KR101530836B1 - Method for preparation of imidodisulfuryl compounds - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 승온에서 연속 반응으로 이미도디술푸릴 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a process for preparing an imidosulfuryl compound in a continuous reaction at an elevated temperature.

Description

이미도디술푸릴 화합물 제조 방법 {METHOD FOR PREPARATION OF IMIDODISULFURYL COMPOUNDS}METHOD FOR PREPARATION OF IMIDODISULFURY COMPOUNDS [0002]

본 발명은 승온에서 연속 반응으로 이미도디술푸릴 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a process for preparing an imidosulfuryl compound in a continuous reaction at an elevated temperature.

이하에서, 달리 언급되지 않는 한 하기 의미가 사용된다:In the following, the following meanings are used unless otherwise stated:

CSI 클로로술포닐 이소시아네이트CSI Chlorosulfonyl isocyanate

CSOS 클로로술폰산CSOS chlorosulfonic acid

ClSI 비스(클로로술포닐)-이미드ClSI bis (chlorosulfonyl) -imide

FSI 플루오로술포닐 이소시아네이트FSI fluorosulfonyl isocyanate

FSOS 플루오로술폰산FSOS fluorosulfonic acid

FR 유량FR flow rate

RT 실온RT room temperature

이미도디술푸릴 화합물은 다양한 목적을 위해 사용된다. 하나의 예는, 리튬 이온 배터리에서와 같이 전해질로서 다시 사용되는, 예를 들어 자동차 배터리에서 사용될 수 있고, 터치 스크린에서 정전기 방지제로서 사용되는 리튬 비스(플루오로술포닐)이미드 제조용 이미도디술푸릴클로라이드의 용도이다.Imidosulfuryl compounds are also used for a variety of purposes. One example is the use of imido disulfuryl chloride for the production of lithium bis (fluorosulfonyl) imide, which can be used in automotive batteries, for example, used as an electrolyte, such as in lithium ion batteries, and as an antistatic agent in touch screens .

DE 1 159 410 B 는 우레아와 할로술폰산과의 반응에 의한 할로술포닐 이소시아네이트 제조 방법을 개시하고 있다. 반응은 바람직하게는 100 내지 180℃ 의 온도에서 수행된다. 구체적으로 개시된 것은 120 내지 150℃ 온도에서의 클로로술포닐 이소시아네이트의 제조이다.DE 1 159 410 B discloses a process for preparing a halosulfonyl isocyanate by reaction of urea with a halosulfonic acid. The reaction is preferably carried out at a temperature of from 100 to 180 캜. Specifically disclosed is the preparation of chlorosulfonyl isocyanate at temperatures between 120 and 150 < 0 > C.

DE 1 143 495 B 는 우레아와 플루오로술폰산과의 반응에 의한 이미도-비스(술푸릴)플루오라이드의 제조 방법을 개시하고 있다. 반응 온도는 명백히 나타내지 않는 한 실온에서 반응이 시작되며 반응 동안 반응 혼합물이 때때로 냉각된다.DE 1 143 495 B discloses a process for the preparation of imido-bis (sulfuryl) fluoride by reaction of urea with fluorosulfonic acid. The reaction temperature is initiated at room temperature unless explicitly indicated and the reaction mixture is occasionally cooled during the reaction.

CA 710255 A 는 트리클로로포스파조-술푸릴 클로라이드와 클로로술폰산의 반응에 의한 이미도-비스(술푸릴클로라이드)의 제조 방법을 개시한다. CA 710255 에 개시된 바와 같은 방법은 다소 고비용이고 사용시 환경에 대한 단점이 있는 인 화학물질을 요구한다는 담점을 갖는다.CA 710255 A discloses a process for the preparation of imido-bis (sulfuryl chloride) by reaction of trichlorophosphazo-sulfuryl chloride with chlorosulfonic acid. The method as disclosed in CA 710255 has a drawback that it requires chemicals that are somewhat more expensive and have environmental drawbacks in use.

WO 2009/123328 A1 은 발명의 실시예 구획에서 상술된, 배치 방법으로 ClSI 제조를 개시하고 있다.WO 2009/123328 A1 discloses the preparation of ClSI by the placement method described above in the Example section of the invention.

이미도디술푸릴할라이드 (또한, 이미도비스(술푸릴할라이드), 이미도비스술푸릴할라이드 또는 비스(할라이도술포닐)이미드로서 지칭됨, 이는 발명의 유사한 화합물에 대해 적용될 수 있음) 의 제조를 위한 발명의 반응식은 반응식 1 에 나타낸다:Imidosulfur halide (also referred to as imidobis (sulfuryl halide), imidobisulfuryl halide or bis (halidosulfonyl) imide, which may be applied to similar compounds of the invention). The scheme is shown in Scheme 1:

반응식 1Scheme 1

Figure 112014109925713-pct00001
Figure 112014109925713-pct00001

(식 중, Xa 및 Xb 는 할로겐임).(Wherein Xa and Xb are halogen).

둘 모두의 출발 화합물, 이소시아네이트 및 술폰산, 및 생성물, 비스이미드는 독성이 있으며 부식성이다. Xa 및 Xb 가 Cl 인 경우, 생성물은 승온에서 매우 높은 발열성 분해를 나타내며, 이는 제조에서의 충분한 안정도 측정 제공을 요한다. 반응 델타H 의 열은 약 100 kJ/mol 이며, 이미도술푸릴클로라이드의 분해의 시작은 대략 180℃ 이며, 단열 온도는 400℃ 를 초과하는 온도로 또한 상승된다. FSOS 와 CSI 의 반응 및 CSOS 와 FSI 의 반응은 분해 시작 온도와 유사한 온도를 나타낸다.Both the starting compounds, isocyanates and sulfonic acids, and the products, bisimides, are toxic and corrosive. When Xa and Xb are Cl, the product exhibits a very high pyrolytic decomposition at elevated temperatures, which requires providing a sufficient stability measure in manufacture. The heat of the reaction delta H is about 100 kJ / mol, the onset of the decomposition of the already purified furyl chloride is about 180 ° C, and the adiabatic temperature is also raised to a temperature exceeding 400 ° C. The reaction of FSOS with CSI and the reaction of CSOS with FSI shows a temperature similar to the decomposition starting temperature.

따라서, 제조에 있어서 배치 공정에서의 반응 온도는 폭발 위험성을 피하기 위해 150℃ 를 초과하지 않는다. 배치 공정의 반응 시간은 약 8 h 내지 24 h 범위이다.Thus, in production the reaction temperature in the batch process does not exceed 150 ° C to avoid explosion hazards. The reaction time of the batch process ranges from about 8 h to 24 h.

반면 이소시아네이트 및 술폰산은 오직 승온에서만 반응한다. 환경 및 안전성을 고려하여, 과거에서는 이미도디술푸릴할라이드를 오직 작은 배치에서 그리고 상기 언급된 바와 같은 분해 개시 온도 미만의 온도에서만 제조되었으며, 이에 따라 상기 언급된 긴 반응 시간이 초래되었다.While isocyanates and sulfonic acids only react at elevated temperatures. Considering the environment and safety, in the past, the disulfuryl halide has already been prepared only in a small batch and at a temperature below the decomposition initiation temperature as mentioned above, resulting in the above-mentioned long reaction time.

인 화학물질을 요하지 않으면서 짧은 반응 시간 및 고 수율을 갖는 이미도디술푸릴할라이드의 제조 방법이 요망되며, 이때 생성물은 고 순도를 나타내고, 물질 및 반응의 취급이 안전하고, 대량 생산이 허용된다.There is a need for a process for the preparation of imidodisulfur halide having a short reaction time and a high yield without requiring the use of a phosphorus-containing chemical, wherein the product exhibits high purity and the handling of the substance and the reaction is safe and permits mass production.

예기치 않게, 반응 생성물 (이미도디술푸릴할라이드) 의 분해 개시 온도 초과의 온도에서 할로술폰산과 할로술포닐 이소시아네이트를 반응시키는 것이 가능하고, 원하는 이미도디술푸릴할라이드의 예상되는 분해 없이 고 수율이 수득되는 것이 가능하다. 예기치 않게, 안전한 방식으로 반응을 수행하는 것이 가능했다. 이는 원하는 짧은 반응 시간을 허용했다.Unexpectedly, it is possible to react halosulfonyl isocyanate with halosulfonic acid at a temperature above the decomposition initiation temperature of the reaction product (imidosulfuryl halide), and it is possible to obtain a high yield without the expected decomposition of the desired imidosulfuryl halide Do. It was possible to perform the reaction in an unexpected, safe manner. This allowed the desired short reaction time.

또한, 짧은 반응 시간은 너무 높은 온도에서 통상 발생하는 중합 반응 또는 분해로 인한 탈색을 나타내지 않는 고 순도의 생성물을 실현시킬 수 있다.In addition, a short reaction time can realize a high purity product that does not exhibit a polymerization reaction or decomposition due to decomposition, which usually occurs at too high a temperature.

발명의 개요Summary of the Invention

본 발명의 주제는 하기 화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법이다:A subject of the present invention is a process for the preparation of a compound of formula (I)

Figure 112014109925713-pct00002
Figure 112014109925713-pct00002

상기 방법은, 3개의 연속적인 단계들인 단계 (StepS1), 단계 (StepS2) 및 단계 (StepS3) 를 포함하고;The method comprises three successive steps: StepS1, StepS2, and StepS3;

단계 (StepS1) 는 반응 (ReacS1) 을 포함하고;StepS1 comprises the reaction ReacS1;

반응 (ReacS1) 은 화학식 (III) 의 화합물과 화학식 (II) 의 화합물의 반응이고:Reaction (ReacS1) is the reaction of a compound of formula (III) with a compound of formula (II)

Figure 112014109925713-pct00003
Figure 112014109925713-pct00003

[식 중,[Wherein,

X1 및 X2 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 F, Cl, Br, J, C1-6 퍼플루오로알킬, 및 톨릴로 구성된 군에서 선택되고;X1 and X2 are the same or different and are independently selected from the group consisting of F, Cl, Br, J, C1-6 perfluoroalkyl, and tolyl;

Rn+ 는 H+, Li+, Na+, K+, Mg2+, Ca2+, Zn2+, Cu2+, Al3+, Ti3+, Fe2+, Fe3+, B3+,

Figure 112014109925713-pct00004
,
Figure 112014109925713-pct00005
,
Figure 112014109925713-pct00006
,
Figure 112014109925713-pct00007
, [N(R20)(R21)(R22)R23]+, 및 [P(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H +, Li +, Na + , K +, Mg 2+, Ca 2+, Zn 2+, Cu 2+, Al 3+, Ti 3+, Fe 2+, Fe 3+, B 3+ ,
Figure 112014109925713-pct00004
,
Figure 112014109925713-pct00005
,
Figure 112014109925713-pct00006
,
Figure 112014109925713-pct00007
, [N (R20) (R21) (R22) R23] + , and [P (R20) (R21) (R22) R23] + ;

R20, R21, R22 및 R23 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐, 벤질, 비닐 및 알릴로 구성된 군에서 선택되고;R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl, benzyl, vinyl and allyl;

n 은 1, 2 또는 3 임];n is 1, 2 or 3;

반응 (ReacS1) 은 연속 방식으로 수행되고;The reaction (ReacS1) is carried out in a continuous manner;

단계 (StepS1) 에서 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물의 혼합물은 장치 (DevS1) 를 통해 통과하고, 장치 (DevS1) 는 연속적인 작업 장치이고, 장치 (DevS1) 에서 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물의 혼합물은 온도 (TempS1) 로 가열되고, 온도 (TempS1) 는 180 내지 300℃ 이고, 이때 반응 (ReacS1) 이 일어나서 반응 혼합물을 생성하고, The mixture of the compound of formula (II) and the compound of formula (III) is passed through the device DevS1 in step S1 and the device DevS1 is a continuous working device, Wherein the mixture of the compound of formula (III) and the compound of formula (III) is heated to a temperature (TempS1) and the temperature (TempS1) is from 180 to 300 ° C,

단계 (StepS2) 에서 장치 (DevS1) 로부터의 반응 혼합물은 장치 (DevS2) 를 통과하고, 장치 (DevS2) 는 반응 혼합물을 냉각시키는 장치이고;The reaction mixture from the device DevS1 in the step (Step S2) passes through the device DevS2, and the device DevS2 is the device which cools the reaction mixture;

단계 (StepS3) 에서 장치 (DevS2) 로부터의 반응 혼합물은 장치 (DevS3) 을 통과하고, 장치 (DevS3) 는 배압 조절용 장치이고;The reaction mixture from the device DevS2 in the step (Step S3) passes through the device DevS3, the device DevS3 is the backpressure regulating device;

반응 혼합물은 장치 (DevS2) 또는 장치 (DevS3) 또는 장치 (DevS2) 및 장치 (DevS3) 의 조합의 반응 혼합물에 대한 영향에 의해 온도 (TempS2) 로 냉각되며, 온도 (TempS2) 는 0 내지 150℃ 이다.The reaction mixture is cooled to the temperature (TempS2) by the influence of the combination of the device (DevS2) or the device (DevS3) or the device DevS2 and the device DevS3 at the temperature (TempS2), and the temperature (TempS2) .

바람직하게는, 본 방법은 단계 (StepS4) 를 추가로 포함하며, 이 단계는 단계 (StepS3) 이후 수행되며, 단계 (StepS4) 에서 장치 (DevS3) 로부터의 반응 혼합물은 장치 (DevS4) 를 통해 통과하고, 장치 (DevS4) 는 반응 혼합물로부터 CO2 를 분리시키는 장치이다.Preferably, the method further comprises a step (StepS4), which is carried out after the step (Step S3), wherein the reaction mixture from the device DevS3 in the step (Step S4) is passed through the device DevS4 , And the device DevS4 is a device for separating CO 2 from the reaction mixture.

바람직하게는, X1 및 X2 는 동일하고 F, Cl, Br, C1-6 퍼플루오로알킬 및 톨릴로 구성된 군에서 선택되고;Preferably, X1 and X2 are the same and are selected from the group consisting of F, Cl, Br, C1-6 perfluoroalkyl and tolyl;

더욱 바람직하게는, X1 및 X2 는 동일하고 F, Cl 및 C1-6 퍼플루오로알킬로 구성된 군에서 선택되고;More preferably, X 1 and X 2 are the same and are selected from the group consisting of F, Cl and C 1-6 perfluoroalkyl;

심지어 더욱 바람직하게는, X1 및 X2 는 동일하고 F, Cl 및 CF3 로 구성된 군에서 선택되고;Even more preferably, X1 and X2 are the same and selected from the group consisting of F, Cl and CF 3;

특히, X1 및 X2 는 동일하고 Cl 또는 CF3 이고;In particular, X1 and X2 are identical, Cl or CF 3 and;

더욱 특히, X1 및 X2 는 Cl 이다.More particularly, X1 and X2 are Cl.

바람직하게는,Preferably,

Rn+ 는 H+, Li+, Na+, K+,

Figure 112014109925713-pct00008
,
Figure 112014109925713-pct00009
, [N(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H + , Li + , Na + , K +
Figure 112014109925713-pct00008
,
Figure 112014109925713-pct00009
, [N (R20) (R21) (R22) R23] + ;

R20, R21, R22 및 R23 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐, 벤질, 비닐 및 알릴로 구성된 군에서 선택되고;R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl, benzyl, vinyl and allyl;

더욱 바람직하게는,More preferably,

Rn+ 는 H+, Li+, Na+, K+,

Figure 112014109925713-pct00010
Figure 112014109925713-pct00011
, [N(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H + , Li + , Na + , K +
Figure 112014109925713-pct00010
Figure 112014109925713-pct00011
, [N (R20) (R21) (R22) R23] + ;

R20, R21, R22 및 R23 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐 및 벤질로 구성된 군에서 선택되고;R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl and benzyl;

심지어 더욱 바람직하게는,Even more preferably,

Rn+ 는 H+, Li+, Na+, K+,

Figure 112014109925713-pct00012
Figure 112014109925713-pct00013
, [N(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H + , Li + , Na + , K +
Figure 112014109925713-pct00012
Figure 112014109925713-pct00013
, [N (R20) (R21) (R22) R23] + ;

R20, R21, R22 및 R23 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐 및 벤질로 구성된 군에서 선택되고;R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl and benzyl;

특히,Especially,

Rn+ 는 H+, Li+, Na+, K+,

Figure 112014109925713-pct00014
Figure 112014109925713-pct00015
[N(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H + , Li + , Na + , K +
Figure 112014109925713-pct00014
Figure 112014109925713-pct00015
[N (R20) (R21) (R22) R23] + ;

R20, R21, R22 및 R23 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐 및 벤질로 구성된 군에서 선택되고;R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl and benzyl;

더욱 특히,More particularly,

Rn+ 는 H+, Li+, Na+, K+

Figure 112014109925713-pct00016
로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H + , Li + , Na + , K +, and
Figure 112014109925713-pct00016
≪ / RTI >

R20 및 R21 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H 및 C1-8 알킬로 구성된 군에서 선택되고;R20 and R21 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H and C1-8 alkyl;

심지어 더욱 특히,Even more particularly,

Rn+ 는 H+, Na+

Figure 112014109925713-pct00017
로 구성된 군에서 선택되고;R n + is H + , Na + and
Figure 112014109925713-pct00017
≪ / RTI >

R20 및 R21 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 C1-8 알킬이고;R20 and R21 are the same or different and independently of one another are C 1-8 alkyl;

특히,Especially,

Rn+ H+ 또는

Figure 112014109925713-pct00018
이고, R n + H + or
Figure 112014109925713-pct00018
ego,

R20 및 R21 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 C1-4 알킬이고;R20 and R21 are the same or different and independently of one another are C 1-4 alkyl;

더욱 특히,More particularly,

Rn+ 는 H+ 또는

Figure 112014109925713-pct00019
이고,R n + is H + or
Figure 112014109925713-pct00019
ego,

R20 및 R21 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 메틸, 에틸 및 n-부틸로 구성된 군으로부터 선택된다.R20 and R21 are the same or different and are independently selected from the group consisting of methyl, ethyl and n-butyl.

Rn+ 가 H+ 인 경우, 화학식 (III) 의 화합물은 통상적인 (통상적인) 방식으로 나타낼 수 있으며, 즉 화학식 (IIIconv) 의 화합물로서 나타낸다:When R n + is H + , the compound of formula (III) can be represented in a conventional (conventional) manner, i.e. as a compound of formula (IIIconv)

Figure 112014109925713-pct00020
.
Figure 112014109925713-pct00020
.

바람직하게는, 반응 (ReacS1) 은 관형 반응기에서 수행된다. 장치 (DevS1) 를 통해 통과하는 동안, 초기에 공급되는 혼합물은 점차적으로 반응에 의한 반응 혼합물로 전환된다.Preferably, the reaction (ReacSl) is carried out in a tubular reactor. During passage through the device DevS1, the initially supplied mixture is gradually converted to the reaction mixture by reaction.

바람직하게는, 장치 (DevS1) 는 관형, 마이크로반응기, 쉘 및 튜브 열 교환기, 플레이트 열 교환기 및 혼합물로부터 열을 교환하는 목적의 임의의 통상적인 장치로 구성된 군에서 선택되고;Preferably, the device DevS1 is selected from the group consisting of a tubular, a microreactor, a shell and tube heat exchanger, a plate heat exchanger and any conventional device for exchanging heat from the mixture;

더욱 바람직하게는 이는 관형이며;More preferably it is tubular;

심지어 더욱 바람직하게는 이는 코일 튜브이다.Even more preferably, it is a coil tube.

바람직하게는, 장치 (DevS2) 는 튜브, 마이크로반응기, 쉘 및 튜브 열 교환기, 플레이트 열 교환기 및 반응 혼합물로부터 열을 교환하기 위한 목적의 임의의 통상적인 장치로 구성된 군에서 선택되고;Preferably, the device DevS2 is selected from the group consisting of tubes, microreactors, shell and tube heat exchangers, plate heat exchangers and any conventional devices for exchanging heat from the reaction mixture;

더욱 바람직하게는 이는 튜브이고;More preferably this is a tube;

심지어 더욱 바람직하게는 이는 코일 튜브이다.Even more preferably, it is a coil tube.

특히, 장치 (DevS1) 및 장치 (DevS2) 는 코일 튜브이다.In particular, the devices DevS1 and DevS2 are coil tubes.

바람직하게는, 장치 (DevS3) 는 통상적인 배압 조절 장치이다.Preferably, the device DevS3 is a conventional backpressure regulator.

바람직하게는, 장치 (DevS4) 는 액체로부터 기체 CO2 를 분리할 수 있는 장치, 상기 목적에 사용될 수 있는 이러한 목적에 적합한 임의의 공지된 장치이고, 더욱 바람직하게는 장치 (DevS4) 는 컬럼 또는 시클론이다.Preferably, the device (DevS4) is any known device suitable for this purpose that may be used in the device for releasing the gaseous CO 2 from the liquid, the object, more preferably the device (DevS4) is a column or popsicles Ron.

장치 (DevS1) 에서 가열은 임의의 공지된 수단으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 이는 전기적 가열에 의해 또는 플루이드 열 운반체를 이용한 가열에 의해 수행된다.Heating in the device DevS1 may be performed by any known means, preferably by means of electrical heating or by heating with a fluids heat carrier.

장치 (DevS2) 에서 냉각은 임의의 공지된 수단으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 이는 플루이드 냉각 매질에 의해 수행된다.Cooling in the device DevS2 may be performed by any known means, preferably by means of a fluid cooling medium.

반응의 규모에 따라 그리고 이로 인한 본 방법이 수행되는 장치의 규모에 따라, 반응 혼합물의 냉각은, 장치 (DevS2) 의 반응 혼합물에 대한 영향에 의해서 뿐 아니라 (즉 장치 (DevS2) 를 통한 반응 혼합물의 통과 동안), 또한 장치 (DevS3) 의 반응 혼합물의 영향에 의해 (즉 냉각에 기여하는 장치 (DevS3) 을 통한 통과) 수행된다. 이는 특히 반응의 규모가 다소 작은 경우 (예를 들어 본 방법이 실험실 규모로 수행되는 경우) 적용되는 반면, 본 방법이 생산 규모로 수행되는 경우, 냉각은 장치 (DevS2) 를 통한 통과 동안 우선적으로 수행될 것이다.Depending on the scale of the reaction and depending on the scale of the device on which the process is carried out, the cooling of the reaction mixture can be effected not only by the influence of the device DevS2 on the reaction mixture (i. E. Pass) and also by the influence of the reaction mixture of the device DevS3 (i.e. through the device DevS3 contributing to cooling). This applies in particular when the scale of the reaction is rather small (for example when the process is carried out on a laboratory scale), whereas if the process is carried out on a production scale, cooling is preferentially performed during passage through the device DevS2 Will be.

또다른 구현예에 있어서, 특히 생산 규모에 있어서, 냉각은 또한 장치 (DevS3) 에 의해 영향을 받는 압력 방출 및 팽창에 의해 달성될 수 있다.In another embodiment, especially on a production scale, cooling can also be achieved by pressure release and expansion, which is effected by the device DevS3.

또한, 장치 (DevS3) 에 의해 영향 받는 팽창에 의한 냉각과 장치 (DevS2) 를 통한 통과 동안의 냉각의 조합이 가능하다.It is also possible to combine cooling by expansion, which is effected by device DevS3, and cooling during passage through device DevS2.

바람직하게는, 장치 (DevS1) 에서의 가열 및 장치 (DevS2) 에서의 냉각은 튜브-인-튜브 셋업 형태로, 튜브-인-콘테이너 셋업 형태로, 쉘 및 튜브 열교환기 형태로, 플레이트 열 교환기 형태로, 혼합물 또는 반응 혼합물로부터 열을 교환하기 위한 목적의 임의의 통상적인 장치의 형태로 실현되고;Preferably, the heating in the device DevS1 and the cooling in the device DevS2 are carried out in the form of a tube-in-tube set-up, in the form of a tube-in-container set-up, in the form of a shell and tube heat exchanger, In the form of any conventional apparatus for the purpose of exchanging heat from the mixture or reaction mixture;

더욱 바람직하게는, 장치 (DevS1) 에서의 가열 및 장치 (DevS2) 에서의 냉각은 튜브-인-튜브 셋업 또는 튜브-인-콘테이너 셋업 형태로 실현된다.More preferably, the heating in the device DevS1 and the cooling in the device DevS2 are realized in the form of a tube-in-tube set-up or a tube-in-container set-up.

반응 (ReacS1) 은 장치 (DevS1) 에서의 혼합물의 온도 (TempS1) 로의 가열에 의해 장치 (DevS1) 에서 촉발된다.The reaction ReacS1 is triggered in the device DevS1 by heating to the temperature of the mixture (TempS1) in the device DevS1.

반응 (ReacS1) 은 장치 (DevS2) 에서 켄칭되고, 이는 장치 (DevS2) 에서의 반응 혼합물을 온도 (TempS2) 로 냉각시킴으로써 수행된다.The reaction ReacS1 is quenched in the device DevS2, which is performed by cooling the reaction mixture in the device DevS2 to the temperature TemS2.

바람직하게는, 온도 (TempS1) 는 190 내지 280℃, 더욱 바람직하게는 200 내지 260℃, 심지어 더욱 바람직하게는 210 내지 255℃, 특히 220 내지 255℃ 이다.Preferably, the temperature (TempS1) is 190 to 280 占 폚, more preferably 200 to 260 占 폚, even more preferably 210 to 255 占 폚, particularly 220 to 255 占 폚.

바람직하게는, 온도 (TempS2) 는 10 내지 120℃, 더욱 바람직하게는 15 내지 100℃, 심지어 더욱 바람직하게는 15 내지 90℃, 특히 15 내지 85℃, 더욱 특히 20 내지 85℃ 이다.Preferably, the temperature (TempS2) is from 10 to 120 占 폚, more preferably from 15 to 100 占 폚, even more preferably from 15 to 90 占 폚, especially from 15 to 85 占 폚, more particularly from 20 to 85 占 폚.

순수 ClSI 의 용융점은 약 35℃ 이고, 따라서 온도 (TempS2) 의 가능한 가장 낮은 온도 값은 반응의 전환에 의해 지배되는데, 왜냐하면 반응 혼합물에서 잔류하는 화학식 (II) 의 화합물 및 잔류하는 화학식 (III) 의 화합물이 자연적으로 반응 이후 반응 혼합물의 용융점을 낮추고 이는 온도 (TempS2) 값을 낮게 하기 때문이다.The melting point of pure ClSI is about 35 占 폚 and therefore the lowest possible temperature value of temperature TempS2 is governed by the conversion of the reaction because the compound of formula (II) remaining in the reaction mixture and the remaining compound of formula Since the compound naturally lowers the melting point of the reaction mixture after the reaction, which lowers the temperature (TempS2) value.

반응 (ReacS1) 은 압력 (PressS1) 에서 수행된다. 바람직하게는, 압력 (PressS1) 은 10 내지 1000 bar, 더욱 바람직하게는 20 내지 600 bar, 심지어 더욱 바람직하게는 50 내지 500 bar, 특히 60 내지 400 bar, 더욱 특히 65 내지 300 bar, 심지어 더욱이 65 내지 200 bar, 특히 65 내지 150 bar 이다.Reaction (ReacS1) is performed at pressure (PressS1). Preferably, the pressure (PressS1) is between 10 and 1000 bar, more preferably between 20 and 600 bar, even more preferably between 50 and 500 bar, especially between 60 and 400 bar, more particularly between 65 and 300 bar, 200 bar, in particular 65 to 150 bar.

장치 (DevS1) 및 장치 (DevS2) 에서 압력 (PressS1) 은 장치 (DevS3) 에 의해 제어되고 유지된다.The pressure (PressS1) in the device DevS1 and the device DevS2 is controlled and maintained by the device DevS3.

시간 (TimeS1) 은 혼합물이 장치 (DevS1) 에서 온도 (TempS1) 에 노출되고 이 온도로 가열되는 시간이다. 시간 (TimeS1) 동안 반응 (ReacS1) 이 일어난다. 시간 (TimeS1) 은 따라서 체류 시간이고 바람직하게는 장치 (DevS1) 에서 혼합물의 체류 시간이다.The time (TimeS1) is the time when the mixture is exposed to the temperature (TempS1) in the device DevS1 and heated to this temperature. The reaction (ReacS1) occurs during the time (TimeS1). The time TimeS1 is thus the residence time and is preferably the residence time of the mixture in the device DevS1.

바람직하게는, 시간 (TimeS1) 은 0.5 sec 내지 4 h, 더욱 바람직하게는 1 sec 내지 2 h, 심지어 더욱 바람직하게는 1 min 내지 1 h, 특히 2 min 내지 30 min, 더욱 특히 2 min 내지 20 min, 심지어 더욱 특히 3 min 내지 17 min 이다.Preferably, the time (TimeS1) is from 0.5 sec to 4 h, more preferably from 1 sec to 2 h, even more preferably from 1 min to 1 h, especially from 2 min to 30 min, more particularly from 2 min to 20 min , Even more particularly from 3 min to 17 min.

시간 (TimeS2) 은 반응 혼합물이 온도 (TempS2) 로 냉각되는 시간이다. 냉각은 장치 (DevS2) 의 작용에 의해, 장치 (DevS3) 의 작용에 의해, 또는 장치 (DevS2) 및 장치 (DevS3) 의 작용에 의해 수행될 수 있다. 냉각은 반응을 켄칭시킨다. 시간 (TimeS2) 은 따라서 체류 시간이고 바람직하게는 장치 (DevS2) 에서 그리고 장치 (DevS3) 에서 반응 혼합물의 체류 시간이다.The time (TimeS2) is the time at which the reaction mixture cools to the temperature (TempS2). The cooling can be performed by the action of the device DevS2, by the action of the device DevS3, or by the action of the devices DevS2 and DevS3. Cooling quenched the reaction. The time TimeS2 is thus the residence time and is preferably the residence time of the reaction mixture in the device DevS2 and in the device DevS3.

바람직하게는, 시간 (TimeS2) 은 0.1 sec 내지 2 h, 더욱 바람직하게는 0.5 sec 내지 1 h, 심지어 더욱 바람직하게는 1 sec 내지 30 min, 특히 10 sec 내지 30 min, 더욱 특히 25 sec 내지 25 min, 심지어 더욱 특히 1 min 내지 25 min 이다.Preferably, the time (TimeS2) is 0.1 sec to 2 h, more preferably 0.5 sec to 1 h, even more preferably 1 sec to 30 min, particularly 10 sec to 30 min, more particularly 25 sec to 25 min , Even more particularly from 1 min to 25 min.

바람직하게는, 시간 (TimeS2) 은 시간 (TimeS1) 의 0.0001 내지 0.5 배, 더욱 바람직하게는 0.001 내지 0.3 배이다.Preferably, the time (TimeS2) is 0.0001 to 0.5 times, more preferably 0.001 to 0.3 times the time (TimeS1).

바람직하게는, 화학식 (III) 의 화합물 의 몰량은 화학식 (II) 의 화합물의 몰량의 0.5 내지 1.5 배, 더욱 바람직하게는 0.75 내지 1.25 배, 심지어 더욱 바람직하게는 0.85 내지 1.15 배이다.Preferably, the molar amount of the compound of formula (III) is 0.5 to 1.5 times, more preferably 0.75 to 1.25, and even more preferably 0.85 to 1.15 times the molar amount of the compound of formula (II).

화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물은 예비혼합된 혼합물로서 장치 (DevS1) 로 공급될 수 있거나, 장치 (DevS1) 로 별도로 공급될 수 있고 장치 (DevS1) 에서 혼합된다.The compound of formula (II) and the compound of formula (III) may be fed to the device DevS1 as a premixed mixture or may be supplied separately to the device DevS1 and mixed in the device DevS1.

장치 (DevS1) 에서 또는 이전에 혼합 목적을 위해, 임의의 적합한 혼합용 설비가 사용될 수 있으며, 이는 당업계에 공지된 것, 예를 들어 통상적인 브랜치 연결, 예를 들어 T 또는 Y 피스, 또는 고정 혼합 장치이다.Any suitable mixing equipment can be used in the device DevS1 or previously for mixing purposes, which may be anything known in the art, for example a conventional branch connection, for example a T or Y piece, Mixing device.

바람직하게는 장치 (DevS1) 에서 온도 (TempS1) 로의 가열은 오직 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물이 장치 (DevS1) 에서 혼합물로서 존재한 이후에만 수행된다.Preferably heating from the device DevS1 to temperature TempS1 is carried out only after the compound of formula (II) and the compound of formula (III) are present as a mixture in the device DevS1.

화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물의 공급 (별도로 또는 혼합물 형태로) 은 장치 (DevS0) 에 의해 수행된다.The supply of the compound of formula (II) and the compound of formula (III) (separately or in the form of a mixture) is carried out by a device (DevS0).

장치 (DevS0) 는 압력에 대해 플루이드를 이동시키기 위해 통상 사용되는 가압 장치이며, 예를 들면 펌프이다. 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물이 장치 (DevS1) 로 별도로 공급되는 경우, 바람직하게는 장치 (DevS0) 는 각 화합물에 대해서 각각의 장치를 갖는다.Apparatus DevS0 is a pressurizing device commonly used to move fluids against pressure and is, for example, a pump. When the compound of formula (II) and the compound of formula (III) are supplied separately to device DevS1, preferably device DevS0 has a respective device for each compound.

바람직하게는, 장치 (DevS1) 및 장치 (DevS2) 는 작업 동안 퍼마넌트 플루이드에서 서로 연결되고 둘 다 압력 (PressS1) 하에 존재한다.Preferably, the devices DevS1 and DevS2 are connected to each other at the permanent fluids during operation and both are under pressure (PressS1).

바람직하게는, 장치 (DevS0) 는 장치 (DevS1) 에서 압력 (PressS1) 을 증강시키는 장치이고 장치 (DevS3) 에 대항하는 장치 (DevS2) 에서 이는 온도 (TempS1) 에서 반응 (ReacS1) 을 수행하는데 필요한 것이다.Preferably, the device DevS0 is a device for augmenting the pressure (PressS1) in the device DevS1 and in a device DevS2 against the device DevS3 this is necessary for carrying out the reaction (ReacS1) at the temperature Tempsl .

더욱 바람직하게는, 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물은 주위 압력 및 주위 온도 하에서 혼합되고 이어서 장치 (DevS1) 로 공급된다.More preferably, the compound of formula (II) and the compound of formula (III) are mixed under ambient pressure and ambient temperature and then fed to the device DevS1.

장치 (DevS1) 및/또는 장치 (DevS2) 가 튜브, 특히 코일 튜브인 경우, 구축 제한 또는 밀도 변동 등으로 인해 핫 스팟 또는 콜드 스팟은 이를 피하려는 노력에도 불구하고 발생할 수 있다. 따라서, 임의의 언급된 온도는 핫 또는 콜드 스팟 관점에서 평균 온도를 의미한다.If the device DevS1 and / or device DevS2 is a tube, in particular a coil tube, a hotspot or a coldspot can occur despite efforts to avoid it, due to building constraints or density variations. Thus, any mentioned temperature means an average temperature in terms of hot or cold spots.

장치 (DevS3) 에 대해 사용될 수 있는 통상적인 배압 조절 장치는 불연속적으로 작동하며, 즉 개방 및 폐쇄에 의해 작동하고 이들은 압력을 유지하면서 생성물 스트림을 방출한다. 이는 자연적으로 압력에서의 변화를 야기한다. 따라서, 압력 (PressS1) 은 평균 압력을 의미한다.Conventional back pressure regulators that can be used for the device DevS3 operate discontinuously, i.e. by opening and closing, which release the product stream while maintaining pressure. This naturally causes a change in pressure. Therefore, the pressure (PressS1) means the average pressure.

화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물의 혼합물 및 반응 혼합물과 접촉하는 모든 부는 각각의 물질로부터 제조되며, 이는 각각의 조건 하에서 화학물질의 공격에 저항하며, 즉 스테인레스 스틸, 하스텔로이, 예컨대 하스텔로이 B 또는 하스텔로이 C, 티타늄, 탄탈륨, 탄화규소, 질화규소 등이며, 이들은 또한 수동태화되거나 PTFE 와 같은 화학물질에 대해 비활성인 물질을 이용하여 라이닝된다.A mixture of a compound of the formula (II) and a compound of the formula (III) and all the parts in contact with the reaction mixture are made from the respective materials, which resist the attack of the chemical under the respective conditions, i.e. stainless steel, Hastelloy, Such as Hastelloy B or Hastelloy C, titanium, tantalum, silicon carbide, silicon nitride, etc., which are also lined with materials that are passivated or inert to chemicals such as PTFE.

화학식 (I) 의 화합물은 추가 정제 없이 임의의 후속 반응을 위한 장치 (DevS4) 로부터 사용될 수 있고, 추가 정제의 경우, 바람직하게는 장치 (DevS4) 로부터 수득되는 액체 상은, 임의의 저 비등점 잔류물을 제거함으로써 추가 정제되며, 바람직하게는 이는 필름 증발기, 더욱 바람직하게는 와이핑된 필름 증발기를 사용함으로써 수행된다.The compound of formula (I) can be used from an apparatus (DevS4) for any subsequent reaction without further purification, and in the case of further purification, preferably the liquid phase obtained from the apparatus (DevS4) And is preferably carried out by using a film evaporator, more preferably a wiped film evaporator.

실시예Example

conv 전환율은 표준에 대한 IR 분광학을 이용하여 반응 혼합물에서 반응 후 중량%로 CSI 의 함량 (CONT-CSI) 을 측정함으로써 측정되며, conv 는 [100 - 함량 (CONT-CSI)] (단위: %) 이다.conv conversion rate is measured by measuring the content of CSI (CONT-CSI) in weight percent after the reaction in the reaction mixture using IR spectroscopy for the standard, and conv is the [100-content (CONT-CSI)] (unit: to be.

FR 유량FR flow rate

nd 측정되지 않음nd not measured

p1 압력 (PressS1)p1 pressure (PressS1)

t1 시간 (TimeS1)t1 Time (TimeS1)

t2 시간 (TimeS2)t2 Time (TimeS2)

T1 온도 (TempS1)T1 temperature (TempS1)

T2 온도 (TempS2)T2 temperature (TempS2)

실시예 1 내지 14Examples 1 to 14

실시예에서, CSOS 및 CSI 의 등몰의 프리믹스를 장치 (DevS1) 로 공급하였다.In the embodiment, equimolar premixes of CSOS and CSI were supplied to the device DevS1.

실시예를 하기의 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00021
장치 (DevS0): 피스톤 펌프 260D (ISCO Teledyne 사제)
Figure 112014109925713-pct00021
Device (DevS0): piston pump 260D (manufactured by ISCO Teledyne)

Figure 112014109925713-pct00022
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 내부 체적 VolS1 인 1/8 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 코일-튜브-인-콘테이너 셋업을 사용하였다. 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00022
The device (DevS1) is an 1/8 inch coil tube with internal volume VolS1 manufactured by Hastelloy C. For heating, a coil-tube-in-container setup was used. The heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00023
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 1.5 mL 의 내부 체적의 1/8 인치 튜브임. 냉각은 실온의 룸 공기와 튜브를 단순히 접촉시킴으로써 냉각을 실시하였다.
Figure 112014109925713-pct00023
Apparatus Dev (S2) is a 1/8 inch tube of about 1.5 mL internal volume made with Hastelloy C. Cooling was performed by simply contacting the room with room temperature air at a temperature.

Figure 112014109925713-pct00024
장치 (DevS3): 표준 배압 조절기 (Swagelok 의 KPB 시리즈)
Figure 112014109925713-pct00024
Device (DevS3): Standard Back Pressure Regulator (Swagelok's KPB series)

Figure 112014109925713-pct00025
장치 (DevS4): CO2 를 개방 글래스 플라스크에서 반응 혼합물로부터 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00025
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 from the reaction mixture in an open glass flasks.

각각의 실시예에서 수득된 ClSI 는 무색 내지 황색 액체였다.The ClSI obtained in each example was colorless to yellow liquid.

구조를 IR 분광학으로 확인하였다:The structure was confirmed by IR spectroscopy:

IR (ATR, 24 스캔, ν (cm-1)): 3205 (m), 2758 (w), 2652 (w), 1727 (w), 1416 (s), 1318 (m), 1273 (w), 1206 (m), 1167 (s), 862 (s), 567 (s), 500 (s)IR (ATR, 24 scans, v (cm -1)): 3205 (m), 2758 (w), 2652 (w), 1727 (w), 1416 (s), 1318 1206 (m), 1167 (s), 862 (s), 567 (s), 500 (s)

Figure 112014109925713-pct00026
Figure 112014109925713-pct00026

실시예 15 내지 17Examples 15 to 17

실시예에서, CSOS 및 CSI 를 장치 (DevS1) 로 별도 공급하였고 이를 인라인 고정 혼합 장치에 의해 장치 (DevS1) 에서 혼합하였다.In the embodiment, the CSOS and the CSI were separately supplied to the device DevS1 and mixed in the device DevS1 by an inline fixed mixing device.

실시예를 하기의 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00027
장치 (DevS0): 피스톤 펌프 260D (ISCO Teledyne 사제)
Figure 112014109925713-pct00027
Device (DevS0): piston pump 260D (manufactured by ISCO Teledyne)

Figure 112014109925713-pct00028
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 내부 체적 VolS1 인 1/8 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 코일-튜브-인-콘테이너 셋업을 사용하였다. 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00028
The device (DevS1) is an 1/8 inch coil tube with internal volume VolS1 manufactured by Hastelloy C. For heating, a coil-tube-in-container setup was used. The heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00029
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 1.5 mL 의 내부 체적의 1/8 인치 튜브임. 실온의 룸 공기와 튜브를 단순히 접촉시킴으로써 냉각을 실시하였다.
Figure 112014109925713-pct00029
Apparatus Dev (S2) is a 1/8 inch tube of about 1.5 mL internal volume made with Hastelloy C. Cooling was performed by simply contacting the room with room temperature air at a temperature.

Figure 112014109925713-pct00030
장치 (DevS3): 표준 배압 조절기 (Swagelok 의 KPB 시리즈)
Figure 112014109925713-pct00030
Device (DevS3): Standard Back Pressure Regulator (Swagelok's KPB series)

Figure 112014109925713-pct00031
장치 (DevS4): CO2 를 개방 글래스 플라스크에서 반응 혼합물로부터 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00031
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 from the reaction mixture in an open glass flasks.

각각의 실시예에서 수득된 ClSI 는 무색 내지 황색 액체였다.The ClSI obtained in each example was colorless to yellow liquid.

구조를 IR 분광학으로 확인하였고, 데이타는 실시예 1 내지 14 에서 나타낸 바와 같다.The structure was confirmed by IR spectroscopy, and the data are as shown in Examples 1 to 14.

Figure 112014109925713-pct00032
Figure 112014109925713-pct00032

실시예 18 내지 21Examples 18 to 21

실시예에서 등몰의 프리믹스 CSOS 및 CSI 를 장치 (DevS1) 에 공급하였다.In the embodiment, equimolar premix CSOS and CSI were supplied to the device DevS1.

실시예를 하기의 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00033
장치 (DevS0): 피스톤 펌프 260D (ISCO Teledyne 사제)
Figure 112014109925713-pct00033
Device (DevS0): piston pump 260D (manufactured by ISCO Teledyne)

Figure 112014109925713-pct00034
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 54 ml 의 내부 체적의 1/4 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 코일-튜브-인-콘테이너 셋업을 사용하였다. 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00034
The device (DevS1) is a 1/4 inch coil tube of about 54 ml internal volume made of Hastelloy C. For heating, a coil-tube-in-container setup was used. The heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00035
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 15 mL 의 내부 체적의 1/8 인치 튜브임. 상이한 온도 수준 T2 에서 물과 튜브를 단순히 접촉시킴으로써 냉각을 실시하였다.
Figure 112014109925713-pct00035
Device Dev (S2) is a 1/8 inch tube of internal volume of about 15 mL made with Hastelloy C. Cooling was performed by simply contacting the tube with water at different temperature levels T2.

Figure 112014109925713-pct00036
장치 (DevS3): 표준 배압 조절기 (Swagelok 의 KPB 시리즈)
Figure 112014109925713-pct00036
Device (DevS3): Standard Back Pressure Regulator (Swagelok's KPB series)

Figure 112014109925713-pct00037
장치 (DevS4): CO2 를 개방 글래스 플라스크에서 반응 혼합물로부터 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00037
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 from the reaction mixture in an open glass flasks.

각각의 실시예에서 수득된 ClSI 는 무색 내지 황색 액체였다.The ClSI obtained in each example was colorless to yellow liquid.

구조를 IR 분광학으로 확인하였고, 데이타는 실시예 1 내지 14 에서 나타낸 바와 같다.The structure was confirmed by IR spectroscopy, and the data are as shown in Examples 1 to 14.

Figure 112014109925713-pct00038
Figure 112014109925713-pct00038

비교예Comparative Example

분해 개시로 인해, 160℃ 초과의 온도에서 배치 반응이 허용되지 않았다 (본 발명의 연속 반응과의 비교를 위함). 폭발 위험성이 너무 높았다. 따라서 오직 150℃ 에서의 배치 반응 만이 안전성 제약으로 인해 허용되는 것이였다.Due to the onset of decomposition, batch reactions were not allowed at temperatures above 160 ° C (for comparison with the continuous reaction of the present invention). The risk of explosion was too high. Thus, only the placement reaction at 150 ° C was allowed due to safety constraints.

등몰량의 CSI 를 120℃ 에서 3 시간에 걸쳐 CSOS 에 첨가하고, 이어서 혼합물을 3 시간 150℃ 로 가열하고 150℃ 에서 7 시간 동안 교반하였다. 전환율은 오직 90% 였다.An equimolar amount of CSI was added to the CSOS over a 3 hour period at 120 < 0 > C, then the mixture was heated to 150 < 0 > C for 3 hours and stirred at 150 < 0 > C for 7 hours. The conversion rate was only 90%.

따라서 90% 전환율에 달하는 총 반응 시간은 13 시간이였다. 색은 황색이였다.Thus, the total reaction time to 90% conversion was 13 hours. The color was yellow.

황색 보다 더욱 어두운 색은 배치 공정에서 모든 상황 하에서 피해져야만 하는데, 왜냐하면 이는 상당한 분해량의 지표이기 때문이며, 이는 또한 폭발에 근접했음을 나타내는 지표이기 때문이다.Darker colors than yellow should be avoided under all circumstances in the batch process because it is an indicator of significant degradation and is also an indicator of the proximity of the explosion.

WO 2009/123328 A1 는 배치 방법에서 ClSI 의 제조를 합성예 2 에서 개시하고 있다. 2 시간 동안 CSI 를 120℃ 에서 CSOS 에 첨가하고, 이어서 혼합물을 150℃ 에서 6 시간 동안 교반하였다. 수율은 65.6% 였다.WO 2009/123328 A1 discloses the preparation of ClSI in a batch process in Synthesis Example 2. [ CSI was added to CSOS at 120 < 0 > C for 2 h, and then the mixture was stirred at 150 < 0 > C for 6 h. The yield was 65.6%.

실시예 22Example 22

등몰 프리믹스 CSOS 및 CSI 를 장치 (DevS1) 에 공급하였다.The equimolar premix CSOS and CSI were supplied to the device DevS1.

실시예를 하기 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00039
장치 (DevS0): 시판 피스톤 펌프
Figure 112014109925713-pct00039
Device (DevS0): Commercial piston pump

Figure 112014109925713-pct00040
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 1200 ml 의 내부 체적의 1/2 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 자켓 가열을 사용하였다. 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00040
The device (DevS1) is a 1/2 inch coil tube of about 1200 ml internal volume made of Hastelloy C. For heating, jacket heating was used. The heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00041
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 200 mL 의 내부 체적의 1/4 인치 튜브임. 냉각에 대해서는 자켓 냉각을 사용하였다. 냉각 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00041
Device Dev (S2) is a 1/4 inch tube of about 200 mL internal volume made with Hastelloy C. Jacket cooling was used for cooling. The cooling medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00042
장치 (DevS3): 시판 표준 배압 조절기를 사용하였다.
Figure 112014109925713-pct00042
Apparatus (DevS3): A commercially available standard back pressure regulator was used.

Figure 112014109925713-pct00043
장치 (DevS4): CO2 를 표준 분리 장치에서 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00043
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 in a standard separator.

수득된 ClSI 는 무색 내지 황색 액체였다.The obtained ClSI was colorless to yellow liquid.

구조를 IR 분광학으로 확인하였고, 데이타는 실시예 1 내지 14 에서 나타낸 바와 같다.The structure was confirmed by IR spectroscopy, and the data are as shown in Examples 1 to 14.

Figure 112014109925713-pct00044
Figure 112014109925713-pct00044

실시예 23Example 23

등몰 프리믹스 트리플루오로 메탄 술폰산 및 CSI 를 장치 (DevS1) 에 공급하였다.Equimolar premixed trifluoromethanesulfonic acid and CSI were fed to the apparatus DevS1.

실시예를 하기 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00045
장치 (DevS0): 피스톤 펌프 260D (ISCO Teledyne 사제)
Figure 112014109925713-pct00045
Device (DevS0): piston pump 260D (manufactured by ISCO Teledyne)

Figure 112014109925713-pct00046
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 내부 체적 VolS1 인 1/8 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 자켓 가열 셋업을 사용하였고, 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00046
The device (DevS1) is an 1/8 inch coil tube with internal volume VolS1 manufactured by Hastelloy C. For heating, a jacket heating set-up was used and the heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00047
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 1.5 mL 의 내부 체적의 1/8 인치 튜브임. 실온의 룸의 공기와 튜브를 단순히 접촉시킴으로써 냉각을 실행하였다.
Figure 112014109925713-pct00047
Apparatus Dev (S2) is a 1/8 inch tube of about 1.5 mL internal volume made with Hastelloy C. Cooling was carried out by simply contacting the tube with room air at room temperature.

Figure 112014109925713-pct00048
장치 (DevS3): 표준 배압 조절기 (Swagelok 의 KPB 시리즈)
Figure 112014109925713-pct00048
Device (DevS3): Standard Back Pressure Regulator (Swagelok's KPB series)

Figure 112014109925713-pct00049
장치 (DevS4): CO2 를 개방 글래스 플라스크에서 반응 혼합물로부터 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00049
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 from the reaction mixture in an open glass flasks.

수득된 화학식 (1) 의 화합물은 무색 내지 황색 액체였다:The obtained compound of formula (1) was colorless to yellow liquid:

Figure 112014109925713-pct00050
Figure 112014109925713-pct00050

Figure 112014109925713-pct00051
Figure 112014109925713-pct00051

구조를 IR 및 NMR 분광학으로 확인하였다.The structure was confirmed by IR and NMR spectroscopy.

IR (ATR, 24 스캔, v (cm-1)): 3279 (w), 1399 (s), 1357 (s); 1176 (s) 1149 (s), 740 (s), 611 (s), 581 (s), 510 (s), 549 (s), 476 (s).IR (ATR, 24 scans, v (cm-1)): 3279 (w), 1399 (s), 1357 (s); 1176 (s) 1149 (s), 740 (s), 611 (s), 581 (s), 510 (s), 549 (s), 476 (s).

NMR (CD3CN, 400 MHz, 24℃, ref. 1,4 디플루오로벤젠) δ= -78.75 ppmNMR (CD3CN, 400 MHz, 24 캜, ref. 1,4 difluorobenzene) 隆 = -78.75 ppm

더욱이, DSC 측정에 의해 수득된 형성열과 고수준의 계산 데이터를 비교함으로써, 반응에 의한 원하는 생성물의 형성을 확인하였다.Furthermore, the formation of the desired product by the reaction was confirmed by comparing the formation sequence obtained by the DSC measurement with the high-level calculation data.

Figure 112014109925713-pct00052
Figure 112014109925713-pct00052

DSC 를 0.4℃/min 의 가열 속도로 역학적으로 측정하였다.DSC was dynamically measured at a heating rate of 0.4 캜 / min.

Turbomole: 양자 기계적 계산을 하기 프로그램을 이용하여 실시하였다: TURBOMOLE V6.5 (18161), Ahlrichs, M. Baer, M. Haeser, H. Horn, and C. Koelmel, 전자 구조 계산은 하기 단말기 컴퓨터를 이용함: 프로그램 시스템 TURBOMOLE, Chem. Phys. Lett. 162: 165 (1989); 및 Turbomole: Quantum mechanical calculations were performed using the following program: TURBOMOLE V6.5 (18161), Ahlrichs, M. Baer, M. Haeser, H. Horn, and C. Koelmel, : Program system TURBOMOLE, Chem. Phys. Lett. 162: 165 (1989); And

Gaussian: Gaussian 09, Revision D.01, M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, G. Scalmani, V. Barone, B. Mennucci, G. A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Caricato, X. Li, H. P. Hratchian, A. F. Izmaylov, J. Bloino, G. Zheng, J. L. Sonnenberg, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, T. Vreven, J. A. Montgomery, Jr., J. E. Peralta, F. Ogliaro, M. Bearpark, J. J. Heyd, E. Brothers, K. N. Kudin, V. N. Staroverov, R. Kobayashi, J. Normand, K. Raghavachari, A. Rendell, J. C. Burant, S. S. Iyengar, J. Tomasi, M. Cossi, N. Rega, J. M. Millam, M. Klene, J. E. Knox, J. B. Cross, V. Bakken, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R. E. Stratmann, O. Yazyev, A. J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J. W. Ochterski, R. L. Martin, K. Morokuma, V. G. Zakrzewski, G. A. Voth, P. Salvador, J. J. Dannenberg, S. Dapprich, A. D. Daniels, O. Farkas, J. B. Foresman, J. V. Ortiz, J. Cioslowski, and D. J. Fox, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2009;Gaussian: Gaussian 09, Revision D.01, MJ Frisch, GW Trucks, HB Schlegel, GE Scuseria, MA Robb, JR Cheeseman, G. Scalmani, V. Barone, B. Mennucci, GA Petersson, H. Nakatsuji, M. Caricato , J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, K. Hasegawa, K. Toyota, J. Hasegawa, J. Hasegawa, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, T. Vreven, JA Montgomery, Jr., JE Peralta, F. Ogliaro, M. Bearpark, JJ Heyd, E. Brothers, KN Kudin, VN Staroverov, R. Kobayashi, J. Normand, K. Raghavachari, A. Rendell, JC Burant, SS Iyengar, J. Tomasi, M. Cossi, N. Rega, JM Millam, M. Klene, JE Knox, JB Cross, J. Jaramillo, R. Gomperts, RE Stratmann, O. Yazyev, AJ Austin, R. Cammi, C. Pomelli, JW Ochterski, RL Martin, K. Morokuma, VG Zakrzewski, GA Voth, P. Salvador, JJ Dannenberg, S. Dapprich, AD Daniels, O. Farkas, JB Foresman, JV Ortiz, J. Cioslowski, and DJ Fo x, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2009;

B3LYP 6-31G 방법을 사용함.Using the B3LYP 6-31G method.

실시예 24 및 25Examples 24 and 25

등몰 프리믹스 플루오로 술폰산 및 CSI 를 장치 (DevS1) 에 공급하였다.Equimolar premixed fluorosulfonic acid and CSI were supplied to the device DevS1.

실시예를 하기의 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00053
장치 (DevS0): 피스톤 펌프 260D (ISCO Teledyne 사제)
Figure 112014109925713-pct00053
Device (DevS0): piston pump 260D (manufactured by ISCO Teledyne)

Figure 112014109925713-pct00054
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 내부 체적 VolS1 인 1/8 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 자켓 가열 셋업을 사용하였고, 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00054
The device (DevS1) is an 1/8 inch coil tube with internal volume VolS1 manufactured by Hastelloy C. For heating, a jacket heating set-up was used and the heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00055
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 1.5 mL 의 내부 체적의 1/8 인치 튜브임. 실온의 룸의 공기와 튜브를 단순히 접촉시킴으로써 냉각을 실행하였다.
Figure 112014109925713-pct00055
Apparatus Dev (S2) is a 1/8 inch tube of about 1.5 mL internal volume made with Hastelloy C. Cooling was carried out by simply contacting the tube with room air at room temperature.

Figure 112014109925713-pct00056
장치 (DevS3): 표준 배압 조절기 (Swagelok 의 KPB 시리즈)
Figure 112014109925713-pct00056
Device (DevS3): Standard Back Pressure Regulator (Swagelok's KPB series)

Figure 112014109925713-pct00057
장치 (DevS4): CO2 를 개방 글래스 플라스크에서 반응 혼합물로부터 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00057
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 from the reaction mixture in an open glass flasks.

수득된 화학식 (2) 의 화합물은 무색 내지 황색의 액체였다:The obtained compound of formula (2) was a colorless to yellow liquid:

Figure 112014109925713-pct00058
Figure 112014109925713-pct00058

구조를 NMR 분광학으로 확인하였다:The structure was confirmed by NMR spectroscopy:

NMR (CD3CN, 400 MHz, 24℃, ref: 벤젠술포닐 플루오라이드) δ= 57.24 ppmNMR (CD3CN, 400 MHz, 24 캜, ref: benzenesulfonyl fluoride) 隆 = 57.24 ppm

적용예Application example

임의의 실시예 1 내지 22 의 순도 및 수율을, 비스(플루오로술포닐)-이미드의 제조를 위한 반응에서 기질로서 각각 수득된 생성물을 사용함으로써 간접적으로 측정할 수 있다. 이하에서 이러한 수율 및 순도 측정을 위한 예로서, 실시예 22 에 따라 제조된 생성물이 WO 2009/123328 A1 의 합성예 19-1 와 유사하게 비스[디((플루오로술포닐)이미드]아연 염의 제조를 위한 기질로서 어떻게 사용되는지가 이하에서 기술된다:The purity and yield of any of Examples 1 to 22 can be determined indirectly by using the products obtained as the respective substrates in the reaction for the preparation of bis (fluorosulfonyl) -imide. As an example for such yield and purity measurement, the product prepared according to Example 22 is hereinafter referred to as the bis [di ((fluorosulfonyl) imide] zinc salt analogously to Synthesis Example 19-1 of WO 2009/123328 A1 How it is used as a substrate for preparation is described below:

500 ml 반응관에서, 179.3 g 발러로니트릴 및 20.3 g ClSI (0.093 mol, 실시예 22 에 따라 제조됨) 를 충전시키고, 이어서 교반하였다. 반응 관에서, 10.6 g (0.10 mol) 의 무수 ZnF2 을 첨가하고, 이어서 실온 (25℃) 에서 3 시간 동안 반응을 수행하였다. 비스[디(플루오로술포닐)이미드]아연 염을, 용액으로서 수득하였다 (수율: 66.4%, 19F-NMR 로 측정되고 ClSI 기준으로 하여 계산됨 (100% 함량)).In a 500 ml reaction tube, nitrile and 20.3 g ClSI (0.093 mol, prepared according to Example 22) were charged with 179.3 g of baluler and then stirred. In the reaction tube, 10.6 g (0.10 mol) of anhydrous ZnF 2 was added and the reaction was then carried out at room temperature (25 ° C) for 3 hours. Bis (di (fluorosulfonyl) imide] zinc salt was obtained as a solution (Yield: 66.4%, measured by 19 F-NMR and calculated on ClSI basis (100% content)).

본 발명의 실시예 1 내지 22 에 따라 제조된 임의의 생성물은 유사한 순도를 갖고 유사한 수율로 수득되었다.Any products made according to Examples 1-22 of the present invention had similar purity and were obtained in a similar yield.

실시예 26Example 26

등몰 프리믹스 1-n-부틸-3-메틸이미드아졸륨 트리플루오로메탄술포네이트 및 CSI 를 장치 (DevS1) 에 공급하였다.Equimolar premix 1-n-Butyl-3-methylimidazolium trifluoromethanesulfonate and CSI were fed into the apparatus DevS1.

실시예를 하기 장치를 이용하여 수행하였다:The examples were carried out using the following apparatus:

Figure 112014109925713-pct00059
장치 (DevS0): 피스톤 펌프 260D (ISCO Teledyne 사제)
Figure 112014109925713-pct00059
Device (DevS0): piston pump 260D (manufactured by ISCO Teledyne)

Figure 112014109925713-pct00060
장치 (DevS1) 는 하스텔로이 C 로 제조된 내부 체적 VolS1 인 1/8 인치 코일 튜브임. 가열에 대해서는 자켓 가열 셋업을 사용하였고, 가열 매질은 통상적인 오일이였다.
Figure 112014109925713-pct00060
The device (DevS1) is an 1/8 inch coil tube with internal volume VolS1 manufactured by Hastelloy C. For heating, a jacket heating set-up was used and the heating medium was conventional oil.

Figure 112014109925713-pct00061
장치 Dev(S2) 는 하스텔로이 C 로 제조된 약 1.5 mL 의 내부 체적의 1/8 인치 튜브임. 실온의 룸의 공기와 튜브를 단순히 접촉시킴으로써 냉각을 실행하였다.
Figure 112014109925713-pct00061
Apparatus Dev (S2) is a 1/8 inch tube of about 1.5 mL internal volume made with Hastelloy C. Cooling was carried out by simply contacting the tube with room air at room temperature.

Figure 112014109925713-pct00062
장치 (DevS3): 표준 배압 조절기 (Swagelok 의 KPB 시리즈)
Figure 112014109925713-pct00062
Device (DevS3): Standard Back Pressure Regulator (Swagelok's KPB series)

Figure 112014109925713-pct00063
장치 (DevS4): CO2 를 개방 글래스 플라스크에서 반응 혼합물로부터 분리시켰다.
Figure 112014109925713-pct00063
Device (DevS4): subsequent cleavage of the CO 2 from the reaction mixture in an open glass flasks.

수득된 화학식 (1) 의 화합물은 황색 액체였다:The obtained compound of formula (1) was a yellow liquid:

Figure 112014109925713-pct00064
Figure 112014109925713-pct00064

반응 생성물에 대해서, 하기 분석 데이터를 측정하였다.For the reaction products, the following analytical data were measured.

IR (ATR, 24 스캔, ν(cm-1)): 3122 (w), 2966 (w), 1573 (w), 1404 (w), 1353 (w) 1256 (s), 1224(m), 1156 (s), 1029 (s), 836 (m), 746 (m), 636 (s), 622 (s), 584 (s) 574 (s) NMR (CD3CN, 400 MHz, 24℃, ref. 1,4 디플루오로벤젠) δ= -79.28 ppm.IR (ATR, 24 scans, v (cm -1)): 3122 (w), 2966 (w), 1573 (w), 1404 (w), 1353 (s), 1029 (s), 836 (m), 746 (m), 636 (s), 622 (s), 584 , 4 difluorobenzene)? = -79.28 ppm.

Claims (13)

화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법으로서:
Figure 112015039137586-pct00065

본 방법은 3개의 연속적인 단계들인 단계 (StepS1), 단계 (StepS2) 및 단계 (StepS3) 를 포함하고;
단계 (StepS1) 는 반응 (ReacS1) 을 포함하고;
반응 (ReacS1) 은 화학식 (II) 의 화합물과 화학식 (III) 의 화합물과의 반응이고:
Figure 112015039137586-pct00066

[식 중,
X1 및 X2 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 F, Cl, Br, J, C1-6 퍼플루오로알킬, 및 톨릴로 구성된 군에서 선택되고;
Rn+ 은 H+, Li+, Na+, K+, Mg2+, Ca2+, Zn2+, Cu2+, Al3+, Ti3+, Fe2+, Fe3+, B3+,
Figure 112015039137586-pct00067
Figure 112015039137586-pct00068

[N(R20)(R21)(R22)R23]+, 및 [P(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;
R20, R21, R22 및 R23 는 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐, 벤질, 비닐 및 알릴로 구성된 군에서 선택되고;
n 은 1, 2 또는 3 임];
반응 (ReacS1) 은 연속 방식으로 수행되고;
단계 (StepS1) 에서 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물의 혼합물은 장치 (DevS1) 를 통해 지나가고, 장치 (DevS1) 는 연속적인 작업 장치이고, 장치 (DevS1) 에서 화학식 (II) 의 화합물 및 화학식 (III) 의 화합물의 혼합물은 온도 (TempS1) 로 가열되어 (온도 (TempS1) 는 180 내지 300℃ 이며, 여기서 반응 (ReacS1) 이 일어남), 반응 혼합물을 생성하고,
단계 (StepS2) 에서 장치 (DevS1) 로부터의 반응 혼합물은 장치 (DevS2) 를 통해 지나가고, 장치 (DevS2) 는 반응 혼합물 냉각을 위한 장치이고;
단계 (StepS3) 에서 장치 (DevS2) 로부터의 반응 혼합물은 장치 (DevS3) 을 통해 지나가고, 장치 (DevS3) 는 배압 조절을 위한 장치이고;
반응 혼합물은 장치 (DevS2) 또는 장치 (DevS3) 또는 장치 (DevS2) 와 장치 (DevS3) 의 조합의 반응 혼합물에 대한 영향에 의해 온도 (TempS2) 로 냉각되고, 온도 (TempS2) 는 0 내지 150℃ 인, 화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법.
A process for the preparation of a compound of formula (I)
Figure 112015039137586-pct00065

The method includes three successive steps: StepS1, StepS2, and StepS3;
StepS1 comprises the reaction ReacS1;
Reaction (ReacSl) is the reaction of a compound of formula (II) with a compound of formula (III)
Figure 112015039137586-pct00066

[Wherein,
X1 and X2 are the same or different and are independently selected from the group consisting of F, Cl, Br, J, C1-6 perfluoroalkyl, and tolyl;
R n + is H +, Li +, Na + , K +, Mg 2+, Ca 2+, Zn 2+, Cu 2+, Al 3+, Ti 3+, Fe 2+, Fe 3+, B 3+ ,
Figure 112015039137586-pct00067
Figure 112015039137586-pct00068

[N (R20) (R21) (R22) R23] + , and [P (R20) (R21) (R22) R23] + ;
R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl, benzyl, vinyl and allyl;
n is 1, 2 or 3;
The reaction (ReacS1) is carried out in a continuous manner;
In step S1, the mixture of the compound of formula (II) and the compound of formula (III) passes through the device DevS1, the device DevS1 is a continuous working device, The mixture of the compound and the compound of formula (III) is heated to a temperature (TempS1) (TempS1 is from 180 to 300 ° C, where the reaction (ReacS1) occurs)
The reaction mixture from the device DevS1 passes through the device DevS2 in the step S2 and the device DevS2 is the device for cooling the reaction mixture;
The reaction mixture from the device DevS2 passes through the device DevS3 in the step S13 and the device DevS3 is the device for the back pressure adjustment;
The reaction mixture is cooled to the temperature (Temps2) by the influence of the combination of the device DevS2 or DevS3 or the combination of the devices DevS2 and DevS3 on the reaction mixture and the temperature Temps2 is between 0 and 150 ° C , ≪ / RTI >
제 1 항에 있어서, 추가의 단계 (StepS4) 를 포함하는 방법으로서, 추가의 단계 (StepS4) 는 단계 (StepS3) 이후 수행되고, 단계 (StepS4) 에서 장치 (DevS3) 로부터의 반응 혼합물은 장치 (DevS4) 를 통해 지나가고, 장치 (DevS4) 는 반응 혼합물로부터 CO2 를 분리시키는 장치인, 방법.2. The method according to claim 1, wherein the further step (StepS4) is carried out after the step (StepS3), and the reaction mixture from the device DevS3 in the step (StepS4) ) passes through the apparatus (DevS4) is a method apparatus for separating CO 2 from the reaction mixture. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, X1 및 X2 는 동일하고 F, Cl, Br, C1-6 퍼플루오로알킬 및 톨릴로 구성된 군에서 선택되는 방법.3. A process according to claim 1 or 2, wherein X1 and X2 are the same and are selected from the group consisting of F, Cl, Br, C1-6 perfluoroalkyl and tolyl. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
Rn+ 가 H+, Li+, Na+, K+,
Figure 112014110918469-pct00069
Figure 112014110918469-pct00070
[N(R20)(R21)(R22)R23]+ 로 구성된 군에서 선택되고;
R20, R21, R22 및 R23 이 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 H, C1-8 알킬, C5-6 시클로알킬, 페닐, 벤질, 비닐 및 알릴로 구성된 군에서 선택되는 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
R n + is H + , Li + , Na + , K +
Figure 112014110918469-pct00069
Figure 112014110918469-pct00070
[N (R20) (R21) (R22) R23] + ;
R20, R21, R22 and R23 are the same or different and are independently selected from the group consisting of H, C1-8 alkyl, C5-6 cycloalkyl, phenyl, benzyl, vinyl and allyl.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 장치 (DevS1) 가 튜브, 마이크로반응기, 쉘 및 튜브 열 교환기, 및 플레이트 열 교환기로 구성된 군에서 선택되는 방법.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the device DevS1 is selected from the group consisting of tubes, microreactors, shell and tube heat exchangers, and plate heat exchangers. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 장치 (DevS2) 가 튜브, 마이크로반응기, 쉘 및 튜브 열 교환기, 및 플레이트 열 교환기로 구성된 군에서 선택되는 방법.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the device DevS2 is selected from the group consisting of tubes, microreactors, shell and tube heat exchangers, and plate heat exchangers. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 장치 (DevS3) 가 통상적인 배압 조절 장치인 방법.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the device DevS3 is a conventional back pressure regulator. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 온도 (TempS1) 가 190 내지 280℃ 인 방법.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the temperature (TempS1) is 190 to 280 deg. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 온도 (TempS2) 가 10 내지 120℃ 인 방법.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the temperature (TempS2) is 10 to 120 DEG C. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 반응 (ReacS1) 이 압력 (PressS1) 에서 수행되고, 압력 (PressS1) 이 10 내지 1000 bar 인, 방법.3. The process according to claim 1 or 2, wherein the reaction (ReacS1) is carried out at a pressure (PressS1) and the pressure (PressS1) is between 10 and 1000 bar. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 시간 (TimeS1) 이 0.5 sec 내지 4 h 이고; 시간 (TimeS1) 은 상기 혼합물이 장치 (DevS1) 에서 가열에 노출되고 온도 (TempS1) 에 노출되는 시간인, 방법.3. The method of claim 1 or 2, wherein the time (TimeS1) is 0.5 sec to 4 h; Wherein the time (TimeS1) is the time at which the mixture is exposed to heat in the device (DevS1) and is exposed to the temperature (TempS1). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 시간 (TimeS2) 이 0.1 sec 내지 2 h 이고; 시간 (TimeS2) 은 상기 반응 혼합물이 온도 (TempS2) 로 냉각되는 시간인, 방법.3. The method of claim 1 or 2, wherein the time (TimeS2) is 0.1 sec to 2 h; Wherein the time (TimeS2) is the time at which the reaction mixture is cooled to the temperature (TempS2). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 화학식 (III) 의 화합물의 몰량이 화학식 (II) 의 화합물의 몰량의 0.5 내지 1.5 배인, 방법.
3. The process according to claim 1 or 2, wherein the molar amount of the compound of formula (III) is 0.5 to 1.5 times the molar amount of the compound of formula (II).
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