KR101523165B1 - 휴대용 컴퓨팅 디바이스에서의 배터리 충전 동시 실행들의 열 관리를 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

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Abstract

휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 온도들을 모니터하고, 이들 온도들에 기초하여 배터리 충전 기능을 제어함으로써 열 부하를 감소시키기 위한 방법 및 시스템이 개시된다. 방법은 전력 관리 집적 회로 ("PMIC") 를 모니터하여 그것이 주문형 반도체 ("ASIC") 와 물리적으로 근접하여 상승된 온도에 기여하는 초과의 열 에너지를 발생시키고 있는지를 결정하는 단계를 포함한다. 만일 그러한 경우, 그리고 초과의 열 에너지가 PMIC 에 의해 실행된 계속적인 배터리 재충전 동작에 기인한다면, 열 폴리시 관리자 모듈이 PMIC 배터리 재충전 기능을 오버라이드하기 위해 열 완화 기법 알고리즘을 실행할 수도 있다. 하나의 예시적인 열 완화 기법은 배터리에 보내진 전류를 감소시켜, 충전 사이클을 느리게 하고 초과의 열 에너지의 발생을 감소시키는 것을 포함할 수도 있다.

Description

휴대용 컴퓨팅 디바이스에서의 배터리 충전 동시 실행들의 열 관리를 위한 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR THERMAL MANAGEMENT OF BATTERY CHARGING CONCURRENCIES IN A PORTABLE COMPUTING DEVICE}
본 특허 출원은 2011 년 4월 22일자로 출원되고, 그 명칭이 "METHOD AND SYSTEM FOR THERMAL MANAGEMENT OF BATTERY CHARGING CONCURRENCIES IN A PORTABLE COMPUTING DEVICE" 이며, 그 전체 내용이 참조로 여기에 병합되는, 미국 가특허출원 제 61/478,163 호에 대한 35 U.S.C.§119(e) 하의 우선권을 주장한다.
휴대용 컴퓨팅 디바이스 (PCD) 들은 개인적 및 직업적 레벨들에서 사람들에게 필수가 되고 있다. 이들 디바이스들은 셀룰러 전화들, 휴대 정보 단말 (PDA) 들, 휴대용 게임 콘솔들, 팜톱 컴퓨터들, 및 다른 휴대용 전자 디바이스들을 포함할 수도 있다.
PCD 들의 하나의 고유의 양태는 그들이 통상적으로 랩톱 및 데스크톱 컴퓨터들과 같은 더 큰 컴퓨팅 디바이스들에서 종종 발견되는 팬(fan) 들과 같은 능동 냉각 디바이스들을 갖지 않는다는 것이다. 팬들을 사용하는 대신에, PCD 들은 둘 이상의 능동 및 열 생성 디바이스들이 서로 매우 근접하여 위치되지 않도록 전자 패키징의 공간 배열에 의존할 수도 있다. 둘 이상의 열 생성 디바이스들이 서로 매우 근접하여 배치되지 않는 경우, 통상 그들의 동작은 서로에게 그리고 그들을 둘러쌀 수도 있는 임의의 다른 전자 장치들에 부정적인 영향을 주지 않는다. 많은 PCD 들은 또한 각각의 PCD 를 형성하는 전자 장치들 중 열 에너지를 관리하는 히트 싱크들과 같은 수동 냉각 디바이스들에 의존할 수도 있다.
그러나, 전자 패키징의 공간 배열 및 히트 싱크들과 같은 수동 냉각 디바이스들은 때때로 PCD 가 임계 온도들에 도달하는 것을 방지하기에 충분히 적당하지 않다. 그러한 임계 열 온도들은 해당 PCD 내의 전자 장치들에 영구적인 손상을 야기할 수도 있다. 현재, PCD 가 임계 온도에 접근하는 경우, 운영 시스템은 PCD 를 냉각시키기 위해 열 에너지를 발생시키는 대부분의 전자 장치들을 셧다운시키도록 설계된다. 전자 장치들을 셧다운시키는 것은 영구적인 손상을 야기할 수도 있는 임계 온도들을 피하는데 효과적일 수도 있는 반면, 그러한 극적인 조치들은 PCD 의 성능에 직접적으로 영향을 주고 그러한 조치들이 취해지는 경우 그의 기능에 대해 PCD 를 쓸모없게 만들 수도 있다.
PCD 내의 위험한 열 에너지 발생에 이바지하는 하나의 특정의 통상적인 사용 케이스는 PCD 배터리의 계속적인 재충전을 갖는 비디오 또는 게이밍 애플리케이션들과 같은 높은 수요 계산 애플리케이션들의 동시적인 프로세싱을 수반한다. 충전 회로로부터 소산되는 열 에너지는 특별히 충전 회로가 프로세싱 회로에 매우 근접한 경우 계산 프로세서들의 열적 버든 (burden) 에 상당히 부가할 수 있다.
이에 따라, 본 기술에서 필요한 것은 높은 수요 계산 애플리케이션들이 사용자 경험에 최소의 영향을 갖는 배터리 재충전 사이클을 가지고 동시에 실행되고 있는 경우 PCD 의 열 부하들을 감소시키기 위한 방법 및 시스템이다.
휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 온도들을 모니터하고, 이들 온도들에 기초하여 배터리 충전 기능을 제어함으로써 열 부하를 감소시키기 위한 방법 및 시스템이 개시된다. 방법은 휴대용 컴퓨팅 디바이스의 온도를 모니터하는 단계 및 온도가 제 1 온도 임계값 조건에 도달했는지 여부를 결정하는 단계를 포함한다. 이러한 제 1 온도 임계값 조건은 복수의 열 폴리시 상태들 중 임의의 열 폴리시 상태 내에 포함될 수도 있으며, 여기서 각각의 열 폴리시 상태는 디폴트 배터리 재충전 기능들의 오버라이드를 포함하여, 여러 열 완화 기법들의 임의의 조합을 지령하거나 요구할 수도 있다. 열 폴리시 상태들은 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 주문형 반도체의 열적 로딩을 나타낼 수도 있는 온도 범위들 또는 다른 값들과 연관될 수도 있다. 주문형 반도체와 연관된 제 1 온도 임계값 조건이 검출되는 경우, 물리적으로 가까운 전력 관리 집적 회로 ("PMIC") 와 연관된 온도 판독값 (reading) 이 판독된다. PMIC 에 의해 실행되는 계속적인 배터리 재충전 동작에 기인하는 것과 같이, 전력 관리 직접 회로가 도달되고 있는 제 1 온도 임계값에 기여하는 초과의 열 에너지를 발생시키고 있다고 결정되는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈은 PMIC 배터리 재충전 기능을 오버라이드하기 위해 열 완화 기법 알고리즘을 실행할 수도 있다. 하나의 예시적인 열 완화 기법은 배터리에 보내지는 전류의 감소, 따라서 충전 사이클을 느리게 하고 초과의 열 에너지의 발생을 감소시키는 것을 포함할 수도 있다.
도면들에서, 동일한 참조 번호들은 달리 나타내지 않으면 여러 도면들에 걸쳐 동일한 부분들을 지칭한다. "102A" 또는 "102B" 와 같은 글자 문자 지정들을 갖는 참조 번호들의 경우, 글자 문자 지정들은 동일한 도면에 존재하는 2 개의 동일한 부품들 또는 엘리먼트들을 구별할 수도 있다. 참조 번호들에 대한 글자 문자 지정들은 참조 번호가 모든 도면들에서 동일한 참조 번호를 갖는 모든 부분들을 포함하도록 의도되는 경우 생략될 수도 있다.
도 1 은 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (PCD) 의 실시형태를 도시하는 기능 블록도이다.
도 2 는 도 1 에 도시된 칩에 대한 하드웨어의 예시적인 공간 배열을 도시하는 기능 블록도이다.
도 3 은 도 1 에 도시된 칩에 대한 하드웨어 및 도 1 에 도시된 칩의 외부에 있는 예시적인 컴포넌트들의 예시적인 공간 배열을 도시하는 기능 블록도이다.
도 4 는 전력 관리 집적 회로 ("PMIC"), 전원, 배터리 및 도 3 에 도시된 칩의 하드웨어 디바이스들 사이의 각각의 논리적 연결들을 도시하는 기능 블록도이다.
도 5 는 PCD 에서의 배터리 충전 동작을 제어함으로써 열 부하들을 감소시키기 위한 방법을 도시하는 논리적 흐름도이다.
도 6 은 도 1 의 PCD 내의 열 폴리시 관리자에 의해 추적되는 여러 열 폴리시 상태들을 도시하는 예시적인 상태도이다.
도 7 은 열 폴리시 관리자에 의해 적용되거나 명령될 수도 있는 예시적인 열 완화 기법들을 도시하는 도면이다.
도 8 은 온도 대 시간의 예시적인 그래프 및 대응하는 열 폴리시 상태들을 도시하는 도면이다.
도 9a 및 도 9b 는 여러 열 완화 기법들을 적용하기 위한 서브-방법 또는 서브루틴을 도시하는 논리적 흐름도들이다.
도 10 은 칩의 외부에 있는 PCD 내의 열 에너지 발생 소스를 관리함으로써 PCD 의 칩 내의 열 부하들을 감소시키기 위한 예시적인 서브-방법을 도시하는 논리적 흐름도이다.
도 11 은 PCD 내의 열 임계값이 도달되는 결과로서 구현될 수도 있는 예시적인 열 완화 조치들을 도시하는 테이블이다.
단어 "예시적인" 은 "예, 예시, 또는 설명으로서 작용하는" 을 의미하도록 여기에 사용된다. "예시적인" 것으로서 여기에 기술된 임의의 양태는 반드시 다른 양태들에 비해 바람직하다거나 이로운 것으로서 해석되지는 않는다.
본 상세한 설명에서, 용어 "애플리케이션" 은 또한 오브젝트 코드, 스크립트들, 바이트 코드, 마크업 언어 파일들, 및 패치들과 같은 실행가능한 콘텐츠을 갖는 파일들을 포함할 수도 있다. 또한, 여기에 지칭되는 "애플리케이션" 은 또한 열릴 필요가 있을 수도 있는 문서들과 같이 본래 실행가능하지 않은 파일들 또는 액세스될 필요가 있는 다른 데이터 파일들을 포함할 수도 있다.
용어 "콘텐츠" 는 또한 오브젝트 코드, 스크립트들, 바이트 코드, 마크업 언어 파일들, 및 패치들과 같은 실행가능한 콘텐츠을 갖는 파일들을 포함할 수도 있다. 또한, 여기에 지칭되는 "콘텐츠" 는 또한 열릴 필요가 있을 수도 있는 문서들과 같이 본래 실행가능하지 않은 파일들 또는 액세스될 필요가 있는 다른 데이터 파일들을 포함할 수도 있다.
본 상세한 설명에서 사용되는 바와 같이, 용어들 "컴포넌트", "데이터베이스", "모듈", "시스템" 등은 하드웨어, 펌웨어, 하드웨어 및 소프트웨어의 결합, 소프트웨어, 또는 실행중인 소프트웨어이든 간에, 컴퓨터 관련 엔티티를 지칭하도록 의도된다. 예를 들어, 컴포넌트는 프로세서 상에서 실행 중인 프로세스, 프로세서, 오브젝트, 실행가능한 것, 실행의 스레드, 프로그램, 및/또는 컴퓨터일 수도 있지만 이들에 제한되지 않는다. 예시로써, 컴퓨팅 디바이스 상에서 실행중인 애플리케이션 및 컴퓨팅 디바이스 양자 모두가 컴포넌트일 수도 있다. 하나 이상의 컴포넌트들은 프로세서 및/또는 실행의 스레드 내에 상주할 수도 있고, 컴포넌트는 하나의 컴퓨터 상에 국부화될 수도 있고 및/또는 2 개 이상의 컴퓨터들 사이에 분포될 수도 있다. 또한, 이들 컴포넌트들은 여러 데이터 구조들이 저장된 여러 컴퓨터 판독가능 매체로부터 실행할 수도 있다. 컴포넌트들은 하나 이상의 데이터 패킷들 (예를 들어, 로컬 시스템, 분포 시스템에서의 다른 컴포넌트와 및/또는 신호를 통해 다른 시스템들과 인터넷과 같은 네트워크를 통해 상호작용하는 하나의 컴포넌트로부터의 데이터) 을 갖는 신호에 따라서와 같이 로컬 및/또는 원격 프로세스들을 통해 통신할 수도 있다.
본 상세한 설명에서, 용어들 "통신 디바이스", "무선 디바이스", "무선 전화:, "무선 통신 디바이스", 및 "무선 핸드셋" 은 교환가능하게 사용된다. 제 3 세대 ("3G") 및 제 4 세대 ("4G") 무선 기술의 출현으로, 더 큰 대역폭 이용가능성이 더 다양한 무선 능력들을 갖는 더 많은 휴대용 컴퓨팅 디바이스들을 가능하게 했다.
본 상세한 설명에서, 용어들 "중앙 프로세싱 유닛 ("CPU")", 디지털 신호 프로세서 ("DSP"), 및 "칩" 은 교환가능하게 사용된다.
본 상세한 설명에서, 용어들 "열적" 및 "열 에너지" 는 "온도" 의 단위들로측정될 수 있는 에너지를 발생시키거나 소산시킬 수 있는 디바이스 또는 컴포넌트와 연관하여 사용될 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 결과적으로, 소정의 표준 값을 참조하여 용어 "온도" 는 "열 에너지" 발생 디바이스 또는 컴포넌트의 상대적인 따뜻함, 또는 열의 부재를 나타낼 수도 있는 임의의 측정치를 의도한다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 2 개의 컴포넌트들의 "온도" 는 그 2 개의 컴포넌트들이 "열적" 평형에 있는 경우 동일하다.
본 상세한 설명에서, 용어 "휴대용 컴퓨팅 디바이스" ("PCD") 는 배터리와 같은 제한 용량 전력 공급 장치 상에서 동작하는 임의의 디바이스를 기술하는데 사용된다. 배터리에 의해 동작되는 PCD 들이 수 십년 동안 사용되었을 지라도, 제 3 세대 ("3G") 무선 기술의 도래와 결합된 재충전가능한 배터리들에서의 기술적 진보들은 다중의 능력들을 갖는 다수의 PCD 들을 가능하게 했다. 따라서, PCD 는 특히 셀룰러 전화, 위성 전화, 페이저, PDA, 스마트폰, 네비게이션 디바이스, 스마트북 또는 리더, 미디어 플레이어, 상술된 디바이스들의 조합, 및 무선 연결을 갖는 랩탑 컴퓨터일 수도 있다.
본 상세한 설명에서, 용어 "전력 관리 집적 회로" ("PMIC") 는 배터리 충전 기능을 구동하기 위해 구성된 회로를 포함하여, 임의의 집적 회로, 또는 그의 일부를 기술하는데 사용된다.
도 1 을 참조하면, 이 도면은 열 조건들을 모니터하고 열 폴리시들을 관리하기 위한 방법들 및 시스템들을 구현하는 무선 전화의 형태의 PCD (100) 의 예시적인 비제한적인 양태의 기능 블록도이다. 도시된 바와 같이, PCD (100) 는 함께 커플링되는 멀티-코어 중앙 프로세싱 유닛 ("CPU") (110) 및 아날로그 신호 프로세서 (126) 를 포함하는 온-칩 시스템 (102) 을 포함한다. CPU (110) 는 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 바와 같이 제 0 코어 (222), 제 1 코어 (224), 및 제 N 코어 (230) 을 포함할 수도 있다. 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 바와 같이, CPU (110) 대신에, 디지털 신호 프로세서 ("DSP") 가 또한 채용될 수도 있다.
CPU (110) 는 또한 하나 이상의 내부 온-칩 열 센서들 (157A) 뿐아니라 하나 이상의 외부 오프-칩 열 센서들 (157B) 에 커플링될 수도 있다. 온-칩 열 센서들 (157A) 은 수직 PNP 구조에 기초하고 통상 상보적 금속 산화물 반도체 ("CMOS") 초대규모 집적 ("VLSI") 회로들에 전용인 하나 이상의 절대 온도 비례 (proportional to absolute temperature: "PTAT") 온도 센서들을 포함할 수도 있다. 오프-칩 열 센서들 (157B) 은 하나 이상의 서미스터들을 포함할 수도 있다. 열 센서들 (157) 은 아날로그 대 디지털 변환기 ("ADC") 제어기 (103) 로 디지털 신호들로 변환되는 전압 강하 또는 전류를 생성할 수도 있다 (도 2 참조). 그러나, 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 인식되는 바와 같이, 열 센서들 (157) 의 다른 타입들이 채용될 수도 있다.
열 센서들 (157) 은, ADC 제어기 (103) 에 의해 제어 및 모니터되는 것에 더하여, 또한 하나 이상의 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 에 의해 제어 및 모니터될 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 은 CPU (110) 에 의해 실행되는 소프트웨어를 포함할 수도 있다. 그러나, 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 은 또한 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 바와 같이 하드웨어 및/또는 펌웨어로부터 형성될 수도 있다.
열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 은 전력 관리 집적 회로 ("PMIC") (107) 에 커플링될 수도 있다. PMIC (107) 는 칩 (102) 상에 존재하는 여러 하드웨어 컴포넌트들에 전력을 분배하는 것 및 전원, 즉 배터리, 충전 기능들을 제어하는 것을 포함하지만 이들에 제한되지 않는 여러 기능들을 담당할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 은, 일부 실시형태들에서 칩 (102) 상에 상주하지만, 배터리 충전의 레이트, 배터리 충전의 지속기간, 배터리 충전의 우선권, 배터리 충전에 할당된 전압 및/또는 전류량 등을 포함하지만 이들에 제한되지 않는 PMIC (107) 의 양태들을 모니터 및 제어하도록 동작가능할 수도 있다.
또, 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 은 PMIC (107) 로부터 칩 (102) 디바이스들로 뿐아니라 전원으로부터 PMIC (107) 로의 전류 흐름을 모니터 및 제어하는 것을 담당할 수도 있다. 또한, 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 에 의해 임의의 주어진 실시형태에서 모니터 및 제어될 수도 있는 PCD (100) 내에 포함된 여러 디바이스들의 특정의 양태들 또는 기능성에 관계없이, 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 의 중심 목적은 하나 이상의 열 완화 기법들을 포함하는 열 폴리시들을 적용하는 것이다. 그러한 열 완화 기법들은 체크되지 않는다면 해로운 열 에너지 발생을 발생시킬 수도 있는 열 조건들 및/또는 열 부하들을 관리함으로써 PCD (100) 가 주어진 사용 케이스에 대한 그의 가장 높은 레벨의 기능성을 유지하는 것을 도울 수도 있다.
도 1 은 또한 PCD (100) 가 모니터 모듈 (114) 을 포함할 수도 있다는 것을 보여준다. 모니터 모듈 (114) 은 온-칩 시스템 (102) 및/또는 PMIC (107) 에 걸쳐 분포된 다수의 동작 센서들 (예를 들어, 열 센서들 (157)), PCD (100) 의 CPU (110) 및 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 과 통신할 수도 있다. 특히, 모니터 모듈 (114) 은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 로 부터 기원하는 제어 신호들에 응답하여 이벤트들, 프로세스들, 애플리케이션들, 자원 상태 조건들, 경과된 시간, 온도 등의 하나 이상의 표시자들을 제공할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 불리한 열 조건들을 식별하고 하나 이상의 열 완화 기법들을 포함하는 열 폴리시들을 적용하기 위해 모니터 모듈 (114) 과 함께 일할 수도 있다.
특정의 양태에서, 여기에 기술된 방법 단계들 중 하나 이상은 하나 이상의 열 폴리시 관리자 모듈(들) (101) 을 형성하는, 메모리 (112) 에 저장된 실행가능한 명령들 및 파라미터들에 의해 구현될 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈(들)을 형성하는 이들 명령들은 여기에 기술된 방법들을 수행하기 위해 ADC 제어기 (103) 뿐아니라 PMIC (107) 내에 포함된 프로세서를 포함하여, CPU (110), 아날로그 신호 프로세서 (126), 또는 임의의 다른 프로세서에 의해 실행될 수도 있다. 또, 프로세서들 (110, 126), 메모리 (112), 여기에 저장된 명령들 또는 이들의 조합은 여기에 기술된 방법 단계들의 하나 이상을 수행하는 수단으로서 작용할 수도 있다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 디스플레이 제어기 (128) 및 터치스크린 제어기 (130) 는 디지털 신호 프로세서 (110) 에 커플링된다. 온-칩 시스템 (102) 의 외부에 있는 터치스크린 디스플레이 (132) 는 디스플레이 제어기 (128) 및 터치스크린 제어기 (130) 에 커플링된다.
도 1 은 비디오 디코더 (134) 를 포함하는 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (PCD) 의 실시형태를 도시하는 개략도이다. 비디오 디코더 (134) 는 멀티코어 중앙 프로세싱 유닛 ("CPU") (110) 에 커플링된다. 비디오 증폭기 (136) 는 비디오 디코더 (134) 및 터치스크린 디스플레이 (132) 에 커플링된다. 비디오 포트 (138) 는 비디오 증폭기 (136) 에 커플링된다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 유니버셜 시리얼 버스 ("USB") 제어기 (140) 는 CPU (110) 에 커플링된다. 또한, USB 포트 (142) 는 USB 제어기 (140) 에 커플링된다. 메모리 (112) 및 가입자 아이덴티티 모듈 (SIM) 카드 (146) 는 또한 CPU (110) 에 커플링될 수도 있다. 또, 도 1 에 도시된 바와 같이, 디지털 카메라 (148) 는 CPU (110) 에 커플링될 수도 있다. 예시적인 양태에서, 디지털 카메라 (148) 는 전하 결합 소자 ("CCD") 카메라 또는 상보적 금속 산화물 반도체 ("CMOS") 카메라이다.
도 1 에 더 도시된 바와 같이, 스테레오 오디오 CODEC (150) 은 아날로그 신호 프로세서 (126) 에 커플링될 수도 있다. 또, 오디오 증폭기 (152) 는 스테레오 오디오 CODEC (150) 에 커플링될 수도 있다. 예시적인 양태에서, 제 1 스테레오 스피커 (154) 및 제 2 스테레오 스피커 (156) 는 오디오 증폭기 (152) 에 커플링된다. 도 1 은 마이크로폰 증폭기 (158) 가 또한 스테레오 오디오 CODEC (150) 에 커플링될 수도 있다는 것을 나타낸다. 또, 마이크로폰 (160) 은 마이크로폰 증폭기 (158) 에 커플링될 수도 있다. 특정의 양태에서, 주파수 변조 ("FM") 라디오 튜너 (162) 는 스테레오 오디오 CODEC (150) 에 커플링될 수도 있다. 또한, FM 안테나 (164) 는 FM 라디오 튜너 (162) 에 커플링된다. 또, 스테레오 헤드폰 (166) 은 스테레오 오디오 CODEC (150) 에 커플링될 수도 있다.
도 1 은 라디오 주파수 ("RF") 송수신기 (168) 가 아날로그 신호 프로세서 (126) 에 커플링될 수도 있다는 것을 또한 나타낸다. RF 스위치 (170) 는 RF 송수신기 (168) 및 RF 안테나 (172) 에 커플링될 수도 있다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 키패드 (174) 는 아날로그 신호 프로세서 (126) 에 커플링될 수도 있다. 또한, 마이크로폰 (176) 을 갖는 모노 헤드셋이 아날로그 신호 프로세서 (126) 에 커플링될 수도 있다. 또, 진동기 디바이스 (178) 가 아날로그 신호 프로세서 (126) 에 커플링될 수도 있다. 도 1 은 또한 전력 공급 장치 (180), 예를 들어 배터리가 온-칩 시스템 (102) 에 커플링되는 것을 나타낸다. 특정의 양태에서, 전력 공급 장치는 AC 전원에 연결되는 교류 ("AC") 대 DC 변환기로부터 유도되는 재충전가능한 DC 배터리 또는 DC 전력 공급 장치를 포함한다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 터치스크린 디스플레이 (132), 비디오 포트 (138), USB 포트 (142), 카메라 (148), 제 1 스테레오 스피커 (154), 제 2 스테레오 스피커 (156), 마이크로폰 (160), FM 안테나 (172), 스테레오 헤드폰 (166), RF 스위치 (170), RF 안테나 (172), 키패드 (174), 모노 헤드셋 (176), 진동기 (178), 열 센서들 (157B), 및 전력 공급 장치 (180) 는 온-칩 시스템 (102) 의 외부에 있다. 모니터 모듈 (114) 는 PCD (100) 상에서 동작가능한 자원들의 실시간 관리를 돕기 위해 아날로그 신호 프로세서 (126) 및 CPU (110) 를 통해 이들 외부 디바이스들의 하나 이상으로부터 하나 이상의 표시들 또는 신호들을 수신할 수도 있다.
도 2 는 도 1 에 도시된 칩 (102) 에 대한 하드웨어의 예시적인 공간 배열을 도시하는 기능 블록도이다. 이러한 예시적인 실시형태에 따르면, 애플리케이션 CPU (110) 는 칩 (102) 의 극 좌측 (far left side) 영역에 위치되는 반면, 모뎀 CPU (168/126) 는 칩 (102) 의 극 우측 영역에 위치된다. 애플리케이션 CPU (110) 는 제 0 코어 (222), 제 1 코어 (224), 및 제 N 코어 (230) 을 포함하는 멀티코어 프로세서를 포함할 수도 있다.
애플리케이션 CPU (110) 는 (소프트웨어로 구현되는 경우) 열 폴리시 관리자 모듈 (101A) 을 실행하고 있을 수도 있거나 (하드웨어 및/또는 펌웨어로 구현되는 경우) 열 폴리시 관리자 모듈 (101B) 을 포함할 수도 있다. 애플리케이션 CPU (110) 는 운영 시스템 ("O/S") 모듈 (207) 및 모니터 모듈 (114) 를 포함하도록 더 도시된다.
애플리케이션 CPU (110) 는 애플리케이션 CPU (110) 에 인접하고 칩 (102) 의 좌측 영역에 위치되는 하나 이상의 위상 고정 루프들 ("PLLs") (209A, 209B) 에 커플링될 수도 있다. PLL 들 (209A, 209B) 에 인접하여 그리고 애플리케이션 CPU (110) 아래에는 애플리케이션 CPU (110) 의 메인 열 폴리시 관리자 모듈 (101A) 과 함께 일하는 자신의 열 폴리시 관리자 모듈 (101B) 을 포함할 수도 있는 아날로그 대 디지털 ("ADC") 제어기 (103) 를 포함할 수도 있다.
ADC 제어기 (103) 의 열 폴리시 관리자 모듈 (101B) 은 칩 (102) 상에 및 칩 (102) 밖에 제공될 수도 있는 다수의 열 센서들 (157) 을 모니터 및 추적하는 것을 담당할 수도 있다. 온-칩 또는 내부 열 센서들 (157A) 은 PCD (100) 의 열적 조건들을 모니터하기 위해 여러 로케이션들에 위치될 수도 있다.
예를 들어, 제 1 내부 열 센서 (157A1) 는 애플리케이션 CPU (110) 와 모뎀 CPU (168/126) 사이에 그리고 내부 메모리 (112) 에 인접하여 칩 (102) 의 상부 중앙 영역에 위치될 수도 있다. 제 2 내부 열 센서 (157A2) 는 칩 (102) 의 우측 영역 상의 모뎀 CPU (168/126) 아래에 위치될 수도 있다. 이 제 2 내부 열 센서 (157A2) 는 또한 진보된 감축 명령 세트 컴퓨터 ("RISC") 명령 세트 머신 ("ARM") (177) 과 제 1 그래픽 프로세서 (135A) 사이에 위치될 수도 있다. 디지털 대 아날로그 제어기 ("DAC") (173) 는 제 2 내부 열 센서 (157A2) 와 모뎀 CPU (168/126) 사이에 위치될 수도 있다.
제 3 내부 열 센서 (157A3) 는 칩 (102) 의 극 우측 영역에서 제 2 그래픽 프로세서 (135B) 와 제 3 그래픽 프로세서 (135C) 사이에 위치될 수도 있다. 제 4 내부 열 센서 (157A4) 는 칩 (102) 의 극 우측 영역에 그리고 제 4 그래픽 프로세서 (135D) 아래에 위치될 수도 있다. 그리고, 제 5 내부 열 센서 (157A5) 는 칩 (102) 의 극 좌측 영역에 그리고 PLL 들 (209) 및 ADC 제어기 (103) 에 인접하여 위치될 수도 있다.
하나 이상의 외부 열 센서들 (157B) 은 또한 ADC 제어기 (103) 에 커플링될 수도 있다. 제 1 외부 열 센서 (157B1) 는 칩 밖에 그리고 모뎀 CPU (168/126), ARM (177), 및 DAC (173) 을 포함할 수도 있는 칩 (102) 의 상부 우측 사분면에 인접하여 위치될 수도 있다. 제 2 외부 열 센서 (157B2) 는 칩 밖에 그리고 제 3 및 제 4 그래픽 프로세서들 (135C, 135D) 을 포함할 수도 있는 칩 (102) 의 하부 우측 사분면에 인접하여 위치될 수도 있다.
본 기술에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 바와 같이, 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자는 도 2 에 도시된 하드웨어 (또는 다른 하드웨어 자원들) 의 여러 가지 다른 공간 배열들이 제공될 수도 있다는 것을 인식할 것이다. 도 2 는 하나의 예시적인 공간 배열 및 메인 열 폴리시 관리자 모듈 (101A) 및 열 폴리시 관리자 모듈 (101B) 를 갖는 ADC 제어기 (103) 가 도 2 에 도시된 예시적인 공간 배열의 함수인 열 상태들을 관리할 수도 있는 방법을 도시한다.
열 센서들 (157) 은 CPU (110) 와 같은 하드웨어에 인접하여, 그리고 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (100) 내의 하드웨어와 동일 면상에 위치될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 내부 열 센서 (157A1) 를 참조하라. 열 폴리시 관리자 모듈 (101A) 은 제 1 내부 열 센서 (157A1) 에 대응하는 CPU (110) 와 같은, 특정의 열 센서 (157) 와 연관된 하드웨어에 고유한 하나 이상의 특정의 열 완화 기법들을 할당할 수도 있다. 일 예시적인 실시형태에서, CPU (110) 및 그의 대응하는 열 센서 (157A1) 에 할당된 열 완화 기법들은 제 3 열 센서 (157A3) 와 연관된 제 3 그래픽 프로세서 (135C) 에 할당된 열 완화 기법들에 비해 상이할 수도 있다. 다른 예시적인 실시형태들에서, 하드웨어에 적용된 열 완화 기법들은 전체 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (100) 에 걸쳐 균일하거나 동일할 수도 있다.
도 3 은 도 1 에 도시된 칩에 대한 하드웨어, 및 PMIC 들 (107), 배터리 (180) 및 전력 공급 장치 (184) 를 포함하여, 도 1 에 도시된 칩의 외부에 있는 예시적인 컴포넌트들의 예시적인 공간 배열을 도시하는 기능 블록도이다. 더욱 상세하게는, 도 3 의 다이어그램은 전술한 그리고 후술할 것들과 같은, PMIC 들 (107) 에 대한 여러 열 완화 기법들의 적용으로부터 이익을 얻을 수도 있는 주문형 반도체 ("ASIC") (102) 의 예시적인 플로어 플랜 (190) 을 도시한다. 도 3 의 도시에서, GPU 뱅크 (135) 및 CPU 뱅크 (110) 는 ASIC (102) 상에서 열 에너지를 발생시키는 주요 컴포넌트들을 나타낸다. PMIC 들 (107) 은 ASIC (102) 에 상주하지 않지만, CPU 뱅크 (110) 에 가까운 근방 (182) 에 있는 것으로서 표현된다.
특히, 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자는 CPU 뱅크 (110) 에 매우 물리적으로 근접하여 있는 PMIC 들 (107) 의 묘사는 PCD (100) 의 전자 패키징을 위한 하나의 예시적인 실시형태라는 것을 인식할 것이다. 이와 같이, 본 개시에 기술된 열 완화 기법들은 도 3에 대응하는 공간 배열을 갖는 PCD (100) 에 제한되지 않는다. 예를 들어, PCD 들 (100) 내의 제한된 물리적 공간에 기인하여, PMIC 들 (107) 은 ASIC (102) 바로 뒤에 및 ASIC (102) 에 인접하여 상주하여 PMIC (107) 로부터 기원하는 열 에너지가 하나의 예시적인 실시형태에서 CPU 뱅크 (110) 를 통해 방사하도록 한다. 상이한 공간 배열들을 갖는 다른 예시적인 실시형태들에서, PMIC (107) 로부터의 열 에너지는 GPU 뱅크 (135) 를 통해 방사할 수도 있다. 이와 같이, 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자는 PMIC (107) 로부터 방사하는 열 에너지가 CPU (110) 내의 코어들 (222, 224, 226, 228) 중 임의의 것의 센서들 (157), GPU (135) 또는 PMIC (107) 의 물리적 근방 내의 임의의 다른 컴포넌트로부터 취해진 온도 판독값들에 불리한 영향을 미칠 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
따라서, 예를 들어 PMIC 들 (107) 과 같은 예시적인 ASIC (102) 내에 포함되지 않는 PCD (100) 내의 컴포넌트들에 지향된 열 완화 기법들은 ASIC (102) 내에 있는 열적으로 민감한 컴포넌트들의 프로세싱 성능에 이로울 수도 있다. 예를 들어, 도 3 에 도시된 예시적인 PCD (100) 플로어 플랜에서, 열 에너지 발생 PMIC 들 (107) 은 열 에너지를 발생시키며 열적으로 민감한 CPU 뱅크 (110) 에 물리적으로 가깝다 (182). CPU 뱅크 (110) 의 프로세싱 효율이 열 에너지에의 증가된 노출로 열화하기 때문에, CPU 뱅크 (110) 의 효율적인 프로세싱 성능과 연관된 서비스의 품질 ("QoS"), 즉 사용자 경험은 CPU 뱅크 (110) 가 물리적으로 인접한 PMIC 들 (107) 로부터 소산된 열 에너지에의 노출을 겪지않는 경우 주어진 작업부하 하에서 가능한 가장 높은 레벨에서 유지될 수도 있다. ASIC (102) 의 외부에 상주하는 PCD (100) 컴포넌트들에 적용될 수도 있는 열 완화 기법들의 특정의 예들은 도 5 내지 도 11 에 대해 더욱 상세히 설명된다.
도 4 는 전력 관리 집적 회로 ("PMIC") (107), 전원 (184), 배터리 (180) 및 도 3 에 도시된 칩 (102) 의 하드웨어 디바이스들 사이의 각각의 논리적 연결들을 도시하는 기능 블록도이다. 이 도면은 도 3 에 비해 도시된 컴포넌트들의 임의의 특정의 공간 배열을 제공하도록 의도되지 않는다. 즉, 설명의 목적으로, 도 4 의 PMIC (107) 는 예를 들어 도 3 에 도시된 CPU 뱅크 (110) 와 같은 PCD (100) 의 임의의 열적으로 민감한 컴포넌트에 물리적으로 근접할 수도 있다. 그러나, PMIC (107) 의 물리적 근접성은 CPU (110) 에 제한되지 않는다. 또한, 도 4 의 PMIC (107) 의 더욱 상세한 플로어 플랜은 단지 예시적인 목적으로 제공되며 PMIC (107) 레이아웃의 포괄적이거나 제한하는 묘사인 것으로 의도되지 않는다.
도 4 는 배터리 (180) 를 재충전하기 위한 PMIC (107) 개시 충전 기능들을 모니터 및 제어함으로써 PCD (100) 내의 열 발생을 완화하기 위한 시스템 (192) 의 주요 컴포넌트들을 도시한다. 시스템 (192) 은 CPU (110) 의 임의의 및 모든 코어들 (222, 224, 226 및 228) 상에 가상적으로 상주하는 열 폴리시 관리자 모듈 (101), PMIC (107), 및 배터리 (180) 를 포함할 수도 있다. CPU (110) 는 일반적으로 도 1 내지 도 3 의 칩 시스템 (102) 상에 상주하는 CPU (110) 에 대응한다.
주어진 실시형태에서, PMIC (107) 는 PMIC (107) 의 동작 온도를 검출하고 그러한 온도들을 나타내는 신호들을 열 폴리시 관리자 (101), 또는 ASIC (102) 의 내부 또는 외부에 있는 다른 컴포넌트들로 송신하는 센서 (157B4) 를 포함할 수도 있다. PMIC (107) 는 전원 (184) 에 연결되는 충전 스위치 (186) 와 통신하는 충전 관리자 (104) 를 더 포함할 수도 있다.
충전 관리자 (104) 는 PMIC (107) 상에서 실행하며 배터리 (180) 에 대한 충전 동작을 제어하기 위해 실행가능한 펌웨어 및/또는 소프트웨어의 임의의 조합일 수도 있으며, 그러한 충전 제어 알고리즘은 그의 로직을 적어도 부분적으로 배터리 (180) 의 모니터링된 전압 및/또는 온도에 기초한다. 충전 관리자 (104) 는 또한 충전 전류가 배터리 (180) 에 인가되어야 하는지 여부 및 충전 동작이 "고속" 충전 또는 "저속" 충전이어야 하는지 여부를 결정하도록 동작가능할 수도 있다.
본 기술에서 통상의 지식을 가진 자는 일반적으로 PMIC (107), 및 특별히 충전 관리자 (104) 는 예시적인 PCD (100) 내의 열 에너지 발생 디바이스들을 나타낸다는 것을 인식할 것이다. 단지 설명의 목적으로, 그리고 PMIC (107) 또는 열 완화 기법의 대상일 수도 있는 임의의 다른 열 에너지 발생 컴포넌트의 동작 효율에서의 임의의 제한을 암시하지 않기 위해, PMIC (107) 는 그것이 조정하는 전력의 20% 를 열 에너지의 형태로 소산시키는 컴포넌트로서 도 4 에서 표현된다. 유사하게, 설명의 목적으로, 충전 관리자 (104) 는 그것이 그의 여러 기능들을 수행하기 위해 소비하는 전력의 50% 이상을 소산시키는 것으로 표현된다. 특히, (도 3 에 도시된 바와 같이) CPU (110) 에 대한 PMIC (107) 의 근접성 (182) 으로 인해, PMIC (107) 및 충전 관리자 (104) 에 의해 소산되는 열 에너지는 CPU (110) 의 무결성을 위험에 빠뜨리거나 그렇지 않으면 PCD (100) 의 QoS 를 열화시킬 수도 있는 CPU (110) 에 대한 열 완화 기법들의 적용을 요구할 수도 있다. 이와 같이, PMIC (107) 또는, 더욱 상세하게는 충전 관리자 (104) 의 충전 기능성에 적용된 열 완화 기법들은 PMIC (107) 및 충전 관리자 (104) 와 연관된 열 에너지 소산을 완화하여, CPU (110) 에 대한 부정적인 열 영향을 이롭게 감소시킬 수도 있다.
충전 관리자 (104) 는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 과 통신 중일 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 충전 관리자 (104) 에 의해 구현되는 바와 같이 배터리 (180) 의 충전 동작을 모니터 및 긍극적으로 제어할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 의 하나의 제어 특징은, 본 명세서에 개시된 예시적인 기법들에 제한되지 않지만, 이하에 기술된 열 완화 기법을 포함할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 센서들 (157) 의 여러 가지 온도 판독값들을 모니터할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 (157) 는 충전 관리자 (104) 를 통해 PMIC (107) 에 의해 구현되는 계속적인 충전 동작들이 CPU (110) 에게 해롭거나 해롭게 될 수도 있는 열 에너지의 소스라고 결정할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 배터리 (180) 를 충전하기 위해 충전 관리자 (104) 에 의해 실행되고 있는 디폴트 충전 알고리즘을 오버라이드 및 제어하기 위해 충전 관리자 (104) 에게 커맨드들을 발행할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의한 그러한 제어는 열 완화 기법이 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 활성화되는 경우 발생할 수도 있다.
열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 활성화되는 하나의 열 완화 기법은 배터리 (180) 에 충전 스위치 (186) 를 통해 인가되고 있는 전류의 감소를 포함할 수도 있다. 이러한 전류의 감소는 여러 온도 센서들 (157) 에 의해 검출된 온도 증가에 응답하여 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 발행된 커맨트들에 응답하여 활성화될 수도 있다. 특히, 충전 배터리 (180) 로의 전류의 감소는 충전 동작을 연장할 수도 있지만, 그러한 완화 기법은 PMIC (107) 및 지지 회로로부터 소산되고 있는 열 에너지의 양을 이롭게 감소시켜, 아마 CPU (110) 에서의 프로세싱 효율에 있어서의 원하지 않는 손실을 피할 것이다. 다른 열 완화 기법들이 도 6 및 도 7 에 대해 더욱 상세히 기술될 것이다.
도 5 는 PCD (100) 에서의 배터리 (180) 충전 동작을 제어함으로써 열 부하들을 감소시키기 위한 방법 (400) 을 도시하는 논리 흐름도이다. 블록 (405) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도 센서들 (157) 을 갖는 PCD (100) 의 온도를 모니터할 수도 있다. 특히, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 예를 들어 CPU (110) 와 같은 도 1 내지 도 3 의 칩 (102) 상의 하드웨어 디바이스들 근처의 온도를 모니터할 수도 있다.
다음으로, 결정 블록 (410) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 아래에 열거된 도 6 및 도 7 과 연관하여 더욱 상세히 기술되는 하나 이상의 열 폴리시 상태들에 할당되는 임계 온도 값들을 추적할 수도 있다. 결정 블록 (410) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 다시 블록 (405) 로 "NO" 브랜치를 뒤따른다. 결정 블록 (410) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 블록 (415) 로 "YES" 브랜치를 뒤따른다. 블록 (415) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도 센서(들) (157B4) 에 의해 발생된 신호들을 통해 PMIC (107) 의 온도를 판독할 수도 있다.
결정 블록 (420) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PMIC (107) 가 CPU (110) 와 같은 칩 (102) 상의 열적으로 영향받은 디바이스들에 직접 열 완화 기법들을 적용하는 대신에 완화될 수도 있는 칩 (102) 의 외부의 열 에너지 소스를 나타낸다고 결정할 수도 있다. 즉, PMIC (107) 의 센서 (157B4) 가 PMIC (107) 의 온도가 임계값을 초과한다고 나타내고, 이리하여 PMIC (107) 가 칩 (102) 디바이스들에 해로운 열 에너지를 발생시키고 있을 수도 있는 외부 열 에너지 소스를 표현한다고 나타내는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 블록 (425) 로 진행할 수도 있다. 결정 블록 (420) 에서, PMIC (107) 가 열 에너지의 중요한 소스를 표현하지 않는다고 결정되어, PMIC (107) 에 적용된 열 완화 기법들이 정당화되지 않는다고 지시하는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 블록 (440) 으로 진행하여 PMIC (107) 및/또는 충전 관리자 (104) 와 관련되지 않은 대안적인 열 완화 기법들 또는 메카니즘들을 고려할 수도 있다.
다음에, 블록 (425) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 충전 관리자 (104) 에 의해 구현되는 계속적인 배터리 충전 루틴과 같은 PMIC (107) 기능성을 오버라이드 및 제어하도록 선택할 수도 있다. 후속적으로, 루틴 또는 서브루틴 블록 (430) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 칩 (102) 및 PMIC (107) 에서 측정되는 현재의 온도(들) 에 기초하여 그리고 그러한 온도들에 할당된 열 폴리시에 기초하여 PMIC (107) 에 대해 어느 열 완화 기법이 활성화되어야 하는지를 결정할 수도 있다. 서브 방법 블록 (430) 의 추가의 상세들이 도 10 과 관련하여 이하에 기술될 것이다. 충전 관리자 (104) 의 제어를 향해 지향된 다수의 열 폴리시들이 도 6 및 도 7 과 관련하여 이하에 다욱 상세히 기술될 것이다.
하나의 예시적인 열 완화 기법은 충전 관리자 (104) 의 디폴트 충전 알고리즘을 오버라이드하고 배터리 (180) 에 제공되는 전기 충전 전류가 감소되어야 한다고 지시하는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 을 포함한다. 배터리 (180) 에 공급된 전류의 감소는 충전 사이클을 느리게 할 수도 있지만, 그러한 전류 감소는 또한 PMIC (107) 상의 열 에너지 발생을 감소시킬 수도 있어, PMIC (107) 에 근접한 열적으로 민감한 디바이스들에 직접 열 완화 기법들을 적용할 필요를 부인한다. 폴리시 상태들에 종속적인 다른 열 완화 기법들이 도 6 및 도 7 과 관련하여 이하에 기술된다.
루틴 블록 (430) 후에, 블록 (435) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PMIC (107) 에 대한 임의의 활성 열 완화 기법(들) 을 종료할 수도 있다. 더욱 상세하게는, 센서 (157) 에서 감소된 온도를 검출한 경우, 열 폴리시 관리자 (101) 은 배터리 충전 기능의 제어를 그만두고 충전 관리자 (104) 에게 통상의 충전 동작들을 재개하도록 지시할 수도 있다. 방법 (400) 은 그 후 블록 (405) 으로 되돌아가며, 여기서 CPU (110) 의 온도가 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 모니터링된다.
도 6 은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 추적되는 여러 가지 열 폴리시 상태들 (305, 310, 315 및 320) 을 도시하는 예시적인 상태도 (300) 이다. 단지 4 개의 상태들이 도시되어 있지만, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 이들 4 개를 넘는 다른 상태들이 생성될 수도 있다는 것을 인식할 것이다. 유사하게, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 더 적은 폴리시들이 본 발명으로부터 일탈하지 않고 채용될 수도 있다는 것을 인식한다. 또, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자에 의해 이해되는 바와 같이, 추가의 서브 상태들 및 서브 폴리시들이 각각의 상태 (305, 310, 315, 320) 에 부가될 수도 있다.
제 1 폴리시 상태 (305) 는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 단지 루틴하게 또는 다른 양식으로 열 센서들 (157) 을 모니터하는 "정상의" 열 상태를 포함할 수도 있다. 이러한 예시적인 제 1 및 정상 상태 (305) 에서, PCD (100) 는 보통 예를 들어 CPU (110) 와 같은 하드웨어 및/또는 소프트웨어 컴포넌트들 중 임의의 것의 고정을 야기할 수도 있는 임계 온도들에 도달하는 것과 같이, 불리한 열 조건을 경험하는 임의의 위험 또는 리스크에 있지 않다. 이러한 예시적인 상태에서, 열 센서들 (157) 은 50 ℃ 이하에 있는 온도들을 검출 또는 추적하고 있을 수도 있다. 그러나, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자에 의해 이해되는 바와 같이, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 다른 온도 범위들이 제 1 및 정상 상태 (305) 에 대해 확립될 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
제 2 폴리시 상태 (310) 는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 열 센서들 (157) 이 폴링되거나 열 센서들 (157) 이 그들의 온도 상태 보고들을 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 로 전송하는 빈도를 증가시킬 수도 있는 "서비스 품질" 또는 "QoS" 상태를 포함할 수도 있다. 열 센서들 (157) 이 폴링되거나, 열 센서들 (157) 이 그들의 온도 상태 보고들을 전송하는 빈도를 증가시키는 것은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 하나 이상의 열 센서들 (157) 이 높은 온도들을 나타내고 있는 영역과 직접 접촉하고 있지않은 상황들을 보상하는 것을 도울 수도 있다. 온도 판독값들이 수신되는 빈도는 높은 열 영역과 특정의 열 센서 (157) 사이에 존재할 수도 있는 상이한 재료들의 열 상수들을 보상하도록 조정될 수도 있다.
예시적인 제 2 상태 (310) 는 온도의 상당한 변화가 제 1, 정상 상태 (305) 에서 검출된 경우 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 도달되거나 진입될 수도 있다. 이러한 QoS 상태 (310) 를 트리거하는 온도의 변화 (델타 T) 의 임계값 또는 크기는 특정의 PCD (100) 에 따라 조정 또는 테일러링될 수도 있다. 따라서, PCD (100) 는 하나 이상의 열 센서들에 의해 검출되는 온도에서의 변화의 크기에 따라 제 1 정상 상태 (305) 에서 동작하고 있을 수도 있는 반면, PCD (100) 는 제 1 정상 상태 (305) 를 떠나 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 추적된 제 2, QoS 상태 (310) 로 진입할 수도 있다.
예를 들어, PCD (100) 는 대략 40 ℃ 의 주어진 열 센서 (157) 로부터의 제 1 최대 온도 판독값을 가질 수도 있다. 동일한 열 센서 (157) 로부터의 제 2 링딩은 45 ℃ 로 검출되는 최대 온도를 취하는 단지 5 ℃ 의 온도 변화를 나타낼 수도 있다. 그러나, 검출되는 최대 온도가 제 1 정상 상태 (305) 에 대해 50 ℃ 의 확립된 임계값 미만일 수도 있는 반면, 상대적으로 짧은 시간 프레임 내의 5 ℃ 만큼의 온도 변화는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 상태를 제 2, QoS 상태 (310) 로 변경하기에 충분히 상당할 수도 있다.
제 2, QoS 열 상태 (310) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 열 부하 및 온도를 감소시키기 위해 하나 이상의 열 완화 기법들을 요청하거나 실제로 수행할 수도 있다. 이러한 특정의 제 2 열 상태 (310) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 오퍼레이터에 의해 거의 인지할 수 없을 수도 있고 PCD (100) 에 의해 제공되는 서비스의 품질을 최소의 방식으로 열화시킬 수도 있는 열 완화 기법들을 구현 또는 요청하도록 설계된다. 이러한 제 2, QoS 열 상태 (310) 에 대한 온도 범위는 약 50 ℃ 내지 약 80 ℃ 사이의 범위를 포함할 수도 있다.
본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 다른 온도 범위들이 제 2, QoS 상태 (310) 에 대해 확립될 수도 있고, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자에 의해 이해된다는 것을 인식할 것이다. 또, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 다른 서브 상태들 또는 서브 폴리시들이 기술된 현재의 세트에 대해 생성 및 사용될 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
이전에 언급된 바와 같이, 제 2 QoS 상태 (310) 는 온도에서의 변화의 크기 및/또는 로케이션에 기초하여 트리거될 수도 있고, 반드시 선택된 온도 범위의 말단 포인트들에 제한되지는 않는다. 이러한 제 2, QoS 열 상태 (310) 에 대한 추가의 상세들이 도 7 과 관련하여 이하에 기술될 것이다.
제 3 열 상태 (315) 는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 상술된 제 2, QoS 상태 (310) 에 비해 더 적극적인 열 완화 기법들을 요청 및/또는 적용하면서 열 센서들 (157) 로부터의 인터럽트들을 계속 모니터하고/하거나 수신하는 "심각한" 상태를 포함할 수도 있다. 이것은 이러한 상태에서 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 오퍼레이터의 관점으로부터 서비스의 품질에 대해 덜 관심이 있다는 것을 의미한다.
이러한 제 3 열 상태 (315) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 전체 온도를 감소시키기 위해 열 부하를 완화하거나 감소시키는 것에 더 관심이 있다. PCD (100) 는 이러한 상태 (315) 에서 오퍼레이터에 의해 용이하게 인지되거나 관찰되는 성능에서의 열화들을 가질 수도 있다. 제 3, 심각한 열 상태 (315) 및 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 적용되거나 트리거되는 그 대응하는 열 완화 기법들이 도 7 과 관련하여 이하에 더 상세히 기술될 것이다. 이러한 제 3, 심각한 열 상태 (315) 에 대한 온도 범위는 약 80 ℃ 내지 약 100 ℃ 사이의 범위를 포함할 수도 있다.
상술된 제 1 열 상태 (305) 및 제 2 열 상태 (310) 와 유사하게, 이러한 제 3 및 심각한 열 상태 (315) 는 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 검출되는 온도에서의 변화에 기초하여 개시될 수도 있고, 반드시 이러한 제 3 열 상태 (315) 에 대해 확립되거나 맵핑된 온도 범위에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 이러한 다이어그램에서의 화살표들이 설명하는 바와 같이, 각각의 열 상태는 순차로 개시될 수도 있고, 그들은 검출될 수도 있는 소정 양의 시간에 걸쳐 온도에서의 변화 (델타 T) 의 크기에 따라 비순차적으로 개시될 수 있다. 따라서, 이것은 PCD (100) 가 제 1 및 정상 열 상태 (305) 를 떠나 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 검출되는 온도에서의 변화에 기초하여 제 3 및 심각한 열 상태 (315) 로 진입하거나 개시할 수도 있다는 것을 의미하며, 그 역도 성립한다.
유사하게, PCD (100) 는 제 2 또는 QoS 열 상태 (310) 에 있을 수도 있고 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 검출되는 시간의 양에 걸친 온도에서의 변화에 기초하여 제 4 또는 임계 상태 (320) 로 진입하거나 개시할 수도 있고, 그 역도 성립한다. 이러한 예시적인 제 4 및 임계 상태 (320) 에 있어서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 내에 포함된 전자 장치들에 대한 영구적인 손상을 야기할 수도 있는 하나 이상의 임계 온도들에 도달하는 것을 피하기 위해 가능한 한 많고 사이징가능한 열 완화 기법들을 적용하거나 트리거링하고 있다.
이러한 제 4 및 임계 열 상태 (320) 는 임계 온도들을 피하기 위해 PCD (100) 의 기능성 및 동작을 제거하도록 설계되는 종래의 기법들과 유사할 수도 있다. 제 4 열 상태 (320) 는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 배터리 (180) 에 대한 충전 기능과 같은 비본질적인 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 셧다운을 적용하거나 트리거링하는 "임계의" 상태를 포함할 수도 있다. 이러한 제 4 열 상태에 대한 온도 범위는 약 100 ℃ 이상의 범위들을 포함할 수도 있다. 제 4 및 임계 열 상태 (320) 는 도 7 과 관련하여 이하에 더 상세히 기술될 것이다.
열 폴리시 관리 시스템은 도 6 에 도시된 4 개의 열 상태들 (305, 310, 315, 320) 에 제한되지 않는다. 본 기술에서 통상의 지식을 가진자에 의해 이해되는 바와 같이, 특정의 PCD (100) 에 따라, 추가의 또는 더 적은 열 상태들이 제공될 수도 있다. 즉, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 추가의 열 상태들이 특정의 PCD (100) 의 기능성 및 동작을 향상시킬 수도 있는 반면, 다른 상황들에서는, 더 적은 열 상태들이 자신의 고유의 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 갖는 특정의 PCD (100) 에 대해 바람직할 수도 있다.
도 7 은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 적용되거나 명령될 수도 있고 PCD (100) 의 특정의 열 상태에 의존하는 예시적인 열 완화 기법들 (800) 을 도시하는 다이어그램이다. 이전에 언급된 바와 같이, 제 1 열 상태 (305) 는 CPU (110) 에 의해 및 부분적으로 ADC 제어기 (103) 에 의해 실행되는 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 도 2 에 도시된 하나 이상의 열 센서들 (157) 로부터의 온도에 대한 하나 이상의 상태 보고들을 모니터, 폴링, 또는 수신할 수도 있는 "정상의" 상태를 포함할 수도 있다. 이러한 제 1 열 상태 (305) 에서, PCD (100) 는 PCD (100) 내의 하나 이상의 소프트웨어 및/또는 하드웨어 컴포넌트들에 해를 끼칠 수도 있는 임계 온도에 도달하는 임의의 위험 또는 리스크에 있지 않을 수도 있다.
보통, 이러한 제 1 열 상태 (305) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 가 열 로딩 (loading) 에 관계없이 그의 가장 완전히 (fullest) 가능하고 가장 높은 성능에서 동작하고 있도록 열 완화 기법들의 임의의 개시를 적용하고 있지 않거나 요청하지 않았다. 이러한 제 1 열 상태 (305) 에 대한 온도 범위는 50 ℃ 이하의 범위들을 포함할 수도 있다. 이러한 제 1 열 상태 (305) 의 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 ADC 제어기 (103) 에 상주할 수도 있는 반면, 모든 다른 상태들에 대한 주요 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 CPU (110) 에 의해 상주하거나 실행될 수도 있다. 대안의 예시적인 실시형태에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 CPU (110) 에만 상주할 수도 있다.
QoS 상태 (310) 로서도 지칭되는 제 2 열 상태 (310) 에서, 일단 그것이 개시되면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 현재의 온도에 관한 열 센서들 (157) 로부터의 (제 1 열 상태 (305) 에 비해) 인터럽트들의 더 급속한 모니터링, 폴링, 및/또는 수신을 시작할 수도 있다. 이러한 예시적인 제 2 열 상태 (310) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 오퍼레이터에 의해 인지되는 서비스의 품질에 대한 거의 없거나 전혀 없는 열화들을 갖는 높은 성능을 유지할 목적으로 열 완화 기법들을 적용하기 시작하도록 도 2 의 모니터 모듈 (114) 및/또는 운영 시스템 ("O/S") 모듈 (207) 을 개시하거나 요청할 수도 있다.
도 7 에 도시된 이러한 예시적인 제 2 열 상태 (310) 에 따르면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 칩 (102) 내에 상주하는 영향받은 컴포넌트들에 직접 지향된 열 완화 기법들 또는 칩 (102) 의 외부에 있지만 칩 (102) 에 근접한 열 에너지 발생 컴포넌트들에 지향된 열 완화 기법들과 같지만 이들에 제한되지 않는 열 완화 기법들을 개시하도록 모니터 모듈 (114) 및/또는 O/S 모듈 (207) 에 요청할 수도 있다. 칩 (102) 의 외부에 있지만 칩 (102) 에 근접한 열 에너지 발생 컴포넌트들에 지향된 열 완화 기법들은 PMIC (107) 상에서 실행되는 배터리 충전 기능의 오버라이드 및 제어를 포함할 수도 있지만 이들에 제한되지 않는다.
이러한 제 2 열 상태에 대한 온도 범위는 약 50 ℃ 내지 약 80 ℃ 의 범위들을 포함할 수도 있다. 그러나, 이러한 제 2 열 상태에 대한 다른 온도 범위들은 고유한 열 인상 (imprint) 을 갖는 특정의 PCD (100) 에 대해 결정되고 사용될 수도 있다.
이제 심각한 열 상태 (315) 로도 알려져 있는 도 7 의 제 3 열 상태 (315) 를 참조하면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도가 제 2 하위 열 상태 (310) 에 비해 더 계속적으로/자주 감지되도록 열 센서들 (157) 로부터의 인터럽트들의 계속적인 모니터링, 폴링, 또는 수신을 시작할 수도 있다. 이러한 예시적인 열 상태 (315) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 모니터 모듈 (114) 및/또는 O/S 모듈 (207) 이 PCD (100) 의 오퍼레이터에 의해 관찰되는 성능의 개연적인 인지가능한 열화를 갖는 (제 2 열 상태 (310) 에 비해) 더 적극적인 열 완화 기법들 및/또는 추가적인 열 완화 기법들을 적용하는 것을 적용하거나 요청할 수도 있다.
이러한 예시적인 제 3 열 상태 (315) 에 따르면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 증폭기들, 프로세서들, 진보된 수신기 하드웨어 등과 같은 칩 (102) 의 외부에 있을 수도 있거나 칩 (102) 의 외부에 있지 않을 수도 있는 하나 이상의 하드웨어 디바이스들로의 전력에 있어서의 감소를 야기할 수도 있다. 예를 들어, 이러한 제 3 열 상태 (315) 에서의 하나의 열 완화 기법은 특정의 하드웨어 디바이스가 전류를 소비하거나 사용할 수도 있는 지속기간을 제한하는 것을 포함할 수도 있다. 그러한 열 완화 기법이 도 10 과 관련하여 이하에 기술된다.
이러한 제 3 및 심각한 열 상태 (315) 의 열 완화 기법들은 제 2, 서비스 품질 열 상태 (310) 에 대해 상술된 것들과 동일할 수도 있다. 그러나, 이들 동일한 열 완화 기법들은 더욱 적극적인 방식으로 적용될 수도 있다. 예를 들어, 배터리 충전 기능들을 오버라이드 및 제어하는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 충전 전류가 제 2 열 상태 (310) 에서 적용된 제어 알고리즘에 비해 더 바람직한 듀티 사이클에서 사이클 온 및 오프되거나 더 상당하게 감소되는 것을 요청할 수도 있다. 이들 더 낮은 충전 전류들 및/또는 충전 사이클 지속기간들은 배터리 충전을 유지하거나, CPU (110), GPU (135) 등에서 실행하는 특정의 애플리케이션 프로그램과 연관된 전력 소비 레이트에 앞서 유지되기 위해 추천된 것보다 더 낮을 수도 있다.
이제 도 7 의 제 4 및 임계 상태 (320) 로 되돌아가면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 셧 다운하기를 시작하거나, 모니터 모듈 (114) 및/또는 O/S 모듈 (207) 에게 모든 비본질적인 하드웨어 및/또는 소프트웨어 모듈들을 셧 다운하기를 시작하도록 요청하기를 시작할 수도 있다. "비본질적인" 하드웨어 및/또는 소프트웨어 모듈들은 특정의 PCD (100) 의 각 타입에 대해 상이할 수도 있다. 하나의 예시적인 실시형태에 따르면, 모든 비본질적인 하드웨어 및/또는 소프트웨어 모듈들은 이머전시 911 전화 호출 기능 및 글로벌 포지셔닝 위성 ("GPS") 기능들 이외의 것들 모두를 포함할 수도 있다.
이것은 이러한 제 4, 임계 열 상태 (320) 에서의 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 이머전시 911 전화 호출들 및 GPS 기능들 이외의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 모듈들의 셧다운을 야기할 수도 있다는 것을 의미한다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 열 센서들 (157) 에 의해 모니터되고 있는 임계 온도들, 열 센서들 (157) 의 로케이션들, 및 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 관찰되고 있는 온도에서의 변화에 따라 순차로 및/또는 병렬로 모듈들을 셧다운할 수도 있다. 이러한 제 4 열 상태 (320) 에 대한 온도 범위는 약 100 ℃ 이상의 범위들을 포함할 수도 있다.
도 8 은 온도 대 시간의 예시적인 그래프 (500) 및 대응하는 열 폴리시 상태들 (305, 310, 315, 및 320) 을 도시하는 도면이다. 온도 플롯 또는 라인 (505) 의 제 1 포인트 (503) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 하나 이상의 열 센서들 (157) 로부터 40 ℃ 의 제 1 인터럽트 온도 판독값을 수신할 수도 있다. 40 ℃ 의 이러한 제 1 온도 판독값은 정상 열 상태 (305) 에 대해 설정된 50 ℃ 의 최대 온도 아래일 수도 있기 때문에, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 제 1 또는 정상 열 상태 (305) 에 유지될 수도 있다.
온도 라인 (505) 를 따른 제 2 포인트 (506) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 50 ℃ 의 제 2 인터럽트 온도 판독값을 수신할 수도 있다. 50 ℃ 는 제 1 열 상태 (305) 에 대한 선택된 온도 범위 내에 있을 수도 있는 반면, 마지막 온도 판독값으로부터의 온도에서의 변화가 (5 초 내에 3 ℃ 변화와 같이) 짧은 시간 주기 내에 큰 온도 변화와 같이 상당했다면, 온도에 있어서의 그러한 변화 또는 점프는 정상 열 상태 (305) 를 떠나 제 2, QoS 열 상태 (310) 를 개시하도록 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 을 트리거할 수도 있다.
온도 라인 (505) 의 제 2 포인트 (506) 와 제 3 포인트 (509) 사이에, PCD (100) 의 온도는 50 ℃ 위였고 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 온도를 낮추기 위해 하나 이상의 열 완화 기법들을 요청 또는 활성화했을 수도 있다. 온도 라인 (505) 의 제 3 포인트 (509) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 열 상태를 제 2 상태 (310) 로부터 제 1 및 정상 상태 (305) 로 변경할 수도 있다.
제 4 포인트 (512) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도 트렌드가 상향하는 방식으로 이동하고 있거나, 즉 온도 라인 (505) 이 포지티브 기울기 또는 델타 T 의 변화를 가질 수도 있다는 것을 관찰할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 이러한 데이터의 관점에서 PCD (100) 의 열 상태를 제 1 열 상태 (305) 로부터 제 2, QoS 상태 (310) 로 변경할 수도 있다. 제 2 열 상태 (310) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 에 의해 제공되는 서비스의 품질에 상당히 영향을 미치지 않아야 하는 하나 이상의 열 완화 기법들을 요청하거나 활성화할 수도 있다. 제 2 열 상태 (310) 는 약 50 ℃ 내지 약 80 ℃ 의 온도 사이의 온도 범위를 포함할 수도 있다.
약 80 ℃ 의 크기를 갖는 제 5 포인트 (515) 까지 온도 라인 (505) 을 따라 이동하면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 제 2, QoS 상태 (310) 로부터 제 3 및 심각한 열 상태 (315) 로 열 상태의 변경을 개시할 수도 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 제 1 열 상태에 대한 온도 범위는 약 80 ℃ 내지 약 100 ℃ 사이의 범위를 포함할 수도 있다. 이러한 제 3 및 심각한 열 상태 (315) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 의 서비스 품질 및 성능에 영향을 줄 수도 있는 복수의 열 완화 기법들을 요청하거나 활성화하고 있을 수도 있다.
제 5 포인트 (515) 와 제 6 포인트 (518) 사이의 온도 라인 (505) 의 세그먼트는 제 3 및 심각한 온도 상태 (315) 가 PCD (100) 내의 온도 상승을 완화하는데 성공적이지 않았다는 것을 반영한다. 따라서, 대략 100 ℃ 의 크기를 가질 수도 있는 제 6 포인트 (518) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 제 4 및 임계 상태 (320) 로 진입할 수도 있다. 이러한 제 4 및 임계 상태 (320) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 현재의 열 부하를 경감시키기 위해 소정의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 컴포넌트들이 셧다운될 것을 요청하거나 활성화해제할 수도 있다. 상술된 바와 같이, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 이머전시 911 호출 기능들 및 GPS 기능들 이외의 임의의 하드웨어 및/또는 소프트웨어로 하여금 이러한 제 4 열 상태 (320) 에 있는 동안 셧 다운되게 할 수도 있다.
제 7 포인트 (521) 까지 온도 라인 (505) 을 따라 이동하면, 제 6 포인트 (518) 과 제 7 포인트 (521) 사이의 온도 라인 (505) 의 세그먼트는 임계 열 상태 (320) 와 심각한 열 상태 (315) 가 PCD (100) 의 온도를 낮추는데 성공했다는 것을 반영한다. 상술된 바와 같이, 하나 이상의 열 상태들은 열 센서들 (157) 에 의해 측정되고 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 관찰되는 온도에 따라 점프되거나 스킵될 수도 있다. 또, 하위의 열 상태들로 리턴하는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 따르는 열 상태들은 히스테리시스와 유사할 수도 있다.
도 9a 및 도 9b 는 PCD (100), 또는 더욱 상세하게는 CPU (110) 와 같은, 그러나 이것에 제한되지 않는 예시적인 칩 (102) 상에 상주하는 디바이스의 현재의 온도에 기초하여 열 완화 기법(들) 을 결정하기 위한 서브 방법 (430) 을 도시하는 논리적 흐름도들이다. 서브 방법 또는 루틴 (430) 이 도 5 의 블록 (425) 이후에 발생하는 것으로 도시되지만, 도 5 의 주요 방법 (400) 은 도 9a 및 도 9b 의 서브 방법 (430) 에 대해 병렬로 계속 운영 또는 실행할 수도 있다. 즉, 도 5 의 방법 (400) 에 기술된 전류 판독값들은 이러한 서브 방법 (430) 이 실행되고 있는 동안 계속 취해질 수도 있다.
도 9a 의 방법 (430A) 은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 열 센서들 (157) 의 모니터링의 빈도를 증가시킬 수도 있는 제 1 블록 (615) 으로 시작한다. 블록 (615) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 열 센서들 (157) 을 더 자주 능동적으로 폴링할 수도 있거나, 열 센서들 (157) 에게 온도 데이터를 제공하는 더 빈번한 인터럽트들을 전송할 것을 요청할 수도 있다. 열 센서들 (157) 에 대한 이러한 증가된 모니터링은 제 1 또는 정상 상태 (305) 에서 발생할 수도 있거나, 그것은 또한 제 2 또는 서비스 품질 열 상태 (310) 에서 발생할 수도 있다.
대안적으로, 블록 (615) 은 블록 (620) 뒤로 완전히 이동될 수도 있다. 이러한 방식에서, 센서들 (157) 의 증가 열 모니터링은 다음의 열 상태, 즉 QoS 상태가 도달된 경우에만 발생할 것이다. 이하에 기술되는 바와 같이, 본 개시에 기술되는 방법들은 본 기술에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 바와 같이 실시형태들 각각의 특정의 시퀀스에 제한되지 않는다.
다음에, 결정 블록 (620) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 다음의 열 상태가 PCD (100) 에 의해 도달되거나 달성되었는지를 결정할 수도 있다. 이러한 결정 블록 (620) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 제 2 열 상태 (310) 에 할당된 온도 범위가 달성되었는지를 결정하고 있을 수도 있다. 대안적으로, 이러한 결정 블록 (620) 에서의 열 폴리시 관리자는 시간의 경과에 따른 온도에서의 상당한 변화 (델타 T) 가 마지막 판독값 이래로 발생했는지를 결정하고 있을 수도 있다.
결정 블록 (620) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 다시 도 5 의 블록 (405) 으로"NO" 브랜치를 따른다. 결정 블록 (620) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 루틴 또는 서브 방법 (625) 으로 "YES" 브랜치를 따른다. 루틴 또는 서브 방법 (625) 은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 도 7 과 관련하여 상술된 하나 이상의 열 완화 기법들을 적용하거나 요청할 수도 있는 QoS 상태 (310) 로도 지칭되는 제 2 열 상태 (310) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 모니터 모듈 (114) 및/또는 O/S 모듈 (207) 에게 칩 (102) 내에 상주하는 영향받은 컴포넌트들에 직접 지향된 열 완화 기법들 또는 칩 (102) 의 외부에 있지만 칩 (102) 에 근접한 열 에너지 발생 컴포넌트들에 지향된 열 완화 기법들과 같지만, 이들에 제한되지 않는 열 완화 기법들을 개시하도록 요청할 수도 있다. 칩 (102) 의 외부에 있지만 칩 (102) 에 근접한 열 에너지 발생 컴포넌트들에 지향된 열 완화 기법들은 PMIC (107) 상에서 실행되는 배터리 충전 기능의 오버라이드 및 제어를 포함할 수도 있지만, 이들에 제한되지 않는다.
후속적으로, 결정 블록 (630) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 제 2 또는 QoS 상태 (310) 의 하나 이상의 열 완화 기법들이 성공적이었는지 및 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 검출된 현재의 온도가 제 1 및 정상 상태 (305) 에 대한 다음의 더 낮은 온도 범위 내에 있는지를 결정할 수도 있다. 결정 블록 (630) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 다시 도 5 의 블록 (435) 로 "YES" 브랜치를 따른다. 결정 블록 (630) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 결정 블록 (635) 로 "NO" 브랜치를 따른다.
결정 블록 (635) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 검출된 온도에 따라 제 3 또는 심각한 열 상태 (315) 로 이제 진입했는재를 결정할 수도 있다. 대안적으로, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도에서의 상당한 변화 (델타 T) 가 발생했는지를 결정함으로써 PCD (100) 가 제 3 또는 심각한 열 상태 (315) 로 진입했는지를 결정할 수도 있다.
결정 블록 (635) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 다시 블록 (620) 으로 "NO" 브랜치를 따른다. 결정 블록 (635) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 서브방법 또는 서브 루틴 (640) 으로 "YES" 브랜치를 따른다.
서브방법 또는 서브루틴 (640) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PCD (100) 가 제 3 또는 심각한 열 상태로 진입했다는 것을 결정했다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 그 후 하나 이상의 열 완화 기법들이 적용되는 것을 활성화 또는 요청할 수도 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 제 3 또는 심각한 열 상태 (315) 에서의 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도 판독값들이 제 2 하위 열 상태 (310) 에 비해 더 계속적으로/빈번하게 감지되도록 열 센서들 (157) 로부터의 인터럽트들의 계속적인 모니터링, 폴링, 또는 수신을 시작할 수도 있다.
이러한 예시적인 제 3 열 상태 (315) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 모니터 모듈 (114) 및/또는 O/S 모듈 (207) 이 PCD (100) 의 오퍼레이터에 의해 관찰되는 성능의 개연적인 인지가능한 열화를 갖는 (제 2 열 상태 (310) 에 비해) 더 적극적인 열 완화 기법들 및/또는 추가적인 열 완화 기법들을 적용하는 것을 적용하거나 요청할 수도 있다. 이러한 예시적인 열 상태 (315) 에 따르면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 충전을 위해 배터리 (180) 에 공급되는 전류에서의 심각한 감소를 야기하거나, 일부 실시형태들에서는 완전히 충전을 중단할 수도 있다.
이러한 제 3 및 심각한 열 상태 (315) 의 열 완화 기법들은 제 2, 서비스 품질 열 상태 (310) 에 대해 상술된 것들과 동일할 수도 있다. 그러나, 이들 동일한 열 완화 기법들은 상술된 바와 같이 더 적극적인 방식으로 적용될 수도 있다. 예를 들어, 배터리 충전 기능들을 오버라이드 및 제어하는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 충전 전류가 제 2 열 상태 (310) 에서 적용된 제어 알고리즘에 비해 더 바람직한 듀티 사이클에서 사이클 온 및 오프되거나 더 상당하게 감소되는 것을 요청할 수도 있다. 이들 더 낮은 충전 전류들 및/또는 충전 사이클 지속기간들은 배터리 충전을 유지하거나, CPU (110), GPU (135) 등에서 실행하는 특정의 애플리케이션 프로그램과 연관된 전력 소비 레이트에 앞서 유지되기 위해 추천된 것보다 더 낮을 수도 있다.
다음에, 결정 블록 (645) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 서브방법 또는 서브루틴 (640) 에서 적용된 하나 이상의 열 완화 기법들이 PCD (100) 에 대한 온도의 상승을 방지하는데 성공했는지를 결정할 수도 있다. 결정 블록 (645) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 도 9b 의 단계 (655) 로 "NO" 브랜치를 따른다. 결정 블록 (645) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 제공된 온도 판독값들에 기초하여 PCD (100) 의 현재의 열 상태를 결정하는 단계 (650) 으로 "YES" 브랜치를 따른다. 블록 (650) 에서의 온도 판독값에 따라, 서브방법 (430) 은 도 9a 의 블록 (625) 나 도 5 의 블록 (435) 중 어느 하나로 진행할 수도 있다.
이제 도 9b 를 참조하면, 이 도면은 도 9a 에 도시된 흐름도에 대한 계속 흐름도이다. 도 9b 의 방법 (430B) 은 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 PCD (100) 가 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 검출되고 있는 온도에 기초하여 제 4 또는 임계 열 상태 (320) 로 진입했는지를 결정할 수도 있는 결정 블록 (655) 로 시작한다.
결정 블록 (655) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 PCD (100) 를 제 3 또는 심각한 열 상태 (315) 로 리턴시키고 프로세스가 도 6a 의 블록 (635) 로 리턴하는 단계 (660) 로 "NO" 브랜치를 따른다. 대안적으로, 온도가 2 개의 레벨들 또는 3 개의 레벨들만큼 하락한 경우, 방법은 다시 도 9a 의 블록 (625) 또는 도 5 의 블록 (435) 중 어느 하나로 진행할 수도 있다.
결정 블록 (655) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 하나 이상의 임계 열 완화 기법들이 활성화되는 것을 활성화 또는 요청하는 서브방법 또는 루틴 (665) 으로 "YES" 브랜치를 따른다. 이러한 제 4, 임계 열 상태 (320) 에서의 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 이머전시 911 전화 호출들 및 GPS 기능들 이외의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 모듈들의 완전한 셧다운을 야기할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 열 센서들 (157) 에 의해 모니터되고 있는 임계 온도들 및 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 관찰되고 있는 온도에서의 변화에 따라 순차로 및/또는 병렬로 모듈들을 셧다운할 수도 있다.
후속적으로, 결정 블록 (670) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 루틴 또는 서브방법 (665) 에서 적용된 열 완화 기법들이 열 센서들 (157) 에 의해 검출된 PCD (100) 의 온도의 임의의 상승을 방지하는데 성공했는지를 결정할 수도 있다. 결정 블록 (670) 에 대한 질의가 부정적인 경우, 다시 루틴 또는 서브방법 (665) 로 "NO" 브랜치를 따른다.
결정 블록 (670) 에 대한 질의가 긍정적인 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 이 하나 이상의 열 센서들 (157) 에 의해 공급된 온도 판독값들에 기초하여 PCD (100) 의 현재의 열 상태를 결정하는 단계 (675) 로 "YES" 브랜치를 따른다. 일단 온도 판독값들이 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 액세스되면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 열 센서들 (157) 에 의해 검출된 온도 범위들에 대응하는 열 상태를 개시 (또는 대응하는 열 상태로 리턴) 한다. 이것은 서브 방법 (430) 이 도 5 의 블록 (435), 도 9a 의 블록 (625), 또는 도 9a 의 블록 (640) 으로 진행할 수도 있다는 것을 의미한다.
도 10 은 PCD (100) 내이지만 칩 (102) 의 외부에 있는 열 에너지 발생 소스를 관리함으로써 PCD (100) 의 칩 (102) 내의 열 부하들을 감소시키기 위한 다른 예시적인 서브 방법 (640B) 을 도시하는 논리적 흐름도이다. 이러한 서브 방법 (640B) 은 QoS 열 폴리시 상태 (310) 및 임계 열 폴리시 상태 (320) 와 같은, 도 7 에 도시된 열 폴리시 상태들 중 임의의 것을 위해 이용가능할 수도 있다.
서브 방법 (640B) 의 블록 (805) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 칩 (102) 상에 존재하는 하드웨어 디바이스들의 온도를 모니터하기 시작할 수도 있다. 다음에, 블록 (810) 에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도 임계값이 도달되었다는 것을 나타내는 칩 (102) 상의 하드웨어 디바이스와 연관된 센서 (157) 로부터의 온도 판독값을 수신할 수도 있다. 블록 (815) 에서, 열 폴리시 관리자 (101) 는 PMIC (107) 가 온도 임계값 판독값에 책임있는 열 에너지의 소스인지를 결정하기 위해 PMIC (107) 상의 센서 (157) 를 폴링할 수도 있다. 그렇지 않은 경우, 서브 방법 (640B) 은 종료하고 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PMIC (107) 또는 충전 관리자 (104) 기능성과 연관되지 않은 선택적 열 완화 조치들을 취할 수도 있다.
다음에, 블록 (820) 에서, 블록 (815) 에서의 그 계산들에 기초하여, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 충전 관리자 (104) 의 충전 기능을 오버라이드하도록 제어 알고리즘을 구현하여, 칩 (102) 에 대한 임의의 해로운 열 부하의 생성을 완화하도록 배터리 (180) 의 재충전을 조작할 수도 있다. 그 후, 서브 방법은 도 9a 의 블록 (645) 로 리턴한다.
블록 (820) 에서 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의해 실행되는 제어 알고리즘은 도 11 에 도시된 예시적인 논리 챠트을 따를 수도 있다. 도 11 을 참조하면, 테이블에 문서화된 오버라이드의 여러 단계들 또는 등급들은 PMIC (107) 기능성의 오버라이드와 결합하여 취해질 수도 있는 열적으로 완화하는 조치들의 종합적인 제공을 나타내도록 의도되지 않는다. 또, 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 도 11 의 테이블에 제시된 조치들의 임의의 조합은 개개의 PCD (100) 실시형태들로서 도 6 및 도 7 과 관련하여 개괄된 여러 상태들로 맵핑될 수도 있고, 사용 케이스들은 신중하게 지시할 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
도 11 의 테이블을 고려하는데 있어서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 PMIC (107) 가 실제로 칩 (102) 내의 디바이스에 대한 해로운 영향을 피하기 위해 완화되어야 하는 열 에너지의 소스라고 도 10 의 블록 (815) 에서 적절히 결정했다는 것이 가정될 수도 있다. 도 11 의 테이블을 참조하면, 여러 열 폴리시 상태들과 상관하는 온도 임계값들의 시리즈는 예를 들어 CPU (110) 또는 GPU (135) 와 같은 칩 (102) 에 상주하는 예시적인 디바이스에서 감지된 온도와 연관된다. 임계값 온도가 감지되면, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 칩 (102) 의 외주에서 발생하는 여러 열 에너지 발생 태스크들의 오버라이드를 포함하는 열 완화를 위한 제어 알고리즘을 실행할 수도 있다.
예를 들어, 약 섭씨 55 도의 임계값 온도 미만에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 열 완화 기법을 활성화하거나 개시하지 않을 수도 있다. 이것은 CPU (110) 가 풀 프로세싱 스피드로 계속 실행하는 것을 허용할 것이다. 그러나, 55 도 임계값 위에서, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 CPU (110) 를 절반의 스피드로 줄일 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 의한 이러한 액션은 디바이스 자체에 의해 발생된 열 에너지의 양을 감소시킬 수도 있다. 이러한 액션은 또한 충전 관리자 (104) 로 하여금 계속적인 재충전 동작에서 배터리 (180) 에 공급되는 전류가 감소되는 것을 지시하게 할 수도 있다. 충전 관리자에 의한 이러한 액션은 또한 PMIC (107) 에서 발생된 열 에너지의 양을 완화할 수도 있다.
열 완화 조치들이 약 섭씨 53 도의 클리어링 임계값 미만까지 칩 (102) 에서 감지되는 온도에 있어서의 감소를 야기하는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 풀 프로세서 스피드로 리턴하기 위해 절반의 프로세싱 스피드 및 감소된 충전 전류 제한들을 중단할 수도 있다. 그러나, 칩 (102) 에서 모니터링되는 온도가 65 도 위로 계속 상승하는 경우, 열 폴리시 관리자 모듈은 그의 알고리즘을 적용하여 1/3 용량으로 프로세서 (110) 스피드의 추가의 감소를 포함하는 더 극단적인 조치들을 취하고, 계속적인 배터리 재충전을 중단하며, 사용자 디스플레이를 디밍할 수도 있으며, 이들 모두는 PCD (100) 의 온도를 낮추기 위해 결합할 수도 있다.
그 조치들이 클리어링 온도가 감지되도록 작동하는 경우, 열 완화 조치들은 더 시시한 열 상태와 연관된 이전의 레벨들로 다시 스케일링될 수도 있다. 대안적으로, 그 열 완화 조치들이 PCD (100) 내의 온도 상승을 저지하지 않는 경우, 일부 열 폴리시 관리자 모듈 알고리즘들은 PCD (100) 의 완전한 셧다운을 지시할 수도 있다. 예시적인 설명에서, 85 도 위에서 측정된 온도들은 PCD (100) 의 완전한 셧다운을 트리거할 수도 있다.
다시, 도 11 에 도시된 온도 임계값들은 예시적인 목적들을 위해서만 제공되고, 제공된 예시적인 임계값들에서 열 완화 기법들을 트리거하는 열 완화 알고리즘의 범위를 그와 같이 제한하지 않을 것이다. 본 기술에서 통상의 지식을 가진자는 열 완화 알고리즘의 주어진 실시형태가 열 폴리시 관리자 모듈 (101), 또는 그의 등가물에 의해 실행되는 온도 임계값들, 또는 범위들이 특정의 PCD (100) 실시형태들, 열 폴리시들 또는 사용자 선호에 따라 변할 수도 있다는 것을 인식할 것이다.
상술된 발명적인 시스템 및 방법들의 관점에서, OEM (Original Equipment Manufacturer) 은 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (100) 에 의해 생성된 열을 감소시키기 위한 하나 이상의 열 완화 기법들을 개시하는 상이한 조건들을 포함할 수도 있는, 도 6 및 도 7 에 도시된 것들과 같은 열 상태들 (305, 310, 315, 및 320) 의 세트를 갖도록 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 을 프로그램할 수도 있다. OEM 은 도 7 및 도 11 에 도시된 바와 같이, 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 에 대한 각각의 열 상태 (도 6 의 305, 310, 315, 320) 에 대응하는 열 완화 기법들의 세트를 선택할 수도 있다.
열 완화 기법들의 각 세트는 (도 7 의 305, 310, 315, 및 320 과 같은) 특정의 열 상태에 대해 고유할 수도 있다. 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 은 온도 임계값들이 사용되는, 도 8 또는 도 11 에 도시된 바와 같은, 각각의 열 완화 기법에 대한 임계값들을 갖도록 OEM 에 의해 프로그램될 수도 있다. 도 7 에 도시된 바와 같은 각각의 열 완화 기법은 다른 현존하는 열 완화 기법들에 비해 고유의 전력 감소 알고리즘을 포함할 수도 있다.
OEM 은 특정의 열 완화 기법과 연관되는 전력 감소들에 대한 하나 이상의 크기들을 갖도록 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 을 프로그램할 수도 있다. 다른 실시형태들에서, OEM 은 휴대용 컴퓨팅 디바이스에 의해 생성된 열을 감소시키기 위한 등급을 갖는 단계들의 시리즈로 휴대용 컴퓨팅 디바이스의 서비스의 품질을 희생시키는 복수의 열 완화 기법들을 갖도록 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 을 프로그램할 수도 있다.
OEM 은 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (100) 에 의해 실행되고 있는 애플리케이션 프로그램들에 의해 생성된 기능들에 기초하여 순차로 열 완화 기법들을 활성화하도록 열 폴리시 관리자 모듈 (101) 을 프로그램할 수도 있다. 예를 들어, 각각의 알고리즘은 휴대용 컴퓨팅 디바이스 (100) 상에서 실행하고 있는 애플리케이션 프로그램에 의해 실행되고 있는 특정의 기능 또는 태스크에 기초하여 활성화될 수도 있다.
본 명세서에 기술된 프로세스들 또는 프로세스 흐름들에서의 소정의 단계들은 기술된 바와 같이 기능하도록 본 발명에 대해 당연히 다른 것들을 선행한다. 그러나, 본 발명은 그러한 순서 또는 시퀀스가 본 발명의 기능성을 변경하지 않는다면 기술된 단계들의 순서에 제한되지 않는다. 즉, 일부 단계들은 본 발명의 범위 및 사상으로부터 일탈하지 않고 다른 단계들의 앞, 뒤, 또는 병렬로 (실질적으로 동시에) 수행될 수도 있다는 것이 인식된다. 일부 예들에서, 소정의 단계들은 본 발명으로부터 일탈하지 않고 생략되거나 수행되지 않을 수도 있다. 또, "이후에", "그 후", "다음에" 등과 같은 단어들은 단계들의 순서를 제한하도록 의도되지 않는다. 이들 단어들은 단지 예시적인 방법의 설명을 통해 독자를 안내하기 위해 사용된다.
또, 프로그래밍에서 통상의 지식을 가진자는 예를 들어 본 명세서 내의 흐름도들 및 연관된 설명에 기초하여 어려움 없이 개시된 발명을 구현하기 위해 컴퓨터 코드를 기입하거나 적절한 하드웨어 및/또는 회로들을 식별할 수 있다.
따라서, 특정의 세트의 프로그램 코드 명령들 또는 상세한 하드웨어 디바이스들의 개시는 본 발명을 실시하고 사용하는 방법에 대한 적절한 이해를 위해 필요하다고 고려되지 않는다. 청구된 컴퓨터 구현 프로세스들의 발명적 기능성은 여러 프로세스 흐름들을 도시할 수도 있는 도면들과 결합하여 그리고 상기 상세한 설명에서 더욱 상세히 설명된다.
하나 이상의 예시적인 양태들에서, 기술된 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 컴퓨터 판독가능 매체 상에 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 송신될 수도 있다.
이 문서의 콘텍스트에서, 컴퓨터 판독가능 매체는 컴퓨터 관련 시스템 또는 방법에 의하거나 결합하여 사용하기 위해 컴퓨터 프로그램 및 데이터를 포함 또는 저장할 수도 있는 전자적, 자기적, 광학적, 또는 다른 물리적 디바이스 또는 수단이다. 여러 논리 엘리먼트들 및 데이터 저장 장치는 명령 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령들을 가져와 그 명령들을 실행할 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템 또는 다른 시스템과 같은 명령 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의하거나 관련하여 사용하기 위한 임의의 컴퓨터 판독가능 매체에서 구현될 수도 있다. 이 문서의 콘텍스트에서, "컴퓨터 판독가능 매체" 는 명령 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의하거나 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 저장, 통신, 전파, 또는 수송할 수도 있는 임의의 수단을 포함할 수도 있다.
컴퓨터 판독가능 매체는 예를 들어 전자적, 자기적, 광학적, 전자기적, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치, 디바이스, 또는 전파 매체일 수도 있지만, 이들에 제한되지 않는다. 컴퓨터 판독가능 매체의 더욱 상세한 예들 (비포괄적인 리스트) 은 다음을 포함할 것이다: 하나 이상의 와이어들을 갖는 전기적 연결 (전자적), 휴대용 컴퓨터 디스켓 (자기적), 램덤 액세스 메모리 (RAM) (전자적), 리드 온리 메모리 (ROM) (전자적), 소거가능 프로그래머블 리드 온리 메모리 (EPROM, EEPROM, 또는 플래시 메모리) (전자적), 광섬유 (광학적), 및 휴대용 컴팩트 디스크 리드 온리 메모리 (CDROM) (광학적). 프로그램이 예를 들어 종이 또는 다른 매체의 광학적 스캐닝을 통해 전자적으로 캡쳐되고, 그 후 컴파일되고, 인터프리트되며 또는 달리 필요하다면 적합한 방식으로 프로세싱된 후, 컴퓨터 메모리에 저장될 수 있기 때문에 컴퓨터 판독가능 매체는 심지어 프로그램이 프린트되는 종이나 다른 적절한 매체일 수 있을 것이다.
컴퓨터 판독가능 매체는 한 곳에서 다른 곳으로 컴퓨터 프로그램의 전송을 용이하게 하는 임의의 매체를 포함하는 컴퓨터 저장 매체 및 통신 매체 양자 모두를 포함한다. 저장 매체는 컴퓨터에 의해 액세스될 수도 있는 임의의 이용가능한 매체일 수도 있다. 제한이 아닌 예로써, 그러한 컴퓨터 판독가능 매체는 임의의 광학적 디스크 기억장치, 자기적 디스크 기억 장치, 또는 다른 자기적 저장 디바이스들, 또는 명령들이나 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드를 반송하거나 저장하는데 사용될 수도 있고 컴퓨터에 의해 액세스될 수도 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수도 있다.
또한, 임의의 연결은 적절하게 컴퓨터 판독가능 매체로 지칭된다. 예를 들어, 소프트웨어가 동축 케이블, 광섬유 케이블, 트위스티드 쌍, 디지털 가입자 라인 ("DSL"), 또는 적외선, 라디오 및 마이크로웨이브와 같은 무선 기술들을 사용하여 웹사이트, 서버, 또는 다른 원격 소스로부터 송신되는 경우, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 트위스티드 쌍, DSL, 또는 적외선, 라디오 및 마이크로웨이브와 같은 무선 기술들은 매체의 정의에 포함된다.
여기에 사용된 디스크 (disk) 및 디스크 (disc) 는 콤팩트 디스크 ("CD"), 레이저 디스크, 광 디스크, DVD (digital versatile disc), 플로피 디스크 및 블루 레이 디스크를 포함하며, 여기서 디스크 (disk) 는 통상 자기적으로 데이터를 재생하는 반면, 디스크 (disc) 는 레이저들을 사용하여 데이터를 광학적으로 재생한다. 상기한 것들의 조합들은 또한 컴퓨터 판독가능 매체의 범위 내에 포함되어야 한다.
따라서, 선택된 양태들이 상세히 도시 및 기술되었지만, 본 기술에서 통상의 기술을 가진 자에 의해 이해되는 바와 같이, 여러 치환들 및 변경들이 다음의 청구항들에 의해 정의된 바와 같이, 행해질 수도 있다.

Claims (40)

  1. 휴대용 컴퓨팅 디바이스에서의 열 에너지 발생을 관리하기 위한 방법으로서,
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 1 디바이스와 연관된 제 1 온도 판독값 (reading) 을 검출하는 단계로서, 상기 제 1 디바이스는 멀티코어 프로세서를 포함하고, 상기 온도 판독값은 열 에너지 임계값이 도달되었다는 것을 나타내는, 상기 제 1 온도 판독값을 검출하는 단계;
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 2 디바이스와 연관된 제 2 온도 판독값을 검출하는 단계로서, 상기 제 2 디바이스는 상기 제 1 디바이스와 물리적으로 근접하고 전력 관리 집적 회로를 포함하는, 상기 제 2 온도 판독값을 검출하는 단계;
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정하는 단계; 및
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정되는 경우, 상기 제 2 디바이스와 연관된 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 단계로서, 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 단계는 제 1 열 완화 기법의 적용을 포함하는, 상기 오버라이드하는 단계를 포함하는, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 중앙 프로세싱 유닛인, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 그래픽 프로세싱 유닛인, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 감소시키는 것을 포함하는, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 사이클링하는 것을 포함하는, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 온도 판독값이 임계값 아래로 냉각된 것을 검출하는 단계; 및
    상기 제 2 디바이스와 연관된 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것을 중단하는 단계를 더 포함하는, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 온도 판독값이 제 2 임계값을 초과했다는 것을 검출하는 단계; 및
    제 2 열 완화 기법을 적용하는 단계를 더 포함하는, 열 에너지 발생을 관리하는 방법.
  11. 휴대용 컴퓨팅 디바이스에서의 열 에너지 발생을 관리하는 컴퓨터 시스템으로서,
    열 폴리시 관리자 모듈을 포함하고,
    상기 열 폴리시 관리자 모듈은,
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 1 디바이스와 연관된 제 1 온도 판독값 (reading) 을 검출하는 것으로서, 상기 제 1 디바이스는 멀티코어 프로세서를 포함하고, 상기 온도 판독값은 열 에너지 임계값이 도달되었다는 것을 나타내는, 상기 제 1 온도 판독값을 검출하고;
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 2 디바이스와 연관된 제 2 온도 판독값을 검출하는 것으로서, 상기 제 2 디바이스는 상기 제 1 디바이스와 물리적으로 근접하고 전력 관리 집적 회로를 포함하는, 상기 제 2 온도 판독값을 검출하며;
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정하고;
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정되는 경우, 상기 제 2 디바이스와 연관된 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것으로서, 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것은 제 1 열 완화 기법의 적용을 포함하는, 상기 오버라이드하도록 동작가능한, 컴퓨터 시스템.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 중앙 프로세싱 유닛인, 컴퓨터 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 그래픽 프로세싱 유닛인, 컴퓨터 시스템.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 감소시키는 것을 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 사이클링하는 것을 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 열 폴리시 관리자 모듈은 또한,
    상기 제 1 온도 판독값이 임계값 아래로 냉각된 것을 검출하고;
    상기 제 2 디바이스와 연관된 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것을 중단하도록 동작가능한, 컴퓨터 시스템.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 열 폴리시 관리자 모듈은 또한,
    상기 제 1 온도 판독값이 제 2 임계값을 초과했다는 것을 검출하고;
    제 2 열 완화 기법을 적용하도록 동작가능한, 컴퓨터 시스템.
  21. 휴대용 컴퓨팅 디바이스에서의 열 에너지 발생을 관리하기 위한 컴퓨터 시스템으로서,
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 1 디바이스와 연관된 제 1 온도 판독값 (reading) 을 검출하는 수단으로서, 상기 제 1 디바이스는 멀티코어 프로세서를 포함하고, 상기 온도 판독값은 열 에너지 임계값이 도달되었다는 것을 나타내는, 상기 제 1 온도 판독값을 검출하는 수단;
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 2 디바이스와 연관된 제 2 온도 판독값을 검출하는 수단으로서, 상기 제 2 디바이스는 상기 제 1 디바이스와 물리적으로 근접하고 전력 관리 집적 회로를 포함하는, 상기 제 2 온도 판독값을 검출하는 수단;
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정하는 수단; 및
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정되는 경우, 상기 제 2 디바이스와 연관된 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 수단으로서, 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것은 제 1 열 완화 기법의 적용을 포함하는, 상기 오버라이드하는 수단을 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  22. 삭제
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 중앙 프로세싱 유닛인, 컴퓨터 시스템.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 그래픽 프로세싱 유닛인, 컴퓨터 시스템.
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 감소시키는 것을 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 사이클링하는 것을 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  29. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 온도 판독값이 임계값 아래로 냉각된 것을 검출하는 수단; 및
    상기 제 2 디바이스와 연관된 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것을 중단하는 수단을 더 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  30. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 온도 판독값이 제 2 임계값을 초과했다는 것을 검출하는 수단; 및
    제 2 열 완화 기법을 적용하는 수단을 더 포함하는, 컴퓨터 시스템.
  31. 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드가 수록된 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
    상기 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드는 휴대용 컴퓨팅 디바이스에서의 열 에너지 발생을 관리하기 위한 방법을 구현하기 위해 실행되도록 구성되고,
    상기 방법은,
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 1 디바이스와 연관된 제 1 온도 판독값 (reading) 을 검출하는 단계로서, 상기 제 1 디바이스는 멀티코어 프로세서를 포함하고, 상기 온도 판독값은 열 에너지 임계값이 도달되었다는 것을 나타내는, 상기 제 1 온도 판독값을 검출하는 단계;
    상기 휴대용 컴퓨팅 디바이스 내의 제 2 디바이스와 연관된 제 2 온도 판독값을 검출하는 단계로서, 상기 제 2 디바이스는 상기 제 1 디바이스와 물리적으로 근접하고 전력 관리 집적 회로를 포함하는, 상기 제 2 온도 판독값을 검출하는 단계;
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정하는 단계; 및
    상기 제 2 온도 판독값이 상기 제 2 디바이스가 상기 제 1 온도 판독값에 기여하는 열 에너지를 발생시키고 있다는 것을 나타낸다고 결정되는 경우, 상기 제 2 디바이스와 연관된 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 단계로서, 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 단계는 제 1 열 완화 기법의 적용을 포함하는, 상기 오버라이드하는 단계를 포함하는, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  32. 삭제
  33. 제 31 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 중앙 프로세싱 유닛인, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  34. 제 31 항에 있어서,
    상기 멀티코어 프로세서는 그래픽 프로세싱 유닛인, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 제 31 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 감소시키는 것을 포함하는, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  38. 제 31 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화 기법은 배터리에 공급되는 전류를 사이클링하는 것을 포함하는, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  39. 제 31 항에 있어서,
    상기 프로그램 코드는,
    상기 제 1 온도 판독값이 임계값 아래로 냉각된 것을 검출하는 단계; 및
    상기 제 2 디바이스와 연관된 상기 배터리 재충전 기능을 오버라이드하는 것을 중단하는 단계를 더 포함하는 방법을 구현하는, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
  40. 제 31 항에 있어서,
    상기 프로그램 코드는,
    상기 제 1 온도 판독값이 제 2 임계값을 초과했다는 것을 검출하는 단계; 및
    제 2 열 완화 기법을 적용하는 단계를 더 포함하는 방법을 구현하는, 컴퓨터 사용가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017087414A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-26 Molex, Llc Power charging module and methods of using same

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103138940B (zh) * 2011-11-28 2016-06-01 英业达科技有限公司 服务器机架系统
JP5919991B2 (ja) * 2011-11-29 2016-05-18 ソニー株式会社 電子機器、給電装置および給電システム
US9431848B2 (en) 2012-12-06 2016-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd Method and apparatus for protecting wireless power receiver from excessive charging temperature
US9518873B2 (en) 2013-06-27 2016-12-13 Google Technology Holdings LLC Electronic system and method for thermal management therein taking into account solar thermal loading
US10025329B2 (en) 2013-08-21 2018-07-17 Google Technology Holdings LLC Method and apparatus for adjusting portable electronic device operation based on ambient temperature
KR20150050135A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 삼성전자주식회사 복수의 이종 코어들을 포함하는 전자 시스템 및 이의 동작 방법
US9582012B2 (en) 2014-04-08 2017-02-28 Qualcomm Incorporated Energy efficiency aware thermal management in a multi-processor system on a chip
US9565081B2 (en) 2014-05-19 2017-02-07 Ebay Inc. Phone thermal context
KR102210770B1 (ko) 2014-09-02 2021-02-02 삼성전자주식회사 반도체 장치, 반도체 시스템 및 그 제어 방법
US10555436B1 (en) 2014-09-02 2020-02-04 Apple Inc. Electronic device with thermal management system
US9991727B2 (en) 2015-03-06 2018-06-05 International Business Machines Corporation Smart battery charging to improve the lifespan of batteries
US10133324B2 (en) * 2015-06-29 2018-11-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Thermal mitigation user experience
US20180026451A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Mediatek Inc. Thermal management for concurrent workload execution and fast charging
US11656666B2 (en) 2016-11-16 2023-05-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic power source selection, charging, and discharging
US20180136708A1 (en) * 2016-11-16 2018-05-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic Energy Storage Device Charging
CN106451680B (zh) * 2016-11-30 2019-11-08 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种设备终端及其充电监控方法、系统
KR20180080938A (ko) * 2017-01-05 2018-07-13 삼성전자주식회사 배터리 팩으로부터 출력된 전력을 제어하는 회로 및 배터리 팩
CN106655397B (zh) * 2017-01-13 2019-06-14 Oppo广东移动通信有限公司 充电控制方法、装置及电子设备
JP7160895B2 (ja) 2017-04-03 2022-10-25 ヨッタ ソーラー インク． 熱調節型モジュール式エネルギー貯蔵装置および方法
US10782754B2 (en) * 2018-09-21 2020-09-22 Quanta Computer Inc. Thermal management via virtual BMC manager
US10916274B2 (en) 2019-04-19 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Power management integrated circuits and semiconductor memory modules including power management integrated circuits

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2003762A2 (en) * 2006-03-24 2008-12-17 NEC Corporation Charging system, charging control program, and portable terminal
KR20080113263A (ko) * 2006-03-27 2008-12-29 소니 에릭슨 모빌 커뮤니케이션즈 에이비 배터리 충전 온도 제어
US20090251108A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Chun-Chen Chao Portable electronic device and method of adjusting charging current for a rechargeable battery unit thereof
US20090322150A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Cline Leslie E Intervention of independent self-regulation of power consumption devices

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001145274A (ja) * 1999-11-15 2001-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 充電装置を備えた携帯機器
JP4566392B2 (ja) * 2000-11-16 2010-10-20 レノボ シンガポール プライヴェート リミテッド 温度制御に伴うアクションレベルを決定する電池、電池パック、コンピュータ装置、電気機器、および電池の温度制御方法
US6795781B2 (en) 2002-06-27 2004-09-21 Intel Corporation Method and apparatus for compiler assisted power management
US7117114B2 (en) 2004-08-23 2006-10-03 Intel Corporation On-die temperature control data for communicating to a thermal actuator
US20060063555A1 (en) 2004-09-23 2006-03-23 Matthew Robbins Device, system and method of pre-defined power regulation scheme
US7596464B2 (en) * 2004-09-29 2009-09-29 Intel Corporation Determining the thermal influence of components within a system and usage of a matrix for power and thermal management
CN100401230C (zh) * 2005-11-17 2008-07-09 英业达股份有限公司 散热管理装置
JP5047506B2 (ja) * 2006-02-16 2012-10-10 京セラ株式会社 電子機器及びその充電方法
US20070220293A1 (en) 2006-03-16 2007-09-20 Toshiba America Electronic Components Systems and methods for managing power consumption in data processors using execution mode selection
US8169195B1 (en) * 2006-07-18 2012-05-01 Global Energy Innovations Method and apparatus for using a battery terminal temperature differential during charging of the battery
JP2008193783A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Nec Corp 充電制御方法、携帯端末および充電制御システム
US7734440B2 (en) 2007-10-31 2010-06-08 Agere Systems Inc. On-chip over-temperature detection
CA2665340C (en) * 2008-05-09 2013-10-01 Research In Motion Limited System and method for dynamic power management of a mobile device
US8793512B2 (en) * 2010-10-29 2014-07-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for thermal control of processing nodes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2003762A2 (en) * 2006-03-24 2008-12-17 NEC Corporation Charging system, charging control program, and portable terminal
KR20080113263A (ko) * 2006-03-27 2008-12-29 소니 에릭슨 모빌 커뮤니케이션즈 에이비 배터리 충전 온도 제어
US20090251108A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Chun-Chen Chao Portable electronic device and method of adjusting charging current for a rechargeable battery unit thereof
US20090322150A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Cline Leslie E Intervention of independent self-regulation of power consumption devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017087414A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-26 Molex, Llc Power charging module and methods of using same

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