KR101533462B1 - Power supplying circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전압신호를 전달하기 위한 전압전달수단의 양 단간에 발생하는 저항차이로 인해 발생하는 열을 줄일 수 있는 전압공급회로를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 입력단을 통해 입력된 전압신호를 제어신호에 응답하여 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 상기 출력단을 통해 출력되는 전압신호의 전압레벨이 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 상기 전압신호 전달부의 전압신호 전달특성을 제어하기 위한 피드백 회로부; 및 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값 변동에 대응하여, 상기 저항값이 줄어들 수 있도록 상기 전압신호 전달부를 제어하기 위한 저항값 변동제어부를 포함하는 전원공급회로를 제공한다.The present invention provides a voltage supply circuit capable of reducing heat generated due to a difference in resistance occurring between both ends of a voltage transmission means for transmitting a voltage signal. To this end, the present invention provides a voltage supply circuit, A voltage signal transmission unit for transmitting a control signal to an output terminal in response to a control signal; A feedback circuit for controlling a voltage signal transfer characteristic of the voltage signal transfer unit by receiving feedback information of a changed voltage level of the voltage signal outputted through the output terminal; And a resistance value variation control unit for controlling the voltage signal transfer unit so that the resistance value can be reduced corresponding to a variation in resistance value between an input node and an output node of the voltage signal transfer unit.

전원공급회로, 모스 트랜지스터, 바이폴라 트랜지스터, 피드백, 저항. Power supply circuit, MOS transistor, bipolar transistor, feedback, resistance.

Description

전원공급회로{POWER SUPPLYING CIRCUIT}Power supply circuit {POWER SUPPLYING CIRCUIT}

본 발명은 전자회로에 관한 것으로, 전원을 공급하기 위한 전원공급회로에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic circuit, and more particularly, to a power supply circuit for supplying power.

전자회로에 관한 기술이 발달하면서 다양한 기능을 하는 전자회로가 하나의 전자기기에 더 많이 집적되고 있다. 전자기기에 구비되는 전자회로는 내부에 구비되는 전원공급회로로 부터 전원을 공급받아 각각의 기능을 수행한다. 전자기기는 점점 더 소형화되고, 기능은 더 다양해짐에 따라 내부의 각 회로에 전원을 공급하는 전원공급회로의 역할이 점점 더 중요해지고 있다. 특히, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, 이하 PDP)을 위한 구동장치는 안정적으로 계속해서 화면정보를 PDP에 구현해야 하기 때문에, 다양한 전압을 안정적으로 제공할 수 있는 전원공급회로의 역할이 매우 중요하다.Background Art [0002] With the development of technologies related to electronic circuits, electronic circuits having various functions are increasingly integrated in one electronic device. An electronic circuit provided in an electronic device receives power from a power supply circuit provided therein and performs each function. BACKGROUND OF THE INVENTION As electronic devices become smaller and more functional, the role of power supply circuits that supply power to each internal circuit becomes increasingly important. In particular, since a driving apparatus for a plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP) is required to continuously and stably implement screen information in a PDP, it is very important to provide a power supply circuit capable of stably supplying various voltages .

PDP 장치에 구비되는 전원공급회로는 교류형태로 입력되는 전압신호를 직류형태의 전압신호로 변환하여 내부의 각 회로에 공급하는 역할을 한다. 전원공급회 로를 구현하는 방법에는 가변저항을 이용하여 입력되는 전압신호의 전압을 강하시켜 일정한 출력전압을 얻는 리니어(Linear) 방식의 전원공급회로를 이용하는 방법과, 턴온/턴오프를 연속적으로 조작하여 정전압의 출력을 얻는 스위칭 모드를 이용하는 방법이 있다.The power supply circuit provided in the PDP apparatus converts a voltage signal input in an AC form into a DC voltage signal and supplies the voltage signal to each internal circuit. A method of implementing a power supply circuit includes a method using a linear power supply circuit that uses a variable resistor to drop a voltage of a voltage signal to obtain a constant output voltage and a method of continuously turning on / And a switching mode for obtaining an output of a constant voltage is used.

리니어 방식의 전원공급회로는 입력전압을 전달하기 위한 구비한 전압전달부, 일반적으로 파워 트랜지스터를 선형모드에서 동작시키는 것이 특징이다. 그러나, 리니어 방식의 전원공급회로는 선형모드로 동작하는 파워 트랜지스터의 양단 사이에 생기는 전압차이로 인해 열이 발생되는 문제점이 있다. 이는 전원을 공급하기 위한 동작 효율이 저하되는 것을 의미한다.The power supply circuit of the linear type is characterized in that it operates a voltage transfer unit for transmitting an input voltage, generally a power transistor in a linear mode. However, the power supply circuit of the linear type has a problem that heat is generated due to a voltage difference between both ends of a power transistor operating in a linear mode. This means that the operation efficiency for supplying power is lowered.

본 발명은 전압신호를 전달하기 위한 전압전달수단의 양 단간에 발생하는 저항차이로 인해 발생하는 열을 줄일 수 있는 전원공급회로를 제공한다.The present invention provides a power supply circuit capable of reducing heat generated due to a resistance difference occurring between both ends of a voltage transmitting means for transmitting a voltage signal.

본 발명은 입력단을 통해 입력된 전압신호를 제어신호에 응답하여 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 상기 출력단을 통해 출력되는 전압신호의 전압레벨이 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 상기 전압신호 전달부의 전압신호 전달특성을 제어하기 위한 피드백 회로부; 및 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값 변동에 대응하여, 상기 저항값이 줄어들 수 있도록 상기 전압신호 전달부를 제어하기 위한 저항값 변동제어부를 포함하는 전원공급회로를 제공한다.A voltage signal transfer unit for transferring a voltage signal input through an input terminal to an output terminal in response to a control signal; A feedback circuit for controlling a voltage signal transfer characteristic of the voltage signal transfer unit by receiving feedback information of a changed voltage level of the voltage signal outputted through the output terminal; And a resistance value variation control unit for controlling the voltage signal transfer unit so that the resistance value can be reduced corresponding to a variation in resistance value between an input node and an output node of the voltage signal transfer unit.

또한, 본 발명은 입력단을 통해 입력된 전압신호를 제어신호에 응답하여 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 및 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값 변동에 대응하여, 상기 저항값이 줄어들 수 있도록 상기 전압신호 전달부를 제어하기 위한 저항값 변동제어부를 포함하는 전원공급회로를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including: a voltage signal transfer unit for transferring a voltage signal input through an input terminal to an output terminal in response to a control signal; And a resistance value variation control unit for controlling the voltage signal transfer unit so that the resistance value can be reduced corresponding to a variation in resistance value between an input node and an output node of the voltage signal transfer unit.

본 발명에 의한 전원공급회로는 내부에 구비되는 전압전달부의 양단간에 전압차이를 효과적으로 줄일 수 있다. 그로 인해 전압전달부의 양단간에 전압차이로 발생하는 열을 효과적으로 줄일 수 있다. 그러므로, 본 발명에 의한 전원공급회로를 적용하면, 리니어 방식의 전원공급회로에서 보다 효율적으로 구동전압을 각 회로에 공급할 수 있다.The power supply circuit according to the present invention can effectively reduce the voltage difference between both ends of the voltage transfer unit provided therein. Thereby effectively reducing the heat generated due to the voltage difference between both ends of the voltage transmitting portion. Therefore, by applying the power supply circuit according to the present invention, the drive voltage can be supplied to each circuit more efficiently in the linear power supply circuit.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. do.

도1은 리니어 타입의 전원공급회로를 보여주는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a power supply circuit of a linear type.

도1에 도시된 바와 같이, 리니어 타입의 전원공급회로는 전압신호 전달부(10)와 피드백 회로부(20)로 구성된다. 전압신호 전달부(10)는 제어신호(G)에 응답하여 입력단(IN)을 통해 입력되는 전압신호를 출력단(OUT)으로 전달하기 위한 모스 트랜지스터(M1)를 구비한다. 피드백 회로부(20)는 출력단(OUT)의 전압레벨의 변동에 따라 모스 트랜지스터(M1)의 게이트단 전압레벨을 제어하기 위해 다수의 저항(R1~R9)과 캐패시터(C2)와, 바이폴라 트랜지스터(T1)와 다이오드(D1~D3)를 구비한다. 여기서 캐패시터(C1)는 제어신호(G)의 변동폭을 안정적으로 하기 위한 것이고, 캐패시터(C3)는 출력단(OUT)의 전압변동폭을 안정적으로 하기 위한 것이다. 다이오드(D1,D3)는 제너다이오드이고, 저항(R8)은 가변저항이다. 피드백 회로부의 입 력신호(V)는 가변저항(R8)의 저항값을 조절하고, 그로 인해 출력단으로 출력되는 전압(OUT)의 레벨이 조정할 수 있기 위한 것이다.As shown in FIG. 1, the linear type power supply circuit includes a voltage signal transfer unit 10 and a feedback circuit unit 20. The voltage signal transfer unit 10 includes a MOS transistor M1 for transferring a voltage signal inputted through an input terminal IN in response to a control signal G to an output terminal OUT. The feedback circuit section 20 includes a plurality of resistors R1 to R9 and a capacitor C2 for controlling the gate terminal voltage level of the MOS transistor M1 in accordance with the variation of the voltage level of the output terminal OUT, And diodes D1 to D3. Here, the capacitor C1 is for stabilizing the fluctuation width of the control signal G and the capacitor C3 is for stabilizing the voltage fluctuation width of the output OUT. Diodes D1 and D3 are zener diodes, and resistor R8 is a variable resistor. The input signal V of the feedback circuit portion is for adjusting the resistance value of the variable resistor R8 so that the level of the voltage OUT output to the output terminal can be adjusted.

입력단(IN)으로 입력되는 전압신호는 일정한 레벨을 가지고 있지 못하고 전압이 흔들리는 상태이다. 동작초기에 제어신호(G)가 모스 트랜지스터(M1)의 게이트 단자에 인가되면 모스 트랜지스터(M1)가 턴온되고, 그로 인해 입력단(IN)으로 입력되는 전압신호가 출력단(OUT)으로 전달된다. 여기서 모스 트랜지스터(M1)는 모스 트랜지스터의 고유동작 영역중 오믹(Ohmic)영역과 액티브(Active)영역에서 동작되도록 제어신호에 의해서 제어된다. 이때 출력단(OUT)을 통해 출력되는 전압의 변동이 생기면, 모스 트랜지스터(M1)의 양단간에 전압이 생긴다. 이는 모스 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 소스 단자간에 저항값(Rds)이 증가됨을 의미한다. 저항값(Rds)이 증가되면 모스 트랜지스터(M1)에 열이 발생하게 된다. 저항값(Rds)의 변동이 누적되면, 모스 트랜지스터(M1)에 누적되는 열도 점점 증가하게 된다. The voltage signal input to the input terminal IN does not have a constant level and the voltage is shaken. When the control signal G is applied to the gate terminal of the MOS transistor M1 at the beginning of the operation, the MOS transistor M1 is turned on so that the voltage signal input to the input terminal IN is transmitted to the output terminal OUT. Herein, the MOS transistor M1 is controlled by a control signal so as to operate in an ohmic region and an active region of the inherent operation region of the MOS transistor. At this time, if the voltage outputted through the output terminal OUT fluctuates, a voltage is generated across both ends of the MOS transistor M1. This means that the resistance value Rds between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M1 is increased. When the resistance value Rds is increased, heat is generated in the MOS transistor M1. When the variations of the resistance value Rds are accumulated, the heat accumulated in the MOSFET M1 also increases gradually.

전원공급회로의 특성상 출력단(OUT)의 전압변동이 매우 빈번할 수 밖에 없는데, 이로 인해 모스 트랜지스터(M1)에 누적되는 열도 매우 크게 증가할 수 있다. 이 열로 인해 심한 경우 모스 트랜지스터(M1)가 파괴되는 경우도 생길 수 있다. 이에 본 발명에서는 출력단(OUT)의 전압변동이 빈번하더라도, 모스 트랜지스터(M1)에 발생하는 열을 줄일 수 있는 회로를 제안한다.Due to the characteristics of the power supply circuit, the voltage variation of the output terminal OUT is extremely frequent, and the heat accumulated in the MOS transistor M1 can be greatly increased. This heat may cause the MOS transistor M1 to break down in severe cases. Accordingly, the present invention proposes a circuit capable of reducing the heat generated in the MOS transistor Ml even if the voltage variation of the output terminal OUT is frequent.

도2는 본 발명의 일시예를 나타내는 블럭도이다.2 is a block diagram showing a temporal example of the present invention.

도2를 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 전원공급회로는 전압신호 전달부(100), 피드백 회로부(200), 및 저항값 변동제어부(300)를 구비한다. 전압신호 전달부(100)는 제어신호(G)에 응답하여 입력단(IN)을 통해 입력된 전압신호를 출력단(OUT))으로 전달하기 위한 것이다. 피드백 회로부(200)는 출력단(OUT)을 통해 출력되는 전압이 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 전압신호 전달부(100)를 제어하기 위한 것이다. 저항값 변동제어부(300)는 본 발명의 핵심적 특징을 나타내는 블럭으로서, 전압신호 전달부(100)의 입력노드(A)와 출력노드(B) 사이의 저항값 변동에 대응하여 저항값이 줄어들 수 있도록 전압신호 전달부(100)를 제어하기 위한 것이다.Referring to FIG. 2, the power supply circuit according to the present embodiment includes a voltage signal transfer unit 100, a feedback circuit unit 200, and a resistance value variation control unit 300. The voltage signal transfer unit 100 is for transferring the voltage signal input through the input IN in response to the control signal G to the output OUT. The feedback circuit unit 200 is for controlling the voltage signal transfer unit 100 by receiving feedback of the changed information when the voltage output through the output terminal OUT is changed. The resistance value variation control unit 300 is a block showing the essential characteristics of the present invention in which the resistance value can be reduced corresponding to the variation of the resistance value between the input node A and the output node B of the voltage signal transfer unit 100 To control the voltage signal transmitter 100.

저항값 변동제어부(300)는 저항값 감지부(310)와, 저항값 보상부(320)를 구비한다. 저항값 감지부(310)는 전달부의 입력노드(A)와 출력노드(B) 사이의 저항값의 변동을 감지하기 위한 것이다. 저항값 보상부(320)는 저항값 감지부에서 감지된 정보에 대응하여 전압신호 전달부(100)의 선형모드를 제어함으로서 입력노드(A)와 출력노드(B) 사이의 저항값을 줄일 수 있도록 한다.The resistance value variation control unit 300 includes a resistance value sensing unit 310 and a resistance value compensating unit 320. The resistance value sensing unit 310 is for sensing a variation of a resistance value between the input node A and the output node B of the transfer unit. The resistance value compensating unit 320 may reduce the resistance value between the input node A and the output node B by controlling the linear mode of the voltage signal transmitting unit 100 in accordance with the information sensed by the resistance value sensing unit .

도3은 도2에 도시된 전원공급회로의 일시예를 보여주는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing a temporal example of the power supply circuit shown in Fig.

도3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 전원공급회로는 전압신호 전달부(100)와, 저항값 변동제어부(300)를 구성하는 저항값 감지부(310)와, 저항값 보상부(320)를 구비한다. 여기서 도2에 도시된 피드백 회로부는 도1의 전압신호 전달부(10)를 제외한 나머지 회로에 대응하기 때문에 도3에서는 표시를 생략하였다.3, the power supply circuit according to the present embodiment includes a voltage signal transfer unit 100, a resistance value sensing unit 310 constituting a resistance value variation control unit 300, a resistance value compensating unit 320). Here, since the feedback circuit shown in FIG. 2 corresponds to the remaining circuits except for the voltage signal transmitter 10 of FIG. 1, the illustration is omitted in FIG.

전압신호 전달부(100)는 모스 트랜지스터(M2)를 구비하며, 일측단과 타측단이 입력단자(A)와 출력단자(B)에 연결되며 제어신호(G)를 게이트로 입력받는다. 다이오드(D5)는 모스 트랜지스터(M2)의 기생다이오드를 나타낸 것이다. 저항값 감지 부(310)는 전압신호 전달부(100)의 입력노드(A)에 일측 단자가 접속된 바이폴라 트랜지스터(T2)와, 바이폴라 트랜지스터(T2)의 베이스 단자에 + 단자가 접속되고, 전압신호 전달부(100)의 출력노드(B)에 - 단자가 접속된 다이오드(D4)를 구비한다. 또한, 저항값 감지부(310)는 전압신호 전달부(100)의 입력노드(A)에 일측과 바이폴라 트랜지스터(T2)의 베이스 단자 사이에 접속된 캐패시터(C11)를 구비한다. 여기서 바이폴라 트랜지스터(T2)는 PNP 바이폴라 트랜지스터로 구성한다.The voltage signal transfer unit 100 includes a MOS transistor M2 having one end and the other end connected to the input terminal A and the output terminal B and receiving the control signal G as a gate. Diode D5 represents a parasitic diode of MOS transistor M2. The resistance value sensing unit 310 includes a bipolar transistor T2 having one terminal connected to the input node A of the voltage signal transfer unit 100 and a positive terminal connected to the base terminal of the bipolar transistor T2, And a diode D4 to which the - terminal is connected to the output node B of the signal transmission unit 100. [ The resistance value sensing unit 310 includes a capacitor C11 connected between the input node A of the voltage signal transfer unit 100 and the base terminal of the bipolar transistor T2. Here, the bipolar transistor T2 is composed of a PNP bipolar transistor.

저항값 보상부(320)는 바이폴라 트랜지스터(T2)의 타측 단자에 일측단이 접속된 저항(R12)과, 저항(R12)의 타측에 베이스 단자가 접속되고 일측이 모스 트랜지스터(M2)의 게이트에 접속된 바이폴라 트랜지스터(T3)와, 바이폴라 트랜지스터(T2)의 타측 단자와 접지전압 공급단(VSS) 사이에 구비된 저항(R11)과, 바이폴라 트랜지스터(T3)의 타측 단자와 접지전압 공급단(VSS) 사이에 구비된 저항(R13)을 구비한다. 여기서 바이폴라 트랜지스터(T3)는 NPN 바이폴라 트랜지스터로 구성한다. 캐패시터(C12)는 도1에 도시된 캐패시터(C1)와 실질적으로 같은 역할을 하는 캐패시터이다.The resistance value compensating unit 320 includes a resistor R12 having one end connected to the other terminal of the bipolar transistor T2 and a resistor R12 having a base terminal connected to the other end of the resistor R12 and having one side connected to the gate of the MOS transistor M2 A resistor R11 provided between the other terminal of the bipolar transistor T2 and the ground voltage supply terminal VSS and a resistor R11 provided between the other terminal of the bipolar transistor T3 and the ground voltage supply terminal VSS And a resistor R13 provided between the resistor R13 and the resistor R13. Here, the bipolar transistor T3 is composed of an NPN bipolar transistor. Capacitor C12 is a capacitor that acts substantially the same as capacitor C1 shown in Fig.

계속해서 도2과 도3를 참조하여 본 발명에 따른 전원공급회로의 동작을 살펴본다. Next, the operation of the power supply circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. 2 and FIG.

제어신호(G)는 전압신호 전달부(100)의 모스 트랜지스터(M2)는 동작모드중 선형모드에서 동작될 수 있는 값을 가지고 모스 트랜지스터(M2)의 게이트로 입력된다. 제어신호(G)가 일정한 전압레벨을 유지하면, 모스 트랜지스터(M2)를 통해 출력노드(B)로 전달되는 전압신호가 일정한 전압레벨을 유지하게 된다. 출력노드(B)와 연결된 출력단(OUT,도2 참조)은 각각의 기능을 하는 회로에 연결되어 있다. The control signal G is input to the gate of the MOS transistor M2 with a value that can be operated in the linear mode during the operation mode of the MOS transistor M2 of the voltage signal transfer unit 100. [ When the control signal G maintains a constant voltage level, the voltage signal transmitted to the output node B through the MOS transistor M2 maintains a constant voltage level. The output stage OUT (see FIG. 2) connected to the output node B is connected to a respective functioning circuit.

각 회로에서 전압을 일시적으로 많이 사용하게 되면, 출력노드(B)의 전압레벨이 하강하게 된다. 즉, 출력단(OUT)에 연결된 부하의 저항값이 변하게 되면, 출력단자(B)의 전압레벨이 하강하고, 그로 인해 모스 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 소스 단자 사이에 전압이 형성된다. 이 때 형성된 전압에 의해 모스 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 소스 단자 사이에 저항값(Rds)이 증가하게 된다. 이 때 증가된 모스 트랜지스터(M2)의 저항값으로 인해 열이 발생하고, 발생된 열이 모스 트랜지스터(M2)에 데미지를 입힐 수 있다.When the voltage is temporarily increased in each circuit, the voltage level of the output node B is lowered. That is, when the resistance value of the load connected to the output terminal OUT changes, the voltage level of the output terminal B falls, thereby forming a voltage between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M2. The voltage formed at this time increases the resistance value Rds between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M2. At this time, heat is generated due to the increased resistance value of the MOS transistor M2, and the generated heat may damage the MOS transistor M2.

모스 트랜지스터(M2)의 저항값으로 인해, 저항값 변동제어부(300)의 저항값 감지부(310)에 있는 바이폴라 트랜지스터(T2)의 베이스 단자와 에미트 단자 사이에 음(-)전압이 형성된다. 이 때 형성된 음의 전압에 의해 바이폴라 트랜지스터(T2)가 턴온되고, 바이폴라 트랜지스터(T2)의 에미트 단자와 콜렉트 단자 사이에 전류가 흐르게 된다. 이때 흐르게 되는 전류량은 모스 트랜지스터(M2)의 드레인단과 소스단 사이에 저항값의 변화에 따라 정해진다. A negative voltage is formed between the base terminal and the emitter terminal of the bipolar transistor T2 in the resistance value sensing unit 310 of the resistance value variation control unit 300 due to the resistance value of the MOS transistor M2 . The bipolar transistor T2 is turned on by the negative voltage formed at this time, and a current flows between the emitter terminal and the collector terminal of the bipolar transistor T2. The amount of current flowing at this time is determined according to the change of the resistance value between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M2.

바이폴라 트랜지스터(T2)의 에미트 단자와 콜렉트 단자 사이에 흐르는 전류로 인해 저항값 보상부(320)에 구비된 바이폴라 트랜지스터(T3)가 턴온된다. 바이폴라 트랜지스터(T3)가 턴온되면, 제어신호(G)가 입력되는 모스 트랜지스터(M2)의 게이트 단자와 접지전압 공급단(320) 사이에 전류를 흐르게 하고, 그로 인해 모스 트랜지스터(M2)의 게이트 단자의 전압이 강하된다. 즉, 제어신호(G)가 공급되더라도 모스 트랜지스터(M2)의 동작에 영향을 줄 수 없게 되고, 모스 트랜지스터(M2)를 일시적으로 턴오프시키게 된다. 따라서 모스 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 소스단자의 저항값의 증가로 인해 열이 누적되는 것을 줄일 수 있게 되는 것이다. 모스 트랜지스터(M2)가 턴오프된 상태에서는 모스 트랜지스터(M2)에 발생하던 열이 줄어들게 된다. 열이 줄어든다는 것은 모스 트랜지스터(M2)의 저항(Rds)이 줄어드는 것을 말하고, 그로 인해 저항(Rds) 양단에 인가되던 전압값도 줄어들게 된다. 모스 트랜지스터(M2)의 양단간에 인가되던 전압값이 줄게되면, 바이폴라 트랜지스터(T2)가 턴오프되고, 그로 인해 바이폴라 트랜지스터(T3)도 턴오프된다. 따라서, 다시 제어신호(G)에 따라 모스 트랜지스터(M2)가 제어된다.The bipolar transistor T3 provided in the resistance value compensating unit 320 is turned on due to the current flowing between the emitter terminal and the collector terminal of the bipolar transistor T2. When the bipolar transistor T3 is turned on, a current flows between the gate terminal of the MOS transistor M2 to which the control signal G is input and the ground voltage supply terminal 320, Is lowered. That is, even if the control signal G is supplied, the operation of the MOS transistor M2 can not be affected, and the MOS transistor M2 is temporarily turned off. Accordingly, accumulation of heat due to an increase in the resistance value of the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M2 can be reduced. The heat generated in the MOS transistor M2 is reduced when the MOS transistor M2 is turned off. Reducing the heat means that the resistance Rds of the MOS transistor M2 is reduced, and thus the voltage value applied across the resistor Rds is also reduced. When the voltage value applied between both ends of the MOS transistor M2 is reduced, the bipolar transistor T2 is turned off, thereby turning off the bipolar transistor T3. Therefore, the MOS transistor M2 is controlled in accordance with the control signal G again.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 실시예에 따른 전원공급회로는 전압신호 전달부의 양단 저항값을 감지하고, 저항값이 증가하게 되어 전원공급 전달부에 열이 발생하게 되면, 전압신호 전달부의 동작을 일시적으로 멈추게 한다. 다시 전압신호 전달부에 발생했던 열이 줄어들게 되면, 다시 전압신호 전달부가 다시 동작하게 된다. 그러므로, 본 실시예에 따른 전원공급회로는 출력단에 전압변동이 생기더라도 동작상의 신뢰성을 기대할 수 있다.As described above, the power supply circuit according to the present embodiment senses the both end resistance values of the voltage signal transfer unit, and when the resistance value is increased and heat is generated in the power supply transfer unit, the operation of the voltage signal transfer unit is temporarily . When the heat generated in the voltage signal transfer part is reduced again, the voltage signal transfer part is operated again. Therefore, in the power supply circuit according to the present embodiment, reliability of operation can be expected even if voltage fluctuation occurs at the output terminal.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. I will understand. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims, as well as the appended claims.

도1은 전원공급회로를 보여주는 회로도.1 is a circuit diagram showing a power supply circuit;

도2는 본 발명의 일시예를 나타내는 블럭도.2 is a block diagram showing a temporal example of the present invention.

도3은 도2에 도시된 전원공급회로의 일실시예를 보여주는 회로도.Fig. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the power supply circuit shown in Fig. 2. Fig.

* 도면의 주요부분에 대한 부호설명 *Description of the Related Art [0002]

M1,M2: 모스 트랜지스터 R1~R9, R11~R13: 저항M1, M2: MOS transistors R1 to R9, R11 to R13: Resistors

T1~T3: 바이폴라 트랜지스터 C1~C3, C11,C12: 캐패시터T1 to T3: Bipolar transistors C1 to C3, C11 and C12: Capacitors

D1~D4: 다이오드D1 to D4: Diodes

Claims (18)

입력단을 통해 입력된 전압신호를 제어신호에 응답하여 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부;A voltage signal transfer unit for transferring a voltage signal inputted through an input terminal to an output terminal in response to a control signal; 상기 출력단을 통해 출력되는 전압신호의 전압레벨 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 상기 전압신호 전달부의 전압신호 전달특성을 제어하기 위한 피드백 회로부; 및A feedback circuit for controlling a voltage signal transfer characteristic of the voltage signal transfer unit by receiving feedback information of a changed voltage level of the voltage signal output through the output terminal; And 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값 상승에 대응하여, 상기 저항값이 줄어들 수 있도록 상기 전압신호 전달부를 제어하기 위한 저항값 변동제어부A resistance value change control unit for controlling the voltage signal transfer unit so that the resistance value is reduced in response to a resistance value increase between an input node and an output node of the voltage signal transfer unit, 를 포함하는 전원공급회로./ RTI > 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 저항값 변동제어부는The resistance value variation control section 상기 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값의 변동을 감지하기 위한 저항값 감지부; 및A resistance value sensing unit for sensing a variation of a resistance value between an input node and an output node of the transfer unit; And 상기 저항값 감지부에서 감지된 정보에 대응하여 상기 전압신호 전달부의 선형동작 모드를 제어하기 위한 저항값 보상부를 포함하는 전원공급회로.And a resistance value compensating unit for controlling a linear operation mode of the voltage signal transmitting unit according to the information sensed by the resistance value sensing unit. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 전압신호 전달부는 The voltage signal transfer unit 모스 트랜지스터를 포함하며, 상기 제어신호는 상기 모스 트랜지스터의 게이트로 제공되는 전원공급회로.Wherein the control signal is provided to the gate of the MOS transistor. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 저항값 감지부는The resistance value sensing unit 상기 전압신호 전달부의 입력노드에 일측 단자가 접속된 제1 바이폴라 트랜지스터; 및A first bipolar transistor having one terminal connected to an input node of the voltage signal transfer unit; And 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 + 단자가 접속되고, 상기 전압신호 전달부의 출력노드에 - 단자가 접속된 다이오드를 포함하는 전원공급회로.Wherein a + terminal is connected to the base of the first bipolar transistor, and a terminal is connected to an output node of the voltage signal transfer section. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 저항값 감지부는The resistance value sensing unit 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 접속된 캐패시터를 포함하는 전원공급회로.And a capacitor connected between an input node of the voltage signal transfer unit and a base terminal of the first bipolar transistor. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 저항값 보상부는The resistance value compensating unit 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 타측 단자에 베이스 단자가 접속되고, 일측이 상기 모스 트랜지스터의 게이트 단자에 접속된 제2 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.And a second bipolar transistor having a base terminal connected to the other terminal of the first bipolar transistor and a second terminal connected to the gate terminal of the MOS transistor. 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 저항값 보상부는 The resistance value compensating unit 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 타측 단자와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 구비된 제1 저항;A first resistor provided between the other terminal of the first bipolar transistor and the base terminal of the second bipolar transistor; 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 타측 단자와 접지전압 공급단 사이에 구비된 제2 저항; 및A second resistor provided between the other terminal of the first bipolar transistor and the ground voltage supply terminal; And 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 타측단자와 상기 접지전압 공급단 사이에 구비된 제3 저항을 포함하는 전원공급회로.And a third resistor provided between the other terminal of the second bipolar transistor and the ground voltage supply terminal. 제 7 항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터는 PNP 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원 공급회로.Wherein the first bipolar transistor comprises a PNP bipolar transistor. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제2 바이폴라 트랜지스터는 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.Wherein the second bipolar transistor comprises an NPN bipolar transistor. 입력단을 통해 입력된 전압신호를 제어신호에 응답하여 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 및A voltage signal transfer unit for transferring a voltage signal inputted through an input terminal to an output terminal in response to a control signal; And 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값 상승에 대응하여, 상기 저항값이 줄어들 수 있도록 상기 전압신호 전달부를 제어하기 위한 저항값 변동제어부A resistance value change control unit for controlling the voltage signal transfer unit so that the resistance value is reduced in response to a resistance value increase between an input node and an output node of the voltage signal transfer unit, 를 포함하는 전원공급회로./ RTI > 제 10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 저항값 변동제어부는The resistance value variation control section 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 출력노드 사이의 저항값의 변동을 감지하기 위한 저항값 감지부; 및A resistance value sensing unit for sensing a variation of a resistance value between an input node and an output node of the voltage signal transfer unit; And 상기 감지부에서 감지된 정보에 대응하여 상기 전압신호 전달부를 제어하기 위한 저항값 보상부를 포함하는 전원공급회로.And a resistance value compensator for controlling the voltage signal transmitter according to the information sensed by the sensing unit. 제 11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 전압신호 전달부는 The voltage signal transfer unit 모스 트랜지스터를 포함하며, 상기 제어신호는 상기 모스 트랜지스터의 게이트단자로 제공되는 전원공급회로.Wherein the control signal is provided to a gate terminal of the MOS transistor. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 저항값 감지부는The resistance value sensing unit 상기 전달부의 입력노드에 일측 단자가 접속된 제1 바이폴라 트랜지스터;및A first bipolar transistor having one terminal connected to an input node of the transfer unit; 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 일측 단자에 + 단자가 접속되고, 상기 전압신호 전달부의 출력노드에 - 단자가 접속된 다이오드를 포함하는 전원공급회로.And a diode whose positive terminal is connected to one terminal of the first bipolar transistor and whose terminal is connected to an output node of the voltage signal transfer portion. 제 13 항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 저항값 감지부는The resistance value sensing unit 상기 전압신호 전달부의 입력노드와 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 접속된 캐패시터를 더 포함하는 전원공급회로.And a capacitor connected between an input node of the voltage signal transfer unit and a base terminal of the first bipolar transistor. 제 13 항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 저항값 보상부는The resistance value compensating unit 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 타측 단자에 베이스 단자가 접속되고, 일측이 상기 모스 트랜지스터의 게이트 단자에 접속된 제2 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.And a second bipolar transistor having a base terminal connected to the other terminal of the first bipolar transistor and a second terminal connected to the gate terminal of the MOS transistor. 제 15 항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 저항값 보상부는 The resistance value compensating unit 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 타측 단자와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 구비된 제1 저항;A first resistor provided between the other terminal of the first bipolar transistor and the base terminal of the second bipolar transistor; 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 타측 단자와 접지전압 공급단 사이에 구비된 제2 저항; 및A second resistor provided between the other terminal of the first bipolar transistor and the ground voltage supply terminal; And 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 타측단자와 상기 접지전압 공급단 사이에 구비된 제3 저항을 더 포함하는 전원공급회로.And a third resistor provided between the other terminal of the second bipolar transistor and the ground voltage supply terminal. 제 16 항에 있어서,17. The method of claim 16, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터는 PNP 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.Wherein the first bipolar transistor comprises a PNP bipolar transistor. 제 17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 상기 제2 바이폴라 트랜지스터는 NPN 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.Wherein the second bipolar transistor comprises an NPN bipolar transistor.
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