KR101543258B1 - 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 역상 폴리머 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지 및 이에 대한 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 투명 고분자 나노입자가 내장된 PEDOT:PSS 박막을 포함하여 구성되는 양극 버퍼층; 및 상기 양극 버퍼층의 표면 형상을 따라 형성되는 후면 전극을 포함하여 구성되며, 상기 투명 고분자 나노입자의 직경은 상기 PEDOT:PSS 박막의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지를 개시하며, 본 발명에 의하여 양극 버퍼층의 두께보다 큰 직경의 투명 고분자 나노입자를 포함하는 양극 버퍼층을 형성한 후 후면 전극을 형성함으로써, 불규칙한 나노구조 표면을 가지는 후면 전극을 이용하여 전력변환효율 등의 성능을 개선하면서도, 그 제조 공정에 많은 비용이 소요되지 않고 광활성화층의 특성을 열화시키지 않는 역상 폴리머 태양전지 및 그 제조 방법을 구현하는 효과를 갖는다.

Description

불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지 및 그 제조 방법 {Inverted polymer solar cells with randomly nanostructured surface electrode and manufacturing method thereof}
본 발명은 역상 폴리머 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지 및 이에 대한 제조 방법에 관한 것이다.
지구 온난화에 따른 환경 문제와 화석 연료의 고갈 등으로 인하여 대체 에너지를 상용화하기 위한 다양한 노력이 이루어지고 있으며, 예를 들어 태양광, 풍력, 해양, 지열, 수력 등을 상용화하여 인류가 소비하는 에너지를 대체하기 위한 지속적인 연구 개발이 시도되고 있다. 특히, 이중 태양광을 이용하여 전기 에너지를 생산하는 방법은 상용화에 가장 근접한 현실적인 대안 중 하나로 인정받고 있다.
태양광을 이용하여 전기 에너지를 생산하는 데에는 태양전지가 사용되는데, 상기 태양전지를 구현하는 주요한 기술로서, 결정질 실리콘을 이용하여 태양전지를 구성하는 방법, 비결정질 실리콘을 이용하여 태양전지를 구성하는 방법, 화합물을 이용하여 태양전지를 구성하는 방법, 유기물을 이용하여 태양전지를 구성하는 방법 등이 시도되고 있다. 현재 가장 가장 많이 사용되고 있는 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지이지만, 결정질 실리콘을 이용한 태양전지는 그 단가가 너무 비싸 경제성이 떨어지기 때문에 본격적인 상용화에 한계가 있다. 이를 해결하기 위하여 다양한 재질의 태양전지가 개발되고 있는데, 그 중 유기물을 이용한 태양전지의 경우, 다른 재료에 비하여 매우 저렴한 유기 소재를 사용하고, 용액 공정을 사용하여 롤-투-롤(roll-to-roll) 기법을 이용해 생산 단가를 크게 낮출 수 있으며, 저온 공정을 이용하기 때문에 실리콘이나 유리 기판 대신 플라스틱 기판을 사용하여 가볍고 유연한 형태로 제작이 가능하다는 장점을 가지고 있어, 근래 집중적인 연구 개발의 대상이 되고 있다.
이러한 유기물 태양 전지의 한 종류라 볼 수 있는 폴리머 태양전지(Polymer Solar Cells, PSCs)도 또한 저가격, 경량, 유연성, 이동성, 인쇄 공정 적용 등의 장점을 가지고 있고, 특히 역상(inverted) 폴리머 태양전지(PSCs)는 공기 접촉에 의한 성능 열화를 방지할 수 있으며, 높은 일함수(work function)를 가지는 금속 후면 전극(back electrode)라는 또 다른 장점을 가지고 있어 큰 관심을 끌고 있다.
그러나 역상 폴리머 태양전지는 얇은 광활성화층(active layer)으로 인하여 태양광 흡수에 약점을 가지고 있고, 전력변환효율(Power Conversion Efficiency, PCE)이 떨어진다는 문제점을 가진다. 이를 보완하기 위하여 광활성화층을 두껍게 할 경우 상기한 문제점은 개선될 수 있으나, 태양전지 소자의 직렬 저항(series resistance)을 증가시키게 되어, 필팩터(Fill Factor, FF)와 단락전류밀도(J SC )를 감소시키는 문제점을 야기하게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서, 광활성화층의 두께를 유지하면서도 태양광흡수 성능을 개선하기 위하여 후면 전극(back electrode)의 표면에서 태양광 산란이 발생하게 하여 태양광을 광활성화층에 가두는(trapping) 방법이 시도되었다. 특히, 폴리머 태양전지(PSCs)의 경우, 나노리소그래피(nanolithography) 공정을 이용하여 반복적인(periodic) 격자 구조(grating structure)를 형성하는 방법이 시도되었으나, 이러한 공정은 비용이 많이 소요될 뿐만 아니라 광활성화층의 특성을 열화시켜 폴리머 태양전지의 성능을 떨어뜨릴 수 있다는 문제점을 가진다.
따라서, 역상 폴리머 태양전지의 전력변환효율(PCE)을 개선하면서도, 그 제조 공정에 많은 비용이 증가하지 않고 광활성화층의 특성을 열화시키지 않는 구조를 가지는 역상 폴리머 태양전지 및 그 제조 방법에 대한 필요성이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 역상 폴리머 태양전지의 전력변환효율(PCE)등 성능을 개선하면서도, 그 제조 공정으로 인하여 많은 비용이 소요되지 않고 광활성화층의 특성을 열화시키지 않는 구조를 가지는 역상 폴리머 태양전지 및 그 제조 방법을 개시하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 측면에 따른 역상 폴리머 태양전지는 투명 고분자 나노입자가 내장된 PEDOT:PSS 박막을 포함하여 구성되는 양극 버퍼층; 및 상기 양극 버퍼층의 표면 형상을 따라 형성되는 후면 전극을 포함하여 구성되며, 상기 투명 고분자 나노입자의 직경은 상기 PEDOT:PSS 박막의 두께보다 큰 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 투명 고분자 나노입자의 직경은 200nm 이하일 수 있다.
또한, 상기 투명 고분자 나노입자는 물에 분산이 가능한 재질로 구성된 것일 수 있다.
또한, 상기 투명 고분자 나노입자는 폴리스티렌, 실리카, 혹은 PMMA(polymethyl methacrylate) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물로 구성될 수 있다.
또한, 상기 투명 고분자 나노입자의 상기 PEDOT:PSS 박막에 대한 부피 비율은 10 내지 40 퍼센트의 범위 내에 있을 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 역상 폴리머 태양전지 제조 방법은 (a) 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머를 분산한 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 용액을 광활성화층 상부에 코팅하는 단계; (c) 열처리를 통하여 상기 용액의 용매를 제거하고 양극 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 양극 버퍼층 상부에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 (a) 단계는, (a1) 투명 고분자 나노입자를 형성하는 단계; 및 (a2) 상기 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머를 용매에 혼합한 후 분산하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 (a1) 단계는, 유화 중합(emulsion polymerization) 반응을 이용하여 상기 투명 고분자 나노입자를 형성하는 단계일 수 있다.
또한, 상기 (a1) 단계에서, 물에 분산이 가능한 투명한 고분자 물질을 사용하여 상기 투명 고분자 나노입자를 형성할 수 있다.
또한, 폴리스티렌, 실리카, 혹은 PMMA(polymethyl methacrylate) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물을 사용하여 상기 투명 고분자 나노입자를 형성할 수 있다.
또한, 상기 (a) 단계에서, 직경이 200nm 이하인 투명 고분자 나노입자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 (a2) 단계에서, 상기 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머가 혼합되어 분산될 수 있고, 친수성을 가지는 용매를 사용할 수 있다.
또한, 상기 용매로서 물, 에탄올, 메탄올 또는 이소프로필알콜(IPA) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 양극 버퍼층의 두께보다 큰 직경의 투명 고분자 나노입자를 포함하는 양극 버퍼층을 형성한 후 후면 전극을 형성함으로써, 불규칙한 나노구조 표면을 가지는 후면 전극을 이용하여 전력변환효율 등의 성능을 개선하면서도, 그 제조 공정에 많은 비용이 소요되지 않고 광활성화층의 특성을 열화시키지 않는 역상 폴리머 태양전지 및 그 제조 방법을 구현하는 효과를 갖는다.
본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지의 모식도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지의 제조 방법 순서도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지의 전류밀도 특성 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지의 단면에 대한 투과전자현미경 사진.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리스티렌 나노입자-PEDOT:PSS 양극 버퍼층 표면에 대한 주사전자현미경 사진.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리스티렌 나노입자-PEDOT:PSS 양극 버퍼층 표면에 대한 원자간력현미경 사진.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지의 외부 퀀텀 효율 특성 그래프.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면을 가지는 전극에서의 입사광 산란 이미지.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지에 대한 반사도 특성 그래프.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 이하에서는 특정 실시예들을 첨부된 도면을 기초로 상세히 설명하고자 한다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 발명은 종래 기술에서 역상 폴리머 태양전지가 얇은 광활성화층(active layer)(130)으로 인하여 태양광 흡수에 약점을 가지게 되고, 전력변환효율(PCE)이 떨어진다는 문제점을 가지게 되며, 이를 보완하기 위하여 광활성화층(130)을 두껍게 할 경우 태양전지 소자의 직렬 저항(series resistance)을 증가시키게 되어 필팩터(Fill Factor, FF)와 단락전류밀도(J SC )를 감소시키는 문제점을 가지게 되고, 또한 이를 개선하기 위하여 나노리소그래피(nanolithography) 공정을 이용하여 후면 전극(back electrode)(110)에 반복적인(periodic) 격자 구조(grating structure)를 형성하는 경우 공정 비용이 많이 소요될 뿐만 아니라, 광활성화층(130)의 특성을 열화시켜 태양전지의 성능을 떨어뜨릴 수 있다는 문제점을 감안하여, 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)) 폴리머(124)를 포함하여 구성되는 양극 버퍼층(Anode Buffer Layer, ABL)(120)을 형성하되, 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 직경이 상기 양극 버퍼층(120)의 두께보다 크게 하고, 그 위에 후면 전극(110)을 형성함으로써 상기 후면 전극(110)의 표면이 불규칙적인 형상을 가지게 하여, 입사광의 산란을 통하여 상기 광활성화층(130)의 태양광 흡수를 개선하고 이에 따라 태양전지의 단락전류밀도(J SC ) 및 전력변환효율(PCE) 특성을 개선할 수 있는 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지(100) 및 그 제조 방법을 구현하는 것을 특징으로 하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지(100)의 모식도이다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 상기 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지(100)는 불규칙한 나노구조 표면을 가지는 후면 전극(110), 투명 고분자 나노입자(122)가 내장된 PEDOT:PSS 박막을 포함하여 구성되는 양극 버퍼층(120), 광활성화층(Active Layer)(130), 음극 버퍼층(140), 투명 음전극(150)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 후면 전극(110)은 그 상기 양극 버퍼층(120)과의 접촉면이 평탄하지 않고 불규칙한 나노표면구조를 가지게 됨으로써, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이 입사광이 입사되었을 때, 입사광의 일부가 산란(scattering)되면서 상기 광활성화층(130)에 갇히게 되어(trapping), 광활성화층(130)의 두께를 유지하면서도 광흡수 효율을 개선할 수 있게 된다.
이때, 상기 후면 전극(110)의 불규칙한 나노구조 표면의 형상은 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 상기 양극 버퍼층(120)에서의 비율, 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 직경과 상기 PEDOT:PSS 박막의 두께의 차이 등에 의하여 영향을 받게 된다. 도1에서 볼 수 있는 바와 같이, 만약 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 상기 양극 버퍼층(120)에서의 비율이 0이라면, 상기 후면 전극(110)의 표면은 평평한 형상을 나타내게 될 것이나, 상기 투명 고분자 나노입자의 비율이 커지게 되면, 상기 후면 전극(110)의 표면은 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 형상을 따라 울퉁불퉁한 모양을 가지게 될 것이다. 이에 따라, 상기 후면 전극(110)의 표면이 평평하다면 입사광이 산란되는 비율이 적을 것이나, 상기 후면 전극(110)의 표면이 울퉁불퉁해진다면 입사광 중 산란되어 광흡수층(130)에 갇히는(trapped) 비율이 늘어나고, 반사광으로서 빠져나가는 비율이 줄어들게 되면서 광흡수 효율이 좋아지게 된다.
이어서, 양극 버퍼층(120)에 대하여 살핀다. 상기 양극 버퍼층(120)은 투명 고분자 나노입자(122)가 내장된 PEDOT:PSS 박막을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 직경이 상기 PEDOT:PSS 박막의 두께보다 클 경우 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 일부가 상기 PEDOT:PSS 박막의 외부에 돌출되게 되고, 그 위에 상기 후면 전극(110)이 형성되게 됨으로써, 상기 후면 전극(110)의 표면은 상기 투명 고분자 나노입자(122)가 돌출된 형상에 따라 울퉁불퉁한 형상을 가지게 된다.
상기 투명 고분자 나노입자(122)는 빛이 투과할 수 있도록 투명하고, 습식 공정에 사용할 수 있도록 물에 분산이 가능한 특성을 가지는 고분자 나노입자(122)라면 특별한 제한이 없이 사용될 수 있고, 보다 구제척으로는, 폴리스티렌, 실리카, PMMA(polymethyl methacrylate) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물이 사용될 수도 있다. 덧붙여 유기 고분자 뿐만 아니라 무기 고분자 물질을 사용하는 것도 가능하다.
상기 투명 고분자 나노입자(122)의 직경은 PEDOT:PSS 박막의 두께와 후면 전극(110)의 두께 및 형상을 고려하여 결정할 수 있으며, 바람직하게는 PEDOT:PSS 박막의 두께 보다는 크고 200nm에는 미치지 못하는 범위에서 결정하는 것이 적절하다.
또한, 아래에서 다시 살피겠으나 폴리스티렌 나노입자(122)의 PEDOT:PSS 박막에 대한 부피 비율(Φ NP )에 따른 태양전지의 특성을 고려할 때, 상기 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )은 10% 내지 40% 범위 내에서 정하여 지는 것이 바람직하다.
다음으로 광활성화층(130)에 대하여 살핀다. 상기 광흡수층(130)은 종래의 기술에 따라 구성될 수 있는데, 예를 들어 P3HT를 전자 도너로, OXCBA 또는 PCBM을 전자 억셉터로 사용하여 상기 광흡수층(130)을 구성하는 것이 가능하다.
상기 광활성화층(130)에서는 전자 도너(Donor)가 입사된 빛으로부터 에너지를 흡수하여 전자(electron)와 정공(hole)의 쌍으로 이루어지는 엑시톤(exciton)을 형성하고, 상기 엑시톤은 임의의 방향으로 진행하다가 일부는 재결합하여 소멸되고, 일부는 전자 억셉터(acceptor)와의 계면에 도달하여 전자와 정공이 분리된다. 분리된 캐리어(carrier)들은 양쪽 전극의 일함수(work function)의 차이로 인하여 형성된 내부 전계에 따라 각 전극을 향하여 이동하고, 전극을 통하여 수집되어 외부 회로를 통하여 전류를 이루어 흐르게 된다.
다음으로, 음극 버퍼층(140)과 투명 음전극(150)에 대하여 살핀다. 상기 음극 버퍼층(140)은 종래 기술에 따라 p-type 버퍼층으로 구성될 수 있으며, 예를 들어 ZnO를 사용하여 구성하는 것이 가능하다. 상기 투명 음전극(150)도 또한 종래 기술에 따라 구성될 수 있으며, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide) 전극을 이용하는 것이 가능하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지(100)의 제조 방법 순서도를 도시하고 있다. 이에 따른 상기 역상 폴리머 태양전지(100)의 제조 공정은 투명 고분자 나노입자(122)를 형성하는 단계(S210), 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS폴리머(124)가 분산된 수용액을 형성하는 단계(S220), 상기 수용액을 미리 준비한 광활성화층(130) 위에 스핀 코팅하는 단계(S230), 열처리를 통하여 상기 수용액의 용매를 증발시키는 단계(S240), 후면 전극(110)을 형성하는 단계(S250), 태양 전지를 완성하는 단계(S260)를 포함하는 일련의 단계로서 이루어질 수 있다.
먼저, 투명 고분자 나노입자(122)를 형성하는 단계(S210)에 대하여 살핀다. 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS 폴리머(124)를 사용하여 양극 버퍼층(120)을 형성하기에 앞서, 먼저 투명 고분자 나노입자(122)를 준비한다. 상기 투명 고분자 나노입자(122)의 직경은 PEDOT:PSS 박막의 두께보다 커야 하므로, 이를 고려하여 공정 조건을 설계하여야 한다. 투명 고분자 나노입자(122)는 물을 사용하는 습식 공정을 통하여 형성될 수 있는데, 그 예로서 유화중합(emulsion polymerization)법을 들 수 있다. 이때, 적절한 직경을 가지는 구형의 투명 고분자 나노입자(122)가 형성될 수 있도록 안정화제(stabilizer)의 함량 등 공정 조건을 적절하게 관리하여야 한다.
이때, 상기 투명 고분자 나노입자(122)는 입사광이 투과할 수 있도록 투명하고, 습식 공정에 사용할 수 있도록 물에서 분산이 가능한 고분자 나노입자라면 특별한 제한이 없이 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로 예를 들자면, 폴리스티렌, 실리카, PMMA(polymethyl methacrylate), P2VP 등을 들 수 있다. 덧붙여, 상기 투명 고분자 나노입자(122)는 반드시 직접 만들어 사용하여야 하는 것은 아니고, 미리 만들어진 기성품을 사용하는 등의 방법도 당연히 가능하다.
다음으로, 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS폴리머(124)가 분산된 수용액을 형성하는 단계(S220)에 대하여 살핀다. 앞서 생성된 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS 폴리머(124)가 혼합되어 분산된 수용액을 형성한다. 이때 사용할 수 있는 용매로서는 상기 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머가 적절하게 혼합되어 분산될 수 있고, 친수성을 가지는 용매라면 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는 물, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜(IPA) 중 하나 혹은 이중 둘 이상을 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
상기 수용액에서 투명 고분자 나노입자(122) 및 PEDOT:PSS폴리머(124)와 용매의 비율에 대해서는 상기 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS 폴리머(124)가 적절하게 혼합되어 분산될 수 있는 비율이라면 특별한 제한이 없으나, 보다 구체적으로는 태양전지의 효율성 및 실용성이라는 점을 볼 때, 용매와 나머지 폴리스티렌 나노입자 및 PEDOT:PSS폴리머의 질량 비율을 10 : 1 내지 30 : 1의 범위 내에서 결정하는 것이 바람직하다. 이는 두 혼합 용액의 필름이 소자형성에 있어 전기적 손실없이 최적화되는 두께를 만드는데 있어 중요하며 표면의 거친정도를 결정하는데 바람직한 질량비율이다.
이어서, 상기 수용액을 미리 준비한 광활성화층(130) 위에 스핀 코팅하는 단계(S230)에 대하여 살핀다. 상기와 같이 형성된 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS 폴리머(124)가 포함된 수용액을 미리 준비한 광활성화층(130) 위에 코팅한다. 코팅하는 방법에는 다양한 방법이 사용될 수 있으나, 투명 고분자 나노입자(122)와 PEDOT:PSS 폴리머(124)가 포함된 수용액을 적절한 두께로 손쉽게 코팅할 수 있는 스핀 코팅법을 이용하는 것이 바람직하다. 이외에도 경우에 따라서는 드랍 코팅, 딥 코팅, 스크린 프린트 법 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 열처리를 통하여 상기 수용액의 용매를 증발시키는 단계(S240)를 거친다. 상기 수용액에 사용된 물 등 용매를 제거하기 위하여 적절한 온도 및 시간 동안 열처리를 거친다. 예를 들어 물을 용매로 사용한 경우 120°C의 온도로 함유된 물이 모두 증발될 수 있는 시간을 고려하여 열처리를 진행하는 것이 적절하다.
다음으로, 후면 전극(110)을 형성하는 단계(S250)에 대하여 살핀다. 상기한 일련의 단계를 통하여 형성된 양극 버퍼층(120)의 위에 후면 전극(110)을 형성한다. 상기 일련의 단계를 거쳐 형성된 양극 버퍼층(120)은 PEDOT:PSS 박막의 두께보다 투명 고분자 나노입자(122)의 직경이 더 크기 때문에, 상기 투명 고분자 나노입자(122)에 의하여 울퉁불퉁한 형상을 이루게 되고, 그 위에 형성되는 후면 전극(110)도 또한 이러한 형상을 따라 울퉁불퉁한 형상을 가지게 된다.
후면 전극(110)을 형성하는 방법으로는 RF 스퍼터링 방법, PLD(Pulsed Laser Deposition)법, 열 증발법(Thermal Evaporation), 전자빔 증발법(E-beam Evaporation), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 등을 사용할 수 있다. 더 나아가, 공정의 난이도 및 비용을 고려할 때, 열 증착법을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
마지막으로, 태양 전지를 완성하는 단계(S260)에 대하여 살핀다. 상기 광활성화층(130)의 반대 면에 음극버퍼층(140)과 투명 음전극(150)을 형성하여 태양전지를 완성한다. 상기 음극버퍼층(140)과 투명 음전극(150)은 특별한 문제 없이 종래 기술에 따라 형성하는 것이 가능하다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 이는 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위한 일 실시예일 뿐이고, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 : P3HT:OXCBA 또는 P3HT:PCBM으로 구성된 광활성화층(130)과 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지(100)
불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지(100)를 제조하기 위해서 후면 전극(110)과 광활성화층(130) 사이에 존재하는 양극 버퍼층(120)에 폴리스티렌 나노입자(PolyStyrene NanoParticle, PS NP)(122)가 내장되도록 하였다. 폴리스티렌 나노입자(122)는 PEDOT:PSS 수용액에 잘 분산되어 안정화되어야 하고, 이를 위하여 물에서의 유화 중합 공정을 이용하여 조심스럽게 반응을 조절하면서 폴리스티렌 나노입자(122)가 적절한 크기의 구형으로 형성되어 골고루 분산될 수 있도록 하였다.
생성된 폴리스티렌 나노입자(122)의 직경은 60nm로, PEDOT:PSS 박막의 두께보다 10nm 정도 크게 형성되도록 하였다. 또한, 다양한 양의 폴리스티렌 나노입자(122)를 포함하는 수용액을 이용하여, 다양한 폴리스티렌 나노입자(122) 비율을 가지는 양극 버퍼층(120)을 형성하였다. 이에 따라, 폴리스티렌 나노입자(122)가 내장된 PEDOT:PSS 박막을 포함하는 양극 버퍼층(120)의 표면 형상은 1) 폴리스티렌 나노입자(122)의 직경과 PEDOT:PSS 박막의 두께 차이 2) 폴리스티렌 나노입자(122)의 PEDOT:PSS 박막에 대한 부피 비율(Φ NP )에 의하여 결정될 수 있고, 상기 양극 버퍼층(120)의 표면 형상에 의하여 상기 후면 전극(110)의 표면 형상이 결정되게 된다.
양극 버퍼층(120)에 포함되는 폴리스티렌 나노입자(122)의 태양전지 특성에 대한 영향을 평가하기 위하여, 여러 종류의 역상 벌크-이종접합(Bulk Hetero-junction, BHJ) 폴리머 태양전지가 만들어졌다. 이때 상기 폴리머 태양전지의 구조는 ITO(Indium Tin Oxide)/ZnO/광활성화층/양극 버퍼층/후면 전극의 적층 구조를 가지고 있고, 폴리스티렌 나노입자(122)의 PEDOT:PSS 박막에 대한 부피 비율(Φ NP )은 0 ~ 0.51 의 범위 내에서 다양한 값이 선택되었다.
광활성화층(130)의 경우에는 P3HT가 전자 도너(Donor)로 사용되었고, 전자 억셉터(Acceptor)로는 OXCBA 또는 phenyl-C61-butyric acid methyl ester(PCBM)가 사용되었다. OXCBA의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 값이 PCBM 의 경우보다 높기 때문에 P3HT:OXCBA에 기반한 역상 p폴리머 태양전지가 보다 높은 개방 전압(V OC )를 나타내게 되고, 이에 따라 P3HT:PCBM의 광활성화층(130)을 사용하는 경우보다 높은 전력전환효율(Power Conversion Efficiency, PCE)를 가지게 된다. 두 가지 경우 모두 용액의 농도 등이 동일한 조건에서 제작되었고, 이때, P3HT와 OXCBA의 비율은 중량비 기준 1.0 대 0.6이었다. 이어서, 태양전지 소자의 특성을 최적화하기 위한 열처리 공정이 실시되었다.
다양한 비율의 폴리스티렌 나노입자(PS NP)(122)-PEDOT:PSS 폴리머(124) 용액이 스핀 코팅의 방법으로 광활성화층(130)의 위에 코팅되었고, 상기 용액의 용매로 사용된 물을 제거하기 위하여 120°C의 온도에서 10분간 열처리가 이루어졌다. 이어서, 열증착(Thermal evaporation)법을 이용하여 100nm 두께의 은(Ag) 후면 전극(110)이 증착되었다.
도 3은 상기와 같은 일련의 과정을 통하여 형성된 태양전지의 전류 밀도-전압 특성 그래프를 보여주고 있다. 도 3(a)는 P3HT:OXCBA, 도 3(b)는 P3HT:PCBM으로 구성되는 광활성화층(130)을 포함하는 다양한 폴리스티렌 나노입자(122) 비율의 역상 폴리머 태양전지에 대하여, 태양광 유사 광원(AM 1.5G 100mW/cm2) 환경에서 측정한 결과를 보여준다. 또한 다음의 표 1은 역상 폴리머 태양전지에 대한 주요 특성(측정환경 : AM 1.5G 100mW/cm2)의 측정 결과를 요약하여 보여준다.
광활성화층 Φ NP V OC J SC ( mA / cm 2 ) Fill Factor PCE (%)
(a)
P3HT:OXCBA		 0 0.82 9.29 0.64 4.83
0.12 0.83 11.07 0.55 5.05
0.17 0.82 11.38 0.57 5.32
0.24 0.86 11.07 0.60 5.64
0.31 0.85 11.57 0.58 5.70
0.42 0.84 10.71 0.57 5.12
0.51 0.80 10.04 0.55 4.45
(b)
P3HT:PCBM		 0 0.63 8.95 0.63 3.55
0.17 0.64 9.44 0.61 3.67
0.24 0.64 9.73 0.62 3.92
0.31 0.63 10.20 0.61 3.91
0.42 0.65 9.84 0.61 3.87
도 3(a)와 표 1(a)에서 볼 수 있는 바와 같이, 순수한(Φ NP = 0) PEDOT:PSS 양극 버퍼층(120)을 가지는 역상 폴리머 태양전지의 경우 4.83%(V OC = 0.82V; J SC = 9.29 mA/cm2; FF = 0.64)의 전력변환효율(PCE)를 가지는 것을 알 수 있고, 이는 종래 보고된 자료와 일치하므로 비교 샘플이 적절하게 제작되었음을 알 수 있다. 또한, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 증가함에 따라 역상 폴리머 태양전지의 특성은 급격하게 개선되고 있음을 알 수 있는데, 특히 전력변환효율(PCE)은 5%를 넘어서는 것을 알 수 있다. 특히, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.31인 경우 P3HT:OXCBA를 사용한 역상 폴리머 태양전지의 전력변환효율은 5.70%(V OC = 0.85V; J SC = 11.57 mA/cm2; FF = 0.58)에 달하고 있고, 이는 상기 순수한 PEDOT:PSS 양극 버퍼층(120)을 사용한 비교 샘플의 경우와 비교할 때 18%의 개선 효과를 나타내고 있는 것이다. 이러한 효과는 주로 단락전류밀도(J SC )가 개선(Φ NP = 0 일 때 J SC = 9.29mA/cm2 ; Φ NP = 0.31 일 때 J SC = 11.57mA/cm2 )된 점에 기인한다고 볼 수 있다. 마지막으로, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.42까지 증가하는 경우, 폴리머 태양전지의 전력변환효율은 5.12%(V OC = 0.84V; J SC = 10.71 mA/cm2; FF = 0.57)까지 감소하는데, 그렇다 하더라도 여전히 상기 비교 샘플의 경우보다 높은 값을 보여준다.
도 3(b)와 표 1(b)에서는 P3HT:PCBM을 광활성화층(130)으로 사용하는 경우의 역상 폴리머 태양전지에 대하여 그 특성을 보여주고 있다. 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.31까지 증가함에 따라, 전력변환효율(PCE)은 3.91% 까지 증가하는 것을 알 수 있고, 이는 비교 샘플(Φ NP = 0 일때 PCE = 3.55%)의 경우보다 10% 성능이 개선된 경우에 해당한다. 따라서, 폴리스티렌 나노입자(122)가 추가됨으로써 단락전류밀도(Jsc) 특성이 개선되고, 이에 따라 전력변환효율(PCE) 특성이 개선되었다는 것을 알 수 있다. 따라서, P3HT:PCBM을 광활성화층(130)으로 사용한 태양전지의 특성은 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )에 따라 특성이 바뀔 수 있다는 점에서 P3HT:OXCBA를 사용한 태양전지의 경우와 매우 유사한 경향을 보인다는 점을 알 수 있고, 양자의 경우 광활성화층(130)에서 다른 물질을 사용함에도 불구하고 유사한 경향을 보인다는 점에서, 상술한 내용은 박막 구조 태양전지에 일반적으로 적용이 가능하다고 추론할 수 있다.
상기와 같은 측정 결과를 볼 때, 폴리스티렌 나노입자(122)의 PEDOT:PSS 박막에 대한 부피 비율(Φ NP )에 따른 태양전지의 특성을 고려하여, 상기 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )을 10% 내지 40% 범위 내에서 정하는 것이 바람직하다.
폴리스티렌 나노입자(PS NP)(122)-PEDOT:PSS 박막 양극 버퍼층(120)을 사용하는 역상 폴리머 태양전지의 전력변환효율(PCE) 특성 개선 효과를 보다 자세히 검토하기 위하여, 상기 PS NP-PEDOT:PSS 양극 버퍼층(120)과 은(Ag) 후면 전극(110)의 경계면의 단면을 투과전자현미경(TEM), 주사전자현미경(SEM), 원자간력현미경(AFM)을 사용하여 그 형상을 촬영하였다. 도 4는 투과주사현미경을 사용하여 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 각각 0인 경우(도 4(a), 0.24인 경우(도 4(b)), 0.42인 경우(도 4(c))에 대하여, ITO/ZnO/P3HT:OXCBA 광활성화층/PS NP-PEDOT:PSS 양극 버퍼층/Ag 후면 전극의 적층 구조를 가지는 역상 폴리머 태양전지의 단면을 촬영한 사진을 보여주고 있다.
도 4에서 볼 수 있는 투과주사현미경(TEM) 단면 촬영 사진은 초점 이온빔(Focused Ion Beam, FIB)법에 의하여 촬영되었다. 비교 샘플(Φ NP = 0)의 경우, PEDOT:PSS 양극 버퍼층(120)이 은(Ag) 후면 전극(110)과 P3HT:OXCBA 광활성화층(130) 사이에 위치하며, 부드러운 경계면을 가지고 있다는 것을 확인할 수 있다(도 4(a)). 이와 대조적으로, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 증가함에 따라 PS NP-PEDOT:PSS 양극 버퍼층(120)과 은(Ag) 후면 전극(110) 사이의 경계면이 울퉁불퉁하게 변하게 되는 것을 명확하게 확인할 수 있다. 예를 들어, 도 4(b)는 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.24인 경우로서, 은(Ag) 후면 전극(110)의 경계면에 울퉁불퉁한 나노구조가 형성되어 있고, 그 고점-저점 간의 차이(d1)가 약 10nm에 달한다는 것을 확인할 수 있다. 또한 이러한 고점-저점 간의 차이는 앞서 살핀 폴리스티렌 나노입자(122)의 직경(약 60nm)과 PEDOT:PSS 박막의 두께(약 50nm)의 차이(약 10nm)와 매우 유사하다는 것을 또한 알 수 있다. 도 4(c)에서 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.42까지 증가하는 경우, 은(Ag) 후면 전극(110)의 고점-고점 간의 거리(d2)는 줄어들고 있는 반면, 고점-저점 간의 차이(d1)는 큰 변화없이 유지된다는 점을 알 수 있다. 따라서, 상기 d2 값과 그에 따르는 고점의 주기는 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )의 함수로 나타낼 수 있을 것으로 예측할 수 있다. 주기적인 격자 모양을 가지는 전극의 경우, 격자의 크기 뿐만 아니라 격자 간의 거리도 빛의 산란 및 태양전지의 성능에 영향을 미치는 중요한 변수가 된다는 점이 알려져 있다. 덧붙여, 적층 구조의 단면에 대한 투과주사현미경(TEM) 사진으로부터 d1 값이 약 10nm 정도에 해당함을 알 수 있는 것과는 달리, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )에 따르는 고점-고점 간의 거리(d2) 값의 변동은 정확하게 측정하기 어렵다. 이는 투과주사현미경 이미지는 100 ~ 120nm 두께의 측정용 시편을 투과함으로 인하여 이미지가 번져서 나타나기 때문이다.
폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )에 따르는 은(Ag) 후면 전극(110) 표면의 나노구조 변화를 보다 정확하게 확인하기 위하여, PS NP-PEDOT:PSS 양극 버퍼층(120)의 표면 형상이 주사전자현미경(SEM)과 원자간력현미경(AFM)을 이용하여 촬영한 사진을 도 5와 도 6에서 보여주고 있다. 도 5는 주사전자현미경의 사진을 보여주고 있는데, 폴리스티렌 나노입자(122) 가 양극 버퍼층(120)에 무작위로 분포되어 있고, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 증가함에 따라 고점-고점 간의 거리(d2) 값이 감소하게 된다는 것을 보여 준다. 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0, 0.24, 0.42인 경우에 대한 주사전자현미경 사진이 각각 도 5(a), 도 5(b), 도 5(c)에 각각 도시되어 있다. 도 5 하단의 단위 막대(scale bar)는 1 μm를 나타내고 있다.
도 6은 원자간력현미경의 사진을 도시하고 있는데, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.24, 0.31, 0.42인 경우에 대하여 각각 도 6(a), 도 6(b), 도 6(c)에 도시되어 있다. 도 6 하단의 단위 막대(scale bar)는 300 nm를 나타내고 있다. 상기 각 경우에 대한 양극 버퍼층(120)의 표면거칠기(RMS surface roughness) 측정치는 12.4, 12.0, 10.2nm로 측정되고, 이에 따라 각 경우에 대한 고점-저점 간의 차이(d1) 값을 산출하였다. 이와 대조적으로, 평탄한(Φ NP = 0) 후면 전극(110)의 표면거칠기(RMS surface roughness) 값은 0.7nm 로 측정되었다. 이러한 결과는 도 4의 투과주사현미경의 측정 결과와 잘 들어 맞는다는 것을 알 수 있다. 은(Ag) 후면 전극(110)의 형상 변화는 양극 버퍼층(120)에서의 폴리스티렌 나노입자(122)의 돌출 형상에 따른 것으로 설명될 수 있다. 또한, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )에 따라 후면 전극(110)의 표면 형상이 변화하게 되고, 이에 따라 입사광이 갇히게(trapping) 되어 역상 폴리머 태양전지의 성능을 개선하는 효과를 나타내게 된다는 것을 알 수 있다.
도 7에서는 후면 전극(110)의 표면 형상과 전력변환효율(PCE) 간의 관계를 명확하게 보여주기 위하여, 태양전지의 외부퀀텀효율 스펙트럼(External Quantum Efficiency Spectra, EQE spectra)을 보여주고 있다. 도 7(a)에서 볼 수 있는 바와 같이, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 증가함에 따라 외부퀀텀효율(EQE)이 증가함을 명확하게 알 수 있다. 비교 샘플(Φ NP = 0)과 비교할 때, 넓은 범위의 파장에 대하여 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP ) 값에 상관없이 태양전지의 특성이 개선되었음을 분명하게 확인할 수 있다. 가장 성능 개선이 크게 나타나는 경우는 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.31인 경우로서, 단락전류밀도(J SC )와 전력변환효율(Φ NP )이 가장 크게 개선되었음을 알 수 있고, 이는 도 3에서 살핀 경우와 일치한다. 또한, 측정된 각 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )의 폴리머 태양전지에 대한 단락전류밀도(J SC ) 값은 외부퀀텀효율 스펙트럼으로부터 얻어진 값(Φ NP = 0 일 때 J SC , EQE = 9.03mA/cm2 ; Φ NP = 0.24 일 때 J SC , EQE = 11.05mA/cm2; Φ NP = 0.31 일 때 J SC = 11.29mA/cm2 ; Φ NP = 0.42 일 때 J SC = 10.76mA/cm2)과 3%의 오차 범위 내에서 일치한다.
후면 전극(110)의 표면 형상에 따라 입사광을 가두는(trapping) 효과를 보다 잘 이해하기 위하여, 도 8에서는 다양한 파장(405nm, 532nm, 650nm)의 레이져 광원이 P3HT:OXCBA를 광활성화층(130)으로 사용한 역상 폴리머 태양전지에 입사되어 산란되는 경우의 사진을 보여주고 있다. 평평한 후면 전극(110)(Φ NP = 0)을 사용하는 역상 폴리머 태양전지의 경우는 산란이 매우 적어 원형에 가까운 반사를 보여주고 있으나, 이와는 달리 울퉁불퉁한 나노구조 표면을 가지는 후면 전극(110)(Φ NP = 0.21, 0.31, 0.42)을 사용하는 역상 폴리머 태양전지의 경우는 불규칙한 나노구조 표면을 가지는 후면 전극(110)에 의한 산란이 발생하는 것을 확인할 수 있다. 도 8에서 볼 수 있는 바와 같이, 폴리스티렌 나노입자(122)의 비율(Φ NP )이 0.31인 경우 각 파장의 입사광에 대하여 가장 산란이 많이 발생하는 것을 알 수 있고, 따라서 이때 입사광을 가두는(trapping) 효과가 가장 크다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 평평한 후면 전극(Φ NP = 0)과 울퉁불퉁한 후면 전극(Φ NP = 0.31)의 경우에 대한 반사도(reflectance)를 측정한 결과를 도 9에서 도시하고 있다. 도 9에서 볼 수 있는 바와 같이 측정한 파장 범위(400nm ~ 700nm) 전부에서 평평한 후면 전극(110)의 경우 원형에 가까운 반사를 나타낸 반면, 울퉁불퉁한 후면 전극(110)의 경우 산란으로 인하여 반사광의 형상이 크게 달라졌음을 확인할 수 있었다. 이로부터 울퉁불퉁한 후면 전극(110)에 의하여 입사광이 산란되고 있음을 다시 한번 확인할 수 있다.
울퉁불퉁한 후면 전극(110)에 의하여 입사광이 불규칙하게 산란되면서 빛이 사선 방향으로 진행하여 광활성화층(130)에서 빛의 이동 경로가 증가하게 되고, 또한 빛이 내부 반사(internal reflection)에 의하여 반복적으로 반사되면서 효과적으로 흡수되게 되며, 이에 따라 광전류(photocurrent)도 증가하게 된다. 불규칙한 나노구조 표면을 가지는 후면 전극(110)의 경우 다양한 파장의 레이져 입사광에 대하여 모두 산란 효과가 있음을 볼 수 있고, 또한 그 경향성을 살펴보았을 때, 도 7의 외부퀀텀효율 스펙트럼에서 살핀 바와 마찬가지로 다양한 파장에 대하여 상당한 성능 개선효과가 있음을 또한 확인할 수 있었다.
결국, 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 폴리머 태양전지(100)는 다양한 파장의 입사광을 산란시켜 효율적으로 빛을 가두어(trapping) 빛의 이동 경로를 증가시킴으로써, 빛을 효율적으로 흡수하여 단락전류밀도(J SC )를 증가시키고 전력변환효율(PCE)을 개선할 수 있게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 불규칙한 나노구조 표면의 전극을 가지는 역상 폴리머 태양전지
110 : 후면 전극
120 : 양극 버퍼층
122 : 투명 고분자 나노입자
124 : PEDOT:PSS 폴리머
130 : 광활성화층
140 : 음극 버퍼층
150 : 투명 음전극

Claims (13)

  1. 투명 고분자 나노입자가 내장된 PEDOT:PSS 박막을 포함하여 구성되는 양극 버퍼층; 및
    상기 양극 버퍼층의 표면 형상을 따라 형성되는 후면 전극을 포함하여 구성되며,
    상기 투명 고분자 나노입자의 직경은 상기 PEDOT:PSS 박막의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 고분자 나노입자의 직경은 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명 고분자 나노입자는 물에 분산이 가능한 재질로 구성된 것임을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 투명 고분자 나노입자는 폴리스티렌, 실리카, 혹은 PMMA(polymethyl methacrylate) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명 고분자 나노입자의 상기 PEDOT:PSS 박막에 대한 부피 비율은 10 내지 40 퍼센트의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지.
  6. (a) 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머를 분산한 용액을 준비하는 단계;
    (b) 상기 용액을 광활성화층 상부에 코팅하는 단계;
    (c) 열처리를 통하여 상기 용액의 용매를 제거하고 양극 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 양극 버퍼층 상부에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,
    상기 양극 버퍼층의 두께는 상기 투명 고분자 나노입자의 직경보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    (a1) 투명 고분자 나노입자를 형성하는 단계; 및
    (a2) 상기 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머를 용매에 혼합한 후 분산하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 (a1) 단계는,
    유화 중합(emulsion polymerization) 반응을 이용하여 상기 투명 고분자 나노입자를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 (a1) 단계에서,
    물에 분산이 가능한 투명한 고분자 물질을 사용하여 상기 투명 고분자 나노입자를 형성하는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    폴리스티렌, 실리카, 혹은 PMMA(polymethyl methacrylate) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물을 사용하여 상기 투명 고분자 나노입자를 형성하는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서,
    직경이 200nm 이하인 투명 고분자 나노입자를 사용하는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 (a2) 단계에서,
    상기 투명 고분자 나노입자와 PEDOT:PSS 폴리머가 혼합되어 분산될 수 있고,
    친수성을 가지는 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 용매로서 물, 에탄올, 메탄올 또는 이소프로필알콜(IPA) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 역상 폴리머 태양전지 제조 방법.
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