KR101533463B1 - Power supplying circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 출력단 전압변동이 생기더라도 전압신호를 전달하기 위한 전압전달부가 데미지를 입지 않을 수 있는 전원공급회로를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 입력단을 통해 입력된 전압신호를 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 상기 출력단을 통해 출력되는 전압신호의 전압레벨 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 상기 전압신호 전달부의 전압신호 전달특성을 제어하기 위한 피드백 회로부; 및 상기 출력단의 전압변동으로 인해 상기 전압신호 전달부에 열이 생기는 것을 방지하기 위해 상기 전압신호 전달부의 동작을 제어하는 전달회로 보호회로부를 포함하는 전원공급회로를 제공한다.The present invention provides a power supply circuit in which a voltage transfer unit for transmitting a voltage signal may not be damaged even if an output voltage fluctuation occurs. To this end, the present invention provides a power supply circuit for transmitting a voltage signal input through an input terminal to an output terminal A voltage signal transmission unit; A feedback circuit for controlling a voltage signal transfer characteristic of the voltage signal transfer unit by receiving feedback information of a changed voltage level of the voltage signal output through the output terminal; And a transfer circuit protection circuit part for controlling the operation of the voltage signal transfer part to prevent heat from being generated in the voltage signal transfer part due to voltage variation of the output terminal.

전원공급회로, 모스 트랜지스터, 바이폴라 트랜지스터, 피드백, 저항. Power supply circuit, MOS transistor, bipolar transistor, feedback, resistance.

Description

전원공급회로{POWER SUPPLYING CIRCUIT}Power supply circuit {POWER SUPPLYING CIRCUIT}

본 발명은 전자회로에 관한 것으로, 전원을 공급하기 위한 전원공급회로에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic circuit, and more particularly, to a power supply circuit for supplying power.

전자회로에 관한 기술이 발달하면서 다양한 기능을 하는 전자회로가 하나의 전자기기에 더 많이 집적되고 있다. 전자기기에 구비되는 전자회로는 내부에 구비되는 전원공급회로로부터 전원을 공급받아 예정된 기능을 수행한다. 전자기기는 점점 더 소형화되고, 기능은 더 다양해짐에 따라 전자기기 내부의 각 회로에 전원을 공급하는 전원공급회로의 역할이 점점 더 중요해지고 있다. 특히, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, 이하 PDP)을 위한 구동장치는 안정적으로 계속해서 화면정보를 PDP에 구현해야 하기 때문에, 다양한 전압을 안정적으로 제공할 수 있는 전원공급회로의 역할이 매우 중요하다.Background Art [0002] With the development of technologies related to electronic circuits, electronic circuits having various functions are increasingly integrated in one electronic device. An electronic circuit provided in the electronic apparatus receives power from a power supply circuit provided therein and performs a predetermined function. BACKGROUND OF THE INVENTION As electronic devices become more compact and functions become more diverse, the role of power supply circuits that supply power to each circuit within an electronic device becomes increasingly important. In particular, since a driving apparatus for a plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP) is required to continuously and stably implement screen information in a PDP, it is very important to provide a power supply circuit capable of stably supplying various voltages .

PDP 장치에 구비되는 전원공급회로는 교류형태로 입력되는 전압신호를 직류형태의 전압신호로 변환하여 내부의 각 회로에 공급하는 역할을 한다. 전원공급회 로를 구현하는 방법에는 가변저항을 이용하여 입력되는 전압신호의 전압을 강하시켜 일정한 출력전압을 얻는 리니어(Linear) 방식의 전원공급회로를 이용하는 방법과, 턴온/턴오프를 연속적으로 조작하여 정전압의 출력을 얻는 스위칭 모드를 이용하는 방법이 있다.The power supply circuit provided in the PDP apparatus converts a voltage signal input in an AC form into a DC voltage signal and supplies the voltage signal to each internal circuit. A method of implementing a power supply circuit includes a method using a linear power supply circuit that uses a variable resistor to drop a voltage of a voltage signal to obtain a constant output voltage and a method of continuously turning on / And a switching mode for obtaining an output of a constant voltage is used.

리니어 방식의 전원공급회로는 입력전압을 전달하기 위해 전압전달부를 구성하는 파워 트랜지스터를 선형모드에서 동작시키는 것이 특징이다. 그러나, 리니어 방식의 전원공급회로는 선형모드로 동작하는 파워 트랜지스터의 출력단 전압이 갑자기 작아지거나, 심지어 출력단이 단락되었을 경우에는 파워 트랜지스터의 양단 사이에 생기는 전압차이로 인해 열이 발생된다. 파워 트랜지스터 양단간에 저항값이 증가되고 그로 인해 열이 생기는데, 이 열로 인해 파워 트랜지스터가 파괴될 수도 있다. The power supply circuit of the linear type is characterized in that the power transistor constituting the voltage transfer section is operated in a linear mode to transfer the input voltage. However, in the linear type power supply circuit, when the output terminal voltage of a power transistor operating in a linear mode suddenly becomes small, or even when an output terminal is short-circuited, heat is generated due to a voltage difference between both ends of the power transistor. The resistance value between the power transistors is increased and the heat is generated, which may cause the power transistor to be destroyed.

본 발명은 출력단 전압변동이 생기더라도 전압신호를 전달하기 위한 전압전달부가 데미지를 입지 않을 수 있는 전원공급회로를 제공한다.The present invention provides a power supply circuit in which a voltage transmitting portion for transmitting a voltage signal may not be damaged even if an output voltage fluctuation occurs.

본 발명은 입력단을 통해 입력된 전압신호를 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 상기 출력단을 통해 출력되는 전압신호의 전압레벨이 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 상기 전압신호 전달부의 전압신호 전달특성을 제어하기 위한 피드백 회로부; 및 상기 출력단의 전압변동으로 인해 상기 전압신호 전달부에 열이 생기는 것을 방지하기 위해 상기 전압신호 전달부의 동작을 제어하는 전달회로 보호회로부를 포함하는 전원공급회로를 제공한다.The present invention relates to a voltage signal transfer unit for transferring a voltage signal inputted through an input terminal to an output terminal. A feedback circuit for controlling a voltage signal transfer characteristic of the voltage signal transfer unit by receiving feedback information of a changed voltage level of the voltage signal outputted through the output terminal; And a transfer circuit protection circuit part for controlling the operation of the voltage signal transfer part to prevent heat from being generated in the voltage signal transfer part due to voltage variation of the output terminal.

또한, 본 발명은 입력단을 통해 입력된 전압신호를 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 및 상기 출력단의 전압변동으로 인해 상기 전압신호 전달부에 열이 생기는 것을 방지하기 위한 전달회로 보호회로부를 포함하는 전원공급회로를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including: a voltage signal transfer unit for transferring a voltage signal input through an input terminal to an output terminal; And a transfer circuit protection circuit part for preventing heat from being generated in the voltage signal transfer part due to a voltage variation of the output terminal.

본 발명에 의한 전원공급회로는 출력단에 전압변동이 생겨서 그로 인해 전원공급회로의 전압전달부에 열이 발생하게 되는 경우, 전압전달부의 동작을 중지시켜 서, 전압전달부에 열이 누적되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 출력단 전압이 급격하게 변동되더라도 그로 인해 전압전달부가 데미지를 입지 않는다. 본 발명에 의한 전원공급회로를 PDP 장치에 적용하면, PDP 장치의 내부 각 회로에 보다 안정적으로 구동전압을 공급할 수 있다.The power supply circuit according to the present invention stops the operation of the voltage transfer unit when heat is generated in the voltage transfer unit of the power supply circuit due to the voltage fluctuation at the output terminal thereby preventing the heat from being accumulated in the voltage transfer unit can do. Therefore, even if the output terminal voltage is abruptly changed, the voltage transmitting portion is not damaged thereby. By applying the power supply circuit according to the present invention to the PDP apparatus, it is possible to more stably supply the driving voltage to each internal circuit of the PDP apparatus.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. do.

도1은 리니어 타입의 전원공급회로를 보여주는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a power supply circuit of a linear type.

도1에 도시된 바와 같이, 리니어 타입의 전원공급회로는 전압신호 전달부(10)와, 피드백 회로부(20)와, 출력전압 감지부(30)를 구비한다. 전압신호 전달부(10)는 제어신호(G)에 응답하여 입력단(IN)을 통해 입력되는 전압신호를 출력단(OUT)으로 전달하기 위한 모스 트랜지스터(M1)를 구비한다. 피드백 회로부(20)는 출력단(OUT)의 전압레벨의 변동에 따라 모스 트랜지스터(M1)의 게이트단 전압레벨을 제어하기 위해 다수의 저항(R1~R9)과 캐패시터(C2)와, 바이폴라 트랜지스터(T1)와 다이오드(D1~D3)를 구비한다. 여기서 캐패시터(C1)는 입력단(IN)의 신호 변동폭을 안정적으로 하기 위한 것이고, 캐패시터(C3)는 출력단(OUT)의 전압변동폭을 안정적으로 하기 위한 것이다. 다이오드(D1,D3)는 제너 다이오드이고, 저항(R8)은 가변저항이다. 피드백 회로부(200)의 입력신호(V)는 가변저항(R8)의 저항값을 조절하 고, 그로 인해 출력단으로 출력되는 전압(OUT)의 레벨이 조정할 수 있기 위한 것이다. 출력전압 감지부(30)는 저항(Ra,Rb)을 구비하여, 출력되는 출력전압(OUT)의 전압레벨을 확인하기 위한 것이다. 여기서 출력전압(OUT)은 다양한 회로의 구동전압으로 사용될 수 있는데, 특히 PDP 장치에서 어드레스 회로의 어드레스 신호를 생성하는데 사용될 수 있다. PDP 장치의 어드레스 회로로 사용되는 경우 출력전압은 60~65V 정도 된다. 저항(R10)은 다이오드(D13)의 동작전류를 흐르게 하여, 전체 회로의 레귤레이션을 맞추기 위한 것이다.As shown in FIG. 1, the linear type power supply circuit includes a voltage signal transfer unit 10, a feedback circuit unit 20, and an output voltage sensing unit 30. The voltage signal transfer unit 10 includes a MOS transistor M1 for transferring a voltage signal inputted through an input terminal IN in response to a control signal G to an output terminal OUT. The feedback circuit section 20 includes a plurality of resistors R1 to R9 and a capacitor C2 for controlling the gate terminal voltage level of the MOS transistor M1 in accordance with the variation of the voltage level of the output terminal OUT, And diodes D1 to D3. Here, the capacitor C1 is for stabilizing the signal fluctuation width of the input terminal IN and the capacitor C3 is for stabilizing the voltage fluctuation width of the output terminal OUT. Diodes D1 and D3 are zener diodes, and resistor R8 is a variable resistor. The input signal V of the feedback circuit unit 200 controls the resistance value of the variable resistor R8 so that the level of the voltage OUT output to the output terminal can be adjusted. The output voltage sensing unit 30 includes resistors Ra and Rb to confirm the voltage level of the output voltage OUT. Here, the output voltage OUT can be used as a driving voltage for various circuits, and can be used to generate an address signal of an address circuit, particularly in a PDP apparatus. When used as an address circuit of a PDP device, the output voltage is about 60 to 65V. The resistor R10 is intended to flow the operating current of the diode D13 to adjust the regulation of the entire circuit.

입력단(IN)으로 입력되는 전압신호는 일정한 레벨을 가지고 있지 못하고 전압이 흔들리는 상태이다. 동작초기에 제어신호(G)가 모스 트랜지스터(M1)의 게이트 단자에 인가되면 모스 트랜지스터(M1)가 턴온되고, 그로 인해 입력단(IN)으로 입력되는 전압신호가 출력단(OUT)으로 전달된다. 여기서 모스 트랜지스터(M1)는 모스 트랜지스터의 고유동작 영역중 오믹(Ohmic)영역과 액티브(Active)영역에서 동작되도록 제어신호(V)에 의해서 제어된다.The voltage signal input to the input terminal IN does not have a constant level and the voltage is shaken. When the control signal G is applied to the gate terminal of the MOS transistor M1 at the beginning of the operation, the MOS transistor M1 is turned on so that the voltage signal input to the input terminal IN is transmitted to the output terminal OUT. Herein, the MOS transistor M1 is controlled by the control signal V so as to operate in the ohmic region and the active region of the inherent operation region of the MOS transistor.

이때 출력단(OUT)을 통해 출력되는 전압의 변동이 생기면, 모스 트랜지스터(M1)의 양단간에 전압이 생긴다. 이는 모스 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 소스 단자간에 저항값(Rds)이 증가됨을 의미한다. 저항값(Rds)이 증가되면 모스 트랜지스터(M1)에 열이 발생하게 된다. 저항값(Rds)의 변동이 누적되면, 모스 트랜지스터(M1)에 누적되는 열도 점점 증가하게 된다. At this time, if the voltage outputted through the output terminal OUT fluctuates, a voltage is generated across both ends of the MOS transistor M1. This means that the resistance value Rds between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M1 is increased. When the resistance value Rds is increased, heat is generated in the MOS transistor M1. When the variations of the resistance value Rds are accumulated, the heat accumulated in the MOSFET M1 also increases gradually.

전원공급회로의 특성상 출력단(OUT)의 전압변동이 매우 빈번할 수 밖에 없는데, 이로 인해 모스 트랜지스터(M1)에 누적되는 열도 매우 크게 증가할 수 있다. 특히, 출력단에 단락이라도 생기면 모스 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 소스 단자간에 저항값(Rds)이 급격하게 증가된다. 그로 인해 발생하는 열도 크게 증가하고, 그로 인해 심한 경우 모스 트랜지스터(M1)가 파괴되는 경우도 생길 수 있다. 이에 본 발명에서는 출력단(OUT)의 전압변동이 빈번하더라도, 모스 트랜지스터(M1)에 발생하는 열을 줄일 수 있는 회로를 제안한다.Due to the characteristics of the power supply circuit, the voltage variation of the output terminal OUT is extremely frequent, and the heat accumulated in the MOS transistor M1 can be greatly increased. Particularly, when a short circuit occurs at the output terminal, the resistance value Rds between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M1 is abruptly increased. The heat generated thereby also increases greatly, and in some cases, the MOS transistor M1 may be destroyed. Accordingly, the present invention proposes a circuit capable of reducing the heat generated in the MOS transistor Ml even if the voltage variation of the output terminal OUT is frequent.

도2는 본 발명의 일시예를 나타내는 블럭도이다.2 is a block diagram showing a temporal example of the present invention.

도2를 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 전원공급회로는 전압신호 전달부(100), 피드백 회로부(200), 및 전달회로 보호회로부(300)를 구비한다. 전압신호 전달부(100)는 제어신호(G)에 응답하여 입력단(IN)을 통해 입력된 전압신호를 출력단(OUT)으로 전달하기 위한 것이다. 피드백 회로부(200)는 출력단(OUT)을 통해 출력되는 전압이 변동되면, 변동된 만큼의 정보를 피드백받아 전압신호 전달부(100)를 제어하기 위한 것이다. 전달회로 보호회로부(400)는 출력단(OUT)의 전압변동으로 인해 전압신호 전달부(100)에 열이 생기는 것을 방지하기 위한 것이다. 전달회로 보호회로부(400)는 출력단 전압레벨을 감지하기 위한 출력단자 감지부(410)와, 출력단자 감지부(410)에 의해 감지된 정보에 따라 전압신호 전달부(100)의 동작을 중지시키는 전달회로 동작제어부(420)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the power supply circuit according to the present embodiment includes a voltage signal transfer unit 100, a feedback circuit unit 200, and a transfer circuit protection circuit unit 300. The voltage signal transfer unit 100 is for transferring the voltage signal input through the input IN in response to the control signal G to the output OUT. The feedback circuit unit 200 is for controlling the voltage signal transfer unit 100 by receiving feedback of the changed information when the voltage output through the output terminal OUT is changed. The transmission circuit protection circuit unit 400 prevents the voltage signal transmission unit 100 from generating heat due to the voltage variation of the output terminal OUT. The transmission circuit protection circuit unit 400 includes an output terminal sensing unit 410 for sensing an output terminal voltage level and an output terminal sensing unit 410 for stopping the operation of the voltage signal transmission unit 100 according to information sensed by the output terminal sensing unit 410 And a transfer circuit operation control unit 420.

도3은 도2에 도시된 전원공급회로의 일시예를 보여주는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing a temporal example of the power supply circuit shown in Fig.

도3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 전원공급회로는 전압신호 전달부(100)와, 출력전압 감지부(300)와, 출력단자 감지부(410)와, 전달회로 동작제어부(420)를 포함한다. 전압신호 전달부(100)는 모스 트랜지스터(M2)를 구비하며, 일 측단과 타측단이 각각 입력단(IN)과 출력단(OUT)에 연결되며, 제어신호(G)를 게이트로 입력받는다. 여기서 피드백 회로부(200)는 도1에 도시된 피드백 회로부(20)와 실질적으로 같은 구성을 가지며, 같은 동작을 수행한다. 또한, 출력전압 감지부(300)도 도1의 출력전압 감지부(30)과 실질적으로 같은 동작을 수행한다. 저항(R20)은 다이오드(D13)의 동작전류를 흐르게 하여, 전체 회로의 레귤레이션을 맞추기 위한 것이다. 3, the power supply circuit according to the present embodiment includes a voltage signal transfer unit 100, an output voltage sensing unit 300, an output terminal sensing unit 410, a transfer circuit operation control unit 420 ). The voltage signal transfer unit 100 includes a MOS transistor M2 having one side and the other side connected to the input terminal IN and the output terminal OUT and receives the control signal G as a gate. Here, the feedback circuit portion 200 has substantially the same configuration as the feedback circuit portion 20 shown in FIG. 1, and performs the same operation. Also, the output voltage sensing unit 300 performs substantially the same operation as the output voltage sensing unit 30 of FIG. The resistor R20 is for flowing the operating current of the diode D13 to adjust the regulation of the entire circuit.

출력단자 감지부(410)는 출력단(OUT)에 - 단자가 접속된 다이오드(D16)와, 다이오드(D16)의 + 단자에 일측단이 접속된 저항(R23)과, 저항(R23)의 타측단에 - 단자가 접속된 다이오드(D14)와, 다이오드(D14)의 + 단자에 베이스 단자가 접속되고, 접지전압 공급단에 에미트 단자가 접속된 바이폴라 트랜지스터(T2)와, 입력단(IN)과 다이오드(D14)의 - 단자 사이에 접속된 저항(R21,R22)을 포함한다. 여기서 바이폴라 트랜지스터(T2)는 NPN 바이폴라 트랜지스터로 구성하고, 다이오드(D14)는 제너 다이오드로 구성한다. 또한, 출력단자 감지부(410)는 저항(R21,R22)의 저항값이 제2 저항(R23)의 저항값보다 더 큰 것을 특징으로 한다. 예를 들어 저항(R21,R22)은 33k Ω으로 구성하고, 저항(R23)은 10 Ω으로 구성할 수 있다. The output terminal sensing unit 410 includes a diode D16 having a terminal connected to the output terminal OUT and a resistor R23 having one end connected to the positive terminal of the diode D16, A bipolar transistor T2 whose base terminal is connected to the positive terminal of the diode D14 and whose emitter terminal is connected to the ground voltage supply terminal and a diode D14 to which an input terminal IN and a diode D14 are connected, And resistors R21 and R22 connected between the - terminals of the transistor D14. Here, the bipolar transistor T2 is composed of an NPN bipolar transistor, and the diode D14 is composed of a zener diode. Also, the output terminal sensing unit 410 is characterized in that the resistance value of the resistors R21 and R22 is larger than the resistance value of the second resistor R23. For example, the resistors R21 and R22 may be constituted by 33 kΩ and the resistor R23 may be constituted by 10 立.

전달회로 동작제어부(420)는 바이폴라 트랜지스터(T2)의 콜렉트 단자에 베이스 단자가 접속되고, 모스 트랜지스터(M2)의 게이트에 콜렉트 단자가 접속되고, 접지전압 공급단에 에미트 단자가 접속된 바이폴라 트랜지스터(T3)와, 바이폴라 트랜지스터(T3)의 베이스 단자에 +단자가 접속된 다이오드(D15)와, 입력단(IN)과 다이 오드(D15)의 -단자 사이에 배치된 저항(R24, R25)를 포함한다.The transfer circuit operation control section 420 includes a bipolar transistor M2 having a base terminal connected to the collector terminal of the bipolar transistor T2, a collector terminal connected to the gate of the MOS transistor M2, and an emitter terminal connected to the ground voltage supply terminal. A diode D15 having a positive terminal connected to the base terminal of the bipolar transistor T3 and a resistor R24 and R25 disposed between the input terminal IN and the negative terminal of the diode D15 do.

계속해서 도2과 도3를 참조하여 본 발명에 따른 전원공급회로의 동작을 살펴본다. Next, the operation of the power supply circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. 2 and FIG.

제어신호(G)는 전압신호 전달부(100)의 모스 트랜지스터(M2)가 선형모드에서 동작될 수 있는 값을 가지고 모스 트랜지스터(M2)의 게이트로 입력된다. 제어신호(G)가 일정한 전압레벨을 유지하면, 모스 트랜지스터(M2)를 통해 출력단(OUT)으로 전달되는 전압신호가 일정한 전압레벨을 유지하게 된다.The control signal G is input to the gate of the MOS transistor M2 at a value at which the MOS transistor M2 of the voltage signal transfer unit 100 can be operated in the linear mode. When the control signal G maintains a constant voltage level, the voltage signal transmitted to the output terminal OUT through the MOS transistor M2 maintains a constant voltage level.

출력단(OUT)을 통해 출력되는 전압이 정상적인 레벨을 가지고 있는 경우, 다이오드(D16)로 인해 출력단(OUT)의 전압이 바이스폴라 트랜지스터(T2)의 베이스단자에 영향을 주지 않는다. 한편, 입력단(IN)에 인가되는 전압이 제너 다이오드(D14)의 항복전압에 특성에 따라 감압되어 바이스폴라 트랜지스터(T2)의 베이스 단자에 전달된다. 따라서, 출력단자 감지부(420)의 바이폴라 트랜지스터(T2)는 턴온상태를 유지한다. 여기서 제너 다이오드(D14)의 항복전압은 상황에 따라 다르게 정해질 수 있으며, 일 예로 항복전압이 6.8V인 제너 다이오드(D14)를 사용할 수 있다.When the voltage output through the output terminal OUT has a normal level, the voltage of the output terminal OUT does not affect the base terminal of the bipolar transistor T2 due to the diode D16. On the other hand, the voltage applied to the input terminal IN is reduced in accordance with the breakdown voltage of the Zener diode D14 and transferred to the base terminal of the bipolar transistor T2. Therefore, the bipolar transistor T2 of the output terminal sensing unit 420 maintains a turned-on state. Here, the breakdown voltage of the Zener diode D14 may be determined depending on the situation. For example, a Zener diode D14 having a breakdown voltage of 6.8 V may be used.

바이폴라 트랜지스터(T2)가 턴온상태를 유지하게 되면, 바이폴라 트랜지스터(T2)의 에미트에 연결된 바이폴라 트랜지스터(T3)의 베이스 단자가 접지전압 공급단과 연결되어 바이폴라 트랜지스터(T3)가 턴오프상태를 유지하게 된다.When the bipolar transistor T2 is turned on, the base terminal of the bipolar transistor T3 connected to the emitter of the bipolar transistor T2 is connected to the ground voltage supply terminal so that the bipolar transistor T3 is maintained in the turned off state do.

출력단(OUT)과 연결된 외부 회로에서 전압을 일시적으로 많이 사용하게 되거나, 출력단(OUT)과 연결된 노드가 단락이 되면, 출력단(OUT)의 전압레벨이 하강하 게 된다. 출력단(OUT)의 전압레벨이 하강하고, 그로 인해 모스 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 소스 단자 사이에 전압이 형성된다. 이때 형성된 전압에 의해 모스 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 소스 단자 사이에 저항값(Rds)이 증가하게 된다. 증가된 모스 트랜지스터(M2)의 저항값으로 인해 열이 발생하고, 발생된 열이 모스 트랜지스터(M2)의 데미지를 크게 입힐 수 있다.When the voltage is temporarily used in the external circuit connected to the output terminal (OUT), or when the node connected to the output terminal (OUT) is short-circuited, the voltage level of the output terminal (OUT) is lowered. The voltage level of the output terminal OUT falls, thereby forming a voltage between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M2. The voltage formed at this time increases the resistance value Rds between the drain terminal and the source terminal of the MOS transistor M2. Heat is generated due to the resistance value of the increased MOS transistor M2, and the generated heat can greatly damage the MOS transistor M2.

출력단(OUT)의 전압이 낮아지거나 단락이 되면, 출력단자 감지부(420)의 바이폴라 트랜지스터(T1)가 턴오프 상태가 된다. 이는 출력단(OUT)과 접속된 다이오드(D16)의 - 단자에 낮은 전압이 걸리면 다이오드(D14,D16)와 출력단(OUT) 사이에 전류패스가 생기기 때문이다. 바이폴라 트랜지스터(T2)가 턴오프가 되면, 전달회로 동작제어부(420)의 바이폴라 트랜지스터(T3)가 턴온상태가 된다. 입력단(IN)을 통해 제공되는 입력전압이 저항과 제너 다이오드(D15)의 항복전압에 의해 감압되어 바이폴라 트랜지스터(T3)의 베이스 단자에 전달된다. 따라서, 바이폴라 트랜지스터(T3)가 턴온상태가 된다. 여기서 제너 다이오드(D15)의 항복전압은 상황에 따라 다르게 정해질 수 있으며, 일 예로 항복전압이 18V인 제너 다이오드(D15)를 사용할 수 있다.When the voltage of the output terminal OUT is lowered or short-circuited, the bipolar transistor T1 of the output terminal sensing unit 420 is turned off. This is because when a low voltage is applied to the - terminal of the diode D16 connected to the output terminal OUT, a current path is generated between the diodes D14 and D16 and the output terminal OUT. When the bipolar transistor T2 is turned off, the bipolar transistor T3 of the transfer circuit operation control section 420 is turned on. The input voltage provided through the input terminal IN is reduced by the breakdown voltage of the resistor and the zener diode D15 and transferred to the base terminal of the bipolar transistor T3. Thus, the bipolar transistor T3 is turned on. Here, the breakdown voltage of the zener diode D15 may be determined depending on the situation. For example, a zener diode D15 having a breakdown voltage of 18V may be used.

바이폴라 트랜지스터(T3)가 턴온 상태가 되면, 모스 트랜지스터(M2)의 게이트 단자가 접지전압 공급단과 연결이 되기 때문에 모스 트랜지스터(M2)는 턴오프 상태가 된다. 이 상태에서는 제어신호(G)가 입력되더라도 제어신호(G)는 모스 트랜지스터(M2)의 동작에 영향을 미치지 않는다. 즉, 출력단(OUT)의 전압이 낮아지고, 그로 인해 모스 트랜지스터(M2) 양단간의 전압차이가 발생하여 모스 트랜지스 터(M2)에 열이 발생하는 경우, 바이폴라 트랜지스터(T2,T3)를 이용하여 모스 트랜지스터(M2)를 일시적으로 턴오프시키는 것이다. 모스 트랜지스터(M2)가 턴오프되면, 모스 트랜지스터(M2)를 통해 흐르는 전류가 없어지게 때문에, 열이 생기지 않는다. 따라서, 단락등으로 인해 출력단(OUT)의 전압이 낮아져 모스 트랜지스터(M2)에 열이 생기는 경우, 전압을 전달하기 위한 메인소자인 모스 트랜지스터(M2)가 안정적으로 보호되는 것이다. 그러므로 본 실시예에 따른 전원공급회로의 동작상 신뢰성 향상을 기대할 수 있다.When the bipolar transistor T3 is turned on, the gate terminal of the MOS transistor M2 is connected to the ground voltage supply terminal, so that the MOS transistor M2 is turned off. In this state, even if the control signal G is inputted, the control signal G does not affect the operation of the MOS transistor M2. That is, when the voltage of the output terminal OUT is lowered, thereby causing a voltage difference between the both ends of the MOS transistor M2, and heat is generated in the MOS transistor M2, by using the bipolar transistors T2 and T3 And the MOS transistor M2 is temporarily turned off. When the MOS transistor M2 is turned off, no current flows through the MOS transistor M2, so that no heat is generated. Therefore, when the voltage of the output terminal OUT is lowered due to a short circuit or the like, and the heat is generated in the MOS transistor M2, the MOS transistor M2 serving as a main element for transmitting the voltage is stably protected. Therefore, it is expected that the reliability of operation of the power supply circuit according to the present embodiment can be improved.

본 실시예에 따른 전원공급회로는 PDP를 구동하기 위한 장치에서 어드레스 신호를 생성하는 회로에 연결할 수 있다. PDP 구동장치의 어드레스 신호 특성상 어드레스 신호가 제공되는 노드에 단락등이 생길 수 있다. 본 실시예에 따른 전원공급회로는 전압을 전달하는 메인소자의 동작을 일시적으로 중단시킴으로서 단락시 피해를 줄일 수 있기 때문에, 본 실시예에 따른 전원공급회로를 PDP 장치에 적용하게 되면, PDP 장치의 동작상 신뢰성 향상을 기대할 수 있다. 특히, 출력보호회로를 구비하고 있는 벅 컨버터(Buck conveter)를 PDP 장치에 사용하다가, 이 회로를 구비한 부품의 가격 때문에 최근에는 PDP 장치에 출력보호회로가 없는 스위칭 레귤레이터(switching regulator) 타입의 회로가 구비된 부품을 주로 사용하고 있다. 이 회로의 경우에는 출력보호회로가 없기 때문에, 본 실시예에 따른 전원공급회로를 스위칭 레귤레이터 타입의 회로에 적용하게 되면, 보다 효과적인 PDP 회로의 전원공급회로를 구성할 수 있다. The power supply circuit according to the present embodiment may be connected to a circuit for generating an address signal in an apparatus for driving the PDP. A short circuit or the like may occur at a node to which the address signal is provided due to the characteristics of the address signal of the PDP driving apparatus. Since the power supply circuit according to the present embodiment temporarily stops the operation of the main device for transferring the voltage, the damage can be reduced at the time of short circuit. Therefore, when the power supply circuit according to this embodiment is applied to the PDP device, An improvement in reliability in operation can be expected. In particular, a buck converter (Buck conveter) having an output protection circuit is used for a PDP apparatus, and a switching regulator type circuit Are mainly used. In the case of this circuit, since there is no output protection circuit, if a power supply circuit according to this embodiment is applied to a switching regulator type circuit, a more effective power supply circuit for a PDP circuit can be constructed.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으 나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims, as well as the appended claims.

도1은 전원공급회로를 보여주는 회로도.1 is a circuit diagram showing a power supply circuit;

도2는 본 발명의 일시예를 나타내는 블럭도.2 is a block diagram showing a temporal example of the present invention.

도3은 도2에 도시된 전원공급회로의 일실시예를 보여주는 회로도.Fig. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the power supply circuit shown in Fig. 2. Fig.

* 도면의 주요부분에 대한 부호설명 *Description of the Related Art [0002]

M1,M2: 모스 트랜지스터 R1~R9, R11~R25: 저항M1, M2: MOS transistors R1 to R9, R11 to R25:

T1~T3: 바이폴라 트랜지스터 C1~C3, C13, C20: 캐패시터T1 to T3: Bipolar transistors C1 to C3, C13 and C20: Capacitors

D1~D3, D11~D13, D16: 다이오드 D14, D15: 제너 다이오드D1 to D3, D11 to D13, D16: Diodes D14 and D15: Zener diodes

Claims (20)

입력단을 통해 입력된 전압신호를 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부;A voltage signal transmission unit for transmitting a voltage signal inputted through an input terminal to an output terminal; 상기 출력단을 통해 출력되는 전압신호의 전압레벨이 감소되면, 감소된 만큼의 정보를 피드백받아 상기 전압신호 전달부의 전압신호 전달특성을 제어하기 위한 피드백 회로부; 및A feedback circuit unit for controlling a voltage signal transfer characteristic of the voltage signal transfer unit by receiving a reduced amount of information when the voltage level of the voltage signal output through the output terminal is reduced; And 상기 출력단의 전압감소로 인해 상기 전압신호 전달부에 열이 생기는 것을 방지하기 위해 상기 전압신호 전달부의 동작을 제어하는 전달회로 보호회로부A transfer circuit protection circuit for controlling the operation of the voltage signal transfer unit to prevent heat from being generated in the voltage signal transfer unit due to a decrease in voltage at the output terminal, 를 포함하고,Lt; / RTI > 상기 전달회로 보호회로부는 상기 출력단 전압레벨을 감지하는 출력단자 감지부를 포함하고,Wherein the transfer circuit protection circuit part includes an output terminal sensing part for sensing the output terminal voltage level, 상기 전압신호 전달부는 모스 트랜지스터를 포함하고,Wherein the voltage signal transfer unit includes a MOS transistor, 상기 출력단자 감지부는,Wherein the output terminal sensing unit comprises: 상기 출력단에 - 단자가 접속된 제1 다이오드;A first diode having a - terminal connected to the output terminal; 상기 입력단 및 상기 제1 다이오드의 + 단자에 - 단자가 접속된 제2 다이오드; 및A second diode connected to the positive terminal of the first diode and the negative terminal of the first diode; And 상기 제 2 다이오드의 + 단자에 베이스 단자가 접속되고, 접지전압 공급단에 에미트 단자가 접속된 제1 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.And a first bipolar transistor having a base terminal connected to the + terminal of the second diode and an emitter terminal connected to the ground voltage supply terminal. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전달회로 보호회로부는,Wherein the transfer circuit protection circuit part comprises: 상기 출력단자 감지부에 의해 감지된 정보에 따라 상기 전압신호 전달부의 동작을 중지시키는 전달회로 동작제어부를 포함하는 전원공급회로.And a transfer circuit operation control unit for stopping the operation of the voltage signal transfer unit according to the information sensed by the output terminal sensing unit. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 출력단자 감지부는The output terminal sensing unit 상기 입력단과 상기 제2 다이오드의 - 단자 사이에 접속된 제1 저항; 및A first resistor connected between the input terminal and the negative terminal of the second diode; And 상기 제1 다이오드의 + 단자와 상기 제2 다이오드의 - 단자 사이에 접속된 제2 저항을 포함하는 전원공급회로.And a second resistor connected between the positive terminal of the first diode and the negative terminal of the second diode. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 출력단자 감지부의 상기 제2 다이오드는 제너 다이오드를 포함하는 전원공급회로.And the second diode of the output terminal sensing part includes a zener diode. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 출력단자 감지부는The output terminal sensing unit 상기 제1 저항의 저항값이 상기 제2 저항의 저항값보다 더 큰 전원공급회로.Wherein a resistance value of the first resistor is larger than a resistance value of the second resistor. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 전달회로 동작제어부는The transfer circuit operation control unit 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 콜렉트 단자에 베이스 단자가 접속되고, 상기 모스 트랜지스터의 게이트에 콜렉트 단자가 접속되고, 상기 접지전압 공급단에 에미트 단자가 접속된 제2 바이폴라 트랜지스터; 및A second bipolar transistor having a base terminal connected to the collector terminal of the first bipolar transistor, a collector terminal connected to the gate of the MOS transistor, and an emitter terminal connected to the ground voltage supply terminal; And 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자와 상기 입력단 사이에 배치된 제3 다이오드를 포함하는 전원공급회로.And a third diode disposed between the base terminal and the input terminal of the second bipolar transistor. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제3 다이오드는 제너 다이오드를 포함하는 전원공급회로. And the third diode comprises a zener diode. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 출력단을 통해 제공되는 전압신호는 PDP 장치의 어드레스 신호를 생성하기 위한 것임을 포함하는 전원공급회로.Wherein the voltage signal provided through the output terminal is for generating an address signal of the PDP device. 입력단을 통해 입력된 전압신호를 출력단으로 전달하기 위한 전압신호 전달부; 및A voltage signal transmission unit for transmitting a voltage signal inputted through an input terminal to an output terminal; And 상기 출력단의 전압감소로 인해 상기 전압신호 전달부에 열이 생기는 것을 방지하기 위해 상기 전압신호 전달부의 동작을 제어하는 전달회로 보호회로부A transfer circuit protection circuit for controlling the operation of the voltage signal transfer unit to prevent heat from being generated in the voltage signal transfer unit due to a decrease in voltage at the output terminal, 를 포함하고,Lt; / RTI > 상기 전달회로 보호회로부는 상기 출력단 전압레벨을 감지하는 출력단자 감지부를 포함하고,Wherein the transfer circuit protection circuit part includes an output terminal sensing part for sensing the output terminal voltage level, 상기 전압신호 전달부는 모스 트랜지스터를 포함하고,Wherein the voltage signal transfer unit includes a MOS transistor, 상기 출력단자 감지부는,Wherein the output terminal sensing unit comprises: 상기 출력단에 - 단자가 접속된 제1 다이오드;A first diode having a - terminal connected to the output terminal; 상기 입력단 및 상기 제1 다이오드의 + 단자에 - 단자가 접속된 제2 다이오드; 및A second diode connected to the positive terminal of the first diode and the negative terminal of the first diode; And 상기 제 2 다이오드의 + 단자에 베이스 단자가 접속되고, 접지전압 공급단에 에미트 단자가 접속된 제1 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 전원공급회로.And a first bipolar transistor having a base terminal connected to the + terminal of the second diode and an emitter terminal connected to the ground voltage supply terminal. 제 11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 전달회로 보호회로부는,Wherein the transfer circuit protection circuit part comprises: 상기 출력단자 감지부에 의해 감지된 정보에 따라 상기 전압신호 전달부의 동작을 중지시키는 전달회로 동작제어부를 포함하는 전원공급회로.And a transfer circuit operation control unit for stopping the operation of the voltage signal transfer unit according to the information sensed by the output terminal sensing unit. 삭제delete 삭제delete 제 11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 출력단자 감지부는The output terminal sensing unit 상기 입력단과 상기 제2 다이오드의 - 단자 사이에 접속된 제1 저항; 및A first resistor connected between the input terminal and the negative terminal of the second diode; And 상기 제1 다이오드의 + 단자와 상기 제2 다이오드의 - 단자 사이에 접속된 제2 저항을 포함하는 전원공급회로.And a second resistor connected between the positive terminal of the first diode and the negative terminal of the second diode. 제 11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 출력단자 감지부의 상기 제2 다이오드는 제너 다이오드를 포함하는 전원공급회로.And the second diode of the output terminal sensing part includes a zener diode. 제 15 항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 출력단자 감지부는The output terminal sensing unit 상기 제1 저항의 저항값이 상기 제2 저항의 저항값보다 더 큰 전원공급회로.Wherein a resistance value of the first resistor is larger than a resistance value of the second resistor. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 전달회로 동작제어부는The transfer circuit operation control unit 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 콜렉트 단자에 베이스 단자가 접속되고, 상기 모스 트랜지스터의 게이트에 콜렉트 단자가 접속되고, 상기 접지전압 공급단에 에미트 단자가 접속된 제2 바이폴라 트랜지스터; 및A second bipolar transistor having a base terminal connected to the collector terminal of the first bipolar transistor, a collector terminal connected to the gate of the MOS transistor, and an emitter terminal connected to the ground voltage supply terminal; And 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 단자와 상기 입력단 사이에 배치된 제3 다이오드를 포함하는 전원공급회로.And a third diode disposed between the base terminal and the input terminal of the second bipolar transistor. 제 18 항에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 제3 다이오드는 제너 다이오드를 포함하는 전원공급회로. And the third diode comprises a zener diode. 제 11 항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 출력단을 통해 제공되는 전압신호는 PDP 장치의 어드레스 신호를 생성하기 위한 것임을 포함하는 전원공급회로.Wherein the voltage signal provided through the output terminal is for generating an address signal of the PDP device.
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