KR101530545B1 - 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치 - Google Patents
란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치 Download PDFInfo
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 39
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
본 발명은 금속의 도파관, 상기 도파관 내부에 형성되고 테라헤르츠파 투과성을 갖는 유전체 지지층, 상기 유전체 지지층의 중앙 돌출부에 형성되어 테라헤르츠파를 발생시키는 그래핀 채널 FET 소자 및 상기 그래핀에 자기장을 인가하는 자기장 인가부를 포함하고, 상기 유전체 지지층은 상기 테라헤르츠파를 가이드하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 테라헤르츠파 발생 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 도파관 내부에 테플론층의 중앙 돌출부에 그래핀에 채널을 형성한 FET 소자를 제조하고, 상기 그래핀 채널에 도파관 외부의 솔레노이드에서 자기장을 인가하여 테라헤르츠파를 발생시키는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치에 관한 것이다.
테라헤르츠파는 전자파의 투과성과 광파의 직진성이 동시에 있어 금속 물체에는 반사하고, 플라스틱이나 나무와 같은 비이온화 물질은 투과하는 성질을 갖고 있다. 테라헤르츠파의 주파수는 300GHz에서 3THz 대역이며 이 테라헤르츠 대역을 "테라헤르츠 갭(THz Gap)"이라 부른다. 현재 테라헤르츠파를 발생시키는 소스나 테라헤르츠파를 수신할 수 있는 수신기의 개발이 미비한 수준이다. 특히 테라헤르츠파를 생성하는 소스는 대부분 출력 전력이 상당히 낮고 상온에서 동작이 어려운 문제점이 있다.
도 1은 2차원의 물질에서 나오는 상태 밀도(density of state)를 나타낸 것이다. 이때 자기장을 특정 세기 이상으로 인가하면 각 상태(state)가 갖는 에너지 레벨이 양자화됨을 알 수 있다.
란다우 레벨(Landau level)는 자계 내에서의 전자의 주회운동을 양자화함으로써 나타나는 에너지 준위이다. 2차원 평면의 채널에 소정 세기 이상의 자기장을 인가할 때 에너지 레벨이 양자화되는데, 란다우 레벨은 이 양자화된 에너지 레벨을 의미한다. 이 란다우 레벨은 자기장의 크기에 의해 란다우 레벨 간의 에너지 간격을 조절할 수 있다. 즉 걸어주는 자기장을 제어함으로서 방출되는 에너지의 파장을 조절할 수 있다.
란다우 레벨 레이저는 2차원 평면의 채널을 갖는 물질을 이용한다. 란다우 레벨 레이저에 사용하는 기존에 알려진 물질로는 주로 III-V족 화합물로 구성된 화합물 반도체가 있다. 화합물 반도체는 2차원 전자가스(2-dimensional electron gas)를 이용해서 2차원의 채널을 근사적으로 얻을 수 있다. 그러나 이는 완벽한 2차원의 채널은 아니기 때문에 효율이 좋지 않고 아직까지 실제로 제작됨이 발표되고 있지 않다.
최근 화합물 반도체가 아닌 탄소 기반의 물질이 란다우 레벨 레이저의 2차원 평면의 채널 물질로 더 가능성이 높다는 것이 이론적으로 분석되고 있다. 이러한 탄소 기반의 물질로는 그래핀, 탄소 나노 튜브 또는 플러린(C60) 등이 있다. 최근 영국 맨체스터 대학의 K. S. Novoselov와 A. K. Geim이 처음으로 2차원 평면 단결정인 그래핀의 특성을 실험적으로 분석한 바 있다.
도 2는 일반적인 반도체에서의 양자홀 효과와 그래핀에서의 양자홀 효과를 비교한 것이다. 도 2로부터 그래핀은 일반적인 반도체와 양자화된 에너지 레벨간의 차이가 다름을 알 수 있으며, 본 발명은 그래핀의 이러한 성질을 활용하여 테라헤르츠 란다우 레벨 레이저를 제안하였다.
특허문헌 1은 하나의 기판에 제작된 두 개의 분포 궤환 레이저들을 갖고, 상기 분포 궤환 레이저들 각각은 서로 다른 파장의 광신호들을 출력하는 듀얼 파장 레이저 및 상기 출력된 광신호들을 입력받아 테라헤르츠파를 발생하는 광학기를 포함하는 기술이나 출력 레벨이 낮은 문제점이 있다.
1. 한국공개특허 제10-2012-0030186호(2012년 03월 28일 공개)
상기와 같은 문제점을 해결하고자 본 발명은 란다우 레벨 레이저의 2차원 평면 물질을 그래핀으로 구현하고, 도파관의 최대 전계 지점에 테플론층과 그래핀 기반 FET를 제조하고, 상기 그래핀에 인가되는 자기장을 제어하여 고출력 테라헤르츠파를 발생시키는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치를 제공하고자 한다.
상기의 해결하려는 과제를 위한 본 발명에 의한 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치는 금속의 도파관, 상기 도파관 내부에 형성되고 테라헤르츠파 투과성을 갖는 유전체 지지층, 상기 유전체 지지층의 중앙 돌출부에 형성되어 테라헤르츠파를 발생시키는 그래핀 채널 FET 소자 및 상기 그래핀에 자기장을 인가하는 자기장 인가부를 포함하고, 상기 유전체 지지층은 상기 테라헤르츠파를 가이드하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예로서 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법은 테플론층을 증착하는 단계, 상기 테플론층 상부에 산화막을 증착하는 단계, 상기 테플론층 상부에 그래핀을 전사하는 단계, 상기 테플론층, 상기 산화막 및 상기 그래핀의 측면부를 식각하여 중앙 돌출부를 형성하는 단계, 상기 그래핀의 상부에 게이트 산화막을 증착하는 단계, 상기 게이트 산화막 상부에 게이트 전극을 증착하고 그래핀 채널 FET 소자를 형성하는 단계, 도파관으로 상기 테플론층, 상기 산화막 및 상기 그래핀 채널 FET 소자를 하우징하는 단계 및 상기 도파관의 외측부에 솔레노이드를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 란다우 레벨 레이저에 사용되는 2차원 평면 단결정의 채널을 갖는 물질을 그래핀을 이용하여 제조하고, 란다우 레벨 레이저에 인가되는 자기장을 제어하여 테라헤르츠파를 발생시키므로 고출력 테라헤르츠파 신호원을 제공할 수 있다.
본 발명은 솔레노이드에 흐르는 전류 또는 자기장을 제어하여 란다우 레벨을 제어하여 테라헤르츠파의 주파수를 조절할 수 있다.
본 발명은 화합물 반도체 대신 그래핀을 2차원 평면 물질로 사용하기 때문에 제조비용을 낮출 수 있다.
도 1은 2차원 평면 물질의 상태 밀도를 도시한 그래프 .
도 2는 종래의 양자홀 효과와 그래핀에 의한 양자홀 효과의 비교 그림.
도 3은 본 발명에 의한 테플론과 그래핀 기반의 FET 소자 단면도.
도 4a 및 도4b는 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 도파관 내부 전면도 및 사시도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 게이트 전극을 보여주는 단면도.
도 6은 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 게이트 전극을 보여주는 단면도.
도 7은 본 발명에 의한 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치.
도 2는 종래의 양자홀 효과와 그래핀에 의한 양자홀 효과의 비교 그림.
도 3은 본 발명에 의한 테플론과 그래핀 기반의 FET 소자 단면도.
도 4a 및 도4b는 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 도파관 내부 전면도 및 사시도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 게이트 전극을 보여주는 단면도.
도 6은 본 발명에 의한 테라헤르츠파 발생 장치의 게이트 전극을 보여주는 단면도.
도 7은 본 발명에 의한 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치.
이하 본 발명의 실시를 위한 구체적인 실시예를 도면을 참고하여 설명한다. 예시된 도면은 발명의 명확성을 위하여 핵심적인 내용만 확대 도시하고 부수적인 것은 생략하였으므로 도면에 한정하여 해석하여서는 아니 된다.
도 3은 본 발명에 의한 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠 발생 장치를 구성하는 테플론과 그래핀 채널 FET 소자 단면도를 도시한 것으로서, 아래부터 테플론층(1), 산화막(2), 그래핀(3), 게이트 산화막(4) 및 게이트 전극(5)을 포함한다.
가시광선 영역의 레이저를 제작하는데 일반적으로 쓰이는 물질은 산화막(SiO2)이다. 그러나 산화막(SiO2)은 테라헤르츠파를 흡수하기 때문에 테라헤르츠파 용도의 레이저 제작에 접합하지 않다. 따라서 본 발명은 테라헤르츠파 란다우 레이저를 제조하는데 테플론(teflon)을 사용한다. 테플론(ε=1.9)의 유전율은 공기의 유전율(ε=1)과 가장 가까운 물질이며 열적으로 안정되고 테라헤르츠 영역에서 투과성을 갖는다. 본 발명은 이러한 테라헤르츠파 투과성의 테플론층의 중앙으로 에너지가 모일 수 있도록 테플론층(1)의 중앙 돌출부를 제외한 가장자리는 얇게 식각하고, 중앙 돌출부에 그래핀(3)을 전사(transfer)하고, 그래핀(3)에 채널을 형성한 FET 트랜지스터를 제조한다.
테플론층(1)은 반도체 공정에서 많이 쓰이는 증발기(evaporator)를 이용하여 파우더 형태의 테플론에 열을 가해 샘플 위에 증착된다. 또는 테플론층(1)은 스핀코팅(spin-coating)하여 증착할 수 있다. 증착된 테플론층(1)은 플라즈마 식각기(plasma etcher)를 이용하여 에칭한다. 에칭 공정은 아르곤(Ar)이나 산소(O2)의 가스를 사용할 수 있고 사불화탄소(CF4)를 사용하면 더 효과적으로 식각 공정을 진행할 수 있다.
테플론은 소수성을 갖고 때문에 테플론층(1)에 바로 그래핀을 전사(transfer)할 수 없다. 따라서 상기 테플론층(1)의 상부에 친수성 유전체인 산화막(2)을 증착해야 한다. 예를 들면, 테플론층(1)의 상부에 아주 얇은 산화막(2)을 먼저 증착하고, 산화막(2)의 상부에 그래핀(3)을 증착한다. 상기 산화막(2)은 SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, TiO2 또는 La2O3 등을 사용할 수 있으며 산화막(2)은 원자층 증착법(atomic layer deposition : ALD) 또는 화학 증착법(chemical vapor deposition : CVD)에 의해 증착할 수 있다. 원자층 증착법 또는 화학 증착법은 대량 생산 시 낮은 가격으로 제작이 가능하다는 장점이 있다.
그래핀(3)의 상부에 집적되는 트랜지스터는 종래의 MOSFET 트랜지스터와 같은 패턴으로 제조할 수 있으며, 반도체 기판에 형성되는 트랜지스터의 제조 공정과 유사하다. 그래핀(3)의 상부에 게이트 산화막(4)을 증착하여 게이트 전극의 물질이 그래핀(3)과 전기적으로 분리되게 하고, 소스층(8)과 드레인층(9)을 형성한다. 소스층(8)과 드레인층(9)은 그래핀(3)에 소정의 불순물을 이온 주입하여 형성할 수 있다. 이때 게이트 산화막(4)은 상기 산화막(2)의 증착 공정과 마찬가지로 SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, TiO2 또는 La2O3 등을 사용할 수 있으며 원자층 증착법 또는 화학 증착법으로 증착한다. 게이트 산화막(4)은 증착할 때, 플라즈마는 그래핀의 특성에 영향을 줄 수 있기 때문에 열처리 방식을 이용해야 한다. (공정 후에 열처리하는 것인지 설명부탁드립니다. 플라즈마란 플라즈마 CVD를 의미하는지요)
게이트 전극(5)의 물질은 TiN, TaN, TiAl, TiAlN, Pd, W, WN 또는 Al을 사용할 수 있다. 상기 그래핀(3)의 상부에 산화막을 증착하고, 게이트 전극 하부의 게이트 산화막(4)을 제외한 산화막을 식각하여 소스층(8)과 드레인층(9)의 상부에 게이트 전극과 동일한 물질로 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 소스 전극은 상기 소스층과 접합되어 형성되고, 드레인 전극은 상기 드레인층과 접합되어 형성된다.
도 4a와 도 4b에 도시된 란다우 레벨 레이저의 도파관 내부는 도파관(6), 테라헤르츠파 유전체 지지층인 테플론층(1), 매우 얇은 산화막(2) 및 그래핀 채널 FET 소자(12)를 포함한다.
상기 도파관(wave guide)(6)은 구리, 금, 은 또는 알루미늄 중 적어도 하나의 물질을 사용할 수 있다. 또는 상기 도파관(6)은 반자성체 금속으로 이루어진다. 상기 도파관(6)은 사용할 수 있는 반자성체 금속으로 Bi, Ag, Pb, Zn, S 또는 Cu 등이 있다.
유전체 지지층은 테플론으로 증착할 수 있다. 유전체 지지층은 테플론을 포함한 폴리머로 증착할 수 있다. 테플론층(1)은 상기 도파관(6)의 내측면에 형성되고 테라헤르츠파를 투과시킨다. 상기 테플론층(1)은 도 4a에 도시된 바와 같이 도파관의 상부와 하부에 각각 중앙부가 돌출된 형상으로 형성된다.
하부 테플론층의 중앙 돌출부는 상부 테플론층의 중앙 돌출부보다 넓으며, 하부 테플론층에는 그래핀(3)상에 소스층(8)과 드레인층(9)에 해당하는 폭만큼 넓다. 테플론층(1)의 중앙 돌출부의 상부에 얇은 산화막(2) 및 그래핀(3)이 형성된다.
그래핀 채널 FET 소자(12)는 상기 테플론층(1)과 산화막(2)의 상부 및 상기 도파관(6)의 최대 전계 지점에 형성된다. 그래핀 채널 FET 소자(12)는 그래핀을 채널층으로 하고, 그래핀(3)의 상부에 게이트 산화막(4) 및 게이트 전극(5)이 증착된다. 그래핀(3)에는 소스층(8)과 드레인층(9)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(5)에는 전압이 인가되어 전자가 모이도록 하여 란다우 레벨을 만들어 테라헤르츠파를 발생시키고, 테라헤르츠파 진행 방향으로 브래그 반사기 구조를 만들어 공진기를 형성한다. 이때 게이트 전극(5)은 브랙 반사형 레이저(DBR laser) 공진기 또는 분포 궤환형 레이저(DFB laser) 공진기 구조가 된다.
그래핀 채널 FET 소자(12)의 게이트 전극(5)은 테라헤르츠파의 진행 방향으로 주기적으로 반복되는 격자(grating) 형태의 공진기가 된다. 게이트 전극(5)은 게이트 전극(5)의 금속 물질을 증착한 후, 감광막을 코팅하고 결함구조 마스크를 형성하고 상기 금속막을 식각하여 결함격자 구조의 게이트 전극을 형성한다.
도 5a는 본 발명에 의한 결함격자 구조의 게이트 전극을 보여주는 단면도이고, 도5b는 게이트 전극에서 a와 a' 방향의 수직 단면도이다. 게이트 전극은 상기 테라헤르츠파의 진행 방향을 따라 주기적으로 결함격자 구조가 형성되어 발생한 테라헤르츠파를 증폭시킨다.
도 5a에 도시된 게이트 전극(5)의 전체에 걸쳐 주기적으로 결함이 형성된 결함격자 구조이고, 도 6에 도시된 게이트 전극(5)은 전면부와 후면부의 일부분만 일정간격으로 결함이 형성된 구조이다. 결함격자 게이트 전극(5)이 미러 기능을 하여 그래핀에서 발생한 테라헤르츠파를 증폭시킬 수 있다. (맞는지 확인 부탁드리며, 어떻게 증폭시키는지 설명부탁드립니다)
도 7은 본 발명에 의한 테라헤르츠파를 발생시키는 란다우 레벨 레이저(7)로서, 그래핀 기반의 FET 소자(12)가 집적된 란다우 레벨 레이저(7) 및 자기장 인가부(10,11)를 포함한다. 자기장 인가부(10,11)는 상기 그래핀(3)의 2차원 평면에 강한 자기장을 수직 방향으로 인가하는 솔레노이드(10) 및 상기 솔레노이드(10)의 중앙에 위치하는 강자성체(11)를 포함한다. 솔레노이드(10)의 안에 위치하는 강자성체(11)는 철(Fe) 또는 페라이트(ferrite) 등이 사용될 수 있다. 상기 솔레노이드는 2차원 물질의 에너지 레벨을 양자화할 때 자기장을 걸어주는 코일이다. 솔레노이드(10)에 흐르는 전류를 조절하면 도 2의 란다우 레벨의 간격이 조절되므로, 테라헤르츠파의 주파수를 조절할 수 있다. 마찬가지로 솔레노이드(10)에서 인가하는 자계의 세기를 조절하면 도 2와 같은 란다우 레벨의 간격이 조절되므로, 테라헤르츠파의 주파수를 조절할 수 있다. 따라서 본 발명의 란다우 레벨 레이저는 상기 란다우 레이저에 인가되는 자기장의 세기를 조절하면 테라헤르츠 대역의 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.
아울러 본 발명의 란다우 레벨 레이저는 게이트 전극에 전압을 인가하지 않고 외부 레이저 빔을 조사하여 그래핀의 란다우 레벨을 제어하여서도 테라헤르츠 파를 발생시킬 수 있다.
이상에서는 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1 : 테플론층 2 : 친수성 유전체
3 : 그래핀 4 : 게이트 산화막
5 : 게이트 전극 6 : 도파관
7 : 란다우 레벨 레이저 8 : 소스층
9 : 드레인층 10 : 솔레노이드
11 : 강자성체 12 : 그래핀 채널 FET 소자
3 : 그래핀 4 : 게이트 산화막
5 : 게이트 전극 6 : 도파관
7 : 란다우 레벨 레이저 8 : 소스층
9 : 드레인층 10 : 솔레노이드
11 : 강자성체 12 : 그래핀 채널 FET 소자
Claims (15)
- 금속의 도파관;
상기 도파관 내부에 형성되고 테라헤르츠파 투과성을 갖는 유전체 지지층;
상기 유전체 지지층의 중앙 돌출부에 형성되어 테라헤르츠파를 발생시키는 그래핀 채널 FET 소자 및
상기 그래핀에 자기장을 인가하는 자기장 인가부를 포함하고,
상기 유전체 지지층은 테라헤르츠파를 가이드하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 그래핀 채널 FET 소자는,
상기 그래핀의 상부에 형성된 게이트 산화막 및
상기 게이트 산화막 상부에 형성된 게이트 전극을 포함하고,
상기 게이트 전극은 테라헤르츠파의 진행 방향을 따라 주기적으로 결함격자 구조가 형성되어 발생한 테라헤르츠파를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제2항에 있어서,
상기 게이트 전극은 테라헤르츠파의 진행 방향으로 상기 게이트 전극의 양단부 일부에 주기적으로 결함격자 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제2항에 있어서,
상기 게이트 전극은 브래그 반사기 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 자기장 인가부는,
상기 도파관의 외측에 부착되어 자기장을 발생시키는 솔레노이드 및
상기 솔레노이드의 중앙부에 위치한 강자성체를 포함한 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제5항에 있어서,
상기 솔레노이드에 흐르는 전류를 제어함에 따라 상기 그래핀의 란다우 레벨간의 간격을 조절하여 테라헤르츠파의 주파수를 조절하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제5항에 있어서,
상기 솔레노이드로부터 인가되는 자계의 세기를 제어하여 상기 그래핀의 란다우 레벨간의 간격을 조절하여 테라헤르츠파의 주파수를 조절하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유전체 지지층은 테플론층인 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제1항에 있어서,
상기 그래핀 채널 FET 소자는,
상기 그래핀의 상부에 형성된 산화막;
상기 산화막 상부에 형성된 게이트 전극;
상기 그래핀에 형성된 소스층;
상기 그래핀에 형성된 드레인층;
상기 소스층과 접합된 소스 전극 및
상기 드레인층과 접합된 드레인 전극을 포함한 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제8항에 있어서,
상기 테플론층과 상기 그래핀 사이에 증착된 친수성의 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제2항에 있어서,
상기 산화막은 SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, TiO2 또는 La2O3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 제2항에 있어서,
상기 게이트 전극은 TiN, TaN, TiAl, TiAlN, Pd, W, WN 또는 Al 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치. - 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법에 있어서,
테플론층을 증착하는 단계;
상기 테플론층 상부에 산화막을 증착하는 단계;
상기 테플론층 상부에 그래핀을 전사하는 단계;
상기 테플론층, 상기 산화막 및 상기 그래핀의 측면부를 식각하여 중앙 돌출부를 형성하는 단계;
상기 그래핀의 상부에 게이트 산화막을 증착하는 단계;
상기 게이트 산화막 상부에 게이트 전극을 증착하고 그래핀 채널 FET 소자를 형성하는 단계;
도파관으로 상기 테플론층, 상기 산화막 및 상기 그래핀 채널 FET 소자를 하우징하는 단계 및
상기 도파관의 외측부에 솔레노이드를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 게이트 산화막을 증착하는 단계 이후에 열처리 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 그래핀 채널 FET 소자를 형성하는 단계는,
상기 게이트 금속막을 증착하는 단계 및
결함구조 마스크를 형성하여 상기 금속막을 식각하여 결함격자 구조의 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법.
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| KR1020140028968A KR101530545B1 (ko) | 2014-03-12 | 2014-03-12 | 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치 |
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| KR101530545B1 true KR101530545B1 (ko) | 2015-06-22 |
Family
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4723250A (en) * | 1985-12-20 | 1988-02-02 | Ga Technologies Inc. | Solid state cyclotron laser |
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| US20110315880A1 (en) * | 2008-12-31 | 2011-12-29 | Yael Nemirovsky | Teramos-terahertz thermal sensor and focal plane array |
| KR20130078310A (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 그래핀스퀘어 주식회사 | 자유지지형 그래핀을 이용한 ｒｆ 소자 |
-
2014
- 2014-03-12 KR KR1020140028968A patent/KR101530545B1/ko active IP Right Grant
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