KR101541182B1 - MIPI D-PHY circuit for Low-power mode - Google Patents

MIPI D-PHY circuit for Low-power mode Download PDF

Info

Publication number
KR101541182B1
KR101541182B1 KR1020130146539A KR20130146539A KR101541182B1 KR 101541182 B1 KR101541182 B1 KR 101541182B1 KR 1020130146539 A KR1020130146539 A KR 1020130146539A KR 20130146539 A KR20130146539 A KR 20130146539A KR 101541182 B1 KR101541182 B1 KR 101541182B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
low power
mipi
pmos transistor
phy circuit
drain
Prior art date
Application number
KR1020130146539A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150062030A (en
Inventor
이포
정세진
최유수
김형욱
김준봉
Original Assignee
주식회사 실리콘핸즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실리콘핸즈 filed Critical 주식회사 실리콘핸즈
Priority to KR1020130146539A priority Critical patent/KR101541182B1/en
Publication of KR20150062030A publication Critical patent/KR20150062030A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101541182B1 publication Critical patent/KR101541182B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate

Abstract

본 발명은 LP(Low-power)모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로에 관한 것으로, 본 발명에 따른 일 실시예는 최대 전류량 범위에서 풀 스윙 출력 전압의 변화율을 조절하는 로우 파워 트랜스미터 및 상기 풀 스윙 출력 전압을 수신하고, 제 1 기준 전압 및 제 2 기준 전압을 기초로 소정의 풀 스윙 로직 출력을 생성하는 로우 파워 리시버를 포함하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 고성능 저전력 인터페이스를 위한 MIPI D-PHY 아날로그 블록중 최대 10Mbps 속도와 1.2V 전압스윙을 갖는 비동기 명령어를 처리할 수 있다.The present invention relates to a D-PHY circuit for a MIPI operating in a low-power (LP) mode, and one embodiment of the present invention includes a low power transmitter for adjusting a rate of change of a full swing output voltage in a maximum current amount range, A D-PHY circuit for a MIPI operating in a low power mode comprising a low power receiver receiving a swing output voltage and generating a predetermined full swing logic output based on a first reference voltage and a second reference voltage, have. The D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode according to an embodiment of the present invention can handle asynchronous instructions with a maximum 10 Mbps speed and 1.2 V voltage swing among the MIPI D-PHY analog block for high performance low power interface .

Description

LP(Low-power)모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로{MIPI D-PHY circuit for Low-power mode}The D-PHY circuit for MIPI which operates in a low-power mode (MIPI D-PHY circuit for low-power mode)

본 발명은 LP(Low-power)모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로에 관한 것이다.
The present invention relates to a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power (LP) mode.

모바일 산업의 새로운 표준으로 MIPI가 떠오르고 있다. 고속 인터페이스와 절전 기능 등으로 주로 모바일에 적용되기 시작하고 있다. 최근 엘지의 옵티머스 블랙에 적용되는 엘지의 노바 디스플레이도 MIPI인터페이스를 적용한 것으로 알려져 있다. MIPI는 LCD의 인터페이스의 한 종류로서 고속인터페이스와 절전 기능으로 모바일 장치에서 관심을 모으고 있고, 유명한 아이폰4의 앱티나(Aptina)디스플레이도 MIPI인터페이스를 지원하도록 되어 있다.MIPI is emerging as a new standard in the mobile industry. High-speed interface and power-saving function. Recently, LG's Nova display, which applies to LG Optimus Black, is also known to have adopted the MIPI interface. MIPI is a kind of LCD interface that attracts attention from mobile devices with its high-speed interface and power saving function, and the famous Aptina display of iPhone 4 is also designed to support MIPI interface.

LCD의 인터페이스 종류로는 RGB 인터페이스, CPU 인터페이스 (I80, M68), SPI 인터페이스, MDDI 인터페이스, MIPI 인터페이스가 있다. MIPI는 Mobile Industry Processor Interface의 약자로, 모바일 디바이스라고 부르는 것은 크게 하드웨어와 소프트웨어로 구성되어 있다. 하드웨어 관점에서 보게 되면 디바이스의 중심에 다양한 메이커의 프로세서 또는 SOC(System on a chip)가 존재하고, 이것은 카메라, 디스플레이, 메모리 등과 연결이 되어 있다. LCD interface types include RGB interface, CPU interface (I80, M68), SPI interface, MDDI interface, and MIPI interface. MIPI stands for Mobile Industry Processor Interface. Mobile devices are largely composed of hardware and software. From a hardware point of view, there are various maker's processors or system on a chip (SOC) at the center of the device, which is connected to the camera, display, memory and so on.

그리고 이 프로세스에는 소프트웨어라 불리우는 애플리케이션 프로그램이 장착된다. MIPI는 프로세서와 주변장치들 사이의 하드웨어 및 소프트웨어를 위한 새로운 표준이다. 즉, 단말기내에서 BB-IC를 기준으로 카메라와 디스플레이(디지털 영역) 그리고 RF-IC(Wireless 영역) 사이의 시리얼 인터페이스의 새로운 규격을 의미한다. 이런 새로운 표준을 제정하는 MIPI 얼라이언스(Alliance)는 관련된 모바일 산업계내의 모든 회사에 아래 영역군별로 문호를 개방하고 있다. This process is followed by an application program called software. MIPI is a new standard for hardware and software between processors and peripherals. That is, it means a new standard of serial interface between camera, display (digital area) and RF-IC (wireless area) based on BB-IC in the terminal. The MIPI Alliance, which establishes these new standards, is open to all companies within the relevant mobile industry, including:

MIPI 얼라이언스는 현재 100여 개의 관련업체가 활발한 활동을 하고 있으며, 다른 산업계 표준 협회와 유사한 계층구조로서 구성원들을 조직하고 있다, 그 조직은 다음과 같이 4개의 영역으로 활동 범위를 나누고 있다. 어덥터(Adopters)는 MIPI 스펙을 사용해 MIPI 관련 제품을 개발할 수 있으며 모든 회사는 이 레벨의 멤버십 획득이 가능하다. 컨트리뷰터(Contributors)는 워킹 그룹에 참가하여 MIPI 스펙을 함께 정의하고 만들 수 있으며, 어덥터로서의 모든 권한을 갖는다. 현재 몇 개의 워킹 그룹이 있으며 이는 필요에 의해 만들어지고 또한 사라진다. 프로모터의 수는 한정(4개)되어 있다. 위원회의 투표에 의해 선출되며 2년의 기간 동안 활동한다. 파운더(Founders)는 상임이사로서의 지위를 갖는다.The MIPI Alliance is currently active in more than 100 related companies and organizes its members in a hierarchy similar to other industry standards associations. The organization is divided into four areas: Adopters can develop MIPI-related products using the MIPI specification, and all companies are eligible for membership at this level. Contributors can participate in a working group to define and create MIPI specifications together, and have full authority as an adapter. There are currently several working groups, which are created and disappear as needed. The number of promoters is limited (four). Shall be elected by a vote of the Committee and shall operate for a period of two years. Founders have a standing position.

MIPI의 구성은 크게 물리 계층(Physical Layers)과 프로토콜 계층(Protocol Layers)로 나누어 진다. MIPI D-Phy, DigRF v3 그리고 MIPI M-Phy이다. 이중 DigRF v3는 DigRF 컨소시엄에서 출발하여 2007년 4월 MIPI 얼라이언스 워킹 그룹으로 흡수되었다. 이 워킹 그룹은 RF-IC와 BB-IC사이의 스펙의 확정에 그 목적을 두고 있다.
The structure of MIPI is divided into Physical Layers and Protocol Layers. MIPI D-Phy, DigRF v3 and MIPI M-Phy. DigRF v3, which started with the DigRF consortium, was incorporated into the MIPI Alliance Working Group in April 2007. This working group aims at establishing specifications between RF-IC and BB-IC.

대한민국 공개특허 : 제10-2012-0049547호Korea Patent Publication: No. 10-2012-0049547

본 발명에 따른 일 실시예의 해결하고자 하는 과제는 고성능 저전력 인터페이스를 위한 MIPI D-PHY 아날로그 블럭 중 최대 10Mbps 속도와 1.2V 전압스윙을 갖는 비동기 명령어를 처리할 수 있는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 제공할 수 있다.A problem to be solved by one embodiment of the present invention is to provide a MIPI D-PHY analog block for a high-performance low-power interface and a DIP for a MIPI that operates in a low power mode capable of processing asynchronous commands having a maximum speed of 10Mbps and a voltage swing of 1.2V -PHY < / RTI > circuit.

본 발명에 따른 다른 실시예의 해결하고자 하는 과제는 단일출력 LP 모드 동작에 사용될 수 있는 MIPI용 D-PHY 회로를 제공할 수 있다.
Another object of the present invention is to provide a D-PHY circuit for MIPI that can be used in a single output LP mode operation.

본 발명에 따른 일 실시예는 최대 전류량 범위에서 풀 스윙 출력 전압의 변화율을 조절하는 로우 파워 트랜스미터 및 상기 풀 스윙 출력 전압을 수신하고, 제 1 기준 전압 및 제 2 기준 전압을 기초로 소정의 풀 스윙 로직 출력을 생성하는 로우 파워 리시버를 포함하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 제공할 수 있다.One embodiment according to the present invention is directed to a power management system including a low power transmitter that adjusts a rate of change of a full swing output voltage in a maximum current amount range and a full swing output voltage generator that receives the full swing output voltage and generates a predetermined full swing output voltage based on a first reference voltage and a second reference voltage PHY circuit for MIPI operating in a low power mode including a low power receiver for generating a logic output.

일 실시예에 있어서, 상기 로우 파워 트랜스미터는 제 1 PMOS 트랜지스터와 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 드레인에 직렬로 연결된 제 1 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 1 인버터, 제 2 PMOS 트랜지스터와 상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 드레인에 직렬로 연결된 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 2 인버터 및 제 3 PMOS 트랜지스터와 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 드레인에 직렬로 연결된 제 3 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 3 인버터를 포함할 수 있다.In one embodiment, the low power transmitter includes a first inverter including a first PMOS transistor and a first NMOS transistor connected in series to a drain of the first NMOS transistor, a second PMOS transistor having a drain connected to the drain of the first NMOS transistor, And a third inverter including a second inverter and a third PMOS transistor including a second NMOS transistor connected in series and a third NMOS transistor serially connected to a drain of the third NMOS transistor.

다른 실시예에 있어서, 상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 4 PMOS 트랜지스터, 상기 제 2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 5 PMOS 트랜지스터, 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 6 PMOS 트랜지스터, 상기 제 6 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 입력전압이 게이트에 연결되는 제 1 인버터 가속기 및 상기 제 6 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 입력전압이 게이트에 연결되는 제 2 인버터 가속기를 더 포함할 수 있다.In another embodiment, the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode includes a fourth PMOS transistor having a drain connected to the gate of the first PMOS transistor, a fourth PMOS transistor having a drain connected to the gate of the second PMOS transistor, A fifth PMOS transistor having a drain connected to the gate of the third PMOS transistor, a sixth PMOS transistor having a drain connected to the gate of the third PMOS transistor, a first inverter accelerator connected to a drain of the sixth PMOS transistor, And a second inverter accelerator connected to the drain of the first inverter and having the input voltage connected to the gate.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 4 NMOS 트랜지스터, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 5 NMOS 트랜지스터, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 6 NMOS 트랜지스터 및 상기 제 1 인버터, 상기 제 2 인버터와 상기 제 3 인버터의 스위칭 순서를 조절하는 트랜스 미션게이트를 더 포함할 수 있고, 상기 풀 스윙 출력 전압은 1.2V일 수 있다.In another embodiment, the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode includes a fourth NMOS transistor having a drain connected to a gate of the first NMOS transistor, and a drain connected to a gate of the second NMOS transistor A fifth NMOS transistor, a sixth NMOS transistor having a drain connected to the gate of the third NMOS transistor, and a transmission gate for adjusting the switching order of the first inverter, the second inverter, and the third inverter And the full swing output voltage may be 1.2V.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 로우 파워 리시버는 상기 풀 스윙 출력 전압을 복수의 트랜지스터로 수신하고, 상기 제 1 기준 전압 및 상기 제 2 기준 전압을 기초로 히스테리시스를 수행하여, 상기 풀 스윙 로직 출력을 생성하는 슈미트 트리거 회로일 수 있다.In another embodiment, the low power receiver receives the full swing output voltage by a plurality of transistors, and performs hysteresis based on the first reference voltage and the second reference voltage to generate the full swing logic output Generating Schmitt trigger circuit.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 상기 로우 파워 트랜스미터와 상기 로우 파워 리시버 사이에 연결되는 상기 로우 파워 컨텐션 디텍터를 더 포함하되, 상기 로우 파워 컨텐션 디텍터는 상기 로우 파워 트랜스미터와 상기 로우 파워 리시버가 양방향 전송 모드일때만 활성화될 수 있다.In yet another embodiment, the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode further comprises a low power contention detector coupled between the low power transmitter and the low power receiver, wherein the low power contention The detector can be activated only when the low power transmitter and the low power receiver are in the bidirectional transmission mode.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 최대 전송 속도는 10Mbps일 수 있고, 본 발명의 일시예는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 포함하는 드라이버 IC를 제공할 수 있고, 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 포함하는 휴대 단말기(Portable Terminal), 이동 단말기(Mobile Terminal), 텔레매틱스 단말기(Telematics Terminal), 노트북 컴퓨터(Notebook Computer), 디지털방송용 단말기, 개인 정보 단말기(Personal Digital Assistant: PDA), 와이브로 단말기(Wibro Terminal), IPTV(Internet Protocol Television) 단말기, AVN(Audio Video Navigation) 단말기, PMP(Portable Multimedia Player) 및 네비게이션 단말기(차량 네비게이션 장치)(Navigation Terminal) 중 선택되는 어느 하나의 단말기를 제공할 수 있다.
In another embodiment, the maximum transmission rate of the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode may be 10 Mbps, and a temporary example of the present invention includes a D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode A portable terminal, a mobile terminal, a telematics terminal, a notebook computer or the like, which includes a D-PHY circuit for MIPI that can operate in a low power mode, A PDA, a Wibro Terminal, an IPTV (Internet Protocol Television) terminal, an AVN (Audio Video Navigation) terminal, a PMP (Portable Multimedia Player), and a navigation terminal And a navigation terminal (vehicle navigation device) (Navigation Terminal) can be provided.

본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 고성능 저전력 인터페이스를 위한 MIPI D-PHY 아날로그 블록중 최대 10Mbps 속도와 1.2V 전압스윙을 갖는 비동기 명령어를 처리할 수 있다.The D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode according to an embodiment of the present invention can handle asynchronous instructions with a maximum 10 Mbps speed and 1.2 V voltage swing among the MIPI D-PHY analog block for high performance low power interface .

본 발명의 일 실시예에 따른 MIPI용 D-PHY 회로는 단일출력 LP 모드 동작에 사용될 수 있다.
The D-PHY circuit for MIPI according to an embodiment of the present invention may be used for single output LP mode operation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 내부 구성을 나타낸 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 로우 파워 트랜스미터(LP-TX)를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 부하 커패시터에 따른 LP-TX의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 로우 파워 리시버(LP-RX)를 나타낸 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 동작특성을 나타낸 결과이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.
1 is a block diagram illustrating an internal configuration of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing a low power transmitter (LP-TX) of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing a simulation result of LP-TX according to the load capacitor according to an embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram showing a low power receiver (LP-RX) of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph showing simulation results of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 and FIG. 8 show the results of operation characteristics of the D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.
9 is a graph showing simulation results of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

본 명세서 또는 출원에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.Specific structural and functional descriptions of the embodiments of the present invention disclosed herein are for illustrative purposes only and are not to be construed as limitations of the scope of the present invention. And should not be construed as limited to the embodiments set forth herein or in the application.

본 발명에 따른 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments according to the present invention can make various changes and have various forms, so that specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in this specification or application. It is to be understood, however, that it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the particular forms of disclosure, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기구성 요소들은 상기용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.The terms first and / or second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are intended to distinguish one element from another, for example, without departing from the scope of the invention in accordance with the concepts of the present invention, the first element may be termed the second element, The second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises ", or" having ", or the like, specify that there is a stated feature, number, step, operation, , Steps, operations, components, parts, or combinations thereof, as a matter of principle.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

MIPI(Mobile Industry Processor Interface)는 급격히 성장하는 모바일 IT 기기의 프로세서와 주변기기 사이에 인터페이스를 최적화하기 위한 표준이다. MIPI의 다양한 응용영역에서 공통으로 사용되는 PHY 레벨의 구성은 도 1과 같이 디지털 파트(Digital Part)과 아날로그 파트(Analog Part)로 이루어져 있다. 본 발명에 따른 일 실시예는 고성능 저전력 인터페이스를 위한 MIPI D-PHY 아날로그 블럭중 최대 10Mbps 속도와 1.2V 전압스윙을 갖는 비동기 명령어 처리용으로 사용되는 단일출력 LP(Low Power)모드 동작에 사용되는 LP-TX, LP-RX 및 LP-CD를 제공할 수 있다.The Mobile Industry Processor Interface (MIPI) is a standard for optimizing the interface between processors and peripherals in rapidly growing mobile IT devices. The PHY level configuration commonly used in various application areas of the MIPI is composed of a digital part and an analog part as shown in FIG. One embodiment of the present invention is an LP (Low Power) mode operation used for a single output LP (Low Power) mode operation used for processing asynchronous commands having a maximum 10Mbps speed and a 1.2V voltage swing among MIPI D-PHY analog blocks for a high performance low power interface -TX, LP-RX, and LP-CD.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 내부 구성을 나타낸 블럭도이다.1 is a block diagram illustrating an internal configuration of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 로우 파워 트랜스미터(LP-TX) 및 로우 파워 리시버(LP-RX)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode according to an embodiment of the present invention may include a low power transmitter (LP-TX) and a low power receiver (LP-RX).

로우 파워 트랜스미터(LP-TX)는 최대 전류량 범위에서 풀 스윙 출력 전압의 변화율을 조절할 수 있다.A low-power transmitter (LP-TX) can regulate the rate of change of the full-swing output voltage over the maximum current range.

로우 파워 리시버(LP-RX)는 풀 스윙 출력 전압을 수신하고, 제 1 기준 전압 및 제 2 기준 전압을 기초로 소정의 풀 스윙 로직 출력을 생성할 수 있다.The low power receiver (LP-RX) may receive the full swing output voltage and generate a predetermined full swing logic output based on the first reference voltage and the second reference voltage.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 로우 파워 트랜스미터(LP-TX)를 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a low power transmitter (LP-TX) of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 트랜스미터(LP-TX)는 제 1 인버터(D1), 제 2 인버터(D2) 및 제 3 인버터(D3)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, a low power transmitter LP-TX according to an embodiment of the present invention may include a first inverter D1, a second inverter D2, and a third inverter D3.

제 1 인버터(D1)는 제 1 PMOS 트랜지스터(MPD1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MND1)를 포함할 수 있다. 제 1 PMOS 트랜지스터(MPD1)의 드레인은 제 1 NMOS 트랜지스터(MND1)의 드레인에 연결될 수 있다. 또한, 제 1 PMOS 트랜지스터(MPD1)의 게이트는 제 4 PMOS 트랜지스터(MP2)의 드레인에 연결될 수 있고, 제 1 NMOS 트랜지스터(MND1)의 게이트는 제 4 NMOS 트랜지스터(MN2)의 드레인에 연결될 수 있다.The first inverter D1 may include a first PMOS transistor MPD1 and a first NMOS transistor MND1. The drain of the first PMOS transistor MPD1 may be connected to the drain of the first NMOS transistor MND1. The gate of the first PMOS transistor MPD1 may be connected to the drain of the fourth PMOS transistor MP2 and the gate of the first NMOS transistor MND1 may be connected to the drain of the fourth NMOS transistor MN2.

제 2 인버터(D2)는 제 2 PMOS 트랜지스터(MPD2)와 제 2 NMOS 트랜지스터(MND2)를 포함할 수 있다. 제 2 PMOS 트랜지스터(MPD2)의 드레인은 제 2 NMOS 트랜지스터(MND2)의 드레인에 연결될 수 있다. 또한, 제 2 PMOS 트랜지스터(MPD2)의 게이트는 제 5 PMOS 트랜지스터(MP3)의 드레인에 연결될 수 있고, 제 2 NMOS 트랜지스터(MND2)의 게이트는 제 5 NMOS 트랜지스터(MN3)의 드레인에 연결될 수 있다.The second inverter D2 may include a second PMOS transistor MPD2 and a second NMOS transistor MND2. The drain of the second PMOS transistor MPD2 may be connected to the drain of the second NMOS transistor MND2. The gate of the second PMOS transistor MPD2 may be connected to the drain of the fifth PMOS transistor MP3 and the gate of the second NMOS transistor MND2 may be connected to the drain of the fifth NMOS transistor MN3.

제 3 인버터(D3)는 제 3 PMOS 트랜지스터(MPD3)와 제 3 NMOS 트랜지스터(MND3)를 포함할 수 있다. 제 3 PMOS 트랜지스터(MPD3)의 드레인은 제 3 NMOS 트랜지스터(MND2)의 드레인에 연결될 수 있다. 또한, 제 3 PMOS 트랜지스터(MPD3)의 게이트는 제 6 PMOS 트랜지스터(MP4)의 드레인에 연결될 수 있고, 제 3 NMOS 트랜지스터(MND3)의 게이트는 제 6 NMOS 트랜지스터(MN4)의 드레인에 연결될 수 있다.The third inverter D3 may include a third PMOS transistor MPD3 and a third NMOS transistor MND3. The drain of the third PMOS transistor MPD3 may be connected to the drain of the third NMOS transistor MND2. The gate of the third PMOS transistor MPD3 may be connected to the drain of the sixth PMOS transistor MP4 and the gate of the third NMOS transistor MND3 may be connected to the drain of the sixth NMOS transistor MN4.

MND1 및 MPD1쌍은 제 1 인버터(D1)를 구성할 수 있다. MND2 및 MPD2쌍은 제 2 인버터(D2)를 구성할 수 있다. MND3 및 MPD3쌍은 제 2 인버터(D3)를 구성할 수 있다. 이것은 구동을 위한 큰 인버터를 출력의 변화율(slew-rate) 조절과 잡음 감소를 위해 3부분으로 나눈 것이다. MP2, MP3, MP4와 MN2, MN3, MN4은 각각 인버터들의 PMOS와 NMOS을 빠르게 끄기 위해 사용된다. 중앙에 있는 MN1과 MP1은 각각 인버터를 빠르게 켜기 위해 사용되며, TG(transmission gate)들은 D3, D2, D1의 순서대로 켜기 위해 지연을 만드는 저항의 역할로 사용된다. The pair of MND1 and MPD1 can constitute the first inverter D1. And the pair of MND2 and MPD2 can constitute the second inverter D2. The pair of MND3 and MPD3 can constitute a second inverter D3. This is a large inverter for driving divided into three parts for slew-rate regulation and noise reduction. MP2, MP3, MP4 and MN2, MN3 and MN4 are used to quickly turn off the PMOS and NMOS of the inverters, respectively. In the middle, MN1 and MP1 are used to turn on the inverters quickly, and transmission gates (TGs) are used as resistors to make delays to turn on in order of D3, D2, D1.

다른 실시예에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 트랜스미터(LP-TX)는 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 4 PMOS 트랜지스터, 제 2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 5 PMOS 트랜지스터, 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 6 PMOS 트랜지스터, 제 6 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 입력전압이 게이트에 연결되는 제 1 인버터 가속기 및 제 6 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 입력전압이 게이트에 연결되는 제 2 인버터 가속기를 더 포함할 수 있다.In another embodiment, a low power transmitter (LP-TX) according to an embodiment of the present invention includes a fourth PMOS transistor whose drain is connected to the gate of the first PMOS transistor, a fourth PMOS transistor whose drain is connected to the gate of the second PMOS transistor A fifth PMOS transistor having a drain connected to the gate of the third PMOS transistor, a sixth PMOS transistor having a drain connected to the gate of the third PMOS transistor, a first inverter accelerator connected to the drain of the sixth PMOS transistor, And a second inverter accelerator to which the input voltage is connected to the gate.

각 인버터의 폭(Width) 크기 조절을 통해 D3, D2, D1의 순서로 전류구동능력을 키우고, 켜질 때는 반대로 D3, D2, D1의 순서로 설정하면 된다. 그러면 작은 부하 커패시터를 구동할 때는 D3만 켜져도 충분한 전류가 공급되어 출력이 원하는 상태로 바뀌고 D2, D1는 출력상태가 이미 결정되어 전류가 흐르지 않는다. 큰 부하커패시터를 구동할 때는 D3이 켜져도 전류가 부족하여 출력이 충분히 변하지 않고 순서대로 D2, D1가 켜지면서 부하를 구동하는 전류를 늘려 출력의 변화율(Slew-rate)을 조절한다. LP-TX의 출력이 천이할 때의 기울기가 제시된 값보다 크지 않게 해야 그라운드 바운스로 인한 잡음의 발생을 줄일 수 있다. D3, D2, and D1 are used to increase the current drive capability in the order of the width of each inverter, and in the order of D3, D2, and D1 in reverse order. Then, when driving a small load capacitor, even if only D3 is turned on, sufficient current is supplied, the output is changed to a desired state, and D2 and D1 have already determined the output state and no current flows. When driving a large load capacitor, even if D3 is turned on, the output does not change sufficiently due to insufficient current, and D2 and D1 are turned on in order to increase the current driving the load to adjust the slew-rate of the output. If the slope of the output of the LP-TX is not greater than the given value, the occurrence of noise caused by the ground bounce can be reduced.

다른 실시예에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 트랜스미터(LP-TX)는 제 1 NMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 4 NMOS 트랜지스터, 제 2 NMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 5 NMOS 트랜지스터, 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 6 NMOS 트랜지스터 및 제 1 인버터, 제 2 인버터와 제 3 인버터의 스위칭 순서를 조절하는 트랜스 미션게이트를 더 포함할 수 있다. 또한, 풀 스윙 출력 전압은 1.2V일 수 있다.In another embodiment, a low power transmitter (LP-TX) according to an embodiment of the present invention includes a fourth NMOS transistor having a drain connected to the gate of the first NMOS transistor, a second NMOS transistor having a drain connected to the gate of the second NMOS transistor A fifth NMOS transistor, a sixth NMOS transistor having a drain connected to the gate of the third NMOS transistor, and a transmission gate for adjusting the switching order of the first inverter, the second inverter, and the third inverter. In addition, the full swing output voltage may be 1.2V.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 나타낸 회로도이다.3 is a circuit diagram showing a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로에서 A블럭은 트랜지스터가 온 되는 시간을 지연시키기 위한 커패시터와 저항을 나타낸다. B블럭은 INV0, INV1 및 INV2을 빠르게 오프(Off)하기 위한 것이다. C블럭은 INV0, INV1 및 INV2을 빠르게 온(On)하기 위한 것이다. INV0, INV1 및 INV2은 아웃풋 로딩을 구동하기 위한 인터버이다. 동작순서는 INV0이 동작하고, 다음 INV1이 동작한 후 INV2가 동작한다.Referring to FIG. 3, in a D-PHY circuit for a MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention, an A block represents a capacitor and a resistor for delaying a time when a transistor is turned on. The B block is for quickly turning off INV0, INV1 and INV2. The C block is for rapidly turning on INV0, INV1 and INV2. INV0, INV1 and INV2 are the interrupts for driving output loading. INV0 operates and INV2 operates after the next INV1.

작은 부하 커패시터를 구동할 때는 INV0만 동작을 하여도 충분한 전류가 공급되어 출력이 원하는 상태로 바뀌고 INV1, INV2는 출력상태가 이미 결정되어 전류가 흐르지 않는다. 큰 부하 커패시터를 구동할 때는 INV0가 구동되어도 전류가 부족하여 출력이 충분히 변하지 않고 순서대로 INV1, INV2가 구동되면서 부하를 구동하는 전류를 늘려 출력의 변화율(Slew-rate)를 조절한다.When driving a small load capacitor, even if only INV0 is operated, sufficient current is supplied and the output is changed to the desired state, and the output state of INV1 and INV2 is already determined and no current flows. When driving a large load capacitor, even if INV0 is driven, INV1 and INV2 are driven in order and the slew-rate of the output is increased by increasing the current driving the load in order that the output does not change sufficiently.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 부하 커패시터에 따른 LP-TX의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다. 4 is a graph showing a simulation result of LP-TX according to the load capacitor according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 입력인 Vi가 하강할 때 각 CLOAD는 각각 0, 5, 20, 70pF이다. 0, 5, 20pF일 때는 출력의 천이하는 기울기가 기준 점선보다 완만해야 하고 기준 천이시간보다 길어야 한다. 그러나 70pF일 때는 출력이 천이하는 기울기가 기준 점선보다 가파르게 변해야한다. 즉 천이시간이 기준 천이시간(25ns)보다는 짧아야 한다. 0.18V와 1.02V는 각각 LP-TX의 출력 스윙의 15%와 85%를 나타내는 기준 전압이다.Referring to FIG. 4, when the input Vi falls, the C LOADs are 0, 5, 20, and 70 pF, respectively. At 0, 5, 20pF, the slope of the output transition must be gentler than the reference dotted line and longer than the reference transition time. However, at 70 pF, the slope at which the output transits must change more steeply than the reference dotted line. That is, the transition time should be shorter than the reference transition time (25ns). 0.18V and 1.02V are the reference voltages that represent 15% and 85% of the LP-TX output swing, respectively.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 로우 파워 리시버(LP-RX)를 나타낸 회로도이다.5 is a circuit diagram showing a low power receiver (LP-RX) of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 리시버는 풀 스윙 출력 전압을 복수의 트랜지스터로 수신할 수 있다. 또한, 제 1 기준 전압 및 제 2 기준 전압을 기초로 히스테리시스를 수행하여, 풀 스윙 로직 출력을 생성하는 슈미트 트리거 회로일 수 있다.Referring to FIG. 5, a low power receiver according to an embodiment of the present invention can receive a full swing output voltage by a plurality of transistors. It may also be a Schmitt trigger circuit that performs hysteresis based on the first reference voltage and the second reference voltage to produce a full swing logic output.

LP-RX는 최대 10Mbps의 LP-TX의 1.2V 풀 스윙하는 출력을 입력으로 받아들여 마찬가지의 1.2V 풀 스윙 로직 출력을 하는 회로로써 2개의 기준전압을 갖고, 그 전압을 VIL, VIH 로 히스테리시스(hysteresis) 동작을 해야 한다. LP-CD(low-power contention detector)는 양방향 전송 모드가 될 때에만 활성화되는 블록으로 LP-RX와 동일한 구조에 기준전압만 다르다. 따라서, MIPI D-PHY에 LP-RX와 LP-CD용으로 히스테리시스 특성을 갖는 출력 버퍼로 도 4의 슈미트트리거(Schmitttrigger)를 사용하였다. MIPI D-PHY에 LP-RX와 LP-CD용으로 도 2와 같이 정확한 기준전압의 최소, 최대값이 명시되어 있다. 기준전압 VIH, VIL을 맞추고 전류소모를 최소화 하도록 아래 식(1) 및 (2)를 바탕으로 각각 MN1, MN3과 MP5, MP6의 폭 크기를 조절하였다.The LP-RX is a 1.2V full-swing logic output that accepts a 1.2V full-swing output of up to 10Mbps LP-TX as input, has two reference voltages, and converts that voltage to V IL , V IH Hysteresis must be performed. The low-power contention detector (LP-CD) is a block that is activated only when it is in bidirectional transmission mode. It has the same structure as the LP-RX and has a different reference voltage. Therefore, the Schmitttrigger of FIG. 4 was used as an output buffer having hysteresis characteristics for LP-RX and LP-CD in MIPI D-PHY. The minimum and maximum values of the reference voltage are specified for the LP-RX and LP-CD in the MIPI D-PHY as shown in Fig. The widths of MN1, MN3, MP5, and MP6 were adjusted based on the following equations (1) and (2) to minimize the current consumption by matching the reference voltages V IH and V IL .

Figure 112013109044129-pat00001
Figure 112013109044129-pat00001

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing simulation results of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 최소한의 W/L 사이즈를 구현하여 도 5와 같이 기준전압을 만족하는 히스테리시스 동작을 얻었지만, 스파이크(spike)와 인터퍼런스(interference)관련 특성 중 입력단에 100MHz 이상의 잡음 스파이크가 출력에 영향을 미치는 문제점이 발생했다. 잡음에 민감한 슈미트 트리거의 문제를 해결하기 위해 각 MOSFET의 W/L 비율은 유지하면서 L사이즈를 크게 하여 스위칭 속도를 늦추어 스파이크문제를 해결 하였다.Referring to FIG. 6, a hysteresis operation satisfying a reference voltage is obtained by implementing a minimum W / L size. However, a spike and an interference-related characteristic have a noise spike of 100 MHz or more Has a problem affecting the output. To solve the noise-sensitive Schmitt trigger problem, we solve the spike problem by slowing down the switching speed by increasing the L size while maintaining the W / L ratio of each MOSFET.

본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 최대 전송 속도는 10Mbps일 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 포함하는 드라이버 IC를 제공할 수 있으며, 휴대 단말기(Portable Terminal), 이동 단말기(Mobile Terminal), 텔레매틱스 단말기(Telematics Terminal), 노트북 컴퓨터(Notebook Computer), 디지털방송용 단말기, 개인 정보 단말기(Personal Digital Assistant: PDA), 와이브로 단말기(Wibro Terminal), IPTV(Internet Protocol Television) 단말기, AVN(Audio Video Navigation) 단말기, PMP(Portable Multimedia Player) 및 네비게이션 단말기(차량 네비게이션 장치)(Navigation Terminal) 중 선택되는 어느 하나의 단말기를 제공할 수 있다.The maximum transmission rate of the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode according to an embodiment of the present invention may be 10 Mbps. One embodiment of the present invention may provide a driver IC including a D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode and may be a portable terminal, a mobile terminal, a telematics terminal, A notebook computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a wibro terminal, an IPTV terminal, an AVN (Audio Video Navigation) terminal, a PMP Player and a navigation terminal (a navigation terminal) can be provided.

도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 동작특성을 나타낸 결과이다.FIG. 7 and FIG. 8 show the results of operation characteristics of the D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 커패시터의 용량이 증가하면 상승시간과 하강시간이 증가하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention increases the rise time and the fall time when the capacity of the capacitor increases Can be confirmed.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.9 is a graph showing simulation results of a D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 파워(Low-power) 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 커패시터의 용량이 증가하면 상승시간과 하강시간이 증가하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 9, the D-PHY circuit for MIPI operating in a low-power mode according to an embodiment of the present invention increases the rise time and the fall time when the capacity of the capacitor increases .

이제까지 본 발명에 대하여 그 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
The embodiments of the present invention have been described above. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.

LP-TX : 로우 파워 트랜스미터
LP-RX : 로우 파워 리시버
LP-CD : 로우 파워 컨텐션 디텍터
LP-TX: Low Power Transmitter
LP-RX: Low power receiver
LP-CD: Low power contention detector

Claims (10)

최대 전류량 범위에서 풀 스윙 출력 전압의 변화율을 조절하는 로우 파워 트랜스미터; 및
상기 풀 스윙 출력 전압을 수신하고, 제 1 기준 전압 및 제 2 기준 전압을 기초로 소정의 풀 스윙 로직 출력을 생성하는 로우 파워 리시버;
를 포함하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로에 있어서,
상기 로우 파워 트랜스미터는,
제 1 PMOS 트랜지스터와 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 드레인에 직렬로 연결된 제 1 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 1 인버터;
제 2 PMOS 트랜지스터와 상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 드레인에 직렬로 연결된 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 2 인버터;
제 3 PMOS 트랜지스터와 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 드레인에 직렬로 연결된 제 3 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 3 인버터;
상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 4 PMOS 트랜지스터;
상기 제 2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 5 PMOS 트랜지스터;
상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되는 제 6 PMOS 트랜지스터;
상기 제 6 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 입력전압이 게이트에 연결되는 제 1 인버터 가속기; 및
상기 제 6 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 입력전압이 게이트에 연결되는 제 2 인버터 가속기;
를 포함하되,
상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로에 연결되는 부하 커패시터의 용량이 커지면 상기 부하 커패시터의 용량이 작을 때에 비하여 최대 출력에 이르는 상승시간과 최저출력으로 복귀하는 하강시간이 증가하는 것을 특징으로 하는 MIPI용 D-PHY 회로.

A low power transmitter that adjusts the rate of change of the full swing output voltage in the maximum current range; And
A low power receiver receiving the full swing output voltage and generating a predetermined full swing logic output based on a first reference voltage and a second reference voltage;
A D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode,
The low power transmitter includes:
A first inverter including a first PMOS transistor and a first NMOS transistor serially connected to a drain of the first NMOS transistor;
A second inverter including a second PMOS transistor and a second NMOS transistor serially connected to a drain of the second NMOS transistor;
A third inverter including a third PMOS transistor and a third NMOS transistor serially connected to a drain of the third NMOS transistor;
A fourth PMOS transistor having a drain connected to a gate of the first PMOS transistor;
A fifth PMOS transistor having a drain connected to a gate of the second PMOS transistor;
A sixth PMOS transistor having a drain connected to a gate of the third PMOS transistor;
A first inverter accelerator coupled to the drain of the sixth PMOS transistor and having an input voltage connected to the gate; And
A second inverter accelerator coupled to a drain of the sixth NMOS transistor, the input voltage being coupled to a gate;
, ≪ / RTI &
When the capacity of the load capacitor connected to the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode is increased, the rise time to the maximum output and the fall time to return to the lowest output are increased compared to when the capacity of the load capacitor is small D-PHY circuit for MIPI.

삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 풀 스윙 출력 전압은 1.2V인 것을 특징으로 하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로.
The method according to claim 1,
Wherein the full swing output voltage is 1.2 V. The D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode.
제 1 항에 있어서,
상기 로우 파워 리시버는 상기 풀 스윙 출력 전압을 복수의 트랜지스터로 수신하고, 상기 제 1 기준 전압 및 상기 제 2 기준 전압을 기초로 히스테리시스를 수행하여, 상기 풀 스윙 로직 출력을 생성하는 슈미트 트리거 회로인 것을 특징으로 하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로.
The method according to claim 1,
The low power receiver is a Schmitt trigger circuit that receives the full swing output voltage by a plurality of transistors and performs hysteresis based on the first reference voltage and the second reference voltage to generate the full swing logic output D-PHY circuit for MIPI operating in low power mode.
제 1 항에 있어서,
상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로는 상기 로우 파워 트랜스미터와 상기 로우 파워 리시버 사이에 연결되는 상기 로우 파워 컨텐션 디텍터를 더 포함하되,
상기 로우 파워 컨텐션 디텍터는 상기 로우 파워 트랜스미터와 상기 로우 파워 리시버가 양방향 전송 모드일때만 활성화되는 것을 특징으로 하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로.
The method according to claim 1,
The D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode further includes a low power content detector coupled between the low power transmitter and the low power receiver,
Wherein the low power contention detector is activated only when the low power transmitter and the low power receiver are in a bidirectional transmission mode.
제 1 항에 있어서,
상기 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로의 최대 전송 속도는 10Mbps인 것을 특징으로 하는 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로.
The method according to claim 1,
And the maximum transmission rate of the D-PHY circuit for MIPI operating in the low power mode is 10 Mbps.
제 1 항 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 포함하는 드라이버 IC.
A driver IC comprising a D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode.
제 1 항 로우 파워 모드에서 동작하는 MIPI용 D-PHY 회로를 포함하는 휴대 단말기(Portable Terminal), 이동 단말기(Mobile Terminal), 텔레매틱스 단말기(Telematics Terminal), 노트북 컴퓨터(Notebook Computer), 디지털방송용 단말기, 개인 정보 단말기(Personal Digital Assistant: PDA), 와이브로 단말기(Wibro Terminal), IPTV(Internet Protocol Television) 단말기, AVN(Audio Video Navigation) 단말기, PMP(Portable Multimedia Player) 및 네비게이션 단말기(차량 네비게이션 장치)(Navigation Terminal) 중 선택되는 어느 하나의 단말기.
A portable terminal, a mobile terminal, a telematics terminal, a notebook computer, a digital broadcasting terminal, and a portable terminal including a D-PHY circuit for MIPI operating in a low power mode. (PDA), a Wibro Terminal, an IPTV (Internet Protocol Television) terminal, an AVN (Audio Video Navigation) terminal, a PMP (Portable Multimedia Player) and a navigation terminal Terminal).
KR1020130146539A 2013-11-28 2013-11-28 MIPI D-PHY circuit for Low-power mode KR101541182B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130146539A KR101541182B1 (en) 2013-11-28 2013-11-28 MIPI D-PHY circuit for Low-power mode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130146539A KR101541182B1 (en) 2013-11-28 2013-11-28 MIPI D-PHY circuit for Low-power mode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150062030A KR20150062030A (en) 2015-06-05
KR101541182B1 true KR101541182B1 (en) 2015-08-03

Family

ID=53499946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130146539A KR101541182B1 (en) 2013-11-28 2013-11-28 MIPI D-PHY circuit for Low-power mode

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101541182B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220081938A (en) 2020-12-09 2022-06-16 주식회사 블라썸테크놀로지 Symbol decoding system and method for mipi c-phy

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109819191B (en) * 2019-01-17 2021-05-04 武汉精立电子技术有限公司 MIPI C-PHY signal generator and signal generating method thereof
CN110334044B (en) * 2019-05-29 2022-05-20 深圳市紫光同创电子有限公司 MIPI DPHY transmitting circuit and equipment

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
비특허문헌1(2009.11)*

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220081938A (en) 2020-12-09 2022-06-16 주식회사 블라썸테크놀로지 Symbol decoding system and method for mipi c-phy

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150062030A (en) 2015-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7924066B2 (en) Low speed, load independent, slew rate controlled output buffer with no DC power consumption
US9584125B2 (en) Interface circuit
CN107257236B (en) Apparatus, system, and method for voltage level translation
US20100171538A1 (en) Buffer for driving circuit and method thereof
CN104124954A (en) Level conversion circuit and operation method thereof
KR101541182B1 (en) MIPI D-PHY circuit for Low-power mode
CN102111132A (en) High-speed full-difference clock duty cycle calibration circuit
KR20170051745A (en) MIPI D-PHY circuit
CN101847134B (en) Protocol interface device based on mobile industry processor interface
JP2009289248A (en) Method for reducing variation in cmos delay
US8847660B2 (en) Level shift switch and electronic device with the same
US7626446B2 (en) Charge pump capable of enhancing power efficiency and output voltage
US9166585B2 (en) Low power inverter circuit
CN104836570A (en) AND/XOR gate circuit based on transistor level
US20170264296A1 (en) Pre-driver for driving low voltage differential signaling (lvds) driving circuit
US10901486B2 (en) Configurable interconnect apparatus and method
KR100606172B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
US11777488B2 (en) Charge transfer between gate terminals of sub-threshold current reduction circuit transistors and related apparatuses and methods
CN108023464B (en) Ultralow standby power consumption circuit for motor driving chip
US7372303B2 (en) Semiconductor integrated circuit
Dragan et al. A high performance mixed-voltage digital output buffer
JPH09294063A (en) Semiconductor integrated circuit
CN209545549U (en) A kind of adjustable oscillator of number
US7215173B2 (en) Low-swing level shifter
EP3057236A1 (en) Driver circuit for single wire protocol slave unit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant