KR101547155B1 - 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법 - Google Patents

대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지지체 제작단계, 가변체 제작단계, 열처리 단계 및 3차원 미세광학구조 형성단계를 포함하여 이루어지며, 본 발명의 목적은 상기의 과정을 통해 사용자의 요구사항에 따라 여러 형태의 3차원 미세광학구조를 생산할 수 있는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법을 제공하는 것이다.

Description

대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법{Batch Fabrication Method of Three-dimensional Photonic Microstructures}
본 발명은 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 지지구조 및 가변구조의 너비, 높이, 모양 및 형성되는 위치를 조절하고 열처리함으로써 제조되는 3차원 미세광학구조의 표면형상을 조절하고 이를 복제할 수 있는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 3차원 미세광학구조는 이미징, 디스플레이, 조명분야 등에서 다양하게 활용되고 있다. 3차원 미세광학구조의 일종인 마이크로 프리즘(micro prizm)이 이미징 분야에서 사용되고 있으며, 반사형 LCD의 밝기를 높이기 위해 애쉬매트릭 마이크로 렌즈(asymmetric micro lens) 또는 마이크로 슬랜트 미러(micro slant mirror)가 디스플레이 분야에 이용되고 있다. 이처럼 여러 분야에서 이용되고 있는 3차원 미세광학구조는 기존의 광학 소자의 역할을 대체할 수 있을 뿐만 아니라 기존의 광학소자가 구현할 수 없는 기능을 구현할 수 있으며 소형화 및 경량화 가능한 장점이 있다. 따라서 현재 3차원 미세광학구조의 제조방법에 대해 여러 연구가 이루어지고 있으며, 종래의 3차원 미세광학구조의 제조방법에 대해 한국특허공개 제10-2009-0097858호("복합 3차원 형태를 갖는 광학 제품을 제조하기 위한 방법 및 장치", 2009.09.16.)에 개재되어 있다.
대표적인 3차원 미세광학구조의 제조방법에는 그레이 스케일 리소그래피(Gray-Scale Lithography), 다이렉트 레이저 라이팅(Direct Laser Writing), 서멀 리플로우(Thermal Reflow) 방법 등이 있다.
그레이 스케일 리소그래피를 이용하여 3차원 미세광학구조를 제작하는 방법에는 크게 두 가지 방법이 있다. 하나는 하이 에너지 빔 센시티브 글라스(High Energy Beam Sensitive Glass : HEBS Glass)를 이용하는 방법이고 다른 하나는 크롬 온 글라스(Chrome On Glass : COG)를 이용하는 방법이다. 하지만 HEBS Glass를 마스크로 이용하는 경우, 마스크를 제작하기 위해 전자빔 라이터(E-Beam Writer)가 반드시 요구되는데, 전자빔 라이터를 사용하여 마스크를 제작하는 경우 제작을 위해 필요한 비용이 높아지는 단점이 있다. 그리고 COG를 마스크로 이용하는 경우 가격은 저렴하지만, 광학구조를 제작하기 위해서 프로젝션 리소그래피(Projection Lithography)를 하기위한 스텝퍼(Stepper)가 요구되어 광학구조의 제작과정이 복잡한 단점이 있다. 또한 제작된 구조가 계단식의 형상을 하고 있기 때문에 고효율 광학 소자에 활용하기는 적합하지 않다.
다이렉트 레이저 라이팅의 방법을 이용하여 광학소자를 제작하는 경우, 주사(Scanning) 타입이기 때문에 대면적 광학구조를 제작하기 위한 공정에는 적합하지 않다.
서멀 리플로우의 경우 만들 수 있는 광학구조의 형태가 제한적인 단점이 있다.
한국특허공개 제10-2009-0097858호, "복합 3차원 형태를 갖는 광학 제품을 제조하기 위한 방법 및 장치", 2009.09.16.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 지지체와 가변체의 너비, 높이, 모양, 온도 및 형성되는 위치 등의 여러 변수 중 하나 이상의 변수를 변경함으로써, 같은 온도의 열을 가하더라도 가변체가 변형되는 정도를 달리하여, 사용자가 원하는 형태의 3차원 미세광학구조를 형성할 수 있는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법을 제공하는 것이다.
또 다른 본 발명의 목적은 지지체가 형성된 기판의 표면에너지를 조절함으로써, 표면에너지의 조절 정도에 따라 열처리 단계에 의한 가변체의 변형되는 정도가 다르므로, 사용자가 원하는 형태의 3차원 미세광학구조를 형성할 수 있는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법을 제공하는 것이다.
또 다른 본 발명의 목적은 기판 상에 지지체와 가변체를 배치하고 열처리함으로써, 복잡한 장비, 공정 없이 용이하게 3차원 미세광학구조를 제조할 수 있는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법을 제공하는 것이다.
또 다른 본 발명이 목적은 3차원 미세광학구조를 몰드 성형을 통해 용이하게 대량생산이 가능한 3차원 미세광학구조의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 기판(100)의 상측으로 돌출 형성되는 지지체(200)가 상기 기판(100)의 상측에 배치되는 지지체 제작단계(S10);와 열처리에 의해 형상이 변형되는 물질로 이루어진 가변체(300)가 상기 기판(100)의 상측에 배치되되, 상기 가변체(300)의 일부가 상기 지지체(200)와 접촉되도록 형성되는 가변체 제작단계(S30);와 상기 기판에 열을 가하는 열처리 단계(S40); 및 상기 열처리 단계(S40)에 의해 상기 가변체(300)의 형상이 변형되어, 3차원 미세광학구조가 형성되는 3차원 미세광학구조 형성단계(S50);를 포함하여 이루어진다.
상기 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 너비, 높이, 모양, 배치 또는 열처리온도를 포함하는 변수 중 선택되는 하나 이상의 변수를 조절함에 따라 제작되는 3차원 미세광학구조의 형상이 조절되도록 이루어질 수 있다.
상기 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 상기 가변체(300)와 지지체(200)의 높이 비율에 따라 제조되는 3차원 미세광학구조의 표면형상이 오목하거나 평평하거나 또는 볼록하게 조절되도록 이루어질 수 있다.
상기 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 상기 지지체 제작단계(S10) 이후 상기 기판(100)의 표면에너지를 조절하는 표면처리단계(S20)를 더 포함하여 이루어지며, 표면에너지의 조절 정도에 따라 제작된 3차원 미세광학구조의 가변체(300) 형상이 조절되도록 이루어질 수 있다.
상기 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 상기 지지체(200)와 상기 기판(100) 사이에 지지체 베이스(220)를 더 포함하여 형성될 수 있다.
상기 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 상기 3차원 미세광학구조 형성단계(S50) 이후 형성된 3차원 미세광학구조를 몰드(10) 성형하는 몰드 제작 단계(S60);와 상기 몰드 제작 단계(S60)에 의해 생성된 몰드(10)에 충전물(20)을 충전하여 3차원 미세광학구조를 성형하는 충전단계(S70);와 상기 충전물(20)에 자외선 또는 열을 가하여 충전물(20)을 경화하는 경화단계(S80); 및 상기 경화단계(S80)에 의해 성형된 3차원 미세광학구조를 상기 몰드(10)와 분리하는 분리단계(S90);를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 3차원 미세광학구조의 제조방법은, 3차원 미세광학구조 형성단계(S50)에 의해 형성된 3차원 미세광학구조를 마스크로 이용하여 식각공정을 통해 3차원 미세광학구조의 형상을 조절할 수 있다.
본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은 지지체와 가변체의 높이, 너비, 모양, 온도 및 형성되는 위치 등의 여러 변수 중 하나 이상의 변수를 변경하여 형성하는 것으로 사용자가 원하는 형태의 미세광학구조를 제작할 수 있으므로, 구성이 간단하여 제작이 용이하고 경제성이 있는 장점이 있으며, 제한되지 않는 여러 형태의 3차원 미세광학구조를 제작할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 3차원 미세광학구조의 제조방법의 순서도
도 2는 본 발명의 3차원 미세광학구조의 제조방법의 개략도
도 3은 본 발명의 지지체와 가변체의 높이 비율에 따라 형성되는 3차원 미세광학구조의 실시예
도 4는 본 발명의 가변체의 높이 또는 너비의 변화에 따라 제작되는 3차원 미세광학구조가 상기 기판과 이루는 각도의 변화 실시예
도 5는 본 발명의 표면처리단계에 의해 형성된 3차원 미세광학구조의 실시예
도 6은 본 발명에 따라 형성된 대면적 3차원 미세광학구조의 여러 실시예
이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다.
첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 3차원 미세광학구조의 제조방법의 순서도이고, 도 2는 본 발명의 3차원 미세광학구조의 제조방법의 개략도이다.
본 발명의 3차원 미세광학구조를 제작하기 위해 먼저 지지체 제작단계(S10)를 실시한다. 상기 지지체 제작단계(S10)는 기판(100)의 상측에 지지체(200)를 형성 배치한다. 상기 지지체(200)는 상기 기판(100)의 상측으로 돌출 형성되며 이 때 형성되는 상기 지지체(200)를 이루는 물질의 유리전이온도를 T1이라 한다.
도 2(a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 3차원 미세광학구조의 제작방법은 필요에 따라 상기 지지체(200)와 상기 기판(100)의 사이에 지지체 베이스(220)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 지지체(200)가 상기 기판(100)과 접착력이 떨어지는 경우, 상기 지지체 베이스(220)가 상기 지지체(200)와 상기 기판(100)의 접착제 역할을 하여 접착력을 높일 수 있다. 또한 상기 기판(100)은 시간의 소요에 따라 표면에너지의 변화가 일어나, 표면성질이 달라질 수 있으므로 상기 기판(100)의 상측에 상기 지지체 베이스(220)를 구비하여 표면에너지의 변화를 방지할 수 있다.
상기 지지체 제작단계(S10) 이 후에 표면처리단계(S20)가 실시된다. 상기 표면처리단계(S20)는 상기 기판(100)의 표면에너지를 조절하도록, 즉 상기 기판(100)의 성질을 변형하도록 이루어진다. 상기 표면처리단계는 상기 지지체(200)의 표면에 플라즈마 처리를 하거나 화학물질을 도포하는 화학처리를 하거나, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 사용자의 요구사항에 따라 여러 금속(40)을 도포하도록 이루어진다.
이후 가변체 제작단계(S30)를 실시한다. 가변체(300)는 열처리에 의해 형상이 변형될 수 있는 물질로 이루어지며, 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)의 상측에 배치되되, 상기 가변체(300)의 일부가 상기 지지체(200)와 접촉되도록 형성된다. 상기 가변체(300)는 사용자가 제작하고자 하는 3차원 미세광학구조의 형태 및 크기에 따라 접촉되는 부분이 다르게 이루어진다. 즉, 상기 가변체(300)의 최외측이 상기 벽체(210)에 접촉되도록 이루어지거나 상기 벽체(210)의 양측면에 상기 가변체(300)가 접촉되도록 이루어 질 수 있다. 이 때 형성되는 상기 가변체(300)를 이루는 물질의 유리전이온도는 T2라 한다.
다음으로 도 2(d)에 도시된 바와 같이 상기 가변체(300)의 형상을 변형하기 위해, 상기 기판에 열을 가하는 상기 열처리 단계(S40)를 실시한다. 상기 열처리 단계(S40)시 상기 기판에 가하는 열의 온도를 T3라 할 때, T3은 상기 가변체(300)의 유리전이온도, 즉 T2보다는 높고 상기 지지체(200)의 유리전이온도, 즉 T1보다는 낮도록 이루어진다. 이에 따라 상기 열처리 단계(S40)에 의해 상기 지지체(200)는 변형되지 않고 상기 가변체(300)만 변형이 이루어져 사용자가 원하는 일정형상을 형성할 수 있다. 이때 상기 기판은 유리 또는 실리콘 등으로 이루어져 열처리 단계(S40)시 변형이 이루어지지 않도록 하는 것이 바람직하다.
다음으로 3차원 미세광학구조 형성단계(S50)가 실시된다. 상기 3차원 미세광학구조 형성단계(S50)는 상기 열처리 단계(S40)에 의해 도 2(d)에 도시된 바와 같이, 상기 가변체(300)의 형상이 변형되어, 3차원 미세광학구조가 형성된다.
본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 복제방법은 상기의 과정에 의해 제작된 3차원 미세광학구조를 몰드 성형함으로써 3차원 미세광학구조를 대량 생산 할 수 있다.
상기의 과정에 의해 제작된 3차원 미세광학구조를 대량 생산하기 위해, 먼저 몰드 제작 단계(S60)가 실시된다. 상기 몰드 제작 단계(S60)는 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 상기의 과정에 의해 제작된 3차원 미세광학구조를 몰드(10) 성형한다. 상기 몰드(10)는 금속(40), 폴리머, 폴리디메틸실록산 등의 몰드의 제작시 통상적으로 사용되는 물질로 이루어져 제작시 구입이 용이하도록 한다.
이 후 충전단계(S70)가 실시된다. 상기 충전단계(S70)는 도 2(f)에 도시된 바와 같이, 몰드 제작 단계(S60)에 의해 생성된 몰드(10)에 충전물(20)을 충전하여 3차원 미세광학구조를 성형한다. 상기 충전물(20)을 충전한 뒤 상기 충전물(20)의 상측에 기판(30)을 덮어 하나의 구조가 되도록 이루어진다. 이때 상기 충전물(20)은 자외선 경화 고분자, 열경화 고분자, 세라믹 등의 통상적으로 사용되는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로 경화단계(S80)를 실시한다. 상기 경화단계(S80)는 상기 충전물(20)에 자외선 또는 열을 가하여 충전물(20)을 경화하도록 이루어진다.
다음으로 도 2(g)에 도시된 바와 같이, 분리단계(S90)를 실시한다. 상기 분리단계(S90)는 상기의 과정을 통해 성형된 3차원 미세광학구조를 상기 몰드(10)와 분리한다.
본 발명의 3차원 미세광학구조의 제조방법은 여러 변수를 조절함으로써 사용자가 원하는 형태의 미세광학구조를 제작할 수 있다. 상기 변수는 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 너비, 높이, 모양, 온도 및 배치되는 위치 등을 포함하며, 상기의 변수 중 선택되는 어느 하나 또는 하나이상의 변수를 조절하여 3차원 미세광학구조를 제작할 수 있다.
도 3은 본 발명의 상기 지지체(200)의 높이가 4㎛, 상기 가변체(300)의 너비가 15㎛인 경우, 상기 가변체(300)의 높이를 1㎛, 2㎛, 3㎛로 변화하여, 각 높이에 따라 제작되는 3차원 미세광학구조의 단면 형상의 실험결과를 도시하고 있다. 더욱 자세히 설명하면, 도 3(a, b, c)는 열처리 전의 지지체(200)와 가변체(300)의 단면 형상이며, 도 3(aㅄ, bㅄ, cㅄ)는 열처리 후의 지지체(200)와 가변체(300)의 단면 형상이고, 도 3(a˝, b˝, c˝)는 도 3(a, b, c)의 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 단면 형상과 도 3(aㅄ, bㅄ, cㅄ)의 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 단면 형상을 나타내고 있다.
도 3(a˝, b˝, c˝)를 더 자세히 살펴보면, 도 3(a˝, b˝, c˝)의 검은색 점선은 열처리 전의 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 수치해석값, 검은색 실선은 열처리 후의 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 수치해석 값, 파란색 점선은 열처리 후의 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 실험값을 나타내고 있다.
도 3의 각각의 열처리 후의 결과를 보면, 상기 가변체(300)의 열처리 후의 표면형상은 상기 가변체(300)의 높이가 평균보다 낮은 경우, 제조되는 3차원 미세광학구조의 표면이 오목하게, 평균인 경우 평평하게, 평균보다 높은 경우 볼록한 형상을 나타내는 것으로 알 수 있다. 따라서 본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은 단순히 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 높이를 조절하는 것만으로 제조되는 3차원 미세광학구조의 표면형상을 사용자가 원하는 형태로 조절할 수 있다.
도 4는 본 발명의 가변체(300)의 높이 또는 너비의 변화에 따라 제작되는 3차원 미세광학구조가 상기 기판과 이루는 각도의 변화를 도시하고 있다.
도 4(a, aㅄ, a˝)는 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 높이가 일정한 경우, 상기 가변체(300)의 너비의 변화에 따라 제작된 3차원 미세광학구조의 실시예이다.
도 4(b, bㅄ, b˝)는 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 너비가 일정한 경우, 상기 가변체(300)의 높이의 변화에 따라 제작된 3차원 미세광학구조의 실시예이다.
도 4(c)는 상기에 의해 제작된 3차원 미세광학구조가 상기 기판과 이루는 각도를 그래프로 나타낸 것이다. 더욱 자세히 설명하면, 도 4(c)는 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 높이가 일정한 경우 너비의 변화에 따른 각도의 변화를 파란색 선으로 표시하고 있고, 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 너비가 일정한 경우 높이의 변화에 따른 각도의 변화를 빨간색 선으로 표시하고 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 높이가 일정한 경우 상기 가변체(300)의 너비가 좁을수록, 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 너비가 일정한 경우, 상기 지지체(200) 및 가변체(300)의 높이가 높을수록, 제작되는 3차원 미세광학구조가 상기 기판(100)과 이루는 각도가 큰 것을 알 수 있다. 따라서 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 높이 및 너비를 조절하는 것으로 제작되는 3차원 미세광학구조의 각도를 사용자가 원하는 형태로 조절할 수 있다.
따라서 본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은 상기 지지체(200)와 가변체(300)의 높이 및 너비를 조절하는 것만으로 제조되는 3차원 미세광학구조 표면형상 및 각도를 사용자가 원하는 형태로 용이하게 조절할 수 있다.
한편, 본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은 도면에는 도시되어 있지 않지만 식각공정을 통해 제작된 3차원 미세광학구조의 형상을 조절할 수 있다. 식각공정은 상기 3차원 미세광학구조를 구성하는 물질을 상기 기판(100)을 구성하는 물질로 변형하며, 식각공정시 제작된 3차원 미세광학구조와 상기 기판(100)이 식각되는 비율을 조절하여 상기 기판(100)에 전사되는 3차원 미세광학구조의 형상을 조절하도록 이루어진다.
도 5는 본 발명의 표면처리단계(S20)에 의해 형성된 3차원 미세광학구조의 실시예이다.
본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조는 상기 표면처리단계(S20)에서 사용자의 요구사항에 따라 알맞는 금속(40)을 도포하고 열처리함으로써 제작되는 3차원 미세광학구조의 형상을 조절할 수 있다.
도 5(a)은 금속(40)을 도포하지 않은 경우 형성되는 3차원 미세광학구조의 형상, 도 5(b)는 알루미늄을 도포하는 경우 형성되는 3차원 미세광학구조의 형상, 도 5(c)는 금을 도포하는 경우 형성되는 3차원 미세광학구조의 형상이다. 이처럼 본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은 상기 지지체(200)에 사용자가 원하는 형상을 형성하기 위한 금속(40)을 도포함으로써 다양한 형상의 3차원 미세광학구조를 제작할 수 있다.
도 6은 본 발명에 의해 제작 가능한 3차원 미세광학구조의 실시예이다.
종래에는 3차원 미세광학구조의 제조에 많은 비용이 요구되거나 제조하는 공정이 복잡하여 3차원 미세광학구조를 제작에 여러 문제점이 존재하였다. 하지만 본 발명의 3차원 미세광학구조의 제조방법은 도 6(a, b, c)에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 상기 지지체(200)와 가변체(300)를 사용자가 원하는 형상으로 배치하고, 상기 지지체(200) 및 상기 가변체(300)의 너비, 높이 등을 조절하여 복잡한 공정 없이 3차원 미세광학구조를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한 본 발명의 미세광학구조의 제조방법은 통상적으로 많이 사용되는 물질을 이용하여 3차원 미세광학구조를 제조하므로 제조를 위한 재료의 구입이 편리한 장점이 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
10 : 몰드 20 : 충전물
30 : 기판 40 : 금속
100 : 기판
200 : 지지체 220 : 지지체 베이스
300 : 가변체
S10 ~ S90 : 본 발명의 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법의 순서

Claims (7)

  1. 기판(100)의 상측으로 간격을 두고 돌출 형성되는 복수의 지지체(200)가 상기 기판(100)의 상측에 배치되는 지지체 제작단계(S10);
    열처리에 의해 형상이 변형되는 물질로 이루어진 가변체(300)가 인접한 상기 지지체(200)의 사이에 배치되되, 상기 가변체(300)의 일측이 상기 지지체(200)의 측면 높이까지 이어지도록 형성되는 가변체 제작단계(S30);
    상기 기판에 열을 가하는 열처리 단계(S40); 및
    상기 열처리 단계(S40)에 의해 상기 가변체(300)의 형상이 변형되어, 3차원 미세광학구조가 형성되는 3차원 미세광학구조 형성단계(S50);를 포함하며,
    상기 가변체(300)는 인접한 상기 지지체(200)사이에 형성된 공간 내부에 구비되되, 인접한 상기 지지체(200) 사이의 너비 및 상기 지지체(200) 높이와 상기 가변체(300)의 너비 및 높이 비율에 의해, 제조되는 3차원 미세 광학구조의 표면 형상이 오목하거나 평평하거나 또는 볼록하게 조절되는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은,
    상기 지지체 제작단계(S10) 이후 상기 기판(100)의 표면에너지를 조절하는 표면처리단계(S20)를 더 포함하여 이루어지며, 표면에너지의 조절 정도에 따라 제작된 3차원 미세광학구조의 가변체(300) 형상이 조절되는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법은,
    상기 지지체(200)와 상기 기판(100) 사이에 지지체 베이스(220)를 더 포함하여 형성되는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 3차원 미세광학구조의 제조방법은,
    상기 3차원 미세광학구조 형성단계(S50) 이후 형성된 3차원 미세광학구조를 몰드(10) 성형하는 몰드 제작 단계(S60);
    상기 몰드 제작 단계(S60)에 의해 생성된 몰드(10)에 충전물(20)을 충전하여 3차원 미세광학구조를 성형하는 충전단계(S70);
    상기 충전물(20)에 자외선 또는 열을 가하여 충전물(20)을 경화하는 경화단계(S80); 및
    상기 경화단계(S80)에 의해 성형된 3차원 미세광학구조를 상기 몰드(10)와 분리하는 분리단계(S90);를 포함하여 이루어지는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 3차원 미세광학구조의 제조방법은,
    3차원 미세광학구조 형성단계(S50)에 의해 형성된 3차원 미세광학구조를 마스크로 이용하여 식각공정을 통해 3차원 미세광학구조의 형상을 조절하는 대면적 3차원 미세광학구조의 제조방법.
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