KR101534671B1 - Apparatus for generating a powder in semiconductor process - Google Patents

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KR101534671B1
KR101534671B1 KR1020150002479A KR20150002479A KR101534671B1 KR 101534671 B1 KR101534671 B1 KR 101534671B1 KR 1020150002479 A KR1020150002479 A KR 1020150002479A KR 20150002479 A KR20150002479 A KR 20150002479A KR 101534671 B1 KR101534671 B1 KR 101534671B1
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process gas
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김재민
이상신
박규성
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주식회사 썬닉스
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Abstract

According to an aspect of the present invention, a remover for a semiconductor process includes: a cooling unit (330) which cools process gas and generates condensate water from the process gas; and a heating unit (350) which generates heat in a heating part (370) through applied power, and heats the process gas injected from the cooling unit (330) through the heat. Powder is generated in the process gas supplied to a scrubber so a harmful material is removed. After that, the process gas is reheated so the generation of the powder can be prevented when the process gas is moved.

Description

반도체 공정용 리무버{Apparatus for generating a powder in semiconductor process}[0001] The present invention relates to a remover for semiconductor processing,

본 발명은 반도체 공정용 리무버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정에서 사용된 공정가스에서 파우더를 생성시켜 처리하고, 상기 파우더를 다시 히팅시켜 파우더 생성을 억제할 수 있는 반도체 공정용 리무버에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a remover for semiconductor processing, and more particularly, to a remover for semiconductor processing that can generate powder in a process gas used in a semiconductor process, treat the powder, .

최근들어 급속하게 발전하는 반도체 기술은 컴퓨터 분야, 정보통신 분야, 자동차 분야, 항공 분야, 우주산업 분야에 이르기까지 거의 모든 분야의 기술 발전을 가져왔다.In recent years, the rapid development of semiconductor technology has brought about technological development in almost all fields ranging from the computer field, the information communication field, the automobile field, the aviation field, and the space industry field.

이와 같은 역할을 하는 반도체 기술에 의하여 탄생되는 반도체 제품은 손톱 크기 정도의 면적을 갖는 순수 실리콘 기판에 예를 들어 트랜지스터, 커패시턴스, 저항 등과 같은 반도체 소자들을 수∼수백만개를 집적하는 단계에까지 이르고 있다.Semiconductor products, which are produced by the semiconductor technology, serve to integrate several to several million semiconductor elements such as transistors, capacitors, and resistors on a pure silicon substrate having an area of about the size of a nail.

그러나, 타 산업에 지대한 영향을 미치는 반도체 기술은 그 장점에 비례하여 환경 및 생태계를 심각하게 파괴할 수 있는 공해물질 및 유해가스를 다량 발생하는 단점을 갖는 분야로, 이는 반도체 공정 특성상 생태계에는 자연 상태로는 존재하지 않고 인위적으로 제조된 매우 유독한 각종 화학 가스를 사용할 수밖에 없고, 더욱이 반도체 공정에 사용되는 화학 가스들은 극소량만이 반도체 공정에 참여하고 나머지 대부분이 폐가스 형태로 배출되기 때문이다.However, semiconductor technology, which has a great impact on other industries, has a disadvantage in that it generates a large amount of pollutants and harmful gases that can seriously destroy the environment and ecosystem in proportion to its advantages. Because of the very toxic chemical gases that are not present in the semiconductor process, and only a very small amount of the chemical gases used in the semiconductor process are involved in the semiconductor process and most of the remaining gases are discharged as waste gas.

그래서 종래의 반도체 공정에서는 이러한 유해물질 및 유해물질이 뭉쳐진 파우더를 제거하기 위해 반도체 공정의 후공정에 스크러버를 설치하여 대기 중으로 유해물질이 제거된 가스를 토출시키고 있다. Therefore, in the conventional semiconductor process, a scrubber is installed in the post-process of the semiconductor process to remove the harmful substances and harmful substances, thereby discharging the gas from which harmful substances have been removed into the atmosphere.

종래의 가스 스크러버는 크게 웨팅(wetting) 방식과 버닝(burning) 방식으로 구분된다. The conventional gas scrubber is divided into a wetting method and a burning method.

웨팅방식 스크러버는 물을 이용하여 배기가스를 세정 및 냉각하는 구조로써, 비교적 간단한 구성을 가지므로 제작이 용이하고 대용량화 할 수 있다는 장점은 있으나, 불수용성의 가스는 처리가 불가능하고, 특히 발화성이 강한 수소기를 포함하는 배기가스의 처리에는 부적절하다고 하는 문제가 있다.The wetting type scrubber is a structure that cleans and cools the exhaust gas using water. The wetting type scrubber has a relatively simple structure, and is easy to manufacture and has a large capacity. However, the water-insoluble gas can not be treated, There is a problem that it is inadequate for the treatment of an exhaust gas containing a hydrogen group.

버닝방식 스크러버는 수소 버너 등의 버너 속을 배가가스가 통과되도록 하여 직접 연소시키거나, 또는 열원을 이용하여 고온의 챔버를 형성하고 그 속으로 배기가스가 통과되도록 하여 간접적으로 연소시키는 구조를 갖는다. 이러한 버닝방식 스크러버는 발화성 가스의 처리에는 탁월한 효과가 있으나, 잘 연소되지 않은 가스의 처리에는 부적절하다.A burning type scrubber has a structure in which a burner such as a hydrogen burner is directly burnt by allowing a gas to pass through it, or indirectly burned by forming a high-temperature chamber using a heat source and allowing exhaust gas to pass therethrough. Such a burning type scrubber has an excellent effect in the treatment of flammable gas, but is unsuitable for the treatment of gas which is not well burned.

한편, 수소 등의 발화성 가스 및 실란(SiH4) 등의 가스를 사용하는 반응공정 예컨대, 반도체 제조공정은 상온보다 높은 고온에서 이루어지므로, 배기가스를 처리함에 있어서, 유독성 가스의 정화와 동시에 배기가스를 냉각시킬 필요가 있다.On the other hand, in a reaction process using a pyrogenic gas such as hydrogen and a gas such as silane (SiH4), for example, a semiconductor manufacturing process is performed at a high temperature higher than room temperature, in processing the exhaust gas, It is necessary to cool down.

이에 따라, 반도체 제조공정에서는, 웨팅방식의 스크러버와 버닝방식의 스크러버를 결합한 혼합형 가스 스크러버가 사용되고 있다. Accordingly, in the semiconductor manufacturing process, a mixed gas scrubber combining a wetting type scrubber and a burning type scrubber is used.

상기한 바와 같은 혼합형 가스 스크러버는 먼저, 배기가스를 연소실에서 1차로 연소시켜 발화성 가스 및 폭발성 가스를 제거한 후에, 2차적으로 수조에 수용시켜 수용성의 유독성 가스를 물에 용해시키는 구조를 가진다.The mixed gas scrubber as described above has a structure in which the exhaust gas is firstly burned in the combustion chamber to remove the ignitable gas and the explosive gas, and then the secondary gas is contained in the water tank to dissolve the water-soluble toxic gas in water.

반도체 제조설비에서 사용된 공정가스는 펌프에 의해 배기라인으로 배기되고, 상기 공정가스는 유독성, 부식성, 강폭발성 및 발화성이 높은 가스들이고, 반도체 소자를 생산하는 공정 중에는 독성 가스를 배출하는 공정이 많다. 예를 들면, 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정, 이온주입(ion implantation) 공정, 식각 공정, 확산 공정 등에 사용되는 SiH4 , SiH2 ,NO, AsH3 , PH3 , NH3 , N2O, SiH2Cl2 등의 가스들이 사용되는데, 공정을 거치고 배출되는 가스들은 여러 종류의 독성 물질을 함유하고 있다. 이런 독성 가스는 인체에 해로울 뿐만 아니라 가연성과 부식성도 있어 화재 등의 사고를 유발하기도 한다. The process gas used in the semiconductor manufacturing facility is exhausted to the exhaust line by a pump. The process gas is toxic, corrosive, explosive, and highly inflammable, and there are many processes for discharging toxic gas during the process of producing semiconductor devices . For example, gases such as SiH4, SiH2, NO, AsH3, PH3, NH3, N2O, and SiH2Cl2 used in a chemical vapor deposition (CVD) process, an ion implantation process, an etching process, Are used. The gases that are processed and discharged contain various kinds of toxic substances. These toxic gases are not only harmful to the human body but also have flammability and corrosiveness, which can cause accidents such as fire.

또한, 이런 독성 가스가 대기로 방출되면 심각한 환경오염을 유발하기 때문에, 대기 중으로 가스가 방출되기 전에 여과 장치에서 정화하는 공정을 거치게 된다.In addition, since this toxic gas is released into the atmosphere, it causes severe environmental pollution. Therefore, it is subjected to a purification process in a filtration apparatus before the gas is released into the atmosphere.

특히 화학 증착공정에서 배출되는 가스는 다량의 염화암모늄을 포함하고, 이 염화암모늄은 저온에서 응고되는 성질을 가지고 있다. 그래서 화학 증착장비의 내부에서는 기상으로 존재하지만 배관을 경유하게 될 때에 온도 강하로 인해 응고되어 배관의 내측면 또는 진공펌프 내부 등에 파우더 형태로 퇴적되고, 퇴적된 파우더는 배기계통에 이상을 일으키는 원인으로 작용하게 된다.Especially, the gas discharged from the chemical vapor deposition process contains a large amount of ammonium chloride, and the ammonium chloride has a property of solidifying at a low temperature. Therefore, although it exists in the gas phase inside the chemical vapor deposition equipment, it solidifies due to the temperature drop when passing through the piping, and is deposited in the form of powder on the inner side of the pipe or inside the vacuum pump, and the deposited powder causes an abnormality in the exhaust system .

그런데 종래의 반도체 공정의 폐 공정가스에 유해물질이 다량 포함되는 경우, 상기 스크러버에서 유해물질이 효과적으로 제거되지 않을 뿐만 아니라, 스크러버의 부하가 증가되는 문제점이 있었다. However, when a large amount of harmful substances are contained in the waste process gas of the conventional semiconductor process, harmful substances are not effectively removed from the scrubber and the load of the scrubber is increased.

한국 등록실용신안 20-0186189Korean Registered Utility Model 20-0186189

본 발명은 반도체 공정에서 사용된 공정가스에서 입자가 큰 파우더를 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 공정용 리무버를 제공하는데 목적이 있다.
It is an object of the present invention to provide a remover for semiconductor processing capable of effectively removing large particles of powder from a process gas used in a semiconductor process.

본 발명의 일측면은 공정가스를 냉각시켜 상기 공정가스에서 응축수를 생성시키는 냉각유닛(330); 인가된 전원을 통해 발열부(370)에서 열을 발생시키고, 상기 열을 통해 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 공정가스를 가열시키는 히팅유닛(350);을 포함하는 반도체 공정용 리무버를 제공한다. One aspect of the present invention is a cooling unit (330) for cooling a process gas to produce condensed water in the process gas; And a heating unit (350) for generating heat in the heating unit (370) through the applied power source and heating the process gas discharged from the cooling unit (330) through the heat, .

상기 히팅유닛(350)은, 내부에 히팅공간(351)이 형성되고, 상기 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 상기 공정가스가 통과되는 히팅바디(352); 상기 히팅바디(352)와 연결되어 형성되고, 상기 히팅공간(351)에 배치된 다수개의 히팅핀(355); 상기 히팅바디(352)에 부착되고, 상기 히팅바디(352)를 가열하는 상기 발열부(370);를 포함할 수 있다. The heating unit 350 includes a heating body 352 having a heating space 351 formed therein and through which the process gas discharged from the cooling unit 330 passes; A plurality of heating pins 355 connected to the heating body 352 and disposed in the heating space 351; And the heating unit 370 attached to the heating body 352 and heating the heating body 352.

상기 히팅핀(355)이 형성된 히팅블럭(354)을 포함하고, 상기 히팅블럭(354)는 상기 히팅바디(352)의 일측면을 형성할 수 있다. The heating block 354 may include a heating block 354 having the heating pin 355 formed therein and the heating block 354 may form a side surface of the heating body 352.

상기 히팅유닛에서 토출된 공정가스는 연결배관(360)을 통해 스크러버(400)와 연결될 수 있다. The process gas discharged from the heating unit may be connected to the scrubber 400 through the connection pipe 360.

본 발명의 다른 측면은, 반도체 공정에서 사용된 공정가스에서 유해물질을 제거한 후 대기로 토출시키는 스크러버 및 상기 반도체 공정에서 토출된 공정가스를 상기 스크러버로 유동시키는 펌프 사이에 배치된 반도체 공정용 리무버에 있어서, 상기 공정가스를 냉각시켜 상기 공정가스에서 응축수를 생성시키는 냉각유닛(330); 인가된 전원을 통해 발열부(370)에서 열을 발생시키고, 상기 열을 통해 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 공정가스를 가열시키는 히팅유닛(350);을 포함하고, 상기 냉각유닛(330)은, 내부에 냉각핀(15)이 다수개 설치된 제습하우징(10); 상기 제습하우징(10)에 부착되어 상기 냉각핀(15)을 냉각시키는 열전소자(20); 펌프에서 토출된 상기 공정가스를 상기 제습하우징(10) 내부로 안내하는 유입관(30); 상기 제습하우징(10)을 통과하여 냉각 및 제습된 가스를 배출시키는 토출관(40);을 포함하고, 상기 히팅유닛(350)은, 내부에 히팅공간(351)이 형성되고, 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 상기 공정가스가 통과되는 히팅바디(352); 상기 히팅바디(352)와 연결되어 형성되고, 상기 히팅공간(351)에 배치된 다수개의 히팅핀(355); 상기 히팅바디(352)에 부착되고, 상기 히팅바디(352)를 가열하는 상기 발열부(370);를 포함하는 반도체 공정용 리무버를 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor process remover comprising: a scrubber for removing harmful substances from a process gas used in a semiconductor process and discharging the process gas into the atmosphere; and a remover for semiconductor processing disposed between a pump for flowing process gas discharged from the semiconductor process to the scrubber A cooling unit (330) for cooling the process gas to produce condensed water in the process gas; And a heating unit 350 for generating heat in the heating unit 370 through the applied power source and heating the process gas discharged from the cooling unit 330 through the heat, A dehumidifying housing 10 having a plurality of cooling fins 15 therein; A thermoelectric element 20 attached to the dehumidifying housing 10 to cool the cooling fin 15; An inlet pipe (30) for guiding the process gas discharged from the pump into the dehumidifying housing (10); And a discharge pipe (40) for discharging the cooled and dehumidified gas through the dehumidifying housing (10). The heating unit (350) has a heating space (351) A heating body 352 through which the process gas ejected from the heating chamber 330 passes; A plurality of heating pins 355 connected to the heating body 352 and disposed in the heating space 351; And the heating unit (370) attached to the heating body (352) and heating the heating body (352).

본 발명은 스크러버에 공급되는 공정가스에서 파우더를 생성시켜 유해물질을 제거한 후, 상기 공정가스를 다시 가열하고, 이를 통해 공정가스의 이동 중에 파우더가 생성되는 것을 억제할 수 있는 효과가 있다. The present invention has the effect of suppressing the generation of powder during the movement of the process gas by heating the process gas after removing harmful substances by generating powder from the process gas supplied to the scrubber.

본 발명은 스크러버에 공급되는 공정가스에서 응축수를 통해 유해물질을 제거하고, 이를 통해 스크러버의 부하를 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
The present invention has the effect of removing the harmful substances through the condensed water in the process gas supplied to the scrubber, thereby reducing the load of the scrubber.

도 1은 본 발명의 1 실시예에 따른 반도체 공정에서 파우더 리무버가 도시된 구성도
도 2는 도 1에 도시된 파우더 집진장치의 정면도
도 3은 도 2의 평면도
도 4는 도 1에 도시된 리무버의 냉각유닛 사시도
도 5는 도 4의 분해사시도
도 6은 도 5에 도시된 냉각블럭의 사시도
도 7은 도 1에 도시된 리무버의 히팅유닛 사시도
도 8은 도 7에 도시된 히팅유닛 정면도
도 9는 도 7에 도시된 히팅유닛 정단면도1 is a schematic view showing a powder remover in a semiconductor process according to an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a front view of the powder dust collecting apparatus shown in Fig. 1
Fig. 3 is a plan view of Fig.
Fig. 4 is a perspective view of the cooling unit of the remover shown in Fig.
Fig. 5 is an exploded perspective view of Fig.
Fig. 6 is a perspective view of the cooling block shown in Fig. 5
Fig. 7 is a perspective view of the heating unit of the remover shown in Fig.
8 is a front view of the heating unit shown in Fig. 7
9 is a front elevation view of the heating unit shown in Fig. 7

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 구체적으로 살펴보기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 용어가 동일하더라도 표시하는 부분이 상이하면 도면 부호가 일치하지 않음을 미리 말해두는 바이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Even if the terms are the same, it is to be noted that when the portions to be displayed differ, the reference signs do not coincide.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 실험자 및 측정자와 같은 사용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. The terms first, second, etc. in this specification may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the relevant art and are to be interpreted in an ideal or overly formal sense unless explicitly defined in the present application Do not.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Also, when a part is referred to as "including " an element, it does not exclude other elements unless specifically stated otherwise.

도 1은 본 발명의 1 실시예에 따른 반도체 공정에서 파우더 리무버가 도시된 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 파우더 집진장치의 정면도이고, 도 3은 도 2의 평면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 리무버의 리무버유닛 사시도이고, 도 5는 도 4의 분해사시도이고, 도 6은 도 5에 도시된 제습하우징의 사시도이고, 도 7은 도 1에 도시된 리무버의 히팅유닛 사시도이고, 도 8은 도 7에 도시된 히팅유닛 정면도이고, 도 9는 도 7에 도시된 히팅유닛 정단면도이다. 2 is a front view of the powder dust collector shown in FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of FIG. 2, and FIG. 4 is a plan view of the powder collector of FIG. Fig. 5 is an exploded perspective view of Fig. 4, Fig. 6 is a perspective view of the dehumidifying housing shown in Fig. 5, Fig. 7 is a perspective view of the heating unit of the remover shown in Fig. 1 Fig. 8 is a front view of the heating unit shown in Fig. 7, and Fig. 9 is a front sectional view of the heating unit shown in Fig.

도시된 바와 같이 반도체공정에서 사용된 공정가스는 본 실시예에 따른 파우더집진장치(100)를 통해 공정가스에 포함된 유해물질 파우더를 제거한 후, 드라이펌프(200)로 유입되고, 상기 상기 드라이펌프(200)에서 생성된 압력에 의해 리무버(300) 및 스크러버(400)로 이동된다. As shown in the figure, the process gas used in the semiconductor process removes the harmful material powder contained in the process gas through the powder dust collector 100 according to the present embodiment, and then flows into the dry pump 200, (200) to the remover (300) and the scrubber (400).

상기 파우더집진장치(100)는 공정가스가 유입되는 집진흡입관(102)과 연결된 아우터하우징(110)과, 상기 아우터하우징(50) 내부 상측에 배치되고 파우더가 낙하되어 제거된 제습대상가스가 흡입되는 이너하우징(120)과, 상기 이너하우징(120)과 연결되고, 제습대상가스를 상기 드라이펌프(200)로 안내하는 집진토출관(104)과, 상기 아우터하우징(110) 하부에 배치되고 낙하된 유해물질 파우더가 저장되는 파우더하우징(130)을 포함한다. The powder dust collecting apparatus 100 includes an outer housing 110 connected to a dust collecting suction pipe 102 through which a process gas is introduced and a dust collecting unit 110 disposed on the inner upper side of the outer housing 50, A dust collecting and discharging pipe 104 connected to the inner housing 120 for guiding a dehumidifying gas to the dry pump 200 and a dust collecting and discharging pipe 104 disposed below the outer housing 110, And a powder housing 130 in which a harmful substance powder is stored.

상기 공정가스는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정, 이온주입(ion implantation) 공정, 식각 공정, 확산 공정 등에 사용되는 SiH4 , SiH2 ,NO, AsH3 , PH3 , NH3 , N2O, SiH2Cl2 및 HF 등과 같은 유해물질을 포함한다. The process gas may include SiH4, SiH2, NO, AsH3, PH3, NH3, N2O, SiH2Cl2, and HF used for chemical vapor deposition Contains the same harmful substances.

상기 아우터하우징(110)은 본 실시예에서 상부 및 하부 2개로 나누어서 제작되고, 상부하우징(112)에 상기 집진흡입관(102)이 연결되고, 하부하우징(114)에 상기 파우더하우징(130)에 결합된다. The dust collecting suction pipe 102 is connected to the upper housing 112 and the dust collecting suction pipe 102 is connected to the lower housing 114 and the powder housing 130 is coupled to the lower housing 114. [ do.

상기 상부하우징(112)은 전체적으로 원통형태로 형성되고, 내측에 상기 이너하우징(120)이 배치된다. The upper housing 112 is formed in a cylindrical shape as a whole, and the inner housing 120 is disposed on the inner side.

상기 집진흡입관(102)은 평면상으로 보았을 때, 상기 상부하우징(112)에 접선방향으로 연결되고, 정면에서 보았을 때, 상측에서 하측방향으로 연결되며, 상기 집진흡입관(102)에서 공급된 공정가스는 상기 아우터하우징(110) 및 이너하우징(120) 사이 공간를 따라 나선형태로 회전하면서 하측으로 이동된다.The dust suction pipe 102 is connected to the upper housing 112 in a tangential direction when viewed in a plan view and is connected from the upper side to the lower side when viewed from the front side and is connected to the process gas supplied from the dust suction pipe 102 Is moved downwardly in a spiral shape along the space between the outer housing 110 and the inner housing 120.

본 실시예에서는 상기 상기 아우터하우징(110) 및 이너하우징(120) 사이 공간을 회전공간(111)으로 정의한다. In the present embodiment, the space between the outer housing 110 and the inner housing 120 is defined as a rotating space 111.

그래서 상기 집진흡입관(102)을 통해 상기 회전공간(111)으로 진입한 공정가스 중에서 무게가 무거운 파우더는 자중에 의해 하측으로 낙하되고, 가벼운 가스만 상기 하부하우징(114)을 거쳐 상기 이너하우징(120) 내부로 이동된다. Therefore, the heavy powder of the process gas that has entered the rotating space 111 through the dust suction tube 102 falls downward due to its own weight, and only light gas flows through the lower housing 114 to the inner housing 120 .

상기 하부하우징(114)은 상측이 상기 상부하우징(112)에 결합되고, 하측이 상기 파우더하우징(130)에 결합된다. The lower housing 114 is coupled to the upper housing 112 at its upper side and coupled to the powder housing 130 at its lower side.

여기서 상기 하부하우징(114)은 호퍼형상으로 형성되어 낙하되는 파우더를 상기 파우더하우징(130)으로 안내한다. The lower housing 114 is formed in a hopper shape to guide the powder to be dropped to the powder housing 130.

상기 이너하우징(120)는 원통형태로 형성되고, 상기 집진토출관(104)과 연결된다. The inner housing 120 is formed in a cylindrical shape and connected to the dust-discharge tube 104.

상기 파우더하우징(130)은 상기 하부하우징(114)에 탈착가능하게 결합되고, 상기 파우더가 소정량 이상 모이게되면, 작업자가 상기 파우더하우징(130)을 교체할 수 있다. The powder housing 130 is detachably coupled to the lower housing 114 and the operator can replace the powder housing 130 when the powder is collected in a predetermined amount or more.

특히 상기 파우더하우징(130) 내부에는 저장된 파우더의 양을 감지하는 파우더감지센서가 설치될 수 있다. Particularly, a powder detection sensor for detecting the amount of powder stored in the powder housing 130 may be installed.

상기 파우더를 감지하는 방법은 여러가지로 구현될 수 있고, 본 실시예에서는 상기 파우더하우징(130) 내측에 먼지감지센서(131)를 설치하고, 상기 먼지감지센서(131)를 통해 상기 소정 높이 이상 파우더가 쌓이는 경우 이를 감지하도록 구현할 수 있다. In the present embodiment, a dust sensor 131 is installed inside the powder housing 130, and powder having a height above the predetermined height is detected through the dust sensor 131 It can be implemented to detect when stacking.

또한, 본 실시예와 달리 상기 파우더하우징(130) 내부에 파우더의 무게를 감지하는 로드센서(미도시)를 설치하고, 저장된 파우더의 무게를 통해 파우더의 교체시키를 감지할 수 있다. In addition, unlike the present embodiment, a load sensor (not shown) for sensing the weight of the powder is installed in the powder housing 130, and the replacement of the powder can be sensed through the weight of the stored powder.

본 실시예에서 상기 리무버(300)는 공정가스를 냉각시켜 파우더를 생성시키는 냉각유닛(330)과, 상기 냉각유닛(330)을 통과한 기체를 다시 가열시키는 히팅유닛(350)으로 구성된다.In the present embodiment, the remover 300 comprises a cooling unit 330 for cooling the process gas to generate powder, and a heating unit 350 for heating the gas passing through the cooling unit 330 again.

상기 냉각유닛(330)은, 내부에 냉각핀(15)이 다수개 설치된 제습하우징(10)과, 상기 제습하우징(10)에 부착되어 상기 냉각핀(15)을 냉각시키는 열전소자(20)와, 상기 제습대상 가스를 상기 제습하우징(10) 내부로 안내하는 유입관(30)과, 상기 제습하우징(10)을 통과하여 냉각 및 제습된 가스를 배출시키는 토출관(40)을 포함한다. The cooling unit 330 includes a dehumidifying housing 10 having a plurality of cooling fins 15 therein and a thermoelectric element 20 attached to the dehumidifying housing 10 to cool the cooling fin 15 An inlet pipe 30 for guiding the dehumidifying gas into the dehumidifying housing 10 and a discharge pipe 40 for discharging the gas cooled and dehumidified through the dehumidifying housing 10.

상기 제습하우징(10)은 내부에 제습공간(11)이 형성된 제습바디(12)와, 냉각핀(15)이 형성되고, 상기 제습공간(11) 내부에 상기 냉각핀(15)이 배치되도록 상기 제습바디(12)에 결합되는 냉각블럭(14)을 포함한다.The dehumidifying housing 10 includes a dehumidifying space 12 in which a dehumidifying space 11 is formed and a cooling fin 15 formed in the dehumidifying housing 10 so that the cooling fin 15 is disposed inside the dehumidifying space 11. And a cooling block (14) coupled to the dehumidifying body (12).

여기서 상기 제습하우징(10)은 열전도도가 높은 알루미늄 또는 구리 재질로 형성된다. The dehumidifying housing 10 is formed of aluminum or copper having high thermal conductivity.

상기 제습바디(12)의 일측 및 타측은 개방되어 형성되고, 상기 냉각블럭(14)이 결합되어 개방된 일측 및 타측을 폐쇄시킨다.One side and the other side of the dehumidifying body 12 are formed to be open, and the cooling block 14 is engaged to close one side and the other side which are opened.

상기 냉각블럭(14)에는 냉각핀(15)이 돌출되어 형성되고, 상기 제습바디(12)의 양면에서 상기 제습공간(11)으로 상기 냉각핀(15)이 돌출되어 배치된다.The cooling fins 15 protrude from the cooling block 14 and the cooling fins 15 protrude from the both sides of the dehumidifying body 12 into the dehumidifying space 11.

상기 제습바디(12)의 하측에는 제습대상가스가 유입되는 유입홀(10a)이 형성되고, 상측에는 제습된 가스가 토출되는 토출홀(10b)이 형성된다. A lower portion of the dehumidifying body 12 has an inlet hole 10a through which a dehumidifying gas flows and an outlet hole 10b through which a dehumidified gas is discharged.

상기 유입홀(10a)에 유입관(30)이 결합되어 연통되고, 상기 토출홀(10b)에 토출관(40)이 결합되어 연통된다.An inlet pipe 30 is connected to the inlet hole 10a and a discharge pipe 40 is connected to the outlet hole 10b.

상기 열전소자(20)는 상기 냉각블럭(14)에 결합되고, 상기 열전소자(20)는 상기 냉각블럭(14)을 냉각시켜 상기 냉각핀(15)에 냉기를 전달한다. The thermoelectric element 20 is coupled to the cooling block 14 and the thermoelectric element 20 cools the cooling block 14 to transfer the cool air to the cooling pin 15.

여기서 상기 냉각블럭(14)은 상기 열전소자(20)에 의해 직접 냉각된 후 상기 냉각핀(15)으로 냉기를 전달하기 때문에, 열손실을 최소화시킬 수 있다. Here, since the cooling block 14 is directly cooled by the thermoelectric element 20 and then transmits cool air to the cooling fin 15, heat loss can be minimized.

상기 열전소자(thermoelectric element , 熱電素子)는 크게 전기저항의 온도 변화를 이용한 소자인 서미스터, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제베크효과를 이용한 소자, 전류에 의해 열의 흡수(또는 발생)가 생기는 현상인 펠티에효과를 이용한 소자인 펠티에소자 등이 있다. 서미스터는 온도에 의해 전기저항이 크게 변화하는 일종의 반도체소자로서, 전기저항이 온도의 상승에 의해 감소되는 NTC 서미스터(negative temperature coefficient thermistor), 온도 상승에 의해 저항이 증가하는 정온도계수 서미스터(PTC: positive temperature coefficient thermistor) 등을 사용한다. 서미스터는 몰리브데넘ㅇ니켈ㅇ코발트ㅇ철 등 산화물을 복수 성분으로 배합하여 이것을 소결해서 만들며, 회로의 안정화와 열ㅇ전력ㅇ빛 검출 등에 사용한다. The thermoelectric element is mainly composed of a thermistor, which is a device using a temperature change of electric resistance, a device using a Jecke effect, which is a phenomenon in which an electromotive force is generated by a temperature difference, And a Peltier element which is a device using a Peltier effect, which is a phenomenon occurring. A thermistor is a type of semiconductor device in which the electrical resistance varies greatly with temperature. The NTC thermistor is a type of semiconductor device in which electrical resistance is reduced by an increase in temperature, a positive temperature coefficient thermistor (PTC) positive temperature coefficient thermistor). The thermistor is made by blending molybdenum oxide, nickel oxide, cobalt oxide, and other oxides into a plurality of components, sintering it, and stabilizing the circuit and using it for heat, power, and light detection.

그리고 제베크효과는 2종류 금속의 양끝을 접속하여, 그 양끝 온도를 다르게 하면 기전력이 생기는 현상으로, 열전기쌍을 이용한 온도 측정에 응용한다. The Seebeck effect is a phenomenon in which both ends of two kinds of metals are connected to each other and the temperatures at the two ends are different from each other, resulting in an electromotive force. This is applied to temperature measurement using a thermocouple pair.

그리고 펠티에효과는 2종류의 금속 끝을 접속시켜, 여기에 전류를 흘려보내면, 전류 방향에 따라 한쪽 단자는 흡열하고, 다른 쪽 단자는 발열을 일으키는 현상이다. 2종류의 금속 대신 전기전도 방식이 다른 비스무트/텔루륨 등 반도체를 사용하면, 효율성 높은 흡열/발열 작용을 하는 펠티에소자를 얻을 수 있다. 이것은 전류 방향에 따라 흡열/발열의 전환이 가능하고, 전류량에 따라 흡열ㅇ발열량이 조절되므로, 용량이 적은 냉동기 또는 상온 부근의 정밀한 항온조(恒溫槽) 제작에 응용한다. The Peltier effect is a phenomenon in which two kinds of metal ends are connected to each other and a current is supplied thereto, one terminal is absorbed by the current direction and the other terminal generates heat. If a semiconductor such as bismuth / tellurium, which is different from the two kinds of metals, is used, it is possible to obtain a Peltier element having an efficient heat absorbing / heating effect. This can be applied to the production of refrigerators with low capacity or precision temperature baths near room temperature because the endothermic heat can be switched according to the current direction and the amount of heat absorption can be controlled according to the amount of current.

여기서 상기 냉각핀(15)은 상기 열전소자(20)의 냉각면과 직교하게 설치되고, 상기 제습바디(12)의 양측면에서 상기 제습공간(11)으로 각각 돌출되어 배치된다.The cooling fins 15 are installed perpendicular to the cooling surfaces of the thermoelectric elements 20 and protrude from both sides of the dehumidifying body 12 into the dehumidifying space 11.

상기 제습대상가스와 상기 냉각핀(15)은 직접 접촉되어 제습대상가스를 냉각시키고, 냉각된 제습대상가스는 상기 냉각핀(15)의 표면에서 응축수로 변환된다. 그리고 상기 냉각유닛(330)를 통해 다시 한 번 유해성분이 제거된 공정가스는 토출구로 유동된 후 히팅유닛(350)으로 배출된다.The dehumidifying target gas and the cooling fin (15) are in direct contact to cool the dehumidifying gas, and the cooled dehumidified gas is converted into condensed water on the surface of the cooling fin (15). The process gas, from which harmful components are once again removed through the cooling unit 330, flows into the discharge port and is discharged to the heating unit 350.

상기 히팅유닛(350)은 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 공정가스를 가열하고, 상기 스크러버장치(400)에 공급하기 위한 것이다.The heating unit 350 heats the process gas discharged from the cooling unit 330 and supplies the heated process gas to the scrubber device 400.

그래서 상기 히팅유닛(350) 및 스크러버장치(400)는 연결배관(360)을 통해 연결된다.Thus, the heating unit 350 and the scrubber device 400 are connected through the connection pipe 360.

상기 히팅유닛(350)은 공정가스를 가열하여 상기 연결배관(360)을 이동하는 과정에서 파우더가 생성되는 것을 방지하기 위한 것이다. The heating unit 350 prevents the powder from being generated during the process of moving the connection pipe 360 by heating the process gas.

상기 히팅유닛(350)은 내부에 히팅공간(351)이 형성된 히팅바디(352)와, 상기 히팅바디(352)와 연결되어 형성되고, 상기 히팅공간(351)에 배치된 다수개의 히팅핀(355)과, 상기 연결배관(360)과 접속되기 위한 플랜지부(356)와, 상기 히팅바디(352)에 부착되어 상기 히팅바디(352)를 가열하는 발열부(370)를 포함한다.The heating unit 350 includes a heating body 352 having a heating space 351 formed therein and a plurality of heating pins 355 disposed in the heating space 351. The heating unit 352 is connected to the heating body 352, A flange portion 356 connected to the connection pipe 360 and a heating portion 370 attached to the heating body 352 to heat the heating body 352.

상기 히팅바디(352)는 열전도도가 높은 알루미늄, 구리 등과 같은 금속재질로 형성된다.The heating body 352 is formed of a metal material such as aluminum or copper having high thermal conductivity.

상기 히팅바디(352)는 복수개의 파트로 제작된 후 조립될 수 있고, 본 실시예에서는 상기 냉각유닛(330)과 같은 구조로 제작된다.The heating body 352 may be manufactured as a plurality of parts and then assembled. In this embodiment, the heating body 352 is formed in the same structure as the cooling unit 330.

그래서 상기 히팅바디(352)는 히팅핀(355)이 형성된 히팅블럭(354)이 형성된다. Accordingly, the heating body 352 is formed with a heating block 354 having a heating pin 355 formed thereon.

상기 히팅블럭(354)은 상기 냉각블럭(14)처럼 상기 히팅바디(352)에 조립된다.The heating block 354 is assembled to the heating body 352 like the cooling block 14.

상기 히팅블럭(354)에는 다수개의 히팅핀(355)이 배치된다.A plurality of heating pins 355 are disposed in the heating block 354.

상기 히팅블럭(354)은 본 실시예에서 2개가 배치되고, 히팅핀(355)이 서로 마주보게 배치된다. Two heating blocks 354 are disposed in this embodiment, and the heating pins 355 are arranged to face each other.

상기 히팅핀(355)은 판 형태로 형성되고, 상기 공정가스의 진행 방향으로 길게 연장되어 형성된다.The heating pins 355 are formed in a plate shape and are formed to extend in the traveling direction of the process gas.

상기 발열부(370)는 상기 히팅블럭(354)을 가열시키기 위한 것으로서, 본 실시예에서는 인가된 전원에 의해 열을 발생시키는 히팅자켓이 사용된다.The heating unit 370 is for heating the heating block 354. In this embodiment, a heating jacket for generating heat by an applied power source is used.

본 실시예와 달리 상기 열전모듈(20)의 발열면이 상기 히팅블럭(354)과 접촉되게 배치되어도 무방하다. The heat generating surface of the thermoelectric module 20 may be arranged to be in contact with the heating block 354, unlike the present embodiment.

상기 히팅유닛(350)은 상기 발열부(370)에서 생성된 열이 열전도를 통해 상기 히팅블럭(354)에 전달되고, 상기 히팅블럭(354)의 히팅핀(355)이 가열되어 공정가스와 열교환된다.The heat generated by the heating unit 370 is transferred to the heating block 354 through the heat conduction and the heating pin 355 of the heating block 354 is heated to heat exchange with the process gas. do.

이를 통해 상기 냉각유닛(330)을 통과하면서 냉각된 가스가 상기 히팅유닛(350)에 의해 가열된다.Through which the cooled gas is heated by the heating unit (350) while passing through the cooling unit (330).

상기 히팅유닛(350)에 의해 가열된 공정가스는 연결배관(360)을 이동하는 과정에서 상기 공정가스가 냉각되는 것을 억제하고, 이를 통해 상기 연결배관(360)에서 파우더가 생성되는 것을 방지한다. The process gas heated by the heating unit 350 prevents the process gas from being cooled during the movement of the connection pipe 360, thereby preventing the powder from being generated in the connection pipe 360.

그래서 상기 히팅유닛(350)은 상기 스크러버(400)로 이동되는 과정에서 공정가스의 유해물질이 연결배관(360)에 파우더 형태로 집적되는 것을 억제할 수 있고, 이를 통해 상기 연결배관(360)의 내구성을 향상시킬 수 있다. Therefore, the heating unit 350 can prevent the harmful substances of the process gas from accumulating in the form of powder on the connection pipe 360 in the process of moving to the scrubber 400, Durability can be improved.

그리고 상기 히팅유닛(350) 및 냉각유닛(330) 사이에는 열전도를 차단하기 위한 인슐레이터(미도시)가 설치될 수 있다.An insulator (not shown) may be installed between the heating unit 350 and the cooling unit 330 to block heat conduction.

상기 인슐레이터는 금속재질로 형성된 히팅유닛(350) 및 냉각유닛(330) 사이에 배치되어 열전도를 차단시킨다.The insulator is disposed between the heating unit 350 and the cooling unit 330, which are formed of a metallic material, to block heat conduction.

상기 인슐레이터는 세라믹 또는 합성수지 재질로 형성될 수 있다. The insulator may be formed of ceramic or synthetic resin.

한편, 상기 냉각유닛(330)에서 생성된 응축수에는 유해물질이 용해 또는 포함되어 있고, 상기 유해물질이 포함된 응축수는 자중에 의해 하측으로 낙하된 후 저장탱크(310)로 회수된다. Meanwhile, the condensed water generated in the cooling unit 330 dissolves or contains toxic substances, and the condensed water containing the toxic substances falls down to the bottom due to its own weight, and is recovered to the storage tank 310.

상기 저장탱크(310)는 상기 드라이펌프(200)에서 리무버(300)를 연결시키는 연결배관(320)에 설치되고, 상기 냉각유닛(330)에서 낙하된 응축수를 저장한다.The storage tank 310 is installed in a connection pipe 320 connecting the remover 300 in the dry pump 200 and stores the condensed water dropped in the cooling unit 330.

더불어 상기 저장탱크(310)는 상기 연결배관(320)에 설치되되, 공간이 확장된 형태로 연결되어 통과되는 제습대상가스의 압력을 낮추고, 이를 통해 제습대상가스에 포함된 파우더를 다시 한번 포집하게 한다. In addition, the storage tank 310 is installed in the connection pipe 320, and the pressure of the dehumidification target gas that is connected in a form of expanded space is lowered, and the powder contained in the dehumidification target gas is collected once again do.

즉, 좁은 연결배관(320)을 통해 이동되는 제습대상가스가 상기 저장탱크(310)에 유입되면, 넓어진 공간으로 인해 압력이 낮아져 제습대상가스에 포함된 파우더가 자중에 의해 하측으로 낙하된다.That is, when the dehumidification target gas moving through the narrow connection pipe 320 flows into the storage tank 310, the pressure is lowered due to the widened space, and the powder contained in the dehumidification target gas falls downward due to its own weight.

여기서 상기 저장탱크(310) 내부에는 상기 리무버(300)에서 낙하된 응축수가 저장되기 때문에, 낙하된 파우더가 흩날리지 않고 응축수에 녹거나 포집된다. Here, since the condensed water dropped from the remover 300 is stored in the storage tank 310, the dropped powder is not scattered but is melted or collected in the condensed water.

또한, 상기 저장탱크(310)는 하측으로 확장된 형태이기 때문에, 상기 저장탱크(310)로 진입한 제습대상가스는 팽창되면서 와류를 형성하고, 이를 통해 부유된 파우더가 저장된 응축수와 접촉되는 시간 및 면적을 증가시킬 수 있다. In addition, since the storage tank 310 is extended downward, the dehumidifying gas entering the storage tank 310 expands to form a vortex and the time during which the floating powder contacts the stored condensed water, The area can be increased.

또한, 상기 응축수 및 제습대상가스는 부식성이 높은 유해가스이기 때문에, 상기 냉각핀(15)의 표면을 곡선으로 처리하여 유해성분의 파우더가 생성되더라도 부식이 진행되는 것을 최소화시킬 수 있다.Further, since the condensed water and the dehumidified gas are highly corrosive noxious gas, the surface of the cooling fin 15 can be curved to minimize the corrosion even if a harmful component powder is generated.

한편, 상기 집진장치(100), 드라이펌프(200), 리무버(300), 스크러버(400) 및 각종 배관 등 유해성분과 접촉가능성이 있는 모든 부재는 내구성 향상을 위한 별도의 닉스코팅 또는 테프론코팅을 실시한다.Meanwhile, all members that may come into contact with harmful components such as the dust collecting apparatus 100, the dry pump 200, the remover 300, the scrubber 400, and various pipes are subjected to a separate knick coating or Teflon coating to improve durability do.

상기 닉스코팅(NIX Coating)(또는, 다이머(dimer))은 CVD 진공 증착에 의해 실시된다. 여기서 상기 닉스 코팅에 사용되는 다이머는, 패럴린 N(poly(Para-Xylene)), 패럴린 C(poly(Chloro-Para-Xylylene)), 패럴린 D(poly(Di-Chloro-Para-Xylylene)) 및, 패럴린 F(poly(tetrafluoro-[2,2]para-Xylylene)) 등 중에서 적어도 하나의 다이머를 사용할 수 있다. 또한, 상기 닉스 코팅에 의해 형성되는 닉스 코팅층(또는, 닉스 코팅막)의 두께는, 약 1 ㎛ ~ 70 ㎛ 범위일 수 있다.The NIX coating (or dimer) is performed by CVD vacuum deposition. The dimers used in the nick coating include poly (Para-Xylene), poly (Chloro-Para-Xylylene), poly (Di-Chloro-Para-Xylylene) ) And poly (tetrafluoro- [2,2] para-Xylylene), and the like. In addition, the thickness of the knock coating layer (or the knuck coating layer) formed by the knuck coating may be in the range of about 1 mu m to 70 mu m.

여기서 고체상 다이머를 증발기(vaporizer)(미도시) 내에 장착하고, 압력을 미리 설정된 레벨(예를 들어, 약 1 Torr)로 조절하고 미리 설정된 온도(예를 들어, 170℃ ~ 200℃)로 가열하면, 상기 고체상 다이머가 기화되어 다이머 가스가 발생한다. 이후, 상기 기화된 다이머 가스는, 650℃ ~ 700℃로 유지되고 압력이 0.5 Torr로 조절된 열분해기(pyrolysis)(미도시)에 통과시켜 모노머(monomer)로 분해한다. 이후, 상기 열분해된 모노머는, 상온에서 10 mTorr ~ 100 mTorr 압력으로 조절된 상기 CVD 챔버에서 대상물의 표면에 고분자 상태로 증착(또는, 적층/축합)하여, 닉스 코팅층(또는, 닉스 코팅/닉스 고분자/닉스 코팅막)을 형성한다. Where the solid dimer is placed in a vaporizer (not shown) and the pressure is adjusted to a predetermined level (e.g., about 1 Torr) and heated to a predetermined temperature (e.g., 170 ° C to 200 ° C) , The solid-state dimer is vaporized and dimer gas is generated. Then, the vaporized dimer gas is decomposed into monomers by passing through a pyrolysis (not shown) maintained at 650 ° C to 700 ° C and a pressure of 0.5 Torr. Thereafter, the thermally decomposed monomer is deposited (or laminated / condensed) on the surface of the object in the CVD chamber controlled at a room temperature to a pressure of 10 mTorr to 100 mTorr to form a nick coating layer (or a Knicks coating / / Nix coating film) is formed.

상기 닉스 고분자(또는, 패럴린 고분자)는, 상온 또는 진공 중에서 코팅이 이루어지므로, 열적 스트레스로 인한 모재의 변형을 방지하고, 핀홀 없이 모재의 측면뿐만 아니라 미세한 요철 부분까지 균일하게 코팅할 수 있다. 또한, 상기 닉스 코팅에 의해, 내화학성, 내열성 및, 내수성 등을 향상시킬 수 있다. Since the coating of the nicks polymer (or the paraline polymer) is carried out at room temperature or vacuum, deformation of the base material due to thermal stress can be prevented and the fine unevenness can be uniformly coated on the side surface of the base material without pinholes. In addition, the nitric coating can improve chemical resistance, heat resistance, water resistance, and the like.

여기서 상기 닉스코팅의 대상물은 비금속계 재질 또는 금속계 재질을 사용 살 수 있고, 상기 비금속계 재질은, 유리, 세라믹, 아크릴, 테프론 및, PVC 등일 예로 들 수 있으며, 상기 금속계 재질은, 알루미늄, 스테인리스 스틸을 예로 들 수 있다. The non-metallic material may be glass, ceramic, acrylic, Teflon, PVC, or the like. The metallic material may be aluminum, stainless steel For example.

이와 같이, 상기 리무버는 상기 닉스코팅을 통해 코팅되어 상기 스크러버에서 토출된 가스와의 반응성을 낮추고, 이를 통해 내구성을 향상시킬 수 있다. Thus, the remover may be coated through the nick coating to reduce the reactivity with the gas discharged from the scrubber, thereby improving durability.

한편, 본 실시예에서는 번타입 스크러버장치를 예를 들어 설명하였으나, 웨팅타입, 히트타입 또는 복합 방식 스크러버장치에 설치되어도 무방하고, 유해물질을 유동시키는 배관에 설치한 후, 가습 및 제습을 실시하여 유해물질을 능동적으로 제거하도록 구현하여도 무방하다. However, it may be installed in a wetting type, a heat type, or a combined-type scrubber apparatus, and may be installed in a pipe for flowing a harmful substance, and then subjected to humidification and dehumidification It may be implemented to actively remove harmful substances.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100 : 집진장치 110 : 아우터하우징
102 : 집진흡입관 104 : 집진토출관
112 : 상부하우징 114 : 하부하우징
120 : 이너하우징 130 : 파우더하우징
140 : 격리수단 200 : 드라이펌프
300 : 리무버 310 : 저장탱크
320 : 연결배관 330 : 냉각유닛
350 : 히팅유닛 351 : 히팅공간
352 : 히팅바디 354 : 히팅블럭
355 : 히팅핀 356 : 플랜지부
360 : 연결배관 400 : 스크러버100: dust collecting device 110: outer housing
102: dust collecting suction pipe 104: dust collecting discharge pipe
112: upper housing 114: lower housing
120: Inner housing 130: Powder housing
140: Isolation means 200: Dry pump
300: Remover 310: Storage tank
320: connecting piping 330: cooling unit
350: Heating unit 351: Heating space
352: Heating body 354: Heating block
355: Heating pin 356: flange portion
360: connection piping 400: scrubber

Claims (5)

공정가스를 냉각시켜 상기 공정가스에서 응축수를 생성시키는 냉각유닛(330); 및
인가된 전원을 통해 발열부(370)에서 열을 발생시키고, 상기 열을 통해 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 공정가스를 가열시키는 히팅유닛(350);을 포함하고,
상기 히팅유닛(350)은,
내부에 히팅공간(351)이 형성되고, 상기 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 상기 공정가스가 통과되는 히팅바디(352);
상기 히팅바디(352)와 연결되어 형성되고, 상기 히팅공간(351)에 배치된 다수개의 히팅핀(355);
상기 히팅바디(352)에 부착되고, 상기 히팅바디(352)를 가열하는 상기 발열부(370);를 포함하는 반도체 공정용 리무버.
A cooling unit (330) for cooling the process gas to produce condensed water in the process gas; And
And a heating unit (350) for generating heat in the heating unit (370) through the applied power source and heating the process gas discharged from the cooling unit (330) through the heat,
The heating unit (350)
A heating body 352 having a heating space 351 formed therein and through which the process gas discharged from the cooling unit 330 passes;
A plurality of heating pins 355 connected to the heating body 352 and disposed in the heating space 351;
And the heating unit (370) attached to the heating body (352) and heating the heating body (352).
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 히팅핀(355)이 형성된 히팅블럭(354)을 포함하고, 상기 히팅블럭(354)는 상기 히팅바디(352)의 일측면을 형성하는 반도체 공정용 리무버.
The method according to claim 1,
And a heating block (354) having the heating pin (355) formed therein, the heating block (354) forming one side of the heating body (352).
청구항 1 또는 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 히팅유닛에서 토출된 공정가스는 연결배관(360)을 통해 스크러버(400)와 연결된 반도체 공정용 리무버.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The process gas discharged from the heating unit is connected to the scrubber (400) through a connecting pipe (360).
반도체 공정에서 사용된 공정가스에서 유해물질을 제거한 후 대기로 토출시키는 스크러버 및 상기 반도체 공정에서 토출된 공정가스를 상기 스크러버로 유동시키는 펌프 사이에 배치된 반도체 공정용 리무버에 있어서,
상기 공정가스를 냉각시켜 상기 공정가스에서 응축수를 생성시키는 냉각유닛(330); 인가된 전원을 통해 발열부(370)에서 열을 발생시키고, 상기 열을 통해 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 공정가스를 가열시키는 히팅유닛(350);을 포함하고,
상기 냉각유닛(330)은,
내부에 냉각핀(15)이 다수개 설치된 제습하우징(10); 상기 제습하우징(10)에 부착되어 상기 냉각핀(15)을 냉각시키는 열전소자(20); 펌프에서 토출된 상기 공정가스를 상기 제습하우징(10) 내부로 안내하는 유입관(30); 상기 제습하우징(10)을 통과하여 냉각 및 제습된 가스를 배출시키는 토출관(40);을 포함하고,
상기 히팅유닛(350)은,
내부에 히팅공간(351)이 형성되고, 상기 냉각유닛(330)에서 토출된 상기 공정가스가 통과되는 히팅바디(352); 상기 히팅바디(352)와 연결되어 형성되고, 상기 히팅공간(351)에 배치된 다수개의 히팅핀(355); 상기 히팅바디(352)에 부착되고, 상기 히팅바디(352)를 가열하는 상기 발열부(370);를 포함하는 반도체 공정용 리무버.

A remover for semiconductor processing disposed between a scrubber for removing harmful substances from a process gas used in a semiconductor process and discharging the same into the atmosphere and a pump for flowing the process gas discharged from the semiconductor process to the scrubber,
A cooling unit (330) for cooling the process gas to produce condensed water in the process gas; And a heating unit (350) for generating heat in the heating unit (370) through the applied power source and heating the process gas discharged from the cooling unit (330) through the heat,
The cooling unit (330)
A dehumidifying housing (10) having a plurality of cooling fins (15) therein; A thermoelectric element 20 attached to the dehumidifying housing 10 to cool the cooling fin 15; An inlet pipe (30) for guiding the process gas discharged from the pump into the dehumidifying housing (10); And a discharge pipe (40) for discharging the cooled and dehumidified gas passing through the dehumidifying housing (10)
The heating unit (350)
A heating body 352 having a heating space 351 formed therein and through which the process gas discharged from the cooling unit 330 is passed; A plurality of heating pins 355 connected to the heating body 352 and disposed in the heating space 351; And the heating unit (370) attached to the heating body (352) and heating the heating body (352).

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KR19980074085A (en) * 1997-03-21 1998-11-05 김동수 Exhaust gas cooler
KR20070105615A (en) * 2006-04-27 2007-10-31 삼성전자주식회사 Scruber aparatus of semiconductor manufacture device
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