KR101549343B1 - Organic Light Emitting Display For Sensing Electrical Characteristics Of Driving Element - Google Patents

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KR101549343B1
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Abstract

According to the present invention, an organic light emitting display device comprises: a display panel having an OLED and a driving TFT which controls the amount of light emitted by the OLED, wherein a plurality of pixels connected to sensing lines are formed; a sensing block having a plurality of current integrator units sensing current information of the pixels via a plurality of sensing channels connected to the sensing lines; and a calibration block connected to each current information input terminal of the current integrator units in a predetermined calibration mode. The calibration block comprises: a reference current source generating a reference current for calibration to correct a characteristic variation of the current integrator units; and a plurality of switches for calibration connected between the reference current source and the current integrator units.

Description

구동소자의 전기적 특성을 센싱할 수 있는 유기발광 표시장치{Organic Light Emitting Display For Sensing Electrical Characteristics Of Driving Element}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 구동소자의 전기적 특성을 센싱할 수 있는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly to an organic light emitting display capable of sensing electrical characteristics of a driving element.

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. The active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (OLED) which emits light by itself, has a high response speed, and has a high luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

자발광 소자인 OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The organic light emitting diode (OLED) includes an anode electrode, a cathode electrode, and organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed therebetween. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons, Thereby generating visible light.

유기발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 비디오 데이터의 계조에 따라 픽셀들의 휘도를 조절한다. 픽셀들 각각은 자신의 게이트전극과 소스전극 사이에 걸리는 전압(Vgs)에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 소자 즉, 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한다. 문턱 전압, 이동도 등과 같은 구동 TFT의 전기적 특성은 구동 시간 경과에 따라 열화 되어 픽셀들마다 편차가 생길 수 있다. 구동 TFT의 전기적 특성이 픽셀들마다 달라지면 동일 비디오 데이터에 대해 픽셀들 간 휘도가 달라지므로 원하는 화상 구현이 어렵다.The OLED display arranges pixels each including an OLED in a matrix form and adjusts the brightness of the pixels according to the gradation of the video data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) that controls a driving current flowing in the OLED according to a voltage (Vgs) applied between the gate electrode and the source electrode of the pixel. The electrical characteristics of the driving TFT, such as threshold voltage, mobility, etc., deteriorate as the driving time elapses, and a deviation may occur for each pixel. If the electrical characteristics of the driving TFT are different for each pixel, the luminance between the pixels for the same video data is different, so that the desired image is difficult to implement.

구동 TFT의 전기적 특성 편차를 보상하기 위해 내부 보상 방식과 외부 보상 방식이 알려져 있다. 내부 보상 방식은 구동 TFT들 간의 문턱 전압 편차를 화소 회로 내부에서 자동으로 보상한다. 내부 보상을 위해서는 OLED에 흐르는 구동전류가 구동 TFT의 문턱 전압에 상관없이 결정되도록 해야 하기 때문에, 화소 회로의 구성이 매우 복잡하다. 더욱이, 내부 보상 방식은 구동 TFT들 간의 이동도 편차를 보상하기에는 부적합하다. An internal compensation method and an external compensation method are known in order to compensate an electric characteristic deviation of a driving TFT. The internal compensation scheme automatically compensates the threshold voltage deviation between the driving TFTs within the pixel circuit. In order to perform the internal compensation, the driving current flowing through the OLED must be determined regardless of the threshold voltage of the driving TFT, so that the configuration of the pixel circuit is very complicated. Moreover, the internal compensation scheme is unsuitable for compensating the mobility deviation between the driving TFTs.

외부 보상 방식은 구동 TFT들의 전기적 특성(문턱전압, 이동도)에 대응되는 센싱 전압들을 측정하고, 이 센싱 전압들을 기반으로 외부 회로에서 비디오 데이터를 변조함으로써 전기적 특성 편차를 보상한다. 최근에는 이러한 외부 보상 방식에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.The external compensation method measures sensing voltages corresponding to the electrical characteristics (threshold voltage, mobility) of the driving TFTs and compensates the electrical characteristic deviation by modulating video data in an external circuit based on the sensing voltages. In recent years, research on such external compensation schemes has been actively conducted.

종래의 외부 보상 방식에서, 데이터 구동회로는 센싱 라인을 통해 각 픽셀로부터 센싱 전압을 직접 입력받고, 이 센싱 전압을 디지털 센싱값으로 변환한 후 타이밍 콘트롤러에 전송한다. 타이밍 콘트롤러는 디지털 센싱값을 기초로 디지털 비디오 데이터를 변조하여 구동 TFT의 전기적 특성 편차를 보상한다.In the conventional external compensation method, the data driving circuit directly receives a sensing voltage from each pixel through a sensing line, converts the sensing voltage into a digital sensing value, and transmits the digital sensing value to the timing controller. The timing controller modulates the digital video data based on the digital sensing value to compensate for the electrical characteristic deviation of the driving TFT.

구동 TFT는 전류 소자이므로 그의 전기적 특성은, 일정 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 드레인-소스 사이에 흐르는 전류(Ids)의 크기로 대변된다. 그런데, 종래 외부 보상 방식의 데이터 구동회로는, 구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하기 위해 구동 TFT에 흐르는 전류(Ids)를 직접 센싱하는 것이 아니라, 그 전류(Ids)에 대응되는 전압값을 센싱한다. Since the driving TFT is a current device, its electrical characteristics are represented by the magnitude of the current Ids flowing between the drain and the source in accordance with the constant gate-source voltage Vgs. However, the data driving circuit of the conventional external compensation method senses the voltage value corresponding to the current Ids, rather than directly sensing the current Ids flowing in the driving TFT to sense the electric characteristics of the driving TFT.

예컨대, 본원 출원인에 기출원된 출원번호 제10-2013-0134256호, 제10-2013-0149395호 등을 통해 제안된 외부 보상 방식에서는 구동 TFT를 소스 팔로워(Source Follower) 방식으로 동작시킨 후 센싱 라인의 라인 커패시터(기생 커패시터)에 저장되는 전압(구동 TFT의 소스 전압)을 데이터 구동회로에서 센싱한다. 이 외부 보상 방식은 구동 TFT의 문턱전압 편차를 보상하기 위해, 소스 팔로워(Source Follower) 방식으로 동작되는 구동 TFT(DT)의 소스 전극 전위가 세츄레이션(saturation state)될 때(즉, 구동 TFT(DT)의 전류(Ids)가 제로가 될 때)의 소스 전압을 센싱한다. 그리고, 이 외부 보상 방식은 구동 TFT의 이동도 편차를 보상하기 위해, 소스 팔로워(Source Follower) 방식으로 동작되는 구동 TFT(DT)의 소스 전극 전위가 세츄레이션 상태에 도달되기 전의 선형 상태의 값을 센싱한다. For example, in the external compensation scheme proposed by the applicant of the present application, such as the application No. 10-2013-0134256, No. 10-2013-0149395, etc., the driving TFT is operated in a source follower manner, (The source voltage of the driving TFT) stored in the line capacitor (parasitic capacitor) of the data driver circuit. When the source electrode potential of the driving TFT DT operated in the source follower mode is set to saturation state (that is, the driving TFT DT) becomes zero) is sensed. In this external compensation method, in order to compensate for the mobility deviation of the driving TFT, a linear state value before the source electrode potential of the driving TFT DT operated in the source follower method reaches the saturation state is set to Sensing.

이러한 종래 외부 보상 방식은 다음과 같은 문제가 있다.Such conventional external compensation methods have the following problems.

첫째, 종래 외부 보상 방식은 구동 TFT에 흐르는 전류를 센싱 라인의 기생 커패시터를 이용하여 소스 전압으로 변경 및 저장한 후, 이 소스 전압을 센싱한다. 이때, 센싱 라인의 기생 커패시턴스는 비교적 크며, 더욱이 표시패널의 표시 부하에 따라 기생 커패시턴스의 크기가 변동될 수 있다. 기생 커패시턴스는 일정한 레벨로 유지되지 않고 다양한 환경적 요인에 의해 변하기 때문에 캘리브레이션 처리를 할 수도 없다. 이렇게 전류가 축적되는 기생 커패시턴스의 크기가 센싱 라인들 간에 달라지면, 정확한 센싱값 획득이 어렵다.First, in the conventional external compensation method, a current flowing in a driving TFT is changed to a source voltage by using a parasitic capacitor of a sensing line, and then the source voltage is sensed. At this time, the parasitic capacitance of the sensing line is relatively large, and the magnitude of the parasitic capacitance may fluctuate depending on the display load of the display panel. The parasitic capacitance can not be calibrated because it is not maintained at a constant level and varies with various environmental factors. If the magnitude of the parasitic capacitance accumulated in the current is different between the sensing lines, it is difficult to obtain an accurate sensing value.

둘째, 종래 외부 보상 방식은 전압 센싱 방식을 취하기 때문에, 구동 TFT의 소스전압이 세츄레이션 되기까지 많은 시간이 소요되는 등, 센싱값 획득에 소요되는 시간이 매우 길다. 특히, 센싱 라인의 기생 커패시턴스가 크면, 센싱 가능한 전압 수준으로 전류를 인입하는 데 많은 시간이 소요되며, 이러한 문제는 도 1과 같이 고계조 센싱보다 저계조 센싱에서 더욱 심해진다.
Secondly, since the conventional external compensation method takes a voltage sensing method, it takes a long time until the source voltage of the driving TFT is sucked, and the time required for obtaining the sensing value is very long. In particular, if the parasitic capacitance of the sensing line is large, it takes a long time to draw the current to a voltage level that can be sensed. Such a problem becomes more serious in low tone sensing than in high tone sensing as in Fig.

따라서, 본 발명의 목적은 구동소자의 전기적 특성을 센싱함에 있어 센싱 시간을 줄이고 센싱 및 보상의 신뢰성을 제고할 수 있도록 한 유기발광 표시장치를 제공하는 데 있다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display capable of reducing sensing time and reliability of sensing and compensation in sensing electrical characteristics of a driving device.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 OLED, 상기 OLED의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 포함하며, 센싱 라인들에 연결된 다수의 픽셀들이 형성된 표시패널; 상기 센싱 라인들에 접속된 다수의 센싱 채널들을 통해 상기 픽셀들의 전류 정보를 센싱하는 다수의 전류 적분기 유닛들을 포함한 센싱 블록; 및 미리 설정된 캘리브레이션 모드에서 상기 전류 적분기 유닛들의 각 전류 정보 입력단에 접속되는 캘리브레이션 블록을 구비하고; 상기 캘리브레이션 블록은, 상기 전류 적분기 유닛들의 특성 편차를 보정하기 위한 캘리브레이션용 기준 전류를 생성하는 기준 전류원과, 상기 기준 전류원과 상기 전류 적분기 유닛들 사이마다 접속된 다수의 캘리브레이션용 스위치들을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel including an OLED, a driving TFT for controlling an amount of light emitted from the OLED, and a plurality of pixels connected to sensing lines; A sensing block including a plurality of current integrator units sensing current information of the pixels through a plurality of sensing channels connected to the sensing lines; And a calibration block connected to each current information input of the current integrator units in a preset calibration mode; The calibration block includes a reference current source for generating a calibration reference current for correcting a characteristic deviation of the current integrator units and a plurality of calibration switches connected between the reference current source and the current integrator units.

상기 캘리브레이션용 스위치들은 순차적으로 턴 온 되어, 상기 전류 적분기 유닛들에 상기 캘리브레이션용 기준 전류를 순차적으로 공급한다.The calibration switches are sequentially turned on to sequentially supply the calibration reference current to the current integrator units.

상기 전류 적분기 유닛들 각각은, 센싱 채널을 통해 상기 센싱 라인들 중 어느 하나에 연결되는 반전 입력단자, 초기화 용 기준전압을 입력받는 비 반전 입력단자, 적분값을 출력하는 출력 단자를 포함한 앰프와, 상기 앰프의 반전 입력단자와 출력 단자 사이에 접속된 적분 커패시터와, 상기 적분 커패시터의 양단에 접속된 제1 스위치를 구비하고; 상기 적분 커패시터는, 상기 앰프의 상기 반전 입력단자에 병렬 접속된 다수의 커패시터들을 포함하되, 상기 커패시터들 각각의 타단은 서로 다른 커패시턴스 조정용 스위치들을 통해 상기 앰프의 출력단에 접속되고, 상기 커패시턴스 조정용 스위치들은, 상기 적분값에 기초한 스위칭 제어신호에 따라 온/오프 된다.Each of the current integrator units includes an amplifier including an inverting input terminal connected to one of the sensing lines through a sensing channel, a non-inverting input terminal receiving a reference voltage for initialization, and an output terminal outputting an integral value, An integrating capacitor connected between the inverting input terminal and the output terminal of the amplifier, and a first switch connected to both ends of the integrating capacitor; Wherein the capacitor includes a plurality of capacitors connected in parallel to the inverting input terminal of the amplifier, the other terminal of each of the capacitors being connected to an output terminal of the amplifier through different capacitance adjustment switches, , And is turned on / off according to the switching control signal based on the integral value.

상기 전류 적분기 유닛들 각각은, 센싱 모드 신호에 따라 상기 픽셀들의 전류 정보를 센싱하기 위한 전류 센싱 모드와, 상기 픽셀들의 전압 정보를 센싱하기 위한 전압 센싱 모드 중 어느 하나로 동작하고; 상기 전압 센싱 모드에서, 상기 앰프와 상기 적분 커패시터는 동작이 중지되고, 상기 제1 스위치는 턴 온 된다.
Each of the current integrator units operating in one of a current sensing mode for sensing current information of the pixels according to a sensing mode signal and a voltage sensing mode for sensing voltage information of the pixels; In the voltage sensing mode, the amplifier and the integral capacitor are deactivated and the first switch is turned on.

본 발명은 구동소자의 전기적 특성 편차를 센싱함에 있어 전류 적분기를 이용한 전류 센싱 방식을 통해 저전류 및 고속 센싱을 구현하여 센싱 시간을 크게 줄일 수 있다. 더욱이 본 발명은, 캘리브레이션 블록을 구비하여 전류 적분기 유닛들 간의 옵셋 편차, 나아가 ADC들 간 옵셋 편차를 보상함으로써 센싱 및 보상의 신뢰성을 크게 높일 수 있다.
The present invention realizes a low current and a high-speed sensing through a current sensing method using an electric current integrator in sensing electric characteristic deviations of a driving element, thereby greatly reducing sensing time. Furthermore, the present invention can greatly enhance the reliability of sensing and compensation by providing a calibration block to compensate for the offset deviation between the current integrator units, and furthermore, the offset deviation between the ADCs.

도 1은 종래 전압 센싱 방식에서 센싱값 획득에 소요되는 시간이 저계조에서 매우 길어지는 것을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 전류 센싱을 구현하기 위한 주요 구성들을 보여주는 블록도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 도면.
도 4는 도 3의 표시패널에 형성된 픽셀 어레이와, 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 데이터 드라이버 IC의 구성을 보여주는 도면.
도 5는 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 데이터 드라이버 IC에서 센싱 블록에 연결되는 캘리브레이션 블록을 추가적으로 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 전류 센싱 방식이 적용되는 일 픽셀 구성과, 그 픽셀에 순차적으로 연결된 캘리브레이션 유닛, 전류 적분기 유닛, 샘플&홀드 유닛의 세부 구성을 보여주는 도면.
도 7은 전류 센싱을 위해 도 6에 인가되는 구동 신호들의 파형과, 전류 센싱 결과에 따른 적분값을 보여주는 도면.
도 8은 센싱 블록을 구성하는 전류 적분기 유닛들을 순차적으로 캘리브레이션 하기 위한 스위칭 타이밍을 보여주는 도면.
도 9는 일 전류 적분기를 대상으로 한 캘리브레이션 동작을 설명하기 위한 도면.
도 10은 ADC의 오버 레인지(over range) 현상을 방지할 수 있는 일 방안을 보여주는 도면.
도 11은 본 발명의 전류 센싱 방식 구현을 위한 센싱 블록을 이용하여 전압 센싱까지 구현하는 것을 보여주는 도면.
1 is a view showing that a time required for obtaining a sensing value in the conventional voltage sensing method becomes very long at a low gray level.
FIG. 2 is a block diagram showing major components for implementing the current sensing of the present invention; FIG.
3 is a view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing the configuration of a pixel array formed in the display panel of FIG. 3 and a data driver IC for implementing a current sensing method; FIG.
5 is a diagram further illustrating a calibration block coupled to a sensing block in a data driver IC for implementing a current sensing scheme.
6 is a view showing a detailed configuration of a pixel configuration to which the current sensing method of the present invention is applied and a calibration unit, a current integrator unit, and a sample and hold unit sequentially connected to the pixel.
FIG. 7 shows waveforms of drive signals applied to FIG. 6 for current sensing and integration values according to a current sensing result; FIG.
8 is a diagram showing switching timings for sequentially calibrating current integrator units constituting a sensing block;
9 is a diagram for explaining a calibration operation for a current integrator.
FIG. 10 is a diagram illustrating a method for preventing an over-range phenomenon of an ADC. FIG.
FIG. 11 is a diagram illustrating implementation of voltage sensing using a sensing block for implementing the current sensing method of the present invention. FIG.

이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 10. FIG.

도 2는 본 발명의 전류 센싱을 구현하기 위한 주요 구성들을 보여주는 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram illustrating the main components for implementing the current sensing of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명은 전류 센싱에 필요한 센싱 블록, 샘플 & 홀드 블록, 및 ADC 블록을 데이터 드라이버 IC(SDIC)에 포함시키고, 표시패널의 픽셀들로부터 전류 정보를 센싱한다. 센싱 블록은 다수의 전류 적분기 유닛들을 포함하여 표시패널로부터 입력되는 전류 정보를 적분한다. 센싱 블록에서 출력되는 적분값(전압값으로 나타남)은 샘플 & 홀드 블록을 거쳐 ADC 블록에 전달된다. ADC 블록은 아날로그 적분값을 디지털 센싱값으로 변환한 후 타이밍 콘트롤러에 전송한다. 타이밍 콘트롤러는 디지털 센싱값을 기초로 문턱전압 편차와 이동도 편차를 보상하기 위한 보상 데이터를 도출하고, 이 보상 데이터를 이용하여 화상 구현을 위한 이미지 데이터를 변조한 후 데이터 드라이버 IC(SDIC)에 전송한다. 변조된 이미지 데이터는 데이터 드라이버 IC(SDIC)에서 화상 구현용 데이터전압으로 변환된 후 표시패널에 인가된다.Referring to FIG. 2, the present invention includes a sensing block, a sample & hold block, and an ADC block necessary for current sensing in a data driver IC (SDIC), and senses current information from pixels of a display panel. The sensing block includes a plurality of current integrator units to integrate the current information input from the display panel. The integral value (expressed as a voltage value) output from the sensing block is passed to the ADC block via the sample and hold block. The ADC block converts the analog integral to a digital sensing value and sends it to the timing controller. The timing controller derives the compensation data for compensating for the deviation of the threshold voltage and the mobility deviation based on the digital sensing value, modulates the image data for image implementation using the compensation data, and transmits the data to the data driver IC (SDIC) do. The modulated image data is converted from the data driver IC (SDIC) to a data voltage for image implementation and then applied to the display panel.

한편, 본 발명은 센싱 블록을 구성하는 전류 적분기 유닛들 간의 특성 편차를 보정하기 위해, 데이터 드라이버 IC(SDIC) 내에 캘리브레이션 블록을 내장하고, 캘리브레이션 블록을 통해 전류 적분기 유닛들의 전류 정보 입력단에 캘리브레이션용 기준 전류를 순차적으로 공급할 수 있다.In order to correct the characteristic deviation between the current integrator units constituting the sensing block, a calibration block is built in the data driver IC (SDIC), and a calibration reference Current can be sequentially supplied.

본 발명은 이러한 전류 적분기를 이용한 전류 센싱 방식을 통해 저전류 및 고속 센싱을 구현하여 센싱 시간을 크게 줄일 수 있다. 더욱이 본 발명은, 캘리브레이션 블록을 통해 전류 적분기들 간의 특성 편차 또는 ADC 들 간 특성 편차 등을 보정할 수 있어 보상의 정확도를 크게 높일 수 있다. 이하에서는 이러한 본 발명의 기술적 사상을 실시예를 통해 구체적으로 설명한다.The present invention realizes low current and high-speed sensing through the current sensing method using the current integrator, and the sensing time can be greatly reduced. Further, according to the present invention, the characteristic deviation between the current integrators or the characteristic deviation between the ADCs can be corrected through the calibration block, and the accuracy of the compensation can be greatly increased. Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described in detail by way of examples.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여준다. 도 4는 도 3의 표시패널에 형성된 픽셀 어레이와, 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 데이터 드라이버 IC의 구성을 보여준다. 그리고, 도 5는 전류 센싱 방식을 구현하기 위한 데이터 드라이버 IC에서 센싱 블록에 연결되는 캘리브레이션 블록을 추가적으로 보여준다.FIG. 3 illustrates an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 shows a pixel array formed on the display panel of FIG. 3 and a data driver IC for implementing a current sensing method. 5 shows a calibration block connected to the sensing block in the data driver IC for realizing the current sensing method.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 및 메모리(16)를 구비한다. 3 to 5, an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 10, a timing controller 11, a data driving circuit 12, a gate driving circuit 13, 16).

표시패널(10)에는 다수의 데이터라인 및 센싱라인들(14A,14B)과, 다수의 게이트라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배치된다. A plurality of data lines and sensing lines 14A and 14B and a plurality of gate lines 15 are intersected with each other in the display panel 10 and pixels P are arranged in a matrix form in each of the intersection areas.

각 픽셀(P)은 데이터라인들(14A) 중 어느 하나에, 센싱라인들(14B) 중 어느 하나에, 그리고 게이트라인들(15) 중 어느 하나에 접속된다. 각 픽셀(P)은 게이트라인(15)을 통해 입력되는 게이트펄스에 응답하여, 데이터전압 공급라인(14A)과 전기적으로 연결되어 데이터전압 공급라인(14A)으로부터 데이터전압을 입력받고, 센싱라인(14B)을 통해 센싱신호를 출력한다.Each pixel P is connected to any one of the data lines 14A, to one of the sensing lines 14B, and to one of the gate lines 15. Each pixel P is electrically connected to the data voltage supply line 14A in response to the gate pulse input through the gate line 15 to receive the data voltage from the data voltage supply line 14A and to receive the data voltage from the sensing line 14B.

픽셀(P) 각각은 도시하지 않은 전원생성부로부터 고전위 구동전압(EVDD)과 저전위 구동전압(EVSS)을 공급받는다. 본 발명의 픽셀(P)은 외부 보상을 위해 OLED, 구동 TFT, 제1 및 제2 스위치 TFT, 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 픽셀(P)을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀(P)을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다.Each of the pixels P is supplied with a high potential drive voltage EVDD and a low potential drive voltage EVSS from a power supply not shown. The pixel P of the present invention may include an OLED, a driver TFT, first and second switch TFTs, and a storage capacitor for external compensation. The TFTs constituting the pixel P may be implemented as a p-type or an n-type. In addition, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel P may include amorphous silicon, polysilicon, or an oxide.

픽셀(P) 각각은 화상 구현을 위한 노멀 구동시와, 센싱값 획득을 위한 센싱 구동시에 서로 다르게 동작할 수 있다. 센싱 구동은 노멀 구동에 앞서 소정 시간 동안 수행되거나 또는, 노멀 구동 중의 수직 블랭크 기간들에서 수행될 수 있다.Each of the pixels P may operate differently at the time of normal driving for image implementation and at the sensing operation for sensing value acquisition. The sensing drive may be performed for a predetermined time prior to the normal drive, or may be performed in the vertical blank periods during the normal drive.

노멀 구동은 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(13)의 일 동작으로 이루어질 수 있다. 센싱 구동은 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(13)의 다른 동작으로 이루어질 수 있다. 센싱 결과를 기반으로 편차 보상을 위한 보상 데이터를 도출하는 동작과, 보상 데이터를 이용하여 디지털 비디오 데이터를 변조하는 동작은 타이밍 콘트롤러(11)에서 수행된다.The normal driving can be performed by one operation of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 13 under the control of the timing controller 11. [ The sensing operation may be performed by different operations of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 13 under the control of the timing controller 11. [ The operation of deriving the compensation data for the deviation compensation based on the sensing result and the operation of modulating the digital video data using the compensation data are performed in the timing controller 11. [

데이터 구동회로(12)는 적어도 하나 이상의 데이터 드라이버 IC(Intergrated Circuit)(SDIC)를 포함한다. 데이터 드라이버 IC(SDIC)에는 각 데이터라인(14A)에 연결된 다수의 디지털-아날로그 컨버터(이하, DAC)들과, 센싱 채널들(CH1~CHn)을 통해 센싱라인(14B)들에 연결된 센싱 블록, 및 샘플 & 홀드 블록과, 샘플 & 홀드 블록의 출력단에 연결된 ADC가 포함되어 있다. 데이터 드라이버 IC(SDIC)에는 캘리브레이션 블록이 더 포함된다.The data driving circuit 12 includes at least one data driver IC (Integrated Circuit) (SDIC). The data driver IC SDIC includes a plurality of digital-to-analog converters (DACs) connected to each data line 14A and a sensing block connected to the sensing lines 14B through the sensing channels CH1 to CHn, And a sample and hold block and an ADC connected to the output of the sample and hold block. The data driver IC (SDIC) further includes a calibration block.

데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC는 노멀 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 화상 구현용 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. 한편, 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC는 센싱 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 따라 센싱용 데이터전압을 생성하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. The DAC of the data driver IC (SDIC) converts digital video data (RGB) into image data voltage for data conversion in accordance with the data timing control signal (DDC) applied from the timing controller 11 during normal driving, . On the other hand, the DAC of the data driver IC (SDIC) generates a sensing data voltage in accordance with the data timing control signal (DDC) applied from the timing controller 11 during sensing driving and supplies the sensing data voltage to the data lines 14A.

데이터 드라이버 IC(SDIC)의 센싱 블록은 픽셀(P)의 전류 정보를 적분하는 다수의 전류 적분기 유닛들(CI)을 포함하고, 샘플 & 홀드 블록은 전류 적분기 유닛들(CI)의 출력을 샘플링 및 홀딩하는 다수의 샘플 & 홀드 유닛들(SH)을 포함한다. 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 ADC는 샘플 & 홀드 유닛들(SH)의 출력을 순차적으로 디지털 처리하여 타이밍 콘트롤러(11)에 전송한다. The sensing block of the data driver IC (SDIC) includes a plurality of current integrator units (CI) that integrate the current information of the pixel (P), and the sample and hold block samples and amplifies the output of the current integrator units Hold units (SH) for holding the sample and hold units (SH). The ADC of the data driver IC (SDIC) digitally processes the outputs of the sample and hold units (SH) sequentially and transmits them to the timing controller (11).

데이터 드라이버 IC(SDIC)의 캘리브레이션 블록은 전류 적분기 유닛들(CI)의 특성 편차를 보정하기 위한 캘리브레이션용 기준 전류(Iref)를 생성하는 기준 전류원(IREF)과, 기준 전류원(IREF)과 전류 적분기 유닛들(CI) 사이마다 접속된 다수의 캘리브레이션용 스위치들(S1~Sn)을 포함할 수 있다. The calibration block of the data driver IC (SDIC) includes a reference current source IREF for generating a calibration reference current Iref for correcting a characteristic deviation of the current integrator units CI, And a plurality of calibration switches S1 to Sn connected between the plurality of switches CI.

캘리브레이션 블록에는 다수의 선택부들(MUX)이 더 포함되며, 선택부들(MUX) 각각은 센싱 채널(CH1~CHn)로부터 입력되는 픽셀의 전류 정보와, 캘리브레이션용 스위치(S1~Sn)를 통해 입력되는 캘리브레이션용 기준 전류(Iref) 중 어느 하나를 선택적으로 해당 전류 적분기 유닛(CI)에 입력한다. 선택부들(MUX) 각각은 모드 제어신호(MODE)에 따라 동작될 수 있다. 모드 제어신호(MODE)는 미리 설정된 캘리브레이션 모드에서 제1 논리값을 가질 수 있고, 미리 설정된 센싱 구동 모드에서 제2 논리값을 가질 수 있다. 선택부들(MUX) 각각은 제1 논리값의 모드 제어신호(MODE)에 응답하여 캘리브레이션용 기준 전류(Iref)를 출력하고, 제2 논리값의 모드 제어신호(MODE)에 응답하여 픽셀의 전류 정보를 출력할 수 있다.The calibration block further includes a plurality of selectors MUX. Each of the selectors MUX includes current information of pixels input from the sensing channels CH1 to CHn and current information of the pixels input from the calibration switches S1 to Sn And the reference current Iref for calibration is selectively inputted to the corresponding current integrator unit CI. Each of the selectors MUX may be operated according to the mode control signal MODE. The mode control signal MODE may have a first logic value in a preset calibration mode and a second logic value in a preset sensing drive mode. Each of the selectors MUX outputs the reference current Iref for calibration in response to the mode control signal MODE of the first logic value and generates the current information IX of the pixel in response to the mode control signal MODE of the second logic value, Can be output.

한편, 기준 전류원(IREF)은 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 외부에 위치할 수도 있다. 그리고, 기준 전류원(IREF)은 선택부들(MUX)을 통해 전류 적분기 유닛들(CI) 각각에 독립적으로 접속될 수 있도록 다수개로 구현될 수 있다. 다만, 데이터 드라이버 IC(SDIC)에 내장되는 경우, 기준 전류원(IREF)은 도 5에 도시된 것처럼 1개로 구현되어 선택부들(MUX)을 통해 전류 적분기 유닛들(CI)에 공통으로 접속될 수도 있다. On the other hand, the reference current source IREF may be located outside the data driver IC (SDIC). The reference current source IREF may be implemented in a plurality of units so as to be independently connected to each of the current integrator units CI through the selection units MUX. However, when embedded in the data driver IC (SDIC), the reference current source IREF may be implemented as one as shown in FIG. 5 and connected in common to the current integrator units CI through the selectors MUX .

게이트 구동회로(13)는 노멀 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 화상 표시용 게이트펄스를 생성한 후, 행 순차 방식(L#1,L#2,...)으로 게이트라인들(15)에 순차 공급한다. 게이트 구동회로(13)는 센싱 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 센싱용 게이트펄스를 생성한 후, 행 순차 방식(L#1,L#2,...)으로 게이트라인들(15)에 순차 공급한다. 센싱용 게이트펄스는 화상 표시용 게이트펄스에 비해 온 펄스 구간이 넓을 수 있다. 센싱용 게이트펄스의 온 펄스 구간은 1 라인 센싱 온 타임에 대응되며, 여기서, 1 라인 센싱 온 타임이란 1 행 픽셀라인((L#1,L#2,...)의 픽셀들을 동시에 센싱하는 데 할애되는 스캔 시간을 의미한다.The gate drive circuit 13 generates an image display gate pulse on the basis of the gate control signal GDC during normal driving and then outputs the image display gate pulse to the gate lines (L # 1, L # 2, 15). The gate driving circuit 13 generates sensing gate pulses based on the gate control signal GDC during the sensing operation and then outputs the gate lines 15 (L # 1, L # 2, ...) ). The sensing gate pulse may have a larger on-pulse interval than the gate pulse for image display. The on-pulse section of the sensing gate pulse corresponds to the one-line sensing on-time. Here, the one-line sensing on-time is a period in which pixels of the one-row pixel line (L # 1, L # 2, This means scan time to be devoted to.

타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 생성한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 소정의 참조 신호(구동전원 인에이블신호, 수직 동기신호, 데이터 인에이블 신호등)를 기반으로 노멀 구동과 센싱 구동을 구분하고, 각 구동에 맞게 데이터 제어신호(DDC)와 게이트 제어신호(GDC)를 생성한다. 아울러, 타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동에 필요한 추가 제어신호(도 6의 RST,SAM,HOLD 등)를 생성할 수 있다.The timing controller 11 controls the operation of the data driving circuit 12 based on timing signals such as a vertical synchronizing signal Vsync, a horizontal synchronizing signal Hsync, a dot clock signal DCLK and a data enable signal DE A data control signal DDC for controlling the timing and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the gate drive circuit 13 are generated. The timing controller 11 distinguishes between normal driving and sensing driving based on a predetermined reference signal (driving power enable signal, vertical synchronizing signal, data enable signal, etc.), and generates a data control signal DDC and a gate And generates the control signal GDC. In addition, the timing controller 11 can generate additional control signals (RST, SAM, HOLD, and the like in Fig. 6) necessary for sensing driving.

타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동시 센싱용 데이터전압에 대응되는 디지털 데이터를 데이터 구동회로(12)에 전송할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동시 데이터 구동회로(12)로부터 전송되는 디지털 센싱값(SD)을 미리 저장된 보상 알고리즘에 적용하여, 문턱전압 편차(ㅿVth)와 이동도 편차(ㅿK)를 도출한 후 그 편차들을 보상할 수 있는 보상 데이터를 메모리(16)에 저장한다. The timing controller 11 can transmit the digital data corresponding to the sensing data voltage to the data driving circuit 12 during sensing driving. The timing controller 11 applies the digital sensing value SD transmitted from the data driving circuit 12 at the time of sensing operation to a previously stored compensation algorithm to derive a threshold voltage deviation Vth and a mobility deviation K And stores the compensation data in the memory 16 that can compensate for the deviations.

타이밍 콘트롤러(11)는 노멀 구동시 메모리(16)에 저장된 보상 데이터를 참조로 화상 구현을 위한 디지털 비디오 데이터(RGB)를 변조한 후 데이터 구동회로(12)에 전송한다.The timing controller 11 modulates the digital video data RGB for image implementation with reference to the compensation data stored in the memory 16 during normal driving, and then transmits the digital video data RGB to the data driving circuit 12.

도 6은 본 발명의 전류 센싱 방식이 적용되는 일 픽셀 구성과, 그 픽셀에 순차적으로 연결된 캘리브레이션 유닛, 전류 적분기 유닛, 샘플&홀드 유닛의 세부 구성을 보여준다. 그리고 도 7은 전류 센싱을 위해 도 6에 인가되는 구동 신호들의 파형과, 전류 센싱 결과에 따른 적분값을 보여준다. FIG. 6 shows a pixel configuration to which the current sensing method of the present invention is applied, and a detailed configuration of a calibration unit, a current integrator unit, and a sample and hold unit sequentially connected to the pixel. 7 shows waveforms of the driving signals applied to FIG. 6 for current sensing and integration values according to the current sensing result.

도 6 및 도 7은 전류 센싱 방식의 구동 이해를 돕기 위한 일 예시에 불과하다. 본 발명의 전류 센싱이 적용되는 픽셀 구조 및 그 구동 타이밍은 다양한 변형이 가능하므로, 본 발명의 기술적 사상은 이 실시예에 한정되지 않는다. 6 and 7 are merely examples for helping to understand the driving of the current sensing method. The pixel structure to which the current sensing of the present invention is applied and the driving timing thereof can be variously modified, so that the technical idea of the present invention is not limited to this embodiment.

도 6을 참조하면, 본 발명의 픽셀(PIX)은 OLED, 구동 TFT(Thin Film Transistor)(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다. 6, the pixel PIX of the present invention includes an OLED, a driving TFT (Thin Film Transistor) DT, a storage capacitor Cst, a first switch TFT ST1, and a second switch TFT ST2 .

OLED는 제2 노드(N2)에 접속된 애노드전극과, 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극과, 애노드전극과 캐소드전극 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다. 구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 제1 노드(N1)에 접속된 게이트전극, 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 제2 노드(N2)에 접속된 소스전극을 구비한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트펄스(SCAN)에 응답하여 데이터전압 공급라인(14A) 상의 데이터전압(Vdata)을 제1 노드(N1)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트라인(15)에 접속된 게이트전극, 데이터전압 공급라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 제1 노드(N1)에 접속된 소스전극을 구비한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 게이트펄스(SCAN)에 응답하여 제2 노드(N2)와 센싱 라인(14B) 간의 전류 흐름을 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제2 게이트라인(15D)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 제2 노드(N2)에 접속된 소스전극을 구비한다.The OLED includes an anode electrode connected to the second node N2, a cathode electrode connected to the input terminal of the low potential driving voltage (EVSS), and an organic compound layer positioned between the anode electrode and the cathode electrode. The driving TFT DT controls the amount of current input to the OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving TFT DT has a gate electrode connected to the first node N1, a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage EVDD, and a source electrode connected to the second node N2. The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2. The first switch TFT ST1 applies the data voltage Vdata on the data voltage supply line 14A to the first node N1 in response to the gate pulse SCAN. The first switch TFT (ST1) has a gate electrode connected to the gate line 15, a drain electrode connected to the data voltage supply line 14A, and a source electrode connected to the first node N1. The second switch TFT (ST2) switches the current flow between the second node (N2) and the sensing line (14B) in response to the gate pulse (SCAN). The second switch TFT ST2 has a gate electrode connected to the second gate line 15D, a drain electrode connected to the sensing line 14B, and a source electrode connected to the second node N2.

본 발명의 센싱 블록에 포함된 전류 적분기 유닛(CI)은 센싱 라인(14B)에 연결되어 센싱 라인(14B)으로부터 구동 TFT의 소스-드레인 간 전류(Ids)를 입력받는 반전 입력단자(-), 기준전압(Vpre)을 입력받는 비 반전 입력단자(+), 적분값(Vsen)을 출력하는 출력 단자를 포함한 앰프(AMP)와, 앰프(AMP)의 반전 입력단자(-)와 출력 단자 사이에 접속된 적분 커패시터(Cfb)와, 적분 커패시터(Cfb)의 양단에 접속된 제1 스위치(SW1)를 포함한다. The current integrator unit CI included in the sensing block of the present invention includes an inverting input terminal (-) connected to the sensing line 14B and receiving the source-drain current Ids of the driving TFT from the sensing line 14B, An amplifier AMP including a noninverting input terminal (+) for receiving a reference voltage Vpre and an output terminal for outputting an integral value Vsen and an amplifier AMP between an inverting input terminal (-) and an output terminal of the amplifier AMP A connected integrated capacitor Cfb, and a first switch SW1 connected to both ends of the integrating capacitor Cfb.

그리고, 본 발명의 샘플 & 홀드 블록에 포함된 샘플 & 홀드 유닛(SH)은 샘플링 신호(SAM) 신호에 따라 스위칭되는 제2 스위치(SW2), 홀딩 신호(HOLD) 신호에 따라 스위칭되는 제3 스위치(SW3), 및 제2 스위치(SW2)와 제3 스위치(SW3) 사이에 일단이 접속되고 타단이 기저전압원(GND)에 접속된 홀딩 커패시터(Ch)를 포함한다. The sample-and-hold unit SH included in the sample-and-hold block of the present invention includes a second switch SW2 switched in accordance with a sampling signal SAM signal, a third switch SW2 switched in accordance with a holding signal HOLD signal, And a holding capacitor Ch having one end connected between the second switch SW2 and the third switch SW3 and the other end connected to the ground voltage source GND.

도 7을 참조하면, 센싱 구동은 초기화 기간(Tinit), 센싱 기간(Tsen), 및 샘플링 기간(Tsam)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 7, the sensing operation includes an initialization period (Tinit), a sensing period (Tsen), and a sampling period (Tsam).

초기화 기간(Tinit)에서 제1 스위치(SW1)의 턴 온으로 인해 앰프(AMP)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼로 동작한다. 초기화 기간(Tinit)에서 앰프(AMP)의 입력 단자들(+,-)과 출력 단자, 센싱 라인(14B), 및 제2 노드(N2)는 모두 기준전압(Vpre)으로 초기화된다. Due to the turn-on of the first switch SW1 in the initialization period Tinit, the amplifier AMP operates as a unit gain buffer having a gain of 1. Both the input terminals (+, -) and the output terminal of the amplifier AMP, the sensing line 14B, and the second node N2 are initialized to the reference voltage Vpre in the initialization period Tinit.

초기화 기간(Tinit) 중에 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC를 통해 센싱용 데이터전압(Vdata-SEN)이 제1 노드(N1)에 인가된다. 그에 따라 구동 TFT(DT)에는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)의 전위차{(Vdata-SEN)-Vpre}에 상응하는 소스-드레인 간 전류(Ids)가 흘러 안정화된다. 하지만, 초기화 기간(Tinit) 중에 앰프(AMP)는 계속해서 유닛 게인 버퍼로 동작하므로, 출력 단자의 전위는 기준전압(Vpre)으로 유지된다.During the initialization period Tinit, the sensing data voltage Vdata-SEN is applied to the first node N1 through the DAC of the data driver IC (SDIC). The source-drain current Ids corresponding to the potential difference {(Vdata-SEN) -Vpre} between the first node N1 and the second node N2 flows and stabilizes in the driving TFT DT. However, during the initialization period (Tinit), since the amplifier AMP continues to operate as a unit gain buffer, the potential of the output terminal is maintained at the reference voltage Vpre.

센싱 기간(Tsen)에서 제1 스위치(SW1)의 턴 오프로 인해 앰프(AMP)는 전류 적분기 유닛(CI)으로 동작하여 구동 TFT(DT)에 흐르는 소스-드레인 간 전류(Ids)를 적분한다. 센싱 기간(Tsen)에서 앰프(AMP)의 반전 입력단자(-)에 유입되는 전류(Ids)에 의해 적분 커패시터(Cfb)의 양단 전위차는 센싱 시간이 경과 할수록, 즉 축적되는 전류값(Ids)가 증가할수록 커진다. 그런데, 앰프(AMP)의 특성상 반전 입력단자(-) 및 비 반전 입력단자(+)는 가상 접지(Virtual Ground)를 통해 쇼트되어 서로 간 전위차가 0이므로, 센싱 기간(Tsen)에서 반전 입력단자(-)의 전위는 적분 커패시터(Cfb)의 전위차 증가에 상관없이 기준전압(Vpre)으로 유지된다. 그 대신, 적분 커패시터(Cfb)의 양단 전위차에 대응하여 앰프(AMP)의 출력 단자 전위가 낮아진다. 이러한 원리로 센싱 기간(Tsen)에서 센싱 라인(14B)을 통해 유입되는 전류(Ids)는 적분 커패시터(Cfb)를 통해 전압값인 적분값(Vsen)으로 변한다. 전류 적분기 유닛(CI)의 출력값(Vout)의 하강 기울기는 센싱 라인(14B)을 통해 유입되는 전류량(Ids)이 클수록 증가하므로 적분값(Vsen)의 크기는 상기 전류량(Ids)이 클수록 오히려 작아진다. 센싱 기간(Tsen)에서 적분값(Vsen)은 제2 스위치(SW2)를 경유하여 홀딩 커패시터(Ch)에 저장된다.The amplifier AMP operates as the current integrator unit CI due to the turn-off of the first switch SW1 in the sensing period Tsen and integrates the source-drain current Ids flowing in the driving TFT DT. The potential difference across the integrating capacitor Cfb due to the current Ids flowing into the inverting input terminal (-) of the amplifier AMP in the sensing period Tsen becomes smaller as the sensing time elapses, that is, the accumulated current value Ids The larger it increases. Since the inverting input terminal (-) and the non-inverting input terminal (+) are short-circuited through the virtual ground and the potential difference between them is zero, the inverting input terminal (- -) is maintained at the reference voltage Vpre regardless of the increase in the potential difference of the integrating capacitor Cfb. Instead, the output terminal potential of the amplifier AMP is lowered corresponding to the potential difference between both ends of the integral capacitor Cfb. With this principle, the current Ids flowing through the sensing line 14B in the sensing period Tsen changes into the integral value Vsen, which is the voltage value, through the integrating capacitor Cfb. The descending slope of the output value Vout of the current integrator unit CI increases as the amount of current Ids flowing through the sensing line 14B increases, so that the magnitude of the integral value Vsen becomes smaller as the current amount Ids is larger . In the sensing period Tsen, the integration value Vsen is stored in the holding capacitor Ch via the second switch SW2.

샘플링 기간(Tsam)에서 제3 스위치(SW3)가 턴 온 되면, 홀딩 커패시터(Ch)에 저장된 적분값(Vsen)이 제3 스위치(SW3)를 경유하여 ADC에 입력된다. 적분값(Vsen)은 ADC에서 디지털 센싱값(SD)으로 변환된 후 타이밍 콘트롤러(11)에 전송된다. 디지털 센싱값(SD)은 타이밍 콘트롤러(11)에서 구동 TFT의 문턱전압 편차(ㅿVth)와 이동도 편차(ㅿK)를 도출하는 데 사용된다. 타이밍 콘트롤러(11)에는 적분 커패시터(Cfb)의 커패시턴스, 기준 전압값(Vpre), 센싱 시간값(Tsen)이 미리 디지털 코드로 저장되어 있다. 따라서, 타이밍 콘트롤러(11)는 적분값(Vsen)에 대한 디지털 코드인 디지털 센싱값(SD)으로부터 구동 TFT(DT)에 흐르는 소스-드레인 간 전류(Ids=Cfb*ㅿV/ㅿt, 여기서, ㅿV=Vpre-Vsen, ㅿt=Tsen)를 계산할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 구동 TFT(DT)에 흐르는 소스-드레인 간 전류(Ids)를 보상 알고리즘에 적용하여 편차값들(문턱전압 편차(ㅿVth)와 이동도 편차(ㅿK))과 편차 보상을 위한 보상 데이터(Vth+ㅿVth,K+ㅿK)를 도출한다. 보상 알고리즘은 룩업 테이블 또는, 계산 로직으로 구현될 수 있다.When the third switch SW3 is turned on in the sampling period Tsam, the integration value Vsen stored in the holding capacitor Ch is input to the ADC via the third switch SW3. The integral value (Vsen) is converted to a digital sensing value (SD) in the ADC and then transmitted to the timing controller (11). The digital sensing value SD is used by the timing controller 11 to derive the threshold voltage deviation (Vth) and the mobility deviation (K) of the driving TFT. In the timing controller 11, the capacitance of the integral capacitor Cfb, the reference voltage value Vpre, and the sensing time value Tsen are stored in advance in a digital code. Therefore, the timing controller 11 compares the source-drain current (Ids = Cfb * Vv / tt) flowing from the digital sensing value SD, which is a digital code for the integral value Vsen to the driving TFT DT, ㅿ V = Vpre-Vsen, ㅿ t = Tsen) can be calculated. The timing controller 11 applies the source-to-drain current Ids flowing in the driving TFT DT to the compensation algorithm to calculate deviation values (threshold voltage deviation (Vth) and mobility deviation (K)) and deviation compensation (Vth + [Delta] Vth, K + [Delta] K). The compensation algorithm may be implemented as a look-up table or computational logic.

이러한 본 발명의 전류 적분기 유닛(CI)에 포함되는 적분 커패시터(Cfb)의 커패시턴스는 센싱 라인에 존재하는 기생 커패시턴스에 비해 수백 분의 1만큼 작아, 본 발명의 전류 센싱 방식은 센싱 가능한 적분값(Vsen) 수준까지 전류(Ids)를 인입하는 데 소요되는 시간이 종래의 전압 센싱 방식에 비해 획기적으로 짧아진다. 더욱이, 기존의 전압 센싱 방식에서는 문턱전압 센싱시 구동 TFT의 소스전압이 세츄레이션 된 이후에 그 전압을 센싱 전압으로 샘플링하였기 때문에 센싱 시간이 매우 길어졌지만, 본 발명의 전류 센싱 방식에서는 문턱전압 및 이동도 센싱시 전류 센싱을 통해 짧은 시간 내에 구동 TFT의 소스-드레인 전류를 적분하고, 그 적분값을 샘플링할 수 있어 센싱 시간을 크게 단축할 수 있다. The capacitance of the integral capacitor Cfb included in the current integrator unit CI of the present invention is smaller than the parasitic capacitance existing in the sensing line by a factor of a hundred so that the current sensing method of the present invention can detect the integrated value Vsen ) Is significantly shortened in comparison with the conventional voltage sensing method. Further, in the conventional voltage sensing method, since the source voltage of the driving TFT is sampled at the sensing voltage after the source voltage of the driving TFT is sampled at the threshold voltage sensing, the sensing time becomes very long. In the current sensing method of the present invention, The source-drain current of the driving TFT can be integrated within a short time through the current sensing during the sensing, and the integrated value can be sampled, so that the sensing time can be greatly shortened.

또한, 본 발명의 전류 적분기 유닛(CI)에 포함되는 적분 커패시터(Cfb)는 센싱 라인의 기생 커패시터와 달리, 표시 부하에 따라 저장값이 변동되지 않고, 캘리브레이션이 용이하여 정확한 센싱값 획득이 가능하다.Unlike the parasitic capacitor of the sensing line, the integrated capacitor (Cfb) included in the current integrator unit (CI) of the present invention does not change the stored value according to the display load and is easy to calibrate, .

이와 같이, 본 발명의 전류 센싱 방식은 종래 전압 센싱 방식에 비해, 저전류 센싱이 가능하고 또한 고속 센싱이 가능한 잇점이 있다. 저전류 및 고속 센싱 가능하기 때문에, 본 발명의 전류 센싱 방식은 센싱 성능을 제고하기 위해 1 라인 센싱 온 타임 내에서, 픽셀들 각각에 대해 다수회 센싱하는 것도 가능하다.As described above, the current sensing method of the present invention is advantageous in that low current sensing is possible and high-speed sensing is possible as compared with the conventional voltage sensing method. The current sensing method of the present invention is also capable of sensing a plurality of times for each of the pixels within one line sensing on time in order to enhance the sensing performance.

도 8은 센싱 블록을 구성하는 전류 적분기 유닛들을 순차적으로 캘리브레이션 하기 위한 스위칭 타이밍을 보여준다. 그리고, 도 9는 일 전류 적분기를 대상으로 한 캘리브레이션 동작을 보여준다.8 shows switching timings for sequentially calibrating the current integrator units constituting the sensing block. 9 shows a calibration operation for one current integrator.

본 발명의 캘리브레이션 블록은 전류 적분기 유닛들(CI)의 특성 편차를 보정하기 위한 캘리브레이션용 기준 전류(Iref)를 생성하는 기준 전류원(IREF)과, 기준 전류원(IREF)과 전류 적분기 유닛들(CI) 사이마다 접속된 다수의 캘리브레이션용 스위치들(S1~Sn)을 포함한다. The calibration block of the present invention includes a reference current source IREF for generating a calibration reference current Iref for correcting a characteristic deviation of the current integrator units CI, a reference current source IREF and current integrator units CI, And a plurality of switches (S1 to Sn) for calibration connected to each other.

전류 인가형 캘리브레이션 모드에서는, 캘리브레이션용 기준 전류(Iref)가 각 센싱 블록에 일정 레벨로 충분히 입력되어야 한다. 이를 위해, 캘리브레이션용 스위치들(S1~Sn)은 동시에 턴 온 될 수 없고 순차적으로 턴 온 되면서 캘리브레이션용 기준 전류(Iref)가 각 센싱 블록에 충분히 인입되도록 해야 한다. 이러한 캘리브레이션용 기준 전류(Iref)는 센싱 블록의 전류 적분기 유닛들에 순차적으로 공급되며, 전류 적분기 유닛들에서 순차적으로 적분된 후 샘플 & 홀드 블록을 거쳐 ADC에 입력된다. ADC는 다수의 캘리브레이션용 적분값들을 디지털 처리하여 캘리브레이션용 디지털 센싱값들을 생성한 후, 타이밍 콘트롤러(11)에 전송한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 캘리브레이션용 디지털 센싱값들에 기초하여 전류 적분기 유닛들 간의 옵셋 편차, 나아가 서로 다른 데이터 드라이버 IC(SDIC)에 속하는 ADC들 간 옵셋 편차를 산출하고, 이 산출된 편차값들을 보상할 수 있는 추가 보상 데이터를 도출한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 픽셀들의 전류 정보에 기초한 보상 데이터를 이용하여 이미지 데이터를 변조할 때, 상기 도출된 추가 보상 데이터를 반영하여 보상의 신뢰성을 제고할 수 있다.In the current-assisted calibration mode, the reference current Iref for calibration must be sufficiently inputted to each sensing block at a constant level. To this end, the calibration switches S1 to Sn can not be turned on at the same time and are sequentially turned on so that the calibration reference current Iref is sufficiently drawn into each sensing block. The reference current Iref for calibration is sequentially supplied to the current integrator units of the sensing block, sequentially integrated in the current integrator units, and then input to the ADC via the sample and hold block. The ADC digitally processes a plurality of integration values for calibration to generate digital sensing values for calibration, and then transmits the digital sensing values to the timing controller 11. The timing controller 11 calculates an offset deviation between the current integrator units based on the digital sensing values for calibration and further an offset deviation between the ADCs belonging to different data driver ICs (SDIC), and compensates the calculated deviation values And derives additional compensation data that can be used. When the timing controller 11 modulates the image data using the compensation data based on the current information of the pixels, it can reflect the derived additional compensation data to enhance the reliability of the compensation.

도 10은 ADC의 오버 레인지(over range) 현상을 방지할 수 있는 일 방안을 보여준다.FIG. 10 shows a method for preventing an over-range phenomenon of the ADC.

ADC는 아날로그 신호를 디지털 신호 형태의 데이터로 변환하는 특수한 부호기이다. ADC는 그 입력 전압 범위 즉, 센싱 레인지가 정해져 있다. ADC의 전압 범위는 AD 변환의 분해능에 따라 달라질 수 있으나, 통상 Evref(ADC 기준전압) ~ Evref+3V로 설정될 수 있다. 여기서, AD 변환의 분해능이란 아날로그 입력 전압을 디지털 값으로 변환할 수 있는 비트값을 지시한다. ADC에 입력되는 아날로그 신호가 ADC의 입력 범위를 벗어나는 경우, ADC의 출력값은 입력 전압 범위의 하한값으로 언더 플로우(underflow)되거나 또는, 입력 전압 범위의 상한값으로 오버 플로우(overflow) 될 수 있다. The ADC is a special encoder that converts analog signals into digital signal form data. The ADC has its input voltage range, or sensing range. The voltage range of the ADC can be set to Evref (ADC reference voltage) to Evref + 3V, though it may vary depending on the resolution of the AD conversion. Here, the resolution of the AD conversion indicates a bit value capable of converting the analog input voltage into a digital value. When the analog signal input to the ADC is out of the input range of the ADC, the output of the ADC may underflow to the lower limit of the input voltage range or overflow to the upper limit of the input voltage range.

이렇게 ADC의 오버 레인지(over range) 현상이 생기면 센싱의 정확도가 떨어진다. ADC의 오버 레인지 현상을 방지하기 위한 일 방안으로 본 발명은, 적분값(즉, 디지털 센싱값)에 따라 전류 적분기 유닛(CI)의 적분 커패시턴스 값을 조정하는 방법을 제안한다.This over-range of the ADC reduces the accuracy of the sensing. In order to prevent the overrange phenomenon of the ADC, the present invention proposes a method of adjusting the integrated capacitance value of the current integrator unit (CI) according to an integral value (i.e., a digital sensing value).

이를 위해, 본 발명은 도 10과 같이 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 전류 적분기 유닛(CI)에 포함된 적분 커패시터(Cfb)의 커패시턴스를 조정하기 위한 커패시턴스 제어부(22)를 더 포함할 수 있다. 적분 커패시터(Cfb)는 앰프(AMP)의 반전 입력단(-)에 병렬 접속된 다수의 커패시터들(Cfb1,Cfb2,Cfb3)을 포함하되, 커패시터들(Cfb1,Cfb2,Cfb3) 각각의 타단은 서로 다른 커패시턴스 조정용 스위치들(S1,S2,S3)을 통해 앰프(AMP)의 출력단에 접속될 수 있다. 적분 커패시터(Cfb)의 합성 커패시턴스는 온 되는 커패시턴스 조정용 스위치(S1,S2,S3)의 갯수에 따라 결정된다. To this end, the present invention may further include a capacitance control unit 22 for adjusting the capacitance of the integral capacitor Cfb included in the current integrator unit CI under the control of the timing controller 11 as shown in Fig. The integrating capacitor Cfb includes a plurality of capacitors Cfb1, Cfb2, and Cfb3 connected in parallel to the inverting input terminal (-) of the amplifier AMP, and the other ends of the capacitors Cfb1, Cfb2, And can be connected to the output terminal of the amplifier AMP through the capacitance adjustment switches S1, S2, and S3. The combined capacitance of the integral capacitor Cfb is determined by the number of switches S1, S2, and S3 that are turned on.

타이밍 콘트롤러(11)는 디지털 센싱값들(SD)을 분석하여, ADC의 하한값 및 상한값과 동일한 디지털 센싱값들(SD)의 비율에 따라 커패시턴스 제어부(22)의 동작을 제어하여 적절한 스위칭 제어신호를 생성한다. 커패시턴스 조정용 스위치(S1,S2,S3)는 커패시턴스 제어부(22)로부터 입력되는 스위칭 제어신호에 따라 온/오프 된다. 적분 커패시터(Cfb)의 합성 커패시턴스가 클수록 전류 적분기 유닛(CI)의 출력값(Vout)에 대한 하강 기울기는 작아지며, 반대로 적분 커패시터(Cfb)의 합성 커패시턴스가 작을수록 전류 적분기 유닛(CI)의 출력값(Vout)에 대한 하강 기울기는 커진다.The timing controller 11 analyzes the digital sensing values SD and controls the operation of the capacitance control unit 22 according to the ratio of the digital sensing values SD equal to the lower limit value and the upper limit value of the ADC, . The capacitance adjustment switches (S1, S2, S3) are turned on / off in accordance with the switching control signal input from the capacitance control section (22). The larger the combined capacitance of the integrating capacitor Cfb is, the smaller the falling slope with respect to the output value Vout of the current integrator unit CI becomes, and conversely the smaller the combined capacitance of the integrating capacitor Cfb is, Vout) becomes large.

따라서, 타이밍 콘트롤러(11)는 커패시턴스 제어부(22)를 통해 턴 온 되는 커패시턴스 조정용 스위치(S1,S2,S3)의 갯수를 제어함으로서, ADC의 출력값이 입력 전압 범위의 하한값으로 언더 플로우(underflow)되는 경우에는 적분 커패시터(Cfb)의 합성 커패시턴스를 증가시키고, 반대로 ADC의 출력값이 입력 전압 범위의 상한값으로 오버 플로우(overflow)되는 경우에는 적분 커패시터(Cfb)의 합성 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.Accordingly, the timing controller 11 controls the number of the capacitance adjustment switches S1, S2, and S3 that are turned on through the capacitance control unit 22 so that the output value of the ADC underflows to the lower limit value of the input voltage range The combined capacitance of the integral capacitor Cfb may be increased and the combined capacitance of the integral capacitor Cfb may be decreased if the output value of the ADC overflows to the upper limit of the input voltage range.

도 11은 본 발명의 전류 센싱 방식 구현을 위한 센싱 블록을 이용하여 전압 센싱까지 구현하는 것을 보여준다.FIG. 11 illustrates voltage sensing using a sensing block for implementing the current sensing method of the present invention.

본 발명의 센싱 블록에 포함된 전류 적분기 유닛들(CI)은 전류 센싱이 가능한 표시패널(10)을 대상으로 하여 제안되었다. 하지만, 본 발명의 전류 적분기 유닛(CI)은 데이터 드라이버 IC(SDIC)와 표시패널(10) 간 호환성이 높아지도록 기존의 전압 센싱용 표시패널에까지 확대 적용 가능하도록 설계함이 바람직하다.The current integrator units (CI) included in the sensing block of the present invention have been proposed for a display panel 10 capable of current sensing. However, it is preferable that the current integrator unit (CI) of the present invention is designed so that it can be extended to a conventional display panel for voltage sensing so that compatibility between the data driver IC (SDIC) and the display panel 10 is enhanced.

이를 위해, 전류 적분기 유닛들(CI) 각각은, 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 센싱 모드 신호(미도시)에 따라 픽셀들(P)의 전류 정보를 센싱하기 위한 전류 센싱 모드와, 픽셀들(P)의 전압 정보를 센싱하기 위한 전압 센싱 모드 중 어느 하나로 동작하도록 설계될 수 있다. 여기서, 전류 정보는 전술한 구동 TFT(DT)의 소스-드레인 간 전류(Ids)이고, 전압 정보는 구동 TFT(DT)의 소스측 전압(Vs)(도 6에서 N2에 걸리는 전압, VN2)일 수 있다.To this end, each of the current integrator units CI includes a current sensing mode for sensing the current information of the pixels P in accordance with a sensing mode signal (not shown) input from the timing controller 11, P of the voltage sensing mode for sensing the voltage information. Here, the current information is the source-to-drain current Ids of the drive TFT DT described above, and the voltage information is the source side voltage Vs (the voltage across N2 in FIG. 6, VN2) of the drive TFT DT .

전류 센싱 모드에서 전류 적분기 유닛(CI)의 동작은 도 6 및 도 7을 통해 설명한 바와 같다. 한편, 전압 센싱 모드에서 전류 적분기 유닛(CI)의 앰프(AMP)와 적분 커패시터(Cfb)는 동작이 중지되고, 전류 적분기 유닛(CI)의 제1 스위치는 턴 온 될 수 있다. 이를 위해, 전압 센싱 모드에서 앰프(AMP)의 구동 전원(Vcc)은 차단될 수 있고, 적분 커패시터(Cfb)와 앰프(AMP)의 출력 단자 간 연결은 해제될 수 있다. The operation of the current integrator unit (CI) in the current sensing mode is as described with reference to FIGS. On the other hand, in the voltage sensing mode, the amplifier AMP and the integral capacitor Cfb of the current integrator unit CI are stopped and the first switch of the current integrator unit CI can be turned on. To this end, in the voltage sensing mode, the driving power supply Vcc of the amplifier AMP can be cut off, and the connection between the integrating capacitor Cfb and the output terminal of the amplifier AMP can be released.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
14 : 데이터라인들 15 : 게이트라인들
16 : 메모리 22 : 커패시턴스 제어부
CI : 전류 적분기 유닛 SH : 샘플 & 홀드 유닛
10: Display panel 11: Timing controller
12: data driving circuit 13: gate driving circuit
14: Data lines 15: Gate lines
16: Memory 22: Capacitance controller
CI: Current integrator unit SH: Sample & hold unit

Claims (5)

OLED, 상기 OLED의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 포함하며, 센싱 라인들에 연결된 다수의 픽셀들이 형성된 표시패널;
상기 센싱 라인들에 접속된 다수의 센싱 채널들을 통해 상기 픽셀들의 전류 정보를 센싱하는 다수의 전류 적분기 유닛들을 포함한 센싱 블록; 및
미리 설정된 캘리브레이션 모드에서 상기 전류 적분기 유닛들에 접속되는 캘리브레이션 블록을 구비하고;
상기 캘리브레이션 블록은,
상기 전류 적분기 유닛들의 특성 편차를 보정하기 위한 캘리브레이션용 기준 전류를 생성하는 기준 전류원과,
상기 기준 전류원과 상기 전류 적분기 유닛들 사이마다 접속된 다수의 캘리브레이션용 스위치들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
An OLED, and a driving TFT for controlling an amount of light emitted from the OLED, the display panel having a plurality of pixels connected to the sensing lines;
A sensing block including a plurality of current integrator units sensing current information of the pixels through a plurality of sensing channels connected to the sensing lines; And
And a calibration block connected to the current integrator units in a preset calibration mode;
Wherein the calibration block comprises:
A reference current source for generating a calibration reference current for correcting a characteristic deviation of the current integrator units,
And a plurality of calibration switches connected between the reference current source and the current integrator units.
제 1 항에 있어서,
상기 캘리브레이션용 스위치들은 순차적으로 턴 온 되어, 상기 전류 적분기 유닛들에 상기 캘리브레이션용 기준 전류를 순차적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the calibration switches are sequentially turned on to sequentially supply the calibration reference current to the current integrator units.
제 1 항에 있어서,
상기 전류 적분기 유닛들 각각은,
센싱 채널을 통해 상기 센싱 라인들 중 어느 하나에 연결됨과 아울러 상기 캘리브레이션 블록에 연결되는 반전 입력단자, 초기화 용 기준전압을 입력받는 비 반전 입력단자, 적분값을 출력하는 출력 단자를 포함한 앰프와,
상기 앰프의 반전 입력단자와 출력 단자 사이에 접속된 적분 커패시터와,
상기 적분 커패시터의 양단에 접속된 제1 스위치를 구비하고;
상기 적분 커패시터는, 상기 앰프의 상기 반전 입력단자에 병렬 접속된 다수의 커패시터들을 포함하되, 상기 커패시터들 각각의 타단은 서로 다른 커패시턴스 조정용 스위치들을 통해 상기 앰프의 출력단에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Each of the current integrator units comprising:
An amplifier including an inverting input terminal connected to one of the sensing lines through a sensing channel and connected to the calibration block, a non-inverting input terminal receiving a reference voltage for initialization, and an output terminal outputting an integral value,
An integral capacitor connected between the inverting input terminal and the output terminal of the amplifier,
And a first switch connected to both ends of the integrating capacitor;
Wherein the integrated capacitor includes a plurality of capacitors connected in parallel to the inverting input terminal of the amplifier and the other end of each of the capacitors is connected to an output terminal of the amplifier through different capacitance adjusting switches. Display device.
제 3 항에 있어서,
상기 전류 적분기 유닛들 각각은,
센싱 모드 신호에 따라 상기 픽셀들의 전류 정보를 센싱하기 위한 전류 센싱 모드와, 상기 픽셀들의 전압 정보를 센싱하기 위한 전압 센싱 모드 중 어느 하나로 동작하고;
상기 전압 센싱 모드에서,
상기 앰프와 상기 적분 커패시터는 동작이 중지되고, 상기 제1 스위치는 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
The method of claim 3,
Each of the current integrator units comprising:
A current sensing mode for sensing current information of the pixels according to a sensing mode signal and a voltage sensing mode for sensing voltage information of the pixels;
In the voltage sensing mode,
Wherein the operation of the amplifier and the integrated capacitor is stopped, and the first switch is turned on.
제 3 항에 있어서,
상기 커패시턴스 조정용 스위치들은, 상기 적분값에 기초한 스위칭 제어신호에 따라 온/오프 되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
The method of claim 3,
And the capacitance adjustment switches are turned on / off according to a switching control signal based on the integrated value.
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