KR101538108B1 - Compositie for temperature sensor increased high-temperature resistance and tprocess for producing same - Google Patents

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박진성
이운영
윤정록
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조선대학교산학협력단
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Abstract

The present invention relates to a composition for a temperature sensor having high-temperature resistance and a method for manufacturing the same. The present invention is installed in a combustion engine and a connection component of the combustion engine to be capable of sensing temperature. The composition for a temperature sensor is capable of easily measuring the temperature in the low temperature and the high temperature. According to the present invention, the composition for a temperature sensor more easily controls resistance of the temperature in accordance with a change in the temperature in order to secure stability of a resistance value and a proper resistance range in the high temperature and having the resistance value of 90 Ω at the temperature of 900 degrees Cesius and having the resistance value of 0.9 MΩ at the temperature of 40 degrees Celsius below zero so as to easily measure the temperature although there is the change in the temperature in the low temperature and the high temperature.

Description

고온 저항을 높인 온도센서용 조성물 및 이의 제조방법{Compositie for temperature sensor increased high-temperature resistance and tprocess for producing same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a composition for a temperature sensor having a high temperature resistance and a method for producing the same,

본 발명은 연소기관 및 그 연결 부품에 설치되어 온도를 감지할 수 있는 온도센서용 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 저온 및 고온에서도 온도를 용이하게 측정할 수 있는 특성을 나타내는 온도센서용 조성물에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition for a temperature sensor, which is installed in a combustion engine and its connecting parts to detect a temperature, and a method for manufacturing the composition, and more particularly, to a composition for a temperature sensor showing a property of easily measuring a temperature even at a low temperature and a high temperature .

휘발유, 디젤, 등유, LNG, LPG 등의 화석연료가 고갈되어 감에 따라 화석연료의 값이 급등하고 있어 위 연료들의 연소 효율을 향상시킬 수 있는 기술의 개발이 절실히 요구되고 있다. 또한, 환경기준의 강화로 화석연료 연소시 발생하는 유해가스를 저감시킬 수 있는 각종 장치의 개발 역시 요구되고 있다. 이러한 기술의 하나로서 자동차의 배기장치에 설치되는 온도센서를 들 수 있다. 특히 디젤 자동차의 경우 연소시 발생하는 분진, NOx 등에 대한 규제가 더욱 강화되어 이러한 유해가스를 재연소시키거나 무해한 가스로 변환시킬 수 있는 배기장치의 장착이 거의 필수적이다. 상기 배기장치에 사용되는 온도센서는 기본적으로 500℃ 이상의 고온 환경에서도 최적의 효율을 나타내야 하기 때문에 정밀도가 높고 내구성이 강해야 한다. 또한 자동차가 운행되는 시간, 즉 주야와 계절에 따른 온도차 및 지역에 따른 온도차가 크기 때문에 약 0℃ - 900℃의 온도 범위 내에서 계측이 가능해야 한다.As fossil fuels such as gasoline, diesel, kerosene, LNG, and LPG are depleted, the value of fossil fuels is soaring that it is urgently required to develop a technology capable of improving the combustion efficiency of the above fuels. In addition, development of various devices capable of reducing harmful gas generated when fossil fuel is burned is also demanded by strengthening environmental standards. One such technique is a temperature sensor installed in an exhaust apparatus of an automobile. Particularly, in the case of diesel cars, regulation of dusts and NOx generated in combustion is further strengthened, so that it is almost necessary to mount an exhaust device capable of re-burning such harmful gas or converting it into harmless gas. Since the temperature sensor used in the exhaust system basically needs to exhibit the optimum efficiency even in a high temperature environment of 500 캜 or more, it is required to have high precision and high durability. Also, it is necessary to measure within the temperature range of 0 ° C - 900 ° C because the temperature difference depending on the time of driving the car, ie day and season, and the region, is large.

일반적으로 온도센서는 금속이나 금속산화물을 사용하여 제조하는데, 특히 고온의 환경에서 사용되는 온도센서는 주로 금속산화물로 제조한다. 상기 금속산화물 온도센서의 제작에는 주로 Fe2O3, NiO, Cr2O3, MnO2 등의 전이 금속 산화물이 이용된다. 일반적으로 상기 전이금속 산화물들은 Al2O3, SiO2, Y2O3 등의 소결 촉진제 혹은 저항 조절제와 함께 혼합되어 하소 및 소결 등의 세라믹 공정을 거친 후 온도센서로 제작된다. 일반적으로 이러한 세라믹스 온도센서는 상온에서는 저항값이 106 ohm 이상으로 너무 높고, 700℃ 이상의 고온에서는 저항값이 수 ohm 정도까지 낮아지는 특성을 나타낸다. 따라서 대부분의 세라믹스는 고온 저항을 높이는 것이 용이하지 않다.In general, temperature sensors are manufactured using metal or metal oxides. Temperature sensors used in high temperature environments are mainly made of metal oxides. Transition metal oxides such as Fe 2 O 3 , NiO, Cr 2 O 3 and MnO 2 are mainly used for the production of the metal oxide temperature sensor. Generally, the transition metal oxides are mixed with a sintering accelerator such as Al 2 O 3 , SiO 2 , Y 2 O 3 , or a resistance adjusting agent, and then subjected to a ceramic process such as calcination and sintering, followed by a temperature sensor. Generally, such a ceramic temperature sensor exhibits a resistance value of 10 6 ohm or more at room temperature and a resistance value of several ohm at a temperature of 700 ° C or higher. Therefore, it is not easy to increase the high temperature resistance of most ceramics.

그런데 상술한 바와 같이 자동차의 배기장치에 사용될 온도센서는 약 0℃의 저온에서부터 약 900℃의 고온에 이르기까지 넓은 온도범위에서 범용 계측기로 계측되어야 하는데, 상기 조건을 만족하려면 온도센서에 사용되는 금속산화물의 저항값이 0℃에서는 약 1 Mohm 정도가 되어야 하며, 900℃에서는 약 30 ohm 이상이 되어야 한다. 따라서 상기 일반적인 세라믹스 온도센서는 자동차의 배기장치에 사용하기에 적합하지 않았으며, 기존의 금속산화물 온도센서는 저온용, 중온용, 고온용 등으로 사용환경에 따라 구분하여 제조되었다. 한편, ZrO2는 상온에서 무한대의 저항값을 갖기 때문에 500℃ 이상의 고온용 온도센서로만 주로 사용되었다.However, as described above, the temperature sensor to be used in the exhaust apparatus of an automobile must be measured by a general-purpose instrument in a wide temperature range from a low temperature of about 0 ° C to a high temperature of about 900 ° C. The resistance of the oxide should be about 1 Mohm at 0 ℃ and about 30 ohm at 900 ℃. Therefore, the conventional ceramic temperature sensor is not suitable for use in an automobile exhaust system, and conventional metal oxide temperature sensors are classified according to use environments such as low temperature, medium temperature, and high temperature. On the other hand, ZrO 2 has an infinite resistance value at room temperature, so it is mainly used as a temperature sensor for high temperature of 500 ° C or more.

종래의 세라믹스 온도센서의 고온 저항이 매우 낮아지는 문제점을 해결하기 위해 고온에서 안정한 절연체 혹은 고 저항의 세라믹스를 별도로 고온 열처리하여 큰 입자의 고 저항 물질을 제조하고, 이것을 작은 입자의 저 저항 물질과 혼합하여 전체적인 저항을 높여서 0℃ 이하부터 900℃까지의 온도 범위에서 정밀하게 계측할 수 있는 온도센서를 제조하는 기술을 제공하고자 본 발명을 완성하게 되었다.In order to solve the problem that the high temperature resistance of the conventional ceramic temperature sensor is very low, a high temperature heat treatment of a high temperature resistant insulator or high resistance ceramics is separately performed to manufacture a high resistance material of a large particle, Thereby increasing the overall resistance, thereby completing the present invention to provide a technique for manufacturing a temperature sensor capable of precisely measuring in a temperature range from 0 ° C to 900 ° C.

한국공개특허 10-2013-0128965Korean Patent Publication No. 10-2013-0128965

상기와 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명의 목적은 광범위한 온도 범위에서 온도센서로 사용할 수 있으며, 특히 고온 저항성을 높인 온도센서용 조성물의 제조방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a composition for a temperature sensor which can be used as a temperature sensor over a wide temperature range, and which has a high temperature resistance.

또한, 본 발명의 다른 목적은 본 발명의 방법으로 제조된 온도센서용 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composition for a temperature sensor manufactured by the method of the present invention.

또한, 본 발명의 다른 목적은 본 발명의 온도센서용 조성물을 이용한 서미스터 소자를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a thermistor element using the composition for a temperature sensor of the present invention.

또한, 본 발명의 다른 목적은 본 발명의 서미스터 소자를 포함하는 온도센서를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a temperature sensor including the thermistor element of the present invention.

이에 본 발명은, (a) ZrO2 및 입자 성장과 상안정을 위한 첨가제를 혼합한 후, 1,000℃ 내지 2,000℃의 온도에서 10 내지 15시간 동안 열처리하여 고 저항체를 제조하는 단계; (b) Y0.9Ca0.1Al0.38Mn0.54Cr0.08O3의 화학식을 갖는 조성물을 1,000℃ 내지 1,500℃의 온도 에서 1 내지 5시간 동안 열처리하여 저 저항체를 제조하는 단계; 및 (c) 상기 (a) 단계의 고저항체와 상기 (b) 단계의 저저항체를 혼합하여 1,100℃ 내지 1,700℃의 온도에서 30 분 내지 2시간 동안 열처리하여 온도센서용 조성물을 제조하는 단계를 포함하는 온도 센서용 조성물 제조방법을 제공한다.(A) mixing ZrO 2 and an additive for grain growth and phase stabilization, and then heat-treating the mixture at a temperature of 1,000 ° C to 2,000 ° C for 10 to 15 hours to produce a high-resistance material; (b) heat-treating the composition having the formula of Y 0.9 Ca 0.1 Al 0.38 Mn 0.54 Cr 0.08 O 3 at a temperature of 1,000 ° C to 1,500 ° C for 1 to 5 hours to produce a low-resistance material; And (c) preparing a composition for a temperature sensor by mixing the high resistance material of step (a) and the low resistance material of step (b) at a temperature of 1,100 ° C to 1,700 ° C for 30 minutes to 2 hours And a method for manufacturing a composition for a temperature sensor.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 (a) 단계의 첨가제는 Y2O3, Al2O3, CeO2, MgO, SiO2, Ta2O5 및 ThO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the additive of the step (a) is selected from the group consisting of Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , CeO 2 , MgO, SiO 2 , Ta 2 O 5 and ThO 2 Or more.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 (a) 단계의 고저항체는 직경이 53 내지 100㎛인 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the high resistance member in the step (a) has a diameter of 53 to 100 탆.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 (a) 단계와 상기 (b)단계 분말의 혼합비 95 : 5 내지 5 : 95 중량비인 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the mixing ratio of the step (a) to the powder of step (b) in the step (c) is 95: 5 to 5:95.

또한, 본 발명은 본 발명의 방법에 따라 제조된 온도센서용 조성물을 제공한다.The present invention also provides a composition for a temperature sensor produced according to the method of the present invention.

또한, 본 발명은 본 발명의 온도센서용 조성물을 성형틀에 투입 및 가압하여 성형체를 제조하는 단계; 상기 성형체의 내부에 전극선(20)을 삽입하고 가압하는 단계; 및 상기 전극선(20)이 삽입된 성형체를 열처리하는 단계를 포함하는 온도센서의 제조방법을 제공한다.The present invention also relates to a method for producing a molded article, comprising the steps of: preparing a molded article by injecting and pressing a composition for a temperature sensor of the present invention into a mold; Inserting and pressing the electrode line (20) into the formed body; And heat treating the formed body having the electrode line (20) inserted thereinto.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상상기 성형체를 가압하는 단계는 전극선(20)의 삽입방향과 동일한 방향으로 압력을 가하는 것을 특징으로 한다.In the embodiment of the present invention, the step of pressing the primer molded article is characterized by applying a pressure in the same direction as the inserting direction of the electrode wire 20.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 전극선(20)이 삽입된 성형체를 열처리하는 단계는 1300-1500℃ 온도에서 0.5 내지 5시간 동안 열처리하여 성형체(10)를 물리화학적으로 반응시키고 전극선(20)과도 밀착시킬 수 있도록 된 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, the step of heat-treating the formed body inserted with the electrode line 20 may be performed by thermally treating the molded body at 1300 to 1500 ° C for 0.5 to 5 hours to physically chemically react the formed body 10, So that they can be brought into close contact with each other.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 전극선(20)은 순수한 백금(Pt) 또는 백금-로듐(Pt-Rh)의 합금으로 이루어진 것을 특징으로로 한다.In one embodiment of the present invention, the electrode line 20 is made of pure platinum (Pt) or an alloy of platinum-rhodium (Pt-Rh).

또한, 본 발명은 본 발명의 방법에 따라 제조된 온도센서를 제공한다.The present invention also provides a temperature sensor manufactured according to the method of the present invention.

본 발명에 따른 온도센서용 조성물의 경우, 온도변화에 따른 온도센서의 저항을 보다 용이하게 조절함으로써, 고온에서 저항값의 안정성 및 적절한 저항 범위를 확보할 수 있고, -40℃에서 0.9MΩ에서, 900℃에서 90Ω정도의 저항 값을 가져서 저온 및 고온의 온도변화에서도 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다.In the case of the composition for a temperature sensor according to the present invention, the resistance of the temperature sensor at a high temperature and an appropriate resistance range can be secured by more easily controlling the resistance of the temperature sensor according to the temperature change. It has a resistance value of about 90? At 900 占 폚, so that it can be easily measured even at a temperature change of low temperature and high temperature.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 센서 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 저저항체와 온도센서용 조성물의 온도-저항 측정 그래프이다.
1 is a cross-sectional view of a temperature sensor element according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing a temperature-resistance measurement of a composition for a low-resistance material and a temperature sensor according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 넓은 온도 범위에서 모두 사용될 수 있으며, 특히 고온 저항을 높인 온도센서용 조성물을 제공함에 그 특징이 있다.The present invention can be used in all of a wide temperature range, and is characterized in that it provides a composition for a temperature sensor having an increased high temperature resistance in particular.

따라서 본 발명은 1,000℃ 이상의 고온 열처리로 제작한 입자가 크고 저항이 높은 안정화된 ZrO2 분말과 입자가 작고 저항이 낮은 물질의 분말을 혼합하여 제작한 온도센서용 조성물로서, -40℃ 부터 900℃의 범위까지 저항을 계측할 수 있는 온도센서에 사용되는 온도센서용 조성물 제조방법을 제공한다.Accordingly, the present invention provides a composition for a temperature sensor which is prepared by mixing a stabilized ZrO 2 powder having a large particle size and a high resistance prepared by a high-temperature heat treatment at a temperature of 1,000 ° C. or higher, and a powder having a small particle size and low resistance, Wherein the temperature sensor is capable of measuring a resistance up to a range of a predetermined temperature.

본 발명의 온도센서용 조성물 제조방법은 (a) ZrO2와 입자 성장 및 상 안정을 위한 첨가제를 혼합한 후, 1,000℃ 내지 2,000℃의 온도에서 10 내지 15시간 동안 열처리하여 고 저항체를 제조하는 단계; (b) Y0.9Ca0.1Al0.38Mn0.54Cr0.08O3의 화학식을 갖는 조성물을 1,000℃ 내지 1,500℃의 온도 에서 1 내지 5시간 동안 열처리하여 저 저항체를 제조하는 단계; 및 (c) 상기 (a) 단계의 고저항체와 상기 (b) 단계의 저저항체를 혼합하여 1,100℃ 내지 1,700℃의 온도에서 30 분 내지 2시간 동안 열처리하여 온도센서용 조성물을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing a composition for a temperature sensor of the present invention comprises the steps of (a) mixing ZrO 2 with an additive for particle growth and phase stabilization, and then heat-treating the mixture at a temperature of 1,000 ° C. to 2,000 ° C. for 10 to 15 hours to prepare a high- ; (b) heat-treating the composition having the formula of Y 0.9 Ca 0.1 Al 0.38 Mn 0.54 Cr 0.08 O 3 at a temperature of 1,000 ° C to 1,500 ° C for 1 to 5 hours to produce a low-resistance material; And (c) preparing a composition for a temperature sensor by mixing the high resistance material of step (a) and the low resistance material of step (b) at a temperature of 1,100 ° C to 1,700 ° C for 30 minutes to 2 hours .

상기 a)단계의 고저항체의 경우, 본 발명의 온도센서용 조성물 전체의 저항을 높이는 역할을 하는 높은 저항을 나타내는 물질이다. 상기 저항 물질로 사용되는 금속 산화물은 단일상 금속 산화물뿐만 아니라 두 개 이상의 상을 혼합한 복합금속산화물, 입자 성장이나 상 안정을 위해 첨가제를 넣은 금속산화물, 또는 금속원소나 금속화합물 등이 사용될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 금속 산화물은 ZrO2 일 수 있다. ZrO2는 상온에서 무한대의 저항을 나타내므로, 약 500℃ 이상의 고온용 온도센서로만 주로 사용되었다. 큰 입자로 성장시킨 안정화 ZrO2는 상온에서는 거의 절연체의 특성을 갖기 때문에 범용 계측기로는 측정이 어렵지만, 약 900℃ 이상의 고온에서는 수백 ohm 정도의 저항을 나타낸다.In the case of the high resistance material in the step a), it is a material exhibiting a high resistance which serves to increase the resistance of the entire composition for a temperature sensor of the present invention. The metal oxide used as the resistance material may be a single metal oxide as well as a composite metal oxide in which two or more phases are mixed, a metal oxide containing an additive for grain growth or phase stability, a metal element or a metal compound, and the like . In a preferred embodiment of the present invention, the metal oxide may be ZrO 2 . Since ZrO 2 exhibits infinite resistance at room temperature, it was mainly used only as a temperature sensor for high temperatures of about 500 ° C or more. Stabilized ZrO 2 grown as large grains has almost insulator properties at room temperature, so it is difficult to measure with general-purpose instruments. However, it exhibits resistance of several hundred ohms at a temperature higher than about 900 ° C.

상기 b)단계는 낮은 저항값을 갖는 저저항체를 제조하는 단계로서 반도성 금속 산화물 또는 복합 금속 산화물 등이 사용될 수 있다. Y0 .9Ca0 .1Al0 .38Mn0 .54Cr0 .08O3는 낮은 저항값을 나타내는 작은 크기의 입자의 예로서, 상기 물질을 1,000℃ - 1,500℃, 바람직하게는 1,200℃의 온도로 약 2시간 동안 열처리하여 분말을 제조할 수 있다.In the step (b), a semiconductive metal oxide, a composite metal oxide, or the like may be used as a step of producing a low resistance material having a low resistance value. Y 0 .9 Ca 0 .1 Al 0 .38 Mn 0 .54 Cr 0 .0 O 3 is an example of a small size particle exhibiting a low resistance value. The material is heated to a temperature of 1,000 ° C. to 1,500 ° C., preferably 1,200 ° C. Lt; 0 > C for about 2 hours.

상기 c)단계는 크기가 크고 높은 저항을 나타내는 a)단계의 고저항체와 크기가 작고 낮은 저항을 나타내는 b)단계의 저저항체를 혼합하여 열처리하는 단계이다. 이와 같이 크기가 큰 물질과 크기가 작은 물질을 혼합하게 되면 상호간의 반응이 최소화되게 된다. 또한, 낮은 저항의 물질과 높은 저항의 물질을 혼합하여 제조하면 500℃ 이하의 상대적으로 낮은 온도범위에서는 저항이 낮은 물질이 주 저항 성분이 되고, 500℃ 이상의 상대적으로 높은 온도범위에서는 상기 높은 저항을 갖는 물질의 저항값이 작아져서 혼합비만큼 높은 저항을 갖는 물질이 저항 성분으로 기여하여 전체적인 저항이 높아지게 된다. 따라서 한 개의 센서로 넓은 온도범위에서 온도계측이 가능하게 되는 것이다.The step c) is a step of mixing a high resistivity material of the step a), which is large in size and high resistance, and a low resistance material of step b), which is small in size and exhibiting a low resistance. When such large and small substances are mixed, the mutual reaction is minimized. Also, when a low resistance material and a high resistance material are mixed, a material having a low resistance becomes a main resistance component in a relatively low temperature range of 500 DEG C or less, and a high resistance in a relatively high temperature range of 500 DEG C or more The resistance value of the material having a smaller resistance value becomes smaller, so that a material having a resistance as high as the mixing ratio contributes to the resistance component, thereby increasing the overall resistance. Therefore, it is possible to measure the temperature over a wide temperature range with one sensor.

본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 금속 산화물은 ZrO2 이며, 낮은 저항을 나타내는 작은 크기의 입자는 Y0 .9Ca0 .1Al0 .38Mn0 .54Cr0 .08O3 일 수 있다. 본 발명의 제조방법에 따라 상기 Y0.9Ca0.1Al0.38Mn0.54Cr0.08O3는 1200℃에서 2시간 동안 하소한 후 분쇄하여 작은 입자의 저 저항 분말로 사용될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the metal oxide is ZrO 2 and the small size particles exhibiting low resistance may be Y 0 .9 Ca 0 .1 Al 0 .38 Mn 0 .5 Cr 0 .08 O 3 have. According to the production method of the present invention, the Y 0.9 Ca 0.1 Al 0.38 Mn 0.54 Cr 0.08 O 3 may be calcined at 1200 ° C for 2 hours and then pulverized to be used as a low-resistance powder of small particles.

또한 상기 저 저항 물질의 저항을 높이기 위한 물질로 ZrO2를 1,550℃에서 12시간 동안 열처리하여 큰 입자의 고 저항을 나타내는 분말을 제조할 수 있다. 이때 순수한 ZrO2는 1,000℃ 전후의 상전이로 인한 부피 팽창율이 커서 이를 안정화할 필요가 있다. Also, as a material for increasing the resistance of the low-resistance material, ZrO 2 is heat-treated at 1,550 ° C for 12 hours to produce a powder exhibiting high resistance to large particles. At this time, the pure ZrO 2 has a large volume expansion ratio due to the phase transition around 1,000 ° C., and it is necessary to stabilize it.

따라서 ZrO2의 입자 성장 및 상 안정을 위해 Y2O3, CeO2, CaO, MgO 등의 첨가물을 20 mol%로 첨가해서 단사정(monoclinic)인 ZrO2를 모두 정방정(cubic)부터 ZrO2로 변화시킨 것을 사용했으나, Y2O3, CeO2, CaO, MgO 등을 3mol%까지 줄인 부부누 안정화 ZrO2를 사용해도 무방하다. 이에 따라 제조된 ZrO2 분말은 상 안정화된 큰 입자의 고 저항 물질로 기능한다. Thus, Y 2 O 3, CeO 2, CaO, both of ZrO 2 by the addition of MgO and so on added to 20 mol% monoclinic (monoclinic) tetragonal (cubic) from ZrO 2 to the grain growth and the stabilization of the ZrO 2 , But it is also possible to use ZrO 2 which is reduced to 3 mol% of Y 2 O 3 , CeO 2 , CaO, MgO or the like. The ZrO 2 powder thus prepared functions as a phase-stabilized large-particle high-resistance material.

또한 ZrO2와 유사한 고융점이며 고저항 물질인 Al2O3, Y2O3, CeO2, MgO, SiO2, Ta2O5, ThO2 등의 단성분이나 이들을 대체할 목적으로 두상 이상을 혼합한 복합금속산화물, 입자 성장이나 상 안정을 위해 첨가제를 넣은 금속산화물, 그리고 금속원소나 금속화합물를 산화시킨 금속 산화물을 저 저항 물질과 혼합하는 경우에도 기울기 제어와 적절한 저항 값을 얻을 수 있다.It is also possible to use a single component such as Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , CeO 2 , MgO, SiO 2 , Ta 2 O 5 and ThO 2 , which are high melting point and high resistance materials similar to ZrO 2 , The slope control and the appropriate resistance value can be obtained even when the mixed metal oxide is mixed with a metal oxide doped with an additive for grain growth or phase stabilization, and a metal oxide or a metal oxide is oxidized with a low resistance material.

또한 고 저항 물질인 ZrO2는 입도 분급을 위한 분쇄과정에서 작은 미립자가 생성 될 수 있다. 큰 입자에 비하여 작은 미립자는 저 저항 물질과의 반응성이 커서 저항 및 기울기 제어가 어려울 수 있다. 체가름 혹은 수비를 실시하여 너무 작거나 큰 입자를 제거하여 일정 범위의 입자만을 사용하면 온도센서의 저항 조절 및 기울기를 보다 용이하게 제어할 수 있다. 상기 고 저항 물질인 ZrO2의 직경은 바람직하게는 53 내지 100㎛ 범위의 입자를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, ZrO 2, which is a high-resistance material, can generate small particles in the grinding process for particle size classification. Smaller particles than the large particles have a high reactivity with the low-resistance material, so resistance and tilt control may be difficult. If the particle size is too small or too large, only a certain range of particles can be used to control the resistance and tilt of the temperature sensor more easily. The diameter of ZrO 2 , which is a high-resistance material, is preferably in the range of 53 to 100 μm.

저 저항의 Y0 .9Ca0 .1Al0 .38Mn0 .54Cr0 .08O3와 반응을 최소화하기 위해 큰 입자의 고 저항 물질인 ZrO2를 혼합하여 제조하면 -40℃ 내지 500℃ 범위에서는 ZrO2 저항이 매우 커서 저항이 낮은 Y0.9Ca0.1Al0.38Mn0.54Cr0.08O3조성이 주 저항 성분이 되고, 500℃ -내지 900℃ 범위의 고온에서는 ZrO2 저항값이 작아져서 혼합비만큼 ZrO2도 저항 성분에 기여하여 전체적인 저항을 높이게 되므로, -40℃ 부터 900℃까지의 전 범위에서 한 개의 센서가 모두 저항 측정, 즉 온도계측을 할 수 있게 된다. 통상의 ZrO2 안정화 온도는 1300℃ 이하이므로 통상의 안정화 온도보다 높은 1,550℃의 고온에서 열처리를 하면 입자가 매우 크게 성장하게 된다. In order to minimize the reaction with low resistance Y 0 .9 Ca 0 .1 Al 0 .38 Mn 0 .5 Cr 0 .0 O 3 , ZrO 2 , which is a high-resistance material of large particles, The ZrO 2 resistance is very large, so that the composition of Y 0.9 Ca 0.1 Al 0.38 Mn 0.54 Cr 0.08 O 3 having a low resistance becomes the main resistance component, and the ZrO 2 resistance value becomes small at a high temperature in the range of 500 ° C. to 900 ° C., The ZrO 2 contributes to the resistance component and increases the overall resistance. Therefore, one sensor can perform resistance measurement, that is, temperature measurement in the entire range from -40 ° C to 900 ° C. Since the normal ZrO 2 stabilization temperature is 1300 ° C or lower, the particles grow very large when the heat treatment is performed at a high temperature of 1,550 ° C higher than the normal stabilization temperature.

따라서 치밀화를 위한 소결 과정에서 저 저항체 물질과 반응을 위한 확산거리가 멀어져서 반응이 최소화되어, 고 저항 ZrO2의 특성이 1,400℃의 소결 중에도 유지되게 되는 것이다. Therefore, in the sintering process for densification, the diffusion distance for the reaction with the low-resistance material becomes far away and the reaction is minimized, so that the characteristic of the high-resistance ZrO 2 is maintained during the sintering at 1,400 ° C.

본 발명의 일실시예에서, 1,200℃, 2시간의 조건으로 하소한 Y0 .9Ca0 .1Al0 .38Mn0 .54Cr0 .08O3의 화학식을 갖는 크기가 작은 저 저항 분말 입자를 1,550℃, 12시간의 조건으로 열처리하여 안정화시킨 큰 입자의 고 저항 ZrO2 분말과 각각 7:3의 비로 혼합하여 1,400℃에서 1시간 동안 소결 열처리할 경우, -40℃ 부터 900℃까지의 범위에서 정밀하게 온도를 계측할 수 있는 금속산화물 소결체를 제공할 수 있다.In one embodiment of the present invention, a small-sized low-resistance powder having a formula of Y 0 .9 Ca 0 .1 Al 0 .38 Mn 0 .5 Cr 0 .0 O 3 calcined at 1,200 ° C. for 2 hours When the particles are mixed at a ratio of 7: 3 with the high-resistance ZrO 2 powder stabilized by heat treatment at 1,550 ° C. for 12 hours and sintered at 1,400 ° C. for 1 hour, It is possible to provide a metal oxide sintered body capable of precisely measuring the temperature in the range.

또한 본 발명은 상기 온도 센서용 조성물을 이용한 서미스터 소자 또는 온도센서를 제공할 수 있다. 일반적으로 온도센서는 금속이나 금속산화물을 사용하여 제조하는데, 특히 고온의 환경에서 사용되는 온도센서는 주로 금속산화물로 제조한다. 상기 금속산화물 온도센서의 제작에는 주로 Fe2O3, NiO, Cr2O3, MnO2 등의 전이금속 산화물이 이용된다. 상기 전이금속 산화물은 Al2O3, SiO2, Y2O3 등의 소결 촉진제 혹은 저항 조절제와 함께 혼합되어 하소하고 소결하는 세라믹 공정으로 시편을 제조한다. 시편 제조 후 시편 표면에 전극을 인쇄 혹은 도금하여 형성하고, 여기에 Ni, Pt, Au, Cu 등의 전극선(lead wire)를 접합하여 소자를 제조할 수 있다.
Further, the present invention can provide a thermistor element or a temperature sensor using the composition for a temperature sensor. In general, temperature sensors are manufactured using metal or metal oxides. Temperature sensors used in high temperature environments are mainly made of metal oxides. Transition metal oxides such as Fe 2 O 3 , NiO, Cr 2 O 3 and MnO 2 are mainly used for the production of the metal oxide temperature sensor. The transition metal oxide is mixed with a sintering accelerator such as Al 2 O 3 , SiO 2 , Y 2 O 3 , or a resistance modifier, and the ceramic material is calcined and sintered. After manufacturing the test piece, electrodes can be printed or plated on the surface of the test piece, and a lead wire of Ni, Pt, Au, Cu or the like can be bonded to the surface of the test piece.

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following Examples are only the preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited by the following Examples.

<< 실시예Example 1> 1>

금속산화물 시료The metal oxide sample

본 발명에 사용한 금속산화물 시료는 Y2O3, CaCO3, Al2O3, MnO2, Cr2O3 및 ZrO2의 금속산화물을 사용하였다. 이들의 화학조성은 열처리 후에도 몰 정수비를 이루는 것으로 가정했으며, 상기 금속성분들은 필요에 따라 산화시켜 사용할 수 있고, 전이금속 산화물의 경우에는 몰 조성비가 변할 수 있음을 고려해야 한다.
As the metal oxide samples used in the present invention, metal oxides of Y 2 O 3 , CaCO 3 , Al 2 O 3 , MnO 2 , Cr 2 O 3 and ZrO 2 were used. It is assumed that the chemical compositions thereof are assumed to be molar ratios even after the heat treatment, and that the metallic components can be used by oxidizing if necessary, and that the molar composition ratio of the transition metal oxide may be changed.

<< 실시예Example 2> 2>

저 저항체 제조Low resistance manufacturing

저 저항체 제조를 위한 조성으로 Al 함량을 0.4 이하인 Y0.9Ca0.1Al0.38Mn0.54Cr0.08O3 조성으로 선택하였다. 이들 조성에 맞도록 Y2O3, CaCO3, Al2O3, MnO2, Cr2O3 시약을 각각 0.9mol, 0.1mol, 0.38mol, 0.54mol, 0.08mol 정량을 한 후 증류수와 ZrO2 볼(10mm와 2mm 볼을 1:2의 비율로 넣어 습식 혼합하고 건조하여, 1400℃에서 2시간 하소 열처리를 하여 저 저항체를 합성하였다.
The composition of Y 0.9 Ca 0.1 Al 0.38 Mn 0.54 Cr 0.08 O 3 having an Al content of 0.4 or less was selected as a composition for the production of a low resistance material. 0.1 mol, 0.38 mol, 0.54 mol, and 0.08 mol of Y 2 O 3 , CaCO 3 , Al 2 O 3 , MnO 2 and Cr 2 O 3 reagents were weighed and mixed with distilled water and ZrO 2 The balls (10 mm and 2 mm balls were mixed at a ratio of 1: 2, wet mixed, dried, and calcined at 1400 캜 for 2 hours to synthesize low resistivity bodies.

<< 실시예Example 3> 3>

고 저항체 제조High resistance manufacturing

ZrO2 에 20mol% Y2O3를 첨가하여 안정화한 20YSZ를 사용하였다. ZrO2는 1200℃에서 단사정계(monoclinic)가 사방정계(tetragonal)로 전이하며 급격한 부피변화가 생기므로 균일한 부피 변화를 위해 단일상으로 안정화 해야한다. 20mol% Y2O3를 첨가한 ZrO2를 ZrO2 융점 1/2이상의 온도에서 열처리하여 안정화 시켜 YSZ(Yttria Stabilized Zircinia)로 제조하였다. 20mol% Y2O3 첨가한 안정화 ZrO2( 20YSZ )는 분쇄와 체가름 혹은 수비를 통해 입자 직경이 53-100um 범위인 것만 걸러 사용하였다.
ZrO 2 Was used and 20YSZ stabilized by adding 20 mol% Y 2 O 3 was used. ZrO 2 has a monoclinic transition to tetragonal at 1200 ° C and a rapid volume change, so it must be stabilized in a single phase for uniform volume change. ZrO 2 to which 20 mol% Y 2 O 3 was added was stabilized by heat treatment at a temperature equal to or higher than the ZrO 2 melting point to prepare Yttria Stabilized Zirconia (YSZ). The stabilized ZrO 2 (20YSZ) added with 20mol% Y 2 O 3 was used for every particle size range of 53-100um through pulverization, sieving or deflection.

<< 실시예Example 4> 4>

온도센서 제작Manufacture of temperature sensor

저저항체인 Y0 .9Ca0 .1Al0 .38Mn0 .54Cr0 .08O3와 고저항체인 20YSZ(20mol% Y2O3 added ZrO2)를 7:3의 질량비로 정량하고 1시간 혼합하여 균일한 혼합이 되도록 하였다. 혼합된 분말을 성형틀에 일정량 투입 가압하여 성형체를 제작하였다. 성형체(10)의 크기는 2x2x2mm이고, 전극(20)은 직경 0.3 mm의 Pt-13%Rh 합금을 사용하였다. 전극(20) 간격이 0.5mm가 되도록 삽입하여 가압 성형하고 성형시 직경 0.3mm, 길이 10mm인 Pt-Rd 합금선 일부가 도 1과 같이 성형체 내부에 삽입되도록 하여 전극이 되도록 하였다. 성형체는 1400℃에서 2시간 동안 공기 중에서 동시 소결하여 온도센서를 제작하였다.
The low resistance of Y 0 .9 Ca 0 .1 Al 0 .38 Mn 0 .54 Cr 0 .08 O 3 and a high resistance body of 20YSZ (20mol% Y 2 O 3 added ZrO 2) 7: Determination in a mass ratio of 3, and And the mixture was mixed for 1 hour to achieve uniform mixing. A predetermined amount of the mixed powder was put into a mold and pressed to produce a molded body. The size of the molded body 10 was 2 x 2 x 2 mm, and the electrode 20 was a Pt-13% Rh alloy having a diameter of 0.3 mm. The electrode 20 was inserted so that the gap was 0.5 mm, and the electrode was formed by press-molding a part of a Pt-Rd alloy wire having a diameter of 0.3 mm and a length of 10 mm at the time of molding, as shown in Fig. The molded body was sintered in air at 1400 ° C for 2 hours to manufacture a temperature sensor.

<< 실험예Experimental Example 1> 1>

온도센서의 저항특성Resistance characteristic of temperature sensor

상기 실시예 2의 저저항체와 상기 실시예 4의 온도센서의 온도-저항을 측정하였다. 도 2에서와 같이 저저항체의 온도-저항특성(30) 결과를 살펴보면, -40℃ 온도에서 저항은 약 0.02MΩ, 900℃ 온도에서 6Ω 정도로 측정되고, 본 발명의 실시예 4의 온도센서의 온도-저항특성(40) 결과의 경우 -40℃ 온도에서 저항은 약 0.9MΩ, 900℃ 온도에서 90Ω 정도로 측정 된다.
The temperature-resistance of the low resistance body of Example 2 and the temperature sensor of Example 4 was measured. 2, the resistance is measured at about 0.02 M? At a temperature of -40 占 폚, about 6? At a temperature of 900 占 폚, and the temperature of the temperature sensor of the fourth embodiment of the present invention - Resistance characteristic (40) In the case of the result, the resistance is measured at about 0.9 MΩ at -40 ° C. and about 90 Ω at 900 ° C. temperature.

따라서, 본 발명에 따른 고온저항성을 높인 온도센서용 조성물의 경우 온도변화에 따른 온도센서의 저항을 보다 용이하게 조절함으로써, 고온에서 저항값의 안정성 및 적절한 저항 범위를 확보할 수 있고, 온도변화에 따른 저항값이 상온에서 수 MΩ정도, 500-600℃에서 수십Ω정도로 나타내도록 함으로써 온도변화를 고온에서도 용이하게 측정할 수 있는 장점이 있다.
Therefore, in the case of the composition for a temperature sensor having a high temperature resistance according to the present invention, the resistance of the temperature sensor according to the temperature change can be more easily controlled, the stability of the resistance value and the appropriate resistance range can be ensured at a high temperature, The resistance value according to the present invention is expressed in a range of about several MΩ at room temperature to about several tens of ohms at 500-600 ° C. Thus, the temperature change can be easily measured even at a high temperature.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특히 청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.

10 : 성형체
20 : 전극선
30 : 본 발명의 저 저항체의 온도-저항 특성
40 : 본 발명의 온도센서용 조성물의 온도-저항 특성
10: Molded body
20: Electrode line
30: Temperature-resistance characteristic of the low resistance material of the present invention
40: Temperature-resistance characteristic of the composition for a temperature sensor of the present invention

Claims (10)

(a) ZrO2 및 입자 성장과 상안정을 위한 첨가제를 혼합한 후, 1,000℃ 내지 2,000℃의 온도에서 10 내지 15시간 동안 열처리하여 고 저항체를 제조하는 단계;
(b) Y0 .9Ca0 .1Al0 .38Mn0 .54Cr0 .08O3의 화학식을 갖는 조성물을 1,000℃ 내지 1,500℃의 온도 에서 1 내지 5시간 동안 열처리하여 저 저항체를 제조하는 단계; 및
(c) 상기 (a) 단계의 고저항체와 상기 (b) 단계의 저저항체를 혼합하여 1,100℃ 내지 1,700℃의 온도에서 30 분 내지 2시간 동안 열처리하여 온도센서용 조성물을 제조하는 단계를 포함하는, 온도센서용 조성물 제조방법.
(a) ZrO 2 And additives for particle growth and phase stability, and then heat-treating the mixture at a temperature of 1,000 ° C to 2,000 ° C for 10 to 15 hours to produce a high-resistance material;
(b) a composition having the formula Y 0 .9 Ca 0 .1 Al 0 .38 Mn 0 .5 Cr 0 .0 O 3 is subjected to a heat treatment at a temperature of 1,000 ° C. to 1,500 ° C. for 1 to 5 hours to produce a low- ; And
(c) mixing the high-resistance material of step (a) and the low-resistance material of step (b) and thermally treating the material at a temperature of 1,100 ° C to 1,700 ° C for 30 minutes to 2 hours to prepare a composition for a temperature sensor , A method for manufacturing a composition for a temperature sensor.
제 1항에 있어서,
상기 (a) 단계의 첨가제는 Y2O3, Al2O3, CeO2, MgO, SiO2, Ta2O5 및 ThO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 온도 센서용 조성물 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the additive in the step (a) is at least one selected from the group consisting of Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , CeO 2 , MgO, SiO 2 , Ta 2 O 5 and ThO 2 . Gt;
제 1항에 있어서,
상기 (a) 단계의 고저항체는 직경이 53 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 온도센서용 조성물 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the high resistance material in step (a) has a diameter of 53 to 100 mu m.
제 1항에 있어서,
상기 (c) 단계에서 상기 (a) 단계의 고 저항체와 상기 (b)단계의 저 저항체는 95 : 5 내지 5 : 95의 중량비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 온도센서용 조성물 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the high resistivity material in step (a) and the low resistivity material in step (b) are mixed in a weight ratio of 95: 5 to 5:95 in step (c).
제 1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따라 제조된 온도센서용 조성물.A composition for a temperature sensor produced according to any one of claims 1 to 4. 제 5항의 온도센서용 조성물을 성형틀에 투입 및 가압하여 성형체를 제조하는 단계;
상기 성형체의 내부에 전극선(20)을 삽입하고 가압하는 단계; 및
상기 전극선(20)이 삽입된 성형체를 열처리하는 단계를 포함하는 온도센서의 제조방법.
A process for producing a molded article according to claim 5, wherein the composition for a temperature sensor is put into a mold and pressurized to produce a molded article;
Inserting and pressing the electrode line (20) into the formed body; And
And thermally treating the formed body into which the electrode line (20) is inserted.
제 6항에 있어서,
상기 성형체를 가압하는 단계는 전극선(20)의 삽입방향과 동일한 방향으로 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 온도센서의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the step of pressing the molded body applies a pressure in the same direction as the inserting direction of the electrode line (20).
제 6항에 있어서,
상기 전극선(20)이 삽입된 성형체를 열처리하는 단계는 1300-1500℃ 온도에서 0.5 내지 5시간 동안 열처리하여 성형체(10)를 물리화학적으로 반응시키고 전극선(20)과도 밀착시킬 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 온도센서의 제조방법.
The method according to claim 6,
In the step of heat-treating the molded product into which the electrode line 20 is inserted, the molded product 10 is thermally treated at 1300 to 1500 ° C for 0.5 to 5 hours to physically chemically react the molded product 10 and adhere to the electrode line 20 Wherein the temperature sensor comprises:
제 6항에 있어서,
상기 전극선(20)은 순수한 백금(Pt) 또는 백금-로듐(Pt-Rh)의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 온도센서의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the electrode line (20) is made of pure platinum (Pt) or an alloy of platinum-rhodium (Pt-Rh).
제 6항 내제 제 9항 중의 어느 한 항에 따라 제조된 온도센서.A temperature sensor manufactured according to any one of claims 9 to 9.
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