KR101523228B1 - System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas - Google Patents

System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas Download PDF

Info

Publication number
KR101523228B1
KR101523228B1 KR1020130114592A KR20130114592A KR101523228B1 KR 101523228 B1 KR101523228 B1 KR 101523228B1 KR 1020130114592 A KR1020130114592 A KR 1020130114592A KR 20130114592 A KR20130114592 A KR 20130114592A KR 101523228 B1 KR101523228 B1 KR 101523228B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transfer line
control valve
refrigerant
electronic control
refrigerant gas
Prior art date
Application number
KR1020130114592A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150034471A (en
Inventor
우범제
한명석
윤석문
Original Assignee
우범제
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우범제 filed Critical 우범제
Priority to KR1020130114592A priority Critical patent/KR101523228B1/en
Publication of KR20150034471A publication Critical patent/KR20150034471A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101523228B1 publication Critical patent/KR101523228B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 냉매가스가 순환되는 공정설비와, 제1전자제어밸브와 제1압력센서를 구비한 제1이송라인을 통해 공정설비에서 유출되는 냉매가스의 압력을 높이는 압축기(compressor)와, 제2전자제어밸브와 제2압력센서를 구비한 제2이송라인을 통해 압축기로부터 유입되는 냉매가스를 응축하는 응축기(condenser)와, 제3이송라인을 통해 응축기로부터 유입되는 냉매가스가 일시 저장되는 수액기(liquid receiver)를 구비한 본체부와, 제3전자제어밸브와 제3압력센서를 구비한 제4이송라인을 통해 수액기로부터 유입되는 냉매가스의 양을 제어하여 제4전자제어밸브와 제4압력센서를 구비한 제5이송라인을 통해 공정설비에 냉매가스를 공급하는 제1전자팽창밸브와, 제2이송라인을 통해 이송되는 냉매가스가 분기 되어 제5전자제어밸브와 제5압력센서를 구비한 제6이송라인을 통해 압축기로부터 유입되는 냉매가스의 양을 제어하여 제6전자제어밸브를 구비한 제7이송라인을 통해 제5이송라인에 냉매가스를 공급하는 제2전자팽창밸브를 구비한 온도제어부를 포함하며, 공정설비와 제1전자제어밸브 사이에서 분기 되어 제7전자제어밸브를 구비한 배출라인과, 제5이송라인에 냉매가스를 공급탱크로부터 공급하되 제8전자제어밸브를 구비한 공급라인을 포함하며, 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력 값이 수신되는 수신부와, 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력의 기준압력 값이 기 설정되는 설정부와, 각각의 전자제어밸브를 통합 제어하는 제어부를 구비하는 메인 컨트롤러부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 액상의 냉각 유체를 사용하지 않고, 가스를 사용하여 반도체 제조공정설비의 온도를 제어하는 온도 제어시스템의 유로에 충전되어 있는 냉매의 누출 여부를 점검하면서 동시에 냉매가 고속으로 단시간에 충전되는 효과가 있다.
The present invention relates to a refrigerant charging system and a method for charging a refrigerant in a semiconductor manufacturing system using gas as a mediator, and more particularly, to a refrigerant charging system using a process facility in which refrigerant gas is circulated, A compressor for increasing the pressure of the refrigerant gas flowing out of the process facility through a first transfer line having a pressure sensor and a second transfer line including a second electronic control valve and a second pressure sensor, A condenser for condensing the refrigerant gas and a liquid receiver for temporarily storing the refrigerant gas flowing from the condenser through the third transfer line; The amount of the refrigerant gas flowing from the receiver through the fourth transfer line having the sensor is controlled so that the process equipment through the fifth transfer line having the fourth electronic control valve and the fourth pressure sensor And a refrigerant gas flowed through the second transfer line is branched into a refrigerant flowing from a compressor through a sixth transfer line having a fifth electronic control valve and a fifth pressure sensor, And a second electronic expansion valve for controlling the amount of gas to supply the refrigerant gas to the fifth transfer line through a seventh transfer line having a sixth electronic control valve, And a supply line having an eighth electronic control valve for supplying a refrigerant gas from a supply tank to the fifth transfer line, wherein each of the pressure sensors And a control unit for integrally controlling each of the electronic control valves, wherein the control unit is configured to set a reference pressure value of a pressure sensed through each of the pressure sensors, And a refrigerant charging system of a gas-mediated semiconductor manufacturing plant construction cost temperature control system.
According to the present invention, it is possible to check whether or not the refrigerant filled in the flow path of the temperature control system for controlling the temperature of the semiconductor manufacturing process facility by using gas is used, without using a liquid cooling fluid, There is an effect to be charged.

Description

가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법{System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas}Technical Field [0001] The present invention relates to a refrigerant charging system for a temperature control system and a refrigerant charging method using the same,

본 발명은 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템에 관한 것으로, 특히 액상의 냉각 유체를 사용하지 않고, 가스를 사용하여 반도체 제조공정설비의 온도를 제어하는 온도 제어시스템의 유로에 충전되어 있는 냉매의 누출 여부를 점검하면서 동시에 냉매를 고속으로 단시간에 충전할 수 있는 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 충전방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a refrigerant charging system of a semiconductor manufacturing system, and more particularly to a system for charging a refrigerant in a temperature control system that uses a gas to control the temperature of a semiconductor manufacturing process facility And more particularly, to a refrigerant charging system and a charging method of a semiconductor manufacturing facility temperature control system using a gas as a medium capable of charging a refrigerant at a high speed in a short time while checking whether or not the refrigerant leaks.

일반적으로 반도체 및 LCD 등을 제조하는 과정에서 반도체 및 LCD 등의 공정용 설비는 정전척(Electrostatic Chuck), 히터(Heater) 및 챔버(Chamber) 등의 내부온도를 항시 일정하게 유지시켜야 하며, 이러한 온도 유지의 역할을 하는 장비를 칠러(Chiller)라 한다.Generally, in the process of manufacturing semiconductors and LCDs, the internal temperature of the electrostatic chuck, the heater, and the chamber must be kept constant at all times, The equipment that plays the role of maintenance is called a chiller.

이러한 반도체 및 LCD 등의 공정용 설비는 반도체의 제조과정에서 열적 부하를 받아 온도가 상승하게 되는데, 반도체 및 LCD용 칠러는 펌프를 사용하여 정전척, 히터 및 챔버 등의 내부에 냉각 유체를 순환시키는 방법으로 열적 부하를 칠러로 회수하여 열을 제거한다.Such semiconductor and LCD process equipments are subjected to thermal load during the manufacturing process of semiconductors and the temperature rises. Semiconductor and LCD chillers are used to circulate the cooling fluid inside electrostatic chuck, heater and chamber by using a pump The heat load is removed by chiller to remove heat.

이때, 반도체 및 LCD용 칠러는 본체로 회수된 냉각 유체의 냉각 목표 온도에 따라 저온용 칠러와 고온용 칠러로 구분할 수 있으며, 저온용 칠러는 통상적으로 프레온 가스를 이용한 냉각사이클을 이용하여 냉각 유체를 냉각하는 방식이며, 고온용 칠러(또는, 열교환기식 칠러)는 소정의 냉매를 이용하여 냉각 유체를 냉각하는 방식이다.
In this case, the semiconductor and LCD chiller can be classified into a low-temperature chiller and a high-temperature chiller according to the target cooling temperature of the cooling fluid recovered to the main body, and the low-temperature chiller generally uses a cooling cycle using a freon gas, And a high temperature chiller (or a heat exchanger type chiller) is a system for cooling a cooling fluid by using a predetermined refrigerant.

종래 반도체 제조공정설비에 적용하는 온도 제어시스템의 냉매를 사용하는 목적은 1차 냉동 사이클 용도로, 2차 냉동에 사용되는 Brine(또는 Coolant)을 냉각시키는 용도로 사용되어 충전하고자 하는 라인의 누출 여부를 가압으로 확인 후 칠러 내부에 일정압력으로 충전하여 사용하였다.The purpose of using the refrigerant of the temperature control system applied to the conventional semiconductor manufacturing process facility is to use the cooling of the brine (or coolant) used for the secondary refrigeration for the primary refrigeration cycle, Was pressurized and filled with a constant pressure inside the chiller.

그러나, 본 발명은 냉매를 2차 냉동으로 사용하기 때문에 온도를 제어하고자 하는 목적물의 온도에 직접적으로 영향을 준다.However, since the present invention uses the refrigerant as the secondary refrigerant, it directly affects the temperature of the object to be controlled.

따라서, 기존 1차 냉동에 사용될 때보다 분해 및 조립의 경우가 빈번하고, 온도제어에 직접적으로 미치기 때문에 보다 정밀하고 향상된 방법으로 충전할 수 있는 방법이 요구되고 있는 실정이다.Therefore, decomposition and assembly are more frequent than when it is used in the existing primary refrigeration, and since it is directly related to temperature control, there is a need for a method that can be refined in a more precise and improved manner.

대한민국 공개실용신안공보 제20-2008-0004784호(2008년 10월 22일 공개)Korean Utility Model Publication No. 20-2008-0004784 (published on October 22, 2008) 대한민국 등록특허공보 제10-1109728호(2012년 01월 18일 공고)Korean Registered Patent No. 10-1109728 (issued on January 18, 2012) 대한민국 등록특허공보 제10-1109730호(2012년 02월 24일 공고)Korean Registered Patent No. 10-1109730 (issued on February 24, 2012) 대한민국 등록특허공보 제10-0927391호(2009년 11월 19일 공고)Korean Registered Patent No. 10-0927391 (published on Nov. 19, 2009)

본 발명의 과제는 액상의 냉각 유체를 사용하지 않고, 가스를 사용하여 반도체 제조공정설비의 온도를 제어하는 온도 제어시스템의 유로에 충전되어 있는 냉매의 누출 여부를 점검하면서 동시에 냉매를 고속으로 단시간에 충전할 수 있는 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 충전방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a temperature control system for controlling the temperature of a semiconductor manufacturing process facility using a gas without using a liquid cooling fluid while checking whether or not the refrigerant charged in the flow path of the temperature control system is leaking, And a method for charging a refrigerant and a method for charging the refrigerant in a semiconductor manufacturing system using a gas capable of being charged.

상기 과제를 달성하기 위해 안출된 본 발명은, 냉매가스가 순환되는 공정설비, 제1전자제어밸브와 제1압력센서를 구비한 제1이송라인을 통해 상기 공정설비에서 유출되는 상기 냉매가스의 압력을 높이는 압축기(compressor)와, 제2전자제어밸브와 제2압력센서를 구비한 제2이송라인을 통해 상기 압축기로부터 유입되는 상기 냉매가스를 응축하는 응축기(condenser)와, 제3이송라인을 통해 상기 응축기로부터 유입되는 상기 냉매가스가 일시 저장되는 수액기(liquid receiver)를 구비한 본체부, 제3전자제어밸브와 제3압력센서를 구비한 제4이송라인을 통해 상기 수액기로부터 유입되는 상기 냉매가스의 양을 제어하여 제4전자제어밸브와 제4압력센서를 구비한 제5이송라인을 통해 상기 공정설비에 상기 냉매가스를 공급하는 제1전자팽창밸브와, 상기 제2이송라인을 통해 이송되는 상기 냉매가스가 분기 되어 제5전자제어밸브와 제5압력센서를 구비한 제6이송라인을 통해 상기 압축기로부터 유입되는 상기 냉매가스의 양을 제어하여 제6전자제어밸브를 구비한 제7이송라인을 통해 상기 제5이송라인에 상기 냉매가스를 공급하는 제2전자팽창밸브를 구비한 온도제어부를 포함하며, 상기 공정설비와 상기 제1전자제어밸브 사이에서 분기 되어 제7전자제어밸브를 구비한 배출라인과, 상기 제5이송라인에 냉매가스를 공급탱크로부터 공급하되 제8전자제어밸브를 구비한 공급라인을 포함하며, 상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력 값이 수신되는 수신부와, 상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력의 기준압력 값이 기 설정되는 설정부와, 상기 각각의 전자제어밸브를 통합 제어하는 제어부를 구비하는 메인 컨트롤러부를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for controlling a pressure of a refrigerant gas flowing out of the processing facility through a first transfer line having a first electronic control valve and a first pressure sensor, A condenser for condensing the refrigerant gas introduced from the compressor through a second transfer line having a second electronic control valve and a second pressure sensor, and a condenser for condensing the refrigerant gas flowing through the third transfer line A main body including a liquid receiver for temporarily storing the refrigerant gas introduced from the condenser, a second inlet for receiving the refrigerant introduced from the receiver through a fourth transfer line having a third electronic control valve and a third pressure sensor, A first electronic expansion valve for controlling the amount of refrigerant gas to supply the refrigerant gas to the process facility through a fifth transfer line including a fourth electronic control valve and a fourth pressure sensor, Wherein the refrigerant gas flowing through the sixth electronic control valve and the fifth pressure sensor is branched to control the amount of the refrigerant gas flowing from the compressor through the sixth transfer line including the fifth and fifth pressure sensors, And a second electronic expansion valve for supplying the refrigerant gas to the fifth transfer line through the seventh transfer line, wherein the seventh electronic control valve is branched from the process facility and the first electronic control valve, And a supply line having an eighth electronic control valve for supplying the refrigerant gas from the supply tank to the fifth transfer line, wherein the pressure value sensed by each of the pressure sensors is received, And a control unit for integrally controlling each of the electronic control valves, wherein the main control unit includes a setting unit for setting a reference pressure value of a pressure sensed by each of the pressure sensors, And a roller portion.

상기 본체부는 제9전자제어밸브를 구비한 제8이송라인을 통해 상기 압축기로부터 유입되는 상기 냉매가스가 저장되는 리저버 탱크와, 상기 제1이송라인에서 분기 되어 제10전자제어밸브를 구비한 제9이송라인에 설치된 진공펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.The main body includes a reservoir tank in which the refrigerant gas introduced from the compressor is stored through an eighth conveyance line having a ninth electronic control valve and a reservoir tank branched from the first conveyance line, And a vacuum pump installed in the transfer line.

상기 온도제어부는 상기 본체부 보다 상기 공정설비에 더 근접하여 배치된 것을 특징으로 한다.
And the temperature control unit is disposed closer to the process facility than the main body unit.

또한, 상기 과제를 달성하기 위해 안출된 본 발명은, 메인 컨트롤러부의 설정부에 의해 제1 내지 제5압력센서의 기준감지 값이 기 설정되는 단계, 제10전자제어밸브를 구비한 제9이송라인에 설치된 진공펌프가 구동되는 단계, 상기 메인 컨트롤러부의 제어부에 의해 제1 내지 제6 및 제10전자제어밸브가 개방되는 단계, 상기 제어부에 의해 제7 내지 제9전자제어밸브가 차단되는 단계, 상기 설정부에 의해 기 설정된 상기 제1 내지 제5압력센서의 기준감지 값 미만으로 상기 메인 컨트롤러부의 수신부에 수신되면, 상기 제어부에 의해 제10전자제어밸브가 차단되는 단계, 상기 제어부에 의해 제9전자제어밸브가 추가 개방되는 단계 및 상기 설정부에 의해 기 설정된 상기 제1 내지 제5압력센서의 기준감지 값 이상으로 상기 수신부에 수신되면, 상기 제어부에 의해 제9전자제어밸브가 재 차단되는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling an electronic apparatus, comprising: setting a reference sensed value of a first to a fifth pressure sensor by a setting unit of a main controller unit; The first to sixth and the tenth electronic control valves are opened by the control unit of the main controller unit, the seventh to ninth electronic control valves are shut off by the control unit, Wherein the tenth electronic control valve is interrupted by the control unit when the reception unit of the main controller unit receives the reference sensed value of the first through fifth pressure sensors preset by the setting unit, When the control valve is further opened and the receiving unit receives the reference value more than the reference sensed value of the first to fifth pressure sensors predetermined by the setting unit, It comprises a step of claim 9 the material blocking electromagnetic control valve.

본 발명은 액상의 냉각 유체를 사용하지 않고, 가스를 사용하여 반도체 제조공정설비의 온도를 제어하는 온도 제어시스템의 유로에 충전되어 있는 냉매의 누출 여부를 점검하면서 동시에 냉매가 고속으로 단시간에 충전되는 효과가 있다.The present invention relates to a temperature control system for controlling the temperature of a semiconductor manufacturing process facility using a gas without using a liquid cooling fluid while checking whether or not the refrigerant charged in the flow path of the temperature control system is leaked and at the same time, It is effective.

본 명세서에서 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어서 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템을 나타낸 예시도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전방법을 나타낸 순서도 이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are incorporated in and constitute a part of the specification, illustrate preferred embodiments of the invention and, together with the description, serve to further the understanding of the technical idea of the invention, And shall not be construed as interpretation.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing an example of a system for charging a refrigerant in a gas control system for a semiconductor manufacturing plant according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of charging a refrigerant in a semiconductor manufacturing system using a gas medium according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 충전방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a refrigerant charging system and a charging method of a gas-mediated semiconductor manufacturing plant construction cost temperature control system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템을 나타낸 예시도 이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전방법을 나타낸 순서도 이다.FIG. 1 is a view illustrating an example of a system for filling a refrigerant in a semiconductor manufacturing system using a gas medium according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view of a gas- FIG. 2 is a flowchart showing a method of charging a refrigerant in a cost temperature control system. FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템은 공정설비(100), 본체부(200), 온도제어부(300) 및 메인 컨트롤러부(400)를 포함하는 구성요소로 이루어지며, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.1 and 2, a refrigerant charging system of a gas-mediated semiconductor manufacturing plant construction cost control system according to a preferred embodiment of the present invention includes a processing facility 100, a main body 200, a temperature controller 300 And a main controller 400, which will be described in detail as follows.

먼저, 상기 공정설비(100)는 정전척(electrostatic chuck), 히터 및 챔버 등과 같이 반도체 등의 제조공정에 사용되는 공정설비를 지칭한다.First, the process facility 100 refers to a process facility used in a manufacturing process of a semiconductor, such as an electrostatic chuck, a heater, and a chamber.

그리고, 상기 공정설비(100)는 냉매가스가 순환되면서 상기 공정설비(100)의 온도를 제어한다.The process facility 100 controls the temperature of the process facility 100 while circulating the refrigerant gas.

상기 본체부(200)는 상기 냉매가스를 고온고압으로 압축하는 압축기(210)와, 상기 냉매가스를 응축하는 응축기(220) 및 상기 냉매가스를 일시 저장하는 수액기(230)를 구비한다.The main body 200 includes a compressor 210 for compressing the refrigerant gas at high temperature and high pressure, a condenser 220 for condensing the refrigerant gas, and a receiver 230 for temporarily storing the refrigerant gas.

그리고, 상기 온도제어부(300)는 제1전자팽창밸브(310) 및 제2전자팽창밸브(320)를 구비한다.The temperature control unit 300 includes a first electronic expansion valve 310 and a second electronic expansion valve 320.

이때, 상기 온도제어부(300)는 상기 본체부(200) 보다 상기 공정설비(100)에 더 가까운 곳에 위치하는 것이 바람직한데, 즉 상기 제1전자팽창밸브(310)와 상기 제2전자팽창밸브(320)가 상기 공정설비(100) 인근에 위치하게 되면, 상기 공정설비(100)에 유입되어 온도를 제어하는 냉매가스의 온도제어의 정밀도를 높이는 이점이 있다.It is preferable that the temperature control unit 300 is located closer to the process facility 100 than the main body 200. That is, the first electronic expansion valve 310 and the second electronic expansion valve 320 is located near the process facility 100, there is an advantage in that the accuracy of temperature control of the coolant gas flowing into the process facility 100 and controlling the temperature is improved.

즉, 공간을 많이 차지하는 상기 본체부(200)와, 비교적 부피가 작아 공간을 덜 차지하는 상기 온도제어부(300)로 각각 분리함으로써, 공간을 효율적으로 활용하는 동시에 더욱 정밀하게 온도를 제어할 수 있는 것이다.That is, by separating the main body 200, which occupies a lot of space, and the temperature controller 300, which is relatively small in volume and occupying less space, the space can be efficiently utilized and the temperature can be controlled more precisely .

여기서, 상기 제1전자팽창밸브(310)와 상기 제2전자팽창밸브(320)는 상기 공정설비(100)에 또는 이송라인 상에 설치될 수 있는 메인 온도센서(미도시)에 의해 감지된 온도에 기초하여 각각 개도가 조절된다.The first electronic expansion valve 310 and the second electronic expansion valve 320 may be connected to the process facility 100 or to the second electronic expansion valve 320 through the first and second electronic expansion valves 310 and 320, Respectively.

즉, 상기 제1전자팽창밸브(310)의 경우 비교적 저온의 냉매가스를 통해 상기 공정설비(100)의 온도가 제어되고, 상기 제2전자팽창밸브(320)는 비교적 상온의 냉매가스를 통해 상기 공정설비(100)의 온도가 제어되는 것이다.That is, in the case of the first electronic expansion valve 310, the temperature of the processing facility 100 is controlled through the relatively low-temperature refrigerant gas, and the second electronic expansion valve 320 is controlled by the refrigerant gas The temperature of the process facility 100 is controlled.

즉, 예를 들어 저온을 제어하는 냉매는 고압 저온에서 제1전자팽창밸브(310)를 지나며 약 영하 20도 이하로 변온 되어 저온을 제어하고, 고온을 제어하는 냉매는 고압 고온(약 95도 이상)에서 제2전자팽창밸브(320)를 지나며 약 70 내지 80도 정도의 온도로 변온 되어 고온을 제어하는 것이다.That is, for example, the refrigerant controlling the low temperature passes through the first electronic expansion valve 310 at a high pressure and a low temperature and is transformed to a temperature of about minus 20 degrees or less to control the low temperature and the refrigerant for controlling the high temperature, ) To the second electronic expansion valve (320) and is thermally turned to a temperature of about 70 to 80 degrees to control the high temperature.

여기서, 상기 수액기(230)는 상기 압축기(210)에서 공급한 고온고압의 냉매가스를 상기 응축기(220)에서 PCW(Process Cooling Water)로 응축한 후, 상기 냉매가스를 상기 제1전자팽창밸브(310)로 보내기 전 잠시 저장하는 고압용기로서, 하나의 압축기(210)를 이용하여 적어도 하나 이상의 공정설비의 운전 시, 다른 공정설비의 설정온도 변환이나 냉각부하의 변화와 같은 외란이 인가되어 발생하는 응축압력의 변화폭을 줄여 전반적인 냉동사이클 시스템의 안정화를 이룰 수 있다.Here, the receiver 230 condenses the high-temperature and high-pressure refrigerant gas supplied from the compressor 210 to the PCW (Process Cooling Water) in the condenser 220, and then supplies the refrigerant gas to the first electronic expansion valve And is stored temporarily before being sent to the compressor 310. When at least one process facility is operated using one compressor 210, a disturbance such as a set temperature conversion of a different process facility or a change in a cooling load is applied It is possible to stabilize the overall refrigeration cycle system.

상기 본체부(200)는 상기 압축기(210)로부터 유입되는 상기 냉매가스가 저장되는 리저버 탱크(240)와, 각각의 이송라인 내에 잔류하고 있는 공기 또는 기타 이물질 등의 불순물들을 제거하기 위해 이송라인 내부를 진공으로 만들어 불순물을 제거하기 위한 진공펌프(290)를 더 구비할 수 있다.The main body 200 includes a reservoir tank 240 in which the refrigerant gas flowing from the compressor 210 is stored, and a reservoir tank 240 for removing impurities such as air or other foreign matter remaining in the respective transfer lines. And a vacuum pump 290 for removing impurities by making vacuum.

그리고, 배출라인(350)과 냉매가스를 공급탱크(370)로부터 공급하는 공급라인(360)이 더 구비될 수 있다.Further, a discharge line 350 and a supply line 360 for supplying the refrigerant gas from the supply tank 370 may be further provided.

상기 메인 컨트롤러부(400)는 수신부(410), 설정부(420) 및 제어부(430)를 구비한다.The main controller 400 includes a receiving unit 410, a setting unit 420, and a control unit 430.

상기 수신부(410)는 상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력 값이 수신된다.The receiving unit 410 receives pressure values sensed through the respective pressure sensors.

상기 설정부(420)는 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력의 기준압력 값이 기 설정된다.The setting unit 420 sets a reference pressure value of the pressure sensed through each of the pressure sensors.

상기 제어부(430)는 상기 각각의 전자제어밸브를 통합 제어한다.
The control unit 430 integrally controls each of the electronic control valves.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 충전방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a refrigerant charging system and a charging method in a semiconductor manufacturing facility air conditioning system for controlling the temperature of a gas medium according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

먼저, 상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 충전방법은, 저온의 온도제어를 위한 제1순환경로와, 비교적 고온의 온도제어를 위한 제2순환경로를 구비한다.As described above, the refrigerant charging system and the charging method of the gas-mediated semiconductor manufacturing system temperature control system according to the preferred embodiment of the present invention include a first circulation path for controlling the temperature at a low temperature, And a second circulation path for temperature control.

여기서, 상기 제1순환경로에 대해 설명하면, 상기 공정설비(100)에서 배출된 냉매가스가 제1이송라인(110)을 통해 상기 압축기(210)로 유입된다.The refrigerant gas discharged from the process facility 100 flows into the compressor 210 through the first transfer line 110. In the first circulation path,

이때, 상기 제1이송라인(110)에는 제1전자제어밸브(111)와 제1압력센서(112)가 각각 설치되어 상기 제1이송라인(110)을 통해 상기 공정설비(100)에서 배출되는 냉매가스가 상기 제1전자제어밸브(111)에 의해 차단될 수 있고, 상기 제1압력센서(112)에 의해 상기 제1이송라인(110) 내부의 냉매가스 압력이 감지된다.At this time, a first electromagnetic control valve 111 and a first pressure sensor 112 are installed in the first transfer line 110 and are discharged from the process facility 100 through the first transfer line 110 The refrigerant gas can be shut off by the first electronic control valve 111 and the refrigerant gas pressure inside the first transfer line 110 is sensed by the first pressure sensor 112.

그 다음, 상기 압축기(210)에 유입되어 고온고압으로 가압 된 냉매가스가 배출되어 제2이송라인(250)을 통해 상기 응축기(220)로 유입된다.Then, the refrigerant gas that flows into the compressor 210 and is pressurized at a high temperature and a high pressure is discharged and flows into the condenser 220 through the second transfer line 250.

이때, 상기 제2이송라인(250)에는 제2전자제어밸브(251)와 제2압력센서(252)가 각각 설치되어 상기 제2이송라인(250)을 통해 상기 압축기(210)에서 배출되는 냉매가스가 상기 제2전자제어밸브(251)에 의해 차단될 수 있고, 상기 제2압력센서(252)에 의해 상기 제2이송라인(250) 내부의 냉매가스 압력이 감지된다.A second electromagnetic control valve 251 and a second pressure sensor 252 are installed in the second conveyance line 250 and the refrigerant discharged from the compressor 210 through the second conveyance line 250 The gas can be shut off by the second electromagnetic control valve 251 and the refrigerant gas pressure inside the second transfer line 250 is detected by the second pressure sensor 252.

여기서, 제10전자제어밸브(241)를 구비한 제8이송라인(242)을 통해 상기 압축기(210)로부터 유입되는 냉매가스가 저장되는 리저버 탱크(240)가 마련된다.Here, a reservoir tank 240 in which the refrigerant gas flowing from the compressor 210 is stored is provided through an eighth conveyance line 242 having a tenth electronic control valve 241.

즉, 상기 제2전자제어밸브(251)에 의해 상기 제2이송라인(250)을 통해 흐르는 냉매가스가 차단되면, 상기 제9전자제어밸브(241)가 개방되어 상기 제8이송라인(242)을 통해 상기 리저버 탱크(240)로 냉매가스가 유입되는 것이다.That is, when the refrigerant gas flowing through the second transfer line 250 is blocked by the second electromagnetic control valve 251, the ninth electromagnetic control valve 241 is opened and the eighth transfer line 242 is opened, And the refrigerant gas is introduced into the reservoir tank 240 through the refrigerant passage.

그 다음, 상기 응축기(220)에 유입되어 응축된 냉매가스가 배출되어 제3이송라인(260)을 통해 상기 수액기(230)에 유입되어 일시 저장된다.Then, the refrigerant gas flowing into the condenser 220 and condensed therein is discharged, is introduced into the receiver 230 through the third transfer line 260, and temporarily stored.

그 다음, 상기 수액기(230)에 유입되어 일시 저장되는 냉매가스가 제4이송라인(270)을 통해 상기 제1전자팽창밸브(310)로 유입된다.The refrigerant gas flowing into the receiver (230) and temporarily stored therein is then introduced into the first electronic expansion valve (310) through the fourth transfer line (270).

이때, 상기 제4이송라인(270)에는 제3전자제어밸브(271)와 제3압력센서(272)가 각각 설치되어 상기 제4이송라인(270)을 통해 상기 수액기(230)에서 배출되는 냉매가스가 상기 제3전자제어밸브(271)에 의해 차단될 수 있고, 상기 제3압력센서(272)에 의해 상기 제4이송라인(270) 내부의 냉매가스 압력이 감지된다.At this time, a third electromagnetic control valve 271 and a third pressure sensor 272 are installed on the fourth conveyance line 270 and are discharged from the receiver 230 through the fourth conveyance line 270 The refrigerant gas can be shut off by the third electromagnetic control valve 271 and the refrigerant gas pressure inside the fourth transfer line 270 is detected by the third pressure sensor 272.

그 다음, 상기 제1전자팽창밸브(310)에 유입되어 단열팽창된 냉매가스가 제5이송라인(330)을 통해 상기 공정설비(100)로 유입된다.Then, the refrigerant gas that flows into the first electronic expansion valve 310 and is thermally expanded is introduced into the process facility 100 through the fifth transfer line 330.

이때, 상기 제5이송라인(330)에는 제4전자제어밸브(331)와 제4압력센서(332)가 각각 설치되어 상기 제5이송라인(330)을 통해 상기 제1전자팽창밸브(310)에서 배출되는 냉매가스가 상기 제4전자제어밸브(331)에 의해 차단될 수 있고, 상기 제4압력센서(332)에 의해 상기 제5이송라인(330) 내부의 냉매가스 압력이 감지된다.A fourth electromagnetic control valve 331 and a fourth pressure sensor 332 are installed in the fifth conveyance line 330 and are connected to the first electronic expansion valve 310 through the fifth conveyance line 330. [ The refrigerant gas pressure in the fifth transfer line 330 is sensed by the fourth pressure sensor 332. The refrigerant gas pressure in the fifth transfer line 330 is detected by the fourth pressure sensor 332. [

그리고, 상기 제2순환경로에 대해 설명하면, 상기 제2이송라인(250)을 통해 이송되는 상기 고온고압으로 가압 된 냉매가스가 분기 되어 제6이송라인(280)을 통해 상기 제2전자팽창밸브(320)로 유입된다.The refrigerant gas pressurized at the high temperature and high pressure fed through the second conveyance line 250 is branched through the sixth conveyance line 280 to the second electronic expansion valve (320).

이때, 상기 제6이송라인(280)에는 제5전자제어밸브(281)와 제5압력센서(282)가 각각 설치되어 상기 제6이송라인(280)을 통해 분기 되는 냉매가스가 상기 제5전자제어밸브(281)에 의해 차단될 수 있고, 상기 제5압력센서(282)에 의해 상기 제6이송라인(280) 내부의 냉매가스의 압력이 감지된다.A fifth electromagnetic control valve 281 and a fifth pressure sensor 282 are installed in the sixth conveyance line 280 so that the refrigerant gas branched through the sixth conveyance line 280 flows into the fifth electron The pressure of the refrigerant gas inside the sixth transfer line 280 is sensed by the fifth pressure sensor 282.

그 다음, 상기 제2전자팽창밸브(320)로 유입된 냉매가스가 제7이송라인(340)을 통해 이송되어 상기 제5이송라인(330)으로 유입된다.The refrigerant gas flowing into the second electronic expansion valve 320 is then transferred through the seventh transfer line 340 to the fifth transfer line 330.

이때, 상기 제7이송라인(340) 상에 제6전자제어밸브(341)가 설치되어 상기 제7이송라인(340)을 통해 상기 제2전자팽창밸브(320)에서 배출되는 냉매가스가 상기 제6전자제어밸브(341)에 의해 차단될 수 있다.A sixth electronic control valve 341 is installed on the seventh transfer line 340 so that refrigerant gas discharged from the second electronic expansion valve 320 through the seventh transfer line 340 flows through the seventh transfer line 340, 6 electromagnetic control valve 341. [0156]

상기 제1순환경로의 경우에는 저온의 온도제어를 위해, 상기 제2순환경로의 경우에는 고온의 온도제어를 위한 냉매가 순환된다.In the case of the first circulation path, the refrigerant for the temperature control of the high temperature is circulated for the low temperature control, and in the case of the second circulation path, the refrigerant for the high temperature control is circulated.

한편, 상기 공정설비(100)와 상기 제1전자제어밸브(111) 사이에서 분기 되어 제7전자제어밸브(351)를 구비한 배출라인(350)과, 상기 제5이송라인(330)에 냉매가스를 공급탱크(370)로부터 공급하되 제8전자제어밸브(361)를 구비한 공급라인(360)을 포함한다.A discharge line 350 branched from the process facility 100 and the first electronic control valve 111 and having a seventh electronic control valve 351; And a supply line 360 supplying the gas from the supply tank 370 with an eighth electronic control valve 361.

그리고, 상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력 값과 상기 레벨센서(371) 감지 값이 수신되는 수신부(410)와, 상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력의 기준압력 값이 기 설정되는 설정부(420)와, 상기 각각의 전자제어밸브를 통합 제어하는 제어부(430)를 구비하는 메인 컨트롤러부(400)를 포함한다.
A receiving unit 410 receives a pressure value sensed by each of the pressure sensors and a sensed value of the level sensor 371, and a setting unit that sets a reference pressure value of a pressure sensed through each of the pressure sensors And a main controller 400 having a control unit 430 for integrally controlling each of the electronic control valves.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of charging a refrigerant in a system for controlling the temperature of a semiconductor manufacturing facility using a gas as a medium according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

예를 들어, 메인 컨트롤러부(400)의 설정부(420)에 의해 제1 내지 제5압력센서(112, 252, 272, 332, 282)의 기준감지 값이 기 설정(단계S100)된다.For example, the reference sensing values of the first to fifth pressure sensors 112, 252, 272, 332, and 282 are set by the setting unit 420 of the main controller 400 (step S100).

그 다음, 상기 메인 컨트롤러부(400)의 제어부(430)에 의해 제7 내지 제9전자제어밸브(351, 361, 241)가 차단(단계S200)된다.Then, the control unit 430 of the main controller 400 cuts off the seventh to ninth electronic control valves 351, 361, and 241 (step S200).

그 다음, 제10전자제어밸브(291)를 구비한 제9이송라인(292)에 설치된 진공펌프(290)가 구동(단계S300)된다.Then, the vacuum pump 290 installed in the ninth transfer line 292 having the tenth electronic control valve 291 is driven (step S300).

그 다음, 상기 제어부(430)에 의해 제1 내지 제6 및 제10전자제어밸브(111, 251, 271, 331, 281, 341, 291)가 개방(단계S400)된다.Next, the first to sixth and tenth electronic control valves 111, 251, 271, 331, 281, 341 and 291 are opened by the control unit 430 (step S400).

그 다음, 상기 설정부(420)에 의해 기 설정된 상기 제1 내지 제5압력센서(112, 252, 272, 332, 282)의 기준감지 값 미만으로 상기 메인 컨트롤러부(400)의 수신부(410)에 수신되면, 상기 제어부(430)에 의해 제10전자제어밸브(291)가 차단(단계S500)된다.Next, the reception unit 410 of the main controller unit 400 is set below the reference sensing values of the first to fifth pressure sensors 112, 252, 272, 332, and 282 set by the setting unit 420, The control unit 430 disconnects the tenth electronic control valve 291 (step S500).

그 다음, 상기 제어부(430)에 의해 제9전자제어밸브(241)가 추가 개방(단계S600)된다.Then, the control unit 430 further opens the ninth electromagnetic control valve 241 (step S600).

마지막으로 상기 설정부(420)에 의해 기 설정된 상기 제1 내지 제5압력센서(112, 252, 272, 332, 282)의 기준감지 값 이상으로 상기 수신부(410)에 수신되면, 상기 제어부(430)에 의해 제9전자제어밸브(241)가 재 차단(단계S700)된다.Finally, when the receiving unit 410 receives the reference sensed values of the first to fifth pressure sensors 112, 252, 272, 332, and 282 set by the setting unit 420, The ninth electromagnetic control valve 241 is shut off again (step S700).

즉, 공정설비(100)를 장착 후 제7 내지 제9전자제어밸브(351, 361, 241)를 차단한 후, 진공펌프(290)를 작동시킴과 동시에 제1 내지 제6 및 제10전자제어밸브(111, 251, 271, 331, 281, 341, 291)를 개방하여 냉매가스가 통과되는 이송라인을 펌핑하고, 이송라인 내에 잔류 냉매가스의 압력이 기 설정 값 미만이 되도록 펌핑한 뒤, 진공펌프(290) 측 제10전자제어밸브(291)를 차단하고, 제9전자제어밸브(241)를 개방하면 온도 제어시스템의 리저버 탱크(240)에 저장되어 있는 냉매가스가 압축기(210), 응축기(220), 수액기(230), 공정설비(100) 및 이송라인의 각 전자제어밸브로 유입되어 각 이송라인의 전자제어밸브 측에 설치된 압력센서의 압력이 기 설정 값 이상이거나 평형상태를 유지하면 리저버 탱크(240) 측의 제9전자제어밸브(241)를 차단함으로써 온도 제어시스템의 작동 준비가 완료되는 것이다.That is, after mounting the process facility 100, the seventh to ninth electronic control valves 351, 361, and 241 are shut off, and then the vacuum pump 290 is operated, and the first to sixth and eighth electronic control The valves 111, 251, 271, 331, 281, 341 and 291 are opened to pump the transfer line through which the refrigerant gas is passed, the pressure of the residual refrigerant gas in the transfer line is pumped to be less than a predetermined value, When the ninth electronic control valve 241 is opened and the tenth electronic control valve 291 on the pump 290 side is shut off and the refrigerant gas stored in the reservoir tank 240 of the temperature control system is supplied to the compressor 210, The pressure of the pressure sensor installed at the electronic control valve side of each conveying line flowing into each electronic control valve of the conveying line 220, the receiver 230, the process facility 100 and the conveying line is equal to or more than a preset value, The ninth electronic control valve 241 on the side of the reservoir tank 240 is shut off so that the operation of the temperature control system is ready It will be charges.

이는 각 모듈과 모듈 사이에 전자 제어밸브와 압력 센서가 구성되어 있어 유로 내 원하는 압력을 check 한 후 누수 없이 gas 냉매를 충전할 수 있다.It consists of an electronic control valve and a pressure sensor between each module and the module, so that the gas refrigerant can be charged without any leakage after checking the desired pressure in the flow path.

그리고, PM(ESC교체)시 냉매를 빠르게 충전할 수 있는 방법과 장비를 이설 또는 set up시 안전하게 냉매를 충전할 수 있는 방법이 있어 라인과 장비의 상황에 따라서 냉매 gas를 충전하는 방법을 선택할 수 있다.Also, there is a method to charge the refrigerant quickly during PM (ESC replacement) and a method to safely charge the refrigerant at the time of installation or set up, so that the method of charging the refrigerant gas according to the condition of the line and equipment can be selected have.

그리고, 고가의 액상 냉매를 사용하지 않음으로써 비용 절감의 효과를 누릴 수 있다.
By not using the expensive liquid refrigerant, the cost reduction effect can be obtained.

이상에서는 본 발명을 바람직한 실시예에 의거하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 아니하고 청구항에 기재된 범위 내에서 변형이나 변경 실시가 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 첨부된 특허청구범위에 속한다 할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, And such variations and modifications are intended to fall within the scope of the appended claims.

100: 공정설비
110: 제1이송라인
111: 제1전자제어밸브
112: 제1압력센서
200: 본체부
210: 압축기
220: 응축기
230: 수액기
240: 리저버 탱크
241: 제9전자제어밸브
242: 제8이송라인
250: 제2이송라인
251: 제2전자제어밸브
252: 제2압력센서
260: 제3이송라인
270: 제4이송라인
271: 제3전자제어밸브
272: 제3압력센서
280: 제6이송라인
281: 제5전자제어밸브
282: 제5압력센서
290: 진공펌프
291: 제10전자제어밸브
292: 제9이송라인
300: 온도제어부
310: 제1전자팽창밸브
320: 제2전자팽창밸브
330: 제5이송라인
331: 제4전자제어밸브
332: 제4압력센서
340: 제7이송라인
341: 제6전자제어밸브
350: 배출라인
351: 제7전자제어밸브
360: 공급라인
361: 제8전자제어밸브
370: 공급탱크
400: 메인 컨트롤러부
410: 수신부
420: 설정부
430: 제어부
100: Process equipment
110: 1st transfer line
111: first electronic control valve
112: first pressure sensor
200:
210: compressor
220: condenser
230: Receiver
240: reservoir tank
241: the ninth electronic control valve
242: Eighth conveyance line
250: 2nd transfer line
251: second electronic control valve
252: second pressure sensor
260: Third transfer line
270: Fourth transfer line
271: third electronic control valve
272: Third pressure sensor
280: Sixth transfer line
281: fifth electronically controlled valve
282: fifth pressure sensor
290: Vacuum pump
291: 10th electronically controlled valve
292: Ninth conveying line
300: Temperature controller
310: first electronic expansion valve
320: second electronic expansion valve
330: fifth transfer line
331: fourth electronically controlled valve
332: Fourth pressure sensor
340: seventh transfer line
341: Sixth electronically controlled valve
350: exhaust line
351: seventh electronically controlled valve
360: Supply line
361: Eighth electronic control valve
370: Supply tank
400: main controller unit
410:
420: Setting section
430:

Claims (4)

냉매가스가 순환되는 공정설비(100);
제1전자제어밸브(111)와 제1압력센서(112)를 구비한 제1이송라인(110)을 통해 상기 공정설비(100)에서 유출되는 상기 냉매가스의 압력을 높이는 압축기(compressor)(210)와,
제2전자제어밸브(251)와 제2압력센서(252)를 구비한 제2이송라인(250)을 통해 상기 압축기(210)로부터 유입되는 상기 냉매가스를 응축하는 응축기(condenser)(220)와,
제3이송라인(260)을 통해 상기 응축기(220)로부터 유입되는 상기 냉매가스가 일시 저장되는 수액기(liquid receiver)(230)를 구비한 본체부(200);
제3전자제어밸브(271)와 제3압력센서(272)를 구비한 제4이송라인(270)을 통해 상기 수액기(230)로부터 유입되는 상기 냉매가스의 양을 제어하여 제4전자제어밸브(331)와 제4압력센서(332)를 구비한 제5이송라인(330)을 통해 상기 공정설비(100)에 상기 냉매가스를 공급하는 제1전자팽창밸브(310)와, 상기 제2이송라인(250)을 통해 이송되는 상기 냉매가스가 분기 되어 제5전자제어밸브(281)와 제5압력센서(282)를 구비한 제6이송라인(280)을 통해 상기 압축기(210)로부터 유입되는 상기 냉매가스의 양을 제어하여 제6전자제어밸브(341)를 구비한 제7이송라인(340)을 통해 상기 제5이송라인(330)에 상기 냉매가스를 공급하는 제2전자팽창밸브(320)를 구비한 온도제어부(300)를 포함하며,
상기 공정설비(100)와 상기 제1전자제어밸브(111) 사이에서 분기 되어 제7전자제어밸브(351)를 구비한 배출라인(350)과, 상기 제5이송라인(330)에 냉매가스를 공급탱크(370)로부터 공급하되 제8전자제어밸브(361)를 구비한 공급라인(360)을 포함하며,
상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력 값이 수신되는 수신부(410)와, 상기 각각의 압력센서를 통해 감지되는 압력의 기준압력 값이 기 설정되는 설정부(420)와, 상기 각각의 전자제어밸브를 통합 제어하는 제어부(430)를 구비하는 메인 컨트롤러부(400)를 포함하되,
상기 본체부(200)는 제9전자제어밸브(241)를 구비한 제8이송라인(242)을 통해 상기 압축기(210)로부터 유입되는 상기 냉매가스가 저장되는 리저버 탱크(240)와, 상기 제1이송라인(110)에서 분기 되어 제10전자제어밸브(291)를 구비한 제9이송라인(292)에 설치된 진공펌프(290)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템.
A process facility 100 in which refrigerant gas is circulated;
A compressor 210 for increasing the pressure of the refrigerant gas flowing out of the processing facility 100 through a first transfer line 110 having a first electronic control valve 111 and a first pressure sensor 112, )Wow,
A condenser 220 for condensing the refrigerant gas introduced from the compressor 210 through a second transfer line 250 having a second electronic control valve 251 and a second pressure sensor 252, ,
A main body 200 having a liquid receiver 230 for temporarily storing the refrigerant gas flowing from the condenser 220 through a third transfer line 260;
It is possible to control the amount of the refrigerant gas flowing from the receiver 230 through the fourth transfer line 270 having the third and the third pressure sensors 271 and 272, A first electronic expansion valve 310 for supplying the refrigerant gas to the process facility 100 through a fifth transfer line 330 having a first pressure sensor 331 and a fourth pressure sensor 332, The refrigerant gas delivered through the line 250 is branched and flows from the compressor 210 through a sixth transfer line 280 having a fifth electronic control valve 281 and a fifth pressure sensor 282 A second electronic expansion valve 320 for controlling the amount of the refrigerant gas to supply the refrigerant gas to the fifth transfer line 330 through a seventh transfer line 340 having a sixth electronic control valve 341 And a temperature control unit 300,
A discharge line 350 branched from the process facility 100 and the first electronic control valve 111 and having a seventh electronic control valve 351; And a supply line (360) supplied from a supply tank (370) and having an eighth electronic control valve (361)
A setting unit 420 for setting a reference pressure value of a pressure sensed by each of the pressure sensors, And a main controller (400) having a control unit (430) for integrally controlling the valves,
The main body 200 includes a reservoir tank 240 in which the refrigerant gas flowing from the compressor 210 is stored through an eighth conveyance line 242 having a ninth electronic control valve 241, And a vacuum pump (290) installed in a ninth transfer line (292) branched from the first transfer line (110) and having a tenth electronic control valve (291). Refrigerant charging system of temperature control system.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 온도제어부(300)는 상기 본체부(200) 보다 상기 공정설비(100)에 더 근접하여 배치된 것을 특징으로 하는 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the temperature control unit (300) is disposed closer to the process facility (100) than the main body unit (200).
청구항 1의 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템을 이용한 냉매 충전방법으로서,
a) 메인 컨트롤러부(400)의 설정부(420)에 의해 제1 내지 제5압력센서(112, 252, 272, 332, 282)의 기준감지 값이 기 설정되는 제1단계;
b) 상기 메인 컨트롤러부(400)의 제어부(430)에 의해 제7 내지 제9전자제어밸브(351, 361, 241)가 차단되는 제2단계;
c) 제10전자제어밸브(291)를 구비한 제9이송라인(292)에 설치된 진공펌프(290)가 구동되는 제3단계;
d) 상기 제어부(430)에 의해 제1 내지 제6 및 제10전자제어밸브(111, 251, 271, 331, 281, 341, 291)가 개방되는 제4단계;
e) 상기 설정부(420)에 의해 기 설정된 상기 제1 내지 제5압력센서(112, 252, 272, 332, 282)의 기준감지 값 미만으로 상기 메인 컨트롤러부(400)의 수신부(410)에 수신되면, 상기 제어부(430)에 의해 제10전자제어밸브(291)가 차단되는 제5단계;
f) 상기 제어부(430)에 의해 제9전자제어밸브(241)가 추가 개방되는 제6단계; 및
g) 상기 설정부(420)에 의해 기 설정된 상기 제1 내지 제5압력센서(112, 252, 272, 332, 282)의 기준감지 값 이상으로 상기 수신부(410)에 수신되면, 상기 제어부(430)에 의해 제9전자제어밸브(241)가 재 차단되는 제7단계를 포함하는 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전방법.
A refrigerant charging method using a refrigerant charging system of a semiconductor manufacturing system,
a) a first step in which the reference sensing values of the first to fifth pressure sensors 112, 252, 272, 332, and 282 are preset by the setting unit 420 of the main controller unit 400;
b) blocking the seventh to ninth electromagnetic control valves 351, 361, and 241 by the control unit 430 of the main controller unit 400;
c) a third step of driving a vacuum pump 290 installed in a ninth transfer line 292 having a tenth electronic control valve 291;
d) opening the first to sixth and tenth electronic control valves 111, 251, 271, 331, 281, 341 and 291 by the control unit 430;
and e) the receiving unit 410 of the main controller unit 400 receives the reference sensed values of the first through fifth pressure sensors 112, 252, 272, 332, and 282 set by the setting unit 420 A fifth step in which the tenth electronic control valve 291 is blocked by the control unit 430;
f) further opening the ninth electromagnetic control valve (241) by the control unit (430); And
g) When the receiving unit 410 receives the reference sensed values of the first to fifth pressure sensors 112, 252, 272, 332, and 282 set by the setting unit 420, And a seventh step of re-interrupting the ninth electronic control valve (241) by means of the third electronic control valve (241).
KR1020130114592A 2013-09-26 2013-09-26 System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas KR101523228B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114592A KR101523228B1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114592A KR101523228B1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150034471A KR20150034471A (en) 2015-04-03
KR101523228B1 true KR101523228B1 (en) 2015-05-29

Family

ID=53031279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130114592A KR101523228B1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101523228B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101697491B1 (en) 2015-08-07 2017-01-18 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of ball valve type-auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber
KR101701113B1 (en) 2015-08-07 2017-02-01 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of slide auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber
KR101713549B1 (en) 2015-10-27 2017-03-08 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of two-way slide auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber
KR101713550B1 (en) 2015-10-19 2017-03-22 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of butterfly valve type-auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009353A (en) * 2009-06-24 2011-01-13 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus, and method of maintaining the same
KR101109731B1 (en) * 2010-05-13 2012-02-24 유니셈(주) System and Method for collecting coolant in chiller apparatus for semiconductor process
KR101109730B1 (en) * 2010-05-13 2012-02-24 유니셈(주) Chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same
KR101109728B1 (en) * 2010-05-11 2012-02-24 유니셈(주) Heat exchange typed chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009353A (en) * 2009-06-24 2011-01-13 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus, and method of maintaining the same
KR101109728B1 (en) * 2010-05-11 2012-02-24 유니셈(주) Heat exchange typed chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same
KR101109731B1 (en) * 2010-05-13 2012-02-24 유니셈(주) System and Method for collecting coolant in chiller apparatus for semiconductor process
KR101109730B1 (en) * 2010-05-13 2012-02-24 유니셈(주) Chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101697491B1 (en) 2015-08-07 2017-01-18 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of ball valve type-auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber
KR101701113B1 (en) 2015-08-07 2017-02-01 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of slide auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber
KR101713550B1 (en) 2015-10-19 2017-03-22 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of butterfly valve type-auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber
KR101713549B1 (en) 2015-10-27 2017-03-08 주식회사 앤아이윈 Precise Control and dilution apparatus of two-way slide auto damper for exhaust gas in semiconductor chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150034471A (en) 2015-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101523228B1 (en) System and method for charging refrigerant of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas
KR101109730B1 (en) Chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same
EP2949939B1 (en) Waste-heat recovery system in oil-cooled gas compressor
EP2718642B1 (en) A multi-evaporator refrigeration circuit
US10770317B2 (en) Leak tolerant liquid cooling system employing improved air purging mechanism
CN104006441B (en) Fluid loop system
EP3557143B1 (en) A local thermal energy consumer assembly and a local thermal energy generator assembly for a district thermal energy distribution system
CN111684218B (en) HVAC system and method of operating a vapor compression system
JP5716208B1 (en) Hydrogen gas cooling device
CN109282423B (en) Method for detecting communication connection error of heat recovery multi-split air conditioning system and heat recovery multi-split air conditioning system
EP3201539B1 (en) A method, a controller and a system for estimating loss of refrigerant charge in an rvcs system
US10267548B2 (en) Oil management for heating ventilation and air conditioning system
CN104990320A (en) Control method and system capable of automatically filling refrigerants
WO2018157961A1 (en) A method for controlling ejector capacity in a vapour compression system
CN107477348B (en) Oil cooling system and oil cooling system control method
KR101590119B1 (en) Heat pump type hot water supply system
KR101523227B1 (en) System and method for checking refrigerant leakage of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas
KR101478175B1 (en) Pump down system of temperature controlling apparatus of gas chiller for semiconductor and LCD manufacturing process
EP3604972B1 (en) Hybrid chiller system
US10920995B2 (en) Waste-liquid heat recovery
KR20060048057A (en) Apparatus for supplying coolant
KR102243654B1 (en) Air conditioner
JP2016053455A (en) Cooling device
US20140199184A1 (en) Energy-saving pump and control system for the pump
CN105674640B (en) The flux matched regulating device of air-conditioning system refrigerant charging and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee