에 대한 보상회로를 제시함으로서 균일한 OLED 휘도를 구현하는 회로에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display pixel circuit, and more particularly, to an organic light emitting display pixel circuit using a scan line of a basic pixel circuit as a power source voltage (V DD ) line and removing a V DD line to increase a light emitting area, The present invention relates to a circuit for realizing a uniform OLED luminance by providing a compensation circuit for a threshold voltage change of a driving thin film transistor, which is a problem of the OLED display.

최근, 평판 표시 장치(flat panel display: FPD)에 대한 관심이 증가하면서, 다양한 방식의 평판 표시 장치의 개발이 활발히 진행되고 있다. 대표적인 평판 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel: PDP), 유기 전계 발광 표시장치(organic electroluminescence display device) 등이 있다.2. Description of the Related Art In recent years, interest in flat panel displays (FPDs) has increased, and various types of flat panel display devices have been actively developed. Representative flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic electroluminescence display device.

상기 평판표시장치 중 유기 전계발광 표시장치는 자발광 소자로서 백라이트(backlight)를 구비하지 않아도 되므로 LCD에 비해 박형화, 경량화가 가능하며, 보다 저렴하고 쉽게 제작할 수 있고 응답속도가 수십 [ns]로 빠르며, 시야각이 넓고 명암비가 좋아 차세대 디스플레이로서 주목을 받고 있다.Since the organic light emitting display of the flat panel display device does not need a backlight as a self-luminous element, it can be made thinner and lighter than an LCD, can be manufactured more cheaply, and its response speed is as fast as several tens [ns] , Has wide viewing angle and high contrast ratio, and is receiving attention as a next generation display.

상술한 유기 전계 발광 표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 구동 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 구동 방식이 있다. 능동 매트릭스 구동 방식은 예를 들어 캐패시터에 소정의 계조를 표시하기 위한 전압을 저장하고, 저장된 전압을 전체 프레임 시간 동안에 화소에 인가하는 구동 방식을 말한다.The passive matrix driving method and the active matrix driving method may be used for driving the organic light emitting display device. The active matrix driving method refers to a driving method in which, for example, a voltage for displaying a predetermined gradation is stored in a capacitor, and a stored voltage is applied to the pixel during an entire frame time.

또한, 유기 전계발광 표시장치는 전압구동의 액정을 이용하는 LCD와 다르게 전류구동 소자인 유기 발광다이오드를 이용하여 구동전류의 양에 따라 휘도를 조절하여 발광한다. 따라서, 유기 전계발광 표시장치는 구동전류를 생성하기 위한 화소회로가 필요하다.In addition, an organic light emitting display uses an organic light emitting diode, which is a current driving device, to emit light by adjusting the luminance according to the amount of driving current, unlike an LCD using a voltage driven liquid crystal. Therefore, the organic light emitting display requires a pixel circuit for generating a driving current.

능동형 유기 발광다이오드(active matrix organic light emitting diode: AMOLED)는 화소(pixel)들을 개별적으로 제어하고자 각 화소에서 스위칭을 담당하는 박막 트랜지스터(Thin-Film Transistor: TFT)를 내장하고 있으며 이 중 산화물 박막트랜지스터는 아모포스 실리콘(amorphous silicon: a-Si) 박막트랜지스터와 저온 다결정 실리콘(low-temperature polycrystalline silicon: LTPS) 박막트랜지스터의 한계를 극복하는 요소들이 보고되면서 차세대 디스플레이 backplane 소자로 주목받고 있다. 산화물 TFT는 고이동도(10~ cm2/Vs)를 가지며, 저온 공정 및 문턱전압의 불균일성에 대해서 자유로우며, 기존 a-Si TFT 기반의 공정 라인을 그대로 이용할 수 있어 고성능 저가격의 디스플레이 구현에 크게 기여할 수 있다. 이러한 장점들에도 불구하고 산화물 박막트랜지스터는 게이트 전압 바이어스 스트레스에 의한 문턱전압(threshold voltage: VTH) 불균일성과 같은 불안정한 특성을 가지고 있다.An active matrix organic light emitting diode (AMOLED) includes a thin-film transistor (TFT) that controls switching between pixels in order to individually control pixels, and an oxide thin film transistor Has been attracting attention as a next-generation display backplane device due to factors that overcome the limitations of amorphous silicon (a-Si) thin film transistor and low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin film transistor. Oxide TFTs have high mobility (10 ~ cm 2 / Vs), are free from low-temperature process and unevenness of threshold voltage, and can utilize existing a-Si TFT-based process line as they are. You can contribute. Despite these advantages, oxide thin film transistors have unstable characteristics such as threshold voltage (V TH ) nonuniformity due to gate voltage bias stress.

이는 화소회로에서 박막 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)을 변화시켜 각 화소에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도 각기 다른 전류가 흐르게 된다. 구동 박막 트랜지스터의 특성이 디스플레이 내에서 인접한 화소 간에 차이를 보이게 되면 위치 별로 OLED에 흐르는 전류량이 달라 서로 다른 휘도를 보이게 된다. 기본적인 AMOLED 화소 회로는 2개의 박막트랜지스터, 1개의 커패시터, 2개의 신호선 그리고 1개 전원전압(VDD)을 포함하고 있다. 기본적인 AMOLED 화소회로에 박막트랜지스터, 커패시터, 신호선 등을 추가하여 회로를 적절하게 디자인한다면 앞에 언급한 OLED의 휘도의 불균일도에 영향을 주는 요소인 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상한다면 OLED의 균일한 휘도를 구현할 수 있다. 또한 신호선 및 박막트랜지스터, 커패시터의 수를 줄이면 OLED의 발광영역을 증가시킬 수 있다. This is because the threshold voltage of the thin film transistor is changed in the pixel circuit so that different current flows even if the same data voltage is applied to each pixel. If the characteristics of the driving thin film transistor are different between neighboring pixels in the display, the amount of current flowing in the OLED differs according to the position, and different brightness is displayed. A basic AMOLED pixel circuit includes two thin film transistors, one capacitor, two signal lines and one power supply voltage (V DD ). If a circuit is appropriately designed by adding a thin film transistor, a capacitor and a signal line to a basic AMOLED pixel circuit, if the threshold voltage change of the driving thin film transistor, which is an element affecting the luminance unevenness of the above-mentioned OLED, is compensated, Brightness can be realized. Also, by reducing the number of signal lines, thin film transistors, and capacitors, the emission area of the OLED can be increased.

KRKR 10-2006-008981810-2006-0089818 AA

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 기본적인 능동형 유기발광다이오드(active matrix organic light emitting diode: AMOLED) 화소회로에서 신호 배선의 수를 줄여 발광영역을 증가시키고, OLED의 휘도 불균일도에 영향을 미치는 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상하여 OLED의 균일한 휘도를 표현할 수 있는 AMOLED용 화소 보상회로를 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above problems, and it is an object of the present invention to reduce the number of signal lines in a basic active matrix organic light emitting diode (AMOLED) pixel circuit, And an object of the present invention is to provide a pixel compensation circuit for an AMOLED capable of expressing a uniform luminance of an OLED by compensating a change in a threshold voltage of the driving thin film transistor.

또한 전원전압과 기준전압을 설정함에 있어, 데이터 전압에 의존되지 않고 자유롭게 전원전압과 기준전압 범위를 컨트롤할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치의 화소회로 및 그 구동방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a pixel circuit of an organic light emitting display device and a driving method thereof that can freely control a power supply voltage and a reference voltage range without depending on a data voltage in setting a power supply voltage and a reference voltage.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이에 적용되는 화소회로는, 유기발광 다이오드; 게이트가 B노드(B)에 연결되고, 상기 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터(T5); 상기 B노드(B) 및 A노드(A) 사이에 연결되는 캐패시터; 기준 스캔신호(SCAN1)에 응답하여 데이터전압(DATA)을 상기 A노드(A)에 인가하는 제1 트랜지스터(T1); 제n(n은 자연수) 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 상기 데이터전압(DATA)을 상기 A노드(A)에 인가하는 제2 트랜지스터(T2); 상기 구동 트랜지스터(T5)의 게이트 및 드레인 사이에 연결되고, 제n-1 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 상기 현재 스캔신호(SCAN1)를 상기 B노드(B)에 인가하는 제3 트랜지스터(T3); 상기 구동트랜지스터(T5)의 게이트 및 소스 사이에 연결되고, 상기 제n 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 상기 B노드(B)를 상기 구동트랜지스터의 문턱전압(VTH_T5) 레벨로 방전하는 제4 트랜지스터(T4); 및 EM신호(EM)에 응답하여 상기 구동트랜지스터(T5)에 의한 전류가 상기 유기발광 다이오드에 흐르도록 하는 제6 트랜지스터(T6)를 포함한다.
상기 기준 스캔신호, 제n-1 스캔신호 및 제n 스캔신호는, 각각의 전압레벨이 제1 구간에서 'HIGH', 'HIGH' 및 'LOW' 이고, 제2 구간에서 'LOW', 'LOW' 및 'HIGH' 이며, 제3 구간에서 'HIGH', 'LOW', 'LOW'로 천이될 수 있다.
상기 기준 스캔신호는 상기 제1 트랜지스터를 턴온하고, 상기 제n-1 스캔신호는 상기 제3 트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제n 스캔신호는 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터를 턴-오프하고, 상기 EM신호는 상기 제6 트랜지스터를 턴-오프할 수 있다.
상기 제3 트랜지스터를 통해 상기 기준 스캔신호가 상기 구동트랜지스터의 게이트 전압으로 충전될 수 있다.
상기 제n 스캔신호는 상기 제2 및 제4 트랜지스터를 턴-온할 수 있다.
상기 제4 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 통해 상기 B노드(B)에 상기 기준 스캔신호에서 상기 문턱전압으로 충전될 수 있다.
상기 A노드(A)에 충전되는 상기 데이터 전압은, 상기 캐패시터에 의해 유지될 수 있다.
상기 데이터 전압이 'HIGH'가 되어 상기 제1 트랜지스터를 통해 상기 A노드(A)에 충전될 수 있다.
상기 기준 스캔신호는, 전원전압으로 사용될 수 있다.
상기 제1 내지 제4 트랜지스터, 구동트랜지스터 및 제6 트랜지스터는, N-타입 TFT일 수 있다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a pixel circuit comprising: an organic light emitting diode; A driving transistor (T5) having a gate connected to the B node (B) and controlling a current flowing in the organic light emitting diode; A capacitor connected between the B node (B) and the A node (A); A first transistor (T1) for applying a data voltage (DATA) to the A node (A) in response to a reference scan signal (SCAN1); A second transistor (T2) for applying the data voltage (DATA) to the A node (A) in response to an nth (n is a natural number) scan signal SCAN [n]; (B) which is connected between the gate and the drain of the driving transistor T5 and which applies the current scan signal SCAN1 to the B node B in response to the (n-1) th scan signal SCAN [n-1] 3 transistor T3; (B) to a threshold voltage (V TH - T 5) level of the driving transistor in response to the n th scan signal (SCAN [n]), A fourth transistor T4; And a sixth transistor T6 for causing a current by the driving transistor T5 to flow in the organic light emitting diode in response to the EM signal EM.
The reference scan signal, the (n-1) th scan signal, and the n th scan signal have the HIGH, HIGH and LOW voltage levels in the first section and the LOW and LOW levels in the second section, HIGH ',' HIGH ', and' HIGH ',' LOW ', and' LOW 'in the third section.
Wherein the reference scan signal turns on the first transistor, the n-1 scan signal turns on the third transistor, and the nth scan signal turns off the second transistor and the fourth transistor, And the EM signal may turn off the sixth transistor.
And the reference scan signal may be charged to the gate voltage of the driving transistor through the third transistor.
The nth scan signal may turn on the second and fourth transistors.
(B) through the fourth transistor and the driving transistor to the threshold voltage in the reference scan signal.
The data voltage charged to the node A may be held by the capacitor.
The data voltage becomes 'HIGH' and can be charged to the A node A through the first transistor.
The reference scan signal may be used as a power supply voltage.
The first to fourth transistors, the driving transistor, and the sixth transistor may be N-type TFTs.

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본 발명에 의하면, 본 발명은 유기 발광 디스플레이 화소 회로내 VDD 라인을 제거해 회로가 단순해지고 기존의 제작방법을 그대로 이용할 수 있으면서 유기발광다이오드의 발광영역이 증가함에 따라 더 높은 휘도를 내는 효과가 있다. 또한 유기발광다이오드의 휘도 불균일도에 영향을 미치는 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상하여 OLED의 균일한 휘도를 표현하는 효과가 있다. 또한 전원전압과 기준전압을 설정함에 있어, 데이터 전압에 의존되지 않고 자유롭게 전원전압과 기준전압 범위를 컨트롤할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치의 화소회로 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.According to the present invention, the V DD The circuit is simplified and the existing manufacturing method can be used as it is, and the luminance is increased as the emission area of the organic light emitting diode increases. In addition, there is an effect of expressing the uniform luminance of the OLED by compensating a threshold voltage change of the driving thin film transistor which affects the luminance unevenness of the organic light emitting diode. Further, there is an effect of providing a pixel circuit of an organic light emitting display device and a driving method thereof that can freely control a power supply voltage and a reference voltage range without depending on a data voltage in setting a power supply voltage and a reference voltage.

도 1은 OLED를 구동하기 위한 종래의 2 트랜지스터와 1 커패시터를 포함하는 화소회로 구조(11) 및, VDD 라인을 제거한 종래의 화소회로 구조(12)를 도시한 도면.
도 2는 VDD 라인을 제거하여 발광영역을 증가시키면서 구동 트렌지스터의 문턱전압을 보상하는, 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로 구조 및 동작타이밍도를 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로의 동작 타이밍별 동작원리를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로에서 동작 타이밍 별 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화(0.5 ± 0.5 V)에 따른 게이트 전압에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로에서 데이터전압 변화(4 ~ 13 V)와 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화(0.5 ± 0.5 V)에 따른 OLED 전류에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.
Figure 1 is a pixel circuit structure including a conventional two-transistor and one capacitor for driving the OLED (11), and, V DD Lt; RTI ID = 0.0 > 12 < / RTI >
2 is a diagram illustrating an organic light emitting display pixel circuit structure and operation timing diagram according to the present invention for compensating a threshold voltage of a driving transistor while removing a V DD line to increase a light emitting area.
3 is a view showing an operation principle of each pixel according to an operation timing of an organic light emitting display pixel circuit according to the present invention.
4 is a graph showing a simulation result of a gate voltage according to a threshold voltage change (0.5 ± 0.5 V) of a driving transistor for each operation timing in an organic light emitting display pixel circuit according to the present invention.
5 is a graph showing a simulation result of an OLED current according to a data voltage change (4 to 13 V) and a threshold voltage change (0.5 ± 0.5 V) of a driving transistor in an organic light emitting display pixel circuit according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately It should be interpreted in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be defined. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

도 2는 VDD 라인을 제거하여 발광영역을 증가시키면서 구동 트렌지스터의 문턱전압을 보상하는, 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로 구조 및 동작타이밍도를 도시한 도면이다.2 is V DD FIG. 2 is a diagram showing an organic light emitting display pixel circuit structure and operation timing diagram according to the present invention for compensating a threshold voltage of a driving transistor while removing a line to increase a light emitting region.

본 발명에서는 VDD라인을 제거하고 VDD신호를 스캔 신호로 대체하여 사용함으로서 발광영역을 증가시키면서, 4개의 박막트랜지스터와 2개의 스캔신호를 추가로 사용하여 6개의 박막트랜지스터 1개의 커패시터 3개의 스캔신호를 포함하는 화소회로를 적절하게 디자인하여 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있는 회로를 제작할 수 있게 한다.In the present invention, the V DD line is removed and the V DD signal is replaced with the scan signal, thereby increasing the light emitting area. Further, by using four thin film transistors and two scan signals, six thin film transistors, one capacitor, A pixel circuit including a signal can be appropriately designed so that a circuit capable of compensating a threshold voltage of the driving thin film transistor can be manufactured.

도 2를 참조하면, 상기 화소회로는 유기발광다이오드와 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 구동용 박막트랜지스터(Thin-Film Transistor: TFT)(T5)와 상기 구동용 박막트랜지스터에 인가되는 데이터 전압 및 스캔 전압을 제어하는 스위칭 박막트랜지스터(T1, T2, T3, T4)와 유기발광다이오드가 발광해야하는 구간에만 유기발광다이오드에 전류를 흐를 수 있게 제어하는 스위칭 박막트랜지스터(T6) 그리고 구동 박막트랜지스터의 게이트에 인가된 전압을 일정기간 유지하는 커패시터(C1)를 구비한다. 여기서 박막트랜지스터는 모두 n-tyep MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다. 또한 데이터 라인(DATA)과 스캔신호 라인(SCAN1, SCAN[n], EM)을 포함하며, VDD 전원전압은 별도의 외부 전원에 의해 공급되지 않고 스캔라인(SCAN1)을 통해 공급받도록 구성된다.Referring to FIG. 2, the pixel circuit includes a thin film transistor (TFT) T5 for supplying current to the organic light emitting diode and the organic light emitting diode, a data voltage applied to the driving thin film transistor, A switching thin film transistor (T6) for controlling the current flow through the organic light emitting diode only during a period in which the organic light emitting diode needs to emit light, and a switching thin film transistor And a capacitor (C1) for holding the voltage for a predetermined period. Here, all thin film transistors are n-type MOSFETs (metal oxide semiconductor field effect transistors). And includes a data line DATA and scan signal lines SCAN1, SCAN [n], EM, and V DD The power supply voltage is not supplied by a separate external power supply but is supplied through the scan line SCAN1.

구동 트랜지스터 T5는 전원전압 VDD을 대체하는 역할을 하는 SCAN1과 OLED 사이에 연결되며, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 OLED에 흐르는 구동전류를 제어한다. 구체적으로 구동 트랜지스터 T5의 드레인전극이 SCAN1에 연결되고, 소스 전극이 발광제어 트랜지스터 T6를 통하여 OLED의 애노드 전극에 접속된다. 또한, 상기 구동 트랜지스터 T5의 게이트 전극에는 T3와 T4의 소스 전극과 커패시터 C1의 일전극 B가 연결되고, 커패시터 C1의 타전극 A는 스위칭 트랜지스터 T1과 T2의 소스 전극과 연결된다. 이하에서 커패시터 C1 양측 전극 중 전극 'B'를 일전극, 전극 'A'를 타전극으로 칭하기로 한다.The driving transistor T5 is connected between the scan electrode SCAN1 serving as a substitute for the power source voltage V DD and the OLED, and controls the driving current flowing in the OLED according to the voltage applied to the gate electrode. Specifically, the drain electrode of the driving transistor T5 is connected to the scan electrode SCAN1, and the source electrode thereof is connected to the anode electrode of the OLED through the emission control transistor T6. A source electrode of T3 and a drain electrode of T4 are connected to the gate electrode of the driving transistor T5, and one electrode B of the capacitor C1 is connected to the gate electrode of the driving transistor T5. The other electrode A of the capacitor C1 is connected to the source electrodes of the switching transistors T1 and T2. Hereinafter, the electrode 'B' of both electrodes of the capacitor C1 will be referred to as one electrode and the electrode 'A' as another electrode.

스위칭 트랜지스터 T1은 커패시터 C1의 타전극 A와 데이터선 DATA 전극 사이에 연결된다. 스위칭 트랜지스터 T1의 게이트 전극은 스캔신호 라인 SCAN1에 연결되고 스캔신호 라인 SCAN1로부터의 선택 신호에 턴-온되어 데이터선 DATA로부터 데이터 전압 VDATA를 커패시터 C1의 타전극 A에 인가한다.The switching transistor T1 is connected between the other electrode A of the capacitor C1 and the data line DATA electrode. The gate electrode of the switching transistor T1 is connected to the scan signal line SCAN1 and is turned on by a selection signal from the scan signal line SCAN1 to apply the data voltage V DATA from the data line DATA to the other electrode A of the capacitor C1.

스위칭 트랜지스터 T2는 커패시터 C1의 타전극 A와 데이터선 DATA 전극 사이에 연결된다. 스위칭 트랜지스터 T2의 게이트 전극은 스캔신호 라인 SCAN[n]에 연결되고 스캔신호 라인 SCAN[n]로부터의 선택 신호에 턴-온되어 데이터선 DATA로부터 데이터 전압 VDATA를 커패시터 C1의 타전극 A에 인가한다.The switching transistor T2 is connected between the other electrode A of the capacitor C1 and the data line DATA electrode. The gate electrode of the switching transistor T2 is connected to the scan signal line SCAN [n] and is turned on by a selection signal from the scan signal line SCAN [n] to apply the data voltage V DATA from the data line DATA to the other electrode A of the capacitor C1 do.

스위칭 트랜지스터 T3는 구동 트랜지스터 T5의 게이트 전극과 드레인 전극사이에 연결된다. 스위칭 트랜지스터 T3의 게이트 전극은 스캔신호 라인 SCAN[n]의 전단 스캔신호 라인 SCAN[n-1]에 연결되고 스캔신호 라인 SCAN[n-1]로부터의 선택 신호에 턴-온 된다.The switching transistor T3 is connected between the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor T5. The gate electrode of the switching transistor T3 is connected to the scan signal line SCAN [n-1] of the scan signal line SCAN [n] and turned on to the select signal from the scan signal line SCAN [n-1].

스위칭 트랜지스터 T4는 구동 트랜지스터 T5의 게이트 전극과 소스 전극사이에 연결된다. 스위칭 트랜지스터 T4의 게이트 전극은 상기 트랜지스터 T2의 게이트 전극과 같이 스캔신호 라인 SCAN[n]에 연결되고 스캔신호 라인 SCAN[n]로부터의 선택 신호에 턴-온 된다.The switching transistor T4 is connected between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor T5. The gate electrode of the switching transistor T4 is connected to the scan signal line SCAN [n] like the gate electrode of the transistor T2 and is turned on to the selection signal from the scan signal line SCAN [n].

발광제어 트랜지스터 T6는 구동 트랜지스터 T5의 소스 전극과 OLED 사이에 연결된다. 상기 발광제어 트랜지스터 T6의 게이트 전극은 발광제어선 EM에 연결되고, 발광제어선 EM으로부터의 발광제어신호에 의해 구동 트랜지스터 T5에서 생성되는 구동전류를 OLED로 전달하거나 차단한다.The emission control transistor T6 is connected between the source electrode of the driving transistor T5 and the OLED. The gate electrode of the emission control transistor T6 is connected to the emission control line EM and transmits or cuts off the drive current generated in the drive transistor T5 to the OLED by the emission control signal from the emission control line EM.

OLED의 캐소드 전극은 기준전압 VSS에 연결된다. 기준전압 VSS는 접지 전압이다. The cathode electrode of the OLED is connected to the reference voltage V SS . The reference voltage V SS is the ground voltage.

상기 구성을 갖는 화소회로의 동작타이밍 구간별(Precharging 구간, VTH detecting 구간, Emission 구간) 동작은 이하에서 설명한다.
Operation of the operation timing interval (precharging interval, V TH developing interval, and emission interval) of the pixel circuit having the above configuration will be described below.

도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로의 동작 타이밍 별 동작원리를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view illustrating an operation principle of each organic light emitting display pixel circuit according to an operation timing according to the present invention.

도 2의 동작타이밍도와 도 3을 참조하면, 첫 번째 Precharging 구간(제1 구간)에서, 스캔신호 라인 SCAN1과 SCAN[n-1]은 스위칭 트랜지스터 T1와 T3를 턴-온 시켜주기 위해 고 전압이 된다. A점의 전압은 스위칭 트랜지스터 T1을 통해서 커패시터 C1에 의해서 VDATA_L 로 저장된다. VDATA _L는 VDATA 가 0V임을 의미한다. B점의 전압은 스위칭 트랜지스터 T3을 통해서 커패시터 C1에 VSCAN1로 저장된다. VSCAN1은 프로그래밍 전압이다. 발광제어 트랜지스터 T6는 발광제어선 EM이 저 전압 이므로 턴-오프를 유지한다. 발광제어 트랜지스터 T6는 Precharging 구간과 VTH detecting 구간동안 불필요한 OLED 전류를 막아준다.3, in the first precharging period (the first period), the scan signal lines SCAN1 and SCAN [n-1] are turned on in order to turn on the switching transistors T1 and T3, do. The voltage at point A is stored as V DATA_L by the capacitor C1 through the switching transistor T1. V DATA _L means V DATA is 0V. The voltage at the point B is stored in the capacitor C1 through the switching transistor T3 as V SCAN1 . V SCAN1 is the programming voltage. The emission control transistor T6 maintains turn-off because the emission control line EM is at a low voltage. The emission control transistor T6 prevents unnecessary OLED current during the precharging period and the V TH developing period.

두 번째 VTH detecting 구간(제2 구간)에서 스캔신호 라인 SCAN1과 SCAN[n-1]은 스위칭 트랜지스터 T1과 T3를 턴-오프 시키기 위해 저 전압이 된다. A점의 전압은 VDATA가 저전압을 유지하면서 VDATA _L로 유지된다. 이때 스캔신호 라인 SCAN[n]은 스위칭 트랜지스터 T2와 T4를 턴-온 시키기 위해 고 전압이 된다. B점의 전압은 스캔신호 라인 SCAN1의 저 전압에 의해서 스위칭 트랜지스터 T4와 T5를 통해 스위칭 트랜지스터 T5가 턴-오프 될 때까지 VSCAN1에서 VTH _ T5로 방전된다. VTH _ T5는 스위칭 트랜지스터 T5의 문턱전압이다.The scan signal lines SCAN1 and SCAN [n-1] are at a low voltage to turn off the switching transistors T1 and T3 in the second V TH developing period (second section). The voltage of the point A is maintained at V DATA _L while maintaining the low voltage V DATA. At this time, the scan signal line SCAN [n] becomes a high voltage to turn on the switching transistors T2 and T4. Are discharged to V TH _ T5 in SCAN1 V until the off-voltage of the point B, the switching transistor T5 turns through the switching transistors T4 and T5 by the low voltage of the scan signal line SCAN1. V TH _ T5 is a threshold voltage of the switching transistor T5.

마지막으로, Emission 구간(제3 구간)에서 스캔신호 라인 SCAN[n-1]과 스캔신호 라인 SCAN[n]은 저 전압이되어 스위칭 트랜지스터 T2, T3그리고 T4는 턴-오프가 된다. 스캔신호 라인 SCAN1은 고 전압이 되어 스위칭 트랜지스터 T1을 턴-온 시키며, VDD를 대신해 전원전압의 역할을 수행하게 된다. 그리고 DATA 전압은 고 전압이 되어 A점의 전압은 C1의 커플링(coupling)에 의해서 VDATA_L에서 VDATA_H로 된다. VDATA_H는 요구되는 OLED 전류에 따라 변한다. 발광제어선 EM은 고 전압이 되고 발광제어 트랜지스터 T6는 턴-온이 된다. 그러므로 구동 트랜지스터 T5의 소스 전압은 VOLED이 되고 구동 트랜지스터 T5의 게이트 전압은 VTH_T5+VDATA_H이 된다. 따라서, T5의 드레인 전류는 다음과 같이 된다.
Finally, in the emission period (third section), the scan signal line SCAN [n-1] and the scan signal line SCAN [n] become low voltage and the switching transistors T2, T3 and T4 are turned off. The scan signal line SCAN1 becomes a high voltage to turn on the switching transistor T1, and plays the role of a power supply voltage instead of V DD . Then, the DATA voltage becomes a high voltage, and the voltage at point A becomes V DATA_L to V DATA_H by the coupling of C1. V DATA_H varies with the OLED current required. The emission control line EM becomes a high voltage and the emission control transistor T6 turns on. Therefore, the source voltage of the driving transistor T5 becomes V OLED and the gate voltage of the driving transistor T5 becomes V TH_T5 + V DATA_H . Therefore, the drain current of T5 is as follows.

IOLED = 1/2·k·(VGS _ T5-VTH _ T5)2 I OLED = 1/2 · k · ( V GS _ T5 -V TH _ T5) 2

= 1/2·k·[VTH _ T5+VDATA _H-VOLED-VTH _ T5]2 = 1/2 · k · [ V TH _ T5 + V DATA _H -V OLED -V TH _ T5] 2

= 1/2·k·(VDATA-VOLED)2 (Saturation region)
= 1/2 · k · (V DATA -V OLED ) 2 (Saturation region)

k는 μ·COX ·W/L이며, μ는 전계이동도, COX는 게이트 절연막의 정전용량, W/L은 박막트랜지스터의 너비와 길이이며, VOLED는 OLED 애노드에 걸리는 전압이다.k is μ · C OX · W / L , μ is the electric field mobility, C OX is the capacitance of the gate insulating film, W / L is the width and length of the thin film transistor, V OLED is the voltage across the OLED anode.

그러므로 OLED 전류는 구동 박막트랜지스터의 문턱전압에 의해 무관해지며 오직 데이터 전압과 OLED 전압에 의해서만 영향을 받는다. 결과적으로, 본 화소 회로는 문턱전압 변화를 효과적으로 보상할 수 있다.
Therefore, the OLED current is independent of the threshold voltage of the driving thin film transistor and is affected only by the data voltage and the OLED voltage. As a result, the present pixel circuit can effectively compensate the threshold voltage change.

도 4는 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로에서 동작 타이밍 별 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화(0.5 ± 0.5 V)에 따른 게이트 전압에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로에서 데이터 전압 변화(4 ~ 13 V)와 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화(0.5 ± 0.5 V)에 따른 OLED 전류에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 이 두 시뮬레이션 결과를 보면 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압 변화에 따른 휘도변화가 보상됨을 알 수 있다.FIG. 4 is a graph showing a simulation result of a gate voltage according to a threshold voltage change (0.5 ± 0.5 V) of a driving transistor for each operation timing in an organic light emitting display pixel circuit according to the present invention. 5 is a graph showing a simulation result of an OLED current according to a data voltage change (4 to 13 V) and a threshold voltage change (0.5 ± 0.5 V) of a driving transistor in a display pixel circuit. From these two simulation results, it can be seen that the luminance change due to the threshold voltage change of the driving thin film transistor is compensated.

결과적으로 본 발명의 화소회로는 문턱전압 변화에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있으며, 또한 종래의 VDD 라인을 제거하고 SCAN1 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있다.
As a result, the pixel circuit of the present invention can implement a uniform brightness by effectively compensating for the threshold voltage change, and the conventional V DD The emission area can be increased by removing the line and using the SCAN1 line as the supply voltage line.

100: 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로
11: OLED를 구동하기 위한 종래의 2 트랜지스터와 1 커패시터를 포함하는 화소회로 구조
12: VDD 라인을 제거한 종래의 화소회로 구조
20: 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 화소 회로의 동작타이밍도
31: precharging 구간(제1 구간)
32: VTH detecting 구간(제2 구간)
33: emission 구간(제3 구간)
100: organic light emitting display pixel circuit according to the present invention
11: Pixel circuit structure including two conventional transistors and one capacitor for driving an OLED
12: V DD Conventional pixel circuit structure in which lines are removed
20: Operation timing diagram of the organic light emitting display pixel circuit according to the present invention
31: precharging section (first section)
32: Vth detecting section (second section)
33: emission section (third section)

Claims (14)

유기발광 다이오드;
게이트가 B노드(B)에 연결되고, 상기 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터(T5);
상기 B노드(B) 및 A노드(A) 사이에 연결되는 캐패시터;
기준 스캔신호(SCAN1)에 응답하여 데이터전압(DATA)을 상기 A노드(A)에 인가하는 제1 트랜지스터(T1);
제n(n은 자연수) 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 상기 데이터전압(DATA)을 상기 A노드(A)에 인가하는 제2 트랜지스터(T2);
상기 구동 트랜지스터(T5)의 게이트 및 드레인 사이에 연결되고, 제n-1 스캔신호(SCAN[n-1])에 응답하여 상기 현재 스캔신호(SCAN1)를 상기 B노드(B)에 인가하는 제3 트랜지스터(T3);
상기 구동트랜지스터(T5)의 게이트 및 소스 사이에 연결되고, 상기 제n 스캔신호(SCAN[n])에 응답하여 상기 B노드(B)를 상기 구동트랜지스터의 문턱전압(VTH_T5) 레벨로 방전하는 제4 트랜지스터(T4); 및
EM신호(EM)에 응답하여 상기 구동트랜지스터(T5)에 의한 전류가 상기 유기발광 다이오드에 흐르도록 하는 제6 트랜지스터(T6)
를 포함하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
Organic light emitting diodes;
A driving transistor (T5) having a gate connected to the B node (B) and controlling a current flowing in the organic light emitting diode;
A capacitor connected between the B node (B) and the A node (A);
A first transistor (T1) for applying a data voltage (DATA) to the A node (A) in response to a reference scan signal (SCAN1);
A second transistor (T2) for applying the data voltage (DATA) to the A node (A) in response to an nth (n is a natural number) scan signal SCAN [n];
(B) which is connected between the gate and the drain of the driving transistor T5 and which applies the current scan signal SCAN1 to the B node B in response to the (n-1) th scan signal SCAN [n-1] 3 transistor T3;
(B) to a threshold voltage (V TH - T 5) level of the driving transistor in response to the n th scan signal (SCAN [n]), A fourth transistor T4; And
A sixth transistor (T6) for causing a current by the driving transistor (T5) to flow in the organic light emitting diode in response to an EM signal (EM)
And an organic light emitting display pixel circuit.
청구항 1에 있어서,
상기 기준 스캔신호, 제n-1 스캔신호 및 제n 스캔신호는, 각각의 전압레벨이
제1 구간에서 'HIGH', 'HIGH' 및 'LOW' 이고,
제2 구간에서 'LOW', 'LOW' 및 'HIGH' 이며,
제3 구간에서 'HIGH', 'LOW', 'LOW'로 천이되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method according to claim 1,
The reference scan signal, the (n-1) th scan signal, and the (n)
HIGH ',' HIGH 'and' LOW 'in the first section,
LOW ',' LOW 'and' HIGH 'in the second section,
And changes to 'HIGH', 'LOW', and 'LOW' in the third period.
청구항 2에 있어서,
상기 기준 스캔신호는 상기 제1 트랜지스터를 턴온하고, 상기 제n-1 스캔신호는 상기 제3 트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제n 스캔신호는 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터를 턴-오프하고, 상기 EM신호는 상기 제6 트랜지스터를 턴-오프하는 것
을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method of claim 2,
Wherein the reference scan signal turns on the first transistor, the n-1 scan signal turns on the third transistor, and the nth scan signal turns off the second transistor and the fourth transistor, And the EM signal turns off the sixth transistor
Wherein the organic light emitting display pixel circuit comprises:
삭제delete 청구항 2에 있어서,
상기 제3 트랜지스터를 통해 상기 기준 스캔신호가 상기 구동트랜지스터의 게이트 전압으로 충전되는 것
을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method of claim 2,
And the reference scan signal is charged to the gate voltage of the driving transistor through the third transistor
Wherein the organic light emitting display pixel circuit comprises:
삭제delete 청구항 2에 있어서,
상기 제n 스캔신호는 상기 제2 및 제4 트랜지스터를 턴-온하는 것
을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method of claim 2,
And the n-th scan signal is a signal that turns on the second and fourth transistors
Wherein the organic light emitting display pixel circuit comprises:
청구항 2에 있어서,
상기 제4 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 통해 상기 B노드(B)에 상기 기준 스캔신호에서 상기 문턱전압으로 충전되는 것
을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method of claim 2,
(B) through the fourth transistor and the driving transistor to the threshold voltage in the reference scan signal
Wherein the organic light emitting display pixel circuit comprises:
청구항 2에 있어서,
상기 A노드(A)에 충전되는 상기 데이터 전압은, 상기 캐패시터에 의해 유지되는 것
을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method of claim 2,
The data voltage charged in the A node (A) is maintained by the capacitor
Wherein the organic light emitting display pixel circuit comprises:
삭제delete 청구항 9에 있어서,
상기 데이터 전압이 'HIGH'가 되어 상기 제1 트랜지스터를 통해 상기 A노드(A)에 충전되는 것
을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method of claim 9,
The data voltage becomes 'HIGH' and the A node A is charged through the first transistor
Wherein the organic light emitting display pixel circuit comprises:
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 기준 스캔신호는, 전원전압으로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method according to claim 1,
Wherein the reference scan signal is used as a power supply voltage.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 내지 제4 트랜지스터, 구동트랜지스터 및 제6 트랜지스터는, N-타입 TFT인 것을 특징으로 하는 유기발광 디스플레이 화소회로.
The method according to claim 1,
Wherein the first to fourth transistors, the driving transistor, and the sixth transistor are N-type TFTs.
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